JP2003188126A - Method and apparatus for waxless mount polishing - Google Patents

Method and apparatus for waxless mount polishing

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JP2003188126A
JP2003188126A JP2001388169A JP2001388169A JP2003188126A JP 2003188126 A JP2003188126 A JP 2003188126A JP 2001388169 A JP2001388169 A JP 2001388169A JP 2001388169 A JP2001388169 A JP 2001388169A JP 2003188126 A JP2003188126 A JP 2003188126A
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semiconductor wafer
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Taira Sato
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a waxless mount polishing method, which holds a plurality of kinds of semiconductor wafers differing in size with one polishing head to lower the cost of a polishing apparatus and can perform polishing with the same polishing precision as before, and its apparatus. <P>SOLUTION: A silicon wafer W for 6 inches is put in the hole part of an adapter template 15 in a template 15 for 8 inches to apparently increase the diameter of the 6-inch wafer W to that of an 8-inch wafer. With one polishing head 12, a plurality of kinds of silicon wafers W of different sizes can be polished with nearly the same polishing precision as before. Further, the need for a plurality of polishing heads by the sizes of wafers is eliminated. Consequently, the polishing apparatus can be made low-cost. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明はワックスレスマウ
ント式研磨方法およびその装置、詳しくはワックスレス
で保持した半導体ウェーハの表面に機械的化学的研磨を
行うワックスレスマウント式の研磨技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a waxless mount type polishing method and apparatus, and more particularly to a waxless mount type polishing technique for mechanically and chemically polishing the surface of a semiconductor wafer held by waxless.

【0002】[0002]

【従来の技術】シリコンウェーハの研磨方法の一種とし
て、ワックスレスマウント式研磨方法が知られている。
以下、図面に基づき、これに用いられるワックスレスマ
ウント式研磨装置を説明する。図4は、従来手段に係る
ワックスレスマウント式研磨装置の縦断面図である。図
4に示すように、ワックスレスマウント式研磨装置10
0は、上面に研磨布105が展張された研磨定盤104
と、下面にウェーハ固定用のテンプレート102が設け
られた枚葉式の研磨ヘッド101とを備えている。この
テンプレート102は、保水性を有する不織布製のバッ
クパッド103を介して、研磨ヘッド101の下面に取
り付けられている。研磨時には、バックパッド103に
純水を供給し、その表面張力により、テンプレート10
2の孔部に収容されたシリコンウェーハWをその裏面側
から保持する。このとき、シリコンウェーハWは、その
研磨面の全域をテンプレート102の端面から所定高さ
だけ下方に向かって突出している。そして、遊離砥粒を
含む研磨剤を研磨布105の研磨作用面に供給しなが
ら、研磨ヘッド101を研磨定盤104上で回転させ、
シリコンウェーハWの研磨面を鏡面研磨する。
2. Description of the Related Art A waxless mount type polishing method is known as one of methods for polishing a silicon wafer.
Hereinafter, a waxless mount type polishing apparatus used for this will be described with reference to the drawings. FIG. 4 is a vertical cross-sectional view of a conventional waxless mount type polishing apparatus. As shown in FIG. 4, the waxless mount type polishing apparatus 10
0 is a polishing surface plate 104 having a polishing cloth 105 spread on the upper surface.
And a single-wafer polishing head 101 having a wafer fixing template 102 provided on the lower surface. The template 102 is attached to the lower surface of the polishing head 101 via a water-holding non-woven back pad 103. During polishing, pure water is supplied to the back pad 103, and the surface tension of the back pad 103 causes template 10
The silicon wafer W housed in the second hole is held from the back surface side. At this time, the silicon wafer W projects downward over the entire polishing surface from the end surface of the template 102 by a predetermined height. Then, the polishing head 101 is rotated on the polishing platen 104 while supplying the polishing agent containing the loose abrasive grains to the polishing surface of the polishing cloth 105,
The polished surface of the silicon wafer W is mirror-polished.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のワックスレスマウント式の研磨では、以下の
不都合があった。すなわち、バックパッド103の下面
には、例えば6インチウェーハ用のテンプレート、8イ
ンチウェーハ用のテンプレートなど、1個のテンプレー
ト102だけが固定されている。これにより、研磨ヘッ
ド101は、いずれか1サイズのシリコンウェーハWを
研磨する専用のヘッドとなっていた。そのため、研磨装
置1台当たり、取り扱われるシリコンウェーハWの大き
さ(直径)の種類の数だけ、サイズが異なる研磨ヘッド
101を用意しなければならなかった。
However, such conventional waxless mount type polishing has the following disadvantages. That is, only one template 102 such as a template for a 6-inch wafer or a template for an 8-inch wafer is fixed to the lower surface of the back pad 103. As a result, the polishing head 101 was a dedicated head for polishing any one size silicon wafer W. Therefore, it is necessary to prepare polishing heads 101 having different sizes for each polishing apparatus, the number of which is the size (diameter) of the silicon wafer W to be handled.

【0004】[0004]

【発明の目的】そこで、この発明は、1台の研磨ヘッド
を用いて、大きさが異なる複数種類の半導体ウェーハを
保持することができ、これによって研磨装置の低コスト
化が図れ、しかも従来と同じ研磨精度で研磨するこが可
能なワックスレスマウント式研磨方法およびその装置を
提供することを、その目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, according to the present invention, a single polishing head can be used to hold a plurality of types of semiconductor wafers having different sizes, which can reduce the cost of the polishing apparatus and can reduce the cost of the conventional polishing apparatus. An object of the present invention is to provide a waxless mount type polishing method and an apparatus therefor capable of polishing with the same polishing accuracy.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、環状のテンプレートの内側に半導体ウェーハを収容
するとともに、この半導体ウェーハと研磨ヘッドとの間
にバックパッドを介在させて半導体ウェーハを研磨する
ワックスレスマウント式研磨方法において、外径が前記
テンプレートの内径と略同じであるとともに、内径が半
導体ウェーハと略同じ環状のアダプタテンプレートを用
意し、該アダプタテンプレートの内側にその半導体ウェ
ーハを収容し、この半導体ウェーハの裏面側と前記アダ
プタテンプレートの裏面側とを粘着テープにより連結し
てアダプタ付ウェーハを作製し、該アダプタ付テンプレ
ートをテンプレートの内側に収容して半導体ウェーハを
研磨するワックスレスマウント式研磨方法である。
According to a first aspect of the present invention, a semiconductor wafer is housed inside an annular template, and a back pad is interposed between the semiconductor wafer and a polishing head to form the semiconductor wafer. In the waxless mount polishing method for polishing, an annular adapter template having an outer diameter substantially the same as the inner diameter of the template and an inner diameter substantially the same as the semiconductor wafer is prepared, and the semiconductor wafer is housed inside the adapter template. Then, the back side of the semiconductor wafer and the back side of the adapter template are connected by an adhesive tape to produce a wafer with an adapter, and the template with the adapter is housed inside the template to polish the semiconductor wafer Waxless mount It is a polishing method.

【0006】研磨ヘッドは、上面に研磨布が展張された
研磨定盤の上方に対向して配置される。この研磨ヘッド
は、研磨定盤との対向面に1枚の半導体ウェーハが保持
される枚葉式でもよいし、多数枚の半導体ウェーハが一
括して保持されるバッチ式でもよい。また、研磨ヘッド
は、研磨布に沿って往復運動する方式でもよいし、往復
運動しない方式でもよい。往復運動する場合には、半導
体ウェーハの外周部の一部を研磨布の外部にはみ出して
研磨してもよいし、そうでなくてもよい。研磨ヘッドを
研磨定盤の上方に対向配置してもよいし、これとは上下
を反対にしてもよい。さらに、研磨ヘッドと研磨定盤と
の軸線方向をそれぞれ水平方向とした縦型の研磨装置で
もよい。
The polishing head is disposed above and above a polishing platen having a polishing cloth spread on its upper surface. The polishing head may be a single-wafer type in which one semiconductor wafer is held on the surface facing the polishing platen, or a batch-type in which a large number of semiconductor wafers are collectively held. Further, the polishing head may be a system that reciprocates along the polishing cloth, or a system that does not reciprocate. In the case of reciprocating movement, a part of the outer peripheral portion of the semiconductor wafer may be projected to the outside of the polishing cloth for polishing, or may not be polished. The polishing head may be disposed above the polishing platen so as to face it, or may be upside down. Further, a vertical polishing apparatus in which the axial directions of the polishing head and the polishing platen are horizontal may be used.

【0007】テンプレートの内径は限定されない。ただ
し、研磨される直径が異なる複数種類の半導体ウェーハ
のうち、最大径の半導体ウェーハの直径より若干大径で
ある方が好ましい。これは、アダプタテンプレートを利
用し、残りすべてのサイズの半導体ウェーハを孔部に収
容するためである。バックパッドの素材としては、例え
ばスウェード布などの不織布を採用することができる。
また、その硬度も限定されない。そして、このバックパ
ッドの一部分(例えば外周部)だけを、その中央部より
も高硬度としてもよい。バックパッドの厚さは限定され
ない。ただし、2mm以下が好ましい。2mmを超える
と、バックパッドに硬度ムラが生じやすい。
The inner diameter of the template is not limited. However, among a plurality of types of semiconductor wafers having different diameters to be polished, the diameter is preferably slightly larger than the diameter of the largest diameter semiconductor wafer. This is because the adapter template is used to accommodate the semiconductor wafers of all remaining sizes in the holes. As a material for the back pad, for example, a nonwoven fabric such as suede cloth can be adopted.
Further, its hardness is not limited. Then, only a part (for example, the outer peripheral portion) of the back pad may have a higher hardness than the central portion thereof. The thickness of the back pad is not limited. However, it is preferably 2 mm or less. If it exceeds 2 mm, the back pad tends to have uneven hardness.

【0008】アダプタテンプレートは、孔部に保持され
る半導体ウェーハの大きさの種類の数だけ内径が異なる
ものを揃える必要がある。ただし、これらのアダプタテ
ンプレートの外径は、いずれもテンプレートの孔部にガ
タつきなく収容できるように、テンプレートの内径と略
同じにする必要がある。テンプレートおよびアダプタテ
ンプレートの高さは限定されない。ただし、半導体ウェ
ーハの厚さと略同じ高さか、半導体ウェーハが1〜20
0μm突出した高さが好ましい。テンプレートおよびア
ダプタテンプレートの素材は限定されない。例えば、ガ
ラスエポキシ樹脂や、各種のセラミックスなどが挙げら
れる。粘着テープの素材は限定されない。例えばアクリ
ル、ポリエチレン、ポリオレフィンといった合成樹脂な
どを採用することができる。粘着テープの厚さは限定さ
れない。50〜100μm程度が好ましい。粘着テープ
は、アダプタテンプレートと半導体ウェーハとの裏面の
全域に一括して貼着してもよいし、その一部分だけに貼
着してもよい。ただし、両部材を一体化させるため、少
なくとも一部分はアダプタテンプレートと半導体ウェー
ハとにまたがっていなければならない。
It is necessary to prepare adapter templates having different inner diameters by the number of types of semiconductor wafers held in the holes. However, the outer diameter of each of these adapter templates must be substantially the same as the inner diameter of the template so that they can be accommodated in the holes of the template without rattling. The height of the template and the adapter template is not limited. However, if the height of the semiconductor wafer is about the same as the thickness of the semiconductor wafer,
A height of 0 μm is preferable. The materials of the template and the adapter template are not limited. Examples thereof include glass epoxy resin and various ceramics. The material of the adhesive tape is not limited. For example, a synthetic resin such as acrylic, polyethylene, or polyolefin can be adopted. The thickness of the adhesive tape is not limited. It is preferably about 50 to 100 μm. The adhesive tape may be collectively attached to the entire area of the back surfaces of the adapter template and the semiconductor wafer, or may be attached to only a part thereof. However, in order to integrate the two members, at least a part of them must extend over the adapter template and the semiconductor wafer.

【0009】請求項2に記載の発明は、環状のテンプレ
ートの内側に半導体ウェーハを収容するとともに、この
半導体ウェーハと研磨ヘッドとの間にバックパッドを介
在させたワックスレスマウント式研磨装置において、外
径が前記テンプレートの内径と略同じであるとともに、
内径が半導体ウェーハと略同じ環状のアダプタテンプレ
ートと、該アダプタテンプレートの内側に収容された半
導体ウェーハの裏面側および前記アダプタテンプレート
の裏面側を連結する粘着テープとを備えたワックスレス
マウント式研磨装置である。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a waxless mount type polishing apparatus in which a semiconductor wafer is housed inside an annular template and a back pad is interposed between the semiconductor wafer and the polishing head. While the diameter is almost the same as the inner diameter of the template,
A waxless mount polishing apparatus having an annular adapter template whose inner diameter is substantially the same as that of a semiconductor wafer, and an adhesive tape connecting the back surface side of the semiconductor wafer housed inside the adapter template and the back surface side of the adapter template. is there.

【0010】[0010]

【作用】この発明によれば、テンプレートの内径よりも
小径な半導体ウェーハを研磨する場合、まず半導体ウェ
ーハをアダプタテンプレートの内側に収容する。次に、
半導体ウェーハとアダプタテンプレートとの各裏面側を
粘着テープにより連結し、アダプタ付ウェーハを作製す
る。その後、このアダプタ付ウェーハをテンプレートの
内側に収容すると、あらかじめ純水が供給されたバック
パッドの表面張力により、このアダプタ付ウェーハがそ
の裏面側から保持される。その後、通常通りに半導体ウ
ェーハを研磨する。このように、テンプレートの内径よ
りも小径な半導体ウェーハをアダプタテンプレートの内
側に収容することで、見かけ上、半導体ウェーハの直径
がテンプレートの内径と略同じサイズまで拡大される。
これにより、1台の研磨ヘッドを使用して、従来と略同
じ研磨精度で、大きさが異なる複数種類の半導体ウェー
ハを研磨することができる。しかも、従来のように1台
の研磨ヘッドに対し、半導体ウェーハの大きさ別に複数
の研磨ヘッドを用意する必要がないので、研磨装置の低
コスト化も図ることができる。
According to the present invention, when polishing a semiconductor wafer having a diameter smaller than the inner diameter of the template, the semiconductor wafer is first accommodated inside the adapter template. next,
The back surface of each of the semiconductor wafer and the adapter template is connected by an adhesive tape to produce a wafer with an adapter. After that, when the wafer with adapter is housed inside the template, the wafer with adapter is held from the back surface side thereof by the surface tension of the back pad to which pure water is previously supplied. Then, the semiconductor wafer is polished as usual. In this way, by accommodating the semiconductor wafer having a diameter smaller than the inner diameter of the template inside the adapter template, the diameter of the semiconductor wafer is apparently enlarged to a size substantially the same as the inner diameter of the template.
As a result, a single polishing head can be used to polish a plurality of types of semiconductor wafers having different sizes with substantially the same polishing accuracy as the conventional one. In addition, since it is not necessary to prepare a plurality of polishing heads for each size of the semiconductor wafer for one polishing head as in the conventional case, the cost of the polishing apparatus can be reduced.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施例を説明
する。図1は、この発明の一実施例に係るワックスレス
マウント式研磨装置の縦断面図である。図2は、この発
明の一実施例に係るアダプタ付ウェーハの分解斜視図で
ある。図3は、この発明の一実施例に係るアダプタ付ウ
ェーハの研磨ヘッドへの取り付け工程を示す縦断面図で
ある。図1において、10はこの発明の一実施例に係る
ワックスレスマウント式研磨装置(以下、研磨装置)で
ある。この研磨装置10は、研磨定盤11と、これに対
向して上方に配設された研磨ヘッド12とを備えてい
る。研磨定盤11は、研磨布13が展張されている。研
磨ヘッド12は、その下面に、ウェーハ固定用のテンプ
レート14が設けられている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of the present invention will be described below. FIG. 1 is a vertical sectional view of a waxless mount type polishing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is an exploded perspective view of a wafer with an adapter according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a vertical cross-sectional view showing a process of attaching a wafer with an adapter to a polishing head according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 10 is a waxless mount type polishing apparatus (hereinafter, polishing apparatus) according to an embodiment of the present invention. The polishing apparatus 10 includes a polishing platen 11 and a polishing head 12 that is disposed above and facing the polishing platen 11. A polishing cloth 13 is spread on the polishing platen 11. The polishing head 12 has a template 14 for fixing the wafer on the lower surface thereof.

【0012】研磨定盤11および研磨ヘッド12は円板
形で、対向する各面はそれぞれ平坦面である。これらの
研磨定盤11および研磨ヘッド12は、各回転軸を中心
にして、図示しない回転手段によってそれぞれ回転され
る。この研磨ヘッド12は、回転軸の昇降により上下動
する。テンプレート14は、例えば円形のリング状のガ
ラスエポキシ板で、研磨ヘッド12の下面に貼着された
バックパッド15を介して、研磨ヘッド12の下面に設
けられている。テンプレート14は、その内径が、例え
ば8インチウェーハより0.2〜1.0mmだけ大径で
ある。テンプレート14の厚さは、例えば8インチウェ
ーハと同じか、ウェーハが1〜200μm突出した高さ
である。バックパッド15は、例えばスウェード製で、
厚さはパッド全域で均一である。研磨されるシリコンウ
ェーハWはCZウェーハである。
The polishing platen 11 and the polishing head 12 are disk-shaped, and the opposing surfaces are flat surfaces. The polishing platen 11 and the polishing head 12 are rotated about their respective rotation axes by rotating means (not shown). The polishing head 12 moves up and down as the rotary shaft moves up and down. The template 14 is, for example, a circular ring-shaped glass epoxy plate, and is provided on the lower surface of the polishing head 12 via the back pad 15 attached to the lower surface of the polishing head 12. The template 14 has an inner diameter larger than that of an 8-inch wafer by 0.2 to 1.0 mm. The thickness of the template 14 is, for example, the same as that of an 8-inch wafer, or the height at which the wafer protrudes by 1 to 200 μm. The back pad 15 is made of suede, for example,
The thickness is uniform across the pad. The silicon wafer W to be polished is a CZ wafer.

【0013】この発明の特長は、テンプレート14の孔
部に収容されるアダプタテンプレート16を利用し、テ
ンプレート14の内径と略同じ直径のシリコンウェーハ
Wだけでなく、テンプレート14の内径よりも小径なシ
リコンウェーハW(ここでは6インチウェーハ)であっ
ても、1台の研磨装置10を用いて研磨できるようにし
た点である。以下、これを詳細に説明する。図1および
図2に示すように、アダプタテンプレート16の外径
は、テンプレート14の内径より0.2〜1.0mmだ
け小さな径である。一方、アダプタテンプレート16の
内径は、6インチのシリコンウェーハWよりも0.2〜
1.0mmだけ大径となっている。アダプタテンプレー
ト16の厚さは、この6インチのシリコンウェーハWよ
り薄く、その差は10μm以内が好ましい。これらのア
ダプタテンプレート16とシリコンウェーハWとは、そ
れぞれの裏面側から粘着テープ17によって一体的に貼
着され、アダプタ付ウェーハ18を構成する。粘着テー
プ17は、裏面に接着剤が塗布された合成樹脂製の円形
テープで、その直径はアダプタテンプレート16の外径
と略同じであり、そのテープ厚さは50〜100μmで
ある。
A feature of the present invention is that the adapter template 16 housed in the hole portion of the template 14 is used, and not only the silicon wafer W having the same diameter as the inner diameter of the template 14 but also the silicon having a smaller diameter than the inner diameter of the template 14 is used. The point is that even a wafer W (here, a 6 inch wafer) can be polished by using one polishing apparatus 10. Hereinafter, this will be described in detail. As shown in FIGS. 1 and 2, the outer diameter of the adapter template 16 is smaller than the inner diameter of the template 14 by 0.2 to 1.0 mm. On the other hand, the inner diameter of the adapter template 16 is 0.2 to 10 mm smaller than that of the 6-inch silicon wafer W.
It has a large diameter of 1.0 mm. The thickness of the adapter template 16 is thinner than that of the 6-inch silicon wafer W, and the difference is preferably within 10 μm. The adapter template 16 and the silicon wafer W are integrally attached from the back side of each with an adhesive tape 17 to form a wafer with adapter 18. The adhesive tape 17 is a circular tape made of synthetic resin having an adhesive applied to the back surface, the diameter thereof is substantially the same as the outer diameter of the adapter template 16, and the tape thickness is 50 to 100 μm.

【0014】次に、この実施例に係るワックスレスマウ
ント式研磨装置10を用いたシリコンウェーハWのワッ
クスレスマウント式研磨方法を説明する。まず、8イン
チウェーハのときの研磨方法を説明する。この場合は、
従来法と同じ研磨となる(図4参照)。すなわち、バッ
クパッド15に純水を供給し、その表面張力により、テ
ンプレート14の孔部に収容されたシリコンウェーハW
をその裏面側から保持する。そして、遊離砥粒を含む研
磨剤を研磨布13の研磨作用面に供給しながら、研磨ヘ
ッド12を研磨定盤11上で回転させ、シリコンウェー
ハWの研磨面を鏡面研磨する。
Next, a waxless mount type polishing method for a silicon wafer W using the waxless mount type polishing apparatus 10 according to this embodiment will be described. First, a polishing method for an 8-inch wafer will be described. in this case,
The polishing is the same as the conventional method (see FIG. 4). That is, pure water is supplied to the back pad 15, and the surface tension of the pure water supplies the silicon wafer W accommodated in the hole of the template 14.
Is held from the back side. Then, the polishing head 12 is rotated on the polishing platen 11 while the polishing agent containing the free abrasive grains is supplied to the polishing surface of the polishing cloth 13, and the polishing surface of the silicon wafer W is mirror-polished.

【0015】次に、6インチウェーハの研磨方法を説明
する。この場合には、まずシリコンウェーハWをアダプ
タテンプレート16の孔部に収容する。次に、シリコン
ウェーハWとアダプタテンプレート16との裏面に、大
判の粘着テープ17を貼り付けて一体化する(図2)。
これにより、アダプタ付ウェーハ18が作製される。そ
して、粘着テープ17側を裏面にし、このアダプタ付ウ
ェーハ18を研磨ヘッドの裏面側のテンプレート14の
内側に収容する(図3)。これにより、あらかじめ純水
が供給されたバックパッドの表面張力によって、アダプ
タ付ウェーハ18がその裏面側から保持される。その後
は、前述した8インチウェーハの場合と同様にシリコン
ウェーハWを研磨する(図1)。このように、テンプレ
ート14の内径よりも小径なシリコンウェーハWをアダ
プタテンプレート16の内側に収容することで、見かけ
上、シリコンウェーハWの直径(6インチ)がテンプレ
ート14の内径と略同じサイズ(8インチ)まで拡大さ
れる。その結果、1台の研磨ヘッド12を使用し、従来
と略同じ研磨精度でもって、大きさが異なる複数種類の
シリコンウェーハWを研磨することができる。しかも、
従来のように1台の研磨ヘッドに対して、シリコンウェ
ーハの大きさ別に複数の研磨ヘッドを用意する必要がな
いので、研磨装置10の低コスト化を図ることができ
る。
Next, a method of polishing a 6-inch wafer will be described. In this case, first, the silicon wafer W is housed in the hole of the adapter template 16. Next, a large-sized adhesive tape 17 is attached to the back surfaces of the silicon wafer W and the adapter template 16 to integrate them (FIG. 2).
As a result, the wafer with adapter 18 is manufactured. Then, with the adhesive tape 17 side as the back surface, this wafer with adapter 18 is housed inside the template 14 on the back surface side of the polishing head (FIG. 3). As a result, the wafer 18 with the adapter is held from the back surface side by the surface tension of the back pad to which pure water has been supplied in advance. After that, the silicon wafer W is polished as in the case of the 8-inch wafer described above (FIG. 1). In this way, by accommodating the silicon wafer W having a smaller diameter than the inner diameter of the template 14 inside the adapter template 16, the apparent diameter of the silicon wafer W (6 inches) is substantially the same as the inner diameter of the template 14 (8 inches). Inch). As a result, a single polishing head 12 can be used to polish a plurality of types of silicon wafers W having different sizes with substantially the same polishing accuracy as the conventional one. Moreover,
Since it is not necessary to prepare a plurality of polishing heads for each size of silicon wafer for one polishing head as in the conventional case, the cost of the polishing apparatus 10 can be reduced.

【0016】[0016]

【発明の効果】この発明によれば、テンプレートの内径
よりも小径な半導体ウェーハをアダプタテンプレートに
挿着し、外観的なウェーハ口径をテンプレートに収容可
能な大きさまで拡大するようにしたので、1台の研磨ヘ
ッドで、大きさが異なる複数種類の半導体ウェーハを従
来通りの研磨精度で研磨でき、しかも半導体ウェーハの
大きさ別に研磨ヘッドを用意しなくてもよく、研磨装置
の低コスト化を図ることができる。
According to the present invention, a semiconductor wafer having a diameter smaller than the inner diameter of the template is inserted into the adapter template, and the outer diameter of the external wafer is enlarged to a size that can be accommodated in the template. With this polishing head, you can polish multiple types of semiconductor wafers with different sizes with the same polishing accuracy as before, and you do not have to prepare a polishing head for each size of semiconductor wafer. You can

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の一実施例に係るワックスレスマウン
ト式研磨装置の縦断面図である。
FIG. 1 is a vertical sectional view of a waxless mount-type polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】この発明の一実施例に係るアダプタ付ウェーハ
の分解斜視図である。
FIG. 2 is an exploded perspective view of a wafer with an adapter according to an embodiment of the present invention.

【図3】この発明の一実施例に係るアダプタ付ウェーハ
の研磨ヘッドへの取り付け工程を示す縦断面図である。
FIG. 3 is a vertical cross-sectional view showing a step of attaching a wafer with an adapter to a polishing head according to an embodiment of the present invention.

【図4】従来手段に係るワックスレスマウント式研磨装
置の縦断面図である。
FIG. 4 is a vertical cross-sectional view of a waxless mount type polishing apparatus according to a conventional means.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 ワックスレスマウント式研磨装置、 12 研磨ヘッド、 14 テンプレート、 15 バックパッド、 16 アダプタテンプレート、 17 粘着テープ、 W シリコンウェーハ(半導体ウェーハ)。 10 Waxless mount type polishing machine, 12 polishing head, 14 templates, 15 back pad, 16 adapter templates, 17 Adhesive tape, W Silicon wafer (semiconductor wafer).

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 平 東京都千代田区大手町1丁目5番1号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 Fターム(参考) 3C058 AA07 AB04 CB01 DA17    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Taira Sato             3-5-1 Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo             Ryo Material Silicon Co., Ltd. F-term (reference) 3C058 AA07 AB04 CB01 DA17

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 環状のテンプレートの内側に半導体ウェ
ーハを収容するとともに、この半導体ウェーハと研磨ヘ
ッドとの間にバックパッドを介在させて半導体ウェーハ
を研磨するワックスレスマウント式研磨方法において、 外径が前記テンプレートの内径と略同じであるととも
に、内径が半導体ウェーハと略同じ環状のアダプタテン
プレートを用意し、 該アダプタテンプレートの内側にその半導体ウェーハを
収容し、 この半導体ウェーハの裏面側と前記アダプタテンプレー
トの裏面側とを粘着テープにより連結してアダプタ付ウ
ェーハを作製し、 該アダプタ付テンプレートをテンプレートの内側に収容
して半導体ウェーハを研磨するワックスレスマウント式
研磨方法。
1. A waxless mount type polishing method in which a semiconductor wafer is housed inside an annular template, and a back pad is interposed between the semiconductor wafer and a polishing head to polish the semiconductor wafer. An annular adapter template having a diameter substantially the same as that of the template and an inner diameter substantially equal to that of the semiconductor wafer is prepared, and the semiconductor wafer is housed inside the adapter template. A waxless mount polishing method in which a wafer with an adapter is produced by connecting the back side with an adhesive tape, and the template with an adapter is housed inside the template to polish a semiconductor wafer.
【請求項2】 環状のテンプレートの内側に半導体ウェ
ーハを収容するとともに、この半導体ウェーハと研磨ヘ
ッドとの間にバックパッドを介在させたワックスレスマ
ウント式研磨装置において、 外径が前記テンプレートの内径と略同じであるととも
に、内径が半導体ウェーハと略同じ環状のアダプタテン
プレートと、 該アダプタテンプレートの内側に収容された半導体ウェ
ーハの裏面側および前記アダプタテンプレートの裏面側
を連結する粘着テープとを備えたワックスレスマウント
式研磨装置。
2. A waxless mount type polishing apparatus in which a semiconductor wafer is housed inside an annular template and a back pad is interposed between the semiconductor wafer and a polishing head, the outer diameter being the inner diameter of the template. Wax provided with an annular adapter template having substantially the same inner diameter as that of the semiconductor wafer, and an adhesive tape connecting the back side of the semiconductor wafer housed inside the adapter template and the back side of the adapter template. Less mount type polishing machine.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2009208199A (en) * 2008-03-04 2009-09-17 Shin Etsu Handotai Co Ltd Manufacturing method for template and grinding method using the template
DE102009051007A1 (en) 2009-10-28 2011-05-05 Siltronic Ag Method for polishing a semiconductor wafer
CN104952701A (en) * 2015-05-13 2015-09-30 北京通美晶体技术有限公司 Special-shaped semiconductor wafer and preparation method thereof
CN104979185A (en) * 2015-05-13 2015-10-14 北京通美晶体技术有限公司 Ultrathin semiconductor wafer and preparation method therefor

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009208199A (en) * 2008-03-04 2009-09-17 Shin Etsu Handotai Co Ltd Manufacturing method for template and grinding method using the template
DE102009051007A1 (en) 2009-10-28 2011-05-05 Siltronic Ag Method for polishing a semiconductor wafer
US8647173B2 (en) 2009-10-28 2014-02-11 Siltronic Ag Method for polishing a semiconductor wafer
CN104952701A (en) * 2015-05-13 2015-09-30 北京通美晶体技术有限公司 Special-shaped semiconductor wafer and preparation method thereof
CN104979185A (en) * 2015-05-13 2015-10-14 北京通美晶体技术有限公司 Ultrathin semiconductor wafer and preparation method therefor

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