JP2003110320A - Resonance circuit - Google Patents

Resonance circuit

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JP2003110320A
JP2003110320A JP2001298645A JP2001298645A JP2003110320A JP 2003110320 A JP2003110320 A JP 2003110320A JP 2001298645 A JP2001298645 A JP 2001298645A JP 2001298645 A JP2001298645 A JP 2001298645A JP 2003110320 A JP2003110320 A JP 2003110320A
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JP
Japan
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resonance circuit
control voltage
capacitor
frequency
circuit
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JP2001298645A
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Japanese (ja)
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Sotaro Kukida
壮太郎 久木田
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Kyocera Corp
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Kyocera Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resonance circuit, which is capable of easily removing a frequency component and has a high no-load Q. SOLUTION: A series circuit composed of a capacitor element C1, a thin film capacitor element C2, which varies in capacitance when a control voltage is applied, and a strip line Re is interposed in between a transmission line S which transmits high-frequency signals and a ground potential. A control voltage terminal CONT, where the control voltage is applied, is provided between the capacitor element C1 and the thin film capacitor element C2.

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】この発明は、電圧制御により
周波数特性を変化させるようにしたノッチ回路などの共
振回路に関するものである。 【0002】 【従来の技術】共振回路、フィルタ、その他の高周波回
路部間に、高周波信号を伝送するにあたり、高調波成分
や不要なノイズ成分などを除去するため、ノッチ回路と
言われる直列共振回路が設けられていた。これにより、
高周波信号の所定周波数成分のみを除去することがで
き、上述の高調波成分やノイズの除去のみならず、例え
ば、後段のフィルタ特性を緩和するためなどに多用され
ていた。 【0003】また、この所定周波数成分の周波数を任意
に変化させることは、高周波回路全体の制御方法や特性
を安定するため多用されている。 【0004】図8は従来の共振周波数制御可能な共振回
路である。図8において、Reは共振素子であるストリ
ップ線路であり、Cはコンデンサであり、DVは可変容
量ダイオードである。Sは2つの高周波回路部A、B間
を接続する伝送ラインである。 【0005】この共振回路の構成は、伝送ラインSとグ
ランドとの間に、コンデンサC、可変容量ダイオードD
V、ストリップ線路Reが直列的に接続さている。即
ち、可変容量ダイオードDVのアノードはコンデンサC
に接続し、カゾードはストリップ線路Reの一端に接続
されている。そして、可変容量ダイオードDVのアノー
ドには、コイルLR、コンデンサCRからなる制御電圧
制御回路Rを介して制御電圧端子CONTが配置されて
いる。即ち、コンデンサC、可変容量ダイオードDV、
ストリップ線路Reが伝送ラインSに対して、シャント
接続している。 【0006】そして、可変容量ダイオードDVに印加す
る制御電圧に応じて、可変容量ダイオードDとコンデン
サCの直列合成容量が変化するので、可変容量ダイオー
ドD、コンデンサC、ストリップ線路Reとから直列共
振回路の共振器周波数を変化させることができ、これに
より、制御された共振周波数に対して、インピーダンス
が0となり、伝送ラインに流れる高周波信号中、周波数
成分のみをグランドに落す(流し込む)ことができる。 【0007】図8に示すように、ストリップ線路Reに
可変容量ダイオードDVを直列接続させた共振回路で
は、可変容量ダイオードDVに供給する制御電圧によ
り、伝送ラインSに流れる高周波信号成分中、図9に示
すように例えば周波数f1から周波数f4まで任意に共
振周波数を変化させることができる。 【0008】 【発明が解決しようとする課題】しかし、可変容量ダイ
オードDVは、無負荷Qが低く、例えは10〜20程度
であるため、ストリップ線路Re自体が高い無負荷Qを
有していたとしても、共振回路全体のQ値が劣化して、
その結果、共振周波数の減衰波形が劣化してしまうとい
う問題点があった。また、可変容量ダイオードDVは印
加電圧に対して容量変化率が完全に直線となっていない
(リニアリティーが悪い)ため、共振周波数を所望の値
に設定しようとする場合、制御電圧を精度よく制御する
必要があった。 【0009】このため、ノッチ回路として利用する場合
には、共振周波数の選択性が低下してしまうとともに、
回路全体のQ値が悪い可変容量ダイオードDVに依存さ
れてしまい、ストリップ線路ReのQ値を良好にしたと
しても、特性が劣化してしまう。 【0010】本発明は上述の問題点に鑑みて案出された
ものであり、所定値の不要な周波数成分を簡単に除去す
ることができ、しかも、無負荷Qの高い共振回路を提供
することにある。 【0011】 【課題を解決するための手段】本発明は、高周波信号が
伝送する伝送ラインとグランド電位との間に、容量素
子、制御電圧の印加により容量成分が変化するチューナ
ブルコンデンサ、ストリップ線路を直列的に配置すると
ともに、前記容量素子と前記チューナブルコンデンサと
の間に前記制御電圧が印加する制御電圧端子を設けた共
振回路である。 【作用】以上のように、本発明では、ストリップ線路と
制御電圧の印加により容量成分が変化するチューナブル
コンデンサ、容量素子とを直列的に配置して、直列共振
回路を構成している。 【0012】そして、制御電圧を変化させることによ
り、チューナブルコンデンサの容量成分がリニアリティ
ー良く制御できるとともに、チューナブルコンデンサが
有する高いQ値により、全体の選択性が安定かつ良好
(特性が急峻)し、充分な減衰量が得られる。 【0013】尚、固定的な容量素子は、直流の制御電圧
が伝送ライン側に流れ込まないようにするための動作を
行う。 【0014】 【発明の実施の形態】以下、本発明の共振回路を図面に
基づいて詳説する。図1は本発明の共振回路の等価回路
図であり、図2は、この共振回路を具備した共振回路部
品の各構成要素を分解した斜視図であり、図3はその上
面図である。 【0015】図1において、本発明の共振回路は、スト
リップ線路Re、チューナブルコンデンサC2、直流信
号遮断用の容量素子C1から主に構成されている。ま
た、このチューナブルコンデンサC2には、コイルL
R、コンデンサCRとからなける制御電圧制御回路Rが
設けられている。そして、チューナブルコンデンサC2
は、制御信号制御回路Rを介して制御電圧が制御電圧端
子CONTに供給される。 【0016】図において、伝送ラインSとグランド電位
との間には、伝送ラインS側から、直流信号遮断用の容
量素子C1、チューナブルコンデンサC2及びストリッ
プ線路Reが直列的に接続され、そして、ストリップ線
路Reの他端がグランド電位に接続されている。即ち、
伝送ラインSに対してシャント接続される。 【0017】コンデンサC1とチューナブルコンデンサ
C2との接続部分には、制御電圧制御回路Rを介して制
御電圧が供給されるようになっている。この制御電圧制
御回路Rは、高周波遮断回路として動作して、伝送ライ
ンSに流れる高周波成分が、容量素子C1、チューナブ
ルコンデンサC2を介して、制御端子CONTやグラン
ド電位に流れることがないようにしている。具体的に
は、コイルLRにより、高周波信号の遮断を行い、ま
た、コンデンサCRによって、グランド電位に制御信号
をグランドに落ちないようにしている。 【0018】このような構造において、伝送ラインSに
対して共振回路がシャント接続されており、制御電圧制
御回路Rを介して制御電圧をチューナブルコンデンサC
2に印加される。これにより、チューナブルコンデンサ
C2の端子間に直流電圧が印加されて、チューナブルコ
ンデンサC2の容量が変化する。そして、直列共振回路
の容量成分が変化して、例えばノッチ周波数も変化する
ことになる。 【0019】図2は、本発明の直列共振回路を具備した
共振回路部品の各構成要素の分解斜視図であり、図3は
その上面図である。 【0020】共振回路部品は、複数の誘電体層、例えば
4枚の誘電体層10a〜10dが積層された積層体10
から主に構成されている。例えば、上面側の誘電体層1
0aの表面には、グランド電位となる導体膜6、制御電
圧制御回路RのコイルLRとなるチップコイル12及び
チューナブルコンデンサC2となるトリマーコンデンサ
素子3が接続される3つの電極パターン13、2a、9
を有する。尚、電極パターン13はそのまま制御電圧端
子電極14に接続されている。また、電極パターン9は
そのままビアホール導体に接続されている。 【0021】また、上から第1層目の誘電体層10aと
第2層目の誘電体層10bとの間、例えは、誘電体層1
0bの上面には、電極パターン2aと対向してコンデン
サC1を構成する容量成分を発生する電極パターン2b
が形成されている。尚、この電極パターン2bの一部
は、積層体10の端面に延出されて入出力端子電極8
a、8bに接続する。 【0022】また、上から第2層目の誘電体層10bと
第3層目の誘電体層10cとの間、例えは、誘電体層1
0cの上面には、電極パターン9とビアホール導体を介
して一端が接続し、他端が積層体10の端面にまで延出
するストリップ線路となると帯状の導体膜が形成されて
いる。 【0023】また、上から第3層目の誘電体層10cと
接合する最下層の誘電体層10dの下側主面にグンド電
位の導体膜7が形成されている。 【0024】そして、このような積層体10の端面に
は、制御電圧端子電極14、伝送ラインSに接続される
入出力端子電極8a、8b、さらに、グランド電位導体
膜5が形成される。このグランド電位の導体膜5は、積
層体10の両主面に形成されたグランド電位の導体膜に
接続される。 【0025】即ち、制御電圧端子電極14は、積層体1
0の表面側の電極パターン13に接続し、チップコイル
12を介して、電極パターンに接続し、さらに、チュー
ナブルコンデンサC2(3)からストリップ線路となる
導体膜1の一端からグランド電位の他端に接続される。
この経路が制御端子電極14に供給される制御電圧の流
れとなる。また、入出力端子電極8a、8bは、電極パ
ターン2bと電極パターン2aとの対向部分で発生する
容量成分コンデンサC1を介して対して、チューナブル
コンデンサC2となるチューナブル3に接続され、さら
にストリップ線路となる導体膜1の一端からグランド電
位の他端に接続される。この経路が高周波信号の流れと
なる。これを積層体10の上面側からみた透視図を図5
に示す。 【0026】ここで、誘電体層10a〜10dは、誘電
体セラミック材料と低温焼成化を可能とする酸化物や低
融点ガラス材料から構成される誘電体材料であり、グラ
ンド導体膜6、7、電極パターン13、2a、9及び端
面の各種端子電極5、8a、8b、13が比較的高周波
特性に優れたAgやCuなどを主成分とした導体材料か
らなる。 【0027】尚、上述の構造では、制御電圧制御回路R
のコンデンサCRを具備していない。この場合には、図
4に示すように、このコンデンサCRをチップコンデン
サ19として、共振回路部品を搭載するプリント配線基
板40の所定配線、即ち、グランド電位の配線42と制
御電圧供給用配線41との間に接続する。また、このコ
ンデンサCを共振回路部品の電極パターン13とグラン
ド導体膜6との間に配置しても構わない。尚、図4にお
いて、伝送ラインSは配線43である。 【0028】次に、チューナブルコンデンサC2(3)
について説明する。チューナブルコンデンサC2(3)
は、図5(a)(b)に示すように、支持基板51、下
部電極層52、電圧印加により誘電率が変化する高誘電
体層53及び上部電極層54、保護膜55が順次被着し
て形成されている。支持基板51はセラミック、サファ
イア基板などからなる。その表面には、(111)面に
配向したPt、Auまたはそれらの固溶体からなる下部
電極層52が形成されている。そして、この下部電極5
2の一部上には、少なくともBa、Sr、Tiを含有す
るペロブスカイト型酸化物結晶粒子からなる高誘電体層
53が被着形成されている。この高誘電体層は、ペロブ
スカイト型酸化物において(BaxSr1-x)TiO3
おけるxの範囲が0.4から0.6となっている。ま
た、高誘電体層53の膜厚が1μm以下であるととも
に、前記誘電体層を構成する誘電体結晶粒子が等軸晶で
あり、該結晶粒子の平均粒径が0.5μm以下である。 【0029】また、高誘電体層53は、組成(BaS
r)Tix3におけるxの範囲が0.7〜0.9として
もよい。 【0030】そして、このような高誘電体層53上に、
上部電極層54を配置する。この上部電極層54はP
t、Auなどの薄膜導体膜から構成される。そして、高
誘電体層53を避けるように下部電極層52、上部電極
層54には、半田バンプなどの端子電極56、56が形
成され、支持基板51上に、端子電極56、56のみが
露出するように樹脂や無機物金属などから絶縁保護55
が被覆されている。そして、このような構造のチューナ
ブルコンデンサ3は、積層基板10の電極パターン2a
と9(実際にビアホール導体のランド電極)に夫々一方
の端子電極56が被着するように接合されている。 【0031】図6は、上述の共振回路において、制御電
圧を変化させたときの直列共振回路(ノッチ回路)の伝
送特性を示す。本発明では、従来Q値を劣化されていた
可変容量ダイオードDVを利用していないため、共振回
路部品としてQ値の劣化を有効に抑えることができる。
その結果、図8に示す従来の伝送特性に比較して急峻な
減衰特性が得られることになる。また、チューナブルコ
ンデンサC2のリニアリティーは、可変容量ダイオード
DVのリニアリティーに比較して非常に良好であるた
め、制御電圧に対して周波数f1〜f4を比例関係で制
御することが可能となる。 【0032】また、図7に示すように同一周波数で、可
変容量ダイオードDVを用いた従来の共振回路の特性に
比較しても、無負荷Qが高く、その結果、減衰量も大き
くとることができる。 【0033】尚、上述の共振回路部品は、図1に示す共
振回路の等価回路を形成した例であるが、共振回路部品
の構成及びプリント配線基板との接続状態は、図2〜図
3または、図4に限るものではなく、種々の構成の変更
が可能である。 【0034】 【発明の効果】以上のように本発明の共振回路では、高
周波回路部間を接続する伝送ラインとグランド電位に、
コンデンサ、チューナブルコンデンサ、ストリップ線路
などが直列的に接続された共振回路がシャント接続され
ている。そして、高Qのチューナブルコンデンサを直列
接続しているため、当該チューナブルコンデンサに対す
る制御電圧によって前記共振回路の例えばノッチ周波数
を変化させるようにできる。しかも、共振回路部品全体
のQ値を高く維持できるため、その特性が急峻で、且つ
大きな減衰量が得られることになる。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resonance circuit such as a notch circuit whose frequency characteristic is changed by voltage control. 2. Description of the Related Art In transmitting a high-frequency signal between a resonance circuit, a filter, and other high-frequency circuit units, a series resonance circuit called a notch circuit is used to remove harmonic components and unnecessary noise components. Was provided. This allows
It can remove only a predetermined frequency component of a high-frequency signal, and is often used not only for removing the above-described harmonic components and noise, but also for, for example, relaxing the filter characteristics at the subsequent stage. Also, arbitrarily changing the frequency of the predetermined frequency component is often used to stabilize the control method and characteristics of the entire high-frequency circuit. FIG. 8 shows a conventional resonance circuit whose resonance frequency can be controlled. In FIG. 8, Re is a strip line as a resonance element, C is a capacitor, and DV is a variable capacitance diode. S is a transmission line connecting between the two high-frequency circuit units A and B. The configuration of this resonance circuit is such that a capacitor C and a variable capacitance diode D are provided between the transmission line S and the ground.
V and a strip line Re are connected in series. That is, the anode of the variable capacitance diode DV is connected to the capacitor C
, And the cathode is connected to one end of the strip line Re. A control voltage terminal CONT is arranged at the anode of the variable capacitance diode DV via a control voltage control circuit R including a coil LR and a capacitor CR. That is, the capacitor C, the variable capacitance diode DV,
The strip line Re is shunt-connected to the transmission line S. [0006] Since the series combined capacitance of the variable capacitance diode D and the capacitor C changes according to the control voltage applied to the variable capacitance diode DV, the series resonance circuit includes the variable capacitance diode D, the capacitor C, and the strip line Re. , The impedance becomes 0 with respect to the controlled resonance frequency, and only the frequency component of the high-frequency signal flowing through the transmission line can be dropped (poured) to the ground. As shown in FIG. 8, in the resonance circuit in which the variable capacitance diode DV is connected in series to the strip line Re, the control voltage supplied to the variable capacitance diode DV causes the high frequency signal component flowing through the transmission line S to have the configuration shown in FIG. As shown in (5), for example, the resonance frequency can be arbitrarily changed from the frequency f1 to the frequency f4. However, the variable capacitance diode DV has a low no-load Q, for example, about 10 to 20, so that the strip line Re itself has a high no-load Q. As a result, the Q value of the entire resonance circuit deteriorates,
As a result, there is a problem that the attenuation waveform of the resonance frequency is deteriorated. In addition, since the capacitance change rate of the variable capacitance diode DV is not completely linear with respect to the applied voltage (the linearity is poor), when setting the resonance frequency to a desired value, the control voltage is accurately controlled. Needed. Therefore, when used as a notch circuit, the selectivity of the resonance frequency is reduced, and
The Q value of the entire circuit depends on the variable capacitance diode DV which is bad, and even if the Q value of the strip line Re is made good, the characteristics deteriorate. The present invention has been devised in view of the above-mentioned problems, and provides a resonance circuit which can easily remove unnecessary frequency components having a predetermined value and has a high no-load Q. It is in. [0011] The present invention relates to a tunable capacitor, a strip line, and a tunable capacitor whose capacitance component changes when a control voltage is applied between a transmission line through which a high-frequency signal is transmitted and a ground potential. Are arranged in series, and a control voltage terminal to which the control voltage is applied is provided between the capacitive element and the tunable capacitor. As described above, according to the present invention, a series resonance circuit is formed by arranging a strip line, a tunable capacitor whose capacitance component changes by application of a control voltage, and a capacitance element in series. By changing the control voltage, the capacitance component of the tunable capacitor can be controlled with good linearity, and the high selectivity of the tunable capacitor makes the overall selectivity stable and good (the characteristics are steep). , A sufficient amount of attenuation can be obtained. The fixed capacitance element performs an operation for preventing a DC control voltage from flowing into the transmission line. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a resonance circuit according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of the resonance circuit of the present invention, FIG. 2 is an exploded perspective view of components of a resonance circuit component having the resonance circuit, and FIG. 3 is a top view thereof. Referring to FIG. 1, the resonance circuit of the present invention mainly comprises a strip line Re, a tunable capacitor C2, and a capacitive element C1 for blocking a DC signal. The tunable capacitor C2 has a coil L
There is provided a control voltage control circuit R connected to R and the capacitor CR. And the tunable capacitor C2
The control voltage is supplied to the control voltage terminal CONT via the control signal control circuit R. In the figure, a capacitive element C1, a tunable capacitor C2 and a strip line Re for blocking a DC signal are connected in series between the transmission line S and the ground potential from the transmission line S side. The other end of the strip line Re is connected to the ground potential. That is,
A shunt connection is made to the transmission line S. A control voltage is supplied to a connection between the capacitor C1 and the tunable capacitor C2 via a control voltage control circuit R. The control voltage control circuit R operates as a high-frequency cutoff circuit to prevent a high-frequency component flowing through the transmission line S from flowing to the control terminal CONT or the ground potential via the capacitive element C1 and the tunable capacitor C2. ing. Specifically, the high frequency signal is cut off by the coil LR, and the control signal is not dropped to the ground potential by the capacitor CR. In such a structure, the resonance circuit is shunt-connected to the transmission line S, and the control voltage is supplied to the tunable capacitor C through the control voltage control circuit R.
2 is applied. As a result, a DC voltage is applied between the terminals of the tunable capacitor C2, and the capacitance of the tunable capacitor C2 changes. Then, the capacitance component of the series resonance circuit changes, and, for example, the notch frequency also changes. FIG. 2 is an exploded perspective view of each component of a resonance circuit component having the series resonance circuit of the present invention, and FIG. 3 is a top view thereof. The resonance circuit component is a laminated body 10 in which a plurality of dielectric layers, for example, four dielectric layers 10a to 10d are laminated.
It is mainly composed of For example, the upper dielectric layer 1
On the surface of Oa, three electrode patterns 13, 2a, to which a conductor film 6 serving as a ground potential, a chip coil 12 serving as a coil LR of the control voltage control circuit R, and a trimmer capacitor element 3 serving as a tunable capacitor C2 are connected. 9
Having. The electrode pattern 13 is connected to the control voltage terminal electrode 14 as it is. The electrode pattern 9 is directly connected to the via-hole conductor. In addition, between the first dielectric layer 10a and the second dielectric layer 10b from the top, for example, the dielectric layer 1
0b, an electrode pattern 2b facing the electrode pattern 2a and generating a capacitance component constituting the capacitor C1.
Is formed. A part of the electrode pattern 2b is extended to the end face of the laminated body 10 and the input / output terminal electrode 8
a, 8b. Also, between the second dielectric layer 10b and the third dielectric layer 10c from the top, for example, the dielectric layer 1
On the upper surface of Oc, a strip-shaped conductive film is formed, which is connected to the electrode pattern 9 via a via-hole conductor at one end and the other end becomes a strip line extending to the end surface of the multilayer body 10. A conductor film 7 having a ground potential is formed on the lower main surface of the lowermost dielectric layer 10d to be joined to the third dielectric layer 10c from the top. The control voltage terminal electrode 14, the input / output terminal electrodes 8a and 8b connected to the transmission line S, and the ground potential conductor film 5 are formed on the end face of the laminated body 10. The ground potential conductive film 5 is connected to the ground potential conductive films formed on both main surfaces of the laminate 10. That is, the control voltage terminal electrode 14 is
0, connected to the electrode pattern via the chip coil 12, connected to the electrode pattern via the chip coil 12, and further connected from the tunable capacitor C2 (3) to one end of the conductor film 1 serving as a strip line to the other end of the ground potential. Connected to.
This path becomes the flow of the control voltage supplied to the control terminal electrode 14. The input / output terminal electrodes 8a and 8b are connected to a tunable capacitor 3 serving as a tunable capacitor C2 via a capacitance component capacitor C1 generated at a portion where the electrode pattern 2b and the electrode pattern 2a face each other. One end of the conductor film 1 serving as a line is connected to the other end of the ground potential. This path becomes the flow of the high-frequency signal. FIG. 5 is a perspective view of this as viewed from the upper surface side of the laminate 10.
Shown in Here, the dielectric layers 10a to 10d are dielectric materials composed of a dielectric ceramic material and an oxide or a low-melting glass material which can be fired at a low temperature. The electrode patterns 13, 2a, 9 and the various terminal electrodes 5, 8a, 8b, 13 on the end faces are made of a conductive material mainly composed of Ag, Cu, or the like which has relatively excellent high-frequency characteristics. In the structure described above, the control voltage control circuit R
Is not provided. In this case, as shown in FIG. 4, the capacitor CR is used as the chip capacitor 19, and a predetermined wiring of the printed wiring board 40 on which the resonance circuit components are mounted, that is, the wiring 42 of the ground potential and the wiring 41 for the control voltage supply Connect between. Further, the capacitor C may be arranged between the electrode pattern 13 of the resonance circuit component and the ground conductor film 6. In FIG. 4, the transmission line S is a wiring 43. Next, the tunable capacitor C2 (3)
Will be described. Tunable capacitor C2 (3)
As shown in FIGS. 5A and 5B, a supporting substrate 51, a lower electrode layer 52, a high dielectric layer 53 whose permittivity changes by applying a voltage, an upper electrode layer 54, and a protective film 55 are sequentially deposited. It is formed. The support substrate 51 is made of a ceramic, a sapphire substrate, or the like. On its surface, a lower electrode layer 52 made of Pt, Au or a solid solution thereof oriented to the (111) plane is formed. And this lower electrode 5
A high dielectric layer 53 composed of perovskite-type oxide crystal particles containing at least Ba, Sr, and Ti is formed on a part of 2. In the high dielectric layer, the range of x in (Ba x Sr 1 -x ) TiO 3 in the perovskite oxide is 0.4 to 0.6. The thickness of the high dielectric layer 53 is 1 μm or less, and the dielectric crystal grains constituting the dielectric layer are equiaxed, and the average grain size of the crystal grains is 0.5 μm or less. The high dielectric layer 53 has a composition (BaS
r) The range of x in Ti x O 3 may be 0.7 to 0.9. Then, on such a high dielectric layer 53,
The upper electrode layer 54 is provided. This upper electrode layer 54 is made of P
It is composed of a thin film conductor film such as t, Au or the like. Then, terminal electrodes 56, 56 such as solder bumps are formed on the lower electrode layer 52 and the upper electrode layer 54 so as to avoid the high dielectric layer 53, and only the terminal electrodes 56, 56 are exposed on the support substrate 51. Insulation protection 55 from resin, inorganic metal, etc.
Is coated. The tunable capacitor 3 having such a structure is connected to the electrode pattern 2a of the multilayer substrate 10.
And 9 (actually, land electrodes of via-hole conductors) are joined so that one terminal electrode 56 is attached. FIG. 6 shows the transmission characteristics of the series resonance circuit (notch circuit) when the control voltage is changed in the above-described resonance circuit. In the present invention, since the variable capacitance diode DV whose Q value has been deteriorated in the past is not used, deterioration of the Q value can be effectively suppressed as a resonance circuit component.
As a result, a steep attenuation characteristic is obtained as compared with the conventional transmission characteristic shown in FIG. Further, since the linearity of the tunable capacitor C2 is much better than the linearity of the variable capacitance diode DV, it is possible to control the frequencies f1 to f4 in proportion to the control voltage. As shown in FIG. 7, even when compared with the characteristics of a conventional resonance circuit using a variable capacitance diode DV at the same frequency, the no-load Q is high, and as a result, the attenuation is large. it can. Although the above-described resonance circuit component is an example in which an equivalent circuit of the resonance circuit shown in FIG. 1 is formed, the configuration of the resonance circuit component and the connection state with the printed wiring board are shown in FIGS. 4 is not limited, and various configurations can be changed. As described above, in the resonance circuit of the present invention, the transmission line connecting the high-frequency circuit units and the ground potential
A resonance circuit in which a capacitor, a tunable capacitor, a strip line, and the like are connected in series is shunt-connected. Since the high-Q tunable capacitor is connected in series, for example, a notch frequency of the resonance circuit can be changed by a control voltage for the tunable capacitor. In addition, since the Q value of the entire resonance circuit component can be kept high, the characteristics are steep and a large amount of attenuation can be obtained.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の共振回路の等価回路図である。 【図2】本発明の共振回路を具備した共振回路部品の各
要素毎の分解斜視図である。 【図3】本発明の共振回路を具備した共振回路部品の上
面図である。 【図4】本発明の共振回路を具備した共振回路部品をプ
リント配線基板に搭載した状態の外観図である。 【図5】(a)は本発明の共振回路に用いるチューナブ
ルコンデンサの断面構造を示し、(b)は、絶縁保護膜
を省略した状態の平面図である。 【図6】本発明の共振回路の減衰特性を示す特性図であ
る。 【図7】本発明の共振回路と従来の共振回路の同一周波
数での特性の比較図である。 【図8】従来の共振回路の等価回路図である。 【図9】従来の共振回路の減衰特性を示す特性図であ
る。 【符号の説明】 1・・ストリップ線路となる導体膜 2a、2b・・コンデンサC1となる電極パターン C1・・コンデンサ 3(C2)・・チューナブルコンデンサ 8a、8b・・入出力端子電極 5、6、7・・グランド電位導体膜 9・・電極パターン(ビアホール導体) 10(10a〜10d)・・誘電体層 12・・チップコイル 13・・制御電圧端子電極 19・・チップコンデンサ(コンデンサCR) R・・制御電圧制御回路 Re・・ストリップ線路 CONT:制御端子
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of a resonance circuit according to the present invention. FIG. 2 is an exploded perspective view of each element of a resonance circuit component including the resonance circuit of the present invention. FIG. 3 is a top view of a resonance circuit component including the resonance circuit of the present invention. FIG. 4 is an external view of a state in which a resonance circuit component including the resonance circuit of the present invention is mounted on a printed wiring board. FIG. 5 (a) shows a cross-sectional structure of a tunable capacitor used in the resonance circuit of the present invention, and FIG. 5 (b) is a plan view in which an insulating protective film is omitted. FIG. 6 is a characteristic diagram showing an attenuation characteristic of the resonance circuit of the present invention. FIG. 7 is a comparison diagram of characteristics of the resonance circuit of the present invention and a conventional resonance circuit at the same frequency. FIG. 8 is an equivalent circuit diagram of a conventional resonance circuit. FIG. 9 is a characteristic diagram showing an attenuation characteristic of a conventional resonance circuit. [Description of Signs] 1. Conductor films 2a and 2b to be strip lines ... Electrode pattern C1 to be capacitor C1 ... Capacitor 3 (C2) ... Tunable capacitors 8a and 8b ... I / O terminal electrodes 5 and 6 , 7, ground potential conductor film 9, electrode pattern (via hole conductor) 10 (10a to 10d), dielectric layer 12, chip coil 13, control voltage terminal electrode 19, chip capacitor (capacitor CR) R ..Control voltage control circuit Re..Strip line CONT: control terminal

Claims (1)

【特許請求の範囲】 【請求項1】 高周波信号が伝送する伝送ラインとグラ
ンド電位との間に、容量素子、制御電圧の印加により容
量成分が変化するチューナブルコンデンサ、ストリップ
線路を直列的に配置するとともに、前記容量素子と前記
チューナブルコンデンサとの間に前記制御電圧が印加す
る制御電圧端子を設けたことを特徴とする共振回路。
Claims: 1. A capacitance element, a tunable capacitor whose capacitance component changes by application of a control voltage, and a strip line are serially arranged between a transmission line for transmitting a high-frequency signal and a ground potential. And a control voltage terminal to which the control voltage is applied is provided between the capacitive element and the tunable capacitor.
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