JP2003101369A - 水晶デバイス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】水晶振動子の発する基準信号が配線層で大きく
減衰する。 【解決手段】水晶振動子５が搭載される搭載部と配線層
２を有する基体１と、前記基体１の搭載部に搭載され、
電極が前記配線層２に電気的に接続されている水晶振動
子５と、前記基体１に取着され、前記水晶振動子５を気
密に収容する蓋体３とから成る水晶デバイス６であっ
て、前記基体１はＳｉ成分がＳｉＯ₂に換算して２５〜
８０重量％、Ｂａ成分がＢａＯに換算して１５〜７０重
量％、Ｂ成分がＢ₂Ｏ₃に換算して１．５〜５重量％、Ａ
ｌ成分がＡｌ₂Ｏ₃に換算して１〜３０重量％、Ｃａ成分
がＣａＯに換算して０重量％を超え３０重量％以下含ま
れる焼結体で、配線層２が２．５μΩ・ｃｍ以下の比電
気抵抗を有する金属材で形成されており、かつ前記水晶
振動子５は弾性率が２．８ＧＰａ以下の支持体７を介し
て基体１の搭載部に搭載されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コンピュータ等の
情報処理装置や携帯電話等の電子装置において、時間お
よび周波数の基準源として使用される水晶デバイスに関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】コンピュータ等の情報処理装置や携帯電
話等の電子装置において時間および周波数の基準源とし
て使用される水晶デバイスは、一般に、四角板状の水晶
基板に電圧印加用の電極を形成して成る水晶振動子を、
水晶振動子収納用パッケージ内に気密に収容することに
よって形成されている。

【０００３】前記水晶振動子収納用パッケージは、一般
に、酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成
り、上面中央部に水晶振動子を収容する空所を形成する
ための凹部、および凹部表面から外表面にかけて導出さ
れた、タングステン、モリブデン等の高融点金属等の金
属材料から成る配線層を有する基体と、鉄−ニッケル−
コバルト合金、鉄−ニッケル合金等の金属材料、または
酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックス材料から成
る蓋体とから構成されている。

【０００４】そして、水晶振動子の電極を基体の凹部内
表面に露出する配線層及びその周辺の基体表面に固定材
を介して取着することにより、水晶振動子が凹部内に接
着固定されるとともに配線層に電気的に接続され、しか
る後、基体の上面に蓋体を接着材による接着やシーム溶
接等の接合手段により取着し、基体と蓋体とから成る容
器内部に水晶振動子を気密に収容することによって製品
としての水晶デバイスが完成する。

【０００５】なお、水晶振動子を取着するための固定材
としては、一般に、エポキシ樹脂等の有機樹脂と、銀粉
末等の導電性粉末とを主材として混合して成る導電性接
着材が使用されている。

【０００６】また、蓋体を基体にシーム溶接で取着する
場合、通常、予め基体の凹部周囲に枠状のロウ付け用メ
タライズ層を形成しておくとともにこのメタライズ層に
金属枠体をロウ付けし、金属枠体に蓋体をシーム溶接す
る方法が用いられる。

【０００７】更に前記水晶デバイスの外部電気回路基板
への実装は、基体の外表面に導出された配線層を外部電
気回路基板の配線導体に半田等の導電性接続材を介して
接続することによって行われ、水晶振動子は配線層を介
し外部電気回路に電気的に接続されるとともに外部電気
回路から印加される電圧に応じて所定の周波数で振動
し、基準信号を外部電気回路に供給する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
水晶デバイスは基体に形成されている配線層はタングス
テンやモリブデン、マンガン等の高融点金属材料により
形成されており、該タングステン等はその比電気抵抗が
５．４μΩ・ｃｍ（２０℃）以上と高いことから配線層
に基準信号を伝搬させた場合、基準信号に大きな減衰が
生じ、基準信号を外部電気回路に正確、かつ確実に伝搬
させることができないという欠点を有していた。

【０００９】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は、水晶振動子の基準信号を外部電気回路
に高速かつ正確、確実に供給することができる水晶デバ
イスを提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、水晶振動子が
搭載される搭載部を有し、該搭載部から外表面にかけて
導出される配線層を有する基体と、前記基体の搭載部に
搭載され、電極が前記配線層に電気的に接続されている
水晶振動子と、前記基体に取着され、前記水晶振動子を
気密に収容する蓋体とから成る水晶デバイスであって、
前記基体はＳｉ成分がＳｉＯ₂に換算して２５〜８０重
量％、Ｂａ成分がＢａＯに換算して１５〜７０重量％、
Ｂ成分がＢ₂Ｏ₃に換算して１．５〜５重量％、Ａｌ成分
がＡｌ₂Ｏ₃に換算して１〜３０重量％、Ｃａ成分がＣａ
Ｏに換算して０重量％を超え３０重量％以下含まれる焼
結体で、配線層が２．５μΩ・ｃｍ（２０℃）以下の比
電気抵抗を有する金属材で形成されており、かつ前記水
晶振動子は弾性率が２．８ＧＰａ以下の支持体を介して
基体の搭載部に搭載されていることを特徴とするもので
ある。

【００１１】また本発明の水晶デバイスは、前記支持体
がゴム粒子を添加したエポキシ樹脂から成ることを特徴
とするものである。

【００１２】本発明の水晶デバイスによれば、基体を、
Ｓｉ成分がＳｉＯ₂に換算して２５〜８０重量％、Ｂａ
成分がＢａＯに換算して１５〜７０重量％、Ｂ成分がＢ
₂Ｏ₃に換算して１．５〜５重量％、Ａｌ成分がＡｌ₂Ｏ₃
に換算して１〜３０重量％、Ｃａ成分がＣａＯに換算し
て０重量％を超え３０重量％以下含まれる焼結体で形成
し、かかる焼結体の焼成温度が８００〜１０００℃と低
いことから、基体と同時焼成により形成される配線層を
比電気抵抗が２．５μΩ・ｃｍ（２０℃）以下と低い銅
や銀、金で形成することができ、その結果、配線層に水
晶振動子の基準信号を伝搬させた場合、基準信号に大き
な減衰が生じることはなく、基準信号を外部電気回路に
正確、かつ確実に伝搬させることが可能となる。

【００１３】また本発明の水晶デバイスによれば、基体
の搭載部に、例えば、ゴム粒子を添加したエポキシ樹脂
等から成る弾性率が２．８ＧＰａ以下の支持体を被着さ
せるとともに、該支持体に水晶振動子を固定材で接着固
定するようにしたことから外部環境の変化に伴い基体と
水晶振動子に熱が繰り返し作用し、基体と水晶振動子と
の間に両者の熱膨張係数差に起因する熱応力が繰り返し
発生したとしても、その熱応力は支持体を適度に変形さ
せることによって吸収され、水晶振動子の基体に対する
固定が破れることはなく、その結果、基体に水晶振動子
を長期間にわたり確実、強固に固定することが可能とな
り、水晶デバイスの長期信頼性を高いものとなすことが
できる。

【００１４】

【発明の実施の形態】次に本発明の水晶デバイスについ
て添付の図面を基にして詳細に説明する。

【００１５】図１は本発明の水晶デバイスの一実施例を
示す断面図であり、図１において、１は基体、２は配線
層、３は蓋体である。この基体１と蓋体３とにより形成
される容器４内に水晶振動子５を気密に収容することに
より水晶デバイス６が形成される。

【００１６】前記基体１は、Ｓｉ成分がＳｉＯ₂に換算
して２５〜８０重量％、Ｂａ成分がＢａＯに換算して１
５〜７０重量％、Ｂ成分がＢ₂Ｏ₃に換算して１．５〜５
重量％、Ａｌ成分がＡｌ₂Ｏ₃に換算して１〜３０重量
％、Ｃａ成分がＣａＯに換算して０重量％を超え３０重
量％以下含まれる焼結体で形成されており、その上面に
水晶振動子を５を収容するための空所となる凹部１ａが
設けてあり、該凹部１ａ内に水晶振動子５が収容され
る。

【００１７】また前記基体１は、凹部１ａの表面から外
表面にかけて配線層２が導出されており、配線層２の凹
部１ａ表面に露出する部位に水晶振動子５の電極が導電
性接着材等の固定材８を介して接着固定され、外表面に
導出された部位は外部電気回路基板の配線導体に半田等
のロウ材を介して接続される。

【００１８】前記焼結体から成る基体１は、例えば、Ｓ
ｉＯ₂、ＢａＯ、Ｂ₂Ｏ₃、Ａｌ₂Ｏ₃、ＣａＯ等の原料粉
末にアクリル樹脂を主成分とするバインダー及び分散
剤、可塑剤、有機溶媒を加えて泥漿物を作るとともに該
泥漿物をドクターブレード法やカレンダーロール法を採
用することによってグリーンシート（生シート）とな
し、しかる後、前記グリーンシートに適当な打ち抜き加
工を施すとともにこれを複数枚積層し、約８００℃〜１
０００℃の温度で焼成することによって製作される。

【００１９】前記基体１はその焼成温度が約８００℃〜
１０００℃と低いことから、基体１と同時焼成により形
成される配線層２を比電気抵抗が２．５μΩ・ｃｍ（２
０℃）以下と低い銅や銀、金で形成することができ、そ
の結果、配線層２に水晶振動子５の基準信号を伝搬させ
た場合、基準信号に大きな減衰が生じることはなく、基
準信号を外部電気回路に正確、かつ確実に伝搬させるこ
とが可能となる。

【００２０】なお、前記基体１を構成する焼結体は、Ｓ
ｉＯ₂が２５重量％未満であると誘電損失が大きくなっ
て配線層２を伝搬する水晶振動子の基準信号に減衰や遅
延を招来してしまい、また８０重量％を超えると基体１
の機械的強度が大きく低下してしまうと同時に焼成温度
が高いものとなって銅等の金属材から成る配線層２と同
時焼成するのが困難となる。従って、ＳｉＯ₂の量は２
５〜８０重量％の範囲に特定される。

【００２１】また前記基体１を構成する焼結体は、Ｂａ
Ｏが１５重量％未満であると焼成温度が高いものとなっ
て銅等の金属材からなる配線層２と同時焼成するのが困
難となり、また７０重量％を超えると誘電損失が大きく
なって配線層２を伝搬する水晶振動子の基準信号に減衰
や遅延を招来してしまう。従って、ＢａＯの量は１５〜
７０重量％の範囲に特定される。

【００２２】更に前記基体１を構成する焼結体は、Ｂ₂
Ｏ₃が１．５重量％未満となると焼成温度が高いものと
なって銅等の金属材から成る配線層２と同時焼成するの
が困難となり、また５重量％を超えると基体１の機械的
強度が大きく低下してしまう。従って、Ｂ₂Ｏ₃の量は
１．５〜５重量％の範囲に特定される。

【００２３】また更に前記基体１を構成する焼結体は、
Ａｌ₂Ｏ₃が１重量％未満となると焼成温度が高いものと
なって銅等の金属材からなる配線層２と同時焼成するの
が困難となり、また３０重量％を超えると誘電損失が大
きくなって配線層２を伝搬する水晶振動子の基準信号に
減衰や遅延を招来してしまう。従って、Ａｌ₂Ｏ₃の量は
１〜３０重量％の範囲に特定される。

【００２４】更にまた前記基体１を構成する焼結体は、
ＣａＯが含有されない時には焼結性が低下して機械的強
度が低下してしまい、また３０重量％を超えると焼成温
度が高いものとなって銅等の金属材から成る配線層２と
同時焼成するのが困難となる。従って、ＣａＯの量は０
重量％を超えて３０重量％以下の範囲に特定される。

【００２５】更に前記基体１に形成されている配線層２
は、凹部１ａ内に収容される水晶振動子５と外部電気回
路基板の配線導体とを電気的に接続する作用をなし、例
えば、金、銀、銅等の比電気抵抗が２．５μΩ・ｃｍ
（２０℃）以下の金属材により形成されており、銅から
成る場合であれば、銅粉末に適当な有機溶剤、有機バイ
ンダー等を添加混合して得た金属ペーストを、基体１と
なるグリーンシートの表面にスクリーン印刷法等で所定
パターンに印刷塗布しておくことによって形成される。

【００２６】前記配線層２は、その露出する表面をニッ
ケル、金等の耐食性およびロウ材との濡れ性の良好な金
属から成るめっき層（不図示）で被覆しておくと、配線
層２の酸化腐食を良好に防止することができるととも
に、配線層２に対する半田等のロウ材の濡れ性を良好と
することができ、外部電気回路基板の配線導体に対する
配線層２の接続をより一層容易、かつ確実なものとする
ことができる。従って、前記配線層２は、その露出する
表面をニッケル、金等のめっき層、例えば、順次被着さ
れた厚み１μｍ〜１０μｍのニッケルまたはニッケル合
金めっき層、厚み０．１〜３μｍの金めっき層で被覆し
ておくことが好ましい。

【００２７】また前記配線層２の表面をニッケル、金等
のめっき層で被覆する場合、その最表面の算術平均粗さ
（Ｒａ）を１．５μｍ以下、自乗平均平方根粗さ（Ｒｍ
ｓ）を１．８μｍ以下としておくと最表面の光の反射率
が４０％以上となって水晶振動子５を配線層２に固定材
８を介して固定する際、その位置決め等の作業が容易と
なる。従って、前記配線層２の表面をニッケル、金等の
めっき層で被覆する場合、その最表面の算術平均粗さ
（Ｒａ）を１．５μｍ以下、自乗平均平方根粗さ（Ｒｍ
ｓ）を１．８μｍ以下としておくことが好ましい。

【００２８】更に前記配線層２の表面を被覆するニッケ
ル、金等からなるめっき層の最表面の算術平均粗さ（Ｒ
ａ）を１．５μｍ以下、自乗平均平方根粗さ（Ｒｍｓ）
を１．８μｍ以下とするには配線層２を従来周知のワッ
ト浴にイオウ化合物等の光沢剤を添加した電解ニッケル
めっき液に浸漬して配線層２の表面にニッケルめっき層
を被着させ、しかる後、シアン系の電解金めっき液中に
浸漬し、ニッケルめっき層表面に金めっき層を被着させ
ることによって行なわれる。

【００２９】また更に前記基体１の凹部１ａ内表面には
支持体７が取着されており、該支持体７の上面には前記
配線層２の一部が導出され、配線層２の導出部が形成さ
れている支持体７の上面に水晶振動子５が導電性接着材
等の固定材８を介して固定される。

【００３０】前記支持体７はゴム粒子を添加したエポキ
シ樹脂等の弾性率が２．８ＧＰａ以下のもので形成され
ており、支持体７の弾性率が２．８ＧＰａ以下で、変形
し易いことから、外部環境の変化に伴い基体１と水晶振
動子５に熱が繰り返し作用し、基体１と水晶振動子５と
の間に両者の熱膨張係数差に起因する熱応力が繰り返し
発生したとしても、その熱応力は支持体７を適度に変形
させることによって吸収され、基体１や水晶振動子５、
支持体７、固定材８等に機械的な破壊が招来することは
なく、その結果、基体１に水晶振動子５を長期間にわた
り確実、強固に支持固定することが可能となり、水晶デ
バイス６の長期信頼性を高いものとなすことができる。

【００３１】なお、前記支持体７はその弾性率が２．８
ＧＰａを超えると外部環境の変化に伴って基体１と水晶
振動子５の両者に繰り返し熱が作用した際、基体１と水
晶振動子５との両者の熱膨張係数差に起因する熱応力が
支持体７に繰り返し作用して支持体７に機械的な破壊を
招来し、水晶振動子５の固定が破れて水晶デバイス６の
信頼性が大きく低下してしまう。従って、前記支持体７
はその弾性率が２．８ＧＰａ以下のものに特定される。

【００３２】また前記弾性率が２．８ＧＰａ以下の支持
体７としては、アクリルゴム、イソプレンゴム等のゴム
粒子を添加したエポキシ樹脂に対して、銀粉末等の導電
性粉末を１５乃至６０重量％の割合で添加したものが好
適に使用される。

【００３３】また前記エポキシ樹脂としては、（オル
ソ）クレゾールノボラック型、フェノールノボラック
型、ナフタレン系アラルキル型、ポリサルファイド変性
型等のエポキシ樹脂、特に未硬化時に半固体状（粘度が
３０００Ｐ（ポアズ）以上、室温）のものが好適に使用
される。この場合、エポキシ樹脂へのゴム粒子の添加量
を増加させることにより支持体７の弾性率を低下させる
ことができ、エポキシ樹脂の状態（構造、架橋度、重合
度、硬化剤の種類等）に応じて適宜ゴム粒子の添加量を
制御することにより支持体７の弾性率を２．８ＧＰａ以
下とすることができる。またエポキシ樹脂へのゴム粒子
の添加量が５０重量％を超えると、支持体７の保形性が
大きく低下し、この支持体７上に水晶振動子５を、固定
材８を介して強固に接着固定することが困難となる傾向
にある。従って、エポキシ樹脂中にゴム粒子を添加する
場合、その添加量は、支持体７の弾性率を２．８ＧＰａ
以下とする範囲で、５０重量％以下としておくことが好
ましい。

【００３４】前記固定材８は、その弾性率が１ＧＰａ未
満になると、変形し易くなりすぎるため水晶振動子５を
基体１上に支持固定しておくことが困難となる傾向があ
る。従って、前記支持体７はその弾性率を、２．８ＧＰ
ａ以下の範囲で、１ＧＰａ以上としておくことが好まし
い。

【００３５】また、前記弾性率が２．８ＧＰａ以下の支
持体７は、上述のエポキシ樹脂組成物に限らず、シリコ
ーン樹脂等の低弾性率の熱硬化性樹脂にシリカ等のフィ
ラー成分を添加した樹脂組成物に導電性粉末を添加する
ことにより形成してもよい。

【００３６】前記水晶振動子５が搭載されている基体１
は、その上面に蓋体３が取着され、これによって基体１
と蓋体３とから成る容器４内部に水晶振動子５が気密に
収容され、水晶デバイス６となる。

【００３７】前記蓋体３は、鉄−ニッケル−コバルト合
金、鉄−ニッケル合金等の金属材料や、酸化アルミニウ
ム質焼結体等のセラミック材料により形成され、例え
ば、鉄−ニッケル−コバルト合金のインゴット（塊）に
圧延加工、打ち抜き加工等の周知の金属加工を施すこと
によって形成される。

【００３８】更に前記蓋体３の基体１への取着は、ロウ
材、ガラス、有機樹脂接着剤等の接合材を介して行う方
法や、シーム溶接等の溶接法により行うことができ、例
えば、蓋体３をシーム溶接にて取着する場合は通常、基
体１の凹部１ａ周囲に枠状のロウ付け用メタライズ層９
を配線層２と同様の方法で被着させておくとともに、該
ロウ付け用メタライズ層９に金属枠体１０を銀ロウ等の
ロウ材を介してロウ付けし、しかる後、前記金属枠体１
０に金属製の蓋体３を載置させるとともに蓋体３の外縁
部をシーム溶接することによって行われる。この場合、
金属枠体１０は、その上面と側面との間の角部に曲率半
径が５〜３０μｍの丸みを形成しておくと金属枠体１０
の上面側にバリが形成されることがなく、この金属枠体
１０の上面に蓋体３をシーム溶接する際に両者を信頼性
高く気密に、かつ強固に接合させることができる。従っ
て、前記金属枠体１０はその上面と側面との間の角部を
曲率半径が５〜３０μｍの丸みをもたせるようにしてお
くことが好ましい。

【００３９】また更に、前記金属枠体１０は、その下面
と側面との間の角部に曲率半径が４０〜８０μｍの丸み
を形成しておくと、該金属枠体１０をロウ付け用メタラ
イズ層９にロウ材を介して接合する際、ロウ付け用メタ
ライズ層９と金属枠体１０の下面側角部との間に空間が
形成されるとともに該空間にロウ材の大きな溜まりが形
成されて金属枠体１０のロウ付け用メタライズ層９への
接合が強固となる。従って、前記金属枠体１０をロウ付
け用メタライズ層９にロウ材を介して強固に接合させる
には金属枠体１０の下面と側面との間の角部に曲率半径
が４０〜８０μｍの丸みを形成しておくことが好まし
い。

【００４０】かくして上述の水晶デバイス６によれば、
配線層２を外部電気回路に接続し、水晶振動子５の電極
に所定の電圧を印加させることによって水晶振動子５は
所定の振動数で振動し、コンピュータ等の情報処理装置
や携帯電話等の電子装置において時間および周波数の基
準源として使用される。

【００４１】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば、図２に示すように、
支持体７上に突起１１を設けて固定材８をより一層強固
に接着させるようにしてもよい。

【００４２】また上述の水晶デバイス６では基体１に凹
部１ａを設け、該凹部１ａ内に水晶振動子５を収容する
ようになしたが、これを図３に示す如く、平坦な基体１
上に水晶振動子５を搭載固定し、該固定された水晶振動
子５を椀状の蓋体３で気密に封止するようになした水晶
デバイス６にも適用し得る。

【００４３】

【発明の効果】本発明の水晶デバイスによれば、基体
を、Ｓｉ成分がＳｉＯ₂に換算して２５〜８０重量％、
Ｂａ成分がＢａＯに換算して１５〜７０重量％、Ｂ成分
がＢ₂Ｏ₃に換算して１．５〜５重量％、Ａｌ成分がＡｌ
₂Ｏ₃に換算して１〜３０重量％、Ｃａ成分がＣａＯに換
算して０重量％を超え３０重量％以下含まれる焼結体で
形成し、該焼結体の焼成温度が８００〜１０００℃と低
いことから、基体と同時焼成により形成される配線層を
比電気抵抗が２．５μΩ・ｃｍ（２０℃）以下と低い銅
や銀、金で形成することができ、その結果、配線層に水
晶振動子の基準信号を伝搬させた場合、基準信号に大き
な減衰を生じることはなく、基準信号を外部電気回路に
正確、かつ確実に伝搬させることが可能となる。

【００４４】また本発明の水晶デバイスによれば、基体
の搭載部に、例えば、ゴム粒子を添加したエポキシ樹脂
等から成る弾性率が２．８ＧＰａ以下の支持体を被着さ
せるとともに、該支持体に水晶振動子を固定材で接着固
定するようにしたことから外部環境の変化に伴い基体と
水晶振動子に熱が繰り返し作用し、基体と水晶振動子と
の間に両者の熱膨張係数差に起因する熱応力が繰り返し
発生したとしても、その熱応力は支持体を適度に変形さ
せることによって吸収され、水晶振動子の基体に対する
固定が破れることはなく、その結果、基体に水晶振動子
を長期間にわたり確実、強固に固定することが可能とな
り、水晶デバイスの長期信頼性を高いものとなすことが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の水晶デバイスの一実施例を示す断面図
である。

【図２】本発明の水晶デバイスの他の実施例を示す要部
断面図である。

【図３】本発明の水晶デバイスの他の実施例を示す断面
図である。

【符号の説明】

１・・・・・基体 １ａ・・・・凹部 ２・・・・・配線層 ３・・・・・蓋体 ４・・・・・容器 ５・・・・・水晶振動子 ６・・・・・水晶デバイス ７・・・・・支持体 ８・・・・・固定材 ９・・・・・ロウ付け用メタライズ層 １０・・・・金属枠体 １１・・・・突起

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】水晶振動子が搭載される搭載部を有し、該
   搭載部から外表面にかけて導出される配線層を有する基
   体と、前記基体の搭載部に搭載され、電極が前記配線層
   に電気的に接続されている水晶振動子と、前記基体に取
   着され、前記水晶振動子を気密に収容する蓋体とから成
   る水晶デバイスであって、 前記基体はＳｉ成分がＳｉＯ₂に換算して２５〜８０重
   量％、Ｂａ成分がＢａＯに換算して１５〜７０重量％、
   Ｂ成分がＢ₂Ｏ₃に換算して１．５〜５重量％、Ａｌ成分
   がＡｌ₂Ｏ₃に換算して１〜３０重量％、Ｃａ成分がＣａ
   Ｏに換算して０重量％を超え３０重量％以下含まれる焼
   結体で、配線層が２．５μΩ・ｃｍ以下の比電気抵抗を
   有する金属材で形成されており、かつ前記水晶振動子は
   弾性率が２．８ＧＰａ以下の支持体を介して基体の搭載
   部に搭載されていることを特徴とする水晶デバイス。
2. 【請求項２】前記支持体がゴム粒子を添加したエポキシ
   樹脂から成ることを特徴とする請求項１記載の水晶デバ
   イス。