JP2003133158A - Electronic component, terminal electrode material paste, and method for manufacturing electronic component - Google Patents
Electronic component, terminal electrode material paste, and method for manufacturing electronic componentInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品、端子電
極材料ペースト及び電子部品の製造方法に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to an electronic component, a terminal electrode material paste, and a method for manufacturing an electronic component.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば、セラミックコンデンサ等各種の
電子部品は、セラミック素体に回路要素が構成され、回
路要素の引出し電極、外部電極となる端子電極がセラミ
ック素体に焼付けられて形成されている。セラミック素
体に対する端子電極の端子接着強度が不足すると端子電
極がセラミック素体から剥がれるという問題が生ずるの
で、端子電極には端子接着強度が必要である。2. Description of the Related Art For example, various electronic parts such as ceramic capacitors are formed by forming circuit elements on a ceramic element body and baking lead-out electrodes of the circuit elements and terminal electrodes to be external electrodes on the ceramic element body. . If the terminal adhesion strength of the terminal electrode to the ceramic body is insufficient, the terminal electrode may be peeled off from the ceramic body, and therefore the terminal electrode needs to have terminal adhesion strength.
【０００３】また、端子電極の緻密性が不足した場合に
は、端子電極に空隙が生じ、端子電極を形成した後のめ
っき工程において、空隙にめっき液が侵入し、はんだ付
けの際に端子電極が破壊するという問題が生ずる。ま
た、めっき液が空隙を通って、セラミックコンデンサの
内部電極にまで到達し、セラミックコンデンサの電気特
性が劣化し易く、製品歩留まりの悪化を招くという問題
も生ずる。そのため、セラミックコンデンサの端子電極
には緻密性も要求される。Further, when the density of the terminal electrode is insufficient, a void is created in the terminal electrode, and the plating solution enters the void in the plating step after the terminal electrode is formed, so that the terminal electrode is applied during soldering. There is a problem of destruction. In addition, the plating solution reaches the internal electrodes of the ceramic capacitor through the voids, and the electrical characteristics of the ceramic capacitor are likely to deteriorate, which causes a problem that the product yield is deteriorated. Therefore, the terminal electrode of the ceramic capacitor is also required to be dense.
【０００４】端子接着強度と緻密性を改善する手段とし
て、米国特許第３９２２３８７号明細書においては、端
子電極を７５０〜９５０℃という高温で焼付けて形成す
る技術を開示している。As a means for improving the terminal adhesive strength and the denseness, US Pat. No. 3,922,387 discloses a technique for forming a terminal electrode by baking at a high temperature of 750 to 950.degree.
【０００５】しかし、端子電極を高温で焼付けて形成し
た場合には、はんだ付け時などに加える熱や、セラミッ
クコンデンサを実装した回路基板の反りや曲げなどによ
り、セラミック素体にクラックが生じ易くなるという問
題が生ずる。However, when the terminal electrodes are formed by baking at a high temperature, cracks are likely to occur in the ceramic body due to heat applied during soldering or warping or bending of the circuit board on which the ceramic capacitors are mounted. The problem arises.
【０００６】しかも、端子電極を７５０〜９５０℃とい
う高温で焼付けて形成する必要があるため、エネルギー
コスト高を招くという問題点も生ずる。In addition, since the terminal electrode needs to be formed by baking at a high temperature of 750 to 950 ° C., there arises a problem that energy cost is increased.
【０００７】端子電極を高温で焼付けることから生ずる
問題点を改善する手段として、例えば、特開平８−１８
６０４９号公報は、低融点ガラス成分を含む端子電極材
料ペーストを用いて比較的低温で焼付けを行う技術を開
示している。特開平８−１８６０４９号公報に開示され
た技術を用いて実験をしたところ、銅端子電極を６５０
〜７８０℃という比較的低温で焼付けることができた。
しかし、この比較的低温で焼付けて形成された端子電極
は、燒結密度が６０〜７０％となり、緻密性が十分でな
い。As a means for improving the problems caused by baking the terminal electrodes at high temperature, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 8-18.
Japanese Patent No. 6049 discloses a technique of baking at a relatively low temperature using a terminal electrode material paste containing a low melting point glass component. When an experiment was conducted using the technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-186049, the copper terminal electrode was 650
It could be baked at a relatively low temperature of ˜780 ° C.
However, the terminal electrode formed by baking at a relatively low temperature has a sintering density of 60 to 70% and is not sufficiently dense.
【０００８】また、特開平８−１８６０４９号公報に開
示された技術を用いた場合でも、低温、例えば５００℃
以下での焼付けは不可能であった。例えば、Ｐ2Ｏ5系ガ
ラスを含む銅端子電極を５００℃で焼付けた場合は、端
子が剥がれ、端子接着強度の測定ができなかった。Even when the technique disclosed in JP-A-8-186049 is used, the temperature is low, for example, 500 ° C.
The following baking was impossible. For example, when a copper terminal electrode containing P 2 O 5 based glass was baked at 500 ° C., the terminal was peeled off and the terminal adhesive strength could not be measured.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、十分
な端子接着強度を持つ電子部品、この電子部品の製造に
直接用いられる端子電極材料ペースト、及び、この電子
部品の製造に適した製造方法を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an electronic component having a sufficient terminal adhesive strength, a terminal electrode material paste used directly in the production of this electronic component, and a production suitable for the production of this electronic component. Is to provide a method.
【００１０】本発明のもう一つの課題は、緻密な端子電
極を持つ電子部品、この電子部品の製造に直接用いられ
る端子電極材料ペースト、及び、この電子部品の製造に
適した製造方法を提供することである。Another object of the present invention is to provide an electronic component having a dense terminal electrode, a terminal electrode material paste used directly in the production of this electronic component, and a production method suitable for the production of this electronic component. That is.
【００１１】本発明の更にもう一つの課題は、低温で焼
付けることにより緻密な端子電極を形成できる端子電極
材料ペーストを提供することである。Yet another object of the present invention is to provide a terminal electrode material paste capable of forming a dense terminal electrode by baking at a low temperature.
【００１２】本発明の更にもう一つの課題は、低温で焼
付けられた緻密な端子電極を持つ電子部品の製造方法を
提供することである。Yet another object of the present invention is to provide a method of manufacturing an electronic component having a dense terminal electrode baked at a low temperature.
【００１３】本発明の更にもう一つの課題は、端子電極
にめっきを施した場合における製品歩留まりの向上を実
現することができる電子部品、この電子部品の製造に直
接用いられる端子電極材料ペースト、及び、この電子部
品の製造に適した製造方法を提供することである。Yet another object of the present invention is to provide an electronic component capable of improving the product yield when the terminal electrode is plated, a terminal electrode material paste used directly in the production of this electronic component, and It is to provide a manufacturing method suitable for manufacturing this electronic component.
【００１４】本発明の更にもう一つの課題は、エネルギ
ーコストの低減を実現することができる電子部品、この
電子部品の製造に直接用いられる端子電極材料ペース
ト、及び、この電子部品の製造に適した製造方法を提供
することである。Yet another object of the present invention is to provide an electronic component capable of realizing a reduction in energy cost, a terminal electrode material paste used directly in the production of this electronic component, and a method suitable for the production of this electronic component. It is to provide a manufacturing method.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明に係る電子部品は、セラミック素体と、端
子電極とを含む。端子電極は、セラミック素体に焼付け
られた電極であり、第１の金属成分と、第２の金属成分
と、ガラス成分とを含む。第１の金属成分は、融点が第
２の金属成分の融点よりも低い。ガラス成分は、軟化点
が第２の金属成分の融点よりも低い。In order to solve the above problems, an electronic component according to the present invention includes a ceramic body and a terminal electrode. The terminal electrode is an electrode baked on a ceramic body and includes a first metal component, a second metal component, and a glass component. The melting point of the first metal component is lower than the melting point of the second metal component. The softening point of the glass component is lower than the melting point of the second metal component.
【００１６】上述した電子部品の製造に当たっては、端
子電極の焼付け温度を、第１の金属成分の融点よりも高
く、かつ、第２の金属成分の融点よりも低く、かつ、ガ
ラス成分の軟化点よりも高くする。In manufacturing the above-mentioned electronic component, the baking temperature of the terminal electrode is higher than the melting point of the first metal component and lower than the melting point of the second metal component, and the softening point of the glass component. Higher than.
【００１７】本発明に係る電子部品において、第２の金
属成分は、融点が焼付け温度よりも高いから、溶融しな
い。第１の金属成分は、融点が焼付け温度よりも低いか
ら溶融し、第２の金属成分の周囲を覆い、拡散により合
金化が進み、均一な組成になる。ガラス成分は、軟化点
が焼付け温度よりも低いから溶融し、セラミック素体と
合金とに結合し、ガラス素体と端子電極とを確実に結合
する。In the electronic component according to the present invention, the second metal component does not melt because its melting point is higher than the baking temperature. Since the melting point of the first metal component is lower than the baking temperature, the first metal component melts, covers the periphery of the second metal component, and is alloyed by diffusion to form a uniform composition. Since the softening point of the glass component is lower than the baking temperature, the glass component is melted and bonded to the ceramic body and the alloy, so that the glass body and the terminal electrode are reliably bonded.
【００１８】ガラスの状態変化により緻密化される従来
の手法とは異なり、本発明においては、金属同士の合金
化により端子電極が緻密化される。このため、端子電極
がより緻密な構造となり、端子電極にめっきを施した場
合における製品歩留まりが向上する。In the present invention, the terminal electrode is densified by alloying the metals, unlike the conventional method of densifying by changing the state of glass. Therefore, the terminal electrode has a more precise structure, and the product yield when the terminal electrode is plated is improved.
【００１９】また、第１の金属成分と第２の金属成分と
の合金の融点（以下合金化融点と称する）は、第１の金
属成分の融点よりも高くなる。このため、当該電子部品
を、部品実装基板に実装する際に採用されるリフロー工
程において、端子接着強度が低下することがなく、緻密
性が低下することもない。The melting point of the alloy of the first metal component and the second metal component (hereinafter referred to as the alloying melting point) is higher than the melting point of the first metal component. Therefore, in the reflow process adopted when mounting the electronic component on the component mounting board, the terminal adhesive strength does not decrease and the denseness does not decrease.
【００２０】しかも、端子電極材料ペーストを低温で焼
付けることができる。このため、エネルギーコストが低
減される。Moreover, the terminal electrode material paste can be baked at a low temperature. Therefore, the energy cost is reduced.
【００２１】第１の金属成分と、第２の金属成分との組
み合わせ、及び、組成比等は、第１の金属成分と第２の
金属成分の組み合わせ毎に、既に知られた状態図を参照
して、適切に選択することができる。For the combination of the first metal component and the second metal component, the composition ratio, etc., refer to the already known state diagram for each combination of the first metal component and the second metal component. Then, it can be appropriately selected.
【００２２】本発明は、更に、上述した電子部品の製造
に直接用いられる端子電極材料ペースト、及び、電子部
品の製造方法についても開示する。The present invention further discloses a terminal electrode material paste directly used for manufacturing the above-mentioned electronic component, and a method for manufacturing the electronic component.
【００２３】[0023]
【発明の実施の形態】図１は本発明に係る電子部品の一
実施例を示す正面図であり、図２は、図１に示した電子
部品の正面断面図である。図１及び図２に図示された電
子部品は、セラミック素体１と、一対の端子電極２、３
とを含む。セラミック素体１は、誘電体、磁性体、絶縁
体などのセラミック材料を含み、回路要素が構成されて
いる。本実施例に示した電子部品は、チップ状のセラミ
ックコンデンサであり、セラミック素体１は、セラミッ
ク誘電体基体１００の内部に多数（例えば１００層）の
内部電極１０１、１０２を有する。1 is a front view showing an embodiment of an electronic component according to the present invention, and FIG. 2 is a front sectional view of the electronic component shown in FIG. The electronic component shown in FIGS. 1 and 2 includes a ceramic body 1 and a pair of terminal electrodes 2, 3
Including and The ceramic body 1 includes a ceramic material such as a dielectric material, a magnetic material, or an insulator, and constitutes a circuit element. The electronic component shown in this embodiment is a chip-shaped ceramic capacitor, and the ceramic body 1 has a large number (for example, 100 layers) of internal electrodes 101 and 102 inside a ceramic dielectric substrate 100.
【００２４】内部電極１０１は一端がセラミック素体１
の長さ方向において相対する両側端面１１、１２の一方
側端面１１に引き出され、他端が自由端になっている。
内部電極１０２は一端がセラミック素体１の他方側端面
１２に引き出され、他端が自由端になっている。One end of the internal electrode 101 has a ceramic body 1.
Is drawn out to one side end surface 11 of both side end surfaces 11 and 12 which face each other in the length direction, and the other end is a free end.
One end of the internal electrode 102 is drawn out to the other end face 12 of the ceramic body 1, and the other end is a free end.
【００２５】セラミック誘電体基体１００及び内部電極
１０１、１０２の構成材料およびその製造方法等は周知
である。典型的な例では、セラミック素体１は、鉛系複
合ペロブスカイトのセラミック誘電体基体１００の内部
にＡｇーＰｄよりなる内部電極１０１、１０２を有す
る。The constituent materials of the ceramic dielectric substrate 100 and the internal electrodes 101 and 102, the manufacturing method thereof and the like are well known. In a typical example, the ceramic body 1 has internal electrodes 101 and 102 made of Ag—Pd inside a ceramic dielectric substrate 100 of lead-based composite perovskite.
【００２６】端子電極２、３は、セラミック素体１の側
端面１１、１２に焼付けられた電極であり、第１の金属
成分と、第２の金属成分と、ガラス成分とを含む。第１
の金属成分は、融点が第２の金属成分の融点よりも低
い。ガラス成分は、軟化点が第２の金属成分の融点より
も低く、セラミック素体１と第１の金属成分と第２の金
属成分とに結合されている。The terminal electrodes 2 and 3 are electrodes baked on the side end faces 11 and 12 of the ceramic body 1, and include a first metal component, a second metal component, and a glass component. First
The melting point of the metal component is lower than that of the second metal component. The glass component has a softening point lower than the melting point of the second metal component, and is bonded to the ceramic body 1, the first metal component, and the second metal component.
【００２７】第１の金属成分としては、Ｓｎ、またはＳ
ｎを含む合金（Ｓｎ−３．５Ａｇ、Ｓｎ−０．７Ｃｕ、
Ｓｎ−５１Ｉｎ、Ｓｎ−５８Ｂｉ、Ｓｎ−５Ｓｂ、Ｓｎ
−１０Ｓｂ、Ｓｎ−１０ＡｕまたはＳｎ−９Ｚｎから選
択された少なくとも一種）を用いることが好ましいが、
これら組成に限定されるものではない。As the first metal component, Sn or S
Alloys containing n (Sn-3.5Ag, Sn-0.7Cu,
Sn-51In, Sn-58Bi, Sn-5Sb, Sn
It is preferable to use at least one selected from −10Sb, Sn-10Au, and Sn-9Zn),
The composition is not limited to these.
【００２８】第２の金属成分としては、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓ
ｂ、Ａｕ、ＮｉまたはＺｎから選択された少なくとも一
種を用いることができる。ガラス成分としては、Ｐ2Ｏ5
系、Ｂｉ2Ｏ3系、ＺｎＯ系またはＴｌ2Ｏ3系ガラスを用
いることができる。As the second metal component, Ag, Cu, S
At least one selected from b, Au, Ni or Zn can be used. As the glass component, P 2 O 5
A system, Bi 2 O 3 system, ZnO system or Tl 2 O 3 system glass can be used.
【００２９】上述した電子部品の製造に当っては、ま
ず、端子電極材料ペーストを用意する。端子電極材料ペ
ーストは、第１の金属成分と、第２の金属成分と、ガラ
ス成分とを含む。更に具体的には、端子電極材料ペース
トにおいては、第１の金属成分、第２の金属成分及びガ
ラス成分は粉状であり、これらは、有機結合材及び有機
溶剤と混合され、ペースト化されている。In manufacturing the above-mentioned electronic component, first, a terminal electrode material paste is prepared. The terminal electrode material paste contains a first metal component, a second metal component, and a glass component. More specifically, in the terminal electrode material paste, the first metal component, the second metal component and the glass component are powdery, and these are mixed with an organic binder and an organic solvent to form a paste. There is.
【００３０】次に、端子電極材料ペーストをセラミック
素体１に塗布し、端子電極材料ペーストをセラミック素
体１に焼付け、端子電極２、３を形成する。この焼付け
に当たっては、焼付け温度を、第１の金属成分の融点よ
りも高く、かつ、第２の金属成分の融点よりも低く、か
つ、ガラス成分の軟化点よりも高くする。そして、必要
に応じて、端子電極２、３にめっきを施す。Next, the terminal electrode material paste is applied to the ceramic body 1, and the terminal electrode material paste is baked on the ceramic body 1 to form the terminal electrodes 2 and 3. In this baking, the baking temperature is higher than the melting point of the first metal component, lower than the melting point of the second metal component, and higher than the softening point of the glass component. Then, if necessary, the terminal electrodes 2 and 3 are plated.
【００３１】上述したように、本発明に係る電子部品に
おいて、第２の金属成分は、融点が焼付け温度よりも高
いから、溶融しない。第１の金属成分は、融点が焼付け
温度よりも低いから溶融し、第２の金属成分の周囲を覆
い、拡散により合金化が進み、均一な組成になる。ガラ
ス成分は、軟化点が焼付け温度よりも低いから溶融し、
セラミック素体１と合金とに結合し、セラミック素体１
と端子電極２、３とを確実に結合する。As described above, in the electronic component according to the present invention, the second metal component does not melt because its melting point is higher than the baking temperature. Since the melting point of the first metal component is lower than the baking temperature, the first metal component melts, covers the periphery of the second metal component, and is alloyed by diffusion to form a uniform composition. The glass component melts because its softening point is lower than the baking temperature,
The ceramic body 1 and the alloy are combined to form a ceramic body 1.
And the terminal electrodes 2 and 3 are reliably coupled.
【００３２】ここで、ガラスの状態変化により緻密化さ
れる従来の手法とは異なり、本発明においては、端子電
極２、３が金属同士の合金化により緻密化される。この
ため、端子電極２、３がより緻密な構造となり、端子電
極２、３にめっきを施した場合における製品歩留まりが
向上する。In the present invention, the terminal electrodes 2 and 3 are densified by alloying the metals, unlike the conventional method of densifying by changing the state of the glass. Therefore, the terminal electrodes 2 and 3 have a more dense structure, and the product yield when the terminal electrodes 2 and 3 are plated is improved.
【００３３】また、第１の金属成分と第２の金属成分と
の合金の融点は、第１の金属成分の融点よりも高くな
る。このため、当該電子部品を、部品実装基板に実装す
る際に採用されるリフロー工程において、端子接着強度
が低下することがなく、緻密性が低下することもない。The melting point of the alloy of the first metal component and the second metal component is higher than the melting point of the first metal component. Therefore, in the reflow process adopted when mounting the electronic component on the component mounting board, the terminal adhesive strength does not decrease and the denseness does not decrease.
【００３４】しかも、第１の金属成分が低融点の金属で
あるので、端子電極材料ペーストを低温で焼付けること
ができる。このため、エネルギーコストが低減される。Moreover, since the first metal component is a metal having a low melting point, the terminal electrode material paste can be baked at a low temperature. Therefore, the energy cost is reduced.
【００３５】また、ガラス成分を確実に軟化させ、セラ
ミック素体１と端子電極２、３とを確実に結合させるた
めに、合金化融点をガラス成分の軟化点よりも大幅に高
くすることもできる。Further, in order to surely soften the glass component and surely bond the ceramic body 1 and the terminal electrodes 2 and 3, the alloying melting point can be made significantly higher than the softening point of the glass component. .
【００３６】次に、端子電極材料ペーストの焼付けに当
り、焼付け温度を５００℃とし、第１の金属成分として
Ｓｎ、第２の金属成分としてＡｇ、ガラス成分としてＰ
2Ｏ5系ガラスを選択した場合を例にとって具体的に説明
する。Next, when baking the terminal electrode material paste, the baking temperature is set to 500 ° C., Sn as the first metal component, Ag as the second metal component, and P as the glass component.
A specific description will be made by taking a case where 2 O 5 based glass is selected as an example.
【００３７】図３は理化学辞典等から援用したＡｇーＳ
ｎの状態図である。図３において、網掛けをした領域が
固相領域、固相領域に隣接する領域が固相及び液相の混
ざった領域、この領域に接する領域が液相（溶融領域）
である。第１の金属成分Ｓｎの割合が１００ｗｔ％、即
ち、Ｓｎのみの場合は、その融点２３２℃で溶融する。
第２の金属成分Ａｇの割合が１００ｗｔ％の場合、即
ち、Ａｇのみの場合は、その融点９６０．５℃で溶融す
る。FIG. 3 shows Ag-S, which is incorporated from the dictionary of physics and chemistry.
It is a state diagram of n. In FIG. 3, a shaded area is a solid phase area, an area adjacent to the solid phase area is a mixed area of solid phase and liquid phase, and an area in contact with this area is a liquid phase (melting area).
Is. When the ratio of the first metal component Sn is 100 wt%, that is, when only Sn is contained, it melts at the melting point of 232 ° C.
When the proportion of the second metal component Ag is 100 wt%, that is, when only Ag is contained, the melting point is 960.5 ° C. and melting is performed.
【００３８】５００℃で端子電極材料ペーストの焼付け
を行うに当り、第１の金属成分Ｓｎ及び第２の金属成分
Ａｇの２成分系端子電極２、３が、液相及び固相の混じ
った相となるように、第１の金属成分Ｓｎ及び第２の金
属成分Ａｇの割合を選択する。そのような割合の範囲
は、図３の状態図において、第１の金属成分Ｓｎの割合
が５ｗｔ％〜２６ｗｔ％以下となる範囲である。第１の
金属成分Ｓｎの割合が２６ｗｔ％より多くなると、第２
の金属成分Ａｇが少ないために、２２１℃の固相線をも
つ金属となる。When baking the terminal electrode material paste at 500 ° C., the two-component terminal electrodes 2 and 3 of the first metal component Sn and the second metal component Ag are mixed in a liquid phase and a solid phase. The ratio of the first metal component Sn and the second metal component Ag is selected so that The range of such a ratio is a range in which the ratio of the first metal component Sn is 5 wt% to 26 wt% or less in the state diagram of FIG. When the proportion of the first metal component Sn exceeds 26 wt%, the second metal
Since the metal component Ag is less, the metal has a solidus line of 221 ° C.
【００３９】本実施例にかかる電子部品の製造に当たっ
ては、まず、上記割合の第１の金属成分Ｓｎの粉末と、
第２の金属成分Ａｇの粉末と、ガラス成分Ｐ2Ｏ5系ガラ
スの粉末とを有機結合剤及び有機溶剤に混合して、ペー
スト状の端子電極材料ペーストを調整する。この端子電
極材料ペーストは、第１の金属成分Ｓｎの粒子と第２の
金属成分Ａｇの粒子とが混在している。In the manufacture of the electronic component according to this embodiment, first, the powder of the first metal component Sn in the above ratio and
The powder of the second metal component Ag and the powder of the glass component P 2 O 5 based glass are mixed with an organic binder and an organic solvent to prepare a paste of terminal electrode material paste. In this terminal electrode material paste, particles of the first metal component Sn and particles of the second metal component Ag are mixed.
【００４０】端子電極材料ペーストとしては、２０Ｓｎ
−８０Ａｇに対して、Ｐ2Ｏ5系ガラスを５％程度添加す
ることが好ましい。The terminal electrode material paste is 20Sn.
It is preferable to add about 5% of P 2 O 5 based glass to −80 Ag.
【００４１】次に、端子電極材料ペーストをセラミック
素体１に塗布し、端子電極材料ペーストをセラミック素
体１に焼付け、端子電極２、３を形成する。この焼付け
に当たっては、焼付け温度を５００℃、即ち、第１の金
属成分の融点よりも高く、かつ、第２の金属成分の融点
よりも低く、かつ、ガラス成分の軟化点よりも高い温度
にする。そして、最後に、端子電極２、３にめっきを施
す。Next, the terminal electrode material paste is applied to the ceramic body 1, and the terminal electrode material paste is baked on the ceramic body 1 to form the terminal electrodes 2 and 3. In this baking, the baking temperature is set to 500 ° C., that is, higher than the melting point of the first metal component and lower than the melting point of the second metal component and higher than the softening point of the glass component. . And finally, the terminal electrodes 2 and 3 are plated.
【００４２】このようにして構成された電子部品は、端
子接着強度が約２．７ｋｇ、めっき後のＩＲ不良率が０
％であった。The electronic component thus constructed has a terminal adhesion strength of about 2.7 kg and an IR defect rate of 0 after plating.
%Met.
【００４３】端子電極材料ペーストの焼付け温度、及
び、第１の金属成分の融点に対応した第１の金属成分と
第２の金属成分との組み合わせ、混合割合は、これらの
金属成分について、既に周知である状態図を参照して定
めることができる。例えば、第１の金属成分をＮｉ、第
２の金属成分をＳｎ、ガラス成分をＰ2Ｏ5系ガラスと
し、３０Ｎｉ−７０Ｓｎに対して、Ｐ2Ｏ5系ガラスを５
％程度添加しても、上記実施例と同様の結果が得られ、
端子接着強度が約２．９ｋｇ、めっき後のＩＲ不良率が
０％となる。The baking temperature of the terminal electrode material paste and the combination and mixing ratio of the first metal component and the second metal component corresponding to the melting point of the first metal component are already known for these metal components. Can be defined with reference to the state diagram. For example, the first metal component is Ni, the second metal component is Sn, and the glass component is P 2 O 5 -based glass. For 30Ni-70Sn, 5 P 2 O 5 -based glass is used.
%, The same result as in the above example can be obtained.
The terminal adhesive strength is about 2.9 kg, and the IR defect rate after plating is 0%.
【００４４】本発明に係る電子部品の端子電極、端子電
極材料ペーストは、上述した第１の金属成分、第２の成
分及びガラス成分に加えて、更に、第３の金属成分を含
んでいてもよい。前記第３の金属成分は、微量添加物で
あって、Ｐ、Ｓｉ、ＧｅまたはＧａから選択された少な
くとも一種を含むことが望ましい。端子電極材料ペース
トに第３の金属成分を添加した場合には、多元系合金と
なるので拡散速度が大きくなり、合金が均一化しやすく
なる。The terminal electrode of the electronic component and the terminal electrode material paste according to the present invention may further contain a third metal component in addition to the above-mentioned first metal component, second component and glass component. Good. It is desirable that the third metal component is a trace additive and contains at least one selected from P, Si, Ge, and Ga. When the third metal component is added to the terminal electrode material paste, it becomes a multi-component alloy, the diffusion rate is increased, and the alloy is easily homogenized.
【００４５】また、本発明に係る電子部品の端子電極
は、セラミック素体の側端面に限らず、セラミック素体
の上面、底面等に設けてもよい。また、セラミック素体
に構成される回路要素は、その内部に限らず、上面、底
面等に構成されていてもよい。そして、電子部品として
は、チップ状のセラミックコンデンサの他に、チップ状
のセラミックインダクタ、チップ状のセラミック−ハイ
ブリッドＩＣなどであってもよい。The terminal electrode of the electronic component according to the present invention is not limited to the side end surface of the ceramic body, but may be provided on the upper surface or the bottom surface of the ceramic body. Further, the circuit element formed in the ceramic body is not limited to the inside, but may be formed in the top surface, the bottom surface, or the like. The electronic component may be a chip-shaped ceramic inductor, a chip-shaped ceramic inductor, a chip-shaped ceramic-hybrid IC, or the like, in addition to the chip-shaped ceramic capacitor.
【００４６】図４は、本発明に係る電子部品の別の実施
例を示す斜視図である。図４においては、図１に現れた
構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号
を付してある。FIG. 4 is a perspective view showing another embodiment of the electronic component according to the present invention. In FIG. 4, the same components as those shown in FIG. 1 are designated by the same reference numerals.
【００４７】図４に図示された電子部品は、セラミック
素体４と、複数の端子電極５１、５２、５３、５４、５
５、５６、５７、５８とを含むチップ状のセラミック−
ハイブリッドＩＣである。セラミック素体４は、セラミ
ックからなる基体４０の内部に電子回路（図示せず）が
構成されている。The electronic component shown in FIG. 4 has a ceramic body 4 and a plurality of terminal electrodes 51, 52, 53, 54, and 5.
Chip-shaped ceramic including 5, 56, 57 and 58-
It is a hybrid IC. The ceramic body 4 has an electronic circuit (not shown) formed inside a base body 40 made of ceramic.
【００４８】端子電極５１、５２、５３、５４、５５、
５６、５７、５８は、第１の金属成分と、第２の金属成
分と、ガラス成分とを含み、焼付けにより基体４０の側
端面４１、４２、４３、４４に結合され、基体４０の内
部に構成された電子回路と電気的に接続されている図４
に示された電子部品のセラミック素体４及び端子電極５
１、５２、５３、５４、５５、５６、５７、５８は、図
１〜図３を参照して説明した電子部品と同様の構成を含
む。このため、図４に示された電子部品は、図１〜図３
を参照して説明した電子部品と同様の作用効果を奏する
ことができる。The terminal electrodes 51, 52, 53, 54, 55,
Reference numerals 56, 57 and 58 include a first metal component, a second metal component and a glass component, and are bonded to the side end faces 41, 42, 43 and 44 of the base 40 by baking, and inside the base 40. FIG. 4 electrically connected to the configured electronic circuit
The ceramic element body 4 and the terminal electrode 5 of the electronic component shown in FIG.
1, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58 include the same components as the electronic components described with reference to FIGS. 1 to 3. Therefore, the electronic component shown in FIG.
The same effects as those of the electronic component described with reference to can be obtained.
【００４９】[0049]
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。
（ａ）十分な端子接着強度を持つ電子部品、この電子部
品の製造に直接用いられる端子電極材料ペースト、及
び、この電子部品の製造に適した製造方法を提供するこ
とができる。
（ｂ）緻密な端子電極を持つ電子部品、この電子部品の
製造に直接用いられる端子電極材料ペースト、及び、こ
の電子部品の製造に適した製造方法を提供することがで
きる。
（ｃ）低温で焼付けても緻密な端子電極を形成できる端
子電極材料ペーストを提供することができる。
（ｄ）低温で焼付けられた緻密な端子電極を持つ電子部
品の製造方法を提供することができる。
（ｅ）端子電極にめっきを施した場合における製品歩留
まりの向上を実現することができる電子部品、この電子
部品の製造に直接用いられる端子電極材料ペースト、及
び、この電子部品の製造に適した製造方法を提供するこ
とができる。
（ｆ）エネルギーコストの低減を実現することができる
電子部品、この電子部品の製造に直接用いられる端子電
極材料ペースト、及び、この電子部品の製造に適した製
造方法を提供することができる。As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained. (A) It is possible to provide an electronic component having sufficient terminal adhesive strength, a terminal electrode material paste used directly for manufacturing the electronic component, and a manufacturing method suitable for manufacturing the electronic component. (B) It is possible to provide an electronic component having a dense terminal electrode, a terminal electrode material paste used directly for manufacturing the electronic component, and a manufacturing method suitable for manufacturing the electronic component. (C) A terminal electrode material paste capable of forming a dense terminal electrode even when baked at a low temperature can be provided. (D) It is possible to provide a method for manufacturing an electronic component having a dense terminal electrode baked at a low temperature. (E) An electronic component capable of improving the product yield when the terminal electrode is plated, a terminal electrode material paste used directly in the production of this electronic component, and a production suitable for the production of this electronic component A method can be provided. (F) It is possible to provide an electronic component that can realize reduction in energy cost, a terminal electrode material paste used directly for manufacturing the electronic component, and a manufacturing method suitable for manufacturing the electronic component.
【図１】本発明に係る電子部品の一実施例を示す正面図
である。FIG. 1 is a front view showing an embodiment of an electronic component according to the present invention.
【図２】図１に示した電子部品の正面断面図である。FIG. 2 is a front sectional view of the electronic component shown in FIG.
【図３】ＡｇーＳｎの状態図である。FIG. 3 is a state diagram of Ag—Sn.
【図４】本発明に係る電子部品の別の実施例を示す斜視
図である。FIG. 4 is a perspective view showing another embodiment of the electronic component according to the present invention.
１ セラミック素体 １００ セラミック誘電体基体 １０１、１０２ 内部電極 ２、３ 端子電極 1 Ceramic body 100 ceramic dielectric substrate 101, 102 internal electrodes 2-3 terminal electrodes
Claims (16)
子部品であって、 前記端子電極は前記セラミック素体に焼付けられた電極
であり、第１の金属成分と、第２の金属成分と、ガラス
成分とを含み、 前記第１の金属成分は、融点が前記第２の金属成分の融
点よりも低く、 前記ガラス成分は、軟化点が前記第２の金属成分の融点
よりも低い電子部品。1. An electronic component including a ceramic body and a terminal electrode, wherein the terminal electrode is an electrode baked on the ceramic body, and a first metal component and a second metal component. And a glass component, the first metal component has a melting point lower than the melting point of the second metal component, and the glass component has a softening point lower than the melting point of the second metal component .
て、 前記第１の金属成分は、融点が前記端子電極の焼付け時
の温度よりも低く、 前記第２の金属成分は、融点が前記端子電極の焼付け時
の温度よりも高く、 前記ガラス成分は、軟化点が前記端子電極の焼付け時の
温度よりも低い電子部品。2. The electronic component according to claim 1, wherein the melting point of the first metal component is lower than a temperature at which the terminal electrode is baked, and the second metal component has a melting point of An electronic component that has a softening point higher than the temperature of the terminal electrode during baking and a softening point of the glass component that is lower than the temperature of the terminal electrode during baking.
あって、 前記第１の金属成分と前記第２の金属成分とが合金化さ
れている電子部品。3. The electronic component according to claim 1 or 2, wherein the first metal component and the second metal component are alloyed with each other.
電子部品であって、前記第１の金属成分と前記第２の金
属成分との合金の融点が、前記ガラス成分の軟化点より
も高い電子部品。4. The electronic component according to claim 1, wherein the melting point of the alloy of the first metal component and the second metal component is from the softening point of the glass component. Also expensive electronic components.
電子部品であって、 前記第１の金属成分は、Ｓｎ、またはＳｎを含む合金
（Ｓｎ−３．５Ａｇ、Ｓｎ−０．７Ｃｕ、Ｓｎ−５１Ｉ
ｎ、Ｓｎ−５８Ｂｉ、Ｓｎ−５Ｓｂ、Ｓｎ−１０Ｓｂ、
Ｓｎ−１０ＡｕまたはＳｎ−９Ｚｎから選択された少な
くとも一種）を含み、 前記第２の金属成分は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｂ、Ａｕ、Ｎｉ
またはＺｎから選択された少なくとも一種を含む電子部
品。5. The electronic component according to claim 1, wherein the first metal component is Sn or an alloy containing Sn (Sn-3.5Ag, Sn-0.7Cu). , Sn-51I
n, Sn-58Bi, Sn-5Sb, Sn-10Sb,
Sn-10Au or at least one selected from Sn-9Zn), and the second metal component is Ag, Cu, Sb, Au, Ni.
Alternatively, an electronic component including at least one selected from Zn.
電子部品であって、 前記ガラス成分は、Ｐ2Ｏ5系、Ｂｉ2Ｏ3系、ＺｎＯ系ま
たはＴｌ2Ｏ3系ガラスである電子部品。6. The electronic component according to claim 1, wherein the glass component is P 2 O 5 based, Bi 2 O 3 based, ZnO based or Tl 2 O 3 based glass. An electronic component.
電子部品であって、更に、第３の金属成分を含み、前記
第３の金属成分は、微量添加物であって、Ｐ、Ｓｉ、Ｇ
ｅまたはＧａから選択された少なくとも一種を含む電子
部品。7. The electronic component according to claim 1, further comprising a third metal component, wherein the third metal component is a trace additive, P, Si, G
An electronic component including at least one selected from e or Ga.
ガラス成分とを含む端子電極材料ペーストであって、 前記第１の金属成分は、融点が焼付け時の温度よりも低
く、 前記第２の金属成分は、融点が焼付け時の温度よりも高
く、 前記ガラス成分は、軟化点が焼付け時の温度よりも低い
端子電極材料ペースト。8. A first metal component and a second metal component,
A terminal electrode material paste containing a glass component, wherein the first metal component has a melting point lower than the temperature during baking, and the second metal component has a melting point higher than the temperature during baking, The glass component is a terminal electrode material paste whose softening point is lower than the baking temperature.
ストであって、 前記第１の金属成分及び前記第２の金属成分及び前記ガ
ラス成分は粉状であり、有機結合材と混合されている端
子電極材料ペースト。9. The terminal electrode material paste according to claim 8, wherein the first metal component, the second metal component and the glass component are powdery and mixed with an organic binder. Terminal electrode material paste.
材料ペーストであって、 前記第１の金属成分は、Ｓｎ、またはＳｎを含む合金
（Ｓｎ−３．５Ａｇ、Ｓｎ−０．７Ｃｕ、Ｓｎ−５１Ｉ
ｎ、Ｓｎ−５８Ｂｉ、Ｓｎ−５Ｓｂ、Ｓｎ−１０Ｓｂ、
Ｓｎ−１０ＡｕまたはＳｎ−９Ｚｎから選択された少な
くとも一種）を含み、 前記第２の金属成分は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｂ、Ａｕ、Ｎｉ
またはＺｎから選択された少なくとも一種を含む端子電
極材料ペースト。10. The terminal electrode material paste according to claim 8 or 9, wherein the first metal component is Sn or an alloy containing Sn (Sn-3.5Ag, Sn-0.7Cu, Sn-51I
n, Sn-58Bi, Sn-5Sb, Sn-10Sb,
Sn-10Au or at least one selected from Sn-9Zn), and the second metal component is Ag, Cu, Sb, Au, Ni.
Alternatively, a terminal electrode material paste containing at least one selected from Zn.
れた端子電極材料ペーストであって、前記ガラス成分
は、Ｐ2Ｏ5系、Ｂｉ2Ｏ3系、ＺｎＯ系またはＴｌ2Ｏ3系
ガラスである端子電極材料ペースト。11. The terminal electrode material paste according to claim 8, wherein the glass component is P 2 O 5 system, Bi 2 O 3 system, ZnO system or Tl 2 O 3 system. Terminal electrode material paste that is glass.
れた端子電極材料ペーストであって、 更に、第３の金属成分を含み、前記第３の金属成分は、
微量添加物であって、Ｐ、Ｓｉ、ＧｅまたはＧａから選
択された少なくとも一種を含む端子電極材料ペースト。12. The terminal electrode material paste according to claim 8, further comprising a third metal component, wherein the third metal component is
A terminal electrode material paste containing a trace amount of additive and containing at least one selected from P, Si, Ge, and Ga.
ペーストをセラミック素体に塗布し、 前記第１の金属成分の融点よりも高く、前記第２の金属
成分の融点よりも低く、前記ガラス成分の軟化点よりも
高い温度で焼付ける工程を含む電子部品の製造方法。13. A method of manufacturing an electronic component, wherein the terminal electrode material paste according to claim 8 is applied to a ceramic body, and the temperature is higher than the melting point of the first metal component. A method of manufacturing an electronic component, comprising the step of baking at a temperature lower than the melting point of the second metal component and higher than the softening point of the glass component.
造方法であって、 前記第１の金属成分は、ＳｎまたはＳｎを含む合金（Ｓ
ｎ−３．５Ａｇ、Ｓｎ−０．７Ｃｕ、Ｓｎ−５１Ｉｎ、
Ｓｎ−５８Ｂｉ、Ｓｎ−５Ｓｂ、Ｓｎ−１０Ｓｂ、Ｓｎ
−１０ＡｕまたはＳｎ−９Ｚｎから選択された少なくと
も一種）を含み、 前記第２の金属成分は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｂ、Ａｕ、Ｎｉ
またはＺｎから選択された少なくとも一種を含む電子部
品の製造方法。14. The method of manufacturing an electronic component according to claim 13, wherein the first metal component is Sn or an alloy containing Sn (S
n-3.5Ag, Sn-0.7Cu, Sn-51In,
Sn-58Bi, Sn-5Sb, Sn-10Sb, Sn
-10Au or at least one selected from Sn-9Zn), and the second metal component is Ag, Cu, Sb, Au, Ni.
Alternatively, a method for manufacturing an electronic component containing at least one selected from Zn.
部品の製造方法であって、前記ガラス成分は、Ｐ2Ｏ
5系、Ｂｉ2Ｏ3系、ＺｎＯ系またはＴｌ2Ｏ3系ガラスで
ある電子部品の製造方法。15. The method of manufacturing an electronic component according to claim 13, wherein the glass component is P 2 O.
A method for manufacturing an electronic component, which is a 5- type, Bi 2 O 3 -type, ZnO-type, or Tl 2 O 3 -type glass.
された電子部品の製造方法であって、 更に、第３の金属成分を含み、前記第３の金属成分は、
微量添加物であって、Ｐ、Ｓｉ、ＧｅまたはＧａから選
択された少なくとも一種を含む電子部品の製造方法。16. The method of manufacturing an electronic component according to claim 13, further comprising a third metal component, wherein the third metal component comprises:
A method for producing an electronic component, which is a trace amount additive and contains at least one selected from P, Si, Ge, and Ga.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2001332786A JP2003133158A (en) | 2001-10-30 | 2001-10-30 | Electronic component, terminal electrode material paste, and method for manufacturing electronic component |
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|---|---|---|---|
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Publications (1)
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|---|---|---|---|---|
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| JP2013118356A (en) * | 2011-10-31 | 2013-06-13 | Murata Mfg Co Ltd | Ceramic electronic component and manufacturing method of the same |
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2001
- 2001-10-30 JP JP2001332786A patent/JP2003133158A/en not_active Withdrawn
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