JP2003188162A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空排気通路の設ける排気の穴形状をスリッ
ト状にすることにより、シャワー電極から吹き出された
プロセスガスの流れを真空チャンバ全周に渡り均一にす
る。 【解決手段】 本発明のプラズマ処理装置は、真空状態
維持可能な真空チャンバ１内に、プラズマを発生させる
ための平行平板型の高周波電極及びプロセスガス吹き出
し口（シャワー電極２部）とガス排気口６とを有するプ
ラズマ処理装置において、前記真空チャンバ１内に設け
られ、真空チャンバ１内のその他の領域とは分離する形
で設けられた前記排気口６に繋がる真空排気のための真
空排気通路５に、ほぼ前記真空チャンバ１の全周にわた
るスリット状の排気穴２４ａを備えていることを特徴と
する。
ト状にすることにより、シャワー電極から吹き出された
プロセスガスの流れを真空チャンバ全周に渡り均一にす
る。 【解決手段】 本発明のプラズマ処理装置は、真空状態
維持可能な真空チャンバ１内に、プラズマを発生させる
ための平行平板型の高周波電極及びプロセスガス吹き出
し口（シャワー電極２部）とガス排気口６とを有するプ
ラズマ処理装置において、前記真空チャンバ１内に設け
られ、真空チャンバ１内のその他の領域とは分離する形
で設けられた前記排気口６に繋がる真空排気のための真
空排気通路５に、ほぼ前記真空チャンバ１の全周にわた
るスリット状の排気穴２４ａを備えていることを特徴と
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、プラズマ処理装
置に関するものであり、更に詳細には、その真空チャン
バ内に形成される真空排気通路の構造に関するものであ
る。
置に関するものであり、更に詳細には、その真空チャン
バ内に形成される真空排気通路の構造に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ、ＴＦＴ液晶等に代表され
る薄膜応用デバイスの製造には、プラズマＣＶＤ装置
（以下Ｐ−ＣＶＤ装置と記す）、スパッタ装置、及び、
エッチング装置等各種のプラズマ処理装置が用いられて
いる。
る薄膜応用デバイスの製造には、プラズマＣＶＤ装置
（以下Ｐ−ＣＶＤ装置と記す）、スパッタ装置、及び、
エッチング装置等各種のプラズマ処理装置が用いられて
いる。
【０００３】プラズマＣＶＤ装置は、高速成膜、低温成
膜、段差被覆性、及び、密着性等に優れ、有望な薄膜デ
バイス製造装置である。
膜、段差被覆性、及び、密着性等に優れ、有望な薄膜デ
バイス製造装置である。
【０００４】図６は、Ｐ−ＣＶＤ装置の一例を示す概略
断面図である。真空チャンバ１内に、ガス導入部を兼ね
るシャワー電極２と、ウエハー加熱ヒーターを兼ねる下
部電極３が対向して備わっている。真空排気系は、真空
チャンバ内の真空排気経路を制限する排気邪魔板４及
び、真空チャンバ内壁で形成される真空排気経路５、真
空チャンバ１下方に設けられたガス排気口６、排気配管
経路に設けられた排気経路の開閉バルブ８、排気コンダ
クタンス調整バルブ９、及び、真空排気ポンプ１０等に
より構成されている。
断面図である。真空チャンバ１内に、ガス導入部を兼ね
るシャワー電極２と、ウエハー加熱ヒーターを兼ねる下
部電極３が対向して備わっている。真空排気系は、真空
チャンバ内の真空排気経路を制限する排気邪魔板４及
び、真空チャンバ内壁で形成される真空排気経路５、真
空チャンバ１下方に設けられたガス排気口６、排気配管
経路に設けられた排気経路の開閉バルブ８、排気コンダ
クタンス調整バルブ９、及び、真空排気ポンプ１０等に
より構成されている。
【０００５】ウエハー１５がロードロック室より搬送ロ
ボット（図示せず）により２５０〜４５０℃に保持され
た下部電極３上に移載され、５〜５０ｍｍの所定の放電
ギャップ長に調整される。次に、シリコン窒化膜（Ｓｉ
Ｎ膜）の場合、モノシラン（ＳｉＨ4）、アンモニア
（ＮＨ3）、及び、窒素（Ｎ2）ガスが、各々、１０〜５
００ＳＣＣＭ、１０〜５００ＳＣＣＭ、及び、１００〜
７０００ＳＣＣＭ、シャワー電極２を通して真空チャン
バ内１内に導入される。その後、真空排気系に設けられ
たコンダクタンス調整バルブ９により、０．１〜８Ｔｏ
ｒｒの圧力に調整され、高周波電源１２より、高周波整
合器１１を通してシャワー電極２に、５０〜１０００Ｗ
の１３．５６ＭＨｚの高周波電力が供給され、シャワー
電極２と下部電極３の間にプラズマを発生させ膜形成を
行う。
ボット（図示せず）により２５０〜４５０℃に保持され
た下部電極３上に移載され、５〜５０ｍｍの所定の放電
ギャップ長に調整される。次に、シリコン窒化膜（Ｓｉ
Ｎ膜）の場合、モノシラン（ＳｉＨ4）、アンモニア
（ＮＨ3）、及び、窒素（Ｎ2）ガスが、各々、１０〜５
００ＳＣＣＭ、１０〜５００ＳＣＣＭ、及び、１００〜
７０００ＳＣＣＭ、シャワー電極２を通して真空チャン
バ内１内に導入される。その後、真空排気系に設けられ
たコンダクタンス調整バルブ９により、０．１〜８Ｔｏ
ｒｒの圧力に調整され、高周波電源１２より、高周波整
合器１１を通してシャワー電極２に、５０〜１０００Ｗ
の１３．５６ＭＨｚの高周波電力が供給され、シャワー
電極２と下部電極３の間にプラズマを発生させ膜形成を
行う。
【０００６】なお、シリコン酸化膜の場合には、導入ガ
スが、ＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ等に変わるだけで同様のプロセス
となる。
スが、ＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ等に変わるだけで同様のプロセス
となる。
【０００７】上記において、シャワー電極２より導入さ
れたプロセスガスは、図６において矢印Ａで示された様
に、排気邪魔板４にほぼ等間隔で開けられた４〜１２個
の穴４ａ、真空排気経路５を通り、排気口６から真空排
気ポンプ１０へと引かれていく。このように排気邪魔板
４を設けることにより、シャワー電極２から真空チャン
バ１に導入されたプロセスガスが等方的に排気口６に向
かうようになり、ウエハー面内の分布が改善されてい
た。
れたプロセスガスは、図６において矢印Ａで示された様
に、排気邪魔板４にほぼ等間隔で開けられた４〜１２個
の穴４ａ、真空排気経路５を通り、排気口６から真空排
気ポンプ１０へと引かれていく。このように排気邪魔板
４を設けることにより、シャワー電極２から真空チャン
バ１に導入されたプロセスガスが等方的に排気口６に向
かうようになり、ウエハー面内の分布が改善されてい
た。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
排気邪魔板４では、真空排気通路５に繋がる排気穴４ａ
が限定されており、シャワー電極２から吹き出したガス
は最終的には限定された排気穴４ａに集まって排気され
ていくことになる。従って、図７に示すように、排気穴
４ａ間のガス密度が少なくなり、それに対応して膜厚分
布が生じていた。図７中、曲線Ａは、ガス密度を模式的
に表したもので、外周側に山になっているところが高
く、内側に谷になっているところがガス密度が低いこと
を表している。又、このような限られた排気穴４ａで近
年の厳しい膜厚分布要求を達成するためにはチャンバ外
径を大きくし、ガスが集中する領域を遠く離す方法も考
えられるが、装置の大型化になり、製造コスト、設置面
積の増大という課題が生じるようになる。
排気邪魔板４では、真空排気通路５に繋がる排気穴４ａ
が限定されており、シャワー電極２から吹き出したガス
は最終的には限定された排気穴４ａに集まって排気され
ていくことになる。従って、図７に示すように、排気穴
４ａ間のガス密度が少なくなり、それに対応して膜厚分
布が生じていた。図７中、曲線Ａは、ガス密度を模式的
に表したもので、外周側に山になっているところが高
く、内側に谷になっているところがガス密度が低いこと
を表している。又、このような限られた排気穴４ａで近
年の厳しい膜厚分布要求を達成するためにはチャンバ外
径を大きくし、ガスが集中する領域を遠く離す方法も考
えられるが、装置の大型化になり、製造コスト、設置面
積の増大という課題が生じるようになる。
【０００９】本発明は、上記点に鑑み、さらにガス密度
の均一化が図れる排気通路を備えたプラズマ処理装置を
提供することを目的とする。
の均一化が図れる排気通路を備えたプラズマ処理装置を
提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマ処理装
置は、真空状態維持可能な真空チャンバ内に、プラズマ
を発生させるための平行平板型の高周波電極、プロセス
ガス吹き出し口、及び、ガス排気口を有するプラズマ処
理装置であって、前記真空チャンバ内に設けられ、真空
チャンバ内のその他の領域とは分離する形で設けられた
前記排気口に繋がる真空排気のための真空排気通路に、
ほぼ前記真空チャンバの全周にわたるスリット状の排気
穴を備えていることを特徴としている。
置は、真空状態維持可能な真空チャンバ内に、プラズマ
を発生させるための平行平板型の高周波電極、プロセス
ガス吹き出し口、及び、ガス排気口を有するプラズマ処
理装置であって、前記真空チャンバ内に設けられ、真空
チャンバ内のその他の領域とは分離する形で設けられた
前記排気口に繋がる真空排気のための真空排気通路に、
ほぼ前記真空チャンバの全周にわたるスリット状の排気
穴を備えていることを特徴としている。
【００１１】また、本発明のプラズマ処理装置は、上記
のプラズマ処理装置において、前記真空チャンバ内に設
けられた真空排気通路は、前記真空チャンバ内壁の一部
と少なくとも１個以上の排気邪魔板により構成され、該
排気邪魔板に前記真空排気通路のスリット状の排気穴が
形成されていてもよい。
のプラズマ処理装置において、前記真空チャンバ内に設
けられた真空排気通路は、前記真空チャンバ内壁の一部
と少なくとも１個以上の排気邪魔板により構成され、該
排気邪魔板に前記真空排気通路のスリット状の排気穴が
形成されていてもよい。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を基
に説明する。
に説明する。
【００１３】図１は、本発明の第１の実施例のＰ−ＣＶ
Ｄ装置の概略断面図である。図１において、１は真空チ
ャンバ、２はガス導入口を兼ねるシャワー電極、３はヒ
ータを兼ねる下部電極、６はガス排気口、７はウエハー
移載機構（いわゆるリフトピン）である。
Ｄ装置の概略断面図である。図１において、１は真空チ
ャンバ、２はガス導入口を兼ねるシャワー電極、３はヒ
ータを兼ねる下部電極、６はガス排気口、７はウエハー
移載機構（いわゆるリフトピン）である。
【００１４】真空排気経路５は、真空チャンバ内壁５
ｂ、真空チャンバ１と同一体に構成されている対向壁５
ａ、及び、排気邪魔板２４で構成されている。又、真空
排気経路５はガス排気口６、排気経路の開閉バルブ８、
排気コンダクタンス調整バルブ９、及び、真空排気ポン
プ１０等に繋がっている。又、シャワー電極１２には、
高周波整合器１１を介して、１３．５６ＭＨｚの高周波
電源１２に接続されている。排気邪魔板２４に形成した
排気スリット２４ａは、ガス流量に対する排気コンダク
タンスを考慮し、且つ、真空チャンバ１内のガス流を均
一にするよう真空チャンバのほぼ全周にわたり開けてい
る。
ｂ、真空チャンバ１と同一体に構成されている対向壁５
ａ、及び、排気邪魔板２４で構成されている。又、真空
排気経路５はガス排気口６、排気経路の開閉バルブ８、
排気コンダクタンス調整バルブ９、及び、真空排気ポン
プ１０等に繋がっている。又、シャワー電極１２には、
高周波整合器１１を介して、１３．５６ＭＨｚの高周波
電源１２に接続されている。排気邪魔板２４に形成した
排気スリット２４ａは、ガス流量に対する排気コンダク
タンスを考慮し、且つ、真空チャンバ１内のガス流を均
一にするよう真空チャンバのほぼ全周にわたり開けてい
る。
【００１５】このような構成のＰ−ＣＶＤ装置では、シ
ャワー電極２から吹き出したプロセスガスは、真空チャ
ンバ１のほぼ全周にわたる排気邪魔板の排気スリット２
４ａに向かって排気されていくため、ガス流の面内分布
が大幅に改善され、結果、ウエハーの膜厚分布等の改善
が達成できた。
ャワー電極２から吹き出したプロセスガスは、真空チャ
ンバ１のほぼ全周にわたる排気邪魔板の排気スリット２
４ａに向かって排気されていくため、ガス流の面内分布
が大幅に改善され、結果、ウエハーの膜厚分布等の改善
が達成できた。
【００１６】図２に排気邪魔板２４の一部拡大斜視図を
示す。排気邪魔板２４は、例えば、厚さＴは、１〜１０
ｍｍで、アルミナ等のセラミックス、又は、Ａｌ、Ａｌ
合金、ＳＵＳ等の金属等で形成される。又、金属製の場
合には、耐プラズマ性を考慮し、アルマイト、セラミッ
クス溶射、フッ化処理、めっき等の表面処理を施しても
良い。排気スリット２４ａの幅Ｗは、余り狭いと、反応
生成物の付着により穴詰まりになる危険性があり、又、
加工歪み、及び、加工精度によるスリット幅の不均一性
の影響が顕著になる等の理由により、０．２ｍｍ、より
好ましくは、０．５ｍｍ以上が好ましい。又、広すぎる
と排気邪魔板の役割が薄れ、排気口６直上へのガス流の
集中に繋がる。
示す。排気邪魔板２４は、例えば、厚さＴは、１〜１０
ｍｍで、アルミナ等のセラミックス、又は、Ａｌ、Ａｌ
合金、ＳＵＳ等の金属等で形成される。又、金属製の場
合には、耐プラズマ性を考慮し、アルマイト、セラミッ
クス溶射、フッ化処理、めっき等の表面処理を施しても
良い。排気スリット２４ａの幅Ｗは、余り狭いと、反応
生成物の付着により穴詰まりになる危険性があり、又、
加工歪み、及び、加工精度によるスリット幅の不均一性
の影響が顕著になる等の理由により、０．２ｍｍ、より
好ましくは、０．５ｍｍ以上が好ましい。又、広すぎる
と排気邪魔板の役割が薄れ、排気口６直上へのガス流の
集中に繋がる。
【００１７】図３は、排気邪魔板２４ａの厚さが２ｍｍ
の場合で、ＳｉＨ4流量２５０ＳＣＣＭ、ＮＨ3流量８５
ＳＣＣＭ、Ｎ2流量３５００ＳＣＣＭ、ガス圧４．５Ｔ
ｏｒｒ、ＲＦパワー７５０Ｗにより形成したウエハー上
の膜厚分布と、排気邪魔板２４の厚さＴを排気スリット
２４ａの幅Ｗで除したＫ＝Ｔ／Ｗの関係を示すものであ
る。Ｋ＜０．４のスリット幅では、上述のようにガス流
の集中が生じ、膜厚分布の劣化に繋がり２％を越えてし
まいスリット形状にした効果が失われる。又、Ｋの上限
値は、上述のスリット幅０．５ｍｍ以上、又は、真空排
気邪魔板の排気コンダクタンスにより決定され、一義的
には定まらない。
の場合で、ＳｉＨ4流量２５０ＳＣＣＭ、ＮＨ3流量８５
ＳＣＣＭ、Ｎ2流量３５００ＳＣＣＭ、ガス圧４．５Ｔ
ｏｒｒ、ＲＦパワー７５０Ｗにより形成したウエハー上
の膜厚分布と、排気邪魔板２４の厚さＴを排気スリット
２４ａの幅Ｗで除したＫ＝Ｔ／Ｗの関係を示すものであ
る。Ｋ＜０．４のスリット幅では、上述のようにガス流
の集中が生じ、膜厚分布の劣化に繋がり２％を越えてし
まいスリット形状にした効果が失われる。又、Ｋの上限
値は、上述のスリット幅０．５ｍｍ以上、又は、真空排
気邪魔板の排気コンダクタンスにより決定され、一義的
には定まらない。
【００１８】なお、本実施例で用いた排気邪魔板２４
は、図２に示されるように、１枚の平板状の板で形成さ
れ、排気邪魔板２４が分断しないように２４ｂで示した
スリットが形成していない領域は存在するが、ほぼ全周
にわたりスリットを形成している。スリットを形成しな
い幅は高々２〜５ｍｍであり、ガス流を殆ど乱すことは
ない。排気邪魔板２４は、複数枚に分割されたものでも
取付時に隙間を開けないよう留意する、又は、その為の
機構を設けておけば支障はない。又、スリット２４ａは
図１で示される対向壁５ａに形成する事も可能である
が、真空チャンバ１の下方になりガス流を乱しやすく、
又、中央シャワー電極３に近くガス流の乱れをウエハー
１５に及ぼしやすい。その為、スリット２４ａは、排気
邪魔板２４の真空チャンバ１の内壁に近い方に設ける方
がより好ましい。
は、図２に示されるように、１枚の平板状の板で形成さ
れ、排気邪魔板２４が分断しないように２４ｂで示した
スリットが形成していない領域は存在するが、ほぼ全周
にわたりスリットを形成している。スリットを形成しな
い幅は高々２〜５ｍｍであり、ガス流を殆ど乱すことは
ない。排気邪魔板２４は、複数枚に分割されたものでも
取付時に隙間を開けないよう留意する、又は、その為の
機構を設けておけば支障はない。又、スリット２４ａは
図１で示される対向壁５ａに形成する事も可能である
が、真空チャンバ１の下方になりガス流を乱しやすく、
又、中央シャワー電極３に近くガス流の乱れをウエハー
１５に及ぼしやすい。その為、スリット２４ａは、排気
邪魔板２４の真空チャンバ１の内壁に近い方に設ける方
がより好ましい。
【００１９】上記実施例のＰ−ＣＶＤ装置による成膜プ
ロセスを説明する。まず、真空排気された真空チャンバ
１にＳｉウエハー１５を搬入し、成膜用のプロセスガス
として、ＳｉＨ4（シラン）、ＮＨ3（アンモニア）、Ｎ
2（窒素）を、各々１０〜５００ＳＣＣＭ、１０〜５０
０ＳＣＣＭ、１００〜７０００ＳＣＣＭ、シャワー電極
２を通して導入し、０．１〜８Ｔｏｒｒのガス圧に排気
系に設けられた排気コンダクタンス調整バルブ９により
調整する。基板温度は、２５０〜４５０℃、放電ギャッ
プ（シャワー電極２と下部電極３間距離）は、５〜５０
ｍｍに設定されている。その後、高周波電源系１２よ
り、高周波整合器１１１を通してシャワー電極に１３．
５６ＭＨｚの高周波電力が１００〜１０００Ｗ供給する
ＳｉＮ膜を形成する。
ロセスを説明する。まず、真空排気された真空チャンバ
１にＳｉウエハー１５を搬入し、成膜用のプロセスガス
として、ＳｉＨ4（シラン）、ＮＨ3（アンモニア）、Ｎ
2（窒素）を、各々１０〜５００ＳＣＣＭ、１０〜５０
０ＳＣＣＭ、１００〜７０００ＳＣＣＭ、シャワー電極
２を通して導入し、０．１〜８Ｔｏｒｒのガス圧に排気
系に設けられた排気コンダクタンス調整バルブ９により
調整する。基板温度は、２５０〜４５０℃、放電ギャッ
プ（シャワー電極２と下部電極３間距離）は、５〜５０
ｍｍに設定されている。その後、高周波電源系１２よ
り、高周波整合器１１１を通してシャワー電極に１３．
５６ＭＨｚの高周波電力が１００〜１０００Ｗ供給する
ＳｉＮ膜を形成する。
【００２０】このようにして成膜されたＳｉＮ膜は、従
来の膜厚分布±３〜５％以下から±０．５〜２％以下に
改善できたことが確かめられた。
来の膜厚分布±３〜５％以下から±０．５〜２％以下に
改善できたことが確かめられた。
【００２１】図４は、本発明の第２の実施例を示すの排
気邪魔板である。真空排気邪魔板２４の形状がＬ字形を
なし、これを直接真空チャンバ１内に挿入する事により
真空排気通路５を形成できる形になっている。第１の実
施例の排気通路５は削り込みによる溝の上部に平板状の
真空排気邪魔板２４を載せる形で形成されているが、真
空チャンバ１の加工が煩雑であり、メンテナンスがやり
にくいと言う課題もあった。これに対し、第２の実施例
の真空排気邪魔板２４を用いることにより、図１で示し
たような対向壁５ａが不要になり、真空チャンバ１の形
状がシンプルになり、又、メンテナンス時には真空排気
邪魔板２４を取り除くことにより、広いスペースが確保
でき作業がやり易い利点が得られた。同図では、一部の
みを示しているが、排気邪魔板２４が分断しないように
２４ｂで示したスリットが形成していない領域は存在す
るが、ほぼ全周にわたりスリットを形成していること
は、第１の実施例と同様である。
気邪魔板である。真空排気邪魔板２４の形状がＬ字形を
なし、これを直接真空チャンバ１内に挿入する事により
真空排気通路５を形成できる形になっている。第１の実
施例の排気通路５は削り込みによる溝の上部に平板状の
真空排気邪魔板２４を載せる形で形成されているが、真
空チャンバ１の加工が煩雑であり、メンテナンスがやり
にくいと言う課題もあった。これに対し、第２の実施例
の真空排気邪魔板２４を用いることにより、図１で示し
たような対向壁５ａが不要になり、真空チャンバ１の形
状がシンプルになり、又、メンテナンス時には真空排気
邪魔板２４を取り除くことにより、広いスペースが確保
でき作業がやり易い利点が得られた。同図では、一部の
みを示しているが、排気邪魔板２４が分断しないように
２４ｂで示したスリットが形成していない領域は存在す
るが、ほぼ全周にわたりスリットを形成していること
は、第１の実施例と同様である。
【００２２】図５は、反応性イオンエッチング装置への
適用例を示す概略断面図である。装置の基本構成は、図
１のＰ−ＣＶＤ装置と同じであるが、高周波電源１２が
ウエハー保持電極を兼ねる下部電極３に接続されてい
る。真空排気経路５は、第１、第２の実施例のどちらの
排気邪魔板２４を用いても良い。
適用例を示す概略断面図である。装置の基本構成は、図
１のＰ−ＣＶＤ装置と同じであるが、高周波電源１２が
ウエハー保持電極を兼ねる下部電極３に接続されてい
る。真空排気経路５は、第１、第２の実施例のどちらの
排気邪魔板２４を用いても良い。
【００２３】ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、ＮＦ3等のフッ素系のガ
ス、及び、必要に応じて、Ｏ2、Ｎ2Ｏ等の酸素を含むガ
スを、シャワー電極２を通して、真空チャンバ１内に導
入し、０．０１〜１Ｔｏｒｒのガス圧に調整し、１３．
５６ＭＨｚの高周波電力１００〜１０００Ｗを下部電極
３に供給し、ＳｉＮ膜、又は、ＳｉＯ2膜等のエッチン
グを行ったところ、エッチング均一性が向上した。
ス、及び、必要に応じて、Ｏ2、Ｎ2Ｏ等の酸素を含むガ
スを、シャワー電極２を通して、真空チャンバ１内に導
入し、０．０１〜１Ｔｏｒｒのガス圧に調整し、１３．
５６ＭＨｚの高周波電力１００〜１０００Ｗを下部電極
３に供給し、ＳｉＮ膜、又は、ＳｉＯ2膜等のエッチン
グを行ったところ、エッチング均一性が向上した。
【００２４】以上、本発明の実施例では、主にＳｉＮ膜
に関するプロセスを基に説明してきたが、ＳｉＯ2、ア
モルファスＳｉ等の成膜装置、反応性エッチング装置に
も適用可能である。又、本発明の実施例では、主たる放
電が、１３．５６ＭＨｚの高周波放電の実施例を示した
が、５０ｋＨｚからの低周波による放電でもマイクロ波
による放電でも適用可能である。又、装置が半導体用、
液晶用、又は、薄膜太陽電池、薄膜磁気ヘッド等の他の
薄膜デバイス用であっても、装置の大きさ等の変化であ
って、基本構成要素は変わらず、本発明が適用出来る。
に関するプロセスを基に説明してきたが、ＳｉＯ2、ア
モルファスＳｉ等の成膜装置、反応性エッチング装置に
も適用可能である。又、本発明の実施例では、主たる放
電が、１３．５６ＭＨｚの高周波放電の実施例を示した
が、５０ｋＨｚからの低周波による放電でもマイクロ波
による放電でも適用可能である。又、装置が半導体用、
液晶用、又は、薄膜太陽電池、薄膜磁気ヘッド等の他の
薄膜デバイス用であっても、装置の大きさ等の変化であ
って、基本構成要素は変わらず、本発明が適用出来る。
【００２５】さらに、真空排気邪魔板２４の排気スリッ
ト幅を場所により変えてもよい。例えば、図１又は図５
において、排気スリット２４ａの幅が全周にわたり同一
であれば、ガス排気口６直上が排気能力が高くガス流が
集中し易くなる。これに対処して、さらに、全周に渡り
より均一な排気コンダクタンスにする為には、平面的に
見て、ガス排気口６の直上から離れた位置にかけ排気ス
リット２４ａの幅を順次を広げるようにするとよい。排
気スリット２４ａの幅の広げ方は、ほぼ連続的に広げる
ことも、段階的に広げることも可能である。又、広げ方
は、ガス排気口直上で最も狭く、最も離れた位置で最も
広くなるようにし、ガス排気口の数、位置、及び、薄膜
プロセス条件を基に決定すればよい。
ト幅を場所により変えてもよい。例えば、図１又は図５
において、排気スリット２４ａの幅が全周にわたり同一
であれば、ガス排気口６直上が排気能力が高くガス流が
集中し易くなる。これに対処して、さらに、全周に渡り
より均一な排気コンダクタンスにする為には、平面的に
見て、ガス排気口６の直上から離れた位置にかけ排気ス
リット２４ａの幅を順次を広げるようにするとよい。排
気スリット２４ａの幅の広げ方は、ほぼ連続的に広げる
ことも、段階的に広げることも可能である。又、広げ方
は、ガス排気口直上で最も狭く、最も離れた位置で最も
広くなるようにし、ガス排気口の数、位置、及び、薄膜
プロセス条件を基に決定すればよい。
【００２６】このように、本発明のプラズマ処理装置
は、真空排気通路に形成されたスリット状の排気穴の幅
が、場所により変えられてなるものであってもよい。
は、真空排気通路に形成されたスリット状の排気穴の幅
が、場所により変えられてなるものであってもよい。
【００２７】
【発明の効果】以上の通り、本発明の請求項１に記載の
プラズマ処理装置では、真空チャンバのほぼ全周にわた
る真空排気のためのスリット状の穴により、ガス流の真
空チャンバ内の分布を均一にすることができ、その結
果、例えば、Ｐ−ＣＶＤ又装置では、膜厚、及び、膜特
性の均一性を向上させることができる。又、反応性イオ
ンエッチング装置への適用では、エッチング分布を向上
させることができる。請求項２に記載のプラズマ処理装
置によれば、簡便に真空排気スリットを備えた真空排気
経路を形成できる。又、請求項３に記載のプラズマ処理
装置では、より真空チャンバ内のガス流の分布を均一に
することができる。
プラズマ処理装置では、真空チャンバのほぼ全周にわた
る真空排気のためのスリット状の穴により、ガス流の真
空チャンバ内の分布を均一にすることができ、その結
果、例えば、Ｐ−ＣＶＤ又装置では、膜厚、及び、膜特
性の均一性を向上させることができる。又、反応性イオ
ンエッチング装置への適用では、エッチング分布を向上
させることができる。請求項２に記載のプラズマ処理装
置によれば、簡便に真空排気スリットを備えた真空排気
経路を形成できる。又、請求項３に記載のプラズマ処理
装置では、より真空チャンバ内のガス流の分布を均一に
することができる。
【図１】本発明の第１の実施例を示すＰ−ＣＶＤ装置の
概略断面図である。
概略断面図である。
【図２】第１の実施例における排気邪魔板の構成を示す
一部拡大斜視図である。
一部拡大斜視図である。
【図３】本発明の排気スリットによる膜厚分布を説明す
る図である。
る図である。
【図４】本発明の第２の実施例における排気邪魔板の他
の構成例を示す一部拡大斜視図である。
の構成例を示す一部拡大斜視図である。
【図５】本発明の反応性イオンエッチング装置への適用
例を示す概略断面図である。
例を示す概略断面図である。
【図６】従来のＰ−ＣＶＤ装置を示す概略断面図であ
る。
る。
【図７】従来のＰ−ＣＶＤ装置の排気邪魔板及びガス密
度模式図である。
度模式図である。
１ 真空チャンバ
２ シャワー電極
３ 下部電極
２４ 排気邪魔板
２４ａ 排気用スリット
５ 真空排気経路
６ ガス排気口
Claims (2)
- 【請求項１】真空状態維持可能な真空チャンバ内に、プ
ラズマを発生させるための平行平板型の高周波電極、プ
ロセスガス吹き出し口、及び、ガス排気口を有するプラ
ズマ処理装置において、前記真空チャンバ内に設けら
れ、真空チャンバ内のその他の領域とは分離する形で設
けられた前記排気口に繋がる真空排気のための真空排気
通路に、ほぼ前記真空チャンバの全周にわたるスリット
状の排気穴を備えていることを特徴とするプラズマ処理
装置。 - 【請求項２】前記真空チャンバ内に設けられた真空排気
通路は、前記真空チャンバ内壁の一部と少なくとも１個
以上の排気邪魔板により構成され、該排気邪魔板に前記
真空排気通路のスリット状の排気穴が形成されてなるこ
とを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002320338A JP2003188162A (ja) | 2002-11-01 | 2002-11-01 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002320338A JP2003188162A (ja) | 2002-11-01 | 2002-11-01 | プラズマ処理装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01629398A Division JP3450173B2 (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003188162A true JP2003188162A (ja) | 2003-07-04 |
Family
ID=27606760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002320338A Pending JP2003188162A (ja) | 2002-11-01 | 2002-11-01 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003188162A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016149526A (ja) * | 2015-02-12 | 2016-08-18 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 半導体製造装置 |
-
2002
- 2002-11-01 JP JP2002320338A patent/JP2003188162A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016149526A (ja) * | 2015-02-12 | 2016-08-18 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 半導体製造装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20050727 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060307 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060427 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Effective date: 20060427 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20060704 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |