JP2003179251A - Optical coupler - Google Patents

Optical coupler

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JP2003179251A
JP2003179251A JP2002349362A JP2002349362A JP2003179251A JP 2003179251 A JP2003179251 A JP 2003179251A JP 2002349362 A JP2002349362 A JP 2002349362A JP 2002349362 A JP2002349362 A JP 2002349362A JP 2003179251 A JP2003179251 A JP 2003179251A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To eliminate characteristics deterioration and to improve yield by preventing the light receiving surface of a light receiving element from being exposed out of an optical path body. <P>SOLUTION: The optical coupler comprises an emitting lead frame 11, a light emitting element 12 mounted on a header 11a of the emitting lead frame 11, a receiving lead frame 13, and a light receiving element 14 mounted on a header 13a of the receiving lead frame 13. A protrusion 31 is formed along the peripheral face of the light receiving element 14, and the emitting element 12 and the receiving element 14 are opposed with a specified space and optically coupled through a light-permeable resin to form an optical path 15 which covers the receiving element 14 disposed inside the protrusion 31. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光結合装置に関
し、特にフォトMOSリレーの構造の改良に係る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical coupling device, and more particularly to improvement of the structure of a photo MOS relay.

【0002】[0002]

【従来の技術】近時、光結合装置においては、電圧駆動
型で低消費電力のフォトMOSリレーが主流となってき
ている。
2. Description of the Related Art Recently, in an optical coupling device, a voltage drive type photo MOS relay of low power consumption has become mainstream.

【0003】かかるフォトMOSリレーの構造を図13
ないし図16に示す。図13は従来のフォトMOSリレ
ーの受光素子の平面図、図14はフォトMOSリレーの
チップ搭載状態を示す平面図、図15はフォトMOSリ
レーの断面図、図16はフォトMOSリレーの外装モー
ルド前の状態を示す断面図である。これらの図を参照し
て、上記フォトMOSリレーは、発光側リードフレーム
1と、この発光側リードフレーム1に搭載された発光素
子(以下、「発光チップ」という。)2と、受光側リー
ドフレーム3と、この受光側リードフレーム3に搭載さ
れた受光素子(以下、「受光チップ」という。)4と、
受光側リードフレーム3を挟んで配置された2つの出力
側リードフレーム5と、この各出力側リードフレーム5
にそれぞれ搭載されたMOS素子(以下、「MOSチッ
プ」という。)6とを備えており、発光チップ2と受光
チップ4とを略同一光軸上になるよう所定の間隔をあけ
て対向配置して樹脂により光学的に結合して光路体(以
下、「光パス」という。)7が形成されている。
The structure of such a photo-MOS relay is shown in FIG.
Through FIG. FIG. 13 is a plan view of a light receiving element of a conventional photo MOS relay, FIG. 14 is a plan view showing a chip mounting state of the photo MOS relay, FIG. 15 is a cross-sectional view of the photo MOS relay, and FIG. It is a cross-sectional view showing the state of. Referring to these drawings, the photoMOS relay includes a light emitting side lead frame 1, a light emitting element (hereinafter referred to as a "light emitting chip") 2 mounted on the light emitting side lead frame 1, and a light receiving side lead frame. 3, a light receiving element (hereinafter, referred to as a “light receiving chip”) 4 mounted on the light receiving side lead frame 3,
Two output side lead frames 5 arranged with the light receiving side lead frame 3 interposed therebetween, and each output side lead frame 5
And a light-emitting chip 2 and a light-receiving chip 4 are arranged so as to face each other at a predetermined distance so as to be on substantially the same optical axis. And is optically coupled by a resin to form an optical path body (hereinafter referred to as “optical path”) 7.

【0004】この種のフォトMOSリレーは、以下のよ
うにして製造される。即ち、まず、予め対向することを
考慮して折り曲げられた、銅、鉄、42アロイ等の金属
製の発光側リードフレーム1及び受光側リードフレーム
3に、発光チップ2及び受光チップ4をそれぞれ個別に
銀ペースト等の導電性ペーストにより接着してダイボン
ドする。また、これと並行して、スイッチングさせるた
めのMOSチップ6を出力側リードフレーム5に同じく
導電性ペーストにより接着してダイボンドする。次に、
各リードフレーム1,3,5のアウターリード部に金線
等のボンディングワイヤーを用いてワイヤーボンディン
グを施す。その後、スポット溶接、あるいはローディン
グフレームにセットすること等により、発光チップ2及
び受光チップ4を略同一光軸上になるよう所定の間隔を
あけて対向配置させ、樹脂を充填することにより光学的
に結合して発光チップ2と受光チップ4間の光パス7の
形成を行う。この樹脂には、発光チップ2及び受光チッ
プ4のジャンクション等の応力緩和のために、透光性を
有するシリコン樹脂を用いることが一般的である。そし
て、光パス7の形成後に、遮光性エポキシ樹脂にてトラ
ンスファーモールドを行って外装体10を形成する等し
てフォトMOSリレーが完成する。
This type of photo-MOS relay is manufactured as follows. That is, first, the light emitting chip 2 and the light receiving chip 4 are individually provided to the light emitting side lead frame 1 and the light receiving side lead frame 3 made of metal such as copper, iron, and 42 alloy, which are bent in consideration of facing each other in advance. Then, it is die-bonded with a conductive paste such as a silver paste. In parallel with this, a MOS chip 6 for switching is similarly bonded to the output side lead frame 5 with a conductive paste and die-bonded. next,
Wire bonding is performed on the outer lead portions of the lead frames 1, 3, 5 by using a bonding wire such as a gold wire. Then, by spot welding or by setting it on a loading frame or the like, the light emitting chip 2 and the light receiving chip 4 are arranged so as to face each other at a predetermined interval so as to be substantially on the same optical axis, and are optically filled by filling resin. An optical path 7 between the light emitting chip 2 and the light receiving chip 4 is formed by combining them. For this resin, it is common to use a translucent silicone resin for the purpose of stress relaxation such as junctions of the light emitting chip 2 and the light receiving chip 4. Then, after the optical path 7 is formed, transfer molding is performed using a light-shielding epoxy resin to form the exterior body 10, and the photo MOS relay is completed.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記フォト
MOSリレーにおいては、図13に示すように、受光チ
ップ4の受光面上には、MOSチップ6の制御回路8及
び複数の受光セル9が形成されており、受光セル9の面
積及び数によって起電圧及び電流が規定されている。
In the photo MOS relay, however, as shown in FIG. 13, the control circuit 8 of the MOS chip 6 and the plurality of light receiving cells 9 are formed on the light receiving surface of the light receiving chip 4. The electromotive voltage and the current are regulated by the area and the number of the light receiving cells 9.

【0006】しかしながら、従来のフォトMOSリレー
にあっては、光パス7を形成するためにシリコン樹脂を
充填するが、この際にシリコン樹脂の粘度変化、注入角
度の差等により光パス7が変形する。そのため、図16
に示すように、樹脂の未充填により受光チップ4の一部
にシリコン樹脂がかからない場合がある。この場合、フ
ォトMOSリレーでは受光セル9の面積及び数により電
圧、電流が決定されるため、受光チップ4の受光面上の
受光セル9の一部又は全部が光パス7の範囲から外れ、
起電力不足や電流不足となる。その結果、完成製品の電
気的特性が不良となるため、光パス7の形成工程におい
て、微妙な装置調整や厳重なシリコン樹脂管理等による
付帯費用管理の増大及び高度な光パスの検査が必要とな
り、歩留まりの低下等によりコスト高の要因となってい
る。
However, in the conventional photo-MOS relay, the silicon resin is filled to form the optical path 7, but at this time, the optical path 7 is deformed due to a change in the viscosity of the silicon resin, a difference in the injection angle and the like. To do. Therefore, FIG.
As shown in, there is a case where the silicon resin is not applied to a part of the light receiving chip 4 due to the non-filling of the resin. In this case, in the photo MOS relay, the voltage and current are determined by the area and number of the light receiving cells 9, so that part or all of the light receiving cells 9 on the light receiving surface of the light receiving chip 4 are out of the range of the optical path 7.
There will be insufficient electromotive force and insufficient current. As a result, the electrical characteristics of the finished product will be poor, and in the process of forming the optical path 7, it will be necessary to increase the incidental cost control by subtle device adjustment and strict silicon resin management, and to perform advanced optical path inspection. This is a factor of high cost due to a decrease in yield.

【0007】本発明は、上記課題に鑑み、歩留まりを向
上させることによってコスト安価な光結合装置の提供を
目的とする。
In view of the above problems, it is an object of the present invention to provide a low cost optical coupling device by improving the yield.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明に係る課題解決手
段は、発光側リードフレームと、該発光側リードフレー
ムのヘッダー部に搭載された発光素子と、受光側リード
フレームと、該受光側リードフレームのヘッダー部に搭
載された受光素子と、対向配置された前記発光素子と受
光素子との間に充填された透光性樹脂により形成された
光路体とからなる光結合装置において、前記受光素子の
外周面に沿って突起が形成され、該突起より内側に配さ
れた前記受光素子が前記光路体により覆われているもの
である。
A light emitting side lead frame, a light emitting element mounted on a header portion of the light emitting side lead frame, a light receiving side lead frame, and the light receiving side lead are provided. An optical coupling device comprising a light receiving element mounted on a header portion of a frame, and an optical path body formed of translucent resin filled between the light emitting element and the light receiving element, which are arranged to face each other, A projection is formed along the outer peripheral surface of, and the light receiving element disposed inside the projection is covered with the optical path body.

【0009】上記構成において、受光素子の側面に沿っ
て突起を形成しているので、光路体の形成時に透光性樹
脂が外部に流出するのを防止して、受光素子の受光面を
透光性樹脂で容易に覆うことができる結果、透光性樹脂
から受光素子の受光面の一部がはみ出すことがなくな
る。
In the above structure, since the projection is formed along the side surface of the light receiving element, the light transmitting resin is prevented from flowing out when the optical path body is formed, and the light receiving surface of the light receiving element is transmitted. As a result of being easily covered with the transparent resin, a part of the light-receiving surface of the light-receiving element does not protrude from the transparent resin.

【0010】したがって、検査工程での歩留まり不良を
低減することができると共に工程での付帯作業が軽微で
済む。その結果、大幅なコストダウンを行うことが可能
となる。
Therefore, the yield defect in the inspection process can be reduced, and the incidental work in the process can be light. As a result, it is possible to significantly reduce the cost.

【0011】また、1次−2次間の距離(発光側ワイヤ
ーループトップと受光素子表面との距離)が長くなり、
発光側リードフレームのヘッダー部と受光側リードフレ
ームのヘッダー部とを近づけることができる。その結
果、光結合装置の小型化を図ることも可能となる。
Further, the distance between the primary and the secondary (the distance between the light emitting side wire loop top and the surface of the light receiving element) becomes long,
The header portion of the light emitting side lead frame and the header portion of the light receiving side lead frame can be brought close to each other. As a result, the optical coupling device can be downsized.

【0012】そして、突起は、前記受光側リードフレー
ムのヘッダー部の側面を前記受光素子側に折り曲げて成
るものである。
The protrusion is formed by bending the side surface of the header portion of the light receiving side lead frame toward the light receiving element.

【0013】上記構成において、突起は、受光側リード
フレームのヘッダー部の側面を受光素子側に折り曲げて
成るので、光路体の形成時に特殊な方法を採用すること
なく、透光性樹脂の流れを防止するダム効果を得ること
ができる。
In the above structure, since the projection is formed by bending the side surface of the header portion of the light-receiving side lead frame toward the light-receiving element side, the flow of the light-transmitting resin can be prevented without using a special method when forming the optical path body. You can get dam effect to prevent.

【0014】また、突起は、高粘度でかつ低流動性の樹
脂にて形成されているものである。
The protrusions are made of a resin having high viscosity and low fluidity.

【0015】上記構成において、突起は、高粘度でかつ
低流動性の樹脂にて形成されているので、予め受光側リ
ードフレームのヘッダー部に特殊な加工を施すことな
く、光路体の形成時に透光性樹脂の流れを防止するダム
効果を得ることができる。
In the above structure, since the protrusion is formed of a resin having high viscosity and low fluidity, the header portion of the lead frame on the light receiving side is not specially processed in advance, and the protrusion is formed when the optical path body is formed. It is possible to obtain a dam effect that prevents the flow of the light-sensitive resin.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づき詳細に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.

【0017】(第1の実施形態)図1は本発明の第1の
実施形態に係るフォトMOSリレーの外装モールド前の
断面図、図2は同じくフォトMOSリレーの外装モール
ド前の平面図である。これらの図を参照して、本実施形
態のフォトMOSリレーは、発光側リードフレーム11
と、この発光側リードフレーム11のヘッダー部11a
上に搭載された発光素子(以下、「発光チップ」とい
う。)12と、受光側リードフレーム13と、この受光
側リードフレーム13のヘッダー部13a上に搭載され
た受光素子(以下、「受光チップ」という。)14と、
受光側リードフレーム13を挟んで配置された2つの出
力側リードフレーム(図示せず。)と、各出力側リード
フレームのヘッダー部に搭載されたMOS素子(図示せ
ず。以下、「MOSチップ」という。)とを備えてお
り、発光チップ12と受光チップ14とを略同一光軸上
になるよう所定の間隔をあけて対向配置して透光性樹
脂、例えば透光性を有するシリコン樹脂により光学的に
結合して光路体(以下、「光パス」という。)15が形
成されている。
(First Embodiment) FIG. 1 is a sectional view of a photo MOS relay according to a first embodiment of the present invention before exterior molding, and FIG. 2 is a plan view of the same photo MOS relay before exterior molding. . With reference to these drawings, the photoMOS relay according to the present embodiment is provided with a light emitting side lead frame 11
And the header portion 11a of the light emitting side lead frame 11
A light emitting element (hereinafter referred to as "light emitting chip") 12 mounted on the light receiving side lead frame 13, a light receiving element mounted on a header portion 13a of the light receiving side lead frame 13 (hereinafter referred to as "light receiving chip"). 14),
Two output side lead frames (not shown) arranged with the light receiving side lead frame 13 sandwiched therebetween, and a MOS element (not shown) mounted on the header portion of each output side lead frame (hereinafter, referred to as “MOS chip”). The light emitting chip 12 and the light receiving chip 14 are arranged so as to face each other at a predetermined distance so as to be substantially on the same optical axis by a light-transmitting resin, for example, a silicon resin having a light-transmitting property. An optical path body (hereinafter referred to as “optical path”) 15 is formed by being optically coupled.

【0018】発光側リードフレーム11及び受光側リー
ドフレーム13は、銅、鉄、42アロイ等の金属から作
成されており、予め対向することを考慮して折り曲げ加
工が施されている。受光側リードフレーム13のヘッダ
ー部13aには、金型等によるスタンピング等で凹み1
6が形成されている。この凹み16の面積及び深さは、
受光チップ14全体が入り込むように設定されている。
例えば、深さは0.1〜0.5mmとされる。また、凹
み16の周壁16aは、外側から内側に向かって下るよ
うに傾斜している。周壁16aが傾斜されているのは、
スタンピング時に金型にテーパーを形成して、ワークす
なわち受光側リードフレーム13の離型をよくするため
であり、またシリコン樹脂が凹み16内に流れ込みやす
くなるためである。なお、周壁16aをフライス盤等で
垂直に研削加工してもよい。
The light emitting side lead frame 11 and the light receiving side lead frame 13 are made of metal such as copper, iron and 42 alloy, and are bent in consideration of facing each other in advance. The header part 13a of the lead frame 13 on the light receiving side has a recess 1 formed by stamping with a mold or the like.
6 is formed. The area and depth of this recess 16 are
It is set so that the entire light receiving chip 14 enters.
For example, the depth is 0.1 to 0.5 mm. Further, the peripheral wall 16a of the recess 16 is inclined so as to descend from the outside toward the inside. The peripheral wall 16a is inclined because
This is because a taper is formed on the mold during stamping to improve the mold release of the work, that is, the lead frame 13 on the light receiving side, and the silicon resin easily flows into the recess 16. The peripheral wall 16a may be vertically ground by a milling machine or the like.

【0019】発光チップ12としては、例えば発光ダイ
オード等が採用されており、一方受光チップ14として
は、フォトダイオード、フォトトランジスタ等が採用さ
れている。この受光チップ14の受光面上には、MOS
チップの制御回路(図示せず。)及び複数の受光セル
(図示せず。)が形成されており、受光セルの面積及び
数によってフォトMOSリレーの起電圧及び電流が規定
されるようになっている。
As the light emitting chip 12, for example, a light emitting diode or the like is adopted, while as the light receiving chip 14, a photodiode, a phototransistor or the like is adopted. A MOS is formed on the light receiving surface of the light receiving chip 14.
A control circuit (not shown) of the chip and a plurality of light receiving cells (not shown) are formed, and the electromotive voltage and current of the photo MOS relay are defined by the area and number of the light receiving cells. There is.

【0020】図3はフォトMOSリレーの製造方法を示
すフローチャートである。同図を参照して、発光側リー
ドフレーム11のヘッダー部11a上に発光チップ12
を銀ペースト等の導電性ペーストにより接着してダイボ
ンドすると共に、受光側リードフレーム13のヘッダー
部13aに形成された凹み16内に受光チップ14を発
光チップ12と同様の手段を用いて接着してダイボンド
する。また、これと並行して、スイッチングさせるため
のMOSチップを出力側リードフレームに同じく導電性
ペーストにより接着してダイボンドする。
FIG. 3 is a flow chart showing a method for manufacturing a photo MOS relay. Referring to the figure, the light emitting chip 12 is mounted on the header portion 11 a of the light emitting side lead frame 11.
Is bonded by a conductive paste such as silver paste and die-bonded, and the light-receiving chip 14 is bonded in the recess 16 formed in the header portion 13a of the light-receiving side lead frame 13 using the same means as the light-emitting chip 12. Die bond. In parallel with this, a MOS chip for switching is similarly bonded to the output side lead frame with conductive paste and die-bonded.

【0021】そして、金線等のボンディングワイヤーに
より、発光側リードフレーム11、受光側リードフレー
ム12及び出力側リードフレームのアウターリード部と
の接続を行ってワイヤーボンディングを施す。
Then, wire bonding is performed by connecting to the outer lead portions of the light emitting side lead frame 11, the light receiving side lead frame 12 and the output side lead frame with a bonding wire such as a gold wire.

【0022】次に、スポット溶接、あるいはローディン
グフレームにセットすること等により、発光チップ12
及び受光チップ14が略同一光軸上になるよう、発光チ
ップ12と受光チップ14とを所定の間隔をあけて対向
配置させた後、透光性を有するシリコン樹脂を充填(注
入)して光パス15を形成して、発光チップ12及び受
光チップ14を光学的に結合する。このとき、各リード
フレーム11,13またはシリコン樹脂塗布部を斜めに
保持しておくと、シリコン樹脂の充填(注入)が容易に
なる。また、発光側と受光側とに個別にシリコン樹脂の
塗布を行った後、発光チップ12と受光チップ14とを
所定の間隔をあけて対向配置させてもよい。
Next, the light emitting chip 12 is subjected to spot welding, setting on a loading frame, or the like.
Then, the light emitting chip 12 and the light receiving chip 14 are arranged so as to face each other with a predetermined gap so that the light receiving chip 14 is substantially on the same optical axis, and then a silicon resin having a light transmitting property is filled (injected) and light is emitted. The path 15 is formed to optically couple the light emitting chip 12 and the light receiving chip 14. At this time, if the lead frames 11 and 13 or the silicon resin coating portion are held obliquely, the filling (injection) of the silicon resin becomes easy. Alternatively, the light emitting side and the light receiving side may be separately coated with silicon resin, and then the light emitting chip 12 and the light receiving chip 14 may be arranged to face each other with a predetermined gap.

【0023】その後、遮光性エポキシ樹脂にてトランス
ファーモールドにより外装モールドを行うと共に外装め
っきを施し、さらにタイバー及びリードカット等を行う
ことにより、フォトMOSリレーが完成する。
Thereafter, exterior molding is performed by transfer molding using a light-shielding epoxy resin, exterior plating is performed, and tie bars and lead cuts are performed, whereby the photo-MOS relay is completed.

【0024】本実施形態において、受光側リードフレー
ム13のヘッダー部13aに受光チップ14より大きな
凹み16が形成され、その凹み16に受光チップ14が
搭載され、光パス15により受光チップ14全体が覆わ
れているので、受光チップ14の受光面と受光側リード
フレーム13のヘッダー部13aの表面とが略面一とな
り、受光チップ14のエッジの近傍まで受光セルが配置
されていても、シリコン樹脂から受光セルがはみ出すこ
とがなくなる。
In this embodiment, a recess 16 larger than the light-receiving chip 14 is formed in the header portion 13a of the light-receiving side lead frame 13, the light-receiving chip 14 is mounted in the recess 16, and the entire light-receiving chip 14 is covered by the optical path 15. Therefore, even if the light receiving surface of the light receiving chip 14 and the surface of the header portion 13a of the light receiving side lead frame 13 are substantially flush with each other and the light receiving cells are arranged up to the vicinity of the edge of the light receiving chip 14, the The light receiving cell does not overflow.

【0025】したがって、受光チップ14の一部に光が
入らず特性不良になるといったことがなくなり、検査工
程での歩留まり不良を低減することができると共に工程
での付帯作業が軽微で済む。その結果、大幅なコストダ
ウンを行うことが可能となる。
Therefore, the light does not enter a part of the light-receiving chip 14 and the characteristic does not become defective, the yield defect in the inspection process can be reduced, and the incidental work in the process can be light. As a result, it is possible to significantly reduce the cost.

【0026】また、1次−2次間の距離(発光側ワイヤ
ーループトップと受光チップ14表面との距離)が長く
なるので、発光側リードフレーム11のヘッダー部11
aと受光側リードフレーム13のヘッダー部13aとを
近づけることができる。その結果、フォトMOSリレー
の小型化を図ることも可能となる。
Further, since the distance between the primary and the secondary (the distance between the wire loop top on the light emitting side and the surface of the light receiving chip 14) becomes long, the header portion 11 of the lead frame 11 on the light emitting side is increased.
It is possible to bring a and the header portion 13a of the light-receiving side lead frame 13 close to each other. As a result, the photo MOS relay can be downsized.

【0027】(第2の実施形態)図4は本発明の第2の
実施形態に係るフォトMOSリレーの外装モールド前の
断面図であり、図5は同じくフォトMOSリレーの外装
モールド前の平面図である。これらの図を参照して、本
実施形態のフォトMOSリレーの特徴は、発光側リード
フレーム11の発光チップ12が搭載されるヘッダー部
11aの余白部分を削ることにより、発光側リードフレ
ーム11のヘッダー部11aの寸法yを受光側リードフ
レーム13のヘッダー部13aの寸法xの0.2倍ない
し0.6倍と十分に小さくした点にあり、その他の構成
は第1の実施形態と略同様である。ここで、余白部分と
は、発光チップ12が搭載されたとき発光チップ12と
面接触しているところより外側の部分であり、発光チッ
プ12の搭載に支障のない部分をいう。
(Second Embodiment) FIG. 4 is a sectional view of a photo MOS relay according to a second embodiment of the present invention before exterior molding, and FIG. 5 is a plan view of the photo MOS relay before exterior molding. Is. Referring to these drawings, the photo MOS relay of the present embodiment is characterized in that the header portion 11a of the light emitting side lead frame 11 on which the light emitting chip 12 is mounted is trimmed to remove the header of the light emitting side lead frame 11. The dimension y of the portion 11a is sufficiently small to be 0.2 to 0.6 times the dimension x of the header portion 13a of the light-receiving side lead frame 13, and other configurations are substantially the same as those of the first embodiment. is there. Here, the blank portion is a portion outside the surface contact with the light emitting chip 12 when the light emitting chip 12 is mounted, and is a portion that does not hinder the mounting of the light emitting chip 12.

【0028】本実施形態において、発光側リードフレー
ム11のヘッダー部11aの寸法yを受光側リードフレ
ーム13のヘッダー部13aの寸法xの0.2倍ないし
0.6倍と十分に小さくしているので、発光側リードフ
レーム11と受光側リードフレーム13との周縁間にお
いてシリコン樹脂は表面張力により外側に膨らみ、光パ
ス15の断面形状がドーム形となって、発光側より十分
に広い受光側に塗布されたシリコン樹脂の曲率を十分に
活用することができる。
In the present embodiment, the dimension y of the header portion 11a of the light emitting side lead frame 11 is sufficiently smaller than the dimension x of the header portion 13a of the light receiving side lead frame 13 by 0.2 to 0.6 times. Therefore, the silicon resin swells outward due to surface tension between the light emitting side lead frame 11 and the light receiving side lead frame 13, and the cross-sectional shape of the optical path 15 becomes a dome shape, which is sufficiently wider than the light emitting side. The curvature of the applied silicone resin can be fully utilized.

【0029】したがって、受光側リードフレーム13の
周縁におけるシリコン樹脂の厚みが薄くなるといったこ
とがなくなり、表面張力等によるシリコン樹脂の未塗布
部分を軽減することができ、その結果歩留まりを向上す
ることができる。また、光パス15をドーム形にするこ
とで、反射、屈折、回折現象で受光面への入射光を増や
すことができ、受光チップ14の受光セルの性能のばら
つきを吸収して、受光チップ14の性能を向上できる。
Therefore, the thickness of the silicon resin on the periphery of the light-receiving side lead frame 13 does not become thin, and the uncoated portion of the silicon resin due to surface tension or the like can be reduced, and as a result, the yield can be improved. it can. Further, by forming the optical path 15 into a dome shape, it is possible to increase the incident light on the light receiving surface by reflection, refraction, and diffraction phenomena, absorb the variation in the performance of the light receiving cells of the light receiving chip 14, and receive the light receiving chip 14 The performance of can be improved.

【0030】ところで、発光側リードフレーム11のヘ
ッダー部11aの寸法yが受光側リードフレーム13の
ヘッダー部13aの寸法xの0.2倍より小さければ、
シリコン樹脂を注入するとき、シリコン樹脂が横方向に
広がって発光側リードフレーム11のヘッダー部11a
に密着せず、発光チップ12を十分に覆うことができな
くなる。発光側リードフレーム11のヘッダー部11a
の寸法yが受光側リードフレーム13のヘッダー部13
aの寸法xの0.6倍より大きければ、シリコン樹脂の
注入量が少ないと光パス15の中間でのくびれが大きく
なり、受光チップ14が光パス15から露出するので、
多量のシリコン樹脂を注入しなければならない。したが
って、発光側リードフレーム11のヘッダー部11aの
寸法yは、受光側リードフレーム13のヘッダー部13
aの寸法xの0.2倍ないし0.6倍が適している。
By the way, if the dimension y of the header portion 11a of the light emitting side lead frame 11 is smaller than 0.2 times the dimension x of the header portion 13a of the light receiving side lead frame 13,
When the silicon resin is injected, the silicon resin spreads in the lateral direction and the header portion 11a of the light emitting side lead frame 11
Therefore, the light emitting chip 12 cannot be sufficiently covered. Header part 11a of the lead frame 11 on the light emitting side
Is the header portion 13 of the lead frame 13 on the light receiving side.
If the dimension x of a is larger than 0.6 times, the constriction in the middle of the optical path 15 becomes large and the light receiving chip 14 is exposed from the optical path 15 when the injection amount of the silicon resin is small.
A large amount of silicone resin must be injected. Therefore, the dimension y of the header portion 11 a of the light emitting side lead frame 11 is equal to the dimension y of the header portion 13 of the light receiving side lead frame 13.
0.2 times to 0.6 times the dimension x of a is suitable.

【0031】なお、受光側リードフレーム13は、受光
チップ14が搭載される凹み16が形成されたものであ
るが、図6に示すように、凹みがなくても上記効果が得
られる。
Although the light-receiving side lead frame 13 is formed with the recess 16 in which the light-receiving chip 14 is mounted, as shown in FIG. 6, the above effect can be obtained without the recess.

【0032】(第3の実施形態)図7は本発明の第3の
実施形態に係るフォトMOSリレーの外装モールド前の
断面図、図8は同じくフォトMOSリレーの外装モール
ド前の平面図である。これらの図を参照して、本実施形
態の特徴は、発光側リードフレーム11のヘッダー部1
1aの側面(リード部分を除く3方向)を発光チップ1
2側に折り曲げると共に、受光側リードフレーム13の
ヘッダー部13aの側面(リード部分を除く3方向)を
受光チップ14側に折り曲げることにより、両ヘッダー
部11a,13aに突起30,31を形成し、シリコン
樹脂の流れを堰き止めるにようにした点にあり、その他
の構成は第1の実施形態と同様である。なお、各突起3
0,31の高さA,Bは、0.15〜0.5mmであ
り、少なくとも受光チップ14の高さ以上であればよ
い。
(Third Embodiment) FIG. 7 is a sectional view of a photo MOS relay according to a third embodiment of the present invention before exterior molding, and FIG. 8 is a plan view of the same photo MOS relay before exterior molding. . Referring to these drawings, the feature of this embodiment is that the header portion 1 of the light emitting side lead frame 11 is
The side surface of 1a (3 directions excluding the lead portion) is the light emitting chip 1
By bending the side surface (three directions except the lead portion) of the header portion 13a of the light-receiving side lead frame 13 toward the light-receiving chip 14 side while bending to the 2 side, the protrusions 30 and 31 are formed on both header portions 11a and 13a. The point is that the flow of the silicone resin is blocked, and other configurations are similar to those of the first embodiment. In addition, each protrusion 3
The heights A and B of 0 and 31 are 0.15 to 0.5 mm, and may be at least the height of the light receiving chip 14.

【0033】本実施形態において、各リードフレーム1
1,13のヘッダー部11a,13aの側面をそれぞれ
チップ12,14側に折り曲げることにより、両ヘッダ
ー部11a,13aに突起30,31を形成し、シリコ
ン樹脂の流れを堰き止めるにようにして光パス15の形
成時にシリコン樹脂が外部に流出するのを防止している
ので、受光チップ14の受光面をシリコン樹脂で容易に
覆うことができる。その結果、第1の実施形態と同様の
作用効果を奏する。
In this embodiment, each lead frame 1
By bending the side surfaces of the header parts 11a and 13a of Nos. 1 and 13 toward the chips 12 and 14, respectively, protrusions 30 and 31 are formed on both header parts 11a and 13a, and the flow of the silicone resin is blocked so that the light is blocked. Since the silicon resin is prevented from flowing out when the path 15 is formed, the light receiving surface of the light receiving chip 14 can be easily covered with the silicon resin. As a result, the same operational effect as the first embodiment is obtained.

【0034】また、受光側リードフレーム13のヘッダ
ー部13aの側面を受光チップ14側に折り曲げている
ので、光パス15の形成時に特殊な方法を採用すること
なく突起を形成することができ、シリコン樹脂の流れを
防止するダム効果を得ることができる。
Further, since the side surface of the header portion 13a of the light-receiving side lead frame 13 is bent toward the light-receiving chip 14 side, the projection can be formed without using a special method when forming the optical path 15, and the silicon can be formed. A dam effect that prevents the flow of resin can be obtained.

【0035】さらに、チップ12,14側に折り曲げた
各リードフレーム11,13のヘッダー部11a,13
aを対向させた状態にすると、その対向する部分の形状
がカップを対向した構造となる。そのため、光パス15
を形成する際のシリコン樹脂塗布後の形状が図7に示す
ような形状で安定する。その結果、受光チップ14の受
光面上の受光セルが露出するのを防止することができ
る。
Further, the header portions 11a and 13 of the lead frames 11 and 13 bent toward the chips 12 and 14 respectively.
When a is made to face each other, the shape of the facing portion has a structure in which the cups face each other. Therefore, the optical path 15
The shape after application of the silicone resin when forming is stable in the shape as shown in FIG. As a result, it is possible to prevent the light receiving cells on the light receiving surface of the light receiving chip 14 from being exposed.

【0036】(第4の実施形態)図9は本発明の第4の
実施形態に係るフォトMOSリレーの外装モールド前の
断面図、図10は同じくフォトMOSリレーの外装モー
ルド前の平面図である。これらの図を参照して、本実施
形態の特徴は、受光チップ14の側面に沿って周囲を取
り囲むように、高粘度でかつ低流動性の樹脂を用いて突
起32を形成し、シリコン樹脂の流れを堰き止めるによ
うにした点にあり、その他の構成は第1の実施形態と同
様である。
(Fourth Embodiment) FIG. 9 is a sectional view of a photo MOS relay according to a fourth embodiment of the present invention before exterior molding, and FIG. 10 is a plan view of the photo MOS relay before exterior molding. . With reference to these drawings, the feature of this embodiment is that a protrusion 32 is formed using a resin having high viscosity and low fluidity so as to surround the periphery along the side surface of the light receiving chip 14, The point is that the flow is blocked, and other configurations are the same as in the first embodiment.

【0037】図11はフォトMOSリレーの製造方法を
示すフローチャートである。同図を参照して、光パス1
5を形成する際には、まず、受光側リードフレーム13
のヘッダー部13aにダイボンドされた受光チップ14
の周りに高粘度でかつ低流動性のシリコン樹脂を塗布し
て突起32を形成する。この突起32の高さCは、受光
チップ14の高さと同等以上の高さが望ましく、例えば
0.15〜0.5mmとされる。その後、突起32より
内側の領域に低粘度のシリコン樹脂を充填することによ
り光パス15を形成する。
FIG. 11 is a flow chart showing a method for manufacturing a photo MOS relay. Referring to the figure, the optical path 1
When forming 5, the light receiving side lead frame 13
Light-receiving chip 14 die-bonded to the header portion 13a of the
A high-viscosity and low-fluidity silicone resin is applied around the to form the protrusion 32. The height C of the protrusion 32 is preferably equal to or higher than the height of the light receiving chip 14, and is, for example, 0.15 to 0.5 mm. After that, the region inside the protrusion 32 is filled with a low-viscosity silicone resin to form the optical path 15.

【0038】なお、光パス15を形成するまでの工程及
び光パス15を形成した後の工程は第1の実施形態と同
様であるので、その説明を省略する。
Since the steps up to forming the optical path 15 and the steps after forming the optical path 15 are the same as those in the first embodiment, the description thereof will be omitted.

【0039】本実施形態において、受光チップ14の側
面に沿って高粘度でかつ低流動性の樹脂を用いて突起3
2を形成し、シリコン樹脂の流れを堰き止めるようにし
ているので、シリコン樹脂の流れを防止するダム効果を
得ることができると共に、第4の実施形態のように予め
受光側リードフレーム13のヘッダー部13aに特殊な
加工を施すことなく、光パス15の形成時にシリコン樹
脂の流れを防止するダム効果を得ることができる。
In this embodiment, the protrusion 3 is formed along the side surface of the light receiving chip 14 by using a resin having high viscosity and low fluidity.
2 is formed so as to block the flow of the silicone resin, a dam effect for preventing the flow of the silicone resin can be obtained, and the header of the light-receiving side lead frame 13 is preliminarily provided as in the fourth embodiment. It is possible to obtain the dam effect of preventing the flow of the silicone resin when the optical path 15 is formed, without performing any special processing on the portion 13a.

【0040】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではなく、本発明の範囲内で上記実施形態に多く
の修正及び変更を加え得ることは勿論である。例えば、
図12に示すように、受光側リードフレーム13に開口
40を形成し、受光チップ14を受光面が上向きとなる
ように受光側リードフレーム13の下側に取り付けても
よい。開口40は、受光チップ14の受光面より広くか
つ受光チップ14よりも小さく形成され、発光チップ1
2と受光チップ14との光路を遮らない。したがって、
受光チップ14上に直接突起が形成されたことになり、
開口40の周壁によりダム効果を得ることができ、受光
側リードフレーム13のヘッダー部13aのシリコン樹
脂を塗布する面積を小さくでき、ヘッダー部13aを小
さくして光結合装置の小型化を図ることができる。
The present invention is not limited to the above embodiment, and it goes without saying that many modifications and changes can be made to the above embodiment within the scope of the present invention. For example,
As shown in FIG. 12, an opening 40 may be formed in the light receiving side lead frame 13, and the light receiving chip 14 may be attached to the lower side of the light receiving side lead frame 13 so that the light receiving surface faces upward. The opening 40 is formed to be wider than the light receiving surface of the light receiving chip 14 and smaller than the light receiving chip 14,
2 does not block the optical path between the light receiving chip 14 and the light receiving chip 14. Therefore,
This means that the protrusion is directly formed on the light receiving chip 14,
The dam wall effect can be obtained by the peripheral wall of the opening 40, the area of the header portion 13a of the light-receiving side lead frame 13 to be coated with the silicone resin can be reduced, and the header portion 13a can be reduced to downsize the optical coupling device. it can.

【0041】さらに、第3、第4の実施形態において、
受光側リードフレーム13のヘッダー部13aに受光チ
ップ14より大きな凹み16を形成してもよい。
Furthermore, in the third and fourth embodiments,
A recess 16 larger than the light receiving chip 14 may be formed in the header portion 13a of the light receiving side lead frame 13.

【0042】また、第3、第4の実施形態において、発
光側リードフレーム11のヘッダー部11aの寸法を受
光側リードフレーム13のヘッダー部13aの寸法の
0.2倍ないし0.6倍と十分に小さくしてもよい。
In the third and fourth embodiments, the size of the header portion 11a of the light emitting side lead frame 11 is 0.2 to 0.6 times the size of the header portion 13a of the light receiving side lead frame 13. You may make it small.

【0043】さらにまた、第1〜第4の実施形態におい
て、光パス15を横断する方向に薄板ガラスを配置して
受光チップ14の受光面を薄板ガラスで覆うようにして
もよい。
Furthermore, in the first to fourth embodiments, a thin glass plate may be arranged in a direction traversing the optical path 15 to cover the light receiving surface of the light receiving chip 14 with the thin glass plate.

【0044】また、第1、第2の実施形態において、発
光側リードフレーム11のヘッダー部11aの側面を発
光チップ12側に折り曲げると共に、受光側リードフレ
ーム13のヘッダー部13aの側面を受光チップ14側
に折り曲げることにより突起30,31を形成し、シリ
コン樹脂の流れを堰き止めるにようにしてもよい。
In addition, in the first and second embodiments, the side surface of the header portion 11a of the light emitting side lead frame 11 is bent toward the light emitting chip 12 side, and the side surface of the header portion 13a of the light receiving side lead frame 13 is moved to the light receiving chip 14 side. The protrusions 30 and 31 may be formed by bending them to the side to block the flow of the silicone resin.

【0045】さらに、第1、第2の実施形態において、
受光チップ14の側面に沿って、高粘度でかつ低流動性
の樹脂を用いて突起32を形成し、シリコン樹脂の流れ
を堰き止めるにようにしてもよい。
Furthermore, in the first and second embodiments,
The protrusion 32 may be formed along the side surface of the light receiving chip 14 using a resin having high viscosity and low fluidity so as to block the flow of the silicone resin.

【0046】さらにまた、上記各実施形態においては、
本発明をフォトMOSリレーに適用した例について記載
したが、本発明をフォトカプラ、フォトインタラプタ等
の光結合装置に適用してもよい。
Furthermore, in each of the above embodiments,
Although an example in which the present invention is applied to a photo MOS relay has been described, the present invention may be applied to an optical coupling device such as a photo coupler and a photo interrupter.

【0047】[0047]

【発明の効果】以上の説明から明らかな通り、本発明に
よると、受光素子の側面に沿って透光性樹脂の流れを堰
き止める突起を形成しているので、光路体の形成時に透
光性樹脂が外部に流出するのを防止して、受光素子の受
光面を透光性樹脂で容易に覆うことができる結果、透光
性樹脂から受光素子の受光面の一部がはみ出すことがな
くなり、検査工程での歩留まり不良を低減することがで
きると共に工程での付帯作業が軽微で済む結果、大幅な
コストダウンを行うことが可能となる。
As is apparent from the above description, according to the present invention, the projections for blocking the flow of the light-transmissive resin are formed along the side surface of the light-receiving element. As a result of preventing the resin from flowing out to the outside and easily covering the light receiving surface of the light receiving element with the light transmitting resin, a part of the light receiving surface of the light receiving element does not protrude from the light transmitting resin, The yield defect in the inspection process can be reduced, and the incidental work in the process can be negligible. As a result, it is possible to significantly reduce the cost.

【0048】また、1次−2次間の距離(発光側ワイヤ
ーループトップと受光素子表面との距離)が長くなり、
発光側リードフレームのヘッダー部と受光側リードフレ
ームのヘッダー部とを近づけることができる結果、光結
合装置の小型化を図ることも可能となる。
Further, the distance between the primary and the secondary (the distance between the light emitting side wire loop top and the surface of the light receiving element) becomes long,
Since the header portion of the light emitting side lead frame and the header portion of the light receiving side lead frame can be brought close to each other, the optical coupling device can be downsized.

【0049】そして、突起は、受光側リードフレームの
ヘッダー部の側面を受光素子側に折り曲げて成るので、
光路体の形成時に特殊な方法を採用することなく、透光
性樹脂の流れを防止するダム効果を得ることができる。
Since the projection is formed by bending the side surface of the header portion of the light receiving side lead frame toward the light receiving element side,
It is possible to obtain the dam effect of preventing the flow of the transparent resin without using a special method when forming the optical path body.

【0050】また、突起は、高粘度でかつ低流動性の樹
脂にて形成されているので、予め受光側リードフレーム
のヘッダー部に特殊な加工を施すことなく、光路体の形
成時に透光性樹脂の流れを防止するダム効果を得ること
ができる。
Further, since the projections are formed of a resin having high viscosity and low fluidity, the header portion of the lead frame on the light receiving side is not required to be specially processed in advance, and the translucent property is obtained when the optical path body is formed. A dam effect that prevents the flow of resin can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態に係るフォトMOSリ
レーの外装モールド前の断面図
FIG. 1 is a cross-sectional view of a photo MOS relay according to a first embodiment of the present invention before exterior molding.

【図2】同じくフォトMOSリレーの外装モールド前の
平面図
FIG. 2 is a plan view of the photo MOS relay before exterior molding.

【図3】フォトMOSリレーの製造方法を示すフローチ
ャート
FIG. 3 is a flowchart showing a method for manufacturing a photo MOS relay.

【図4】本発明の第2の実施形態に係るフォトMOSリ
レーの外装モールド前の断面図
FIG. 4 is a cross-sectional view of a photo MOS relay according to a second embodiment of the present invention before exterior molding.

【図5】同じくフォトMOSリレーの外装モールド前の
平面図
FIG. 5 is a plan view of the photo MOS relay before it is externally molded.

【図6】他の実施形態に係るフォトMOSリレーの外装
モールド前の断面図
FIG. 6 is a cross-sectional view of a photo MOS relay according to another embodiment before exterior molding.

【図7】本発明の第3の実施形態に係るフォトMOSリ
レーの外装モールド前の断面図
FIG. 7 is a cross-sectional view of a photo MOS relay according to a third embodiment of the present invention before exterior molding.

【図8】同じくフォトMOSリレーの外装モールド前の
平面図
FIG. 8 is a plan view of the photo MOS relay before exterior molding.

【図9】本発明の第4の実施形態に係るフォトMOSリ
レーの外装モールド前の断面図
FIG. 9 is a cross-sectional view of a photo MOS relay according to a fourth embodiment of the present invention before exterior molding.

【図10】同じくフォトMOSリレーの外装モールド前
の平面図
FIG. 10 is a plan view of the photo MOS relay before the outer molding.

【図11】フォトMOSリレーの製造方法を示すフロー
チャート
FIG. 11 is a flowchart showing a method for manufacturing a photo MOS relay.

【図12】他の実施形態に係るフォトMOSリレーの外
装モールド前の断面図
FIG. 12 is a cross-sectional view of a photo MOS relay according to another embodiment before exterior molding.

【図13】従来のフォトMOSリレーの受光素子の平面
FIG. 13 is a plan view of a light receiving element of a conventional photo MOS relay.

【図14】フォトMOSリレーのチップ搭載状態を示す
平面図
FIG. 14 is a plan view showing a chip mounting state of a photo MOS relay.

【図15】フォトMOSリレーの断面図FIG. 15 is a sectional view of a photo MOS relay.

【図16】フォトMOSリレーの外装モールド前の状態
を示す断面図
FIG. 16 is a cross-sectional view showing a state of the photo MOS relay before being externally molded.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 発光側リードフレーム 11a ヘッダー部 12 発光素子(発光チップ) 13 受光側リードフレーム 13a ヘッダー部 14 受光素子(受光チップ) 15 光路体(光パス) 16 凹み 30,31,32 突起 11 Light emitting side lead frame 11a header part 12 Light emitting element (light emitting chip) 13 Light receiving side lead frame 13a header part 14 Light receiving element (light receiving chip) 15 Optical path body (optical path) 16 dents 30, 31, 32 protrusions

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 発光側リードフレームと、該発光側リー
ドフレームのヘッダー部に搭載された発光素子と、受光
側リードフレームと、該受光側リードフレームのヘッダ
ー部に搭載された受光素子と、対向配置された前記発光
素子と受光素子との間に充填された透光性樹脂により形
成された光路体とからなる光結合装置において、前記受
光素子の外周面に沿って突起が形成され、該突起より内
側に配された前記受光素子が前記光路体により覆われた
ことを特徴とする光結合装置。
1. A light emitting side lead frame, a light emitting element mounted on a header portion of the light emitting side lead frame, a light receiving side lead frame, and a light receiving element mounted on a header portion of the light receiving side lead frame, facing each other. In an optical coupling device comprising an optical path body formed of a translucent resin filled between the arranged light emitting element and light receiving element, a projection is formed along the outer peripheral surface of the light receiving element, and the projection is formed. An optical coupling device, wherein the light receiving element arranged inside is covered with the optical path body.
【請求項2】 前記突起は、前記受光側リードフレーム
のヘッダー部の側面を前記受光素子側に折り曲げて成る
ことを特徴とする請求項1記載の光結合装置。
2. The optical coupling device according to claim 1, wherein the protrusion is formed by bending a side surface of a header portion of the light receiving side lead frame toward the light receiving element side.
【請求項3】 前記突起は、高粘度でかつ低流動性の樹
脂にて形成されたことを特徴とする請求項1または2記
載の光結合装置。
3. The optical coupling device according to claim 1, wherein the protrusion is formed of a resin having high viscosity and low fluidity.
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