JP2003142557A - Wafer carrier - Google Patents
Wafer carrierInfo
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- JP2003142557A JP2003142557A JP2001341303A JP2001341303A JP2003142557A JP 2003142557 A JP2003142557 A JP 2003142557A JP 2001341303 A JP2001341303 A JP 2001341303A JP 2001341303 A JP2001341303 A JP 2001341303A JP 2003142557 A JP2003142557 A JP 2003142557A
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- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- gas
- outer circumference
- float chuck
- guide
- Prior art date
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- Pending
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエーハ搬送装置
に係り、特にウエーハを非接触で吸引保持して搬送する
フロートチャックを用いたウエーハ搬送装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer transfer device, and more particularly, to a wafer transfer device using a float chuck that sucks and holds a wafer in a non-contact manner.
【0002】[0002]
【従来の技術】フロートチャックは、搬送すべきウエー
ハの表面に対向される作動面を有し、この作動面に開口
されたガス流入口とガス流出口を有し、作動面をウエー
ハの表面に近接対向させてガス流入口からガスを流入さ
せると共に該ガスをガス流出口から排気することによ
り、作動面とウエーハの表面との間にガスの流れを生じ
させ、このガスの流れによる圧力低下を利用してウエー
ハを作動面に非接触で吸引保持するものであり、このフ
ロートチャックは、ウエーハを非接触で保持することが
できるため、パーティクルの付着や損傷を嫌うウエーハ
の搬送に適している。2. Description of the Related Art A float chuck has an operating surface facing a surface of a wafer to be transported, and has a gas inlet and a gas outlet opened on the operating surface. The gas is caused to flow between the working surface and the surface of the wafer by causing the gas to flow in through the gas inlet while being closely opposed to each other and exhausting the gas from the gas outlet, and to reduce the pressure drop due to the flow of the gas. This float chuck is used to suck and hold the wafer in a non-contact manner with the operating surface. Since this float chuck can hold the wafer in a non-contact manner, it is suitable for transporting the wafer which is averse to particle adhesion and damage.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このフ
ロートチャックは、ガス流入口から作動面とウエーハと
の間に流入したガスがガス流出口へ完全に排気されずに
外へ漏れ出し、ウエーハ支持部材上のパーティクルを巻
き上げることがある。However, in this float chuck, the gas flowing from the gas inflow port between the working surface and the wafer leaks out without being completely exhausted to the gas outflow port. The particles above may be rolled up.
【0004】本発明は、上記パーティクルの巻き上げを
抑えることのできるウエーハ搬送装置を提供することを
目的としている。An object of the present invention is to provide a wafer transfer device capable of suppressing the above-mentioned particle winding.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、搬送すべきウエーハの表面に対向される作
動面、並びにこの作動面にそれぞれ開口されたガス流入
口及びガス流出口を備え、前記作動面を前記ウエーハの
表面に近接対向させて前記ガス流入口からガスを流入さ
せると共に該ガスを前記ガス流出口から排気して前記ウ
エーハを非接触で吸引保持するフロートチャックと、こ
のフロートチャックの外周を全域にわたって取り囲むよ
うに設けられ、非接触で吸引保持される前記ウエーハの
外周を収容可能な内径を有するリング状のガイドと、前
記フロートチャックの外周と前記ガイドの内側との間の
空間を排気するための排気手段と、を具備してなるウエ
ーハ搬送装置にある。SUMMARY OF THE INVENTION To achieve the above object, the present invention provides an operating surface facing a surface of a wafer to be transported, and a gas inlet and a gas outlet respectively opened on the operating surface. A float chuck for causing the working surface to closely face the surface of the wafer to allow a gas to flow in from the gas inlet and to exhaust the gas from the gas outlet to hold the wafer in a non-contact manner. Between the outer circumference of the float chuck and the inside of the guide, a ring-shaped guide provided so as to surround the outer circumference of the float chuck and having an inner diameter capable of accommodating the outer circumference of the wafer sucked and held in a non-contact manner. And an exhaust means for exhausting the space.
【0006】本発明によれば、ウエーハはリング状のガ
イドによって所定位置に保持されると共に、フロートチ
ャックの外へ漏れ出したガスはフロートチャックの外周
とリング状のガイドの内側との間の空間から排気され、
ガイドの外へ漏れ出すことはないため、パーティクルの
巻き上げを抑えることができる。According to the present invention, the wafer is held at a predetermined position by the ring-shaped guide, and the gas leaked to the outside of the float chuck is a space between the outer circumference of the float chuck and the inside of the ring-shaped guide. Exhausted from
Since it does not leak out of the guide, it is possible to prevent particles from rolling up.
【0007】なお、前記排気手段は、排気量を調整可能
に構成し、フロートチャックからのガスの漏れ出しを抑
えるための必要最小限の流量として前記フロートチャッ
クの外周とリング状のガイドの内側との間の空間への外
部雰囲気の流入をより少なく抑えることが好ましい。The evacuation means is constructed so that the evacuation amount can be adjusted, so that the outer circumference of the float chuck and the inner side of the ring-shaped guide are set to the minimum necessary flow rate for suppressing the leakage of gas from the float chuck. It is preferable to further suppress the inflow of the external atmosphere into the space between.
【0008】[0008]
【発明の実施の形態】以下本発明の一実施の形態につ
き、図1を参照して説明する。10はフロートチャッ
ク、30はウエーハである。フロートチャック10は、
それぞれ図1において下方に向かって伸びるパッド部1
1とフード部12を有し、パッド部11の先端面(図1
において下端面)は、ウエーハ30の表面(図1におい
て上面)に対向する平面からなる作動面13を構成して
いる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. 10 is a float chuck and 30 is a wafer. The float chuck 10 is
Pad portion 1 extending downward in FIG. 1, respectively
1 and a hood portion 12, and the tip surface of the pad portion 11 (see FIG.
In FIG. 1, the lower end surface thereof constitutes an operating surface 13 composed of a flat surface facing the surface of the wafer 30 (the upper surface in FIG. 1).
【0009】作動面13の中央には、凹部からなり下端
の開口部がガス流入口14を構成するクッション室15
が設けられている。このクッション室15には、フロー
トチャック10の本体部10Aの中央に設けられたガス
供給路16を通して空気、N 2又はH2等のガス供給源
17に接続されている。At the center of the working surface 13, a concave portion is formed at the lower end.
Cushion chamber 15 whose opening constitutes the gas inlet 14
Is provided. This cushion chamber 15 has a flow
Gas provided at the center of the main body 10A of the chuck 10.
Air through the supply path 16, N TwoOr HTwoGas supply source such as
It is connected to 17.
【0010】パッド部11とフード部12と間には、1
つのリング状又は複数に分割され、下端がガス流出口1
8を構成する凹部19が形成され、この凹部19は、本
体部10Aに設けられた排気路20を通して真空ポンプ
等の排気手段21に接続されている。1 is provided between the pad portion 11 and the hood portion 12.
It is divided into one ring or multiple, and the lower end is the gas outlet 1.
8 is formed, and the recess 19 is connected to an exhaust means 21 such as a vacuum pump through an exhaust passage 20 provided in the main body 10A.
【0011】上記のように構成されているフロートチャ
ック10の外周すなわちフード部12の外周には、この
外周を全域にわたって取り囲むようにリング状のガイド
22が設けられている。このガイド22の下端は、フロ
ートチャック10によりウエーハ30を吸引保持可能な
作動面13とウエーハ30の表面との間の距離hよりウ
エーハ30の厚さ未満の長さだけ下方へ突出している。
また、このガイド22の下端の内径は、適宜な隙間を置
いてウエーハ30の外周を収容する大きさに形成されて
いる。A ring-shaped guide 22 is provided on the outer periphery of the float chuck 10 constructed as described above, that is, on the outer periphery of the hood portion 12, so as to surround the entire outer periphery. The lower end of the guide 22 projects downward by a length less than the thickness of the wafer 30 from a distance h between the surface of the wafer 30 and the operating surface 13 capable of suction-holding the wafer 30 by the float chuck 10.
Further, the inner diameter of the lower end of the guide 22 is formed to accommodate the outer periphery of the wafer 30 with an appropriate gap.
【0012】フード部12の外周とガイド22の内側と
の間に形成されたリング状の空間23は、排気口24を
通して真空ポンプ等の排気手段25に接続されている。
この排気手段25は、図示のように、フロートチャック
10の凹部19に接続される排気手段21とは別に設け
られ、フロートチャック10とは別に排気量を適宜に調
節・設定可能に構成されている。なお、この図示例に限
らず、空間23を図示しない排気量の調節手段を介して
排気手段21に接続してもよい。A ring-shaped space 23 formed between the outer periphery of the hood portion 12 and the inside of the guide 22 is connected to an exhaust means 25 such as a vacuum pump through an exhaust port 24.
As shown in the drawing, the exhaust means 25 is provided separately from the exhaust means 21 connected to the recess 19 of the float chuck 10, and is configured such that the exhaust amount can be appropriately adjusted and set separately from the float chuck 10. . Note that the space 23 may be connected to the exhaust means 21 via an exhaust amount adjusting means (not shown), without being limited to this example.
【0013】次いで上記のガイド22を備えたフロート
チャック10(以下本装置という)の作用について説明
する。図示しないウエーハ支持部材上に置かれたウエー
ハ30の上方へ、本装置を図示しないロボット等により
移動させ、作動面13をウエーハ30の表面に対し、吸
引保持可能な距離hに近付け、ガス供給源17から空
気、N2又はH2等のガスをガス供給路16へ供給する
と同時に、排気路20及び排気口24に接続された排気
手段21,25をそれぞれ作動させる。Next, the operation of the float chuck 10 (hereinafter referred to as the present apparatus) provided with the guide 22 will be described. The apparatus is moved by a robot or the like (not shown) above the wafer 30 placed on a wafer support member (not shown), and the working surface 13 is brought closer to the surface of the wafer 30 by a suction-holdable distance h. At the same time as supplying gas such as air or N 2 or H 2 from 17 to the gas supply passage 16, the exhaust means 21 and 25 connected to the exhaust passage 20 and the exhaust port 24 are operated respectively.
【0014】ガス供給路16へ供給されたガスは、クッ
ション室15を介してガス流入口14から作動面13と
ウエーハ30の表面との間に流入し、この間を通り、ガ
ス流出口18から凹部19、排気路20を経て排気手段
21により排気される。上記作動面13とウエーハ30
の表面との間のガスの流れによりこの部分の圧力が低下
し、ウエーハ30が作動面13に非接触で吸引保持され
る。The gas supplied to the gas supply passage 16 flows through the cushion chamber 15 from the gas inlet 14 between the working surface 13 and the surface of the wafer 30, passes through the space, and is recessed from the gas outlet 18. The gas is exhausted by the exhaust means 21 via the exhaust passage 19 and the exhaust passage 20. The working surface 13 and the wafer 30
The pressure of this portion is reduced by the flow of gas between the wafer 30 and the surface of the wafer, and the wafer 30 is suction-held on the working surface 13 in a non-contact manner.
【0015】このとき、ガス流入口14から作動面13
とウエーハ30の表面との間に流入したガスの一部が、
ガス流出口18から凹部19、排気路20を経て排気手
段21により排気されずに、フード部12の外へ漏れ出
ても、この漏れガスは、フード部12の外周の全域にわ
たって設けられたリング状の空間23から排気口24を
通して排気手段25により排出される。At this time, from the gas inlet 14 to the working surface 13
A part of the gas flowing between the surface of the wafer 30 and the surface of the wafer 30,
Even if the gas leaks from the gas outlet 18 to the outside of the hood 12 without being exhausted by the exhaust means 21 through the recess 19 and the exhaust passage 20, the leaked gas is a ring provided over the entire outer circumference of the hood 12. The space 23 is exhausted by the exhaust means 25 through the exhaust port 24.
【0016】そこで、フロートチャック10からのガス
の流出によるパーティクルの巻き上げを防止することが
できる。Therefore, it is possible to prevent the particles from being wound up due to the outflow of gas from the float chuck 10.
【0017】なお、排気手段25によるリング状の空間
23からの排気は、その流量をフード部12から外へ漏
れ出すガスの流量より若干上回る程度に設定することに
より、ガイド22の外側から気体(本装置が使用される
場所の雰囲気)が過度に流入することを抑え、この外部
からの気体の流入に伴うパーティクルの巻き上げを抑え
るようにすることが好ましい。Exhaust from the ring-shaped space 23 by the exhaust means 25 is set so that the flow rate thereof is slightly higher than the flow rate of the gas leaking out from the hood portion 12, so that the gas ( It is preferable to suppress excessive inflow of the atmosphere in the place where the present apparatus is used) and to suppress the particles from being wound up due to the inflow of gas from the outside.
【0018】[0018]
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、フロ
ートチャックの外周を全域にわたって取り囲み、ウエー
ハの外周を収容可能な内径を有するリング状のガイドを
設けると共に、このガイドの内側の空間を排気するため
の排気手段を設けるという簡単な構成の付加によりパー
ティクルの巻き上げを抑えることができる。As described above, according to the present invention, a ring-shaped guide having an inner diameter capable of accommodating the outer circumference of a wafer is provided so as to surround the outer circumference of the float chuck, and the space inside the guide is The addition of a simple structure of providing an exhaust means for exhausting can suppress the winding of particles.
【図1】本発明の一実施形態を示す要部断面図。FIG. 1 is a sectional view of an essential part showing an embodiment of the present invention.
10 フロートチャック 11 パッド部 12 フード部 13 作動面 14 ガス流入口 15 クッション室 16 ガス供給路 17 ガス供給源 18 ガス流出口 19 凹部 20 排気路 21、25 排気手段 22 ガイド 23 空間 24 排気口 30 ウエーハ。 10 float chuck 11 Pad part 12 Hood 13 Working surface 14 gas inlet 15 Cushion room 16 gas supply channels 17 Gas supply source 18 gas outlet 19 recess 20 exhaust path 21, 25 Exhaust means 22 Guide 23 space 24 exhaust port 30 Waha.
Claims (2)
作動面、並びにこの作動面にそれぞれ開口されたガス流
入口及びガス流出口を備え、前記作動面を前記ウエーハ
の表面に近接対向させて前記ガス流入口からガスを流入
させると共に該ガスを前記ガス流出口から排気して前記
ウエーハを非接触で吸引保持するフロートチャックと、 このフロートチャックの外周を全域にわたって取り囲む
ように設けられ、非接触で吸引保持される前記ウエーハ
の外周を収容可能な内径を有するリング状のガイドと、 前記フロートチャックの外周と前記ガイドの内側との間
の空間を排気するための排気手段と、 を具備してなるウエーハ搬送装置。1. An operating surface facing a surface of a wafer to be transported, and a gas inlet and a gas outlet opening on the operating surface, respectively, the operating surface being closely opposed to the surface of the wafer. A float chuck that allows a gas to flow in from the gas inlet and exhausts the gas from the gas outlet to suck and hold the wafer in a non-contact manner; and a non-contact type float chuck provided so as to surround the entire outer circumference of the float chuck. A ring-shaped guide having an inner diameter capable of accommodating the outer circumference of the wafer sucked and held by the exhaust chuck, and exhaust means for exhausting the space between the outer circumference of the float chuck and the inside of the guide. Wafer transfer device.
成されていることを特徴とする請求項1記載のウエーハ
搬送装置。2. The wafer transfer apparatus according to claim 1, wherein the evacuation unit is configured to be capable of adjusting an evacuation amount.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001341303A JP2003142557A (en) | 2001-11-07 | 2001-11-07 | Wafer carrier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001341303A JP2003142557A (en) | 2001-11-07 | 2001-11-07 | Wafer carrier |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003142557A true JP2003142557A (en) | 2003-05-16 |
Family
ID=19155342
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001341303A Pending JP2003142557A (en) | 2001-11-07 | 2001-11-07 | Wafer carrier |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003142557A (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006040858A1 (en) * | 2004-10-14 | 2006-04-20 | Lintec Corporation | Non-contact type suction holding device |
KR100928674B1 (en) | 2009-04-07 | 2009-11-27 | 삼성코닝정밀유리 주식회사 | Noncontact type suction gripping device and noncontact type suction gripping flame with the same |
KR101063898B1 (en) | 2009-05-28 | 2011-09-08 | 주식회사농심 | Feeding device with non-contact pad |
GB2584069A (en) * | 2019-03-27 | 2020-11-25 | Millitec Food Systems Ltd | Flow gripper |
TWI826308B (en) * | 2023-04-21 | 2023-12-11 | 梭特科技股份有限公司 | Transfer device for keeping position of wafer or die by positive pressure and method for the same |
-
2001
- 2001-11-07 JP JP2001341303A patent/JP2003142557A/en active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006040858A1 (en) * | 2004-10-14 | 2006-04-20 | Lintec Corporation | Non-contact type suction holding device |
KR100928674B1 (en) | 2009-04-07 | 2009-11-27 | 삼성코닝정밀유리 주식회사 | Noncontact type suction gripping device and noncontact type suction gripping flame with the same |
KR101063898B1 (en) | 2009-05-28 | 2011-09-08 | 주식회사농심 | Feeding device with non-contact pad |
GB2584069A (en) * | 2019-03-27 | 2020-11-25 | Millitec Food Systems Ltd | Flow gripper |
GB2584069B (en) * | 2019-03-27 | 2023-11-08 | Millitec Food Systems Ltd | Flow gripper |
TWI826308B (en) * | 2023-04-21 | 2023-12-11 | 梭特科技股份有限公司 | Transfer device for keeping position of wafer or die by positive pressure and method for the same |
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