JP2003115392A - 薄膜型ｅｌ素子および表示装置 - Google Patents
薄膜型ｅｌ素子および表示装置Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
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- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜型ＥＬ素子およびそれを備えた表示装置
において、外光が観測方向へ反射することを抑えると同
時に、発光光の観測方向への射出を増加させることを目
的とする。 【解決手段】 透光性基板１上に積層された透光性電極
２と、透光性電極２上に積層された第１のキャリア輸送
層６と、第１のキャリア輸送層６上に積層された発光層
３と、発光層３上に積層された第２のキャリア輸送層７
と、第２のキャリア輸送層６上に積層された吸光性電極
４と、を備えた薄膜型ＥＬ素子において、吸光性電極７
の屈折率を第２のキャリア輸送層７の屈折率よりも小さ
くし、透明台形体８に斜面を設けたことを特徴とする。
において、外光が観測方向へ反射することを抑えると同
時に、発光光の観測方向への射出を増加させることを目
的とする。 【解決手段】 透光性基板１上に積層された透光性電極
２と、透光性電極２上に積層された第１のキャリア輸送
層６と、第１のキャリア輸送層６上に積層された発光層
３と、発光層３上に積層された第２のキャリア輸送層７
と、第２のキャリア輸送層６上に積層された吸光性電極
４と、を備えた薄膜型ＥＬ素子において、吸光性電極７
の屈折率を第２のキャリア輸送層７の屈折率よりも小さ
くし、透明台形体８に斜面を設けたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミセ
ンス現象によって発光する発光体薄膜を発光層として用
いた薄膜型ＥＬ素子およびそれを備えた表示装置に関す
る。
ンス現象によって発光する発光体薄膜を発光層として用
いた薄膜型ＥＬ素子およびそれを備えた表示装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、薄膜型ＥＬ素子は、発光層を電
極で挟持する構成となっている。背面側にある電極は金
属からなり、高反射面となっているため、観測方向から
の外光が反射し、ノイズとなってコントラスト低下の原
因となっている。
極で挟持する構成となっている。背面側にある電極は金
属からなり、高反射面となっているため、観測方向から
の外光が反射し、ノイズとなってコントラスト低下の原
因となっている。
【０００３】この外光の反射を抑制した例が、特開平０
８−８０６５号公報で開示されている。図１は、その模
式的断面図である。図１において、１はガラス等からな
る透光性基板、２は透光性電極（陽極）、３は発光層、
４は吸光性電極（陰極）、５は導電補助電極（陰極）を
示す。図１において、発光層３に電界をかけると、発光
層３はエレクトロルミネセンス現象により発光する。
８−８０６５号公報で開示されている。図１は、その模
式的断面図である。図１において、１はガラス等からな
る透光性基板、２は透光性電極（陽極）、３は発光層、
４は吸光性電極（陰極）、５は導電補助電極（陰極）を
示す。図１において、発光層３に電界をかけると、発光
層３はエレクトロルミネセンス現象により発光する。
【０００４】その発光光が透光性電極２、透光性基板１
を透過し射出されることによって、観測される。その
際、外光の反射率が高いと外光がノイズとなりコントラ
スト低下を引き起こし、観測の妨げとなる。そこで、こ
の特開平０８−８０６５号公報の例では、背面電極の発
光層側に吸光性の電極を設けて、外光の観測方向への反
射を低減している。
を透過し射出されることによって、観測される。その
際、外光の反射率が高いと外光がノイズとなりコントラ
スト低下を引き起こし、観測の妨げとなる。そこで、こ
の特開平０８−８０６５号公報の例では、背面電極の発
光層側に吸光性の電極を設けて、外光の観測方向への反
射を低減している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
例は外光の反射を低減させることだけで、発光層の観測
方向への射出光量を増加させることは考慮されていなか
った。
例は外光の反射を低減させることだけで、発光層の観測
方向への射出光量を増加させることは考慮されていなか
った。
【０００６】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、薄膜型ＥＬ素子およびそれを備えた表示装置にお
いて、外光が観測方向へ反射することを抑えるだけでな
く、発光された光の観測方向への射出を増加させること
を目的とする。
あり、薄膜型ＥＬ素子およびそれを備えた表示装置にお
いて、外光が観測方向へ反射することを抑えるだけでな
く、発光された光の観測方向への射出を増加させること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明は、透光性基板上に積層された透光性電極
と、該透光性電極上に積層された第１のキャリア輸送層
と、該第１のキャリア輸送層上に積層された発光層と、
該発光層上に積層された第２のキャリア輸送層と、該第
２のキャリア輸送層上に積層された吸光性電極と、を備
えた薄膜型ＥＬ素子において、前記吸光性電極の屈折率
を、前記第２のキャリア輸送層の屈折率よりも小さくし
たことを特徴とする。
めに、本発明は、透光性基板上に積層された透光性電極
と、該透光性電極上に積層された第１のキャリア輸送層
と、該第１のキャリア輸送層上に積層された発光層と、
該発光層上に積層された第２のキャリア輸送層と、該第
２のキャリア輸送層上に積層された吸光性電極と、を備
えた薄膜型ＥＬ素子において、前記吸光性電極の屈折率
を、前記第２のキャリア輸送層の屈折率よりも小さくし
たことを特徴とする。
【０００８】また、本発明は、基板上に堆積した回路素
子と、該回路素子上に形成された平面上に積層された光
吸収層と、前記光吸収層上に積層された第２の透光性電
極と、該第２の透光性電極上に積層された第２のキャリ
ア輸送層と、該第２のキャリア輸送層上に積層された発
光層と、該発光層上に積層された第１のキャリア輸送層
と、該第１のキャリア輸送層上に積層された第１の透光
性電極と、を備えた薄膜型ＥＬ素子において、前記光吸
収層の屈折率を、前記第２の透光性電極の屈折率よりも
小さくしたことを特徴とする。
子と、該回路素子上に形成された平面上に積層された光
吸収層と、前記光吸収層上に積層された第２の透光性電
極と、該第２の透光性電極上に積層された第２のキャリ
ア輸送層と、該第２のキャリア輸送層上に積層された発
光層と、該発光層上に積層された第１のキャリア輸送層
と、該第１のキャリア輸送層上に積層された第１の透光
性電極と、を備えた薄膜型ＥＬ素子において、前記光吸
収層の屈折率を、前記第２の透光性電極の屈折率よりも
小さくしたことを特徴とする。
【０００９】上記の薄膜型ＥＬ素子において、光吸収層
の下面側に熱伝導性の大きな物質を配しても良い。
の下面側に熱伝導性の大きな物質を配しても良い。
【００１０】また、本発明は、基板上に堆積した回路素
子と、該回路素子上に形成された平面上に積層された反
射型電極と、該反射型電極上に積層された吸光性電極
と、該吸光性電極層上に積層された第１のキャリア輸送
層と、該第１のキャリア輸送層上に積層された発光層
と、該発光層上に積層された第２のキャリア輸送層と、
該第２のキャリア輸送層上に積層された透光性電極と、
を備えた薄膜型ＥＬ素子において、前記吸光性電極の屈
折率を、前記第１のキャリア輸送層の屈折率よりも小さ
くしたことを特徴とする。
子と、該回路素子上に形成された平面上に積層された反
射型電極と、該反射型電極上に積層された吸光性電極
と、該吸光性電極層上に積層された第１のキャリア輸送
層と、該第１のキャリア輸送層上に積層された発光層
と、該発光層上に積層された第２のキャリア輸送層と、
該第２のキャリア輸送層上に積層された透光性電極と、
を備えた薄膜型ＥＬ素子において、前記吸光性電極の屈
折率を、前記第１のキャリア輸送層の屈折率よりも小さ
くしたことを特徴とする。
【００１１】上記のいずれかの薄膜型ＥＬ素子におい
て、外側に傾く斜面を設けても良い。
て、外側に傾く斜面を設けても良い。
【００１２】本発明の表示装置は、上記いずれかの薄膜
型ＥＬ素子を備えたものである。
型ＥＬ素子を備えたものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施形態について詳細に説明する。
の実施形態について詳細に説明する。
【００１４】（実施形態１）図２は本発明の実施形態１
を説明するための模式的断面図である。図２において、
１は透光性基板、２は透光性基板１上に積層された透光
性電極（陽極）、３は電界の印加により発光する発光
層、４は吸光性電極としての吸光性陰極、５は電極（陰
極）、６は第１のキャリア輸送層としての正孔輸送層、
７は第２のキャリア輸送層としての電子輸送層、８は透
光性台形体、９はＥＬ素子の外側に傾く透光性台形体の
斜面、１０は背面側に発光した光、１１は電子輸送層７
と吸光性電極４との界面を示す。
を説明するための模式的断面図である。図２において、
１は透光性基板、２は透光性基板１上に積層された透光
性電極（陽極）、３は電界の印加により発光する発光
層、４は吸光性電極としての吸光性陰極、５は電極（陰
極）、６は第１のキャリア輸送層としての正孔輸送層、
７は第２のキャリア輸送層としての電子輸送層、８は透
光性台形体、９はＥＬ素子の外側に傾く透光性台形体の
斜面、１０は背面側に発光した光、１１は電子輸送層７
と吸光性電極４との界面を示す。
【００１５】吸光性電極４の材料には、電子輸送層７の
屈折率より低いものが使用されている。そのため、電子
輸送層７から入射した光のうち臨界角以上の角度で入射
した光は、界面１１で全反射する。
屈折率より低いものが使用されている。そのため、電子
輸送層７から入射した光のうち臨界角以上の角度で入射
した光は、界面１１で全反射する。
【００１６】電界を印加された発光層では発光が起こ
り、全方向に発光する。その際、臨界角以上の角度で、
電子輸送層７と吸光性電極４との界面１１に入射した光
は全反射される。全反射された光は、電子輸送層７、発
光層３等を透過した後、透明台形体の斜面９に照射され
る。そこで反射されて、透光性基板１側の観測方向に射
出する。他方、観測方向から入射する外光は大半が臨界
角以下の入射角で入射するため、上述のような全反射は
ほとんど起こらない。
り、全方向に発光する。その際、臨界角以上の角度で、
電子輸送層７と吸光性電極４との界面１１に入射した光
は全反射される。全反射された光は、電子輸送層７、発
光層３等を透過した後、透明台形体の斜面９に照射され
る。そこで反射されて、透光性基板１側の観測方向に射
出する。他方、観測方向から入射する外光は大半が臨界
角以下の入射角で入射するため、上述のような全反射は
ほとんど起こらない。
【００１７】以上説明したように、吸光性電極４の屈折
率を電子輸送層７の屈折率より小さくし、透明台形体に
斜面を設けたので、外光の観測方向への反射を抑えるだ
けでなく、発光された光の観測方向への射出を増加させ
ることが可能となった。
率を電子輸送層７の屈折率より小さくし、透明台形体に
斜面を設けたので、外光の観測方向への反射を抑えるだ
けでなく、発光された光の観測方向への射出を増加させ
ることが可能となった。
【００１８】（実施形態２）図３の本発明の実施形態２
を説明するための模式的断面図である。基板上に回路素
子が設けられる場合、発光した光を基板側に射出させる
構成にすると、回路素子により光出口が制約されて開口
率が小さくなるため、反対側に射出させる構成が考えら
れる。そのような場合、電極構成が異なることがある。
本実施形態は、そのような場合の例である。なお、図３
において、図２と同一の部材には同一の符号を付し、詳
細な説明は省略する。
を説明するための模式的断面図である。基板上に回路素
子が設けられる場合、発光した光を基板側に射出させる
構成にすると、回路素子により光出口が制約されて開口
率が小さくなるため、反対側に射出させる構成が考えら
れる。そのような場合、電極構成が異なることがある。
本実施形態は、そのような場合の例である。なお、図３
において、図２と同一の部材には同一の符号を付し、詳
細な説明は省略する。
【００１９】図３において、１２は第１の透光性電極と
しての透光性陰極、３は電界の印加により発光する発光
層、１３は光吸収層１４上に積層される、第２の透光性
電極としての透光性陽極、６は第１のキャリア輸送層と
しての電子輸送層、７は第２のキャリア輸送層としての
正孔輸送層、９はＥＬ素子の外側に傾く斜面、１４は回
路素子上に形成された平面上に積層された光吸収層、１
６は透光性シール、１７は基板である。
しての透光性陰極、３は電界の印加により発光する発光
層、１３は光吸収層１４上に積層される、第２の透光性
電極としての透光性陽極、６は第１のキャリア輸送層と
しての電子輸送層、７は第２のキャリア輸送層としての
正孔輸送層、９はＥＬ素子の外側に傾く斜面、１４は回
路素子上に形成された平面上に積層された光吸収層、１
６は透光性シール、１７は基板である。
【００２０】基板１７と光吸収層１４の間には、ＥＬ素
子を駆動するための回路素子が形成されている。光吸収
層１４には屈折率１．７のＭｇＯを、透光性電極２には
屈折率１．８から２．１のＩＴＯを用いることができ
る。
子を駆動するための回路素子が形成されている。光吸収
層１４には屈折率１．７のＭｇＯを、透光性電極２には
屈折率１．８から２．１のＩＴＯを用いることができ
る。
【００２１】電界を印加された発光層では発光が起こ
り、全方向に発光する。その際、臨界角以上の角度で第
２の透光性電極１３と光吸収層１４との界面に入射した
光は全反射される。全反射された光は、斜面９に照射さ
れ、そこで反射された後、透光性シール１６方向に射出
する。他方、観測方向から入射する外光は、大半が臨界
角以下の入射角で入射するため、上述のような全反射は
ほとんど起こらない。
り、全方向に発光する。その際、臨界角以上の角度で第
２の透光性電極１３と光吸収層１４との界面に入射した
光は全反射される。全反射された光は、斜面９に照射さ
れ、そこで反射された後、透光性シール１６方向に射出
する。他方、観測方向から入射する外光は、大半が臨界
角以下の入射角で入射するため、上述のような全反射は
ほとんど起こらない。
【００２２】また、本実施形態において、第２の透光性
電極１３を反射型の電極とすることも可能である。この
場合、実施形態１の場合同様に反射型電極の発光層側に
吸光性の電極を設ける。
電極１３を反射型の電極とすることも可能である。この
場合、実施形態１の場合同様に反射型電極の発光層側に
吸光性の電極を設ける。
【００２３】（実施形態３）図１及び図２で説明したよ
うに光吸収層を適用すると、発熱の問題が生じる。その
ため、熱を逃がすための方策を備えたものが実施形態４
である。図４は本発明の実施形態４を説明するための模
式的断面図である。図４において、図３と同一の部材に
は同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
うに光吸収層を適用すると、発熱の問題が生じる。その
ため、熱を逃がすための方策を備えたものが実施形態４
である。図４は本発明の実施形態４を説明するための模
式的断面図である。図４において、図３と同一の部材に
は同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００２４】図４に示すように、本実施形態において
は、光吸収層１４の下面側の、基板１７との間に熱伝導
性の大きな物質から成る放熱板１８を設けている。ま
た、放熱板１８には、放熱板１８と同様の材料から成
り、断面が矩形状のロッド２０、２１が付帯している。
これらのロッド２０、２１は隣接する素子につながって
いて、熱はこれらのロッド２０、２１を通じて一番端に
配置された素子部に逃げ、更にこの素子部の側面から素
子外部に放出される。
は、光吸収層１４の下面側の、基板１７との間に熱伝導
性の大きな物質から成る放熱板１８を設けている。ま
た、放熱板１８には、放熱板１８と同様の材料から成
り、断面が矩形状のロッド２０、２１が付帯している。
これらのロッド２０、２１は隣接する素子につながって
いて、熱はこれらのロッド２０、２１を通じて一番端に
配置された素子部に逃げ、更にこの素子部の側面から素
子外部に放出される。
【００２５】放熱板１８としては熱伝導度の良いものが
必要であり、具体的には金、鉄、銅、アルミニウム等の
金属や、石英、ダイヤモンド、ダイヤモンド−グラファ
イト混合物、サファイア等の無機物から形成される。ま
た、放熱板１８を、テトラフルオロエチレン（ＰＴＦ
Ｅ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦ
Ｅ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ＰＥＰ、Ｅ
ＴＦ、ＰＦＡ、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン
（ＰＰ）、塩化ビニリデン、ポリパラキシレン、ポリイ
ミド、パラフィン、ワックス、ポリスチレン、ポリブテ
ン、ポリアミド、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）
等の熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂に代表される熱硬化性
樹脂、白板ガラス、青板ガラスなどの無機ガラスをホス
トとして、このようなホストに熱伝導性物質をゲストと
して混合させたものから形成しても良い。熱伝導性物質
としては、結晶性の二酸化珪素、ダイヤモンド、ＴＩ
Ｎ、アルミナ、酸化チタン、ＢＮ、ＳｉＣ、Ｓｉ
３Ｎ４、ベリリア、酸化銅、酸化ゲルマニウム、二酸化
ゲルマニウム、ＡｇＣｌ、ＧｅＳ３、硫化銅、ＷＣ、Ｃ
ｄＳ、Ｐｂ ３Ｏ４、ジルコニア、酸化亜鉛、ＢａＴｉＯ
３などの無機固体や、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ等の金属
が用いられる。このような混合物を形成する方法として
は、ホストが溶媒に可溶な場合は、その溶液にもう一方
の物質を混合分散する方法を用いることができる。その
際、不溶な方の物質は微粒子、繊維状の形態とする。ゲ
ストのサイズは微粒子なら粒径が１００ｎｍ以下のも
の、繊維状なら長さが１００ｎｍから数ミクロンのもの
とすることが望ましい。
必要であり、具体的には金、鉄、銅、アルミニウム等の
金属や、石英、ダイヤモンド、ダイヤモンド−グラファ
イト混合物、サファイア等の無機物から形成される。ま
た、放熱板１８を、テトラフルオロエチレン（ＰＴＦ
Ｅ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦ
Ｅ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ＰＥＰ、Ｅ
ＴＦ、ＰＦＡ、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン
（ＰＰ）、塩化ビニリデン、ポリパラキシレン、ポリイ
ミド、パラフィン、ワックス、ポリスチレン、ポリブテ
ン、ポリアミド、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）
等の熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂に代表される熱硬化性
樹脂、白板ガラス、青板ガラスなどの無機ガラスをホス
トとして、このようなホストに熱伝導性物質をゲストと
して混合させたものから形成しても良い。熱伝導性物質
としては、結晶性の二酸化珪素、ダイヤモンド、ＴＩ
Ｎ、アルミナ、酸化チタン、ＢＮ、ＳｉＣ、Ｓｉ
３Ｎ４、ベリリア、酸化銅、酸化ゲルマニウム、二酸化
ゲルマニウム、ＡｇＣｌ、ＧｅＳ３、硫化銅、ＷＣ、Ｃ
ｄＳ、Ｐｂ ３Ｏ４、ジルコニア、酸化亜鉛、ＢａＴｉＯ
３などの無機固体や、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ等の金属
が用いられる。このような混合物を形成する方法として
は、ホストが溶媒に可溶な場合は、その溶液にもう一方
の物質を混合分散する方法を用いることができる。その
際、不溶な方の物質は微粒子、繊維状の形態とする。ゲ
ストのサイズは微粒子なら粒径が１００ｎｍ以下のも
の、繊維状なら長さが１００ｎｍから数ミクロンのもの
とすることが望ましい。
【００２６】以上説明した実施形態において、各層の厚
さは１００ｎｍと厚いものにすることもできる。この場
合、可干渉性を有する厚さ（例えば波長の４分の１の厚
さ）は避ける必要がある。
さは１００ｎｍと厚いものにすることもできる。この場
合、可干渉性を有する厚さ（例えば波長の４分の１の厚
さ）は避ける必要がある。
【００２７】しかしながら、上記のように各層の厚さを
厚くするとキャリア輸送のバリアが大きくなり、発光効
率が悪くなる恐れがある。したがって、各層の厚さは薄
くすることが望ましい。例えば、図２の実施形態１にお
いては、光吸収層４に隣接する第２のキャリア輸送層７
の厚さは１００ｎｍ以下とすることが望ましい。勿論、
言及していない他の層も同様に薄い。また、図３及び図
４に示した実施形態２及び３においては、光吸収層１４
に隣接する第２の透光性電極１３の厚さは１００ｎｍ以
下とすることが望ましい。勿論、言及していない他の層
も同様に薄い。
厚くするとキャリア輸送のバリアが大きくなり、発光効
率が悪くなる恐れがある。したがって、各層の厚さは薄
くすることが望ましい。例えば、図２の実施形態１にお
いては、光吸収層４に隣接する第２のキャリア輸送層７
の厚さは１００ｎｍ以下とすることが望ましい。勿論、
言及していない他の層も同様に薄い。また、図３及び図
４に示した実施形態２及び３においては、光吸収層１４
に隣接する第２の透光性電極１３の厚さは１００ｎｍ以
下とすることが望ましい。勿論、言及していない他の層
も同様に薄い。
【００２８】上記のように各層の厚さを薄くすると、例
えば図２の素子において第２のキャリア輸送層７の上下
界面で反射する可視光範囲の光同士が干渉し合うことが
ない。また、図３及び図４の素子においては、第２の透
光性電極１３の上下界面で反射する可視光範囲の光同士
が干渉し合うことがない。即ち、外光は光吸収層に隣接
する非干渉な厚さを有する層を単に素通りして光吸収層
に到達し、そこで吸収される。この点で本発明は、特許
公報第２５２９７４１号に記載されているような光吸収
層に隣接する層が可干渉性のある厚さを有するものとは
本質的に異なる。なお、本発明において、各層の厚さを
薄くするのは、キャリア輸送のバリアを少なくするため
である。
えば図２の素子において第２のキャリア輸送層７の上下
界面で反射する可視光範囲の光同士が干渉し合うことが
ない。また、図３及び図４の素子においては、第２の透
光性電極１３の上下界面で反射する可視光範囲の光同士
が干渉し合うことがない。即ち、外光は光吸収層に隣接
する非干渉な厚さを有する層を単に素通りして光吸収層
に到達し、そこで吸収される。この点で本発明は、特許
公報第２５２９７４１号に記載されているような光吸収
層に隣接する層が可干渉性のある厚さを有するものとは
本質的に異なる。なお、本発明において、各層の厚さを
薄くするのは、キャリア輸送のバリアを少なくするため
である。
【００２９】以上説明したように、光吸収層の屈折率
を、第２の透光性電極の屈折率より小さくし、各層にＥ
Ｌ素子の外側に傾く斜面を設けたので、外光が観測方向
へ反射することを抑えるだけでなく、発光された光の観
測方向への射出を増加させることが可能となった。
を、第２の透光性電極の屈折率より小さくし、各層にＥ
Ｌ素子の外側に傾く斜面を設けたので、外光が観測方向
へ反射することを抑えるだけでなく、発光された光の観
測方向への射出を増加させることが可能となった。
【００３０】さらに、第２の透光性電極を反射型電極に
した場合でも、反射型電極の発光層側に吸光性の電極を
設けることによって、同様の効果を得ることが可能とな
った。
した場合でも、反射型電極の発光層側に吸光性の電極を
設けることによって、同様の効果を得ることが可能とな
った。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
発光層の背面側に設けた光吸収層の屈折率を、それと発
光層側で隣接する層の屈折率より小さくし、ＥＬ素子の
外側に傾く斜面を設けたので、外光が観測方向へ反射す
ることを抑えると同時に、発光された光の観測方向への
射出を増加させることが可能となった。
発光層の背面側に設けた光吸収層の屈折率を、それと発
光層側で隣接する層の屈折率より小さくし、ＥＬ素子の
外側に傾く斜面を設けたので、外光が観測方向へ反射す
ることを抑えると同時に、発光された光の観測方向への
射出を増加させることが可能となった。
【図１】従来例を説明するための模式断面図である。
【図２】本発明の実施形態１を説明するための模式的断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の実施形態２を説明するための模式的断
面図である。
面図である。
【図４】本発明の実施形態２を説明するための模式的断
面図である。
面図である。
１ 透光性基板
２ 透光性電極
３ 発光層
４ 吸光性電極
５ 電極
６ 第１のキャリア輸送層
７ 第２のキャリア輸送層
８ 透光性台形体
９ 斜面
１２ 第１の透光性電極
１３ 第２の透光性電極
１４ 光吸収層
１６ 透光性シール
１７ 基板
１８ 放熱板
２０、２１ ロッド
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 桜永 昌徳
東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ
ン株式会社内
(72)発明者 徳田 隆二
東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ
ン株式会社内
Ｆターム(参考） 3K007 AB03 AB14 AB17 BB06 CB01
CC00 CC01 DB03
Claims (6)
- 【請求項１】 透光性基板上に積層された透光性電極
と、該透光性電極上に積層された第１のキャリア輸送層
と、該第１のキャリア輸送層上に積層された発光層と、
該発光層上に積層された第２のキャリア輸送層と、該第
２のキャリア輸送層上に積層された吸光性電極と、を備
えた薄膜型ＥＬ素子において、前記吸光性電極の屈折率
を、前記第２のキャリア輸送層の屈折率よりも小さくし
たことを特徴とする薄膜型ＥＬ素子。 - 【請求項２】 基板上に堆積した回路素子と、該回路素
子上に形成された平面上に積層された光吸収層と、前記
光吸収層上に積層された第２の透光性電極と、該第２の
透光性電極上に積層された第２のキャリア輸送層と、該
第２のキャリア輸送層上に積層された発光層と、該発光
層上に積層された第１のキャリア輸送層と、該第１のキ
ャリア輸送層上に積層された第１の透光性電極と、を備
えた薄膜型ＥＬ素子において、前記光吸収層の屈折率
を、前記第２の透光性電極の屈折率よりも小さくしたこ
とを特徴とする薄膜型ＥＬ素子。 - 【請求項３】 基板上に堆積した回路素子と、該回路素
子上に形成された平面上に積層された反射型電極と、該
反射型電極上に積層された吸光性電極と、該吸光性電極
層上に積層された第１のキャリア輸送層と、該第１のキ
ャリア輸送層上に積層された発光層と、該発光層上に積
層された第２のキャリア輸送層と、該第２のキャリア輸
送層上に積層された透光性電極と、を備えた薄膜型ＥＬ
素子において、前記吸光性電極の屈折率を、前記第１の
キャリア輸送層の屈折率よりも小さくしたことを特徴と
する薄膜型ＥＬ素子。 - 【請求項４】 外側に傾く斜面を設けたことを特徴とす
る請求項１から３のいずれか１項に記載の薄膜型ＥＬ素
子。 - 【請求項５】 前記光吸収層の下面側に熱伝導性の大き
な物質を配したことを特徴とする請求項２記載の薄型Ｅ
Ｌ素子。 - 【請求項６】 請求項１から５のいずれか１項に記載の
薄膜型ＥＬ素子を備えたことを特徴とする表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002177031A JP2003115392A (ja) | 2001-08-03 | 2002-06-18 | 薄膜型ｅｌ素子および表示装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-236571 | 2001-08-03 | ||
| JP2001236571 | 2001-08-03 | ||
| JP2002177031A JP2003115392A (ja) | 2001-08-03 | 2002-06-18 | 薄膜型ｅｌ素子および表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003115392A true JP2003115392A (ja) | 2003-04-18 |
Family
ID=26619928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002177031A Withdrawn JP2003115392A (ja) | 2001-08-03 | 2002-06-18 | 薄膜型ｅｌ素子および表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003115392A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004192977A (ja) * | 2002-12-12 | 2004-07-08 | Hitachi Ltd | 発光素子およびこの発光素子を用いた表示装置 |
| JP2005005252A (ja) * | 2003-05-19 | 2005-01-06 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置および電子機器 |
| KR100733166B1 (ko) | 2004-04-30 | 2007-06-27 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 표시 소자 및 표시 소자의 제조 방법 |
-
2002
- 2002-06-18 JP JP2002177031A patent/JP2003115392A/ja not_active Withdrawn
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8558449B2 (en) | 2002-12-12 | 2013-10-15 | Hitachi Displays, Ltd. | Light-emitting element and display device using same |
| US8928221B2 (en) | 2002-12-12 | 2015-01-06 | Japan Display Inc | Light-emitting element and display device using same |
| US10192942B2 (en) | 2002-12-12 | 2019-01-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device including light emitting element and bank having sloped surface |
| US7812515B2 (en) | 2002-12-12 | 2010-10-12 | Hitachi Displays, Ltd. | Light-emitting element and display device using same |
| US8049405B2 (en) | 2002-12-12 | 2011-11-01 | Hitachi Displays, Ltd. | Light-emitting element and display device using same |
| US8193697B2 (en) | 2002-12-12 | 2012-06-05 | Hitachi Displays, Ltd. | Light-emitting element and display device using same |
| US9966421B2 (en) | 2002-12-12 | 2018-05-08 | Japan Display Inc. | Light-emitting element having picture elements |
| US8791632B2 (en) | 2002-12-12 | 2014-07-29 | Japan Display Inc. | Light-emitting element and display device using same |
| JP2004192977A (ja) * | 2002-12-12 | 2004-07-08 | Hitachi Ltd | 発光素子およびこの発光素子を用いた表示装置 |
| US9153634B2 (en) | 2002-12-12 | 2015-10-06 | Japan Display Inc. | Light-emitting element and display device using same |
| US9276052B2 (en) | 2002-12-12 | 2016-03-01 | Japan Display Inc. | Light-emitting element and display device using same |
| US9595573B2 (en) | 2002-12-12 | 2017-03-14 | Japan Display Inc. | Display device having light-emitting elements including metals |
| US9799714B2 (en) | 2002-12-12 | 2017-10-24 | Japan Display Inc. | Display device having light-emitting elements |
| JP2005005252A (ja) * | 2003-05-19 | 2005-01-06 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置および電子機器 |
| KR100733166B1 (ko) | 2004-04-30 | 2007-06-27 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 표시 소자 및 표시 소자의 제조 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050906 |