JP2003090994A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

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JP2003090994A
JP2003090994A JP2001284902A JP2001284902A JP2003090994A JP 2003090994 A JP2003090994 A JP 2003090994A JP 2001284902 A JP2001284902 A JP 2001284902A JP 2001284902 A JP2001284902 A JP 2001284902A JP 2003090994 A JP2003090994 A JP 2003090994A
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JP
Japan
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liquid crystal
electrode
insulating film
counter electrode
pixel electrode
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Pending
Application number
JP2001284902A
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Japanese (ja)
Inventor
Masato Shimura
正人 志村
Junji Tanno
淳二 丹野
Yoshiaki Nakayoshi
良彰 仲吉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress the rise of driving voltage. SOLUTION: A liquid crystal display device is provided with a pixel electrode and a counter electrode which are formed in different layers with an insulation film therebetween on each pixel area of the surface of one substrate at the side of the liquid crystal out of substrates which are disposed oppositely through the liquid crystal therebetween. High dielectric constant is imparted to the surface of the portion of the insulation film exposed from the electrode formed above the insulation film between the pixel electrode and counter electrode.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、特に、いわゆる横電界方式と称される液晶表示装置
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a so-called lateral electric field type liquid crystal display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】いわゆる横電界方式の液晶表示装置は、
液晶を介して対向配置される各基板のうち一方の基板の
該液晶側の面の各画素領域に、互いに離間されて配置さ
れる画素電極と対向電極を備え、これら各電極の間に発
生する電界のうち基板とほぼ平行な成分によって液晶を
挙動させるように構成されている。
2. Description of the Related Art A so-called horizontal electric field type liquid crystal display device is
A pixel electrode and a counter electrode, which are spaced apart from each other, are provided in each pixel region on the liquid crystal side surface of one of the substrates that are opposed to each other with the liquid crystal interposed therebetween, and occur between these electrodes. The liquid crystal is configured to behave by a component of the electric field that is substantially parallel to the substrate.

【0003】そして、このような液晶表示装置をいわゆ
るアクティブ・マトリクス型に適用させたものは、前記
一方の基板の液晶側の面に、そのx方向に延在されy方
向に並設されたゲート信号線とy方向に延在されx方向
に並設されたドレイン信号線とで囲まれた各領域を画素
領域としている。
A liquid crystal display device of this type applied to a so-called active matrix type has gates extending in the x direction and arranged in parallel in the y direction on the liquid crystal side surface of the one substrate. Each region surrounded by the signal line and the drain signal line extending in the y direction and juxtaposed in the x direction is defined as a pixel region.

【0004】そして、これら画素領域には、片側のゲー
ト信号線からの走査信号によって駆動される薄膜トラン
ジスタと、この薄膜トランジスタを介して片側のドレイ
ン信号線からの映像信号が供給される前記画素電極と、
前記映像信号に対して基準となる対向電圧が供給される
前記対向電極とが備えられている。
In these pixel regions, a thin film transistor driven by a scanning signal from one side gate signal line, and the pixel electrode to which a video signal from one side drain signal line is supplied via the thin film transistor,
The counter electrode is provided with a counter voltage serving as a reference for the video signal.

【0005】また、前記画素電極および対向電極は少な
くともいずれか複数個からなり、たとえばドレイン信号
線とほぼ平行にそれらが交互に配置され、しかも、これ
ら電極群において対向電極は両脇に位置づけられて配置
されるのが通常となっている。
The pixel electrode and the counter electrode are composed of at least one of them, and they are alternately arranged, for example, substantially in parallel with the drain signal line, and the counter electrodes are positioned on both sides of the electrode group. It is usually placed.

【0006】ドレイン信号線からの電気力線が該ドレイ
ン信号線に近接して配置される対向電極に終端させ、該
対向電極に隣接して配置される画素電極に終端させない
構成とせんがためである。画素電極へ終端されるドレイ
ン信号線からの電気力線は映像信号に対してノイズとな
るからである。
The electric force line from the drain signal line terminates at the counter electrode arranged in the vicinity of the drain signal line and does not terminate at the pixel electrode arranged adjacent to the counter electrode. is there. This is because the line of electric force from the drain signal line that terminates in the pixel electrode becomes noise with respect to the video signal.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかし、近年、本願発
明の発明者らによって、画素領域の開口率の向上を図る
ため、ドレイン信号線とそれに近接して配置される前記
対向電極とを絶縁膜(保護膜)を介して重畳させた構成
とし、かつ、前記絶縁膜をその誘電率の低減のためにた
とえば樹脂材からなる有機材料層としたものを提案する
に至っている。
However, in recent years, in order to improve the aperture ratio of the pixel region, the inventors of the present invention have formed an insulating film between the drain signal line and the counter electrode arranged in the vicinity thereof. It has been proposed to have a structure in which they are superposed via a (protective film), and to make the insulating film an organic material layer made of, for example, a resin material in order to reduce its dielectric constant.

【0008】しかし、このようにした場合、画素電極
は、前記有機材料層の下層に形成されることとなり、対
向電極との間の電界の電気力線が該有機材料層を通過す
ることにより、液晶への印加電圧を低下させることが判
明した。
However, in this case, the pixel electrode is formed in the lower layer of the organic material layer, and the electric field lines of the electric field between the pixel electrode and the counter electrode pass through the organic material layer, It was found to reduce the voltage applied to the liquid crystal.

【0009】このことは、液晶を駆動させるための駆動
電圧を上昇させることになり、その対策が望まれるに至
った。
This raises the driving voltage for driving the liquid crystal, and a countermeasure against it has been desired.

【0010】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたもので、その目的は、駆動電圧の上昇を抑制させる
ことのできる液晶表示装置を提供することにある。
The present invention has been made under these circumstances, and an object thereof is to provide a liquid crystal display device capable of suppressing an increase in drive voltage.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
Among the inventions disclosed in the present application, a brief description will be given to the outline of typical ones.
It is as follows.

【0012】手段1.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面の各画素領域に、絶縁膜を介して異
なる層で形成された画素電極と対向電極とを備え、該画
素電極と対向電極のうち前記絶縁膜の上層に形成されて
いる電極から露出された該絶縁膜の部分にて少なくとも
その表面に高誘電率化処理がなされていることを特徴と
するものである。
Means 1. The liquid crystal display device according to the present invention includes, for example, a pixel electrode formed in a different layer with an insulating film in each pixel region on the liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other through the liquid crystal. A counter electrode is provided, and at least the surface of the portion of the insulating film exposed from the electrode formed on the insulating film of the pixel electrode and the counter electrode is subjected to a high dielectric constant treatment. It is characterized by.

【0013】手段2.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面の各画素領域に、ゲート信号線から
の走査信号により作動されるスイッチング素子と、この
スイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信
号が供給される画素電極と、この画素電極との間に電界
を発生せしめる対向電極とが形成され、前記対向電極
は、前記スイッチング素子および画素電極をも被って形
成される有機材料層からなる絶縁膜の上面に形成され、
該絶縁膜の該対向電極から露出された部分にて少なくと
もその表面に高誘電率化処理がなされていることを特徴
とするものである。
Means 2. A liquid crystal display device according to the present invention includes, for example, a switching element operated by a scanning signal from a gate signal line in each pixel region on the liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween. A pixel electrode to which a video signal from the drain signal line is supplied via the switching element, and a counter electrode for generating an electric field between the pixel electrode and the pixel electrode, the counter electrode being the switching element and the pixel. Formed on the upper surface of the insulating film made of an organic material layer that also covers the electrodes,
At least the surface of the insulating film exposed from the counter electrode is subjected to a high dielectric constant treatment.

【0014】手段3.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面の各画素領域に、絶縁膜を介して異
なる層で形成された画素電極と対向電極とを備え、該画
素電極と対向電極のうち前記絶縁膜の上層に形成されて
いる電極から露出された該絶縁膜の部分にて少なくとも
その表面に該絶縁膜の誘電率を向上させる微粒子が拡散
されていることを特徴とするものである。
Means 3. The liquid crystal display device according to the present invention includes, for example, a pixel electrode formed in a different layer with an insulating film in each pixel region on the liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other through the liquid crystal. Fine particles for improving the dielectric constant of the insulating film at least on the surface of the portion of the insulating film exposed from the electrode formed in the upper layer of the insulating film of the pixel electrode and the counter electrode. Is diffused.

【0015】手段4.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面の各画素領域に、ゲート信号線から
の走査信号により作動されるスイッチング素子と、この
スイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信
号が供給される画素電極と、この画素電極との間に電界
を発生せしめる対向電極とが形成され、前記対向電極
は、前記スイッチング素子および画素電極をも被って形
成される有機材料層からなる絶縁膜の上面に形成され、
該絶縁膜の該対向電極から露出された部分にて少なくと
もその表面に該絶縁膜の誘電率を向上させる微粒子が拡
散されていることを特徴とするものである。
Means 4. A liquid crystal display device according to the present invention includes, for example, a switching element operated by a scanning signal from a gate signal line in each pixel region on the liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween. A pixel electrode to which a video signal from the drain signal line is supplied via the switching element, and a counter electrode for generating an electric field between the pixel electrode and the pixel electrode, the counter electrode being the switching element and the pixel. Formed on the upper surface of the insulating film made of an organic material layer that also covers the electrodes,
Fine particles for improving the dielectric constant of the insulating film are diffused at least on the surface of the part of the insulating film exposed from the counter electrode.

【0016】手段5.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面の各画素領域に、絶縁膜を介して異
なる層で形成された画素電極と対向電極とを備え、該画
素電極と対向電極のうち前記絶縁膜の上層に形成されて
いる電極から露出された該絶縁膜の部分にて少なくとも
その表面に酸化チタンの微粒子が拡散されていることを
特徴とするものである。
Means 5. The liquid crystal display device according to the present invention includes, for example, a pixel electrode formed in a different layer with an insulating film in each pixel region on the liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other through the liquid crystal. A counter electrode, wherein fine particles of titanium oxide are diffused at least on the surface of the insulating film exposed from the electrode formed on the insulating film of the pixel electrode and the counter electrode. It is characterized by.

【0017】手段6.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面の各画素領域に、ゲート信号線から
の走査信号により作動されるスイッチング素子と、この
スイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信
号が供給される画素電極と、この画素電極との間に電界
を発生せしめる対向電極とが形成され、前記対向電極
は、前記スイッチング素子および画素電極をも被って形
成される有機材料層からなる絶縁膜の上面に形成され、
該絶縁膜の該対向電極から露出された部分にて少なくと
もその表面に酸化チタンの微粒子が拡散されていること
を特徴とするものである。
Means 6. A liquid crystal display device according to the present invention includes, for example, a switching element operated by a scanning signal from a gate signal line in each pixel region on the liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween. A pixel electrode to which a video signal from the drain signal line is supplied via the switching element, and a counter electrode for generating an electric field between the pixel electrode and the pixel electrode, the counter electrode being the switching element and the pixel. Formed on the upper surface of the insulating film made of an organic material layer that also covers the electrodes,
It is characterized in that fine particles of titanium oxide are diffused at least on the surface of the portion of the insulating film exposed from the counter electrode.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例を図面を用いて説明をする。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of a liquid crystal display device according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0019】図2は、本発明による液晶表示装置の一実
施例を示す等価回路図である。同図は等価回路図である
が、実際の幾何学的配置に対応させて描いている。
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram showing an embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention. Although this figure is an equivalent circuit diagram, it is drawn corresponding to the actual geometrical arrangement.

【0020】まず、液晶を介して互いに対向配置される
一対の透明基板SUB1、SUB2があり、該液晶は一
方の透明基板SUB1に対する他方の透明基板SUB2
の固定を兼ねるシール材SLによって封入されている。
First, there is a pair of transparent substrates SUB1 and SUB2 arranged to face each other with a liquid crystal in between, and the liquid crystal has one transparent substrate SUB1 and the other transparent substrate SUB2.
It is enclosed by a sealing material SL which also serves as a fixing.

【0021】シール材SLによって囲まれた前記一方の
透明基板SUB1の液晶側の面には、そのx方向に延在
しy方向に並設されたゲート信号線GLとy方向に延在
しy方向に並設されたドレイン信号線DLとが形成され
ている。
On the liquid crystal side surface of the one transparent substrate SUB1 surrounded by the seal material SL, the gate signal lines GL extending in the x direction and juxtaposed in the y direction and the y direction extending in the y direction. A drain signal line DL is formed side by side in the direction.

【0022】各ゲート信号線GLと各ドレイン信号線D
Lとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、こ
れら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部A
Rを構成するようになっている。
Each gate signal line GL and each drain signal line D
The region surrounded by L and L constitutes a pixel region, and the matrix-shaped aggregate of these pixel regions is the liquid crystal display unit A.
It constitutes R.

【0023】また、x方向に並設される各画素領域のそ
れぞれにはそれら各画素領域内に走行された共通の対向
電圧信号線CLが形成されている。この対向電圧信号線
CLは各画素領域の後述する対向電極CTに映像信号に
対して基準となる電圧を供給するための信号線となるも
のである。
Further, a common counter voltage signal line CL running in each of the pixel regions is formed in each of the pixel regions arranged in parallel in the x direction. The counter voltage signal line CL serves as a signal line for supplying a reference voltage for a video signal to a counter electrode CT described later in each pixel region.

【0024】各画素領域には、その片側のゲート信号線
GLからの走査信号によって作動される薄膜トランジス
タTFTと、この薄膜トランジスタTFTを介して片側
のドレイン信号線DLからの映像信号が供給される画素
電極PXが形成されている。
In each pixel region, a thin film transistor TFT operated by a scanning signal from the gate signal line GL on one side thereof and a pixel electrode to which a video signal from the drain signal line DL on one side is supplied via the thin film transistor TFT. PX is formed.

【0025】この画素電極PXは、前記対向電圧信号線
と接続された対向電極CTとの間に電界を発生させ、こ
の電界によって液晶の光透過率を制御させるようになっ
ている。
The pixel electrode PX generates an electric field between the counter voltage signal line and the counter electrode CT connected thereto, and the electric field controls the light transmittance of the liquid crystal.

【0026】前記ゲート信号線GLのそれぞれの一端は
前記シール材SLを超えて延在され、その延在端は垂直
走査駆動回路Vの出力端子が接続される端子を構成する
ようになっている。また、前記垂直走査駆動回路Vの入
力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基
板からの信号が入力されるようになっている。
One end of each of the gate signal lines GL extends beyond the seal material SL, and the extended end constitutes a terminal to which the output terminal of the vertical scanning drive circuit V is connected. . Further, a signal from a printed circuit board arranged outside the liquid crystal display panel is inputted to an input terminal of the vertical scanning drive circuit V.

【0027】垂直走査駆動回路Vは複数個の半導体装置
からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線どうしが
グループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装
置があてがわれるようになっている。
The vertical scanning drive circuit V comprises a plurality of semiconductor devices, a plurality of gate signal lines adjacent to each other are grouped, and one semiconductor device is applied to each of these groups.

【0028】同様に、前記ドレイン信号線DLのそれぞ
れの一端は前記シール材SLを超えて延在され、その延
在端は映像信号駆動回路Heの出力端子が接続される端
子を構成するようになっている。また、前記映像信号駆
動回路Heの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置さ
れたプリント基板からの信号が入力されるようになって
いる。
Similarly, one end of each of the drain signal lines DL extends beyond the sealing material SL, and the extended end constitutes a terminal to which the output terminal of the video signal drive circuit He is connected. Has become. Further, a signal from a printed circuit board arranged outside the liquid crystal display panel is input to the input terminal of the video signal drive circuit He.

【0029】この映像信号駆動回路Heも複数個の半導
体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線
どうしがグループ化され、これら各グループ毎に一個の
半導体装置があてがわれるようになっている また、x方向に併設された各画素領域に共通な前記対向
電圧信号線CLは図中右側の端部で共通に接続され、そ
の接続線はシール材SLを超えて延在され、その延在端
において端子CTMを構成している。この端子CTMか
らは映像信号に対して基準となる電圧が供給されるよう
になっている。
The video signal driving circuit He is also composed of a plurality of semiconductor devices, and a plurality of drain signal lines adjacent to each other are grouped, and one semiconductor device is assigned to each group. Further, the counter voltage signal lines CL common to the respective pixel regions arranged in the x direction are commonly connected at the end portion on the right side in the drawing, and the connection line extends beyond the sealing material SL and extends therethrough. The terminal CTM is formed at the end. From this terminal CTM, a reference voltage for the video signal is supplied.

【0030】前記各ゲート信号線GLは、垂直走査回路
Vからの走査信号によって、その一つが順次選択される
ようになっている。
One of the gate signal lines GL is sequentially selected by a scanning signal from the vertical scanning circuit V.

【0031】また、前記各ドレイン信号線DLのそれぞ
れには、映像信号駆動回路Heによって、前記ゲート信
号線GLの選択のタイミングに合わせて映像信号が供給
されるようになっている。
A video signal is supplied to each of the drain signal lines DL by a video signal drive circuit He at the timing of selecting the gate signal line GL.

【0032】図1は、前記画素領域における構成を示す
平面図で、そのIII−III線における断面図を図3に、IV
−IVにおける断面図を図4に示している。
FIG. 1 is a plan view showing the structure of the pixel region, and FIG. 3 is a sectional view taken along line III-III in FIG.
A sectional view taken along line -IV is shown in FIG.

【0033】まず、透明基板SUB1の液晶側の面に、
x方向に延在しy方向に並設される一対のゲート信号線
GLが形成されている。
First, on the liquid crystal side surface of the transparent substrate SUB1,
A pair of gate signal lines GL extending in the x direction and juxtaposed in the y direction are formed.

【0034】これらゲート信号線GLは後述の一対のド
レイン信号線DLとともに矩形状の領域を囲むようにな
っており、この領域を画素領域として構成するようにな
っている。
These gate signal lines GL surround a rectangular region together with a pair of drain signal lines DL which will be described later, and this region is configured as a pixel region.

【0035】このようにゲート信号線GLが形成された
透明基板SUB1の表面にはたとえばSiNからなる絶
縁膜GIが該ゲート信号線GLをも被って形成されてい
る。
An insulating film GI made of, for example, SiN is formed on the surface of the transparent substrate SUB1 on which the gate signal lines GL have been formed as described above so as to cover the gate signal lines GL as well.

【0036】この絶縁膜GIは、後述のドレイン信号線
DLの形成領域においては前記ゲート信号線GLに対す
る層間絶縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタ
TFTの形成領域においてはそのゲート絶縁膜としての
機能を、後述の容量素子Cstgの形成領域においては
その誘電体膜としての機能を有するようになっている。
The insulating film GI functions as an interlayer insulating film for the gate signal line GL in the formation region of the drain signal line DL described later, and functions as a gate insulation film in the formation region of the thin film transistor TFT described later. In the formation region of the capacitive element Cstg, which will be described later, the film has a function as a dielectric film.

【0037】そして、この絶縁膜GIの表面であって、
前記ゲート信号線GLの一部に重畳するようにしてたと
えばアモルファスSiからなる半導体層ASが形成され
ている。
On the surface of this insulating film GI,
A semiconductor layer AS made of, for example, amorphous Si is formed so as to overlap a part of the gate signal line GL.

【0038】この半導体層ASは、薄膜トランジスタT
FTのそれであって、その上面にドレイン電極SD1お
よびソース電極SD2を形成することにより、ゲート信
号線GLの一部をゲート電極とする逆スタガ構造のMI
S型トランジスタを構成することができる。
This semiconductor layer AS is a thin film transistor T.
By forming the drain electrode SD1 and the source electrode SD2 on the upper surface of the FT, the MI of the inverted stagger structure in which a part of the gate signal line GL is used as the gate electrode.
An S-type transistor can be constructed.

【0039】ここで、前記ドイレン電極SD1およびソ
ース電極SD2はドレイン信号線DLの形成の際に同時
に形成されるようになっている。
Here, the drain electrode SD1 and the source electrode SD2 are formed at the same time when the drain signal line DL is formed.

【0040】すなわち、y方向に延在されx方向に並設
されるドレイン信号線DLが形成され、その一部が前記
半導体層ASの上面にまで延在されてドレイン電極SD
1が形成され、また、このドレイン電極SD1と薄膜ト
ランジスタTFTのチャネル長分だけ離間されてソース
電極SD2が形成されている。
That is, the drain signal line DL extending in the y direction and arranged in parallel in the x direction is formed, and a part of the drain signal line DL extends to the upper surface of the semiconductor layer AS to form the drain electrode SD.
1 is formed, and the source electrode SD2 is formed apart from the drain electrode SD1 by the channel length of the thin film transistor TFT.

【0041】このソース電極SD2は半導体層AS面か
ら画素領域側へ延在されて、換言すれば該ソース電極S
D2と一体に画素電極PXが形成されている。
The source electrode SD2 extends from the surface of the semiconductor layer AS to the pixel region side, in other words, the source electrode S2.
The pixel electrode PX is formed integrally with D2.

【0042】この画素電極PXは、たとえば図中y方向
へ延在されx方向へ並設される2個の電極群から構成さ
れ、それらを互いに電気的に接続させるためにたとえば
中央部において接続された“H”状のパターンとして形
成されている。
The pixel electrode PX is composed of, for example, two electrode groups which extend in the y direction in the drawing and are arranged in parallel in the x direction, and are connected in the central portion, for example, in order to electrically connect them to each other. It is formed as a "H" -shaped pattern.

【0043】この画素電極PXの材料としては、金属層
のような非透光性の導電層で形成しても、また、たとえ
ばITO(Indium Tin Oxide)、ITZO(Indium Tin Z
incOxide)あるいはIZO(Indium Zinc Oxide)等のよ
うな透光性の導電層で形成してもよい。
The material of the pixel electrode PX may be a non-translucent conductive layer such as a metal layer, or may be ITO (Indium Tin Oxide) or ITZO (Indium Tin Z).
It may be formed of a transparent conductive layer such as incOxide) or IZO (Indium Zinc Oxide).

【0044】なお、半導体層ASとドレイン電極SD1
およびソース電極SD2との界面には高濃度の不純物が
ドープされた薄い層が形成され、この層はコンタクト層
として機能するようになっている。
Incidentally, the semiconductor layer AS and the drain electrode SD1
A thin layer doped with a high concentration of impurities is formed at the interface with the source electrode SD2, and this layer functions as a contact layer.

【0045】このコンタクト層は、たとえば半導体層A
Sの形成時に、その表面にすでに高濃度の不純物層が形
成されており、その上面に形成したドレイン電極SD1
およびソース電極SD2のパターンをマスクとしてそれ
から露出された前記不純物層をエッチングすることによ
って形成することができる。
This contact layer is, for example, the semiconductor layer A.
When S is formed, a high-concentration impurity layer is already formed on the surface thereof, and the drain electrode SD1 formed on the upper surface of the impurity layer is formed.
And the impurity layer exposed from the pattern of the source electrode SD2 as a mask may be etched.

【0046】このように薄膜トランジスタTFT、ドイ
レン信号線DL、ドレイン電極SD1、およびソース電極
SD2が形成された透明基板SUB1の表面にはたとえ
ばSiNからなる保護膜PSV1と樹脂からなる有機材
料層の保護膜PSV2が順次積層されて形成されてい
る。
On the surface of the transparent substrate SUB1 on which the thin film transistor TFT, the drain signal line DL, the drain electrode SD1 and the source electrode SD2 are thus formed, a protective film PSV1 made of, for example, SiN and a protective film made of an organic material layer made of resin are formed. PSV2 is formed by being sequentially laminated.

【0047】これら保護膜PSV1、PSV2は前記薄
膜トランジスタTFTの液晶との直接の接触を回避する
膜で、該薄膜トランジスタTFTの特性劣化を防止せん
とするもので、このうち保護膜PSV2は塗布により形
成できることからその表面を平坦化でき、それ自体の誘
電率が小さいことから保護膜PSV1、PSV2の誘電
率を小さくすることができる。
The protective films PSV1 and PSV2 are films for avoiding direct contact with the liquid crystal of the thin film transistor TFT and prevent deterioration of characteristics of the thin film transistor TFT. Of these, the protective film PSV2 can be formed by coating. Therefore, the surface can be flattened, and the dielectric constant of the protective film PSV1 or PSV2 can be reduced because the dielectric constant of the protective film PSV1 or PSV2 is small.

【0048】そして、保護膜PSV2の表面には対向電
圧信号線CLおよび対向電極CTが形成されている。
The counter voltage signal line CL and the counter electrode CT are formed on the surface of the protective film PSV2.

【0049】ここで、対向電圧信号線CLおよび対向電
極CTはそれぞれ一体に形成されている。対向電圧信号
線CLはゲート信号線GLに重畳されかつ該ゲート信号
線GLの走行方向に沿って形成され、対向電極CTは隣
接する対向電圧信号線CLとそれぞれ接続され図中y方
向に延在されx方向に並設されたたとえば3個の電極群
から構成されている。
Here, the counter voltage signal line CL and the counter electrode CT are integrally formed. The counter voltage signal line CL is superposed on the gate signal line GL and formed along the traveling direction of the gate signal line GL, and the counter electrode CT is connected to the adjacent counter voltage signal line CL and extends in the y direction in the drawing. It is composed of, for example, three electrode groups arranged in parallel in the x direction.

【0050】電極群からなる各対向電極CTのうちの一
つは画素領域の中央、すなわち前記2個の画素電極PX
の中央を走行するようにして形成され、他の残りの二つ
はそれぞれ前記の対向電極CTとで前記画素電極PXを
間に配置するようにしてドレイン信号線DL側に形成さ
れている。
One of the counter electrodes CT formed of the electrode group is the center of the pixel region, that is, the two pixel electrodes PX.
Are formed on the drain signal line DL side so that the pixel electrodes PX and the counter electrode CT are disposed between the other two electrodes.

【0051】ドレイン信号線DL側の対向電極CTはx
方向側に隣接する他の画素領域のドレイン信号線DL側
の対向電極CTと共通に形成され、これにより、この対
向電極CTは互いの中心軸をほぼ一致させて該ドレイン
信号線DLに重畳されて形成されているともに、該ドレ
イン信号線DLの幅よりも大きな幅を有するようにして
形成されている。
The counter electrode CT on the drain signal line DL side is x
It is formed in common with the counter electrode CT on the drain signal line DL side of the other pixel region adjacent to the direction side, whereby the counter electrodes CT are superimposed on the drain signal line DL with their central axes substantially aligned with each other. The drain signal line DL has a width larger than that of the drain signal line DL.

【0052】これにより、ドレイン信号線DLからの電
界がそれに重畳されて配置される対向電極CTに終端さ
せやすくでき、該対向電極CTに隣接して配置される画
素電極PXに終端するのを回避させることができる。こ
のため、該画素電極PXに該電界が終端した場合にそれ
がノイズとなってしまうのを防止できるようになる。
Thus, the electric field from the drain signal line DL can be easily terminated to the counter electrode CT arranged so as to be superposed on the electric field, and it is possible to avoid terminating the pixel electrode PX arranged adjacent to the counter electrode CT. Can be made. Therefore, when the electric field terminates at the pixel electrode PX, it can be prevented from becoming noise.

【0053】この場合、ドレイン信号線DLと前記対向
電極CTとの間に介在される保護膜PSV1、PSV2
のうち保護膜PSV2は、誘電率の低い有機材料層から
構成されているため、上述した効果をより確実なものと
することができる。
In this case, the protective films PSV1 and PSV2 interposed between the drain signal line DL and the counter electrode CT.
Of these, the protective film PSV2 is composed of an organic material layer having a low dielectric constant, so that the above-described effects can be more ensured.

【0054】なお、対向電圧信号線CLおよび対向電極
PTの材料としては、金属層のような非透光性の導電層
で形成しても、また、たとえばITO(Indium Tin Oxid
e)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)あるいはIZ
O(Indium Zinc Oxide)等のような透光性の導電層で形
成してもよい。
The material of the counter voltage signal line CL and the counter electrode PT may be formed of a non-translucent conductive layer such as a metal layer, or may be ITO (Indium Tin Oxid).
e), ITZO (Indium Tin Zinc Oxide) or IZ
It may be formed of a transparent conductive layer such as O (Indium Zinc Oxide).

【0055】さらに、このように形成された対向電圧信
号線CLおよび対向電極CTから露出された前記保護膜
PSV2の表面には、該対向電圧信号線CLおよび対向
電極CTをマスクとして、たとえば酸化チタンの微粒子
が選択拡散された拡散層DFLが形成されている。
Further, on the surface of the protective film PSV2 exposed from the counter voltage signal line CL and the counter electrode CT thus formed, for example, titanium oxide is used with the counter voltage signal line CL and the counter electrode CT as a mask. The diffusion layer DFL is formed in which the fine particles are selectively diffused.

【0056】このような拡散層DFLはその部分が高誘
電率化された領域として形成されることを目的として形
成される。このことから、前記拡散層DFLの形成部分
が高誘電率化されるならば、拡散する微粒子は必ずしも
酸化チタンである必要はなく、酸化亜鉛、アルミナ、硫
酸バリウム、ジルコニア等、あるいは有機膜より高い誘
電率を有する他の材料であってもよいことはいうまでも
ない。
Such a diffusion layer DFL is formed for the purpose of forming that portion as a region having a high dielectric constant. From this, if the portion where the diffusion layer DFL is formed has a high dielectric constant, the diffusing fine particles are not necessarily titanium oxide, and are higher than zinc oxide, alumina, barium sulfate, zirconia, or the like, or an organic film. It goes without saying that other materials having a dielectric constant may be used.

【0057】このようにして構成される液晶表示装置
は、画素電極PXと対向電極CTとの間に介在される有
機材料層からなる保護膜PSV2が特に画素電極PXと
それに隣接して配置される他の画素電極PXとの間にお
いて高誘電率化されることになる。
In the liquid crystal display device thus configured, the protective film PSV2 made of an organic material layer interposed between the pixel electrode PX and the counter electrode CT is arranged particularly adjacent to the pixel electrode PX. The dielectric constant is increased between the other pixel electrodes PX.

【0058】このことは、画素電極PXとの間に電界を
生じせしめる対向電極CTとの間の有機材料層が高誘電
率化されることを意味し、液晶に印加される電圧の低下
を抑制することができる。したがって、液晶表示装置の
駆動においてその駆動電圧の上昇を抑制させることがで
きる。
This means that the organic material layer between the pixel electrode PX and the counter electrode CT which causes an electric field is made to have a high dielectric constant, and the decrease in the voltage applied to the liquid crystal is suppressed. can do. Therefore, when driving the liquid crystal display device, it is possible to suppress an increase in the drive voltage thereof.

【0059】なお、ドレイン信号線DLとこの上方に重
畳されて形成される対向電極CTとの間に介在される保
護膜PSV2は高誘電率化されていないことから、該保
護膜PSV2として有機材料層を選定していることの意
義が損なわれていないものとなっている。
Since the protective film PSV2 interposed between the drain signal line DL and the counter electrode CT formed overlying the drain signal line DL is not made to have a high dielectric constant, an organic material is used as the protective film PSV2. The significance of selecting layers is not impaired.

【0060】また、有機材料層からなる保護膜PSV2
の高誘電率化は、その保護膜PSV2の上面に形成した
対向電極CTをマスクとしたとえば酸化チタン等からな
る超微粒子を拡散させて行ったものである。拡散は微粒
子を拡散させた溶液を用いることで容易に行うことがで
きる。
Further, the protective film PSV2 made of an organic material layer
The increase in the dielectric constant is performed by using the counter electrode CT formed on the upper surface of the protective film PSV2 as a mask to diffuse ultrafine particles made of, for example, titanium oxide. Diffusion can be easily performed by using a solution in which fine particles are diffused.

【0061】このことから、煩雑な工程を経ることな
く、簡単な方法で本発明の目的を達成することができ
る。むろん、対向電極CTを形成した後に、この対向電
極CTをマスクとして下層の保護膜PSV2をエッチン
グして凹陥部を形成し、この凹陥部内に高誘電率の材料
を埋め込むような方法によってもよい。
Therefore, the object of the present invention can be achieved by a simple method without going through complicated steps. Of course, a method may be used in which after forming the counter electrode CT, the lower protective film PSV2 is etched using the counter electrode CT as a mask to form a recess, and a material having a high dielectric constant is embedded in the recess.

【0062】[0062]

【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置によれば、その駆動電圧の上
昇を抑制させることができる。
As is apparent from the above description,
According to the liquid crystal display device of the present invention, it is possible to suppress an increase in the drive voltage thereof.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を
示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a pixel of a liquid crystal display device according to the present invention.

【図2】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す等
価回路図である。
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram showing an embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention.

【図3】図1のIII−III線における断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along line III-III in FIG.

【図4】図1のIV−IV線における断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

SUB1,SUB2…透明基板、GL…ゲート信号線、
GI…絶縁膜、AS…半導体層、DL…ドレイン信号
線、SD1…ドレイン電極、SD2…ソース電極、PX
…画素電極、PSV1…保護膜(無機材料層)、PSV
2…保護膜(有機材料層)、CL…対向電圧信号線、C
T…対向電極、DFL…拡散層。
SUB1, SUB2 ... Transparent substrate, GL ... Gate signal line,
GI ... Insulating film, AS ... Semiconductor layer, DL ... Drain signal line, SD1 ... Drain electrode, SD2 ... Source electrode, PX
... Pixel electrode, PSV1 ... Protective film (inorganic material layer), PSV
2 ... Protective film (organic material layer), CL ... Opposing voltage signal line, C
T ... Counter electrode, DFL ... Diffusion layer.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09F 9/30 330 G09F 9/30 330Z 338 338 348 348A 9/35 9/35 (72)発明者 仲吉 良彰 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 Fターム(参考) 2H090 HA03 HB07X HB19X HC10 HD01 KA04 LA01 LA04 2H092 GA14 HA01 JA24 JB56 KB21 NA25 PA06 QA06 5C094 AA24 BA03 BA43 CA19 DA15 EA04 EA07 FB15 FB16 GA10 5G435 AA16 BB12 CC09 KK05 KK09 KK10 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI theme code (reference) G09F 9/30 330 G09F 9/30 330Z 338 338 348 348A 9/35 9/35 (72) Inventor Yoshiaki Nakayoshi 3300 Hayano, Mobara-shi, Chiba Hitachi, Ltd. Display Group F-term (reference) 2H090 HA03 HB07X HB19X HC10 HD01 KA04 LA01 LA04 2H092 GA14 HA01 JA24 JB56 KB21 NA25 PA06 QA06 5C094 AA24 BA03 BA43 CA19 DA15 EA04 A16 GA10 FB15G435 BB12 CC09 KK05 KK09 KK10

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面の各画素領域に、絶縁膜を介
して異なる層で形成された画素電極と対向電極とを備
え、 該画素電極と対向電極のうち前記絶縁膜の上層に形成さ
れている電極から露出された該絶縁膜の部分にて少なく
ともその表面に高誘電率化処理がなされている領域を有
することを特徴とする液晶表示装置。
1. A pixel electrode and a counter electrode formed in different layers with an insulating film provided in each pixel region on the liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween. A part of the insulating film exposed from the electrode formed on the insulating film of the pixel electrode and the counter electrode, at least the surface of which has a region subjected to a high dielectric constant treatment. Liquid crystal display device.
【請求項2】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面の各画素領域に、ゲート信号
線からの走査信号により作動されるスイッチング素子
と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線から
の映像信号が供給される画素電極と、この画素電極との
間に電界を発生せしめる対向電極とが形成され、 前記対向電極は、前記スイッチング素子および画素電極
をも被って形成される有機材料層からなる絶縁膜の上面
に形成され、 該絶縁膜の該対向電極から露出された部分にて少なくと
もその表面に高誘電率化処理がなされている領域を有す
ることを特徴とする液晶表示装置。
2. A switching element operated by a scanning signal from a gate signal line and a switching element in each pixel region on a liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween. A pixel electrode to which a video signal from the drain signal line is supplied through and a counter electrode for generating an electric field are formed between the pixel electrode and the pixel electrode, and the counter electrode also covers the switching element and the pixel electrode. It is characterized in that it is formed on the upper surface of an insulating film made of an organic material layer to be formed, and has a region exposed to the counter electrode of the insulating film, at least the surface of which has been subjected to a high dielectric constant treatment. Liquid crystal display device.
【請求項3】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面の各画素領域に、絶縁膜を介
して異なる層で形成された画素電極と対向電極とを備
え、 該画素電極と対向電極のうち前記絶縁膜の上層に形成さ
れている電極から露出された該絶縁膜の部分にて少なく
ともその表面に該絶縁膜の誘電率を向上させる微粒子が
拡散されていることを特徴とする液晶表示装置。
3. A pixel electrode and a counter electrode formed of different layers with an insulating film provided in each pixel region on the liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with the liquid crystal interposed therebetween. Fine particles for improving the dielectric constant of the insulating film are diffused at least on the surface of the insulating film exposed from the electrode formed on the insulating film of the pixel electrode and the counter electrode. A liquid crystal display device characterized by the above.
【請求項4】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面の各画素領域に、ゲート信号
線からの走査信号により作動されるスイッチング素子
と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線から
の映像信号が供給される画素電極と、この画素電極との
間に電界を発生せしめる対向電極とが形成され、 前記対向電極は、前記スイッチング素子および画素電極
をも被って形成される有機材料層からなる絶縁膜の上面
に形成され、 該絶縁膜の該対向電極から露出された部分にて少なくと
もその表面に該絶縁膜の誘電率を向上させる微粒子が拡
散されている領域を有することを特徴とする液晶表示装
置。
4. A switching element operated by a scanning signal from a gate signal line and a switching element in each pixel region on a liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween. A pixel electrode to which a video signal from the drain signal line is supplied through and a counter electrode for generating an electric field are formed between the pixel electrode and the pixel electrode, and the counter electrode also covers the switching element and the pixel electrode. A region formed on the upper surface of the insulating film formed of the organic material layer, in which fine particles for improving the dielectric constant of the insulating film are diffused at least on the surface of the insulating film exposed from the counter electrode. A liquid crystal display device comprising:
【請求項5】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面の各画素領域に、絶縁膜を介
して異なる層で形成された画素電極と対向電極とを備
え、 該画素電極と対向電極のうち前記絶縁膜の上層に形成さ
れている電極から露出された該絶縁膜の部分にて少なく
ともその表面に酸化チタンの微粒子が拡散されている領
域を有することを特徴とする液晶表示装置。
5. A pixel electrode and a counter electrode formed of different layers with an insulating film provided in each pixel region on the liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with the liquid crystal interposed therebetween. Characterized in that at least the surface of the insulating film exposed from the electrode formed on the insulating film of the pixel electrode and the counter electrode has a region in which fine particles of titanium oxide are diffused. Liquid crystal display device.
【請求項6】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面の各画素領域に、ゲート信号
線からの走査信号により作動されるスイッチング素子
と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線から
の映像信号が供給される画素電極と、この画素電極との
間に電界を発生せしめる対向電極とが形成され、 前記対向電極は、前記スイッチング素子および画素電極
をも被って形成される有機材料層からなる絶縁膜の上面
に形成され、 該絶縁膜の該対向電極から露出された部分にて少なくと
もその表面に酸化チタンの微粒子が拡散されている領域
を有することを特徴とする液晶表示装置。
6. A switching element operated by a scanning signal from a gate signal line and a switching element in each pixel region on the liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween. A pixel electrode to which a video signal from the drain signal line is supplied through and a counter electrode for generating an electric field are formed between the pixel electrode and the pixel electrode, and the counter electrode also covers the switching element and the pixel electrode. It is formed on the upper surface of an insulating film made of an organic material layer to be formed, and has a region in which fine particles of titanium oxide are diffused on at least the surface of the portion of the insulating film exposed from the counter electrode. Liquid crystal display device.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2014013312A (en) * 2012-07-04 2014-01-23 Mitsubishi Electric Corp Liquid crystal display device and manufacturing method
US9291863B2 (en) 2006-07-27 2016-03-22 Japan Display Inc. Liquid crystal display device

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9291863B2 (en) 2006-07-27 2016-03-22 Japan Display Inc. Liquid crystal display device
US9946125B2 (en) 2006-07-27 2018-04-17 Japan Display Inc. Liquid crystal display device
US10126609B2 (en) 2006-07-27 2018-11-13 Japan Display Inc. Liquid crystal display device
US10126608B2 (en) 2006-07-27 2018-11-13 Japan Display Inc. Liquid crystal display device
US10606133B2 (en) 2006-07-27 2020-03-31 Japan Display Inc. Liquid crystal display device
US10802353B2 (en) 2006-07-27 2020-10-13 Japan Display Inc. Liquid crystal display device
US11143923B2 (en) 2006-07-27 2021-10-12 Japan Display Inc. Display device
US11543708B2 (en) 2006-07-27 2023-01-03 Japan Display Inc. Display device including common line display device including common line
US11698555B2 (en) 2006-07-27 2023-07-11 Japan Display Inc. Display device
US12019339B2 (en) 2006-07-27 2024-06-25 Japan Display Inc. Display device
JP2014013312A (en) * 2012-07-04 2014-01-23 Mitsubishi Electric Corp Liquid crystal display device and manufacturing method

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