JP2003178671A - Method of manufacturing for plasma display panel - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネルの製造方法に関し、特に誘電体層及び嵩上げ
誘電体層の形成の適用することができるプラズマディス
プレイパネルの製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a plasma display panel, and more particularly to a method for manufacturing a plasma display panel to which formation of a dielectric layer and a raised dielectric layer can be applied.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来のプラズマディスプレイパネルの構
造について図面を参照して説明する。図5は、面放電型
プラズマディスプレイパネルの従来のセル構造を模式的
に示す平面図であり、図6は図5のV−V線における断
面図、図7は図5のW−W線における断面図である。こ
の図5〜図7において、表示面である前面ガラス基板1
10の背面に複数の行電極対(X,Y)が、行方向(水
平方向、表示ラインL方向)に延びるように配列されて
いる。2. Description of the Related Art The structure of a conventional plasma display panel will be described with reference to the drawings. FIG. 5 is a plan view schematically showing a conventional cell structure of a surface discharge plasma display panel, FIG. 6 is a sectional view taken along line VV of FIG. 5, and FIG. 7 is taken along line WW of FIG. FIG. 5 to 7, the front glass substrate 1 which is the display surface
On the back surface of 10, a plurality of row electrode pairs (X, Y) are arranged so as to extend in the row direction (horizontal direction, display line L direction).
【0003】行電極Xは、T字形状に形成されたITO
などの透明導電膜からなる透明電極Xaと行方向に伸び
て透明電極Xaの幅狭部の端部に接続された金属膜から
なるバス電極Xbによって構成されている。行電極Yも
同様に、T字形状に形成されたITOなどの透明導電膜
からなる透明電極Yaと行方向に伸びて透明電極Yaの
幅狭部の端部に接続された金属膜からなるバス電極Yb
によって構成されている。そして、行電極X,Yは、列
方向(垂直方向)に交互に配列されており、透明電極X
aとYaが放電セルC毎に互いに対向するように垂直方
向に延びて、透明電極XaとYaの幅広部が放電ギャッ
プGを介して互いに対向している。The row electrode X is an ITO formed in a T shape.
And the like, and a bus electrode Xb made of a metal film extending in the row direction and connected to the end of the narrow portion of the transparent electrode Xa. Similarly, the row electrode Y includes a transparent electrode Ya formed of a transparent conductive film such as ITO formed in a T shape and a bus formed of a metal film extending in the row direction and connected to the end of the narrow portion of the transparent electrode Ya. Electrode Yb
It is composed by. The row electrodes X and Y are arranged alternately in the column direction (vertical direction), and the transparent electrodes X and
a and Ya extend in the vertical direction so as to face each other in each discharge cell C, and the wide portions of the transparent electrodes Xa and Ya face each other via the discharge gap G.
【0004】前面ガラス基板の背面には、さらに、行電
極対(X,Y)を被覆するように誘電体層が形成されて
おり、この誘電体層上には、バス電極XbとYbとが対
向する位置及び行電極対間(表示ラインL間)のバス電
極Xbとバス電極Ybで囲まれた領域(バス電極間)と
対向する位置に、嵩上げ誘電体層111Aが水平方向に
延びるように形成されている。この嵩上げ誘電体層11
1Aにより、放電の広がりを抑制して隣接する放電セル
Cの誤放電を防止している。A dielectric layer is further formed on the rear surface of the front glass substrate so as to cover the row electrode pair (X, Y), and bus electrodes Xb and Yb are formed on the dielectric layer. The raised dielectric layer 111A extends in the horizontal direction at the facing position and at the position facing the region (between the bus electrodes) surrounded by the bus electrodes Xb and Yb between the row electrode pairs (between the display lines L). Has been formed. This raised dielectric layer 11
1A suppresses the spread of discharge and prevents erroneous discharge of the adjacent discharge cells C.
【0005】この誘電体層111は、低融点ガラスペー
ストを所定の厚さで一様に塗布して乾燥させ所定の温度
で焼成することにより形成され、嵩上げ誘電体層111
Aは誘電体層111上に低融点ガラスペーストを所定の
厚さでスクリーン印刷して乾燥させ、その後焼成するこ
とにより形成される。そして、この誘電体層111と嵩
上げ誘電体層111Aの表面には、MgOからなる保護
層112が形成されている。The dielectric layer 111 is formed by uniformly applying a low melting point glass paste to a predetermined thickness, drying it, and firing it at a predetermined temperature.
A is formed by screen-printing a low-melting-point glass paste on the dielectric layer 111 to a predetermined thickness, drying, and then firing. A protective layer 112 made of MgO is formed on the surfaces of the dielectric layer 111 and the raised dielectric layer 111A.
【0006】一方、前面ガラス基板110と放電空間S
を介して対向配置された背面ガラス基板113には、列
電極Dが、各行電極対(X,Y)の互いに対となる透明
電極Xa及びYaに対向する位置において各行電極対
(X,Y)と直交する方向(列方向、垂直方向)に延び
て互いに所定の間隔をおいて平行に配列されている。さ
らに、背面ガラス基板113には、背面ガラス基板11
3の内面及び列電極Dを被覆する白色の誘電体層114
が形成され、この誘電体層114上には隔壁115が形
成されている。白色の誘電体層114は、白色顔料を混
入させたガラスペーストを背面ガラス基板113の内面
及び列電極Dに一様に塗布して乾燥させ、その後所定の
温度で焼成することにより形成される。On the other hand, the front glass substrate 110 and the discharge space S
On the rear glass substrate 113 which is arranged to face each other via the column electrodes D, the column electrodes D are arranged at the positions facing the transparent electrodes Xa and Ya forming the pairs of the row electrode pairs (X, Y). They extend in a direction orthogonal to (column direction, vertical direction) and are arranged in parallel with each other at a predetermined interval. Further, the rear glass substrate 113 includes the rear glass substrate 11
White dielectric layer 114 covering the inner surface of the column 3 and the column electrode D
And a partition wall 115 is formed on the dielectric layer 114. The white dielectric layer 114 is formed by uniformly applying a glass paste containing a white pigment to the inner surface of the rear glass substrate 113 and the column electrodes D, drying the paste, and then firing the paste at a predetermined temperature.
【0007】隔壁115は、互いに平行に配列された各
列電極Dの間の位置に垂直方向に延びるように形成され
ている。この隔壁115により、放電空間Sが表示ライ
ンLに沿って放電セルC毎に区画される。この垂直方向
に帯状に延びる隔壁115は、誘電体層114上に白色
顔料を混入させたガラスペーストを所定の厚さで一様に
塗布乾燥させ、所定パターンのマスクを介してサンドブ
ラスト処理によりガラス層を選択的に切削し、隔壁パタ
ーンを形成した後所定の温度で焼成することにより形成
される。放電空間Sに面する隔壁115の側面及び誘電
体層114の表面には、蛍光体層116が形成されてい
る。この蛍光体層116の色は、各放電セルC毎にR、
G、Bの各色が表示ラインL方向に順に並ぶように設定
される。The partition 115 is formed so as to extend in the vertical direction at a position between the column electrodes D arranged in parallel with each other. The partition wall 115 divides the discharge space S along the display line L into discharge cells C. The partition wall 115 extending in the vertical direction in a strip shape is formed by uniformly coating and drying a glass paste containing a white pigment on the dielectric layer 114 to a predetermined thickness, and then sandblasting the glass layer through a mask having a predetermined pattern. Is selectively cut, a partition pattern is formed, and then firing is performed at a predetermined temperature. A phosphor layer 116 is formed on the side surface of the partition wall 115 facing the discharge space S and the surface of the dielectric layer 114. The color of the phosphor layer 116 is R for each discharge cell C,
The colors G and B are set so as to be sequentially arranged in the display line L direction.
【0008】上記プラズマディスプレイパネルは、行電
極対(X,Y)がそれぞれマトリクス表示画面の1表示
ラインLを構成し、行電極対(X,Y)と列電極Dの各
交差部においてそれぞれ一つの放電セルCが形成されて
いる。In the above plasma display panel, each row electrode pair (X, Y) constitutes one display line L of the matrix display screen, and one row electrode pair (X, Y) and each column electrode D are respectively intersected with each other. Two discharge cells C are formed.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】上述のようなプラズマ
ディスプレイパネルを製造するための従来の製造方法で
は、前面ガラス基板110側において、誘電体層(行電
極対X,Yを被覆する誘電体層)111及び嵩上げ誘電
体層111Aを形成するとき、又は、背面ガラス基板1
13側において、白色の誘電体層(列電極Dを被覆する
誘電体層)114及び隔壁115を形成するときに、ガ
ラスペーストの塗布,乾燥,焼成が独立したそれぞれの
工程によって繰り返し実行されていた。In the conventional manufacturing method for manufacturing the above plasma display panel, the dielectric layer (the dielectric layer covering the row electrode pairs X and Y) is provided on the front glass substrate 110 side. ) 111 and the raised dielectric layer 111A, or the rear glass substrate 1
On the 13 side, when forming the white dielectric layer (dielectric layer that covers the column electrodes D) 114 and the partition 115, the application, drying, and firing of the glass paste were repeatedly performed by respective independent steps. .
【0010】したがって、従来のプラズマディスプレイ
パネルの製造方法は工程数が多く、作業効率が悪いと云
う問題があった。また、焼成の工程が繰り返し実行され
るため、行電極対(X,Y)と嵩上げ誘電体層111A
との間、又は、列電極Dと隔壁115との間の位置ずれ
が問題となっていた。Therefore, the conventional method of manufacturing a plasma display panel has a problem that the number of steps is large and the working efficiency is poor. Further, since the firing process is repeatedly performed, the row electrode pair (X, Y) and the raised dielectric layer 111A are formed.
Between the column electrodes D or between the column electrodes D and the partition walls 115 has been a problem.
【0011】これらの問題を解消するために、例えば、
誘電体層111とパターニングされた嵩上げ誘電体層1
11Aとを同時に焼成することが考えられる。次に、こ
のように同時に焼成した場合のセル構造の例として、前
面ガラス基板110側のバス電極XbとYbとが対向す
る位置の断面を図8に示す。図8に示すように、誘電体
層111とパターニングされた嵩上げ誘電体層111A
とを同時に焼成した場合は、焼成の後に形成された嵩上
げ誘電体層111Aのエッジ部111Bがだれる現象が
生じてしまう。エッジ部111Bがだれてしまうと、嵩
上げ誘電体層111Aが持つ本来の機能であるバス電極
(Xb,Yb)上への放電の広がりを抑制する機能が不
十分となってしまうおそれがある。To solve these problems, for example,
Dielectric layer 111 and patterned raised dielectric layer 1
It is possible to fire 11A and 11A simultaneously. Next, as an example of the cell structure in the case of simultaneous firing as described above, FIG. 8 shows a cross section at a position where the bus electrodes Xb and Yb on the front glass substrate 110 side face each other. As shown in FIG. 8, the dielectric layer 111 and the raised dielectric layer 111A patterned.
If both and are fired at the same time, the edge portion 111B of the raised dielectric layer 111A formed after firing may sag. If the edge portion 111B sags, the function of suppressing the spread of discharge onto the bus electrodes (Xb, Yb), which is the original function of the raised dielectric layer 111A, may be insufficient.
【0012】本発明は、上記の問題を解決するためにな
されたものであり、その目的は、焼成工程における所定
のパターンの第2の誘電体層(嵩上げ誘電体層)の形状
を保持することができ、嵩上げ誘電体層が持つ本来の機
能(バス電極上への放電の広がりを抑制する機能)を十
分発揮することができるプラズマディスプレイパネルの
製造方法を提供することである。The present invention has been made to solve the above problems, and its purpose is to maintain the shape of the second dielectric layer (bulk dielectric layer) having a predetermined pattern in the firing step. And a method of manufacturing a plasma display panel capable of sufficiently exhibiting the original function of the raised dielectric layer (the function of suppressing the spread of discharge on the bus electrode).
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段】本発明に係るプラズマデ
ィスプレイパネルの製造方法は、請求項1に記載したよ
うに、プラズマディスプレイパネルの所定パターンの電
極が形成された基板の上に、第1の誘電体層及び所定の
パターンの第2の誘電体層を積層形成するときに、前記
基板の電極形成面上に、第1のガラス材料を含む非感光
性樹脂層と、第2のガラス材料及びフィラーを含む感光
性樹脂層と、を形成し、前記感光性樹脂層を所定パター
ンのマスクを用いて露光し現像してから、前記感光性樹
脂層をパターニングし、その後前記非感光性樹脂層と前
記感光性樹脂層とを同時焼成することにより、前記第1
の誘電体層及び前記所定のパターンの第2の誘電体層を
形成することを特徴とする。これによって、焼成工程に
おける所定のパターンの第2の誘電体層(嵩上げ誘電体
層)の形状を保持することができ、嵩上げ誘電体層が持
つ本来の機能(バス電極上への放電の広がりを抑制する
機能)を十分発揮することができる。A method of manufacturing a plasma display panel according to the present invention comprises, as described in claim 1, a first method for forming a plasma display panel on a substrate on which electrodes having a predetermined pattern are formed. When laminating and forming a dielectric layer and a second dielectric layer having a predetermined pattern, a non-photosensitive resin layer containing a first glass material, a second glass material, and A photosensitive resin layer containing a filler is formed, and the photosensitive resin layer is exposed and developed using a mask having a predetermined pattern, then the photosensitive resin layer is patterned, and then the non-photosensitive resin layer is formed. By co-firing the photosensitive resin layer, the first
And a second dielectric layer having the predetermined pattern are formed. As a result, the shape of the second dielectric layer (bulked dielectric layer) having a predetermined pattern in the firing step can be maintained, and the original function of the raised dielectric layer (the spread of discharge on the bus electrode can be prevented). Suppressing function) can be fully exerted.
【0014】また、本発明に係るプラズマディスプレイ
パネルの製造方法は、請求項2に記載したように、前記
フィラーの平均粒径Rは、前記所定のパターンの第2の
誘電体層の膜厚をtとしたとき、0.5t≦R≦0.1
tであることを特徴とする。このような平均粒径Rのフ
ィラーを用いることによって、所定のパターンの第2の
誘電体層(嵩上げ誘電体層)のエッジ部のだれを無視で
きる程少なくすることができる。In the plasma display panel manufacturing method according to the present invention, as described in claim 2, the average particle diameter R of the filler is the film thickness of the second dielectric layer having the predetermined pattern. When t, 0.5t ≦ R ≦ 0.1
It is characterized in that it is t. By using the filler having such an average particle diameter R, it is possible to reduce the sag of the edge portion of the second dielectric layer (bulk dielectric layer) having a predetermined pattern to a negligible amount.
【0015】また、本発明に係るプラズマディスプレイ
パネルの製造方法は、請求項3に記載したように、前記
フィラーの平均粒径Rは、10μm以上であることを特
徴とする。プラズマディスプレイパネルにおける第1の
誘電体層及び所定のパターンの第2の誘電体層(嵩上げ
誘電体層)の膜厚は、それぞれ20μm〜40μm程度
であるため、平均粒径Rが10μm以上のフィラーを用
いることによって、嵩上げ誘電体層のエッジ部のだれを
無視できる程少なくすることができる。The plasma display panel manufacturing method according to the present invention is characterized in that, as described in claim 3, the filler has an average particle diameter R of 10 μm or more. Since the film thickness of each of the first dielectric layer and the second dielectric layer (bulk dielectric layer) having a predetermined pattern in the plasma display panel is about 20 μm to 40 μm, a filler having an average particle diameter R of 10 μm or more. By using, the sag of the edge portion of the raised dielectric layer can be reduced to a negligible amount.
【0016】また、本発明に係るプラズマディスプレイ
パネルの製造方法は、請求項4に記載したように、前記
フィラーの軟化点は、前記同時焼成時における焼成温度
より高いことを特徴とする。これによって、フィラーが
焼成時に溶融してしまうことを防ぐことができる。In the plasma display panel manufacturing method according to the present invention, as described in claim 4, the softening point of the filler is higher than the firing temperature at the time of the co-firing. This can prevent the filler from melting during firing.
【0017】また、本発明に係るプラズマディスプレイ
パネルの製造方法は、請求項5に記載したように、前記
感光性樹脂層は、比誘電率が第2のガラス材料より小さ
い比誘電率のフィラーを含むことを特徴とする。これに
よって、感光性樹脂層をパターニングして焼成すること
により形成された所定のパターンの第2の誘電体層(嵩
上げ誘電体層)の比誘電率を小さくすることができ、バ
ス電極上への放電をより少なく抑えることができる。In the method for manufacturing a plasma display panel according to the present invention, as described in claim 5, the photosensitive resin layer contains a filler having a relative dielectric constant smaller than that of the second glass material. It is characterized by including. As a result, it is possible to reduce the relative permittivity of the second dielectric layer (bulk dielectric layer) having a predetermined pattern formed by patterning and baking the photosensitive resin layer, and to reduce the relative dielectric constant on the bus electrode. The discharge can be suppressed to a smaller level.
【0018】また、本発明に係るプラズマディスプレイ
パネルの製造方法は、請求項6に記載したように、支持
フィルム上に形成された非感光性樹脂層及び/又は感光
性樹脂層を基板上に転写して、前記非感光性樹脂層及び
/又は前記感光性樹脂層を形成することを特徴とする。
これによって、樹脂ペーストの塗布、乾燥による積層方
法に比して乾燥工程が省略でき、形成される第1の誘電
体層及び所定のパターンの第2の誘電体層(嵩上げ誘電
体層)の膜厚の精度が良くなる。さらに、多層のフィル
ムを用いることにより、非感光性樹脂層及び感光性樹脂
層の積層工程が簡略化することができる。Further, in the method for manufacturing a plasma display panel according to the present invention, as described in claim 6, the non-photosensitive resin layer and / or the photosensitive resin layer formed on the supporting film is transferred onto the substrate. Then, the non-photosensitive resin layer and / or the photosensitive resin layer is formed.
As a result, the drying step can be omitted as compared with the laminating method by applying and drying the resin paste, and the first dielectric layer and the second dielectric layer (bulk dielectric layer) having a predetermined pattern to be formed. Thickness accuracy is improved. Furthermore, by using a multilayer film, the step of laminating the non-photosensitive resin layer and the photosensitive resin layer can be simplified.
【0019】[0019]
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る実施の形態を
図面に基づいて詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
【0020】(第1の実施の形態)以下、第1の実施の
形態について説明する。まず、ガラス基板上に所定のパ
ターンに形成された電極を形成する。この電極が表示面
となる前面ガラス基板に形成される行電極対(X,Y)
である場合には、ITOなどの透明導電膜を基板表面に
蒸着して透明電極を形成し、フォトリソ法により図5に
示されるようにT字形状にパターニングし、次に感光性
銀ペーストを塗布して乾燥し、次いでフォトリソ法によ
りパターニングして焼成することによりバス電極が形成
される。(First Embodiment) The first embodiment will be described below. First, an electrode formed in a predetermined pattern is formed on a glass substrate. A row electrode pair (X, Y) formed on the front glass substrate whose electrodes serve as the display surface
If so, a transparent conductive film such as ITO is deposited on the surface of the substrate to form a transparent electrode, patterned into a T shape as shown in FIG. 5 by a photolithography method, and then a photosensitive silver paste is applied. Then, the bus electrode is formed by drying, then patterning by a photolithography method and baking.
【0021】また、この電極が背面ガラス基板に形成さ
れる列電極Dである場合には、例えばAl合金を基板表
面に蒸着し、フォトリソ法によりパターニングすること
により形成される。When this electrode is the column electrode D formed on the rear glass substrate, it is formed by, for example, depositing an Al alloy on the surface of the substrate and patterning it by the photolithography method.
【0022】以上のようにして行電極対(X,Y)が形
成されたガラス基板上に、第1の誘電体層及び所定のパ
ターンの第2の誘電体層(嵩上げ誘電体層)を形成する
方法について、以下図1の工程図を用いて説明する。図
1は、工程順に示した断面図(a)〜(d)である。The first dielectric layer and the second dielectric layer (bulk dielectric layer) having a predetermined pattern are formed on the glass substrate on which the row electrode pair (X, Y) is formed as described above. A method of doing so will be described below with reference to the process chart of FIG. FIG. 1 is sectional views (a) to (d) shown in the order of steps.
【0023】図1の(a)に示すように、ガラス基板1
1上のバス電極12(図5のXb,Ybに相当する)及
び透明電極13の形成面に第1のガラス材料を含有した
非感光性樹脂層14を形成する。この非感光性樹脂層1
4は、第1のガラス材料を含有した非感光性樹脂ペース
ト(低融点のガラスペースト)をスクリーン印刷法によ
り塗布し乾燥させて形成される。As shown in FIG. 1A, the glass substrate 1
The non-photosensitive resin layer 14 containing the first glass material is formed on the surface on which the bus electrode 12 (corresponding to Xb and Yb in FIG. 5) on 1 and the transparent electrode 13 are formed. This non-photosensitive resin layer 1
No. 4 is formed by applying a non-photosensitive resin paste (low melting point glass paste) containing the first glass material by a screen printing method and drying it.
【0024】第1のガラス材料は、軟化点が約580℃
の酸化ビスマス又は酸化鉛、酸化硼素、酸化亜鉛を主成
分とするガラス材料である。上記非感光性樹脂は、例え
ば、アクリル系ポリマーである。The first glass material has a softening point of about 580 ° C.
Is a glass material containing bismuth oxide, lead oxide, boron oxide, or zinc oxide as a main component. The non-photosensitive resin is, for example, an acrylic polymer.
【0025】次に、図1の(b)に示すように、非感光
性樹脂層14上に、第2のガラス材料を含有したネガ型
の感光性樹脂層15を積層するように形成する。この感
光性樹脂層15は、第2のガラス材料を含有した感光性
樹脂ペースト(低融点のガラスペースト)に、フィラー
を混入したものをスクリーン印刷法により塗布し乾燥さ
せて形成される。Next, as shown in FIG. 1B, a negative photosensitive resin layer 15 containing a second glass material is formed so as to be laminated on the non-photosensitive resin layer 14. The photosensitive resin layer 15 is formed by applying a mixture of a photosensitive resin paste (low melting glass paste) containing a second glass material with a filler by a screen printing method and then drying it.
【0026】第2のガラス材料は、軟化点が第1のガラ
ス材料と略等しいガラス材料(酸化ビスマス又は酸化
鉛、酸化硼素、酸化亜鉛を主成分とするガラス材料)で
ある。また、感光性樹脂は、例えば、アクリル系モノマ
ー又はオリゴマーである。フィラーは、軟化点が650
℃以上の高融点ガラス粉末、例えば、アルミナ、チタニ
ア、シリカ、チタン酸バリウム等である。The second glass material is a glass material having a softening point substantially equal to that of the first glass material (a glass material containing bismuth oxide or lead oxide, boron oxide, or zinc oxide as a main component). The photosensitive resin is, for example, an acrylic monomer or oligomer. The softening point of the filler is 650
High melting point glass powder having a temperature of ℃ or more, for example, alumina, titania, silica, barium titanate and the like.
【0027】次に、図1の(c)に示すように、フォト
レジストを所定パターンに形成したマスク16aを用い
て露光及び現像を行い、感光性樹脂層15をパターニン
グする。Next, as shown in FIG. 1C, the photosensitive resin layer 15 is patterned by performing exposure and development using a mask 16a having a photoresist formed in a predetermined pattern.
【0028】そして、図1の(d)に示すように、非感
光性樹脂層14及びパターニングされた感光性樹脂層1
5を軟化点近傍の温度(例えば560℃〜580℃)で
同時に焼成することにより、電極(バス電極12及び透
明電極13)を一様に覆う第1の誘電体層14aとパタ
ーニングされた所定のパターンの第2の誘電体層(嵩上
げ誘電体層)15aとが同時に形成される。Then, as shown in FIG. 1D, the non-photosensitive resin layer 14 and the patterned photosensitive resin layer 1 are formed.
5 is simultaneously baked at a temperature near the softening point (for example, 560 ° C. to 580 ° C.) to uniformly cover the electrodes (bus electrode 12 and transparent electrode 13) and the predetermined dielectric layer 14a and a predetermined pattern. The second dielectric layer (bulk dielectric layer) 15a of the pattern is simultaneously formed.
【0029】以上のように、行電極対(X,Y)が形成
され前面ガラス基板上に、第1の誘電体層及び嵩上げ誘
電体層を形成する方法を説明したが、背面基板上の列電
極Dを被覆する誘電体層(白色の誘電体層)及びパター
ニングされた隔壁を形成する際も同様の方法で形成でき
る。As described above, the method of forming the first dielectric layer and the raised dielectric layer on the front glass substrate on which the row electrode pair (X, Y) is formed has been described. The same method can be used to form the dielectric layer (white dielectric layer) covering the electrode D and the patterned partition wall.
【0030】本実施の形態は、焼成工程を簡略化するた
めに、第1の誘電体層と嵩上げ誘電体層とを同時に焼成
しているが、従来同時焼成後に発生していた嵩上げ誘電
体層のエッジ部のだれを防いで、形状を保持することが
でき、嵩上げ誘電体層が持つ本来の機能(バス電極上へ
の放電の広がりを抑制する機能)を十分発揮することが
できる。In the present embodiment, in order to simplify the firing process, the first dielectric layer and the raised dielectric layer are fired at the same time. However, the raised dielectric layer that has conventionally occurred after the simultaneous firing. It is possible to prevent the edge portion from sagging and maintain its shape, and to sufficiently exhibit the original function of the raised dielectric layer (the function of suppressing the spread of discharge on the bus electrode).
【0031】(第2の実施の形態)次に、第2の実施の
形態について図2を参照して説明する。まず、第1の実
施の形態と同様にして電極を形成する。次に、行電極対
(X,Y)が形成されたガラス基板上に、第1の誘電体
層及び所定のパターンの第2の誘電体層(嵩上げ誘電体
層)を形成する方法について、以下図2の工程図を用い
て説明する。図2は、工程順に示した断面図(a)〜
(d)である。(Second Embodiment) Next, a second embodiment will be described with reference to FIG. First, the electrodes are formed in the same manner as in the first embodiment. Next, a method for forming the first dielectric layer and the second dielectric layer (bulk dielectric layer) having a predetermined pattern on the glass substrate on which the row electrode pair (X, Y) is formed will be described below. This will be described with reference to the process chart of FIG. 2A to 2C are sectional views (a) to FIG.
It is (d).
【0032】本実施の形態においては、支持フィルム2
1a上に、非感光性樹脂層24、保護フィルム21bを
積層した第1のフィルム21を形成する。非感光性樹脂
層24は、第1のガラス材料を含有した非感光性樹脂ペ
ースト(低融点のガラスペースト)を支持フィルム21
a上に塗布し乾燥させて形成される。In the present embodiment, the support film 2
The 1st film 21 which laminated | stacked the non-photosensitive resin layer 24 and the protective film 21b on 1a is formed. The non-photosensitive resin layer 24 is made of a non-photosensitive resin paste (low-melting-point glass paste) containing the first glass material.
It is formed by coating on a and drying.
【0033】第1のガラス材料は、軟化点が約580℃
の酸化ビスマス又は酸化鉛、酸化硼素、酸化亜鉛を主成
分とするガラス材料である。上記非感光性樹脂は、例え
ば、アクリル系ポリマーである。さらに、保護フィルム
21bを積層して第1のフィルム21を形成する。The first glass material has a softening point of about 580 ° C.
Is a glass material containing bismuth oxide, lead oxide, boron oxide, or zinc oxide as a main component. The non-photosensitive resin is, for example, an acrylic polymer. Further, the protective film 21b is laminated to form the first film 21.
【0034】さらに、支持フィルム22a上に、感光性
樹脂層25及びフォトレジスト層26、保護フィルム2
2bを積層した第2のフィルム22を形成する。感光性
樹脂層25は、第2のガラス材料を含有した感光性樹脂
ペースト(低融点のガラスペースト)に、フィラーを混
入したものを支持フィルム22a上に塗布し乾燥させて
形成される。Further, the photosensitive resin layer 25, the photoresist layer 26, and the protective film 2 are provided on the support film 22a.
The 2nd film 22 which laminated | stacked 2b is formed. The photosensitive resin layer 25 is formed by applying a mixture of a photosensitive resin paste containing a second glass material (a glass paste having a low melting point) and a filler onto the support film 22a and drying it.
【0035】第2のガラス材料は、軟化点が第1のガラ
ス材料と略等しいガラス材料(酸化ビスマス又は酸化
鉛、酸化硼素、酸化亜鉛を主成分とするガラス材料)で
ある。また、感光性樹脂は、例えば、アクリル系モノマ
ー又はオリゴマーである。フィラーは、軟化点が650
℃以上の高融点ガラス粉末、例えば、アルミナ、チタニ
ア、シリカ、チタン酸バリウム等である。The second glass material is a glass material having a softening point substantially equal to that of the first glass material (glass material containing bismuth oxide or lead oxide, boron oxide, zinc oxide as a main component). The photosensitive resin is, for example, an acrylic monomer or oligomer. The softening point of the filler is 650
High melting point glass powder having a temperature of ℃ or more, for example, alumina, titania, silica, barium titanate and the like.
【0036】さらに、フォトレジスト層26、保護フィ
ルム22bを積層して第2のフィルム22を形成する。Further, the photoresist layer 26 and the protective film 22b are laminated to form the second film 22.
【0037】そして、図2(a)に示すように、第1の
フィルム21から支持フィルム21a及び保護フィルム
21bを剥離しつつ、非感光性樹脂層24をローラ27
により加熱加圧して熱圧着する。Then, as shown in FIG. 2A, while the support film 21a and the protective film 21b are separated from the first film 21, the non-photosensitive resin layer 24 is applied to the roller 27.
To apply heat and pressure.
【0038】次に、図2(b)に示すように、第2のフ
ィルム22から支持フィルム22a及び保護フィルム2
2bを剥離しつつ、感光性樹脂層25及びフォトレジス
ト層26をローラ27により加熱加圧して熱圧着する。Next, as shown in FIG. 2B, the second film 22 to the support film 22a and the protective film 2 are formed.
While peeling off 2b, the photosensitive resin layer 25 and the photoresist layer 26 are heated and pressed by a roller 27 to be thermocompression bonded.
【0039】次に、図2の(c)に示すように、フォト
レジスト層26を所定パターンに形成したマスク26a
用いて露光及び現像を行い、感光性樹脂層25をパター
ニングする。Next, as shown in FIG. 2C, a mask 26a having a photoresist layer 26 formed in a predetermined pattern.
Exposure and development are performed to pattern the photosensitive resin layer 25.
【0040】そして、図2の(d)に示すように、非感
光性樹脂層24及びパターニングされた感光性樹脂層2
5を軟化点近傍の温度(例えば560℃〜580℃)で
同時に焼成することにより、電極(バス電極12及び透
明電極13)を一様に覆う第1の誘電体層24aとパタ
ーニングされた所定のパターンの第2の誘電体層(嵩上
げ誘電体層)25aとが同時に形成される。Then, as shown in FIG. 2D, the non-photosensitive resin layer 24 and the patterned photosensitive resin layer 2 are formed.
5 is simultaneously baked at a temperature near the softening point (for example, 560 ° C. to 580 ° C.) to uniformly cover the electrodes (bus electrode 12 and transparent electrode 13) and the predetermined dielectric layer 24a and a predetermined pattern. The second dielectric layer (bulk dielectric layer) 25a of the pattern is simultaneously formed.
【0041】以上のように、行電極対(X,Y)が形成
され前面ガラス基板上に、第1の誘電体層及び嵩上げ誘
電体層を形成する方法を説明したが、背面基板上の列電
極Dを被覆する誘電体層(白色の誘電体層)及びパター
ニングされた隔壁を形成する際も同様の方法で形成でき
る。As described above, the method of forming the first dielectric layer and the raised dielectric layer on the front glass substrate having the row electrode pair (X, Y) formed thereon has been described. The same method can be used to form the dielectric layer (white dielectric layer) covering the electrode D and the patterned partition wall.
【0042】本実施形態においては、第1のフィルム2
1(フィルム状の非感光性樹脂層)及び第2のフィルム
22(フィルム状の感光性樹脂層及びフォトレジスト
層)を用いることにより、第1の実施の形態のような樹
脂ペーストの塗布、乾燥による積層方法に比して乾燥工
程が省略でき、形成される第1の誘電体層及び嵩上げ誘
電体層の膜厚の精度が良くなる。In the present embodiment, the first film 2
By using 1 (film-shaped non-photosensitive resin layer) and the second film 22 (film-shaped photosensitive resin layer and photoresist layer), application and drying of the resin paste as in the first embodiment. The drying step can be omitted as compared with the laminating method according to, and the accuracy of the film thickness of the first dielectric layer and the bulking dielectric layer formed is improved.
【0043】また、第1の実施形態と同様に、焼成工程
を簡略化するために、第1の誘電体層と嵩上げ誘電体層
とを同時に焼成しているが、従来、同時焼成後に発生し
ていた嵩上げ誘電体層のエッジ部のだれを防いで、形状
を保持することができ、嵩上げ誘電体層が持つ本来の機
能(バス電極上への放電の広がりを抑制する機能)を十
分発揮することができる。Further, as in the first embodiment, in order to simplify the firing process, the first dielectric layer and the raised dielectric layer are fired at the same time. The sagging of the edge part of the raised dielectric layer can be prevented and the shape can be maintained, and the original function of the raised dielectric layer (the function of suppressing the spread of discharge on the bus electrode) can be fully exerted. be able to.
【0044】(第3の実施の形態)次に、第3の実施の
形態について図3を参照して説明する。まず、第1の実
施の形態と同様にして電極を形成する。次に、行電極対
(X,Y)が形成されたガラス基板上に、第1の誘電体
層及び所定のパターンの第2の誘電体層(嵩上げ誘電体
層)を形成する方法について、以下図3の工程図を用い
て説明する。図3は、工程順に示した断面図(a)〜
(c)である。(Third Embodiment) Next, a third embodiment will be described with reference to FIG. First, the electrodes are formed in the same manner as in the first embodiment. Next, a method for forming the first dielectric layer and the second dielectric layer (bulk dielectric layer) having a predetermined pattern on the glass substrate on which the row electrode pair (X, Y) is formed will be described below. This will be described with reference to the process chart of FIG. 3A to 3C are cross-sectional views (a) to FIG.
It is (c).
【0045】本実施の形態においては、支持フィルム3
1a上に、非感光性樹脂層34、感光性樹脂層35、フ
ォトレジスト層36、保護フィルム31bを積層した多
層フィルム31を形成する。非感光性樹脂層34は、第
1のガラス材料を含有した非感光性樹脂ペースト(低融
点のガラスペースト)を支持フィルム31a上に塗布し
乾燥させて形成される。In the present embodiment, the support film 3
A multilayer film 31 in which a non-photosensitive resin layer 34, a photosensitive resin layer 35, a photoresist layer 36, and a protective film 31b are laminated is formed on 1a. The non-photosensitive resin layer 34 is formed by applying a non-photosensitive resin paste (low-melting-point glass paste) containing the first glass material onto the support film 31a and drying it.
【0046】第1のガラス材料は、軟化点が約580℃
の酸化ビスマス又は酸化鉛、酸化硼素、酸化亜鉛を主成
分とするガラス材料である。上記非感光性樹脂は、例え
ば、アクリル系ポリマーである。The first glass material has a softening point of about 580 ° C.
Is a glass material containing bismuth oxide, lead oxide, boron oxide, or zinc oxide as a main component. The non-photosensitive resin is, for example, an acrylic polymer.
【0047】感光性樹脂層35は、第2のガラス材料を
含有した感光性樹脂ペースト(低融点のガラスペース
ト)に、フィラーを混入したものを非感光性樹脂層34
上に塗布し乾燥させて形成される。As the photosensitive resin layer 35, a photosensitive resin paste containing a second glass material (a low melting point glass paste) mixed with a filler is used as the non-photosensitive resin layer 34.
It is formed by coating on top and drying.
【0048】第2のガラス材料は、軟化点が第1のガラ
ス材料と略等しいガラス材料(酸化ビスマス又は酸化
鉛、酸化硼素、酸化亜鉛を主成分とするガラス材料)で
ある。また、感光性樹脂は、例えば、アクリル系モノマ
ー又はオリゴマーである。フィラーは、軟化点が650
℃以上の高融点ガラス粉末、例えば、アルミナ、チタニ
ア、シリカ、チタン酸バリウム等である。The second glass material is a glass material having a softening point substantially equal to that of the first glass material (a glass material containing bismuth oxide or lead oxide, boron oxide, or zinc oxide as a main component). The photosensitive resin is, for example, an acrylic monomer or oligomer. The softening point of the filler is 650
High melting point glass powder having a temperature of ℃ or more, for example, alumina, titania, silica, barium titanate and the like.
【0049】さらに、フォトレジスト層36、保護フィ
ルム31bを積層して多層フィルム31を形成する。Further, the photoresist layer 36 and the protective film 31b are laminated to form the multilayer film 31.
【0050】次に、図3(a)に示すように、多層フィ
ルム31から支持フィルム31a及び保護フィルム31
bを剥離しつつ、非感光性樹脂層34,感光性樹脂層3
5,フォトレジスト層36をローラ37により加熱加圧
して熱圧着する。Next, as shown in FIG. 3A, from the multilayer film 31 to the support film 31a and the protective film 31.
While removing b, the non-photosensitive resin layer 34 and the photosensitive resin layer 3
5. The photoresist layer 36 is heated and pressed by the roller 37 to be thermocompression bonded.
【0051】次に、図3の(b)に示すように、フォト
レジスト層36を所定パターンに形成したマスク36a
を用いて露光及び現像を行い、感光性樹脂層35をパタ
ーニングする。Next, as shown in FIG. 3B, a mask 36a having a photoresist layer 36 formed in a predetermined pattern.
Is used for exposure and development to pattern the photosensitive resin layer 35.
【0052】そして、図3の(c)に示すように、非感
光性樹脂層34及びパターニングされた感光性樹脂層3
5を軟化点近傍の温度(例えば560℃〜580℃)で
同時に焼成することにより、電極(バス電極12及び透
明電極13)を一様に覆う第1の誘電体層34aとパタ
ーニングされた所定のパターンの第2の誘電体層(嵩上
げ誘電体層)35aとが同時に形成される。Then, as shown in FIG. 3C, the non-photosensitive resin layer 34 and the patterned photosensitive resin layer 3 are formed.
5 is simultaneously fired at a temperature near the softening point (for example, 560 ° C. to 580 ° C.) to uniformly cover the electrodes (bus electrode 12 and transparent electrode 13) and the predetermined dielectric layer 34a and a predetermined pattern. The second dielectric layer (bulk dielectric layer) 35a of the pattern is simultaneously formed.
【0053】以上のように、行電極対(X,Y)が形成
され前面ガラス基板上に、第1の誘電体層及び嵩上げ誘
電体層を形成する方法を説明したが、背面基板上の列電
極Dを被覆する誘電体層(白色の誘電体層)及びパター
ニングされた隔壁を形成する際も同様の方法で形成でき
る。As described above, the method of forming the first dielectric layer and the raised dielectric layer on the front glass substrate on which the row electrode pair (X, Y) is formed has been described. The same method can be used to form the dielectric layer (white dielectric layer) covering the electrode D and the patterned partition wall.
【0054】本実施形態においては、多層フィルム31
を用いることにより、非感光性樹脂層及び感光性樹脂層
の積層工程が簡略化される。また、第1の実施形態と同
様に、焼成工程を簡略化するために、第1の誘電体層と
嵩上げ誘電体層とを同時に焼成しているが、従来、同時
焼成後に発生していた嵩上げ誘電体層のエッジ部のだれ
を防いで、形状を保持することができ、嵩上げ誘電体層
が持つ本来の機能(バス電極上への放電の広がりを抑制
する機能)を十分発揮することができる。In this embodiment, the multilayer film 31 is used.
By using, the step of laminating the non-photosensitive resin layer and the photosensitive resin layer is simplified. Further, as in the first embodiment, in order to simplify the firing process, the first dielectric layer and the raised dielectric layer are fired at the same time. The edge of the dielectric layer can be prevented from sagging and the shape can be maintained, and the original function of the raised dielectric layer (the function of suppressing the spread of discharge on the bus electrode) can be sufficiently exerted. .
【0055】本発明は、各実施形態において述べたよう
に、感光性樹脂層にフィラーを混入したことにより、嵩
上げ誘電体層の形状を保持することができることを特徴
としているものである。As described in each embodiment, the present invention is characterized in that the shape of the elevated dielectric layer can be maintained by mixing the filler in the photosensitive resin layer.
【0056】つまり、図4に示すように、本発明に係る
各実施形態において形成された嵩上げ誘電体層15a
(25a,35a)のエッジ部15b(25b,35
b)が焼成前の形状を保持しており、バス電極上への放
電の広がりを抑制する機能を果たすことができるもので
ある。That is, as shown in FIG. 4, the raised dielectric layer 15a formed in each of the embodiments of the present invention.
Edge portion 15b (25b, 35a) of (25a, 35a)
b) retains the shape before firing and can fulfill the function of suppressing the spread of the discharge on the bus electrode.
【0057】これに対して、従来の製造方法では前述し
た図8に示すように、嵩上げ誘電体層111Aのエッジ
部111Bが焼成前の形状を保持できずにだれているた
め、バス電極上への放電の広がりを抑制する機能が不十
分となっている。On the other hand, in the conventional manufacturing method, as shown in FIG. 8 described above, since the edge portion 111B of the raised dielectric layer 111A cannot maintain the shape before firing, the edge portion 111B is sagging. The function of suppressing the spread of the discharge is insufficient.
【0058】しかし、感光性樹脂層にフィラーを混入し
た場合においても、嵩上げ誘電体層の膜厚をtとしたと
き、フィラーの平均粒径Rが0.5t未満であった場合
には、嵩上げ誘電体層のだれが無視できなくなってしま
う。このため、感光性樹脂層に混入するフィラーは、フ
ィラーの平均粒径Rが0.5t≦R≦0.1tの範囲に
あることが好ましい。However, even when a filler is mixed in the photosensitive resin layer, if the average particle diameter R of the filler is less than 0.5 t, when the thickness of the dielectric layer is raised, the padding is increased. Whose dielectric layer cannot be ignored. Therefore, the filler mixed in the photosensitive resin layer preferably has an average particle diameter R of the filler in the range of 0.5t ≦ R ≦ 0.1t.
【0059】さらに、図4に示すように、第1の誘電体
層14a(24a,34a),嵩上げ誘電体層15a
(25a,35a)の膜厚d1,d2は、それぞれ20
μm〜40μm程度であるため、フィラーの平均粒径R
は、10μm以上であることがエッジ部15bの形状保
持(だれ防止)のために好ましい。Furthermore, as shown in FIG. 4, the first dielectric layer 14a (24a, 34a) and the raised dielectric layer 15a.
The film thicknesses d1 and d2 of (25a, 35a) are 20 respectively.
The average particle diameter R of the filler is about 40 μm to 40 μm.
Is preferably 10 μm or more in order to maintain the shape of the edge portion 15b (prevent sagging).
【0060】また、焼成時に溶融してしまわないよう
に、フィラーの軟化点は、同時焼成時における焼成温度
より高いことが好ましい。Further, the softening point of the filler is preferably higher than the firing temperature at the time of simultaneous firing so as not to be melted at the time of firing.
【0061】また、比誘電率が第2のガラス材料より小
さい比誘電率のフィラーを感光性樹脂層に混入すること
により、感光性樹脂層の比誘電率を小さくすることがで
き、感光性樹脂層をパターニングして焼成することによ
り形成された嵩上げ誘電体層は、バス電極上への放電の
広がりをより少なく抑えることができる。第2のガラス
材料の比誘電率は、10程度であるので、比誘電率が8
以下のフィラー(例えばSiO2など)を混入すること
がより好ましい。By mixing a filler having a relative permittivity smaller than that of the second glass material into the photosensitive resin layer, the relative permittivity of the photosensitive resin layer can be reduced and the photosensitive resin layer can be reduced. The raised dielectric layer formed by patterning and firing the layer can further suppress the spread of discharge on the bus electrode. Since the relative permittivity of the second glass material is about 10, the relative permittivity is 8
It is more preferable to mix the following fillers (for example, SiO 2 ).
【0062】また、上述の各実施形態においては、2層
構造の誘電体層としたが、これに限らず3層以上の構造
をとることも可能である。例えば、第1層及び第2層を
非感光性樹脂層とし、第3層(最上層)を感光性樹脂層
としても良い。Further, in each of the above-mentioned embodiments, the dielectric layer having a two-layer structure is used, but the present invention is not limited to this, and a structure having three or more layers can be adopted. For example, the first layer and the second layer may be non-photosensitive resin layers, and the third layer (uppermost layer) may be a photosensitive resin layer.
【0063】[0063]
【発明の効果】以上詳記したように、請求項1に記載し
た発明によれば、感光性樹脂層にフィラーを含ませるこ
とにより、従来、第1の誘電体層と嵩上げ誘電体層とを
同時に焼成した後に、発生していた嵩上げ誘電体層のエ
ッジ部のだれを防いで、形状を保持することができ、嵩
上げ誘電体層が持つ本来の機能(バス電極上への放電の
広がりを抑制する機能)を十分発揮することができる。As described above in detail, according to the invention described in claim 1, the first dielectric layer and the raised dielectric layer are conventionally formed by including the filler in the photosensitive resin layer. After firing at the same time, it is possible to prevent the edge of the raised dielectric layer from sagging and maintain its shape. The original function of the raised dielectric layer (to suppress the spread of discharge on the bus electrode) Function).
【0064】また、請求項2に記載した発明によれば、
感光性樹脂層に含ませるフィラーの平均粒径Rが、第2
の誘電体層の膜厚をtとしたとき、0.5t≦R≦0.
1tであることにより、嵩上げ誘電体層のだれを無視で
きる程少なくすることができる。According to the invention described in claim 2,
The average particle diameter R of the filler contained in the photosensitive resin layer is the second
When the film thickness of the dielectric layer is 0.5t ≦ R ≦ 0.
When it is 1 t, the sagging of the raised dielectric layer can be reduced to a negligible amount.
【0065】また、請求項3に記載した発明によれば、
フィラーの平均粒径Rが10μm以上であることによっ
て、プラズマディスプレイパネルにおける第1の誘電体
層,嵩上げ誘電体層の膜厚は、それぞれ20μm〜40
μm程度であるため、平均粒径Rが10μm以上のフィ
ラーを用いることによって、嵩上げ誘電体層のエッジ部
のだれを無視できる程少なくすることができる。According to the invention described in claim 3,
Since the average particle diameter R of the filler is 10 μm or more, the film thickness of each of the first dielectric layer and the raised dielectric layer in the plasma display panel is 20 μm to 40 μm.
Since the average particle diameter R is about 10 μm, by using a filler having an average particle diameter R of 10 μm or more, the sagging of the edge portion of the raised dielectric layer can be reduced to a negligible amount.
【0066】また、請求項4に記載した発明によれば、
フィラーの軟化点が同時焼成時における焼成温度より高
いことによって、フィラーが焼成時に溶融してしまうこ
とを防ぐことができる。According to the invention described in claim 4,
When the softening point of the filler is higher than the firing temperature during simultaneous firing, it is possible to prevent the filler from melting during firing.
【0067】また、請求項5に記載した発明によれば、
感光性樹脂層が比誘電率が第2のガラス材料より小さい
比誘電率のフィラーを含むことによって、感光性樹脂層
をパターニングして焼成することにより形成された所定
のパターンの第2の誘電体層(嵩上げ誘電体層)の比誘
電率を小さくすることができ、バス電極上への放電をよ
り少なく抑えることができる。According to the invention described in claim 5,
The photosensitive resin layer contains a filler having a relative dielectric constant smaller than that of the second glass material, so that the photosensitive resin layer is patterned and baked to form a second dielectric having a predetermined pattern. The relative permittivity of the layer (bulk dielectric layer) can be reduced, and the discharge onto the bus electrode can be further suppressed.
【0068】また、請求項6に記載した発明によれば、
支持フィルム上に形成された非感光性樹脂層及び/又は
感光性樹脂層を基板上に転写して、非感光性樹脂層及び
/又は感光性樹脂層を形成することによって、樹脂ペー
ストの塗布、乾燥による積層方法に比して乾燥工程が省
略でき、形成される第1の誘電体層及び第2の誘電体層
の膜厚の精度が良くなる。さらに、多層のフィルムを用
いることにより、非感光性樹脂層及び感光性樹脂層の積
層工程が簡略化することができる。According to the invention described in claim 6,
Application of a resin paste by transferring a non-photosensitive resin layer and / or a photosensitive resin layer formed on a supporting film onto a substrate to form a non-photosensitive resin layer and / or a photosensitive resin layer, The drying step can be omitted as compared with the stacking method by drying, and the accuracy of the film thickness of the first dielectric layer and the second dielectric layer formed can be improved. Furthermore, by using a multilayer film, the step of laminating the non-photosensitive resin layer and the photosensitive resin layer can be simplified.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図1】本発明に係る第1の実施の形態を説明する工程
順に示した断面図(a)〜(d)である。1A to 1D are cross-sectional views (a) to (d) showing the order of steps for explaining a first embodiment according to the present invention.
【図2】本発明に係る第2の実施の形態を説明する工程
順に示した断面図(a)〜(d)である。2A to 2D are cross-sectional views (a) to (d) showing the order of steps for explaining a second embodiment according to the present invention.
【図3】本発明に係る第3の実施の形態を説明する工程
順に示した断面図(a)〜(c)である。3A to 3C are cross-sectional views (a) to (c) showing a process sequence for explaining a third embodiment according to the present invention.
【図4】本発明の製造方法による嵩上げ誘電体層のエッ
ジ部の形状を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing the shape of the edge portion of the raised dielectric layer according to the manufacturing method of the present invention.
【図5】面放電型プラズマディスプレイパネルの従来の
セル構造を模式的に示す平面図である。FIG. 5 is a plan view schematically showing a conventional cell structure of a surface discharge type plasma display panel.
【図6】図5のV−V線における断面図である。6 is a cross-sectional view taken along the line VV of FIG.
【図7】図5のW−W線における断面図である。7 is a cross-sectional view taken along the line WW of FIG.
【図8】従来の製造方法による嵩上げ誘電体層のエッジ
部の形状を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a shape of an edge portion of a raised dielectric layer according to a conventional manufacturing method.
11 ガラス基板
12 バス電極
13 透明電極
14,24,34 非感光性樹脂層
14a,24a,34a 第1の誘電体層
15,25,35 感光性樹脂層
15a,25a,35a 所定のパターンの第2の誘電
体層(嵩上げ誘電体層)
15b,25b,35b (嵩上げ誘電体層の)エッジ
部
16a,26a,36a マスク
21,22 フィルム
21a,22a,31a 支持フィルム
21b,22b,31b 保護フィルム
26,36 フォトレジスト層
27,37 ローラ
31 多層フィルム11 glass substrate 12 bus electrode 13 transparent electrodes 14, 24, 34 non-photosensitive resin layers 14a, 24a, 34a first dielectric layer 15, 25, 35 photosensitive resin layers 15a, 25a, 35a second of a predetermined pattern Dielectric layer (bulk dielectric layer) 15b, 25b, 35b (bulk dielectric layer) edge portions 16a, 26a, 36a Mask 21, 22 Film 21a, 22a, 31a Support film 21b, 22b, 31b Protective film 26, 36 Photoresist layer 27, 37 Roller 31 Multi-layer film
フロントページの続き (72)発明者 中谷 知之 山梨県中巨摩郡田富町西花輪2680番地 静 岡パイオニア株式会社甲府事業所内 (72)発明者 糸井 久幸 山梨県中巨摩郡田富町西花輪2680番地 静 岡パイオニア株式会社甲府事業所内 Fターム(参考) 5C027 AA05 AA06 5C040 GD02 GD07 GD09 JA02 JA15 JA22 KA16 KB03 KB09 KB19 KB29 LA17 MA23 MA26 Continued front page (72) Inventor Tomoyuki Nakatani Yamanashi Prefecture Nakatoma-gun Tatomi Town Nishi Hanawa 2680 Shizu Shizu Oka Pioneer Corporation Kofu Office (72) Inventor Hisayuki Itoi Yamanashi Prefecture Nakatoma-gun Tatomi Town Nishi Hanawa 2680 Shizu Shizu Oka Pioneer Corporation Kofu Office F-term (reference) 5C027 AA05 AA06 5C040 GD02 GD07 GD09 JA02 JA15 JA22 KA16 KB03 KB09 KB19 KB29 LA17 MA23 MA26
Claims (6)
ーンの電極が形成された基板の上に、第1の誘電体層及
び所定のパターンの第2の誘電体層を積層形成するとき
に、 前記基板の電極形成面上に、第1のガラス材料を含む非
感光性樹脂層と、第2のガラス材料及びフィラーを含む
感光性樹脂層と、を形成し、 前記感光性樹脂層を所定パターンのマスクを用いて露光
し現像してから、前記感光性樹脂層をパターニングし、 その後前記非感光性樹脂層と前記感光性樹脂層とを同時
焼成することにより、前記第1の誘電体層及び前記所定
のパターンの第2の誘電体層を形成することを特徴とす
るプラズマディスプレイパネルの製造方法。1. An electrode of a substrate for forming a first dielectric layer and a second dielectric layer of a predetermined pattern on a substrate of a plasma display panel on which an electrode of a predetermined pattern is formed. A non-photosensitive resin layer containing a first glass material and a photosensitive resin layer containing a second glass material and a filler are formed on the formation surface, and the photosensitive resin layer is formed using a mask having a predetermined pattern. By exposing and developing, the photosensitive resin layer is patterned, and then the non-photosensitive resin layer and the photosensitive resin layer are co-fired, whereby the first dielectric layer and the predetermined pattern are formed. 2. A method of manufacturing a plasma display panel, comprising forming the second dielectric layer of
のパターンの第2の誘電体層の膜厚をtとしたとき、
0.5t≦R≦0.1tであることを特徴とする請求項
1に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。2. The average particle diameter R of the filler is, when the thickness of the second dielectric layer having the predetermined pattern is t,
The method of manufacturing a plasma display panel according to claim 1, wherein 0.5t ≦ R ≦ 0.1t.
以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載のプ
ラズマディスプレイパネルの製造方法。3. The average particle diameter R of the filler is 10 μm.
It is above, The manufacturing method of the plasma display panel of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned.
時における焼成温度より高いことを特徴とする請求項1
〜3のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの
製造方法。4. The softening point of the filler is higher than the firing temperature during the simultaneous firing.
4. The method for manufacturing a plasma display panel according to any one of 3 to 3.
ガラス材料より小さい比誘電率のフィラーを含むことを
特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のプラズマデ
ィスプレイパネルの製造方法。5. The plasma display panel according to claim 1, wherein the photosensitive resin layer contains a filler having a relative dielectric constant smaller than that of the second glass material. Production method.
脂層及び/又は感光性樹脂層を基板上に転写して、前記
非感光性樹脂層及び/又は前記感光性樹脂層を形成する
ことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のプラ
ズマディスプレイパネルの製造方法。6. A non-photosensitive resin layer and / or a photosensitive resin layer formed on a support film is transferred onto a substrate to form the non-photosensitive resin layer and / or the photosensitive resin layer. The method for manufacturing a plasma display panel according to claim 1, wherein
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100652340B1 (en) | 2005-08-30 | 2006-11-29 | 엘지전자 주식회사 | Method of making upper structure of plasma display panel and method of making plasma display panel thereby |
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2001
- 2001-12-13 JP JP2001379498A patent/JP2003178671A/en active Pending
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