JP2003089717A - Epoxy resin composition and semiconductor device - Google Patents

Epoxy resin composition and semiconductor device

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JP2003089717A
JP2003089717A JP2001284574A JP2001284574A JP2003089717A JP 2003089717 A JP2003089717 A JP 2003089717A JP 2001284574 A JP2001284574 A JP 2001284574A JP 2001284574 A JP2001284574 A JP 2001284574A JP 2003089717 A JP2003089717 A JP 2003089717A
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Japan
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epoxy resin
resin composition
general formula
represented
formula
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Inventor
Hideki Orihara
秀樹 折原
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Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an epoxy resin composition for semiconductor sealing use having high normal-temperature preservability, moldability, flame retardancy, soldering resistance and moistureproofness reliability and having high environmental safety because of substantially free from any halogen and antimony, in particular compatible with insert mounting and surface mounting designs. SOLUTION: The epoxy resin composition essentially comprises (A) an epoxy resin of formula (1), (B) a phenolic resin of formula (3), (C) a curing promoter of formula (3), and (D) an inorganic filler.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、成形性、耐半田性
に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを
用いて半導体素子を封止してなる半導体装置に関するも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, which is excellent in moldability and solder resistance, and a semiconductor device in which a semiconductor element is encapsulated using the epoxy resin composition.

【0002】[0002]

【従来の技術】ダイオード、トランジスタ、ICチップ
等の半導体素子を機械的、化学的作用から保護するため
に、半導体封止用エポキシ樹脂組成物は開発、生産され
てきた。このエポキシ樹脂組成物に要求される項目は、
半導体素子の種類、半導体装置の構造、使用される環境
によって変化しつつあるが、その要求される項目に常温
時の保存性、成形時の速硬化性が挙げられる。エポキシ
樹脂組成物において、従来から用いられている硬化促進
剤としては、2−メチルイミダゾール、1,8−ジアザ
ビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、トリフェニル
ホスフィン等があるが、これらの硬化促進剤は比較的低
温でも硬化促進作用を示すため、これらを用いたエポキ
シ樹脂組成物は常温時の保存性が不十分で、そのため常
温で保存すると、成形時の流動性の低下から充填不良が
発生したり、半導体装置内の金線が断線し導通不良が発
生する等の問題が生じる。このためエポキシ樹脂組成物
は、冷蔵保存及び冷蔵輸送する必要があり、保存、輸送
に多大なコストがかかっているのが現状である。又、生
産効率アップの手段の一つとして成形時間を短くするこ
とが挙げられるが、このためには成形時の速硬化性が要
求される。従来から用いられている上記の硬化促進剤で
は、成形時の速硬化性を達成するのに十分な量を添加す
ると、エポキシ樹脂組成物の常温時の保存性が極端に低
下するという問題がある。この問題を解決すべく、近年
では低温での粘度、流動性の経時変化を抑え、成形時の
加熱によってのみ硬化反応を起こす様な、いわゆる潜伏
性硬化促進剤の研究が盛んである。その手段として、硬
化促進剤の活性点をイオン対により保護することで潜伏
性を発現させることが提案されており、特開平8−41
290号公報では種々の有機酸とホスホニウムイオンと
の塩構造を有する潜伏性硬化促進剤が提案されている。
しかし、このホスホニウム塩は特定の高次の分子構造を
有しておらず、イオン対が外部環境の影響を受け易いた
め、近年の低分子エポキシ樹脂やフェノールアラルキル
樹脂を用いるエポキシ樹脂組成物では、常温時の保存性
が低下する問題が生じている。
2. Description of the Related Art Epoxy resin compositions for semiconductor encapsulation have been developed and produced in order to protect semiconductor elements such as diodes, transistors and IC chips from mechanical and chemical effects. Items required for this epoxy resin composition are:
Although it is changing depending on the type of semiconductor element, the structure of the semiconductor device, and the environment in which it is used, the required items include storability at room temperature and rapid curing at molding. In the epoxy resin composition, conventionally used curing accelerators include 2-methylimidazole, 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7, triphenylphosphine, etc. Since the accelerators have a curing-accelerating action even at a relatively low temperature, the epoxy resin composition using them has insufficient storability at room temperature, and therefore, when stored at room temperature, poor filling results from poor fluidity during molding. However, there is a problem such as the occurrence of a wire failure or a disconnection of a gold wire in the semiconductor device, resulting in a defective conduction. For this reason, the epoxy resin composition needs to be stored in a refrigerator and transported in a refrigerator, and it is the current situation that storage and transportation are very expensive. Further, shortening the molding time can be mentioned as one of means for increasing the production efficiency, but for this purpose, fast curing property at the time of molding is required. The above-mentioned curing accelerators that have been conventionally used have a problem that the storage stability of the epoxy resin composition at room temperature is extremely reduced when added in an amount sufficient to achieve rapid curing during molding. . In order to solve this problem, in recent years, so-called latent curing accelerators have been actively researched, which suppress changes in viscosity and fluidity at low temperatures over time and cause a curing reaction only by heating during molding. As a means therefor, it has been proposed to develop latent properties by protecting the active sites of the curing accelerator with ion pairs.
No. 290 proposes latent curing accelerators having a salt structure of various organic acids and phosphonium ions.
However, this phosphonium salt does not have a specific higher-order molecular structure, and the ion pair is easily affected by the external environment. Therefore, in an epoxy resin composition using a low molecular weight epoxy resin or a phenol aralkyl resin in recent years, There is a problem that the storage stability at room temperature decreases.

【0003】一方、半田処理後の信頼性において、エポ
キシ樹脂組成物の硬化物と半導体装置内部に存在する半
導体素子やリードフレーム等の基材との界面の接着性は
非常に重要になってきている。この界面の接着性が弱い
と、半田処理後に剥離が生じ、更にはこの剥離に起因す
るクラックが発生する。更に、エポキシ樹脂組成物中に
は、難燃剤としてハロゲン系難燃剤、及び酸化アンチモ
ン等が配合されることが多い。しかしながら、ハロゲン
系難燃剤は高温時にハロゲン化物イオン(ラジカル)を
発生するため、金線の断線等の耐熱性不良の問題を引き
起こす。又、環境衛生の点からもハロゲン系難燃剤、酸
化アンチモン等を使用しない難燃性に優れたエポキシ樹
脂組成物が要求されている。
On the other hand, in terms of reliability after soldering, the adhesiveness of the interface between the cured product of the epoxy resin composition and the base material such as the semiconductor element or the lead frame existing inside the semiconductor device has become very important. There is. If the adhesiveness at this interface is weak, peeling occurs after soldering, and further cracks due to this peeling occur. Further, halogen-based flame retardants, antimony oxide and the like are often blended as flame retardants in the epoxy resin composition. However, halogen-based flame retardants generate halide ions (radicals) at high temperatures, which causes a problem of poor heat resistance such as breakage of gold wires. Also, from the viewpoint of environmental hygiene, there is a demand for an epoxy resin composition which does not use a halogen-based flame retardant, antimony oxide or the like and has excellent flame retardancy.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、常温保存特
性、成形性、難燃性、耐半田性、及び耐湿信頼性に優
れ、実質的にハロゲン系難燃剤、酸化アンチモン等を使
用しないため環境に対する安全性の高い半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物、及びこれを用いて半導体素子を封止
してなる半導体装置を提供するものである。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has excellent room temperature storage characteristics, moldability, flame retardancy, solder resistance, and moisture resistance reliability, and substantially does not use halogen-based flame retardants, antimony oxide, etc. The present invention provides an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation having high environmental safety, and a semiconductor device obtained by encapsulating a semiconductor element using the epoxy resin composition.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、常温保存
特性、速硬化性を向上させるべく鋭意検討した結果、特
定の化合物を硬化促進剤として用い、一般式(1)で表
されるエポキシ樹脂、その硬化剤として一般式(3)で
表されるフェノール樹脂を用いたエポキシ樹脂組成物
が、極めて優れた特性を示すことを見出し、この知見に
基づいて本発明を完成するに至った。即ち本発明は、
(A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)一
般式(2)で表される硬化促進剤、及び(D)無機充填
材を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であって、
[1] エポキシ樹脂(A)が一般式(1)で表される
エポキシ樹脂であることを特徴とするエポキシ樹脂組成
物、[2] フェノール樹脂(B)が一般式(3)で表
されるフェノール樹脂であることを特徴とするエポキシ
樹脂組成物、又は、[3] エポキシ樹脂(A)が一般
式(1)で表されるエポキシ樹脂であり、且つフェノー
ル樹脂(B)が一般式(3)で表されるフェノール樹脂
であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物、
Means for Solving the Problems As a result of intensive investigations by the present inventors to improve the room temperature storage characteristics and the rapid curing property, a specific compound was used as a curing accelerator and represented by the general formula (1). It was found that an epoxy resin composition using an epoxy resin and a phenol resin represented by the general formula (3) as a curing agent thereof has extremely excellent characteristics, and the present invention has been completed based on this finding. . That is, the present invention is
An epoxy resin composition comprising (A) an epoxy resin, (B) a phenol resin, (C) a curing accelerator represented by the general formula (2), and (D) an inorganic filler as essential components,
[1] The epoxy resin (A) is an epoxy resin represented by the general formula (1), and [2] the phenol resin (B) is represented by the general formula (3). An epoxy resin composition characterized by being a phenol resin, or [3] the epoxy resin (A) is an epoxy resin represented by the general formula (1), and the phenol resin (B) is a general formula (3). ) An epoxy resin composition, which is a phenol resin represented by

【化4】 (式中のR1は、炭素数1〜4のアルキル基、aは0〜
3の整数で、R2は、炭素数1〜4のアルキル基、bは
0〜4の整数で、それらは互いに同一であっても異なっ
ていてもよい。nは平均値で、1〜10の正数。)
[Chemical 4] (In the formula, R 1 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and a is 0 to
R 2 is an integer of 3, R 2 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, b is an integer of 0 to 4, and they may be the same or different. n is an average value and is a positive number from 1 to 10. )

【0006】[0006]

【化5】 (式中のR3は、水素原子、炭素数1〜4のアルキル
基、置換又は無置換のアリール基で、それらは互いに同
一であっても異なってもよい。)
[Chemical 5] (R 3 in the formula is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted aryl group, which may be the same or different from each other.)

【0007】[0007]

【化6】 (式中のR1は、炭素数1〜4のアルキル基、aは0〜
3の整数で、R2は、炭素数1〜4のアルキル基、bは
0〜4の整数で、それらは互いに同一であっても異なっ
ていてもよい。nは平均値で、1〜10の正数。)
[4] 全エポキシ樹脂組成物中に含有されるアンチモ
ン原子が0.1重量%未満である第[1]〜[3]項の
いずれかに記載のエポキシ樹脂組成物、及び[5] 第
[1]〜[4]項のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成
物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする
半導体装置、である。
[Chemical 6] (In the formula, R 1 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and a is 0 to
R 2 is an integer of 3, R 2 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, b is an integer of 0 to 4, and they may be the same or different. n is an average value and is a positive number from 1 to 10. )
[4] The epoxy resin composition according to any one of items [1] to [3], wherein the total amount of antimony atoms contained in the epoxy resin composition is less than 0.1% by weight, and [5] the epoxy resin composition. [1] to [4], wherein a semiconductor element is sealed with the epoxy resin composition according to any one of [1] to [4].

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】本発明に用いられるエポキシ樹脂
は、1分子内に2個以上のエポキシ基を有するモノマ
ー、オリゴマー、及びポリマー全般を言い、例えば、一
般式(1)で表されるエポキシ樹脂、ビスフェノール型
エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、オルソクレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラッ
ク型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹
脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹
脂、ナフトール型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポ
キシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポ
キシ樹脂等が挙げられ、これらは1種類を単独で使用し
ても2種類以上を併用してもよい。これらのエポキシ樹
脂の内では、一般式(1)で表されるエポキシ樹脂が好
ましい。一般式(1)中のR1は、炭素数1〜4のアル
キル基、aは0〜3の整数で、R2は、炭素数1〜4の
アルキル基、bは0〜4の整数で、それらは互いに同一
であっても異なっていてもよい。nは平均値で、1〜1
0の正数、好ましくは1〜4の正数、より好ましくは1
〜3の正数である。一般式(1)で表されるエポキシ樹
脂の配合量としては、全エポキシ樹脂中に50重量%以
上が好ましく、更に好ましくは70重量%以上である。
50重量%未満だと燃焼し易くなる可能性がある。又、
一般式(3)で表されるフェノール樹脂を用いたり、無
機充填材の配合量を増加すれば、全エポキシ樹脂中の一
般式(1)で表されるエポキシ樹脂の配合量を下げて
も、難燃性が保たれる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The epoxy resin used in the present invention refers to all monomers, oligomers and polymers having two or more epoxy groups in one molecule, for example, an epoxy represented by the general formula (1). Resin, bisphenol type epoxy resin, stilbene type epoxy resin, orthocresol novolac type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, triphenolmethane type epoxy resin, alkyl modified triphenolmethane type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, triazine nucleus-containing epoxy Examples thereof include resins and dicyclopentadiene-modified phenolic epoxy resins. These may be used alone or in combination of two or more. Among these epoxy resins, the epoxy resin represented by the general formula (1) is preferable. In the general formula (1), R 1 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a is an integer of 0 to 3, R 2 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and b is an integer of 0 to 4. , They may be the same or different from each other. n is an average value and is 1 to 1.
A positive number of 0, preferably a positive number of 1 to 4, more preferably 1
Is a positive number of -3. The compounding amount of the epoxy resin represented by the general formula (1) is preferably 50% by weight or more, more preferably 70% by weight or more, based on the whole epoxy resin.
If it is less than 50% by weight, it may easily burn. or,
When the phenol resin represented by the general formula (3) is used or the compounding amount of the inorganic filler is increased, even if the compounding amount of the epoxy resin represented by the general formula (1) in all epoxy resins is lowered, Flame resistance is maintained.

【0009】本発明に用いられるフェノール樹脂は、1
分子内に2個以上のフェノール性水酸基を有するモノマ
ー、オリゴマー、及びポリマー全般を言い、例えば、一
般式(3)で表されるフェノール樹脂、フェノールノボ
ラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールア
ラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、トリフェノ
ールメタン樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシク
ロペンタジエン変性フェノール樹脂等が挙げられ、これ
らは1種類を単独で使用しても2種類以上を併用しても
よい。これらのフェノール樹脂は、分子量、軟化点、水
酸基当量等に制限なく使用することができる。これらの
フェノール樹脂の内では、一般式(3)で表されるフェ
ノール樹脂が好ましい。一般式(3)中のR1は、炭素
数1〜4のアルキル基、aは0〜3の整数で、R2は、
炭素数1〜4のアルキル基、bは0〜4の整数で、それ
らは互いに同一であっても異なっていてもよい。nは平
均値で、1〜10の正数、好ましくは1〜4の正数、よ
り好ましくは1〜3の正数である。一般式(3)で表さ
れるフェノール樹脂の配合量としては、全フェノール樹
脂中に50重量%以上が好ましく、更に好ましくは70
重量%以上である。50重量%未満だと燃焼し易くなる
可能性がある。又、一般式(1)で表されるエポキシ樹
脂を用いたり、無機充填材の配合量を増加すれば、全フ
ェノール樹脂中の一般式(3)で表されるフェノール樹
脂の配合量を下げても、難燃性が保たれる。本発明に用
いられる全エポキシ樹脂と全フェノール樹脂の当量比と
しては、好ましくは0.5〜2、特に好ましくは0.7
〜1.5である。0.5〜2の範囲を外れると、硬化
性、耐湿性等が低下する可能性がある。
The phenol resin used in the present invention is 1
A general term for monomers, oligomers, and polymers having two or more phenolic hydroxyl groups in the molecule, for example, phenolic resin represented by the general formula (3), phenol novolac resin, cresol novolac resin, phenol aralkyl resin, naphthol aralkyl. Examples thereof include resins, triphenol methane resins, terpene modified phenol resins, dicyclopentadiene modified phenol resins, and these may be used alone or in combination of two or more. These phenolic resins can be used without limitation in molecular weight, softening point, hydroxyl group equivalent and the like. Among these phenol resins, the phenol resin represented by the general formula (3) is preferable. R 1 in the general formula (3) is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a is an integer of 0 to 3, and R 2 is
An alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, b is an integer of 0 to 4, and they may be the same or different from each other. n is an average value and is a positive number of 1 to 10, preferably a positive number of 1 to 4, and more preferably a positive number of 1 to 3. The amount of the phenol resin represented by the general formula (3) is preferably 50% by weight or more, more preferably 70% by weight based on the total phenol resin.
It is more than weight%. If it is less than 50% by weight, it may easily burn. Further, when the epoxy resin represented by the general formula (1) is used or the compounding amount of the inorganic filler is increased, the compounding amount of the phenol resin represented by the general formula (3) in all phenolic resins is lowered. Also, flame retardance is maintained. The equivalent ratio of all epoxy resins and all phenol resins used in the present invention is preferably 0.5 to 2, particularly preferably 0.7.
~ 1.5. When it is out of the range of 0.5 to 2, the curability, the moisture resistance and the like may decrease.

【0010】本発明に用いられる一般式(2)で表され
る硬化促進剤は、テトラ置換ホスホニウム(X)とピロ
ガロール(すなわち1,2,3−トリヒドロキシベンゼ
ン)及びピロガロールの共役塩基との分子会合体であっ
て、該共役塩基は、ピロガロールから1個の水素を除い
たフェノキシド型化合物である。本発明の一般式(2)
で表される硬化促進剤は、1種類を単独で使用しても2
種類以上を併用してもよい。本発明の一般式(2)で表
される硬化促進剤の構成成分の一つであるテトラ置換ホ
スホニウム(X)の置換基については、何ら限定され
ず、置換基は互いに同一であっても異なっていてもよ
い。例えば、置換又は無置換のアリール基やアルキル基
を置換基に有するテトラ置換ホスホニウムイオンが、熱
や加水分解に対して安定であり好ましい。具体的には、
テトラフェニルホスホニウム、テトラトリルホスホニウ
ム、テトラエチルフェニルホスホニウム、テトラメトキ
シフェニルホスホニウム、テトラナフチルホスホニウ
ム、テトラベンジルホスホニウム、エチルトリフェニル
ホスホニウム、n−ブチルトリフェニルホスホニウム、
2−ヒドロキシエチルトリフェニルホスホニウム、トリ
メチルフェニルホスホニウム、メチルジエチルフェニル
ホスホニウム、メチルジアリルフェニルホスホニウム、
テトラ−n−ブチルホスホニウム等を例示できる。
The curing accelerator represented by the general formula (2) used in the present invention is a molecule of tetra-substituted phosphonium (X) and pyrogallol (ie 1,2,3-trihydroxybenzene) and a conjugate base of pyrogallol. The conjugate base is a phenoxide type compound in which one hydrogen is removed from pyrogallol. General formula (2) of the present invention
The curing accelerator represented by 2 is 2 even if used alone.
You may use together more than one kind. The substituent of the tetra-substituted phosphonium (X) which is one of the constituents of the curing accelerator represented by the general formula (2) of the present invention is not limited at all, and the substituents may be the same or different. May be. For example, a tetra-substituted phosphonium ion having a substituted or unsubstituted aryl group or alkyl group as a substituent is preferable because it is stable against heat and hydrolysis. In particular,
Tetraphenylphosphonium, tetratolylphosphonium, tetraethylphenylphosphonium, tetramethoxyphenylphosphonium, tetranaphthylphosphonium, tetrabenzylphosphonium, ethyltriphenylphosphonium, n-butyltriphenylphosphonium,
2-hydroxyethyltriphenylphosphonium, trimethylphenylphosphonium, methyldiethylphenylphosphonium, methyldiallylphenylphosphonium,
Tetra-n-butylphosphonium etc. can be illustrated.

【0011】本発明の一般式(2)で表される硬化促進
剤は、前述の様にホスホニウム−フェノキシド型の塩を
構造中に有するが、従来の技術におけるホスホニウム−
有機酸アニオン塩型の化合物と異なる点は、本発明の一
般式(2)で表される硬化促進剤では水素結合による高
次構造がイオン結合を取り囲んでいる点である。従来の
技術におけるホスホニウム−有機酸アニオン塩型の化合
物では、イオン結合の強さのみにより反応性を制御して
いるのに対し、本発明の一般式(2)で表される硬化促
進剤では、常温ではアニオンの高次構造による囲い込み
が活性点の保護を行う一方、成形の段階においてはこの
高次構造が崩れることで活性点がむき出しになり反応性
を発現するいわゆる潜伏性が付与されている。
The curing accelerator represented by the general formula (2) of the present invention has a phosphonium-phenoxide type salt in its structure as described above.
The difference from the organic acid anion salt type compound is that in the curing accelerator represented by the general formula (2) of the present invention, the higher order structure by hydrogen bond surrounds the ionic bond. In the conventional phosphonium-organic acid anion salt type compound, the reactivity is controlled only by the strength of the ionic bond, whereas in the curing accelerator represented by the general formula (2) of the present invention, At room temperature, the enclosure of anions with a higher-order structure protects the active sites, while at the molding stage, the higher-order structures collapse, exposing the active sites and giving the so-called latent property that develops reactivity. .

【0012】ところで、本発明の一般式(2)で表され
る化合物を、酸化アンチモンを含有するエポキシ樹脂組
成物に硬化促進剤として用いると、ピロガロールのフェ
ノール性水酸基がアンチモン原子に配位することによ
り、硬化促進剤としての活性が低下してしまう。そこで
本発明のエポキシ樹脂組成物では、一般式(1)で表さ
れるエポキシ樹脂と、一般式(3)で表されるフェノー
ル樹脂を単独、又は組み合わせて用いることにより、酸
化アンチモンを用いなくても難燃性が保たれる。すなわ
ち本発明において、全エポキシ樹脂組成物中に含有され
るアンチモン原子が0.1重量%未満であることが、本
発明の一般式(2)で表される化合物の硬化促進剤とし
ての効果を十分に引き出すためには好ましく、完全に含
まれない方がより好ましい。
By the way, when the compound represented by the general formula (2) of the present invention is used as a curing accelerator in an epoxy resin composition containing antimony oxide, the phenolic hydroxyl group of pyrogallol is coordinated with an antimony atom. As a result, the activity as a curing accelerator decreases. Therefore, in the epoxy resin composition of the present invention, by using the epoxy resin represented by the general formula (1) and the phenol resin represented by the general formula (3) alone or in combination, antimony oxide is not used. Flame retardancy is maintained. That is, in the present invention, when the content of antimony atoms in the total epoxy resin composition is less than 0.1% by weight, the effect of the compound represented by the general formula (2) of the present invention as a curing accelerator is obtained. It is preferable to fully draw it out, and it is more preferable that it is not completely contained.

【0013】本発明の一般式(2)で表される硬化促進
剤の製造方法としては、何ら限定されないが、代表的な
2方法を挙げることができる。1つ目は、テトラ置換ホ
スホニウム・テトラ置換ボレート(Y)と、ピロガロー
ルとを、高温下で反応させた後、更に沸点60℃以上の
溶媒中で熱反応させる方法である。2つ目は、ピロガロ
ールと、無機塩基又は有機塩基と、テトラ置換ホスホニ
ウムハライドとを反応させる方法である。用いるテトラ
置換ホスホニウムハライドの置換基については、何ら限
定されることはなく、置換基は互いに同一であっても異
なっていてもよい。例えば、置換又は無置換のアリール
基やアルキル基を置換基に有するテトラ置換ホスホニウ
ムイオンが、熱や加水分解に対して安定であり好まし
い。具体的には、テトラフェニルホスホニウム、テトラ
トリルホスホニウム、テトラエチルフェニルホスホニウ
ム、テトラメトキシフェニルホスホニウム、テトラナフ
チルホスホニウム、テトラベンジルホスホニウム、エチ
ルトリフェニルホスホニウム、n−ブチルトリフェニル
ホスホニウム、2−ヒドロキシエチルトリフェニルホス
ホニウム、トリメチルフェニルホスホニウム、メチルジ
エチルフェニルホスホニウム、メチルジアリルフェニル
ホスホニウム、テトラ−n−ブチルホスホニウム等を例
示できる。ハライドとしてはクロライドやブロマイドを
例示でき、テトラ置換ホスホニウムハライドの価格や吸
湿等の特性、及び入手のし易さから選択すればよく、い
ずれを用いても差し支えない。
The method for producing the curing accelerator represented by the general formula (2) of the present invention is not limited at all, but two typical methods can be mentioned. The first is a method in which a tetra-substituted phosphonium / tetra-substituted borate (Y) is reacted with pyrogallol at a high temperature and then a thermal reaction is further performed in a solvent having a boiling point of 60 ° C. or higher. The second is a method of reacting pyrogallol, an inorganic base or an organic base, and a tetra-substituted phosphonium halide. The substituents of the tetra-substituted phosphonium halide used are not particularly limited, and the substituents may be the same or different from each other. For example, a tetra-substituted phosphonium ion having a substituted or unsubstituted aryl group or alkyl group as a substituent is preferable because it is stable against heat and hydrolysis. Specifically, tetraphenylphosphonium, tetratolylphosphonium, tetraethylphenylphosphonium, tetramethoxyphenylphosphonium, tetranaphthylphosphonium, tetrabenzylphosphonium, ethyltriphenylphosphonium, n-butyltriphenylphosphonium, 2-hydroxyethyltriphenylphosphonium, Examples include trimethylphenylphosphonium, methyldiethylphenylphosphonium, methyldiallylphenylphosphonium, and tetra-n-butylphosphonium. As the halide, chloride and bromide can be exemplified, and the tetra-substituted phosphonium halide may be selected from the characteristics such as price and moisture absorption and the availability, and any of them can be used.

【0014】又、本発明の一般式(2)で表される硬化
促進剤の特性を損なわない範囲で、他の硬化促進剤と併
用しても何ら問題はない。併用できる他の硬化促進剤と
しては、特に限定されるものではなく、例えば、トリフ
ェニルホスフィン、1,8−ジアザビシクロ(5,4,
0)ウンデセン−7、2−メチルイミダゾール等が挙げ
られ、これらは1種類を単独で使用しても2種類以上を
併用してもよい。本発明の一般式(2)で表される硬化
促進剤の配合量としては、全エポキシ樹脂と全フェノー
ル樹脂の合計量100重量部当たり0.2〜20重量部
程度が、硬化性、保存性、他特性のバランスがよく好適
である。
There is no problem even if it is used in combination with another curing accelerator as long as the characteristics of the curing accelerator represented by the general formula (2) of the present invention are not impaired. Other curing accelerators that can be used in combination are not particularly limited, and examples thereof include triphenylphosphine and 1,8-diazabicyclo (5,4,4).
0) Undecene-7, 2-methylimidazole and the like can be mentioned, and these may be used alone or in combination of two or more. As the compounding amount of the curing accelerator represented by the general formula (2) of the present invention, about 0.2 to 20 parts by weight is added per 100 parts by weight of the total amount of all epoxy resins and all phenolic resins. The other characteristics are well-balanced and suitable.

【0015】本発明に用いられる無機充填材の種類につ
いては特に制限はなく、一般に封止材料に用いられてい
るものを使用することができる。例えば、溶融破砕シリ
カ、溶融球状シリカ、結晶シリカ、2次凝集シリカ、ア
ルミナ、チタンホワイト、水酸化アルミニウム、タル
ク、クレー、ガラス繊維等が挙げられ、これらは1種類
を単独で使用しても2種類以上を併用してもよい。特に
溶融球状シリカが好ましい。形状は限りなく真球状であ
ることが好ましく、又、粒子の大きさの異なるものを混
合することにより充填量を多くすることができる。無機
充填材の配合量としては、全エポキシ樹脂と全フェノー
ル樹脂の合計量100重量部当たり200〜2400重
量部が好ましい。200重量部未満だと、無機充填材に
よる補強効果が充分に発現しないか、或いは燃焼してし
まう可能性があり、一方、2400重量部を越えると、
エポキシ樹脂組成物の流動性が低下し成形時に充填不良
等が生じる可能性がある。特に、無機充填材の配合量
が、全エポキシ樹脂と全フェノール樹脂の合計量100
重量部当たり250〜1400重量部であれば、エポキ
シ樹脂組成物の硬化物の吸湿率が低くなり、半田クラッ
クの発生を防止することができ、更に溶融時のエポキシ
樹脂組成物の粘度が低くなるため、半導体装置内部の金
線変形を引き起こすおそれがなく、より好ましい。又、
無機充填材は、予め充分混合しておくことが好ましい。
カップリング剤等で予め処理した無機充填材を用いても
よい。
The type of the inorganic filler used in the present invention is not particularly limited, and those generally used for sealing materials can be used. Examples thereof include fused crushed silica, fused spherical silica, crystalline silica, secondary agglomerated silica, alumina, titanium white, aluminum hydroxide, talc, clay, and glass fiber. You may use together more than one kind. Fused spherical silica is particularly preferable. It is preferable that the shape is infinitely spherical, and the filling amount can be increased by mixing particles having different particle sizes. The compounding amount of the inorganic filler is preferably 200 to 2400 parts by weight per 100 parts by weight of the total amount of all epoxy resins and all phenolic resins. If it is less than 200 parts by weight, the reinforcing effect due to the inorganic filler may not be sufficiently exhibited or may burn. On the other hand, if it exceeds 2400 parts by weight,
There is a possibility that the fluidity of the epoxy resin composition will decrease, resulting in defective filling during molding. Particularly, the compounding amount of the inorganic filler is 100, which is the total amount of all epoxy resins and all phenolic resins.
If it is 250 to 1400 parts by weight per part by weight, the moisture absorption of the cured product of the epoxy resin composition will be low, the occurrence of solder cracks can be prevented, and the viscosity of the epoxy resin composition upon melting will be low. Therefore, there is no possibility of causing deformation of the gold wire inside the semiconductor device, which is more preferable. or,
It is preferable that the inorganic filler is thoroughly mixed in advance.
An inorganic filler pretreated with a coupling agent or the like may be used.

【0016】本発明のエポキシ樹脂組成物は、(A)〜
(D)成分の他、必要に応じて臭素化エポキシ樹脂等の
難燃剤を含有することは差し支えないが、半導体装置の
150〜200℃の高温下での電気特性の安定性が要求
される用途では、臭素原子の含有率が全エポキシ樹脂組
成物中に0.1重量%未満であることが好ましく、完全
に含まれない方がより好ましい。臭素原子が0.1重量
%以上だと、高温下に放置したときに半導体装置の抵抗
値が時間と共に増大し、最終的には半導体素子の金線が
断線する不良が発生する可能性がある。又、環境保護の
観点からも、臭素原子の含有率が0.1重量%未満で、
極力含有されていないことが望ましい。本発明のエポキ
シ樹脂組成物は、(A)〜(D)成分の他、必要に応じ
てγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のカ
ップリング剤、カーボンブラック等の着色剤、リン化合
物等の難燃剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム等の
低応力成分、天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸
及びその金属塩類もしくはパラフィン等の離型剤、酸化
防止剤等の各種添加剤を配合することができる。本発明
のエポキシ樹脂組成物は、(A)〜(D)成分、及びそ
の他の添加剤等をミキサーを用いて常温混合し、ロー
ル、押出機等の混練機で混練し、冷却後粉砕して得られ
る。本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子
等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、ト
ランスファーモールド、コンプレッションモールド、イ
ンジェクションモールド等の成形方法で硬化成形すれば
よい。特に、本発明のエポキシ樹脂組成物は、挿入実装
及び表面実装対応の半導体装置用に好適である。
The epoxy resin composition of the present invention comprises (A)-
In addition to the component (D), a flame retardant such as a brominated epoxy resin may be contained if necessary, but applications in which stability of electrical characteristics of a semiconductor device at a high temperature of 150 to 200 ° C. is required Then, the content of bromine atoms is preferably less than 0.1% by weight in the total epoxy resin composition, and more preferably not completely contained. If the content of bromine atoms is 0.1% by weight or more, the resistance value of the semiconductor device may increase with time when left at high temperature, and eventually a failure may occur in which the gold wire of the semiconductor element is broken. . From the viewpoint of environmental protection, if the content of bromine atoms is less than 0.1% by weight,
It is desirable that it is not contained as much as possible. The epoxy resin composition of the present invention includes, in addition to the components (A) to (D), if necessary, a coupling agent such as γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, a coloring agent such as carbon black, and a phosphorus compound. Various additives such as flame retardants, low-stress components such as silicone oils and silicone rubbers, natural waxes, synthetic waxes, release agents such as higher fatty acids and their metal salts or paraffins, and antioxidants can be added. The epoxy resin composition of the present invention is obtained by mixing components (A) to (D), other additives, and the like at room temperature with a mixer, kneading with a kneader such as a roll or an extruder, and cooling and pulverizing. can get. In order to manufacture a semiconductor device by sealing an electronic component such as a semiconductor element using the epoxy resin composition of the present invention, it may be cured and molded by a molding method such as a transfer mold, a compression mold, an injection mold. In particular, the epoxy resin composition of the present invention is suitable for semiconductor devices compatible with insertion mounting and surface mounting.

【0017】[0017]

【実施例】以下に、本発明の実施例を示すが、本発明は
これにより何ら限定されるものではない。 [分子会合体の合成例]ピロガロール189g(1.5
モル)と、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニ
ルボレート(Y)210g(0.5モル)とを3Lセパ
ラブルフラスコに仕込み、200℃で3時間反応させ
た。この反応でのベンゼン留出量は、理論生成量の97
重量%(即ちベンゼン留出率97%)であった。この反
応による粗生成物を微粉砕し、セパラブルフラスコに仕
込み、2−プロパノールを粗生成物の仕込み重量の3倍
量加え、内温82.4℃(2−プロパノールの沸点温
度)で1.5時間攪拌した。その後、2−プロパノール
の大部分を除去し、更に加熱減圧下で低沸点分を除去し
た。得られた生成物を化合物C1とした。
EXAMPLES Examples of the present invention will be shown below, but the present invention is not limited thereto. [Synthesis Example of Molecular Association] 189 g of pyrogallol (1.5
Mol) and 210 g (0.5 mol) of tetraphenylphosphonium tetraphenylborate (Y) were charged in a 3 L separable flask and reacted at 200 ° C. for 3 hours. The benzene distillate in this reaction is 97% of the theoretical amount.
It was weight% (that is, benzene distillation rate was 97%). The crude product of this reaction was finely pulverized, charged into a separable flask, 2-propanol was added in an amount 3 times the weight of the crude product charged, and the internal temperature was 82.4 ° C. (boiling point temperature of 2-propanol). Stir for 5 hours. After that, most of 2-propanol was removed, and low boiling point components were further removed under reduced pressure with heating. The obtained product was named compound C1.

【0018】[エポキシ樹脂組成物の製造例]配合割合
は重量部とする。 (実施例1) 式(4)で表されるエポキシ樹脂を主成分とする樹脂(エポキシ当量275、 融点105℃) 80重量部
[Production Example of Epoxy Resin Composition] The mixing ratio is parts by weight. (Example 1) 80 parts by weight of a resin containing an epoxy resin represented by the formula (4) as a main component (epoxy equivalent: 275, melting point: 105 ° C)

【化7】 フェノールノボラック樹脂(水酸基当量104、軟化点73℃) 30重量部 化合物C1 4.0重量部 溶融球状シリカ(平均粒径15μm) 600重量部 カーボンブラック 5重量部 カルナバワックス 5重量部 を混合し、熱ロールを用いて、95℃で8分間混練して
冷却後粉砕し、エポキシ樹脂組成物を得た。得られたエ
ポキシ樹脂組成物を以下の方法で評価した。結果を表1
に示す。
[Chemical 7] Phenol novolac resin (hydroxyl group equivalent 104, softening point 73 ° C.) 30 parts by weight Compound C1 4.0 parts by weight Fused spherical silica (average particle size 15 μm) 600 parts by weight Carbon black 5 parts by weight Carnauba wax 5 parts by weight are mixed and heated. Using a roll, the mixture was kneaded at 95 ° C. for 8 minutes, cooled, and then pulverized to obtain an epoxy resin composition. The obtained epoxy resin composition was evaluated by the following methods. The results are shown in Table 1.
Shown in.

【0019】評価方法 スパイラルフロー:EMMI−1−66に準じたスパイ
ラルフロー測定用の金型を用い、金型温度175℃、注
入圧力6.9MPa、硬化時間120sで測定した。ス
パイラルフローは流動性のパラメータであり、数値が大
きい方が流動性が良好である。単位はcm。 ショアD硬度:金型温度175℃、注入圧力6.9MP
a、硬化時間120sで成形し、型開き10秒後に測定
したショアD硬度の値を硬化性とした。ショアD硬度は
硬化性の指標であり、数値が大きい方が硬化性が良好で
ある。 30℃保存性:30℃で1週間保存した後、スパイラル
フローを測定し、調製直後のスパイラルフローに対する
百分率として表した。単位は%。 難燃性:UL−94垂直試験法(試料厚さ1/16in
ch)に準じて測定した。 耐半田性:トランスファー成形機を用いて、金型温度1
75℃、注入圧力6.9MPa、硬化時間120sで1
4mm×20mm×2.7mmのフラットパッケージを
8個成形した。175℃、4時間でポストキュアし、8
5℃、相対湿度85%の恒温恒湿槽に168時間放置し
て吸湿させた後、240℃の半田浴に30秒浸漬し、パ
ッケージ外部のクラックを観察した。不良パッケージの
個数がn個であるとき、n/8と表示する。 耐湿信頼性:トランスファー成形機を用いて、金型温度
175℃、注入圧力6.9MPa、硬化時間120sで
16pDIP(チップサイズ3.0mm×3.5mm)
を成形した。175℃、4時間でポストキュアし、その
後プレッシャークッカー試験(125℃、2.4×10
5Pa)を行い、回路のオープン不良を50時間ごとに
測定したときの不良発生時間を測定した。単位は時間。 アンチモン原子含有率:圧力5.9MPaで直径40m
m、厚さ5〜7mmに圧縮成形し、得られた成形品を蛍
光X線分析装置を用いて、全エポキシ樹脂組成物中のア
ンチモン原子の含有率を定量した。単位は重量%。
Evaluation method Spiral flow: Using a mold for spiral flow measurement according to EMMI-1-66, the mold temperature was 175 ° C., the injection pressure was 6.9 MPa, and the curing time was 120 s. The spiral flow is a fluidity parameter, and the larger the value, the better the fluidity. The unit is cm. Shore D hardness: mold temperature 175 ° C, injection pressure 6.9MP
a, the molding time was 120 s, and the Shore D hardness value measured 10 seconds after the mold was opened was defined as the curability. The Shore D hardness is an index of curability, and the larger the value, the better the curability. Storage property at 30 ° C .: After storage at 30 ° C. for 1 week, spiral flow was measured and expressed as a percentage of the spiral flow immediately after preparation. Units%. Flame retardance: UL-94 vertical test method (sample thickness 1/16 in
ch). Solder resistance: Mold temperature 1 using transfer molding machine
1 at 75 ° C, injection pressure 6.9 MPa, curing time 120s
Eight flat packages of 4 mm × 20 mm × 2.7 mm were molded. Post cure at 175 ° C for 4 hours, 8
After leaving it in a thermo-hygrostat at 5 ° C. and a relative humidity of 85% for 168 hours to absorb moisture, it was immersed in a solder bath at 240 ° C. for 30 seconds, and cracks outside the package were observed. When the number of defective packages is n, it is displayed as n / 8. Moisture resistance reliability: Using a transfer molding machine, mold temperature 175 ° C., injection pressure 6.9 MPa, curing time 120 s 16 pDIP (chip size 3.0 mm × 3.5 mm)
Was molded. Post cure at 175 ° C for 4 hours, then pressure cooker test (125 ° C, 2.4 x 10
5 Pa) was performed to measure the failure occurrence time when the circuit open failure was measured every 50 hours. The unit is hours. Antimony atom content rate: 40 m diameter at a pressure of 5.9 MPa
m, the thickness was 5 to 7 mm, and the obtained molded product was quantified for the content of antimony atoms in the total epoxy resin composition using a fluorescent X-ray analyzer. The unit is% by weight.

【0020】(実施例2〜7、比較例1〜6)表1の配
合に従い、実施例1と同様にしてエポキシ樹脂組成物を
得、実施例1と同様にして評価した。結果を表1に示
す。なお、実施例及び比較例で使用したオルソクレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂はエポキシ当量210、軟
化点65℃である。一般式(3)のフェノール樹脂とし
ては、式(5)で表されるもの(水酸基当量199、軟
化点70℃)を使用した。比較例で使用した硬化促進剤
は式(6)で表される化合物である。
(Examples 2 to 7 and Comparative Examples 1 to 6) According to the formulations shown in Table 1, epoxy resin compositions were obtained in the same manner as in Example 1 and evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1. The orthocresol novolac type epoxy resin used in the examples and comparative examples has an epoxy equivalent of 210 and a softening point of 65 ° C. As the phenol resin of the general formula (3), the one represented by the formula (5) (hydroxyl group equivalent 199, softening point 70 ° C.) was used. The curing accelerator used in the comparative example is a compound represented by the formula (6).

【化8】 [Chemical 8]

【0021】[0021]

【化9】 (式中、記号Phはフェニル基を表す。)[Chemical 9] (In the formula, the symbol Ph represents a phenyl group.)

【0022】[0022]

【表1】 [Table 1]

【0023】[0023]

【発明の効果】本発明のエポキシ樹脂組成物は、半導体
封止用として常温保存特性、速硬化性、成形性、難燃性
に優れ、実質的にハロゲン、アンチモンを含まないため
環境に対する安全性に極めて優れ、これを用いた半導体
装置は、特に挿入実装及び表面実装対応の装置として耐
半田性、耐湿信頼性に優れ、有用である。
INDUSTRIAL APPLICABILITY The epoxy resin composition of the present invention is excellent in room-temperature storage characteristics for semiconductor encapsulation, fast curing property, moldability, flame retardancy, and substantially safe from the environment because it does not contain halogen or antimony. The semiconductor device using the same is excellent in solder resistance and moisture resistance reliability and is particularly useful as a device for insertion mounting and surface mounting.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)一般式(1)で表されるエポキシ
樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)一般式(2)で表
される硬化促進剤、及び(D)無機充填材を必須成分と
することを特徴とするエポキシ樹脂組成物。 【化1】 (式中のR1は、炭素数1〜4のアルキル基、aは0〜
3の整数で、R2は、炭素数1〜4のアルキル基、bは
0〜4の整数で、それらは互いに同一であっても異なっ
ていてもよい。nは平均値で、1〜10の正数。) 【化2】 (式中のR3は、水素原子、炭素数1〜4のアルキル
基、置換又は無置換のアリール基で、それらは互いに同
一であっても異なってもよい。)
1. An epoxy resin represented by the general formula (1), a phenol resin (B), a curing accelerator represented by the general formula (2), and an inorganic filler (D). An epoxy resin composition comprising an essential component. [Chemical 1] (In the formula, R 1 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and a is 0 to
R 2 is an integer of 3, R 2 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, b is an integer of 0 to 4, and they may be the same or different. n is an average value and is a positive number from 1 to 10. ) [Chemical 2] (R 3 in the formula is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted aryl group, which may be the same or different from each other.)
【請求項2】 (A)エポキシ樹脂、(B)一般式
(3)で表されるフェノール樹脂、(C)一般式(2)
で表される硬化促進剤、及び(D)無機充填材を必須成
分とすることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。 【化3】 (式中のR1は、炭素数1〜4のアルキル基、aは0〜
3の整数で、R2は、炭素数1〜4のアルキル基、bは
0〜4の整数で、それらは互いに同一であっても異なっ
ていてもよい。nは平均値で、1〜10の正数。)
2. An epoxy resin (A), a phenol resin (B) represented by the general formula (3), and a general formula (2) (C).
An epoxy resin composition comprising a curing accelerator represented by the formula (1) and an inorganic filler (D) as essential components. [Chemical 3] (In the formula, R 1 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and a is 0 to
R 2 is an integer of 3, R 2 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, b is an integer of 0 to 4, and they may be the same or different. n is an average value and is a positive number from 1 to 10. )
【請求項3】 (A)一般式(1)で表されるエポキシ
樹脂、(B)一般式(3)で表されるフェノール樹脂、
(C)一般式(2)で表される硬化促進剤、及び(D)
無機充填材を必須成分とすることを特徴とするエポキシ
樹脂組成物。
3. An epoxy resin represented by the general formula (1) (A), a phenol resin represented by the general formula (3) (B),
(C) a curing accelerator represented by the general formula (2), and (D)
An epoxy resin composition comprising an inorganic filler as an essential component.
【請求項4】 全エポキシ樹脂組成物中に含有されるア
ンチモン原子が0.1重量%未満である請求項1、2、
又は3記載のエポキシ樹脂組成物。
4. The antimony atom contained in the total epoxy resin composition is less than 0.1% by weight.
Or the epoxy resin composition described in 3.
【請求項5】 請求項1〜4記載のいずれかのエポキシ
樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特
徴とする半導体装置。
5. A semiconductor device obtained by encapsulating a semiconductor element using the epoxy resin composition according to any one of claims 1 to 4.
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