JP2003140318A

JP2003140318A - マスク製造方法および露光方法

Info

Publication number: JP2003140318A
Application number: JP2001341782A
Authority: JP
Inventors: Kenichi Furutoku; 顕一古徳
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2001-11-07
Filing date: 2001-11-07
Publication date: 2003-05-14

Abstract

(57)【要約】【課題】低コストで高精度に半導体デバイスを製造す
る。【解決手段】１枚のマスク上に同一チップの原版パタ
ーンを一つまたは複数描画して該マスクを製造する際
に、原版パターンを転写して製造されるチップの製造コ
ストがＣｏＯ（ＣｏｓｔｏｆＯｗｎｅｒｓｈｉｐ）
を評価尺度として低くなるように、描画する原版パター
ンの数を決定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
回路パターン原版を描画するマスク（フォトマスク）の
製造方法およびそのマスクを用いた露光方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】従来、フォトマスクに描画パターンを描
く場合は、露光装置の最大露光フィールドサイズに入る
範囲で、且つ１ショット中のチップが最大数取れるよう
なレイアウトで、フォトマスクを作成していた。一般的
にマスクコストは、デザインルールが同じであれば、描
画量に比例して高くなっていく。これは、描画時間、検
査時間、リペア時間が描画量に比例しており、それぞれ
の時間がそのままコストに反映されるためである。しか
し一般的に従来のチップは、大量生産されるものが多く
１チップあたりのマスクコストも小さいため、マスクコ
ストはあまり意識されることはなかった。そのためその
露光に使おうとする露光装置の最大露光フィールドサイ
ズいっぱいの描画面積にした方がスループット面からも
有利であった。

【０００３】またマスク上に描かれた描画パターンは、
マスクの平面度が露光に与える影響が少なかったため、
従来は位置あわせが簡単なマスクの中心を描画エリアの
中心とすることが多かった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最近の
半導体デバイスの回路パターンの微細化はとどまるとこ
ろがなく、したがって原版であるマスクパターンのデー
タ量は、増加しつづけその結果マスクコストはますます
高騰してきている。微細化の手法のひとつに、光学的近
接効果補正（ＯＰＣ）や位相シフト型のマスクも提案さ
れているが、ＯＰＣは、特にデータ量の増加、位相シフ
トマスクの場合は、特に歩留まりの問題が大きく、これ
らはさらにマスクコストをアップする原因となってい
る。

【０００５】また１品目あたりの生産量も減少の傾向に
ある。特に今後需要の増加が予想されているシステムオ
ンチップ（ＳｏＣ：ＳｙｓｔｅｍｏｎＣｈｉｐ）等
は、生涯生産量が一部を除いて少なくなり、多いもので
１００万チップくらいと予想されている。しかも性能向
上とコストダウンのためには、微細化は必至のため１チ
ップあたりのマスクコストは、高騰しデバイスコストも
跳ね上がることが予想される。

【０００６】また、微細化が進むにつれて、ＣＤコント
ロール精度や位置合わせ精度が厳しくなり、今まで問題
とならなかったマスクの平面度についても考慮しなけれ
ばならない。微細化に伴い投影レンズの開口数（ＮＡ）
は、大きくしなければ所望の解像線幅が得られない状況
である。例えば、ウエハ上でのハーフピッチ８０〜９０
ｎｍのラインアンドスペースの回路パターンを解像する
ためには、ＡｒＦレーザを光源に用いた露光装置の場合
で、ＮＡを０．８〜０．８５程度にまでする必要があ
る。ところがＮＡを大きくすることによって、焦点深度
が減少してくる。焦点深度にかかわる要因は、ＮＡ、レ
ンズ収差、ウエハ平面度等いくつかあるが、これら他の
要因の絶対量が少なくなってきたために、マスク平面度
についても問題となってきている。

【０００７】本発明の目的は、低コストで高精度に半導
体チップ等のデバイスを製造することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するため、本発明の第１のマスク製造方法は、１枚の
マスク上に半導体チップ等の同一チップの原版パターン
を一つまたは複数描画して該マスクを製造する際に、原
版パターンを転写して製造されるチップの製造コスト
が、低くなるように、描画する原版パターンの数を決定
することを特徴とする。このチップの製造コストは、製
造装置の所有者のコスト（ＣｏＯ：ＣｏｓｔｏｆＯｗ
ｎｅｒｓｈｉｐ）等の経済的な指標を評価尺度とする絶
対的または相対的な値であり、これにより半導体チップ
の製造コストを描画チップ数がトータルコスト的に最適
となるマスクを製造することが可能となり、合理的なコ
ストで半導体チップを作成できる。

【０００９】また本発明の第２のマスク製造方法は、複
数種類の回路パターン（デバイスパターン）の原版を１
枚のマスク上に描画するものである。すなわち、原版パ
ターンを複数含む第１描画パターンの面積が、マスクの
最大有効描画可能面積の１／２以下の場合、種類の異な
るチップの原版パターンを少なくとも一つ含む第２描画
パターン（第２描画パターンは複数あってもよい）をマ
スクに更に描画することを特徴とする。これにより、相
対的なマスクコストを下げることが出来る。この場合、
第１および第２描画パターン（単に『描画パターン』と
もいう）の、それぞれの描画位置と正確な位置関係をも
つ位置合わせマーク（位置決めマーク）を、マスク上に
描画することにより、各描画パターンの露光時の位置合
わせ精度の向上に作用する。

【００１０】本発明の第３のマスク製造方法は、同一チ
ップの原版パターンを少なくとも一つ含む第１描画パタ
ーンを１枚のマスク上に描画する際に、マスクのパター
ン有効描画面のうちの最もまたは比較的平面度のよい部
分を選択して描画パターン配置位置を決定する工程を有
することを特徴とする。これにより、精度（特に線幅精
度）のよい描画パターンを形成することが可能となる。
上記本発明の第１または第２の製造方法に適用すれば、
従来のものと違って、マスクのパターン有効描画面の一
部のみを使用すれば足りる可能性が生じるので、この方
法は特に有用である。

【００１１】また上記本発明の各マスク製造方法におい
て、必要なデータの計算を電子計算機等を用いて、自動
的に計算して求めることにより時間効率を上げることが
出来る。

【００１２】具体的には、描画位置を決定する工程にお
いて、マスクのパターン有効描画面内を等間隔の測定点
で測定した各々の高さのバラツキから傾斜成分を除き、
その傾斜成分を除いたバラツキの二乗平均が最小となる
部分を、電子計算機を用いて自動的に計算して求め、そ
の部分を第１または第２描画パターンの描画位置として
選択することができる。あるいは、マスクの製造コスト
が最低となる第１または第２描画パターン中の原版パタ
ーン数を、マスクを用いて生産されるウエハの生涯生産
枚数、マスク自体の製造にかかるコスト、およびチップ
の大きさに基づき、電子計算機を用いて、自動的に計算
して求めてもよい。また、露光時においても、第１また
は第２描画パターン面の傾斜成分およびウエハ上像面で
発生する傾斜成分を電子計算機等を用いて、自動的に計
算して求めることができる。

【００１３】次に、本発明の露光方法は、上述した本発
明のマスク製造方法によりマスクを製造する工程と、こ
の製造したマスクの第１または第２描画パターンをウエ
ハ上に露光する工程を有することを特徴とする。

【００１４】より具体的には、露光する工程は、縮小投
影露光装置の光源ユニットによりエキシマレーザ光等の
露光光を発生させ、照明系ユニットにより発生した露光
光を成形し、投影レンズによりマスク上に描かれた第１
または第２描画パターンをウエハステージ上に載置した
ウエハ等の感光剤に縮小投影するものである。

【００１５】また、本発明の露光方法では、投影露光機
のレンズ中心（光軸中心）を各々の描画パターン中心に
あわせて露光することが望ましい。また、ステップアン
ドスキャン型露光装置等でスキャン露光する場合には、
投影レンズの光軸中心が第１または第２描画パターンの
中心線と一致するようにスキャンする。レンズ中心を使
うことにより、収差による像のズレを抑えることが出来
るため、線幅精度および位置精度良く、ウエハ上に半導
体デバイスの回路パターンを形成をすることができる。

【００１６】さらに、本発明の露光方法において、ＬＡ
Ｎ等のネットワーク機能を使うことにより装置の配置場
所等の選択を広げる作用があり、この結果、生産効率を
上げることができる。

【００１７】具体的には、マスクの製造工程で第１また
は第２描画パターンの中心または中心線を、電子計算機
等を用いて自動的に計算して求め、ＬＡＮ等のネットワ
ークを介して投影露光装置に送信する、またはマスクの
製造工程で第１または第２描画パターン面の傾斜成分を
求め、ＬＡＮ等のネットワークを介して投影露光装置に
送信するといったことができる。

【００１８】またさらに、本発明の露光方法において、
第１または第２描画パターン面の傾斜成分およびウエハ
上像面で発生する傾斜成分を定量化し、装置オフセット
として除去することにより、回路パターンを線幅および
位置精度良くウエハ上に形成出来る。

【００１９】

【実施例】（第１の実施例）第１の実施例について説明
する。図１は半導体チップの回路パターンの原版となる
フォトマスク上の描画パターンを示した例である。１０
はフォトマスク、１１は１チップ分の回路原版のパター
ン、１３は１ショット分の原版パターン１１を含む描画
パターンを示す。

【００２０】図１（ａ）は、原版パターン１１が８回繰
り返されたものである。図１（ｂ）は４チップ分、図１
（ｃ）は、２チップ分の原版パターン１１を描画したも
のである。次に前記フォトマスク１０を用いて、ウエハ
上に回路パターンを形成するための半導体縮小投影装置
について説明する。図２は半導体縮小投影露光装置１０
１の概略を示す図である。レーザーユニット１０２にて
発光された露光光を照明系１１５にて光を成形しレチク
ルスキャンステージ１１４上のフォトマスク１０に照射
する。フォトマスク１０上には、半導体チップの原版パ
ターン１１が描かれており、この原版パターンを投影レ
ンズ１１３にて縮小投影し、ウエハ２０に転写される。
この時ウエハ２０は、ベースプレート１１０上をステッ
プ駆動するウエハステージ１１１上のウエハチャック１
１２に載置されている。また、本半導体縮小投影露光装
置１０１は、フォトマスク１０とウエハ２０が同期して
スキャンするいわゆるステップアンドスキャン方式の投
影露光装置である。ウエハ２０には、感光剤が塗布され
ておりフォトマスク１０の縮小パターンが正確に転写さ
れ潜像として形成される。その後の現像工程エッチング
工程などを行い、ウエハ２０上に回路パターンが形成さ
れていく。

【００２１】ところで半導体縮小投影露光装置は、装置
により最大露光フィールドサイズが決まっており、例え
ば本実施例に用いるステップアンドスキャン方式露光装
置では、ウエハ上のサイズで、２６ｍｍ×３３ｍｍであ
る。このためフォトマスク上には、この露光フィールド
サイズを超えないよう描画面積を決めるのが一般的であ
る。

【００２２】次に図３は、パターン描画面積とマスクコ
ストの関係を示したグラフである。一般的にマスクコス
トは、ベース材料コストに描画、検査およびリペアコス
トを加えたものであるため１マスクあたりのチップ数と
略比例関係にある。本例ではチップサイズを１２ｍｍ×
６ｍｍとして計算した。本図では、マスクコストのショ
ットサイズの変化による予測値を示している。

【００２３】次に図４は、１枚のウエハ２０から、配置
可能なチップ数、および露光ショット数を示したもので
ある。まず、ウエハ２０内に細線で示すチップ１４が略
最大数取れるよう配置を決定した後、１ショットで露光
するチップ数を決め、その各ショット１５のレイアウト
を太線で示したたものである。本例では、１ショット１
５に、横方向２チップ×縦方向５チップの合計１０チッ
プ含むレイアウトである。この場合フォトマスク上の描
画面積は、ウエハ上のショットサイズ２４ｍｍ×３０ｍ
ｍに投影倍率、例えば４倍をかけた２８８０ｍｍ２が
描画面積となる。

【００２４】図３に示した２４，２４は８チップ、１
８，２４は６チップ、１２，２４は４チップ、１２，１
２は２チップ取りを示している。図５は、１ウエハ内で
同数のチップを得る場合のショット数をショットサイズ
（露光フィールドサイズ）をパラメータにして示したも
のである。また、図６は前記ショットサイズで露光をし
た場合に１時間あたりに処理可能なウエハ枚数（スルー
プット）を前記データより求めて各条件で比較したグラ
フである。図６から明らかに生産枚数は、ショットサイ
ズが大きいほど高い。

【００２５】ＣｏＯは、一般的に装置の固定費、装置ラ
ンニングコスト、人件費、マスクコスト、レジスト、現
像液などのケミカルコスト等、製造に必要な経費を良品
の生産数で除した値で示される。具体的には良品を取る
ためのリソグラフ１工程（１レイヤ）にかかる経費で示
される。すなわち半導体チップの製造コストを示す指標
である。従来は、半導体生産は大量生産品が多かったた
めＣｏＯよりもむしろスループットが優先された。しか
し１品目の生涯生産数の減少、マスクコストの高騰など
から最近では、ＣｏＯを重要視するデバイスメーカが増
加してきている。

【００２６】本計算においては、１時間あたりの装置建
物等の償却費をＦｈ、１時間あたりの装置ランニングコ
ストをＲｈ、１時間あたりの人件費をＭｈ、マスクコス
トをＭｃ、１レイヤあたりのレジスト、現像液などのケ
ミカルコストをＣｃ、１時間あたりの良品１レイヤの生
産量をＷ、生涯ウエハ生産数をＬとすると、ＣｏＯ
（Ｃ）は次式で定義できる。

【００２７】

【数１】

【００２８】単位時間あたりの生産量Ｗが高ければＣｏ
Ｏは小さくなるが、前記のマスクコストＭｃが高かった
りウエハの生涯生産枚数Ｌが少なかったりと必ずしもＣ
ｏＯは低くならない場合があることを示している。

【００２９】図７は、（１）式の計算結果を示した例で
ある。生涯生産枚数Ｌが少ないときは、マスクコストＭ
ｃの占める割合が大きく、５００枚および１０００枚の
場合では、２チップ取りの場合（ｅ）が一番低いＣｏＯ
を示している。生涯生産枚数Ｌが２０００枚の場合に
は、かなり拮抗した状況となっている。また、生涯生産
枚数Ｌが５０００枚と１００００枚の場合では８チップ
取り（ｂ）が最小値をとっている。生涯生産枚数Ｌがそ
れ以上の場合は、スループット最大の１０チップ取り
（ａ）がＣｏＯの最小値を示している。このようにウエ
ハ生涯生産数Ｌ、マスクコストＭｃおよびチップサイズ
が決まると１マスクにいくつのチップ数を描画するのが
最適かということを一意的に決定することが出来る。

【００３０】先にも述べたとおり今後増加が予想される
システムオンチップ（ＳｏＣ）は最大で100万チップ、3
00mmウエハ換算で1000枚前後と見られている、またマイ
コン、DSP（Digital Signal Processor）、ASIC（Appli
cation Specific IntegratedCircuit）など総ウエハ生
産枚数が5000枚以下の半導体デバイスが多いため、図７
の結果より生産枚数にあわせた描画パターンを決定する
ことは非常に有効であることがわかる。

【００３１】(第２の実施例）次に第二の実施例を説明
する。図８は、第２の実施例について示したものであ
る。フォトマスク１０上に描かれた、原版パターン１１
ａを含む１ショット分の描画パターン（第１描画パター
ン１３ａ）がマスク全体の有効描画面積の１／２以下の
場合、異なる原版パターン１１ｂを含む描画パターン
（第２描画パターン１３ｂ）を同一のマスク上に描くこ
とが出来る。図８においては、第１描画パターン１３ａ
と第２描画パターン１３ｂを描いた例を示している。本
例においては、２つの異なる描画パターンを示している
が、異なる描画パターンは３つ以上でもかまわない。

【００３２】また図８のように描画パターン１３ａ，１
３ｂを配置した場合スキャン露光を行う際に投影レンズ
の中心は、マスクの中心線ＣＬ１に重なって移動する。
図８の場合原版パターン１１ａと１１ｂはともにパター
ンの中心と投影レンズの中心が一致していない。一般に
レンズの収差は中心付近が最良となるため出来る限り中
心を通るようスキャン露光した方がよい像性能を得るこ
とが出来る。本実施例では、原版パターン１１ａに関し
て、距離Ｘだけパターン中心線ＣＬ２と投影レンズの中
心がシフトしている。レチクルスキャンステージ１１４
にスキャンと垂直方向の移動手段（不図示）を設けるこ
とにより、このシフトをゼロに出来る。

【００３３】また図９は、異なる描画パターン１３ａお
よび１３ｂにそれぞれの位置合わせマーク１２を設けた
ことを示す図である。各描画パターン１３ａ，１３ｂの
直近に設けた位置合わせマーク１２を用いることによっ
てより正確な位置合わせを行うことが出来る。同図にお
ける１２ａｌ、１２ａｒ、１２ｂｌおよび１２ｂｒはそ
れぞれの描画パターンの両側に設けられた位置合わせマ
ークを示す。例えばこの位置合わせマーク１２と、露光
機上の本体の基準マーク（不図示）、またはウエハステ
ージ上の基準マーク（不図示）との位置を合わせること
によって各々の描画パターンについて正確な位置合わせ
を行うことが出来る。

【００３４】（第３の実施例）図１０は、第３の実施例
を示す。フォトマスク１０は、実際のマスクパターンの
描画面の平面度を示した例である。同図では、描画面と
垂直方向側のスケールを強調してあるが、面が大きくね
じれていることがわかる。図中の描画パターン１３は、
ある面積をもっている。次にこの描画パターン１３を描
画可能範囲の中で、最良の平面部に配置する。最良平面
部の選択方法は、例えば有効描画領域の中から、等ピッ
チで有限の測定点を選び傾斜成分を除いた垂直高さのバ
ラツキが２乗平均値で最低となる部分を選択することに
よって可能となる。さらに、選択した有効描画領域内
で、最小二乗平面を求めその面の傾きを傾斜成分とし、
レチクルステージまたは、ウエハステージにて補正して
もよい。その際に、フォトマスク、ウエハ平面、または
ウエハの取り付けによる傾き成分も同時に除去してもか
まわない。

【００３５】また複数の描画パターンを平面度のよい複
数の場所に配置することも可能である。さらに前記複数
の描画パターンそれぞれにマスク位置決めマークを配置
することも可能である。またレチクルステージ１１４に
スキャンと垂直方向の移動手段（不図示）を設けること
により描画パターンの中心と投影レンズの中心を一致さ
せるようにすることも可能である。

【００３６】以上の第１から第３の実施例において、さ
らに電子計算機等を用いて自動的に上述した描画パター
ン中の原版パターン数、最良平面部、傾斜成分の定量化
等を計算することも可能である。また自動的に計算され
たデータをＬＡＮ（ＬｏｃａｌＡｒｅａＮｅｔｗｏ
ｒｋ）等を用いて、例えば居室に置かれたパソコンか
ら、クリーンルームに置かれた縮小投影露光装置に配信
することもまた逆に露光装置から平面度計測データなど
を集信することも可能である。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１のマ
スク製造方法によれば、１枚のマスク上に描画するチッ
プ原版の数をＣｏＯ等の経済的な指標を元に決定するこ
とによりチップの製造コストを下げる効果がある。

【００３８】また本発明の第２のマスク製造方法によれ
ば、複数種類の回路パターン（デバイスパターン）の原
版パターンを同一のマスクに描画することにより、より
安価にマスクを作成することが出来る効果がある。ま
た、マスク上に描かれた複数種類のチップ原版パターン
が、それぞれにパターン位置を合わせるための位置合わ
せマークをもつことにより、精度良くマスクの位置合わ
せが出来る効果がある。

【００３９】また本発明の第３のマスク製造方法によれ
ば、マスク上に描画パターンを決定する際にマスクのパ
ターン有効描画面のうちの最もまたは比較的平面度のよ
い部分を選択して描画することにより、より精度良く描
画パターンやそれを露光した回路パターン（露光パター
ン）を形成することが出来る。

【００４０】また、本発明の露光方法において、レンズ
中心からずれた位置にある描画パターンの中心（中心
線）をレンズ中心まで移動して、露光することにより、
より精度良く露光パターンを形成することが出来る。

【００４１】また本発明の露光方法において、マスクの
パターン描画面のうちの最も平面度のよい部分を選択し
て描画し、さらに描画パターン面とウエハ上像面で発生
する各傾斜成分を定量化し、それを装置オフセットとし
て除去して露光することにより、より精度良くウエハ上
に露光パターンを形成することが出来る。

【００４２】また本発明の各マスク製造方法において、
マスクの描画パターンデータを電子計算機などを用い
て、自動的に計算して求めることにより、効率よくデー
タを収集し短時間でデータ処理できる効果がある。

【００４３】また、本発明の各マスク製造方法または露
光方法において、ＬＡＮ等のネットワークを介して実施
することにより効率よくデータを収集し短時間でデータ
処理できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係るマスク内のチッ
プレイアウトを示す図である。

【図２】本発明の第１の実施例に係る半導体縮小投影
露光装置の概要を示す図である。

【図３】本発明の第１の実施例に係るショットサイズ
とマスクコストの関係を示すグラフである。

【図４】本発明の第１の実施例に係るウエハ内のチッ
プレイアウトとショットレイアウトを示す図である。本
図は、１ショット１０チップ取りを示す。

【図５】本発明の第１の実施例に係る１ウエハ内のシ
ョットサイズとショット数の関係を示すグラフである。

【図６】本発明の第１の実施例に係るショットサイズ
とスループットの関係を示すグラフである。

【図７】本発明の第１の実施例に係る生涯ウエハ生産
数とＣｏＯの関係を示すグラフである。

【図８】本発明の第１および第２の実施例に係るフォ
トマスク上の描画パターンレイアウトについて説明した
図である。

【図９】本発明の第１および第２の実施例に係るフォ
トマスク上の位置決めマークについて説明した図であ
る。

【図１０】本発明の第３の実施例に係るウエハ平面度
と描画パターン位置について説明した図である。

【符号の説明】

１０：フォトマスク、１１：チップ原版パターン、１２
ａｌ：第１描画パターン位置決めマーク左、１２ａｒ：
第１描画パターン位置決めマーク右、１２ｂｌ：第２描
画パターン位置決めマーク左、１２ｂｒ：第２描画パタ
ーン位置決めマーク右、１３：描画パターン、１３ａ：
第１描画パターン、１３ｂ：第２描画パターン、１４：
チップ、１５：ショット、２０：半導体ウエハ、１０
１：半導体縮小投影露光装置、１０２：エキシマレーザ
ユニット、１１０：ベースプレート、１１１：ウエハス
テージ、１１２：ウエハチャック、１１３：投影レン
ズ、１１４：レチクルスキャンステージ、１１５：照明
系ユニット、ＣＬ１：フォトマスク中心線、ＣＬ２：描
画パターン中心線。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｇ５１８

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】１枚のマスク上に同一チップの原版パタ
ーンを一つまたは複数描画して該マスクを製造する際
に、前記原版パターンを転写して製造されるチップの製
造コストが低くなるように、描画する原版パターンの数
を決定することを特徴とするマスク製造方法。
【請求項２】前記製造コストは、ＣｏＯを評価尺度と
することを特徴とする請求項１に記載のマスク製造方
法。
【請求項３】前記チップは半導体チップである請求項
１または２に記載のマスク製造方法。
【請求項４】前記原版パターンを複数含む第１描画パ
ターンの面積が、前記マスクの最大有効描画可能面積の
１／２以下の場合、種類の異なるチップの原版パターン
を少なくとも一つ含む第２描画パターンを前記マスクに
更に描画することを特徴とする請求項１〜３のいずれか
１項に記載のマスク製造方法。
【請求項５】前記第１および第２描画パターンの、そ
れぞれの描画位置と正確な位置関係をもつ位置合わせマ
ークを、前記マスク上に描画することを特徴とする請求
項４に記載のマスク製造方法。
【請求項６】前記第１または第２描画パターンを描画
する際に、前記マスクのパターン有効描画面のうちの最
もまたは比較的平面度のよい部分を選択して描画位置を
決定する工程を更に有することを特徴とする前記請求項
１〜５に記載のマスク製造方法。
【請求項７】同一チップの原版パターンを少なくとも
一つ含む第１描画パターンを１枚のマスク上に描画する
際に、前記マスクのパターン有効描画面のうちの最もま
たは比較的平面度のよい部分を選択して描画パターン配
置位置を決定する工程を有することを特徴とするマスク
製造方法。
【請求項８】前記描画位置を決定する工程は、前記マ
スクのパターン有効描画面内を等間隔の測定点で測定し
た各々の高さのバラツキから傾斜成分を除き、その傾斜
成分を除いたバラツキの二乗平均が最小となる部分を、
電子計算機を用いて自動的に計算して求め、その部分を
前記第１または第２描画パターンの描画位置として選択
することを特徴とする請求項６または７に記載のマスク
製造方法。
【請求項９】前記マスクの製造コストが最低となる前
記第１または第２描画パターン中の原版パターン数を、
前記マスクを用いて生産されるウエハの生涯生産枚数、
前記マスク自体の製造にかかるコスト、および前記チッ
プの大きさに基づき、電子計算機を用いて、自動的に計
算して求めることを特徴とする請求項１〜８のいずれか
１項に記載のマスク製造方法。
【請求項１０】請求項１〜９のいずれか１項に記載の
方法により前記マスクを製造する工程と、この製造した
マスクの前記第１または第２描画パターンをウエハ上に
露光する工程を有する露光方法。
【請求項１１】前記露光する工程は、縮小投影露光装
置の光源ユニットによりエキシマレーザ光等の露光光を
発生させ、照明系ユニットにより発生した露光光を成形
し、投影レンズにより前記マスク上に描かれた前記第１
または第２描画パターンをウエハステージ上に載置した
ウエハ等の感光剤に縮小投影するものであることを特徴
とする請求項１０に記載の露光方法。
【請求項１２】前記投影レンズの光軸中心が前記第１
または第２描画パターンの中心と一致するように露光す
ることを特徴とする請求項１１に記載の露光方法。
【請求項１３】前記投影レンズの光軸中心が前記第１
または第２描画パターンの中心線と一致するようにスキ
ャン露光することを特徴とする請求項１１に記載の露光
方法。
【請求項１４】前記マスクの製造工程で前記第１また
は第２描画パターンの中心または中心線を、電子計算機
等を用いて自動的に計算して求め、ＬＡＮ等のネットワ
ークを介して前記投影露光装置に送信することを特徴と
する請求項１２または１３に記載の露光方法。
【請求項１５】前記第１または第２描画パターン面の
傾斜成分およびウエハ上像面で発生する傾斜成分を定量
化し、装置オフセットとして除去して露光することを特
徴とする請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の露光
方法。
【請求項１６】前記第１または第２描画パターン面の
傾斜成分およびウエハ上像面で発生する傾斜成分を電子
計算機等を用いて、自動的に計算して求めることを特徴
とする請求項１５に記載の露光方法。
【請求項１７】前記マスクの製造工程で前記第１また
は第２描画パターン面の傾斜成分を求め、ＬＡＮ等のネ
ットワークを介して前記投影露光装置に送信することを
特徴とする請求項１５または１６に記載の露光方法。