JP2003132583A - Semiconductor laser and optical pickup - Google Patents

Semiconductor laser and optical pickup

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JP2003132583A
JP2003132583A JP2001326876A JP2001326876A JP2003132583A JP 2003132583 A JP2003132583 A JP 2003132583A JP 2001326876 A JP2001326876 A JP 2001326876A JP 2001326876 A JP2001326876 A JP 2001326876A JP 2003132583 A JP2003132583 A JP 2003132583A
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JP
Japan
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light
semiconductor laser
optical element
optical
laser device
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Application number
JP2001326876A
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Japanese (ja)
Inventor
Katsushige Masui
克栄 増井
Kazuhiro Tsuchida
和弘 土田
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To control the amount of the light outputted by a semiconductor laser chip without almost losing it. SOLUTION: The semiconductor laser 21 has a semiconductor laser chip 23, an optical wavelength divider 27, a first optical element 28, a second optical element 29, and an optical detector 30. The optical wavelength divider 28 has a beam splitter 25 and a reflection mirror 26. The light outputted by the semiconductor laser chip 23 is partly reflected by the beam splitter 25 but mostly received by a monitor optical detector 36. Since the light reflected by the optical recording medium 24 is reflected or diffracted by the beam splitter 25, the reflection mirror 26, and the second optical element 29, and received by the optical detector 30, the semiconductor laser chip 23 is not affected by the light reflected on the optical recording medium. Thus, the amount of the light is not lost almost all, and the output control can be correctly carried out for the semiconductor laser chip.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体に対し
て情報を記録または再生する半導体レーザ装置および光
ピックアップ装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser device and an optical pickup device for recording or reproducing information on an optical recording medium.

【0002】[0002]

【従来の技術】情報の記録または再生が可能な光記録媒
体として、波長780nmの光によって情報の記録また
は再生が行われるCD(Compact Disc)が広く使用され
ている。また最近では、光記録媒体の記憶容量の大容量
化にともない、CDよりもさらに多くの情報を記録する
ことができるDVD(Digital Versatile Disc)が使用
されている。DVDは、CDに用いられる波長よりも短
い波長630〜690nmの光によって情報の記録また
は再生が行なわれる。
2. Description of the Related Art As an optical recording medium capable of recording or reproducing information, a CD (Compact Disc) in which information is recorded or reproduced by light having a wavelength of 780 nm is widely used. Recently, DVDs (Digital Versatile Discs) capable of recording more information than CDs have been used with the increase in storage capacity of optical recording media. Information is recorded or reproduced on a DVD by light having a wavelength of 630 to 690 nm, which is shorter than the wavelength used for a CD.

【0003】光記録媒体は、光反射率および情報の記録
容量などに強い波長依存性を持つので、1つの光記録媒
体に対する情報の記録または再生に使用されている光の
波長とは異なる波長の光を使用した場合、前記1つの光
記録媒体に対する情報の再生または記録が行えないとい
う問題がある。したがって、記録容量の小さい光記録媒
体と大容量化された光記録媒体との両者に併用できるよ
うにするためには、2種類の光記録媒体に対する情報の
再生または記録が可能なように構成される半導体レーザ
装置およびそれを備える光ピックアップ装置が必要とな
る。また記憶容量の小さい光記録媒体と大容量化された
光記録媒体とのいずれに対して使用する場合において
も、光記録媒体に対する半導体レーザ装置および光ピッ
クアップ装置の記録または再生動作を安定に保つために
は、各光記録媒体に対応する半導体レーザチップの出力
を一定に保つことが必要とされる。
Since the optical recording medium has a strong wavelength dependency on the light reflectance and the recording capacity of information, the wavelength of the light different from the wavelength of the light used for recording or reproducing information on one optical recording medium. When light is used, there is a problem that information cannot be reproduced or recorded on the one optical recording medium. Therefore, in order to be able to use both an optical recording medium having a small recording capacity and an optical recording medium having a large recording capacity, it is possible to reproduce or record information on two types of optical recording media. A semiconductor laser device and an optical pickup device including the same are required. Further, in order to maintain stable recording or reproducing operation of the semiconductor laser device and the optical pickup device with respect to the optical recording medium, when used for both the optical recording medium having a small storage capacity and the optical recording medium having a large storage capacity. It is necessary to keep the output of the semiconductor laser chip corresponding to each optical recording medium constant.

【0004】図11は、従来の光ピックアップ装置1の
構成を簡略化して示す系統図である。光ピックアップ装
置1は、波長の異なる光を出射する第1および第2半導
体レーザチップ2,3を備える。第1半導体レーザチッ
プ2から出射された光は、トラッキングビーム生成用回
折格子4によって1次回折光、零次回折光、−1次回折
光に回折された後、第1ビームスプリッタ5によって大
部分の光が立ち上げミラー6の方向へ反射され、残余の
光は第1ビームスプリッタ5を透過してレーザ出力モニ
タ用の光検出手段であるフォトダイオード7上で受光さ
れる。立ち上げミラー6へ入射した光は、90度屈曲さ
れて光記録媒体8へ向かう方向に導かれ、コリメートレ
ンズ9によって平行光とされて、対物レンズ10によっ
て光記録媒体8上へ集光される。フォトダイオード7が
検出した第1半導体レーザチップ2の光出力は、図示し
ないCPU(Central Processing Unit)を備えるシス
テムコントローラであるAPC(Automatic Power Contr
ol)に入力される。APCは、フォトダイオード7によ
る光検出出力に応答し、第1半導体レーザチップ2の駆
動電流を制御することによって、第1半導体レーザチッ
プ2の出力を一定に保つ。
FIG. 11 is a system diagram showing a simplified configuration of the conventional optical pickup device 1. The optical pickup device 1 includes first and second semiconductor laser chips 2 and 3 which emit lights having different wavelengths. The light emitted from the first semiconductor laser chip 2 is diffracted by the tracking beam generating diffraction grating 4 into first-order diffracted light, zero-order diffracted light, and −1st-order diffracted light, and then most of the light is diverged by the first beam splitter 5. The remaining light is reflected in the direction of the rising mirror 6, passes through the first beam splitter 5, and is received by a photodiode 7 which is a light detecting means for laser output monitoring. The light incident on the rising mirror 6 is bent by 90 degrees and guided in a direction toward the optical recording medium 8, collimated by the collimator lens 9, and condensed on the optical recording medium 8 by the objective lens 10. . The optical output of the first semiconductor laser chip 2 detected by the photodiode 7 is an APC (Automatic Power Controller) which is a system controller including a CPU (Central Processing Unit) not shown.
ol). The APC keeps the output of the first semiconductor laser chip 2 constant by controlling the drive current of the first semiconductor laser chip 2 in response to the light detection output of the photodiode 7.

【0005】第2半導体レーザチップ3で出射された光
は、第2ビームスプリッタ11によって反射されて第1
ビームスプリッタ5の方向へ90度屈曲し、第1ビーム
スプリッタ5によって立ち上げミラー6の方向へ透過す
る光と反射されて90度屈曲しフォトダイオード7上で
受光される光とに分けられる。第1半導体レーザチップ
2の出力と同様に、フォトダイオード7による光検出出
力に応答し、第2半導体レーザチップ3の出力が一定に
保たれる。
The light emitted from the second semiconductor laser chip 3 is reflected by the second beam splitter 11 to produce the first light.
The light is bent 90 degrees in the direction of the beam splitter 5, and is divided into light transmitted by the first beam splitter 5 in the direction of the rising mirror 6 and light reflected by the first beam splitter 5 and bent 90 degrees and received by the photodiode 7. Similar to the output of the first semiconductor laser chip 2, the output of the second semiconductor laser chip 3 is kept constant in response to the light detection output of the photodiode 7.

【0006】光記録媒体8によって反射された光は、対
物レンズ10を通過しコリメートレンズ9によって再び
平行光とされ、立ち上げミラー6によって90度屈曲さ
れ、第1および第2ビームスプリッタ5,11を透過し
集光レンズ12によって集束光とされた後、光検出手段
13によって受光される。光検出手段13によって受光
される光量に基づいて検出信号、たとえばトラッキング
サーボ信号が得られる。
The light reflected by the optical recording medium 8 passes through the objective lens 10, is collimated again by the collimating lens 9, is bent 90 degrees by the rising mirror 6, and is divided into first and second beam splitters 5, 11. After passing through, the light is focused by the condenser lens 12, and then received by the photodetector 13. A detection signal, for example, a tracking servo signal is obtained based on the amount of light received by the light detection means 13.

【0007】また、光源に1種類の波長を用いる場合に
ついて、半導体レーザチップの光出力を一定に保つ従来
技術が、特許第3089200号公報に開示されてい
る。
Further, Japanese Patent No. 3089200 discloses a conventional technique for keeping the optical output of a semiconductor laser chip constant when one type of wavelength is used for a light source.

【0008】図12は、もう1つの従来の光ピックアッ
プ装置14の構成を簡略化して示す概略断面図である。
光ピックアップ装置14に備わる半導体レーザ装置15
はホログラム素子16を含む。第3半導体レーザチップ
17からの出射光がホログラム素子16によって1次回
折光、零次回折光、−1次回折光に回折され、1次回折
光が光ピックアップ装置14のハウジング18に設けら
れるレーザ出力モニタ用の光検出手段であるフォトダイ
オード7によって受光される。検出された光出力はAP
Cに入力され、APCはフォトダイオード7による光検
出出力に応答し、第3半導体レーザチップ17の駆動電
流を制御することによって、第3半導体レーザチップ1
7の出力を一定に保つ。
FIG. 12 is a schematic sectional view showing a simplified structure of another conventional optical pickup device 14.
Semiconductor laser device 15 provided in the optical pickup device 14.
Includes a hologram element 16. The light emitted from the third semiconductor laser chip 17 is diffracted by the hologram element 16 into first-order diffracted light, zero-order diffracted light, and −1st-order diffracted light, and the first-order diffracted light is provided for the laser output monitor provided in the housing 18 of the optical pickup device 14. The light is received by the photodiode 7 which is the light detecting means. The detected light output is AP
The APC is input to C and responds to the photodetection output by the photodiode 7, and controls the drive current of the third semiconductor laser chip 17, whereby the third semiconductor laser chip 1
Keep the output of 7 constant.

【0009】また低出力の半導体レーザチップを使用し
て光記録媒体からの情報を再生する場合には、前述の従
来技術とは異なる以下のような技術が用いられている。
半導体レーザチップから光記録媒体に向けて出射される
光の方向と反対の方向に出射される光を、半導体レーザ
装置に設けられるフォトダイオードによって受光し、こ
のフォトダイオードによる光検出出力をAPCに入力す
る。APCは、光検出出力に応答し、半導体レーザチッ
プの出力を一定になるように制御する。
Further, when reproducing information from an optical recording medium using a low output semiconductor laser chip, the following technique different from the above-mentioned conventional technique is used.
The light emitted from the semiconductor laser chip in the direction opposite to the direction of the light emitted toward the optical recording medium is received by the photodiode provided in the semiconductor laser device, and the light detection output by this photodiode is input to the APC. To do. The APC responds to the light detection output and controls the output of the semiconductor laser chip to be constant.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】前述した従来の光ピッ
クアップ装置1およびもう1つの従来の光ピックアップ
装置14には、以下の問題がある。
The above-described conventional optical pickup device 1 and another conventional optical pickup device 14 have the following problems.

【0011】従来の光ピックアップ装置1は、波長の異
なる光をそれぞれ出射する第1および第2半導体レーザ
チップ2,3を光源として設け、各光源に対して第1お
よび第2ビームスプリッタ5,11をそれぞれ備えるの
で、光学部材の収納スペースが増加し、装置の大型化お
よび部材点数増加による装置のコスト高を招くという問
題がある。
The conventional optical pickup device 1 is provided with first and second semiconductor laser chips 2 and 3 for emitting lights having different wavelengths as light sources, and the first and second beam splitters 5 and 11 are provided for the respective light sources. Since each of them is provided, there is a problem that the storage space for the optical member is increased, the size of the device is increased and the cost of the device is increased due to an increase in the number of members.

【0012】また、もう1つの従来の光ピックアップ装
置14において、第3半導体レーザチップ17から出射
された光は、ホログラム素子16によって1次回折光、
零次回折光、−1次回折光に回折されるので、光記録媒
体8へ集光される零次回折光の光量は、ホログラム素子
16の回折効率によって減少する程度は異なるけれども
回折前の出射光の光量に対して50〜80%に減少す
る。光記録媒体8からの反射光がホログラム素子16に
よってさらに回折された後、フォトダイオード7に受光
される光の光量は、光記録媒体8によって反射された時
点における反射光の光量に対して8〜20%に減少す
る。このような光量の減少は、光記録媒体8に情報を記
録する速度を低下させるという問題がある。
In another conventional optical pickup device 14, the light emitted from the third semiconductor laser chip 17 is first-order diffracted light by the hologram element 16.
Since the light is diffracted into the zero-order diffracted light and the minus first-order diffracted light, the light amount of the zero-order diffracted light condensed on the optical recording medium 8 varies depending on the diffraction efficiency of the hologram element 16, but the light amount of the emitted light before diffraction differs. To 50 to 80%. After the reflected light from the optical recording medium 8 is further diffracted by the hologram element 16, the amount of light received by the photodiode 7 is 8 to the amount of reflected light at the time of being reflected by the optical recording medium 8. Reduced to 20%. Such a decrease in the amount of light has a problem of reducing the speed of recording information on the optical recording medium 8.

【0013】また、CD−R(Recordable)/RW(Re
writable)およびDVD−R/RWなどの光記録媒体に
情報の記録を行なう高出力の半導体レーザ装置を備える
光ピックアップ装置においては、半導体レーザ装置の半
導体レーザチップから出射された光強度の高い光が光記
録媒体に集光され、光記録媒体から反射された光が再び
半導体レーザチップへ達するとき、反射光の光強度が高
いので、反射光の影響を受けて半導体レーザチップによ
るレーザ光の発振が不安定になり、半導体レーザチップ
の出力がゆらぐというスクープ現象が発生する。このた
め、低出力の半導体レーザ装置において用いられる半導
体レーザチップの出力安定化の技術、すなわち半導体レ
ーザ装置内に設けられたフォトダイオードに半導体レー
ザチップから光記録媒体へ向かう方向とは反対の方向へ
出射された光を受光し、情報の再生に用いる光の光量を
減少させることなく、半導体レーザチップの出力を制御
するという技術を、高出力の半導体レーザ装置には用い
ることができない。したがって、高出力の半導体レーザ
装置を備える光ピックアップ装置においては、光記録媒
体へ向けて出射される光を利用して半導体レーザチップ
の出力を制御しなければならないという問題がある。
In addition, CD-R (Recordable) / RW (Re
writable) and DVD-R / RW, in an optical pickup device equipped with a high-power semiconductor laser device for recording information on an optical recording medium, the light emitted from the semiconductor laser chip of the semiconductor laser device has high intensity. When the light focused on the optical recording medium and reflected from the optical recording medium reaches the semiconductor laser chip again, the intensity of the reflected light is high. An instability occurs and a scoop phenomenon occurs in which the output of the semiconductor laser chip fluctuates. Therefore, a technique for stabilizing the output of a semiconductor laser chip used in a low-output semiconductor laser device, that is, a photodiode provided in the semiconductor laser device is provided in a direction opposite to the direction from the semiconductor laser chip toward the optical recording medium. The technique of receiving the emitted light and controlling the output of the semiconductor laser chip without reducing the light amount of the light used for reproducing information cannot be used for a high-output semiconductor laser device. Therefore, in an optical pickup device equipped with a high-power semiconductor laser device, there is a problem that the output of the semiconductor laser chip must be controlled by utilizing the light emitted toward the optical recording medium.

【0014】本発明の目的は、出射される光の光量をほ
とんど減少させることなく出力制御を行なうことができ
るとともに小型化を実現することができる半導体レーザ
装置および光ピックアップ装置を提供することである。
It is an object of the present invention to provide a semiconductor laser device and an optical pickup device which can perform output control with almost no reduction in the amount of emitted light and can realize miniaturization. .

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明は、情報が光によ
って記録または再生される光記録媒体に向けて光を出射
し、光記録媒体からの反射光を受光する半導体レーザ装
置において、光を出射する半導体レーザチップと、半導
体レーザチップからの出射光および光記録媒体からの反
射光を透過および/または反射するビームスプリッタ
と、ビームスプリッタによって反射される光をさらに反
射する反射ミラーとを備える波長分離用光学素子と、半
導体レーザチップと波長分離用光学素子との間に配置さ
れ半導体レーザチップから出射される光を回折する第1
光学素子と、波長分離用光学素子よりも半導体レーザチ
ップ寄りに配置され波長分離用光学素子の反射ミラーに
よって反射される光を回折する第2光学素子と、第2光
学素子によって回折される光を受光する光検出手段とを
含むことを特徴とする半導体レーザ装置である。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a semiconductor laser device which emits light toward an optical recording medium on which information is recorded or reproduced by light and receives reflected light from the optical recording medium. A wavelength including a semiconductor laser chip that emits light, a beam splitter that transmits and / or reflects light emitted from the semiconductor laser chip and reflected light from the optical recording medium, and a reflection mirror that further reflects the light reflected by the beam splitter. A first optical element disposed between the semiconductor laser chip and the wavelength separating optical element for separating light, and diffracting light emitted from the semiconductor laser chip.
An optical element, a second optical element which is arranged closer to the semiconductor laser chip than the wavelength separating optical element, and which diffracts the light reflected by the reflection mirror of the wavelength separating optical element, and a light which is diffracted by the second optical element. A semiconductor laser device including a light detecting unit for receiving light.

【0016】本発明に従えば、半導体レーザチップから
出射された光は、第1光学素子によって回折された後、
ビームスプリッタによって一部の光が反射され、残余の
光は光記録媒体へ向けて透過される。ビームスプリッタ
によって反射された一部の光は、後述する半導体レーザ
チップの出力を制御するために利用される。光記録媒体
からの反射光は、ビームスプリッタによって反射ミラー
の方向へ反射され、反射ミラーによって第2光学素子の
方向へさらに反射され、第2光学素子によって回折され
る。回折された光は光検出手段によって受光され、光記
録媒体が備える情報およびトラッキング誤差信号などの
検出信号を検出する。このことによって、半導体レーザ
チップは光記録媒体からの反射光の影響を受けることが
ないので、半導体レーザチップから出射される光の一部
を利用して半導体レーザチップの出力を正確に制御する
ことができる。また、半導体レーザチップから光記録媒
体へ出射される光が透過し回折される光学素子は1つで
あるので、出射光の光量をほとんど減少させることなく
光記録媒体へ出射することができる。
According to the invention, the light emitted from the semiconductor laser chip is diffracted by the first optical element,
Part of the light is reflected by the beam splitter, and the remaining light is transmitted toward the optical recording medium. Part of the light reflected by the beam splitter is used to control the output of the semiconductor laser chip described later. The reflected light from the optical recording medium is reflected by the beam splitter toward the reflecting mirror, further reflected toward the second optical element by the reflecting mirror, and diffracted by the second optical element. The diffracted light is received by the light detection means, and detects the information and the detection signal such as the tracking error signal provided in the optical recording medium. As a result, the semiconductor laser chip is not affected by the reflected light from the optical recording medium. Therefore, the output of the semiconductor laser chip can be accurately controlled by using a part of the light emitted from the semiconductor laser chip. You can Further, since the light emitted from the semiconductor laser chip to the optical recording medium is transmitted and diffracted by only one optical element, the light can be emitted to the optical recording medium without substantially reducing the light amount of the emitted light.

【0017】また本発明は、前記第2光学素子と前記波
長分離用光学素子との間に配置され前記反射ミラーによ
って反射される光を回折する第3光学素子を含み、前記
光検出手段は、前記第3光学素子によって回折される光
と前記第2光学素子によって回折される光とを受光する
ように設けられることを特徴とする。
The present invention further includes a third optical element which is arranged between the second optical element and the wavelength separating optical element and which diffracts the light reflected by the reflection mirror. The light is diffracted by the third optical element and the light diffracted by the second optical element is received.

【0018】本発明に従えば、2つの第2および第3光
学素子を設けることによって、異なる波長を有する2種
類の光をそれぞれ出射する半導体レーザチップに対応
し、各半導体レーザチップによる光を所望の方向にそれ
ぞれ回折することができる。また光検出手段は2つの光
学素子によってそれぞれ回折される光を受光するように
設けられる。このことによって、異なる波長の光をそれ
ぞれ出射する2つの半導体レーザチップを使用し、異な
る2種類の光記録媒体に対して情報を記録または再生す
ることが可能になる。
According to the present invention, by providing the two second and third optical elements, it is possible to correspond to the semiconductor laser chips respectively emitting two kinds of light having different wavelengths, and the light from each semiconductor laser chip is desired. Can be diffracted in each direction. The light detecting means is provided so as to receive the light diffracted by the two optical elements. This makes it possible to record or reproduce information on two different types of optical recording media by using two semiconductor laser chips that respectively emit light of different wavelengths.

【0019】また本発明は、前記波長分離用光学素子と
前記第1光学素子との間に配置され前記ビームスプリッ
タによって透過される光を回折する第4光学素子を含
み、前記光検出手段は、前記第4光学素子によって回折
される光と前記第2光学素子によって回折される光とを
受光するように設けられることを特徴とする。
The present invention further includes a fourth optical element which is arranged between the wavelength separating optical element and the first optical element and which diffracts the light transmitted by the beam splitter. The light diffracted by the fourth optical element and the light diffracted by the second optical element are received.

【0020】本発明に従えば、前述した第2の発明と同
様に2つの第2および第4光学素子を設けることによっ
て、異なる波長を有する2種類の光をそれぞれ出射する
半導体レーザチップに対応し、各半導体レーザチップに
よる光を所望の方向にそれぞれ回折することができる。
また光検出手段は2つの光学素子によってそれぞれ回折
される光を受光するように設けられる。このことによっ
て、異なる波長の光をそれぞれ出射する2つの半導体レ
ーザチップを使用し、異なる2種類の光記録媒体に対し
て情報を記録または再生することが可能になる。
According to the present invention, by providing the two second and fourth optical elements similarly to the above-mentioned second invention, it is possible to correspond to the semiconductor laser chip which respectively emits two kinds of light having different wavelengths. The light emitted from each semiconductor laser chip can be diffracted in a desired direction.
The light detecting means is provided so as to receive the light diffracted by the two optical elements. This makes it possible to record or reproduce information on two different types of optical recording media by using two semiconductor laser chips that respectively emit light of different wavelengths.

【0021】また本発明は、前記第2光学素子と前記第
4光学素子とは、半導体レーザチップから出射される光
の軸に直交する同一平面内に設けられることを特徴とす
る。
The present invention is also characterized in that the second optical element and the fourth optical element are provided in the same plane orthogonal to the axis of the light emitted from the semiconductor laser chip.

【0022】本発明に従えば、第2光学素子と第4光学
素子とは、同一平面内に設けられるので、光学部材の設
置スペースの取合いの問題を生じることなく、半導体レ
ーザ装置の小型化を実現することが可能になる。
According to the present invention, since the second optical element and the fourth optical element are provided in the same plane, the size of the semiconductor laser device can be reduced without causing a problem of the space for installing the optical members. Can be realized.

【0023】また本発明は、前記ビームスプリッタは、
偏光ビームスプリッタであることを特徴とする。
According to the present invention, the beam splitter is
It is a polarizing beam splitter.

【0024】本発明に従えば、ビームスプリッタは、偏
光ビームスプリッタである。したがって、出射されるレ
ーザ光のうち主たる偏光方向の光を透過させ、レーザ光
に混在し主たる偏光方向とは異なる偏光方向を有する一
部の光を反射するように偏光ビームスプリッタを選択す
ることによって、光記録媒体へ集光される光の光量をほ
とんど減少させることなく半導体レーザチップの出力を
制御することができる。
According to the invention, the beam splitter is a polarizing beam splitter. Therefore, by selecting the polarization beam splitter so as to transmit the light of the main polarization direction of the emitted laser light and reflect the part of the light mixed with the laser light and having the polarization direction different from the main polarization direction. The output of the semiconductor laser chip can be controlled with almost no reduction in the amount of light focused on the optical recording medium.

【0025】また本発明は、前記半導体レーザ装置を備
え、半導体レーザ装置と光記録媒体との間に配置され半
導体レーザ装置から出射される光を光記録媒体上に集光
させる集光手段と、半導体レーザ装置に備わるビームス
プリッタによって反射される光を受光し半導体レーザチ
ップの出力をモニタするモニタ用光検出手段とを含むこ
とを特徴とする光ピックアップ装置である。
The present invention further comprises a condensing means provided with the semiconductor laser device, arranged between the semiconductor laser device and the optical recording medium to condense light emitted from the semiconductor laser device onto the optical recording medium. An optical pickup device, comprising: a monitor light detection unit that receives light reflected by a beam splitter included in the semiconductor laser device and monitors the output of the semiconductor laser chip.

【0026】本発明に従えば、光ピックアップ装置に備
わる半導体レーザ装置は、光記録媒体へ出射される光の
光量の減少がほとんどなく、光の出力安定度に優れる。
したがって、光ピックアップ装置は、高い強度で安定度
に優れる光を用いて、光記録媒体に対する情報の記録ま
たは再生および各種の制御を行なうことができるので、
ノイズの抑制された情報信号を得ることができ、また精
度よくトラッキングなどの制御をすることができる。
According to the present invention, the semiconductor laser device included in the optical pickup device has almost no decrease in the amount of light emitted to the optical recording medium and is excellent in light output stability.
Therefore, the optical pickup device can record or reproduce information on the optical recording medium and perform various controls by using light having high intensity and excellent stability.
An information signal with suppressed noise can be obtained, and tracking and the like can be controlled with high accuracy.

【0027】また本発明は、前記モニタ用光検出手段
は、半導体レーザ装置に一体的に設けられることを特徴
とする。
Further, the present invention is characterized in that the monitor light detecting means is provided integrally with the semiconductor laser device.

【0028】本発明に従えば、モニタ用光検出手段を半
導体レーザ装置に一体的に設けることによって、光学部
材の設置スペースの取合いの問題が解決されるので、光
ピックアップ装置の小型化を実現することが可能にな
る。
According to the present invention, since the monitor light detecting means is integrally provided in the semiconductor laser device, the problem of the mounting space of the optical members can be solved, so that the optical pickup device can be miniaturized. It will be possible.

【0029】[0029]

【発明の実施の形態】図1は本発明の第1の実施の形態
である半導体レーザ装置21の構成を簡略化して示す斜
視図であり、図2は図1に示す半導体レーザ装置21を
備える光ピックアップ装置22の構成を簡略化して示す
概略断面図であり、図3は図2の要部拡大図である。
1 is a perspective view showing a simplified configuration of a semiconductor laser device 21 according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is equipped with the semiconductor laser device 21 shown in FIG. FIG. 3 is a schematic sectional view showing a simplified configuration of the optical pickup device 22, and FIG. 3 is an enlarged view of a main part of FIG. 2.

【0030】半導体レーザ装置21は、光を出射する第
1半導体レーザチップ23と、第1半導体レーザチップ
23からの出射光および光記録媒体24からの反射光を
透過および/または反射するビームスプリッタ25と、
ビームスプリッタ25によって反射される光をさらに反
射する反射ミラー26とを備える波長分離用光学素子2
7と、第1半導体レーザチップ23と波長分離用光学素
子27との間に配置され第1半導体レーザチップ23か
ら出射される光を回折する第1光学素子28と、波長分
離用光学素子27よりも第1半導体レーザチップ23寄
りに配置され波長分離用光学素子27の反射ミラー26
によって反射される光を回折する第2光学素子29と、
第2光学素子29によって回折される光を受光する光検
出手段30とを含む。
The semiconductor laser device 21 includes a first semiconductor laser chip 23 that emits light, and a beam splitter 25 that transmits and / or reflects the emitted light from the first semiconductor laser chip 23 and the reflected light from the optical recording medium 24. When,
The wavelength separating optical element 2 including a reflection mirror 26 that further reflects the light reflected by the beam splitter 25.
7, a first optical element 28 disposed between the first semiconductor laser chip 23 and the wavelength separating optical element 27 for diffracting the light emitted from the first semiconductor laser chip 23, and a wavelength separating optical element 27. Is also arranged near the first semiconductor laser chip 23 and the reflection mirror 26 of the wavelength separating optical element 27
A second optical element 29 for diffracting the light reflected by
The light detecting means 30 receives the light diffracted by the second optical element 29.

【0031】第1半導体レーザチップ23は、たとえば
光記録媒体24であるDVDを使用するときに用いられ
る波長650nmの赤色光を出射する。光検出手段30
は、複数の受光素子から構成され、光記録媒体24から
の反射光を受光し、その光量に対応する電流に変換して
反射光の検出信号を得る。第1半導体レーザチップ23
および光検出手段30は、図示しない放熱台に備わり、
放熱台はたとえば鋼などの金属からなる第1部材31に
装着される。第1半導体レーザチップ23および光検出
手段30は、図示しないリードピンに金製のワイヤによ
って電気的に接続され、リードピンはリードフレーム3
2に電気的に接続される。第1半導体レーザチップ23
および光検出手段30を覆うようにして、たとえば鋼な
どの金属からなる第2部材33が第1部材31と接合さ
れる。
The first semiconductor laser chip 23 emits red light having a wavelength of 650 nm, which is used when a DVD which is the optical recording medium 24 is used, for example. Light detecting means 30
Is composed of a plurality of light receiving elements, receives the reflected light from the optical recording medium 24, converts it into an electric current corresponding to the amount of the light, and obtains a detection signal of the reflected light. First semiconductor laser chip 23
And the light detecting means 30 is provided on a heat sink (not shown),
The radiator is attached to the first member 31 made of metal such as steel. The first semiconductor laser chip 23 and the light detection means 30 are electrically connected to a lead pin (not shown) by a gold wire, and the lead pin is the lead frame 3.
2 electrically connected. First semiconductor laser chip 23
And the 2nd member 33 which consists of metal, such as steel, is joined with the 1st member 31 so that the light detection means 30 may be covered.

【0032】波長分離用光学素子27は、ビームスプリ
ッタ25と反射ミラー26とを備える。ビームスプリッ
タ25には、偏光ビームスプリッタ25が用いられる。
半導体レーザチップから出射されるレーザ光は、偏光方
向が揃うという特性を有するので、大部分の光は一方向
の主たる偏光方向に揃うけれども、主たる偏光方向とは
異なる偏光方向を有する光が一部混在する。
The wavelength separating optical element 27 comprises a beam splitter 25 and a reflecting mirror 26. The polarization beam splitter 25 is used as the beam splitter 25.
Since the laser light emitted from the semiconductor laser chip has the property that the polarization directions are aligned, most of the light is aligned in the main polarization direction in one direction, but some light having a polarization direction different from the main polarization direction is Mixed.

【0033】主たる偏光方向とは異なる偏光方向を有す
る光の主たる偏光方向を有する光に対する比は、光記録
媒体に対して情報を再生するときに用いられる低出力の
半導体レーザチップにおいては約1/50〜1/100
であり、情報を記録するときに用いられる高出力の半導
体レーザチップにおいては、約1/500〜1/100
0である。この比率は偏光比と呼ばれる。
The ratio of the light having a polarization direction different from the main polarization direction to the light having the main polarization direction is about 1 / in a low-power semiconductor laser chip used when reproducing information on an optical recording medium. 50-1 / 100
In a high-power semiconductor laser chip used for recording information, about 1/500 to 1/100
It is 0. This ratio is called the polarization ratio.

【0034】偏光ビームスプリッタ25は、主たる偏光
方向の光を透過させ、主たる偏光方向とは異なる偏光方
向を有する一部の光を反射するので、光記録媒体24へ
集光される光の光量をほとんど減少させることなく前記
一部の光を取出し、取出された前記一部の光を用いて後
述するように第1半導体レーザチップ23の出力を制御
することができる。また、ビームスプリッタは、偏光ビ
ームスプリッタに限定されることなく、所望の透過率や
反射率を選択することができるハーフミラーであっても
よい。反射ミラー26は、偏光ビームスプリッタ25に
よって反射された光を第2光学素子29の方向へ反射す
る。
The polarization beam splitter 25 transmits the light of the main polarization direction and reflects a part of the light having the polarization direction different from the main polarization direction, so that the light amount of the light condensed on the optical recording medium 24 is changed. The part of the light can be extracted with almost no decrease, and the output of the first semiconductor laser chip 23 can be controlled by using the extracted part of the light as described later. Further, the beam splitter is not limited to the polarization beam splitter, and may be a half mirror capable of selecting a desired transmittance or reflectance. The reflection mirror 26 reflects the light reflected by the polarization beam splitter 25 toward the second optical element 29.

【0035】第1および第2光学素子28,29は、第
1ホログラム素子34に設けられる。第1光学素子28
は、回折格子28であって、第1半導体レーザチップ2
3から出射される光を1次回折光、零次回折光、−1次
回折光へ回折する。回折された光は、トラッキング制御
などに用いられる。第2光学素子29は、ホログラム2
9であって、反射ミラー26によって反射された光を回
折し、光検出手段30上へ導く。
The first and second optical elements 28 and 29 are provided on the first hologram element 34. First optical element 28
Is the diffraction grating 28, and is the first semiconductor laser chip 2
The light emitted from 3 is diffracted into first-order diffracted light, zero-order diffracted light, and −1st-order diffracted light. The diffracted light is used for tracking control and the like. The second optical element 29 is the hologram 2
9, the light reflected by the reflection mirror 26 is diffracted and guided onto the light detecting means 30.

【0036】半導体レーザ装置21を備える本発明の実
施の他の形態である光ピックアップ装置22は、半導体
レーザ装置21と光記録媒体24との間に配置され半導
体レーザ装置21から出射される光を光記録媒体24上
に集光させる集光手段35と、半導体レーザ装置21に
備わる偏光ビームスプリッタ25によって反射される光
を受光し第1半導体レーザチップ23の出力をモニタす
るモニタ用光検出手段36とを含む。
An optical pickup device 22 which is another embodiment of the present invention including the semiconductor laser device 21 is arranged between the semiconductor laser device 21 and the optical recording medium 24, and emits light emitted from the semiconductor laser device 21. Condensing means 35 for condensing on the optical recording medium 24, and monitor light detecting means 36 for receiving the light reflected by the polarization beam splitter 25 provided in the semiconductor laser device 21 and monitoring the output of the first semiconductor laser chip 23. Including and

【0037】光記録媒体24たとえば前述したDVD
は、直径が12cmの薄い円板状の形状を有し、たとえ
ばポリカーボネート基板の表面にアルミニウムを蒸着
し、アルミニウム蒸着層の上に樹脂の保護膜が被覆され
て形成される。光記録媒体24は、ランダムアクセスが
可能で、取り扱いが容易であり、かつ大容量の情報を記
録可能な記録媒体として、広く用いられている。
Optical recording medium 24, for example, the aforementioned DVD
Has a thin disk-like shape with a diameter of 12 cm, and is formed, for example, by vapor-depositing aluminum on the surface of a polycarbonate substrate and coating a resin protective film on the aluminum vapor-deposited layer. The optical recording medium 24 is widely used as a recording medium capable of random access, easy to handle, and capable of recording a large amount of information.

【0038】集光手段35は、コリメートレンズ37
と、対物レンズ38とを備える。コリメートレンズ37
は、第1半導体レーザチップ23から出射された光を平
行光にする。対物レンズ38は、入射光を光記録媒体2
4上の情報記録面に集光し、情報記録面上に光スポット
を形成する。
The condenser means 35 is a collimator lens 37.
And an objective lens 38. Collimating lens 37
Converts the light emitted from the first semiconductor laser chip 23 into parallel light. The objective lens 38 transmits the incident light to the optical recording medium 2
4 is focused on the information recording surface to form a light spot on the information recording surface.

【0039】モニタ用光検出手段36は、光を受光して
電気信号に変換する受光素子であり、偏光ビームスプリ
ッタ25によって反射された第1半導体レーザチップ2
3の出射光の一部を受光し、レーザ出力をモニタする。
検出した第1半導体レーザチップ23の光出力は、図示
しないCPUを備えるシステムコントローラであるAP
Cに入力される。APCは、光検出出力に応答し、第1
半導体レーザチップ23の駆動電流を制御することによ
って、第1半導体レーザチップ23の出力を一定に保
つ。
The monitor light detecting means 36 is a light receiving element for receiving light and converting it into an electric signal, and the first semiconductor laser chip 2 reflected by the polarization beam splitter 25.
Part of the emitted light of 3 is received and the laser output is monitored.
The detected optical output of the first semiconductor laser chip 23 is AP, which is a system controller including a CPU (not shown).
Input to C. The APC responds to the photodetection output with a first
The output of the first semiconductor laser chip 23 is kept constant by controlling the drive current of the semiconductor laser chip 23.

【0040】第1半導体レーザチップ23から出射され
た光は、回折格子28によって1次回折光、零次回折
光、−1次回折光に分割され、偏光ビームスプリッタ2
5によって一部の光がモニタ用光検出手段36上へ反射
される。偏光ビームスプリッタ25を透過した光は、コ
リメートレンズ37によって平行光とされた後、対物レ
ンズ38によって光記録媒体24上へ集光されて光スポ
ットを形成し、光記録媒体24に対する情報の記録また
は再生が行われる。
The light emitted from the first semiconductor laser chip 23 is split by the diffraction grating 28 into first-order diffracted light, zero-order diffracted light and −1st-order diffracted light, and the polarization beam splitter 2
A part of the light is reflected by the monitor light detector 5 onto the monitor light detector 36. The light transmitted through the polarization beam splitter 25 is collimated by the collimator lens 37, and then condensed by the objective lens 38 onto the optical recording medium 24 to form a light spot, thereby recording or recording information on the optical recording medium 24. Playback is performed.

【0041】光記録媒体24から反射された光は、偏光
ビームスプリッタ25および反射ミラー26によって反
射されてホログラム29に入射し回折される。回折され
た反射光の1次回折光が光検出手段30上に受光され、
受光される光量に基づいて、検出信号、たとえばトラッ
キングサーボ信号が得られる。
The light reflected from the optical recording medium 24 is reflected by the polarization beam splitter 25 and the reflection mirror 26, enters the hologram 29, and is diffracted. The first-order diffracted light of the diffracted reflected light is received on the light detection means 30,
A detection signal, for example, a tracking servo signal is obtained based on the amount of light received.

【0042】本実施の形態によれば、第1半導体レーザ
チップ23は、光記録媒体24からの反射光の影響を受
けることがないので、第1半導体レーザチップ23から
出射される光の一部を利用して第1半導体レーザチップ
23の出力を精度良く一定になるように制御することが
できる。また、第1半導体レーザチップ23から光記録
媒体24へ出射される光が透過し回折される光学素子は
1つであるので、出射光の光量をほとんど減少させるこ
となく光記録媒体24へ集光することができる。
According to the present embodiment, since the first semiconductor laser chip 23 is not affected by the reflected light from the optical recording medium 24, a part of the light emitted from the first semiconductor laser chip 23 is obtained. Can be used to control the output of the first semiconductor laser chip 23 with high accuracy so as to be constant. Further, since the light emitted from the first semiconductor laser chip 23 to the optical recording medium 24 is transmitted and diffracted by only one optical element, the light is condensed on the optical recording medium 24 without substantially reducing the light amount of the emitted light. can do.

【0043】また光ピックアップ装置22は、高い強度
で安定度に優れる光を用いて、光記録媒体24に対する
情報の記録または再生および各種の制御を行なうことが
できるので、ノイズの抑制された情報信号を得ることが
でき、また精度よくトラッキングなどの制御をすること
ができる。
Further, since the optical pickup device 22 can record or reproduce information on the optical recording medium 24 and perform various controls by using light having high intensity and excellent stability, an information signal in which noise is suppressed is provided. Can be obtained, and tracking and the like can be accurately controlled.

【0044】図4は本発明の第2の実施の形態である半
導体レーザ装置39の構成を簡略化して示す斜視図であ
り、図5は図4に示す半導体レーザ装置39を備える光
ピックアップ装置40の構成を簡略化して示す概略断面
図であり、図6は図5の要部拡大図である。
FIG. 4 is a perspective view showing a simplified configuration of a semiconductor laser device 39 according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 5 is an optical pickup device 40 including the semiconductor laser device 39 shown in FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a simplified configuration of FIG. 6, and FIG. 6 is an enlarged view of a main part of FIG.

【0045】本実施の形態の半導体レーザ装置39は、
第1の実施の形態の半導体レーザ装置21に類似し、対
応する部分には同一の参照符号を付して説明を省略す
る。注目すべきは、半導体レーザ装置39は、第1半導
体レーザチップ23に隣接して配置され第1半導体レー
ザチップ23と波長の異なる光を出射する第2半導体レ
ーザチップ41と、ホログラム29と波長分離用光学素
子27との間に配置され反射ミラー26によって反射さ
れる光を回折する第3光学素子42であるもう1つのホ
ログラム42とを備えることである。
The semiconductor laser device 39 of this embodiment is
The semiconductor laser device 21 is similar to the semiconductor laser device 21 of the first embodiment, and corresponding parts are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. It should be noted that the semiconductor laser device 39 includes a second semiconductor laser chip 41 arranged adjacent to the first semiconductor laser chip 23 and emitting light having a different wavelength from the first semiconductor laser chip 23, and a hologram 29 and wavelength separation. Another hologram 42 which is a third optical element 42 arranged between the optical element 27 for use and diffracting the light reflected by the reflection mirror 26.

【0046】第2半導体レーザチップ41は、たとえば
CDを使用するときに用いられる波長780nmの赤外
光を出射する。本実施の形態では、半導体レーザ装置3
9は、第1および第2半導体レーザチップ23,41を
備えるので、2種類の異なる光記録媒体に対して情報の
記録または再生を行なうことができる。第1または第2
半導体レーザチップ23,41のいずれか一方が、使用
する光記録媒体24の種類によって自動的に選択され
る。情報の記録または再生に使用される2種類の光記録
媒体24であるCD24aとDVD24bとは、表面か
ら情報記録面までの厚さが異なるので、対物レンズ38
は、各光記録媒体に対応する対物レンズに切換え可能に
構成される。なお、対物レンズには、2種類の異なる光
記録媒体に対応できるように2焦点対物レンズが用いら
れてもよい。
The second semiconductor laser chip 41 emits infrared light having a wavelength of 780 nm which is used when a CD is used, for example. In the present embodiment, the semiconductor laser device 3
Since 9 has the first and second semiconductor laser chips 23 and 41, it is possible to record or reproduce information on two different types of optical recording media. First or second
One of the semiconductor laser chips 23 and 41 is automatically selected depending on the type of the optical recording medium 24 used. The two types of optical recording media 24 used for recording or reproducing information, that is, the CD 24a and the DVD 24b, have different thicknesses from the surface to the information recording surface.
Can be switched to an objective lens corresponding to each optical recording medium. A bifocal objective lens may be used as the objective lens so as to be compatible with two different types of optical recording media.

【0047】もう1つのホログラム42は、反射ミラー
26によって反射された光を回折しホログラム29へ導
く。もう1つのホログラム42は第2ホログラム素子4
3に設けられる。第2ホログラム素子43が波長分離用
光学素子27と第1ホログラム素子34との間に装着さ
れる。
The other hologram 42 diffracts the light reflected by the reflection mirror 26 and guides it to the hologram 29. The other hologram 42 is the second hologram element 4
It is provided in 3. The second hologram element 43 is mounted between the wavelength separating optical element 27 and the first hologram element 34.

【0048】第2半導体レーザチップ41から出射され
た光44は、回折格子28によって1次回折光、零次回
折光、−1次回折光へ回折される。回折格子28は、第
1および第2半導体レーザチップ23,41から出射さ
れる光のいずれか一方の光のみを回折する特性を持たせ
てもよい。回折された光は、偏光ビームスプリッタ25
へ入射し、出射光の一部の光がモニタ用光検出手段36
の方向へ反射され、残余の光は透過しコリメートレンズ
37および対物レンズ38を透過してCD24a上へ集
光される。
The light 44 emitted from the second semiconductor laser chip 41 is diffracted by the diffraction grating 28 into first-order diffracted light, zero-order diffracted light and −1st-order diffracted light. The diffraction grating 28 may have a characteristic of diffracting only one of the lights emitted from the first and second semiconductor laser chips 23 and 41. The diffracted light is polarized by the beam splitter 25.
Part of the light that is incident on and is emitted from the monitor light detection means 36.
And the remaining light is transmitted, is transmitted through the collimator lens 37 and the objective lens 38, and is condensed on the CD 24a.

【0049】CD24aから反射された光は、対物レン
ズ38およびコリメートレンズ37を透過し、再び偏光
ビームスプリッタ25へ入射する。偏光ビームスプリッ
タ25によって反射ミラー26の方向へ反射された光
は、反射ミラー26によって反射されてもう1つのホロ
グラム42によって回折され、1次回折光がホログラム
29を透過して光検出手段30上に受光される。
The light reflected from the CD 24a passes through the objective lens 38 and the collimator lens 37, and enters the polarization beam splitter 25 again. The light reflected by the polarization beam splitter 25 toward the reflection mirror 26 is reflected by the reflection mirror 26 and diffracted by another hologram 42, and the first-order diffracted light passes through the hologram 29 and is received by the light detection means 30. To be done.

【0050】第1半導体レーザチップ23から出射され
た光45のDVD24bからの反射光は、もう1つのホ
ログラム42を透過しホログラム29によって回折さ
れ、1次回折光が光検出手段30上に受光される。受光
された光の光量に基づいて、検出信号、たとえばトラッ
キングサーボ信号が得られる。
The reflected light from the DVD 24b of the light 45 emitted from the first semiconductor laser chip 23 passes through the other hologram 42 and is diffracted by the hologram 29, and the first-order diffracted light is received on the photodetection means 30. . A detection signal, for example, a tracking servo signal is obtained based on the amount of received light.

【0051】また図7は本発明の第3の実施の形態であ
る半導体レーザ装置46の構成を簡略化して示す斜視図
であり、図8は図7に示す半導体レーザ装置46を備え
る光ピックアップ装置47の構成を簡略化して示す概略
断面図であり、図9は図8の要部拡大図である。
FIG. 7 is a perspective view showing a simplified structure of a semiconductor laser device 46 according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 8 is an optical pickup device including the semiconductor laser device 46 shown in FIG. It is a schematic sectional drawing which simplifies and shows the structure of 47, and FIG. 9 is a principal part enlarged view of FIG.

【0052】本実施の形態の半導体レーザ装置46は、
第1の実施の形態の半導体レーザ装置21に類似し、対
応する部分には同一の参照符号を付して説明を省略す
る。注目すべきは、半導体レーザ装置46は、第1半導
体レーザチップ23に隣接して配置され異なる波長を出
射する第2半導体レーザチップ41と、光記録媒体24
からの反射光のうち一方の波長の反射光を反射し、他方
の波長の反射光を透過する偏光ビームスプリッタ48を
備える波長分離用光学素子49と、波長分離用光学素子
49と回折格子28との間に配置され偏光ビームスプリ
ッタ48によって透過される反射光を回折する第4光学
素子50とを備えることである。
The semiconductor laser device 46 of this embodiment is
The semiconductor laser device 21 is similar to the semiconductor laser device 21 of the first embodiment, and corresponding parts are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. It should be noted that the semiconductor laser device 46 includes the second semiconductor laser chip 41 which is arranged adjacent to the first semiconductor laser chip 23 and emits different wavelengths, and the optical recording medium 24.
Of the reflected light from the above, a wavelength separation optical element 49 including a polarization beam splitter 48 that reflects the reflected light of one wavelength and transmits the reflected light of the other wavelength, a wavelength separation optical element 49, and a diffraction grating 28. And a fourth optical element 50 for diffracting the reflected light transmitted by the polarization beam splitter 48.

【0053】第4光学素子50は、さらにもう1つのホ
ログラム50であり、回折格子28およびホログラム2
9とともに第4ホログラム素子51に設けられる。さら
にもう1つのホログラム50は、偏光ビームスプリッタ
48を透過して入射した光を回折し光検出手段30上へ
導く。またホログラム29およびさらにもう1つのホロ
グラム50は、第1半導体レーザチップ23から出射さ
れる光45の軸に直交する平面である第4ホログラム素
子51の一平面内52に設けられるので、光学部材の設
置スペースの取合いの問題を生じることなく、半導体レ
ーザ装置46の小型化を実現することができる。
The fourth optical element 50 is yet another hologram 50, which includes the diffraction grating 28 and the hologram 2.
9 and the fourth hologram element 51. Still another hologram 50 diffracts the light that has passed through the polarization beam splitter 48 and is incident, and guides it onto the light detection means 30. Further, since the hologram 29 and the further hologram 50 are provided in the one plane 52 of the fourth hologram element 51 which is a plane orthogonal to the axis of the light 45 emitted from the first semiconductor laser chip 23, the hologram 29 and the other hologram 50 are provided. The size reduction of the semiconductor laser device 46 can be realized without causing a problem of the installation space.

【0054】第2半導体レーザチップ41から出射され
た光44は、回折格子28によって1次回折光、零次回
折光、−1次回折光へ回折され、さらにもう1つのホロ
グラム50を透過する。偏光ビームスプリッタ48によ
って出射光の一部が反射され、CD24aの方向へ透過
される残余の光は、コリメートレンズ37および対物レ
ンズ38を透過し、CD24aへ集光される。CD24
aから反射された光は、偏光ビームスプリッタ48を透
過し、さらにもう1つのホログラム50によって回折さ
れ、−1次回折光が光検出手段30上に受光される。
The light 44 emitted from the second semiconductor laser chip 41 is diffracted by the diffraction grating 28 into first-order diffracted light, zero-order diffracted light, and −1st-order diffracted light, and further passes through another hologram 50. A part of the emitted light is reflected by the polarization beam splitter 48, and the remaining light transmitted in the direction of the CD 24a passes through the collimator lens 37 and the objective lens 38 and is condensed on the CD 24a. CD24
The light reflected from a passes through the polarization beam splitter 48, is diffracted by another hologram 50, and the −1st order diffracted light is received on the photodetection means 30.

【0055】第1半導体レーザチップ23から出射され
た光45は、回折格子28およびさらにもう1つのホロ
グラム50を透過し、偏光ビームスプリッタ48によっ
て一部の光が反射され、残余の光が集光手段35によっ
てDVD24bへ集光され反射された後、偏光ビームス
プリッタ48へ入射し反射される。偏光ビームスプリッ
タ48によって反射された光は、反射ミラー26によっ
て反射されてホログラム29へ入射する。ホログラム2
9によって回折された1次回折光が光検出手段30上に
受光される。第1および第2半導体レーザチップ23,
41から出射された光45,44は、同一の光検出手段
30上で受光され、検出される光の光量に基づいて検出
信号が得られる。
The light 45 emitted from the first semiconductor laser chip 23 passes through the diffraction grating 28 and yet another hologram 50, a part of the light is reflected by the polarization beam splitter 48, and the remaining light is condensed. After being condensed and reflected on the DVD 24b by the means 35, it is incident on the polarization beam splitter 48 and reflected. The light reflected by the polarization beam splitter 48 is reflected by the reflection mirror 26 and enters the hologram 29. Hologram 2
The first-order diffracted light diffracted by 9 is received on the light detection means 30. First and second semiconductor laser chips 23,
The lights 45 and 44 emitted from 41 are received on the same light detecting means 30, and a detection signal is obtained based on the light amount of the detected light.

【0056】偏光ビームスプリッタ48には、偏光プリ
ズムを用いることができる。偏光プリズムを用いる場合
は、第1または第2半導体レーザチップ23,41から
出射された光45,44は、偏光プリズムによって電界
成分の偏光と磁界成分の偏光とに分けられ、一方の成分
の偏光は透過され、他方の成分の偏光は反射されてモニ
タ用光検出手段36上で受光される。たとえば第1半導
体レーザチップ23から出射される光45は電界成分の
偏光が反射され、第2半導体レーザチップ41から出射
される光44は磁界成分の偏光が反射されるような特性
を偏光プリズムに持たせることができる。また光記録媒
体24から反射された第1半導体レーザチップ23から
出射された光45の磁界成分の偏光は反射ミラー26の
方向へ反射され、第2半導体レーザチップ41から出射
された光44の電界成分の偏光は透過されてさらにもう
1つのホログラム50へ入射する。
A polarization prism can be used as the polarization beam splitter 48. When a polarizing prism is used, the light 45, 44 emitted from the first or second semiconductor laser chip 23, 41 is split into polarized light of an electric field component and polarized light of a magnetic field component by the polarizing prism, and the polarized light of one component is polarized. Is transmitted, and the polarized light of the other component is reflected and received on the monitor light detection means 36. For example, the light 45 emitted from the first semiconductor laser chip 23 has a characteristic that the polarized light of the electric field component is reflected, and the light 44 emitted from the second semiconductor laser chip 41 has the characteristic that the polarized light of the magnetic field component is reflected. You can have it. The polarization of the magnetic field component of the light 45 emitted from the first semiconductor laser chip 23 reflected from the optical recording medium 24 is reflected in the direction of the reflection mirror 26 and the electric field of the light 44 emitted from the second semiconductor laser chip 41. The polarized light of the component is transmitted and is incident on another hologram 50.

【0057】第2および第3の実施の形態によれば、異
なる波長の光をそれぞれ出射する2つの半導体レーザチ
ップ23,41を使用し、異なる2種類の光記録媒体2
4a,24bに対して情報を記録または再生することが
可能になる。
According to the second and third embodiments, two semiconductor laser chips 23 and 41 which respectively emit lights of different wavelengths are used, and two different types of optical recording media 2 are used.
It becomes possible to record or reproduce information on 4a and 24b.

【0058】図10は、本発明の第4の実施の形態であ
る光ピックアップ装置53の構成を簡略化して示す概略
断面図である。本実施の形態の光ピックアップ装置53
は、実施の他の形態である光ピックアップ装置22に類
似し、対応する部分には同一の参照符号を付して説明を
省略する。注目すべきは、モニタ用光検出手段54は、
半導体レーザ装置21に一体的に設けられることであ
る。
FIG. 10 is a schematic sectional view showing a simplified structure of an optical pickup device 53 according to a fourth embodiment of the present invention. Optical pickup device 53 of the present embodiment
Is similar to the optical pickup device 22 according to the other embodiment, and corresponding parts are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. It should be noted that the monitor light detection means 54 is
That is, it is provided integrally with the semiconductor laser device 21.

【0059】本実施の形態ではモニタ用光検出手段54
は、半導体レーザ装置21が備える波長分離用光学素子
27に一体的に設けられる。このことによって、光学部
材の設置スペースの取合いの問題が解決されるので、光
ピックアップ装置53の小型化を実現することが可能に
なる。本実施の形態では、モニタ用光検出手段54は、
波長分離用光学素子27に一体的に設けられるけれど
も、これに限定されることなく、半導体レーザ装置21
に備わるいずれかの部材にモニタ用光検出手段54が一
体的に設けられる構成であってもよい。
In the present embodiment, the monitor light detecting means 54
Are provided integrally with the wavelength separating optical element 27 included in the semiconductor laser device 21. This solves the problem of the mounting space of the optical members, so that the optical pickup device 53 can be downsized. In the present embodiment, the monitor light detection means 54 is
Although provided integrally with the wavelength separating optical element 27, the semiconductor laser device 21 is not limited to this.
The monitor light detection means 54 may be integrally provided with any of the members provided in.

【0060】[0060]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、半導体レ
ーザチップから出射された光の一部を利用して半導体レ
ーザチップの出力を正確に制御することができる。ま
た、半導体レーザチップから出射される光が透過し回折
される光学素子は1つであるので、出射光の光量をほと
んど減少させることなく光記録媒体へ出射することがで
きる。
As described above, according to the present invention, the output of the semiconductor laser chip can be accurately controlled by utilizing a part of the light emitted from the semiconductor laser chip. Further, since the light emitted from the semiconductor laser chip is transmitted and diffracted by only one optical element, the light can be emitted to the optical recording medium without substantially reducing the light amount of the emitted light.

【0061】また本発明によれば、2つの光学素子を設
けることによって、各半導体レーザチップからの出射光
を所望の方向へそれぞれ回折し光検出手段によって受光
することができるので、異なる波長の光を出射する2つ
の半導体レーザチップを利用して、異なる2種類の光記
録媒体に対して情報を記録または再生することが可能に
なる。
Further, according to the present invention, by providing two optical elements, the light emitted from each semiconductor laser chip can be diffracted in a desired direction and received by the light detecting means, so that light of different wavelengths can be received. It is possible to record or reproduce information on or from two different types of optical recording media by using two semiconductor laser chips that emit light.

【0062】また本発明によれば、第2光学素子と第4
光学素子とは、同一平面内に設けられるので、光学部材
の設置スペースの取合いの問題を生じることなく、半導
体レーザ装置の小型化を実現することが可能になる。
According to the invention, the second optical element and the fourth optical element
Since the optical element and the optical element are provided in the same plane, the semiconductor laser device can be miniaturized without causing a problem of mounting space of the optical member.

【0063】また本発明によれば、レーザ光のうち主た
る偏光方向の光を透過させ、主たる偏光方向とは異なる
偏光方向を有する一部の光を反射するように偏光ビーム
スプリッタを選択することによって、光記録媒体へ集光
される光の光量をほとんど減少させることなく半導体レ
ーザチップの出力を制御することができる。
Further, according to the present invention, by selecting the polarization beam splitter so as to transmit the light of the main polarization direction of the laser light and reflect the part of the light having the polarization direction different from the main polarization direction. The output of the semiconductor laser chip can be controlled with almost no reduction in the amount of light focused on the optical recording medium.

【0064】また本発明によれば、光ピックアップ装置
は、高い強度で安定度に優れる光を用いて、光記録媒体
に対する情報の記録または再生および各種制御を行なう
ことができるので、精度のよい情報信号の取得と各種制
御を行なうことができる。
Further, according to the present invention, since the optical pickup device can record or reproduce information on the optical recording medium and perform various controls by using light having high intensity and excellent stability, accurate information can be obtained. It is possible to perform signal acquisition and various controls.

【0065】また本発明によれば、モニタ用光検出手段
を半導体レーザ装置に一体的に設けることによって、光
学部材の設置スペースの取合いの問題が解決されるの
で、光ピックアップ装置の小型化を実現することが可能
になる。
Further, according to the present invention, by providing the monitor light detecting means integrally with the semiconductor laser device, the problem of the mounting space of the optical members can be solved, so that the optical pickup device can be miniaturized. It becomes possible to do.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態である半導体レーザ
装置21の構成を簡略化して示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a simplified configuration of a semiconductor laser device 21 according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1に示す半導体レーザ装置21を備える光ピ
ックアップ装置22の構成を簡略化して示す概略断面図
である。
FIG. 2 is a schematic sectional view showing a simplified configuration of an optical pickup device 22 including the semiconductor laser device 21 shown in FIG.

【図3】図2の要部拡大図である。FIG. 3 is an enlarged view of a main part of FIG.

【図4】本発明の第2の実施の形態である半導体レーザ
装置39の構成を簡略化して示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing a simplified configuration of a semiconductor laser device 39 according to a second embodiment of the present invention.

【図5】図4に示す半導体レーザ装置39を備える光ピ
ックアップ装置40の構成を簡略化して示す概略断面図
である。
5 is a schematic cross-sectional view showing a simplified configuration of an optical pickup device 40 including the semiconductor laser device 39 shown in FIG.

【図6】図5の要部拡大図である。FIG. 6 is an enlarged view of a main part of FIG.

【図7】本発明の第3の実施の形態である半導体レーザ
装置46の構成を簡略化して示す斜視図である。
FIG. 7 is a perspective view showing a simplified configuration of a semiconductor laser device 46 according to a third embodiment of the present invention.

【図8】図7に示す半導体レーザ装置46を備える光ピ
ックアップ装置47の構成を簡略化して示す概略断面図
である。
8 is a schematic sectional view showing a simplified configuration of an optical pickup device 47 including the semiconductor laser device 46 shown in FIG.

【図9】図8の要部拡大図である。9 is an enlarged view of a main part of FIG.

【図10】本発明の第4の実施の形態である光ピックア
ップ装置53の構成を簡略化して示す概略断面図であ
る。
FIG. 10 is a schematic sectional view showing a simplified configuration of an optical pickup device 53 according to a fourth embodiment of the present invention.

【図11】従来の光ピックアップ装置1の構成を簡略化
して示す系統図である。
FIG. 11 is a system diagram showing a simplified configuration of a conventional optical pickup device 1.

【図12】もう1つの従来の光ピックアップ装置14の
構成を簡略化して示す概略断面図である。
FIG. 12 is a schematic cross-sectional view showing a simplified configuration of another conventional optical pickup device 14.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

21 半導体レーザ装置 22 光ピックアップ装置 23 半導体レーザチップ 24 光記録媒体 25 ビームスプリッタ 26 反射ミラー 27 波長分離用光学素子 28 第1光学素子 29 第2光学素子 30 光検出手段 31 第1部材 32 リードフレーム 33 第2部材 34 第1ホログラム素子 35 集光手段 36 モニタ用光検出手段 21 Semiconductor laser device 22 Optical pickup device 23 Semiconductor laser chip 24 Optical recording medium 25 beam splitter 26 Reflection mirror 27 Optical element for wavelength separation 28 First optical element 29 Second optical element 30 light detection means 31 First member 32 lead frame 33 Second member 34 First Hologram Element 35 Condensing means 36 Optical detection means for monitor

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 情報が光によって記録または再生される
光記録媒体に向けて光を出射し、光記録媒体からの反射
光を受光する半導体レーザ装置において、 光を出射する半導体レーザチップと、 半導体レーザチップからの出射光および光記録媒体から
の反射光を透過および/または反射するビームスプリッ
タと、ビームスプリッタによって反射される光をさらに
反射する反射ミラーとを備える波長分離用光学素子と、 半導体レーザチップと波長分離用光学素子との間に配置
され半導体レーザチップから出射される光を回折する第
1光学素子と、 波長分離用光学素子よりも半導体レーザチップ寄りに配
置され波長分離用光学素子の反射ミラーによって反射さ
れる光を回折する第2光学素子と、 第2光学素子によって回折される光を受光する光検出手
段とを含むことを特徴とする半導体レーザ装置。
1. A semiconductor laser device that emits light toward an optical recording medium in which information is recorded or reproduced by light and receives reflected light from the optical recording medium, and a semiconductor laser chip that emits light. A wavelength splitting optical element including a beam splitter that transmits and / or reflects light emitted from a laser chip and reflected light from an optical recording medium, and a reflection mirror that further reflects light reflected by the beam splitter, and a semiconductor laser A first optical element arranged between the chip and the wavelength separating optical element to diffract light emitted from the semiconductor laser chip; and a wavelength separating optical element arranged closer to the semiconductor laser chip than the wavelength separating optical element. A second optical element that diffracts the light reflected by the reflection mirror, and an optical detector that receives the light diffracted by the second optical element. The semiconductor laser device which comprises a means.
【請求項2】 前記第2光学素子と前記波長分離用光学
素子との間に配置され前記反射ミラーによって反射され
る光を回折する第3光学素子を含み、 前記光検出手段は、 前記第3光学素子によって回折される光と前記第2光学
素子によって回折される光とを受光するように設けられ
ることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。
2. A third optical element, which is disposed between the second optical element and the wavelength separating optical element and diffracts light reflected by the reflection mirror, the light detecting means includes the third optical element. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the semiconductor laser device is provided so as to receive light diffracted by an optical element and light diffracted by the second optical element.
【請求項3】 前記波長分離用光学素子と前記第1光学
素子との間に配置され前記ビームスプリッタによって透
過される光を回折する第4光学素子を含み、 前記光検出手段は、 前記第4光学素子によって回折される光と前記第2光学
素子によって回折される光とを受光するように設けられ
ることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。
3. A fourth optical element disposed between the wavelength separating optical element and the first optical element for diffracting the light transmitted by the beam splitter, wherein the light detecting means includes the fourth optical element. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the semiconductor laser device is provided so as to receive light diffracted by an optical element and light diffracted by the second optical element.
【請求項4】 前記第2光学素子と前記第4光学素子と
は、 半導体レーザチップから出射される光の軸に直交する同
一平面内に設けられることを特徴とする請求項3記載の
半導体レーザ装置。
4. The semiconductor laser according to claim 3, wherein the second optical element and the fourth optical element are provided in the same plane orthogonal to the axis of light emitted from the semiconductor laser chip. apparatus.
【請求項5】 前記ビームスプリッタは、 偏光ビームスプリッタであることを特徴とする請求項1
〜4のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
5. The beam splitter is a polarizing beam splitter.
5. The semiconductor laser device according to any one of 4 to 4.
【請求項6】 前記請求項1〜5のいずれかに記載の半
導体レーザ装置を備え、 半導体レーザ装置と光記録媒体との間に配置され半導体
レーザ装置から出射される光を光記録媒体上に集光させ
る集光手段と、 半導体レーザ装置に備わるビームスプリッタによって反
射される光を受光し半導体レーザチップの出力をモニタ
するモニタ用光検出手段とを含むことを特徴とする光ピ
ックアップ装置。
6. A semiconductor laser device according to claim 1, wherein the semiconductor laser device is disposed between the semiconductor laser device and the optical recording medium, and the light emitted from the semiconductor laser device is directed onto the optical recording medium. An optical pickup device comprising: a condensing means for condensing light and a monitor photodetection means for receiving light reflected by a beam splitter provided in the semiconductor laser device and monitoring the output of the semiconductor laser chip.
【請求項7】 前記モニタ用光検出手段は、 半導体レーザ装置に一体的に設けられることを特徴とす
る請求項6記載の光ピックアップ装置。
7. The optical pickup device according to claim 6, wherein the monitor light detection means is provided integrally with the semiconductor laser device.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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