JP2003204117A - 湿気に対してパッシベートされた垂直空洞面発光レーザ - Google Patents
湿気に対してパッシベートされた垂直空洞面発光レーザInfo
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- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
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- H01S5/42—Arrays of surface emitting lasers
- H01S5/423—Arrays of surface emitting lasers having a vertical cavity
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザ・デバイスを湿気から保護する。
【解決手段】 上部ミラー１４と、底部ミラー１６と、
前記上部ミラー１４と前記底部ミラー１６との間に配置
され、活性発光領域２０を含む空洞領域１２とを含み、
上部ミラー１４と底部ミラー１６との少なくとも一方
が、酸化剤にさらされた結果として電気絶縁体内まで酸
化された周辺領域２８を備えた層を有している、ほぼ平
面の上部表面を備えた垂直スタック構造を含む、垂直空
洞面発光レーザ１０であって、前記ほぼ平面の上部表面
から酸化された周辺領域２８までそれぞれ延びる２つ以
上のエッチング加工された穴２６が、前記垂直スタック
構造を形成し、エッチング加工された穴２６のそれぞれ
が、かぶせられた湿気浸透防護壁４０によって湿気に対
してパッシベートされている垂直空洞面発光レーザ１０
を提供する。
前記上部ミラー１４と前記底部ミラー１６との間に配置
され、活性発光領域２０を含む空洞領域１２とを含み、
上部ミラー１４と底部ミラー１６との少なくとも一方
が、酸化剤にさらされた結果として電気絶縁体内まで酸
化された周辺領域２８を備えた層を有している、ほぼ平
面の上部表面を備えた垂直スタック構造を含む、垂直空
洞面発光レーザ１０であって、前記ほぼ平面の上部表面
から酸化された周辺領域２８までそれぞれ延びる２つ以
上のエッチング加工された穴２６が、前記垂直スタック
構造を形成し、エッチング加工された穴２６のそれぞれ
が、かぶせられた湿気浸透防護壁４０によって湿気に対
してパッシベートされている垂直空洞面発光レーザ１０
を提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プレーナ・インデ
ックス・ガイド式（planar index-guided）の酸化物垂
直空洞面発光レーザ（oxide vertical cavity surface
emitting laser：以下、「ＶＣＳＥＬ」とよぶ）及びその
製造方法に関する。
ックス・ガイド式（planar index-guided）の酸化物垂
直空洞面発光レーザ（oxide vertical cavity surface
emitting laser：以下、「ＶＣＳＥＬ」とよぶ）及びその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＶＣＳＥＬは、金属材料、誘電体材料、
または、エピタキシャル成長半導体材料から形成するこ
とでき、１対の反射率の高いミラー・スタック間に挟ま
れている光学的に活性の半導体層（例えば、ＡｌＩｎＧ
ａＡｓまたはＩｎＧａＡｓＰ等）から形成されたレーザ
・デバイスである。一般に、ミラー・スタック間の光学
的に活性の半導体層に形成された、共振空洞内で生じる
コヒーレント光の一部をレーザ・デバイスから放出する
ことができるように、ミラー・スタックの一方は、反射
率がもう一方より低くなっている。一般に、ＶＣＳＥＬ
は、共振空洞の上部表面または底部表面からビームの発
散度が比較的に小さいレーザ光を放出する。一重項の１
次元アレイまたは２次元アレイをなすようにＶＣＳＥＬ
を構成したり、ウェーハ上でＶＣＳＥＬをテストした
り、光ファイバ・ケーブルに結合可能な光トランシーバ
・モジュールへと簡単に組み込んだりすることができ
る。
または、エピタキシャル成長半導体材料から形成するこ
とでき、１対の反射率の高いミラー・スタック間に挟ま
れている光学的に活性の半導体層（例えば、ＡｌＩｎＧ
ａＡｓまたはＩｎＧａＡｓＰ等）から形成されたレーザ
・デバイスである。一般に、ミラー・スタック間の光学
的に活性の半導体層に形成された、共振空洞内で生じる
コヒーレント光の一部をレーザ・デバイスから放出する
ことができるように、ミラー・スタックの一方は、反射
率がもう一方より低くなっている。一般に、ＶＣＳＥＬ
は、共振空洞の上部表面または底部表面からビームの発
散度が比較的に小さいレーザ光を放出する。一重項の１
次元アレイまたは２次元アレイをなすようにＶＣＳＥＬ
を構成したり、ウェーハ上でＶＣＳＥＬをテストした
り、光ファイバ・ケーブルに結合可能な光トランシーバ
・モジュールへと簡単に組み込んだりすることができ
る。
【０００３】一般に、利得ガイド型ＶＣＳＥＬ（gain-g
uided VCSEL）またはインデックス・ガイド式ＶＣＳＥ
Ｌ(index-guided VCSEL)としてＶＣＳＥＬを特徴づける
ことができる。インプラントＶＣＳＥＬ（implant VCSE
L）は、最も広く市販されている利得ガイド型ＶＣＳＥ
Ｌである。インプラントＶＣＳＥＬは、電流の閉じ込め
と寄生減少とに対する１以上の抵抗の大きいインプラン
ト領域を含む。一方、酸化物ＶＣＳＥＬは、最も一般的
な側方インデックス・ガイド式ＶＣＳＥＬ(laterally i
ndex-guided VCSEL)である。酸化物ＶＣＳＥＬは、電流
閉じ込めと光閉じ込めとの両方に対する酸化物層（ある
いはインプラント領域）を含む。
uided VCSEL）またはインデックス・ガイド式ＶＣＳＥ
Ｌ(index-guided VCSEL)としてＶＣＳＥＬを特徴づける
ことができる。インプラントＶＣＳＥＬ（implant VCSE
L）は、最も広く市販されている利得ガイド型ＶＣＳＥ
Ｌである。インプラントＶＣＳＥＬは、電流の閉じ込め
と寄生減少とに対する１以上の抵抗の大きいインプラン
ト領域を含む。一方、酸化物ＶＣＳＥＬは、最も一般的
な側方インデックス・ガイド式ＶＣＳＥＬ(laterally i
ndex-guided VCSEL)である。酸化物ＶＣＳＥＬは、電流
閉じ込めと光閉じ込めとの両方に対する酸化物層（ある
いはインプラント領域）を含む。
【０００４】ＶＣＳＥＬ及びＶＣＳＥＬアレイは、（例
えば、６５０ｎｍと８５０ｎｍと９８０ｎｍと１３００
ｎｍと１５５０ｎｍ等の）さまざまな異なる波長におけ
る単一モード動作用及びマルチモード動作用に首尾よく
開発された。しかし、ＶＣＳＥＬテクノロジの市場にお
ける成功は、高性能で高信頼性を特徴とするＶＣＳＥＬ
構造の開発に大部分が依存するであろう。
えば、６５０ｎｍと８５０ｎｍと９８０ｎｍと１３００
ｎｍと１５５０ｎｍ等の）さまざまな異なる波長におけ
る単一モード動作用及びマルチモード動作用に首尾よく
開発された。しかし、ＶＣＳＥＬテクノロジの市場にお
ける成功は、高性能で高信頼性を特徴とするＶＣＳＥＬ
構造の開発に大部分が依存するであろう。
【０００５】ＶＣＳＥＬの性能及び信頼性を高めるため
の技法が提案されている。例えば、リッジＶＣＳＥＬ及
びインプラントＶＣＳＥＬを物理的損傷及び化学的損傷
に対してパッシベートする（passivate：保護あるいは
不動態化する）ための方式について、例えば、特許文献
１に記載されている。この方式によれば、発光開口領域
及びその周囲の上部金属電極を含むＶＣＳＥＬ構造全体
が、絶縁材料層によって被覆される。絶縁材料の光学的
な厚さは、ＶＣＳＥＬが放出するように設計された光の
二分の一波長の整数倍である。物理的損傷及び化学的損
傷からＶＣＳＥＬデバイスを保護するために、パッシベ
ート層により、ＶＣＳＥＬデバイス構造全体が被覆され
る。
の技法が提案されている。例えば、リッジＶＣＳＥＬ及
びインプラントＶＣＳＥＬを物理的損傷及び化学的損傷
に対してパッシベートする（passivate：保護あるいは
不動態化する）ための方式について、例えば、特許文献
１に記載されている。この方式によれば、発光開口領域
及びその周囲の上部金属電極を含むＶＣＳＥＬ構造全体
が、絶縁材料層によって被覆される。絶縁材料の光学的
な厚さは、ＶＣＳＥＬが放出するように設計された光の
二分の一波長の整数倍である。物理的損傷及び化学的損
傷からＶＣＳＥＬデバイスを保護するために、パッシベ
ート層により、ＶＣＳＥＬデバイス構造全体が被覆され
る。
【０００６】
【特許文献１】米国特許第５、７１９、８９３号明細書
【０００７】
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、別な方法であ
ればインデックス・ガイド式閉じ込め領域の形成に用い
られるエッチング穴へと浸入する湿気により生じうる損
傷に対するこれらのデバイス固有の影響されやすさに対
処した、プレーナ・インデックス・ガイド式ＶＣＳＥＬ
をパッシベートする仕方（システム及び方法）を特徴と
する。
ればインデックス・ガイド式閉じ込め領域の形成に用い
られるエッチング穴へと浸入する湿気により生じうる損
傷に対するこれらのデバイス固有の影響されやすさに対
処した、プレーナ・インデックス・ガイド式ＶＣＳＥＬ
をパッシベートする仕方（システム及び方法）を特徴と
する。
【０００９】一つの態様において、本発明は、ほぼ平面
の上部表面を持つ垂直スタック構造を含むＶＣＳＥＬを
特徴とする。垂直スタック構造は、上部ミラーと、底部
ミラーと、上部ミラーと底部ミラーとの間に配置された
空洞領域とを含み、活性発光領域を含む。上部ミラーと
底部ミラーとの少なくとも一方は、酸化剤にさらされた
結果、電気絶縁体内まで酸化されている周辺領域を備え
た層を有する。ほぼ平面の上部表面から酸化した周辺領
域までそれぞれ延びる２つ以上のエッチング加工された
穴が、垂直スタック構造により形成されている。かぶせ
られた湿気浸透防護壁（overlying moisture penetrati
on barrier）によって、エッチング加工された穴のそれ
ぞれが湿気に対してパッシベートされている。
の上部表面を持つ垂直スタック構造を含むＶＣＳＥＬを
特徴とする。垂直スタック構造は、上部ミラーと、底部
ミラーと、上部ミラーと底部ミラーとの間に配置された
空洞領域とを含み、活性発光領域を含む。上部ミラーと
底部ミラーとの少なくとも一方は、酸化剤にさらされた
結果、電気絶縁体内まで酸化されている周辺領域を備え
た層を有する。ほぼ平面の上部表面から酸化した周辺領
域までそれぞれ延びる２つ以上のエッチング加工された
穴が、垂直スタック構造により形成されている。かぶせ
られた湿気浸透防護壁（overlying moisture penetrati
on barrier）によって、エッチング加工された穴のそれ
ぞれが湿気に対してパッシベートされている。
【００１０】本発明の実施態様は、下記特徴の１つ以上
を含みうる。
を含みうる。
【００１１】湿気浸透防護壁の厚さは、エッチング加工
された穴に対する湿気の垂直方向の浸入をほぼ阻止する
ように選択されている。実施態様においては、約３００
ｎｍ以上の厚さを有する窒化珪素層を湿気浸透防護壁が
含んでいる。
された穴に対する湿気の垂直方向の浸入をほぼ阻止する
ように選択されている。実施態様においては、約３００
ｎｍ以上の厚さを有する窒化珪素層を湿気浸透防護壁が
含んでいる。
【００１２】湿気浸透防護壁の剥離をほぼ阻止するのに
十分な側部表面積を有する、かぶせられる湿気浸透防護
壁によって、エッチング加工された穴のそれぞれが湿気
に対してパッシベートされる。
十分な側部表面積を有する、かぶせられる湿気浸透防護
壁によって、エッチング加工された穴のそれぞれが湿気
に対してパッシベートされる。
【００１３】湿気浸透防護壁材料の単一の連続薄膜によ
って、複数のエッチング加工された穴を湿気に対してパ
ッシベートすることができる。
って、複数のエッチング加工された穴を湿気に対してパ
ッシベートすることができる。
【００１４】垂直スタック構造のほぼ平面の上部表面の
上に配置され、かぶせられる湿気浸透防護壁材料がほと
んどない発光領域を囲む上部電極をＶＣＳＥＬは含みう
る。実施態様においては、湿気浸透防護壁が、垂直スタ
ック構造の上部表面における上部電極と発光領域以外の
大部分とを覆っているものもある。
上に配置され、かぶせられる湿気浸透防護壁材料がほと
んどない発光領域を囲む上部電極をＶＣＳＥＬは含みう
る。実施態様においては、湿気浸透防護壁が、垂直スタ
ック構造の上部表面における上部電極と発光領域以外の
大部分とを覆っているものもある。
【００１５】実施態様において、湿気浸透防護壁は、湿
気浸透界面で垂直スタック構造の上部表面と交差する周
辺エッジを含む。垂直スタック構造の上部表面におい
て、かなりの部分がエッチング加工された穴に対して側
方の湿気の浸入をほぼ阻止するのに十分な距離だけ湿気
浸透界面から離隔されたそれぞれの周辺エッジによっ
て、エッチング加工されたそれぞれの穴を囲むことがで
きる。例えば、実施態様において、エッチング加工され
た穴の周辺エッジのそれぞれのかなりの部分を、湿気浸
透界面から約１５μｍ以上離隔することができる。
気浸透界面で垂直スタック構造の上部表面と交差する周
辺エッジを含む。垂直スタック構造の上部表面におい
て、かなりの部分がエッチング加工された穴に対して側
方の湿気の浸入をほぼ阻止するのに十分な距離だけ湿気
浸透界面から離隔されたそれぞれの周辺エッジによっ
て、エッチング加工されたそれぞれの穴を囲むことがで
きる。例えば、実施態様において、エッチング加工され
た穴の周辺エッジのそれぞれのかなりの部分を、湿気浸
透界面から約１５μｍ以上離隔することができる。
【００１６】別の態様において、本発明は、上述のＶＣ
ＳＥＬの２つ以上からなるアレイを特徴とする。
ＳＥＬの２つ以上からなるアレイを特徴とする。
【００１７】別の態様において、本発明は、上述のＶＣ
ＳＥＬの製造方法を特徴とする。
ＳＥＬの製造方法を特徴とする。
【００１８】本発明の他の特徴及び利点は、図面及び請
求項を含む下記の説明から明らかになるであろう。
求項を含む下記の説明から明らかになるであろう。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下の説明において、同様の参照
番号は、同様の構成要素を識別するために用いられる。
さらに、図面は、典型的な実施態様の主たる特徴の概要
を例示することを意図したものである。これらの図面
は、実際の実施態様の全ての特徴を描くことを意図した
ものでもなければ、描かれた実施態様の相対的な寸法を
示すものでもなく、一定の縮小率で描かれているもので
もない。
番号は、同様の構成要素を識別するために用いられる。
さらに、図面は、典型的な実施態様の主たる特徴の概要
を例示することを意図したものである。これらの図面
は、実際の実施態様の全ての特徴を描くことを意図した
ものでもなければ、描かれた実施態様の相対的な寸法を
示すものでもなく、一定の縮小率で描かれているもので
もない。
【００２０】図１Ａと図１Ｂと図２とを参照すると、１
つの実施態様において、プレーナ・インデックス・ガイ
ド式ＶＣＳＥＬ１０は、第１のミラー・スタック（mirr
or stack）１４と基板１８の上に形成された第２のミラ
ー・スタック１６との間に挟まれた空洞領域(cavity re
gion)１２を含む。空洞領域１２は、１対のスペーサ層
２２と層２４との間に挟まれた（例えば、量子井戸また
は１つ以上の量子ドット等の）１つ以上の活性層２０を
含む。他の実施態様では、単一スペーサ層の上または下
に活性層２０を配置することができる。図示のように、
この実施態様の場合には、ＶＣＳＥＬ１０が、第一のミ
ラー・スタック１４の酸化されるいくつかのそれぞれの
側部領域を露出させる、いくつかの穴２６を含むプレー
ナ構造を備えている。第１のミラー・スタック１４の少
なくとも一部分２８は、露出した側部領域から中心に位
置する開口領域３０に向かって内側に酸化される。この
実施態様の場合には、第１の電気接点３２の中心から等
しい距離の位置に４つの穴２６があいている。穴２６
は、第１のミラー・スタック１４の上部表面から、少な
くとも酸化部分２８に対応する１つの層（または複数の
層）まで下方に延びている。ＶＣＳＥＬ構造が熱い水蒸
気にさらされると、熱い水蒸気が穴２６に浸入して穴２
６から遠ざかる半径方向に部分２８を酸化させる。酸化
プロセスは、それぞれの穴２６からの酸化最前部３３が
合わせられて、非酸化開口領域３０を形成するまで続行
される。他のＶＣＳＥＬ実施態様は、より多いあるいは
より少ない露出穴２６、または、分割された円弧や環の
ような他の形状を備えた露出領域のものを含みうる。
つの実施態様において、プレーナ・インデックス・ガイ
ド式ＶＣＳＥＬ１０は、第１のミラー・スタック（mirr
or stack）１４と基板１８の上に形成された第２のミラ
ー・スタック１６との間に挟まれた空洞領域(cavity re
gion)１２を含む。空洞領域１２は、１対のスペーサ層
２２と層２４との間に挟まれた（例えば、量子井戸また
は１つ以上の量子ドット等の）１つ以上の活性層２０を
含む。他の実施態様では、単一スペーサ層の上または下
に活性層２０を配置することができる。図示のように、
この実施態様の場合には、ＶＣＳＥＬ１０が、第一のミ
ラー・スタック１４の酸化されるいくつかのそれぞれの
側部領域を露出させる、いくつかの穴２６を含むプレー
ナ構造を備えている。第１のミラー・スタック１４の少
なくとも一部分２８は、露出した側部領域から中心に位
置する開口領域３０に向かって内側に酸化される。この
実施態様の場合には、第１の電気接点３２の中心から等
しい距離の位置に４つの穴２６があいている。穴２６
は、第１のミラー・スタック１４の上部表面から、少な
くとも酸化部分２８に対応する１つの層（または複数の
層）まで下方に延びている。ＶＣＳＥＬ構造が熱い水蒸
気にさらされると、熱い水蒸気が穴２６に浸入して穴２
６から遠ざかる半径方向に部分２８を酸化させる。酸化
プロセスは、それぞれの穴２６からの酸化最前部３３が
合わせられて、非酸化開口領域３０を形成するまで続行
される。他のＶＣＳＥＬ実施態様は、より多いあるいは
より少ない露出穴２６、または、分割された円弧や環の
ような他の形状を備えた露出領域のものを含みうる。
【００２１】電気接点３２は、デバイスの反対側の端部
に配置される第２の電気接点３４と共に、適合する駆動
回路によるＶＣＳＥＬ１０の駆動を可能にする。動作時
において、電気接点３２と３４との両端に動作電圧が印
加されると、ＶＣＳＥＬ１０に電流が生じる。一般に、
電流は、ＶＣＳＥＬ構造の中心領域を流れ、レイジング
（lasing）が空洞領域１２（以下、「活性領域」とよ
ぶ）の中心部分に生じる。第１のミラー・スタック１４
の酸化部分２８は、キャリヤ及び光子を側方に閉じ込め
る酸化物閉じ込め領域を形成する。キャリヤの閉じ込め
は、閉じ込め領域の比較的に高い電気抵抗率によって生
じ、この結果、電流は、ＶＣＳＥＬ１０の中心に位置す
る領域を優先的に流れることになる。光の閉じ込めは、
空洞領域１２内に発生する光子を導く側方の屈折率プロ
ファイルを生成する閉じ込め領域の屈折率が大幅に低下
することによって結果として生じる。キャリヤ及び光の
側方閉じ込めによって、活性領域内におけるキャリヤ及
び光子の密度が増し、結果として活性領域内における発
光効率が高くなる。
に配置される第２の電気接点３４と共に、適合する駆動
回路によるＶＣＳＥＬ１０の駆動を可能にする。動作時
において、電気接点３２と３４との両端に動作電圧が印
加されると、ＶＣＳＥＬ１０に電流が生じる。一般に、
電流は、ＶＣＳＥＬ構造の中心領域を流れ、レイジング
（lasing）が空洞領域１２（以下、「活性領域」とよ
ぶ）の中心部分に生じる。第１のミラー・スタック１４
の酸化部分２８は、キャリヤ及び光子を側方に閉じ込め
る酸化物閉じ込め領域を形成する。キャリヤの閉じ込め
は、閉じ込め領域の比較的に高い電気抵抗率によって生
じ、この結果、電流は、ＶＣＳＥＬ１０の中心に位置す
る領域を優先的に流れることになる。光の閉じ込めは、
空洞領域１２内に発生する光子を導く側方の屈折率プロ
ファイルを生成する閉じ込め領域の屈折率が大幅に低下
することによって結果として生じる。キャリヤ及び光の
側方閉じ込めによって、活性領域内におけるキャリヤ及
び光子の密度が増し、結果として活性領域内における発
光効率が高くなる。
【００２２】活性層２０は、ＡｌＩｎＧａＡｓ（すなわ
ち、ＡｌＩｎＧａＡｓと、ＧａＡｓと、ＡｌＧａＡｓ
と、ＩｎＧａＡｓ）、ＩｎＧａＡｓＰ（すなわち、Ｉｎ
ＧａＡｓＰと、ＧａＡｓと、ＩｎＧａＡｓと、ＧａＡｓ
Ｐと、ＧａＰ）、ＧａＡｓＳｂ（すなわち、ＧａＡｓＳ
ｂと、ＧａＡｓと、ＧａＳｂ）、ＩｎＧａＡｓＮ（すな
わち、ＩｎＧａＡｓＮと、ＧａＡｓと、ＩｎＧａＡｓ
と、ＧａＡｓＮと、ＧａＮ）、または、ＡｌＩｎＧａＡ
ｓＰ（すなわち、ＡｌＩｎＧａＡｓＰと、ＡｌＩｎＧａ
Ａｓと、ＡｌＧａＡｓと、ＩｎＧａＡｓと、ＩｎＧａＡ
ｓＰと、ＧａＡｓと、ＩｎＧａＡｓと、ＧａＡｓＰと、
ＧａＰ）から形成することができる。他の量子井戸層の
組成を利用することもできる。第１のスペーサ層２２と
第２のスペーサ層２４とは、活性層の材料組成に基づい
て選択された材料から形成することができる。所望の動
作レーザ波長（例えば、６５０ｎｍ〜１６５０ｎｍの範
囲内の波長）に合わせて設計された、分布型ブラッグ・
リフレクタ（distributed Bragg reflector：以下、「Ｄ
ＢＲ」とよぶ）を形成する屈折率の異なる材料による交
互層のシステムを、第１のミラー・スタック１４と第２
のミラー・スタック１６とはそれぞれ含んでいる。例え
ば、第１のミラー・スタック１４と第２のミラー・スタ
ック１６とは、アルミニウムの含有量が多いＡｌＧａＡ
ｓとアルミニウムの含有量が少ないＡｌＧａＡｓとの交
互層から形成することができる。第１のミラー・スタッ
ク１４と第２のミラー・スタック１６との層は、動作レ
ーザ波長の約四分の一波長の有効な光学的厚さ（つま
り、層の厚さに層の屈折率をかけた値）を備えることが
望ましい。基板１８は、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、サファイア
（Ａｌ 2Ｏ3）、または、ＩｎＧａＡｓから形成すること
ができ、アンドープ品、（例えば、Ｓｉ等の）ｎ型ドー
プ品、または、（例えば、Ｚｎ等の）ｐ型ドープ品とす
ることができる。ＶＣＳＥＬ１０の形成前に、基板１８
上に緩衝層３６を成長させることができる。図１の例証
となる表示において、第１のミラー・スタック１４と第
２のミラー・スタック１６とは、レーザ光がＶＣＳＥＬ
１０の上部表面から放出されるように設計されている。
他の実施態様の場合には、ミラー・スタック１４及び１
６は、レーザ光が基板１８の底部表面から放出されるよ
うに設計されている。
ち、ＡｌＩｎＧａＡｓと、ＧａＡｓと、ＡｌＧａＡｓ
と、ＩｎＧａＡｓ）、ＩｎＧａＡｓＰ（すなわち、Ｉｎ
ＧａＡｓＰと、ＧａＡｓと、ＩｎＧａＡｓと、ＧａＡｓ
Ｐと、ＧａＰ）、ＧａＡｓＳｂ（すなわち、ＧａＡｓＳ
ｂと、ＧａＡｓと、ＧａＳｂ）、ＩｎＧａＡｓＮ（すな
わち、ＩｎＧａＡｓＮと、ＧａＡｓと、ＩｎＧａＡｓ
と、ＧａＡｓＮと、ＧａＮ）、または、ＡｌＩｎＧａＡ
ｓＰ（すなわち、ＡｌＩｎＧａＡｓＰと、ＡｌＩｎＧａ
Ａｓと、ＡｌＧａＡｓと、ＩｎＧａＡｓと、ＩｎＧａＡ
ｓＰと、ＧａＡｓと、ＩｎＧａＡｓと、ＧａＡｓＰと、
ＧａＰ）から形成することができる。他の量子井戸層の
組成を利用することもできる。第１のスペーサ層２２と
第２のスペーサ層２４とは、活性層の材料組成に基づい
て選択された材料から形成することができる。所望の動
作レーザ波長（例えば、６５０ｎｍ〜１６５０ｎｍの範
囲内の波長）に合わせて設計された、分布型ブラッグ・
リフレクタ（distributed Bragg reflector：以下、「Ｄ
ＢＲ」とよぶ）を形成する屈折率の異なる材料による交
互層のシステムを、第１のミラー・スタック１４と第２
のミラー・スタック１６とはそれぞれ含んでいる。例え
ば、第１のミラー・スタック１４と第２のミラー・スタ
ック１６とは、アルミニウムの含有量が多いＡｌＧａＡ
ｓとアルミニウムの含有量が少ないＡｌＧａＡｓとの交
互層から形成することができる。第１のミラー・スタッ
ク１４と第２のミラー・スタック１６との層は、動作レ
ーザ波長の約四分の一波長の有効な光学的厚さ（つま
り、層の厚さに層の屈折率をかけた値）を備えることが
望ましい。基板１８は、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、サファイア
（Ａｌ 2Ｏ3）、または、ＩｎＧａＡｓから形成すること
ができ、アンドープ品、（例えば、Ｓｉ等の）ｎ型ドー
プ品、または、（例えば、Ｚｎ等の）ｐ型ドープ品とす
ることができる。ＶＣＳＥＬ１０の形成前に、基板１８
上に緩衝層３６を成長させることができる。図１の例証
となる表示において、第１のミラー・スタック１４と第
２のミラー・スタック１６とは、レーザ光がＶＣＳＥＬ
１０の上部表面から放出されるように設計されている。
他の実施態様の場合には、ミラー・スタック１４及び１
６は、レーザ光が基板１８の底部表面から放出されるよ
うに設計されている。
【００２３】ＶＣＳＥＬ１０は、有機金属化学気相成長
（ＭＯＣＶＤ）や分子線エピタキシ（ＭＢＥ）等の従来
のエピタキシャル成長プロセスによって形成することが
できる。
（ＭＯＣＶＤ）や分子線エピタキシ（ＭＢＥ）等の従来
のエピタキシャル成長プロセスによって形成することが
できる。
【００２４】図１Ａと図１Ｂと図３とに示すように、Ｖ
ＣＳＥＬ１０は、エッチング加工された穴２６のそれぞ
れにかぶせられて、パッシベートされる湿気浸透防護壁
４０を含む。湿気浸透防護壁４０は、別の方法であれば
エッチング穴２６に浸入する湿気によって生じうる損傷
に対するこれらのデバイスに固有の影響されやすさに対
処する。特に、パッシベート及び気密封止が施されてい
ないプレーナ・インデックス・ガイド式ＶＣＳＥＬは、
湿潤環境において壊滅的な故障を被る割合が高くなるこ
とが観測されている。高湿度条件下において、このよう
なＶＣＳＥＬデバイスの寿命は、ほぼ数百時間程度に制
限される場合があるが、これは、標準的な高温での過酷
なエージング条件下における同様のＶＣＳＥＬデバイス
について観測される１０5時間の寿命に比べてかなり短
い。例証となる実施態様の場合には、湿気浸透防護壁４
０は、４つで１組の矩形パッチをなすようにパターン化
された薄膜層に相当する。各パッチは、それぞれのエッ
チング加工された穴２６の上に延びて、エッチング加工
された穴２６に浸入する湿気を減少させ、それによっ
て、ＶＣＳＥＬ１０に対する湿気に関連した損傷を大幅
に遅らせるか、または有効に阻止する。湿気浸透防護壁
４０は、（例えば、窒化珪素等の）窒化物材料と、（例
えば、酸化窒化珪素等の）酸化窒化物材料と、（例え
ば、二酸化珪素等の）酸化物材料とを含む、ＶＣＳＥＬ
１０の製作に用いられるプロセス・テクノロジに適合す
る任意の電気絶縁材料及び耐湿性材料から形成すること
ができる。
ＣＳＥＬ１０は、エッチング加工された穴２６のそれぞ
れにかぶせられて、パッシベートされる湿気浸透防護壁
４０を含む。湿気浸透防護壁４０は、別の方法であれば
エッチング穴２６に浸入する湿気によって生じうる損傷
に対するこれらのデバイスに固有の影響されやすさに対
処する。特に、パッシベート及び気密封止が施されてい
ないプレーナ・インデックス・ガイド式ＶＣＳＥＬは、
湿潤環境において壊滅的な故障を被る割合が高くなるこ
とが観測されている。高湿度条件下において、このよう
なＶＣＳＥＬデバイスの寿命は、ほぼ数百時間程度に制
限される場合があるが、これは、標準的な高温での過酷
なエージング条件下における同様のＶＣＳＥＬデバイス
について観測される１０5時間の寿命に比べてかなり短
い。例証となる実施態様の場合には、湿気浸透防護壁４
０は、４つで１組の矩形パッチをなすようにパターン化
された薄膜層に相当する。各パッチは、それぞれのエッ
チング加工された穴２６の上に延びて、エッチング加工
された穴２６に浸入する湿気を減少させ、それによっ
て、ＶＣＳＥＬ１０に対する湿気に関連した損傷を大幅
に遅らせるか、または有効に阻止する。湿気浸透防護壁
４０は、（例えば、窒化珪素等の）窒化物材料と、（例
えば、酸化窒化珪素等の）酸化窒化物材料と、（例え
ば、二酸化珪素等の）酸化物材料とを含む、ＶＣＳＥＬ
１０の製作に用いられるプロセス・テクノロジに適合す
る任意の電気絶縁材料及び耐湿性材料から形成すること
ができる。
【００２５】図４と図５と図６とを参照すると、一般
に、湿気浸透防護壁４０は、エッチング加工された穴２
６への湿気の垂直方向における浸入４２をほぼ阻止する
のに十分な厚さ（ｔ）を備えることが望ましい。図５の
概念的なグラフに示すように、高湿度環境におけるＶＣ
ＳＥＬの故障率は、パッシベート層の厚さが第１のしき
い値（Ｔ1）に達した後に、パッシベート層の厚さに応
じて劇的に低下することが観測されている。しかし、第
２のしきい値（Ｔ2）を超えると、故障率の低下はあま
り顕著ではなくなる。実施態様の１つでは、湿気浸透防
護壁４０が、従来の低応力窒化珪素堆積プロセスに従っ
て堆積させた窒化珪素によって形成されている。この実
施態様では、第１のしきい値の厚さ（Ｔ1）が約３００
ｎｍであり、第２のしきい値の厚さ（Ｔ2）が約５００
ｎｍである。他の実施態様では、しきい値の厚さＴ1及
び厚さＴ2の実際の値は、湿気浸透防護壁の材料特性を
含むいくつかの要素に依存するであろう。
に、湿気浸透防護壁４０は、エッチング加工された穴２
６への湿気の垂直方向における浸入４２をほぼ阻止する
のに十分な厚さ（ｔ）を備えることが望ましい。図５の
概念的なグラフに示すように、高湿度環境におけるＶＣ
ＳＥＬの故障率は、パッシベート層の厚さが第１のしき
い値（Ｔ1）に達した後に、パッシベート層の厚さに応
じて劇的に低下することが観測されている。しかし、第
２のしきい値（Ｔ2）を超えると、故障率の低下はあま
り顕著ではなくなる。実施態様の１つでは、湿気浸透防
護壁４０が、従来の低応力窒化珪素堆積プロセスに従っ
て堆積させた窒化珪素によって形成されている。この実
施態様では、第１のしきい値の厚さ（Ｔ1）が約３００
ｎｍであり、第２のしきい値の厚さ（Ｔ2）が約５００
ｎｍである。他の実施態様では、しきい値の厚さＴ1及
び厚さＴ2の実際の値は、湿気浸透防護壁の材料特性を
含むいくつかの要素に依存するであろう。
【００２６】十分な膜厚を備えることに加えて、湿気浸
透防護壁４０は、エッチング加工された穴２６に対する
側方への湿気の浸透をほぼ阻止するのに十分な距離（ｄ
1、ｄ2）だけエッチング加工された穴２６のエッジを越
えて延びるのが望ましい。エッチング加工された穴から
第１のミラー・スタック１４の上部表面と湿気浸透防護
壁４０の周辺エッジとの交差部に形成された湿気浸透界
面４６まで延びる経路に沿った漏れにより、側方湿気浸
透が結果として生じうる。窒化珪素の湿気浸透防護壁を
備えた実施態様の場合には、湿気浸透防護壁の周辺エッ
ジと第１のミラー・スタック１４の上部表面におけるエ
ッチング加工された穴の周辺エッジとの離隔距離
（ｄ1、ｄ2）は約１５μｍ以上である。もちろん、湿気
浸透防護壁の周辺エッジとエッチング加工された穴の周
辺エッジとの離隔距離は、第１のミラー・スタック１４
の上部表面における他のデバイス構造によって決まる１
つ以上の方向において制限される場合がある。例えば、
実施態様によっては、発光領域にかぶせられる湿気浸透
防護壁材料がほとんどないこともあり、その場合には、
この離隔距離は、エッチング加工された穴と発光領域と
の間の離隔距離を超えることはできない。
透防護壁４０は、エッチング加工された穴２６に対する
側方への湿気の浸透をほぼ阻止するのに十分な距離（ｄ
1、ｄ2）だけエッチング加工された穴２６のエッジを越
えて延びるのが望ましい。エッチング加工された穴から
第１のミラー・スタック１４の上部表面と湿気浸透防護
壁４０の周辺エッジとの交差部に形成された湿気浸透界
面４６まで延びる経路に沿った漏れにより、側方湿気浸
透が結果として生じうる。窒化珪素の湿気浸透防護壁を
備えた実施態様の場合には、湿気浸透防護壁の周辺エッ
ジと第１のミラー・スタック１４の上部表面におけるエ
ッチング加工された穴の周辺エッジとの離隔距離
（ｄ1、ｄ2）は約１５μｍ以上である。もちろん、湿気
浸透防護壁の周辺エッジとエッチング加工された穴の周
辺エッジとの離隔距離は、第１のミラー・スタック１４
の上部表面における他のデバイス構造によって決まる１
つ以上の方向において制限される場合がある。例えば、
実施態様によっては、発光領域にかぶせられる湿気浸透
防護壁材料がほとんどないこともあり、その場合には、
この離隔距離は、エッチング加工された穴と発光領域と
の間の離隔距離を超えることはできない。
【００２７】図６及び図７を参照すると、実施態様によ
っては、側方湿気浸透が、第１のミラー・スタック１４
の上部表面からの湿気浸透防護壁４０の剥離によって主
として生じる場合がある。図６の概念的なグラフに示す
ように、湿気浸透防護壁４０が第１のミラー・スタック
１４の上部表面から剥離する確率と相関関係にある、湿
気浸透防護壁４０の全薄膜応力は、表面積に応じて急激
に低減する。従って、エッチング加工された穴２６への
湿気の側方浸入を減少させるには、湿気浸透防護壁の剥
離をほぼ回避するレベルまで、単位面積当たりの薄膜応
力を低減するのに十分な側方表面積をそれぞれ有するパ
ッチへと湿気浸透防護壁４０をパターン化するのが望ま
しい。図７に示すように、いくつかの実施態様において
は、エッチング加工された穴２６のそれぞれを含む、第
１のミラー・スタック１４の上部表面のかなりの部分を
覆う単一の連続する薄膜材料として湿気浸透防護壁４０
を形成することができる。これらの実施態様では、湿気
浸透防護壁４０は、湿気浸透防護壁４０の剥離をほぼ回
避するのに十分な面積を有しており、従って、エッチン
グ加工された穴２６への側方の湿気浸入は大幅に減少す
る。一般に、湿気浸透防護壁４０は、第１のミラー・ス
タック１４の上部表面の上に、求めに応じられる限り延
ばすことができる。図７の実施態様の場合には、電極３
２から湿気浸透防護壁４０上に配置されたボンディング
・パッド５４及び５６まで、湿気浸透防護壁４０の上に
金属ライン５０及び５２を延ばすことができる。
っては、側方湿気浸透が、第１のミラー・スタック１４
の上部表面からの湿気浸透防護壁４０の剥離によって主
として生じる場合がある。図６の概念的なグラフに示す
ように、湿気浸透防護壁４０が第１のミラー・スタック
１４の上部表面から剥離する確率と相関関係にある、湿
気浸透防護壁４０の全薄膜応力は、表面積に応じて急激
に低減する。従って、エッチング加工された穴２６への
湿気の側方浸入を減少させるには、湿気浸透防護壁の剥
離をほぼ回避するレベルまで、単位面積当たりの薄膜応
力を低減するのに十分な側方表面積をそれぞれ有するパ
ッチへと湿気浸透防護壁４０をパターン化するのが望ま
しい。図７に示すように、いくつかの実施態様において
は、エッチング加工された穴２６のそれぞれを含む、第
１のミラー・スタック１４の上部表面のかなりの部分を
覆う単一の連続する薄膜材料として湿気浸透防護壁４０
を形成することができる。これらの実施態様では、湿気
浸透防護壁４０は、湿気浸透防護壁４０の剥離をほぼ回
避するのに十分な面積を有しており、従って、エッチン
グ加工された穴２６への側方の湿気浸入は大幅に減少す
る。一般に、湿気浸透防護壁４０は、第１のミラー・ス
タック１４の上部表面の上に、求めに応じられる限り延
ばすことができる。図７の実施態様の場合には、電極３
２から湿気浸透防護壁４０上に配置されたボンディング
・パッド５４及び５６まで、湿気浸透防護壁４０の上に
金属ライン５０及び５２を延ばすことができる。
【００２８】図７に示す表面レイアウトが施され、厚さ
が５００ｎｍの窒化珪素による湿気浸透防護壁４０を備
えたＶＣＳＥＬデバイスの寿命は、湿潤環境におけるパ
ッシベートが施されていないデバイスの寿命よりも１０
倍長くなることが示されている。
が５００ｎｍの窒化珪素による湿気浸透防護壁４０を備
えたＶＣＳＥＬデバイスの寿命は、湿潤環境におけるパ
ッシベートが施されていないデバイスの寿命よりも１０
倍長くなることが示されている。
【００２９】他の実施態様は本明細書の特許請求の範囲
内に含まれる。例えば、上記実施態様の説明は、ＡｌＧ
ａＡｓミラー・スタック・システムに関連して記載され
ているが、他の半導体合金組成または誘電体層を利用し
て、ＤＢＲミラー構造を形成することもできる。
内に含まれる。例えば、上記実施態様の説明は、ＡｌＧ
ａＡｓミラー・スタック・システムに関連して記載され
ているが、他の半導体合金組成または誘電体層を利用し
て、ＤＢＲミラー構造を形成することもできる。
【図１】Ａは、４つのエッチング加工された穴がかぶせ
られた湿気浸透防護壁によって湿気に対してパッシベー
トされるプレーナＶＣＳＥＬの略平面図である。Ｂは、
図１Ａの線１Ｂ−１Ｂに沿って描かれた図１Ａのプレー
ナＶＣＳＥＬの略側断面図である。
られた湿気浸透防護壁によって湿気に対してパッシベー
トされるプレーナＶＣＳＥＬの略平面図である。Ｂは、
図１Ａの線１Ｂ−１Ｂに沿って描かれた図１Ａのプレー
ナＶＣＳＥＬの略側断面図である。
【図２】線１Ｃ−１Ｃに沿って描かれた図１Ａのプレー
ナＶＣＳＥＬの略側断面図である。
ナＶＣＳＥＬの略側断面図である。
【図３】かぶせられたパターン化された湿気浸透防護壁
によって、４つのエッチング加工された穴が湿気に対し
てパッシベートされるプレーナＶＣＳＥＬの略平面図で
ある。
によって、４つのエッチング加工された穴が湿気に対し
てパッシベートされるプレーナＶＣＳＥＬの略平面図で
ある。
【図４】湿気環境にさらされたプレーナＶＣＳＥＬの上
部表面領域の略側断面図である。
部表面領域の略側断面図である。
【図５】湿気浸透防護壁の厚さの関数として作成された
ＶＣＳＥＬ故障率のグラフである。
ＶＣＳＥＬ故障率のグラフである。
【図６】湿気浸透防護壁の表面積の関数として作成され
たパッシベート層の全薄膜応力のグラフである。
たパッシベート層の全薄膜応力のグラフである。
【図７】かぶせられた湿気浸透防護壁によって、４つの
エッチング加工された穴が湿気に対してパッシベートさ
れるプレーナＶＣＳＥＬの略平面図である。
エッチング加工された穴が湿気に対してパッシベートさ
れるプレーナＶＣＳＥＬの略平面図である。
１０ 垂直空洞面発光レーザ
１２ 空洞領域
１４ 上部ミラー
１６ 底部ミラー
２０ 活性発光領域
２６ エッチング加工された穴
２８ 周辺領域
３２ 上部電極
４０ 湿気浸透防護壁
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ソンシン・キム
アメリカ合衆国カリフォルニア州95134,
サン・ノゼ，イラン・ヴィレッジ・レーン
335 ＃301
(72)発明者 ウィルソン・エイチ・ウィジャヤ
アメリカ合衆国カリフォルニア州95014,
クパティーノ，リンゼイ・アヴェニュー
10400
(72)発明者 サニング・シェ
アメリカ合衆国カリフォルニア州95051,
サンタ・クララ，プルナリッジ・アヴェニ
ュー 3655 ＃20
Ｆターム(参考） 5F073 AA07 AA12 AA65 AA74 AB17
BA01 CA05 CA15 DA05 DA21
DA27 EA28
Claims (10)
- 【請求項１】 上部ミラーと、 底部ミラーと、 該上部ミラーと該底部ミラーとの間に配置され、活性発
光領域を含む空洞領域とを含んで、前記上部ミラーと前
記底部ミラーとの少なくとも一方が、酸化剤にさらされ
た結果、電気絶縁体内まで酸化された周辺領域を備えた
層を有しており、ほぼ平面の上部表面を備えた垂直スタ
ック構造を含む垂直空洞面発光レーザであって、 前記ほぼ平面の上部表面から前記酸化した周辺領域まで
それぞれ延びる２つ以上のエッチング加工された穴を前
記垂直スタック構造が有し、かぶせられた湿気浸透防護
壁によって該エッチング加工された穴のそれぞれが湿気
に対してパッシベートされている垂直空洞面発光レー
ザ。 - 【請求項２】 上部ミラーと、 底部ミラーと、 該上部ミラーと該底部ミラーとの間に配置され、活性発
光領域を含む空洞領域とを含んで、前記上部ミラーと前
記底部ミラーとの少なくとも一方が、酸化剤にさらされ
た結果、電気絶縁体内まで酸化された周辺領域を備えた
層を有しており、ほぼ平面の上部表面を備えた垂直スタ
ック構造を形成するステップを含む垂直空洞面発光レー
ザの製造方法であって、 前記ほぼ平面の上部表面から前記酸化された周辺領域ま
でそれぞれ延びる２つ以上のエッチング加工された穴を
有する前記垂直スタック構造を形成するステップと、 かぶせられる湿気浸透防護壁によって、前記エッチング
加工された穴のそれぞれをパッシベートするステップと
を含んでなる方法。 - 【請求項３】 前記湿気浸透防護壁が、前記エッチング
加工された穴への垂直方向の湿気の浸入をほぼ阻止する
ように選択された厚さを有している請求項１に記載の垂
直空洞面発光レーザ。 - 【請求項４】 前記湿気浸透防護壁が、厚さが約３００
ｎｍ以上の窒化珪素層を含む請求項２に記載の方法。 - 【請求項５】 前記湿気浸透防護壁が、厚さが約５００
ｎｍ以上の窒化珪素層を含む請求項３に記載の垂直空洞
面発光レーザ。 - 【請求項６】 前記湿気浸透防護壁の剥離をほぼ阻止す
るのに十分な側部表面積を備えるかぶせられた前記湿気
浸透防護壁によって、前記エッチング加工された穴のそ
れぞれが湿気に対してパッシベートされている請求項１
に記載の垂直空洞面発光レーザ。 - 【請求項７】 複数のエッチング加工された穴が、湿気
浸透防護壁材料の単一の連続薄膜によって、湿気に対し
てパッシベートされている請求項１に記載の垂直空洞面
発光レーザ。 - 【請求項８】 前記垂直スタック構造の前記ほぼ平面の
上部表面の上に配置され、前記かぶせられる湿気浸透防
護壁材料がほとんどない発光領域を囲む上部電極をさら
に含む請求項１に記載の垂直空洞面発光レーザ。 - 【請求項９】 前記湿気浸透防護壁が、前記垂直スタッ
ク構造の上部表面における前記上部電極と、前記発光領
域以外の大部分とにかぶせられている請求項７に記載の
垂直空洞面発光レーザ。 - 【請求項１０】 前記湿気浸透防護壁が、湿気浸透界面
において前記垂直スタック構造の上部表面と交差する周
辺エッジを含むことと、前記垂直スタック構造の上部表
面において、前記エッチング加工された穴のそれぞれ
が、そのかなりの部分が前記エッチング加工された穴に
対する側方湿気浸入をほぼ阻止するのに十分な距離だけ
前記湿気浸透界面から離隔された、それぞれの周辺エッ
ジによって囲まれている請求項１に記載の垂直空洞面発
光レーザ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/013,108 US6680964B2 (en) | 2001-12-07 | 2001-12-07 | Moisture passivated planar index-guided VCSEL |
| US10/013108 | 2001-12-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003204117A true JP2003204117A (ja) | 2003-07-18 |
| JP2003204117A5 JP2003204117A5 (ja) | 2006-02-02 |
Family
ID=21758351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002356867A Withdrawn JP2003204117A (ja) | 2001-12-07 | 2002-12-09 | 湿気に対してパッシベートされた垂直空洞面発光レーザ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6680964B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003204117A (ja) |
| DE (1) | DE10242611B4 (ja) |
| GB (1) | GB2386756B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7580436B2 (en) | 2003-09-18 | 2009-08-25 | Seiko Epson Corporation | Surface-emitting type semiconductor laser and method for manufacturing the same |
| JP7440128B2 (ja) | 2021-09-18 | 2024-02-28 | 常州縦慧芯光半導体科技有限公司 | 垂直共振器面発光レーザ |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6862309B2 (en) * | 2003-02-06 | 2005-03-01 | Agilent Technologies, Inc. | Passivation scheme for oxide vertical cavity surface-emitting laser |
| US7433381B2 (en) * | 2003-06-25 | 2008-10-07 | Finisar Corporation | InP based long wavelength VCSEL |
| US7257141B2 (en) * | 2003-07-23 | 2007-08-14 | Palo Alto Research Center Incorporated | Phase array oxide-confined VCSELs |
| US7058106B2 (en) * | 2003-12-10 | 2006-06-06 | Widjaja Wilson H | Screenable moisture-passivated planar index-guided VCSEL |
| US20060013276A1 (en) * | 2004-07-15 | 2006-01-19 | Mchugo Scott A | VCSEL having an air gap and protective coating |
| US7483469B2 (en) * | 2004-11-01 | 2009-01-27 | Seiko Epson Corporation | Surface-emitting type semiconductor laser and its manufacturing method, optical module, and light transmission device |
| JP4626686B2 (ja) * | 2008-08-14 | 2011-02-09 | ソニー株式会社 | 面発光型半導体レーザ |
| US10221817B2 (en) * | 2016-05-26 | 2019-03-05 | Phillips & Temro Industries Inc. | Intake air heating system for a vehicle |
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