JP2003151925A - Apparatus for wafer-edge polishing processing - Google Patents

Apparatus for wafer-edge polishing processing

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JP2003151925A
JP2003151925A JP2001345774A JP2001345774A JP2003151925A JP 2003151925 A JP2003151925 A JP 2003151925A JP 2001345774 A JP2001345774 A JP 2001345774A JP 2001345774 A JP2001345774 A JP 2001345774A JP 2003151925 A JP2003151925 A JP 2003151925A
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wafer
processing
processing apparatus
edge polishing
cleaning
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JP2001345774A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinji Tsuji
慎司 辻
Yasushi Muto
寧 武藤
Fumiyuki Kanai
史幸 金井
Toshiyuki Arai
利行 荒井
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Hitachi Ltd
YAC Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
YAC Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the occupied area of an apparatus. SOLUTION: This apparatus for wafer-edge polishing processing is constituted such that in the first-floor section 1 of a two-story construction 3, a wafer-edge polisher 10 and a dryer 30 are installed in parallel, and in the second-floor section 2, first and second cleaning apparatuses 20A, 20B are installed in parallel. In the front part of the two-story construction 3, first and second transfer machines 50A, 50B are installed, and a third transfer machine 60 is installed between the first and second cleaning apparatuses 20A, 20B, while in the front side of the first and second transfer machines 50A, 50B, a loader 40A for placing cassettes 41, 42 in which wafers 5 have been loaded, and an unloader 40B for placing cassettes 41, 42 to which the wafers 5 are to be loaded, are provided.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ウェーハエッジ研
磨処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer edge polishing processing apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】ウェーハは、エッジ部のチッピング防止
やエピタキシャル成長時のクラウン防止等のため、ダイ
ヤモンド砥石でエッジ部の面取り加工が施される。そし
て、この面取り加工後に残った加工歪み層をエッチング
により除去している。このエッチング処理した表面は波
状やうろこ状の凹凸になって汚れが残り易い。そこで、
ウェーハの面取り加工したエッジ部を平滑化するための
エッジ研磨が行なわれている。エッジ研磨したウェーハ
には研磨スラリが付着しているため、洗浄により除去
し、その後に乾燥させている。即ち、エッジ研磨工程、
洗浄工程、乾燥工程が行なわれる。前記洗浄工程には、
酸化液洗浄工程とアルカリ液洗浄工程とがある。なお、
この種のウェーハエッジ研磨処理装置に関連するものと
して、例えば特開平10−309666号公報が挙げら
れる。
2. Description of the Related Art A wafer is chamfered at the edge with a diamond grindstone in order to prevent chipping of the edge and crown at the time of epitaxial growth. Then, the work strain layer remaining after the chamfering process is removed by etching. The surface subjected to the etching treatment becomes wavy or scale-like unevenness, and stains are likely to remain. Therefore,
Edge polishing is performed to smooth the chamfered edge portion of the wafer. Since the polishing slurry adheres to the edge-polished wafer, it is removed by cleaning and then dried. That is, the edge polishing step,
A washing process and a drying process are performed. In the cleaning step,
There are an oxidizing solution cleaning step and an alkaline solution cleaning step. In addition,
As a device related to this type of wafer edge polishing apparatus, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 10-309666 can be cited.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】従来、前記した各工程
は、各工程の各装置を平面的に配置し、各装置間に搬送
装置を配置している。このため、装置の占有面積が増大
し、全体装置が大型化するという問題があった。
Conventionally, in each of the above-mentioned processes, each device of each process is arranged in a plane, and a conveying device is arranged between each device. Therefore, there is a problem that the area occupied by the device is increased and the entire device is enlarged.

【0004】本発明の課題は、装置の占有面積の低減化
が図れるウェーハエッジ研磨処理装置を提供することに
ある。
An object of the present invention is to provide a wafer edge polishing processing apparatus capable of reducing the area occupied by the apparatus.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の第1の手段は、2階建て部を有し、該2階建
て部の1階部には第1の処理装置と第4の処理装置とを
並設し、2階部には第2の処理装置と第3の処理装置と
を並設し、2階建て部の前方には、第1及び第2の処理
装置に対応して第1の搬送装置を、第3及び第4の処理
装置に対応して第2の搬送装置を配設し、前記第1及び
第2の搬送装置のいずれか一方はウェーハエッジ研磨装
置であり、前記2階部の第2の処理装置と第4の処理装
置間には、第2の処理装置からウェーハを取り出して第
3の処理装置に供給する第3の搬送装置を配設し、前記
第1及び第2の搬送装置の手前には、それぞれウェーハ
を収納したカセットを配設するローダ部とウェーハを収
納するカセットを配設するアンローダ部とを有し、前記
第1の搬送装置は、ローダ部のカセットよりウェーハを
取り出して前記第1の処理装置に供給し、第1の処理装
置による処理済のウェーハを取り出して第2の処理装置
に供給し、前記第2の搬送装置は、第3の処理装置によ
る処理済のウェーハを取り出して第4の処理装置に供給
し、第4の処理装置による処理済のウェーハを取り出し
て前記アンローダ部のカセットに収納することを特徴と
する。
[Means for Solving the Problems] A first means of the present invention for solving the above problems has a two-story section, and a first processing unit is provided on the first floor of the two-story section. A fourth processing device is installed side by side, a second processing device and a third processing device are installed side by side on the second floor, and first and second processing devices are installed in front of the second floor building. Corresponding to the first transfer device and the second transfer device corresponding to the third and fourth processing devices, and one of the first and second transfer devices is used for wafer edge polishing. An apparatus, and a third transfer device is provided between the second processing device and the fourth processing device on the second floor to take out the wafer from the second processing device and supply the wafer to the third processing device. In front of the first and second transfer devices, there are a loader section for arranging a cassette accommodating wafers and a cassette for accommodating wafers. An unloader unit to be installed, the first transfer device takes out a wafer from the cassette of the loader unit, supplies the wafer to the first processing device, and takes out a wafer processed by the first processing device to remove the wafer. The second transfer device takes out the wafer processed by the third processing device and supplies it to the fourth processing device, and takes out the wafer processed by the fourth processing device. And is stored in the cassette of the unloader section.

【0006】上記課題を解決するための本発明の第2の
手段は、上記第1の手段において、前記第1の搬送装置
は、前記ローダ部のカセットよりウェーハを取り出して
前記第1の処理装置に供給する第1のバンドと、前記第
1の処理装置よりウェーハを取り出して前記第2の処理
装置に供給する第2のバンドとを有し、前記第2の処理
装置は、前記第3の処理装置よりウェーハを取り出して
前記第4の処理装置に供給する第1のバンドと、前記第
4の処理装置よりウェーハを取り出して前記アンローダ
部のカセットに収納する第2のバンドとを有することを
特徴とする。
A second means of the present invention for solving the above-mentioned problems is the first means according to the first means, wherein the first transfer device takes out a wafer from a cassette of the loader section. And a second band for taking out the wafer from the first processing apparatus and supplying it to the second processing apparatus, wherein the second processing apparatus includes the third band. A first band for taking out the wafer from the processing apparatus and supplying it to the fourth processing apparatus; and a second band for taking out the wafer from the fourth processing apparatus and storing it in the cassette of the unloader unit. Characterize.

【0007】上記課題を解決するための本発明の第3の
手段は、上記第1の手段において、前記第1の処理装置
はウェーハエッジ研磨装置で、前記第2の処理装置は第
1の洗浄装置で、前記第3の処理装置は第2の洗浄装置
で、前記第4の処理装置は乾燥装置であることを特徴と
する。
A third means of the present invention for solving the above-mentioned problems is the above-mentioned first means, wherein the first processing device is a wafer edge polishing device and the second processing device is a first cleaning device. In the apparatus, the third processing device is a second cleaning device and the fourth processing device is a drying device.

【0008】上記課題を解決するための本発明の第4の
手段は、上記第1の手段において、前記第1の処理装置
はウェーハ表面に親水性の酸化膜を形成する装置で、前
記第2の処理装置はウェーハエッジ研磨装置で、前記第
3の処理装置は洗浄装置で、前記第4の処理装置は乾燥
装置であることを特徴とする。
A fourth means of the present invention for solving the above-mentioned problems is the above-mentioned first means, wherein the first processing apparatus is an apparatus for forming a hydrophilic oxide film on a wafer surface, Is a wafer edge polishing apparatus, the third processing apparatus is a cleaning apparatus, and the fourth processing apparatus is a drying apparatus.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態を図により
説明する。図1は正面図、図2は図1のA−A線断面図
で1階部1を示し、図3は図1のB−B線断面図で2階
部2を示し、図4は図1のC−C線断面図で1階部1と
2階部2とからなる2階建て部3を示す。即ち、奥側が
2階建て部3となっている。図5は図3のD−D線断面
図である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 is a front view, FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA of FIG. 1, showing a first floor 1, FIG. 3 is a sectional view taken along the line BB of FIG. 1, showing a second floor 2, and FIG. 1 is a cross-sectional view taken along line CC of FIG. 1, showing a two-story portion 3 including a first floor portion 1 and a second floor portion 2. That is, the back side is the two-story part 3. FIG. 5 is a sectional view taken along the line D-D of FIG.

【0010】1階部1には、図2に示すように、第1の
処理装置であるウェーハエッジ研磨装置10と第4の処
理装置である乾燥装置30とが並設されている。2階部
2には、図3に示すように、第2の処理装置である第1
の洗浄装置20Aと第3の処理装置である第2の洗浄装
置20Bとが並設されている。本実施の形態は、ウェー
ハエッジ研磨装置10、第1及び第2の洗浄装置20
A、20B、乾燥装置30の配置に特徴があり、各装置
10、20A、20B、30の構造自体には特徴はな
い。即ち、各装置10、20A、20B、30は公知の
装置であってもよいので、以下、簡単に説明する。
As shown in FIG. 2, on the first floor 1, a wafer edge polishing apparatus 10 as a first processing apparatus and a drying apparatus 30 as a fourth processing apparatus are arranged in parallel. As shown in FIG. 3, the second floor 2 includes a first processing device, which is a first processing device.
The cleaning device 20A and the second cleaning device 20B, which is the third processing device, are arranged in parallel. In this embodiment, the wafer edge polishing apparatus 10, the first and second cleaning apparatuses 20 are used.
The arrangement of A, 20B and the drying device 30 is characteristic, and the structure itself of each device 10, 20A, 20B, 30 is not characteristic. That is, since each of the devices 10, 20A, 20B, 30 may be a known device, it will be briefly described below.

【0011】ウェーハエッジ研磨装置10は、図2に示
すように、図示しないスピンドルにチャックされたウェ
ーハ5の周囲に3台設置されている。各ウェーハエッジ
研磨装置10の各研磨ドラム11A、11B、11Cの
外周には、図6及び図7に示すように、圧縮性のある柔
軟な研磨パッド12A、12B、12Cが貼り付けられ
ており、ウェーハ5のエッジ部に研磨パッド12A、1
2B、12Cを押し付けて研磨している。研磨ドラム1
1Aは、ウェーハ5と角度θ1(45°)で接触して上
面エッジ5aを研磨し、研磨ドラム11Bは、ウェーハ
5と角度θ2(90°)で接触して側面エッジ5bを研
磨し、研磨ドラム11Cは、ウェーハ5と角度θ3(1
35°)で接触して下面エッジ5cを研磨する。このエ
ッジ研磨時には、図示しないノズルより研磨スラリが供
給される。
As shown in FIG. 2, three wafer edge polishing apparatuses 10 are installed around the wafer 5 chucked by a spindle (not shown). As shown in FIGS. 6 and 7, compressible and flexible polishing pads 12A, 12B, 12C are attached to the outer periphery of each polishing drum 11A, 11B, 11C of each wafer edge polishing apparatus 10, Polishing pads 12A, 1 on the edge of the wafer 5
2B and 12C are pressed and polished. Polishing drum 1
1A contacts the wafer 5 at an angle θ1 (45 °) to polish the upper edge 5a, and the polishing drum 11B contacts the wafer 5 at an angle θ2 (90 °) to polish the side edge 5b. 11C is at an angle θ3 (1
The lower surface edge 5c is polished by making contact at 35 °. During this edge polishing, a polishing slurry is supplied from a nozzle (not shown).

【0012】第1の洗浄装置20Aと第2の洗浄装置2
0Bは全く同じ構造となっている。図3乃至図5に示す
ように、ウェーハ5は、4個の支持を兼ねた駆動部材2
1によって支持されて回転駆動される。ウェーハ5の表
面側及び裏面側にはそれぞれ上下動可能で回転駆動され
るスポンジよりなるブラシ22、23が配設されてい
る。またウェーハ5の表面及び裏面に洗浄液を吹き付け
るノズル24、25が配設されている。ここで、第1の
洗浄装置20Aのノズル24、25には酸性洗浄液が供
給され、第2の洗浄装置20Bのノズル24、25には
アルカリ性洗浄液が供給されるようになっている。そこ
で、ウェーハ5は、回転駆動させられながらノズル2
4、25より洗浄液が供給され、ブラシ22、23によ
ってウェーハ5に付着した研磨スラリ等の不純物が洗浄
される。
The first cleaning device 20A and the second cleaning device 2
0B has exactly the same structure. As shown in FIGS. 3 to 5, the wafer 5 has a driving member 2 that also serves as four supporting members.
It is supported by 1 and is rotationally driven. Brushes 22 and 23 made of sponge which are vertically movable and rotatably driven are arranged on the front surface side and the back surface side of the wafer 5, respectively. Further, nozzles 24 and 25 for spraying a cleaning liquid are provided on the front surface and the back surface of the wafer 5. Here, the acidic cleaning liquid is supplied to the nozzles 24 and 25 of the first cleaning device 20A, and the alkaline cleaning liquid is supplied to the nozzles 24 and 25 of the second cleaning device 20B. Therefore, the wafer 5 is rotated while being driven by the nozzle 2
A cleaning liquid is supplied from Nos. 4 and 25, and impurities such as polishing slurry attached to the wafer 5 are cleaned by the brushes 22 and 23.

【0013】乾燥装置30は、図2に示すように、回転
駆動されるウェーハ5の表面及び裏面にそれぞれ純水を
吹き付けるノズルアーム31、32が設けられている。
そこで、ウェーハ5を回転させながらウェーハ5の表面
及び裏面に純水を一定時間吹き付けた後に純水の吹き付
けを停止させ、更にウェーハ5を高速回転させる。これ
により、ウェーハ5に付着した前記第1の洗浄装置20
A及び第2の洗浄装置20Bの洗浄液及び純水が遠心力
によって飛散され、乾燥状態となる。
As shown in FIG. 2, the drying device 30 is provided with nozzle arms 31 and 32 for spraying pure water onto the front surface and the back surface of the wafer 5 which is rotationally driven.
Therefore, while the wafer 5 is being rotated, pure water is sprayed on the front surface and the back surface of the wafer 5 for a certain period of time, and then spraying of pure water is stopped, and the wafer 5 is rotated at a high speed. Thereby, the first cleaning device 20 attached to the wafer 5
The cleaning liquid of A and the second cleaning device 20B and the pure water are scattered by the centrifugal force and become a dry state.

【0014】ウェーハエッジ研磨装置10及び乾燥装置
30の手前の下方には、後記する第1及び第2の搬送装
置50A、50Bを間に挟んで、図2に示すようにロー
ダ部40A及びアンローダ部40Bとなっている。ロー
ダ部40A及びアンローダ部40Bには、それぞれ2個
のカセット41、42が配設されている。カセット4
1、42はウェーハ5を上下に一定ピッチで収納するよ
うになっており、ローダ部40Aのカセット41、42
には、処理されるウェーハ5が収納されており、アンロ
ーダ部40Bのカセット41、42には、処理済のウェ
ーハ5が収納される。ここで、ローダ部40A及びアン
ローダ部40Bにそれぞれ2個のカセット41、42を
配設したのは、ローダ部40Aの一方、例えばカセット
41が空になった時は、他方のカセット42よりウェー
ハ5を取り出すようにし、アンローダ部40Bの一方、
例えばカセット41が満杯になった時は、他方のカセッ
ト42にウェーハ5を収納するようにし、カセット交換
時におけるロスタイムを無くするようにしている。
Below the wafer edge polishing apparatus 10 and the drying apparatus 30, there are a loader section 40A and an unloader section as shown in FIG. It is 40B. Two cassettes 41 and 42 are arranged in the loader unit 40A and the unloader unit 40B, respectively. Cassette 4
1 and 42 are adapted to store the wafers 5 vertically at a constant pitch, and the cassettes 41 and 42 of the loader section 40A
Stores the wafer 5 to be processed, and the cassettes 41 and 42 of the unloader unit 40B store the processed wafer 5. Here, the two cassettes 41 and 42 are provided in the loader unit 40A and the unloader unit 40B, respectively, because one of the loader units 40A, for example, when the cassette 41 becomes empty, the wafer Of the unloader section 40B,
For example, when the cassette 41 is full, the wafer 5 is stored in the other cassette 42 so as to eliminate the loss time when the cassette is replaced.

【0015】第1及び第2の搬送装置50A、50Bは
全く同じ構造よりなっており、図2乃至図5に示すよう
に、第1の搬送装置50Aは、ウェーハエッジ研磨装置
10と第1の洗浄装置20Aに対応して配設され、第2
の搬送装置50Bは、乾燥装置30と第2の洗浄装置2
0Bに対応して配設されている。第1及び第2の搬送装
置50A、50Bは、それぞれウェーハ5を保持するた
めの2個の第1及び第2のバンド51、52を有し、こ
の第1及び第2のバンド51、52を平面上のXY軸方
向と上下方向のZ軸方向に駆動するロボット本体53を
有している。ロボット本体53は、上下スライド機構5
4によって第1及び第2のバンド51、52が1階部1
と2階部2に対応するように上下駆動される。
The first and second transfer devices 50A and 50B have exactly the same structure. As shown in FIGS. 2 to 5, the first transfer device 50A includes the wafer edge polishing device 10 and the first transfer device 50A. It is arranged corresponding to the cleaning device 20A, and the second
The transport device 50B of the cleaning device includes a drying device 30 and a second cleaning device 2
It is arranged corresponding to 0B. Each of the first and second transfer devices 50A and 50B has two first and second bands 51 and 52 for holding the wafer 5, and the first and second bands 51 and 52 are respectively provided. It has a robot main body 53 that is driven in the XY axis directions on the plane and in the Z axis direction in the vertical direction. The robot body 53 includes a vertical slide mechanism 5
4, the first and second bands 51, 52 are on the first floor 1
And is vertically driven to correspond to the second floor 2.

【0016】第1の搬送装置50Aの第1のバンド51
は、ローダ部40Aのカセット41、42内のウェーハ
5を取り出してウェーハエッジ研磨装置10に供給する
ものである。第1の搬送装置50Aの第2のバンド52
は、ウェーハエッジ研磨装置10よりエッジ研磨済のウ
ェーハ5を取り出し、上下スライド機構54により第1
の洗浄装置20Aに対応するように上昇させられた後に
ウェーハ5を第1の洗浄装置20Aに供給するものであ
る。第2の搬送装置50Bの第1のバンド51は、第2
の洗浄装置20Bより洗浄済のウェーハ5を取り出し、
上下スライド機構54により乾燥装置30に対応するよ
うに下降させられた後にウェーハ5を乾燥装置30に供
給するものである。第2の搬送装置50Bの第2のバン
ド52は、乾燥装置30より乾燥済のウェーハ5を取り
出してアンローダ部40Bのカセット41、42に収納
するものである。
The first band 51 of the first transfer device 50A
Is to take out the wafer 5 from the cassettes 41 and 42 of the loader section 40A and supply it to the wafer edge polishing apparatus 10. The second band 52 of the first transport device 50A
Removes the wafer 5 whose edge has been polished from the wafer edge polishing apparatus 10 and uses the vertical slide mechanism 54 to move the first
The wafer 5 is supplied to the first cleaning device 20A after being raised so as to correspond to the cleaning device 20A. The first band 51 of the second transport device 50B is
The cleaned wafer 5 is taken out from the cleaning device 20B of
The wafer 5 is supplied to the drying device 30 after being lowered by the vertical slide mechanism 54 so as to correspond to the drying device 30. The second band 52 of the second transfer device 50B takes out the dried wafer 5 from the drying device 30 and stores it in the cassettes 41 and 42 of the unloader section 40B.

【0017】2階部2の第1の洗浄装置20Aと第2の
洗浄装置20B間には、図3及び図5に示すように、第
3の搬送装置60が配設されている。第3の搬送装置6
0は、ウェーハ5の外周を保持する開閉自在の一対のア
ーム61、62を有し、該アーム61、62は旋回させ
られると共に上下方向のZ軸方向に駆動させられる。即
ち、アーム61、62を開いた状態で、第1の洗浄装置
20Aの上方に旋回した後に下降して閉じ、第1の洗浄
済のウェーハ5を保持する。そして、第2の洗浄装置2
0Bの上方に旋回した後に下降してアーム61、62が
開いてウェーハ5を第2の洗浄装置20Bに供給する。
As shown in FIGS. 3 and 5, a third transfer device 60 is disposed between the first cleaning device 20A and the second cleaning device 20B on the second floor 2. Third transport device 6
Reference numeral 0 has a pair of arms 61 and 62 that hold the outer periphery of the wafer 5 and can be opened and closed. The arms 61 and 62 are rotated and driven in the vertical Z-axis direction. That is, with the arms 61 and 62 opened, the arm 5 swivels above the first cleaning device 20A and then descends and closes to hold the first cleaned wafer 5. Then, the second cleaning device 2
After swinging above 0B, it descends and arms 61 and 62 open to supply the wafer 5 to the second cleaning device 20B.

【0018】次に作用について説明する。ウェーハエッ
ジ研磨装置10ではウェーハ5のエッジ研磨、第1の洗
浄装置20Aではエッジ研磨済のウェーハ5の第1の洗
浄、第2の洗浄装置20Bでは第1の洗浄済のウェーハ
5の第2の洗浄、乾燥装置30では第2の洗浄済のウェ
ーハ5の乾燥がそれぞれ行なわれている状態より説明す
る。
Next, the operation will be described. The wafer edge polishing apparatus 10 performs edge polishing of the wafer 5, the first cleaning apparatus 20A performs first cleaning of the edge-polished wafer 5, and the second cleaning apparatus 20B performs second cleaning of the first cleaned wafer 5. In the cleaning / drying device 30, the second cleaned wafer 5 is dried, respectively.

【0019】まず、第1の搬送装置50Aの作用につい
て説明する。ウェーハエッジ研磨装置10でウェーハ5
のエッジ研磨が行なわれている間に、第1の搬送装置5
0Aの第1のバンド51は、ローダ部40Aのカセット
41よりウェーハ5を取り出して待機している。ウェー
ハエッジ研磨装置10でウェーハ5のエッジ研磨が終了
すると、第1の搬送装置50Aの第2のバンド52がエ
ッジ研磨済のウェーハ5を取り出し、その後第1のバン
ド51に保持されたウェーハ5をウェーハエッジ研磨装
置10に供給する。その後、ロボット本体53は上下ス
ライド機構54によって1階部1のウェーハエッジ研磨
装置10の前方より2階部2の第1の洗浄装置20Aの
前方に上昇させられる。そして、第1の洗浄装置20A
にウェーハ5が無い状態となると、第2のバンド52に
保持したウェーハ5を第1の洗浄装置20Aに供給す
る。その後、ロボット本体53は2階部2の第1の洗浄
装置20Aの前方より1階部1のウェーハエッジ研磨装
置10の前方に下降する。その後は前記した動作を繰り
返す。
First, the operation of the first transfer device 50A will be described. Wafer edge polishing machine 10
While the edge polishing of the first transfer device 5 is being performed,
The first band 51 of 0A takes out the wafer 5 from the cassette 41 of the loader section 40A and stands by. When the edge polishing of the wafer 5 is completed by the wafer edge polishing apparatus 10, the second band 52 of the first transfer device 50A takes out the wafer 5 whose edge has been polished, and then the wafer 5 held by the first band 51 is removed. It is supplied to the wafer edge polishing apparatus 10. After that, the robot main body 53 is lifted by the vertical slide mechanism 54 from the front of the wafer edge polishing apparatus 10 on the first floor 1 to the front of the first cleaning apparatus 20A on the second floor 2. Then, the first cleaning device 20A
When there is no wafer 5 in the wafer, the wafer 5 held by the second band 52 is supplied to the first cleaning device 20A. Then, the robot main body 53 descends from the front of the first cleaning device 20A on the second floor 2 to the front of the wafer edge polishing device 10 on the first floor 1. After that, the above operation is repeated.

【0020】次に第3の搬送装置60の作用について説
明する。第1の洗浄装置20Aのウェーハ5の第1の洗
浄が終了すると、第3の搬送装置60が第1の洗浄装置
20Aのウェーハ5を取り出す。そして、第2の洗浄装
置20Bにウェーハ5が無い状態になると、第2の洗浄
装置20Bに第1の洗浄済のウェーハ5を供給する。
Next, the operation of the third transfer device 60 will be described. When the first cleaning of the wafer 5 of the first cleaning device 20A is completed, the third transfer device 60 takes out the wafer 5 of the first cleaning device 20A. Then, when the wafer 5 is not present in the second cleaning device 20B, the first cleaned wafer 5 is supplied to the second cleaning device 20B.

【0021】最後に第2の搬送装置50Bの作用につい
て説明する。第2の搬送装置50Bは第2の洗浄装置2
0Bに対応した位置にある。第2の洗浄装置20Bによ
ってウェーハ5への第2の洗浄が終了すると、第1のバ
ンド51が第2の洗浄装置20Bよりウェーハ5を取り
出す。その後、ロボット本体53は2階部2の第2の洗
浄装置20Bの前方より1階部1の乾燥装置30の前方
に上下スライド機構54によって下降させられる。そし
て、乾燥装置30のウェーハ5の乾燥が終了すると、第
2のバンド52が乾燥装置30のウェーハ5を取り出
し、第1のバンド51に保持している第2の洗浄済のウ
ェーハ5を乾燥装置30に供給する。その後第2のバン
ド52に保持している乾燥済のウェーハ5をアンローダ
部40Bのカセット41、42に収納する。
Finally, the operation of the second transfer device 50B will be described. The second transfer device 50B is the second cleaning device 2
It is in the position corresponding to 0B. When the second cleaning device 20B completes the second cleaning of the wafer 5, the first band 51 takes out the wafer 5 from the second cleaning device 20B. After that, the robot main body 53 is lowered by the vertical slide mechanism 54 from the front of the second cleaning device 20B on the second floor 2 to the front of the drying device 30 on the first floor 1. Then, when the drying of the wafer 5 of the drying device 30 is completed, the second band 52 takes out the wafer 5 of the drying device 30, and the second cleaning wafer 5 held by the first band 51 is dried by the drying device. Supply to 30. After that, the dried wafers 5 held on the second band 52 are stored in the cassettes 41 and 42 of the unloader section 40B.

【0022】このように、2階建て部3となっており、
1階部1には第1の処理装置であるウェーハエッジ研磨
装置10と第4の処理装置である乾燥装置30が配設さ
れ、2階部2には第2及び第3の処理装置である第1及
び第2の洗浄装置20A、20Bが配設された構成より
なるので、装置の占有面積の低減が図れる。
Thus, the two-story building 3 is formed,
A wafer edge polishing apparatus 10 which is a first processing apparatus and a drying apparatus 30 which is a fourth processing apparatus are arranged on the first floor section 1, and second and third processing apparatuses are provided on the second floor section 2. Since the first and second cleaning devices 20A and 20B are arranged, the area occupied by the devices can be reduced.

【0023】なお、第1及び第2の搬送装置50A、5
0Bは、それぞれ2つの第1及び第2のバンド51、5
2を設けたが、それぞれ1つの第1のバンド51のみで
もよい。しかし、この構成であると、第1のバンド51
はウェーハエッジ研磨装置10でエッジ研磨したウェー
ハ5を取り出した後に、上昇して第1の洗浄装置20A
にエッジ研磨済のウェーハ5を供給し、その後下降して
ローダ部40Aのカセット41、42よりウェーハ5を
取り出してウェーハエッジ研磨装置10に供給するよう
になる。即ち、第1のバンド51の動作中は、ウェーハ
エッジ研磨装置10は停止した状態にあり、ロスタイム
が大きい。またウェーハエッジ研磨装置10のウェーハ
5の取り出しとカセット41、42からのウェーハ5の
取り出しを同じ第1のバンド51で行なうようになるの
で、研磨済のウェーハ5の保持によって汚れが第1のバ
ンド51に付着し、この汚れがカセット41、42から
取り出すウェーハ5を汚染する。
Incidentally, the first and second transfer devices 50A, 5
0B indicates two first and second bands 51 and 5, respectively.
Although two are provided, only one first band 51 may be provided for each. However, with this configuration, the first band 51
Takes out the wafer 5 whose edge has been polished by the wafer edge polishing apparatus 10 and then moves up to move to the first cleaning apparatus 20A.
Then, the wafer 5 whose edge has been polished is supplied, and then the wafer 5 is lowered to take out the wafer 5 from the cassettes 41 and 42 of the loader section 40A and supply it to the wafer edge polishing apparatus 10. That is, during the operation of the first band 51, the wafer edge polishing apparatus 10 is in a stopped state, and the loss time is large. Further, since the removal of the wafer 5 of the wafer edge polishing apparatus 10 and the removal of the wafer 5 from the cassettes 41 and 42 are performed in the same first band 51, the contamination of the first band 51 caused by holding the polished wafer 5 is eliminated. This stain adheres to the wafer 51 and contaminates the wafer 5 taken out from the cassettes 41 and 42.

【0024】この点、本実施の形態においては、第1の
搬送装置50Aは、ローダ部40Aのカセット41、4
2よりウェーハ5を取り出してウェーハエッジ研磨装置
10に供給する第1のバンド51と、ウェーハエッジ研
磨装置10よりウェーハ5を取り出して第1の洗浄装置
20Aに供給する第2のバンド52とを有し、第2の搬
送装置50Bは、第2の洗浄装置20Bよりウェーハ5
を取り出して乾燥装置30に供給する第1のバンド51
と、乾燥装置30よりウェーハ5を取り出してアンロー
ダ部40Bのカセット41、42に収納する第2のバン
ド52とを有するので、ロスタイムが無く、かつ汚染も
少ない。
In this respect, in the present embodiment, the first transfer device 50A is provided with the cassettes 41, 4 of the loader section 40A.
2 has a first band 51 that takes out the wafer 5 from the wafer edge polishing apparatus 10 and supplies it to the wafer edge polishing apparatus 10, and a second band 52 that takes out the wafer 5 from the wafer edge polishing apparatus 10 and supplies it to the first cleaning apparatus 20A. The second transfer device 50B receives the wafer 5 from the second cleaning device 20B.
First band 51 for taking out and supplying it to the drying device 30
And the second band 52 for taking out the wafer 5 from the drying device 30 and storing it in the cassettes 41, 42 of the unloader section 40B, there is no loss time and less contamination.

【0025】また本実施の形態においては、第1の工程
でエッジ研磨、第2の工程で第1の洗浄、第3の工程で
第2の洗浄、第4の工程で乾燥の各工程を順次行なう場
合について説明したが、本実施の形態はこの工程に限定
されるものではない。例えば、特開平10−30966
6号公報のように、第1の工程でウェーハの表面に酸化
膜を形成した後に純水シャワーで洗浄、第2の工程でエ
ッジ研磨、第3の工程で純水シャワーで洗浄、第4の工
程で乾燥する場合にも適用できる。この場合には、1階
部1に第1の工程の2酸化膜形成部・洗浄装置と第4の
工程の乾燥装置とを並設し、2階部2に第2の工程のウ
ェーハエッジ研磨装置と第3の工程の洗浄装置とを並設
すればよい。
In the present embodiment, the steps of edge polishing in the first step, first cleaning in the second step, second cleaning in the third step, and drying in the fourth step are sequentially performed. Although the case has been described, the present embodiment is not limited to this step. For example, JP-A-10-30966
As in Japanese Patent Laid-Open No. 6, in the first step, an oxide film is formed on the surface of the wafer and then washed with pure water shower, in the second step edge polishing, in the third step pure water shower, and fourth It can also be applied when drying in the process. In this case, the second oxide film forming unit / cleaning device of the first step and the drying device of the fourth step are installed in parallel on the first floor 1 and the wafer edge polishing of the second step is performed on the second floor 2. The device and the cleaning device of the third step may be installed in parallel.

【0026】[0026]

【発明の効果】本発明は、2階建て部を有し、該2階建
て部の1階部には第1の処理装置と第4の処理装置とを
並設し、2階部には第2の処理装置と第3の処理装置と
を並設し、2階建て部の前方には、第1及び第2の処理
装置に対応して第1の搬送装置を、第3及び第4の処理
装置に対応して第2の搬送装置を配設し、前記第1及び
第2の搬送装置のいずれか一方はウェーハエッジ研磨装
置であり、前記2階部の第2の処理装置と第4の処理装
置間には、第2の処理装置からウェーハを取り出して第
3の処理装置に供給する第3の搬送装置を配設し、前記
第1及び第2の搬送装置の手前には、それぞれウェーハ
を収納したカセットを配設するローダ部とウェーハを収
納するカセットを配設するアンローダ部とを有した構成
よりなるので、装置の占有面積の低減化が図れる。
The present invention has a two-story section, the first processing unit and the fourth processing unit are installed side by side on the first floor of the two-story section, and the second floor section is provided. The second processing device and the third processing device are arranged side by side, and in front of the two-story unit, the first transfer device is provided corresponding to the first and second processing devices, and the third and fourth processing devices are provided. A second transfer device corresponding to the first processing device, and one of the first and second transfer devices is a wafer edge polishing device. A third transfer device for taking out the wafer from the second process device and supplying it to the third process device is arranged between the four process devices, and in front of the first and second transfer devices, Each of the components has a loader section for arranging a cassette accommodating wafers and an unloader section for arranging a cassette accommodating wafers. Attained is reduction of the area occupied.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のウェーハエッジ研磨処理装置の一実施
の形態を示す正面図である。
FIG. 1 is a front view showing an embodiment of a wafer edge polishing processing apparatus of the present invention.

【図2】図1のA−A線断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA of FIG.

【図3】図1のB−B線断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along line BB of FIG.

【図4】図1のC−C線断面図である。4 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG.

【図5】図3のD−D線断面図である。5 is a cross-sectional view taken along the line DD of FIG.

【図6】ウェーハエッジ部の研磨説明図である。FIG. 6 is a diagram illustrating polishing of a wafer edge portion.

【図7】(a)は図6のE−E線断面図、(b)は図6
のF−F線断面図、(c)は図6のG−G線断面図であ
る。
7A is a sectional view taken along line EE of FIG. 6, and FIG. 7B is FIG.
6 is a sectional view taken along line FF of FIG. 6, and FIG. 7C is a sectional view taken along line GG of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 1階部 2 2階部 3 2階建て部 5 ウェーハ 10 ウェーハエッジ研磨装置 20A 第1の洗浄装置 20B 第2の洗浄装置 30 乾燥装置 40A ローダ部 40B アンローダ部 41、42 カセット 50A 第1の搬送装置 50B 第2の搬送装置 51 第1のバンド 52 第2のバンド 53 ロボット本体 54 上下スライド機構 60 第3の搬送装置 1 1st floor 2 2nd floor 3 2 floors 5 wafers 10 Wafer edge polishing machine 20A First cleaning device 20B Second cleaning device 30 dryer 40A loader section 40B unloader section 41, 42 cassettes 50A first transfer device 50B Second transfer device 51 First Band 52 Second Band 53 Robot body 54 Vertical slide mechanism 60 Third Transport Device

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 武藤 寧 東京都昭島市武蔵野3丁目10番6号 ワイ エイシイ株式会社内 (72)発明者 金井 史幸 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 荒井 利行 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 Fターム(参考) 3C049 AA03 AA18 AC01 CA01 CB03   ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Nei Muto             3-10-6 Musashino, Akishima-shi, Tokyo Wai             Within ASH Co., Ltd. (72) Inventor Fumiyuki Kanai             5-20-1 Kamimizuhonmachi, Kodaira-shi, Tokyo Stock             Ceremony Company Hitachi Semiconductor Division (72) Inventor Toshiyuki Arai             5-20-1 Kamimizuhonmachi, Kodaira-shi, Tokyo Stock             Ceremony Company Hitachi Semiconductor Division F term (reference) 3C049 AA03 AA18 AC01 CA01 CB03

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 2階建て部を有し、該2階建て部の1階
部には第1の処理装置と第4の処理装置とを並設し、2
階部には第2の処理装置と第3の処理装置とを並設し、
2階建て部の前方には、第1及び第2の処理装置に対応
して第1の搬送装置を、第3及び第4の処理装置に対応
して第2の搬送装置を配設し、前記第1及び第2の搬送
装置のいずれか一方はウェーハエッジ研磨装置であり、
前記2階部の第2の処理装置と第4の処理装置間には、
第2の処理装置からウェーハを取り出して第3の処理装
置に供給する第3の搬送装置を配設し、前記第1及び第
2の搬送装置の手前には、それぞれウェーハを収納した
カセットを配設するローダ部とウェーハを収納するカセ
ットを配設するアンローダ部とを有し、前記第1の搬送
装置は、ローダ部のカセットよりウェーハを取り出して
前記第1の処理装置に供給し、第1の処理装置による処
理済のウェーハを取り出して第2の処理装置に供給し、
前記第2の搬送装置は、第3の処理装置による処理済の
ウェーハを取り出して第4の処理装置に供給し、第4の
処理装置による処理済のウェーハを取り出して前記アン
ローダ部のカセットに収納することを特徴とするウェー
ハエッジ研磨処理装置。
1. A two-story unit having a first processing unit and a fourth processing unit arranged side by side on the first floor of the two-story unit,
A second processing device and a third processing device are installed side by side on the floor,
In the front of the two-story section, a first transfer device is provided corresponding to the first and second processing devices, and a second transfer device is provided corresponding to the third and fourth processing devices. One of the first and second transfer devices is a wafer edge polishing device,
Between the second processing device and the fourth processing device on the second floor,
A third transfer device for taking out the wafer from the second process device and supplying it to the third process device is arranged, and a cassette containing the wafers is arranged in front of the first and second transfer devices, respectively. A loader unit to be installed and an unloader unit to dispose a cassette to store the wafers; and the first transfer device takes out the wafers from the cassette of the loader unit and supplies the wafers to the first processing device. Wafers processed by the above processing device are taken out and supplied to the second processing device,
The second transfer device takes out the wafer processed by the third processing device and supplies it to the fourth processing device, and takes out the wafer processed by the fourth processing device and stores it in the cassette of the unloader unit. A wafer edge polishing processing apparatus characterized by being.
【請求項2】 前記第1の搬送装置は、前記ローダ部の
カセットよりウェーハを取り出して前記第1の処理装置
に供給する第1のバンドと、前記第1の処理装置よりウ
ェーハを取り出して前記第2の処理装置に供給する第2
のバンドとを有し、前記第2の処理装置は、前記第3の
処理装置よりウェーハを取り出して前記第4の処理装置
に供給する第1のバンドと、前記第4の処理装置よりウ
ェーハを取り出して前記アンローダ部のカセットに収納
する第2のバンドとを有することを特徴とする請求項1
記載のウェーハエッジ研磨処理装置。
2. The first transfer device takes out a wafer from a cassette of the loader unit and supplies it to the first processing device, and a wafer from the first processing device to take out the wafer. Second supply to second processing device
The second processing apparatus removes the wafer from the third processing apparatus and supplies it to the fourth processing apparatus, and the second processing apparatus loads the wafer from the fourth processing apparatus. 2. A second band which is taken out and stored in the cassette of the unloader section.
The wafer edge polishing processing apparatus described.
【請求項3】 前記第1の処理装置はウェーハエッジ研
磨装置で、前記第2の処理装置は第1の洗浄装置で、前
記第3の処理装置は第2の洗浄装置で、前記第4の処理
装置は乾燥装置であることを特徴とする請求項1記載の
ウェーハエッジ研磨処理装置。
3. The first processing apparatus is a wafer edge polishing apparatus, the second processing apparatus is a first cleaning apparatus, the third processing apparatus is a second cleaning apparatus, and the fourth processing apparatus is a fourth cleaning apparatus. The wafer edge polishing processing apparatus according to claim 1, wherein the processing apparatus is a drying apparatus.
【請求項4】 前記第1の処理装置はウェーハ表面に親
水性の酸化膜を形成する装置で、前記第2の処理装置は
ウェーハエッジ研磨装置で、前記第3の処理装置は洗浄
装置で、前記第4の処理装置は乾燥装置であることを特
徴とする請求項1記載のウェーハエッジ研磨処理装置。
4. The first processing apparatus is an apparatus for forming a hydrophilic oxide film on a wafer surface, the second processing apparatus is a wafer edge polishing apparatus, and the third processing apparatus is a cleaning apparatus. The wafer edge polishing processing apparatus according to claim 1, wherein the fourth processing apparatus is a drying apparatus.
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