JP2003177508A - ホトマスクの検査方法 - Google Patents
ホトマスクの検査方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ホトマスクの検査方法に関し、位相シフトマ
スクの高精度化を図ることを目的とする。 【解決手段】 透明基板をドライエッチングによって形
成した位相シフトマスクパターンのパターン検査におい
て、エッチング表面が多孔質化された状態を計測するこ
とによって不完全なシフターパターン部を検出する。多
孔質化された透明基板の表面状態は鏡面研磨された表面
状態に比べ、３００ｎｍ以下の波長領域の光線を反射防
止する作用を得る。透明基板の多孔質化状態は、透明基
板の表面を例えば弗素原子を含む炭化水素化合物からな
るプラズマ中に暴することによって、エッチング深さ方
向に連続的に変化する。
スクの高精度化を図ることを目的とする。 【解決手段】 透明基板をドライエッチングによって形
成した位相シフトマスクパターンのパターン検査におい
て、エッチング表面が多孔質化された状態を計測するこ
とによって不完全なシフターパターン部を検出する。多
孔質化された透明基板の表面状態は鏡面研磨された表面
状態に比べ、３００ｎｍ以下の波長領域の光線を反射防
止する作用を得る。透明基板の多孔質化状態は、透明基
板の表面を例えば弗素原子を含む炭化水素化合物からな
るプラズマ中に暴することによって、エッチング深さ方
向に連続的に変化する。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明基板のドライ
エッチング方法及びホトマスクの検査方法に関する。 【０００２】近年、半導体装置の大容量化・小型化が進
み、回路パターンを微細化する技術が要求されている。
その手段として、縮小投影露光方法の解像力を上げるた
めに、遠紫外光やレーザ等光源の短波長化や、露光時の
解像力を上げるために、透明基板に段差をつけた位相シ
フトマスクを用いる方法がある。 【０００３】そのため、ホトマスク、或いはレチクルの
透過光量が低下しないことが要求され、透過率向上のた
めの技術的手段が必要となる。 【０００４】また、位相シフト法を効率良く用いるため
には、この透明基板の段差を精度良く加工する必要があ
り、ドライエッチングで透明基板をエッチングする際、
投影する光の波長に合わせて精度良く加工し、また、出
来上がった透明基板各部の厚さの均一性を精度良く検査
する方法が求められる。 【０００５】 【従来の技術】図９は透明基板そのものを位相シフター
として用いたクロムレス型の位相シフトマスクに関する
従来技術による工程順模式断面図、図１０は従来例の説
明図であり、図１０（ａ）は従来技術の製造方法により
製造されたクロムレス型の位相シフトマスクの断面図、
図１０（ｂ）はドライエッチング前の透明基板とドライ
エッチングを行って表面を多孔質化したドライエッチン
グ面の各波長における入射光の透過率の変化を示す。 【０００６】また、図１１は従来の位相シフトマスクの
パターン形状の検査方法の説明図である。 【０００７】図において、１は透明基板、３は多孔質化
したドライエッチング面、４は位相シフトマスク、５は
メインパターン、６はシフターパターン、７はエッチン
グマスク、８はチャンバ、14は遮光膜、15はレジスト
膜、28は不完全なシフターパターン、30は透過光強度パ
ターン、34はクロムレス型位相シフトマスク、35は半導
体基板、36はレジストパターン、40は光である。 【０００８】先ず、全般的なホトマスク用の透明基板１
については、合成石英ガラスの表面をバフ研磨で表面の
粗さを２μｍ程度まで研磨した鏡面研磨面を用いてい
る。 【０００９】従来のガラス透明基板の表面改質方法とし
てはウエット処理が必要となるが、ホトマスクの製造工
程では，クロム膜等の遮光膜の化学的耐久性がないため
実用化が困難である。 【００１０】また、透明基板の透過率向上のために、合
成石英ガラスの表面に表面反射防止用のコーティング
や、屈折率の異なる多層膜を用いていた。 【００１１】一方、位相シフトマスクとして利用する透
明基板１においては、図９に工程順模式断面図で示すよ
うに、この石英ガラス等の透明基板１そのものを位相シ
フトマスクのシフターパターン６として用いたクロムレ
ス型位相シフトマスク34は、化学的耐久性の比較的弱い
クロム膜や、或いはレジスト膜を位相シフターとして用
いる位相シフトマスクよりも、加工のしやすさ、耐久性
の点で優れた方法である。 【００１２】製造方法としては、図９（ａ）に示すよう
な表面が鏡面研磨された合成石英板からなる透明基板１
を用い、図９（ｂ）に示すように、例えば遮光膜として
利用するクロム膜をエッチングマスク７として透明基板
１上に形成する。 【００１３】続いて、図９（ｃ）に示すように、エッチ
ングマスク７上にレジスト膜15を塗布する。そして図９
（ｄ）に示すように、電子線描画によりレジスト膜15を
露光し、現像してシフターパターン６形成用のレジスト
膜15のパターンを形成する。 【００１４】次に、図９（ｅ）に示すように、ドライエ
ッチングによりパターニングされたレジスト膜15をマス
クとしてエッチングマスク７となるクロム膜をエッチン
グしてシフターパターン形成用のマスクを作り、レジス
ト膜15を除去する。 【００１５】次いで、図９（ｆ）に示すように、エッチ
ングマスク７をマスクとして透明基板１をドライエッチ
ングにより所定の深さだけ選択的にエッチングしてメイ
ンパターン５とする。最後にエッチングマスク７として
用いたクロム膜の除去を行い、図９（ｇ）に示すよう
に、クロムレス型位相シフトマスク34が完成する。 【００１６】このクロムレス型位相シフトマスク34は、
メインパターン５とシフターパターン６の段差が、メイ
ンパターン５を通過する光と、シフターパターン６を通
過する光の位相が 180°ずれるようにドライエッチング
されているので、図９（ｈ）に示すように、このクロム
レス型位相シフトマスク34を用いてレジスト膜を塗布し
たSi等の半導体基板35上に露光現像処理を行うと、メイ
ンパターン５とシフターパターン６の境界で光の透過量
が零となり、レジスト膜15の種類がポジ型、或いはネガ
型によって、0.1 〜0.2 μｍ幅の極微細幅の露光、或い
は未露光のレジストパターン36が形成される。 【００１７】このように, 透明基板１をドライエッチン
グする時、メインパターン５とシフターパターン６の段
差、即ち、メインパターン５とシフターパターン６の厚
さの差を決めるエッチングの量（深さ）ｄは、露光する
光の波長λ、及び、透明基板１の屈折率ｎにより下記の
式ｄ＝λ／２（ｎ−１）により決定されるため、位相シ
フトマスクとして用いる透明基板１に対しては正確な深
さのドライエッチング加工が必要となる。 【００１８】更に、透明基板１に位相シストマスクとし
て形成されたメインパターン５やシフターパターン６の
形状や厚さの均一性の検査は、従来、透過膜部の段差の
エッジで光が乱反射することを認識する方法を採用し、
又透過膜部の測長はＳＥＭ等を用いて行っていた。 【００１９】即ち、図１１（ａ）に示すように、ホトマ
スク用の透明基板１に形成された位相シフトマスク４の
表面、或いは裏面から光を当てて、反対側から透過光の
強度を測定すると、図１１（ａ’）に示すような透過光
強度の分布を得る。遮光膜14で囲まれた透過膜部を透過
する光40は、透過膜部内の段差のエッジで乱反射され、
透過光強度が段差の部分で下がる。 【００２０】この原理を利用して、透過膜部の段差の平
面形状や乱反射しているエッジからエッジまでの感覚を
線幅として測定できる。 【００２１】 【発明が解決しようとする課題】上記のように、ホトマ
スク基板として、合成石英製の透明基板を使用し、透過
率向上のために表面加工を行っても、まだまだ不十分
で、透明基板各面からの表面反射から透過率が低下して
しまい、遠紫外光（エキシマレーザ光）領域の透過率で
約７５％程度である。このため、光エネルギを増加して
対応せねばならず、高エネルギの光照射によりレンズや
ミラー等に表面焼けが生じ、エネルギ吸収等による基板
の熱膨張、屈折率の変動等、種々問題が発生する。 【００２２】そのため、高精度を要求される半導体装置
製造での縮小投影露光において、露光誤差、及び転写パ
ターンの歪発生の原因となっていた。 【００２３】また、位相シフトマスクについての課題と
しては、従来技術では、図１０（ａ）に示すように、透
明基板１をドライエッチングによりエッチングを行って
メインパターン５を形成しているが、このエッチングさ
れたメインパターン５の表面は、クロム膜等のエッチン
グマスク７の除去により露出したエッチングされない透
明基板１の本来の鏡面研磨された面、即ちシフターパタ
ーン６として利用する面よりもプラズマイオン等で叩か
れて微視的には粗くなっており、光の透過率や屈折率等
の光学的特性に大きな相違が生じていることが分かっ
た。 【００２４】すなわち、図１０（ｂ）にドライエッチン
グ前の透明基板１とドライエッチングを行って表面を多
孔質化したドライエッチング面の各波長における入射光
の透過率の変化で示すように、ドライエッチングを行っ
た面では、透明基板１の表面が多孔質の粗面となって、
特に３００ｎｍ以下の短波長でも透過率が下がらず、従
来の透明基板１に比べて、見掛け上、透過率が上昇する
ため、位相シフトマスクとしては、本来の屈折率や透過
率を用いて所望の段差を計算して、メインパターン５を
その値の深さまでドライエッチングしたにも関わらず、
透過率の変化により、必要な段差とのずれが生じて、位
相シフターの効果そのものが充分に発揮できないといっ
た問題を生じていた。 【００２５】更に、問題なのは、透明基板の選択的なエ
ッチングにより形成された位相シフトマスクの透過膜部
のパターンの不均一性の検出において、ドライエッチン
グ面による多孔質化の差があっても、従来の紫外線等の
光での検査方法では、鏡面研磨面でも、ドライエッチン
グされて多孔質化された面でも光の透過率は、図１０
（ｂ）に示したように殆ど変わらず、図１１に示すよう
に、不完全なシフターパターン（或いはメインパター
ン）でも、正常なシフターパターンとして認識されてし
まうことである。 【００２６】即ち、従来の方法では、例えば、図１１
（ａ）に示すような正常なシフターパターン６のパター
ン幅を認識するスレシュホールド（限界値）を図１１
（ａ’）に示すように、或る光透過強度の値に決めてし
まうと、図１１（ｂ）に示すようなエッチング部分にエ
ッチング残渣のような不均一な部分があり、不完全なシ
フターパターンであるにもかかわらず、図１１（ａ）に
示すような正常なエッチング部分からなるシフターパタ
ーン６と同じパターン幅であると図１１（ｂ’）のよう
に判定されてしまい、結果としてシフターパターンのパ
ターン幅が誤判定されてしまうという問題があった。 【００２７】本発明は、上記の点を鑑み、透明基板の透
過率を向上し、この透明基板を用いた位相シフトマスク
において、メインパターン面となるドライエッチング面
とシフターパターンとなる透明基板の表面との透過率等
の光学的特性の相違をなくし、また、シフターパターン
等の正確な寸法や厚さ検査で、その不均一性を検査し、
位相シフトマスクの効果をより増大させることを目的と
して提供されるものである。 【００２８】 【課題を解決するための手段】上記課題の解決は、３０
０ｎｍ以下の波長の光を用い、透明基板の透過率を測定
することによって、該透明基板に形成される位相シフト
マスクのメインパターン及びシフターパターンの表面の
深さの均一性を検査することを特徴とするホトマスクの
検査方法によって達成される。 【００２９】本発明では、表面を多孔質化したドライエ
ッチングにする場合の透明基板の遠紫外波長領域の透過
率とエッチング深さの関係を示した図１０（ｂ）で分か
るように、全般的なホトマスクとしては、表面をドライ
エッチングにより多孔質化したものは、透明基板の透過
率が短波長領域でも低下せず、微細パターンを形成でき
る。 【００３０】この原理は、透明基板の表面を弗素原子を
含む炭化水素化合物からなるプラズマ中に曝して多孔質
化することによって、エッチングされた層が、厚さ方向
に連続的に多孔質状態が変化し、そのため、表面では屈
折率が非常に小さくなり、空気の屈折率に近くなる。一
方、透明基板側ではガラスの屈折率とほぼ同じとなって
いるため、相対的に透過率の向上が得られるものであ
る。 【００３１】また、位相シフトマスクにおいては、透明
基板のドライエッチングによるメインパターン面の表面
の粗さの増大に伴って透過率が変化するのに対処して、
シフターパターンもドライエッチングを行うことによ
り、透過率の相違点がなくなる。 【００３２】従って、メインパターンとシフターパター
ンの光学特性も等しくでき、また、透明基板の透過率を
上げることも出来る。 【００３３】更に、図１（ｄ）に示すように、従来間違
って認識されたパターンが本発明では正しく認識される
様子を示す。 【００３４】即ち、図１（ｄ）に示すように、遮光膜14
に囲まれた透明基板１の透過膜部分の不均一な部分は、
エッチング残渣として残っているが、光透過強度はこの
ようなエッチングが進まず多孔質化不足を反映している
部分は、図１（ｄ’）に示すように透過強度が正常なエ
ッチングに比べてエッチング残渣としてのこっている場
合は斜線で表したように減少しており、正常なパターン
の光透過強度と、不均一なパターンの光透過強度の差を
検出すれば、間違ったパターン認識を防ぐことが出来
る。 【００３５】 【発明の実施の形態】図２〜図５は本発明の第１〜第４
の実施例の工程順模式断面図、図６はドライエッチング
方法説明図、図７〜図８は本発明の検査方法の第１〜第
２の実施例説明図である。 【００３６】図において、１は透明基板、２は弗素原子
を含む炭化水素からなるエッチングガス、３は多孔質化
したドライエッチング面、４は位相シフトマスク、５は
メインパターン、６はシフターパターン、７はエッチン
グマスク、８はチャンバ、９は光ファイバ、10は光源、
11は透過光、12は光量計、13は３００ｎｍ以下の波長の
光、14は遮光膜、15はレジスト膜、16は補助パターン型
位相シフトマスク、17はアノード電極、18はカソード電
極、19は絶縁シールド、20はプラズマ、21は高周波発振
機、22はガス導入口、23は排気口、24はドライエッチン
グ装置、25は光源、26はビームスプリッタ、27はレン
ズ、28は不完全なシフターパターン、29は検出器、30は
透過光強度パターン、31は透過光強度合成パターン、32
は磁気テープパターンデータ、33はマスクパターンであ
る。 【００３７】問題解決の手段として、本発明では先ずホ
トマスク等の光学材料として用いる透明基板の表面を、
例えば弗素原子を含む炭化水素からなるエッチングガス
のプラズマでドライエッチングして、多孔質化したドラ
イエッチング面を得て、短波長光源における透過率の向
上を図っている。 【００３８】先ず、本発明をクロムレス型の位相シフト
マスクの製造方法に適用した第１の実施例について、図
２（ａ）〜（ｃ）により説明する。 【００３９】図２（ａ）に示すように、厚さ２.3ｍｍ、
サイズ１２.5ｍｍ角の表面が鏡面研磨された合成石英製
の透明基板１の表面を先ず全面ドライエッチングして、
多孔質化したドライエッチング面３とする。 【００４０】ドライエッチングは図６（ａ）に示したド
ライエッチング装置24を用いる。 【００４１】先ず、真空排気によりドライエッチング装
置24のチャンバ８内が減圧され、続いて、ガス導入口22
よりフロン14をエッチングガスとして 100sccmの割合で
ガスシャワーを通して導入される。そして、ドライエッ
チング装置24のチャンバ８内が０.11Torr のガス圧力に
一定化された時、13.5ＭＨｚの高周波発振機21から高周
波が出力 200Ｗで印加され、発生したプラズマ20からの
ラジカル弗素Ｆ* 等により透明基板１の全面を26分位、
約 4,000Åドライエッチングする。 【００４２】この透明基板１の全面ドライエッチングに
よる表面の多孔質化は、位相シフトマスクに限定される
ものではなく、全般的な光学製品の透過率の増加に適用
できるものである。 【００４３】また、以下の実施例において、ドライエッ
チングに用いるエッチングガスは弗素を含む炭化水素の
内、フロン14を全て用いた。 【００４４】図２（ｂ）に示すように、酸化クロム膜で
クロム膜をサンドイッチしたエッチングマスク７をスパ
ッタ法で約 850Åの厚さに被覆する。そして図示しない
レジスト膜を用いて、シフターパターン６の形成領域に
エッチングマスク７をパターニングする。 【００４５】図２（ｃ）に示すように、エッチングマス
ク７をマスクとしてメインパターン５形成領域を、所要
の深さである 3,890Åのエッチング量に選択的にドライ
エッチングして、多孔質化したドライエッチング面３か
らなるメインパターン５を形成する。 【００４６】次に、本発明をクロムレス型の位相シフト
マスクの製造方法に適用した第２の実施例について、図
３（ａ）〜（ｂ）により説明する。 【００４７】図３（ａ）に示すように、エッチングマス
ク７を用いて、透明基板１のメインパターン５形成領域
を所要の深さに選択的にドライエッチングして、多孔質
化したドライエッチング面を得る。 【００４８】図３（ｂ）に示すように、エッチングマス
ク７を除去し、透明基板１全面をドライエッチングし
て、多孔質化したドライエッチング面３からなるシフタ
ーパターン６、及びメインパターン５を同時に形成す
る。 【００４９】第２の実施例において、透明基板１の材
質、並びに形状、ドライエッチング条件、及びドライエ
ッチングモニター方式は第１の実施例と全く同じであ
り、工程の順序が異なるものである。 【００５０】以下、第３、第４の実施例においても、同
様に、透明基板１の材質、並びに形状、ドライエッチン
グ条件は第１の実施例と全く同じである。 【００５１】次に、本発明を補助パターン型の位相シフ
トマスクの製造方法に適用した第３の実施例について、
図４（ａ）〜（ｉ）により説明する。 【００５２】図４（ａ）に示すように、表面が鏡面研磨
された合成石英板からなる透明基板１の全面をドライエ
ッチングして、表面を多孔質化したドライエッチング面
とする。 【００５３】図４（ｂ）に示すように、遮光膜14として
クロム膜を透明基板１上に 850Åの厚さに形成する。 【００５４】図４（ｃ）に示すように、遮光膜14上にレ
ジスト膜15を塗布する。 【００５５】そして図４（ｄ）に示すように、電子線描
画によりレジスト膜15を露光し，現像して，メインパタ
ーン５及び補助パターンとしてのシフターパターン６形
成用のレジスト膜15のパターンを形成する。 【００５６】次に、図４（ｅ）に示すように、ドライエ
ッチングによりパターニングされたレジスト膜15をマス
クとして遮光膜14をエッチングしてメインパターン５、
及びシフターパターン６形成用のマスクを作り、レジス
ト膜15を除去する。 【００５７】次いで，図４（ｆ）に示すように、再びレ
ジスト膜15を塗布する。 【００５８】図４（ｇ）に示すように、メインパターン
５形成用にレジスト膜15をパターニングする。 【００５９】図４（ｈ）に示すように、レジスト膜15を
マスクとして透明基板１を所定の深さにドライエッチン
グして多孔質化したドライエッチング面３を有するメイ
ンパターン５を得る。 【００６０】図４（ｉ）に示すように、レジスト膜15を
除去して、透明基板１上にメインパターン５と遮光膜14
内に補助パターンとしてのシフターパターン６を有する
補助パターン型位相シフトマスク16を完成する。 【００６１】続いて、本発明を補助パターン型の位相シ
フトマスクの製造方法に適用した第４の実施例につい
て、図５（ａ）〜（ｃ）により説明する。 【００６２】これは前述の第３の実施例と工程順序を変
えた例であり、図５（ａ）に示すように、一番先に透明
基板１の全面をドライエッチングすることなく、図４
（ｇ）の工程に相当する図５（ａ）の工程でメインパタ
ーン５内をドライエッチングして表面を多孔質化したド
ライエッチング面３とした後、図４（ｉ）の工程に相当
する図５（ｂ）において、既にドライエッチングされた
メインパターン５の領域と、遮光膜14で画定されたシフ
ターパターン６の領域を同時に同じ量だけドライエッチ
ングして、メインパターン５とシフターパターン６の表
面を共に多孔質化したドライエッチング面３とした例で
ある。 【００６３】以上の実施例において、エッチングガスに
は弗素原子を含む炭化水素からなるエッチングガス２と
してフロン14を使用したが、エッチングガスは弗素原子
を含む炭化水素からなるエッチングガス２に限らず、ア
ルゴン（Ａｒ）ガスや塩素ガス（Ｃｌ2 ）の使用が可能
である。 【００６４】最後に、ホトマスクパターンの検査方法の
実施例を説明する。 【００６５】先ず、本発明の検査方法の第１の実施例を
図７により説明する。 【００６６】測定するための 300ｎｍ以下の光源25とし
て、例えばＫｒＦ（２４８ｎｍ）や、ＡｒＦ（１９８ｎ
ｍ）の様なレーザ光源、或いは長波長成分をフィルター
でカットした遠紫外（ＤｅｅｐＵＶ）ランプを用いる。 【００６７】第１の実施例は比較検査の場合で、図７
（ａ）にシステム図で示すように、光源25をビームスプ
リッタ26で分岐し、レンズ27で比較検査を行う対称とな
る位相シフトマスク４上に光を集中させる。 【００６８】位相シフトマスク４を透過した光はホトト
ランジスタ等の検出器29でその透過光強度を測定し、図
７（ｂ）に示すように、シフターパターンの位置に対応
する透過光強度パターン30を、比較標準として用いる位
相シフトマスク４の正常なシフターパターンと検査対称
の不完全なシフターパターンからそれぞれ得る。 【００６９】両者の透過光強度パターン30の波形を光学
的に合成して、透過光強度合成パターン31を作成し、不
一致な強度を有する箇所（斜線部) に欠陥があると判定
する。 【００７０】本発明ではこのような判定を行う機能を光
学的に、或いは電気的に行うことができる。 【００７１】図７（ｃ）では分かりやすいように、光学
的に合成した波形の差によって、シフターパターン６の
エッチング残渣残り等の不均一性を検出する例を示して
あるが、実際には相互の波形を電気信号に変換して、二
値化による比較を行う場合が多い。 【００７２】本発明の検査方法の第１の実施例では、比
較検査の方法の例を示したが、次に検査方法の第２の実
施例としてＭＴ（磁気テープ）にあらかじめ収録したパ
ターンデータと検査対称のシフターパターンの形状検査
の比較検査方法について説明する。 【００７３】図８（ａ）の右側に示すように、磁気テー
プパターンデータ32は、図８（ｂ）に示す平面図形のマ
スクパターン33のイメージから、更に、図８（ｂ）の右
側に示すように、図８（ｂ）の左側の検出器29から得た
比較対称するパターンと同様な、透過光強度とパターン
の位置から得られる透過光強度パターン30の波形へと変
換される。そして検出器29からの不完全なシフターパタ
ーンから得られた図８（ｂ）の左側に示す透過光強度パ
ターン30と、図８（ｃ）に示すように合成して光学的
に、或いは電気的に比較され、不一致な強度を持つ箇所
（斜線部）に欠陥があると判定される。この場合、磁気
テープからの図形データは、デジタルなデータであるた
め、実際の測定値との補正が必要となる。 【００７４】更に、シフトパターンの線幅測定の場合
は、図８（ｃ）で示した透過光強度合成パターン31の波
形の様に、透過膜のエッチング部分を測定することによ
り、線幅として認識出来る。 【００７５】また、本発明のように、ガラス基板がプラ
ズマエッチングによって、被エッチング箇所が多孔質化
され、透過率が向上するために、位相シフトマスクに限
定されるものではなく、全般的な光学製品の透過率の増
加に適用できる。 【００７６】即ち、本発明の他の実施例として、表面を
プラズマ処理して多孔質化したガラス等の透明基板は、
エキシマレーザを用いた縮小投影露光装置の光学レンズ
やミラー系、或いは遠紫外波長領域における光学材料と
して広く応用することができる。 【００７７】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
全般的なホトマスクの製造方法において、Ａｒ−Ｆ等の
エキシマレーザーを光源として用いた縮小投影露光装置
でも、透明基板を用いたホトマスクの透過率が約８５〜
９０％と向上することによって、半導体製造に関する縮
小投影露光装置等の光学材料に起因する露光精度誤差、
及び転写パターンの歪等を軽減できる。 【００７８】即ち、高エネルギの光照射を必要とせず、
レンズやミラー等の表面焼けや、エネルギ吸収等による
ホトマスクの熱膨張や屈折率変動を防止することが可能
となる。更に、比較的簡単な処理で透過率の向上が望め
るため、遠紫外波長領域における光学系の最適化に対し
て、広く対応することが出来る。 【００７９】また、位相シフトマスクに関しては、マス
クのメインパターンとシフターパターンの光学特性の相
違を無くすことにより、更に、透明基板のエッチング量
を高精度で制御し、正確なパターン検査を実施すること
により、位相シフトマスクの段差を正確な高さに、ま
た、パターンを正確な寸法に形成して、位相シフト法の
効果をより向上させることにより、そして、パターンの
微細化、延いては半導体装置の高密度化、高精度化に寄
与するところが大きい。
エッチング方法及びホトマスクの検査方法に関する。 【０００２】近年、半導体装置の大容量化・小型化が進
み、回路パターンを微細化する技術が要求されている。
その手段として、縮小投影露光方法の解像力を上げるた
めに、遠紫外光やレーザ等光源の短波長化や、露光時の
解像力を上げるために、透明基板に段差をつけた位相シ
フトマスクを用いる方法がある。 【０００３】そのため、ホトマスク、或いはレチクルの
透過光量が低下しないことが要求され、透過率向上のた
めの技術的手段が必要となる。 【０００４】また、位相シフト法を効率良く用いるため
には、この透明基板の段差を精度良く加工する必要があ
り、ドライエッチングで透明基板をエッチングする際、
投影する光の波長に合わせて精度良く加工し、また、出
来上がった透明基板各部の厚さの均一性を精度良く検査
する方法が求められる。 【０００５】 【従来の技術】図９は透明基板そのものを位相シフター
として用いたクロムレス型の位相シフトマスクに関する
従来技術による工程順模式断面図、図１０は従来例の説
明図であり、図１０（ａ）は従来技術の製造方法により
製造されたクロムレス型の位相シフトマスクの断面図、
図１０（ｂ）はドライエッチング前の透明基板とドライ
エッチングを行って表面を多孔質化したドライエッチン
グ面の各波長における入射光の透過率の変化を示す。 【０００６】また、図１１は従来の位相シフトマスクの
パターン形状の検査方法の説明図である。 【０００７】図において、１は透明基板、３は多孔質化
したドライエッチング面、４は位相シフトマスク、５は
メインパターン、６はシフターパターン、７はエッチン
グマスク、８はチャンバ、14は遮光膜、15はレジスト
膜、28は不完全なシフターパターン、30は透過光強度パ
ターン、34はクロムレス型位相シフトマスク、35は半導
体基板、36はレジストパターン、40は光である。 【０００８】先ず、全般的なホトマスク用の透明基板１
については、合成石英ガラスの表面をバフ研磨で表面の
粗さを２μｍ程度まで研磨した鏡面研磨面を用いてい
る。 【０００９】従来のガラス透明基板の表面改質方法とし
てはウエット処理が必要となるが、ホトマスクの製造工
程では，クロム膜等の遮光膜の化学的耐久性がないため
実用化が困難である。 【００１０】また、透明基板の透過率向上のために、合
成石英ガラスの表面に表面反射防止用のコーティング
や、屈折率の異なる多層膜を用いていた。 【００１１】一方、位相シフトマスクとして利用する透
明基板１においては、図９に工程順模式断面図で示すよ
うに、この石英ガラス等の透明基板１そのものを位相シ
フトマスクのシフターパターン６として用いたクロムレ
ス型位相シフトマスク34は、化学的耐久性の比較的弱い
クロム膜や、或いはレジスト膜を位相シフターとして用
いる位相シフトマスクよりも、加工のしやすさ、耐久性
の点で優れた方法である。 【００１２】製造方法としては、図９（ａ）に示すよう
な表面が鏡面研磨された合成石英板からなる透明基板１
を用い、図９（ｂ）に示すように、例えば遮光膜として
利用するクロム膜をエッチングマスク７として透明基板
１上に形成する。 【００１３】続いて、図９（ｃ）に示すように、エッチ
ングマスク７上にレジスト膜15を塗布する。そして図９
（ｄ）に示すように、電子線描画によりレジスト膜15を
露光し、現像してシフターパターン６形成用のレジスト
膜15のパターンを形成する。 【００１４】次に、図９（ｅ）に示すように、ドライエ
ッチングによりパターニングされたレジスト膜15をマス
クとしてエッチングマスク７となるクロム膜をエッチン
グしてシフターパターン形成用のマスクを作り、レジス
ト膜15を除去する。 【００１５】次いで、図９（ｆ）に示すように、エッチ
ングマスク７をマスクとして透明基板１をドライエッチ
ングにより所定の深さだけ選択的にエッチングしてメイ
ンパターン５とする。最後にエッチングマスク７として
用いたクロム膜の除去を行い、図９（ｇ）に示すよう
に、クロムレス型位相シフトマスク34が完成する。 【００１６】このクロムレス型位相シフトマスク34は、
メインパターン５とシフターパターン６の段差が、メイ
ンパターン５を通過する光と、シフターパターン６を通
過する光の位相が 180°ずれるようにドライエッチング
されているので、図９（ｈ）に示すように、このクロム
レス型位相シフトマスク34を用いてレジスト膜を塗布し
たSi等の半導体基板35上に露光現像処理を行うと、メイ
ンパターン５とシフターパターン６の境界で光の透過量
が零となり、レジスト膜15の種類がポジ型、或いはネガ
型によって、0.1 〜0.2 μｍ幅の極微細幅の露光、或い
は未露光のレジストパターン36が形成される。 【００１７】このように, 透明基板１をドライエッチン
グする時、メインパターン５とシフターパターン６の段
差、即ち、メインパターン５とシフターパターン６の厚
さの差を決めるエッチングの量（深さ）ｄは、露光する
光の波長λ、及び、透明基板１の屈折率ｎにより下記の
式ｄ＝λ／２（ｎ−１）により決定されるため、位相シ
フトマスクとして用いる透明基板１に対しては正確な深
さのドライエッチング加工が必要となる。 【００１８】更に、透明基板１に位相シストマスクとし
て形成されたメインパターン５やシフターパターン６の
形状や厚さの均一性の検査は、従来、透過膜部の段差の
エッジで光が乱反射することを認識する方法を採用し、
又透過膜部の測長はＳＥＭ等を用いて行っていた。 【００１９】即ち、図１１（ａ）に示すように、ホトマ
スク用の透明基板１に形成された位相シフトマスク４の
表面、或いは裏面から光を当てて、反対側から透過光の
強度を測定すると、図１１（ａ’）に示すような透過光
強度の分布を得る。遮光膜14で囲まれた透過膜部を透過
する光40は、透過膜部内の段差のエッジで乱反射され、
透過光強度が段差の部分で下がる。 【００２０】この原理を利用して、透過膜部の段差の平
面形状や乱反射しているエッジからエッジまでの感覚を
線幅として測定できる。 【００２１】 【発明が解決しようとする課題】上記のように、ホトマ
スク基板として、合成石英製の透明基板を使用し、透過
率向上のために表面加工を行っても、まだまだ不十分
で、透明基板各面からの表面反射から透過率が低下して
しまい、遠紫外光（エキシマレーザ光）領域の透過率で
約７５％程度である。このため、光エネルギを増加して
対応せねばならず、高エネルギの光照射によりレンズや
ミラー等に表面焼けが生じ、エネルギ吸収等による基板
の熱膨張、屈折率の変動等、種々問題が発生する。 【００２２】そのため、高精度を要求される半導体装置
製造での縮小投影露光において、露光誤差、及び転写パ
ターンの歪発生の原因となっていた。 【００２３】また、位相シフトマスクについての課題と
しては、従来技術では、図１０（ａ）に示すように、透
明基板１をドライエッチングによりエッチングを行って
メインパターン５を形成しているが、このエッチングさ
れたメインパターン５の表面は、クロム膜等のエッチン
グマスク７の除去により露出したエッチングされない透
明基板１の本来の鏡面研磨された面、即ちシフターパタ
ーン６として利用する面よりもプラズマイオン等で叩か
れて微視的には粗くなっており、光の透過率や屈折率等
の光学的特性に大きな相違が生じていることが分かっ
た。 【００２４】すなわち、図１０（ｂ）にドライエッチン
グ前の透明基板１とドライエッチングを行って表面を多
孔質化したドライエッチング面の各波長における入射光
の透過率の変化で示すように、ドライエッチングを行っ
た面では、透明基板１の表面が多孔質の粗面となって、
特に３００ｎｍ以下の短波長でも透過率が下がらず、従
来の透明基板１に比べて、見掛け上、透過率が上昇する
ため、位相シフトマスクとしては、本来の屈折率や透過
率を用いて所望の段差を計算して、メインパターン５を
その値の深さまでドライエッチングしたにも関わらず、
透過率の変化により、必要な段差とのずれが生じて、位
相シフターの効果そのものが充分に発揮できないといっ
た問題を生じていた。 【００２５】更に、問題なのは、透明基板の選択的なエ
ッチングにより形成された位相シフトマスクの透過膜部
のパターンの不均一性の検出において、ドライエッチン
グ面による多孔質化の差があっても、従来の紫外線等の
光での検査方法では、鏡面研磨面でも、ドライエッチン
グされて多孔質化された面でも光の透過率は、図１０
（ｂ）に示したように殆ど変わらず、図１１に示すよう
に、不完全なシフターパターン（或いはメインパター
ン）でも、正常なシフターパターンとして認識されてし
まうことである。 【００２６】即ち、従来の方法では、例えば、図１１
（ａ）に示すような正常なシフターパターン６のパター
ン幅を認識するスレシュホールド（限界値）を図１１
（ａ’）に示すように、或る光透過強度の値に決めてし
まうと、図１１（ｂ）に示すようなエッチング部分にエ
ッチング残渣のような不均一な部分があり、不完全なシ
フターパターンであるにもかかわらず、図１１（ａ）に
示すような正常なエッチング部分からなるシフターパタ
ーン６と同じパターン幅であると図１１（ｂ’）のよう
に判定されてしまい、結果としてシフターパターンのパ
ターン幅が誤判定されてしまうという問題があった。 【００２７】本発明は、上記の点を鑑み、透明基板の透
過率を向上し、この透明基板を用いた位相シフトマスク
において、メインパターン面となるドライエッチング面
とシフターパターンとなる透明基板の表面との透過率等
の光学的特性の相違をなくし、また、シフターパターン
等の正確な寸法や厚さ検査で、その不均一性を検査し、
位相シフトマスクの効果をより増大させることを目的と
して提供されるものである。 【００２８】 【課題を解決するための手段】上記課題の解決は、３０
０ｎｍ以下の波長の光を用い、透明基板の透過率を測定
することによって、該透明基板に形成される位相シフト
マスクのメインパターン及びシフターパターンの表面の
深さの均一性を検査することを特徴とするホトマスクの
検査方法によって達成される。 【００２９】本発明では、表面を多孔質化したドライエ
ッチングにする場合の透明基板の遠紫外波長領域の透過
率とエッチング深さの関係を示した図１０（ｂ）で分か
るように、全般的なホトマスクとしては、表面をドライ
エッチングにより多孔質化したものは、透明基板の透過
率が短波長領域でも低下せず、微細パターンを形成でき
る。 【００３０】この原理は、透明基板の表面を弗素原子を
含む炭化水素化合物からなるプラズマ中に曝して多孔質
化することによって、エッチングされた層が、厚さ方向
に連続的に多孔質状態が変化し、そのため、表面では屈
折率が非常に小さくなり、空気の屈折率に近くなる。一
方、透明基板側ではガラスの屈折率とほぼ同じとなって
いるため、相対的に透過率の向上が得られるものであ
る。 【００３１】また、位相シフトマスクにおいては、透明
基板のドライエッチングによるメインパターン面の表面
の粗さの増大に伴って透過率が変化するのに対処して、
シフターパターンもドライエッチングを行うことによ
り、透過率の相違点がなくなる。 【００３２】従って、メインパターンとシフターパター
ンの光学特性も等しくでき、また、透明基板の透過率を
上げることも出来る。 【００３３】更に、図１（ｄ）に示すように、従来間違
って認識されたパターンが本発明では正しく認識される
様子を示す。 【００３４】即ち、図１（ｄ）に示すように、遮光膜14
に囲まれた透明基板１の透過膜部分の不均一な部分は、
エッチング残渣として残っているが、光透過強度はこの
ようなエッチングが進まず多孔質化不足を反映している
部分は、図１（ｄ’）に示すように透過強度が正常なエ
ッチングに比べてエッチング残渣としてのこっている場
合は斜線で表したように減少しており、正常なパターン
の光透過強度と、不均一なパターンの光透過強度の差を
検出すれば、間違ったパターン認識を防ぐことが出来
る。 【００３５】 【発明の実施の形態】図２〜図５は本発明の第１〜第４
の実施例の工程順模式断面図、図６はドライエッチング
方法説明図、図７〜図８は本発明の検査方法の第１〜第
２の実施例説明図である。 【００３６】図において、１は透明基板、２は弗素原子
を含む炭化水素からなるエッチングガス、３は多孔質化
したドライエッチング面、４は位相シフトマスク、５は
メインパターン、６はシフターパターン、７はエッチン
グマスク、８はチャンバ、９は光ファイバ、10は光源、
11は透過光、12は光量計、13は３００ｎｍ以下の波長の
光、14は遮光膜、15はレジスト膜、16は補助パターン型
位相シフトマスク、17はアノード電極、18はカソード電
極、19は絶縁シールド、20はプラズマ、21は高周波発振
機、22はガス導入口、23は排気口、24はドライエッチン
グ装置、25は光源、26はビームスプリッタ、27はレン
ズ、28は不完全なシフターパターン、29は検出器、30は
透過光強度パターン、31は透過光強度合成パターン、32
は磁気テープパターンデータ、33はマスクパターンであ
る。 【００３７】問題解決の手段として、本発明では先ずホ
トマスク等の光学材料として用いる透明基板の表面を、
例えば弗素原子を含む炭化水素からなるエッチングガス
のプラズマでドライエッチングして、多孔質化したドラ
イエッチング面を得て、短波長光源における透過率の向
上を図っている。 【００３８】先ず、本発明をクロムレス型の位相シフト
マスクの製造方法に適用した第１の実施例について、図
２（ａ）〜（ｃ）により説明する。 【００３９】図２（ａ）に示すように、厚さ２.3ｍｍ、
サイズ１２.5ｍｍ角の表面が鏡面研磨された合成石英製
の透明基板１の表面を先ず全面ドライエッチングして、
多孔質化したドライエッチング面３とする。 【００４０】ドライエッチングは図６（ａ）に示したド
ライエッチング装置24を用いる。 【００４１】先ず、真空排気によりドライエッチング装
置24のチャンバ８内が減圧され、続いて、ガス導入口22
よりフロン14をエッチングガスとして 100sccmの割合で
ガスシャワーを通して導入される。そして、ドライエッ
チング装置24のチャンバ８内が０.11Torr のガス圧力に
一定化された時、13.5ＭＨｚの高周波発振機21から高周
波が出力 200Ｗで印加され、発生したプラズマ20からの
ラジカル弗素Ｆ* 等により透明基板１の全面を26分位、
約 4,000Åドライエッチングする。 【００４２】この透明基板１の全面ドライエッチングに
よる表面の多孔質化は、位相シフトマスクに限定される
ものではなく、全般的な光学製品の透過率の増加に適用
できるものである。 【００４３】また、以下の実施例において、ドライエッ
チングに用いるエッチングガスは弗素を含む炭化水素の
内、フロン14を全て用いた。 【００４４】図２（ｂ）に示すように、酸化クロム膜で
クロム膜をサンドイッチしたエッチングマスク７をスパ
ッタ法で約 850Åの厚さに被覆する。そして図示しない
レジスト膜を用いて、シフターパターン６の形成領域に
エッチングマスク７をパターニングする。 【００４５】図２（ｃ）に示すように、エッチングマス
ク７をマスクとしてメインパターン５形成領域を、所要
の深さである 3,890Åのエッチング量に選択的にドライ
エッチングして、多孔質化したドライエッチング面３か
らなるメインパターン５を形成する。 【００４６】次に、本発明をクロムレス型の位相シフト
マスクの製造方法に適用した第２の実施例について、図
３（ａ）〜（ｂ）により説明する。 【００４７】図３（ａ）に示すように、エッチングマス
ク７を用いて、透明基板１のメインパターン５形成領域
を所要の深さに選択的にドライエッチングして、多孔質
化したドライエッチング面を得る。 【００４８】図３（ｂ）に示すように、エッチングマス
ク７を除去し、透明基板１全面をドライエッチングし
て、多孔質化したドライエッチング面３からなるシフタ
ーパターン６、及びメインパターン５を同時に形成す
る。 【００４９】第２の実施例において、透明基板１の材
質、並びに形状、ドライエッチング条件、及びドライエ
ッチングモニター方式は第１の実施例と全く同じであ
り、工程の順序が異なるものである。 【００５０】以下、第３、第４の実施例においても、同
様に、透明基板１の材質、並びに形状、ドライエッチン
グ条件は第１の実施例と全く同じである。 【００５１】次に、本発明を補助パターン型の位相シフ
トマスクの製造方法に適用した第３の実施例について、
図４（ａ）〜（ｉ）により説明する。 【００５２】図４（ａ）に示すように、表面が鏡面研磨
された合成石英板からなる透明基板１の全面をドライエ
ッチングして、表面を多孔質化したドライエッチング面
とする。 【００５３】図４（ｂ）に示すように、遮光膜14として
クロム膜を透明基板１上に 850Åの厚さに形成する。 【００５４】図４（ｃ）に示すように、遮光膜14上にレ
ジスト膜15を塗布する。 【００５５】そして図４（ｄ）に示すように、電子線描
画によりレジスト膜15を露光し，現像して，メインパタ
ーン５及び補助パターンとしてのシフターパターン６形
成用のレジスト膜15のパターンを形成する。 【００５６】次に、図４（ｅ）に示すように、ドライエ
ッチングによりパターニングされたレジスト膜15をマス
クとして遮光膜14をエッチングしてメインパターン５、
及びシフターパターン６形成用のマスクを作り、レジス
ト膜15を除去する。 【００５７】次いで，図４（ｆ）に示すように、再びレ
ジスト膜15を塗布する。 【００５８】図４（ｇ）に示すように、メインパターン
５形成用にレジスト膜15をパターニングする。 【００５９】図４（ｈ）に示すように、レジスト膜15を
マスクとして透明基板１を所定の深さにドライエッチン
グして多孔質化したドライエッチング面３を有するメイ
ンパターン５を得る。 【００６０】図４（ｉ）に示すように、レジスト膜15を
除去して、透明基板１上にメインパターン５と遮光膜14
内に補助パターンとしてのシフターパターン６を有する
補助パターン型位相シフトマスク16を完成する。 【００６１】続いて、本発明を補助パターン型の位相シ
フトマスクの製造方法に適用した第４の実施例につい
て、図５（ａ）〜（ｃ）により説明する。 【００６２】これは前述の第３の実施例と工程順序を変
えた例であり、図５（ａ）に示すように、一番先に透明
基板１の全面をドライエッチングすることなく、図４
（ｇ）の工程に相当する図５（ａ）の工程でメインパタ
ーン５内をドライエッチングして表面を多孔質化したド
ライエッチング面３とした後、図４（ｉ）の工程に相当
する図５（ｂ）において、既にドライエッチングされた
メインパターン５の領域と、遮光膜14で画定されたシフ
ターパターン６の領域を同時に同じ量だけドライエッチ
ングして、メインパターン５とシフターパターン６の表
面を共に多孔質化したドライエッチング面３とした例で
ある。 【００６３】以上の実施例において、エッチングガスに
は弗素原子を含む炭化水素からなるエッチングガス２と
してフロン14を使用したが、エッチングガスは弗素原子
を含む炭化水素からなるエッチングガス２に限らず、ア
ルゴン（Ａｒ）ガスや塩素ガス（Ｃｌ2 ）の使用が可能
である。 【００６４】最後に、ホトマスクパターンの検査方法の
実施例を説明する。 【００６５】先ず、本発明の検査方法の第１の実施例を
図７により説明する。 【００６６】測定するための 300ｎｍ以下の光源25とし
て、例えばＫｒＦ（２４８ｎｍ）や、ＡｒＦ（１９８ｎ
ｍ）の様なレーザ光源、或いは長波長成分をフィルター
でカットした遠紫外（ＤｅｅｐＵＶ）ランプを用いる。 【００６７】第１の実施例は比較検査の場合で、図７
（ａ）にシステム図で示すように、光源25をビームスプ
リッタ26で分岐し、レンズ27で比較検査を行う対称とな
る位相シフトマスク４上に光を集中させる。 【００６８】位相シフトマスク４を透過した光はホトト
ランジスタ等の検出器29でその透過光強度を測定し、図
７（ｂ）に示すように、シフターパターンの位置に対応
する透過光強度パターン30を、比較標準として用いる位
相シフトマスク４の正常なシフターパターンと検査対称
の不完全なシフターパターンからそれぞれ得る。 【００６９】両者の透過光強度パターン30の波形を光学
的に合成して、透過光強度合成パターン31を作成し、不
一致な強度を有する箇所（斜線部) に欠陥があると判定
する。 【００７０】本発明ではこのような判定を行う機能を光
学的に、或いは電気的に行うことができる。 【００７１】図７（ｃ）では分かりやすいように、光学
的に合成した波形の差によって、シフターパターン６の
エッチング残渣残り等の不均一性を検出する例を示して
あるが、実際には相互の波形を電気信号に変換して、二
値化による比較を行う場合が多い。 【００７２】本発明の検査方法の第１の実施例では、比
較検査の方法の例を示したが、次に検査方法の第２の実
施例としてＭＴ（磁気テープ）にあらかじめ収録したパ
ターンデータと検査対称のシフターパターンの形状検査
の比較検査方法について説明する。 【００７３】図８（ａ）の右側に示すように、磁気テー
プパターンデータ32は、図８（ｂ）に示す平面図形のマ
スクパターン33のイメージから、更に、図８（ｂ）の右
側に示すように、図８（ｂ）の左側の検出器29から得た
比較対称するパターンと同様な、透過光強度とパターン
の位置から得られる透過光強度パターン30の波形へと変
換される。そして検出器29からの不完全なシフターパタ
ーンから得られた図８（ｂ）の左側に示す透過光強度パ
ターン30と、図８（ｃ）に示すように合成して光学的
に、或いは電気的に比較され、不一致な強度を持つ箇所
（斜線部）に欠陥があると判定される。この場合、磁気
テープからの図形データは、デジタルなデータであるた
め、実際の測定値との補正が必要となる。 【００７４】更に、シフトパターンの線幅測定の場合
は、図８（ｃ）で示した透過光強度合成パターン31の波
形の様に、透過膜のエッチング部分を測定することによ
り、線幅として認識出来る。 【００７５】また、本発明のように、ガラス基板がプラ
ズマエッチングによって、被エッチング箇所が多孔質化
され、透過率が向上するために、位相シフトマスクに限
定されるものではなく、全般的な光学製品の透過率の増
加に適用できる。 【００７６】即ち、本発明の他の実施例として、表面を
プラズマ処理して多孔質化したガラス等の透明基板は、
エキシマレーザを用いた縮小投影露光装置の光学レンズ
やミラー系、或いは遠紫外波長領域における光学材料と
して広く応用することができる。 【００７７】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
全般的なホトマスクの製造方法において、Ａｒ−Ｆ等の
エキシマレーザーを光源として用いた縮小投影露光装置
でも、透明基板を用いたホトマスクの透過率が約８５〜
９０％と向上することによって、半導体製造に関する縮
小投影露光装置等の光学材料に起因する露光精度誤差、
及び転写パターンの歪等を軽減できる。 【００７８】即ち、高エネルギの光照射を必要とせず、
レンズやミラー等の表面焼けや、エネルギ吸収等による
ホトマスクの熱膨張や屈折率変動を防止することが可能
となる。更に、比較的簡単な処理で透過率の向上が望め
るため、遠紫外波長領域における光学系の最適化に対し
て、広く対応することが出来る。 【００７９】また、位相シフトマスクに関しては、マス
クのメインパターンとシフターパターンの光学特性の相
違を無くすことにより、更に、透明基板のエッチング量
を高精度で制御し、正確なパターン検査を実施すること
により、位相シフトマスクの段差を正確な高さに、ま
た、パターンを正確な寸法に形成して、位相シフト法の
効果をより向上させることにより、そして、パターンの
微細化、延いては半導体装置の高密度化、高精度化に寄
与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の第１の実施例の工程順模式断面図
【図３】 本発明の第２の実施例の工程順模式断面図
【図４】 本発明の第３の実施例の工程順模式断面図
【図５】 本発明の第４の実施例の工程順模式断面図
【図６】 ドライエッチング方法説明図
【図７】 本発明の検査方法の第１の実施例説明図
【図８】 本発明の検査方法の第２の実施例説明図
【図９】 従来技術による工程順模式断面図
【図１０】 従来例の説明図
【図１１】 従来例の検査方法
【符号の説明】
１ 透明基板
２ 弗素原子を含む炭化水素からなるエッチングガス
３ 多孔質化したドライエッチング面
４ 位相シフトマスク
５ メインパターン
６ シフターパターン
７ エッチングマスク
８ チャンバ
９ 光ファイバ
10 光源
11 透過光
12 光量計
13 ３００ｎｍ以下の波長の光
14 遮光膜
15 レジスト膜
16 補助パターン型位相シフトマスク
17 アノード電極
18 カソード電極
19 絶縁シールド
20 プラズマ
21 高周波発振機
22 ガス導入口
23 排気口
24 ドライエッチング装置
25 光源
26 ビームスプリッタ
27 レンズ
28 不完全なシフターパターン
29 検出器
30 透過光強度パターン
31 透過光強度合成パターン
32 磁気テープパターンデータ
33 マスクパターン
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】 【提出日】平成１４年１０月１７日（２００２．１０．
１７） 【手続補正１】 【補正対象書類名】明細書 【補正対象項目名】特許請求の範囲 【補正方法】変更 【補正内容】 【特許請求の範囲】 【請求項１】 ３００ｎｍ以下の波長の光を用い、透
明基板の透過率を測定することによって、該透明基板に
形成される位相シフトマスクのメインパターン及びシフ
ターパターンの表面の深さの均一性を検査することを特
徴とするホトマスクの検査方法。 【請求項２】 前記シフターパターンは、透明基板の
表面をプラズマ中に曝して多孔質化されていることを特
徴とする請求項１記載のホトマスクの検査方法。
【手続補正書】 【提出日】平成１４年１０月１７日（２００２．１０．
１７） 【手続補正１】 【補正対象書類名】明細書 【補正対象項目名】特許請求の範囲 【補正方法】変更 【補正内容】 【特許請求の範囲】 【請求項１】 ３００ｎｍ以下の波長の光を用い、透
明基板の透過率を測定することによって、該透明基板に
形成される位相シフトマスクのメインパターン及びシフ
ターパターンの表面の深さの均一性を検査することを特
徴とするホトマスクの検査方法。 【請求項２】 前記シフターパターンは、透明基板の
表面をプラズマ中に曝して多孔質化されていることを特
徴とする請求項１記載のホトマスクの検査方法。
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(72)発明者 石渡 直行
神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地
富士通株式会社内
(72)発明者 土井 一正
神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地
富士通株式会社内
(72)発明者 直江 光史
神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地
富士通株式会社内
Ｆターム(参考） 2F065 AA25 BB02 CC18 FF02 GG03
GG05 GG21 HH04 HH13 HH15
JJ01 JJ09 LL02 LL26 QQ04
QQ25 RR06 RR08
2G051 AA56 AA90 BA05 CB02 EA11
EB01
2H095 BB03 BD03
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 ３００ｎｍ以下の波長の光を用い、透
明基板の透過率を測定することによって、該透明基板に
形成される位相シフトマスクのメインパターン及びシフ
ターパターンの表面の深さの均一性を検査することを特
徴とするホトマスクの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002269681A JP2003177508A (ja) | 1992-09-07 | 2002-09-17 | ホトマスクの検査方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-237505 | 1992-09-07 | ||
| JP23750592 | 1992-09-07 | ||
| JP2002269681A JP2003177508A (ja) | 1992-09-07 | 2002-09-17 | ホトマスクの検査方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001238373A Division JP3463676B2 (ja) | 1992-09-07 | 2001-08-06 | 透明基板のドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003177508A true JP2003177508A (ja) | 2003-06-27 |
Family
ID=26533239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002269681A Pending JP2003177508A (ja) | 1992-09-07 | 2002-09-17 | ホトマスクの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003177508A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04318550A (ja) * | 1991-04-17 | 1992-11-10 | Nikon Corp | 欠陥検査装置 |
| JPH04321047A (ja) * | 1991-01-21 | 1992-11-11 | Nikon Corp | フォトマスク検査装置及びフォトマスク検査方法 |
-
2002
- 2002-09-17 JP JP2002269681A patent/JP2003177508A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04321047A (ja) * | 1991-01-21 | 1992-11-11 | Nikon Corp | フォトマスク検査装置及びフォトマスク検査方法 |
| JPH04318550A (ja) * | 1991-04-17 | 1992-11-10 | Nikon Corp | 欠陥検査装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031021 |