JP2002237085A - Optical pickup and optical information reproducing device or recording device using the same - Google Patents
Optical pickup and optical information reproducing device or recording device using the sameInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光学的情報記録媒
体(以下、光ディスクと記す)に記録されたデータ信号
を再生するために用いられる光ピックアップ装置に係わ
り、特に互いに異なる複数種類の光ディスクの再生を可
能にする互換光ピックアップ装置の簡略化、低価格化に
関して有効な発明である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical pickup device used for reproducing a data signal recorded on an optical information recording medium (hereinafter, referred to as an optical disk). The present invention is effective for simplifying and reducing the price of a compatible optical pickup device that enables reproduction.
【0002】[0002]
【従来の技術】最近、光ピックアップ装置の小型化、簡
略化を目的として、半導体レーザチップと所定の受光面
形状を有するフォトディテクタを同一の筐体内に封入し
た半導体レーザモジュールを搭載した光ピックアップ装
置が急速に普及している。これら半導体レーザモジュー
ルは該半導体レーザモジュールと光学的情報記録媒体
(以下、簡単のため光ディスクと記す)上にレーザ光を
集光するための対物レンズと該対物レンズの位置制御を
行うためのアクチュエータだけで基本的に光ピックアッ
プ装置を構成することができるので、装置の小型化、簡
略化に大変有利である。2. Description of the Related Art Recently, for the purpose of miniaturizing and simplifying an optical pickup device, an optical pickup device equipped with a semiconductor laser module in which a semiconductor laser chip and a photodetector having a predetermined light receiving surface shape are sealed in the same housing has been developed. Spreading rapidly. These semiconductor laser modules include only an objective lens for condensing laser light on the semiconductor laser module and an optical information recording medium (hereinafter, simply referred to as an optical disk) and an actuator for controlling the position of the objective lens. Thus, the optical pickup device can be basically configured, which is very advantageous for miniaturization and simplification of the device.
【0003】一方、最近、高密度情報記録媒体の1種類
として一般にDVDと呼ばれる光ディスクが注目され、
すでに市場ではCD、CD−ROM、CD−Rなどの既
存の光ディスクとともに急速に普及しつつある。したが
ってこれら各種光ディスクからデータ信号を再生するた
めの光ピックアップ装置としては、1台の装置でCDと
DVDのように異なる種類の光ディスクを共に再生でき
るいわゆる互換光ピックアップであることが望ましい。
このような要求に対し従来は、DVD系ディスクの記録
または再生を行うための波長660nm帯の半導体レー
ザと、CD系ディスクの記録または再生を行うための波
長780nm帯の半導体レーザを備えた複合型の光ピッ
クアップを用いることで対応してきた。しかしながらこ
のような複合型光ピックアップ装置は複数の半導体レー
ザ光源やこれら各光源から発したレーザ光ビームを合成
あるいは分離するための光学素子を新たに備える必要が
あるため,従来の1光源タイプの光ピックアップに比べ
大型化、複雑化、高価格化が免れない。そこで、最近で
はこの複合型光ピックアップに前述した半導体レーザモ
ジュールを採用することにより、より光ピックアップの
小型、簡略化を狙った開発も進められている。On the other hand, recently, as one type of high-density information recording medium, an optical disk generally called a DVD has attracted attention.
Already in the market, it is rapidly spreading along with existing optical disks such as CD, CD-ROM, and CD-R. Therefore, an optical pickup device for reproducing data signals from these various optical disks is preferably a so-called compatible optical pickup that can reproduce both types of optical disks such as a CD and a DVD with one device.
In response to such demands, conventionally, a composite type including a semiconductor laser having a wavelength of 660 nm for recording or reproducing a DVD disc and a semiconductor laser having a wavelength of 780 nm for recording or reproducing a CD disc has been conventionally used. This has been addressed by using an optical pickup. However, such a compound optical pickup device needs to be newly provided with a plurality of semiconductor laser light sources and an optical element for synthesizing or separating the laser light beams emitted from these light sources. Larger, more complex and more expensive than pickups. In view of the above, recently, the development aiming at further miniaturization and simplification of the optical pickup has been promoted by adopting the above-described semiconductor laser module in the composite optical pickup.
【0004】なお、半導体レーザモジュールを搭載した
光ピックアップ装置に関しては、例えば特開平8−22
624号公報などのように多くの公知例が開示されてい
る。また、前述したような複合型光ピックアップの代表
的な公知例としては、特開平8−55363号公報や特
開平9−54977号公報などがある。An optical pickup device equipped with a semiconductor laser module is disclosed, for example, in Japanese Patent Laid-Open No.
Many publicly known examples such as 624 are disclosed. Also, typical known examples of the composite optical pickup as described above include JP-A-8-55363 and JP-A-9-54977.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
半導体レーザモジュールは1種の集積化半導体素子であ
り、その製造には高度の半導体集積化技術および製造設
備を要する。またホログラム素子などのような特殊な光
学部品も必要とするため、現在のところ、その製造コス
トは通常の光ピックアップ用光学部品に比べ比較的高く
なってしまうのが実情である。したがって、複合型光ピ
ックアップにこの半導体レーザモジュールを採用する場
合は、1台の光ピックアップ内に2個以上の半導体レー
ザモジュールを搭載しなければならないため、コスト的
には極めて不利になるという問題が生じてしまう。However, the above-mentioned semiconductor laser module is one kind of integrated semiconductor device, and its manufacture requires advanced semiconductor integration technology and manufacturing equipment. Further, since special optical components such as hologram elements are required, at present, the manufacturing cost is relatively high compared with ordinary optical pickup optical components. Therefore, when this semiconductor laser module is used in a composite optical pickup, two or more semiconductor laser modules must be mounted in one optical pickup, which is extremely disadvantageous in cost. Will happen.
【0006】また、一方のレーザ光ビームの光学系を半
導体レーザモジュールで構成し、他方のレーザ光ビーム
を従来と同様の個別の光学部品からなる光学系で構成す
る複合型光ピックアップも考えられるが、このような構
成では結局、一つの光ピックアップ内に半導体レーザモ
ジュールの他に従来の光ピックアップと同様の光学系が
存在することになり、半導体レーザモジュールが持つ小
型、簡略化の特質を充分に生かすことができない。A composite optical pickup in which one laser light beam optical system is constituted by a semiconductor laser module and the other laser light beam is constituted by an optical system composed of individual optical components similar to the conventional one is also conceivable. However, in such a configuration, an optical system similar to the conventional optical pickup exists in addition to the semiconductor laser module in one optical pickup, and the characteristics of the small size and simplification of the semiconductor laser module can be sufficiently obtained. I can't make the most of it.
【0007】本発明の目的は以上の状況を鑑み、半導体
レーザモジュールを用いた小型のDVD/CD共用光ピ
ックアップにおいて、その小型、簡略化の特質を保持し
つつ、製造コストの大幅な低減を実現した光ピックアッ
プを提供することにある。In view of the above circumstances, it is an object of the present invention to realize a significant reduction in manufacturing cost of a compact DVD / CD shared optical pickup using a semiconductor laser module, while maintaining the characteristics of compactness and simplification. To provide an improved optical pickup.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明においては、少なくとも1個の半導体レーザ
光源と複数に分割された検出面を有する光検出器を同一
の筐体内に配置した半導体レーザモジュールと、前記半
導体レーザモジュール内の半導体レーザ光源が発するレ
ーザ光ビームとは異なる波長のレーザ光ビームを発する
第2の半導体レーザ光源と、前記各半導体レーザ光源か
ら発したレーザ光ビームを集光し所定の光ディスクにそ
れぞれ独立した光スポットを照射する機能を有する対物
レンズとを備えた光ピックアップにおいて、前記対物レ
ンズから前記半導体レーザモジュールにいたる光路中
に、前記各半導体レーザ光源を発し前記光ディスクを反
射した各レーザ光ビームをそれぞれ前記半導体レーザモ
ジュール内に配置された前記光検出面上の所定位置に導
く機能を備えた光学的手段を配置した。すなわち、1個
の半導体レーザモジュールと1個の半導体レーザモジュ
ールを備え、該半導体レーザモジュールから出射したレ
ーザ光ビームについては、従来の半導体レーザモジュー
ルを用いた光ピックアップと同様、光ディスク反射後、
元の半導体レーザモジュール内にある光検出器に入射さ
せ各種信号を検出するとともに、もう一方の半導体レー
ザ光源から出射したレーザ光ビームについても、光ディ
スク反射後半導体レーザモジュール内にある光検出器に
入射させてこの光検出器から各種信号を検出する構成に
するわけである。このような構成にすると、一方の半導
体レーザモジュール内の光検出器をそれぞれ別個に設け
られた半導体レーザ光源から出射した各レーザ光ビーム
用の光検出器として兼用させていることになり、結局半
導体レーザ光源を除いた半導体レーザモジュール1個分
の光学部品が省略できるわけである。In order to achieve the above object, the present invention provides a semiconductor device in which at least one semiconductor laser light source and a photodetector having a plurality of divided detection surfaces are arranged in the same housing. A laser module, a second semiconductor laser light source that emits a laser light beam having a different wavelength from the laser light beam emitted by the semiconductor laser light source in the semiconductor laser module, and a laser light beam emitted from each of the semiconductor laser light sources. In an optical pickup having an objective lens having a function of irradiating a predetermined optical disk with an independent light spot, the optical disk emits each of the semiconductor laser light sources in an optical path from the objective lens to the semiconductor laser module, and Each reflected laser light beam is arranged in the semiconductor laser module, respectively. It was placed optical means having a function of guiding to a predetermined position on the optical detection surface. That is, the semiconductor laser module includes one semiconductor laser module and one semiconductor laser module, and the laser light beam emitted from the semiconductor laser module is reflected after the optical disk reflection, as in the optical pickup using the conventional semiconductor laser module.
Various signals are detected by being incident on the photodetector in the original semiconductor laser module, and the laser light beam emitted from the other semiconductor laser light source is also incident on the photodetector in the semiconductor laser module after reflection from the optical disk. Then, the configuration is such that various signals are detected from the photodetector. With such a configuration, the photodetector in one semiconductor laser module is also used as a photodetector for each laser light beam emitted from a separately provided semiconductor laser light source. The optical components for one semiconductor laser module excluding the laser light source can be omitted.
【0009】またこの光ピックアップでは、前記半導体
レーザモジュール内の光検出面で検出された所定の信号
を用いて、前記各半導体レーザ光源を発し前記光学的情
報記録媒体上に集光された各光スポットのフォーカス誤
差信号およびトラッキング誤差信号をそれぞれ独立に検
出するとともに、各光学的情報記録媒体に記録された情
報信号を再生する機能を有する。In this optical pickup, each of the semiconductor laser light sources is emitted by using a predetermined signal detected on a light detection surface in the semiconductor laser module, and each of the light beams condensed on the optical information recording medium. It has a function of independently detecting a focus error signal and a tracking error signal of a spot and reproducing an information signal recorded on each optical information recording medium.
【0010】なお、前記したような各半導体レーザ光源
を発し前記光ディスクを反射した各レーザ光ビームをそ
れぞれ前記半導体レーザモジュール内に配置された前記
光検出面上の所定位置に導く光学的手段は、少なくとも
前記半導体レーザモジュールの窓部に配置された透明基
板上に所定のピッチで凹凸の格子溝を設けた回折格子に
よって構成される。The optical means for emitting each laser light beam emitted from each of the semiconductor laser light sources and reflecting each of the laser light beams reflected from the optical disk to a predetermined position on the light detection surface arranged in the semiconductor laser module includes: The semiconductor laser module is constituted by a diffraction grating in which concave and convex grating grooves are provided at a predetermined pitch on a transparent substrate disposed at a window of the semiconductor laser module.
【0011】あるいは前記光学的手段は、前記半導体レ
ーザモジュール内の半導体レーザ光源を発し所定の偏光
方向を有する第1のレーザ光ビームに対しては所定の回
折効率で該レーザ光ビームを回折し、前記第1の光ビー
ムに対して略垂直の偏光方向を有する第2のレーザ光ビ
ームに対しては回折効率がほぼ0%となる第1の偏光性
回折格子と、該第1の偏光性回折格子とは逆に前記第1
のレーザ光ビームに対しては回折効率がほぼ0%とな
り、前記第2のレーザ光ビームに対しては所定の回折効
率で該レーザ光ビームを回折する機能を有する第2の偏
光回折格子から構成される。Alternatively, the optical means emits a semiconductor laser light source in the semiconductor laser module and diffracts the first laser light beam having a predetermined polarization direction with a predetermined diffraction efficiency, A first polarizing diffraction grating having a diffraction efficiency of about 0% for a second laser light beam having a polarization direction substantially perpendicular to the first light beam; Contrary to the lattice, the first
And a second polarization diffraction grating having a function of diffracting the laser light beam at a predetermined diffraction efficiency with respect to the second laser light beam. Is done.
【0012】あるいは前記光学的手段は、前記半導体レ
ーザモジュール内の半導体レーザ光源を発し所定の偏光
方向を有する第1のレーザ光ビームに対しては所定の回
折効率で該レーザ光ビームを回折し、前記第1のレーザ
光ビームに対して略垂直の偏光方向を有する第2のレー
ザ光ビームに対しては回折効率がほぼ0%となる第1の
偏光性回折格子と、該第1の偏光性回折格子とは逆に前
記第1のレーザ光ビームに対しては回折効率がほぼ0%
となり、前記第2のレーザ光ビームに対しては所定の回
折効率で該光ビームを回折する機能を有する第2の偏光
回折格子と、前記第1および第2のレーザ光ビームのい
ずれに対しても略2分の1波長板として機能する所定の
波長板または位相変換素子とから構成される。Alternatively, the optical means emits a semiconductor laser light source in the semiconductor laser module and diffracts the first laser light beam having a predetermined polarization direction with a predetermined diffraction efficiency, A first polarizing diffraction grating having a diffraction efficiency of about 0% for a second laser light beam having a polarization direction substantially perpendicular to the first laser light beam; Contrary to the diffraction grating, the diffraction efficiency is almost 0% for the first laser light beam.
And a second polarization diffraction grating having a function of diffracting the second laser light beam at a predetermined diffraction efficiency, and a second polarization diffraction grating having a function of diffracting the second laser light beam. Also includes a predetermined wave plate or a phase conversion element that functions as a substantially half wave plate.
【0013】あるいは前記光学的手段は、前記半導体レ
ーザモジュール内の半導体レーザ光源を発し所定の偏光
方向を有する第1のレーザ光ビームに対しては所定の回
折効率で該レーザ光ビームを回折し、前記第1のレーザ
光ビームに対して垂直の偏光方向を有する第2のレーザ
光ビームに対しては回折効率がほぼ0%となる第1の偏
光性回折格子と、該第1の偏光性回折格子とは逆に前記
第1のレーザ光ビームに対しては回折効率がほぼ0%と
なり、前記第2のレーザ光ビームに対しては所定の回折
効率で該レーザ光ビームを回折する機能を有する第2の
偏光回折格子と、前記第1および第2のレーザ光ビーム
のいずれか一方に対しては略4分の1波長板として機能
し、他方に対しては略2分の1波長板として機能する所
定の波長板または位相変換素子とから構成される。Alternatively, the optical means emits a semiconductor laser light source in the semiconductor laser module and diffracts the first laser light beam having a predetermined polarization direction with a predetermined diffraction efficiency. A first polarizing diffraction grating having a diffraction efficiency of approximately 0% for a second laser light beam having a polarization direction perpendicular to the first laser light beam; Contrary to the grating, the first laser light beam has a diffraction efficiency of about 0%, and has a function of diffracting the second laser light beam with a predetermined diffraction efficiency. The second polarization diffraction grating functions as a substantially quarter-wave plate for one of the first and second laser light beams, and functions as a substantially half-wave plate for the other. A predetermined wave plate or Composed of a phase converting element.
【0014】あるいは前記光学的手段は、前記半導体レ
ーザモジュール内の半導体レーザ光源を発し所定の波長
を有する第1のレーザ光ビームに対しては所定の回折効
率で該レーザ光ビームを回折し、前記第2の半導体レー
ザ光源を発し前記第1のレーザ光ビームとは異なる波長
を有する第2のレーザ光ビームに対しては回折効率がほ
ぼ0%となる第1の波長選択性回折格子と、該第1の波
長選択性回折格子とは逆に前記第1のレーザ光ビームに
対しては回折効率がほぼ0%となり、前記第2のレーザ
光ビームに対しては所定の回折効率で該レーザ光ビーム
を回折する機能を有する第2の波長選択性回折格子から
構成される。Alternatively, the optical means emits a semiconductor laser light source in the semiconductor laser module and diffracts the first laser light beam having a predetermined wavelength with a predetermined diffraction efficiency. A first wavelength-selective diffraction grating that emits a second semiconductor laser light source and has a diffraction efficiency of about 0% for a second laser light beam having a wavelength different from that of the first laser light beam; Contrary to the first wavelength selective diffraction grating, the diffraction efficiency of the first laser light beam is substantially 0%, and the diffraction efficiency of the second laser light beam is predetermined. It comprises a second wavelength-selective diffraction grating having a function of diffracting a beam.
【0015】また本発明の別の構成として、所定の波長
のレーザ光ビームを発する第1の半導体レーザ光源と該
第1の半導体レーザ光源とは異なる波長のレーザ光ビー
ムを発する第2の半導体レーザ光源と複数に分割された
検出面を有する光検出器を同一の筐体内に配置した半導
体レーザモジュールと、前記各半導体レーザ光源から発
した各レーザ光ビームを集光し所定の光学的情報記録媒
体にそれぞれ独立した光スポットを照射する機能を有す
る対物レンズとを備えた光ピックアップにおいて、前記
第1の半導体レーザ光源を発し所定の偏光方向を有する
第1のレーザ光ビームに対しては所定の回折効率で該レ
ーザ光ビームを回折し、前記第1のレーザ光ビームに対
して垂直の偏光方向を有する第2のレーザ光ビームに対
しては回折効率がほぼ0%となる第1の偏光性回折格子
と、該第1の偏光性回折格子とは逆に前記第1のレーザ
光ビームに対しては回折効率がほぼ0%となり、前記第
2のレーザ光ビームに対しては所定の回折効率で該レー
ザ光ビームを回折する機能を有する第2の偏光回折格子
と、前記第1および第2のレーザ光ビームのうちいずれ
か一方のレーザ光ビーム対しては略4分の1波長板とし
て機能し、他方のレーザ光ビームに対しては略2分の1
波長板として機能する所定の波長板または位相変換素子
とを配置した。According to another aspect of the present invention, a first semiconductor laser light source for emitting a laser light beam of a predetermined wavelength and a second semiconductor laser for emitting a laser light beam of a different wavelength from the first semiconductor laser light source A semiconductor laser module in which a light source and a photodetector having a plurality of divided detection surfaces are arranged in the same housing; and a predetermined optical information recording medium for condensing each laser light beam emitted from each of the semiconductor laser light sources. And an objective lens having a function of irradiating independent light spots to each other, wherein the first semiconductor laser light source emits the first laser light beam having a predetermined polarization direction with a predetermined diffraction. The laser light beam is diffracted with an efficiency, and the diffraction efficiency is increased for a second laser light beam having a polarization direction perpendicular to the first laser light beam. A first polarizing diffraction grating having a diffraction efficiency of about 0%, and a diffraction efficiency of the first laser light beam, which is opposite to the first polarizing diffraction grating, is substantially 0%; A second polarization diffraction grating having a function of diffracting the laser light beam with a predetermined diffraction efficiency with respect to the light beam, and one of the first and second laser light beams for the laser light beam; Functions as a substantially quarter-wave plate, and approximately one-half for the other laser light beam.
A predetermined wave plate or a phase conversion element functioning as a wave plate was arranged.
【0016】さらに本発明の別の構成として、所定の波
長のレーザ光ビームを発する第1の半導体レーザ光源と
該第1の半導体レーザ光源とは異なる波長のレーザ光ビ
ームを発する第2の半導体レーザ光源と複数に分割され
た検出面を有する光検出器を同一の筐体内に配置した半
導体レーザモジュールと、前記各半導体レーザ光源から
発した各レーザ光ビームを集光し所定の光学的情報記録
媒体にそれぞれ独立した光スポットを照射する機能を有
する対物レンズとを備えた光ピックアップにおいて、前
記第1の半導体レーザ光源を発し所定の波長を有する第
1のレーザ光ビームに対しては所定の回折効率で該レー
ザ光ビームを回折し、前記第2の半導体レーザ光源を発
し前記第1のレーザ光ビームとは異なる波長を有する第
2のレーザ光ビームに対しては回折効率がほぼ0%とな
る第1の波長選択性回折格子と、該第1の波長選択性回
折格子とは逆に前記第1の光ビームに対しては回折効率
がほぼ0%となり、前記第2の光ビームに対しては所定
の回折効率で該光ビームを回折する機能を有する第2の
波長選択性回折格子とを備えた。Further, as another configuration of the present invention, a first semiconductor laser light source emitting a laser light beam of a predetermined wavelength and a second semiconductor laser emitting a laser light beam of a different wavelength from the first semiconductor laser light source A semiconductor laser module in which a light source and a photodetector having a plurality of divided detection surfaces are arranged in the same housing; and a predetermined optical information recording medium for condensing each laser light beam emitted from each of the semiconductor laser light sources. And an objective lens having a function of irradiating independent light spots, wherein a predetermined diffraction efficiency is obtained for a first laser light beam having a predetermined wavelength emitted from the first semiconductor laser light source. Diffracts the laser light beam at a second laser light beam emitted from the second semiconductor laser light source and having a different wavelength from the first laser light beam. , A first wavelength-selective diffraction grating having a diffraction efficiency of approximately 0%, and, contrary to the first wavelength-selective diffraction grating, a diffraction efficiency of approximately 0% for the first light beam. %, And a second wavelength-selective diffraction grating having a function of diffracting the second light beam with a predetermined diffraction efficiency.
【0017】[0017]
【発明の実施の形態】以下、本発明の第1の実施例を図
1乃至図4を用いて説明する。図1は本発明の光ピック
アップにおける第1の実施例の構成を示した概略正面図
である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a schematic front view showing the configuration of the first embodiment of the optical pickup of the present invention.
【0018】1は例えば、DVD系ディスクの記録また
は再生用に設けられた波長650nm帯の半導体レーザ
光源と複数領域に分割された光検出面を有する光検出器
を同一のパッケージ内に内包した半導体レーザモジュー
ルである。この半導体レーザモジュール1は、例えば図
2の概略断面図および図3の概略平面図が示すように、
基台100上に光源となる半導体レーザチップ101と
短冊状に田分割された光検出面からなる光検出器102
および半導体レーザチップ101の光出力モニタ用の光
検出器107を配置し、これらをカバー106で封止し
ている。そしてカバー106の上部窓部には透明基板1
03を配置し、この透明基板103の下面には半導体レ
ーザチップ101を発したレーザ光ビームを、信号の記
録・再生や例えばナイフエッジ方式など既に公知の方式
によるフォーカス制御信号検出や例えばディファレンシ
ャルフェイズデテクション方式など既に公知のトラッキ
ング制御信号検出のために用いる主光ビームと、3ビー
ム方式またはディファレンシャルプッシュプル方式など
の既に公知の方式によるトラッキング制御信号検出で用
いられる2本の副光ビームに分割するための回折格子1
04を設け、上面には光ディスクからの反射光ビームを
光検出器102の多分割検出面上に導くためのホログラ
ム素子105を設けている。このホログラム素子105
は、例えば図4の概略平面図が示すように3つの領域1
05a、105b、105cに分割されており、各領域
内では直線または曲線状の回折格子溝がそれぞれ所定の
向きに設けられている。なお本発明に用いられる半導体
レーザモジュールは上記のように図2乃至図4で説明さ
れる構成に限定されるものではなく、半導体レーザチッ
プと光検出器と光ディスクから反射してきたレーザ光ビ
ームを前記光検出器に導く機能を有する回折格子もしく
はホログラム素子を備えた半導体レーザモジュールであ
れば、どのような構成のモジュールでも構わない。Reference numeral 1 denotes a semiconductor in which a semiconductor laser light source having a wavelength of 650 nm provided for recording or reproducing a DVD disc and a photodetector having a photodetection surface divided into a plurality of regions are contained in the same package. It is a laser module. This semiconductor laser module 1 is, for example, as shown in a schematic sectional view of FIG. 2 and a schematic plan view of FIG.
A semiconductor laser chip 101 serving as a light source and a photodetector 102 having a photodetection surface divided into strips on a base 100.
Further, a photodetector 107 for monitoring the light output of the semiconductor laser chip 101 is arranged, and these are sealed with a cover 106. The transparent substrate 1 is provided on the upper window of the cover 106.
A laser beam emitted from the semiconductor laser chip 101 is applied to the lower surface of the transparent substrate 103 to record / reproduce a signal, detect a focus control signal by a known method such as a knife edge method, or perform a differential phase detection. Into a main light beam used for detecting a tracking control signal already known, such as an operation method, and two sub-light beams used for detecting a tracking control signal according to a known method, such as a three-beam system or a differential push-pull system. Grating 1 for
And a hologram element 105 for guiding the reflected light beam from the optical disk onto the multi-divided detection surface of the photodetector 102 on the upper surface. This hologram element 105
Are three regions 1 as shown in the schematic plan view of FIG.
05a, 105b, and 105c, and a linear or curved diffraction grating groove is provided in each region in a predetermined direction. Note that the semiconductor laser module used in the present invention is not limited to the configuration described with reference to FIGS. 2 to 4 as described above, and the semiconductor laser chip, the photodetector, and the laser Any module may be used as long as it is a semiconductor laser module having a diffraction grating or a hologram element having a function of leading to a photodetector.
【0019】第1の実施例における光ピックアップで
は、図1に示すように、半導体レーザモジュール1のほ
かに、CD系ディスクの記録または再生用に設けられた
波長780nm帯の半導体レーザ光源2、回折格子2
0、波長選択性ミラー3、補正用レンズ4、コリメート
レンズ5、立ち上げミラー6、対物レンズ7などが配置
されている。なお、波長選択性ミラー3は、例えば波長
650nm帯のレーザ光ビームに対してはほぼ100%
の反射率を有し、波長780nm帯のレーザ光ビームに
対しては、一部の光量を反射し残りの光量を超過するハ
ーフミラーの機能を有する。また回折格子20は半導体
レーザ光源2を発したレーザ光ビームを信号の記録・再
生等に用いる主光ビームと3ビーム方式またはディファ
レンシャルプッシュプル方式などの公知のトラッキング
制御信号検出方式で用いられる2本の副光ビームに分割
する機能を持つ。さらに補正レンズ4は、半導体レーザ
光源2を発した発散光ビームが波長選択性ミラー3を透
過する際に生じる波面収差を補正する機能や、対物レン
ズ7によって光ディスク8上に集光されるレーザ光ビー
ムの光量伝達効率を向上させる機能を具備したレンズで
ある。また対物レンズ7にはアクチュエータ9が具備さ
れており、半導体レーザモジュール1内の光検出器10
2から得られたフォーカス制御信号およびトラッキング
制御信号を用いて対物レンズ7の位置制御を行ってい
る。In the optical pickup according to the first embodiment, as shown in FIG. 1, in addition to a semiconductor laser module 1, a semiconductor laser light source 2 of a 780 nm wavelength band provided for recording or reproduction of a CD-based disc, Lattice 2
0, a wavelength-selective mirror 3, a correcting lens 4, a collimating lens 5, a rising mirror 6, an objective lens 7, and the like. The wavelength-selective mirror 3 is, for example, almost 100% for a laser light beam having a wavelength of 650 nm.
And has a function of a half mirror that reflects a part of the light amount and exceeds the remaining light amount with respect to the laser light beam in the 780 nm wavelength band. The diffraction grating 20 is composed of a main light beam used for recording / reproducing a laser light beam emitted from the semiconductor laser light source 2 and two beams used in a known tracking control signal detection method such as a three-beam method or a differential push-pull method. It has the function of splitting into sub light beams. Further, the correction lens 4 has a function of correcting a wavefront aberration generated when the divergent light beam emitted from the semiconductor laser light source 2 passes through the wavelength-selective mirror 3, and a laser light focused on the optical disk 8 by the objective lens 7. This lens has a function of improving the light beam transmission efficiency. The objective lens 7 is provided with an actuator 9, and a photodetector 10 in the semiconductor laser module 1 is provided.
The position control of the objective lens 7 is performed using the focus control signal and the tracking control signal obtained from Step 2.
【0020】次に図5乃至図9を用い、第1の実施例の
光ピックアップにおいてDVD系ディスクおよびCD系
ディスクの記録または再生時の各光学部品の機能を説明
する。Next, with reference to FIGS. 5 to 9, the function of each optical component in the optical pickup of the first embodiment at the time of recording or reproducing a DVD-based disc and a CD-based disc will be described.
【0021】まず、DVD−ROMやDVD−RAMな
どのDVD系光ディスクの記録または再生を行う場合
は、図5に示すように半導体レーザモジュール1内の半
導体レーザチップ101を点灯する。この半導体レーザ
モジュール1を発した波長650nm帯のレーザ光ビー
ムは、波長選択性ミラー3を反射後コリメータレンズ5
によって平行光に変換され、立ち上げミラー6を経て対
物レンズ7によって光ディスク8内の所定の記録トラッ
ク上に集光される。そして、光ディスク8を反射したレ
ーザ光ビームは、往路と同様の光路を逆にたどり対物レ
ンズ7、立ち上げミラー6、コリメータレンズ5、波長
選択性ミラー3を経て再び半導体レーザモジュール1に
戻り、そのホログラム素子105に入射する。このホロ
グラム素子105は、例えば図6にしめすように、該ホ
ログラム素子105に入射した光ディスク反射光ビーム
200を領域105a、105b、105cで3分割
し、それぞれ光ビームを所定の方向に回折して光検出器
102内の異なる検出面上に集光する。First, when recording or reproducing data on a DVD-based optical disk such as a DVD-ROM or DVD-RAM, the semiconductor laser chip 101 in the semiconductor laser module 1 is turned on as shown in FIG. The laser beam of 650 nm wavelength emitted from the semiconductor laser module 1 is reflected by the wavelength-selective mirror 3 and then collimated by the collimator lens 5.
Is converted into parallel light, and is condensed on a predetermined recording track in the optical disk 8 by the objective lens 7 via the rising mirror 6. Then, the laser light beam reflected from the optical disk 8 reverses the same optical path as the outward path, returns to the semiconductor laser module 1 via the objective lens 7, the rising mirror 6, the collimator lens 5, and the wavelength selective mirror 3, and returns to the semiconductor laser module 1. The light enters the hologram element 105. As shown in FIG. 6, for example, the hologram element 105 divides the optical disk reflected light beam 200 incident on the hologram element 105 into three regions 105a, 105b, and 105c, and diffracts the light beam in a predetermined direction. Light is focused on different detection surfaces in the detector 102.
【0022】図7はホログラム素子105で回折、分離
したレーザ光ビームが光検出器102の各検出面に照射
されたときの状態の一例を示した概略平面図である。ホ
ログラム素子105に入射した光ディスク反射光ビーム
200のうち、領域105aに入射した半光束は、光ス
ポット301aとして光検出器102の中央部設けられ
た2分割検出面の分割線上に集光される。また領域10
5bに入射した1/4光束は光スポット301bとして
独立した所定の検出面上に集光され、領域105cに入
射した1/4光束は光スポット301cとして独立した
所定の検出面上に集光される。一方、往路において半導
体レーザモジュール1内の回折格子104によって回折
分離された2本の副光ビームについても主光ビームと同
様に光ディスク8反射後ホログラム素子105に達し、
このホログラム素子105によって3分割される。この
うち領域105bに入射した1/4光束は光スポット3
02bおよび303bとしてそれぞれ独立した別個の光
検出面に入射し、領域105cに入射した1/4光束は
光スポット302cおよび303cとしてそれぞれ独立
した別個の光検出面に入射する。そしてこれら各光検出
面からの検出信号に、図中に示したような所定の演算処
理を施すことにより、ナイフエッジ方式等方式等既に公
知のフォーカス制御信号検出方式によってフォーカス制
御信号を検出し、またディファレンシャルフェイズデテ
クション方式または3ビーム方式またはディファレンシ
ャルプッシュプル方式等既に公知のトラッキング制御信
号検出方式によってトラッキング制御信号を検出し、さ
らに光ディスク8に記録されている情報信号を再生する
ことができる。なお、上記各制御信号の具体的な検出方
法については、既に公知の内容であるためその具体的な
説明は省略する。また、本発明におけるホログラム素子
105や光検出器102の構成や配置は、上記の実施例
に限定されるものではなく、どのような構成であっても
一向に構わない。FIG. 7 is a schematic plan view showing an example of a state where the laser light beam diffracted and separated by the hologram element 105 is applied to each detection surface of the photodetector 102. Of the optical disk reflected light beam 200 incident on the hologram element 105, the half beam incident on the area 105a is condensed as a light spot 301a on a division line of a two-part detection surface provided at the center of the photodetector 102. Area 10
The 1/4 light beam incident on 5b is condensed on an independent predetermined detection surface as light spot 301b, and the 1/4 light beam incident on region 105c is condensed on an independent predetermined detection surface as light spot 301c. You. On the other hand, the two sub-light beams diffracted and separated by the diffraction grating 104 in the semiconductor laser module 1 on the outward path also reach the hologram element 105 after the reflection of the optical disk 8 like the main light beam,
The hologram element 105 divides the light into three parts. Of these, the 1/4 light beam incident on the area 105b is the light spot 3
The incident light beams 02b and 303b are respectively incident on the independent light detection surfaces, and the 1 / light beams incident on the region 105c are incident on the independent light detection surfaces as the light spots 302c and 303c. Then, by performing predetermined arithmetic processing as shown in the figure on the detection signals from these light detection surfaces, a focus control signal is detected by a known focus control signal detection method such as a knife edge method, Further, a tracking control signal can be detected by a known tracking control signal detection method such as a differential phase detection method, a three-beam method, or a differential push-pull method, and an information signal recorded on the optical disk 8 can be reproduced. Since a specific method of detecting each of the control signals is already known, a detailed description thereof will be omitted. Further, the configuration and arrangement of the hologram element 105 and the photodetector 102 in the present invention are not limited to the above-described embodiment, and any configuration may be used.
【0023】次に、CD−ROMやCD−RなどのCD
系光ディスクの記録または再生を行う場合について図8
および図9を用いて説明する。この場合は、波長780
nm帯のレーザ光ビームを発する半導体レーザ光源2を
点灯する。半導体レーザ光源2を発した波長780nm
帯のレーザ光ビームは、回折格子20によって主光ビー
ムとトラッキング制御信号検出用の2本の副光ビームに
分割された後、図8に示すように波長選択性ミラー3、
コリメータレンズ5、立ち上げミラー6を経て対物レン
ズ7に入射する。この対物レンズ7は、波長650nm
帯のレーザ光ビームを基板厚さ0.6mmのDVD系光
ディスクの記録トラック上に良好に集光させる機能を有
すると共に、波長780nm帯のレーザ光ビームは基板
厚さ1.2mmのCD系光ディスクの記録トラック上に
良好に集光させる機能を併せ持っている。したがって、
半導体レーザ光源2を発しこの対物レンズ7に達したレ
ーザ光ビームは、CD系光ディスク8の所定の記録トラ
ック上に良好に集光される。Next, a CD such as a CD-ROM or CD-R
FIG. 8 shows a case where recording or reproduction is performed on a system optical disc.
This will be described with reference to FIG. In this case, the wavelength 780
The semiconductor laser light source 2 that emits a laser light beam in the nm band is turned on. 780 nm wavelength emitted by the semiconductor laser light source 2
After the laser light beam in the band is split by the diffraction grating 20 into a main light beam and two sub-light beams for tracking control signal detection, as shown in FIG.
The light enters the objective lens 7 via the collimator lens 5 and the rising mirror 6. This objective lens 7 has a wavelength of 650 nm.
And a laser beam having a wavelength of 780 nm is used for a CD-based optical disc having a substrate thickness of 1.2 mm. It also has the function of condensing light well on the recording track. Therefore,
The laser light beam emitted from the semiconductor laser light source 2 and reaching the objective lens 7 is favorably focused on a predetermined recording track of the CD-type optical disk 8.
【0024】そして、この光ディスク8を反射したレー
ザ光ビームは、往路と同様の光路を逆にたどり対物レン
ズ7、立ち上げミラー6、コリメータレンズ5を経て波
長選択性ミラー3に達する。この時、波長選択性ミラー
3に達したレーザ光ビームの光量の一部は、この波長選
択性ミラー3を反射して半導体レーザモジュール1に入
射する。そして、前述した波長650nm帯のレーザ光
ビームと同様に半導体レーザモジュール1内のホログラ
ム素子105によって回折され、光束断面が3分割され
て、図9に示すように各々が光検出面102内の所定の
光検出面に入射して、前述した波長650nm帯のレー
ザ光ビームと同様に、フォーカス制御信号、トラッキン
グ制御信号が検出され、かつ光ディスク8に記録されて
いる情報信号が再生される。The laser beam reflected from the optical disk 8 follows the same optical path as the outward path, and reaches the wavelength selective mirror 3 via the objective lens 7, the rising mirror 6, and the collimator lens 5. At this time, a part of the light amount of the laser beam reaching the wavelength-selective mirror 3 is reflected by the wavelength-selective mirror 3 and enters the semiconductor laser module 1. The light beam is diffracted by the hologram element 105 in the semiconductor laser module 1 in the same manner as the laser light beam in the wavelength band of 650 nm described above, and the light beam cross section is divided into three sections. And the focus control signal and the tracking control signal are detected, and the information signal recorded on the optical disk 8 is reproduced, similarly to the laser light beam in the 650 nm wavelength band described above.
【0025】この場合に注意しなければならない点は、
半導体レーザモジュール1を発した波長650nm帯の
DVD系光ディスク記録・再生用のレーザ光ビームと半
導体レーザ光源2を発した波長780nm帯のCD系光
ディスク記録・再生用のレーザ光ビームは、互いに波長
が異なることによって、ホログラム素子105での回折
角が異なり、結局、光検出面102内の所定の光検出面
に入射する際に、その入射位置が互いにずれてしまうの
で、このようなずれが生じた場合でも、各光スポットが
所定の検出面内に正しく入射し、かつどちらのレーザ光
ビームに対してもフォーカス制御信号やトラッキング制
御信号が正しく検出できるように、例えば図9に示すよ
うに短冊状の検出面を略放射状に配置したり、フォーカ
ス制御信号検出用の2分割検出面の分割線の方向をこの
分割線上に集光されるレーザ光ビームの回折方向に対し
て、所定角度傾けるなどの検出面配置上の工夫が必要で
ある。The point to be noted in this case is that
The laser light beam for recording / reproducing a DVD-based optical disk of 650 nm band emitted from the semiconductor laser module 1 and the laser light beam for recording / reproducing of a CD-based optical disk of 780 nm wavelength emitted from the semiconductor laser light source 2 have mutually different wavelengths. Due to the difference, the diffraction angle at the hologram element 105 is different, and when the light is incident on a predetermined light detection surface in the light detection surface 102, the incident positions are shifted from each other. Even in such a case, for example, as shown in FIG. 9, a strip shape is used so that each light spot is correctly incident on a predetermined detection surface and a focus control signal and a tracking control signal can be correctly detected for both laser light beams. The detection surface is substantially radially arranged, and the direction of the division line of the two-part detection surface for focus control signal detection is focused on this division line. That the diffraction direction of the laser beam, it is necessary to devise on the detection surface arranged such predetermined angle tilt.
【0026】以上のような構成にすることにより、DV
D/CD共用可能な複合型光ピックアップ(2レーザ光
ピックアップ)において、一方の半導体レーザモジュー
ル内の光検出器をDVD系光ディスクの記録または再生
時とCD系光ディスクの記録または再生時で兼用させる
ことができろ。この結果、従来の複合型光ピックアップ
または半導体レーザモジュールを2個搭載した複合型光
ピックアップに対して、半導体レーザモジュールを1個
または光検出系を1系統分削除することができる。With the above configuration, the DV
In a composite optical pickup (two-laser optical pickup) that can be used for both D / CD, the photodetector in one semiconductor laser module is used for both recording or reproducing of a DVD optical disc and recording or reproducing of a CD optical disc. I can do it. As a result, one semiconductor laser module or one photodetection system can be eliminated from a conventional composite optical pickup or a composite optical pickup in which two semiconductor laser modules are mounted.
【0027】ところで、本発明は図1乃至図9を用いて
説明した第1の実施例の構成に限定されるものではな
い。例えば第1の実施例では、DVD系光ディスク用の
波長650nm帯のレーザ光ビームを発する半導体レー
ザ光源を半導体レーザモジュール内に格納し、CD系光
ディスク用の波長780nm帯のレーザ光ビームを発す
る半導体レーザ光源を前記半導体レーザモジュールとは
別個に独立して配置した構成になっているが、もちろん
これとは逆に、CD系光ディスク用の波長780nm帯
のレーザ光ビームを発する半導体レーザ光源を半導体レ
ーザモジュール内に格納し、DVD系光ディスク用の波
長650nm帯のレーザ光ビームを発する半導体レーザ
光源を前記半導体レーザモジュールとは別個に独立して
配置した構成にしても一向に構わない。また図1に示し
た光学系構成に対して、半導体モジュール1と半導体レ
ーザ光源2および回折格子20の配置を入れ替えた構成
にしてももちろん構わない。The present invention is not limited to the configuration of the first embodiment described with reference to FIGS. For example, in the first embodiment, a semiconductor laser light source for emitting a laser light beam of a wavelength of 650 nm for a DVD optical disk is stored in a semiconductor laser module, and a semiconductor laser for emitting a laser light beam of a wavelength of 780 nm for a CD optical disk. The light source is arranged separately and independently from the semiconductor laser module, but of course, on the contrary, a semiconductor laser light source for emitting a laser light beam having a wavelength of 780 nm for a CD optical disk is used. A semiconductor laser light source that emits a laser light beam in the wavelength band of 650 nm for a DVD-based optical disk and that is stored in the semiconductor laser module may be arranged separately and independently from the semiconductor laser module. Further, the configuration of the optical system shown in FIG. 1 may be replaced with the configuration of the semiconductor module 1, the semiconductor laser light source 2, and the diffraction grating 20.
【0028】次に、本発明の第2の実施例について、図
10乃至図12を用いて説明する。図10は、本発明の
第2の実施例における光学系構成を示した概略正面図で
ある。なお、図1に示した第1の実施例と同じ光学部品
には同じ番号を付している。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 10 is a schematic front view showing an optical system configuration according to the second embodiment of the present invention. Note that the same optical components as those of the first embodiment shown in FIG.
【0029】本実施例では、半導体レーザモジュール1
は発するレーザ光ビームと、半導体レーザ光源2を発す
るレーザ光ビームの偏光方向を互いに直交させた構成に
なっており、かつ半導体レーザモジュール1の窓部透明
基板上面には、図2で示したホログラム素子105の代
わりに、後述するような偏光特性を有する偏光性ホログ
ラム素子10を設け、さらにその上部に偏光性ホログラ
ム素子10とは異なる偏光特性を有する第2の偏光性ホ
ログラム素子11を配置している。In this embodiment, the semiconductor laser module 1
Has a configuration in which the polarization directions of the emitted laser light beam and the laser light beam emitted from the semiconductor laser light source 2 are orthogonal to each other, and the hologram shown in FIG. Instead of the element 105, a polarizing hologram element 10 having a polarizing property as described later is provided, and a second polarizing hologram element 11 having a polarizing property different from that of the polarizing hologram element 10 is disposed thereon. I have.
【0030】半導体レーザモジュール1から発するレー
ザ光ビームは、例えば図10に示すように紙面に平行な
方向の直線偏光になっており、もう一方の半導体レーザ
光源2から発するレーザ光ビームは紙面に垂直な方向の
直線偏光になっている。そして、偏光性ホログラム素子
10は、紙面に平行な偏光方向のレーザ光ビームついて
は所定の回折効率で+1次あるいは−1次回折光を回折
分離し、逆に紙面に垂直な偏光方向のレーザ光ビームに
ついてはほぼ100%の効率でそのまま透過させる特性
を持っている。一方、偏光性ホログラム素子11は、偏
光性ホログラム素子10とは逆に紙面に平行な偏光方向
のレーザ光ビームついてはほぼ100%の効率でそのま
ま透過させ、逆に紙面に垂直な偏光方向のレーザ光ビー
ムについては所定の回折効率で+1次あるいは−1次回
折光を回折分離する特性を持つ。The laser light beam emitted from the semiconductor laser module 1 is, for example, linearly polarized in a direction parallel to the paper surface as shown in FIG. 10, and the laser light beam emitted from the other semiconductor laser light source 2 is perpendicular to the paper surface. Linearly polarized light. Then, the polarizing hologram element 10 diffracts and separates the + 1st-order or -1st-order diffracted light with a predetermined diffraction efficiency for the laser light beam in the polarization direction parallel to the paper surface. Has the characteristic of transmitting light as it is at almost 100% efficiency. On the other hand, the polarizing hologram element 11 transmits the laser light beam in the polarization direction parallel to the paper surface as it is opposite to the polarization hologram element 10 at almost 100% efficiency, and conversely, the laser light beam in the polarization direction perpendicular to the paper surface. The beam has a characteristic of diffracting and separating + 1st-order or -1st-order diffracted light at a predetermined diffraction efficiency.
【0031】このような構成にすることにより、半導体
レーザモジュール1を発したDVD用レーザ光ビーム
は、光ディスク反射後、波長選択性ミラー3を反射して
再び半導体レーザモジュール1へ戻る際、図11(a)
に示すように、偏光性ホログラム素子10でのみ回折し
て半導体レーザモジュール1内の検出器102に導かれ
る。一方、半導体レーザ光源2を発したCD用レーザ光
ビームは、光ディスク反射後、波長選択性ミラー3を反
射して半導体レーザモジュール1へ進行する際、図11
(b)に示すように、偏光性ホログラム素子11でのみ
回折して、DVD用レーザ光ビーム同様半導体レーザモ
ジュール1内の検出器102に導かれる。したがって、
偏光性ホログラム素子10および11のホログラムパタ
ーンをそれぞれ独自に最適設計することにより、半導体
レーザモジュール1を発するレーザ光ビームと半導体レ
ーザ光源2を発するレーザ光ビームに波長の相違があっ
ても、例えば図12中に示された光スポット501a、
501b、501C、502b、502C、503b、
503cのように、所定の検出面内のほぼ同じ位置に各
光スポットを照射させることができる。このため、第1
の実施例で考慮しなければならない波長の違いによる光
スポット照射位置のずれの問題が無くなり、結果的に光
検出器102の検出面の大きさを第1の実施例の場合よ
り小さくでき、また第1の実施例のように検出面を特殊
な配置にする必要もなく単純に並列に配置しても良いと
いう利点がある。With such a configuration, the DVD laser light beam emitted from the semiconductor laser module 1 reflects on the optical disc, reflects off the wavelength-selective mirror 3, and returns to the semiconductor laser module 1 again. (A)
As shown in (1), the light is diffracted only by the polarization hologram element 10 and guided to the detector 102 in the semiconductor laser module 1. On the other hand, when the CD laser light beam emitted from the semiconductor laser light source 2 is reflected by the optical disc and then reflected by the wavelength-selective mirror 3 to travel to the semiconductor laser module 1, the laser light beam shown in FIG.
As shown in (b), the light is diffracted only by the polarization hologram element 11 and guided to the detector 102 in the semiconductor laser module 1 like the laser light beam for DVD. Therefore,
By independently designing the hologram patterns of the polarizing hologram elements 10 and 11 independently, even if there is a difference in wavelength between the laser light beam emitted from the semiconductor laser module 1 and the laser light beam emitted from the semiconductor laser light source 2, for example, FIG. 12, light spot 501a shown in FIG.
501b, 501C, 502b, 502C, 503b,
As in 503c, each light spot can be applied to substantially the same position in a predetermined detection plane. Therefore, the first
The problem of displacement of the light spot irradiation position due to the difference in wavelength which must be considered in the second embodiment is eliminated, and as a result, the size of the detection surface of the photodetector 102 can be made smaller than in the first embodiment. There is an advantage that the detection surfaces need not be specially arranged as in the first embodiment, and may be simply arranged in parallel.
【0032】なお、本実施例のように、2本のレーザ光
ビームの偏光方向を互いに垂直に設定するには、例え
ば、半導体レーザモジュールまたは半導体レーザ光源の
どちらかを光軸まわりに90度傾けて配置しても構わな
いし、あるいは2分の1波長板や4分の1波長板などの
波長板を光路中に配置しても実現できる。In order to set the polarization directions of the two laser light beams to be perpendicular to each other as in this embodiment, for example, either the semiconductor laser module or the semiconductor laser light source is tilted by 90 degrees around the optical axis. It can be realized by placing a wave plate such as a half-wave plate or a quarter-wave plate in the optical path.
【0033】また、本実施例では、半導体レーザモジュ
ール1から発するレーザ光ビームと半導体レーザ光源2
から発するレーザ光ビームの偏光方向を変え、かつ偏光
性回折格子を用いることにより、各々のビームを回折し
て半導体レーザモジュール1内の光検出器102に導く
ホログラム素子を互いに異ならせているが、回折格子の
波長に対する回折効率の特性は、格子溝の深さを最適設
計することにより、比較的自由に設定できる。この性質
を利用して、例えば図10の構成で回折格子10を半導
体レーザ光源2から発したレーザ光ビームの波長(前述
した実施例では780nm帯)に対してほぼ回折効率が
0%となって、ほとんど全ての光量がそのまま透過する
ように格子溝深さを定め、回折格子11を半導体レーザ
モジュール1から発したレーザ光ビームの波長(前述し
た実施例では650nm帯)に対してほぼ回折効率が0
%となって、ほとんど全ての光量がそのまま透過するよ
うに格子溝深さを定めると、前述した第2の実施例のよ
うに、半導体レーザモジュール1と半導体レーザ光源2
の偏光方向を互いに垂直にしなくても、第2の実施例と
同様に光検出器102に導くホログラム素子を互いに異
ならせることができる。In this embodiment, the laser light beam emitted from the semiconductor laser module 1 and the semiconductor laser light source 2
The hologram elements that diffract each beam and guide them to the photodetector 102 in the semiconductor laser module 1 are different from each other by changing the polarization direction of the laser beam emitted from the laser beam and using a polarizing diffraction grating. The characteristic of the diffraction efficiency with respect to the wavelength of the diffraction grating can be set relatively freely by optimally designing the depth of the grating groove. By utilizing this property, for example, the diffraction efficiency becomes almost 0% with respect to the wavelength (780 nm band in the above-described embodiment) of the laser beam emitted from the semiconductor laser light source 2 with the diffraction grating 10 in the configuration of FIG. The depth of the grating groove is determined so that almost all of the light quantity is transmitted as it is, and the diffraction efficiency is almost equal to the wavelength (650 nm band in the above-described embodiment) of the laser beam emitted from the semiconductor laser module 1 through the diffraction grating 11. 0
%, And the depth of the grating groove is determined so that almost all of the light quantity is transmitted as it is, as in the second embodiment described above, the semiconductor laser module 1 and the semiconductor laser light source 2
Even if the polarization directions are not perpendicular to each other, the hologram elements guided to the photodetector 102 can be made different from each other as in the second embodiment.
【0034】また、本発明の第2の実施例は当然のこと
ながら、図10の実施例に限定されるものではなく、半
導体レーザモジュール1を発するレーザ光ビームの偏光
方向と半導体レーザ光源2を発するレーザ光ビームの偏
光方向を図10の構成とは逆にしても一向に構わない。
また、第1の実施例同様、偏光ホログラム素子10と1
1の配置を入れ替えても、また半導体レーザモジュール
1と偏光ホログラム素子10および11からなる光学系
と、半導体レーザ光源2と回折格子20からなる光学系
を入れ替えても全く問題ない。The second embodiment of the present invention is, of course, not limited to the embodiment shown in FIG. 10, but the polarization direction of the laser light beam emitted from the semiconductor laser module 1 and the semiconductor laser light source 2 Even if the polarization direction of the emitted laser light beam is reversed from the configuration in FIG. 10, it does not matter.
Further, similarly to the first embodiment, the polarization hologram elements 10 and 1
There is no problem even if the arrangement of 1 is changed, or if the optical system including the semiconductor laser module 1 and the polarization hologram elements 10 and 11 and the optical system including the semiconductor laser light source 2 and the diffraction grating 20 are interchanged.
【0035】次に、本発明の第3の実施例について、図
13乃至図15を用いて説明する。図13は、本発明の
第3の実施例における光学系構成を示した概略正面図で
ある。なお、前述した第1の実施例および第2の実施例
と同じ光学部品には同じ番号を付している。Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 13 is a schematic front view showing an optical system configuration according to the third embodiment of the present invention. Note that the same optical components as those in the first and second embodiments are denoted by the same reference numerals.
【0036】この第3の実施例においては、半導体レー
ザモジュール1の上部に第2の実施例で説明した偏光性
ホログラム素子10と同様の偏光特性をもった偏光性ホ
ログラム素子12および14を配置した構成になってい
る。すなわち、偏光性ホログラム素子12および14は
いずれも紙面に平行な偏光方向のレーザ光ビームついて
は所定の回折効率で+1次あるいは−1次回折光を回折
分離し、逆に紙面に垂直な偏光方向のレーザ光ビームに
ついてはほぼ100%の効率でそのまま透過させる特性
を持っている。In the third embodiment, the polarization hologram elements 12 and 14 having the same polarization characteristics as the polarization hologram element 10 described in the second embodiment are arranged above the semiconductor laser module 1. It has a configuration. That is, each of the polarizing hologram elements 12 and 14 diffracts and separates a + 1st-order or a -1st-order diffracted light with a predetermined diffraction efficiency with respect to a laser beam having a polarization direction parallel to the plane of the paper. The light beam has a characteristic of being transmitted as it is with almost 100% efficiency.
【0037】また偏光性ホログラム素子12および14
の間には、波長650nm帯と780nm帯の両方のレ
ーザ光ビームに対して2分の1波長板として機能する広
帯域2分の1波長板13を設置している。このような2
分の1波長板は、その主軸の方向を入射レーザ光ビーム
の偏光方向に対して45度の傾きに設置すると、透過レ
ーザ光ビームの偏光方向を入射レーザ光ビームの偏光方
に対して90度傾けることができる。この特性を利用
し、前述したように偏光性ホログラム素子12および1
4の間にこの2分の1波長板13を設置すると、結局、
例えば図14(a)に示すように半導体レーザモジュー
ル1から発した紙面に平行な偏光方向を持つレーザ光ビ
ームは偏光性ホログラム素子12、2分の1波長板1
3、偏光性ホログラム素子14と順次透過した後、光デ
ィスク8を反射後再び偏光性ホログラム素子14に達す
るときには紙面に垂直な偏光方向となり、さらに2分の
1波長板13を経て偏光性ホログラム素子12に達する
時には、再び紙面に平行な偏光方向になっている。この
ためこの光ビームは偏光性ホログラム素子14はそのま
ま透過し、偏光性ホログラム素子12でのみ回折して光
検出器102に導かれる。The polarizing hologram elements 12 and 14
Between them, there is provided a broadband half-wave plate 13 which functions as a half-wave plate for both the laser light beams in the 650 nm band and the 780 nm band. Such 2
When the direction of the principal axis of the half-wave plate is set at an inclination of 45 degrees with respect to the polarization direction of the incident laser light beam, the polarization direction of the transmitted laser light beam is 90 degrees with respect to the polarization direction of the incident laser light beam. Can be tilted. Utilizing this characteristic, the polarizing hologram elements 12 and 1 are used as described above.
When this half-wave plate 13 is installed between the four, after all,
For example, as shown in FIG. 14A, a laser beam emitted from the semiconductor laser module 1 and having a polarization direction parallel to the plane of the drawing is a polarizing hologram element 12, a half-wave plate 1, and the like.
3. After the light sequentially passes through the polarizing hologram element 14 and reflects on the optical disk 8 and reaches the polarizing hologram element 14 again, the polarization direction becomes a direction perpendicular to the paper surface and further passes through the half-wave plate 13. Is reached, the polarization direction is again parallel to the paper surface. Therefore, this light beam passes through the polarizing hologram element 14 as it is, and is diffracted only by the polarizing hologram element 12 and guided to the photodetector 102.
【0038】一方、半導体レーザ光源2から発するレー
ザ光ビームも紙面に平行な偏光方向を持っているが、こ
のレーザ光ビームは、光ディスク8を反射して偏光性ホ
ログラム素子14に達するまで紙面に平行な偏光方向を
保持される。そして2分の1波長板13を経て偏光性ホ
ログラム素子12に達する時には、紙面に垂直な偏光方
向になっている。したがって、このレーザ光ビームは、
図14(b)に示すように、偏光性ホログラム素子14
でのみ回折して光検出器102に導かれ、偏光性ホログ
ラム素子12はそのまま透過する。このため、半導体レ
ーザモジュール1を発するレーザ光ビームの偏光方向と
半導体レーザ光源2から発するレーザ光ビームの偏光方
向がそろっていても、各々の光ビームごとに光検出器1
02に導かれるホログラム素子を異ならせることができ
前述した第2の実施例と同様の効果を得ることができ
る。On the other hand, the laser light beam emitted from the semiconductor laser light source 2 also has a polarization direction parallel to the plane of the drawing, and this laser light beam is parallel to the plane of the drawing until it reflects off the optical disk 8 and reaches the polarizing hologram element 14. The polarization direction is maintained. When the light reaches the polarization hologram element 12 via the half-wave plate 13, the polarization direction is perpendicular to the paper surface. Therefore, this laser light beam is
As shown in FIG. 14B, the polarizing hologram element 14
, And is guided to the photodetector 102, and is transmitted through the polarizing hologram element 12 as it is. For this reason, even if the polarization direction of the laser light beam emitted from the semiconductor laser module 1 and the polarization direction of the laser light beam emitted from the semiconductor laser light source 2 are aligned, the photodetector 1 is provided for each light beam.
The hologram element guided to 02 can be different, and the same effect as in the second embodiment can be obtained.
【0039】なお、偏光性ホログラム素子12および1
4と2分の1波長板13は、図15に示すように、積層
して貼り合わせることにより一体化することができ、光
ピックアップの部品点数を削減することができる。The polarizing hologram elements 12 and 1
As shown in FIG. 15, the quarter-wave plate 13 and the half-wave plate 13 can be integrated by laminating and bonding, and the number of components of the optical pickup can be reduced.
【0040】次に、本発明の第4の実施例について、図
16を用いて説明する。図16は、本発明の第4の実施
例における光学系構成を示した概略正面図である。な
お、前述した第1、第2および第3の実施例と同じ光学
部品には同じ番号を付している。Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 16 is a schematic front view showing an optical system configuration according to the fourth embodiment of the present invention. The same optical components as those in the first, second and third embodiments are given the same reference numerals.
【0041】本実施例は、図10に示した本発明の第2
の実施例とほぼ同様の構成になっている。ただし、第2
の実施例と異なる点は、半導体レーザモジュール1から
発する波長650nmのレーザ光ビームと半導体レーザ
光源2から発する波長780nm帯のレーザ光ビームの
偏光方向がそろっている(図に示した実施例ではどちら
も紙面に平行な偏光方向になっている)点と、波長選択
性ミラー3から対物レンズ7にいたる光路中に、波長78
0nm帯のレーザ光ビームに対して4分の5波長板とし
て機能する波長板15を設置している点である。この波
長板15は、波長780nm帯のレーザ光ビームに対し
ては、4分の1波長板と同等の作用をする。したがっ
て、その主軸を入射光ビームに対して45度に傾けて配
置すると、透過光ビームは円偏光となり、さらにもう一
度通過すると、最初の偏光方向に対して90度偏光方向
が傾いた直線偏光になる。一方、この波長板は、波長6
50nm帯のレーザ光ビームに対してはほぼ2分の1波
長板と同等の作用をする。したがって、650nm帯の
レーザ光ビームが2回透過しても、元の偏光方向と同じ
偏光方向になる。This embodiment is different from the second embodiment of the present invention shown in FIG.
The configuration is almost the same as that of the embodiment. However, the second
The difference from this embodiment is that the polarization directions of the laser light beam of 650 nm wavelength emitted from the semiconductor laser module 1 and the laser light beam of 780 nm wavelength emitted from the semiconductor laser light source 2 are aligned (in the embodiment shown in FIG. Is also in the direction of polarization parallel to the plane of the paper) and the wavelength 78 in the optical path from the wavelength-selective mirror 3 to the objective lens 7.
The point is that a wavelength plate 15 functioning as a 波長 wavelength plate for the laser light beam in the 0 nm band is provided. This wave plate 15 has the same function as a quarter wave plate with respect to a laser beam having a wavelength of 780 nm. Therefore, if the principal axis is arranged at an angle of 45 degrees with respect to the incident light beam, the transmitted light beam becomes circularly polarized light, and when passed again, becomes a linearly polarized light whose polarization direction is inclined by 90 degrees with respect to the initial polarization direction. . On the other hand, this wave plate has a wavelength of 6
For a laser light beam in the 50 nm band, it works almost the same as a half-wave plate. Therefore, even if the laser light beam in the 650 nm band is transmitted twice, the polarization direction is the same as the original polarization direction.
【0042】このような波長板15の性質を利用し、図
16に示すような光学配置にすることにより、半導体レ
ーザモジュール1と半導体レーザ光源2の各々から発し
たレーザ光ビームが共に例えば紙面に平行な偏光方向を
有していても、光ディスク8を反射し、偏光性ホログラ
ム素子11および10に達した時には、波長板15を往
復で計2回透過したことになるので、半導体レーザモジ
ュール1を発したレーザ光ビームは紙面に平行な偏光方
向のままだが、半導体レーザ光源2を発したレーザ光ビ
ームは紙面に垂直な偏光方向に変わっている。したがっ
て、図11を用いて説明した本発明の第2の実施例と全
く同様に、半導体レーザモジュール1を発したレーザ光
ビームは、偏光性ホログラム素子10で回折して光検出
器102に導かれ、半導体レーザ光源2を発したレーザ
光ビームは偏光性ホログラム素子11で回折して光検出
器102に導かれるようにできる。すなわち、第2の実
施例と同様の効果が得られるわけである。By utilizing such a property of the wave plate 15 and making an optical arrangement as shown in FIG. 16, the laser light beams emitted from each of the semiconductor laser module 1 and the semiconductor laser light source 2 are both on the paper surface, for example. Even if the semiconductor laser module 1 has a parallel polarization direction, it reflects off the optical disk 8 and, when it reaches the polarization hologram elements 11 and 10, has transmitted through the wave plate 15 twice in total, so that the semiconductor laser module 1 Although the emitted laser light beam remains in the polarization direction parallel to the paper surface, the laser light beam emitted from the semiconductor laser light source 2 is changed to the polarization direction perpendicular to the paper surface. Accordingly, the laser beam emitted from the semiconductor laser module 1 is diffracted by the polarization hologram element 10 and guided to the photodetector 102, just like the second embodiment of the present invention described with reference to FIG. The laser light beam emitted from the semiconductor laser light source 2 can be diffracted by the polarization hologram element 11 and guided to the photodetector 102. That is, the same effect as that of the second embodiment can be obtained.
【0043】なお、波長板15は前述した特性に限定さ
れるものではなく、例えば前述とは逆に、波長650n
m帯のレーザ光ビームに対して4分の5波長板として機
能する波長板でも一向に構わない。この場合、波長板1
5は波長650nm帯のレーザ光ビームに対しては、4
分の1波長板と同等の作用をする。したがってこの波長
板を往復で計2回透過すると、最初の偏光方向に対して
90度偏光方向が傾いた直線偏光になる。一方、波長7
80nm帯のレーザ光ビームに対してはほぼ1波長板と
して機能するため、このレーザ光ビームが2回透過して
も元の偏光方向と同じ偏光方向と変わらない。したがっ
て、これらのレーザ光ビームがそれぞれ偏光性ホログラ
ム素子11および10に達した時には、前述とは逆に半
導体レーザモジュール1を発したレーザ光ビームは、偏
光性ホログラム素子11で回折して光検出器102に導
かれ、半導体レーザ光源2を発したレーザ光ビームは偏
光性ホログラム素子10で回折して光検出器102に導
かれるようにできる。The wavelength plate 15 is not limited to the above-described characteristics. For example, the wavelength plate 650 n
A wavelength plate functioning as a 波長 wavelength plate for the m-band laser light beam may be used. In this case, the wave plate 1
5 is 4 for a laser beam in the 650 nm wavelength band.
It works the same as a 1 / wave plate. Therefore, when the light is transmitted through this wave plate twice in total, the light becomes linearly polarized light whose polarization direction is inclined by 90 degrees with respect to the first polarization direction. On the other hand, wavelength 7
Since the laser light beam of the 80 nm band functions almost as a one-wavelength plate, even if the laser light beam is transmitted twice, the polarization direction does not change from the original polarization direction. Therefore, when these laser light beams reach the polarization hologram elements 11 and 10, respectively, the laser light beam emitted from the semiconductor laser module 1 is diffracted by the polarization hologram element 11, and The laser beam emitted from the semiconductor laser light source 2 and guided by the semiconductor laser light source 2 can be diffracted by the polarization hologram element 10 and guided to the photodetector 102.
【0044】また、このような構成の光ピックアップで
は、図17に示すように偏光性ホログラム素子10およ
び11を貼り合わせて一体化した両面偏光ホログラム素
子16を半導体レーザモジュール1の直後に配置するこ
とにより、図16の実施例と同等の機能を持たせること
ができ、部品点数の削減を図ることができる。In the optical pickup having such a configuration, the double-sided polarization hologram element 16 in which the polarization hologram elements 10 and 11 are bonded and integrated is arranged immediately after the semiconductor laser module 1 as shown in FIG. Accordingly, the same function as that of the embodiment of FIG. 16 can be provided, and the number of parts can be reduced.
【0045】次に本発明の第5の実施例について、図1
8および図19を用いて説明する。これまで述べた各実
施例は、いずれも半導体レーザモジュール内に1個の半
導体レーザ光源(チップ)を収納した例であったが、もち
ろん2個以上半導体レーザ光源が収納しても一向に構わ
ない。図18はその1例として、波長650nm帯のD
VD用半導体レーザチップ101と波長780nm帯の
CD用半導体レーザチップ201を同一パッケージ内に
搭載した半導体レーザモジュールの構成を示した概略平
面図である。なお、この半導体モジュール1の内部には
これまでの実施例同様、多分割光検出面を有する光検出
器102も搭載されており、また半導体レーザモジュー
ル1の上部には、図19に示すように、図10および図
16の実施例と同様の偏光性ホログラム素子10および
11が配置されている。そしてさらに、その上部には、
波長780nm帯のレーザ光ビームに対して4分の5波
長板として機能する波長板15が配置されている。Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
8 and FIG. Each of the embodiments described so far is an example in which one semiconductor laser light source (chip) is housed in a semiconductor laser module. However, it goes without saying that two or more semiconductor laser light sources may be housed. FIG. 18 shows, as an example, the D in the 650 nm band.
FIG. 2 is a schematic plan view showing a configuration of a semiconductor laser module in which a semiconductor laser chip for VD 101 and a semiconductor laser chip for CD having a wavelength of 780 nm are mounted in the same package. As in the previous embodiments, a photodetector 102 having a multi-segmented photodetection surface is also mounted inside the semiconductor module 1, and as shown in FIG. Polarizing hologram elements 10 and 11 similar to those of the embodiment of FIGS. 10 and 16 are arranged. And further above that,
A wavelength plate 15 functioning as a 波長 wavelength plate for a laser beam having a wavelength of 780 nm is provided.
【0046】このような半導体モジュール1を光ピック
アップ用レーザ光源兼光検出器として用いると、半導体
レーザチップ101から発した波長650nm帯のDV
D用のレーザ光ビームは、光ディスクを反射して再びこ
の半導体モジュール1にもどってきた時に、図19
(a)に示すように偏光性ホログラム素子10で回折し
て光検出器102の所定の光検出面に導かれる。一方、
半導体レーザチップ201から発した波長780nm帯
のCD用のレーザ光ビームは、光ディスクを反射して再
びこの半導体モジュール1にもどってきた時に、図19
(b)に示すように偏光性ホログラム素子11で回折
し、偏光性ホログラム10で回折したDVD用光ビーム
と全く同様に光検出器102の所定の光検出面に導かれ
る(なお、各レーザ光ビームがそれぞれ偏光性ホログラ
ム素子10および11で選択的に回折される理由につい
ては、図16の実施例で説明した内容と全く同じなの
で、ここでは省略する)。つまり半導体レーザモジュー
ル1内に搭載された光検出器102で、やはり半導体レ
ーザモジュール1内に搭載されたDVD用半導体レーザ
光源およびCD用半導体レーザ光源の各々から発したレ
ーザ光ビームに対する光検出器として兼用させることが
できるわけである。When such a semiconductor module 1 is used as a laser light source and a photodetector for an optical pickup, a DV having a wavelength of 650 nm emitted from the semiconductor laser chip 101 is used.
When the laser light beam for D reflects off the optical disk and returns to the semiconductor module 1 again, the laser light beam shown in FIG.
As shown in (a), the light is diffracted by the polarizing hologram element 10 and guided to a predetermined light detection surface of the light detector 102. on the other hand,
When the laser light beam for the CD in the 780 nm wavelength band emitted from the semiconductor laser chip 201 is reflected on the optical disk and returns to the semiconductor module 1 again, the laser light beam shown in FIG.
As shown in (b), the light is diffracted by the polarization hologram element 11 and guided to a predetermined light detection surface of the photodetector 102 in exactly the same manner as the DVD light beam diffracted by the polarization hologram 10 (note that each laser light The reason why the beam is selectively diffracted by the polarizing hologram elements 10 and 11, respectively, is exactly the same as that described in the embodiment of FIG. 16 and is omitted here. That is, the photodetector 102 mounted in the semiconductor laser module 1 functions as a photodetector for a laser beam emitted from each of the DVD semiconductor laser light source and the CD semiconductor laser light source also mounted in the semiconductor laser module 1. In other words, they can also be used.
【0047】したがって、本実施例のような半導体レー
ザモジュールを用いることにより、基本的にこの半導体
レーザモジュールと対物レンズおよびこの対物レンズを
制御するためのアクチュエータだけで、DVD/CD共
用の光ピックアップを構成することができ、部品点数お
よびコストの大幅に削減できる。Therefore, by using the semiconductor laser module as in the present embodiment, an optical pickup for both DVD / CD is basically formed only by the semiconductor laser module, the objective lens and the actuator for controlling the objective lens. The number of parts and cost can be greatly reduced.
【0048】なお、当然のことながら、本発明は図1
8、図19で示した実施例に限定されるものではなく、
例えば、波長板15は波長650nm帯のレーザ光ビー
ムに対して4分の5波長板として機能する波長板であっ
ても一向に構わない。It should be noted that the present invention is not limited to FIG.
8, it is not limited to the embodiment shown in FIG.
For example, the wave plate 15 may be a wave plate that functions as a 波長 wave plate for a laser light beam having a wavelength of 650 nm.
【0049】また本実施例では、波長板15を用いて、
光ディスクを反射後、再び偏光性ホログラム素子11、
10にレーザ光ビームの偏光方向を変えることにより、
各々のビームを回折して半導体レーザモジュール1内の
光検出器102に導くホログラム素子を互いに異ならせ
ているが、当然本発明はこれに限定されるものではな
く、回折格子の波長に対する回折効率の特性が格子溝の
深さを最適設計することによっても比較的自由に設定で
きることを利用し、DVD用レーザ光ビームおよびCD
用レーザ光ビームそれぞれの波長に応じて各ホログラム
素子の格子溝の深さを最適設計し、各レーザ光ビームご
とにこのレーザ光ビームを回折して光検出器に導くホロ
グラム素子を選択的に変えた構成でももちろん構わな
い。In this embodiment, the wave plate 15 is used to
After reflecting the optical disk, the polarization hologram element 11
By changing the polarization direction of the laser light beam to 10,
Although the hologram elements that diffract each beam and guide them to the photodetector 102 in the semiconductor laser module 1 are different from each other, the present invention is not limited to this, and the diffraction efficiency of the diffraction grating with respect to the wavelength of the diffraction grating is naturally limited. Taking advantage of the fact that the characteristics can be set relatively freely by optimally designing the depth of the lattice groove, the laser light beam for DVD and the CD
Optimum design of the grating groove depth of each hologram element according to the wavelength of each laser light beam for use, and selectively change the hologram element that diffracts this laser light beam and guides it to the photodetector for each laser light beam Of course, any configuration is acceptable.
【0050】[0050]
【発明の効果】本発明によると、1個の半導体レーザモ
ジュールと1個の半導体レーザ光源、あるいは1個の半
導体レーザモジュールだけで、DVD/CD共用型の光
ピックアップ用の光源および光検出系を構成でみるの
で、汎用性の高いDVD/CD共用型の光ピックアップ
の部品点数およびコストを大幅に削減することができ
る。According to the present invention, a light source and a light detection system for a DVD / CD shared type optical pickup can be realized by using only one semiconductor laser module and one semiconductor laser light source or only one semiconductor laser module. As seen from the configuration, the number of parts and cost of the DVD / CD common type optical pickup having high versatility can be significantly reduced.
【図1】本発明の第1の実施例を示した概略正面図。FIG. 1 is a schematic front view showing a first embodiment of the present invention.
【図2】第1の実施例で用いられる半導体レーザモジュ
ールの構成を示した概略断面図。FIG. 2 is a schematic sectional view showing a configuration of a semiconductor laser module used in the first embodiment.
【図3】第1の実施例で用いられる半導体レーザモジュ
ールの構成を示した概略平面図。FIG. 3 is a schematic plan view showing a configuration of a semiconductor laser module used in the first embodiment.
【図4】本発明で用いられる回折格子の格子溝パターン
の一例を示した概略平面図。FIG. 4 is a schematic plan view showing an example of a grating groove pattern of a diffraction grating used in the present invention.
【図5】本発明の第1の実施例におけるDVD用光ビー
ムの進行方向を示した概略正面図。FIG. 5 is a schematic front view showing a traveling direction of a DVD light beam in the first embodiment of the present invention.
【図6】本発明の第1の実施例における回折格子に入射
する光ディスク反射光ビームの状態を示した概略平面
図。FIG. 6 is a schematic plan view showing a state of an optical disk reflected light beam incident on the diffraction grating in the first embodiment of the present invention.
【図7】本発明の第1の実施例における光検出面に照射
されるDVD用光ビームの照射状態を示した概略平面
図。FIG. 7 is a schematic plan view showing an irradiation state of a DVD light beam applied to a light detection surface in the first embodiment of the present invention.
【図8】本発明の第1の実施例におけるCD用光ビーム
の進行方向を示した概略正面図。FIG. 8 is a schematic front view showing a traveling direction of a CD light beam in the first embodiment of the present invention.
【図9】本発明の第1の実施例における光検出面に照射
されるCD用光ビームの照射状態を示した概略平面図。FIG. 9 is a schematic plan view showing an irradiation state of a CD light beam applied to the photodetection surface in the first embodiment of the present invention.
【図10】本発明の第2の実施例を示した概略正面図。FIG. 10 is a schematic front view showing a second embodiment of the present invention.
【図11】本発明の第2の実施例におけるDVD用光ビ
ームとCD用光ビームの回折状態を説明するための半導
体レーザモジュール部分の概略正面図。FIG. 11 is a schematic front view of a semiconductor laser module portion for explaining a diffraction state of a light beam for DVD and a light beam for CD in a second embodiment of the present invention.
【図12】本発明の第2の実施例における光検出面に照
射されるDVD用光ビームとCD用光ビームの照射状態
を示した概略平面図。FIG. 12 is a schematic plan view showing an irradiation state of a light beam for DVD and a light beam for CD applied to the photodetection surface in the second embodiment of the present invention.
【図13】本発明の第3の実施例を示した概略正面図。FIG. 13 is a schematic front view showing a third embodiment of the present invention.
【図14】本発明の第3の実施例におけるDVD用光ビ
ームとCD用光ビームの回折状態を説明するための半導
体レーザモジュール部分の概略正面図。FIG. 14 is a schematic front view of a semiconductor laser module for explaining a diffraction state of a light beam for DVD and a light beam for CD in a third embodiment of the present invention.
【図15】本発明の第3の実施例における偏光性ホログ
ラム素子と波長板に関する別の構成例を示した概略正面
図。FIG. 15 is a schematic front view showing another configuration example regarding the polarizing hologram element and the wave plate in the third embodiment of the present invention.
【図16】本発明の第4の実施例を示した概略正面図。FIG. 16 is a schematic front view showing a fourth embodiment of the present invention.
【図17】本発明の第5の実施例を示した概略正面図。FIG. 17 is a schematic front view showing a fifth embodiment of the present invention.
【図18】本発明の第6の実施例を示した半導体レーザ
モジュール主要部の概略平面図。FIG. 18 is a schematic plan view of a main part of a semiconductor laser module according to a sixth embodiment of the present invention.
【図19】本発明の第6の実施例におけるDVD用光ビ
ームとCD用光ビームの回折状態を説明するための半導
体レーザモジュール部分の概略正面図。FIG. 19 is a schematic front view of a semiconductor laser module part for explaining a diffraction state of a light beam for DVD and a light beam for CD in a sixth embodiment of the present invention.
1…半導体レーザモジュール、2…半導体レーザ光源、
7…対物レンズ、8…光ディスク、101、201…半
導体レーザチップ、102…光検出器、105…ホログ
ラム素子、10、11、12、14…偏光性ホログラム
素子、13、15…波長板。1. Semiconductor laser module 2: Semiconductor laser light source
7 Objective lens, 8 Optical disk, 101, 201 Semiconductor laser chip, 102 Photodetector, 105 Hologram element, 10, 11, 12, 14 Polarizing hologram element, 13, 15 Wave plate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 泉 克彦 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所デジタルメディア開発本 部内 (72)発明者 前田 伸幸 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所デジタルメディア開発本 部内 (72)発明者 井上 雅之 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所デジタルメディア開発本 部内 Fターム(参考) 5D090 AA01 BB02 BB05 CC01 CC04 CC16 FF08 LL02 LL05 5D119 AA01 AA40 AA41 BA01 BB01 BB04 EC45 EC47 FA05 FA08 JA22 JA25 JA26 JA31 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Katsuhiko Izumi, 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside Digital Media Development Division, Hitachi, Ltd. (72) Nobuyuki Maeda 292, Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Address: Hitachi, Ltd. Digital Media Development Division (72) Inventor: Masayuki Inoue 292, Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture F-term: Digital Media Development Division, Hitachi, Ltd. 5D090 AA01 BB02 BB05 CC01 CC04 CC16 FF08 LL02 LL05 5D119 AA01 AA40 AA41 BA01 BB01 BB04 EC45 EC47 FA05 FA08 JA22 JA25 JA26 JA31
Claims (10)
数に分割された検出面を有する光検出器を同一の筐体内
に配置した半導体レーザモジュールと、前記半導体レー
ザモジュール内の半導体レーザ光源が発するレーザ光ビ
ームとは異なる波長のレーザ光ビームを発する第2の半
導体レーザ光源と、前記各半導体レーザ光源から発した
レーザ光ビームを集光し所定の光学的情報記録媒体にそ
れぞれ独立した光スポットを照射する機能を有する対物
レンズとを備えた光ピックアップにおいて、前記対物レ
ンズから前記半導体レーザモジュールにいたる光路中
に、前記各半導体レーザ光源を発し前記光学的情報記録
媒体を反射した各レーザ光ビームをそれぞれ前記半導体
レーザモジュール内に配置された前記光検出面上の所定
位置に導くための光学的手段を配置したことを特徴とす
る光ピックアップ。1. A semiconductor laser module in which at least one semiconductor laser light source and a photodetector having a plurality of divided detection surfaces are arranged in the same housing, and a laser emitted by the semiconductor laser light source in the semiconductor laser module. A second semiconductor laser light source that emits a laser light beam having a wavelength different from that of the light beam; and a laser light beam emitted from each of the semiconductor laser light sources is condensed to irradiate a predetermined optical information recording medium with an independent light spot. In an optical pickup having an objective lens having a function of performing, in an optical path from the objective lens to the semiconductor laser module, each laser light beam emitted from each of the semiconductor laser light sources and reflected by the optical information recording medium, respectively. Optics for guiding to a predetermined position on the photodetection surface arranged in the semiconductor laser module An optical pickup characterized in that a means is arranged.
面で検出された所定の信号を用いて、前記各半導体レー
ザ光源を発し前記光学的情報記録媒体上に集光された各
光スポットのフォーカス誤差信号およびトラッキング誤
差信号をそれぞれ独立に検出するとともに、各光学的情
報記録媒体に記録された情報信号を再生する機能を有す
ることを特徴とする請求項1記載の光ピックアップ。2. A focus error of each light spot emitted from each of the semiconductor laser light sources and condensed on the optical information recording medium using a predetermined signal detected on a light detection surface in the semiconductor laser module. 2. The optical pickup according to claim 1, wherein the optical pickup has a function of independently detecting a signal and a tracking error signal and reproducing an information signal recorded on each optical information recording medium.
体レーザモジュールの窓部に配置された透明基板上に所
定のピッチで凹凸の格子溝を設けた回折格子によって構
成されることを特徴とする請求項1記載または2記載の
光ピックアップ。3. The optical device according to claim 1, wherein the optical means is constituted by a diffraction grating having a concave and convex lattice groove at a predetermined pitch on at least a transparent substrate disposed at a window of the semiconductor laser module. Item 1. The optical pickup according to item 1 or 2.
ジュール内の半導体レーザ光源を発し所定の偏光方向を
有する第1のレーザ光ビームに対しては所定の回折効率
で該レーザ光ビームを回折し、前記第1の光ビームに対
して略垂直の偏光方向を有する第2のレーザ光ビームに
対しては回折効率がほぼ0%となる第1の偏光性回折格
子と、該第1の偏光性回折格子とは逆に前記第1のレー
ザ光ビームに対しては回折効率がほぼ0%となり、前記
第2のレーザ光ビームに対しては所定の回折効率で該レ
ーザ光ビームを回折する機能を有する第2の偏光回折格
子から構成されることを特徴とする請求項1乃至3記載
の光ピックアップ。4. The optical means emits a semiconductor laser light source in the semiconductor laser module and diffracts the laser light beam with a predetermined diffraction efficiency with respect to a first laser light beam having a predetermined polarization direction. A first polarization diffraction grating having a diffraction efficiency of about 0% for a second laser light beam having a polarization direction substantially perpendicular to the first light beam; Contrary to the diffraction grating, a function of diffracting the first laser light beam with a diffraction efficiency of almost 0% and diffracting the second laser light beam with a predetermined diffraction efficiency is provided. 4. The optical pickup according to claim 1, wherein the optical pickup comprises a second polarization diffraction grating.
ジュール内の半導体レーザ光源を発し所定の偏光方向を
有する第1のレーザ光ビームに対しては所定の回折効率
で該レーザ光ビームを回折し、前記第1のレーザ光ビー
ムに対して略垂直の偏光方向を有する第2のレーザ光ビ
ームに対しては回折効率がほぼ0%となる第1の偏光性
回折格子と、該第1の偏光性回折格子とは逆に前記第1
のレーザ光ビームに対しては回折効率がほぼ0%とな
り、前記第2のレーザ光ビームに対しては所定の回折効
率で該光ビームを回折する機能を有する第2の偏光回折
格子と、前記第1および第2のレーザ光ビームのいずれ
に対しても略2分の1波長板として機能する所定の波長
板または位相変換素子とから構成されることを特徴とす
る請求項1乃至3記載光ピックアップ。5. The optical means emits a semiconductor laser light source in the semiconductor laser module and diffracts the laser light beam with a predetermined diffraction efficiency with respect to a first laser light beam having a predetermined polarization direction. A first polarizing diffraction grating having a diffraction efficiency of about 0% with respect to a second laser light beam having a polarization direction substantially perpendicular to the first laser light beam; In contrast to the directional diffraction grating, the first
A second polarization diffraction grating having a function of diffracting the light beam with a predetermined diffraction efficiency with respect to the second laser light beam with respect to the second laser light beam. 4. The light according to claim 1, further comprising a predetermined wavelength plate or a phase conversion element that functions as a substantially half-wave plate for both the first and second laser light beams. pick up.
ジュール内の半導体レーザ光源を発し所定の偏光方向を
有する第1のレーザ光ビームに対しては所定の回折効率
で該レーザ光ビームを回折し、前記第1のレーザ光ビー
ムに対して垂直の偏光方向を有する第2のレーザ光ビー
ムに対しては回折効率がほぼ0%となる第1の偏光性回
折格子と、該第1の偏光性回折格子とは逆に前記第1の
レーザ光ビームに対しては回折効率がほぼ0%となり、
前記第2のレーザ光ビームに対しては所定の回折効率で
該レーザ光ビームを回折する機能を有する第2の偏光回
折格子と、前記第1および第2のレーザ光ビームのいず
れか一方に対しては略4分の1波長板として機能し、他
方に対しては略2分の1波長板として機能する所定の波
長板または位相変換素子とから構成されることを特徴と
する請求項1乃至3記載の光ピックアップ。6. The optical means emits a semiconductor laser light source in the semiconductor laser module and diffracts the laser light beam with a predetermined diffraction efficiency with respect to a first laser light beam having a predetermined polarization direction. A first polarizing diffraction grating having a diffraction efficiency of about 0% for a second laser light beam having a polarization direction perpendicular to the first laser light beam; Contrary to the diffraction grating, the diffraction efficiency for the first laser light beam is almost 0%,
A second polarization diffraction grating having a function of diffracting the laser light beam with a predetermined diffraction efficiency with respect to the second laser light beam, and one of the first and second laser light beams. A predetermined wavelength plate or a phase conversion element that functions as a substantially quarter-wave plate and functions as a substantially half-wave plate for the other. 3. The optical pickup according to 3.
ジュール内の半導体レーザ光源を発し所定の波長を有す
る第1のレーザ光ビームに対しては所定の回折効率で該
レーザ光ビームを回折し、前記第2の半導体レーザ光源
を発し前記第1のレーザ光ビームとは異なる波長を有す
る第2のレーザ光ビームに対しては回折効率がほぼ0%
となる第1の波長選択性回折格子と、該第1の波長選択
性回折格子とは逆に前記第1のレーザ光ビームに対して
は回折効率がほぼ0%となり、前記第2のレーザ光ビー
ムに対しては所定の回折効率で該レーザ光ビームを回折
する機能を有する第2の波長選択性回折格子から構成さ
れることを特徴とする請求項1乃至3記載の光ピックア
ップ。7. The optical means emits a semiconductor laser light source in the semiconductor laser module and diffracts the laser light beam at a predetermined diffraction efficiency with respect to a first laser light beam having a predetermined wavelength; Diffraction efficiency is almost 0% for a second laser light beam emitted from the second semiconductor laser light source and having a wavelength different from that of the first laser light beam.
In contrast to the first wavelength-selective diffraction grating and the first wavelength-selective diffraction grating, the diffraction efficiency for the first laser light beam is substantially 0%, and the second laser light 4. The optical pickup according to claim 1, further comprising a second wavelength-selective diffraction grating having a function of diffracting the laser beam with a predetermined diffraction efficiency with respect to the beam.
1の半導体レーザ光源と該第1の半導体レーザ光源とは
異なる波長のレーザ光ビームを発する第2の半導体レー
ザ光源と複数に分割された検出面を有する光検出器とを
同一の筐体内に配置した半導体レーザモジュールと、前
記各半導体レーザ光源から発した各レーザ光ビームを集
光し所定の光学的情報記録媒体にそれぞれ独立した光ス
ポットを照射する機能を有する対物レンズとを備えた光
ピックアップにおいて、前記対物レンズから前記半導体
レーザモジュールの間の光路中に、前記第1の半導体レ
ーザ光源を発し所定の偏光方向を有する第1のレーザ光
ビームに対しては所定の回折効率で該レーザ光ビームを
回折し、前記第1のレーザ光ビームに対して垂直の偏光
方向を有する第2のレーザ光ビームに対しては回折効率
がほぼ0%となる第1の偏光性回折格子と、該第1の偏
光性回折格子とは逆に前記第1のレーザ光ビームに対し
ては回折効率がほぼ0%となり、前記第2のレーザ光ビ
ームに対しては所定の回折効率で該レーザ光ビームを回
折する機能を有する第2の偏光回折格子と、前記第1お
よび第2のレーザ光ビームのうちいずれか一方のレーザ
光ビーム対しては略4分の1波長板として機能し、他方
のレーザ光ビームに対しては略2分の1波長板として機
能する所定の波長板または位相変換素子とを配置したこ
とを特徴とする光ピックアップ。8. A first semiconductor laser light source that emits a laser light beam of a predetermined wavelength and a second semiconductor laser light source that emits a laser light beam of a different wavelength from the first semiconductor laser light source are divided into a plurality. A semiconductor laser module in which a photodetector having a detection surface is arranged in the same housing; and an independent light spot for condensing each laser light beam emitted from each of the semiconductor laser light sources and for a predetermined optical information recording medium. And an objective lens having a function of irradiating the first semiconductor laser light source in an optical path between the objective lens and the semiconductor laser module, the first laser having a predetermined polarization direction. The laser beam is diffracted at a predetermined diffraction efficiency with respect to the light beam, and a second polarization direction perpendicular to the first laser light beam is provided. A first polarizing diffraction grating having a diffraction efficiency of approximately 0% with respect to a laser light beam, and a diffraction efficiency having a diffraction efficiency with respect to the first laser light beam which is opposite to the first polarizing diffraction grating. A second polarization diffraction grating having a function of diffracting the laser light beam with a predetermined diffraction efficiency with respect to the second laser light beam; A predetermined wave plate or a phase conversion element that functions as a substantially quarter wave plate for one of the laser light beams and functions as a substantially half wave plate for the other laser light beam; An optical pickup characterized by having an arrangement.
1の半導体レーザ光源と該第1の半導体レーザ光源とは
異なる波長のレーザ光ビームを発する第2の半導体レー
ザ光源と複数に分割された検出面を有する光検出器とを
同一の筐体内に配置した半導体レーザモジュールと、前
記各半導体レーザ光源から発した各レーザ光ビームを集
光し所定の光学的情報記録媒体にそれぞれ独立した光ス
ポットを照射する機能を有する対物レンズとを備えた光
ピックアップにおいて、前記対物レンズから前記半導体
レーザモジュールの間の光路中に、前記第1の半導体レ
ーザ光源を発し所定の波長を有する第1のレーザ光ビー
ムに対しては所定の回折効率で該レーザ光ビームを回折
し、前記第2の半導体レーザ光源を発し前記第1のレー
ザ光ビームとは異なる波長を有する第2のレーザ光ビー
ムに対しては回折効率がほぼ0%となる第1の波長選択
性回折格子と、該第1の波長選択性回折格子とは逆に前
記第1の光ビームに対しては回折効率がほぼ0%とな
り、前記第2の光ビームに対しては所定の回折効率で該
光ビームを回折する機能を有する第2の波長選択性回折
格子とを備えたことを特徴とする光ピックアップ。9. A first semiconductor laser light source that emits a laser light beam of a predetermined wavelength and a second semiconductor laser light source that emits a laser light beam of a different wavelength from the first semiconductor laser light source are divided into a plurality. A semiconductor laser module in which a photodetector having a detection surface is arranged in the same housing; and an independent light spot for condensing each laser light beam emitted from each of the semiconductor laser light sources and for a predetermined optical information recording medium. And an objective lens having a function of irradiating the semiconductor laser module with a first laser beam emitted from the first semiconductor laser light source and having a predetermined wavelength in an optical path between the objective lens and the semiconductor laser module. The laser beam is diffracted at a predetermined diffraction efficiency with respect to the beam, emits the second semiconductor laser light source, and is different from the first laser beam. A first wavelength-selective diffraction grating whose diffraction efficiency is approximately 0% for a second laser light beam having a certain wavelength, and the first light that is opposite to the first wavelength-selective diffraction grating. And a second wavelength-selective diffraction grating having a function of diffracting the light beam with a predetermined diffraction efficiency with respect to the second light beam with a diffraction efficiency of approximately 0%. An optical pickup characterized by the following.
を搭載した光学的情報再生装置または記録装置。10. An optical information reproducing apparatus or a recording apparatus equipped with the optical pickup according to claim 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001033091A JP2002237085A (en) | 2001-02-09 | 2001-02-09 | Optical pickup and optical information reproducing device or recording device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001033091A JP2002237085A (en) | 2001-02-09 | 2001-02-09 | Optical pickup and optical information reproducing device or recording device using the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002237085A true JP2002237085A (en) | 2002-08-23 |
Family
ID=18896900
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001033091A Pending JP2002237085A (en) | 2001-02-09 | 2001-02-09 | Optical pickup and optical information reproducing device or recording device using the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002237085A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006064777A1 (en) * | 2004-12-14 | 2006-06-22 | Nec Corporation | Optical head device, optical information recording/reproducing device provided with optical head device |
US7622696B2 (en) | 2005-03-02 | 2009-11-24 | Nec Corporation | Optical head device, optical information recording/reproducing apparatus and operation method of optical information recording/reproducing apparatus |
US7948854B2 (en) | 2005-10-28 | 2011-05-24 | Nec Corporation | Optical head apparatus and optical information recording/reproducing apparatus |
-
2001
- 2001-02-09 JP JP2001033091A patent/JP2002237085A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006064777A1 (en) * | 2004-12-14 | 2006-06-22 | Nec Corporation | Optical head device, optical information recording/reproducing device provided with optical head device |
JPWO2006064777A1 (en) * | 2004-12-14 | 2008-06-12 | 日本電気株式会社 | OPTICAL HEAD DEVICE, OPTICAL INFORMATION RECORDING / REPRODUCING DEVICE HAVING OPTICAL HEAD DEVICE |
US7622696B2 (en) | 2005-03-02 | 2009-11-24 | Nec Corporation | Optical head device, optical information recording/reproducing apparatus and operation method of optical information recording/reproducing apparatus |
US7948854B2 (en) | 2005-10-28 | 2011-05-24 | Nec Corporation | Optical head apparatus and optical information recording/reproducing apparatus |
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