JP2003098975A

JP2003098975A - 電気光学装置及びその製造方法

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Publication number: JP2003098975A
Application number: JP2001289002A
Authority: JP
Inventors: Yoshimitsu Hayashi; 義光林
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2001-09-21
Filing date: 2001-09-21
Publication date: 2003-04-04
Anticipated expiration: 2021-09-21
Also published as: JP3747828B2

Abstract

(57)【要約】【課題】動作及び接続の安定性に優れた、特に、外部
からの信号が入力されるパッド（端子部）近傍の構造が
改善された電気光学装置及びその効率的かつ低コストな
製造方法を提供する。【解決手段】本発明の電気光学装置に用いられるパッ
ド２００は、基板２０１上のパッド（端子部）の形成領
域の、前記表示部側の端部を含む領域を除いた領域に形
成され、前記パッドに入出力される信号とは異なる信号
が入出力される金属配線と電気的に接続しない第１の金
属層２０２と、第１の金属層２０２の表面全体を覆うよ
うに形成された、第１のコンタクト孔２０５を備えた第
１の層間絶縁膜２０３と、第１の層間絶縁膜２０３の上
に形成されるとともに、第１のコンタクト孔２０５を介
して第１の金属層２０２と電気的に接続し、かつ表示部
と金属配線によって電気的に接続した第２の金属層２０
４と、第２の金属層２０２の上に、パッド（端子部）の
形成領域の全体を覆うように形成された透明電極２０６
とから構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学装置及び
その製造方法に関する。さらに詳しくは、動作及び接続
の安定性に優れた、特に、外部からの信号が入力される
パッド（端子部）近傍の構造が改善された電気光学装置
及びその効率的かつ低コストな製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電気光学装置は、液晶やＥＬ（エレクト
ロルミネッセンス）素子のような電気光学物質を保持す
る基板と、この電気光学物質に対して電圧を印加するた
めの電極とを備えた構成が一般的である。さらに、この
種の電気光学装置として、上記基板上の周縁に複数のパ
ッド（端子部）が形成されたものが知られている。この
ような構成の下、上記電極への印加電圧を指示する信号
（すなわち、表示画像に対応した信号）は、外部装置か
ら上記パッドを介して入力されるようになっている。

【０００３】図１９は、従来の電気光学装置の一例であ
る液晶表示装置の構成を示す平面図である。なお、図１
９においては、上記電極に与えられるべき駆動信号を生
成して出力する駆動回路（走査線駆動回路及びデータ線
駆動回路）が、基板の表面に直接形成された液晶表示装
置が示されている。図１９に示すように、液晶表示装置
１００は、アクティブマトリックス基板２０と対向基板
３０とがシール材４０を介して貼り合わされ、この一対
の基板間に液晶が封止された構成となっている。すなわ
ち、シール材４０に設けられた液晶注入口４１から液晶
が注入された後、この液晶注入口４１が封止材４２によ
って封止される。対向基板３０には、その全面にわたっ
て対向電極が形成されるとともに、表示に寄与し得る領
域以外の領域を遮光する遮光層３１が形成されている。
一方、アクティブマトリックス基板２０の面上には、複
数の走査線及びデータ線と、これらの各交差に対応して
設けられた画素電極及び薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と
が設けられている。また、アクティブマトリックス基板
２０は、対向基板３０から張り出した領域を有してお
り、この領域には、上記走査線に対して走査信号を出力
する走査線駆動回路２１１と、データ線に対してデータ
信号を出力するためのデータ線駆動回路２１２とが形成
されている。これらの駆動回路は、複数の引廻し配線２
１３を介して、アクティブマトリックス基板２０の縁辺
に沿って列をなす複数のパッド２１４の各々に接続され
ている。そして、アクティブマトリックス基板２０のパ
ッド２１４には、通常、異方性導電膜（ＡＣＦ）を用い
て、フレキシブルプリント基板（ＦｌｅｘｉｂｌｅＰ
ｒｉｎｔＣｉｒｃｕｉｔ；以下、「ＦＰＣ」と略称す
ることがある）の一方の縁端部が接合されるようになっ
ている。このような構成の下、走査線駆動回路２１１及
びデータ線駆動回路２１２は、外部装置からＦＰＣを介
してパッドに入力された信号に対応して走査信号又はデ
ータ信号をそれぞれ生成する。

【０００４】このような液晶表示装置に用いられるパッ
ドの一例として、図２０に示すように、ガラス基板１０
１の上に、第１の金属層１０２が形成され、層間絶縁膜
１０３を介して、層間絶縁膜１０３の上に第２の金属層
１０４が形成され、第１の金属層１０２と第２の金属層
１０４とは、コンタクト孔１０５によって電気的に接続
されている。また、最上層には透明電極１０６が形成さ
れるとともに、液晶表示装置１００の内部への配線は第
１の金属層１０２を用いて行われているものが提案され
ている（特許第０２５５５９８７号公報）。

【０００５】ここで、コンタクト孔１０５の形成位置に
関しては、例えば、図２１に示すように、通常、コンタ
クト孔１０５は、第１の金属層１０２及び第２の金属層
１０４が平面的に重なった領域における短辺側及び長辺
側のいずれにおいてもその周辺に沿って形成されてい
る。

【０００６】一方、パッドに接続されるＦＰＣは、図２
２（ａ）に示すように、略平行に配列された複数の金属
導線９１の周囲を絶縁性の合成樹脂層９２によって被覆
したものであり、可撓性を有する平板状の実装部品であ
る。ここで、図２２（ｂ）は、このＦＰＣ９のうちアク
ティブマトリックス基板と接合されるべき部分の近傍の
構成を示す断面図である。図２２（ｂ）に示すように、
ＦＰＣ９の縁端部においては、金属導線９１に対して一
方の側の合成樹脂層９２が剥離されるとともに、この合
成樹脂層９２に代えて異方性導電膜９３が貼着されてい
る。この異方性導電膜９３は、多数の導通粒子９３１が
分散された接着剤９３２からなる。この導通粒子９３１
としては、金属のメッキが施された樹脂製の粒子、又は
ニッケル等の金属や導電性樹脂材料等からなる粒子が用
いられる。

【０００７】また、図２３は、従来の電気光学装置の他
の例として液晶表示装置１１０の構成を示す平面図であ
る。図２３に示すように、この液晶表示装置１１０は、
走査線駆動回路２１１及びデータ線駆動回路２１２がア
クティブマトリックス基板２０上に形成されておらず、
これらの駆動回路が外部に設けられている点で、図２０
に示した液晶表示装置１００とは異なっている。このよ
うな液晶表示装置１１０のアクティブマトリックス基板
２０上には、走査線及びデータ線の本数と同数以上のパ
ッド２１５が設けられている。なお、図２３に示した液
晶表示装置１１０は、図１９に示した液晶表示装置１０
０と比較してパッド２１５の数が多いため、パッド２１
５同士の間隔が狭くなっている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２０
に示すように、上述した液晶表示装置１００のパッド部
においては（液晶表示装置１１０においても同様であ
る）、第１の金属層１０２で液晶表示装置１００の内部
の表示部（例えば、スイッチング素子）に配線する場
合、第１の金属層１０２と第２の金属層１０４とは、コ
ンタクトホール１０５を介して電気的に接続しているた
め、コンタクトホール１０５の部分における抵抗が大き
くなり、信号の乱れを生じ、適切な表示をすることがで
きないという問題があった。

【０００９】この場合、コンタクトホール１０５を形成
せずに、第２の金属層１０４を用いて、第２の金属層１
０４と液晶表示装置１００の内部の表示部（例えば、ス
イッチング素子）とを金属配線で電気的に接続する方法
もあるが、接続の際に発生する熱及び圧力による応力に
よって、金属配線や第２の金属層１０４にクラックが生
じ、断線を引起すという問題があった。

【００１０】また、近年における表示の高精細化及び高
解像度化の要請に伴い、特に、ＣＯＧ（チップオン
グラス）実装する端子の場合、コンタクトホール１０５
の形成位置によっては、接続不良を生じるという問題が
あった。この問題は、特に、ＣＯＧ実装する端子の場合
に顕著である。すなわち、コンタクトホールの形成位置
が、例えば、図２４に示すような、コンタクトホール１
０５が、第１の金属層１０２及び第２の金属層１０４が
平面的に重なった領域における短辺側及び長辺側のいず
れにおいてもその周辺に沿って形成されているような場
合、接続されるバンプ７０の下面の形状がその作製過程
における影響から、中央部が窪んだ形状を有するため、
中央部においては異方性導電膜の導通粒子９３１に圧力
が掛かりにくくなる。また、外周部においては、コンタ
クトホールに導通粒子９３１が入り込み、同様に圧力が
かかりにくくなるために、導通粒子９３１がつぶれ難
く、導通粒子９３１による確実な接続が困難であるとい
う問題があった。

【００１１】また、現在、主流となってきている、基板
の上に反射膜を形成する反射型又は半反射・半透過型の
液晶表示装置の場合、透明電極の上層側に第２の層間絶
縁膜を形成して、この第２の層間絶縁膜の上に、さらに
透明電極を形成する必要があり、透明電極のパターニン
グ工程が増加するという問題があった。

【００１２】本発明は、上述の問題に鑑みてなされたも
のであり、動作及び接続の安定性に優れた、特に、外部
からの信号が入力されるパッド（端子部）近傍の構造が
改善された電気光学装置及びその効率的かつ低コストな
製造方法を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の電気光学装置は、基板上の周縁に形成さ
れたパッド（端子部）を介して入力された信号に対応し
て表示部で画像を表示する電気光学装置であって、前記
パッドが、前記基板上の前記パッド（端子部）の形成領
域の、前記表示部側の端部を含む領域を除いた領域に形
成され、前記パッドに入出力される信号とは異なる信号
が入出力される金属配線と電気的に接続しない第１の金
属層と、前記第１の金属層の表面全体を覆うように形成
された、第１のコンタクト孔を備えた第１の層間絶縁膜
と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成されるとともに、
第１のコンタクト孔を介して前記第１の金属層と電気的
に接続し、かつ前記表示部と金属配線によって電気的に
接続した第２の金属層と、前記第２の金属層の上に、前
記パッド（端子部）の形成領域の全体を覆うように形成
された透明電極とから構成されてなることを特徴とす
る。

【００１４】このように第２の金属層によってパッドと
表示部とが金属配線によって電気的に接続されているた
め、第１の金属層によってパッドと表示部とが金属配線
によって電気的に接続される場合に比べ、第１のコンタ
クト孔部分が介在することがないので、回路における電
気抵抗を低減することができる。また、第１の金属層及
び第２の金属層の二層により形成されているため、ＣＯ
Ｇ実装時における圧力を緩和することができる。さら
に、第２の金属層が断線した場合であっても、第１の金
属層と第１のコンタクト孔を介して電気的に接続してい
るので、ショートカットにより、接続不良を生じること
がない。従って、装置の動作及び接続の安定性を向上す
ることができる。

【００１５】また、このような電気光学装置は、前記基
板が、アクティブマトリックス基板であり、かつ前記金
属配線が、マトリックス配線パターンであることが好ま
しい。

【００１６】このように構成することによって、動作及
び接続の安定性に優れるとともに安価な、アクティブマ
トリックス基板を備えた電気光学装置を提供することが
できる。

【００１７】また、このような電気光学装置は、前記第
１のコンタクト孔が、前記パッド（端子部）の前記第１
の金属層及び前記第２の金属層が平面的に重なった領域
における短辺側ではその周辺に沿って形成されるととも
に、長辺側では中央部に形成されてなるものであること
が好ましい。

【００１８】このように構成することによって、異方性
導電膜による接続時に、導通粒子に圧力が掛かり易く、
導通粒子による確実な接続が可能となる。

【００１９】また、本発明の電気光学装置は、基板上の
周縁に形成されたパッド（端子部）を介して入力された
信号に対応して表示部で画像を表示する電気光学装置で
あって、前記パッドが、前記基板上の前記パッド（端子
部）の形成領域の、前記表示部側の端部を含む領域を除
いた領域に形成され、前記パッドに入出力される信号と
は異なる信号が入出力される金属配線と電気的に接続し
ない第１の金属層と、前記第１の金属層の表面全体を覆
うように形成された、第１のコンタクト孔を備えた第１
の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成され
るとともに、第１のコンタクト孔を介して前記第１の金
属層と電気的に接続し、かつ前記表示部と金属配線によ
って電気的に接続した第２の金属層と、前記第２の金属
層の表面の前記表示部側の端部を含む領域上に形成され
た第２の層間絶縁膜と、前記第２の金属層の上及び前記
第２の層間絶縁膜の前記表示部側の端部を含む領域上に
形成された、第２のコンタクト孔を備えた第３の層間絶
縁膜と、前記第３の層間絶縁膜の上に、前記パッド（端
子部）の形成領域の全体を覆うように形成されるととも
に、第２のコンタクト孔を介して前記第２の金属層と電
気的に接続した透明電極とから構成されてなることを特
徴とするものであってもよい。

【００２０】このように構成することによって、液晶表
示装置の、特に、反射型又は半反射・半透過型の液晶表
示装置の動作及び接続の安定性を向上することができる
とともに、安価な反射型又は半反射・半透過型の液晶表
示装置を提供することができる。

【００２１】また、このような電気光学装置は、前記基
板が、アクティブマトリックス基板であり、かつ前記金
属配線が、マトリックス配線パターンであることが好ま
しい。

【００２２】このように構成することによって、動作及
び接続の安定性に優れるとともに安価な、アクティブマ
トリックス基板を備えた半反射・半透過型の電気光学装
置を提供することができる。

【００２３】また、このような電気光学装置は、前記第
１のコンタクト孔が、前記パッド（端子部）の前記第１
の金属層及び前記第２の金属層が平面的に重なった領域
における短辺側ではその周辺に沿って形成されるととも
に、長辺側では中央部に形成されてなるものであること
が好ましい。

【００２４】このように構成することによって、異方性
導電膜による接続時に、導通粒子に圧力が掛かり易く、
導通粒子による確実な接続が可能となる。

【００２５】また、このような電気光学装置は、前記第
２のコンタクト孔が、前記パッド（端子部）の前記第２
の金属層及び前記透明電極が平面的に重なった領域にお
ける短辺側ではその周辺に沿って形成されるとともに、
長辺側では中央部に形成されてなるものであることが好
ましい。

【００２６】このように構成することによって、異方性
導電膜による接続時に、導通粒子に圧力が掛かり易く、
導通粒子による確実な接続が可能となる。

【００２７】また、本発明の電気光学装置は、基板上
の周縁に形成されたパッド（端子部）を介して入力され
た信号に対応して表示部で画像を表示する電気光学装置
であって、前記パッドが、前記基板上の前記パッド（端
子部）の形成領域の、前記表示部側の端部を含む領域を
除いた領域に形成され、他の金属配線と電気的に接続し
ない第１の金属層と、前記第１の金属層の表面全体を覆
うように形成された、第１のコンタクト孔を備えた第１
の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成され
るとともに、第１のコンタクト孔を介して前記第１の金
属層と電気的に接続し、かつ前記表示部と金属配線によ
って電気的に接続した第２の金属層と、前記第２の金属
層の表面の前記表示部側の端部を含む領域上に形成され
た第２の層間絶縁膜と、前記第２の金属層の上には形成
されずに、前記第２の層間絶縁膜の表面の前記表示部側
の端部を含む領域上に形成された第３の層間絶縁膜と、
前記第３の層間絶縁膜及び前記第２の金属層の上に、前
記パッド（端子部）の形成領域の全体を覆うように、又
は前記第３の層間絶縁膜の前記表示部側端部を含む領域
を除いた、前記パッド（端子部）の形成領域の全体を覆
うように形成された透明電極とから構成されてなること
を特徴とするものであってもよい。

【００２８】このように構成することによって、液晶表
示装置の、特に、装置の厚さが全体として薄い、反射型
又は半反射・半透過型の液晶表示装置の動作及び接続の
安定性を向上することができるとともに、安価な反射型
又は半反射・半透過型の液晶表示装置を提供することが
できる。また、第２の金属層が、透明電極のエッチング
時に侵食され易いため、その上に第２の層間絶縁膜を形
成することによって第２の金属層を保護することができ
る。また、アクリル樹脂等の感光性樹脂から構成する第
３の層間絶縁膜を第２の金属層の上に形成しないことに
よって、第２の層間絶縁膜の表面の表示部側の端部を含
む領域上のみに形成することになるため（第３の層間絶
縁膜の形成領域が限定されたものとなるため）、その上
に形成する透明電極のパターニング条件を変えて複数回
行う必要がなく、製造工程の簡略化を図ることができ
る。

【００２９】また、このような電気光学装置は、前記基
板が、アクティブマトリックス基板であり、かつ前記金
属配線が、マトリックス配線パターンであることが好ま
しい。

【００３０】このように構成することによって、動作及
び接続の安定性に優れるとともに安価な、アクティブマ
トリックス基板を備えた反射型又は半反射・半透過型の
電気光学装置を提供することができる。

【００３１】また、このような電気光学装置は、前記第
１のコンタクト孔が、前記パッド（端子部）の前記第１
の金属層及び前記第２の金属層が平面的に重なった領域
における短辺側ではその周辺に沿って形成されるととも
に、長辺側では中央部に形成されてなるものであること
が好ましい。

【００３２】このように構成することによって、異方性
導電膜による接続時に、導通粒子に圧力が掛かり易く、
導通粒子による確実な接続が可能となる。

【００３３】本発明の電気光学装置の製造方法は、基板
上の周縁に形成されたパッド（端子部）を介して入力さ
れた信号に対応して表示部で画像を表示する電気光学装
置の製造方法であって、前記基板上の前記パッド（端子
部）の形成領域の、前記表示部側の端部を含む領域を除
いた領域に、前記パッドに入出力される信号とは異なる
信号が入出力される金属配線と電気的に接続することな
しに、第１の金属層を形成し、前記第１の金属層の表面
全体を覆うように、第１のコンタクト孔を備えた第１の
層間絶縁膜を形成し、前記第１の層間絶縁膜の上に、第
２の金属層を形成するとともに、第１のコンタクト孔を
介して前記第１の金属層と電気的に接続し、かつ前記表
示部と金属配線によって電気的に接続し、前記第２の金
属層の上に、前記パッド（端子部）の形成領域の全体を
覆うように、透明電極を形成して、前記パッド（端子
部）を形成することを特徴とする。

【００３４】このように構成することによって、装置の
動作及び接続の安定性に優れた電気光学装置を効率的か
つ低コストで製造することができる。

【００３５】この場合、前記基板として、アクティブマ
トリックス基板を用い、かつ前記金属配線として、マト
リックス配線パターンを用いることが好ましい。

【００３６】このように構成することによって、動作及
び接続の安定性に優れた、アクティブマトリックス基板
を備えた電気光学装置を効率的かつ低コストで提供する
ことができる。

【００３７】また、前記第１のコンタクト孔を、前記パ
ッド（端子部）の前記第１の金属層及び前記第２の金属
層が平面的に重なった領域における短辺側ではその周辺
に沿って形成するとともに、長辺側では中央部に形成す
ることが好ましい。

【００３８】このように構成することによって、異方性
導電膜による接続時に、導通粒子に圧力が掛かり易く、
導通粒子による確実な接続を可能とし、動作及び接続の
安定性に優れた電気光学装置を効率的かつ低コストで提
供することができる。

【００３９】また、本発明の電気光学装置の製造方法
は、基板上の周縁に形成されたパッド（端子部）を介し
て入力された信号に対応して表示部で画像を表示する電
気光学装置の製造方法であって、前記基板上の前記パッ
ド（端子部）の形成領域の、前記表示部側の端部を含む
領域を除いた領域に、前記パッドに入出力される信号と
は異なる信号が入出力される金属配線と電気的に接続す
ることなしに、第１の金属層を形成し、前記第１の金属
層の表面全体を覆うように、第１のコンタクト孔を備え
た第１の層間絶縁膜を形成し、前記第１の層間絶縁膜の
上に第２の金属層を形成するとともに、第１のコンタク
ト孔を介して前記第１の金属層と電気的に接続し、かつ
前記表示部と金属配線によって電気的に接続し、前記第
２の金属層の表面の前記表示部側の端部を含む領域上
に、第２の層間絶縁膜を形成し、前記第２の金属層の上
及び前記第２の層間絶縁膜の前記表示部側の端部を含む
領域上に、第２のコンタクト孔を備えた第３の層間絶縁
膜を形成し、前記第３の層間絶縁膜の上に、前記パッド
（端子部）の形成領域の全体を覆うように透明電極を形
成するとともに、第２のコンタクト孔を介して前記第２
の金属層と電気的に接続して、前記パッド（端子部）を
形成することを特徴とするものであってもよい。

【００４０】このように構成することによって、動作及
び接続の安定性に優れた、特に、反射型又は半反射・半
透過型の電気光学装置を効率的かつ低コストで製造する
ことができる。

【００４１】この場合、前記基板として、アクティブマ
トリックス基板を用い、かつ前記金属配線として、マト
リックス配線パターンを用いるものであることが好まし
い。

【００４２】このように構成することによって、動作及
び接続の安定性に優れた、アクティブマトリックス基板
を備えた反射型又は半反射・半透過型の電気光学装置を
効率的かつ低コストで提供することができる。

【００４３】このような電気光学装置の製造方法は、前
記第１のコンタクト孔を、前記パッド（端子部）の前記
第１の金属層及び前記第２の金属層が平面的に重なった
領域における短辺側ではその周辺に沿って形成するとと
もに、長辺側では中央部に形成するものであることが好
ましい。

【００４４】このように構成することによって、異方性
導電膜による接続時に、導通粒子に圧力が掛かり易く、
導通粒子による確実な接続が可能で、動作及び接続の安
定性に優れた反射型又は半反射・半透過型の電気光学装
置を効率的かつ低コストで提供することができる。

【００４５】このような電気光学装置の製造方法は、前
記第２のコンタクト孔を、前記パッド（端子部）の前記
第２の金属層及び前記透明電極が平面的に重なった領域
における短辺側ではその周辺に沿って形成するととも
に、長辺側では中央部に形成するものであることが好ま
しい。

【００４６】このように構成することによって、異方性
導電膜による接続時に、導通粒子に圧力が掛かり易く、
導通粒子による確実な接続が可能で、動作及び接続の安
定性に優れた反射型又は半反射・半透過型の電気光学装
置を効率的かつ低コストで提供することができる。

【００４７】また、本発明の電気光学装置の製造方法
は、基板上の周縁に形成されたパッド（端子部）を介し
て入力された信号に対応して表示部で画像を表示する電
気光学装置の製造方法であって、前記基板上の前記パッ
ド（端子部）の形成領域の、前記表示部側の端部を含む
領域を除いた領域に、前記パッドに入出力される信号と
は異なる信号が入出力される金属配線と電気的に接続す
ることなしに、第１の金属層を形成し、前記第１の金属
層の表面全体を覆うように、第１のコンタクト孔を備え
た第１の層間絶縁膜を形成し、前記第１の層間絶縁膜の
上に第２の金属層を形成するとともに、第１のコンタク
ト孔を介して前記第１の金属層と電気的に接続し、かつ
前記表示部と金属配線によって電気的に接続し、前記第
２の金属層の表面の前記表示部側の端部を含む領域上
に、第２の層間絶縁膜を形成し、前記第２の金属層の上
には形成せずに、前記第２の層間絶縁膜の表面の前記表
示部側の端部を含む領域上に、第３の層間絶縁膜を形成
し、前記第３の層間絶縁膜及び前記第２の金属層の上
に、前記パッド（端子部）の形成領域の全体を覆うよう
に、又は前記第３の層間絶縁膜の前記表示部側端部を含
む領域を除いた、前記パッド（端子部）の形成領域の全
体を覆うように、透明電極を形成して、前記パッド（端
子部）を形成することを特徴とするものであってもよ
い。

【００４８】このように構成することによって、動作及
び接続の安定性に優れた、装置の厚さが全体として薄
い、反射型又は半反射・半透過型の液晶表示装置を効率
的かつ低コストで製造することができる。

【００４９】この場合、前記基板として、アクティブマ
トリックス基板を用い、かつ前記金属配線として、マト
リックス配線パターンを用いるものであることが好まし
い。

【００５０】このように構成することによって、動作及
び接続の安定性に優れた、アクティブマトリックス基板
を備えた、装置の厚さが全体として薄い、反射型又は半
反射・半透過型の電気光学装置を効率的かつ低コストで
提供することができる。

【００５１】また、前記第１のコンタクト孔を、前記パ
ッド（端子部）の前記第１の金属層及び前記第２の金属
層が平面的に重なった領域における短辺側ではその周辺
に沿って形成するとともに、長辺側では中央部に形成す
るものであることが好ましい。

【００５２】このように構成することによって、異方性
導電膜による接続時に、導通粒子に圧力が掛かり易く、
導通粒子による確実な接続が可能で、動作及び接続の安
定性に優れた、装置の厚さが全体として薄い、反射型又
は半反射・半透過型の電気光学装置を効率的かつ低コス
トで提供することができる。

【００５３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の電気光学装置及び
その製造方法の実施の形態を図面を参照しつつ、具体的
に説明する。

【００５４】まず、電気光学物質として液晶を用いた液
晶装置に本発明を適用した実施の形態について説明す
る。図１は、本実施の形態に係る液晶装置の構成を示す
平面図である。図１に示す液晶装置１００は、スイッチ
ング素子としてＴＦＴ（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎ
ｓｉｓｔｏｒ）を用いたアクティブマトリクス方式の液
晶装置である。さらに、液晶装置１００は、透明電極
（画素電極）にデータ信号を書き込むか否かを制御する
ＴＦＴに加え、駆動回路（走査線駆動回路及びデータ線
駆動回路）を構成するＴＦＴについても基板上に形成さ
れた構成となっている。

【００５５】図１に示すように、液晶装置１００は、相
互に対向するアクティブマトリクス基板１０と対向基板
２０とが略長方形状のシール材４０を介して貼り合わさ
れるとともに、両基板とシール材４０とによって囲まれ
た領域に、電気光学物質として、例えば、ＴＮ（Ｔｗｉ
ｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ）型等の液晶が封入された構
成となっている。アクティブマトリクス基板１０及び対
向基板２０は、ガラスや石英、プラスチックといった光
透過性を有する絶縁性の板状部材である。このうち対向
基板２０におけるアクティブマトリクス基板１０との対
向面上には、その全面にわたってＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
ＴｉｎＯｘｉｄｅ）等の透明導電材料からなる対向
電極が形成されるとともに、表示に寄与し得る領域以外
の領域を遮光するための遮光層３１等が形成されてい
る。一方、アクティブマトリクス基板１０の面上には、
画素電極やＴＦＴ等が形成されている。なお、実際に
は、アクティブマトリクス基板１０及び対向基板２０の
外側表面には、入射光を反射させるための偏光板や、干
渉色を補償するための位相差板等が貼着されるが、本発
明とは直接の関係がないため、その図示及び説明を省略
する。

【００５６】ここで、アクティブマトリクス基板１０
は、対向基板２０の縁辺から張り出した部分（以下、
「張出領域」ということがある）２０１を有する。そし
て、この張出領域２０１には、図示しない外部回路から
の各種信号が入力される複数のパッド２２１と、引廻し
配線２１３を介してこの各パッド２２１に接続された走
査線駆動回路２１１及びデータ線駆動回路２１２とが形
成されている。この走査線駆動回路２１１及びデータ線
駆動回路２１２は、アクティブマトリクス基板２０上に
直接形成されたＴＦＴを含む回路であり、各パッド２２
１から入力された信号に応じて走査信号及びデータ信号
をそれぞれ生成して出力する。

【００５７】また、アクティブマトリクス基板１０のう
ちシール材４０の内側に対応する領域（部分）（以下、
「表示部」ということがある）には、所定の方向に延在
する複数の走査線と、この走査線に交差する方向に延在
する複数のデータ線とが設けられている（ともに図示
略）。さらに、表示部には、走査線及びデータ線の各交
差に対応して、ＴＦＴと、このＴＦＴを介して走査線及
びデータ線に接続された画素電極とが設けられている。
複数の画素電極は、ＩＴＯ等の透明導電材料によって形
成されてマトリクス状に配列するとともに、対向基板２
０上の対向電極に液晶を挟んで対向するようになってい
る。このような構成の下、画素電極と対向電極との間に
挟まれた液晶は、両電極の間に印加された電圧に応じて
その配向方向が変化する。

【００５８】図２は、表示部内において各画素に対応し
て設けられたＴＦＴの近傍の構成を示す断面図である。
図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の基体として
の透明な基板１０’の表面に、厚さが１００ｎｍ〜５０
０ｎｍのシリコン酸化膜（絶縁膜）からなる下地保護膜
１１が形成され、この下地保護膜１１の表面には、厚さ
が３０ｎｍ〜１００ｎｍの島状の半導体膜１が形成され
ている。半導体膜１の表面には、厚さが約５０〜１５０
ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２が形成さ
れ、このゲート絶縁膜２の表面に、厚さが３００ｎｍ〜
８００ｎｍの走査線３ａがゲート電極として通ってい
る。半導体膜１のうち、走査線３ａに対してゲート絶縁
膜２を介して対向する領域がチャネル形成用領域１ａ’
になっている。このチャネル形成用領域１ａ’に対して
一方側には、低濃度ソース領域１ｂ及び高濃度ソース領
域１ａを備えるソース領域が形成され、他方側には低濃
度ドレイン領域１ｃ及び高濃度ドレイン領域１ｄを備え
るドレイン領域が形成されている。

【００５９】画素スイッチング用のＴＦＴ３０の表面側
には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン酸化膜
からなる層間絶縁膜４、及び厚さが１００ｎｍ〜３００
ｎｍのシリコン窒化膜からなる表面保護膜５（表面保護
膜）が形成されている。層間絶縁膜４の表面には、厚さ
が３００ｎｍ〜８００ｎｍのデータ線６ａが形成され、
このデータ線６ａは、層間絶縁膜４に形成されたコンタ
クトホールを介して高濃度ソース領域１ａに電気的に接
続している。層間絶縁膜４の表面にはデータ線６ａと同
時形成されたドレイン電極６ｂが形成され、このドレイ
ン電極６ｂは、層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホ
ールを介して高濃度ドレイン領域１ｄに電気的に接続し
ている。

【００６０】表面保護膜５の上層には、後述するよう
に、有機系樹脂等の感光性樹脂からなる凹凸形成層１３
及び凹凸層７がこの順に形成され、この凹凸層７の表面
には、アルミニウム膜等からなる反射電極８が形成され
ている。

【００６１】反射電極８は、凹凸層７及び表面保護膜５
を貫通してドレイン電極６ｂに達するように形成された
スリ鉢状のコンタクト孔１５を介してドレイン電極６ｂ
に電気的に接続している。

【００６２】反射電極８の表面側にはポリイミド膜から
なる配向膜１２が形成されている。この配向膜１２に
は、ラビング処理が施されている。

【００６３】また、高濃度ドレイン領域１ｄからの延設
部分１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁膜２と同時
形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して、走査線３ａと
同層の容量線３ｂが上電極として対向することにより、
蓄積容量６０が構成されている。

【００６４】図３は、本発明の一の実施の形態に用いた
パッド（端子部）の平面図及びそのＡ−Ａ線とＢ−Ｂ線
における断面図である。

【００６５】図３に示すように、パッド２００は、基板
２０１上のパッド（端子部）の形成領域の、表示部側の
端部を含む領域を除いた領域に形成され、前記パッドに
入出力される信号とは異なる信号が入出力される金属配
線と電気的に接続しない第１の金属層２０２と、第１の
金属層２０２の表面全体を覆うように形成された、第１
のコンタクト孔２０５を備えた第１の層間絶縁膜２０３
と、第１の層間絶縁膜２０３の上に形成されるととも
に、第１のコンタクト孔２０５を介して第１の金属層２
０２と電気的に接続し、かつ表示部と金属配線によって
電気的に接続した第２の金属層２０４と、第２の金属層
２０４の上に、パッド（端子部）の形成領域の全体を覆
うように形成された透明電極２０６から構成されてい
る。

【００６６】このように第２の金属層２０４（例えば、
ソース電極（信号線）として機能する）によって表示部
とパッド２００とが金属配線によって電気的に接続され
ているため、第１の金属層２０２（ゲート電極（走査
線）として機能する）によって表示部とパッド２００と
が金属配線によって電気的に接続される場合に比べ、第
１のコンタクト孔２０５部分が介在することがないの
で、回路における電気抵抗を低減することができる。ま
た、第１の金属層２０２及び第２の金属層２０４にの二
層により形成されているため、ＣＯＧ実装時における圧
力を緩和することができる。さらに、第２の金属層２０
４が断線した場合であっても、第１の金属層２０２と第
１のコンタクト孔２０５を介して電気的に接続している
ので、ショートカットにより、接続不良を生じることが
ない。従って、装置の動作及び接続の安定性を向上する
ことができる。なお、前記第１の金属層は、同一信号が
入出力されるパッドとは、電気的に接続されてもよい。
このような構成によれば、電気的接続の信頼性が向上す
る。

【００６７】図４は、本発明の他の実施の形態に用いた
パッド（端子部）の平面図及びそのＣ−Ｃ線における断
面図であり、図５は、図４に示すパッド（端子部）にバ
ンプを接続した状態を示す平面図及びそのＤ−Ｄ線にお
ける断面図である。

【００６８】図４に示すように、この実施の形態に用い
たパッド（端子部）は、図３に示す場合と異なり、第１
のコンタクト孔２０５が、パッド（端子部）の第１の金
属層２０２及び第２の金属層２０４が平面的に重なった
領域における短辺側ではその周辺に沿って形成されると
ともに、長辺側では中央部に形成されている。従って、
異方性導電膜による接続時に、導通粒子に圧力が掛かり
易く、導通粒子による確実な接続が可能となる。

【００６９】例えば、図５に示すように、バンプ２０７
の下面の形状がその作製過程における影響から、中央部
が窪んだ形状を有するものであっても、周辺部において
は異方性導電膜の導通粒子２０８に圧力が掛かり易く、
導通粒子２０８による確実な接続が可能になる。

【００７０】図６は、本発明の他の実施の形態に用いた
パッド（端子部）の平面図及びそのＥ−Ｅ線における断
面図である。

【００７１】図７に示すように、この実施の形態におけ
るパッド３００は、基板３０１上のパッド（端子部）の
形成領域の、表示部側の端部を含む領域を除いた領域に
形成され、他の金属配線と電気的に接続しない第１の金
属層３０２と、第１の金属層３０２の表面全体を覆うよ
うに形成された、第１のコンタクト孔３０５を備えた第
１の層間絶縁膜３０３と、第１の層間絶縁膜３０３の上
に形成されるとともに、第１のコンタクト孔３０５を介
して第１の金属層３０２と電気的に接続し、かつ表示部
（図示せず）と金属配線によって電気的に接続した第２
の金属層３０４と、第２の金属層３０４の表面の表示部
側の端部を含む領域上に形成された第２の層間絶縁膜３
０７と、第２の金属層３０４の上及び第２の層間絶縁膜
３０７の表示部側の端部を含む領域上に形成された第３
の層間絶縁膜３０８と、第３の層間絶縁膜３０８の上
に、パッド（端子部）の形成領域の全体を覆うように形
成されるとともに、第２のコンタクト孔３０９を介して
第２の金属層３０４と電気的に接続した透明電極３０６
とから構成されている。

【００７２】このように、第２の層間絶縁膜３０７は、
その上層側に形成される透明電極３０６の平坦性を確保
して、その断線を防止することができる。また、第３の
層間絶縁膜３０８は、アクリル樹脂等の感光性樹脂から
構成され、反射型又は半反射・半透過型の液晶表示装置
に用いられる反射電極の表面に適度な散乱を可能にする
凹凸を形成する凹凸層としての機能を併有するので、そ
の動作及び接続の安定性に優れた反射型又は半反射・半
透過型を安価に提供することができることになる。

【００７３】この場合、第１のコンタクト孔３０５及び
第２のコンタクト孔３０９の形成位置は、図６に示すも
のに限らず、図７及び図８に示すものであってもよい。

【００７４】図９は、本発明の他の実施の形態に用いた
パッド（端子部）の平面図及びそのＦ−Ｆ線、Ｇ−Ｇ線
及びＩ−Ｉ線における断面図である。

【００７５】図９に示すように、この実施の形態におけ
るパッド４００は、基板４０１上のパッド（端子部）の
形成領域の、表示部側の端部を含む領域を除いた領域に
形成され、他の金属配線と電気的に接続しない第１の金
属層４０２と、第１の金属層４０２の表面全体を覆うよ
うに形成された第１のコンタクト孔４０５を備えた第１
の層間絶縁膜４０３と、第１の層間絶縁膜４０３の上に
形成されるとともに、第１のコンタクト孔４０５を介し
て第１の金属層４０２と電気的に接続し、かつ表示部
（図示せず）と金属配線によって電気的に接続した第２
の金属層４０４と、第２の金属層４０４の表面の表示部
側の端部を含む領域上に形成された第２の層間絶縁膜４
０７と、第２の金属層４０４の上には形成されずに、第
２の層間絶縁膜４０７の表面の形成された第３の層間絶
縁膜４０８と、第３の層間絶縁膜４０８及び第２の金属
層４０４の上に、パッド（端子部）の形成領域の全体を
覆うように形成された透明電極４０６とから構成されて
いる。

【００７６】図９（ｂ）に示すように、第３の層間絶縁
膜４０８の形成領域を第２の金属層４０４の上には形成
せずに、第２の層間絶縁膜４０３の表面の表示部側の端
部を含む領域上のみに形成しているため、その上に形成
する透明電極４０６を条件を変えて複数回行う必要がな
く同一条件で形成することができる。このため、工程の
簡略化を図り、低コスト化を図ることができる。

【００７７】また、図９（ｄ）に示すように、第２の金
属層４０４の上には第２の層間絶縁膜４０３が第２の金
属層４０４を覆うようにして形成され、透明電極４０６
のエッチング時に第２の金属層４０４の両端部が侵食さ
れるのを防止することができる。

【００７８】この場合、図１０（ｂ）に示すように、透
明電極４０６は、第３の層間絶縁膜４０９の表示部側端
部を含む領域には形成しない構成としてもよい。この場
合も、図１０（ｄ）に示すように、第２の金属層４０４
の上には第２の層間絶縁膜４０３が第２の金属層４０４
を覆うようにして形成され、透明電極４０６のエッチン
グ時に第２の金属層４０４の両端部が侵食されるのを防
止することができる。

【００７９】以下、本発明の電気光学装置の製造方法
（図６に示すパッド部を有するＴＦＴアレイ基板の製造
方法）を、図１１〜図１５を参照しつつ、具体的に説明
する。

【００８０】まず、図１１（Ａ）に示すように、超音波
洗浄等により清浄化したガラス製等の基板１０’を準備
した後、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温度条件下
で、基板１０’の全面に、シリコン酸化膜からなる下地
保護膜１１をプラズマＣＶＤ法により１００ｎｍ〜５０
０ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガスとして
は、例えば、モノシランと笑気ガス（一酸化二窒素）と
の混合ガスやＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン：Ｓｉ
（ＯＣ_２Ｈ_５）_４）と酸素、又はジシランとアンモニア
を用いることができる。

【００８１】次に、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温
度条件下で、基板１０’の全面に、非晶質シリコン膜か
らなる半導体膜１をプラズマＣＶＤ法により３０ｎｍ〜
１００ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガスとし
ては、例えば、ジシランやモノシランを用いることがで
きる。次に、半導体膜１に対してレーザ光を照射してレ
ーザアニールを施す。その結果、アモルファスの半導体
膜１は、一度溶融し、冷却固化過程を経て結晶化する。
この際には、各領域へのレーザ光の照射時間が非常に短
時間であり、かつ、照射領域も基板全体に対して局所的
であるため、基板全体が同時に高温に熱せられることが
ない。それゆえ、基板１０’としてガラス基板等を用い
ても熱による変形や割れ等が生じない。

【００８２】次に、表示部において、半導体膜１の表面
にフォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５
１を介して半導体膜１をエッチングすることにより、図
１１（Ｂ）に示すように、島状の半導体膜１（能動
層）、及び容量部を形成するための半導体膜を各々分離
した状態に形成する。

【００８３】次に、表示部において、３５０℃以下の温
度条件下で、基板１０’の全面に、ＣＶＤ法等により半
導体膜１の表面に、シリコン酸化膜等からなるゲート絶
縁膜２を５０ｎｍ〜１５０ｎｍの厚さに形成する。この
ときの原料ガスは、例えば、ＴＥＯＳと酸素ガスとの混
合ガスを用いることができる。ここで形成するゲート絶
縁膜２は、シリコン酸化膜に代えてシリコン窒化膜であ
ってもよい。

【００８４】次に、図１１（Ｃ）に示すように、所定の
レジストマスクを介して半導体膜１の延設部分１ｆに不
純物イオンを打ち込んで、容量線３ｂ（図１１（Ｄ）参
照）との間に蓄積容量を構成するための下電極を形成す
る。

【００８５】また、パッド部において、スパッタ法等に
より、基板１０’の全面に、後述するパッド部における
第１の金属層３０２、表示部における走査線３ａ等を形
成するためのアルミニウム、タンタル、モリブデン等か
らなる金属膜、又はこれらの金属のいずれかを主成分と
する合金膜からなる導電膜３を３００ｎｍ〜８００ｎｍ
の厚さに形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて
レジストマスク５５２を形成する。

【００８６】次に、レジストマスクを介して導電膜３を
ドライエッチングし、図１１（Ｄ）に示すように、パッ
ド部における第１の金属層３０２、表示部における走査
線３ａ（ゲート電極）、容量線３ｂ等を形成する。

【００８７】次に、表示部において、画素ＴＦＴ部及び
駆動回路のＮチャネルＴＦＴ部（図示せず）の側には、
走査線３ａやゲート電極をマスクとして、約０．１×１
０^１ ^３／ｃｍ^２〜約１０×１０^１３／ｃｍ^２のドーズ量
で低濃度の不純物イオン（リンイオン）を打ち込んで、
走査線３ａに対して自己整合的に低濃度ソース領域１ｂ
及び低濃度ドレイン領域１ｃを形成する。ここで、走査
線３ａの真下に位置しているため、不純物イオンが導入
されなかった部分は半導体膜１のままのチャネル領域１
ａ’となる。

【００８８】次に、図１２（Ａ）に示すように、画素Ｔ
ＦＴ（表示）部では、走査線３ａ（ゲート電極）より幅
の広いレジストマスク５５３を形成して高濃度の不純物
イオン（リンイオン）を約０．１×１０^１５／ｃｍ^２〜
約１０×１０^１５／ｃｍ^２のドーズ量で打ち込み、高濃
度ソース領域１ａ及びドレイン領域１ｄを形成する。

【００８９】これらの不純物導入工程に代えて、低濃度
の不純物の打ち込みを行わずにゲート電極より幅の広い
レジストマスクを形成した状態で高濃度の不純物（リン
イオン）を打ち込み、オフセット構造のソース領域及び
ドレイン領域を形成してもよい。また、走査線３ａをマ
スクにして高濃度の不純物を打ち込んで、セルフアライ
ン構造のソース領域及びドレイン領域を形成してもよ
い。

【００９０】なお、図示を省略するが、このような工程
によって、周辺駆動回路部のＮチャネルＴＦＴ部を形成
するが、この際には、ＰチャネルＴＦＴ部をマスクで覆
っておく。また、周辺駆動回路のＰチャネルＴＦＴ部を
形成する際には、画素部及びＮチャネルＴＦＴ部をレジ
ストで被覆保護して、ゲート電極をマスクとして、約
０．１×１０^１５／ｃｍ^２〜約１０×１０^１５／ｃｍ^２
のドーズ量でボロンイオンを打ち込むことにより、自己
整合的にＰチャネルのソース・ドレイン領域を形成す
る。

【００９１】この際、ＮチャネルＴＦＴ部の形成時と同
様、ゲート電極をマスクとして、約０．１×１０^１３／
ｃｍ^２〜約１０×１０^１３／ｃｍ^２のドーズ量で低濃度
の不純物（ボロンイオン）を導入して、ポリシリコン膜
に低濃度領域を形成した後、ゲート電極より幅の広いマ
スクを形成して高濃度の不純物（ボロンイオン）を約
０．１×１０^１５／ｃｍ^２〜約１０×１０^１５／ｃｍ^２
のドーズ量で打ち込んで、ＬＤＤ構造（ライトリー・ド
ープト・ドレイン構造）のソース領域及びドレイン領域
を形成してもよい。また、低濃度の不純物の打ち込みを
行わずに、ゲート電極より幅の広いマスクを形成した状
態で高濃度の不純物（ボロンイオン）を打ち込み、オフ
セット構造のソース領域及びドレイン領域を形成しても
よい。これらのイオン打ち込み工程によって、ＣＭＯＳ
化（相補型化：ＣｏｍｐｌｉｍｅｎｔａｒｙＭＯＳ
化）が可能になり、周辺駆動回路の同一基板内への内蔵
が可能になる。

【００９２】次に、図１２（Ｂ）に示すように、パッド
部における第１の金属層３０２、また表示部における走
査線３ａ等の表面側に、ＣＶＤ法等により、シリコン酸
化膜等からなる、パッド部における第１の層間絶縁膜３
０３、また表示部における層間絶縁膜４ａを３００ｎｍ
〜８００ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガス
は、例えば、ＴＥＯＳと酸素ガスとの混合ガスを用いる
ことができる。

【００９３】層間絶縁膜４ａにドライエッチングを行
い、パッド部における第１の層間絶縁膜３０３、また表
示部における第１の層間絶縁膜４を形成するとともに、
図１２（Ｃ）に示すように、パッド部において第１のコ
ンタクト孔３０５を形成するとともに、また表示部にお
ける第１の層間絶縁膜４においてソース領域及びドレイ
ン領域に対応する部分等にコンタクトホールをそれぞれ
形成する。

【００９４】次に、図１２（Ｄ）に示すように、パッド
部において、第１の層間絶縁膜３０３の表面側に第２の
金属層３０４を、また表示部において、第１の層間絶縁
膜４の表面側に、データ線６ａ（ソース電極）等を構成
するためのアルミニウム膜、チタン膜、窒化チタン膜、
タンタル膜、モリブデン膜、又はこれらの金属のいずれ
かを主成分とする合金膜からなる導電膜６をスパッタ法
等で３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成した後（な
お、パッド部においては第１の金属層３０２と第２の金
属層３０４とは第１のコンタクト孔３０５を介して電気
的に接続する）、フォトリソグラフィ技術を用いてレジ
ストマスク５５５を形成する。

【００９５】次に、レジストマスク５５５を介して導電
膜６にドライエッチングを行い、図１３（Ａ）に示すよ
うに、パッド部における第２の金属層３０４、また表示
部におけるデータ線（ソース電極）６ａ、及びドレイン
電極６ｂを形成する。

【００９６】次に、図１３（Ｂ）に示すように、パッド
部における第２の金属層３０４、また表示部におけるデ
ータ線６ａ、及びドレイン電極６ｂの表面側に、ＣＶＤ
法等により、シリコン窒化膜もしくはシリコン酸化膜の
単膜又はシリコン窒化膜及びシリコン酸化膜の二つの膜
等からなる、パッド部における第２の層間絶縁膜３０
７、また表示部における第２の層間絶縁膜（表面保護
膜）５を１００ｎｍ〜８００ｎｍの膜厚に形成する（な
お、表面保護膜５は形成しなくてもよい）。

【００９７】次に、図１４（Ａ）、（Ｂ）に示すよう
に、パッド部における第２の金属層３０４及び第２の層
間絶縁膜３０７の上に、また表示部における表面保護膜
５の表面に、アクリル樹脂等の有機系の感光性樹脂１３
ａを１〜３μｍの厚さにスピンコートで塗布した後、感
光性樹脂１３ａをフォトリソグラフィ技術を用いてパタ
ーニングすることによって、パッド部において第２のコ
ンタクト孔を備えた第３の層間絶縁膜３０８を、また表
示部において、後述する反射電極８の下層側に、厚さが
１μｍ〜３μｍの凹凸形成層１３を形成する。次いで、
凹凸形成層１３の角をとるためベーク工程を行ってもよ
い。

【００９８】このようなフォトリソグラフィ技術を利用
して、第３の層間絶縁膜３０８及び凹凸形成層１３を形
成する際、感光性樹脂１３ａとしてはネガタイプ及びポ
ジタイプのいずれを用いてもよいが、図１４（Ａ）に
は、感光性樹脂１３ａとしてポジタイプの場合を例示し
てあり、感光性樹脂１３ａを除去したい部分に対して、
所定の露光マスク５１０の透光部分５１１を介して紫外
線が照射される。

【００９９】次に、図１４（Ｃ）に示すように、表示部
において、表面保護膜５及び凹凸形成層１３の表面側
に、アクリル樹脂等の有機系の感光性樹脂７ａをスピン
コートで１μｍ〜２μｍの厚さに塗布する。

【０１００】次に、図１４（Ｄ）に示すように、表示部
において、」フォトリソグラフィ技術を利用して、表面
保護膜５の表面に達するまで貫通、開口させた厚さが１
μｍ〜２μｍの凹凸層７を形成する。

【０１０１】ここで、凹凸層７は、流動性を有する材料
を塗布したものから形成されるため、凹凸層７の表面に
は、凹凸形成層１３の凹凸を適度に打ち消して、エッジ
のない、滑らかな形状の凹凸パターンが形成される。

【０１０２】なお、凹凸層７を形成せずに、滑らかな形
状の凹凸パターンを形成する場合には、図１４（Ｂ）に
示す状態でベーク工程を行って、凹凸形成層１３の縁を
滑らかな形状にしてもよい。

【０１０３】次に、図１４（Ｅ）に示すように、表示部
において、表面保護膜５をドレイン電極６ｂの表面まで
達するようにをドライエッチングして、ドレイン電極６
ｂとの電気的な接続を可能にするとともに、コンタクト
孔１５を形成する。

【０１０４】次に、図１５（Ａ）に示すように、表示部
において、スパッタ法等によって、凹凸層７及び一部侵
食されたドレイン電極６ｂの表面に、５０ｎｍ〜２００
ｎｍの厚さの、前述のアルミニウム膜等のような反射性
を備えた金属膜８ａを形成した後、フォトリソグラフィ
技術を用いてレジストマスク５５７を形成する。

【０１０５】次に、レジストマスク５５７を介して金属
膜８ａにエッチングを行い、図１５（Ｂ）に示すよう
に、所定領域に金属膜８ａを残して所定パターンの反射
電極８を形成する。このようにして形成した反射電極８
の表面には、凹凸形成層１３からなる凹凸によって５０
０ｎｍ以上、さらには８００ｎｍ以上の凹凸パターン８
ｇが形成され、かつ、この凹凸パターン８ｇは、凹凸層
７によって、エッジのない、滑らかな形状になってい
る。

【０１０６】次に、図１５（Ｃ）に示すように、パッド
部に、スパッタリングでＩＴＯからなる厚さが５０〜２
００ｎｍの透明電極３０６を形成する。

【０１０７】その後、パッド部及び表示部に、配向膜
（ポリイミド膜）１２を形成する（図１５（Ｃ）参
照）。それには、ブチルセロソルブやｎ−メチルピロリ
ドン等の溶媒に５〜１０重量％のポリイミドやポリアミ
ド酸を溶解させたポリイミド・ワニスをフレキソ印刷し
た後、加熱・硬化（焼成）する。そして、ポリイミド膜
を形成した基板をレーヨン系繊維からなるパフ布で一定
方向に擦り、ポリイミド分子を表面近傍で一定方向に配
列させる。その結果、後で充填した液晶分子とポリイミ
ド分子との相互作用により液晶分子が一定方向に配列す
る。

【０１０８】なお、図１５（Ｃ）に、ＴＦＴアレイ基板
１０の反射領域に形成された凹凸形成層１３、凹凸層
７、反射電極８及び配向膜１２の積層状態を模式的に示
す。図１５（Ｃ）に示すように、反射電極８の表面に
は、凹凸パターン８ｇが形成されている。

【０１０９】以上のようにして、ＴＦＴアレイ基板が完
成する。

【０１１０】上記のいずれの形態も、画素スイッチング
素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型の液
晶表示装置を例に説明したが、画素スイッチング素子と
してＴＦＤを用いたアクティブマトリクス型の液晶表示
装置、又はパッシブマトリクス型の液晶表示装置、さら
には液晶以外の電気光学物質（例えば、ＥＬ発光素子）
を用いた電気光学装置に本発明を適用してもよい。

【０１１１】このように構成した反射型の電気光学装置
１００は、各種の電子機器の表示部として用いることが
できるが、その一例を、図１６〜図１８を参照しつつ具
体的に説明する。

【０１１２】図１６は、本発明に係る電気光学装置を表
示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック
図である。

【０１１３】図１７において、電子機器は、表示情報出
力源７０、表示情報処理回路７１、電源回路７２、タイ
ミングジェネレータ７３、及び液晶表示装置７４を有す
る。また、液晶表示装置７４は、液晶表示パネル７５及
び駆動回路７６を有する。液晶装置７４としては、前述
した電気光学装置１００を用いることができる。

【０１１４】表示情報出力源７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ
ＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ
ＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）等のようなメモリ、各種
ディスク等のようなストレージユニット、デジタル画像
信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェ
ネレータ７３によって生成された各種のクロック信号に
基づいて、所定フォーマットの画像信号等のような表示
情報を表示情報処理回路７１に供給する。

【０１１５】表示情報処理回路７１は、シリアル−パラ
レル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回
路、ガンマ補正回路、クランプ回路等のような周知の各
種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、そ
の画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路７６へ
供給する。電源回路７２は、各構成要素に所定の電圧を
供給する。

【０１１６】図１７は、本発明に係る電子機器の一実施
形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示し
ている。ここに示すパーソナルコンピュータ８０は、キ
ーボード８１を備えた本体部８２と、液晶表示ユニット
８３とを有する。液晶表示ユニット８３は、前述した電
気光学装置１００を含んで構成される。

【０１１７】図１８は、他の電子機器である携帯電話機
を示している。ここに示す携帯電話機９０は、複数の操
作ボタン９１と、前述した電気光学装置１００からなる
表示部とを有している。

【０１１８】

【発明の効果】以上、説明したように、本発明によっ
て、動作及び接続の安定性に優れた、特に、外部からの
信号が入力されるパッド（端子部）近傍の構造が改善さ
れた電気光学装置及びその効率的かつ低コストな製造方
法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電気光学装置の一の実施の形態の液
晶表示装置の外観構成を模式的に示す平面図である。

【図２】図１に示す液晶表示装置おいて、表示部に形
成されたＴＦＴ近傍の構成を模式的に示す断面図であ
る。

【図３】本発明の電気光学装置の一の実施の形態にお
ける、パッド部の一の例を模式的に示す平面図及び断面
図である。

【図４】本発明の電気光学装置の一の実施の形態にお
ける、パッド部の他の例を模式的に示す平面図及び断面
図である。

【図５】本発明の電気光学装置の一の実施の形態にお
ける、パッド部の他の例を模式的に示す平面図及び断面
図である。

【図６】本発明の電気光学装置の一の実施の形態にお
ける、パッド部の他の例を模式的に示す平面図及び断面
図である。

【図７】本発明の電気光学装置の一の実施の形態にお
ける、パッド部のコンタクト孔の配置の他の例を模式的
に示す平面図である。

【図８】本発明の電気光学装置の一の実施の形態にお
ける、パッド部のコンタクト孔の配置の他の例を模式的
に示す平面図である。

【図９】本発明の電気光学装置の一の実施の形態にお
ける、パッド部の他の例を模式的に示す平面図及び断面
図である。

【図１０】本発明の電気光学装置の一の実施の形態に
おける、パッド部の他の例を模式的に示す平面図及び断
面図である。

【図１１】本発明の電気光学装置の製造方法の一の実
施の形態において、ＴＦＴアレイ基板の製造方法を工程
順に示す断面図である。

【図１２】図１１に示す工程以降のＴＦＴアレイ基板
の製造方法を工程順に示す断面図である。

【図１３】図１２に示す工程以降のＴＦＴアレイ基板
の製造方法を工程順に示す断面図である。

【図１４】図１３に示す工程以降のＴＦＴアレイ基板
の製造方法を工程順に示す断面図である。

【図１５】図１４に示す工程以降のＴＦＴアレイ基板
の製造方法を工程順に示す断面図である。

【図１６】本発明に係る電気光学装置を表示装置とし
て用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。

【図１７】本発明の電気光学装置を用いた電子機器の
一例としてのモバイル型のパーソナルコンピュータを示
す説明図である。

【図１８】本発明の電気光学装置を用いた電子機器の
他の例としての携帯電話機の説明図である。

【図１９】従来の電気光学装置の一例の外観構成を模
式的に示す平面図である。

【図２０】従来の電気光学装置に用いられるパッドの
一例を模式的に示す平面図及び断面図である。

【図２１】従来の電気光学装置に用いられるパッドの
他の例を模式的に示す平面図及び断面図である。

【図２２】電気光学装置に用いられるＦＰＣの外観構
成を模式的に示す斜視図及び断面図である。

【図２３】従来の電気光学装置の他の例の外観構成を
模式的に示す平面図である。

【図２４】従来の電気光学装置に用いられるパッドの
他の例を模式的に示す平面図及び断面図である。

【符号の説明】

１半導体膜１ａ高濃度ソース領域１ａ’ チャネル形成用領域１ｂ低濃度ソース領域１ｃ低濃度ドレイン領域１ｄ高濃度ドレイン領域１ｆ高濃度ドレイン領域からの延設部分２ゲート絶縁膜３ａ走査線３ｂ容量線４第１の層間絶縁膜４ａ層間絶縁膜５第２の層間絶縁膜（表面保護膜）６導電膜６ａデータ線６ｂドレイン電極７凹凸層７ａ凹凸層を形成するための感光性樹脂８ａ金属膜８反射電極８ｇ凹凸パターン（表面凹凸形状）１０ＴＦＴアレイ基板（アクティブマトリクス基板）１０’ 基板１１下地保護膜１２配向膜１３凹凸形成層１３ａ凹凸形成層を形成するための感光性樹脂１５コンタクト孔２０対向基板２０’ 基板２１対向電極２２配向膜３０画素スイッチング用のＴＦＴ５０液晶６０蓄積容量７０バンプ９９ＦＰＣ１００電気光学装置１０１（ガラス）基板１０２第１の金属層１０３層間絶縁膜１０４第２の金属層１０５コンタクト孔１０６透明電極１００電気光学装置１００ａ画素２００パッド２０１基板２０２第１の金属層２０３第１の層間絶縁膜２０４第２の金属層２０５第１のコンタクト孔２０６透明電極２０７バンプ２０８導電粒子３０１基板３０２第１の金属層３０３第１の層間絶縁膜３０４第２の金属層３０５第１のコンタクト孔３０６透明電極３０７第２の層間絶縁膜３０８第３の層間絶縁膜３０９第２のコンタクト孔４０１基板４０２第１の金属層４０３第１の層間絶縁膜４０４第２の金属層４０５第１のコンタクト孔４０６透明電極４０７第２の層間絶縁膜４０８第３の層間絶縁膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０９Ｆ 9/35 Ｇ０９Ｆ 9/35 Ｆターム(参考） 2H092 GA29 GA33 GA40 GA50 GA60 JA24 JA34 JA37 JA41 JA46 KB25 MA07 MA08 MA13 MA15 MA17 MA19 MA30 NA25 PA01 PA02 PA06 PA10 QA07 5C094 AA43 AA44 BA03 BA43 CA19 DA15 EA04 EA07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上の周縁に形成されたパッド（端子
部）を介して入力された信号に対応して表示部で画像を
表示する電気光学装置であって、前記パッドが、前記基板上の前記パッド（端子部）の形成領域の、前記
表示部側の端部を含む領域を除いた領域に形成され、前
記パッドに入出力される信号とは異なる信号が入出力さ
れる金属配線と電気的に接続しない第１の金属層と、前記第１の金属層の表面全体を覆うように形成された、
第１のコンタクト孔を備えた第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成されるとともに、第１
のコンタクト孔を介して前記第１の金属層と電気的に接
続し、かつ前記表示部と金属配線によって電気的に接続
した第２の金属層と、前記第２の金属層の上に、前記パッド（端子部）の形成
領域の全体を覆うように形成された透明電極とから構成
されてなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】前記基板が、アクティブマトリックス基
板であり、かつ前記金属配線が、マトリックス配線パタ
ーンである請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】前記第１のコンタクト孔が、前記パッド
（端子部）の前記第１の金属層及び前記第２の金属層が
平面的に重なった領域における短辺側ではその周辺に沿
って形成されるとともに、長辺側では中央部に形成され
てなる請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】基板上の周縁に形成されたパッド（端子
部）を介して入力された信号に対応して表示部で画像を
表示する電気光学装置であって、前記パッドが、前記基板上の前記パッド（端子部）の形成領域の、前記
表示部側の端部を含む領域を除いた領域に形成され、前
記パッドに入出力される信号とは異なる信号が入出力さ
れる金属配線と電気的に接続しない第１の金属層と、前記第１の金属層の表面全体を覆うように形成された、
第１のコンタクト孔を備えた第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成されるとともに、第１
のコンタクト孔を介して前記第１の金属層と電気的に接
続し、かつ前記表示部と金属配線によって電気的に接続
した第２の金属層と、前記第２の金属層の表面の前記表示部側の端部を含む領
域上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の金属層の上及び前記第２の層間絶縁膜の前記
表示部側の端部を含む領域上に形成された、第２のコン
タクト孔を備えた第３の層間絶縁膜と、前記第３の層間絶縁膜の上に、前記パッド（端子部）の
形成領域の全体を覆うように形成されるとともに、第２
のコンタクト孔を介して前記第２の金属層と電気的に接
続した透明電極とから構成されてなることを特徴とする
電気光学装置。
【請求項５】前記基板が、アクティブマトリックス基
板であり、かつ前記金属配線が、マトリックス配線パタ
ーンである請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】前記第１のコンタクト孔が、前記パッド
（端子部）の前記第１の金属層及び前記第２の金属層が
平面的に重なった領域における短辺側ではその周辺に沿
って形成されるとともに、長辺側では中央部に形成され
てなる請求項４又は５に記載の電気光学装置。
【請求項７】前記第２のコンタクト孔が、前記パッド
（端子部）の前記第２の金属層及び前記透明電極が平面
的に重なった領域における短辺側ではその周辺に沿って
形成されるとともに、長辺側では中央部に形成されてな
る請求項４〜６のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項８】基板上の周縁に形成されたパッド（端子
部）を介して入力された信号に対応して表示部で画像を
表示する電気光学装置であって、前記パッドが、前記基板上の前記パッド（端子部）の形成領域の、前記
表示部側の端部を含む領域を除いた領域に形成され、前
記パッドに入出力される信号とは異なる信号が入出力さ
れる金属配線と電気的に接続しない第１の金属層と、前記第１の金属層の表面全体を覆うように形成された、
第１のコンタクト孔を備えた第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成されるとともに、第１
のコンタクト孔を介して前記第１の金属層と電気的に接
続し、かつ前記表示部と金属配線によって電気的に接続
した第２の金属層と、前記第２の金属層の表面の前記表示部側の端部を含む領
域上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の金属層の上には形成されずに、前記第２の層
間絶縁膜の表面の前記表示部側の端部を含む領域上に形
成された第３の層間絶縁膜と、前記第３の層間絶縁膜及び前記第２の金属層の上に、前
記パッド（端子部）の形成領域の全体を覆うように、又
は前記第３の層間絶縁膜の前記表示部側端部を含む領域
を除いた、前記パッド（端子部）の形成領域の全体を覆
うように形成された透明電極とから構成されてなること
を特徴とする電気光学装置。
【請求項９】前記基板が、アクティブマトリックス基
板であり、かつ前記金属配線が、マトリックス配線パタ
ーンである請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】前記第１のコンタクト孔が、前記パッ
ド（端子部）の前記第１の金属層及び前記第２の金属層
が平面的に重なった領域における短辺側ではその周辺に
沿って形成されるとともに、長辺側では中央部に形成さ
れてなる請求項８又は９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】基板上の周縁に形成されたパッド（端
子部）を介して入力された信号に対応して表示部で画像
を表示する電気光学装置の製造方法であって、前記基板上の前記パッド（端子部）の形成領域の、前記
表示部側の端部を含む領域を除いた領域に、前記パッド
に入出力される信号とは異なる信号が入出力される金属
配線と電気的に接続することなしに、第１の金属層を形
成し、前記第１の金属層の表面全体を覆うように、第１のコン
タクト孔を備えた第１の層間絶縁膜を形成し、前記第１の層間絶縁膜の上に、第２の金属層を形成する
とともに、第１のコンタクト孔を介して前記第１の金属
層と電気的に接続し、かつ前記表示部と金属配線によっ
て電気的に接続し、前記第２の金属層の上に、前記パッド（端子部）の形成
領域の全体を覆うように、透明電極を形成して、前記パ
ッド（端子部）を形成することを特徴とする電気光学装
置の製造方法。
【請求項１２】前記基板として、アクティブマトリッ
クス基板を用い、かつ前記金属配線として、マトリック
ス配線パターンを用いる請求項１１に記載の電気光学装
置の製造方法。
【請求項１３】前記第１のコンタクト孔を、前記パッ
ド（端子部）の前記第１の金属層及び前記第２の金属層
が平面的に重なった領域における短辺側ではその周辺に
沿って形成するとともに、長辺側では中央部に形成する
請求項１１又は１２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】基板上の周縁に形成されたパッド（端
子部）を介して入力された信号に対応して表示部で画像
を表示する電気光学装置の製造方法であって、前記基板上の前記パッド（端子部）の形成領域の、前記
表示部側の端部を含む領域を除いた領域に、前記パッド
に入出力される信号とは異なる信号が入出力される金属
配線と電気的に接続することなしに、第１の金属層を形
成し、前記第１の金属層の表面全体を覆うように、第１のコン
タクト孔を備えた第１の層間絶縁膜を形成し、前記第１の層間絶縁膜の上に第２の金属層を形成すると
ともに、第１のコンタクト孔を介して前記第１の金属層
と電気的に接続し、かつ前記表示部と金属配線によって
電気的に接続し、前記第２の金属層の表面の前記表示部側の端部を含む領
域上に、第２の層間絶縁膜を形成し、前記第２の金属層の上及び前記第２の層間絶縁膜の前記
表示部側の端部を含む領域上に、第２のコンタクト孔を
備えた第３の層間絶縁膜を形成し、前記第３の層間絶縁膜の上に、前記パッド（端子部）の
形成領域の全体を覆うように透明電極を形成するととも
に、第２のコンタクト孔を介して前記第２の金属層と電
気的に接続して、前記パッド（端子部）を形成すること
を特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１５】前記基板として、アクティブマトリッ
クス基板を用い、かつ前記金属配線として、マトリック
ス配線パターンを用いる請求項１４に記載の電気光学装
置の製造方法。
【請求項１６】前記第１のコンタクト孔を、前記パッ
ド（端子部）の前記第１の金属層及び前記第２の金属層
が平面的に重なった領域における短辺側ではその周辺に
沿って形成するとともに、長辺側では中央部に形成する
請求項１４又は１５に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１７】前記第２のコンタクト孔を、前記パッ
ド（端子部）の前記第２の金属層及び前記透明電極が平
面的に重なった領域における短辺側ではその周辺に沿っ
て形成するとともに、長辺側では中央部に形成する請求
項１４〜１６のいずれかに記載の電気光学装置の製造方
法。
【請求項１８】基板上の周縁に形成されたパッド（端
子部）を介して入力された信号に対応して表示部で画像
を表示する電気光学装置の製造方法であって、前記基板上の前記パッド（端子部）の形成領域の、前記
表示部側の端部を含む領域を除いた領域に、前記パッド
に入出力される信号とは異なる信号が入出力される金属
配線と電気的に接続することなしに、第１の金属層を形
成し、前記第１の金属層の表面全体を覆うように、第１のコン
タクト孔を備えた第１の層間絶縁膜を形成し、前記第１の層間絶縁膜の上に第２の金属層を形成すると
ともに、第１のコンタクト孔を介して前記第１の金属層
と電気的に接続し、かつ前記表示部と金属配線によって
電気的に接続し、前記第２の金属層の表面の前記表示部側の端部を含む領
域上に、第２の層間絶縁膜を形成し、前記第２の金属層の上には形成せずに、前記第２の層間
絶縁膜の表面の前記表示部側の端部を含む領域上に、第
３の層間絶縁膜を形成し、前記第３の層間絶縁膜及び前記第２の金属層の上に、前
記パッド（端子部）の形成領域の全体を覆うように、又
は前記第３の層間絶縁膜の前記表示部側端部を含む領域
を除いた、前記パッド（端子部）の形成領域の全体を覆
うように、透明電極を形成して、前記パッド（端子部）
を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１９】前記基板として、アクティブマトリッ
クス基板を用い、かつ前記金属配線として、マトリック
ス配線パターンを用いる請求項１８に記載の電気光学装
置の製造方法。
【請求項２０】前記第１のコンタクト孔を、前記パッ
ド（端子部）の前記第１の金属層及び前記第２の金属層
が平面的に重なった領域における短辺側ではその周辺に
沿って形成するとともに、長辺側では中央部に形成する
請求項１８又は１９に記載の電気光学装置の製造方法。