JP2003174010A - Substrate treating liquid recovering device and substrate treating device including the same - Google Patents

Substrate treating liquid recovering device and substrate treating device including the same

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JP2003174010A
JP2003174010A JP2001370469A JP2001370469A JP2003174010A JP 2003174010 A JP2003174010 A JP 2003174010A JP 2001370469 A JP2001370469 A JP 2001370469A JP 2001370469 A JP2001370469 A JP 2001370469A JP 2003174010 A JP2003174010 A JP 2003174010A
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Japan
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substrate
annular
processing liquid
processing
port
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JP2001370469A
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Japanese (ja)
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Riichiro Harano
理一郎 原野
Kiyohiro Yoshino
精宏 吉野
Toru Watari
徹 亘
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SUPURAUTO KK
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SUPURAUTO KK
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treating liquid recovering device that can maintain the recovering efficiency of a substrate treating liquid without deteriorating the quality of a substrate regardless of the rotational speed of the substrate. <P>SOLUTION: This substrate treating liquid recovering device (8) has an annular flow channel (32) provided with an annular inlet port (34) which accepts a treating liquid supplied to the upper surface of the substrate (W) and splashed radially outward by the centrifugal force while the substrate is rotated around a vertical axis (2), an outlet port (36) from which the accepted treating liquid flows out, and an exhaust port (38) from which the mist of the treating liquid is discharged. The outer internal wall (100) of the recovering device (8) in the radial direction to which the treating liquid first immerges has a slope (104) inclined outward and downward in the radial direction so that the treating liquid may be guided to the downstream side from the inlet port (34) regardless of the rotational speed of the substrate (W). In addition, the vertical cross section of the flow channel (32) from the inlet port (34) to the outlet port (36) is formed in a downwardly extending inclined dog leg shape. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板用処理液の回
収装置及びそれを含む基板の処理装置に係わり、更に詳
細には、基板の周囲を取り囲むように配置された環状流
入口から処理液を回収する基板用処理液の回収装置及び
それを含む基板の処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for recovering a processing liquid for a substrate and a processing apparatus for a substrate including the same, and more specifically, to a processing liquid from an annular inlet arranged to surround the periphery of the substrate. The present invention relates to a substrate processing liquid recovery apparatus for recovering a substrate and a substrate processing apparatus including the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】基板を枚葉式に処理する際、処理液を回
収するための装置が、例えば特開平5−283395号
公報に開示されている。図7は、この公報に開示されて
いる、処理液回収装置を含む基板処理装置の概略図であ
る。
2. Description of the Related Art An apparatus for recovering a processing liquid when a substrate is processed in a single wafer system is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 5-283395. FIG. 7 is a schematic view of the substrate processing apparatus including the processing liquid recovery apparatus disclosed in this publication.

【0003】図7に示すように、基板処理装置180
は、下方から支持された基板Wを鉛直軸線182を中心
に回転させることにより、基板Wの表面を処理液によっ
て処理する基板の処理手段184と、処理後の処理液を
回収するための処理液回収装置186とを有している。
処理液回収装置186は、遠心力によって基板Wの半径
方向外方に飛ばされる処理液を受け入れるために基板W
の周囲を取り囲むように配置された環状流入口188
と、この環状流入口188から流入した処理液が流出す
る流出口190とを備えた環状カナル192を有してい
る。この環状カナル192の上方には、飛ばされてきた
処理液を受け止めるために、鉛直方向に延びる環状壁1
94が設けられている。また、環状カナル192は、流
出口190の下流側に排気口196を備えている。この
ような構成によれば、基板Wを処理した処理液は、遠心
力によって基板Wの半径外方に飛ばされ、細かいしずく
となって環状流入口188を通って環状壁194にぶつ
かり、環状カナル192内に受け入れられる。次いで、
処理液のしずくは、環状カナル192内で凝縮し、例え
ばポンプによって、流出口190から排出される。それ
により、処理液を回収することができる。また、排気口
196から環状カナル192内の空気を吸引し、環状カ
ナル192内に一定の空気流を生じさせるようにしてお
り、環状カナル192内の処理液のミストも排気され
る。
As shown in FIG. 7, a substrate processing apparatus 180
Is a substrate processing means 184 for treating the surface of the substrate W with a treatment liquid by rotating the substrate W supported from below about a vertical axis 182, and a treatment liquid for collecting the treatment liquid after the treatment. And a recovery device 186.
The processing liquid recovery device 186 receives the processing liquid that is blown outward in the radial direction of the substrate W by the centrifugal force.
An annular inlet 188 arranged so as to surround the circumference of the
And an outflow port 190 through which the processing liquid flowing in from the inflow port 188 flows out. Above the annular canal 192, an annular wall 1 extending in the vertical direction is provided in order to receive the processing liquid that has been blown off.
94 is provided. Further, the annular canal 192 is provided with an exhaust port 196 on the downstream side of the outflow port 190. According to such a configuration, the processing liquid that has processed the substrate W is blown to the outside of the radius of the substrate W by the centrifugal force, becomes fine droplets, hits the annular wall 194 through the annular inflow port 188, and the annular canal Accepted within 192. Then
Droplets of the processing liquid condense in the annular canal 192 and are discharged from the outlet 190 by, for example, a pump. Thereby, the processing liquid can be collected. Further, the air in the annular canal 192 is sucked from the exhaust port 196 to generate a constant air flow in the annular canal 192, and the mist of the processing liquid in the annular canal 192 is also exhausted.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
処理液回収装置には以下のような技術的問題を有する。
However, the above-mentioned treatment liquid recovery apparatus has the following technical problems.

【0005】第1の問題は、基板用処理液の回収の際に
発生したミストが、基板Wの処理面に降りかかり、基板
Wの品質を劣化させることである。より詳細には、遠心
力によって基板Wの放射方向に飛散した処理液が環状壁
194にぶつかる際、かなりの量の処理液のミストが発
生する。また、鉛直方向に延びる環状壁194にほぼ水
平方向にぶつかった処理液は、基板Wに戻るようにはね
返る。このため、処理液のミストは、基板Wに戻るよう
にはね返った処理液の流れに乗って、環状流入口188
から基板Wに向って浮遊し、ついには、基板Wの上面に
降りかかる。それにより、処理後の基板Wの品質を劣化
させることになる。
The first problem is that the mist generated during the recovery of the processing liquid for the substrate falls on the processing surface of the substrate W and deteriorates the quality of the substrate W. More specifically, when the processing liquid scattered in the radial direction of the substrate W hits the annular wall 194 by the centrifugal force, a considerable amount of the processing liquid mist is generated. Further, the processing liquid, which hits the annular wall 194 extending in the vertical direction in a substantially horizontal direction, bounces back to the substrate W. Therefore, the mist of the processing liquid rides on the flow of the processing liquid that rebounds so as to return to the substrate W, and the ring-shaped inlet 188.
Floats toward the substrate W and finally reaches the upper surface of the substrate W. As a result, the quality of the processed substrate W is deteriorated.

【0006】更に、通常の高速回転処理を行う場合であ
っても、回転速度が常に一定であるわけではなく、処理
液が飛散する方向は、基板の回転速度の変化によって変
化する。このため、いかなる回転速度においても処理液
を基板Wに向って浮遊させないようにする要望がある。
Further, even when a normal high speed rotation process is performed, the rotation speed is not always constant, and the direction in which the processing liquid is scattered changes depending on the change in the rotation speed of the substrate. Therefore, there is a demand to prevent the processing liquid from floating toward the substrate W at any rotation speed.

【0007】第2の問題は、上述のように、回収の際に
かなりの量の処理液のミストが発生するため、処理液の
回収効率を悪化させることである。
The second problem is that, as described above, a considerable amount of mist of the processing liquid is generated during the recovery, which deteriorates the recovery efficiency of the processing liquid.

【0008】第3の問題は、基板Wを低速で回転させ、
或いは、静止させ、処理液を基板Wの上面に滞留させて
基板Wの表面を処理するバドリング処理を行う場合、処
理液が、環状流入口188まで飛んでいかないので、処
理液をほとんど回収できないことである。
The third problem is that the substrate W is rotated at a low speed,
Alternatively, in a case where the bubbling process is performed in which the surface of the substrate W is processed by standing still and allowing the processing liquid to stay on the upper surface of the substrate W, the processing liquid does not flow to the annular inflow port 188, and thus the processing liquid can hardly be collected. That is.

【0009】以上の課題に鑑み、本発明の目的は、通常
の高速回転処理において、基板の回転速度と無関係に、
基板の品質を劣化させることなく、処理液の回収効率を
確保することが可能な基板用処理液の回収装置及びそれ
を含む基板処理装置を提供することにある。
In view of the above problems, it is an object of the present invention to perform a normal high-speed rotation process regardless of the rotation speed of the substrate.
It is an object of the present invention to provide a processing liquid recovery device for a substrate and a substrate processing device including the same, which can ensure the recovery efficiency of the processing liquid without degrading the quality of the substrate.

【0010】また、本発明の目的は、通常の高速回転処
理を行う場合であっても、パドリング処理を行う場合で
あっても、基板の品質を劣化させることなく、処理液の
回収効率を確保することが可能な基板用処理液の回収装
置を提供することにある。
Further, an object of the present invention is to secure the recovery efficiency of the processing liquid without deteriorating the quality of the substrate regardless of whether the normal high speed rotation processing or the paddling processing is performed. An object of the present invention is to provide an apparatus for recovering a processing liquid for a substrate that can be used.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による基板用処理液の回収装置は、下方から
支持されながら略鉛直の軸線を中心に回転する基板の上
面に供給され、遠心力によって基板の半径方向外方に飛
ばされる処理液を受け入れ可能なように、基板の周囲を
取り囲むように配置された環状流入口と、この環状流入
口から流入した処理液が流出する流出口と、前記流出口
の下流側に設けた、処理液から生じるミストを排気する
ための排気口と、を備えた環状流路を有する基板用処理
液を回収するための基板用処理液の回収装置において、
環状流入口から流入する処理液が環状流路の内壁にぶつ
かるような回転数で基板が回転する際、基板の回転速度
に係らず処理液が環状流入口から下流方向に案内される
ように、処理液が最初にぶつかる環状流路の半径方向外
側の内壁が、基板の半径方向外方に向って下方に傾斜す
る傾斜面を有すると共に、鉛直軸線を含む環状流路の環
状流入口から流出口までの鉛直断面形状が、上記傾斜面
を含み且つ下方に延びる略斜めくの字状に形成されるこ
とを特徴としている。
In order to achieve the above object, a substrate processing solution recovery apparatus according to the present invention is supplied to the upper surface of a substrate which is supported from below and which rotates about a substantially vertical axis. An annular inlet arranged so as to surround the periphery of the substrate so as to be able to receive the processing liquid that is blown outward in the radial direction by the centrifugal force, and an outlet from which the processing liquid that has flowed in from this annular inlet flows out. And a substrate processing liquid recovery device for recovering the substrate processing liquid having an annular flow path provided with the exhaust port for exhausting the mist generated from the processing liquid, which is provided on the downstream side of the outlet. At
When the substrate is rotated at a rotational speed such that the processing liquid flowing in from the annular inlet collides with the inner wall of the annular passage, the processing liquid is guided in the downstream direction from the annular inlet regardless of the rotation speed of the substrate, The inner wall on the outer side in the radial direction of the annular flow path where the processing liquid first collides has an inclined surface that is inclined downward toward the outer side in the radial direction of the substrate, and the outlet from the annular flow inlet of the annular flow path including the vertical axis. It is characterized in that the vertical cross-sectional shape up to is formed in a substantially oblique shape including the inclined surface and extending downward.

【0012】このように構成された本発明による基板用
処理液の回収装置においては、下方から支持されながら
略鉛直の軸線を中心に回転する基板の上面に供給された
処理液は、遠心力によって基板の半径方向外方に飛ばさ
れ、基板の周囲を取り囲むように配置された環状流入口
に受け入れられる。環状流入口から流入した処理液が環
状流路の内壁にぶつかるような回転数で基板が回転する
際、即ち、通常の高速回転処理の際、回転数の変化によ
り処理液の飛散方向が変化するけれども、処理液が最初
にぶつかる環状流路の半径方向外側の内壁が、基板の半
径方向外方に向って下方に傾斜する傾斜面を有するの
で、基板の回転数に係らず処理液が下流方向に案内され
る。更に、鉛直軸線を含む環状流路の環状流入口から流
出口までの鉛直断面形状が、基板の回転数に係らず処理
液が下流方向に案内されるように上記傾斜面を含み且つ
下方に延びる略斜めくの字状に形成されているので、最
初に環状流路の半径方向外側の内壁にぶつかった処理液
は、環状流路の半径方向外側及び/又は半径方向内側の
内壁にぶつかりながら常に下流方向に且つ下方に流出口
まで案内され、流出口から流出する。それにより、処理
液を回収することができる。くの字状の環状流路は、上
に凸であっても良いし、下に凸であっても良い。また、
上述のような処理液の下流方向への流れにより、処理液
が環状流路の内壁にぶつかったときに生じる処理液のミ
ストも下流方向に案内されることとなり、その結果、ミ
ストが環状流入口から基板に向って浮遊するのが防止さ
れると共に、下流方向に案内されたミストが環状流路の
内壁で凝縮し、処理液として流出口に案内される。それ
により、通常の高速回転処理において、基板の回転数に
係らず、基板の品質を劣化させることなく処理液の回収
効率を確保することができる。次いで、流出口で回収で
きなかった処理液のミストだけが排気口から排気され
る。
In the apparatus for recovering a processing liquid for a substrate according to the present invention thus constructed, the processing liquid supplied to the upper surface of the substrate which is supported from below and which rotates about a substantially vertical axis is generated by centrifugal force. It is flown radially outward of the substrate and is received in an annular inlet arranged so as to surround the periphery of the substrate. When the substrate rotates at a rotation speed such that the processing liquid flowing in from the annular inlet collides with the inner wall of the annular flow path, that is, during normal high-speed rotation processing, the scattering direction of the processing liquid changes depending on the rotation speed. However, since the inner wall on the outer side in the radial direction of the annular flow path where the processing liquid first collides has an inclined surface that is inclined downward toward the outer side in the radial direction of the substrate, the processing liquid is directed in the downstream direction regardless of the rotation speed of the substrate. Will be guided to. Furthermore, the vertical cross-sectional shape of the annular flow path including the vertical axis from the annular inlet to the outlet includes the above inclined surface and extends downward so that the processing liquid is guided in the downstream direction regardless of the rotation speed of the substrate. Since it is formed in a substantially diagonal V shape, the processing liquid that first collides with the radially outer inner wall of the annular channel always collides with the radially outer and / or radially inner inner wall of the annular channel. It is guided to the outlet in the downstream direction and downward, and flows out from the outlet. Thereby, the processing liquid can be collected. The dogleg-shaped annular channel may be convex upward or convex downward. Also,
Due to the above-described flow of the processing liquid in the downstream direction, the mist of the processing liquid generated when the processing liquid collides with the inner wall of the annular flow path is also guided in the downstream direction. It is prevented that the mist floats toward the substrate, and the mist guided in the downstream direction is condensed on the inner wall of the annular channel and is guided to the outlet as the processing liquid. As a result, in a normal high-speed rotation process, regardless of the number of rotations of the substrate, the recovery efficiency of the processing liquid can be secured without degrading the quality of the substrate. Then, only the mist of the processing liquid that could not be collected at the outlet is exhausted from the exhaust port.

【0013】本発明の回収装置において、好ましくは、
環状流路の前記環状流入口から前記流出口までの鉛直断
面形状は、上に凸の略斜めくの字状であり、排気口は、
流出口の半径方向内方に設置され、環状流路は、流出口
から排気口までの鉛直軸線を含む鉛直断面形状が略逆U
字形状に形成される。このような構成にすることによ
り、環状流路をコンパクトに構成することができ、回収
装置の占有スペースを小さくすることができる。
In the recovery device of the present invention, preferably,
The vertical cross-sectional shape of the annular flow path from the annular inflow port to the outflow port is an upwardly convex, substantially diagonal V shape, and the exhaust port is
The annular flow path is installed radially inward of the outlet, and the vertical cross-sectional shape of the annular flow path including the vertical axis from the outlet to the exhaust port is substantially inverted U.
It is formed in a letter shape. With such a configuration, the annular channel can be made compact and the space occupied by the recovery device can be reduced.

【0014】本発明の回収装置において、好ましくは、
環状流路は、処理液が前記環状流入口から前記流出口を
通って流出するまでの間に前記環状流路の内壁に少なく
とも複数回ぶつかるように形成される。
In the recovery apparatus of the present invention, preferably
The annular flow passage is formed so as to hit the inner wall of the annular flow passage at least a plurality of times before the processing liquid flows out from the annular flow inlet through the outlet.

【0015】また、本発明の回収装置において、好まし
くは、環状流路の環状流入口から流出口に至る部分の半
径方向外側の内壁の、鉛直軸線を含む鉛直断面部は、環
状流路の上流側に位置する辺とこの辺の下流側に隣接し
て位置する辺とのなす角度が下流方向に向かうにつれて
増大する多角形状に形成される。
Further, in the recovery apparatus of the present invention, preferably, the vertical cross-section portion including the vertical axis of the radially inner inner wall of the portion of the annular passage extending from the annular inlet to the outlet is upstream of the annular passage. It is formed in a polygonal shape in which the angle formed by the side located on the side and the side located adjacent to the downstream side of the side increases in the downstream direction.

【0016】また、本発明の回収装置において、好まし
くは、更に、流出口の下方に配置され且つ環状流路と連
通した環状溝を有し、この環状溝の環状底面は、周方向
に傾斜し、この環状底面の最低位置に本流出口が設けら
れる。
Further, in the recovery apparatus of the present invention, preferably, further, there is an annular groove arranged below the outflow port and communicating with the annular flow path, and the annular bottom surface of this annular groove is inclined in the circumferential direction. The main outlet is provided at the lowest position of this annular bottom surface.

【0017】また、本発明の回収装置において、好まし
くは、排気口は、周方向に複数設けられ、排気口を介し
て環状流路と連通し且つ共通の本排気口と連通する互い
に独立した複数の分岐排気管路を更に有し、各分岐排気
管路のコンダクタンスが互いに同じになるように、各排
気口の面積及び配置及び各分岐排気管路の径及び長さが
構成される。
Further, in the recovery apparatus of the present invention, preferably, a plurality of exhaust ports are provided in the circumferential direction, and a plurality of independent exhaust ports are connected to the annular flow path through the exhaust ports and to the common main exhaust port. The branch exhaust pipe line is further provided, and the area and arrangement of each exhaust port and the diameter and length of each branch exhaust pipe line are configured such that the conductances of the branch exhaust pipe lines are the same.

【0018】また、本発明の回収装置において、更に、
パドリング処理の際に環状流路外を環状流入口から下方
に流れる処理液を回収するための上向き環状ポケット
を、環状流入口の下方に有するのが好ましい。このよう
な構成による本発明の回収装置においては、通常の高速
回転処理を行う場合であっても、パドリング処理を行う
場合であっても、基板の品質を劣化させることなく、処
理液の回収効率を確保することができる。
Further, in the recovery apparatus of the present invention,
It is preferable to have an upward annular pocket below the annular inlet for collecting the processing liquid flowing downward from the annular inlet outside the annular flow path during the paddling process. In the recovery apparatus of the present invention having such a configuration, the recovery efficiency of the processing liquid can be improved without deteriorating the quality of the substrate regardless of whether the normal high-speed rotation processing is performed or the paddling processing is performed. Can be secured.

【0019】また、上記目的を達成するために、本発明
による基板の処理装置は、上下方向に積み重ねて配置さ
れた複数の基板の処理ユニットを有し、この複数の基板
の処理ユニットのそれぞれは、基板を下方から支持する
ための基板支持手段と、基板を略鉛直な軸線を中心に回
転させるための基板回転手段と、基板の表面に処理液を
供給するための処理液供給手段と、基板の表面を処理液
によって処理した後の処理液を回収するための処理液回
収手段とを有し、この処理液回収手段は、遠心力によっ
て基板の半径方向外方に飛ばされる処理液を受け入れ可
能なように、基板の周囲を取り囲むように配置された環
状流入口と、この環状流入口から流入した処理液が流出
する流出口と、流出口の下流側に設けた、処理液から生
じるミストを排気するための排気口と、を備えた環状流
路を有する基板の処理装置において、環状流入口から流
入する処理液が環状流路の内壁にぶつかるような回転数
で基板が回転する際、基板の回転速度に係らず処理液が
環状流入口から下流方向に案内されるように、処理液が
最初にぶつかる環状流路の半径方向外側の内壁が、基板
の半径方向外方に向って下方に傾斜する傾斜面を有する
と共に、鉛直軸線を含む環状流路の環状流入口から流出
口までの鉛直断面形状が、上記傾斜面を含み且つ下方に
延びる略斜めくの字状に形成されることを特徴としてい
る。
Further, in order to achieve the above object, the substrate processing apparatus according to the present invention has a plurality of substrate processing units which are vertically stacked and arranged, and each of the plurality of substrate processing units is provided. A substrate supporting means for supporting the substrate from below, a substrate rotating means for rotating the substrate about a substantially vertical axis, a processing liquid supply means for supplying a processing liquid to the surface of the substrate, and a substrate And a treatment liquid collecting means for collecting the treatment liquid after the surface of the substrate is treated with the treatment liquid, and the treatment liquid collecting means can receive the treatment liquid which is blown outward in the radial direction of the substrate by the centrifugal force. As described above, an annular inflow port arranged so as to surround the periphery of the substrate, an outflow port through which the processing liquid flowing from the annular inflow port flows out, and a mist generated from the processing liquid provided on the downstream side of the outflow port exhaust In an apparatus for processing a substrate having an annular flow path provided with an exhaust port for, when the substrate is rotated at a rotation speed such that the processing liquid flowing from the annular flow inlet collides with the inner wall of the annular flow path, The inner wall on the radially outer side of the annular flow path where the processing liquid first collides is inclined downward toward the outer side in the radial direction of the substrate so that the processing liquid is guided downstream from the annular inlet regardless of the rotation speed. And a vertical cross-sectional shape of the annular flow path including the vertical axis from the annular inlet to the outlet is formed in a substantially oblique shape including the inclined surface and extending downward. I am trying.

【0020】このように構成された本発明による基板の
処理装置は、上述の特徴を有する基板用処理液の回収装
置を含んでいるので、それと同様、通常の高速回転処理
において、基板の回転速度に係らず、基板の品質を劣化
させることなく、処理液の回収効率を確保することがで
きる。
Since the substrate processing apparatus according to the present invention having the above-described structure includes the substrate processing solution recovering apparatus having the above-described characteristics, similarly to the above, the rotation speed of the substrate in the normal high-speed rotation processing is increased. Regardless of this, it is possible to secure the recovery efficiency of the processing liquid without degrading the quality of the substrate.

【0021】本発明の基板の処理装置において、好まし
くは、複数の基板の処理ユニットそれぞれの排気口は、
周方向に複数設けられ、排気口を介して環状流路と連通
し且つ共通の本排気口と連通する互いに独立した複数の
分岐排気管路を更に有し、各分岐排気管路のコンダクタ
ンスが互いに同じになるように、各排気口の面積及び配
置及び各分岐排気管路の径及び長さが構成され、各処理
ユニットの本排気口は、上又は下の処理ユニットから下
又は上の処理ユニットに向かって順に接続された後、単
一の排気手段に接続され、各本排気口からの排気量が均
一になるように、処理ユニットが排気手段に近づくにつ
れて処理ユニットの本排気口の断面積が小さくなる。
In the substrate processing apparatus of the present invention, preferably, the exhaust port of each of the plurality of substrate processing units is
A plurality of branch exhaust pipes, which are provided in the circumferential direction and communicate with the annular flow path through the exhaust port and communicate with the common main exhaust port, are further provided, and the conductances of the branch exhaust pipe lines are mutually different. The area and arrangement of each exhaust port and the diameter and length of each branch exhaust pipe line are configured to be the same, and the main exhaust port of each processing unit is located above or below the processing unit or below or above the processing unit. , And then connected to a single exhaust means, so that the exhaust volume from each main exhaust port becomes uniform, the cross-sectional area of the main exhaust port of the processing unit approaches as the processing unit approaches the exhaust means. Becomes smaller.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下、図1乃至図5を参照しなが
ら、本発明による基板用処理液の回収装置をの実施形態
を詳細に説明する。図1は、本発明の実施形態である基
板用処理液の回収装置を含む基板の処理ユニットの部分
縦断面図であり、図2及び図3は、図1の回収装置の異
なる位置における横断面図であり、図4は、図1の基板
処理ユニットの図1と異なる位置における部分縦断面図
である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of a substrate processing liquid recovery apparatus according to the present invention will be described in detail below with reference to FIGS. FIG. 1 is a partial vertical cross-sectional view of a substrate processing unit including a substrate processing liquid recovery apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are horizontal cross-sectional views of the recovery apparatus of FIG. 1 at different positions. FIG. 4 is a partial vertical cross-sectional view of the substrate processing unit of FIG. 1 at a position different from that of FIG. 1.

【0023】図1に示すように、基板の処理ユニット1
は、基板Wを下方から支持し且つ鉛直軸線2を中心にモ
ータ等の回転手段(図示せず)によって回転可能なチャッ
ク4と、基板Wを処理する基板用処理液を基板の上面に
供給する供給ノズル6と、基板Wの周囲に配置されたの
基板用処理液の回収装置8を有している。基板Wは、図
1のように、チャック4の上面10に設けられたガス噴
出口12からベルヌイ効果又はエアベアリング効果を利
用して非接触で保持され、チャック4の上面10に設け
られたピン14によって水平方向の移動が制限されるの
が好ましいが、基板Wを吸着式チャックで支持しても良
い。チャック4の側面16は、チャック4の上面10の
周縁18から下方に向って半径方向内方に湾曲した後、
チャック4の下面20まで下方に延びている。チャック
4の下面20の周縁近傍には、環状凹部22が設けられ
ている。また、供給ノズル6は、処理液を供給するため
の処理液供給源24に接続されている。処理液は、酸、
アルカリ又は有機溶媒等の薬液、純水、脱イオン水等で
あり、処理内容に応じて、たとえば除去洗浄する対象
が、パーティクル、ポリマー、金属等のどの異物か、或
いは酸化膜、窒化膜、CMPによって発生した変質膜の
どの膜であるのかに応じて、適宜決定される。
As shown in FIG. 1, a substrate processing unit 1
Is a chuck 4 which supports the substrate W from below and can be rotated about a vertical axis 2 by a rotating means (not shown) such as a motor, and a substrate processing liquid for processing the substrate W is supplied to the upper surface of the substrate. It has a supply nozzle 6 and a substrate processing liquid recovery device 8 arranged around the substrate W. As shown in FIG. 1, the substrate W is held in a non-contact manner from the gas ejection port 12 provided on the upper surface 10 of the chuck 4 by utilizing the Bernoulli effect or the air bearing effect, and the pin provided on the upper surface 10 of the chuck 4 is held. Although the movement in the horizontal direction is preferably limited by 14, the substrate W may be supported by a suction chuck. After the side surface 16 of the chuck 4 is curved inward in the radial direction downward from the peripheral edge 18 of the upper surface 10 of the chuck 4,
It extends downward to the lower surface 20 of the chuck 4. An annular recess 22 is provided near the periphery of the lower surface 20 of the chuck 4. Further, the supply nozzle 6 is connected to a processing liquid supply source 24 for supplying the processing liquid. The treatment liquid is acid,
A chemical liquid such as an alkali or an organic solvent, pure water, deionized water, etc., and depending on the processing content, for example, the object to be removed and washed is any foreign matter such as particles, polymers, metals, or oxide film, nitride film, CMP It is appropriately determined depending on which of the altered films generated by the above.

【0024】回収装置8は、下側環状体26と、下側環
状体26の上に配置された外側環状体28及び内側環状
体30とを有している。これらの環状体26、28、3
0により、処理液を回収するための曲がりくねった環状
流路32が構成されている。環状流路32は、基板Wか
ら半径方向外方に飛ばされた処理液を受入れるために基
板W及びチャック4の周縁18を取り囲むように配置さ
れると共に環状流路32の始点を構成する環状流入口3
4と、環状流路32の途中に設けられ、環状流入口34
から流入した処理液を流出させるための環状流出口36
と、環状流路32の終点に位置し、処理液のミストを排
気する排気口38とを有している。以下、環状流路32
において、環状流入口34側を上流側と称し、排気口3
8側を下流側と称する。
The recovery device 8 has a lower annular body 26, and an outer annular body 28 and an inner annular body 30 arranged on the lower annular body 26. These annular bodies 26, 28, 3
0 forms a meandering annular flow path 32 for collecting the processing liquid. The annular flow path 32 is arranged so as to surround the substrate W and the peripheral edge 18 of the chuck 4 in order to receive the processing liquid that has been blown radially outward from the substrate W, and also constitutes the starting point of the annular flow path 32. Entrance 3
4 and an annular inflow port 34 provided in the middle of the annular flow path 32.
Annular outlet 36 for letting out the processing liquid flowing in from
And an exhaust port 38 located at the end of the annular flow path 32 for exhausting the mist of the processing liquid. Hereinafter, the annular flow path 32
, The annular inlet 34 side is referred to as the upstream side, and the exhaust port 3
The 8 side is called the downstream side.

【0025】図1及び図2に示すように、環状流出口3
6は、下側環状体26に形成され、下側環状体26は、
環状流出口36から下方に延びる環状溝40を有してい
る。環状溝40の環状溝底面42は、環状流出口36か
ら環状溝40内に流入した処理液が重力によってその最
低位置にある本流出口44に集まるように周方向に傾斜
している。下側環状体26は、本流出口44から半径方
向外方に斜め下方に延びる流出管路46を有し、この流
出管路46は、継手48を経て三方弁50の1つのポー
ト52に接続されている。三方弁50の残りのポートの
一方54は、処理液循環装置56を介して処理液供給源
24に接続され、他方のポート58は、廃棄用管路60
に接続されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the annular outlet 3
6 is formed on the lower annular body 26, and the lower annular body 26 is
It has an annular groove 40 extending downward from the annular outlet 36. The annular groove bottom surface 42 of the annular groove 40 is inclined in the circumferential direction so that the treatment liquid flowing into the annular groove 40 from the annular outlet 36 is collected by gravity at the main outlet 44 at its lowest position. The lower annular body 26 has an outflow conduit 46 extending obliquely downward in the radial direction outward from the main outlet 44, and the outflow conduit 46 is connected to one port 52 of the three-way valve 50 via a joint 48. ing. One of the remaining ports 54 of the three-way valve 50 is connected to the processing liquid supply source 24 via the processing liquid circulation device 56, and the other port 58 is connected to the disposal line 60.
It is connected to the.

【0026】また、図1に示すように、下側環状体26
と内側環状体30とが協働して、チャック4の側面16
の下方に臨む環状ポケット62を構成しており、この環
状ポケット62は、環状流路32と分離し且つそれより
も半径方向内方に設けられている。詳細には、環状ポケ
ット62は、チャック4の周縁18に近接した位置から
チャック4の下面20を越えて下側環状体26まで下方
に延びる内側環状体30の環状内面64と、この環状内
面64に接続し且つそれから半径方向内方に延びるよう
に下側環状体26に構成された環状ポケット底面66
と、この環状ポケット底面66と接続し且つ下側環状体
26からチャック4の環状凹部22の中まで上方に延び
る下側環状体26の突出部68の環状外面70とから構
成されている。図1及び図2に示すように、環状ポケッ
ト底面66は、環状ポケット62内に流入した処理液が
重力によってその最低位置にある連絡口72に集まるよ
うに周方向に傾斜している。下側環状体26は、連絡口
72から半径方向外方に斜め下方に延びる連絡管路74
を有し、この連絡管路74は、本流出口44を経て流出
管路46に連通している。
Further, as shown in FIG. 1, the lower annular member 26
And the inner annular body 30 cooperate to form the side surface 16 of the chuck 4.
And an annular pocket 62 which faces the lower part of the annular pocket 62. The annular pocket 62 is separated from the annular flow path 32 and is provided radially inward of the annular flow path 32. Specifically, the annular pocket 62 includes an annular inner surface 64 of the inner annular body 30 extending downward from the position close to the peripheral edge 18 of the chuck 4 to the lower annular body 26 beyond the lower surface 20 of the chuck 4, and the annular inner surface 64. An annular pocket bottom surface 66 configured in the lower annulus 26 to connect to and extend radially inwardly therefrom.
And an annular outer surface 70 of a protrusion 68 of the lower annular body 26 which is connected to the annular pocket bottom surface 66 and extends upward from the lower annular body 26 into the annular recess 22 of the chuck 4. As shown in FIGS. 1 and 2, the bottom surface 66 of the annular pocket is inclined in the circumferential direction so that the processing liquid flowing into the annular pocket 62 collects at the communication port 72 at the lowest position by gravity. The lower annular body 26 has a connecting pipe line 74 extending obliquely downward from the connecting port 72 outward in the radial direction.
This communication line 74 communicates with the outflow line 46 via the main outlet 44.

【0027】図2及び図3に示すように、処理液のミス
トを排気する排気口38は、環状ポケット62よりも半
径方向外方に且つ環状流出口36よりも半径方向内方に
位置し、周方向に8つ設けられている。図3に示すよう
に、排気口38は、4つのグループに分けられ、各グル
ープごとに、独立した分岐排気管路76を有し、各分岐
排気管路76は、本排気口78を有する単一の本排気管
路80に接続されている。詳細には、本排気管路80に
最も近い1つの排気口38aは、分岐排気管路76aを
有し、本排気管路80からその次に近い2つの排気口3
8b並びに38cはそれぞれ、分岐排気管路76b及び
76cを有し、本排気管路80から最も遠い3つの排気
口38dは、分岐排気管路76dを有している。図3及
び図4に示すように、分岐排気管路76bは、排気口3
8bの下方から排気口38bと同じ半径方向位置を周方
向に本排気管路80に向って延び、分岐排気管路76b
に向って断面が広がる本排気管路80に接続している。
同様に、分岐排気管路76cも本排気管路80に接続し
ている。分岐排気管路76dは、いったん排気口38d
の下方から排気口38dと同じ半径方向位置を周方向両
側に延び、分岐排気管路76b及び76cとの連通を防
ぐために半径方向外方に延びた後、分岐排気管路76b
及び76cの半径方向外方にオフセットされた半径方向
位置を本排気管路80に向って周方向両側に延びて、本
排気管路80に接続している。図1及び図4に示すよう
に、これらの分岐排気管路76は、環状溝40と干渉し
ないように、環状溝40よりも下方に配置されている。
かくして、各排気口38は、それから下方に延びる管路
82、各分岐排気管路76、本排気管路80を経て本排
気口78と連通している。各排気口78の数、開口面積
及び配置、排気口78のグループの分け方及び各分岐排
気管路76の経路及び長さは、上述の実施形態に限るも
のではなく、各分岐排気管路76のコンダクタンスが均
一になるように、即ち、各分岐排気管路76からの排気
量が均一になるように定められる。本排気口78には、
図示していない排気装置が接続されている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the exhaust port 38 for exhausting the mist of the processing liquid is located radially outward of the annular pocket 62 and radially inward of the annular outlet 36. Eight are provided in the circumferential direction. As shown in FIG. 3, the exhaust ports 38 are divided into four groups, and each group has an independent branch exhaust pipe line 76, and each branch exhaust pipe line 76 has a single exhaust port 78. It is connected to one main exhaust line 80. In detail, the one exhaust port 38a closest to the main exhaust pipe line 80 has the branch exhaust pipe line 76a, and the two exhaust ports 3 which are next to the main exhaust pipe line 80 next thereto.
8b and 38c have branch exhaust pipe lines 76b and 76c, respectively, and the three exhaust ports 38d farthest from the main exhaust pipe line 80 have branch exhaust pipe lines 76d. As shown in FIGS. 3 and 4, the branch exhaust pipe line 76 b is connected to the exhaust port 3
8b extends from the lower side of 8b in the same radial position as the exhaust port 38b in the circumferential direction toward the main exhaust pipe line 80, and branches exhaust pipe line 76b.
It is connected to the main exhaust pipe line 80 whose cross section is widened toward.
Similarly, the branch exhaust pipe line 76 c is also connected to the main exhaust pipe line 80. The branch exhaust pipe line 76d once has the exhaust port 38d.
From the lower side of the exhaust port 38d to the both sides in the radial direction at the same radial position, and to the outside in the radial direction to prevent communication with the branch exhaust pipe lines 76b and 76c, and then to the branch exhaust pipe line 76b.
Radial positions offset radially outward of 76 and 76c extend to both sides in the circumferential direction toward the main exhaust pipe line 80, and are connected to the main exhaust pipe line 80. As shown in FIGS. 1 and 4, these branch exhaust pipe lines 76 are arranged below the annular groove 40 so as not to interfere with the annular groove 40.
Thus, each exhaust port 38 communicates with the main exhaust port 78 via the pipe line 82 extending downwardly from the exhaust port 38, each branch exhaust pipe line 76, and the main exhaust pipe line 80. The number, opening area and arrangement of the exhaust ports 78, how to divide the groups of the exhaust ports 78, and the route and length of each branch exhaust pipe line 76 are not limited to those in the above-described embodiment, and each branch exhaust pipe line 76 is not limited thereto. Is uniform so that the exhaust amount from each branch exhaust pipe line 76 is uniform. The exhaust port 78 has
An exhaust device (not shown) is connected.

【0028】次に、図5を参照して、鉛直軸線2を含む
平面における環状流路32の鉛直断面部の詳細を説明す
る。鉛直断面部は、周方向に同一である。図5は、かか
る鉛直断面部の拡大図である。上述したように、環状流
路32は、外側環状体28、内側環状体30及び下側環
状体26によって構成されている。図5に示すように、
外側環状体28は、半径方向内方に延びるほぼ逆L字型
の断面をなし、内側環状体30は、半径方向外方に向っ
て斜め下方に延びるひさし部90を有するほぼ逆L字型
の断面をなしており、外側環状体28が内側環状体30
と間隔を隔ててそれに覆い被さるように配置されてい
る。また、下側環状体26から上方に延びる環状仕切り
壁92が、内側環状部30のひさし部90の下方にそれ
と間隔を隔てて配置され、半径方向外面93を有してい
る。かくして、環状流路32は、概略、環状流入口34
から環状流出口36まで上に凸の略斜めくの字状に形成
された上流部94と、環状流出口36から上方に延びる
中間部96と、この中間部96から環状流出口36より
も半径方向内方に配置された排気口38に向って下方に
延びる下流部98とから構成されている。また、環状流
出口36から排気口38までの中間部96及び下流部9
8は、略逆U字形状をなしている。
Next, with reference to FIG. 5, details of the vertical cross-section of the annular flow path 32 in the plane including the vertical axis 2 will be described. The vertical cross section is the same in the circumferential direction. FIG. 5 is an enlarged view of the vertical cross section. As described above, the annular flow path 32 is configured by the outer annular body 28, the inner annular body 30, and the lower annular body 26. As shown in FIG.
The outer annular body 28 has a substantially inverted L-shaped cross section that extends radially inward, and the inner annular body 30 has a substantially inverted L-shaped shape that has an eaves portion 90 that extends obliquely downward toward the radially outer side. The outer annular body 28 has a cross-section and the inner annular body 30
It is arranged so as to cover it at a distance. Further, an annular partition wall 92 extending upward from the lower annular body 26 is arranged below the eaves portion 90 of the inner annular portion 30 with a space therebetween, and has a radial outer surface 93. Thus, the annular flow path 32 generally comprises an annular inlet 34.
From the annular outlet 36 to the annular outlet 36, an upstream portion 94 that is formed in a substantially obliquely convex shape upward, an intermediate portion 96 that extends upward from the annular outlet 36, and a radius from the intermediate portion 96 to the annular outlet 36. And a downstream portion 98 extending downward toward the exhaust port 38 arranged inward in the direction. In addition, the intermediate portion 96 from the annular outlet 36 to the exhaust port 38 and the downstream portion 9
8 has a substantially inverted U shape.

【0029】環状流路32の上流部94において、外側
環状体28の半径方向内面100及び内側環状体30の
ひさし部90の上面102はそれぞれ、環状流路32の
半径方向外側の内壁100及び半径方向内側の内壁10
2を構成する。外側環状体28の半径方向内面100の
鉛直断面部は、5つの辺104を有し、環状流入口34
から流入した処理液が半径方向内面100にぶつかるた
びに下流方向に案内されるように、環状流路32の上流
側に位置する辺104とこの辺104の下流側に隣接し
て位置する辺104とのなす角度θが下流方向に向かう
につれて増大する多角形状に形成されている。最も上流
側の辺104aは、下流側に臨む湾曲凹部106を含む
尖端部108を介して環状流入口34に接続され、最も
下流側の辺104bは、環状流出口36に接続されてい
る。実際の環状流路32においては、これらの辺104
は面104を構成する。
In the upstream portion 94 of the annular flow passage 32, the radially inner surface 100 of the outer annular body 28 and the upper surface 102 of the eaves portion 90 of the inner annular body 30 are respectively the radially outer inner wall 100 and the radius of the annular flow passage 32. Direction inner wall 10
Make up 2. The vertical cross-section of the radially inner surface 100 of the outer annular body 28 has five sides 104, and the annular inlet 34
The side 104 located on the upstream side of the annular flow path 32 and the side 104 located adjacent to the downstream side of the side 104 so that the treatment liquid flowing in from the inside is guided in the downstream direction each time it collides with the radially inner surface 100. Is formed in a polygonal shape whose angle θ increases as it goes downstream. The most upstream side 104 a is connected to the annular inflow port 34 via a pointed portion 108 including the curved recess 106 facing the downstream side, and the most downstream side 104 b is connected to the annular outflow port 36. In the actual annular flow path 32, these sides 104
Constitutes the surface 104.

【0030】内側環状体30のひさし部90の上面10
2及び下面110は、半径方向外方にほぼ斜め下方に延
び、それらの半径方向外方の端部112に、環状流出口
36に向って下方に延びる尖端部114が設けられてい
る。
The upper surface 10 of the eaves portion 90 of the inner annular body 30.
2 and the lower surface 110 extend radially outward substantially obliquely downward and at their radially outer end 112 are provided a point 114 extending downwardly towards the annular outlet 36.

【0031】次に、基板用処理液の回収装置の動作を、
チャック4が高速回転する場合と、チャック4が低速回
転或いは停止している場合、即ち、パドリング処理の場
合の2つの場合について説明する。
Next, the operation of the substrate processing liquid recovery device will be described.
Two cases will be described: one in which the chuck 4 rotates at high speed, and the other in which the chuck 4 rotates at low speed or stops, that is, in the case of the paddling process.

【0032】チャック4が、例えば、400〜3000
rpmで高速回転する場合には、供給ノズル6から基板
Wの上面に供給された処理液は、遠心力によって半径方
向外方に勢いよく飛散する。回転数に応じて、又は、処
理液を基板の上面に供給するのか下面に供給するのかに
応じて、処理液が飛散する水平方向に対する角度は変化
し、例えば、図5のJ1又はJ2の経路に沿って飛散す
る。図5において、処理液の経路は鉛直断面に投影され
ており、実際には、処理液は周方向速度を有している。
また、チャック4の周縁18から飛散している処理液の
経路J1及びJ2は例示であり、実際には、処理液が基
板から直接飛散する場合がほとんどであり、かかる場合
にも、以下の説明が当てはまる。なお、J2のように上
方に向いた経路は、主に、基板の下方から処理液を供給
するための処理液供給手段(図示せず)によって処理液が
供給された場合の処理液の経路である。
The chuck 4 is, for example, 400 to 3000.
When rotating at high speed at rpm, the processing liquid supplied from the supply nozzle 6 to the upper surface of the substrate W is vigorously scattered radially outward by the centrifugal force. The angle with respect to the horizontal direction at which the processing liquid is scattered changes depending on the rotation speed or whether the processing liquid is supplied to the upper surface or the lower surface of the substrate. For example, the path of J1 or J2 in FIG. Scatter along. In FIG. 5, the path of the processing liquid is projected on the vertical cross section, and in reality, the processing liquid has a circumferential velocity.
Further, the paths J1 and J2 of the processing liquid scattered from the peripheral edge 18 of the chuck 4 are examples, and in reality, the processing liquid is almost always directly scattered from the substrate. Is true. The upward path, such as J2, is the path of the processing liquid mainly when the processing liquid is supplied from the lower side of the substrate by the processing liquid supply means (not shown) for supplying the processing liquid. is there.

【0033】J1の経路に沿って飛散する場合にも、J
2の経路に沿って飛散する場合にも、環状流入口34か
ら流入した処理液が最初にぶつかる内壁100は、基板
の半径方向外方に向って下方に傾斜しているため、処理
液は、下流方向に案内される。図5のJ1の経路に沿っ
て飛散する場合には、環状流路32の上流部94を構成
する内壁100に3回ぶつかって環状流出口36に飛び
込む。内壁100及び/又は102にぶつかる回数は、
3回に限らないが、2回以上であるのが好ましい。上流
部94において、隣接する辺104のなす角度θが下流
側に向って増大しているので、飛散してきた処理液が各
辺104にぶつかる際、必ず、下流側へとはね返る。ま
た、図5のJ2の経路に沿って飛散する場合のように、
内側環状部30によって構成された内壁102にぶつか
る場合にも、処理液が下流側へとはね返る。このよう
に、環状流入口34から流入した処理液は、略斜めくの
字形状をなす上流部94の内壁100、102にぶつか
るたびに下流方向に且つ下方に案内される。それによ
り、環状流路32の上流部94内にほぼ上流側から下流
側に向かう気流を形成することができる。
When scattered along the path of J1, J
Even when scattered along the path of 2, the inner wall 100 on which the processing liquid flowing from the annular inlet 34 first collides is inclined downward toward the outer side in the radial direction of the substrate. Guided in the downstream direction. When scattered along the route J1 in FIG. 5, the inner wall 100 that constitutes the upstream portion 94 of the annular flow path 32 bumps into the annular outflow port 36 three times. The number of collisions with the inner wall 100 and / or 102 is
The number of times is not limited to three, but is preferably two or more. In the upstream portion 94, the angle θ formed by the adjacent sides 104 increases toward the downstream side, so that when the scattered processing liquid collides with the respective sides 104, it will always bounce back to the downstream side. Also, as in the case of scattering along the route of J2 in FIG.
Even when the processing liquid collides with the inner wall 102 formed by the inner annular portion 30, the processing liquid splashes to the downstream side. In this way, the processing liquid flowing in from the annular inflow port 34 is guided in the downstream direction and downward each time it collides with the inner walls 100 and 102 of the upstream portion 94 having a substantially diagonal V shape. As a result, an air flow can be formed in the upstream portion 94 of the annular flow path 32 from approximately the upstream side to the downstream side.

【0034】上流部94の内壁100、102にぶつか
った処理液は、ミストMになり、上流部94内を浮遊す
る。上述のように、上流部94内には上流側から下流側
に向かう気流が形成されているので、浮遊しているミス
トMは、下流側へと導かれ、環状流入口34から基板W
の方に浮遊するのが防止される。また、環状流入口34
に隣接した湾曲凹部106により渦流F1が形成され、
環状流入口34から基板Wに向かう気流の形成を抑制し
ているので、ミストMを下流側に導くのが促進される。
内壁100、102に付着したミストMは、液滴になっ
て、内壁100、102を伝って、環状流出口36に導
かれる。
The processing liquid that has collided with the inner walls 100 and 102 of the upstream portion 94 becomes the mist M and floats in the upstream portion 94. As described above, since the air flow from the upstream side to the downstream side is formed in the upstream portion 94, the floating mist M is guided to the downstream side, and the annular inflow port 34 causes the substrate W to flow.
It is prevented from floating toward. In addition, the annular inlet 34
Vortex flow F1 is formed by the curved concave portion 106 adjacent to
Since the formation of the air flow from the annular inflow port 34 toward the substrate W is suppressed, guiding the mist M to the downstream side is promoted.
The mist M attached to the inner walls 100 and 102 becomes droplets, travels along the inner walls 100 and 102, and is guided to the annular outflow port 36.

【0035】図5のJ2のように、処理液がいったん環
状排出口36を通り越してしまっても、処理液は、中間
部96において、環状仕切り壁92によって上方に差し
向けられた後、落下する。このように、処理液は、下流
部98に向ってはね返ることはないので、処理液が環状
排出口36を通り越しても、処理液を回収することがで
きる。また、中間部96及び下流部98において、ひさ
し部90の下面110に付着したミストMは、液滴にな
って、下面110を伝って、環状流出口36に導かれ
る。更に、中間部96に生じる渦流F2により、下流部
98に流れ込もうとしているミストMを引き戻す。かく
して、上流部94及び中間部96で回収できなかった処
理液のミストMだけが、下流部98に浮遊することにな
る。
Even if the treatment liquid once passes through the annular discharge port 36 as indicated by J2 in FIG. 5, the treatment liquid is directed upward by the annular partition wall 92 at the intermediate portion 96 and then drops. . In this way, since the processing liquid does not bounce back toward the downstream portion 98, the processing liquid can be recovered even when the processing liquid passes through the annular discharge port 36. Further, in the middle portion 96 and the downstream portion 98, the mist M attached to the lower surface 110 of the eaves portion 90 becomes droplets, travels along the lower surface 110, and is guided to the annular outlet 36. Furthermore, the vortex flow F2 generated in the intermediate portion 96 pulls back the mist M that is about to flow into the downstream portion 98. Thus, only the mist M of the processing liquid that could not be collected in the upstream portion 94 and the intermediate portion 96 floats in the downstream portion 98.

【0036】次いで、環状流出口36に流れ込んだ処理
液は、環状溝底面42を伝って、本流出口44から流出
管路46、継手48を経て三方弁50に導かれる(図1
参照)。ポート52とポート58とが連通している場合
には、処理液は廃棄される。また、ポート52とポート
54とが連通している場合には、処理液は処理液循環装
置56によって回収され、処理液供給源24に送られ
て、再利用される。一方、環状流路32の下流部98を
浮遊するミストは、排出口38から分岐排気管路76、
本排気管路80、本排気口78を経て排気される。
Next, the treatment liquid flowing into the annular outlet 36 is guided through the bottom surface 42 of the annular groove, and is led from the main outlet 44 to the three-way valve 50 via the outflow conduit 46 and the joint 48 (FIG. 1).
reference). When the port 52 and the port 58 are in communication, the processing liquid is discarded. When the port 52 and the port 54 are in communication with each other, the processing liquid is collected by the processing liquid circulating device 56, sent to the processing liquid supply source 24, and reused. On the other hand, the mist floating in the downstream portion 98 of the annular flow path 32 is discharged from the discharge port 38 into the branch exhaust pipe line 76
The air is exhausted through the main exhaust line 80 and the main exhaust port 78.

【0037】上述のように、基板の回転速度に係らず処
理液が環状流入口34から下流方向に案内されるよう
に、処理液が最初にぶつかる環状流路32の半径方向外
側の内壁100が、基板Wの半径方向外方に向って下方
に傾斜する傾斜面104を有すると共に、鉛直軸線2を
含む環状流路32の上流部94の鉛直断面形状が、上記
傾斜面104を含み且つ下方に延びる略斜めくの字状に
形成されているので、環状流入口34から環状流路32
に流入した処理液は、環状流路32の上流部94の内壁
100、102にぶつかるたびに環状流路32の下流方
向に案内される。それに応じて、内壁100、102に
ぶつかったときに生じる処理液のミストMも下流方向に
案内され、それにより、ミストMが環状流出口36から
基板Wに向って浮遊するのが防止される。その結果、基
板Wの品質を劣化させることなく処理液の回収効率を確
保することができる。更に、処理液が下流方向に案内さ
れるのに応じてミストMが下流方向に案内される際、ミ
ストMが環状流路32の内壁100,102で凝縮し
て、処理液として環状流出口38に案内されるので、処
理液の回収効率を向上させることができる。
As described above, the inner wall 100 on the radially outer side of the annular flow path 32 where the processing liquid first collides is arranged so that the processing liquid is guided in the downstream direction from the annular inflow port 34 regardless of the rotation speed of the substrate. , The inclined surface 104 that inclines downward in the radial direction of the substrate W, and the vertical cross-sectional shape of the upstream portion 94 of the annular flow path 32 including the vertical axis 2 includes the inclined surface 104 and downward. Since it is formed in a substantially diagonally extending shape, it extends from the annular inflow port 34 to the annular flow passage 32.
The processing liquid that has flowed into the annular flow path 32 is guided in the downstream direction of the annular flow path 32 each time it hits the inner walls 100 and 102 of the upstream portion 94 of the annular flow path 32. Correspondingly, the mist M of the processing liquid generated when the mist M collides with the inner walls 100, 102 is also guided in the downstream direction, thereby preventing the mist M from floating from the annular outlet 36 toward the substrate W. As a result, the efficiency of collecting the processing liquid can be ensured without deteriorating the quality of the substrate W. Furthermore, when the mist M is guided in the downstream direction in response to the treatment liquid being guided in the downstream direction, the mist M is condensed on the inner walls 100 and 102 of the annular flow path 32 and is treated as the treatment liquid. As described above, the efficiency of collecting the processing liquid can be improved.

【0038】次に、チャック4が低速回転或いは停止し
ている場合、即ち、パドリング処理の場合を説明する。
Next, the case where the chuck 4 is rotating at a low speed or stopped, that is, the case of the paddling process will be described.

【0039】チャック4が、例えば、0〜300rpm
で低速回転する場合、或いは、回転せずに静止している
場合には、供給ノズル6から基板Wの上面に供給された
処理液は、基板Wの上面に滞留した後、チャック4の側
面16及び内側環状体30の環状内面64に沿って流れ
落ち、或いは、環状流路32の内壁102を伝って流れ
る。回転速度が低速であるため、処理液のミストMは、
ほとんど生じない。チャック4の側面16及び内側環状
体30の環状内面64に沿って流れる処理液は、環状ポ
ケット62に流入し、環状ポケット底面66を伝って、
その最低位置にある連絡口72に導かれ、連絡管路7
4、本流出口44、流出管路46を経て三方弁50に導
かれる。環状流路32の内壁102を伝って流れる処理
液は、環状流出口36に導かれ、チャック4が高速回転
する場合と同様に、回収される。かかる環状ポケット6
2を採用したことにより、通常の高速回転処理を行う場
合であっても、パドリング処理を行う場合であっても、
基板Wの品質を劣化させることなく、処理液の回収効率
を確保することができる。
The chuck 4 is, for example, 0 to 300 rpm.
In the case where the processing liquid supplied to the upper surface of the substrate W from the supply nozzle 6 stays on the upper surface of the substrate W, the side surface 16 of the chuck 4 is rotated. And flows down along the annular inner surface 64 of the inner annular body 30, or flows along the inner wall 102 of the annular flow path 32. Since the rotation speed is low, the mist M of the processing liquid is
It hardly happens. The processing liquid flowing along the side surface 16 of the chuck 4 and the annular inner surface 64 of the inner annular body 30 flows into the annular pocket 62, travels through the annular pocket bottom surface 66,
The communication line 7 is guided to the communication port 72 at the lowest position.
4, it is led to the three-way valve 50 via the main outlet 44 and the outflow conduit 46. The processing liquid flowing along the inner wall 102 of the annular flow path 32 is guided to the annular outlet 36, and is recovered as in the case where the chuck 4 rotates at high speed. Such an annular pocket 6
By adopting 2, whether the normal high speed rotation processing or the paddling processing is performed,
The efficiency of collecting the processing liquid can be ensured without degrading the quality of the substrate W.

【0040】次に、図6を参照して、上述した基板の処
理ユニットを含む基板の処理装置を説明する。図6は、
基板の処理装置の概略断面図である。
Next, a substrate processing apparatus including the above-described substrate processing unit will be described with reference to FIG. Figure 6
It is a schematic sectional drawing of the processing apparatus of a board | substrate.

【0041】図6に示すように、基板の処理装置120
は、上下方向に積み重ねて配置された、3つの基板の処
理ユニット122及び1つの基板の真空乾燥処理ユニッ
ト124と、搬送スペース126内において基板Wを各
ユニット122、124間で上下方向に搬送するための
基板Wの搬送装置128と、処理前後の基板Wを収容し
ておくカセット130と、を一体フレーム構造132内
に有している。基板の処理ユニット122は、上述した
基板の処理ユニット1と同様のものである。搬送装置1
28は、ロボットの形態をなし、基板の処理ユニット1
22は、その側部に、基板Wのノッチを所定の向きに合
わせるためのノッチアライメント134を有している。
このノッチアライメント134は、基板Wを受ける受け
台136と、枢軸138を中心に旋回且つ上下方向移動
可能なアーム140とを有し、搬送装置128によって
受け台136に受入れた基板Wをアーム140によって
チャック4の上面10に移送するようになっている。
As shown in FIG. 6, a substrate processing apparatus 120.
Conveys the substrate W in the vertical direction between the units 122 and 124 in the conveyance space 126 and the three substrate processing units 122 and the one substrate vacuum drying processing unit 124 arranged in the vertical direction. A substrate W transfer device 128 for storing the substrate W and a cassette 130 for storing the substrate W before and after processing are provided in an integrated frame structure 132. The substrate processing unit 122 is similar to the substrate processing unit 1 described above. Carrier 1
Reference numeral 28 denotes a robot, which is a substrate processing unit 1
22 has a notch alignment 134 on its side part for aligning the notch of the substrate W in a predetermined direction.
The notch alignment 134 has a pedestal 136 that receives the substrate W and an arm 140 that can pivot about a pivot 138 and move vertically. The substrate W received by the transfer device 128 on the pedestal 136 is moved by the arm 140. It is adapted to be transferred to the upper surface 10 of the chuck 4.

【0042】次に、基板の処理装置の動作を説明する。
基板の処理装置120は、カセット130に収容されて
いる未処理基板Wを搬送装置128によってノッチアラ
イメント134の受け台136に搬送する。ノッチアラ
イメント134は、ノッチを所定の向きに合わせて、基
板Wをチャック4の上面10に移送する。供給ノズル6
から処理液を基板Wに供給して、基板を処理し、次い
で、処理した基板Wを受け台136に戻す。基板Wに供
給された処理液は、上述のように回収される。次いで、
基板Wを搬送装置128によって真空乾燥処理ユニット
124に搬送して、真空乾燥処理を行ったら、次の処理
を行ったり、基板Wをカセット130に戻すようにして
いる。
Next, the operation of the substrate processing apparatus will be described.
In the substrate processing apparatus 120, the unprocessed substrate W stored in the cassette 130 is transferred to the pedestal 136 of the notch alignment 134 by the transfer device 128. The notch alignment 134 aligns the notch in a predetermined direction and transfers the substrate W to the upper surface 10 of the chuck 4. Supply nozzle 6
Processing liquid is supplied to the substrate W to process the substrate, and then the processed substrate W is returned to the pedestal 136. The processing liquid supplied to the substrate W is recovered as described above. Then
The substrate W is transferred to the vacuum drying processing unit 124 by the transfer device 128, and after the vacuum drying processing is performed, the next processing is performed or the substrate W is returned to the cassette 130.

【0043】上述の基板の処理装置120は、各処理ユ
ニット122を単一に上下方向に隣接させた積み重ね配
置が可能である。図示の実施形態では、3つの処理ユニ
ット122を積み重ねているけれども、積み重ねる数
は、2つであっても良いし、4つ以上であっても良い。
このような構成にすることにより、横方向に占有する設
置スペースを減少させることができる。また、各ユニッ
ト122、124間の基板Wの搬送方向が上下方向の一
方向になるため、搬送時間を短縮することができ、その
結果、処理装置120のスループットを向上させること
が可能になる。また、酸、アルカリ又は有機溶媒等の薬
液、純水、脱イオン水等の処理液ごとに基板の処理ユニ
ット122を割り当てることができ、処理液の回収効率
を向上させることができる。
In the above-described substrate processing apparatus 120, the processing units 122 can be arranged in a single stack in the vertical direction. Although the three processing units 122 are stacked in the illustrated embodiment, the number of stacks may be two, or four or more.
With such a configuration, it is possible to reduce the installation space occupied in the lateral direction. Further, since the substrate W is transported between the units 122 and 124 in one direction in the vertical direction, the transport time can be shortened, and as a result, the throughput of the processing apparatus 120 can be improved. Further, the processing unit 122 of the substrate can be assigned to each treatment liquid such as acid, alkali or organic solvent, pure water, deionized water, etc., and the recovery efficiency of the treatment liquid can be improved.

【0044】また、各処理ユニット122を上下方向に
積み重ねる際、同種の排気を用いる場合には、各処理ユ
ニット122の本排気口78を上から順に連結して、次
いで、処理ユニット122の外側に配置した単一の排気
手段(図示せず)によってミストMを排気するのが良い。
この場合、各本排気口78からの排気量が均一になるよ
うに、排気手段から最も遠くに配置された処理ユニット
122の本排気口78の断面積を最も大きくし、処理ユ
ニット122が排気手段に近づくに従ってその本排気口
78の断面積を小さくするのが良い。また、異種の排気
を用いる場合には、各処理ユニット122の本排気口7
8からの排気能力が均一になるように、本排気口78の
断面積を選択するのが良い。このような構成にすること
により、各処理ユニット122の排気能力の均一化を図
ることができる。
When the same kind of exhaust gas is used when stacking the processing units 122 in the vertical direction, the main exhaust ports 78 of the processing units 122 are sequentially connected from the top, and then the processing units 122 are provided outside. The mist M may be exhausted by a single exhaust means (not shown) arranged.
In this case, the main exhaust port 78 of the processing unit 122 disposed farthest from the exhaust unit has the largest cross-sectional area so that the exhaust amount from each main exhaust port 78 is uniform, and the processing unit 122 causes the exhaust unit to exhaust. It is preferable to reduce the cross-sectional area of the main exhaust port 78 as it approaches. When different kinds of exhaust are used, the main exhaust port 7 of each processing unit 122 is used.
It is preferable to select the cross-sectional area of the main exhaust port 78 so that the exhaust capacity from 8 becomes uniform. With such a configuration, the exhaust capacity of each processing unit 122 can be made uniform.

【0045】本発明の実施の形態を詳細に説明したが、
請求の範囲に記載された本発明の範囲内で種々の変更、
修正が可能である。
Although the embodiments of the present invention have been described in detail,
Various modifications within the scope of the present invention described in the claims,
It can be modified.

【0046】上述の回収装置の実施形態では、外側環状
体28の半径方向内面100の鉛直断面部は、5つの辺
からなる多角形状に形成されているけれども、環状流入
口34から流入した処理液が半径方向内面100にぶつ
かるたびに下流方向に案内されるような曲線から構成さ
れていても良く、例えば、コルヌュの螺旋又はそれを含
む曲線で構成されても良い。また、外側環状体28の半
径方向内面100だけでなく、それに連続して、環状仕
切り壁92の半径方向外面93まで、かかる曲線で構成
されていても良い。
In the embodiment of the recovery device described above, the vertical cross-section of the radially inner surface 100 of the outer annular body 28 is formed in a polygonal shape having five sides, but the processing liquid flowing from the annular inflow port 34. May be configured so as to be guided in the downstream direction each time it hits the radially inner surface 100, for example, a Cornu spiral or a curve including the spiral. Further, not only the radial inner surface 100 of the outer annular body 28, but also the radial outer surface 93 of the annular partition wall 92 that is continuous with the inner surface 100 may be formed by such a curved line.

【0047】また、上述の基板の処理装置において、カ
セット130を含む領域(領域1と称する)、搬送装置1
28を含む空間126の領域(領域2と称する)、及び処
理ユニット122と真空乾燥処理ユニット124を含む
領域(領域3と称する)が各々隔離し、領域3の雰囲気が
領域2に漏れないように、領域2の圧力を領域3の圧力
よりも高くしても良い。この場合、領域1の圧力は、領
域1のパーティクルが領域2に入り込むことによる問題
を生じさせない範囲で任意に設定しても良い。
In the substrate processing apparatus described above, the area including the cassette 130 (referred to as area 1), the transfer apparatus 1
An area of the space 126 including 28 (referred to as an area 2) and an area including the processing unit 122 and the vacuum drying processing unit 124 (referred to as an area 3) are isolated from each other so that the atmosphere of the area 3 does not leak to the area 2. The pressure in the area 2 may be higher than the pressure in the area 3. In this case, the pressure in the region 1 may be arbitrarily set within a range that does not cause a problem due to the particles in the region 1 entering the region 2.

【0048】[0048]

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
基板用処理液の回収装置及びそれを含む基板の処理装置
によれば、基板の品質を劣化させることなく、処理液の
回収効率を確保することができ、また、高速回転処理を
行う場合であっても、パドリング処理を行う場合であっ
ても、基板の品質を劣化させることなく、処理液の回収
効率を確保することができる。
As described above in detail, according to the apparatus for recovering a processing liquid for a substrate and the apparatus for processing a substrate including the same according to the present invention, the recovery efficiency of the processing liquid can be prevented without deteriorating the quality of the substrate. In addition, it is possible to secure the recovery efficiency of the processing liquid without deteriorating the quality of the substrate regardless of whether the high-speed rotation processing is performed or the paddling processing is performed. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の実施形態に係わる基板用処理液の回
収装置を含む基板処理ユニットの部分縦断面図である。
FIG. 1 is a partial vertical cross-sectional view of a substrate processing unit including a substrate processing liquid recovery apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の実施形態に係わる基板用処理液の回
収装置の図1の線II−IIにおける横断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II of FIG. 1 of the substrate processing liquid recovery apparatus according to the embodiment of the present invention.

【図3】 本発明の実施形態に係わる基板用処理液の回
収装置の図1の線III−IIIにおける横断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III of FIG. 1 of the substrate processing liquid recovery apparatus according to the embodiment of the present invention.

【図4】 本発明の実施形態に係わる基板用処理液の回
収装置を含む基板処理ユニットの、図3の線IV−IVにお
ける部分縦断面図である。
FIG. 4 is a partial vertical cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG. 3 of the substrate processing unit including the substrate processing liquid recovery apparatus according to the embodiment of the present invention.

【図5】 本発明の実施形態に係わる基板用処理液の回
収装置の環状流路の拡大断面図である。
FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of an annular flow path of the substrate processing liquid recovery apparatus according to the embodiment of the present invention.

【図6】 本発明の実施形態に係わる基板用処理液の回
収装置を含む基板処理装置の概略図である。
FIG. 6 is a schematic view of a substrate processing apparatus including a substrate processing liquid recovery apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図7】 従来技術の基板用処理液の回収装置を含む基
板処理装置の概略図である。
FIG. 7 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus including a conventional substrate processing liquid recovery apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板の処理ユニット 2 鉛直軸線 4 チャック 6 供給ノズル 8 基板用処理液の回収装置 32 環状流路 34 環状流入口 36 環状流出口 38 排気口 40 環状溝 42 環状溝底面 44 本流出口 62 環状ポケット 76 分岐排気管路 78 本排気口 100 内壁 102 内壁 104 辺(面) 120 基板の処理装置 122 基板の処理ユニット W 基板 1 Substrate processing unit 2 vertical axis 4 chuck 6 supply nozzles 8 Substrate processing liquid recovery device 32 annular flow path 34 Ring inlet 36 Annular outlet 38 Exhaust port 40 annular groove 42 Bottom of annular groove 44 main outlet 62 annular pocket 76 Branch exhaust pipe 78 exhaust ports 100 inner wall 102 inner wall 104 sides 120 Substrate processing equipment 122 Substrate processing unit W board

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 亘 徹 神奈川県川崎市多摩区宿河原2丁目28番18 号 株式会社スプラウト内 Fターム(参考) 4K057 WA02 WA20 WH10 WM19 WN01 5F043 EE08 EE21 EE37 EE40    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Toru Wataru             2-28-18 Shukugawara, Tama-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture             Issue Sprout Co., Ltd. F-term (reference) 4K057 WA02 WA20 WH10 WM19 WN01                 5F043 EE08 EE21 EE37 EE40

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下方から支持されながら略鉛直の軸線を
中心に回転する基板の上面に供給され、遠心力によって
基板の半径方向外方に飛ばされる処理液を受け入れ可能
なように、基板の周囲を取り囲むように配置された環状
流入口と、この環状流入口から流入した処理液が流出す
る流出口と、前記流出口の下流側に設けた、処理液から
生じるミストを排気するための排気口と、を備えた環状
流路を有する基板用処理液を回収するための基板用処理
液の回収装置において、 前記環状流入口から流入する処理液が前記環状流路の内
壁にぶつかるような回転数で基板が回転する際、基板の
回転速度に係らず処理液が前記環状流入口から下流方向
に案内されるように、処理液が最初にぶつかる前記環状
流路の半径方向外側の内壁が、基板の半径方向外方に向
って下方に傾斜する傾斜面を有すると共に、前記鉛直軸
線を含む前記環状流路の前記環状流入口から前記流出口
までの鉛直断面形状が、前記傾斜面を含み且つ下方に延
びる略斜めくの字状に形成されることを特徴とする基板
用処理液の回収装置。
1. A peripheral portion of a substrate, which is supported from below and is supplied to the upper surface of a substrate which rotates about a substantially vertical axis and which can receive a processing liquid which is spouted radially outward of the substrate by a centrifugal force. An annular inlet arranged so as to surround the outlet, an outlet through which the processing liquid flowing from the annular inlet flows out, and an exhaust port provided on the downstream side of the outlet for exhausting mist generated from the processing liquid. In the substrate processing liquid recovery device for recovering the substrate processing liquid having an annular flow path, the number of rotations such that the processing liquid flowing from the annular inlet collides with the inner wall of the annular flow path. When the substrate is rotated at, the inner wall of the annular flow path on the outer side of the annular flow path where the processing liquid first collides is the substrate so that the processing liquid is guided in the downstream direction from the annular inlet regardless of the rotation speed of the substrate. Radially outside of Has an inclined surface that inclines downward toward, and a vertical cross-sectional shape from the annular inflow port to the outflow port of the annular flow path that includes the vertical axis is substantially oblique including the inclined surface and extends downward. An apparatus for recovering a processing liquid for a substrate, which is formed in a V shape.
【請求項2】 前記環状流路の前記環状流入口から前記
流出口までの鉛直断面形状は、上に凸の略斜めくの字状
であり、前記排気口は、前記流出口の半径方向内方に設
置され、前記環状流路は、前記流出口から前記排気口ま
での前記鉛直軸線を含む鉛直断面形状が略逆U字形状に
形成される、請求項1に記載の回収装置。
2. The vertical cross-sectional shape of the annular flow passage from the annular inflow port to the outflow port is an upwardly convex, substantially oblique V-shape, and the exhaust port is in a radial direction of the outflow port. The recovery device according to claim 1, wherein the recovery device is installed on one side, and the annular flow path is formed such that a vertical cross-sectional shape including the vertical axis line from the outlet to the exhaust port is formed in a substantially inverted U shape.
【請求項3】 前記環状流路は、処理液が前記環状流入
口から前記流出口を通って流出するまでの間に、前記環
状流路の内壁に少なくとも複数回ぶつかるように形成さ
れる、請求項1又は2に記載の回収装置。
3. The annular flow passage is formed so as to hit the inner wall of the annular flow passage at least a plurality of times before the processing liquid flows out from the annular flow inlet through the flow outlet. Item 1. The recovery device according to Item 1 or 2.
【請求項4】 前記環状流路の前記環状流入口から前記
流出口に至る部分の半径方向外側の内壁の、前記鉛直軸
線を含む鉛直断面部は、前記環状流路の上流側に位置す
る辺とこの辺の下流側に隣接して位置する辺とのなす角
度が下流方向に向かうにつれて増大する多角形状に形成
される、請求項1乃至3の何れか1項に記載の回収装
置。
4. A vertical cross-section portion of an inner wall of a portion of the annular flow passage that extends from the annular inlet port to the outlet port on the radially outer side, the vertical cross section including the vertical axis being located on the upstream side of the annular flow passage. 4. The recovery device according to claim 1, wherein an angle between the side and a side adjacent to the downstream side of the side is formed in a polygonal shape that increases in the downstream direction.
【請求項5】 更に、前記流出口の下方に配置され且つ
前記環状流路と連通した環状溝を有し、この環状溝の環
状底面は、周方向に傾斜し、この環状底面の最低位置に
本流出口が設けられる、請求項1乃至4の何れか1項に
記載の回収装置。
5. An annular groove disposed below the outflow port and communicating with the annular flow path, wherein the annular bottom surface of the annular groove is inclined in the circumferential direction and is located at the lowest position of the annular bottom surface. The recovery device according to any one of claims 1 to 4, wherein a main outlet is provided.
【請求項6】 前記排気口は、周方向に複数設けられ、
前記排気口を介して前記環状流路と連通し且つ共通の本
排気口と連通する互いに独立した複数の分岐排気管路を
更に有し、各分岐排気管路のコンダクタンスが互いに同
じになるように、各排気口の面積及び配置及び各分岐排
気管路の径及び長さが構成される、請求項1乃至5の何
れか1項に記載の回収装置。
6. The plurality of exhaust ports are provided in the circumferential direction,
Further, a plurality of independent branch exhaust pipe lines communicating with the annular flow passage through the exhaust port and communicating with the common main exhaust port are further provided so that the conductances of the respective branch exhaust pipe lines are the same. The recovery device according to any one of claims 1 to 5, wherein the area and arrangement of each exhaust port and the diameter and length of each branch exhaust pipe line are configured.
【請求項7】 更に、パドリング処理の際に前記環状流
路外を前記環状流入口から下方に流れる処理液を回収す
るための上向き環状ポケットを、前記環状流入口の下方
に有する、請求項1乃至6の何れか1項に記載の回収装
置。
7. An upward-facing annular pocket for collecting a processing liquid flowing downward from the annular inflow port outside the annular flow channel during a paddling process is provided below the annular inflow port. The recovery device according to any one of 1 to 6.
【請求項8】 上下方向に積み重ねて配置された複数の
基板の処理ユニットを有し、 この複数の基板の処理ユニットのそれぞれは、基板を下
方から支持するための基板支持手段と、基板を略鉛直な
軸線を中心に回転させるための基板回転手段と、基板の
表面に処理液を供給するための処理液供給手段と、基板
の表面を処理液によって処理した後の処理液を回収する
ための処理液回収手段とを有し、 この処理液回収手段は、遠心力によって基板の半径方向
外方に飛ばされる処理液を受け入れ可能なように、基板
の周囲を取り囲むように配置された環状流入口と、この
環状流入口から流入した処理液が流出する流出口と、前
記流出口の下流側に設けた、処理液から生じるミストを
排気するための排気口と、を備えた環状流路を有する基
板の処理装置において、 前記環状流入口から流入する処理液が前記環状流路の内
壁にぶつかるような回転数で基板が回転する際、基板の
回転速度に係らず処理液が前記環状流入口から下流方向
に案内されるように、処理液が最初にぶつかる前記環状
流路の半径方向外側の内壁が、基板の半径方向外方に向
って下方に傾斜する傾斜面を有すると共に、前記鉛直軸
線を含む前記環状流路の前記環状流入口から前記流出口
までの鉛直断面形状が、前記傾斜面を含み且つ下方に延
びる略斜めくの字状に形成されることを特徴とする基板
の処理装置。
8. A processing unit for processing a plurality of substrates arranged in a stack in the vertical direction, each of the processing units for processing a plurality of substrates having a substrate support means for supporting the substrate from below and a substrate Substrate rotation means for rotating about a vertical axis, processing liquid supply means for supplying the processing liquid to the surface of the substrate, and processing liquid for collecting the processing liquid after processing the surface of the substrate with the processing liquid. A processing liquid collecting means, and the processing liquid collecting means is an annular inflow port arranged so as to surround the periphery of the substrate so as to be able to receive the processing liquid which is blown outward in the radial direction of the substrate by the centrifugal force. And an outlet through which the processing liquid that has flowed in from the annular inlet flows out, and an exhaust port that is provided on the downstream side of the outlet for exhausting mist generated from the processing liquid, and an annular flow path. Substrate processing equipment In, when the substrate is rotated at a rotation speed such that the processing liquid flowing from the annular inlet collides with the inner wall of the annular flow path, the processing liquid is guided in the downstream direction from the annular inlet regardless of the rotation speed of the substrate. As described above, the inner wall on the outer side in the radial direction of the annular flow path where the processing liquid first collides has an inclined surface that is inclined downward toward the outer side in the radial direction of the substrate, and the annular flow including the vertical axis. The apparatus for processing a substrate, wherein a vertical cross-sectional shape of the passage from the annular inlet to the outlet is formed in a substantially oblique V shape including the inclined surface and extending downward.
【請求項9】 前記複数の基板の処理ユニットそれぞれ
の排気口は、周方向に複数設けられ、前記排気口を介し
て前記環状流路と連通し且つ共通の本排気口と連通する
互いに独立した複数の分岐排気管路を更に有し、各分岐
排気管路のコンダクタンスが互いに同じになるように、
各排気口の面積及び配置及び各分岐排気管路の径及び長
さが構成され、各処理ユニットの本排気口は、上又は下
の処理ユニットから下又は上の処理ユニットに向かって
順に接続された後、単一の排気手段に接続され、各本排
気口からの排気量が均一になるように、処理ユニットが
排気手段に近づくにつれて処理ユニットの本排気口の断
面積が小さくなる、請求項8に記載の基板の処理装置。
9. A plurality of exhaust ports of each of the plurality of substrate processing units are provided in the circumferential direction and communicate with the annular flow path through the exhaust ports and independently from each other through a common main exhaust port. Further having a plurality of branch exhaust pipe lines, so that the conductance of each branch exhaust pipe line is the same,
The area and arrangement of each exhaust port and the diameter and length of each branch exhaust pipe line are configured, and the main exhaust port of each processing unit is sequentially connected from the upper or lower processing unit to the lower or upper processing unit. After that, the cross-sectional area of the main exhaust port of the processing unit becomes smaller as the processing unit gets closer to the exhaust unit so that the exhaust amount from each main exhaust port is connected to a single exhaust unit so as to be uniform. 8. The substrate processing apparatus according to item 8.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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