JP2003135926A - Phosphorus trapping apparatus for semiconductor manufacturing apparatus - Google Patents

Phosphorus trapping apparatus for semiconductor manufacturing apparatus

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JP2003135926A
JP2003135926A JP2001337819A JP2001337819A JP2003135926A JP 2003135926 A JP2003135926 A JP 2003135926A JP 2001337819 A JP2001337819 A JP 2001337819A JP 2001337819 A JP2001337819 A JP 2001337819A JP 2003135926 A JP2003135926 A JP 2003135926A
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Japan
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phosphorus
oil
exhaust gas
solids
semiconductor manufacturing
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JP2001337819A
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Japanese (ja)
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Toshinao Katamine
俊尚 片峯
Masahiko Hata
雅彦 秦
Takenori Osada
剛規 長田
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Sumitomo Chemical Co Ltd
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Sumitomo Chemical Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a phosphorus trapping apparatus capable of safely removing phosphorus having a solidifying risk such as yellow phosphorus contained in a waste gas from a semiconductor manufacturing apparatus. SOLUTION: Phosphorus is efficiently and surely removed from the waste gas by depositing and solidifying phosphorus in the waste gas by a low temperature oil mist from an oil separating apparatus 22 provided in a trapping apparatus 2 to incorporate the phosphorus in the oil mist, removing phosphorus solid from the oil incorporating the phosphorus solid by a phosphorus solid removing filter 5 and using the oil again in the trapping apparatus 2 as the oil for phosphorus depositing and collecting. Because the phosphorus solid remaining in the phosphorus solid removing filter 5 is wrapped by the oil, the risk of spontaneous combustion is made low and the safe treating work is carried out. The exchange of a poison eliminating agent is safely performed because the waste gas from which phosphorus is removed is sent to a poison eliminating column 106.

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、化合物半導体を製
造する際に生じる排ガス中に含まれるりんを除去するた
めの半導体製造装置用りんトラップ装置に関する。 【0002】 【従来の技術】各種の化合物半導体の製造のために、従
来から、5族原料にアルシン(AsH 3 )やホスフィン
(PH3 )のような水素化物を用いてエピタキシャル結
晶層を成長させるハイドライドVPE(HVPE)法、
あるいは有機金属を熱分解させることによりエピタキシ
ャル結晶層を成長させる有機金属熱分解法(MOCVD
法)等を用いて、基板上に所要の単結晶層を連続的に積
層することができるようにした各種の化合物半導体製造
装置が使用されている。 【0003】製造される化合物半導体が、GaAs、A
lGaAs、InGaAsのいずれであっても、例えば
MOCVD法の場合には、通常5族原料を過剰に供給す
る結晶成長条件であるため、プロセスガスの排気系に
は、原料ガスを反応炉まで供給するためのキャリアガス
である水素と、結晶成長には消費されなかった未反応の
アルシンおよびまたはホスフィンなどが含まれている。 【0004】このため、従来のこの種の半導体製造装置
の排気系には、これらアルシン、ホスフィンの未反応ガ
スの無害化のために、例えば金属酸化物を使用した除害
塔等が設けられている。 【0005】 【発明が解決しようとする課題】この従来の除害塔にお
いては、未反応のまま送られてくるホスフィン等りん化
合物そのものは無害化されるが、ホスフィン等の熱分解
で生成される黄燐、赤燐などのりんを除去するための手
段が設けられていないため、生成りんが排ガス送給系内
に付着したり、除害塔に固化蓄積する虞があった。りん
のうち、特に黄燐は大気中で自然発火性を有するため危
険であり、その取り扱いには厳重な注意が必要とされて
いるものである。したがって、半導体製造装置からの排
ガス中に含まれるりんの安全な除去が望まれているが、
従来においてはこれを除去する有効な手段が講じられて
いなかった。 【0006】本発明の目的は、半導体製造装置からの排
ガス中に含まれている黄燐等のりんを安全に除去するこ
とができる半導体製造装置用りんトラップ装置を提供す
ることにある。 【0007】 【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1の発明によれば、排ガス系内で固化付着す
ることがない状態でりんが含まれている半導体製造装置
からの排ガス中からりんを安全に除去するための半導体
製造装置用りんトラップ装置であって、前記排ガスを前
記りんの析出温度以下に温度制御されたオイルと気液接
触させて急冷し、これにより析出したりん固形物を前記
オイル内にトラップするためのトラップ装置と、該トラ
ップ装置において得られた前記りん固形物がトラップさ
れているオイル中から前記りん固形物を除去するための
フィルタ装置とを備え、該フィルタ装置からの前記りん
固形物除去後のオイルを前記トラップ装置にりん除去の
ために再び供給するようにしたことを特徴とする半導体
製造装置用りんトラップ装置が提案される。 【0008】トラップ装置内に、りん析出温度以下に制
御されたオイルを排ガスと効率的に気液接触するように
分散供給することにより、排ガスをオイルと効果的に接
触させることができる。排ガスを急冷して中に含まれる
りんが析出温度以下になることで析出して固形化したり
んはオイルに包み込まれるようにして取り込まれる。こ
の結果、排ガス中のりんが排ガス中から分離して取り出
され、りん固形物を取り込んだオイルが得られる。 【0009】トラップ装置からのりん固形物を取り込ん
だオイルはフィルタ装置に通され、ここで、りん固形物
が取り除かれる。りん固形物が除去されたオイルはりん
除去のために再びトラップ装置に供給される。この結
果、トラップ装置からは、固化析出の危険性のあるりん
を含まない排ガスが取り出され、別の排ガス処理系統に
送られて安全に処理することができる。また、フィルタ
装置でとり除かれるりん固形物はオイルに包み込まれて
空気と接触しない状態であるから自然発火しにくい状態
であり、その処理を安全に行うことが可能となる。 【0010】 【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態の一例につき詳細に説明する。 【0011】図1は、本発明によるりんトラップ装置の
実施の形態の一例を示す構成図である。りんトラップ装
置1は、化合物半導体製造装置100の反応炉101か
らの排ガス(プロセスガス)中に含まれる黄燐、赤燐な
どのりんをトラップして除去し、りんの除去された排ガ
スを除害塔106へ送るように構成されている。 【0012】りんトラップ装置1においては、化合物半
導体製造装置100の反応炉101からの排ガス中に含
まれている黄燐等の固形化危険性のあるりんを安全に除
去するため、排ガス中のりんが排ガス系内で固化付着し
ないようにりんの析出温度以上に制御された排ガスをト
ラップ装置2の処理チャンバ21に導入し、導入された
排ガスを処理チャンバ21内でりん析出温度以下に制御
されたオイルと気液接触により急冷し、これにより析出
したりん固形物をオイル内にトラップし、オイルによっ
て取り込まれているりん固形物を除去するためのフィル
タ装置であるりん固形物除去フィルタ5によって取り除
き、りん固形物除去フィルタ5から取り出されたりん固
形物を含まないオイルを処理チャンバ21に再びりん析
出捕集用オイルとして供給している。 【0013】符号2で示されるのはトラップ装置であ
り、トラップ装置2には反応炉101から黄燐の析出温
度以上に保持された排ガスが排気系真空ポンプ102の
設けられている排気パイプ103を介して送り込まれる
ようになっている。トラップ装置2は、このようにして
送り込まれてくる排ガス中に含まれている、反応炉10
1内でりん化合物が熱分解することにより生じた黄燐を
含む各種のりんを、急冷固化して排ガスから分離して取
り出すための装置である。図1に示した構成では、トラ
ップ装置2の処理チャンバ21内に設けられたオイル分
散装置22によって効率的にオイルを分散せしめ、分散
されたオイルを排気パイプ103を介して処理チャンバ
21内に導入された排ガスと気液接触させることにより
排ガスを急冷し、これにより排ガス中のりんを析出固形
化すると共にオイルで包み込む構成となっている。りん
固形物を包み込んだオイルは処理チャンバ21内で自然
落下し、処理チャンバ21の下部のオイル溜め23内に
オイルとりん固形物とが一緒に回収される構成となって
いる。 【0014】排ガス中に含まれるりんが全て処理チャン
バ21において上述の如くしてトラップされるようにす
るため、排気系真空ポンプ102及び排気パイプ103
を含む配管系統は図示しない加熱手段によって析出温度
が最も高い黄燐の析出温度以上、例えば80°C以上、
に温度制御されており、これにより反応炉101から送
り出される排ガス中の黄燐その他のりんがトラップ装置
2に到達する前にこの配管系統の内部において析出する
のを防止する構成となっている。 【0015】オイル分散装置22には、後で詳しく説明
するようにして黄燐が析出固化するに十分な温度である
5°C以下に冷却されたオイルが供給されており、5°
C以下に冷却されたオイルがオイル分散装置22によっ
て処理チャンバ21内に分散され、処理チャンバ21内
には5°Cの分散オイルが充満している。排気パイプ1
03を通って処理チャンバ21内に導入された80°C
に加熱されている排ガス中のりんは、5°C以下に冷却
された分散オイルであるオイルミストと接触することに
より冷却固化され、固化したりんはオイルで包み込まれ
るようにしてオイル中に捕獲される。 【0016】符号24で示されるのは充填材であり、こ
れにより排ガスとオイルとの気液接触面積を増し、上述
したりんの捕獲効率を高めることができるようになって
いる。そして、さらに、オイル分散装置22によって分
散したオイルが処理チャンバ21の内壁に付着するのを
防止することができる。処理チャンバ21内にはデミス
タ25が配設されて、ミスト状になったオイルが処理チ
ャンバ21から取り出される排ガス中に同伴されること
になるのを防止している。 【0017】トラップ装置2は、以上のように構成され
ているので、排ガス中の黄燐をはじめとする各種のりん
はオイルミストによって上述の如くしてトラップされ、
オイルと共にオイル溜め23内に集められる。そして、
りんが除去された処理チャンバ21内の排ガスは、排管
104によって最終のミストセパレーター105に送ら
れ、ここでオイルを安全に除去してから公知の構成の除
害塔106に送られ、除害塔106において無害化処理
が行われた後、大気中に放出される。 【0018】オイル溜め23内に集められたりん固形物
を含むオイルは、送給ポンプ3によって、オイル溜め2
3とオイル分散装置22との間に設けられた油路4内を
圧送され、先ずりん固形物除去フィルタ5に送り込まれ
る。りん固形物除去フィルタ5には、オイル中のりん固
形物がオイルに包み込まれ、空気と直接接触しない状態
で残るようにして除去され、りん固形物を含まないオイ
ルがりん固形物除去フィルタ5から清浄オイルとして取
り出され、熱交換器6に送られる。 【0019】熱交換器6は、受け取ったオイルを黄燐析
出温度以下(例えば5°C)にまで冷却し、冷却された
オイルはオイル分散装置22に供給され、ここで再び排
ガスを黄燐析出温度以下に冷却するために処理チャンバ
21内で分散され、排ガスとオイルミストとの間で気液
接触が行われる。 【0020】すなわち、処理チャンバ21内で急冷によ
り析出固化したりん固形物を捕獲したオイルは、りん固
形物除去フィルタ5によって捕獲したりん固形物と分離
され、再び処理チャンバ21内に分散供給されるオイル
となるオイル再使用のためのオイル循環システムが構築
されている。 【0021】りんトラップ装置1は、以上のように構成
されているので、反応炉101において生成した各種の
りんを極めて高効率で確実に排ガス中から除去すること
ができる。この場合、排ガス中のりんはオイルミストに
より急速に冷却されて固形化され、且つオイルで包み込
まれた状態、すなわち、固形化したりんがオイルに包ま
れて自然発火しにくい状態でりん固形物除去フィルタ5
で除去されるので、りん固形物除去フィルタ5の清掃作
業を安全に行うことができる。また、除害塔106へ
は、このようにしてりんが固形化されて除去された排ガ
スが送られるので、除害塔106において除害剤の交換
などの各種保守作業を安全に行うことができる。 【0022】 【発明の効果】本発明によれば、トラップ装置によって
排ガス中のりんを固化してオイルで包み込むようにして
取り込み、フィルタ装置を用いてりん固形物をオイルで
包み込んでいる状態で除去し、フィルタ装置からのオイ
ルを再びトラップ装置においてりん捕集用オイルとして
使用する構成としたので、半導体製造装置において生じ
た各種の固形化危険性のあるりんを極めて高効率で確実
に自然発火の虞の少ない安全な状態で排ガス中から除去
することができる。この場合、排ガス中のりんはオイル
により急速に冷却されて固形化され、且つオイルで包み
込まれた状態、すなわち、固形化したりんがオイルに包
まれて自然発火しにくい状態でフィルタ装置で除去され
るので、フィルタ装置の清掃作業を安全に行うことがで
きる。また、除害塔へは、このようにしてりんが固形化
されて除去された排ガスが送られるので、除害塔におい
て除害剤の交換などの各種保守作業を安全に行うことが
できる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [0001] TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for manufacturing a compound semiconductor.
To remove phosphorus contained in exhaust gas
The present invention relates to a phosphorus trap device for a semiconductor manufacturing apparatus. [0002] 2. Description of the Related Art For the production of various compound semiconductors,
Arsine (AsH) Three) And phosphine
(PHThreeEpitaxial bonding using hydrides such as
VPE (HVPE) method for growing a crystal layer,
Alternatively, epitaxy can be achieved by thermally decomposing organic metals.
Metal-organic pyrolysis (MOCVD)
Method), the required single crystal layer is continuously stacked on the substrate.
Manufacturing of various compound semiconductors that can be layered
The device is being used. The compound semiconductor to be manufactured is GaAs, A
In either case of lGaAs or InGaAs, for example,
In the case of the MOCVD method, usually a group V raw material is excessively supplied.
Crystal growth conditions, the process gas exhaust system
Is a carrier gas for supplying raw material gas to the reactor.
And unreacted hydrogen not consumed for crystal growth
And arsine and / or phosphine. Therefore, a conventional semiconductor manufacturing apparatus of this kind
Unreacted gas of these arsine and phosphine
In order to detoxify metals, for example, detoxification using metal oxides
Towers are provided. [0005] The conventional abatement tower has a problem.
Phosphine, etc., which is sent unreacted
The compound itself is rendered harmless, but thermal decomposition of phosphine etc.
For removing phosphorus such as yellow phosphorus and red phosphorus generated in
Since there is no step, the generated phosphorus is
There is a possibility that it may adhere to the surface or solidify and accumulate in the abatement tower. Phosphorus
Of these, yellow phosphorus is particularly dangerous because it has a pyrophoric property in the atmosphere.
It is rugged and requires strict care
Is what it is. Therefore, emissions from semiconductor manufacturing equipment
Safe removal of phosphorus in gas is desired,
In the past, effective measures have been taken to remove this
did not exist. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an apparatus for discharging semiconductor devices.
Safe removal of phosphorus such as yellow phosphorus contained in gas
To provide a phosphorus trap device for semiconductor manufacturing equipment
It is to be. [0007] Means for Solving the Problems To solve the above problems,
Therefore, according to the first aspect of the present invention, solidification adheres in the exhaust gas system.
Semiconductor manufacturing equipment containing phosphorus
For Safe Removal of Phosphorus from Exhaust Gas
A phosphorus trap device for a production apparatus, wherein the exhaust gas is
Gas-liquid contact with oil whose temperature is controlled below the deposition temperature of phosphorus
And quenched, and the precipitated phosphorus solids
A trap device for trapping in oil;
The phosphorus solids obtained in the trapping device are trapped.
To remove the phosphorus solids from the oil
And a filter device, wherein the phosphorus from the filter device is provided.
After removing the solid matter, the oil is
Characterized in that it is supplied again for the purpose
A phosphorus trap device for a manufacturing device is proposed. In the trap device, the temperature is controlled below the phosphorus deposition temperature.
Make the controlled oil come into gas-liquid contact with the exhaust gas efficiently
Dispersed supply effectively connects exhaust gas with oil
Can be touched. Exhaust gas is rapidly cooled and contained in
When phosphorus falls below the deposition temperature, it precipitates and solidifies
Is taken in as if wrapped in oil. This
As a result, phosphorus in the exhaust gas is separated and extracted from the exhaust gas
As a result, an oil containing phosphorus solids is obtained. [0009] Phosphorus solids are taken in from the trap device.
Oil is passed through a filter device where the phosphorus solids
Is removed. The oil from which the phosphorus solids have been removed is phosphorus
It is again supplied to the trap device for removal. This result
As a result, from the trap device, phosphorus
Exhaust gas that does not contain
Sent and can be safely processed. Also filter
The phosphorus solids removed by the device are wrapped in oil
It is hard to spontaneously ignite because it is not in contact with air
Therefore, the processing can be performed safely. [0010] BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG.
An example of the embodiment will be described in detail. FIG. 1 shows a phosphorus trap device according to the present invention.
FIG. 1 is a configuration diagram illustrating an example of an embodiment. Phosphorus trap equipment
Device 1 is the reactor 101 of the compound semiconductor manufacturing apparatus 100.
Yellow and red phosphorus contained in the exhaust gas (process gas)
Which phosphorus is trapped and removed,
The wastewater is sent to the abatement tower 106. In the phosphorus trap device 1, the compound half
Included in the exhaust gas from the reactor 101 of the conductor manufacturing apparatus 100
Safely removes phosphorus that has a risk of solidification such as yellow phosphorus
Phosphorus in the exhaust gas solidifies and adheres in the exhaust gas system.
Exhaust gas controlled at a temperature higher than the phosphorus deposition temperature
Introduced into the processing chamber 21 of the wrapping device 2 and introduced
Exhaust gas is controlled below the phosphorus deposition temperature in the processing chamber 21
Quenched by gas-liquid contact with the spilled oil
The trapped phosphorus solids are trapped in the oil and
To remove phosphorus solids taken in
Removed by the phosphorus solids removal filter 5
The phosphorus solids removed from the phosphorus solids removal filter 5
Oil containing no form is again deposited in the processing chamber 21
Supplied as collecting and collecting oil. Reference numeral 2 denotes a trap device.
And the trapping temperature of the yellow phosphorus
Exhaust gas held at a temperature higher than
Sent through the provided exhaust pipe 103
It has become. The trap device 2 is thus
Reactor 10 contained in the exhaust gas sent in
The yellow phosphorus produced by the thermal decomposition of the phosphorus compound in 1
Various types of phosphorus are rapidly cooled and solidified and separated from exhaust gas.
It is a device for taking out. In the configuration shown in FIG.
Oil provided in the processing chamber 21 of the
The oil is efficiently dispersed by the dispersing device 22, and the oil is dispersed.
Processing oil through the exhaust pipe 103
Gas-liquid contact with the exhaust gas introduced into
Exhaust gas is quenched, thereby removing phosphorus in the exhaust gas
And wrapped in oil. Phosphorus
The oil wrapping the solids is naturally
Fall into the oil reservoir 23 at the bottom of the processing chamber 21
Oil and phosphorus solids are collected together
I have. All the phosphorus contained in the exhaust gas is treated
So that it is trapped in the bar 21 as described above.
Therefore, the exhaust system vacuum pump 102 and the exhaust pipe 103
The piping system containing
Is higher than the highest precipitation temperature of yellow phosphorus, for example, 80 ° C or higher,
The temperature is controlled by the
Yellow phosphorus and other phosphorus in the discharged exhaust gas are trapped
Precipitates inside this piping system before it reaches 2
This is a configuration that prevents The oil dispersion device 22 will be described in detail later.
Temperature is sufficient for yellow phosphorus to precipitate and solidify
Oil cooled to 5 ° C or less is supplied and 5 ° C
C is cooled by the oil dispersing device 22.
Are dispersed in the processing chamber 21 and
Is filled with 5 ° C dispersion oil. Exhaust pipe 1
80 ° C. introduced into the processing chamber 21 through
In exhaust gas being heated to 5 ° C or less
Contact with the oil mist
More solidified by cooling, the solidified phosphorus is wrapped in oil
So that it is captured in the oil. Reference numeral 24 denotes a filler.
This increases the gas-liquid contact area between exhaust gas and oil,
I can improve the efficiency of capturing phosphorus
I have. Then, the oil is further dispersed by the oil dispersion device 22.
To prevent the scattered oil from adhering to the inner wall of the processing chamber 21.
Can be prevented. Demised in the processing chamber 21
The mist oil is disposed in the processing channel.
Being entrained in the exhaust gas extracted from chamber 21
It has been prevented from becoming. The trap device 2 is configured as described above.
Therefore, various phosphorus such as yellow phosphorus in exhaust gas
Is trapped by the oil mist as described above,
The oil is collected in the oil reservoir 23 together with the oil. And
The exhaust gas in the processing chamber 21 from which phosphorus has been removed is exhausted.
104 to the final mist separator 105
Here, the oil is safely removed, and then the known configuration is removed.
Sent to harm tower 106, detoxification treatment in elimination tower 106
Is released to the atmosphere after [0018] Phosphorus solids collected in the oil sump 23
The oil containing oil is supplied to the oil reservoir 2 by the feed pump 3.
In the oil passage 4 provided between the oil dispersion device 3 and the oil dispersion device 22.
And is first fed into the phosphorus solids removal filter 5.
You. The phosphorus solids removal filter 5 contains the phosphorus solids in the oil.
Shape is wrapped in oil and not in direct contact with air
Oil that does not contain phosphorus solids
As clean oil from the phosphorus solids removal filter 5.
And sent to the heat exchanger 6. The heat exchanger 6 converts the received oil into yellow phosphorus.
Cooled to below the outlet temperature (eg 5 ° C)
The oil is supplied to an oil dispersion device 22, where it is drained again.
Processing chamber to cool gas below yellow phosphorus deposition temperature
And dispersed between the exhaust gas and the oil mist.
Contact is made. That is, rapid cooling in the processing chamber 21 is performed.
The oil that has captured the solidified phosphorus solids
Separation from phosphorus solids captured by the shape removal filter 5
Oil that is dispersed and supplied again into the processing chamber 21
An oil circulation system for oil reuse
Have been. The phosphorus trap device 1 is configured as described above.
The various types of
Extremely efficient and reliable removal of phosphorus from exhaust gas
Can be. In this case, phosphorus in the exhaust gas is converted to oil mist.
Cools faster, solidifies, and wraps in oil
Oil, i.e., solidified phosphorus is wrapped in oil.
In a state where it is difficult to spontaneously ignite
Cleaning of the phosphorus solids removal filter 5
Work can be done safely. Also, to the abatement tower 106
Is the waste gas from which the phosphorus has been solidified and removed in this way.
Exchange of the abatement agent in the abatement tower 106
And various other maintenance operations can be performed safely. [0022] According to the present invention, the trap device
Solidify the phosphorus in the exhaust gas and wrap it in oil
Take up and filter phosphorus solids with oil using a filter device
Remove it while it is wrapped and remove any oil from the filter device.
Again in the trap device as phosphorus collection oil
Used in semiconductor manufacturing equipment.
Highly efficient and reliable phosphorus with various solidification risks
From the exhaust gas in a safe condition with little risk of spontaneous ignition
can do. In this case, the phosphorus in the exhaust gas is oil
Rapidly cooled and solidified, and wrapped in oil
In a solid state, that is, solidified phosphorus is wrapped in oil.
It is rarely removed by a filter device in a state where it is difficult to ignite spontaneously.
Therefore, cleaning work of the filter device can be performed safely.
Wear. In addition, phosphorus is solidified in the abatement tower in this way.
The exhaust gas that has been removed is sent to the abatement tower.
It is possible to safely perform various maintenance work such as changing
it can.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明によるりんトラップ装置の実施の形態の
一例を示す構成図。 【符号の説明】 1 りんトラップ装置 2 トラップ装置 3 送給ポンプ 4 油路 5 りん固形物除去フィルタ 6 熱交換器 21 処理チャンバ 22 オイル分散装置 23 オイル溜め 24 充填材 25 デミスタ 100 化合物半導体製造装置 101 反応炉 102 排気系真空ポンプ 103 排気パイプ 104 排管 105 最終のミストセパレーター 106 除害塔
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a configuration diagram showing an example of an embodiment of a phosphorus trap device according to the present invention. [Description of Signs] 1 Phosphorus trap device 2 Trap device 3 Feed pump 4 Oil passage 5 Phosphorus solids removal filter 6 Heat exchanger 21 Processing chamber 22 Oil dispersion device 23 Oil reservoir 24 Filler 25 Demister 100 Compound semiconductor manufacturing device 101 Reactor 102 Exhaust system vacuum pump 103 Exhaust pipe 104 Exhaust tube 105 Final mist separator 106 Detoxification tower

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長田 剛規 千葉県市原市姉崎海岸5番1号 住友化学 工業株式会社内 Fターム(参考) 4D002 AA27 AC10 BA13 BA14 BA16 CA01 DA56 EA13 EA14 FA01 GA03 GB11 4D064 AA23 BM34 BM40 5F045 AA03 AA04 AB10 AB17 AC01 EG09    ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page    (72) Inventor Takenori Nagata             5-1 Anesaki Beach, Ichihara-shi, Chiba Sumitomo Chemical             Industrial Co., Ltd. F-term (reference) 4D002 AA27 AC10 BA13 BA14 BA16                       CA01 DA56 EA13 EA14 FA01                       GA03 GB11                 4D064 AA23 BM34 BM40                 5F045 AA03 AA04 AB10 AB17 AC01                       EG09

Claims (1)

【特許請求の範囲】 【請求項1】 排ガス系内で固化付着することがない状
態でりんが含まれている半導体製造装置からの排ガス中
からりんを安全に除去するための半導体製造装置用りん
トラップ装置であって、 前記排ガスを前記りんの析出温度以下に温度制御された
オイルと気液接触させて急冷し、これにより析出したり
ん固形物を前記オイル内にトラップするためのトラップ
装置と、 該トラップ装置において得られた前記りん固形物がトラ
ップされているオイル中から前記りん固形物を除去する
ためのフィルタ装置とを備え、該フィルタ装置からの前
記りん固形物除去後のオイルを前記トラップ装置にりん
除去のために再び供給するようにしたことを特徴とする
半導体製造装置用りんトラップ装置。
Claims: 1. A phosphorus for a semiconductor manufacturing apparatus for safely removing phosphorus from an exhaust gas from a semiconductor manufacturing apparatus containing phosphorus without solidifying and adhering in an exhaust gas system. A trap device, wherein the exhaust gas is brought into gas-liquid contact with an oil whose temperature is controlled to be equal to or lower than the phosphorus deposition temperature, rapidly cooled, and a trap device for trapping phosphorus solids precipitated thereby in the oil, A filter device for removing the phosphorus solids from the oil in which the phosphorus solids obtained in the trap device are trapped, and the trapping device removes the oil after removing the phosphorus solids from the filter device. A phosphorus trap device for a semiconductor manufacturing device, wherein the device is supplied again for removing phosphorus to the device.
JP2001337819A 2001-11-02 2001-11-02 Phosphorus trapping apparatus for semiconductor manufacturing apparatus Pending JP2003135926A (en)

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