JP4015396B2

JP4015396B2 - Substrate processing equipment

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Publication number: JP4015396B2
Application number: JP2001291405A
Authority: JP
Inventors: 雅和真田; 将彦春本; 修玉田
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2001-09-25
Filing date: 2001-09-25
Publication date: 2007-11-28
Anticipated expiration: 2021-09-25
Also published as: JP2003100601A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板、プラズマ表示パネル用ガラス基板等の基板に現像処理を行うための基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種の基板処理装置として、特開平１０−２０５０８号公報に開示のものがある。
【０００３】
同公報に開示の基板処理装置では、現像液供給ノズルを基板の一端側から他端側に移動させて、該基板の上面全体に現像液を供給し、その後所定時間経過後に、リンス液供給ノズルを前記現像液供給ノズルの移動速度と同速度で基板の一端側から他端側に移動させて、基板の上面全体にリンス液を供給して、基板上面における現像を停止させるようにしている。
【０００４】
この基板処理装置によると、基板の上面全体において現像時間をほぼ同じとすることができるため、現像むらを防止でき、また、現像後におけるレジストパターンの線幅均一性を向上させることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記基板処理装置では、基板の上面全体において現像時間がほぼ同じとなるように、リンス液供給ノズルの移動途中で随時移動位置に対応する基板部分にのみリンス液が供給されるような供給量で、リンスの供給を行っている。
【０００６】
このため、基板に対する洗浄効果が不十分で、基板には、現像処理による溶解生成物等のパーティクルが停留したままの状態となっており、製品歩留りの低下等を招いてしまう。
【０００７】
そこで、この発明の課題は、現像停止液供給後の基板を、十分に洗浄することができる基板処理装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決すべく、請求項１記載の基板処理装置は、基板を保持する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持された基板主面の一端側から他端側にかけて現像液を供給する現像液供給手段と、前記基板の主面に現像液が供給された後、その基板主面の一端側から他端側にかけて現像停止液を供給する現像停止液供給手段と、前記基板の主面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記基板に現像停止液が供給された後、前記洗浄液供給手段から前記基板の主面に洗浄液を供給させる制御手段と、を備え、前記現像停止液供給手段と前記洗浄液供給手段とは、基板径寸法と実質的に同寸法又はそれ以上の幅寸法の吐出口を有するリンス液供給ノズルと、前記リンス液供給ノズルを、前記基板保持手段により基板が保持される位置の一端側から他端側に向けて及びその逆方向に向けて移動させるリンス液供給ノズル移動手段とを共有する構成とされ、前記制御手段は、前記基板に現像液が供給された後、前記リンス液供給ノズルを前記基板保持手段に保持された基板主面の一端側から他端側に向けて移動させつつ、そのリンス液供給ノズルから現像停止液としてリンス液を供給させ、この後、前記リンス液供給ノズルを前記基板保持手段により基板が保持される位置の一端側から他端側の逆に向けて移動させつつ、そのリンス液供給ノズルから洗浄液としてリンス液を供給させるものである。
【００１１】
また、請求項２記載のように、前記現像液供給手段は、基板径寸法と実質的に同寸法又はそれ以上の幅寸法の吐出口を有する現像液供給ノズルを有し、前記リンス液供給ノズル移動手段は、前記リンス液供給ノズルと共に前記現像液供給ノズルを移動させるノズル移動手段として機能するものであってもよく、また、請求項３記載のように、前記現像液供給手段は、前記リンス液供給ノズルとは別体に形成され、前記リンス液基板径寸法と実質的に同寸法又はそれ以上の幅寸法の吐出口を有する現像液供給ノズルと、前記現像液供給ノズルを、前記基板保持手段に保持された基板主面の一端側から他端側に向けて移動させる現像液供給ノズル移動手段と、を有するものであってもよい。
【００１２】
また、請求項４記載のように、前記基板保持手段に保持された基板を回転させる回転手段をさらに備え、前記制御手段は、前記基板への洗浄液供給中に、前記基板を回転させるようにしてもよい。
【００１３】
さらに、請求項５記載のように、前記基板への洗浄液の供給量を、前記基板への現像停止液の供給量よりも多くするようにしてもよい。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態について説明する。
【００１５】
本発明の概略的構成について説明しておくと、この基板処理装置は、基板の主面にその一端側から他端側にかけて現像液を供給した後、基板の主面全体において現像時間がほぼ同じとなるように、該基板主面の一端側から他端側にかけて現像停止液を供給し、さらにその後に、基板に洗浄液を供給するものである。
【００１６】
｛第１の実施の形態｝
この第１の実施の形態では、現像液を供給する手段と、現像停止液を供給する手段と、洗浄液を供給する手段とを、それぞれ別構成とした基板処理装置について説明する。
【００１７】
図１はこの発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図２は図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【００１８】
この基板処理装置は、露光後の基板Ｗに対して現像液を供給して現像処理を行う装置であり、基板Ｗを保持する基板保持部１０と、基板Ｗの主面に現像液を供給する現像液供給手段２０と、基板Ｗの主面に現像停止液を供給する現像停止液供給手段３０と、基板Ｗの主面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段４０と、本装置全体の動作制御を行う制御部５０とを備えている。
【００１９】
基板保持部１０は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する。具体的には、基板保持部１０は、装置本体５の略中央部に略鉛直姿勢で配設された回転軸１１と、その回転軸の上端部に固設された回転台１２とを備えている。回転台１２は、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持可能に構成されている。また、回転軸１１の下端部は、回転手段であるスピンモータ１３に連結されており、スピンモータ１３の回転が回転軸１１を介して回転台１２に伝達される。これにより、基板Ｗが鉛直軸を回転軸として水平面内で回転可能とされる。なお、回転台１２は基板Ｗを吸着保持する構成に限定されるものではなく、基板Ｗの周縁部を把持する構成であってもよい。
【００２０】
なお、基板保持部１０周りには、基板Ｗを囲むようにして円形状の内カップ６が設けられると共に、その内カップ６の外周周りに略方形状の外カップ７が設けられている。また、外カップ７の両側に待機ポット８が設けられている。
【００２１】
現像液供給手段２０は、基板Ｗの主面の一端側から他端側にかけて現像液を供給する。具体的には、現像液供給手段２０は、現像液供給ノズル２１と、現像液供給ノズル移動機構２２と、現像液供給系機構２６とを備えている。
【００２２】
現像液供給系機構２６は、現像液供給源及び開閉バルブ（共に図示省略）を備えており、開閉バルブの開閉タイミングに応じて前記現像液供給源からの現像液が後述する所定のタイミングで現像液供給ノズル２１に供給されるように構成されている。
【００２３】
現像液供給ノズル２１は、基板Ｗの直径寸法と実質的に同じ幅寸法を有するスリット状の吐出口２１ａを有している（図２参照）。そして、現像液供給系機構２６より供給される現像液が当該吐出口２１ａの全幅から吐出されるように構成されている。なお、吐出口の幅寸法は、基板Ｗの幅寸法よりも大きくてもよい。
【００２４】
現像液供給ノズル移動機構２２は、ガイドレール２３と、水平駆動部２４と、支持アーム部２５とを備えている。ガイドレール２３は、装置本体５の上面側であって基板保持部１０の側方に水平方向に沿って敷設されている。水平駆動部２４は、該ガイドレール２３に沿って所定の走査方向Ａ及びその逆方向に水平移動可能に構成されている。支持アーム部２５は、基板保持部１０側に延びるようにして水平駆動部２４に片持ち状に支持されており、その遊端側に現像液供給ノズル２１が前記走査方向Ａに対して直交する方向に沿って略水平姿勢で支持されている。
【００２５】
そして、水平駆動部２４の駆動により、現像液供給ノズル２１が、基板Ｗの主面の上方を、その一端側から他端側に向けて移動可能とされる。現像液供給ノズル２１が基板Ｗの上方を移動する際、現像液供給ノズル２１から現像液を吐出させることで、基板Ｗの主面全体に現像液が供給されることとなる。
【００２６】
現像停止液供給手段３０は、基板Ｗの主面の一端側から他端側にかけて現像停止液を供給する。
【００２７】
具体的には、現像停止液供給手段３０は、現像停止液供給ノズル３１と、現像停止液供給ノズル移動機構３２と、現像停止液供給系機構３６とを備えており、上記現像液供給手段２０と同様の構成及び動作により現像停止液を供給する。
【００２８】
現像停止液供給系機構３６は、現像液供給系機構２６と同様に構成により、後述する所定タイミングで現像停止液を供給する。この現像停止液供給系機構３６からは、基板Ｗにおいて現像液による現像を停止する液体が供給される。通常は、基板Ｗにおける現像液を希釈してその現像反応を停止させることができる程度の量だけのリンス液（純水）を供給することにより現像を停止させる。
【００２９】
現像停止液供給ノズル３１は、基板Ｗの直径寸法と実質的に同じ幅寸法を有するスリット状の吐出口３１ａを有している。なお、この吐出口３１ａの幅寸法は、基板Ｗの直径寸法より大きくてもよい。
【００３０】
現像停止液供給ノズル移動機構３２は、上記現像液供給ノズル移動機構２２と同様構成を有しており、即ち、上記水平駆動部２４に対応する水平駆動部３４と、上記支持アーム部２５に対応する支持アーム部３５とを備えている。
【００３１】
そして、水平駆動部３４の駆動により、現像停止液供給ノズル３１が基板Ｗの上方を移動する際、現像停止液供給ノズル３１から現像停止液を吐出させることで、基板Ｗの主面全体に現像液が供給されることとなる。
【００３２】
洗浄液供給手段４０は、基板Ｗの主面に洗浄液を供給する。
【００３３】
具体的には、洗浄液供給手段４０は、洗浄液供給ノズル４１と、洗浄液供給ノズル移動機構４２と、洗浄液供給系機構４６とを備えており、上記現像液供給手段２０と同様の構成及び動作により洗浄液を供給する。
【００３４】
洗浄液供給系機構４６は、現像液供給系機構２６と同様に構成により、後述する所定タイミングで洗浄液を供給する。この洗浄液供給系機構４６からは、基板Ｗにおけるパーティクル等を洗い流して十分に洗浄できる液体が供給される。通常は、リンス液（純水）供給することにより洗浄を行う。この供給量は、洗浄効果を高めるため、上記現像停止用に供給した量よりも多量に供給することが好ましい。
【００３５】
洗浄液供給ノズル４１は、基板Ｗの直径寸法と実質的に同じ幅寸法を有するスリット状の吐出口４１ａを有している。なお、この吐出口４１ａの幅寸法は、基板Ｗの直径寸法より大きくてもよい。
【００３６】
洗浄液供給ノズル移動機構４２は、上記現像液供給ノズル移動機構２２と同様構成を有しており、即ち、上記水平駆動部２４に対応する水平駆動部４４と、上記支持アーム部２５に対応する支持アーム部４５とを備えている。
【００３７】
そして、水平駆動部４４の駆動により、洗浄液供給ノズル４１が基板Ｗの上方を移動する際、洗浄液供給ノズル４１から洗浄液を吐出させることで、基板Ｗの主面全体に洗浄液が供給されることとなる。
【００３８】
なお、本基板処理装置の初期待機状態では、所定の走査方向Ａに、現像液供給ノズル２１、現像停止液供給ノズル３１及び洗浄液供給ノズル４１の順でそれらが配設されている。そして、現像液供給ノズル２１、現像停止液供給ノズル３１及び洗浄液供給ノズル４１がその順で、基板Ｗの上方を通過可能なように構成されている。
【００３９】
また、本実施の形態では、現像液供給ノズル移動機構２２，現像停止液供給ノズル移動機構３２，洗浄液供給ノズル移動機構４２が共通のガイドレール２３上を移動する構成とされているが、これらは全く別々のガイド部材に沿って移動するものであってもよく、また、その移動機構も上記したものに限られない。
【００４０】
制御部５０は、本装置全体の制御を行うものであり、ＣＰＵ、ＲＯＭおよびＲＡＭ等を備え、予め格納されたソフトウェアプログラムによって所定の演算動作を行う一般的なマイクロコンピュータにより構成されている。
【００４１】
この制御部５０は、次に説明する一連の動作の制御を行うものであり、少なくとも、基板Ｗに現像停止液が供給された後、洗浄液供給手段４０から基板Ｗの主面に洗浄液を供給させる動作制御を行う。
【００４２】
次に、この基板処理装置の動作について、図３を参照して説明する。
【００４３】
初期待機状態では、図３（ａ）に示すように、基板Ｗが基板保持部１０に静止状態で水平姿勢に支持されている。また、現像液供給ノズル２１，現像停止液供給ノズル３１及び洗浄液供給ノズル４１は、基板Ｗの一端側（走査方向Ａの上流側）に位置している。
【００４４】
処理開始後、はじめに、図３（ｂ）に示すように、現像液供給ノズル２１が基板Ｗの主面上方を、走査方向Ａに、即ち基板Ｗの一端側から他端側に向けて移動する。現像液供給ノズル２１が基板Ｗの主面上方を移動する際、該現像液供給ノズル２１から現像液が吐出され、現像液が基板Ｗの主面全体に供給される。これにより、基板Ｗの主面において現像がなされる。
【００４５】
現像液供給ノズル２１が基板Ｗの主面上方を通過した後、基板Ｗにおける現像反応に必要な所定時間が経過するタイミングに合わせて、図３（ｃ）に示すように、現像停止液供給ノズル３１が基板Ｗの主面上方を、走査方向Ａに、即ち基板Ｗの一端側から他端側に向けて移動する。なお、現像停止液供給ノズル３１の移動速度は、現像液供給ノズル２１の移動速度と実質的に同じとされる。そして、現像停止液供給ノズル３１が基板Ｗの主面上方を通過する際、該現像停止液供給ノズル３１から現像停止液が吐出され、現像停止液が基板Ｗの主面全体に供給され、基板Ｗにおける現像が停止する。
【００４６】
これにより、基板Ｗの主面において、現像液が供給された態様（供給方向や供給速度）と同態様で現像停止液が供給され、基板Ｗの主面全体において現像時間をほぼ同じとすることができる。
【００４７】
現像停止液供給ノズル３１が基板Ｗの主面上方を通過した後、図３（ｄ）に示すように、洗浄液供給ノズル４１が基板Ｗの主面上方を走査方向Ａに、即ち、基板Ｗが保持される位置の一端側から他端側に向けて移動する。現像停止液供給ノズル３１が基板Ｗの主面上方を通過する際、該現像停止液供給ノズル３１から現像停止液が吐出されると共に、基板Ｗが回転する。こうして、回転する基板Ｗの主面全体に洗浄液が供給され、パーティクル除去に十分な洗浄がなされる。
【００４８】
最後に、図３（ｅ）に示すように、現像液供給ノズル２１，現像停止液供給ノズル３１及び洗浄液供給ノズル４１が、基板Ｗの他端側（走査方向Ａの下流側）に位置して、一連の動作が終了する。
【００４９】
以上のように構成された基板処理装置によると、現像停止液を供給して基板Ｗにおける現像を停止させた後、さらにその基板Ｗに洗浄液が供給されるため、現像停止液供給後の基板Ｗを十分に洗浄することができる。
【００５０】
また、基板径寸法と実質的に同寸法の吐出口４１ａを有する洗浄液供給ノズル４１が、基板Ｗが保持された位置の一端側から他端側に向けて移動しつつ、洗浄液を供給することになるため、洗浄液が基板Ｗの局所に集中して供給されることがなく、従って、基板Ｗの主面全体に大量の洗浄液を低衝撃（インパクト）で供給でき、微細パターンの倒壊等を防止できる。
【００５１】
さらに、基板Ｗへの洗浄液供給中に、基板Ｗが回転しているため、洗浄効果がより向上する。
【００５２】
｛第２の実施の形態｝
この第２の実施の形態では、現像停止液を供給する手段と洗浄液を供給する手段とが、リンス液供給手段を共有する構成とされ、しかも、そのリンス液供給手段と現像液供給手段とが別の機構により移動される構成について説明する。なお、この説明においては、上記第１の実施の形態に係る基板処理装置における構成要素と同様構成要素については同一符号を付してその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
【００５３】
図４はこの発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【００５４】
この基板処理装置では、上記第１の実施の形態に係る基板処理装置における現像停止液供給手段３０と洗浄液供給手段４０に代えて、リンス液供給手段１６０を有している。
【００５５】
リンス液供給手段１６０は、リンス液供給ノズル１６１と、リンス液供給ノズル移動機構１６２と、リンス液供給系機構１６６とを備えている。
【００５６】
リンス液供給系機構１６６は、第１の実施の形態において説明した現像液供給系機構２６と同様に構成により、後述する所定タイミングでリンス液を供給する。なお、リンス液の供給量も、バルブの開度調整により調整される。
【００５７】
本リンス液供給手段１６０を現像停止液供給手段として機能させる際には、通常、基板Ｗにおける現像液を希釈してその現像反応を停止させることができる程度の量だけのリンス液（純水）を供給する。また、本リンス液供給手段を洗浄液供給手段として機能させる際にも、洗浄液としてリンス液（純水）を供給する。洗浄の際のリンス液供給量は、洗浄効果を高めるため、上記現像停止用に供給した量よりも多量に供給することが好ましい。
【００５８】
リンス液供給ノズル１６１は、基板Ｗの直径寸法と実質的に同じ幅寸法を有するスリット状の吐出口（図示省略）を有している。なお、この吐出口の幅寸法は、基板Ｗの直径寸法より大きくてもよい。
【００５９】
リンス液供給ノズル移動機構１６２は、第１の実施の形態において説明した現像液供給ノズル移動機構２２と同様構成を有しており、即ち、上記水平駆動部２４に対応する水平駆動部１６４と、上記支持アーム部２５に対応する支持アーム部１６５とを備えている。
【００６０】
そして、水平駆動部１６４の駆動により、リンス液供給ノズル１６１が基板Ｗの上方を移動する際、リンス液供給ノズル１６１からリンス液が、現像停止液として又は洗浄液として、基板Ｗの主面全体に供給されることとなる。
【００６１】
なお、本実施の形態では、現像液供給ノズル移動機構２２，リンス液供給ノズル移動機構１６２が共通のガイドレール２３上を移動する構成とされているが、これらば全く別々のガイド部材に沿って移動するものであってもよく、また、その移動機構も上記したものに限られない。
【００６２】
また、この基板処理装置においては、制御部１５０は、次に説明する一連の動作の制御を行うものであり、少なくとも、基板Ｗに現像液が供給された後、リンス液供給ノズル１６１から基板Ｗに現像停止液としてリンス液を供給させる動作と、この後、リンス液供給ノズル１６１から基板Ｗに洗浄液としてリンス液を供給させる動作の制御を行う。
【００６３】
このように構成された基板処理装置の動作について、図５を参照して説明する。
【００６４】
まず、初期待機状態では、図５（ａ）に示すように、基板Ｗが基板保持部１０に静止状態で水平姿勢に支持されている。また、現像液供給ノズル２１，リンス液供給ノズル１６１が、基板Ｗの一端側（走査方向Ａの上流側）に位置している。
【００６５】
基板処理開始後、はじめに、図５（ｂ）に示すように、現像液供給ノズル２１から基板Ｗの主面全体に現像液が供給される。この動作は、図３（ｂ）と同様である。
【００６６】
現像液供給ノズル２１が基板Ｗの主面上方を通過した後、基板Ｗにおける現像反応に必要な所定時間が経過すると、図５（ｃ）に示すように、リンス液供給ノズル１６１が基板Ｗの主面上方を、走査方向Ａに、即ち基板Ｗの一端側から他端側に向けて移動する。この際のリンス液供給ノズル１６１の移動速度は、現像液供給ノズル２１の移動速度と実質的に同じに設定される。また、リンス液の供給量は、現像を停止させるのに十分な比較的少ない量だけ供給される。これにより、基板Ｗの主面全体において現像時間をほぼ同じにして、基板Ｗにおける現像を停止させることができる。この後、リンス液供給ノズル１６１は、一旦走査方向Ａの下流側に位置（図５（ｃ）に２点鎖線で示す位置参照）する。
【００６７】
この後、図５（ｄ）に示すように、リンス液供給ノズル１６１が基板Ｗの主面上方を、走査方向Ａの逆方向に、即ち、基板Ｗが支持される位置の他端側から一端側に向けて移動する。リンス液供給ノズル１６１が基板Ｗの主面上方を通過する際、該リンス液供給ノズル１６１から洗浄液としてリンス液が吐出されると共に、基板Ｗが回転する。こうして、回転する基板Ｗの主面全体に洗浄液が供給され、パーティクル除去に十分な洗浄がなされる。
【００６８】
最後に、図５（ｅ）に示すように、現像液供給ノズル２１が基板Ｗの他端側（走査方向Ａの下流側）に位置すると共に、リンス液供給ノズル１６１が基板Ｗの一端側（走査方向Ａの上流側）に位置して、一連の動作が終了する。
【００６９】
以上のように構成された基板処理装置によると、上記第１の実施の形態において得られたのと同様の効果に加えて、現像停止液供給手段と洗浄液供給手段とが、リンス液供給ノズル１６１と、リンス液供給ノズル移動機構１６２とを共有する構成とされているため、その構成の簡易化が図られる。
【００７０】
｛第３の実施の形態｝
この第３の実施の形態では、現像停止液を供給する手段と洗浄液を供給する手段とが、リンス液供給手段を共有する構成とされ、しかも、そのリンス液供給手段に係るリンス液供給ノズルと現像液供給手段に係る現像液供給ノズルとが同一の機構により移動される構成について説明する。なお、この説明においては、上記第１の実施の形態に係る基板処理装置における構成要素と同様構成要素については同一符号を付してその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
【００７１】
図６はこの発明の第３の実施の形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【００７２】
この基板処理装置では、上記第１の実施の形態に係る基板処理装置における現像液供給手段２０と現像停止液供給手段３０と洗浄液供給手段４０に代えて、処理液供給手段２７０を有している。
【００７３】
処理液供給手段２７０は、現像液供給に係る機構として現像液供給ノズル２２１と現像液供給系機構２２６を備えると共に、リンス液供給に係る機構としてリンス液供給ノズル２６１とリンス液供給系機構２６６を備え、さらに、単一のノズル移動機構２７２を備えた構成とされている。
【００７４】
上記現像液供給ノズル２２１は、第１の実施の形態において説明した現像液供給ノズル２１と同様の構成とされ、また、現像液供給系機構２２６は、第１の実施の形態において説明した現像液供給系機構２６と同様の構成により、所定のタイミングで現像液を現像液供給ノズル２２１に供給可能とされている。
【００７５】
リンス液供給ノズル２６１は、第２の実施の形態において説明したリンス液供給ノズル１６１と同様の構成とされ、また、リンス液供給系機構２６６は、同第２の実施の形態において説明したリンス液供給系機構１６６と同様の構成により、所定タイミングで、リンス液を、現像停止液として所定量又は洗浄液として所定量供給可能とされている。洗浄の際のリンス液供給量は、洗浄効果を高めるため、現像停止用に供給した量よりも多量に供給することが好ましい。
【００７６】
ノズル移動機構２７２は、現像液供給ノズル移動機構２２と同様の構成を有しており、上記水平駆動部２４に対応する水平駆動部２７４と、それぞれ上記支持アーム部２５に対応する２つの支持アーム部２７５，２７６とを備えている。各支持アーム部２７５，２７６のうち走査方向Ａ下流側の支持アーム部２７５には、現像液供給ノズル２２１が走査方向Ａに対して直交する方向に沿って略水平姿勢で支持されており、走査方向Ａ上流側の支持アーム部２７６には、リンス液供給ノズル２６１が走査方向Ａに対して直交する方向に沿って略水平姿勢で支持されている。
【００７７】
そして、水平駆動部２７４の駆動により、現像液供給ノズル２２１が基板Ｗの上方を移動する際、該現像液供給ノズル２２１から基板Ｗに現像液が供給され、或は、リンス液供給ノズル２６１が基板Ｗの上方を移動する際、該リンス液供給ノズル２６１からリンス液が、現像停止液として又は洗浄液として、基板Ｗの主面全体に供給されることとなる。
【００７８】
また、この基板処理装置においては、制御部２５０は、次に説明する一連の動作の制御を行うものであり、少なくとも、現像液供給ノズル２２１を基板Ｗの主面上方の一端側から他端側に向けて移動させて当該基板Ｗに現像液の供給を行った後、リンス液供給ノズル２６１を基板Ｗの主面上方の一端側から他端側に向けて移動させつて該基板Ｗに現像停止液としてリンス液を供給し、この後、再度リンス液供給ノズル２６１を基板Ｗの主面上方に移動させて洗浄液としてリンス液を供給させる動作制御を行う。
【００７９】
このように構成された基板処理装置の動作について、図７を参照して説明する。
【００８０】
まず、初期待機状態では、図７（ａ）に示すように、基板Ｗが基板保持部１０に静止状態で水平姿勢に支持されている。また、現像液供給ノズル２２１，リンス液供給ノズル２６１が、基板Ｗの一端側（走査方向Ａの上流側）に位置している。
【００８１】
基板処理開始後、はじめに、図７（ｂ）に示すように、現像液供給ノズル２２１がリンス液供給ノズル２６１と共に、基板Ｗの主面上方を、走査方向Ａに、即ち、基板Ｗの一端側から他端側に向けて移動する。現像液供給ノズル２２１が基板Ｗの主面上方を移動する際、該現像液供給ノズル２２１から現像液が吐出され、現像液が基板Ｗの主面全体に供給され、基板Ｗの主面において現像がなされる。
【００８２】
この後、現像液供給ノズル２２１及びリンス液供給ノズル２６１は、図７（ｃ）に示すように、走査方向Ａと逆方向に、即ち、基板Ｗの他端側（走査方向Ａの下流側）から基板Ｗの一端側（走査方向Ａの上流側）に移動する。
【００８３】
そして、基板Ｗにおける現像反応に必要な所定時間が経過するタイミングに合わせて、図７（ｄ）に示すように、リンス液供給ノズル２６１が現像液供給ノズル２２１と共に、基板Ｗの主面上方を走査方向Ａに、即ち、基板Ｗの一端側から他端側に向けて移動する。この際のリンス液供給ノズル２６１の移動速度は、図７（ｂ）における現像液供給ノズル２２１の移動速度と実質的に同じに設定される。また、リンス液の供給量は、現像を停止させるのに十分な量であり、比較的少な目の量だけ供給される。これにより、基板Ｗの主面全体において現像時間をほぼ同じにして、基板Ｗにおける現像を停止させることができる。この後、現像液供給ノズル２２１及びリンス液供給ノズル２６１は、一旦走査方向Ａの下流側に位置（図７（ｅ）に２点鎖線で示す位置参照）する。
【００８４】
この後、図７（ｅ）に示すように、リンス液供給ノズル２６１が現像液供給ノズル２２１と共に、基板Ｗの主面上方を、走査方向Ａの逆方向に、即ち、基板Ｗが支持される位置の他端側から一端側に向けて移動する。リンス液供給ノズル２６１が基板Ｗの主面上方を通過する際、該リンス液供給ノズル２６１から洗浄液としてリンス液が吐出されると共に、基板Ｗが回転する。こうして、回転する基板Ｗの主面全体に洗浄液が供給され、パーティクル除去に十分な洗浄がなされる。
【００８５】
最後に、図７（ｆ）に示すように、現像液供給ノズル２２１及びリンス液供給ノズル２６１が基板Ｗの一端側（走査方向Ａの上流側）に位置して、一連の動作が終了する。
【００８６】
以上のように構成された基板処理装置によると、上記第１及び第２の実施の形態において得られたのと同様の効果に加えて、ノズル移動機構２７２が、現像液供給ノズル２２１と共にリンス液供給ノズル２６１を移動させるため、各ノズル２６１，２２１を移動させるための構成が共通化されることとなり、全体構成の簡易化が図られる。
【００８７】
なお、この実施の形態において、現像液供給ノズル２２１とリンス液供給ノズル２６１とが単一の構成部材とされた構成、即ち、単一のノズルに現像液吐出口とリンス液吐出口が形成された構成であってもよい。
【００８８】
｛その他変形例｝
以上、本発明の各実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。
【００８９】
例えば、基板Ｗを洗浄する際における洗浄液供給ノズル４１やリンス液供給ノズル１６１，２６１の移動方向は、走査方向Ａの順方向であってもよいし、又はその逆方向であってもよい。
【００９０】
また、洗浄具合に応じて、それら洗浄液供給ノズル４１やリンス液供給ノズル１６１，２６１を、洗浄液を吐出させつつ、基板Ｗの主面上方を複数回通過移動させて、より十分な洗浄を行うようにしてもよい。
【００９１】
【発明の効果】
以上のように構成された請求項１〜請求項５記載の基板処理装置によると、現像停止液を供給した後、基板に洗浄液が供給されるため、現像停止液供給後の基板を十分に洗浄することができる。
【００９３】
また、請求項１記載の基板処理装置によると、リンス液供給ノズルとリンス液供給ノズル移動手段とを共有する構成とされているため、その構成の簡易化が図られる。
【００９４】
また、基板径寸法と実質的に同寸法又はそれ以上の幅寸法の吐出口を有するリンス液供給ノズルが、基板が保持される位置の一端側から他端側の逆に移動しつつ、洗浄液を供給することになるため、基板の主面全体に大量の洗浄液を低衝撃で供給でき、パターンの倒壊等を防止できる。
【００９５】
また、請求項２記載の基板処理装置によると、リンス液供給ノズル移動手段は、リンス液供給ノズルと共に現像液供給ノズルを移動させるノズル移動手段として機能するため、各ノズルを移動させるための構成が共通化されることとなり、全体構成の簡易化が図られる。
【００９６】
さらに、請求項４記載の基板処理装置によると、基板への洗浄液供給中に、基板が回転されるため、洗浄効果が向上する。
【００９７】
また、請求項５記載の基板処理装置によると、基板への洗浄液の供給量は、基板への現像停止液の供給量よりも多いため、より十分な洗浄を行える。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図３】第１の実施の形態に係る基板処理装置の動作を示す概略工程図である。
【図４】この発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【図５】同上の基板処理装置の動作を示す概略工程図である。
【図６】この発明の第３の実施の形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【図７】同上の基板処理装置の動作を示す概略工程図である。
【符号の説明】
１０基板保持部
２０現像液供給手段
２１現像液供給ノズル
２１ａ吐出口
２２現像液供給ノズル移動機構
３０現像停止液供給手段
３１現像停止液供給ノズル
３１ａ吐出口
３２現像停止液供給ノズル移動機構
４０洗浄液供給手段
４１洗浄液供給ノズル
４１ａ吐出口
４２洗浄液供給ノズル移動機構
５０制御部
１５０制御部
１６０リンス液供給手段
１６１リンス液供給ノズル
１６２リンス液供給ノズル移動機構
２２１現像液供給ノズル
２５０制御部
２７０処理液供給手段
２７２ノズル移動機構[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing development processing on a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display panel, or a glass substrate for a plasma display panel.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, as this type of substrate processing apparatus, there is one disclosed in JP-A-10-20508.
[0003]
In the substrate processing apparatus disclosed in the publication, the developing solution supply nozzle is moved from one end side to the other end side of the substrate to supply the developing solution to the entire upper surface of the substrate. Is moved from one end side to the other end side of the substrate at the same speed as the moving speed of the developer supply nozzle, so that the rinsing liquid is supplied to the entire upper surface of the substrate to stop development on the upper surface of the substrate.
[0004]
According to this substrate processing apparatus, since the development time can be made substantially the same over the entire upper surface of the substrate, uneven development can be prevented, and the line width uniformity of the resist pattern after development can be improved.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the above-described substrate processing apparatus, supply is performed so that the rinsing liquid is supplied only to the substrate portion corresponding to the moving position at any time during the movement of the rinsing liquid supply nozzle so that the development time is substantially the same over the entire upper surface of the substrate. The amount of rinsing is supplied.
[0006]
For this reason, the cleaning effect with respect to the substrate is insufficient, and particles such as a dissolved product resulting from the development process remain on the substrate, resulting in a decrease in product yield and the like.
[0007]
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can sufficiently clean a substrate after the development stop solution is supplied.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
[0009]
In order to solve the above-mentioned problem, a substrate processing apparatus according to claim 1, A substrate holding means for holding the substrate, a developer supply means for supplying a developer from one end side to the other end side of the main surface of the substrate held by the substrate holding means, and a developing solution is supplied to the main surface of the substrate After that, a development stop liquid supply means for supplying a development stop liquid from one end side to the other end side of the substrate main surface, a cleaning liquid supply means for supplying a cleaning liquid to the main surface of the substrate, and a development stop liquid on the substrate. Control means for supplying a cleaning liquid from the cleaning liquid supply means to the main surface of the substrate after being supplied, wherein the development stop liquid supply means and the cleaning liquid supply means are substantially the same as the substrate diameter. Alternatively, the rinsing liquid supply nozzle having a discharge port having a width larger than that, and the rinsing liquid supply nozzle from one end side to the other end side of the position where the substrate is held by the substrate holding means and in the opposite direction. To move towards The control unit is configured to share the rinse liquid supply nozzle moving unit, and the control unit is configured to share one end side of the main surface of the substrate held by the substrate holding unit after the developer is supplied to the substrate. The rinsing liquid is supplied from the rinsing liquid supply nozzle as a developing stop liquid while moving toward the other end side, and then the rinsing liquid supply nozzle is moved to one end side where the substrate is held by the substrate holding means. From the other end Reverse of side The rinsing liquid is supplied as a cleaning liquid from the rinsing liquid supply nozzle.
[0011]
Further, as described in claim 2, The developer supply means has a developer supply nozzle having a discharge port having a width dimension substantially the same as or larger than the substrate diameter dimension, and the rinse liquid supply nozzle moving means together with the rinse liquid supply nozzle It may function as a nozzle moving means for moving the developer supply nozzle, Claim 3 As described, the developer supply means is formed separately from the rinse liquid supply nozzle, and has a discharge port having a width dimension substantially the same as or larger than the rinse liquid substrate diameter. The apparatus may include a supply nozzle and a developer supply nozzle moving unit that moves the developer supply nozzle from one end side to the other end side of the substrate main surface held by the substrate holding unit. .
[0012]
Also, Claim 4 As described, it may further comprise a rotating means for rotating the substrate held by the substrate holding means, and the control means may rotate the substrate during the supply of the cleaning liquid to the substrate.
[0013]
further, Claim 5 As described, the supply amount of the cleaning liquid to the substrate may be larger than the supply amount of the development stop solution to the substrate.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below.
[0015]
The schematic configuration of the present invention will be described. In this substrate processing apparatus, after supplying the developer from one end side to the other end side of the main surface of the substrate, the developing time is almost the same on the entire main surface of the substrate. Then, a development stop solution is supplied from one end side to the other end side of the main surface of the substrate, and then a cleaning solution is supplied to the substrate.
[0016]
{First embodiment}
In the first embodiment, a substrate processing apparatus will be described in which a means for supplying a developing solution, a means for supplying a developing stop solution, and a means for supplying a cleaning liquid are separately configured.
[0017]
FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II in FIG.
[0018]
This substrate processing apparatus is an apparatus that supplies a developing solution to a substrate W after exposure and performs a developing process. The substrate processing apparatus 10 supplies a developing solution to the substrate holding unit 10 that holds the substrate W and the main surface of the substrate W. The developer supply means 20, the development stop liquid supply means 30 for supplying the development stop liquid to the main surface of the substrate W, the cleaning liquid supply means 40 for supplying the cleaning liquid to the main surface of the substrate W, and the overall operation control of the apparatus. The control part 50 to perform is provided.
[0019]
The substrate holding unit 10 holds the substrate W in a substantially horizontal posture. Specifically, the substrate holding unit 10 includes a rotation shaft 11 disposed in a substantially vertical position at a substantially central portion of the apparatus body 5 and a turntable 12 fixed to the upper end portion of the rotation shaft. Yes. The turntable 12 is configured to be able to suck and hold the substrate W in a substantially horizontal posture. Further, the lower end portion of the rotating shaft 11 is connected to a spin motor 13 which is a rotating means, and the rotation of the spin motor 13 is transmitted to the turntable 12 via the rotating shaft 11. As a result, the substrate W can be rotated in the horizontal plane with the vertical axis as the rotation axis. The turntable 12 is not limited to the configuration for holding the substrate W by suction, and may be configured to grip the peripheral edge of the substrate W.
[0020]
A circular inner cup 6 is provided around the substrate holding portion 10 so as to surround the substrate W, and a substantially rectangular outer cup 7 is provided around the outer periphery of the inner cup 6. In addition, standby pots 8 are provided on both sides of the outer cup 7.
[0021]
The developer supply means 20 supplies the developer from one end side to the other end side of the main surface of the substrate W. Specifically, the developer supply means 20 includes a developer supply nozzle 21, a developer supply nozzle moving mechanism 22, and a developer supply system mechanism 26.
[0022]
The developer supply system mechanism 26 includes a developer supply source and an opening / closing valve (both not shown), and the developer from the developer supply source is developed at a predetermined timing, which will be described later, according to the opening / closing timing of the opening / closing valve. It is configured to be supplied to the liquid supply nozzle 21.
[0023]
The developer supply nozzle 21 has a slit-like discharge port 21a having a width dimension substantially the same as the diameter dimension of the substrate W (see FIG. 2). The developer supplied from the developer supply system mechanism 26 is configured to be discharged from the entire width of the discharge port 21a. In addition, the width dimension of the discharge port may be larger than the width dimension of the substrate W.
[0024]
The developer supply nozzle moving mechanism 22 includes a guide rail 23, a horizontal drive unit 24, and a support arm unit 25. The guide rail 23 is laid along the horizontal direction on the upper surface side of the apparatus body 5 and on the side of the substrate holder 10. The horizontal drive unit 24 is configured to be horizontally movable along the guide rail 23 in a predetermined scanning direction A and the opposite direction. The support arm unit 25 is supported in a cantilever manner by the horizontal driving unit 24 so as to extend to the substrate holding unit 10 side, and the developer supply nozzle 21 is orthogonal to the scanning direction A on the free end side thereof. It is supported in a substantially horizontal posture along the direction.
[0025]
The developer supply nozzle 21 can be moved above the main surface of the substrate W from one end side to the other end side by driving the horizontal drive unit 24. When the developer supply nozzle 21 moves above the substrate W, the developer is discharged from the developer supply nozzle 21 so that the developer is supplied to the entire main surface of the substrate W.
[0026]
The development stop liquid supply means 30 supplies a development stop liquid from one end side to the other end side of the main surface of the substrate W.
[0027]
Specifically, the development stop solution supply means 30 includes a development stop solution supply nozzle 31, a development stop solution supply nozzle moving mechanism 32, and a development stop solution supply system mechanism 36, and the developer supply means 20. The development stop solution is supplied by the same configuration and operation as in FIG.
[0028]
The development stop liquid supply system mechanism 36 is configured similarly to the developer supply system mechanism 26 and supplies a development stop liquid at a predetermined timing described later. From the development stop liquid supply system mechanism 36, a liquid for stopping development by the developer on the substrate W is supplied. Usually, the development is stopped by supplying a rinse liquid (pure water) in an amount sufficient to dilute the developer on the substrate W and stop the development reaction.
[0029]
The development stop liquid supply nozzle 31 has a slit-like discharge port 31a having a width dimension substantially the same as the diameter dimension of the substrate W. The width dimension of the discharge port 31a may be larger than the diameter dimension of the substrate W.
[0030]
The development stop liquid supply nozzle moving mechanism 32 has the same configuration as the developer supply nozzle moving mechanism 22, that is, corresponds to the horizontal drive section 34 corresponding to the horizontal drive section 24 and the support arm section 25. And a support arm portion 35 for carrying out the operation.
[0031]
Then, when the development stop solution supply nozzle 31 moves above the substrate W by driving the horizontal drive unit 34, the development stop solution is discharged from the development stop solution supply nozzle 31, thereby developing the entire main surface of the substrate W. Liquid will be supplied.
[0032]
The cleaning liquid supply unit 40 supplies the cleaning liquid to the main surface of the substrate W.
[0033]
Specifically, the cleaning liquid supply means 40 includes a cleaning liquid supply nozzle 41, a cleaning liquid supply nozzle moving mechanism 42, and a cleaning liquid supply system mechanism 46. The cleaning liquid supply means 40 has the same configuration and operation as the developer supply means 20. Supply.
[0034]
The cleaning liquid supply system mechanism 46 supplies a cleaning liquid at a predetermined timing, which will be described later, with the same configuration as the developer supply system mechanism 26. From this cleaning liquid supply system mechanism 46, a liquid that can be sufficiently cleaned by washing away particles and the like on the substrate W is supplied. Usually, cleaning is performed by supplying a rinse solution (pure water). In order to enhance the cleaning effect, it is preferable to supply a larger amount than the amount supplied for stopping the development.
[0035]
The cleaning liquid supply nozzle 41 has a slit-like discharge port 41 a having a width dimension substantially the same as the diameter dimension of the substrate W. The width dimension of the discharge port 41a may be larger than the diameter dimension of the substrate W.
[0036]
The cleaning liquid supply nozzle moving mechanism 42 has the same configuration as that of the developer supply nozzle moving mechanism 22, that is, a horizontal driving unit 44 corresponding to the horizontal driving unit 24 and a support corresponding to the support arm unit 25. Arm portion 45.
[0037]
Then, when the cleaning liquid supply nozzle 41 moves above the substrate W by driving the horizontal driving unit 44, the cleaning liquid is discharged from the cleaning liquid supply nozzle 41, whereby the cleaning liquid is supplied to the entire main surface of the substrate W. Become.
[0038]
In the initial standby state of the substrate processing apparatus, the developer supply nozzle 21, the development stop solution supply nozzle 31, and the cleaning solution supply nozzle 41 are arranged in this order in the predetermined scanning direction A. The developer supply nozzle 21, the development stop solution supply nozzle 31, and the cleaning solution supply nozzle 41 are configured to be able to pass over the substrate W in that order.
[0039]
Further, in the present embodiment, the developer supply nozzle moving mechanism 22, the development stop liquid supply nozzle moving mechanism 32, and the cleaning liquid supply nozzle moving mechanism 42 are configured to move on the common guide rail 23. It may move along completely different guide members, and its moving mechanism is not limited to the above.
[0040]
The control unit 50 controls the entire apparatus, and includes a CPU, a ROM, a RAM, and the like, and is configured by a general microcomputer that performs a predetermined arithmetic operation using a software program stored in advance.
[0041]
The control unit 50 controls a series of operations described below. At least after the development stop solution is supplied to the substrate W, the cleaning solution is supplied from the cleaning solution supply means 40 to the main surface of the substrate W. Perform motion control.
[0042]
Next, the operation of the substrate processing apparatus will be described with reference to FIG.
[0043]
In the initial standby state, as shown in FIG. 3A, the substrate W is supported by the substrate holder 10 in a horizontal posture in a stationary state. Further, the developer supply nozzle 21, the development stop solution supply nozzle 31, and the cleaning solution supply nozzle 41 are located on one end side (upstream side in the scanning direction A) of the substrate W.
[0044]
After the start of processing, first, as shown in FIG. 3B, the developer supply nozzle 21 moves in the scanning direction A, that is, from one end side to the other end side of the substrate W, over the main surface of the substrate W. . When the developing solution supply nozzle 21 moves above the main surface of the substrate W, the developing solution is discharged from the developing solution supply nozzle 21, and the developing solution is supplied to the entire main surface of the substrate W. Thereby, development is performed on the main surface of the substrate W.
[0045]
After the developer supply nozzle 21 has passed over the main surface of the substrate W, as shown in FIG. 3C, the development stop solution supply nozzle is aligned with the timing at which a predetermined time required for the development reaction on the substrate W elapses. 31 moves above the main surface of the substrate W in the scanning direction A, that is, from one end side to the other end side of the substrate W. Note that the moving speed of the developing solution supply nozzle 31 is substantially the same as the moving speed of the developer supply nozzle 21. When the development stop liquid supply nozzle 31 passes over the main surface of the substrate W, the development stop liquid is discharged from the development stop liquid supply nozzle 31, and the development stop liquid is supplied to the entire main surface of the substrate W. Development in W stops.
[0046]
Accordingly, the development stop solution is supplied on the main surface of the substrate W in the same manner as the mode (supply direction and supply speed) in which the developer is supplied, and the development time is made substantially the same on the entire main surface of the substrate W. Can do.
[0047]
After the development stop liquid supply nozzle 31 passes over the main surface of the substrate W, as shown in FIG. 3D, the cleaning liquid supply nozzle 41 passes over the main surface of the substrate W in the scanning direction A, that is, the substrate W It moves from one end side to the other end side of the held position. When the development stop liquid supply nozzle 31 passes above the main surface of the substrate W, the development stop liquid is discharged from the development stop liquid supply nozzle 31 and the substrate W rotates. In this way, the cleaning liquid is supplied to the entire main surface of the rotating substrate W, and cleaning sufficient for particle removal is performed.
[0048]
Finally, as shown in FIG. 3E, the developer supply nozzle 21, the development stop solution supply nozzle 31, and the cleaning solution supply nozzle 41 are located on the other end side (downstream in the scanning direction A) of the substrate W. The series of operations ends.
[0049]
According to the substrate processing apparatus configured as described above, after the development stop solution is supplied and development on the substrate W is stopped, the cleaning solution is further supplied to the substrate W. Therefore, the substrate W after the development stop solution is supplied. Can be thoroughly washed.
[0050]
In addition, the cleaning liquid supply nozzle 41 having a discharge port 41a having substantially the same size as the substrate diameter is supplied from one end side to the other end side of the position where the substrate W is held to supply the cleaning liquid. Therefore, the cleaning liquid is not concentrated and supplied locally on the substrate W. Accordingly, a large amount of the cleaning liquid can be supplied to the entire main surface of the substrate W with low impact, and the collapse of the fine pattern can be prevented. .
[0051]
Furthermore, since the substrate W is rotating during the supply of the cleaning liquid to the substrate W, the cleaning effect is further improved.
[0052]
{Second Embodiment}
In the second embodiment, the means for supplying the developing stop liquid and the means for supplying the cleaning liquid share the rinsing liquid supply means, and the rinsing liquid supply means and the developer supply means A configuration moved by another mechanism will be described. In this description, the same components as those in the substrate processing apparatus according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, description thereof is omitted, and differences will be mainly described.
[0053]
FIG. 4 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention.
[0054]
This substrate processing apparatus includes a rinsing liquid supply means 160 in place of the development stop liquid supply means 30 and the cleaning liquid supply means 40 in the substrate processing apparatus according to the first embodiment.
[0055]
The rinsing liquid supply means 160 includes a rinsing liquid supply nozzle 161, a rinsing liquid supply nozzle moving mechanism 162, and a rinsing liquid supply system mechanism 166.
[0056]
The rinsing liquid supply system mechanism 166 supplies the rinsing liquid at a predetermined timing, which will be described later, with the same configuration as the developer supply system mechanism 26 described in the first embodiment. The supply amount of the rinse liquid is also adjusted by adjusting the opening of the valve.
[0057]
When the rinsing liquid supply means 160 functions as the development stop liquid supply means, usually, an amount of rinsing liquid (pure water) that is sufficient to dilute the development liquid on the substrate W and stop the development reaction. Supply. Further, when the rinsing liquid supply means functions as the cleaning liquid supply means, a rinsing liquid (pure water) is supplied as the cleaning liquid. The rinsing liquid supply amount at the time of cleaning is preferably supplied in a larger amount than the amount supplied for stopping the development in order to enhance the cleaning effect.
[0058]
The rinse liquid supply nozzle 161 has a slit-like discharge port (not shown) having a width dimension substantially the same as the diameter dimension of the substrate W. The width dimension of the discharge port may be larger than the diameter dimension of the substrate W.
[0059]
The rinse liquid supply nozzle moving mechanism 162 has the same configuration as the developer supply nozzle moving mechanism 22 described in the first embodiment, that is, a horizontal driving unit 164 corresponding to the horizontal driving unit 24, and And a support arm portion 165 corresponding to the support arm portion 25.
[0060]
Then, when the rinsing liquid supply nozzle 161 moves above the substrate W by driving the horizontal driving unit 164, the rinsing liquid from the rinsing liquid supply nozzle 161 is applied to the entire main surface of the substrate W as a development stop liquid or a cleaning liquid. Will be supplied.
[0061]
In the present embodiment, the developer supply nozzle moving mechanism 22 and the rinsing liquid supply nozzle moving mechanism 162 are configured to move on the common guide rail 23, but in this case, they are along completely different guide members. It may be moved, and its moving mechanism is not limited to the above.
[0062]
In this substrate processing apparatus, the control unit 150 controls a series of operations described below. At least after the developer is supplied to the substrate W, the substrate W is supplied from the rinse solution supply nozzle 161. Then, an operation of supplying a rinse liquid as a developing stop liquid and an operation of supplying a rinse liquid as a cleaning liquid from the rinse liquid supply nozzle 161 to the substrate W are controlled.
[0063]
The operation of the substrate processing apparatus configured as described above will be described with reference to FIG.
[0064]
First, in the initial standby state, as shown in FIG. 5A, the substrate W is supported by the substrate holder 10 in a horizontal posture in a stationary state. Further, the developer supply nozzle 21 and the rinse liquid supply nozzle 161 are located on one end side (upstream side in the scanning direction A) of the substrate W.
[0065]
After the substrate processing is started, first, the developer is supplied from the developer supply nozzle 21 to the entire main surface of the substrate W as shown in FIG. This operation is the same as in FIG.
[0066]
After the developer supply nozzle 21 passes over the main surface of the substrate W, when a predetermined time necessary for the development reaction on the substrate W elapses, the rinse solution supply nozzle 161 moves to the substrate W as shown in FIG. The upper surface moves in the scanning direction A, that is, from one end side of the substrate W to the other end side. At this time, the moving speed of the rinsing liquid supply nozzle 161 is set to be substantially the same as the moving speed of the developer supply nozzle 21. The rinsing liquid is supplied in a relatively small amount sufficient to stop the development. Thereby, the development time on the entire main surface of the substrate W can be made substantially the same, and the development on the substrate W can be stopped. Thereafter, the rinsing liquid supply nozzle 161 is temporarily positioned downstream in the scanning direction A (see the position indicated by the two-dot chain line in FIG. 5C).
[0067]
Thereafter, as shown in FIG. 5 (d), the rinsing liquid supply nozzle 161 is moved upward from the main surface of the substrate W in the direction opposite to the scanning direction A, that is, from the other end side of the position where the substrate W is supported. Move towards the side. When the rinsing liquid supply nozzle 161 passes above the main surface of the substrate W, the rinsing liquid is discharged from the rinsing liquid supply nozzle 161 as a cleaning liquid, and the substrate W rotates. In this way, the cleaning liquid is supplied to the entire main surface of the rotating substrate W, and cleaning sufficient for particle removal is performed.
[0068]
Finally, as shown in FIG. 5E, the developer supply nozzle 21 is located on the other end side (downstream side in the scanning direction A) of the substrate W, and the rinse solution supply nozzle 161 is positioned on one end side of the substrate W ( A series of operations are completed at the upstream side in the scanning direction A).
[0069]
According to the substrate processing apparatus configured as described above, in addition to the same effects as those obtained in the first embodiment, the development stop liquid supply means and the cleaning liquid supply means include the rinse liquid supply nozzle 161. And the rinsing liquid supply nozzle moving mechanism 162 are shared, the configuration can be simplified.
[0070]
{Third embodiment}
In the third embodiment, the means for supplying the development stop liquid and the means for supplying the cleaning liquid share the rinse liquid supply means, and the rinse liquid supply nozzle according to the rinse liquid supply means A configuration in which the developer supply nozzle related to the developer supply means is moved by the same mechanism will be described. In this description, the same components as those in the substrate processing apparatus according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, description thereof is omitted, and differences will be mainly described.
[0071]
FIG. 6 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention.
[0072]
This substrate processing apparatus has a processing liquid supply means 270 in place of the developer supply means 20, the development stop liquid supply means 30 and the cleaning liquid supply means 40 in the substrate processing apparatus according to the first embodiment. .
[0073]
The processing liquid supply means 270 includes a developer supply nozzle 221 and a developer supply system mechanism 226 as mechanisms related to the developer supply, and a rinse liquid supply nozzle 261 and a rinse liquid supply system mechanism 266 as the mechanisms related to the rinse liquid supply. And a single nozzle moving mechanism 272.
[0074]
The developer supply nozzle 221 has the same configuration as the developer supply nozzle 21 described in the first embodiment, and the developer supply system mechanism 226 has the developer described in the first embodiment. With the same configuration as the supply system mechanism 26, the developer can be supplied to the developer supply nozzle 221 at a predetermined timing.
[0075]
The rinsing liquid supply nozzle 261 has the same configuration as the rinsing liquid supply nozzle 161 described in the second embodiment, and the rinsing liquid supply system mechanism 266 includes the rinsing liquid described in the second embodiment. With the same configuration as the supply system mechanism 166, a predetermined amount of the rinsing liquid can be supplied as a developing stop liquid or a predetermined amount as a cleaning liquid at a predetermined timing. The rinsing liquid supply amount at the time of cleaning is preferably supplied in a larger amount than the amount supplied for stopping development in order to enhance the cleaning effect.
[0076]
The nozzle moving mechanism 272 has the same configuration as the developer supply nozzle moving mechanism 22, and includes a horizontal driving unit 274 corresponding to the horizontal driving unit 24 and two supporting arms corresponding to the supporting arm unit 25. Parts 275 and 276. Of the support arm portions 275 and 276, the support arm portion 275 on the downstream side in the scanning direction A supports the developer supply nozzle 221 in a substantially horizontal posture along a direction orthogonal to the scanning direction A, and scans. The rinsing liquid supply nozzle 261 is supported in a substantially horizontal posture along a direction orthogonal to the scanning direction A on the support arm portion 276 on the upstream side in the direction A.
[0077]
When the developer supply nozzle 221 moves above the substrate W by driving the horizontal driving unit 274, the developer is supplied from the developer supply nozzle 221 to the substrate W, or the rinse solution supply nozzle 261 When moving over the substrate W, the rinse liquid is supplied from the rinse liquid supply nozzle 261 to the entire main surface of the substrate W as a development stop liquid or as a cleaning liquid.
[0078]
In the substrate processing apparatus, the control unit 250 controls a series of operations described below, and at least the developer supply nozzle 221 is moved from one end side to the other end side above the main surface of the substrate W. After the developing solution is supplied to the substrate W, the rinsing solution supply nozzle 261 is moved from one end side above the main surface of the substrate W toward the other end side, and development on the substrate W is stopped. The rinsing liquid is supplied as the liquid, and thereafter, the rinsing liquid supply nozzle 261 is moved again above the main surface of the substrate W to perform operation control for supplying the rinsing liquid as the cleaning liquid.
[0079]
The operation of the substrate processing apparatus configured as described above will be described with reference to FIG.
[0080]
First, in the initial standby state, as shown in FIG. 7A, the substrate W is supported by the substrate holder 10 in a horizontal posture in a stationary state. Further, the developing solution supply nozzle 221 and the rinse solution supply nozzle 261 are located on one end side (upstream side in the scanning direction A) of the substrate W.
[0081]
After the substrate processing is started, first, as shown in FIG. 7B, the developer supply nozzle 221 and the rinse liquid supply nozzle 261 together with the rinse liquid supply nozzle 261 are arranged above the main surface of the substrate W in the scanning direction A, that is, one end side of the substrate W. Move toward the other end. When the developing solution supply nozzle 221 moves above the main surface of the substrate W, the developing solution is discharged from the developing solution supply nozzle 221, the developing solution is supplied to the entire main surface of the substrate W, and development is performed on the main surface of the substrate W. Is made.
[0082]
Thereafter, as shown in FIG. 7C, the developer supply nozzle 221 and the rinsing liquid supply nozzle 261 are arranged in the direction opposite to the scanning direction A, that is, the other end side of the substrate W (downstream side in the scanning direction A). To one end of the substrate W (upstream in the scanning direction A).
[0083]
Then, in accordance with the timing at which a predetermined time required for the development reaction on the substrate W elapses, the rinse liquid supply nozzle 261 and the developer supply nozzle 221 move over the main surface of the substrate W as shown in FIG. It moves in the scanning direction A, that is, from one end side to the other end side of the substrate W. The moving speed of the rinsing liquid supply nozzle 261 at this time is set to be substantially the same as the moving speed of the developer supply nozzle 221 in FIG. Further, the supply amount of the rinsing liquid is an amount sufficient to stop the development, and a relatively small amount is supplied. Thereby, the development time on the entire main surface of the substrate W can be made substantially the same, and the development on the substrate W can be stopped. Thereafter, the developing solution supply nozzle 221 and the rinsing solution supply nozzle 261 are once positioned on the downstream side in the scanning direction A (see the position indicated by the two-dot chain line in FIG. 7E).
[0084]
Thereafter, as shown in FIG. 7E, the rinsing liquid supply nozzle 261 and the developer supply nozzle 221 are supported above the main surface of the substrate W in the direction opposite to the scanning direction A, that is, the substrate W. It moves from the other end side of the position toward one end side. When the rinsing liquid supply nozzle 261 passes over the main surface of the substrate W, the rinsing liquid is discharged from the rinsing liquid supply nozzle 261 as a cleaning liquid, and the substrate W rotates. In this way, the cleaning liquid is supplied to the entire main surface of the rotating substrate W, and cleaning sufficient for particle removal is performed.
[0085]
Finally, as shown in FIG. 7F, the developer supply nozzle 221 and the rinse liquid supply nozzle 261 are positioned on one end side (upstream side in the scanning direction A) of the substrate W, and the series of operations is completed.
[0086]
According to the substrate processing apparatus configured as described above, in addition to the same effects as those obtained in the first and second embodiments, the nozzle moving mechanism 272 and the developer supply nozzle 221 together with the rinse liquid Since the supply nozzle 261 is moved, the configuration for moving the nozzles 261 and 221 is made common, and the overall configuration is simplified.
[0087]
In this embodiment, the developer supply nozzle 221 and the rinse liquid supply nozzle 261 are configured as a single component, that is, the developer discharge port and the rinse liquid discharge port are formed in a single nozzle. It may be a configuration.
[0088]
{Other variations}
As mentioned above, although each embodiment of this invention was described, this invention is not limited to said example.
[0089]
For example, the movement direction of the cleaning liquid supply nozzle 41 and the rinsing liquid supply nozzles 161 and 261 when cleaning the substrate W may be the forward direction of the scanning direction A or the opposite direction.
[0090]
Further, according to the cleaning condition, the cleaning liquid supply nozzle 41 and the rinsing liquid supply nozzles 161 and 261 are moved through the main surface of the substrate W a plurality of times while discharging the cleaning liquid so as to perform more sufficient cleaning. It may be.
[0091]
【The invention's effect】
Claims 1 configured as described above Claim 5 According to the described substrate processing apparatus, since the cleaning liquid is supplied to the substrate after the development stop solution is supplied, the substrate after the supply of the development stop solution can be sufficiently cleaned.
[0093]
Also, Claim 1 According to the described substrate processing apparatus, since the rinsing liquid supply nozzle and the rinsing liquid supply nozzle moving means are shared, the structure can be simplified.
[0094]
In addition, the rinsing liquid supply nozzle having a discharge port having a width dimension substantially the same as or larger than the substrate diameter is arranged from one end side to the other end of the position where the substrate is held. Reverse of side Since the cleaning liquid is supplied while moving, a large amount of the cleaning liquid can be supplied to the entire main surface of the substrate with low impact, and pattern collapse and the like can be prevented.
[0095]
Also, Claim 2 According to the described substrate processing apparatus, the rinsing liquid supply nozzle moving unit functions as a nozzle moving unit that moves the developing solution supply nozzle together with the rinsing liquid supply nozzle, so that the configuration for moving each nozzle is shared. Thus, the overall configuration can be simplified.
[0096]
further, Claim 4 According to the described substrate processing apparatus, since the substrate is rotated during the supply of the cleaning liquid to the substrate, the cleaning effect is improved.
[0097]
Also, Claim 5 According to the described substrate processing apparatus, since the supply amount of the cleaning liquid to the substrate is larger than the supply amount of the development stop liquid to the substrate, more sufficient cleaning can be performed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG.
FIG. 3 is a schematic process diagram showing an operation of the substrate processing apparatus according to the first embodiment.
FIG. 4 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a schematic process diagram showing the operation of the substrate processing apparatus of the above.
FIG. 6 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a schematic process diagram showing the operation of the substrate processing apparatus of the above.
[Explanation of symbols]
10 Substrate holder
20 Developer supply means
21 Developer supply nozzle
21a Discharge port
22 Developer supply nozzle moving mechanism
30 Development stop solution supply means
31 Development stop solution supply nozzle
31a Discharge port
32 Development stop liquid supply nozzle moving mechanism
40 Cleaning liquid supply means
41 Cleaning liquid supply nozzle
41a Discharge port
42 Cleaning liquid supply nozzle moving mechanism
50 Control unit
150 Control unit
160 Rinsing solution supply means
161 Rinse solution supply nozzle
162 Rinsing liquid supply nozzle moving mechanism
221 Developer supply nozzle
250 Control unit
270 Treatment liquid supply means
272 Nozzle movement mechanism

Claims

A substrate holding means for holding the substrate;
Developer supply means for supplying a developer from one end side to the other end side of the main surface of the substrate held by the substrate holding means;
A developing stop solution supplying means for supplying a developing stop solution from one end side to the other end side of the substrate main surface after the developer is supplied to the main surface of the substrate;
Cleaning liquid supply means for supplying a cleaning liquid to the main surface of the substrate;
Control means for supplying a cleaning liquid from the cleaning liquid supply means to the main surface of the substrate after the development stop liquid is supplied to the substrate;
The development stop liquid supply means and the cleaning liquid supply means are:
A rinse liquid supply nozzle having a discharge port having a width dimension substantially the same as or larger than the substrate diameter dimension, and the rinse liquid supply nozzle from one end side to the other end of the position where the substrate is held by the substrate holding means It is configured to share the rinsing liquid supply nozzle moving means that moves toward the side and in the opposite direction,
The control means includes
After the developing solution is supplied to the substrate, the rinsing solution supply nozzle is moved from one end side to the other end side of the main surface of the substrate held by the substrate holding means, and development is stopped from the rinsing solution supply nozzle. A rinsing liquid is supplied as a liquid, and then the rinsing liquid supply nozzle is moved from one end side of the position where the substrate is held by the substrate holding means toward the opposite side of the other end side. A substrate processing apparatus for supplying a rinsing liquid as a cleaning liquid.

The substrate processing apparatus according to claim 1,
  The developer supply means
  A developer supply nozzle having a discharge port having a width dimension substantially equal to or larger than the substrate diameter dimension;
  The rinsing liquid supply nozzle moving unit is a substrate processing apparatus that functions as a nozzle moving unit that moves the developer supply nozzle together with the rinsing liquid supply nozzle.

The substrate processing apparatus according to claim 1,
  The developer supply means
  A developer supply nozzle which is formed separately from the rinse liquid supply nozzle and has a discharge port having a width dimension substantially the same as or larger than the rinse liquid substrate diameter;
  A substrate processing apparatus comprising: a developer supply nozzle moving unit that moves the developer supply nozzle from one end side to the other end side of the main surface of the substrate held by the substrate holding unit.

A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3,
A rotating means for rotating the substrate held by the substrate holding means;
The substrate processing apparatus, wherein the control means rotates the substrate while supplying a cleaning liquid to the substrate.

A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein
A substrate processing apparatus, wherein a supply amount of a cleaning liquid to the substrate is larger than a supply amount of a development stop liquid to the substrate.