JP2003158737A - 赤外線撮像装置とその光源装置とバンドパスフィルタ - Google Patents

赤外線撮像装置とその光源装置とバンドパスフィルタ

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Abstract

(57)【要約】 【課題】シリコンウェハーなどの赤外線透過材の片面側
から赤外線を照射して反対面側にある被撮像面を撮像す
る場合に、赤外線を照射した面からの反射光の映り込み
をなくしてノイズの少ないクリアな画像を映し出せるよ
うにする。 【解決手段】赤外線を含む照明光を発する光源(11)
から赤外線透過材に至る光路又は赤外線透過材から撮像
カメラ(5A、5B)に至る光路中に、赤外線透過材と
同じ材質の波長選択透過膜(13)を有するバンドパス
フィルタ(12)を介装した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウェハの
裏面側から表面側に形成された回路パターンを観察して
位置決めする際などに用いる赤外線撮像装置とその光源
装置とそれに用いるバンドパスフィルタに関する。
【0002】
【従来の技術】ICやLSIの製造工程において、表面
側に多数の回路パターンを形成したシリコンウェハーを
カッティングする場合に、回路面を上にして回転ブレー
ドでカットすると研磨粉が回路面に付着するため、回路
面を下向にしてカットしたいという要請がある。また、
カッティングしたチップをインターポーザにマウントす
る場合は、インターポーザの電極面とチップの回路面を
至近距離で対向させて両者を接合したいとの要請があ
る。
【0003】これらの場合において、シリコンウェハー
やチップを位置決めする必要を生ずるため、本出願人
は、シリコンウェハーの裏面側から赤外線を照射して、
その表面に形成された回路パターンやアライメントマー
クを撮像したり、シリコンウェハーを透過してインター
ポーザに形成されたアライメントマークを撮像する赤外
線撮像装置を提案した(特開2000−276233公
報参照)。
【0004】これは、ウェハーの材料であるシリコンな
どの半導体や誘電体が赤外線透過性を有する一方、回路
パターンを形成する導体が赤外線透過性を有しないこと
に着目して提案されたものである。
【0005】これによれば、回路パターンが形成された
表面を下向にしたまま、上向きになった裏面側から赤外
線を照射し、その裏面側に対向して配した撮像カメラで
表面側を撮像できるので、カッティングラインを正確に
位置決めしてカットすることができ、また、研磨粉が回
路面に付着することもない。また、シリコンチップをイ
ンターポーザにマウントする場合に、チップの回路面と
インターポーザの電極面同士を対向させた状態で、チッ
プの背面側から夫々の位置を撮像することができるの
で、両者を近接させた状態で位置決めすることができ、
接合時のチップの移動距離を極めて短くして、実装時間
を短縮することができるだけでなく、機械的な誤差によ
る実装ミスも少なくすることができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
赤外線撮像装置でシリコンウェハーを透過して回路面を
撮像した場合に、ノイズが映ってその画像が見難くなる
という問題を生じた。本発明者らが原因を究明したとこ
ろ、照明光源として使用している赤外線ランプの光の一
部が、上向になっているシリコンウェハーの裏面側で反
射され、その光が下向きになっている表面に形成された
回路パターンの画像と重なって見難くなっていることが
判明した。
【0007】そこで本発明は、シリコンウェハーなどの
赤外線透過材の片面側から赤外線を照射し、反対面側に
ある被撮像面を撮像する場合に、赤外線を照射した面か
らの反射光の映り込みをなくして、ノイズのないクリア
な画像を映し出せるようにすることを技術的課題として
いる。
【0008】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に、本発明は、被撮像面が赤外線透過材で覆われてなる
被写体に赤外線を照射し、前記被撮像面で反射してきた
光を撮像カメラに入射させて被撮像面を撮像する赤外線
撮像装置において、赤外線を含む照明光を発する光源か
ら赤外線透過材に至る光路又は赤外線透過材から撮像カ
メラに至る光路に、前記赤外線透過材を透過する特定波
長の光を選択するバンドパスフィルタが介装され、当該
バンドパスフィルタの波長選択透過膜が前記赤外線透過
材と同じ材質で形成されたことを特徴とする。
【0009】本発明によれば、バンドパスフィルタが光
源から赤外線透過材に至る光路に介装されているとき
は、光源から照射された光がバンドパスフィルタを通過
して被撮像面を覆う赤外線透過材に照射される。バンド
パスフィルタは、波長選択透過膜が赤外線透過材と同じ
材質で形成されているので、その透過光の分光特性が等
しい。したがって、赤外線透過材を透過する波長の光の
み照射されることとなり、その表面で反射する波長成分
がないため、画像にノイズが出ない。
【0010】また、バンドパスフィルタが赤外線透過材
から撮像カメラに至る光路に介装されているときは、赤
外線透過材の表面で反射される光と、赤外線透過材を透
過して被撮像面で反射された光がバンドパスフィルタを
透過し、ここで、赤外線透過材を透過して被撮像面で反
射された光のみが選択される。したがって、撮像カメラ
には,被撮像面で反射された光のみが入射され、赤外線
透過材の表面で反射してきた光は遮断されるので、画像
にノイズが出ない。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて具体的に説明する。図1は本発明に係る赤外
線撮像装置を示す説明図、図2はその斜視図、図3は他
の実施形態を示す説明図である。
【0012】本例の赤外線撮像装置1は、例えば回路面
2Sを下向にしたシリコンチップ2を、インターポーザ
3の真上に位置決めするときに、インターポーザ3の真
上に搬送されてきたシリコンチップ2の回路面2Sやイ
ンターポーザ3の上面に付されたアライメントマーク2
M及び3Mを撮像するものである。
【0013】一方の被写体となるシリコンチップ2は、
赤外線透過材で形成されたシリコン基板(ベース)2B
の片面側に被撮像面となる回路面2Sが形成され、その
回路面2Sにアライメントマーク2Mが付されている。
また、もう一方の被写体となるインターポーザ3は、回
路基板(ベース)3Bの片面側に被撮像面となる電極面
3Sを形成して成り、当該電極面3Sにアライメントマ
ーク3Mが付されている。
【0014】なお、アライメントマーク2M及び3M
は、位置決めを行うために特別に設けたマークに限ら
ず、回路面2S及び電極面3Sに形成されている回路パ
ターンや電極パターンの一部をアライメントマーク2M
及び3Mとして兼用する場合であっても良い。
【0015】カメラユニット4は、インターポーザ3の
上面に対向して配され、インターポーザ3上にシリコン
チップ2を予め設定された数μmのクリアランスでセッ
トした状態で、シリコンチップ2の上面側から回路面2
Sを撮像する赤外線カメラ5Aと、インターポーザ3の
電極面3Sを撮像する赤外線カメラ5Bを備えている。
【0016】各赤外線カメラ5A及び5Bは、被写体か
ら垂直に立てられた撮像光軸6からハーフミラー7を介
して分岐された夫々の撮像光軸6A及び6B上に配さ
れ、夫々、シリコンチップ2の回路面2S及びインター
ポーザ3の電極面3Sで合焦し、且つ、互いに他の被写
体を撮像することがないように焦点距離及び被写界深度
が設定されている。
【0017】これにより、一方の赤外線カメラ5Aは、
シリコンチップ2の回路面2Sの反対面側からシリコン
基板2Bで覆われた回路面2Sを撮像し、他方の赤外線
カメラ5Bは、インターポーザ3の電極面3S側から、
その上に位置するシリコンチップ2を透過して前記電極
面3Sを撮像するように成っている。
【0018】また、各撮像光軸6A及び6Bの照明光入
射ポート8A及び8Bには、ハーフミラー9A及び9B
が介装されて光源装置10から照射された照明光を被写
体に対して同軸落射できるようになっている。
【0019】光源装置10は、赤外光を含む光を発する
ハロゲンランプ(光源)11と、その光から赤外線透過
材でなるシリコン基板2Bを透過する特定波長の光を選
択するバンドパスフィルタ12を備えており、当該バン
ドパスフィルタ12の波長選択透過膜13が前記シリコ
ン基板2Bと同じ材質で形成されている。
【0020】これにより、ハロゲンランプ11から照射
されてバンドパスフィルタ12を透過した光に、シリコ
ン基板2Bで反射されるような余分な波長成分の光は含
まれず、シリコン基板2Bを透過する波長の赤外線のみ
がシリコンチップ2及びインターポーザ3に照射され
る。したがって、シリコンチップ2の上面で反射される
光はなく、赤外線カメラ5A及び5Bの像にノイズが生
じない。
【0021】以上が本発明の一構成例であって、次にそ
の作用を説明する。例えば、シリコンチップ2をインタ
ーポーザ3にマウントする場合、シリコンチップ2は回
路面2Sを下向にして、インターポーザ3の真上にセッ
ティングされる。
【0022】次いで、シリコンチップ2をインターポー
ザ3に対して位置決めする。この場合に、光源装置10
及びカメラユニット4をオンすると、ハロゲンランプ1
1から照射された光がバンドパスフィルタ12を透過し
て、各赤外線カメラ5A及び5Bの撮像光軸6A及び6
Bからシリコンチップ2及びインターポーザ3に同軸落
射される。
【0023】バンドパスフィルタ12の波長選択透過膜
13は、シリコンチップ2の基板2Bと同じ材質で形成
されているので、赤外線の透過特性がシリコン基板2B
と全く等しく、したがって、シリコン基板2Bで反射す
る波長の光は照射されず、シリコン基板2Bを透過する
波長の光のみが照射される。
【0024】シリコンチップ2に照射された光は、その
ままシリコン基板2Bを透過してその一部が回路面2S
で反射され、再びシリコン基板2Bを透過して、撮像光
軸6に沿ってカメラユニット4に入射される。また、シ
リコン基板2Bを透過した光の一部はインターポーザ3
の電極面3Sで反射され、再びシリコン基板2Bを透過
して、撮像光軸6に沿ってカメラユニット4に入射され
る。
【0025】各赤外線カメラ5A及び5Bは、夫々の焦
点距離及び被写界深度がにより、赤外線カメラ5Aでシ
リコン基板2Bの回路面2Sのみを撮像し、赤外線カメ
ラ5Bでインターポーザ3の電極面3Sのみを撮像する
ようになっているので、夫々の回路面2S及び電極面3
Sに付されたアライメントマーク2M及び3Mを個別に
撮像し、画像処理によりそれぞれの座標を検出できる。
【0026】したがって、これらの座標値から、インタ
ーポーザ3に対するシリコンチップ2の相対的な位置ず
れを検出することができ、図示しない位置決め用移動テ
ーブル等を微動させて、シリコンチップ2をインターポ
ーザ3の電極面3Sと平行な面内で移動又は回転させる
ことにより、正確に位置決めすることができる。このと
き、シリコンチップ2に対して、シリコン基板2Bで直
接反射する波長の光は照射されていないので、各赤外線
カメラ5A及び5Bの像にノイズを生ずることもない。
【0027】なお、バンドパスフィルタ12は、光源装
置10に設けられている場合に限らず、カメラユニット
4の照明光入射ポート8A及び8Bに設けたり(図3
(a)ご参照)、ハーフミラー9A及び9Bから各赤外
線カメラ5A及び5Bに至る光軸6A及び6B上に設け
られていても良い(図3(b)ご参照)。
【0028】バンドパスフィルタ12をカメラユニット
4の照明光入射ポート8A及び8Bに設けた場合は、光
源装置10に設けた場合と同様、シリコン基板2Bを透
過する光のみが照明光として照射されるので、赤外線カ
メラ5A及び5Bの像にノイズが生じない。
【0029】また、ハーフミラー9A及び9Bから各赤
外線カメラ5A及び5Bに至る光軸6A及び6B上に設
けた場合は、ハロゲンランプ11から照射された光の一
部がシリコン基板2Bで直接反射されてカメラユニット
4に入射されるが、この光はバンドパスフィルタ12を
透過しないので赤外線カメラ5A及び5Bに入射され
ず、したがって、その像にノイズが生じない。
【0030】なお、上述の説明では、赤外光を撮像光軸
と同軸的に落射させて照明する場合について説明した
が、本発明はこれに限らず、赤外光を斜めから被写体に
照射させ、その反射光を撮像する場合にも適用し得る。
また、本発明は、シリコンチップ2をインターポーザ3
にマウントするときの位置決めに使用する場合に限ら
ず、赤外線透過材で覆われた被写体を撮像するすべての
場合に適用することができる。
【0031】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、シ
リコンウェハーなどの赤外線透過材の片面側から赤外線
を照射して反対面側にある被撮像面を撮像する場合に、
赤外線透過材で直接反射する波長の光を遮断するバンド
パスフィルタが、光源から赤外線透過材に至る光路又は
赤外線透過材から撮像カメラに至る光路中に介装されて
いるので、ノイズの原因となる直接反射光が撮像カメラ
に入射することがなく、ノイズのないクリアな画像を得
ることができるという大変優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る赤外線撮像装置を示す説明図。
【図2】その斜視図。
【図3】他の実施形態を示す説明図。
【符号の説明】
1………赤外線撮像装置 2………シリコンチップ(被写体) 2S………回路面(被撮像面) 2B………シリコン基板(ベース) 3………インターポーザ(被写体) 3B………回路基板(ベース) 3S………電極面(被撮像面) 5A、5B………赤外線カメラ 10………光源装置 11………ハロゲンランプ(光源) 12………バンドパスフィルタ 13………波長選択透過膜

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】被撮像面(2S、3S)が赤外線透過材で
    覆われてなる被写体(2、3)に赤外線を照射し、前記
    被撮像面(2S、3S)で反射してきた光を撮像カメラ
    (5A、5B)に入射させて被撮像面(2S、3S)を
    撮像する赤外線撮像装置において、赤外線を含む照明光
    を発する光源(11)から赤外線透過材に至る光路又は
    赤外線透過材から撮像カメラ(5A、5B)に至る光路
    中に、前記赤外線透過材を透過する特定波長の光を選択
    するバンドパスフィルタ(12)が介装され、当該バン
    ドパスフィルタ(12)の波長選択透過膜(13)が前
    記赤外線透過材と同じ材質で形成されたことを特徴とす
    る赤外線撮像装置。
  2. 【請求項2】前記被写体(2)が赤外線透過材で形成さ
    れたベース(2B)の片面側に被撮像面を形成して成
    り、その反対面側からベース(2B)で覆われた被撮像
    面(2S)を撮像する撮像カメラ(5A)が配設された
    請求項1記載の赤外線撮像装置。
  3. 【請求項3】前記被写体(3)がベース(3B)の片面
    側に被撮像面(3S)を形成して成り、当該片面側から
    被写体(3)を覆う赤外線透過材を透過して被撮像面
    (3S)を撮像する撮像カメラ(5B)が配設された請
    求項1記載の赤外線撮像装置。
  4. 【請求項4】被撮像面(2S、3S)が赤外線透過材で
    覆われてなる被写体(2、3)の前記被撮像面(2S、
    3S)を撮像する際に、前記赤外線透過材を透過して前
    記被撮像面(2S、3S)で反射する赤外光を照射する
    光源装置であって、赤外光を含む光を発する光源(1
    1)と、その光から前記赤外線透過材を透過する特定波
    長の光を選択するバンドパスフィルタ(12)を備え、
    当該バンドパスフィルタ(12)の波長選択透過膜(1
    3)が前記赤外線透過材と同じ材質で形成されたことを
    特徴とする光源装置。
  5. 【請求項5】被撮像面(2S、3S)が赤外線透過材で
    覆われてなる被写体(2、3)の前記被撮像面(2S、
    3S)を撮像する際に、前記赤外線透過材を透過する特
    定波長の赤外光を選択するバンドパスフィルタ(12)
    であって、その波長選択透過膜(13)が前記赤外線透
    過材と同じ材質で形成されたことを特徴とするバンドパ
    スフィルタ。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20150043352A (ko) * 2012-08-21 2015-04-22 포걀 나노떼끄 웨이퍼들과 같은 복수층 물체들 상에서 치수 측정을 하기 위한 방법 및 장치

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