JP2003100601A - Substrate treatment device - Google Patents

Substrate treatment device

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JP2003100601A
JP2003100601A JP2001291405A JP2001291405A JP2003100601A JP 2003100601 A JP2003100601 A JP 2003100601A JP 2001291405 A JP2001291405 A JP 2001291405A JP 2001291405 A JP2001291405 A JP 2001291405A JP 2003100601 A JP2003100601 A JP 2003100601A
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Masahiko Harumoto
将彦 春本
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修 玉田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treatment device that performs slit scan development for the substrate and then sufficiently cleans the substrate after a developing stopper is supplied. SOLUTION: A developing solution supply nozzle 21 supplies a developing solution to a main surface of a substrate W while traveling from one end to the other end of the substrate W. After a specified time period, a developing stopper supply nozzle 31 having a slit-shape outlet travels above the main surface in the same direction and at the same rate as the nozzle 21, and supplies a rinsing liquid as the stopper. After this process, a cleaning liquid supply nozzle 41 travels above the main surface, and supplies a rinsing liquid which is the cleaning liquid to the main surface of the substrate W.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示パネル用ガラス基板、プラズマ表示パネル用ガラ
ス基板等の基板に現像処理を行うための基板処理装置に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for developing a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display panel, a glass substrate for a plasma display panel, or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種の基板処理装置として、特
開平10−20508号公報に開示のものがある。
2. Description of the Related Art Conventionally, as this type of substrate processing apparatus, there is one disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-20508.

【0003】同公報に開示の基板処理装置では、現像液
供給ノズルを基板の一端側から他端側に移動させて、該
基板の上面全体に現像液を供給し、その後所定時間経過
後に、リンス液供給ノズルを前記現像液供給ノズルの移
動速度と同速度で基板の一端側から他端側に移動させ
て、基板の上面全体にリンス液を供給して、基板上面に
おける現像を停止させるようにしている。
In the substrate processing apparatus disclosed in the above publication, the developing solution supply nozzle is moved from one end side to the other end side of the substrate to supply the developing solution to the entire upper surface of the substrate, and after a predetermined time elapses, rinse is performed. The liquid supply nozzle is moved from one end side to the other end side of the substrate at the same speed as the moving speed of the developing solution supply nozzle to supply the rinse liquid to the entire upper surface of the substrate and stop the development on the upper surface of the substrate. ing.

【0004】この基板処理装置によると、基板の上面全
体において現像時間をほぼ同じとすることができるた
め、現像むらを防止でき、また、現像後におけるレジス
トパターンの線幅均一性を向上させることができる。
According to this substrate processing apparatus, since the developing time can be made substantially the same on the entire upper surface of the substrate, uneven development can be prevented and the line width uniformity of the resist pattern after development can be improved. it can.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記基
板処理装置では、基板の上面全体において現像時間がほ
ぼ同じとなるように、リンス液供給ノズルの移動途中で
随時移動位置に対応する基板部分にのみリンス液が供給
されるような供給量で、リンスの供給を行っている。
However, in the above-mentioned substrate processing apparatus, only the substrate portion corresponding to the moving position at any time is moved during the movement of the rinse liquid supply nozzle so that the developing time is almost the same on the entire upper surface of the substrate. The rinse is supplied at a supply amount such that the rinse liquid is supplied.

【0006】このため、基板に対する洗浄効果が不十分
で、基板には、現像処理による溶解生成物等のパーティ
クルが停留したままの状態となっており、製品歩留りの
低下等を招いてしまう。
For this reason, the cleaning effect on the substrate is insufficient, and particles such as dissolved products due to the development process remain retained on the substrate, leading to a reduction in product yield.

【0007】そこで、この発明の課題は、現像停止液供
給後の基板を、十分に洗浄することができる基板処理装
置を提供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of sufficiently cleaning the substrate after the supply of the development stop solution.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく、
請求項1記載の基板処理装置は、基板を保持する基板保
持手段と、前記基板保持手段に保持された基板主面の一
端側から他端側にかけて現像液を供給する現像液供給手
段と、前記基板の主面に現像液が供給された後、その基
板主面の一端側から他端側にかけて現像停止液を供給す
る現像停止液供給手段と、前記基板の主面に洗浄液を供
給する洗浄液供給手段と、前記基板に現像停止液が供給
された後、前記洗浄液供給手段から前記基板の主面に洗
浄液を供給させる制御手段と、を備えたものである。
[Means for Solving the Problems] In order to solve the above problems,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate holding means holds the substrate, the developing solution supply means for supplying the developing solution from one end side to the other end side of the main surface of the substrate held by the substrate holding means, After the developing solution is supplied to the main surface of the substrate, a developing stop solution supplying means for supplying the developing stop solution from one end side to the other end side of the main surface of the substrate, and a cleaning solution supply for supplying the cleaning solution to the main surface of the substrate Means and a control means for supplying the cleaning liquid from the cleaning liquid supply means to the main surface of the substrate after the development stopping liquid is supplied to the substrate.

【0009】なお、請求項2記載のように、前記洗浄液
供給手段は、基板径寸法と実質的に同寸法又はそれ以上
の幅寸法の吐出口を有する洗浄液供給ノズルと、前記洗
浄液供給ノズルを、前記基板保持手段により基板が保持
される位置の一端側から他端側に向けて移動させる洗浄
液供給ノズル移動手段と、を有し、前記制御手段が、前
記基板に現像停止液が供給された後、前記洗浄液供給ノ
ズルを前記基板が保持される位置の一端側から他端側に
向けて又はその逆に向けて移動させつつ、その洗浄液供
給ノズルから洗浄液を供給させるようにしてもよい。
According to a second aspect of the present invention, the cleaning liquid supply means includes a cleaning liquid supply nozzle having a discharge port having a width dimension substantially equal to or larger than a substrate diameter dimension, and the cleaning liquid supply nozzle. Cleaning liquid supply nozzle moving means for moving the substrate from the one end side to the other end side of the position where the substrate is held by the substrate holding means, after the control means supplies the development stop solution to the substrate. The cleaning liquid supply nozzle may supply the cleaning liquid while moving the cleaning liquid supply nozzle from one end side of the position where the substrate is held to the other end side or vice versa.

【0010】また、請求項3記載のように、前記現像停
止液供給手段と前記洗浄液供給手段とは、基板径寸法と
実質的に同寸法又はそれ以上の幅寸法の吐出口を有する
リンス液供給ノズルと、前記リンス液供給ノズルを、前
記基板保持手段により基板が保持される位置の一端側か
ら他端側に向けて及びその逆方向に向けて移動させるリ
ンス液供給ノズル移動手段とを共有する構成とされ、前
記制御手段は、前記基板に現像液が供給された後、前記
リンス液供給ノズルを前記基板保持手段に保持された基
板主面の一端側から他端側に向けて移動させつつ、その
リンス液供給ノズルから現像停止液としてリンス液を供
給させ、この後、前記リンス液供給ノズルを前記基板保
持手段により基板が保持される位置の一端側から他端側
に向けて又はその逆に向けて移動させつつ、そのリンス
液供給ノズルから洗浄液としてリンス液を供給させるも
のであってもよい。
Further, as described in claim 3, the developing solution supply means and the cleaning solution supply means have a rinse liquid supply having a discharge port having a width dimension substantially equal to or larger than a substrate diameter dimension. The nozzle and the rinse liquid supply nozzle moving means for moving the rinse liquid supply nozzle from one end side of the position where the substrate is held by the substrate holding means to the other end side and in the opposite direction are shared. After the developing solution is supplied to the substrate, the control means moves the rinse solution supply nozzle from one end side to the other end side of the substrate main surface held by the substrate holding means. , A rinse liquid is supplied from the rinse liquid supply nozzle as a development stop liquid, and then the rinse liquid supply nozzle is directed from one end side of the position where the substrate is held by the substrate holding means to the other end side, or While moving toward the the rinse liquid may be one which is supplied as the cleaning liquid from the rinsing liquid supply nozzle.

【0011】この場合において、請求項4記載のよう
に、前記現像液供給手段は、基板径寸法と実質的に同寸
法又はそれ以上の幅寸法の吐出口を有する現像液供給ノ
ズルを有し、前記リンス液供給ノズル移動手段は、前記
リンス液供給ノズルと共に前記現像液供給ノズルを移動
させるノズル移動手段として機能するものであってもよ
く、また、請求項5記載のように、前記現像液供給手段
は、前記リンス液供給ノズルとは別体に形成され、前記
リンス液基板径寸法と実質的に同寸法又はそれ以上の幅
寸法の吐出口を有する現像液供給ノズルと、前記現像液
供給ノズルを、前記基板保持手段に保持された基板主面
の一端側から他端側に向けて移動させる現像液供給ノズ
ル移動手段と、を有するものであってもよい。
In this case, as described in claim 4, the developing solution supply means has a developing solution supply nozzle having a discharge port having a width dimension substantially equal to or larger than the substrate diameter dimension, The rinsing liquid supply nozzle moving means may function as a nozzle moving means for moving the developing solution supply nozzle together with the rinsing liquid supply nozzle, and the developing solution supply means may be provided as described in claim 5. The means is formed separately from the rinse solution supply nozzle, and has a developing solution supply nozzle having a discharge port having a width dimension substantially equal to or larger than the diameter dimension of the rinse solution substrate; and the developing solution supply nozzle. With a developing solution supply nozzle moving means for moving from one end side to the other end side of the main surface of the substrate held by the substrate holding means.

【0012】また、請求項6記載のように、前記基板保
持手段に保持された基板を回転させる回転手段をさらに
備え、前記制御手段は、前記基板への洗浄液供給中に、
前記基板を回転させるようにしてもよい。
Further, according to a sixth aspect of the present invention, it further comprises a rotating means for rotating the substrate held by the substrate holding means, wherein the control means supplies the cleaning liquid to the substrate.
The substrate may be rotated.

【0013】さらに、請求項7記載のように、前記基板
への洗浄液の供給量を、前記基板への現像停止液の供給
量よりも多くするようにしてもよい。
Further, as described in claim 7, the supply amount of the cleaning liquid to the substrate may be made larger than the supply amount of the development stopping liquid to the substrate.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below.

【0015】本発明の概略的構成について説明しておく
と、この基板処理装置は、基板の主面にその一端側から
他端側にかけて現像液を供給した後、基板の主面全体に
おいて現像時間がほぼ同じとなるように、該基板主面の
一端側から他端側にかけて現像停止液を供給し、さらに
その後に、基板に洗浄液を供給するものである。
The schematic structure of the present invention will be described. In this substrate processing apparatus, a developing solution is supplied to the main surface of a substrate from one end side to the other end side thereof, and then a developing time is applied to the entire main surface of the substrate. The developing stop solution is supplied from one end side to the other end side of the main surface of the substrate, and then the cleaning solution is supplied to the substrate so that the same becomes as the above.

【0016】{第1の実施の形態}この第1の実施の形
態では、現像液を供給する手段と、現像停止液を供給す
る手段と、洗浄液を供給する手段とを、それぞれ別構成
とした基板処理装置について説明する。
{First Embodiment} In the first embodiment, the means for supplying a developing solution, the means for supplying a development stop solution, and the means for supplying a cleaning solution are separately configured. The substrate processing apparatus will be described.

【0017】図1はこの発明の第1の実施の形態に係る
基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図2は図
1のII−II線断面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a schematic structure of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II of FIG.

【0018】この基板処理装置は、露光後の基板Wに対
して現像液を供給して現像処理を行う装置であり、基板
Wを保持する基板保持部10と、基板Wの主面に現像液
を供給する現像液供給手段20と、基板Wの主面に現像
停止液を供給する現像停止液供給手段30と、基板Wの
主面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段40と、本装置
全体の動作制御を行う制御部50とを備えている。
This substrate processing apparatus is an apparatus for supplying a developing solution to the exposed substrate W to perform a developing process, and includes a substrate holding section 10 for holding the substrate W and a developing solution on the main surface of the substrate W. For supplying the developing solution to the main surface of the substrate W, the cleaning solution supplying means 40 for supplying the cleaning solution to the main surface of the substrate W, and the entire apparatus. And a control unit 50 for controlling operation.

【0019】基板保持部10は、基板Wを略水平姿勢で
保持する。具体的には、基板保持部10は、装置本体5
の略中央部に略鉛直姿勢で配設された回転軸11と、そ
の回転軸の上端部に固設された回転台12とを備えてい
る。回転台12は、基板Wを略水平姿勢で吸着保持可能
に構成されている。また、回転軸11の下端部は、回転
手段であるスピンモータ13に連結されており、スピン
モータ13の回転が回転軸11を介して回転台12に伝
達される。これにより、基板Wが鉛直軸を回転軸として
水平面内で回転可能とされる。なお、回転台12は基板
Wを吸着保持する構成に限定されるものではなく、基板
Wの周縁部を把持する構成であってもよい。
The substrate holding section 10 holds the substrate W in a substantially horizontal posture. Specifically, the substrate holding unit 10 includes the device main body 5
Is provided with a rotary shaft 11 disposed in a substantially vertical position in a substantially central portion thereof, and a rotary base 12 fixed to an upper end portion of the rotary shaft. The turntable 12 is configured to adsorb and hold the substrate W in a substantially horizontal posture. The lower end of the rotary shaft 11 is connected to a spin motor 13 that is a rotating unit, and the rotation of the spin motor 13 is transmitted to the rotary base 12 via the rotary shaft 11. As a result, the substrate W can be rotated in the horizontal plane with the vertical axis as the rotation axis. The rotary table 12 is not limited to the structure for sucking and holding the substrate W, and may have a structure for gripping the peripheral portion of the substrate W.

【0020】なお、基板保持部10周りには、基板Wを
囲むようにして円形状の内カップ6が設けられると共
に、その内カップ6の外周周りに略方形状の外カップ7
が設けられている。また、外カップ7の両側に待機ポッ
ト8が設けられている。
A circular inner cup 6 is provided around the substrate holding portion 10 so as to surround the substrate W, and a substantially square outer cup 7 is provided around the outer circumference of the inner cup 6.
Is provided. A standby pot 8 is provided on both sides of the outer cup 7.

【0021】現像液供給手段20は、基板Wの主面の一
端側から他端側にかけて現像液を供給する。具体的に
は、現像液供給手段20は、現像液供給ノズル21と、
現像液供給ノズル移動機構22と、現像液供給系機構2
6とを備えている。
The developing solution supply means 20 supplies the developing solution from one end side to the other end side of the main surface of the substrate W. Specifically, the developing solution supply unit 20 includes a developing solution supply nozzle 21 and
Developer supply nozzle moving mechanism 22 and developer supply system mechanism 2
6 and.

【0022】現像液供給系機構26は、現像液供給源及
び開閉バルブ(共に図示省略)を備えており、開閉バル
ブの開閉タイミングに応じて前記現像液供給源からの現
像液が後述する所定のタイミングで現像液供給ノズル2
1に供給されるように構成されている。
The developing solution supply system mechanism 26 is provided with a developing solution supply source and an opening / closing valve (both not shown), and the developing solution from the developing solution supply source has a predetermined value which will be described later according to the opening / closing timing of the opening / closing valve. Developer supply nozzle 2 at the timing
1 is configured to be supplied.

【0023】現像液供給ノズル21は、基板Wの直径寸
法と実質的に同じ幅寸法を有するスリット状の吐出口2
1aを有している(図2参照)。そして、現像液供給系
機構26より供給される現像液が当該吐出口21aの全
幅から吐出されるように構成されている。なお、吐出口
の幅寸法は、基板Wの幅寸法よりも大きくてもよい。
The developing solution supply nozzle 21 has a slit-shaped discharge port 2 having a width dimension substantially the same as the diameter dimension of the substrate W.
1a (see FIG. 2). The developing solution supplied from the developing solution supply system mechanism 26 is discharged from the entire width of the discharge port 21a. The width dimension of the ejection port may be larger than the width dimension of the substrate W.

【0024】現像液供給ノズル移動機構22は、ガイド
レール23と、水平駆動部24と、支持アーム部25と
を備えている。ガイドレール23は、装置本体5の上面
側であって基板保持部10の側方に水平方向に沿って敷
設されている。水平駆動部24は、該ガイドレール23
に沿って所定の走査方向A及びその逆方向に水平移動可
能に構成されている。支持アーム部25は、基板保持部
10側に延びるようにして水平駆動部24に片持ち状に
支持されており、その遊端側に現像液供給ノズル21が
前記走査方向Aに対して直交する方向に沿って略水平姿
勢で支持されている。
The developing solution supply nozzle moving mechanism 22 includes a guide rail 23, a horizontal drive section 24, and a support arm section 25. The guide rail 23 is laid on the upper surface side of the apparatus main body 5 and laterally of the substrate holding unit 10 along the horizontal direction. The horizontal drive unit 24 is provided with the guide rail 23.
It is configured to be horizontally movable along a predetermined scanning direction A and the opposite direction. The support arm portion 25 is cantilevered by the horizontal drive portion 24 so as to extend toward the substrate holding portion 10, and the developer supply nozzle 21 is orthogonal to the scanning direction A on the free end side thereof. It is supported in a substantially horizontal posture along the direction.

【0025】そして、水平駆動部24の駆動により、現
像液供給ノズル21が、基板Wの主面の上方を、その一
端側から他端側に向けて移動可能とされる。現像液供給
ノズル21が基板Wの上方を移動する際、現像液供給ノ
ズル21から現像液を吐出させることで、基板Wの主面
全体に現像液が供給されることとなる。
By driving the horizontal drive unit 24, the developer supply nozzle 21 can be moved above the main surface of the substrate W from one end side to the other end side. When the developing solution supply nozzle 21 moves above the substrate W, by ejecting the developing solution from the developing solution supply nozzle 21, the developing solution is supplied to the entire main surface of the substrate W.

【0026】現像停止液供給手段30は、基板Wの主面
の一端側から他端側にかけて現像停止液を供給する。
The development stop solution supply means 30 supplies the development stop solution from one end side to the other end side of the main surface of the substrate W.

【0027】具体的には、現像停止液供給手段30は、
現像停止液供給ノズル31と、現像停止液供給ノズル移
動機構32と、現像停止液供給系機構36とを備えてお
り、上記現像液供給手段20と同様の構成及び動作によ
り現像停止液を供給する。
Specifically, the development stop solution supply means 30 is
The development stop solution supply nozzle 31, the development stop solution supply nozzle moving mechanism 32, and the development stop solution supply system mechanism 36 are provided, and the development stop solution is supplied by the same configuration and operation as the developer supply means 20. .

【0028】現像停止液供給系機構36は、現像液供給
系機構26と同様に構成により、後述する所定タイミン
グで現像停止液を供給する。この現像停止液供給系機構
36からは、基板Wにおいて現像液による現像を停止す
る液体が供給される。通常は、基板Wにおける現像液を
希釈してその現像反応を停止させることができる程度の
量だけのリンス液(純水)を供給することにより現像を
停止させる。
The development stop solution supply system mechanism 36 has the same structure as the development solution supply system mechanism 26 and supplies the development stop solution at a predetermined timing described later. From the development stop liquid supply system mechanism 36, a liquid that stops the development of the developer on the substrate W is supplied. Normally, the developing solution is stopped by diluting the developing solution on the substrate W and supplying an amount of rinsing solution (pure water) in such an amount that the developing reaction can be stopped.

【0029】現像停止液供給ノズル31は、基板Wの直
径寸法と実質的に同じ幅寸法を有するスリット状の吐出
口31aを有している。なお、この吐出口31aの幅寸
法は、基板Wの直径寸法より大きくてもよい。
The development stop solution supply nozzle 31 has a slit-shaped discharge port 31a having a width dimension substantially the same as the diameter dimension of the substrate W. The width dimension of the ejection port 31a may be larger than the diameter dimension of the substrate W.

【0030】現像停止液供給ノズル移動機構32は、上
記現像液供給ノズル移動機構22と同様構成を有してお
り、即ち、上記水平駆動部24に対応する水平駆動部3
4と、上記支持アーム部25に対応する支持アーム部3
5とを備えている。
The development stop solution supply nozzle moving mechanism 32 has the same structure as the developer supply nozzle moving mechanism 22, that is, the horizontal drive section 3 corresponding to the horizontal drive section 24.
4 and a supporting arm portion 3 corresponding to the supporting arm portion 25.
5 and.

【0031】そして、水平駆動部34の駆動により、現
像停止液供給ノズル31が基板Wの上方を移動する際、
現像停止液供給ノズル31から現像停止液を吐出させる
ことで、基板Wの主面全体に現像液が供給されることと
なる。
When the developing stop solution supply nozzle 31 moves above the substrate W by the driving of the horizontal drive section 34,
By discharging the development stop solution from the development stop solution supply nozzle 31, the development solution is supplied to the entire main surface of the substrate W.

【0032】洗浄液供給手段40は、基板Wの主面に洗
浄液を供給する。
The cleaning liquid supply means 40 supplies the cleaning liquid to the main surface of the substrate W.

【0033】具体的には、洗浄液供給手段40は、洗浄
液供給ノズル41と、洗浄液供給ノズル移動機構42
と、洗浄液供給系機構46とを備えており、上記現像液
供給手段20と同様の構成及び動作により洗浄液を供給
する。
Specifically, the cleaning liquid supply means 40 includes a cleaning liquid supply nozzle 41 and a cleaning liquid supply nozzle moving mechanism 42.
And the cleaning liquid supply system mechanism 46, and supplies the cleaning liquid with the same configuration and operation as the developing liquid supply means 20.

【0034】洗浄液供給系機構46は、現像液供給系機
構26と同様に構成により、後述する所定タイミングで
洗浄液を供給する。この洗浄液供給系機構46からは、
基板Wにおけるパーティクル等を洗い流して十分に洗浄
できる液体が供給される。通常は、リンス液(純水)供
給することにより洗浄を行う。この供給量は、洗浄効果
を高めるため、上記現像停止用に供給した量よりも多量
に供給することが好ましい。
The cleaning liquid supply system mechanism 46 has the same structure as the developing solution supply system mechanism 26 and supplies the cleaning liquid at a predetermined timing described later. From the cleaning liquid supply system mechanism 46,
A liquid that can sufficiently wash away particles and the like on the substrate W is supplied. Normally, cleaning is performed by supplying a rinse liquid (pure water). In order to enhance the cleaning effect, this supply amount is preferably larger than the supply amount for stopping the development.

【0035】洗浄液供給ノズル41は、基板Wの直径寸
法と実質的に同じ幅寸法を有するスリット状の吐出口4
1aを有している。なお、この吐出口41aの幅寸法
は、基板Wの直径寸法より大きくてもよい。
The cleaning liquid supply nozzle 41 has a slit-shaped discharge port 4 having a width dimension substantially the same as the diameter dimension of the substrate W.
1a. The width dimension of the ejection port 41a may be larger than the diameter dimension of the substrate W.

【0036】洗浄液供給ノズル移動機構42は、上記現
像液供給ノズル移動機構22と同様構成を有しており、
即ち、上記水平駆動部24に対応する水平駆動部44
と、上記支持アーム部25に対応する支持アーム部45
とを備えている。
The cleaning liquid supply nozzle moving mechanism 42 has the same structure as the developing liquid supply nozzle moving mechanism 22.
That is, the horizontal drive unit 44 corresponding to the horizontal drive unit 24.
And a supporting arm portion 45 corresponding to the supporting arm portion 25.
It has and.

【0037】そして、水平駆動部44の駆動により、洗
浄液供給ノズル41が基板Wの上方を移動する際、洗浄
液供給ノズル41から洗浄液を吐出させることで、基板
Wの主面全体に洗浄液が供給されることとなる。
When the cleaning liquid supply nozzle 41 moves above the substrate W by driving the horizontal drive unit 44, the cleaning liquid is ejected from the cleaning liquid supply nozzle 41 to supply the cleaning liquid to the entire main surface of the substrate W. The Rukoto.

【0038】なお、本基板処理装置の初期待機状態で
は、所定の走査方向Aに、現像液供給ノズル21、現像
停止液供給ノズル31及び洗浄液供給ノズル41の順で
それらが配設されている。そして、現像液供給ノズル2
1、現像停止液供給ノズル31及び洗浄液供給ノズル4
1がその順で、基板Wの上方を通過可能なように構成さ
れている。
In the initial standby state of the substrate processing apparatus, the developer supply nozzle 21, the development stop solution supply nozzle 31, and the cleaning solution supply nozzle 41 are arranged in this order in the predetermined scanning direction A. Then, the developing solution supply nozzle 2
1. Development stop solution supply nozzle 31 and cleaning solution supply nozzle 4
1 is configured to be able to pass above the substrate W in that order.

【0039】また、本実施の形態では、現像液供給ノズ
ル移動機構22,現像停止液供給ノズル移動機構32,
洗浄液供給ノズル移動機構42が共通のガイドレール2
3上を移動する構成とされているが、これらは全く別々
のガイド部材に沿って移動するものであってもよく、ま
た、その移動機構も上記したものに限られない。
Further, in the present embodiment, the developing solution supply nozzle moving mechanism 22, the developing stop solution supply nozzle moving mechanism 32,
Guide rail 2 with common cleaning liquid supply nozzle moving mechanism 42
Although it is configured to move on the guide member 3, they may move along completely different guide members, and the moving mechanism thereof is not limited to that described above.

【0040】制御部50は、本装置全体の制御を行うも
のであり、CPU、ROMおよびRAM等を備え、予め
格納されたソフトウェアプログラムによって所定の演算
動作を行う一般的なマイクロコンピュータにより構成さ
れている。
The control unit 50 controls the entire apparatus, is provided with a CPU, a ROM, a RAM and the like, and is constituted by a general microcomputer which performs a predetermined arithmetic operation by a software program stored in advance. There is.

【0041】この制御部50は、次に説明する一連の動
作の制御を行うものであり、少なくとも、基板Wに現像
停止液が供給された後、洗浄液供給手段40から基板W
の主面に洗浄液を供給させる動作制御を行う。
The control unit 50 controls a series of operations described below. At least after the development stop solution is supplied to the substrate W, the cleaning solution supply means 40 supplies the substrate W to the substrate W.
The operation control for supplying the cleaning liquid to the main surface of is performed.

【0042】次に、この基板処理装置の動作について、
図3を参照して説明する。
Next, regarding the operation of this substrate processing apparatus,
This will be described with reference to FIG.

【0043】初期待機状態では、図3(a)に示すよう
に、基板Wが基板保持部10に静止状態で水平姿勢に支
持されている。また、現像液供給ノズル21,現像停止
液供給ノズル31及び洗浄液供給ノズル41は、基板W
の一端側(走査方向Aの上流側)に位置している。
In the initial standby state, as shown in FIG. 3A, the substrate W is supported by the substrate holding unit 10 in a stationary state in a horizontal posture. In addition, the developing solution supply nozzle 21, the development stop solution supply nozzle 31, and the cleaning solution supply nozzle 41 are arranged on the substrate W.
Is located at one end side (upstream side in the scanning direction A) of the.

【0044】処理開始後、はじめに、図3(b)に示す
ように、現像液供給ノズル21が基板Wの主面上方を、
走査方向Aに、即ち基板Wの一端側から他端側に向けて
移動する。現像液供給ノズル21が基板Wの主面上方を
移動する際、該現像液供給ノズル21から現像液が吐出
され、現像液が基板Wの主面全体に供給される。これに
より、基板Wの主面において現像がなされる。
After the processing is started, first, as shown in FIG. 3B, the developing solution supply nozzle 21 moves above the main surface of the substrate W.
It moves in the scanning direction A, that is, from one end side of the substrate W toward the other end side. When the developing solution supply nozzle 21 moves above the main surface of the substrate W, the developing solution is discharged from the developing solution supply nozzle 21 and the developing solution is supplied to the entire main surface of the substrate W. As a result, development is performed on the main surface of the substrate W.

【0045】現像液供給ノズル21が基板Wの主面上方
を通過した後、基板Wにおける現像反応に必要な所定時
間が経過するタイミングに合わせて、図3(c)に示す
ように、現像停止液供給ノズル31が基板Wの主面上方
を、走査方向Aに、即ち基板Wの一端側から他端側に向
けて移動する。なお、現像停止液供給ノズル31の移動
速度は、現像液供給ノズル21の移動速度と実質的に同
じとされる。そして、現像停止液供給ノズル31が基板
Wの主面上方を通過する際、該現像停止液供給ノズル3
1から現像停止液が吐出され、現像停止液が基板Wの主
面全体に供給され、基板Wにおける現像が停止する。
After the developer supply nozzle 21 has passed above the main surface of the substrate W, the development is stopped as shown in FIG. 3C at the timing when a predetermined time required for the development reaction on the substrate W elapses. The liquid supply nozzle 31 moves above the main surface of the substrate W in the scanning direction A, that is, from one end side to the other end side of the substrate W. The moving speed of the development stop solution supply nozzle 31 is substantially the same as the moving speed of the developer supply nozzle 21. Then, when the development stop solution supply nozzle 31 passes above the main surface of the substrate W, the development stop solution supply nozzle 3
The development stop solution is discharged from No. 1, the development stop solution is supplied to the entire main surface of the substrate W, and the development on the substrate W is stopped.

【0046】これにより、基板Wの主面において、現像
液が供給された態様(供給方向や供給速度)と同態様で
現像停止液が供給され、基板Wの主面全体において現像
時間をほぼ同じとすることができる。
As a result, the development stop solution is supplied to the main surface of the substrate W in the same manner as the supply of the developer (supply direction and supply speed), and the development time is substantially the same on the entire main surface of the substrate W. Can be

【0047】現像停止液供給ノズル31が基板Wの主面
上方を通過した後、図3(d)に示すように、洗浄液供
給ノズル41が基板Wの主面上方を走査方向Aに、即
ち、基板Wが保持される位置の一端側から他端側に向け
て移動する。現像停止液供給ノズル31が基板Wの主面
上方を通過する際、該現像停止液供給ノズル31から現
像停止液が吐出されると共に、基板Wが回転する。こう
して、回転する基板Wの主面全体に洗浄液が供給され、
パーティクル除去に十分な洗浄がなされる。
After the development stop solution supply nozzle 31 has passed above the main surface of the substrate W, the cleaning solution supply nozzle 41 is above the main surface of the substrate W in the scanning direction A, that is, as shown in FIG. The substrate W moves from one end side to the other end side where the substrate W is held. When the development stop solution supply nozzle 31 passes above the main surface of the substrate W, the development stop solution is ejected from the development stop solution supply nozzle 31 and the substrate W rotates. Thus, the cleaning liquid is supplied to the entire main surface of the rotating substrate W,
Sufficient cleaning is performed to remove particles.

【0048】最後に、図3(e)に示すように、現像液
供給ノズル21,現像停止液供給ノズル31及び洗浄液
供給ノズル41が、基板Wの他端側(走査方向Aの下流
側)に位置して、一連の動作が終了する。
Finally, as shown in FIG. 3E, the developing solution supply nozzle 21, the development stop solution supply nozzle 31, and the cleaning solution supply nozzle 41 are arranged on the other end side of the substrate W (downstream side in the scanning direction A). Then, the series of operations is completed.

【0049】以上のように構成された基板処理装置によ
ると、現像停止液を供給して基板Wにおける現像を停止
させた後、さらにその基板Wに洗浄液が供給されるた
め、現像停止液供給後の基板Wを十分に洗浄することが
できる。
According to the substrate processing apparatus configured as described above, after the development stop solution is supplied to stop the development on the substrate W, the cleaning solution is further supplied to the substrate W. Therefore, after the development stop solution is supplied. The substrate W can be sufficiently cleaned.

【0050】また、基板径寸法と実質的に同寸法の吐出
口41aを有する洗浄液供給ノズル41が、基板Wが保
持された位置の一端側から他端側に向けて移動しつつ、
洗浄液を供給することになるため、洗浄液が基板Wの局
所に集中して供給されることがなく、従って、基板Wの
主面全体に大量の洗浄液を低衝撃(インパクト)で供給
でき、微細パターンの倒壊等を防止できる。
While the cleaning liquid supply nozzle 41 having the discharge port 41a having substantially the same size as the substrate diameter is moved from one end side of the position where the substrate W is held to the other end side,
Since the cleaning liquid is supplied, the cleaning liquid is not concentrated and locally supplied to the substrate W. Therefore, a large amount of the cleaning liquid can be supplied to the entire main surface of the substrate W with a low impact, and a fine pattern can be obtained. Can be prevented from collapsing.

【0051】さらに、基板Wへの洗浄液供給中に、基板
Wが回転しているため、洗浄効果がより向上する。
Furthermore, since the substrate W is rotated during the supply of the cleaning liquid to the substrate W, the cleaning effect is further improved.

【0052】{第2の実施の形態}この第2の実施の形
態では、現像停止液を供給する手段と洗浄液を供給する
手段とが、リンス液供給手段を共有する構成とされ、し
かも、そのリンス液供給手段と現像液供給手段とが別の
機構により移動される構成について説明する。なお、こ
の説明においては、上記第1の実施の形態に係る基板処
理装置における構成要素と同様構成要素については同一
符号を付してその説明を省略し、相違点を中心に説明す
る。
{Second Embodiment} In the second embodiment, the means for supplying the development stop solution and the means for supplying the cleaning liquid share the rinsing liquid supply means. A configuration in which the rinsing liquid supply means and the developing solution supply means are moved by different mechanisms will be described. In this description, the same components as those in the substrate processing apparatus according to the first embodiment described above will be denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. Differences will be mainly described.

【0053】図4はこの発明の第2の実施の形態に係る
基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing a schematic structure of the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention.

【0054】この基板処理装置では、上記第1の実施の
形態に係る基板処理装置における現像停止液供給手段3
0と洗浄液供給手段40に代えて、リンス液供給手段1
60を有している。
In this substrate processing apparatus, the development stop solution supplying means 3 in the substrate processing apparatus according to the first embodiment described above.
0 and the cleaning liquid supply means 40, instead of the rinse liquid supply means 1
Has 60.

【0055】リンス液供給手段160は、リンス液供給
ノズル161と、リンス液供給ノズル移動機構162
と、リンス液供給系機構166とを備えている。
The rinse liquid supply means 160 includes a rinse liquid supply nozzle 161 and a rinse liquid supply nozzle moving mechanism 162.
And a rinse liquid supply system mechanism 166.

【0056】リンス液供給系機構166は、第1の実施
の形態において説明した現像液供給系機構26と同様に
構成により、後述する所定タイミングでリンス液を供給
する。なお、リンス液の供給量も、バルブの開度調整に
より調整される。
The rinse liquid supply system mechanism 166 has the same structure as the developing solution supply system mechanism 26 described in the first embodiment, and supplies the rinse liquid at a predetermined timing described later. The supply amount of the rinse liquid is also adjusted by adjusting the opening of the valve.

【0057】本リンス液供給手段160を現像停止液供
給手段として機能させる際には、通常、基板Wにおける
現像液を希釈してその現像反応を停止させることができ
る程度の量だけのリンス液(純水)を供給する。また、
本リンス液供給手段を洗浄液供給手段として機能させる
際にも、洗浄液としてリンス液(純水)を供給する。洗
浄の際のリンス液供給量は、洗浄効果を高めるため、上
記現像停止用に供給した量よりも多量に供給することが
好ましい。
When the present rinse solution supply means 160 is made to function as the development stop solution supply means, usually, a sufficient amount of rinse solution (is sufficient to stop the development reaction by diluting the developer on the substrate W). Supply pure water). Also,
The rinse liquid (pure water) is also supplied as the cleaning liquid when the rinse liquid supply device functions as the cleaning liquid supply device. In order to enhance the cleaning effect, it is preferable to supply the rinse liquid at the time of cleaning in a larger amount than the amount supplied for stopping the development.

【0058】リンス液供給ノズル161は、基板Wの直
径寸法と実質的に同じ幅寸法を有するスリット状の吐出
口(図示省略)を有している。なお、この吐出口の幅寸
法は、基板Wの直径寸法より大きくてもよい。
The rinse liquid supply nozzle 161 has a slit-shaped discharge port (not shown) having a width dimension substantially the same as the diameter dimension of the substrate W. The width dimension of the ejection port may be larger than the diameter dimension of the substrate W.

【0059】リンス液供給ノズル移動機構162は、第
1の実施の形態において説明した現像液供給ノズル移動
機構22と同様構成を有しており、即ち、上記水平駆動
部24に対応する水平駆動部164と、上記支持アーム
部25に対応する支持アーム部165とを備えている。
The rinsing liquid supply nozzle moving mechanism 162 has the same structure as the developing liquid supply nozzle moving mechanism 22 described in the first embodiment, that is, the horizontal driving unit corresponding to the horizontal driving unit 24. 164 and a supporting arm portion 165 corresponding to the supporting arm portion 25.

【0060】そして、水平駆動部164の駆動により、
リンス液供給ノズル161が基板Wの上方を移動する
際、リンス液供給ノズル161からリンス液が、現像停
止液として又は洗浄液として、基板Wの主面全体に供給
されることとなる。
Then, by driving the horizontal drive unit 164,
When the rinse liquid supply nozzle 161 moves above the substrate W, the rinse liquid supply nozzle 161 supplies the rinse liquid as a development stop liquid or a cleaning liquid to the entire main surface of the substrate W.

【0061】なお、本実施の形態では、現像液供給ノズ
ル移動機構22,リンス液供給ノズル移動機構162が
共通のガイドレール23上を移動する構成とされている
が、これらば全く別々のガイド部材に沿って移動するも
のであってもよく、また、その移動機構も上記したもの
に限られない。
In this embodiment, the developing solution supply nozzle moving mechanism 22 and the rinsing solution supply nozzle moving mechanism 162 are configured to move on the common guide rail 23. However, these are completely different guide members. It may be one that moves along, and its moving mechanism is not limited to that described above.

【0062】また、この基板処理装置においては、制御
部150は、次に説明する一連の動作の制御を行うもの
であり、少なくとも、基板Wに現像液が供給された後、
リンス液供給ノズル161から基板Wに現像停止液とし
てリンス液を供給させる動作と、この後、リンス液供給
ノズル161から基板Wに洗浄液としてリンス液を供給
させる動作の制御を行う。
Further, in this substrate processing apparatus, the control section 150 controls a series of operations described below, and at least after the developing solution is supplied to the substrate W,
The operation of supplying the rinse liquid as the development stop liquid from the rinse liquid supply nozzle 161 to the substrate W and the operation of supplying the rinse liquid as the cleaning liquid from the rinse liquid supply nozzle 161 to the substrate W are controlled thereafter.

【0063】このように構成された基板処理装置の動作
について、図5を参照して説明する。
The operation of the substrate processing apparatus thus configured will be described with reference to FIG.

【0064】まず、初期待機状態では、図5(a)に示
すように、基板Wが基板保持部10に静止状態で水平姿
勢に支持されている。また、現像液供給ノズル21,リ
ンス液供給ノズル161が、基板Wの一端側(走査方向
Aの上流側)に位置している。
First, in the initial standby state, as shown in FIG. 5A, the substrate W is supported by the substrate holder 10 in a horizontal state in a stationary state. Further, the developing solution supply nozzle 21 and the rinse solution supply nozzle 161 are located at one end side of the substrate W (upstream side in the scanning direction A).

【0065】基板処理開始後、はじめに、図5(b)に
示すように、現像液供給ノズル21から基板Wの主面全
体に現像液が供給される。この動作は、図3(b)と同
様である。
After the substrate processing is started, first, as shown in FIG. 5B, the developing solution is supplied from the developing solution supply nozzle 21 to the entire main surface of the substrate W. This operation is similar to that of FIG.

【0066】現像液供給ノズル21が基板Wの主面上方
を通過した後、基板Wにおける現像反応に必要な所定時
間が経過すると、図5(c)に示すように、リンス液供
給ノズル161が基板Wの主面上方を、走査方向Aに、
即ち基板Wの一端側から他端側に向けて移動する。この
際のリンス液供給ノズル161の移動速度は、現像液供
給ノズル21の移動速度と実質的に同じに設定される。
また、リンス液の供給量は、現像を停止させるのに十分
な比較的少ない量だけ供給される。これにより、基板W
の主面全体において現像時間をほぼ同じにして、基板W
における現像を停止させることができる。この後、リン
ス液供給ノズル161は、一旦走査方向Aの下流側に位
置(図5(c)に2点鎖線で示す位置参照)する。
After the developing solution supply nozzle 21 has passed above the main surface of the substrate W and a predetermined time required for the development reaction on the substrate W has elapsed, the rinse solution supply nozzle 161 is turned on as shown in FIG. 5C. Above the main surface of the substrate W in the scanning direction A,
That is, the substrate W moves from one end side to the other end side. At this time, the moving speed of the rinse solution supply nozzle 161 is set to be substantially the same as the moving speed of the developing solution supply nozzle 21.
Further, the supply amount of the rinse liquid is supplied in a relatively small amount enough to stop the development. As a result, the substrate W
The developing time is almost the same on the entire main surface of the substrate W.
Development can be stopped. After that, the rinse liquid supply nozzle 161 is once positioned on the downstream side in the scanning direction A (see the position indicated by the chain double-dashed line in FIG. 5C).

【0067】この後、図5(d)に示すように、リンス
液供給ノズル161が基板Wの主面上方を、走査方向A
の逆方向に、即ち、基板Wが支持される位置の他端側か
ら一端側に向けて移動する。リンス液供給ノズル161
が基板Wの主面上方を通過する際、該リンス液供給ノズ
ル161から洗浄液としてリンス液が吐出されると共
に、基板Wが回転する。こうして、回転する基板Wの主
面全体に洗浄液が供給され、パーティクル除去に十分な
洗浄がなされる。
After that, as shown in FIG. 5D, the rinse liquid supply nozzle 161 moves above the main surface of the substrate W in the scanning direction A.
In the opposite direction, that is, from the other end side of the position where the substrate W is supported to the one end side. Rinsing liquid supply nozzle 161
When passing over the main surface of the substrate W, the rinse liquid is discharged as the cleaning liquid from the rinse liquid supply nozzle 161, and the substrate W rotates. In this way, the cleaning liquid is supplied to the entire main surface of the rotating substrate W, and sufficient cleaning is performed to remove particles.

【0068】最後に、図5(e)に示すように、現像液
供給ノズル21が基板Wの他端側(走査方向Aの下流
側)に位置すると共に、リンス液供給ノズル161が基
板Wの一端側(走査方向Aの上流側)に位置して、一連
の動作が終了する。
Finally, as shown in FIG. 5E, the developing solution supply nozzle 21 is located on the other end side of the substrate W (downstream side in the scanning direction A), and the rinse solution supply nozzle 161 is located on the substrate W. At a position on one end side (upstream side in the scanning direction A), a series of operations ends.

【0069】以上のように構成された基板処理装置によ
ると、上記第1の実施の形態において得られたのと同様
の効果に加えて、現像停止液供給手段と洗浄液供給手段
とが、リンス液供給ノズル161と、リンス液供給ノズ
ル移動機構162とを共有する構成とされているため、
その構成の簡易化が図られる。
According to the substrate processing apparatus configured as described above, in addition to the same effect as that obtained in the first embodiment, the development stop solution supply means and the cleaning solution supply means are rinse solutions. Since the supply nozzle 161 and the rinse liquid supply nozzle moving mechanism 162 are configured to be shared,
The configuration can be simplified.

【0070】{第3の実施の形態}この第3の実施の形
態では、現像停止液を供給する手段と洗浄液を供給する
手段とが、リンス液供給手段を共有する構成とされ、し
かも、そのリンス液供給手段に係るリンス液供給ノズル
と現像液供給手段に係る現像液供給ノズルとが同一の機
構により移動される構成について説明する。なお、この
説明においては、上記第1の実施の形態に係る基板処理
装置における構成要素と同様構成要素については同一符
号を付してその説明を省略し、相違点を中心に説明す
る。
{Third Embodiment} In the third embodiment, the means for supplying the development stop solution and the means for supplying the cleaning solution share the rinsing liquid supply means. A configuration in which the rinse liquid supply nozzle of the rinse liquid supply means and the developing solution supply nozzle of the developing solution supply means are moved by the same mechanism will be described. In this description, the same components as those in the substrate processing apparatus according to the first embodiment described above will be denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. Differences will be mainly described.

【0071】図6はこの発明の第3の実施の形態に係る
基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
FIG. 6 is a plan view showing a schematic structure of a substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention.

【0072】この基板処理装置では、上記第1の実施の
形態に係る基板処理装置における現像液供給手段20と
現像停止液供給手段30と洗浄液供給手段40に代え
て、処理液供給手段270を有している。
This substrate processing apparatus has a processing solution supply means 270 instead of the developing solution supply means 20, the development stop solution supply means 30 and the cleaning solution supply means 40 in the substrate processing apparatus according to the first embodiment. is doing.

【0073】処理液供給手段270は、現像液供給に係
る機構として現像液供給ノズル221と現像液供給系機
構226を備えると共に、リンス液供給に係る機構とし
てリンス液供給ノズル261とリンス液供給系機構26
6を備え、さらに、単一のノズル移動機構272を備え
た構成とされている。
The processing liquid supply means 270 includes a developing liquid supply nozzle 221 and a developing liquid supply system mechanism 226 as a developing liquid supply mechanism, and a rinsing liquid supply nozzle 261 and a rinsing liquid supply system as a rinsing liquid supply mechanism. Mechanism 26
6 and further has a single nozzle moving mechanism 272.

【0074】上記現像液供給ノズル221は、第1の実
施の形態において説明した現像液供給ノズル21と同様
の構成とされ、また、現像液供給系機構226は、第1
の実施の形態において説明した現像液供給系機構26と
同様の構成により、所定のタイミングで現像液を現像液
供給ノズル221に供給可能とされている。
The developing solution supply nozzle 221 has the same structure as the developing solution supply nozzle 21 described in the first embodiment, and the developing solution supply system mechanism 226 has the first structure.
The developing solution can be supplied to the developing solution supply nozzle 221 at a predetermined timing by the same configuration as the developing solution supply system mechanism 26 described in the above embodiment.

【0075】リンス液供給ノズル261は、第2の実施
の形態において説明したリンス液供給ノズル161と同
様の構成とされ、また、リンス液供給系機構266は、
同第2の実施の形態において説明したリンス液供給系機
構166と同様の構成により、所定タイミングで、リン
ス液を、現像停止液として所定量又は洗浄液として所定
量供給可能とされている。洗浄の際のリンス液供給量
は、洗浄効果を高めるため、現像停止用に供給した量よ
りも多量に供給することが好ましい。
The rinse liquid supply nozzle 261 has the same structure as the rinse liquid supply nozzle 161 described in the second embodiment, and the rinse liquid supply system mechanism 266 includes
With the same configuration as the rinse liquid supply system mechanism 166 described in the second embodiment, the rinse liquid can be supplied at a predetermined timing as a development stop liquid in a predetermined amount or as a cleaning liquid in a predetermined amount. In order to enhance the cleaning effect, it is preferable to supply the rinse liquid at the time of cleaning in a larger amount than the amount supplied for stopping the development.

【0076】ノズル移動機構272は、現像液供給ノズ
ル移動機構22と同様の構成を有しており、上記水平駆
動部24に対応する水平駆動部274と、それぞれ上記
支持アーム部25に対応する2つの支持アーム部27
5,276とを備えている。各支持アーム部275,2
76のうち走査方向A下流側の支持アーム部275に
は、現像液供給ノズル221が走査方向Aに対して直交
する方向に沿って略水平姿勢で支持されており、走査方
向A上流側の支持アーム部276には、リンス液供給ノ
ズル261が走査方向Aに対して直交する方向に沿って
略水平姿勢で支持されている。
The nozzle moving mechanism 272 has a structure similar to that of the developing solution supply nozzle moving mechanism 22, and includes a horizontal driving section 274 corresponding to the horizontal driving section 24 and two corresponding to the supporting arm section 25. One support arm 27
5,276. Each support arm portion 275, 2
The developing solution supply nozzle 221 is supported by the supporting arm portion 275 on the downstream side of the scanning direction A in a substantially horizontal posture along the direction orthogonal to the scanning direction A, and the supporting arm on the upstream side of the scanning direction A is supported. A rinse liquid supply nozzle 261 is supported on the arm portion 276 in a substantially horizontal posture along a direction orthogonal to the scanning direction A.

【0077】そして、水平駆動部274の駆動により、
現像液供給ノズル221が基板Wの上方を移動する際、
該現像液供給ノズル221から基板Wに現像液が供給さ
れ、或は、リンス液供給ノズル261が基板Wの上方を
移動する際、該リンス液供給ノズル261からリンス液
が、現像停止液として又は洗浄液として、基板Wの主面
全体に供給されることとなる。
Then, by driving the horizontal drive unit 274,
When the developing solution supply nozzle 221 moves above the substrate W,
The developing solution is supplied from the developing solution supply nozzle 221 to the substrate W, or when the rinse solution supply nozzle 261 moves above the substrate W, the rinse solution is supplied from the rinse solution supply nozzle 261 as a development stop solution or The cleaning liquid is supplied to the entire main surface of the substrate W.

【0078】また、この基板処理装置においては、制御
部250は、次に説明する一連の動作の制御を行うもの
であり、少なくとも、現像液供給ノズル221を基板W
の主面上方の一端側から他端側に向けて移動させて当該
基板Wに現像液の供給を行った後、リンス液供給ノズル
261を基板Wの主面上方の一端側から他端側に向けて
移動させつて該基板Wに現像停止液としてリンス液を供
給し、この後、再度リンス液供給ノズル261を基板W
の主面上方に移動させて洗浄液としてリンス液を供給さ
せる動作制御を行う。
In this substrate processing apparatus, the controller 250 controls a series of operations described below, and at least the developer supply nozzle 221 is connected to the substrate W.
After the developer is supplied to the substrate W by moving it from one end side above the main surface of the substrate W to the other end side, the rinse liquid supply nozzle 261 is moved from one end side above the main surface of the substrate W to the other end side. Then, the rinse liquid is supplied to the substrate W as a development stopping liquid, and then the rinse liquid supply nozzle 261 is moved to the substrate W again.
The operation control is performed so that the rinse liquid is supplied as the cleaning liquid by moving the cleaning liquid above the main surface.

【0079】このように構成された基板処理装置の動作
について、図7を参照して説明する。
The operation of the substrate processing apparatus thus configured will be described with reference to FIG.

【0080】まず、初期待機状態では、図7(a)に示
すように、基板Wが基板保持部10に静止状態で水平姿
勢に支持されている。また、現像液供給ノズル221,
リンス液供給ノズル261が、基板Wの一端側(走査方
向Aの上流側)に位置している。
First, in the initial standby state, as shown in FIG. 7A, the substrate W is supported by the substrate holding portion 10 in a horizontal state in a stationary state. In addition, the developer supply nozzle 221,
The rinse liquid supply nozzle 261 is located at one end side of the substrate W (upstream side in the scanning direction A).

【0081】基板処理開始後、はじめに、図7(b)に
示すように、現像液供給ノズル221がリンス液供給ノ
ズル261と共に、基板Wの主面上方を、走査方向A
に、即ち、基板Wの一端側から他端側に向けて移動す
る。現像液供給ノズル221が基板Wの主面上方を移動
する際、該現像液供給ノズル221から現像液が吐出さ
れ、現像液が基板Wの主面全体に供給され、基板Wの主
面において現像がなされる。
After the substrate processing is started, first, as shown in FIG. 7B, the developing solution supply nozzle 221 and the rinse solution supply nozzle 261 are located above the main surface of the substrate W in the scanning direction A.
That is, the substrate W moves from one end side to the other end side. When the developing solution supply nozzle 221 moves above the main surface of the substrate W, the developing solution supply nozzle 221 discharges the developing solution, the developing solution is supplied to the entire main surface of the substrate W, and the developing process is performed on the main surface of the substrate W. Is done.

【0082】この後、現像液供給ノズル221及びリン
ス液供給ノズル261は、図7(c)に示すように、走
査方向Aと逆方向に、即ち、基板Wの他端側(走査方向
Aの下流側)から基板Wの一端側(走査方向Aの上流
側)に移動する。
After that, the developing solution supply nozzle 221 and the rinse solution supply nozzle 261 are, as shown in FIG. 7C, in the direction opposite to the scanning direction A, that is, the other end side of the substrate W (in the scanning direction A). From the downstream side), it moves to one end side of the substrate W (upstream side in the scanning direction A).

【0083】そして、基板Wにおける現像反応に必要な
所定時間が経過するタイミングに合わせて、図7(d)
に示すように、リンス液供給ノズル261が現像液供給
ノズル221と共に、基板Wの主面上方を走査方向A
に、即ち、基板Wの一端側から他端側に向けて移動す
る。この際のリンス液供給ノズル261の移動速度は、
図7(b)における現像液供給ノズル221の移動速度
と実質的に同じに設定される。また、リンス液の供給量
は、現像を停止させるのに十分な量であり、比較的少な
目の量だけ供給される。これにより、基板Wの主面全体
において現像時間をほぼ同じにして、基板Wにおける現
像を停止させることができる。この後、現像液供給ノズ
ル221及びリンス液供給ノズル261は、一旦走査方
向Aの下流側に位置(図7(e)に2点鎖線で示す位置
参照)する。
Then, in accordance with the timing when a predetermined time required for the development reaction on the substrate W has elapsed, FIG.
As shown in FIG.
That is, the substrate W moves from one end side to the other end side. At this time, the moving speed of the rinse liquid supply nozzle 261 is
It is set to be substantially the same as the moving speed of the developing solution supply nozzle 221 in FIG. Further, the supply amount of the rinse liquid is an amount sufficient to stop the development, and is supplied in a relatively small amount. This makes it possible to stop the development on the substrate W by making the development time substantially the same on the entire main surface of the substrate W. After that, the developing solution supply nozzle 221 and the rinse solution supply nozzle 261 are once positioned on the downstream side in the scanning direction A (see the position indicated by the chain double-dashed line in FIG. 7E).

【0084】この後、図7(e)に示すように、リンス
液供給ノズル261が現像液供給ノズル221と共に、
基板Wの主面上方を、走査方向Aの逆方向に、即ち、基
板Wが支持される位置の他端側から一端側に向けて移動
する。リンス液供給ノズル261が基板Wの主面上方を
通過する際、該リンス液供給ノズル261から洗浄液と
してリンス液が吐出されると共に、基板Wが回転する。
こうして、回転する基板Wの主面全体に洗浄液が供給さ
れ、パーティクル除去に十分な洗浄がなされる。
After that, as shown in FIG. 7E, the rinse liquid supply nozzle 261 and the developing solution supply nozzle 221 are
It moves above the main surface of the substrate W in the direction opposite to the scanning direction A, that is, from the other end side of the position where the substrate W is supported to the one end side. When the rinse liquid supply nozzle 261 passes above the main surface of the substrate W, the rinse liquid is discharged as the cleaning liquid from the rinse liquid supply nozzle 261 and the substrate W rotates.
In this way, the cleaning liquid is supplied to the entire main surface of the rotating substrate W, and sufficient cleaning is performed to remove particles.

【0085】最後に、図7(f)に示すように、現像液
供給ノズル221及びリンス液供給ノズル261が基板
Wの一端側(走査方向Aの上流側)に位置して、一連の
動作が終了する。
Finally, as shown in FIG. 7F, the developing solution supply nozzle 221 and the rinse solution supply nozzle 261 are located at one end side of the substrate W (upstream side in the scanning direction A), and a series of operations are performed. finish.

【0086】以上のように構成された基板処理装置によ
ると、上記第1及び第2の実施の形態において得られた
のと同様の効果に加えて、ノズル移動機構272が、現
像液供給ノズル221と共にリンス液供給ノズル261
を移動させるため、各ノズル261,221を移動させ
るための構成が共通化されることとなり、全体構成の簡
易化が図られる。
According to the substrate processing apparatus configured as described above, in addition to the same effects as those obtained in the first and second embodiments, the nozzle moving mechanism 272 causes the developing solution supply nozzle 221 to operate. With rinse liquid supply nozzle 261
Since the nozzles 261 and 221 are moved, the configuration for moving the nozzles 261 and 221 is shared, and the overall configuration is simplified.

【0087】なお、この実施の形態において、現像液供
給ノズル221とリンス液供給ノズル261とが単一の
構成部材とされた構成、即ち、単一のノズルに現像液吐
出口とリンス液吐出口が形成された構成であってもよ
い。
In this embodiment, the developing solution supply nozzle 221 and the rinse solution supply nozzle 261 are formed as a single component member, that is, the developing solution discharge port and the rinse solution discharge port are provided in a single nozzle. May be formed.

【0088】{その他変形例}以上、本発明の各実施の
形態について説明したが、この発明は上記の例に限定さ
れるものではない。
{Other Modifications} Although the respective embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above examples.

【0089】例えば、基板Wを洗浄する際における洗浄
液供給ノズル41やリンス液供給ノズル161,261
の移動方向は、走査方向Aの順方向であってもよいし、
又はその逆方向であってもよい。
For example, when cleaning the substrate W, the cleaning liquid supply nozzle 41 or the rinse liquid supply nozzles 161, 261
The moving direction of may be the forward direction of the scanning direction A,
Alternatively, it may be the opposite direction.

【0090】また、洗浄具合に応じて、それら洗浄液供
給ノズル41やリンス液供給ノズル161,261を、
洗浄液を吐出させつつ、基板Wの主面上方を複数回通過
移動させて、より十分な洗浄を行うようにしてもよい。
Depending on the cleaning condition, the cleaning liquid supply nozzle 41 and the rinse liquid supply nozzles 161, 261 are
The cleaning liquid may be ejected and passed over the main surface of the substrate W a plurality of times to perform more sufficient cleaning.

【0091】[0091]

【発明の効果】以上のように構成された請求項1〜請求
項7記載の基板処理装置によると、現像停止液を供給し
た後、基板に洗浄液が供給されるため、現像停止液供給
後の基板を十分に洗浄することができる。
According to the substrate processing apparatus of the present invention configured as described above, since the cleaning solution is supplied to the substrate after the development stop solution is supplied, the substrate after the development stop solution is supplied. The substrate can be thoroughly cleaned.

【0092】また、請求項2記載の基板処理装置による
と、基板径寸法と実質的に同寸法又はそれ以上の幅寸法
の吐出口を有する洗浄液供給ノズルが、基板が保持され
る位置の一端側から他端側に又はその逆に向けて移動し
つつ、洗浄液を供給することになるため、基板の主面全
体に大量の洗浄液を低衝撃で供給でき、パターンの倒壊
等を防止できる。
Further, according to the substrate processing apparatus of the second aspect, the cleaning liquid supply nozzle having the discharge port having the width dimension substantially equal to or larger than the substrate diameter dimension is provided at one end side of the position where the substrate is held. Since the cleaning liquid is supplied while moving from the other side to the other side or vice versa, a large amount of the cleaning liquid can be supplied to the entire main surface of the substrate with a low impact and the collapse of the pattern can be prevented.

【0093】また、請求項3記載の基板処理装置による
と、リンス液供給ノズルとリンス液供給ノズル移動手段
とを共有する構成とされているため、その構成の簡易化
が図られる。
Further, according to the substrate processing apparatus of the third aspect, since the rinse liquid supply nozzle and the rinse liquid supply nozzle moving means are shared, the structure can be simplified.

【0094】また、基板径寸法と実質的に同寸法又はそ
れ以上の幅寸法の吐出口を有するリンス液供給ノズル
が、基板が保持される位置の一端側から他端側に向けて
又はその逆に移動しつつ、洗浄液を供給することになる
ため、基板の主面全体に大量の洗浄液を低衝撃で供給で
き、パターンの倒壊等を防止できる。
Further, a rinse liquid supply nozzle having a discharge port having a width substantially equal to or larger than the diameter of the substrate is provided from one end side of the position where the substrate is held to the other end side or vice versa. Since the cleaning liquid is supplied while moving to, it is possible to supply a large amount of the cleaning liquid to the entire main surface of the substrate with low impact and prevent the pattern from collapsing.

【0095】また、請求項4記載の基板処理装置による
と、リンス液供給ノズル移動手段は、リンス液供給ノズ
ルと共に現像液供給ノズルを移動させるノズル移動手段
として機能するため、各ノズルを移動させるための構成
が共通化されることとなり、全体構成の簡易化が図られ
る。
According to the substrate processing apparatus of the fourth aspect, the rinse liquid supply nozzle moving means functions as a nozzle moving means for moving the developing solution supply nozzle together with the rinse liquid supply nozzle, so that each nozzle is moved. The configuration will be shared, and the overall configuration will be simplified.

【0096】さらに、請求項6記載の基板処理装置によ
ると、基板への洗浄液供給中に、基板が回転されるた
め、洗浄効果が向上する。
Further, according to the substrate processing apparatus of the sixth aspect, since the substrate is rotated during the supply of the cleaning liquid to the substrate, the cleaning effect is improved.

【0097】また、請求項7記載の基板処理装置による
と、基板への洗浄液の供給量は、基板への現像停止液の
供給量よりも多いため、より十分な洗浄を行える。
Further, according to the substrate processing apparatus of the seventh aspect, since the supply amount of the cleaning liquid to the substrate is larger than the supply amount of the development stopping liquid to the substrate, more sufficient cleaning can be performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の第1の実施の形態に係る基板処理装
置の概略構成を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1のII−II線断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II of FIG.

【図3】第1の実施の形態に係る基板処理装置の動作を
示す概略工程図である。
FIG. 3 is a schematic process diagram showing an operation of the substrate processing apparatus according to the first embodiment.

【図4】この発明の第2の実施の形態に係る基板処理装
置の概略構成を示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図5】同上の基板処理装置の動作を示す概略工程図で
ある。
FIG. 5 is a schematic process diagram showing the operation of the above substrate processing apparatus.

【図6】この発明の第3の実施の形態に係る基板処理装
置の概略構成を示す平面図である。
FIG. 6 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【図7】同上の基板処理装置の動作を示す概略工程図で
ある。
FIG. 7 is a schematic process diagram showing the operation of the above substrate processing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 基板保持部 20 現像液供給手段 21 現像液供給ノズル 21a 吐出口 22 現像液供給ノズル移動機構 30 現像停止液供給手段 31 現像停止液供給ノズル 31a 吐出口 32 現像停止液供給ノズル移動機構 40 洗浄液供給手段 41 洗浄液供給ノズル 41a 吐出口 42 洗浄液供給ノズル移動機構 50 制御部 150 制御部 160 リンス液供給手段 161 リンス液供給ノズル 162 リンス液供給ノズル移動機構 221 現像液供給ノズル 250 制御部 270 処理液供給手段 272 ノズル移動機構 10 Substrate holder 20 developer supply means 21 developer supply nozzle 21a outlet 22 Developer supply nozzle moving mechanism 30 Development Stop Solution Supply Means 31 Development Stop Solution Supply Nozzle 31a outlet 32 Development Stop Solution Supply Nozzle Moving Mechanism 40 Cleaning liquid supply means 41 Cleaning liquid supply nozzle 41a outlet 42 Cleaning liquid supply nozzle moving mechanism 50 control unit 150 control unit 160 Rinsing liquid supply means 161 Rinsing liquid supply nozzle 162 Rinsing liquid supply nozzle moving mechanism 221 developer supply nozzle 250 control unit 270 Treatment liquid supply means 272 Nozzle moving mechanism

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 春本 将彦 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 (72)発明者 玉田 修 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 Fターム(参考) 2H096 AA25 GA30 3B201 AA02 AA03 AB34 BB22 BB32 BB44 BB92 BB93 CC01 5F046 LA03 LA04 LA06    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Masahiko Harumoto             4-chome Tenjin, which runs up to Teranouchi, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto             1 Kitamachi No. 1 Dai Nippon Screen Manufacturing Co., Ltd.             Inside the company (72) Inventor Osamu Tamada             4-chome Tenjin, which runs up to Teranouchi, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto             1 Kitamachi No. 1 Dai Nippon Screen Manufacturing Co., Ltd.             Inside the company F-term (reference) 2H096 AA25 GA30                 3B201 AA02 AA03 AB34 BB22 BB32                       BB44 BB92 BB93 CC01                 5F046 LA03 LA04 LA06

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板を保持する基板保持手段と、 前記基板保持手段に保持された基板主面の一端側から他
端側にかけて現像液を供給する現像液供給手段と、 前記基板の主面に現像液が供給された後、その基板主面
の一端側から他端側にかけて現像停止液を供給する現像
停止液供給手段と、 前記基板の主面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、 前記基板に現像停止液が供給された後、前記洗浄液供給
手段から前記基板の主面に洗浄液を供給させる制御手段
と、を備えた基板処理装置。
1. A substrate holding means for holding a substrate, a developing solution supply means for supplying a developing solution from one end side to the other end side of a substrate main surface held by the substrate holding means, and a main surface of the substrate. A developing solution supplying means for supplying a developing solution from one end side to the other end side of the main surface of the substrate after the developing solution is supplied; a cleaning solution supplying means for supplying a cleaning solution to the main surface of the substrate; And a control unit for supplying the cleaning liquid from the cleaning liquid supply unit to the main surface of the substrate after the development stop liquid is supplied to the substrate processing apparatus.
【請求項2】 請求項1記載の基板処理装置であって、 前記洗浄液供給手段は、 基板径寸法と実質的に同寸法又はそれ以上の幅寸法の吐
出口を有する洗浄液供給ノズルと、前記洗浄液供給ノズ
ルを、前記基板保持手段により基板が保持される位置の
一端側から他端側に向けて移動させる洗浄液供給ノズル
移動手段と、を有し、 前記制御手段は、 前記基板に現像停止液が供給された後、前記洗浄液供給
ノズルを前記基板が保持される位置の一端側から他端側
に向けて又はその逆に向けて移動させつつ、その洗浄液
供給ノズルから洗浄液を供給させる、基板処理装置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the cleaning liquid supply unit has a cleaning liquid supply nozzle having a discharge port having a width dimension substantially equal to or larger than a substrate diameter dimension, and the cleaning fluid. A cleaning liquid supply nozzle moving unit that moves the supply nozzle from one end side of the position where the substrate is held by the substrate holding unit toward the other end side, and After being supplied, the cleaning liquid supply nozzle moves the cleaning liquid supply nozzle from one end side to the other end side of the position where the substrate is held, or vice versa, and supplies the cleaning liquid from the cleaning liquid supply nozzle. .
【請求項3】 請求項1記載の基板処理装置であって、 前記現像停止液供給手段と前記洗浄液供給手段とは、 基板径寸法と実質的に同寸法又はそれ以上の幅寸法の吐
出口を有するリンス液供給ノズルと、前記リンス液供給
ノズルを、前記基板保持手段により基板が保持される位
置の一端側から他端側に向けて及びその逆方向に向けて
移動させるリンス液供給ノズル移動手段とを共有する構
成とされ、 前記制御手段は、 前記基板に現像液が供給された後、前記リンス液供給ノ
ズルを前記基板保持手段に保持された基板主面の一端側
から他端側に向けて移動させつつ、そのリンス液供給ノ
ズルから現像停止液としてリンス液を供給させ、この
後、前記リンス液供給ノズルを前記基板保持手段により
基板が保持される位置の一端側から他端側に向けて又は
その逆に向けて移動させつつ、そのリンス液供給ノズル
から洗浄液としてリンス液を供給させる、基板処理装
置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the development stop solution supply means and the cleaning solution supply means have a discharge port having a width dimension substantially equal to or larger than a substrate diameter dimension. A rinse liquid supply nozzle having and a rinse liquid supply nozzle moving unit for moving the rinse liquid supply nozzle from one end side of the position where the substrate is held by the substrate holding unit to the other end side and in the opposite direction. And the control unit directs the rinse liquid supply nozzle from one end side to the other end side of the substrate main surface held by the substrate holding unit after the developing solution is supplied to the substrate. The rinse liquid supply nozzle supplies the rinse liquid as a development stop liquid while moving the rinse liquid supply nozzle, and thereafter the rinse liquid supply nozzle is directed from one end side of the position where the substrate is held by the substrate holding means to the other end side Or while moving toward the opposite Te, to supply the rinse liquid as the cleaning liquid from the rinsing liquid supply nozzle, the substrate processing apparatus.
【請求項4】 請求項3記載の基板処理装置であって、 前記現像液供給手段は、 基板径寸法と実質的に同寸法又はそれ以上の幅寸法の吐
出口を有する現像液供給ノズルを有し、 前記リンス液供給ノズル移動手段は、前記リンス液供給
ノズルと共に前記現像液供給ノズルを移動させるノズル
移動手段として機能する基板処理装置。
4. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the developing solution supply means has a developing solution supply nozzle having a discharge port having a width dimension substantially equal to or larger than a substrate diameter dimension. The rinsing liquid supply nozzle moving means functions as a nozzle moving means that moves the developing solution supply nozzle together with the rinsing liquid supply nozzle.
【請求項5】 請求項3記載の基板処理装置であって、 前記現像液供給手段は、 前記リンス液供給ノズルとは別体に形成され、前記リン
ス液基板径寸法と実質的に同寸法又はそれ以上の幅寸法
の吐出口を有する現像液供給ノズルと、 前記現像液供給ノズルを、前記基板保持手段に保持され
た基板主面の一端側から他端側に向けて移動させる現像
液供給ノズル移動手段と、を有する基板処理装置。
5. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the developing solution supply unit is formed separately from the rinse solution supply nozzle and has substantially the same size as the rinse solution substrate diameter dimension. A developing solution supply nozzle having a discharge port having a width dimension larger than that, and a developing solution supply nozzle for moving the developing solution supply nozzle from one end side to the other end side of the substrate main surface held by the substrate holding means. A substrate processing apparatus having a moving means.
【請求項6】 請求項1〜請求項5のいずれかに記載の
基板処理装置であって、 前記基板保持手段に保持された基板を回転させる回転手
段をさらに備え、 前記制御手段は、前記基板への洗浄液供給中に、前記基
板を回転させる、基板処理装置。
6. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a rotating unit that rotates the substrate held by the substrate holding unit, wherein the control unit includes the substrate. A substrate processing apparatus for rotating the substrate while supplying a cleaning liquid to the substrate.
【請求項7】 請求項1〜請求項6のいずれかに記載の
基板処理装置であって、 前記基板への洗浄液の供給量を、前記基板への現像停止
液の供給量よりも多くした、基板処理装置。
7. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the supply amount of the cleaning liquid to the substrate is larger than the supply amount of the development stop liquid to the substrate. Substrate processing equipment.
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