JP2003151363A - Conductive film and manufacturing method of conductive film - Google Patents

Conductive film and manufacturing method of conductive film

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JP2003151363A
JP2003151363A JP2002060116A JP2002060116A JP2003151363A JP 2003151363 A JP2003151363 A JP 2003151363A JP 2002060116 A JP2002060116 A JP 2002060116A JP 2002060116 A JP2002060116 A JP 2002060116A JP 2003151363 A JP2003151363 A JP 2003151363A
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metal fine
metal
conductive film
group
fine particle
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Japanese (ja)
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Toru Okubo
透 大久保
Hisamitsu Kameshima
久光 亀島
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a conductive film showing high conductivity and its manufacturing method with a low temperature process in regard to a wet conductive film, having high conductivity, transparency and superior visibility by improving poorness of visibility of a conductive film of a metal mesh which is prior art. SOLUTION: The conductive film and its manufacturing method are characterized by that a metal particulate holding layer is provided having at least a metal particulate holding part formed with a pattern, a metal particulate layer including held metal particulates is provided in the metal particulate holding part, and adjacent metal particulates of the metal particulates forming the metal particulate layer are crosslinked via a metal cross linking agent.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、導電膜及びその製
造方法に関するものである。特にEL,PDP,LC
D,CRT等の各種表示装置の電磁波遮蔽膜および透明
電極、あるいは太陽電池の透明電極として有用な透明な
導電膜およびその製造方法に関する。さらには、高い導
電性と透明性を示しかつ視認性に優れた透明導電膜およ
びその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a conductive film and its manufacturing method. Especially EL, PDP, LC
The present invention relates to a transparent conductive film useful as an electromagnetic wave shielding film and a transparent electrode of various display devices such as D and CRTs, or a transparent electrode of a solar cell, and a manufacturing method thereof. Furthermore, the present invention relates to a transparent conductive film having high conductivity and transparency and excellent visibility, and a method for producing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、透明導電膜としては導電性酸化物
あるいは金属からなる薄膜が一般的に用いられている。
このうち、導電性酸化物は透明性には優れているが体積
抵抗率が比較的大きく、十分低い表面抵抗を得るために
は厚膜化が必要である。このため、特に低い表面抵抗が
必要とされる大面積用途においては、成膜コストが非常
に高くなるばかりか、実用上十分低い表面抵抗を得るこ
とは困難である。一方、金属は導電性には優れるが本質
的に透明性が小さく、実用化は非常に狭い用途範囲に限
られているのが現状である。
2. Description of the Related Art Conventionally, a thin film made of a conductive oxide or a metal is generally used as a transparent conductive film.
Among them, the conductive oxide is excellent in transparency, but has a relatively large volume resistivity, and it is necessary to increase the film thickness in order to obtain a sufficiently low surface resistance. For this reason, especially in a large-area application where a low surface resistance is required, not only the film forming cost becomes very high, but also it is difficult to obtain a surface resistance that is sufficiently low in practical use. On the other hand, although metals have excellent conductivity, they are inherently small in transparency, and their practical use is currently limited to a very narrow range of applications.

【0003】これに対し、金属ワイヤーやカーボンワイ
ヤーで形成されたメッシュ状の導電性構造体を透明基材
の表面に設け、透明性と導電性を高いレベルで両立させ
る試みがなされている。しかしながら、メッシュ状構造
体は線幅を小さくするには限界がありワイヤーが目視で
きてしまうため、上記各種表示装置に用いられた場合、
著しい視認性の低下は避けられない。
On the other hand, it has been attempted to provide a mesh-shaped conductive structure formed of a metal wire or a carbon wire on the surface of a transparent substrate so as to achieve both high transparency and high conductivity. However, since the mesh structure has a limit in reducing the line width and the wire can be visually observed, when used in the above various display devices,
A significant reduction in visibility is inevitable.

【0004】また、プリント配線体などのパターニング
された導電膜では、導電性の塗布液と基材とのぬれ特性
のために、十分な導電性を出そうとすると線幅が太くな
ってしまい、線幅を細くすると十分な導電性を確保する
ことは困難であった。
Further, in a patterned conductive film such as a printed wiring body, due to the wetting characteristics of the conductive coating liquid and the base material, the line width becomes thicker when attempting to provide sufficient conductivity, When the line width is made narrow, it is difficult to secure sufficient conductivity.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術に
おける上記問題点を鑑みてなされたものであり、低温プ
ロセスで、高い導電性を示す導電膜およびその製造方法
を提供することを課題とする。さらには、高い透明性を
有しかつ視認性に優れた透明な導電膜およびその製造方
法を提供することを課題とする。
The present invention has been made in view of the above problems in the prior art, and an object thereof is to provide a conductive film exhibiting high conductivity in a low temperature process and a method for manufacturing the same. To do. Another object is to provide a transparent conductive film having high transparency and excellent visibility, and a method for manufacturing the same.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、少な
くとも金属微粒子保持部がパターン形成された金属微粒
子保持層および該金属微粒子保持部に保持された金属微
粒子を含む金属微粒子層を有しており、かつ該金属微粒
子のうち隣接するもの同士が金属架橋剤を介して架橋さ
れていることを特徴とする導電膜である。
The invention according to claim 1 has a metal fine particle holding layer in which at least a metal fine particle holding portion is patterned, and a metal fine particle layer containing metal fine particles held in the metal fine particle holding portion. And adjacent ones of the metal fine particles are cross-linked through a metal cross-linking agent.

【0007】請求項2の発明は、前記金属微粒子保持部
のパターン形状が線幅5μm以下の網目状であり、かつ
該金属微粒子保持部の面積が前記金属微粒子保持層の面
積に対して40%以下であり、かつ導電膜全体の可視光
域の光線透過率が50%以上であることを特徴とする請
求項1記載の導電膜である。
According to a second aspect of the present invention, the pattern of the metal fine particle holding portion is a mesh having a line width of 5 μm or less, and the area of the metal fine particle holding portion is 40% of the area of the metal fine particle holding layer. It is below, and the light transmittance of the visible light region of the whole conductive film is 50% or more, It is a conductive film of Claim 1 characterized by the above-mentioned.

【0008】請求項3の発明は、前記金属微粒子保持部
が、該金属微粒子保持部の金属微粒子と接する側の表面
に、メルカプト基、アミノ基、シアノ基、2−ピリジル
基、ジフェニルホスフィノ基から選択される一つ以上の
官能基を有することを特徴とする請求項1または2記載
の透明導電膜である。
According to a third aspect of the present invention, a mercapto group, an amino group, a cyano group, a 2-pyridyl group, or a diphenylphosphino group is formed on the surface of the metal fine particle holding portion that is in contact with the metal fine particles. The transparent conductive film according to claim 1, which has one or more functional groups selected from the group consisting of:

【0009】請求項4の発明は、前記金属微粒子が、A
g及び/またはAuを含むことを特徴とする請求項1〜
3のいずれかに記載の導電膜である。
According to a fourth aspect of the invention, the metal fine particles are A
g and / or Au are included.
The conductive film according to any one of 3 above.

【0010】請求項5の発明は、前記金属微粒子が一次
粒径100nm以下であることを特徴とする請求項4記
載の導電膜である。
A fifth aspect of the present invention is the conductive film according to the fourth aspect, wherein the fine metal particles have a primary particle diameter of 100 nm or less.

【0011】請求項6の発明は、前記金属架橋剤が、メ
ルカプト基、アミノ基、シアノ基、2−ピリジル基、ジ
フェニルホスフィノ基および水酸基から選択される官能
基を2つ以上有することを特徴とする請求項1〜5のい
ずれかに記載の導電膜である。
The invention of claim 6 is characterized in that the metal cross-linking agent has two or more functional groups selected from a mercapto group, an amino group, a cyano group, a 2-pyridyl group, a diphenylphosphino group and a hydroxyl group. The conductive film according to any one of claims 1 to 5.

【0012】請求項7の発明は、前記金属架橋剤が、メ
ルカプト基、アミノ基、シアノ基、2−ピリジル基、ジ
フェニルホスフィノ基および水酸基から選択される官能
基を両末端に有する直鎖状アルキル化合物であることを
特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の導電膜であ
る。
According to a seventh aspect of the present invention, the metal cross-linking agent has a linear group having a functional group selected from a mercapto group, an amino group, a cyano group, a 2-pyridyl group, a diphenylphosphino group and a hydroxyl group at both ends. The conductive film according to any one of claims 1 to 5, which is an alkyl compound.

【0013】請求項8の発明は、前記金属微粒子保持層
が、Si,Al,Ti,Zrの各種アルコキシドから選
択された一種類以上を少なくとも含む出発物質から形成
されたアルコキシゲル層を含むことを特徴とする請求項
1〜7のいずれかに記載の導電膜である。
According to an eighth aspect of the present invention, the metal fine particle holding layer includes an alkoxy gel layer formed from a starting material containing at least one kind selected from various alkoxides of Si, Al, Ti and Zr. It is a conductive film in any one of Claims 1-7 characterized by the above-mentioned.

【0014】請求項9の発明は、前記金属微粒子保持部
がメルカプト基、アミノ基、シアノ基、2−ピリジル
基、ジフェニルホスフィノ基から選択される官能基を有
する加水分解性シラン化合物のうち一種類以上を、前記
アルコキシゲル層の表面に結合させることで形成される
ことを特徴とする請求項8記載の導電膜である。
According to a ninth aspect of the present invention, one of the hydrolyzable silane compounds wherein the metal fine particle holding portion has a functional group selected from a mercapto group, an amino group, a cyano group, a 2-pyridyl group and a diphenylphosphino group. 9. The conductive film according to claim 8, which is formed by bonding at least one kind to the surface of the alkoxy gel layer.

【0015】請求項10の発明は、前記金属微粒子保持
層が、Si,Al,Ti,Zrの各種アルコキシドから
選択された一種類以上とメルカプト基、アミノ基、シア
ノ基、2−ピリジル基、ジフェニルホスフィノ基から選
択される官能基を有する加水分解性シラン化合物から選
択された一種類以上を少なくとも含む出発物質から形成
される、金属微粒子が全面に保持可能な金属保持性アル
コキシゲル層を含むことを特徴とする請求項1〜7のい
ずれかに記載の導電膜である。
According to a tenth aspect of the present invention, the metal fine particle holding layer comprises one or more kinds selected from various alkoxides of Si, Al, Ti and Zr, a mercapto group, an amino group, a cyano group, a 2-pyridyl group and diphenyl. A metal-retaining alkoxy gel layer capable of holding metal fine particles on the entire surface, which is formed from a starting material containing at least one kind selected from hydrolyzable silane compounds having a functional group selected from a phosphino group. The conductive film according to any one of claims 1 to 7.

【0016】請求項11の発明は、少なくとも透明導電
層を有する導電膜の製造方法において、金属微粒子保持
部がパターン形成された金属微粒子保持層を形成する工
程、該金属微粒子保持層に金属微粒子を保持させる工
程、保持された金属微粒子に金属架橋剤を保持する工
程、更に前記金属架橋剤に金属微粒子を保持させる工程
を含むことを特徴とする導電膜の製造方法である。
According to the invention of claim 11, in the method for producing a conductive film having at least a transparent conductive layer, the step of forming a metal fine particle holding layer having a metal fine particle holding portion patterned, wherein the metal fine particle holding layer is provided with metal fine particles. A method for producing a conductive film, comprising a step of holding, a step of holding a metal cross-linking agent on the held metal fine particles, and a step of holding the metal fine particles on the metal cross-linking agent.

【0017】請求項12の発明は、前記金属微粒子保持
層、保持された金属微粒子に金属架橋剤を形成する工
程、更に金属架橋剤の形成された金属微粒子に金属微粒
子を保持させる工程を複数回繰り返すことを特徴とする
請求項11記載の導電膜の製造方法である。
In a twelfth aspect of the present invention, the metal fine particle holding layer, the step of forming a metal cross-linking agent on the held metal fine particles, and the step of holding the metal fine particles on the metal fine particles on which the metal cross-linking agent is formed are performed a plurality of times. The method for manufacturing a conductive film according to claim 11, wherein the method is repeated.

【0018】請求項13の発明は、前記金属微粒子保持
部のパターン形状が線幅5μm以下の網目状であり、か
つ該金属微粒子保持部の面積が前記金属微粒子保持層の
面積に対して40%以下であり、かつ導電膜全体の可視
光域の光線透過率が50%以上であることを特徴とする
請求項11または12記載の導電膜の製造方法である。
According to a thirteenth aspect of the present invention, the pattern of the metal fine particle holding portion is a mesh having a line width of 5 μm or less, and the area of the metal fine particle holding portion is 40% of the area of the metal fine particle holding layer. 13. The method for producing a conductive film according to claim 11, wherein the light transmittance in the visible light region of the entire conductive film is 50% or more.

【0019】請求項14の発明は、前記金属微粒子保持
部がメルカプト基、アミノ基、シアノ基、2−ピリジル
基、ジフェニルホスフィノ基から選択される一種類以上
の官能基を該金属微粒子保持部の表面に有することを特
徴とする請求項11〜13のいずれかに記載の導電膜の
製造方法である。
According to a fourteenth aspect of the present invention, the metal fine particle holding portion has at least one functional group selected from a mercapto group, an amino group, a cyano group, a 2-pyridyl group and a diphenylphosphino group. The method for producing a conductive film according to any one of claims 11 to 13, wherein the conductive film is provided on the surface of the.

【0020】請求項15の発明は、前記金属微粒子が、
Ag及び/またはAuを含むことを特徴とする請求項1
1〜14のいずれかに記載の導電膜の製造方法である。
According to a fifteenth aspect of the present invention, the metal fine particles are
2. Ag and / or Au is included, It is characterized by the above-mentioned.
The method for producing a conductive film according to any one of 1 to 14.

【0021】請求項16の発明は、前記金属微粒子が一
次粒径100nm以下であることを特徴とする請求項1
5記載の導電膜の製造方法である。
The invention of claim 16 is characterized in that the fine metal particles have a primary particle diameter of 100 nm or less.
5 is a method for manufacturing a conductive film according to item 5.

【0022】請求項17の発明は、前記金属微粒子保持
層形成工程が、Si,Al,Ti,Zrの各種アルコキ
シドから選択された一種類以上を少なくとも含む出発物
質から形成されたアルコキシゲル層上に、下記加水分解
性シラン化合物に対して該アルコキシゲル層を不活性化
せしめる非保持部をパターン形成した後、該非保持部が
形成されていない部分に、メルカプト基、アミノ基、シ
アノ基、2−ピリジル基、ジフェニルホスフィノ基から
選択される官能基を有する加水分解性シラン化合物のう
ち一種類以上を金属微粒子保持部として形成することを
含むことを特徴とする請求項11〜16のいずれかに記
載の導電膜の製造方法である。
According to a seventeenth aspect of the present invention, in the step of forming a metal fine particle holding layer, an alkoxy gel layer formed from a starting material containing at least one or more kinds selected from various alkoxides of Si, Al, Ti and Zr is formed. After patterning a non-retaining portion that inactivates the alkoxy gel layer with respect to the following hydrolyzable silane compound, a mercapto group, an amino group, a cyano group, 2- Forming one or more kinds of hydrolyzable silane compounds having a functional group selected from a pyridyl group and a diphenylphosphino group as a metal fine particle holding part, according to any one of claims 11 to 16. It is a manufacturing method of the conductive film described.

【0023】請求項18の発明は、前記金属微粒子保持
層形成工程が、Si,Al,Ti,Zrの各種アルコキ
シドから選択された一種類以上とメルカプト基、アミノ
基、シアノ基、2−ピリジル基、ジフェニルホスフィノ
基から選択される官能基を有する加水分解性シラン化合
物から選択された一種類以上を少なくとも含む出発物質
から形成される、金属微粒子が全面に保持可能な金属保
持性アルコキシゲル層上に、非保持部をパターン形成す
ることを含むことを特徴とする請求項11〜16のいず
れかに記載の導電膜の製造方法である。
According to the eighteenth aspect of the present invention, in the step of forming the metal fine particle holding layer, one or more kinds selected from various alkoxides of Si, Al, Ti and Zr and a mercapto group, an amino group, a cyano group and a 2-pyridyl group are used. On a metal-retaining alkoxy gel layer capable of retaining metal fine particles on the entire surface, which is formed from a starting material containing at least one kind selected from hydrolyzable silane compounds having a functional group selected from diphenylphosphino groups. The method for producing a conductive film according to claim 11, further comprising patterning the non-holding portion.

【0024】請求項19の発明は、前記非保持部が、加
水分解基を含む各種長鎖アルキルシラン化合物および加
水分解基を含む各種長鎖フルオロアルキルシラン化合物
から選択される一種類以上を含むことを特徴とする請求
項17または18記載の導電膜の製造方法である。
In the invention of claim 19, the non-retaining portion contains at least one selected from various long-chain alkylsilane compounds containing a hydrolyzable group and various long-chain fluoroalkylsilane compounds containing a hydrolyzable group. The method for producing a conductive film according to claim 17 or 18, wherein:

【0025】請求項20の発明は、前記非保持部をマイ
クロコンタクト印刷で形成することを特徴とする請求項
17〜19のいずれかに記載の導電膜の製造方法であ
る。
The invention of claim 20 is the method for producing a conductive film according to any one of claims 17 to 19, characterized in that the non-holding portion is formed by microcontact printing.

【0026】請求項21の発明は、前記金属微粒子を保
持させる工程が、前記金属微粒子保持層を前記金属微粒
子が分散した分散液に浸漬する操作を含むことを特徴と
する請求項11〜20のいずれかに記載の導電膜の製造
方法である。
The invention of claim 21 is characterized in that the step of holding the metal fine particles includes an operation of immersing the metal fine particle holding layer in a dispersion liquid in which the metal fine particles are dispersed. It is a method for manufacturing a conductive film according to any of the above.

【0027】請求項22の発明は、前記金属微粒子を保
持させる工程が、前記金属微粒子を含む塗布液を前記金
属微粒子保持層上に塗布する操作を含むことを特徴とす
る請求項11〜21のいずれかに記載の導電膜の製造方
法である。
The invention of claim 22 is characterized in that the step of holding the metal fine particles includes an operation of applying a coating liquid containing the metal fine particles on the metal fine particle holding layer. It is a method for manufacturing a conductive film according to any of the above.

【0028】請求項23の発明は、前記保持された金属
微粒子に金属架橋剤を保持する工程が、前記金属が保持
された金属微粒子保持層を、金属架橋剤を含む溶液に浸
漬する操作を含むことを特徴とする請求項11〜22の
いずれかに記載の導電膜の製造方法である。
In a twenty-third aspect of the invention, the step of holding the metal cross-linking agent in the held metal fine particles includes an operation of immersing the metal fine-particle holding layer holding the metal in a solution containing the metal cross-linking agent. The method for producing a conductive film according to any one of claims 11 to 22, characterized in that.

【0029】請求項24の発明は、保持された金属微粒
子に金属架橋剤を保持する工程が、前記金属架橋剤を含
む塗布液を、前記金属が保持された金属微粒子保持層上
に塗布する操作を含むことを特徴とする請求項11〜2
2のいずれかに記載の導電膜の製造方法である。
According to a twenty-fourth aspect of the present invention, the step of holding the metal cross-linking agent on the held metal fine particles comprises the step of applying a coating solution containing the metal cross-linking agent onto the metal fine particle holding layer holding the metal. 11. The method according to claim 11, further comprising:
The method for producing a conductive film according to any one of 2 above.

【0030】[0030]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
について図1に示し詳細に説明する。発明における導電
膜2は透明基材1上に形成され少なくとも導電層3を含
み、導電層3は金属微粒子保持層4を含む。また、金属
微粒子保持層4は金属微粒子保持部4aおよび金属微粒
子非保持部4bがパターン形成されたアルコキシゲル層
41を含み、金属微粒子層7を金属微粒子保持部4aに
保持している。また、金属微粒子層7は、金属微粒子5
を含み、隣接する金属微粒子5同士が金属架橋剤6によ
り架橋されている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An example of an embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to FIG. The conductive film 2 in the invention is formed on the transparent substrate 1 and includes at least the conductive layer 3, and the conductive layer 3 includes the metal fine particle holding layer 4. Further, the metal fine particle holding layer 4 includes the alkoxy gel layer 41 in which the metal fine particle holding portion 4a and the metal fine particle non-holding portion 4b are patterned, and holds the metal fine particle layer 7 in the metal fine particle holding portion 4a. Further, the metal fine particle layer 7 includes the metal fine particles 5
And the adjacent metal fine particles 5 are cross-linked by the metal cross-linking agent 6.

【0031】導電膜2の製造方法は、基材1上に金属微
粒子保持部4aおよび金属微粒子非保持部4bがパター
ン形成された金属微粒子保持層4を形成する[金属微粒
子保持層形成工程]、金属微粒子保持部4aに金属微粒
子5を保持させる[金属微粒子保持工程]、および、前
記金属微粒子5に金属架橋剤6を保持する[金属微粒子
への金属架橋剤保持工程]、さらに、前記金属架橋剤6
に金属微粒子5を保持させる[金属架橋剤への金属微粒
子保持工程]を含む。以下に各工程別に詳細な説明を行
う。
The method for producing the conductive film 2 is as follows. The metal fine particle holding layer 4 in which the metal fine particle holding portion 4a and the metal fine particle non-holding portion 4b are patterned is formed on the base material 1 [metal fine particle holding layer forming step], The metal fine particles 5 are held in the metal fine particle holding portion 4a [metal fine particle holding step], and the metal cross-linking agent 6 is held in the metal fine particles 5 [metal cross-linking agent holding step on the metal fine particles]. Agent 6
The step of holding the metal fine particles 5 is included in [a step of holding the metal fine particles on the metal crosslinking agent]. A detailed description will be given below for each step.

【0032】[金属微粒子保持層形成工程]金属微粒子
保持層4は、透明基材1に形成したアルコキシゲル層4
1上に金属微粒子非保持部4bをパターン形成した後、
金属親和性官能基を有する加水分解性シラン化合物を金
属微粒子保持部4aとして、金属微粒子非保持部4bが
形成されていない部分に必要に応じて定着させることで
形成される。また、金属微粒子保持部4aを直接パター
ニングすることも可能であるが、ここでは前者の方法に
よる製造方法を説明する。
[Metal fine particle holding layer forming step] The metal fine particle holding layer 4 is the alkoxy gel layer 4 formed on the transparent substrate 1.
After patterning the metal fine particle non-holding portion 4b on the substrate 1,
It is formed by fixing a hydrolyzable silane compound having a metal-affinity functional group as the metal fine particle holding portion 4a to a portion where the metal fine particle non-holding portion 4b is not formed, if necessary. Further, although it is possible to directly pattern the metal fine particle holding portion 4a, the manufacturing method by the former method will be described here.

【0033】基材1は、特に限定されるものではない
が、透明導電膜とする場合、透明な基材を用いると良
い。各種ガラス基材をはじめ適当な機械的剛性をもつ公
知のプラスチックフィルムもしくはシートの中から適宜
選択して用いることができる。具体例としては、ポリエ
ステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、トリアセチル
セルロース、ジアセチルセルロース等のフィルムが挙げ
られる。
The substrate 1 is not particularly limited, but when it is a transparent conductive film, it is preferable to use a transparent substrate. It can be appropriately selected from various known plastic films or sheets having suitable mechanical rigidity including glass substrates. Specific examples include films of polyester, polyethylene, polypropylene, triacetyl cellulose, diacetyl cellulose and the like.

【0034】アルコキシゲル層41は、その形成物質と
して、例えば以下の2系統を用いることができる。 A)Si,Al,Ti,Zrの各種金属アルコキシドお
よびそれらの加水分解物から選択された一種類以上、 B)前記A)に加えて、メルカプト基、アミノ基、シア
ノ基、2−ピリジル基、ジフェニルホスフィノ基から選
択される金属親和性官能基を有する加水分解性シラン化
合物から選択された一種類以上金属アルコキシドの具体
例としては、テトラエトキシシラン、メチルトリエトキ
シシラン、フェニルトリエトキシシラン、クロルトリメ
トキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−アミノ
プロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルト
リエトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−ア
ミノプロピルトリエトキシシラン、アルミニウムトリイ
ソプロポキシド、アルミニウムトリブトキシド、アルミ
ニウムジイソプロポキシドエチルアセトアセテート、チ
タニウムテトライソプロポキシド、チタニウムジイソプ
ロポキシ(ビス−2,4−ペンタンジオネート)、ジル
コニウムテトラブトキシド等が挙げられるが、汎用性お
よび加水分解性シラン化合物との相性の観点から、Si
アルコキシドが好ましく用いられる。
As the material for forming the alkoxy gel layer 41, for example, the following two systems can be used. A) one or more selected from various metal alkoxides of Si, Al, Ti, Zr and hydrolysates thereof, B) in addition to A), a mercapto group, an amino group, a cyano group, a 2-pyridyl group, Specific examples of one or more metal alkoxides selected from hydrolyzable silane compounds having a metal-affinity functional group selected from diphenylphosphino groups include tetraethoxysilane, methyltriethoxysilane, phenyltriethoxysilane, and chloro. Trimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropyltriethoxysilane, N-β- (aminoethyl) -γ-aminopropyltri Ethoxysilane, Aluminum triisopropoxide, Al Examples include aluminum tributoxide, aluminum diisopropoxide ethyl acetoacetate, titanium tetraisopropoxide, titanium diisopropoxy (bis-2,4-pentanedionate) and zirconium tetrabutoxide, but they are versatile and hydrolyzable. From the viewpoint of compatibility with silane compounds, Si
Alkoxides are preferably used.

【0035】また、金属親和性加水分解性シラン化合物
の具体例としては、3−メルカプトプロピルトリメトキ
シシラン、3−メルカプトプロピルトリエトキシシラ
ン、3−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、
メルカプトメチルジメチルエトキシシラン、メルカプト
メチルメチルジエトキシシラン、メルカプトメチルトリ
メトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−アミ
ノプロピルメチルジエトキシシラン、3−アミノプロピ
ルジメチルエトキシシラン、3−シアノプロピルジメチ
ルメトキシシラン、3−シアノプロピルメチルジメトキ
シシラン、3−シアノプロピルトリメトキシシラン、3
−シアノプロピルトリエトキシシラン、3−シアノプロ
ピルトリクロルシラン、2−ピリジルエチルトリメトキ
シシラン、ジフェニルホスフィノエチルジメチルエトキ
シシラン、2−ジフェニルホスフィノエチルトリエトキ
シシラン等が挙げられるが、金属親和性が特に強いメル
カプト基あるいはアミノ基を有する加水分解性シラン化
合物が好ましく用いられる。
Specific examples of the metal-affinity hydrolyzable silane compound include 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltriethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane,
Mercaptomethyldimethylethoxysilane, mercaptomethylmethyldiethoxysilane, mercaptomethyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropylmethyldiethoxysilane, 3-aminopropyldimethylethoxy Silane, 3-cyanopropyldimethylmethoxysilane, 3-cyanopropylmethyldimethoxysilane, 3-cyanopropyltrimethoxysilane, 3
-Cyanopropyltriethoxysilane, 3-cyanopropyltrichlorosilane, 2-pyridylethyltrimethoxysilane, diphenylphosphinoethyldimethylethoxysilane, 2-diphenylphosphinoethyltriethoxysilane, and the like, but metal affinity is particularly A hydrolyzable silane compound having a strong mercapto group or amino group is preferably used.

【0036】アルコキシゲル層41は、前記A)あるい
はB)を含む組成物を透明基材に塗布し硬化することで
形成される。塗布方法としては、スピンコート、ナイフ
コート、スプレーコート、ディップコート、およびスリ
ットコータ、マイクログラビアコータを用いる等の方法
が挙げられ、塗布面積等の諸条件により適宜選択して用
いられる。
The alkoxy gel layer 41 is formed by applying the composition containing A) or B) to a transparent substrate and curing it. Examples of the coating method include spin coating, knife coating, spray coating, dip coating, and a method using a slit coater, a microgravure coater, and the like, which is appropriately selected and used according to various conditions such as the coating area.

【0037】金属微粒子非保持部4bは、その形成物質
として加水分解基を含む各種長鎖アルキルシラン化合物
および加水分解基を含む各種長鎖フルオロアルキルシラ
ン化合物から選択される一種類以上が適宜選択され用い
られる。具体例としては、n−オクタデシルメトキシジ
クロロシラン、n−オクタデシルメチルジクロロシラ
ン、n−オクタデシルメチルジエトキシシラン、n−オ
クタデシルトリクロロシラン、n−オクタデシルトリメ
トキシシラン、n−オクタデシルトリエトキシシラン、
n−ヘキサデシルトリクロロシラン、n−ヘキサデシル
トリメトキシシラン、n−テトラデシルトリクロロシラ
ン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリクロロ
シラン、ヘプタデカフルオロ−1,1,2,2−テトラ
ヒドロデシルトリクロロシラン、ヘプタデカフルオロ−
1,1,2,2−テトラヒドロデシルトリエトキシシラ
ン等が挙げられる。
The metal fine particle non-holding portion 4b is appropriately selected from one or more kinds selected from various long-chain alkylsilane compounds containing a hydrolyzable group and various long-chain fluoroalkylsilane compounds containing a hydrolyzable group as its forming substance. Used. As specific examples, n-octadecylmethoxydichlorosilane, n-octadecylmethyldichlorosilane, n-octadecylmethyldiethoxysilane, n-octadecyltrichlorosilane, n-octadecyltrimethoxysilane, n-octadecyltriethoxysilane,
n-hexadecyltrichlorosilane, n-hexadecyltrimethoxysilane, n-tetradecyltrichlorosilane, dodecyltrimethoxysilane, dodecyltrichlorosilane, heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyltrichlorosilane, heptadeca Fluoro-
Examples include 1,1,2,2-tetrahydrodecyltriethoxysilane.

【0038】金属微粒子非保持部4bのパターンは、目
的に応じて所望のパターンとすることができる。例え
ば、プリント配線板とする場合には、所望の配線パター
ンとなるように形成できる。また、透明導電膜とする場
合には、金属微粒子非保持部4bのパターンの面積占有
率が、金属微粒子保持層4全体の面積に対して60%以
上であることが必要であり、かつ金属微粒子保持部4a
のパターン形状を、線幅が5μm、好ましくは1μm以
下とすることが可能な網目形状とすることが必要であ
る。前記面積占有率が60%以下であると、金属微粒子
保持部分すなわち後に遮光部分となる部分が大きすぎる
ため十分な透明性を確保できない。また、前記線幅が5
μm以上であると視認性が著しく低下する。
The pattern of the metal fine particle non-holding portion 4b can be a desired pattern according to the purpose. For example, in the case of a printed wiring board, it can be formed to have a desired wiring pattern. In the case of using a transparent conductive film, the area occupancy of the pattern of the metal fine particle non-holding portion 4b needs to be 60% or more with respect to the entire area of the metal fine particle holding layer 4, and Holding part 4a
It is necessary that the pattern shape is a mesh shape having a line width of 5 μm, preferably 1 μm or less. If the area occupancy rate is 60% or less, sufficient transparency cannot be ensured because the metal fine particle holding portion, that is, the portion that becomes a light shielding portion later is too large. Also, the line width is 5
When it is more than μm, the visibility is remarkably reduced.

【0039】金属微粒子非保持部4bを形成する方法と
しては、マイクロコンタクト印刷が好適に用いられる。
金属微粒子非保持部4bの前記パターンが凸に形成され
ているシリコーン樹脂製スタンプを用い、前記アルコキ
シゲル層41上に金属微粒子非保持部4bを形成するこ
とが可能である。
As a method for forming the metal fine particle non-holding portion 4b, microcontact printing is preferably used.
It is possible to form the metal fine particle non-holding portion 4b on the alkoxy gel layer 41 by using a silicone resin stamp having the convex pattern of the metal fine particle non-holding portion 4b.

【0040】金属微粒子保持部4aは、前記アルコキシ
ゲル層形成物質としてB)を用いた場合は、金属微粒子
非保持部4bをパターン形成することによって、金属微
粒子非保持部4b非形成部分が金属微粒子保持部4aと
して自動的にパターニングされる。一方、前記アルコキ
シゲル層形成物質としてA)を用いた場合は、金属微粒
子非保持部4b非形成部分に金属微粒子保持部分4aを
形成する必要がある。形成方法としては、金属親和性官
能基を有する前記加水分解性シラン化合物を含む溶液
に、金属微粒子非保持部4bが形成されたアルコキシゲ
ル層4が形成された透明基材1を浸漬することで、金属
親和性官能基を有する加水分解性シラン化合物と金属微
粒子非保持部4b非形成部分を化学反応させる操作が一
例として挙げられる。
When B) is used as the alkoxy gel layer-forming material, the metal fine particle holding portion 4a is formed by patterning the metal fine particle non-holding portion 4b so that the metal fine particle non-holding portion 4b non-forming portion is the metal fine particle. The holding portion 4a is automatically patterned. On the other hand, when A) is used as the alkoxy gel layer forming substance, it is necessary to form the metal fine particle holding portion 4a in the metal fine particle non-holding portion 4b non-forming portion. As a forming method, by immersing the transparent substrate 1 on which the alkoxy gel layer 4 having the metal fine particle non-holding portion 4b is formed, in a solution containing the hydrolyzable silane compound having a metal affinity functional group. As an example, an operation of chemically reacting the hydrolyzable silane compound having a metal-affinity functional group with the metal fine particle non-holding portion 4b non-forming portion can be given.

【0041】[金属微粒子保持工程]金属微粒子5とし
てはAg,Auのいずれか、あるいはそれらの組み合わ
せまたは合金を用いることが可能であるが、Auを含む
ことが好ましい。金属微粒子は数多くの公知技術により
比較的容易に製造可能である。例えば、AgとAuの合
金微粒子は、硝酸銀と塩化金酸塩の水溶液をクエン酸、
エチレンジアミン4酢酸(EDTA)等の還元剤で還元
することで得られる。
[Metal Fine Particle Holding Step] As the metal fine particles 5, it is possible to use Ag, Au, or a combination or alloy thereof, but it is preferable to include Au. The metal fine particles can be relatively easily manufactured by many known techniques. For example, fine particles of an alloy of Ag and Au are obtained by adding an aqueous solution of silver nitrate and chloroaurate to citric acid,
It can be obtained by reducing with a reducing agent such as ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA).

【0042】透明導電膜とする場合、金属微粒子5の粒
径は透明性の観点から一次粒径100nm以下であるこ
とが好ましく、50nm以下であることが特に好まし
い。一次粒径が100nm以上であると、透明性の低下
のみならずヘーズが発生しやすくなり、視認性の悪化に
つながる。
In the case of forming a transparent conductive film, the particle size of the metal fine particles 5 is preferably 100 nm or less, and particularly preferably 50 nm or less, from the viewpoint of transparency. When the primary particle size is 100 nm or more, not only transparency is deteriorated but also haze is likely to occur, resulting in deterioration of visibility.

【0043】金属微粒子5は、前記金属微粒子保持層4
が形成された透明基材1を金属微粒子5が分散した分散
液にを浸漬するか、あるいは該透明基材1に金属微粒子
5を含む塗布液を塗布することで、金属微粒子保持部4
aに保持される。
The metal fine particles 5 correspond to the metal fine particle holding layer 4 described above.
By immersing the transparent substrate 1 on which the metal fine particles 5 are dispersed in a dispersion liquid in which the metal fine particles 5 are dispersed, or by applying a coating liquid containing the metal fine particles 5 to the transparent substrate 1, the metal fine particle holding portion 4
held in a.

【0044】[金属微粒子への金属架橋剤保持工程]金
属架橋剤6は、前記金属微粒子が保持された透明基材
を、金属架橋剤6を適当な溶媒に溶解させた溶液に浸漬
するか、あるいは該金属微粒子保持層4に金属架橋剤を
含む塗布液を塗布することで、前記金属微粒子5に保持
される。
[Step of retaining metal cross-linking agent on metal fine particles] The metal cross-linking agent 6 is prepared by immersing the transparent base material on which the metal fine particles are retained in a solution prepared by dissolving the metal cross-linking agent 6 in an appropriate solvent. Alternatively, by applying a coating liquid containing a metal cross-linking agent to the metal fine particle holding layer 4, the metal fine particles 5 are held by the metal fine particles 5.

【0045】金属架橋剤6としては、メルカプト基、ア
ミノ基、シアノ基、2―ピリジル基、ジフェニルホスフ
ィノ基および水酸基から選択される官能基を2つ以上有
する化合物などの公知のものを用いることができる。ま
た、金属に対する親和性が大きいメルカプト基、アミノ
基を含むものを用いるのが好ましい。例えば、2−メル
カプトエタノール、2−メルカプトエチルアミン、1,
6−ヘキサンジオールなどである。また、そのほか下記
化学式(1)〜(3)に示す化合物も用いることができ
る。
As the metal cross-linking agent 6, a known one such as a compound having two or more functional groups selected from a mercapto group, an amino group, a cyano group, a 2-pyridyl group, a diphenylphosphino group and a hydroxyl group is used. You can Further, it is preferable to use one containing a mercapto group or an amino group, which has a high affinity for metals. For example, 2-mercaptoethanol, 2-mercaptoethylamine, 1,
6-hexanediol and the like. In addition, compounds represented by the following chemical formulas (1) to (3) can also be used.

【0046】[0046]

【化1】 [Chemical 1]

【0047】[金属架橋剤への金属微粒子保持工程]前記
工程により金属架橋剤6が保持された金属微粒子が保持
されている基材を金属微粒子5が分散した分散液にを浸
漬するか、あるいは該透明基材1に金属微粒子5を含む
塗布液を塗布することで、金属微粒子が該金属架橋剤に
保持される。ここで、十分な導電性を発現させるには、
前記[金属微粒子への金属架橋剤保持工程]および[金
属架橋剤への金属微粒子保持工程]を交互に繰り返し行
うことが重要である。このようにして金属微粒子層7が
形成される。繰り返し操作は、用いる金属微粒子や金属
架橋剤の種類にもよるが、十分な導電性を発現させるに
は5回以上行うことが好ましい。
[Step of Retaining Metal Fine Particles on Metal Crosslinking Agent] The substrate on which the metal fine particles holding the metal crosslinking agent 6 are held in the above step is immersed in a dispersion liquid in which the metal fine particles 5 are dispersed, or By coating the transparent substrate 1 with a coating liquid containing the metal fine particles 5, the metal fine particles are held by the metal cross-linking agent. Here, in order to develop sufficient conductivity,
It is important to alternately repeat the [step of holding the metal crosslinking agent on the metal fine particles] and the [step of holding the metal fine particle on the metal crosslinking agent]. In this way, the metal fine particle layer 7 is formed. The repeated operation is preferably performed 5 times or more in order to exhibit sufficient conductivity, although it depends on the kinds of the fine metal particles and the metal crosslinking agent used.

【0048】[0048]

【実施例】以下、実施例により本発明を透明導電膜に応
用した例で具体的に説明するが、本発明はこれらの実施
例によって制限されるものではない。まず、各実施例お
よび比較例に共通なPDMSスタンプ形成方法、各種溶
液の調製方法および各種評価方法について示す。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples in which the present invention is applied to a transparent conductive film, but the present invention is not limited to these examples. First, a PDMS stamp forming method, a method for preparing various solutions, and various evaluation methods common to each example and comparative example will be described.

【0049】[Ag微粒子分散液の調製]AgNO
30.18gを蒸留水1000gに溶解させた溶液を攪
拌沸騰させながら、クエン酸ナトリウム2水和物1.5
0gを蒸留水100gに溶解させた溶液を加えた後、攪
拌しながら30分間沸騰させ、Ag微粒子分散液を得
た。TEM観察の結果、平均一次粒子径は約10nmで
あった。 [Au微粒子分散液の調製]HAuCl4・4H2O0.
21gを蒸留水500gに溶解させた溶液を攪拌沸騰さ
せながら、クエン酸ナトリウム2水和物0.50gを蒸
留水50gに溶解させた溶液を加えた後、攪拌しながら
15分間沸騰させ、深紅色のAu微粒子分散液を得た。
TEM観察の結果、平均一次粒子径は約13nmであっ
た。 [金属微粒子保持部形成用処理液の調製]3−メルカプ
トプロピルトリメトキシシランの10%メタノール溶液
を調製し、金属微粒子吸着部形成用処理液とした。 [金属架橋剤溶液]2−メルカプトエチルアミンの5m
mol/L水溶液を調製し、金属架橋剤溶液とした。 [PDMSスタンプ形成]公知の手法を用い、金属微粒
子保持部の格子状パターンが凹に形成されているシリコ
ーン樹脂製スタンプを形成した。なお、凹状パターン形
状は、線幅を1μmかつ全体に対する面積占有率を15
%とした。
[Preparation of Ag Fine Particle Dispersion] AgNO
3 0.18 g of distilled water dissolved in 1000 g of solution was stirred and boiled while sodium citrate dihydrate 1.5
A solution prepared by dissolving 0 g in 100 g of distilled water was added, and then the mixture was boiled for 30 minutes while stirring to obtain an Ag fine particle dispersion liquid. As a result of TEM observation, the average primary particle diameter was about 10 nm. [Preparation of Au Fine Particle Dispersion] HAuCl 4 .4H 2 O0.
A solution prepared by dissolving 0.50 g of sodium citrate dihydrate in 50 g of distilled water was added while stirring and boiling 21 g of a solution prepared by dissolving 500 g of distilled water, and then boiled for 15 minutes while stirring to give a deep red color. To obtain a dispersion liquid of Au fine particles.
As a result of TEM observation, the average primary particle diameter was about 13 nm. [Preparation of treatment liquid for forming fine metal particle holding portion] A 10% methanol solution of 3-mercaptopropyltrimethoxysilane was prepared to obtain a treatment liquid for forming fine metal particle adsorption portion. [Metal Crosslinking Agent Solution] 2-Mercaptoethylamine 5 m
A mol / L aqueous solution was prepared and used as a metal crosslinking agent solution. [PDMS Stamp Formation] Using a known method, a silicone resin stamp in which the grid pattern of the metal fine particle holding portion is formed in a concave shape was formed. The concave pattern shape has a line width of 1 μm and an area occupation ratio of 15
%.

【0050】[透明導電膜の評価] (表面抵抗率)三菱化学(株)製 ロレスタAP(MC
P−T400)を用い4端針法にて測定を行った。 (透過率)(株)村上色彩技術研究所製 反射・透過率
計(HR−100)を用い測定を行った。 (目視評価)格子状パターンが目視できるかどうか確認
した。各実施例および比較例の評価結果は全て表1に示
した。
[Evaluation of Transparent Conductive Film] (Surface Resistivity) Mitsubishi Chemical Corporation Loresta AP (MC
(P-T400) was measured by the 4-end needle method. (Transmittance) Measurement was performed using a reflection / transmittance meter (HR-100) manufactured by Murakami Color Research Laboratory Co., Ltd. (Visual evaluation) It was confirmed whether the grid pattern was visible. Table 1 shows all the evaluation results of Examples and Comparative Examples.

【0051】<実施例1> (アルコキシゲル層の形成)テトラエトキシシラン5.
21gに、0.1N塩酸3.38gを添加し加水分解を
行った後、エタノールを添加し濃度がシリカ換算で4重
量%の溶液を調製した。この溶液をスピンコータでガラ
ス基材上に塗布乾燥後、100℃で1分間の熱処理を行
い硬化させアルコキシゲル層を形成した。 (金属微粒子非保持部のパターン形成)オクタデシルト
リクロロシランの0.2%ヘキサン溶液を塗布した前記
PDMSスタンプを、前記アルコキシゲル層が形成され
たガラス基材の前記アルコキシゲル層が形成された面に
数秒間押しつけ、金属微粒子非保持部をパターン形成し
た。
<Example 1> (Formation of alkoxy gel layer) Tetraethoxysilane 5.
To 21 g, 3.38 g of 0.1N hydrochloric acid was added and hydrolyzed, and then ethanol was added to prepare a solution having a concentration of 4% by weight in terms of silica. This solution was applied onto a glass substrate with a spin coater and dried, and then heat-treated at 100 ° C. for 1 minute to cure the solution, thereby forming an alkoxy gel layer. (Pattern formation of non-holding portion of metal fine particles) The PDMS stamp coated with a 0.2% hexane solution of octadecyltrichlorosilane was applied to the surface of the glass substrate on which the alkoxy gel layer was formed, on which the alkoxy gel layer was formed. By pressing for a few seconds, the metal fine particle non-holding portion was patterned.

【0052】(金属微粒子保持部のパターン形成)前記
金属微粒子非保持部が形成されたガラス基材を、前記金
属微粒子保持部形成用処理液に室温で10分間浸漬し、
金属微粒子保持部をパターン形成した。 (金属微粒子保持部への金属微粒子保持)前記金属微粒
子保持部がパターン形成されたガラス基材を、前記Ag
微粒子溶液に室温で30分浸漬し、Ag微粒子を金属微
粒子保持部に保持させた。 (金属微粒子への金属架橋剤保持)前記Ag微粒子が保
持されたガラス基材を前記金属架橋剤溶液に室温で30
分浸漬した後水洗し、金属架橋剤を前記金属微粒子保持
部に保持されているAg微粒子上に保持させた。
(Pattern formation of metal fine particle holding portion) The glass base material on which the metal fine particle non-holding portion is formed is immersed in the treatment liquid for forming the metal fine particle holding portion at room temperature for 10 minutes,
The metal fine particle holder was patterned. (Holding of Metal Fine Particles on Metal Fine Particle Holding Portion) The glass base material on which the metal fine particle holding portion is pattern-formed is referred to as Ag
It was immersed in the fine particle solution at room temperature for 30 minutes to hold the Ag fine particles in the metal fine particle holding portion. (Retention of Metal Crosslinking Agent on Metal Fine Particles) The glass substrate on which the Ag fine particles were retained was immersed in the metal crosslinking agent solution at room temperature for 30 minutes.
After soaking for a minute, it was washed with water to hold the metal cross-linking agent on the Ag fine particles held in the metal fine particle holding portion.

【0053】(金属架橋剤への金属微粒子保持)前記金
属架橋剤が保持されたガラス基材を、前記Ag微粒子溶
液に室温で30分浸漬した後十分に水洗し、銀微粒子を
前記金属架橋剤が保持されている金属微粒子に保持させ
た。 (多層化)前記金属微粒子への金属架橋剤保持及び金属
架橋剤への金属微粒子保持を10回交互に繰り返すこと
により、導電膜を得、実施例1の透明導電膜とした。
(Holding of Metal Fine Particles to Metal Crosslinking Agent) The glass base material holding the metal crosslinking agent was immersed in the Ag fine particle solution at room temperature for 30 minutes and then thoroughly washed with water to remove silver fine particles from the metal crosslinking agent. Were held by the metal fine particles that were held. (Multilayering) By holding the metal cross-linking agent on the metal fine particles and holding the metal fine particles on the metal cross-linking agent alternately 10 times, a conductive film was obtained, and the transparent conductive film of Example 1 was obtained.

【0054】<実施例2>実施例1の金属微粒子保持部
へAg微粒子を保持させるところを、Ag微粒子に代え
てAu微粒子を用いたこと以外は、実施例1と同様に行
った。
Example 2 The same procedure as in Example 1 was carried out except that the Au particles were used instead of the Ag particles instead of the Ag particles being held in the metal particle holding portion of Example 1.

【0055】<実施例3>実施例1の金属架橋剤へAg
微粒子を保持させるところを、Ag微粒子に代えてAu
微粒子を用い、その後の金属微粒子への金属架橋剤保持
及び金属架橋剤への金属微粒子保持を交互に10回繰り
返すところで、保持させる金属微粒子をAg微粒子、A
u微粒子の順に繰り返したこと以外は実施例1と同様に
行った。
Example 3 Ag was added to the metal cross-linking agent of Example 1.
Instead of Ag particles, the place where the particles are held is Au.
When the fine particles are used and the subsequent holding of the metal cross-linking agent on the metal fine particles and the holding of the metal cross-linking agent on the metal cross-linking agent are repeated alternately 10 times, the metal fine particles to be held are Ag fine particles, A
The same procedure as in Example 1 was repeated except that the u particles were repeated in this order.

【0056】<比較例1>前記PDMSスタンプの代替
として、線幅50μm、開口部300×300μmの銅
メッシュを用いたこと以外は、全て実施例1と同様に透
明導電膜を形成した。
Comparative Example 1 A transparent conductive film was formed in the same manner as in Example 1 except that a copper mesh having a line width of 50 μm and an opening of 300 × 300 μm was used instead of the PDMS stamp.

【0057】[0057]

【表1】 [Table 1]

【0058】[評価結果]表1に示された結果から明ら
かなように、本発明で得られた導電膜は、透明性と導電
性が良好でありかつ視認性に優れたものである。
[Evaluation Result] As is clear from the results shown in Table 1, the conductive film obtained in the present invention has excellent transparency and conductivity and excellent visibility.

【0059】[0059]

【発明の効果】本発明の導電膜は、低温プロセスで、高
い導電性を示す導電膜とすることができる。また、金属
微粒子を極微細な網目状にパターン形成し、該金属微粒
子同士が金属架橋剤を介して架橋された透明導電層とす
ることで、高い導電性と透明性を示しかつ視認性に優れ
た導電膜とすることができる。また、金属架橋剤への金
属微粒子保持、金属微粒子への金属架橋剤保持を繰り返
すことにより、更に導電性が向上する。
The conductive film of the present invention can be a conductive film having high conductivity in a low temperature process. In addition, by forming fine metal particles in a fine mesh pattern and forming a transparent conductive layer in which the metal fine particles are cross-linked with each other through a metal cross-linking agent, high conductivity and transparency are exhibited and excellent visibility is obtained. Can be a conductive film. Further, by repeating the retention of the metal fine particles on the metal cross-linking agent and the retention of the metal cross-linking agent on the metal fine particles, the conductivity is further improved.

【0060】[0060]

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の透明導電膜の一実施例を示す断面図で
ある。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a transparent conductive film of the present invention.

【図2】本発明の透明導電層の拡大図である。FIG. 2 is an enlarged view of a transparent conductive layer of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基材 2 導電膜 3 導電層 4 金属微粒子保持層 4a 金属微粒子保持部 4b 金属微粒子非保持部 5 金属微粒子 6 金属架橋剤 7 金属微粒子層 1 base material 2 Conductive film 3 Conductive layer 4 Metal fine particle retention layer 4a Metal fine particle holder 4b Metal fine particle non-holding part 5 metal particles 6 Metal cross-linking agents 7 Metal fine particle layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4M104 AA10 BB08 BB09 CC01 DD22 DD28 DD51 DD71 DD78 GG20 HH14 HH16 HH20 5G307 FA01 FB02 FC09 FC10 5G323 BA01 BA05 BB01 BC03 CA05   ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F term (reference) 4M104 AA10 BB08 BB09 CC01 DD22                       DD28 DD51 DD71 DD78 GG20                       HH14 HH16 HH20                 5G307 FA01 FB02 FC09 FC10                 5G323 BA01 BA05 BB01 BC03 CA05

Claims (24)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】少なくともパターン形成された金属微粒子
保持部を有する金属微粒子保持層を具備し、かつ該金属
微粒子保持部に保持された金属微粒子を含む金属微粒子
層を有しており、前記金属微粒子層を形成する該金属微
粒子のうち隣接するもの同士が金属架橋剤を介して架橋
されていることを特徴とする導電膜。
1. A metal fine particle holding layer having at least a patterned metal fine particle holding portion, and a metal fine particle layer containing the metal fine particles held in the metal fine particle holding portion, wherein the metal fine particles are provided. A conductive film, wherein adjacent ones of the metal fine particles forming a layer are crosslinked with each other via a metal crosslinking agent.
【請求項2】前記金属微粒子保持部のパターン形状が線
幅5μm以下の網目状であり、かつ該金属微粒子保持部
の面積が前記金属微粒子保持層の面積に対して40%以
下であり、かつ導電膜全体の可視光域の光線透過率が5
0%以上であることを特徴とする請求項1記載の導電
膜。
2. The pattern of the metal fine particle holding portion is a mesh having a line width of 5 μm or less, and the area of the metal fine particle holding portion is 40% or less with respect to the area of the metal fine particle holding layer, and The light transmittance of the entire conductive film in the visible light range is 5
It is 0% or more, The conductive film of Claim 1 characterized by the above-mentioned.
【請求項3】前記金属微粒子保持部が、該金属微粒子保
持部の金属微粒子と接する側の表面に、メルカプト基、
アミノ基、シアノ基、2−ピリジル基、ジフェニルホス
フィノ基から選択される一つ以上の官能基を有すること
を特徴とする請求項1または2記載の透明導電膜。
3. A mercapto group is provided on the surface of the metal fine particle holding portion on the side in contact with the metal fine particles of the metal fine particle holding portion.
The transparent conductive film according to claim 1, which has one or more functional groups selected from an amino group, a cyano group, a 2-pyridyl group, and a diphenylphosphino group.
【請求項4】前記金属微粒子が、Ag及び/またはAu
を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載
の導電膜。
4. The fine metal particles are Ag and / or Au.
The conductive film according to claim 1, comprising:
【請求項5】前記金属微粒子が一次粒径100nm以下
であることを特徴とする請求項4記載の導電膜。
5. The conductive film according to claim 4, wherein the metal fine particles have a primary particle diameter of 100 nm or less.
【請求項6】前記金属架橋剤が、メルカプト基、アミノ
基、シアノ基、2−ピリジル基、ジフェニルホスフィノ
基および水酸基から選択される官能基を2つ以上有する
ことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の導電
膜。
6. The metal cross-linking agent has two or more functional groups selected from a mercapto group, an amino group, a cyano group, a 2-pyridyl group, a diphenylphosphino group and a hydroxyl group. The conductive film according to any one of to 5.
【請求項7】前記金属架橋剤が、メルカプト基、アミノ
基、シアノ基、2−ピリジル基、ジフェニルホスフィノ
基および水酸基から選択される官能基を両末端に有する
直鎖状アルキル化合物であることを特徴とする請求項1
〜5のいずれかに記載の導電膜。
7. The metal cross-linking agent is a linear alkyl compound having a functional group selected from a mercapto group, an amino group, a cyano group, a 2-pyridyl group, a diphenylphosphino group and a hydroxyl group at both ends. Claim 1 characterized by the above-mentioned.
The conductive film according to any one of to 5.
【請求項8】前記金属微粒子保持層が、Si,Al,T
i,Zrの各種アルコキシドから選択された一種類以上
を少なくとも含む出発物質から形成されたアルコキシゲ
ル層を含むことを特徴とする請求項1〜7のいずれかに
記載の導電膜。
8. The metal fine particle holding layer comprises Si, Al, T
The conductive film according to claim 1, further comprising an alkoxy gel layer formed from a starting material containing at least one selected from various alkoxides of i and Zr.
【請求項9】前記金属微粒子保持部がメルカプト基、ア
ミノ基、シアノ基、2−ピリジル基、ジフェニルホスフ
ィノ基から選択される官能基を有する加水分解性シラン
化合物のうち一種類以上を、前記アルコキシゲル層の表
面に結合させることで形成されることを特徴とする請求
項8記載の導電膜。
9. The hydrolyzable silane compound, wherein the metal fine particle holding portion has a functional group selected from a mercapto group, an amino group, a cyano group, a 2-pyridyl group, and a diphenylphosphino group, The conductive film according to claim 8, wherein the conductive film is formed by bonding to the surface of the alkoxy gel layer.
【請求項10】前記金属微粒子保持層が、Si,Al,
Ti,Zrの各種アルコキシドから選択された一種類以
上とメルカプト基、アミノ基、シアノ基、2−ピリジル
基、ジフェニルホスフィノ基から選択される官能基を有
する加水分解性シラン化合物から選択された一種類以上
を少なくとも含む出発物質から形成される、金属微粒子
が全面に保持可能な金属保持性アルコキシゲル層を含む
ことを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の導電
膜。
10. The metal fine particle holding layer comprises Si, Al,
One selected from at least one selected from various alkoxides of Ti and Zr and a hydrolyzable silane compound having a functional group selected from a mercapto group, an amino group, a cyano group, a 2-pyridyl group and a diphenylphosphino group. The conductive film according to claim 1, further comprising a metal-retaining alkoxy gel layer capable of retaining the metal fine particles on the entire surface, which is formed from a starting material containing at least one kind or more.
【請求項11】少なくとも導電層を有する導電膜の製造
方法において、金属微粒子保持部がパターン形成された
金属微粒子保持層を形成する工程、該金属微粒子保持層
に金属微粒子を保持させる工程、保持された金属微粒子
に金属架橋剤を保持する工程、更に前記金属架橋剤に金
属微粒子を保持させる工程を含むことを特徴とする導電
膜の製造方法。
11. A method for producing a conductive film having at least a conductive layer, the step of forming a metal fine particle holding layer having a patterned metal fine particle holding portion, the step of holding the metal fine particle in the metal fine particle holding layer, and the step of holding the metal fine particle holding layer. A method for producing a conductive film, comprising: a step of holding the metal crosslinking agent on the metal fine particles; and a step of holding the metal fine particles on the metal crosslinking agent.
【請求項12】前記保持された金属微粒子に金属架橋剤
を保持する工程、更に金属架橋剤の保持された金属微粒
子に金属微粒子を保持させる工程を複数回繰り返すこと
を特徴とする請求項11記載の導電膜の製造方法。
12. The method according to claim 11, wherein the step of holding the metal cross-linking agent on the held metal fine particles and the step of holding the metal fine particles on the metal fine particles holding the metal cross-linking agent are repeated a plurality of times. The method for manufacturing a conductive film of.
【請求項13】前記金属微粒子保持部のパターン形状が
線幅5μm以下の網目状であり、かつ該金属微粒子保持
部の面積が前記金属微粒子保持層の面積に対して40%
以下であり、かつ導電膜全体の可視光域の光線透過率が
50%以上であることを特徴とする請求項11または1
2記載の導電膜の製造方法。
13. The pattern of the metal fine particle holding portion is a mesh having a line width of 5 μm or less, and the area of the metal fine particle holding portion is 40% of the area of the metal fine particle holding layer.
The light transmittance in the visible light region of the entire conductive film is 50% or more, which is below.
2. The method for producing a conductive film as described in 2.
【請求項14】前記金属微粒子保持部がメルカプト基、
アミノ基、シアノ基、2−ピリジル基、ジフェニルホス
フィノ基から選択される一種類以上の官能基を該金属微
粒子保持部の表面に有することを特徴とする請求項11
〜13のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
14. The metal fine particle holding part comprises a mercapto group,
12. The surface of the metal fine particle holding part has one or more kinds of functional groups selected from an amino group, a cyano group, a 2-pyridyl group and a diphenylphosphino group.
14. The method for producing a conductive film according to any one of 13 to 13.
【請求項15】前記金属微粒子が、Ag及び/またはA
uを含むことを特徴とする請求項11〜14のいずれか
に記載の導電膜の製造方法。
15. The metal fine particles are Ag and / or A.
The method for producing a conductive film according to claim 11, further comprising u.
【請求項16】前記金属微粒子が一次粒径100nm以
下であることを特徴とする請求項15記載の導電膜の製
造方法。
16. The method for producing a conductive film according to claim 15, wherein the fine metal particles have a primary particle diameter of 100 nm or less.
【請求項17】前記金属微粒子保持層形成工程が、S
i,Al,Ti,Zrの各種アルコキシドから選択され
た一種類以上を少なくとも含む出発物質から形成された
アルコキシゲル層上に、下記加水分解性シラン化合物に
対して該アルコキシゲル層を不活性化せしめる非保持部
をパターン形成した後、該非保持部が形成されていない
部分に、メルカプト基、アミノ基、シアノ基、2−ピリ
ジル基、ジフェニルホスフィノ基から選択される官能基
を有する加水分解性シラン化合物のうち一種類以上を金
属微粒子保持部として形成することを含むことを特徴と
する請求項11〜16のいずれかに記載の導電膜の製造
方法。
17. The metal fine particle holding layer forming step comprises:
On the alkoxy gel layer formed from a starting material containing at least one selected from various alkoxides of i, Al, Ti and Zr, the alkoxy gel layer is inactivated by the following hydrolyzable silane compound. After patterning the non-holding portion, a hydrolyzable silane having a functional group selected from a mercapto group, an amino group, a cyano group, a 2-pyridyl group, and a diphenylphosphino group in a portion where the non-holding portion is not formed. The method for producing a conductive film according to any one of claims 11 to 16, comprising forming one or more kinds of compounds as a metal fine particle holding portion.
【請求項18】前記金属微粒子保持層形成工程が、S
i,Al,Ti,Zrの各種アルコキシドから選択され
た一種類以上とメルカプト基、アミノ基、シアノ基、2
−ピリジル基、ジフェニルホスフィノ基から選択される
官能基を有する加水分解性シラン化合物から選択された
一種類以上を少なくとも含む出発物質から形成される、
金属微粒子が全面に保持可能な金属保持性アルコキシゲ
ル層上に、非保持部をパターン形成することを含むこと
を特徴とする請求項11〜16のいずれかに記載の導電
膜の製造方法。
18. The step of forming a metal fine particle holding layer comprises:
One or more selected from various alkoxides of i, Al, Ti and Zr, and a mercapto group, amino group, cyano group, 2
-Pyridyl group, formed from a starting material containing at least one or more selected from hydrolyzable silane compounds having a functional group selected from diphenylphosphino group,
The method for producing a conductive film according to claim 11, further comprising patterning a non-holding portion on the metal-holding alkoxy gel layer capable of holding the metal fine particles on the entire surface.
【請求項19】前記非保持部が、加水分解基を含む各種
長鎖アルキルシラン化合物および加水分解基を含む各種
長鎖フルオロアルキルシラン化合物から選択される一種
類以上を含むことを特徴とする請求項17または18記
載の導電膜の製造方法。
19. The non-retaining portion contains one or more kinds selected from various long-chain alkylsilane compounds containing a hydrolyzable group and various long-chain fluoroalkylsilane compounds containing a hydrolyzable group. Item 19. A method for producing a conductive film according to item 17 or 18.
【請求項20】前記非保持部をマイクロコンタクト印刷
で形成することを特徴とする請求項17〜19のいずれ
かに記載の導電膜の製造方法。
20. The method for producing a conductive film according to claim 17, wherein the non-holding portion is formed by microcontact printing.
【請求項21】前記金属微粒子を保持させる工程が、前
記金属微粒子保持層を前記金属微粒子が分散した分散液
に浸漬する操作を含むことを特徴とする請求項11〜2
0のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
21. The step of holding the metal fine particles comprises immersing the metal fine particle holding layer in a dispersion liquid in which the metal fine particles are dispersed.
0. The method for producing a conductive film as described in 0.
【請求項22】前記金属微粒子を保持させる工程が、前
記金属微粒子を含む塗布液を前記金属微粒子保持層上に
塗布する操作を含むことを特徴とする請求項11〜21
のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
22. The steps of holding the metal fine particles include an operation of applying a coating liquid containing the metal fine particles on the metal fine particle holding layer.
The method for producing a conductive film according to any one of 1.
【請求項23】前記保持された金属微粒子に金属架橋剤
を保持する工程が、前記金属が保持された金属微粒子保
持層を、金属架橋剤を含む溶液に浸漬する操作を含むこ
とを特徴とする請求項11〜22のいずれかに記載の導
電膜の製造方法。
23. The step of holding the metal cross-linking agent on the held metal fine particles includes an operation of immersing the metal fine-particle holding layer holding the metal in a solution containing the metal cross-linking agent. A method of manufacturing a conductive film according to claim 11.
【請求項24】保持された金属微粒子に金属架橋剤を保
持する工程が、前記金属架橋剤を含む塗布液を、前記金
属が保持された金属微粒子保持層上に塗布する操作を含
むことを特徴とする請求項11〜22のいずれかに記載
の導電膜の製造方法。
24. The step of retaining the metal crosslinking agent on the retained metal fine particles includes an operation of applying a coating solution containing the metal crosslinking agent onto the metal fine particle retaining layer on which the metal is retained. The method for producing a conductive film according to any one of claims 11 to 22.
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