JP2003198277A5

JP2003198277A5 -

Info

Publication number: JP2003198277A5
Application number: JP2001393301A
Authority: JP
Filing date: 2001-12-26
Publication date: 2005-03-17
Anticipated expiration: 2021-12-26

Description

【０００５】
Ｐ３点でクランプされた後、さらに負荷４の抵抗が小さくなっていき、負荷４が短絡するまで、出力端子２の電位Ｖｏは下降していく。このとき、ＭＯＳトランジスタ１１のゲート・ソース間は、２個のダイオード１８によりクランプされているが、出力端子２の電位Ｖｏの下降に伴い、チャージポンプ１４の昇圧電位Ｖcpと出力端子２間の電圧は増加する。その結果、この電圧により抵抗１５を介して２個のダイオード１８に流れる電流が増加し、２個のダイオード１８の順方向電圧の和のクランプ電圧も増加し、図４に示すように、Ｐ３点から負荷４が短絡するＰ４点まで、ＭＯＳトランジスタ１１のゲート・ソース間電圧が増加し、Ｐ４点でクランプ電圧は最大となる。従って、Ｐ３点での電流制限値より負荷４が短絡するＰ４点での電流制限値が大きくなる。負荷短絡時の電流制限値が大きくなり過ぎると、負荷短絡の耐量が低くなるため、電流制限値を設定するとき、負荷４が短絡するときの電流制限値を基準に設計する必要があり、低目に設定しなければならず、電流制限値を大きく設定できないという問題があった。[0005]
After being clamped at the point P3, the resistance of the load 4 further decreases, and the potential Vo of the output terminal 2 decreases until the load 4 is shorted. At this time, between the gate and source of MOS transistor 11 is clamped by two diodes 18, but with the drop of potential Vo of output terminal 2 , the voltage between boosted potential Vcp of charge pump 14 and output terminal 2 Will increase. As a result, the current flowing to the two diodes 18 through the resistor 15 is increased by this voltage, and the clamp voltage of the sum of the forward voltages of the two diodes 18 is also increased, as shown in FIG. The voltage between the gate and the source of the MOS transistor 11 increases from the point P4 to the point P4 at which the load 4 is shorted, and the clamp voltage becomes maximum at the point P4. Therefore, the current limit value at point P4 where the load 4 is shorted is larger than the current limit value at point P3. If the current limit value at the time of load shorting becomes too large, the load shorting resistance decreases, so when setting the current limit value, it is necessary to design based on the current limit value at the time of load 4 shorting. There is a problem that the current limit value can not be set large because it has to be set on the eye.