JP2003142388A - Method of producing shot layout - Google Patents

Method of producing shot layout

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JP2003142388A
JP2003142388A JP2001341781A JP2001341781A JP2003142388A JP 2003142388 A JP2003142388 A JP 2003142388A JP 2001341781 A JP2001341781 A JP 2001341781A JP 2001341781 A JP2001341781 A JP 2001341781A JP 2003142388 A JP2003142388 A JP 2003142388A
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable producing of an optimum shot layout for exposure which matches the production demand of the user. SOLUTION: This method includes a process of automatically making a shot layout and a process of computing the throughput, being the number of processed sheets of wafers per unit time, on the basis of the made shot layout, and an optimum shot layout matched with the request of the user is obtained from the making of the shot layout, based on each process and the computation result of the throughput. In the automatic production process of the shot layout, a plurality of shot layouts which can be a candidate for an optimal shot layout are made from the effective exposure region on a wafer, the shot size, and the chip size, and in the throughput computation process, the throughput is computed from the number of shots of the made shot layout, the shot size, and the exposure quantity.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体露光装置に
おいて、ウエハ等の基板上の露光ショットの配列を決定
するためのショットレイアウト作成方法等に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a shot layout forming method and the like for determining the arrangement of exposure shots on a substrate such as a wafer in a semiconductor exposure apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】通常、半導体露光装置(ステッパやスキ
ャナ)を用いてレチクル等の原版の面上の回路パターン
を基板であるウエハ上に投影露光する場合、そのショッ
ト配列はそのウエハからチップ数が最大数取れるように
決められている。
2. Description of the Related Art Usually, when a semiconductor exposure apparatus (stepper or scanner) is used to project and expose a circuit pattern on the surface of an original such as a reticle onto a wafer, which is a substrate, the shot arrangement is such that the number of chips from the wafer is small. It is decided to take the maximum number.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとしている課題】近年、半導体デバ
イスの搭載機器がパソコン(PC)から、携帯電話機な
どのインターネット、ディジタル民生機器に移行して来
ており、半導体製品は、マーケットウインドウの縮小、
寿命の短命化、及び多品種少量化が進んでいる。また、
DRAMなどのメモリやマイクロプロセサなどの大量生
産製品においても、製品投入後の高価格の期間がこれま
でに比べ非常に短くなってきている。このため、今後、
インターネット、ディジタル民生機器向けの製品、メモ
リやマイクロプロセッサなどの大量生産製品での量産開
始時点などでは、これまでより短期間での生産、つまり
単位時間当たりの製品の生産量の増加が要求される。こ
れに伴い現在、半導体製造メーカでは、ミニファブと呼
ばれる小規模ラインでの製造や、枚葉処理などのウエハ
処理方法の変更により、生産性の向上を図ろうとしてい
る。このような中、ステッパやスキャナなど半導体露光
装置においては、生産性はウエハ上のショット配列に依
存しており、そのショット配列はウエハ上のチップ配置
から決定されている。よって、単位時間当たりの製品
(デバイスチップ)の生産量の観点から見た場合、従来
のように、ウエハから最大のチップ数が取れるショット
レイアウトが必ずしもチップの生産性が高い、つまり最
適なショットレイアウトとはならない場合があり、ユー
ザとしての上記半導体製造メーカの要求に応じられない
可能性がある。
In recent years, the equipment for mounting semiconductor devices has been shifting from personal computers (PCs) to the Internet such as mobile phones and digital consumer equipment, and semiconductor products are shrinking the market window.
Life expectancy is being shortened, and the variety of products is being reduced in quantity. Also,
Even in mass-produced products such as memories such as DRAMs and microprocessors, the high-priced period after product introduction has become much shorter than before. Therefore, in the future,
At the start of mass production of mass-produced products such as the Internet, digital consumer products, and memories and microprocessors, it is necessary to produce in a shorter period of time than before, that is, to increase the production amount of products per unit time. . Accordingly, semiconductor manufacturers are currently trying to improve productivity by manufacturing on a small-scale line called a mini-fab and changing wafer processing methods such as single wafer processing. Under such circumstances, in a semiconductor exposure apparatus such as a stepper and a scanner, productivity depends on the shot arrangement on the wafer, and the shot arrangement is determined by the chip arrangement on the wafer. Therefore, from the viewpoint of the production amount of products (device chips) per unit time, the shot layout that can take the maximum number of chips from the wafer is not necessarily high in chip productivity, that is, the optimum shot layout as in the past. In some cases, it may not be possible to meet the requirements of the above-mentioned semiconductor manufacturer as a user.

【0004】本発明は、ユーザの生産要求に合った最適
な露光用ショットレイアウトを作成することができるよ
うにすることを目的とする。
An object of the present invention is to make it possible to create an optimum exposure shot layout that meets the production requirements of a user.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、基板上に原版のパターンを転写するため
のショット配列を求めるショットレイアウト作成方法に
おいて、ショットレイアウトを自動で作成する工程と、
作成されたショットレイアウトを基に単位時間当たりの
基板の処理枚数及びチップ生産量のどちらかであるスル
ープットを算出する工程とを有し、これら各々の工程に
基づく前記ショットレイアウトの作成及び前記スループ
ットの算出結果から、ユーザの要求にマッチした最適シ
ョットレイアウトを求めることを特徴とする。前記ショ
ットレイアウトを自動で作成する工程では、前記基板上
の有効露光領域、ショットサイズ、及びチップサイズか
ら、最適ショットレイアウトの候補となる複数のショッ
トレイアウトを作成することが望ましい。前記スループ
ットを算出する工程では、作成されたショットレイアウ
トのショット数、ショットサイズ、及び露光量から、前
記スループットを算出することが好ましい。最適ショッ
トレイアウトの決定方法としては、単位時間当たりのチ
ップ生産数に基づく方法を用いることができる。
In order to achieve the above object, the present invention provides a step of automatically creating a shot layout in a shot layout creating method for obtaining a shot array for transferring a pattern of an original onto a substrate. When,
Based on the created shot layout, there is a step of calculating a throughput which is either the number of substrates processed per unit time or a chip production amount, and the creation of the shot layout and the throughput based on each of these steps. The feature is that an optimum shot layout that matches the user's request is obtained from the calculation result. In the step of automatically creating the shot layout, it is desirable to create a plurality of shot layouts that are candidates for the optimum shot layout from the effective exposure area on the substrate, the shot size, and the chip size. In the step of calculating the throughput, it is preferable to calculate the throughput from the shot number, shot size, and exposure amount of the created shot layout. As a method of determining the optimum shot layout, a method based on the number of chips produced per unit time can be used.

【0006】本発明では、ウエハ等の基板上の有効露光
領域、ショットサイズ、チップサイズから、最適なショ
ットレイアウトの候補となる複数のショットレイアウト
を自動作成するショットレイアウト作成工程と、作成さ
れたショットレイアウトについて、単位時間当たりの生
産性(スループット)を求める工程を有することによ
り、各々のショットレイアウトでの単位時間当たりのチ
ップ生産量を求め、これらを比較することにより、半導
体製造メーカの要求に合った、最適なショットレイアウ
トを求めることが可能となる。
In the present invention, a shot layout creating process for automatically creating a plurality of shot layouts that are candidates for an optimum shot layout from the effective exposure area on a substrate such as a wafer, shot size, and chip size, and the created shots. For the layout, by having the step of obtaining the productivity (throughput) per unit time, the chip production amount per unit time in each shot layout is obtained, and by comparing these, it is possible to meet the requirements of the semiconductor manufacturer. Moreover, it is possible to obtain the optimum shot layout.

【0007】また、本発明は、前記ショットレイアウト
作成方法を用いるためのプログラムを記録した記録媒体
でもよく、前記ショットレイアウト作成方法を用いる露
光装置にも適用される。
Further, the present invention may be a recording medium in which a program for using the shot layout creating method is recorded, and is also applied to an exposure apparatus using the shot layout creating method.

【0008】また、本発明は、前記露光装置を含む各種
プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置する工
程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスによって半
導体デバイスを製造する工程とを有する半導体デバイス
製造方法にも適用可能である。前記製造装置群をローカ
ルエリアネットワークで接続する工程と、前記ローカル
エリアネットワークと前記半導体製造工場外の外部ネッ
トワークとの間で、前記製造装置群の少なくとも1台に
関する情報をデータ通信する工程とをさらに有すること
が望ましい。前記露光装置のベンダもしくはユーザが提
供するデータベースに前記外部ネットワークを介してア
クセスしてデータ通信によって前記製造装置の保守情報
を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の半導体製
造工場との間で前記外部ネットワークを介してデータ通
信して生産管理を行うことが好ましい。
Further, the present invention includes the steps of installing a manufacturing apparatus group for various processes including the exposure apparatus in a semiconductor manufacturing factory, and a step of manufacturing a semiconductor device by a plurality of processes using the manufacturing apparatus group. It can also be applied to a semiconductor device manufacturing method of the present invention. The method further includes the steps of connecting the manufacturing apparatus group with a local area network, and performing data communication between the local area network and an external network outside the semiconductor manufacturing factory for information regarding at least one of the manufacturing apparatus group. It is desirable to have. A database provided by a vendor or a user of the exposure apparatus is accessed through the external network to obtain maintenance information of the manufacturing apparatus by data communication, or between the semiconductor manufacturing factory and a semiconductor manufacturing factory different from the semiconductor manufacturing factory. It is preferable to perform production management by data communication via an external network.

【0009】また、本発明は、前記露光装置を含む各種
プロセス用の製造装置群と、該製造装置群を接続するロ
ーカルエリアネットワークと、該ローカルエリアネット
ワークから工場外の外部ネットワークにアクセス可能に
するゲートウェイを有し、前記製造装置群の少なくとも
1台に関する情報をデータ通信することを可能にした半
導体製造工場にも適用される。
Further, according to the present invention, manufacturing apparatus groups for various processes including the exposure apparatus, a local area network connecting the manufacturing apparatus groups, and an external network outside the factory can be accessed from the local area network. The present invention is also applied to a semiconductor manufacturing factory having a gateway and capable of performing data communication of information regarding at least one of the manufacturing apparatus group.

【0010】また、本発明は、半導体製造工場に設置さ
れた前記露光装置の保守方法であって、前記露光装置の
ベンダもしくはユーザが、半導体製造工場の外部ネット
ワークに接続された保守データベースを提供する工程
と、前記半導体製造工場内から前記外部ネットワークを
介して前記保守データベースへのアクセスを許可する工
程と、前記保守データベースに蓄積される保守情報を前
記外部ネットワークを介して半導体製造工場側に送信す
る工程とを有することを特徴としてもよい。
The present invention also provides a maintenance method of the exposure apparatus installed in a semiconductor manufacturing factory, wherein a vendor or a user of the exposure apparatus provides a maintenance database connected to an external network of the semiconductor manufacturing factory. A step of permitting access to the maintenance database from the semiconductor manufacturing factory via the external network, and transmitting maintenance information accumulated in the maintenance database to the semiconductor manufacturing factory side via the external network. It may be characterized by having a process.

【0011】また、本発明は、前記露光装置において、
ディスプレイと、ネットワークインタフェースと、ネッ
トワーク用ソフトウェアを実行するコンピュータとをさ
らに有し、露光装置の保守情報をコンピュータネットワ
ークを介してデータ通信することを可能にしたことを特
徴としてもよい。前記ネットワーク用ソフトウェアは、
前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接
続され前記露光装置のベンダもしくはユーザが提供する
保守データベースにアクセスするためのユーザインタフ
ェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネット
ワークを介して該データベースから情報を得ることを可
能にすることが好ましい。
The present invention also provides the above-mentioned exposure apparatus,
It may be characterized in that it further includes a display, a network interface, and a computer that executes software for the network, and allows maintenance information of the exposure apparatus to be data-communicated via a computer network. The network software is
A user interface for accessing a maintenance database provided by a vendor or a user of the exposure apparatus, which is connected to an external network of a factory in which the exposure apparatus is installed, is provided on the display, and from the database via the external network. It is preferable to be able to obtain information.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】(ショットレイアウト作成方法等
の実施形態)以下、図面を用いて本発明の実施形態に係
るショットレイアウト作成方法について説明するが、そ
の前に本発明が適用されるステップアンドリピート(ま
たはスキャン)タイプの投影露光装置、いわゆるステッ
パの構成を図1を用いて説明する。この図において、5
0は、照明光学系であって、原版としてのレチクル51
上に設けられているパターン(複数のチップパターンを
有する)を、基板としてのウエハ55上の感光レジスト
層に投影露光するための露光光を発生する。52は、レ
チクル51を保持するレチクルステージである。このレ
チクルステージ52に保持されたレチクル51に照明光
学系50から露光光が照射されることにより、レチクル
51上のパターンは、縮小投影レンズ53を介して、ウ
エハチャック56上のウエハ55に縮小投影される。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION (Embodiment of Shot Layout Creating Method etc.) Hereinafter, a shot layout creating method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The configuration of a repeat (or scan) type projection exposure apparatus, a so-called stepper, will be described with reference to FIG. In this figure, 5
Reference numeral 0 denotes an illumination optical system, which is a reticle 51 as an original plate.
Exposure light is generated to project and expose the pattern (having a plurality of chip patterns) provided on the photosensitive resist layer on the wafer 55 as a substrate. A reticle stage 52 holds the reticle 51. By exposing the reticle 51 held on the reticle stage 52 with exposure light from the illumination optical system 50, the pattern on the reticle 51 is reduced and projected onto the wafer 55 on the wafer chuck 56 via the reduction projection lens 53. To be done.

【0013】54は、周知のオートフォーカス検出器で
ある。このオートフォーカス検出器は、ウエハ55の表
面に光ビームを照射し、その反射光を光電検出すること
により、投影レンズ53の合焦面に対する光軸(Z軸)
方向のウエハ55の表面の位置を検出する。この検出結
果に基づいて、ウエハチャック56が不図示の駆動機構
により投影レンズ53の光軸方向に移動され、投影レン
ズ53の合焦面にウエハ55の表面が位置される。57
はウエハチャック56に保持されているウエハ55を投
影レンズ53の光軸に垂直な平面(XY平面)に沿って
移動させるためのウエハステージであって、ウエハ55
上の各領域を順に露光する際に、ステップアンドリピー
ト移動するものである。
Reference numeral 54 is a known autofocus detector. This autofocus detector irradiates the surface of the wafer 55 with a light beam, and photoelectrically detects the reflected light, so that the optical axis (Z axis) with respect to the focusing surface of the projection lens 53 is obtained.
The position of the surface of the wafer 55 in the direction is detected. Based on the detection result, the wafer chuck 56 is moved in the optical axis direction of the projection lens 53 by a driving mechanism (not shown), and the surface of the wafer 55 is positioned on the focusing surface of the projection lens 53. 57
Is a wafer stage for moving the wafer 55 held by the wafer chuck 56 along a plane (XY plane) perpendicular to the optical axis of the projection lens 53.
The step-and-repeat movement is performed when sequentially exposing each of the above regions.

【0014】58はウエハステージ57と一体的にXY
平面に沿って移動するミラー、59はミラー58を介し
てウエハステージ57のXY平面上の位置を計測する周
知のレーザ干渉計式測長器、60はこの投影露光装置全
体をコントロールするためのコンソールユニット、61
はウエハ55上に形成されているアライメントマークを
投影レンズ53を介して検出し、ウエハ55のXY平面
上の位置を測定するための周知のアライメント検出器で
ある。
Numeral 58 is XY integrated with the wafer stage 57.
A mirror moving along a plane, 59 is a well-known laser interferometer type length measuring device for measuring the position of the wafer stage 57 on the XY plane via the mirror 58, and 60 is a console for controlling the entire projection exposure apparatus. Unit, 61
Is a known alignment detector for detecting an alignment mark formed on the wafer 55 via the projection lens 53 and measuring the position of the wafer 55 on the XY plane.

【0015】次に、本発明での最適ショットレイアウト
の候補となるショットレイアウトの作成方法について説
明する。本ショットレイアウト作成方法では、まず、ウ
エハ55内のチップレイアウトを作成する。図2は、ウ
エハ内のチップの配置方法を示しており、チップレイア
ウトは、ウエハの中心に対しチップを図中の(a) から
(d) までの4つのパターンのいずれかで配置して求め
る。図2(a) から(d) までの各々のチップ配置方法は以
下の通りである。図中Aはウエハの中心を、Bはチップ
の中心を表す。
Next, a method of creating a shot layout that is a candidate for the optimum shot layout according to the present invention will be described. In this shot layout creating method, first, a chip layout within the wafer 55 is created. FIG. 2 shows a method of arranging the chips in the wafer. The chip layout is such that the chips are arranged from the center (a) in the figure from
Arrange by one of the four patterns up to (d). The method of arranging the chips shown in FIGS. 2A to 2D is as follows. In the figure, A represents the center of the wafer and B represents the center of the chip.

【0016】(a)チップの中心がウエハの中心となる。 (b)チップの左辺の中心がウエハの中心となる。 (c)チップの下辺の中心がウエハの中心となる。 (d)チップの左下角がウエハの中心となる。(A) The center of the chip is the center of the wafer. (b) The center of the left side of the chip is the center of the wafer. (c) The center of the lower side of the chip is the center of the wafer. (d) The lower left corner of the chip is the center of the wafer.

【0017】次に、配置したチップがウエハの有効露光
領域内に存在するかの有無を判定するために、使用する
チップ座標を求める。ここで、チップのX方向の長さを
lxとし、Y方向の長さをlyとすると、ウエハの第1象限
で有効無効判定を行う場合は、チップの右上角の座標、
第2象限では、チップの右下角の座標、第3象限では、
左下角の座標、第4象限では、左上角の座標を各々求め
れば良いことになる。例えば第1象限で有無判定を行う
場合のチップ座標(X,Y)は、以下の式で求めること
が出来る。
Next, the chip coordinates to be used are determined in order to determine whether or not the arranged chip exists in the effective exposure area of the wafer. Here, the length of the chip in the X direction is
If lx is set and the length in the Y direction is set to ly, when the validity / invalidity judgment is performed in the first quadrant of the wafer, the coordinates of the upper right corner of the chip,
In the second quadrant, the coordinates of the lower right corner of the chip, in the third quadrant,
The coordinates of the lower left corner, and in the fourth quadrant, the coordinates of the upper left corner may be obtained. For example, the chip coordinates (X, Y) in the presence / absence determination in the first quadrant can be obtained by the following formula.

【0018】(a) のチップレイアウトの場合 (X,Y)=((m−0.5)×lx),(n−0.5)
×ly)) (b) のチップレイアウトの場合 (X,Y)=((m×lx),(n−0.5)×ly)) (c) のチップレイアウトの場合 (X,Y)=((m−0.5)×lx),(n×ly)) (d) のチップレイアウトの場合 (X,Y)=((m×lx),(n×ly)) mはチップのX方向の個数(m=1、2、3、…)、n
はチップのY方向の個数(n=1、2、3、…)を表
す。
In the case of the chip layout of (a), (X, Y) = ((m-0.5) × lx), (n-0.5)
Xly)) (b) chip layout (X, Y) = ((mx1x), (n-0.5) * ly)) (c) chip layout (X, Y) = ((M−0.5) × lx), (n × ly)) In the case of the chip layout of (d), (X, Y) = ((m × lx), (n × ly)) m is the X of the chip Number of directions (m = 1, 2, 3, ...), n
Represents the number of chips in the Y direction (n = 1, 2, 3, ...).

【0019】ここで、ウエハの有効露光領域は、ウエハ
の中心からの距離をDとし、各々の判定チップ座標を
(X,Y)とすると、以下の式(1)を満たすチップ座
標を持ったチップがウエハの有効露光領域内にあるチッ
プとなるとして規定される。よって、前記4つのチップ
配置パターンにおいて、式(1)により有効チップの判
定を行うことにより、ウエハ内の各々のチップレイアウ
トを求めることが出来る。 D2 ≧X2 +Y2 … (1)
Here, assuming that the distance from the center of the wafer is D and the determination chip coordinates are (X, Y), the effective exposure area of the wafer has chip coordinates that satisfy the following expression (1). The chips are defined as those that are within the effective exposure area of the wafer. Therefore, in each of the four chip arrangement patterns, the effective chip is determined by the equation (1), so that each chip layout in the wafer can be obtained. D 2 ≧ X 2 + Y 2 (1)

【0020】図3は上記チップ配置で求めたウエハ内の
チップレイアウトを示す図である。図3の(a) 、(b) 、
(c) 及び(d) が図2の(a) 、(b) 、(c) 及び(d) にそれ
ぞれ対応している。
FIG. 3 is a diagram showing a chip layout in the wafer obtained by the above chip arrangement. 3 (a), (b),
(c) and (d) correspond to (a), (b), (c) and (d) of FIG. 2, respectively.

【0021】ウエハ55内のチップレイアウトが求めら
れたら、次に、実際の露光を行うためのショットレイア
ウトを求める。通常、露光ショットは1〜複数のチップ
から構成されており、ショットサイズX,Yは必ずチッ
プサイズ(x,y)の整数倍となる。図4は、ショット
レイアウトの作成方法を示した図である。この図におい
て、aは2×1の2チップ構成からなる露光ショットを
表している。cはショットレイアウト作成基準を示して
おり、本実施形態では、ウエハ55のチップレイアウト
の左側端と下側端の交点を基準に図4の点線で示すよう
に、1ショット2×1チップの枠でチップレイアウトを
切り取っていき、切り取ったショット内にチップがある
場合を有効ショットとすることにより、ショットレイア
ウトを作成する。図4において、bで示す点線の斜線部
が、作成されたショットレイアウトである。
After the chip layout in the wafer 55 is obtained, the shot layout for actual exposure is then obtained. Usually, an exposure shot is composed of one to a plurality of chips, and the shot sizes X and Y are always an integral multiple of the chip size (x, y). FIG. 4 is a diagram showing a method of creating a shot layout. In this figure, a represents an exposure shot having a 2 × 1 2-chip configuration. Reference character c denotes a shot layout creation standard. In the present embodiment, as shown by a dotted line in FIG. 4, the frame of 1 shot 2 × 1 chip is based on the intersection of the left end and the lower end of the chip layout of the wafer 55. The shot layout is created by cutting the chip layout with, and taking the chip in the cut shot as a valid shot. In FIG. 4, the hatched portion of the dotted line indicated by b is the created shot layout.

【0022】図5は、図3のチップレイアウトを基に作
成された、ショットレイアウトを示す図である。
FIG. 5 is a view showing a shot layout created based on the chip layout of FIG.

【0023】次に、前記ショットレイアウト作成方法で
作成されたショットレイアウトから、単位時間のウエハ
の処理枚数(スループット)を求める方法を説明する。
スループットは一般的に1時間当たりのウエハの処理枚
数を表し、単位はwph(Waferper Hour) で表される。ま
た、スループットは、ウエハ1枚当たりの処理時間から
求められる。
Next, a method of obtaining the number of wafers processed (throughput) per unit time from the shot layout created by the shot layout creating method will be described.
The throughput generally represents the number of wafers processed per hour, and the unit is represented by wph (Wafer per Hour). Further, the throughput is obtained from the processing time per wafer.

【0024】図6はアライメント工程における1枚のウ
エハの一般的な露光処理シーケンスのフローチャートで
ある。この図で示すように、1枚のウエハの処理は、ス
テップS1 でのウエハ供給処理、ステップS2 でのアラ
イメント処理、ステップS3での露光処理、及びステッ
プS4 でのウエハ回収処理の4つの処理からなる。よっ
て、各々の処理時間の単位を秒とすると、スループット
は、これら4つの処理時間の合計を求めることにより、
以下の式(2)で求めることが出来る。
FIG. 6 is a flowchart of a general exposure processing sequence for one wafer in the alignment process. As shown in this figure, the processing of one wafer is performed from four processings of the wafer supply processing in step S1, the alignment processing in step S2, the exposure processing in step S3, and the wafer recovery processing in step S4. Become. Therefore, assuming that the unit of each processing time is seconds, the throughput is calculated by calculating the sum of these four processing times.
It can be calculated by the following equation (2).

【0025】 スループット(wph)=3600÷(ウエハ供給時間+アライメント時間+ 露光処理時間+ウエハ回収時間) …(2) ここで、ウエハ供給時間、及びウエハ回収時間はウエハ
サイズにより決まり、また、アライメント時間はアライ
メントに使用する計測用ショット数により簡易的に決ま
るため、これらはショットレイアウトにほとんど依存し
ない固定値として扱うことが出来る。よって、スループ
ットを求めるためには、ショットレイアウトに依存する
露光処理時間を求めれば良いことになる。
Throughput (wph) = 3600 ÷ (wafer supply time + alignment time + exposure processing time + wafer recovery time) (2) Here, the wafer supply time and the wafer recovery time are determined by the wafer size, and the alignment Since the time is simply determined by the number of measurement shots used for alignment, these can be treated as fixed values that hardly depend on the shot layout. Therefore, in order to obtain the throughput, the exposure processing time depending on the shot layout should be obtained.

【0026】図7は、ショットの露光処理における露光
順序を表している図である。同図中(a) はステッパ、
(b) はスキャナの露光順序を表している。尚、ショット
内に記載されている数字はショットの露光順序を示す数
字である。
FIG. 7 is a diagram showing the exposure sequence in the shot exposure process. In the figure, (a) is a stepper,
(b) represents the exposure order of the scanner. Incidentally, the numbers described in the shots are numbers showing the exposure order of the shots.

【0027】まず、ステッパの露光順序について説明す
る。図7の(a) に示すように、ステッパでは、露光開始
第1ショットから−X方向にステップし、1列分の露光
が終わると−Y方向にステップし、再びX方向にステッ
プして露光を行い、この処理を露光終了第28ショット
まで繰り返す。図7(a) のショットレイアウトでは、X
方向へ23ステップ、X,Y方向へ4ステップの合計2
7ステップ、つまり、ショット数−1ステップのステー
ジ移動が行われる。次に、スキャナの露光順序について
説明する。図7の(b) のショットレイアウトのレイアウ
ト中の矢印がスキャン露光のスキャン方向を表してお
り、図に示すように、必ずスキャン方向は隣り合うショ
ット間で交互に逆になるように露光される。図中の半円
の点線は、ショットのスキャン露光終了から次のショッ
トのスキャン露光開始までのステージの移動(ステッ
プ)を表しており、矢印がステージの移動方向を示して
いる。この半円の点線から分かるように、ステージの移
動順序、及び移動回数は、前記ステッパと同じである。
First, the exposure order of the stepper will be described. As shown in (a) of FIG. 7, in the stepper, the first shot from the start of exposure is stepped in the -X direction, and when the exposure for one column is completed, the stepper is stepped in the -Y direction and then is stepped in the X direction again to be exposed. This process is repeated until the 28th shot at the end of exposure. In the shot layout of FIG. 7 (a), X
23 steps in the direction and 4 steps in the X and Y directions for a total of 2
The stage is moved by 7 steps, that is, the number of shots minus 1 step. Next, the exposure order of the scanner will be described. The arrow in the layout of the shot layout of FIG. 7B represents the scanning direction of the scan exposure, and as shown in the figure, the exposure is always performed so that the scanning directions are alternately reversed between adjacent shots. . The semicircular dotted line in the figure represents the movement (step) of the stage from the end of the scan exposure of one shot to the start of the scan exposure of the next shot, and the arrow indicates the moving direction of the stage. As can be seen from the dotted line of the semicircle, the order of movement of the stage and the number of movements are the same as those of the stepper.

【0028】また、露光処理における、XYステージの
移動パターンは、X方向のみ、Y方向のみ、及びXY同
時方向の3つの移動パターンがあり、XY同時移動の場
合は、X方向移動時間と、Y方向移動時間の両者の時間
を比較することにより、XとYどちらかの移動に振り分
けることが可能である。よって、X方向と、Y方向の各
々の移動時間とショットレイアウト内での移動回数を求
めることにより、1枚のウエハ内のステージ移動時間を
求めることが出来る。ここで、X,Y各々の移動回数
は、X,Y方向の移動時間、ショット数とショットレイ
アウトの横方向の列(Row)数により、簡易的に以下のよ
うに求めることが出来る。 (X方向移動時間)≧(Y方向移動時間)の時 X方向移動回数=ショット数−1 Y方向移動回数=0 (X方向移動時間)<(Y方向移動時間)の時 X方向移動回数=ショット数−Row 数 Y方向移動回数=Row 数−1
In the exposure process, the movement pattern of the XY stage has three movement patterns in the X direction only, the Y direction only, and the XY simultaneous direction. In the case of the XY simultaneous movement, the X direction movement time and the Y direction. It is possible to allocate the movement to either X or Y by comparing both times of the direction movement time. Therefore, the stage movement time in one wafer can be obtained by obtaining the movement time in each of the X direction and the Y direction and the number of movements in the shot layout. Here, the number of movements in each of X and Y can be simply obtained as follows by the movement time in the X and Y directions, the number of shots, and the number of rows in the horizontal direction of the shot layout. When (X-direction moving time) ≧ (Y-direction moving time) X-direction moving number = shot number-1 Y-direction moving number = 0 (X-direction moving time) <(Y-direction moving time) X-direction moving number = Number of shots-Number of rows Number of movements in Y direction = Number of rows-1

【0029】以上より、露光処理時間は、ショット数、
ショットレイアウトの横方向の列(Row)数、ショットサ
イズによるウエハステージX,Yの移動時間、及び1シ
ョット当たりの露光時間により、以下の式(3−1)
と、(3−2)で求めることが出来る。 (X方向移動時間)≧(Y方向移動時間)の時 露光処理時間(sec)=ウエハステージX移動時間× (ショット数−1) +1ショットの露光時間×ショット数 … (3−1) (X方向移動時間)<(Y方向移動時間)の時 露光処理時間(sec)=ウエハステージX移動時間× (ショット数−Row 数) +ウエハステージY移動時間×(Row 数−1) +1ショットの露光時間×ショット数 … (3−2)
From the above, the exposure processing time depends on the number of shots,
The number of rows in the horizontal direction of the shot layout, the movement time of the wafer stages X and Y depending on the shot size, and the exposure time per shot are given by the following equation (3-1).
Then, it can be obtained by (3-2). (X-direction moving time) ≧ (Y-direction moving time) Exposure processing time (sec) = Wafer stage X-moving time × (Number of shots−1) +1 exposure time of shot × Number of shots (3-1) (X Direction movement time) <(Y direction movement time) Exposure processing time (sec) = Wafer stage X movement time x (Number of shots-Number of Rows) + Wafer stage Y movement time x (Number of Rows-1) + 1 shot exposure Time x number of shots (3-2)

【0030】次に、ウエハステージの移動時間の算出方
法について説明する。図8は、ステージの駆動方法を示
しており、図中Vはステージ速度、tはステージ移動時
間、Vmax はステージ最大速度、αはステージ加速度、
S1 は加速区間、S2 は定速区間、S3 は減速区間、S
4 は静定(位置決め)区間、t1 は加速駆動時間、t2
は定速駆動時間、t3 は減速駆動時間、t4 はステージ
の静定(位置決め)時間を表している。
Next, a method of calculating the movement time of the wafer stage will be described. FIG. 8 shows a method of driving the stage. In the figure, V is the stage speed, t is the stage movement time, Vmax is the maximum stage speed, α is the stage acceleration,
S1 is the acceleration section, S2 is the constant speed section, S3 is the deceleration section, and S
4 is the statically determined (positioning) section, t1 is the acceleration drive time, t2
Is a constant speed driving time, t3 is a deceleration driving time, and t4 is a stage stationary (positioning) time.

【0031】一般に、ウエハステージの駆動は、縦軸を
速度V、横軸を時間tとした場合、図8に示すように加
速区間S1 の部分の加速駆動と、定速区間S2 の部分の
一定速駆動と、減速区間S3 の部分の減速駆動からなる
台形駆動制御と、静定区間S4 の部分の静定駆動により
行われており、加速駆動時間t1 からステージ静定時間
t4 までのトータルの時間がステージの移動時間とな
る。尚、駆動制御に使用されるステージ加速度αとステ
ージ最高速度Vmax は、ステージの移動距離により最適
の値が露光装置内で設定され、ステージ静定時間t4
は、固定の時間が設定される。ここで、実際のステージ
の移動は、前記加速区間S1 から減速区間S3 までの区
間で行われており、静定区間S4 では位置サーボによ
り、目標位置への最終位置決めを行っている。よって、
ステージ移動距離Sは、図中斜線で示されている台形の
面積を示すことになり、ステージ加速度α、ステージ最
高速Vmax 、加速駆動時間t1 、定速駆動時間t2 、及
び減速駆動時間t3 より、以下の式(4)で求めること
が出来る。 S=(1/2) ×α×t12+Vmax ×t2 +(1/2) ×α×t32 …(4)
Generally, in the wafer stage drive, when the vertical axis is the speed V and the horizontal axis is the time t, the acceleration drive of the acceleration section S1 and the constant speed section S2 are constant as shown in FIG. The total time from the acceleration drive time t1 to the stage settling time t4 is performed by the trapezoidal drive control consisting of high-speed driving and deceleration driving in the deceleration section S3, and static settling drive in the settling section S4. Is the moving time of the stage. The stage acceleration α and the maximum stage speed Vmax used for the drive control are set to optimum values in the exposure apparatus according to the moving distance of the stage, and the stage settling time t4
Is set to a fixed time. Here, the actual movement of the stage is performed in the section from the acceleration section S1 to the deceleration section S3, and the final positioning to the target position is performed by the position servo in the static determination section S4. Therefore,
The stage moving distance S indicates the area of the trapezoid indicated by diagonal lines in the figure, and from the stage acceleration α, the stage maximum speed Vmax, the acceleration driving time t1, the constant speed driving time t2, and the deceleration driving time t3, It can be calculated by the following equation (4). S = (1/2) × α × t1 2 + Vmax × t2 + (1/2) × α × t3 2 (4)

【0032】ここで、図8から分かるように、加速駆動
時間t1 はステージ最高速Vmax に至るまでの時間であ
り、減速駆動時間t3 はステージ最高速Vmaxから速度0
になるまでの時間であるため、t1 =t3 =Vmax /α
となる。よって、上記式(4)は、S=Vmax2/α+V
max ×t2 となり、定速駆動時間t2 は、t2 =S/V
max −Vmax /α となる。
As can be seen from FIG. 8, the acceleration drive time t1 is the time required to reach the stage maximum speed Vmax, and the deceleration drive time t3 is the stage maximum speed Vmax to the speed 0.
Since it is the time until it becomes t1 = t3 = Vmax / α
Becomes Therefore, the above equation (4) is S = Vmax 2 / α + V
max xt2, and the constant speed drive time t2 is t2 = S / V
max-Vmax / α.

【0033】以上より、ステージ移動時間Tstepは、以
下の式(5)により求めることが出来る。 Tstep=t1 +t2 +t3 +t4 =Vmax /α+(S/Vmax −Vmax /α)+Vmax /α+t4 =Vmax /α+S/Vmax +t4 …(5) ここで、ステージ移動距離Sは、実際にはショットサイ
ズを示すことになる。
From the above, the stage moving time Tstep can be obtained by the following equation (5). Tstep = t1 + t2 + t3 + t4 = Vmax / α + (S / Vmax−Vmax / α) + Vmax / α + t4 = Vmax / α + S / Vmax + t4 (5) Here, the stage moving distance S actually indicates a shot size. become.

【0034】次に、ステッパ、及びスキャナでの1ショ
ット当たりの露光時間の算出方法について説明する。ス
テッパの場合、ショットの露光はステージが停止した状
態で行われるため、1ショットの露光時間Texpoは、ウ
エハ面での露光光の照度I とレジスト感度(露光量)E
により、以下の式(6)で求めることが出来る。 Texpo=E÷I …(6)
Next, a method of calculating the exposure time per shot by the stepper and the scanner will be described. In the case of a stepper, the exposure of a shot is performed while the stage is stopped, so the exposure time Texpo for one shot is equal to the illuminance I of the exposure light on the wafer surface and the resist sensitivity (exposure amount) E.
Can be obtained by the following equation (6). Texpo = E ÷ I (6)

【0035】スキャナの場合は、ショット内Y方向に一
定速度で走査(スキャン)しながら露光を行うため、露
光ショットのY方向の距離(長さ)と走査速度(スキャ
ンスピード)により、露光時間を求めることが出来る。
In the case of a scanner, since exposure is performed while scanning (scanning) in the Y direction within a shot at a constant speed, the exposure time is determined by the distance (length) of the exposure shot in the Y direction and the scanning speed (scan speed). You can ask.

【0036】ここで、スキャン露光では、実際の露光は
走査方向に直交する長方形の露光スリットにより行うた
め、スキャンスピードVscan、露光スリットの幅d、ウ
エハ面での露光光の照度I、露光量Eとすると、露光量
Eは以下の式で表すことが出来る。 E=I×(d÷Vscan) よって、上記式から、スキャンスピードVscanは、 Vscan=I÷E×d となる。
Here, in the scan exposure, since the actual exposure is performed by the rectangular exposure slit orthogonal to the scanning direction, the scan speed Vscan, the width d of the exposure slit, the illuminance I of the exposure light on the wafer surface, and the exposure amount E. Then, the exposure amount E can be expressed by the following equation. E = I × (d ÷ Vscan) Therefore, from the above equation, the scan speed Vscan is Vscan = I ÷ E × d.

【0037】以上より、スキャナの場合の露光時間Tex
poは、スキャン距離をSscanとすると、以下の式(7)
で求められる。 ここで、XYステージの加速度α、最高速Vmax 、ウエ
ハ面の露光光照度I、及び露光スリット幅dは、ショッ
トサイズや露光条件、または露光装置により、露光装置
内で所定の値が決定される。
From the above, the exposure time Tex in the case of the scanner
po has the following equation (7), where Sscan is the scan distance.
Required by. Here, the acceleration α of the XY stage, the maximum speed Vmax, the exposure light illuminance I on the wafer surface, and the exposure slit width d are predetermined values in the exposure apparatus depending on the shot size, the exposure conditions, or the exposure apparatus.

【0038】以下、例を基に各ショットレイアウトの単
位時間当たりのチップ生産性を求める。図9は、ウエハ
サイズ=200.0mm、ショットサイズX=18.0
mm、Y=20.0mm チップサイズX方向lx=6.
0mm、Y方向ly=10.0mm、露光有効領域=半径
97.0mm、3×2の6チップ構成からなる露光ショ
ットの場合の本ショットレイアウト作成方法で作成され
たショットレイアウトを示す図である。
Below, the chip productivity per unit time of each shot layout will be determined based on an example. In FIG. 9, wafer size = 200.0 mm, shot size X = 18.0.
mm, Y = 20.0 mm Chip size X direction lx = 6.
It is a figure which shows the shot layout created by this shot layout creation method in the case of an exposure shot consisting of 0 mm, Y direction ly = 10.0 mm, exposure effective area = radius 97.0 mm, and 3 × 2 6-chip configuration.

【0039】作成された4つのショットレイアウトのシ
ョット数、チップ数とレイアウトの横列(Row)数は、 (a) の場合 ショット数=85、チップ数=441、Row 数=10 (b) の場合 ショット数=87、チップ数=448、Row 数=10 (c) の場合 ショット数=83、チップ数=442、Row 数=9 (d) の場合 ショット数=85、チップ数=444、Row 数=9 となり、従来であれば、(b) のショットレイアウトが最
適ショットレイアウトとして決定されていた。
The number of shots, the number of chips, and the number of rows (Rows) in the layout of the four shot layouts created are as follows: (a) shot number = 85, chip number = 441, Row number = 10 (b) Number of shots = 87, number of chips = 448, number of rows = 10 (c), number of shots = 83, number of chips = 442, number of rows = 9 (d), number of shots = 85, number of chips = 444, number of rows = 9, and in the conventional case, the shot layout in (b) was determined as the optimum shot layout.

【0040】次に、図9の4つのショットレイアウトに
ついて、前記スループット算出式を用い、ステッパでの
スループットを求める。今回、設定露光量を500.0
J/m2 とし、装置の設定値を各々、ステージ加速度=
5000mm/sec2、ステージ最高速=250mm/se
c 、ステージ静定時間=0.05sec 、ウエハ面露光光
照度=5000W/m2 、ウエハ供給時間=5.0sec
、ウエハ回収時間=5.0sec 、アライメント時間=
10.0sec とする。
Next, with respect to the four shot layouts of FIG. 9, the throughput in the stepper is calculated by using the above-described throughput calculation formula. This time, the set exposure amount is 500.0
J / m 2 and the set values of the device are: stage acceleration =
5000mm / sec 2 , maximum stage speed = 250mm / se
c, stage settling time = 0.05 sec, wafer surface exposure light illuminance = 5000 W / m 2 , wafer supply time = 5.0 sec
, Wafer recovery time = 5.0 sec, alignment time =
It is 10.0 seconds.

【0041】先ず、Xステージ移動時間Tx は、移動距
離18.0mmから、前記式(5)より、 Tx =250/5000+18.0/250+0.05 =0.172 sec Yステージ移動時間Ty は、移動距離20.0mmか
ら、同じく前記式(5)より、 Ty =250/5000+20.0/250+0.05 =0.180 sec となる。
First, the X stage moving time Tx is calculated from the moving distance of 18.0 mm from the equation (5) as follows: Tx = 250/5000 + 18.0 / 250 + 0.05 = 0.172 sec Y stage moving time Ty From the distance of 20.0 mm, Ty = 250/5000 + 20.0 / 250 + 0.05 = 0.180 sec from the same equation (5).

【0042】次に、露光時間Texpoは、照度5000W
/m2 、露光量500.0J/m2から、前記式(6)
より、 Texpo=500÷5000=0.10 sec となる。
Next, the exposure time Texpo has an illuminance of 5000 W.
/ M 2 and the exposure dose of 500.0 J / m 2 from the above formula (6)
Therefore, Texpo = 500/5000 = 0.10 sec.

【0043】次に、露光処理時間を算出する。上記計算
より、ステージ移動時間は、Xステージ移動時間Tx <
Yステージ移動時間Ty となるため、露光処理時間の算
出式は、前記式(3−2)が適用され、各々のショット
レイアウトでの露光処理時間は以下のようになる。
Next, the exposure processing time is calculated. From the above calculation, the stage movement time is calculated as X stage movement time Tx <
Since the Y stage movement time becomes Ty, the formula (3-2) above is applied to the calculation formula of the exposure processing time, and the exposure processing time in each shot layout is as follows.

【0044】(a)の場合 0.172×75+0.18×9+0.1×85=2
3.02 sec (b)の場合 0.172×77+0.18×9+0.1×87=2
3.564 sec (c)の場合 0.172×74+0.18×8+0.1×83=2
2.468 sec (d)の場合 0.172×76+0.18×8+0.1×85=2
3.012 sec
In the case of (a) 0.172 × 75 + 0.18 × 9 + 0.1 × 85 = 2
In case of 3.02 sec (b) 0.172 × 77 + 0.18 × 9 + 0.1 × 87 = 2
In case of 3.564 sec (c) 0.172 × 74 + 0.18 × 8 + 0.1 × 83 = 2
In case of 2.468 sec (d) 0.172 × 76 + 0.18 × 8 + 0.1 × 85 = 2
3.012 sec

【0045】以上より、図9の(a) から(d) までの各々
のショットレイアウトのスループットは以下のように求
まる。
From the above, the throughput of each shot layout from (a) to (d) of FIG. 9 is obtained as follows.

【0046】(a)の場合 3600÷(5.0+10.0+23.02+5.0)
=83.68wph (b)の場合 3600÷(5.0+10.0+23.564+5.
0)=82.63wph (c)の場合 3600÷(5.0+10.0+22.468+5.
0)=84.76wph (d)の場合 3600÷(5.0+10.0+23.012+5.
0)=83.69wph
In case of (a) 3600 ÷ (5.0 + 10.0 + 23.02 + 5.0)
= 83.68 wph (b), 3600 ÷ (5.0 + 10.0 + 23.564 + 5.
0) = 82.63 wph (c) 3600 ÷ (5.0 + 10.0 + 22.468 + 5.
0) = 84.76 wph (d) 3600 ÷ (5.0 + 10.0 + 23.012 + 5.
0) = 83.69 wph

【0047】最後に、各ショットレイアウトでの1時間
当たりのチップ生産量を求める。1時間当たりのチップ
生産量は、(スループット)×(各ショットレイアウト
での総チップ数)で求められ、上記条件の場合の各ショ
ットレイアウトでのチップ生産性は、 (a) の場合 83.68×441=36902チップ (b) の場合 82.63×448=37018チップ (c) の場合 84.76×442=37463チップ (d) の場合 83.69×444=37158チップ となり、(c) のショットレイアウトが、1時間当たりの
生産量が最も多い、つまり生産性の高いショットレイア
ウトとなることが分かる。これにより、半導体製造メー
カは、短期間での生産性が要求される半導体製品の場合
は、(c) のショットレイアウトを使用すれば良いことに
なる。
Finally, the chip production amount per hour in each shot layout is calculated. The chip production amount per hour is calculated by (throughput) × (total number of chips in each shot layout), and the chip productivity in each shot layout under the above conditions is 83.68 in the case of (a). X441 = 36902 chips (b) 82.63 × 448 = 37018 chips (c) 84.76 × 442 = 37463 chips (d) 83.69 × 444 = 37158 chips It can be seen that the shot layout has the highest production amount per hour, that is, the shot layout with high productivity. As a result, the semiconductor manufacturer can use the shot layout of (c) in the case of a semiconductor product that requires high-speed productivity.

【0048】尚、上記では、本発明の動作を順に述べて
きたが、予め、生産性優先、ウエハ内のチップ数優先な
どの条件を設定しておき、その条件を満たす最適なショ
ットレイアウトを自動作成するようにしても良い。
Although the operation of the present invention has been described in order above, conditions such as productivity priority and number of chips in a wafer are set in advance, and the optimum shot layout that satisfies the conditions is automatically set. It may be created.

【0049】なお、本発明は、上記ショットレイアウト
作成方法を用いるためのプログラムを記録した磁気ディ
スクやMO等の記録媒体、並びに上記ショットレイアウ
ト作成方法を用いる半導体露光装置などにも適用可能で
ある。
The present invention is also applicable to a recording medium such as a magnetic disk or MO in which a program for using the above shot layout creating method is recorded, and a semiconductor exposure apparatus using the above shot layout creating method.

【0050】(半導体生産システムの実施形態)次に、
本発明に係る装置を用いた半導体デバイス(ICやLS
I等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘ
ッド、マイクロマシン等)の生産システムの例を説明す
る。これは半導体製造工場に設置された製造装置のトラ
ブル対応や定期メンテナンス、あるいはソフトウェア提
供などの保守サービスを、製造工場外のコンピュータネ
ットワークを利用して行うものである。
(Embodiment of Semiconductor Production System) Next,
Semiconductor devices (ICs and LSs) using the apparatus according to the present invention
An example of a production system of a semiconductor chip such as I, a liquid crystal panel, a CCD, a thin film magnetic head, a micromachine, etc. will be described. This is to perform maintenance services such as troubleshooting of a manufacturing apparatus installed in a semiconductor manufacturing factory, periodic maintenance, or software provision using a computer network outside the manufacturing factory.

【0051】図10は全体システムをある角度から切り
出して表現したものである。図中、101は半導体デバ
イスの製造装置を提供するベンダ(装置供給メーカ)の
事業所である。製造装置の実例としては、半導体製造工
場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例え
ば、前工程用機器(露光装置、レジスト処理装置、エッ
チング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装
置、平坦化装置等)や後工程用機器(組立て装置、検査
装置等)を想定している。事業所101内には、製造装
置の保守データベースを提供するホスト管理システム1
08、複数の操作端末コンピュータ110、これらを結
んでイントラネット等を構築するローカルエリアネット
ワーク(LAN)109を備える。ホスト管理システム
108は、LAN109を事業所の外部ネットワークで
あるインターネット105に接続するためのゲートウェ
イと、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能
を備える。
FIG. 10 shows the entire system cut out from a certain angle. In the figure, 101 is a business office of a vendor (apparatus supplier) that provides a semiconductor device manufacturing apparatus. As an example of the manufacturing apparatus, a semiconductor manufacturing apparatus for various processes used in a semiconductor manufacturing factory, for example, pre-process equipment (exposure apparatus, resist processing apparatus, lithography apparatus such as etching apparatus, heat treatment apparatus, film forming apparatus, flatness apparatus, etc. It is assumed that it will be used as a manufacturing equipment) and post-process equipment (assembly equipment, inspection equipment, etc.). Within the business office 101, a host management system 1 that provides a maintenance database for manufacturing equipment
08, a plurality of operation terminal computers 110, and a local area network (LAN) 109 that connects these to construct an intranet or the like. The host management system 108 has a gateway for connecting the LAN 109 to the Internet 105, which is an external network of the office, and a security function for restricting access from the outside.

【0052】一方、102〜104は、製造装置のユー
ザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工
場102〜104は、互いに異なるメーカに属する工場
であっても良いし、同一のメーカに属する工場(例え
ば、前工程用の工場、後工程用の工場等)であっても良
い。各工場102〜104内には、夫々、複数の製造装
置106と、それらを結んでイントラネット等を構築す
るローカルエリアネットワーク(LAN)111と、各
製造装置106の稼動状況を監視する監視装置としてホ
スト管理システム107とが設けられている。各工場1
02〜104に設けられたホスト管理システム107
は、各工場内のLAN111を工場の外部ネットワーク
であるインターネット105に接続するためのゲートウ
ェイを備える。これにより各工場のLAN111からイ
ンターネット105を介してベンダの事業所101側の
ホスト管理システム108にアクセスが可能となり、ホ
スト管理システム108のセキュリティ機能によって限
られたユーザだけにアクセスが許可となっている。具体
的には、インターネット105を介して、各製造装置1
06の稼動状況を示すステータス情報(例えば、トラブ
ルが発生した製造装置の症状)を工場側からベンダ側に
通知する他、その通知に対応する応答情報(例えば、ト
ラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソフ
トウェアやデータ)や、最新のソフトウェア、ヘルプ情
報などの保守情報をベンダ側から受け取ることができ
る。各工場102〜104とベンダの事業所101との
間のデータ通信および各工場内のLAN111でのデー
タ通信には、インターネットで一般的に使用されている
通信プロトコル(TCP/IP)が使用される。なお、
工場外の外部ネットワークとしてインターネットを利用
する代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュ
リティの高い専用線ネットワーク(ISDNなど)を利
用することもできる。また、ホスト管理システムはベン
ダが提供するものに限らずユーザがデータベースを構築
して外部ネットワーク上に置き、ユーザの複数の工場か
ら該データベースへのアクセスを許可するようにしても
よい。
On the other hand, 102 to 104 are manufacturing factories of semiconductor manufacturers who are users of manufacturing equipment. The manufacturing factories 102 to 104 may be factories belonging to different manufacturers or may be factories belonging to the same manufacturer (for example, a factory for pre-process, a factory for post-process, etc.). In each of the factories 102 to 104, a plurality of manufacturing apparatuses 106, a local area network (LAN) 111 that connects them to construct an intranet, and a host as a monitoring apparatus that monitors the operating status of each manufacturing apparatus 106 are provided. A management system 107 is provided. Each factory 1
02-104 host management system 107
Is provided with a gateway for connecting the LAN 111 in each factory to the Internet 105 which is an external network of the factory. As a result, it becomes possible to access the host management system 108 on the side of the business office 101 of the vendor from the LAN 111 of each factory via the Internet 105, and the security function of the host management system 108 allows access to only a limited number of users. . Specifically, each manufacturing apparatus 1 is connected via the Internet 105.
In addition to notifying status information indicating the operating status of 06 (for example, a symptom of a manufacturing apparatus in which a trouble has occurred) from the factory side to the vendor side, response information corresponding to the notification (for example, information instructing a troubleshooting method, You can receive maintenance information such as software (data and data for handling), the latest software, and help information from the vendor side. A communication protocol (TCP / IP) generally used on the Internet is used for data communication between each of the factories 102 to 104 and the vendor's office 101 and data communication via the LAN 111 in each factory. . In addition,
Instead of using the Internet as an external network outside the factory, it is possible to use a leased line network (ISDN or the like) having high security without being accessed by a third party. Further, the host management system is not limited to one provided by a vendor, and a user may construct a database and place it on an external network to permit access from a plurality of factories of the user to the database.

【0053】さて、図11は本実施形態の全体システム
を図10とは別の角度から切り出して表現した概念図で
ある。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユ
ーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外
部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介し
て各工場の生産管理や少なくとも1台の製造装置の情報
をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複
数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装
置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部
ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデー
タ通信するものである。図中、201は製造装置ユーザ
(半導体デバイス製造メーカ)の製造工場であり、工場
の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここで
は例として露光装置202、レジスト処理装置203、
成膜処理装置204が導入されている。なお図11では
製造工場201は1つだけ描いているが、実際は複数の
工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装
置はLAN206で接続されてイントラネットを構成
し、ホスト管理システム205で製造ラインの稼動管理
がされている。
Now, FIG. 11 is a conceptual diagram showing the entire system of this embodiment cut out from an angle different from that shown in FIG. In the above example, a plurality of user factories each equipped with a manufacturing apparatus and a management system of a vendor of the manufacturing apparatus are connected by an external network, and production management of each factory or at least one unit is performed via the external network. The information of the manufacturing apparatus was data-communicated. On the other hand, in this example, a factory equipped with manufacturing equipment of a plurality of vendors and a management system of each vendor of the plurality of manufacturing equipments are connected by an external network outside the factory, and maintenance information of each manufacturing equipment is displayed. It is for data communication. In the figure, reference numeral 201 denotes a manufacturing plant of a manufacturing apparatus user (semiconductor device manufacturing maker), and a manufacturing apparatus for performing various processes is installed on a manufacturing line of the factory, here, as an example, an exposure apparatus 202, a resist processing apparatus 203,
The film forming processing device 204 is introduced. Although only one manufacturing factory 201 is shown in FIG. 11, a plurality of factories are actually networked in the same manner. The respective devices in the factory are connected by a LAN 206 to form an intranet, and the host management system 205 manages the operation of the manufacturing line.

【0054】一方、露光装置メーカ210、レジスト処
理装置メーカ220、成膜装置メーカ230などベンダ
(装置供給メーカ)の各事業所には、それぞれ供給した
機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム21
1,221,231を備え、これらは上述したように保
守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備
える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホスト管
理システム205と、各装置のベンダの管理システム2
11,221,231とは、外部ネットワーク200で
あるインターネットもしくは専用線ネットワークによっ
て接続されている。このシステムにおいて、製造ライン
の一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、
製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起き
た機器のベンダからインターネット200を介した遠隔
保守を受けることで迅速な対応が可能であり、製造ライ
ンの休止を最小限に抑えることができる。
On the other hand, the host management system 21 for performing remote maintenance of the supplied equipment is provided at each business office of the vendor (apparatus supply manufacturer) such as the exposure equipment manufacturer 210, the resist processing equipment manufacturer 220, and the film deposition equipment manufacturer 230.
1, 221, 231, which are provided with the maintenance database and the gateway of the external network as described above. A host management system 205 that manages each device in the user's manufacturing plant, and a vendor management system 2 for each device
11, 221, and 231 are connected to each other via the external network 200 such as the Internet or a dedicated line network. In this system, when trouble occurs in any of the series of production equipment on the production line,
Although the operation of the manufacturing line is suspended, it is possible to quickly respond by receiving remote maintenance via the Internet 200 from the vendor of the device in which the trouble has occurred, and the suspension of the manufacturing line can be minimized. .

【0055】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、あるいはネットワークファイルサ
ーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフト
ウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例え
ば図12に一例を示す様な画面のユーザインタフェース
をディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理
するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機
種401、シリアルナンバー402、トラブルの件名4
03、発生日404、緊急度405、症状406、対処
法407、経過408等の情報を画面上の入力項目に入
力する。入力された情報はインターネットを介して保守
データベースに送信され、その結果の適切な保守情報が
保守データベースから返信されディスプレイ上に提示さ
れる。またウェブブラウザが提供するユーザインタフェ
ースはさらに図示のごとくハイパーリンク機能410〜
412を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報
にアクセスしたり、ベンダが提供するソフトウェアライ
ブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフト
ウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する
操作ガイド(ヘルプ情報)を引出したりすることができ
る。ここで、保守データベースが提供する保守情報に
は、上記説明した本発明に関する情報も含まれ、また前
記ソフトウェアライブラリは本発明を実現するための最
新のソフトウェアも提供する。
Each manufacturing apparatus installed in the semiconductor manufacturing factory has a display, a network interface, and a computer for executing network access software and apparatus operating software stored in a storage device. The storage device is a built-in memory, a hard disk, or a network file server. The network access software includes a dedicated or general-purpose web browser, and provides a user interface having a screen as shown in FIG. 12 on the display. The operator who manages the manufacturing device in each factory refers to the screen and refers to the model 401 of the manufacturing device, the serial number 402, and the subject 4 of the trouble.
03, date of occurrence 404, urgency 405, symptom 406, coping method 407, progress 408, etc. are input to the input items on the screen. The input information is transmitted to the maintenance database via the Internet, and the appropriate maintenance information as a result is returned from the maintenance database and presented on the display. In addition, the user interface provided by the web browser further includes hyperlink functions 410 to 410 as illustrated.
412 is implemented, the operator can access more detailed information on each item, extract the latest version of software used for the manufacturing equipment from the software library provided by the vendor, and use the operation guide (help Information) can be withdrawn. Here, the maintenance information provided by the maintenance database includes the information about the present invention described above, and the software library also provides the latest software for implementing the present invention.

【0056】次に上記説明した生産システムを利用した
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図13は半
導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。
ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計
を行う。ステップ2(マスク製作)では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ3
(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ
4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンデ
ィング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組立
て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これを出荷(ステップ7)する。前工程と後
工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎
に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされ
る。また前工程工場と後工程工場との間でも、インター
ネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装
置保守のための情報がデータ通信される。
Next, a semiconductor device manufacturing process using the above-described production system will be described. FIG. 13 shows a flow of the whole manufacturing process of the semiconductor device.
In step 1 (circuit design), the circuit of the semiconductor device is designed. In step 2 (mask manufacturing), a mask having the designed circuit pattern is manufactured. On the other hand, step 3
In (wafer manufacture), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by the lithography technique using the mask and the wafer prepared above. The next step 5 (assembly) is called a post-process, which is a process of forming a semiconductor chip using the wafer manufactured in step 4, and includes an assembly process (dicing, bonding), a packaging process (chip encapsulation), and the like. Including steps. In step 6 (inspection), the semiconductor device manufactured in step 5 undergoes inspections such as an operation confirmation test and a durability test. A semiconductor device is completed through these processes and shipped (step 7). The front-end process and the back-end process are performed in separate dedicated factories, and maintenance is performed for each of these factories by the remote maintenance system described above. Information for production management and device maintenance is also data-communicated between the front-end factory and the back-end factory via the Internet or the leased line network.

【0057】図14は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ13(電極形成)ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオ
ン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ1
5(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ16(露光)では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステッ
プ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造
機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
されているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしト
ラブルが発生しても迅速な復旧が可能であり、従来に比
べて半導体デバイスの生産性を向上させることができ
る。
FIG. 14 shows a detailed flow of the wafer process. In step 11 (oxidation), the surface of the wafer is oxidized. In step 12 (CVD), an insulating film is formed on the wafer surface. In step 13 (electrode formation), electrodes are formed on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted in the wafer. Step 1
In 5 (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer. In step 16 (exposure), the circuit pattern of the mask is printed and exposed on the wafer by the exposure apparatus described above. In step 17 (development), the exposed wafer is developed. In step 18 (etching), parts other than the developed resist image are removed. In step 19 (resist stripping), the resist that is no longer needed after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer. Since the manufacturing equipment used in each process is maintained by the remote maintenance system described above, troubles can be prevented in advance, and even if troubles occur, quick recovery is possible, and semiconductor devices can be compared to conventional devices. Productivity can be improved.

【0058】[0058]

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、作
成されたショットレイアウトに対し、スループットを求
め、更に単位時間当たりのチップ生産性を求めることが
可能になる。これにより、半導体製造メーカの製造要求
に合った、最適なショットレイアウトを求めることが出
来る。
As described above, according to the present invention, it is possible to obtain the throughput for the created shot layout and further obtain the chip productivity per unit time. This makes it possible to find an optimum shot layout that meets the manufacturing requirements of the semiconductor manufacturer.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明が適用される半導体製造用投影露光装
置の一例を示す構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing an example of a projection exposure apparatus for semiconductor manufacturing to which the present invention is applied.

【図2】 本発明の実施形態に係るショットレイアウト
作成方法において、チップレイアウト作成時のチップ配
置を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a chip layout when creating a chip layout in the shot layout creating method according to the embodiment of the present invention.

【図3】 本発明の実施形態に係るショットレイアウト
作成方法で作成した、チップレイアウトの例を示す図で
ある。
FIG. 3 is a diagram showing an example of a chip layout created by the shot layout creating method according to the embodiment of the present invention.

【図4】 本発明の実施形態に係るショットレイアウト
作成方法において、ショットレイアウトの作成方法を示
す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a shot layout creating method in the shot layout creating method according to the embodiment of the present invention.

【図5】 本発明の実施形態に係るショットレイアウト
作成方法で作成した、ショットレイアウトの例を示す図
である。
FIG. 5 is a diagram showing an example of a shot layout created by the shot layout creation method according to the embodiment of the present invention.

【図6】 本発明の実施形態に係るスループット算出方
法において、1枚のウエハの露光処理工程を示すフロー
チャートである。
FIG. 6 is a flowchart showing an exposure processing step for one wafer in the throughput calculation method according to the embodiment of the present invention.

【図7】 本発明の実施形態に係るスループット算出方
法において、ショットの露光順序を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing shot exposure order in the throughput calculation method according to the embodiment of the present invention.

【図8】 本発明の実施形態に係るスループット算出方
法において、ウエハステージの移動時間を示す図であ
る。
FIG. 8 is a diagram showing a moving time of the wafer stage in the throughput calculating method according to the embodiment of the present invention.

【図9】 本発明の実施形態に係る単位時間当たりのチ
ップ生産性を求めるための例となるショットレイアウト
の図である。
FIG. 9 is a diagram of an example shot layout for determining the chip productivity per unit time according to the embodiment of the present invention.

【図10】 本発明に係る装置を用いた半導体デバイス
の生産システムをある角度から見た概念図である。
FIG. 10 is a conceptual view of a semiconductor device production system using the apparatus according to the present invention viewed from an angle.

【図11】 本発明に係る装置を用いた半導体デバイス
の生産システムを別の角度から見た概念図である。
FIG. 11 is a conceptual view of a semiconductor device production system using the apparatus according to the present invention viewed from another angle.

【図12】 ユーザインタフェースの具体例である。FIG. 12 is a specific example of a user interface.

【図13】 デバイスの製造プロセスのフローを説明す
る図である。
FIG. 13 is a diagram illustrating a flow of a device manufacturing process.

【図14】 ウエハプロセスを説明する図である。FIG. 14 is a diagram illustrating a wafer process.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

50:照明光学系、51:レチクル(原版)、52:レ
チクルステージ、53:縮小投影レンズ、54:オート
フォーカス検出器、55:ウエハ(基板)、56:ウエ
ハチャック、57:ウエハステージ、58:ミラー、5
9:レーザ干渉計式測長器、60:コンソールユニッ
ト、61:アライメント検出器。
50: illumination optical system, 51: reticle (original plate), 52: reticle stage, 53: reduction projection lens, 54: auto focus detector, 55: wafer (substrate), 56: wafer chuck, 57: wafer stage, 58: Mirror, 5
9: Laser interferometer type length measuring device, 60: Console unit, 61: Alignment detector.

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に原版のパターンを転写するため
のショット配列を求めるショットレイアウト作成方法に
おいて、ショットレイアウトを自動で作成する工程と、
作成されたショットレイアウトを基に単位時間当たりの
基板の処理枚数及びチップ生産量のどちらかであるスル
ープットを算出する工程とを有し、これら各々の工程に
基づく前記ショットレイアウトの作成及び前記スループ
ットの算出結果から、ユーザの要求にマッチした最適シ
ョットレイアウトを求めることを特徴とするショットレ
イアウト作成方法。
1. A shot layout creating method for obtaining a shot array for transferring a pattern of an original onto a substrate, the step of automatically creating a shot layout,
Based on the created shot layout, there is a step of calculating a throughput which is either the number of substrates processed per unit time or a chip production amount, and the creation of the shot layout and the throughput based on each of these steps. A shot layout creating method characterized by obtaining an optimum shot layout that matches a user's request from a calculation result.
【請求項2】 請求項1に記載のショットレイアウトを
自動で作成する工程では、前記基板上の有効露光領域、
ショットサイズ、及びチップサイズから、最適ショット
レイアウトの候補となる複数のショットレイアウトを作
成することを特徴とするショットレイアウト作成方法。
2. In the step of automatically creating the shot layout according to claim 1, an effective exposure area on the substrate,
A shot layout creating method, characterized in that a plurality of shot layouts that are candidates for an optimum shot layout are created from a shot size and a chip size.
【請求項3】 請求項1に記載のスループットを算出す
る工程では、作成されたショットレイアウトのショット
数、ショットサイズ、及び露光量から、前記スループッ
トを算出することを特徴とするショットレイアウト作成
方法。
3. The shot layout creating method according to claim 1, wherein in the step of calculating the throughput, the throughput is calculated from the number of shots, the shot size, and the exposure amount of the created shot layout.
【請求項4】 請求項1に記載の最適ショットレイアウ
トの決定方法として、単位時間当たりのチップ生産数に
基づく方法を用いることを特徴とするショットレイアウ
ト作成方法。
4. A shot layout creating method, wherein a method based on the number of chips produced per unit time is used as a method for determining the optimum shot layout according to claim 1.
【請求項5】 請求項1〜4のいずれかに記載のショッ
トレイアウト作成方法を用いるためのプログラムを記録
したことを特徴とする記録媒体。
5. A recording medium on which a program for using the shot layout creation method according to claim 1 is recorded.
【請求項6】 請求項1〜4のいずれかに記載のショッ
トレイアウト作成方法を用いることを特徴とする露光装
置。
6. An exposure apparatus using the shot layout creating method according to claim 1. Description:
【請求項7】 請求項6に記載の露光装置を含む各種プ
ロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置する工程
と、該製造装置群を用いて複数のプロセスによって半導
体デバイスを製造する工程とを有することを特徴とする
半導体デバイス製造方法。
7. A step of installing a manufacturing apparatus group for various processes including the exposure apparatus according to claim 6 in a semiconductor manufacturing factory, and a step of manufacturing a semiconductor device by a plurality of processes using the manufacturing apparatus group. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising:
【請求項8】 前記製造装置群をローカルエリアネット
ワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネットワ
ークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの間
で、前記製造装置群の少なくとも1台に関する情報をデ
ータ通信する工程とをさらに有することを特徴とする請
求項7に記載の半導体デバイス製造方法。
8. A step of connecting the manufacturing device group with a local area network, and data communication of information about at least one of the manufacturing device group between the local area network and an external network outside the semiconductor manufacturing factory. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 7, further comprising:
【請求項9】 前記露光装置のベンダもしくはユーザが
提供するデータベースに前記外部ネットワークを介して
アクセスしてデータ通信によって前記製造装置の保守情
報を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の半導体
製造工場との間で前記外部ネットワークを介してデータ
通信して生産管理を行うことを特徴とする請求項8に記
載の半導体デバイス製造方法。
9. A semiconductor manufacturing factory which is different from the semiconductor manufacturing factory by accessing a database provided by a vendor or a user of the exposure apparatus via the external network to obtain maintenance information of the manufacturing apparatus by data communication. 9. The semiconductor device manufacturing method according to claim 8, wherein production management is performed by performing data communication with the device via the external network.
【請求項10】 請求項6に記載の露光装置を含む各種
プロセス用の製造装置群と、該製造装置群を接続するロ
ーカルエリアネットワークと、該ローカルエリアネット
ワークから工場外の外部ネットワークにアクセス可能に
するゲートウェイを有し、前記製造装置群の少なくとも
1台に関する情報をデータ通信することを可能にしたこ
とを特徴とする半導体製造工場。
10. A manufacturing apparatus group for various processes including the exposure apparatus according to claim 6, a local area network connecting the manufacturing apparatus group, and an external network outside the factory accessible from the local area network. A semiconductor manufacturing plant having a gateway for enabling data communication of information relating to at least one of the manufacturing apparatus group.
【請求項11】 半導体製造工場に設置された請求項6
に記載の露光装置の保守方法であって、前記露光装置の
ベンダもしくはユーザが、半導体製造工場の外部ネット
ワークに接続された保守データベースを提供する工程
と、前記半導体製造工場内から前記外部ネットワークを
介して前記保守データベースへのアクセスを許可する工
程と、前記保守データベースに蓄積される保守情報を前
記外部ネットワークを介して半導体製造工場側に送信す
る工程とを有することを特徴とする露光装置の保守方
法。
11. The method according to claim 6, wherein the semiconductor manufacturing factory is installed.
The exposure apparatus maintenance method according to claim 1, wherein a vendor or a user of the exposure apparatus provides a maintenance database connected to an external network of a semiconductor manufacturing factory, and from within the semiconductor manufacturing factory via the external network. And permitting access to the maintenance database, and transmitting the maintenance information accumulated in the maintenance database to the semiconductor manufacturing factory side via the external network. .
【請求項12】 請求項6に記載の露光装置において、
ディスプレイと、ネットワークインタフェースと、ネッ
トワーク用ソフトウェアを実行するコンピュータとをさ
らに有し、露光装置の保守情報をコンピュータネットワ
ークを介してデータ通信することを可能にしたことを特
徴とする露光装置。
12. The exposure apparatus according to claim 6, wherein
An exposure apparatus further comprising a display, a network interface, and a computer that executes network software, and enables maintenance apparatus information to be data-communicated via a computer network.
【請求項13】 前記ネットワーク用ソフトウェアは、
前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接
続され前記露光装置のベンダもしくはユーザが提供する
保守データベースにアクセスするためのユーザインタフ
ェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネット
ワークを介して該データベースから情報を得ることを可
能にすることを特徴とする請求項12に記載の露光装
置。
13. The network software comprises:
A user interface for accessing a maintenance database provided by a vendor or a user of the exposure apparatus, which is connected to an external network of a factory in which the exposure apparatus is installed, is provided on the display, and from the database via the external network. 13. The exposure apparatus according to claim 12, which makes it possible to obtain information.
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