JP2003086497A - Method of lithography - Google Patents
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、リソグラフィ方法
に関し、特には半導体装置の製造に適用されるような微
細パターンの形成において、露光面内に均一な線幅でレ
ジストパターンを形成するためのリソグラフィ方法に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lithographic method, and more particularly to a lithographic method for forming a resist pattern with a uniform line width in an exposed surface in the formation of a fine pattern as applied to the manufacture of semiconductor devices. Regarding the method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、リソ
グラフィ処理によってウエハ上にレジストパターンを形
成し、このレジストパターンをマスクにしてウエハ表面
層のパターンやウエハ表面層への不純物の注入などを行
っている。2. Description of the Related Art In the process of manufacturing a semiconductor device, a resist pattern is formed on a wafer by a lithographic process, and the resist pattern is used as a mask to perform a pattern on a wafer surface layer and to implant impurities into the wafer surface layer. There is.
【０００３】ところで、リソグラフィ処理におけるパタ
ーン露光の際に用いる露光装置には、次のような１）〜
５）のばらつきが存在しており、１ショット分の露光フ
ィールド面内（すなわち露光面内）に形成されるレジス
トパターンには、これらのばらつきに起因する線幅ばら
つきが生じることが知られている。
１）露光装置の露光面内収差ばらつき、
２）露光装置の露光面内における像面湾曲、
３）露光装置の露光面内ベストフォーカスばらつき、
４）露光装置の露光面内照度ばらつき、
５）露光装置の露光面内照明ばらつき、By the way, the exposure apparatuses used for pattern exposure in the lithographic processing are as follows:
5) exists, and it is known that the resist pattern formed in the exposure field surface for one shot (that is, in the exposure surface) has line width variation due to these variations. . 1) Variation in aberration in the exposure plane of the exposure apparatus, 2) field curvature in the exposure plane of the exposure apparatus, 3) variation in best focus in the exposure plane of the exposure apparatus, 4) variation in illuminance in the exposure apparatus, 5) exposure In-plane exposure variation of the device,
【０００４】ここで、例えば１）露光装置の露光面内収
差ばらつきとは、投影レンズが球面であるために生じる
問題で、理想的な結像点（理想レンズ）からのずれ（す
なわち収差）が、露光面内でばらつくことである。ま
た、２）露光装置の露光面内における像面湾曲とは、投
影レンズを鏡筒に保持させた際に生じる投影レンズの歪
みや、投影レンズ自体の収差と同様に投影レンズ自体が
有する歪みである。そして、１）や２）が、３）の露光
装置の露光面内ベストフォーカスばらつきを発生させる
のである。Here, for example, 1) the variation in aberration in the exposure plane of the exposure apparatus is a problem that occurs because the projection lens is a spherical surface, and the deviation (that is, aberration) from the ideal image forming point (ideal lens) is , That is, variation in the exposed surface. 2) The field curvature in the exposure surface of the exposure apparatus is the distortion of the projection lens that occurs when the projection lens is held in the lens barrel, and the distortion of the projection lens itself as well as the aberration of the projection lens itself. is there. Then, 1) and 2) cause the best focus variation in the exposure plane of the exposure apparatus of 3).
【０００５】そこで、リソグラフィ処理に際しては、露
光装置間のばらつきを小さくするために、各露光装置に
搭載されている調整機構を使って、各露光装置における
上記１）〜５）のばらつきが最も小さくなるような状態
に調整し、ウエハ上での結像性能でその調整状態を判断
している。また、露光装置の露光波長も所定値となるよ
うに、例えば露光光としてＫｒＦエキシマレーザ光を用
いる露光装置であれば露光波長が基準波長λ0＝２４
８．３８５ｎｍとなるように調整している。Therefore, in the lithography process, in order to reduce the variation between the exposure apparatuses, the adjustment mechanism mounted in each exposure apparatus is used to minimize the variation in 1) to 5) in each exposure apparatus. In such a state, the adjustment state is determined based on the imaging performance on the wafer. Further, if the exposure wavelength of the exposure apparatus is a predetermined value, for example, if the exposure apparatus uses KrF excimer laser light as the exposure light, the exposure wavelength is the reference wavelength λ 0 = 24.
It is adjusted to be 8.385 nm.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところが、近年の半導
体装置の高集積化および高機能化に伴い、素子構造の微
細化が進展している。素子構造の微細化が進んだ半導体
装置の製造においては、露光面内におけるレジストパタ
ーンの線幅均一性のさらなる向上を図ることが、素子性
能を安定化させると共に、積層パターンの重ね合わせマ
ージンに余裕を持たせ、歩留まりの向上を図る上で重要
となっている。However, with the recent trend toward higher integration and higher functionality of semiconductor devices, the miniaturization of the element structure is advancing. In the manufacture of semiconductor devices with advanced miniaturization of the element structure, further improvement of the line width uniformity of the resist pattern within the exposure surface will stabilize the element performance and allow a margin for the stacking of the laminated pattern. Is important to improve the yield.
【０００７】そこで本発明は、露光面内におけるレジス
トパターンの線幅均一性の向上を図ることが可能で、こ
れにより素子構造の微細化が進んだ半導体装置の歩留ま
りの向上を図ることが可能なリソグラフィ方法を提供す
ることを目的とする。Therefore, according to the present invention, it is possible to improve the line width uniformity of the resist pattern in the exposed surface, and thus it is possible to improve the yield of the semiconductor device in which the element structure has been miniaturized. An object is to provide a lithographic method.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】以上のような目的を達成
するための本発明は、露光装置を用いたパターン露光と
その後の現像処理によってレジストパターンを形成する
リソグラフィ方法であり、次のように行うことを特徴と
している。先ず、露光装置における露光波長を因子とし
たテストパターン露光およびその後の現像処理を行うこ
とで、露光波長を変化させた各露光面内に複数のテスト
用レジストパターンを形成する。そして、各テスト用レ
ジストパターンの線幅を測定し、テストパターン露光に
用いた露光波長のうち露光面内における当該各テスト用
レジストパターンの線幅均一性がより良好な露光波長を
選択する。その後、上述した露光装置の露光波長を、選
択した露光波長に調整し、実製品製造用のレジストパタ
ーン形成のためのパターン露光を行う。The present invention for achieving the above object is a lithographic method for forming a resist pattern by pattern exposure using an exposure apparatus and subsequent development processing. It is characterized by doing. First, a plurality of test resist patterns are formed in each exposure surface where the exposure wavelength is changed by performing test pattern exposure with the exposure wavelength in the exposure apparatus as a factor and subsequent development processing. Then, the line width of each test resist pattern is measured, and an exposure wavelength having a better line width uniformity of each test resist pattern in the exposure surface is selected from the exposure wavelengths used for the test pattern exposure. After that, the exposure wavelength of the above-mentioned exposure apparatus is adjusted to the selected exposure wavelength, and pattern exposure for forming a resist pattern for manufacturing an actual product is performed.
【０００９】このようなリソグラフィ方法によれば、パ
ターン露光に用いられる露光装置における露光波長の調
整範囲内において、露光面内における当該各テスト用レ
ジストパターンの線幅均一性がより良好となるような露
光波長が選択される。ここで、従来は、露光装置におけ
る露光波長は、予め決められた基準波長に調整されてい
た。しかし、露光装置において調整される露光波長を変
化させることで、露光装置の投影レンズ面内の収差分布
が変化し、これにりより露光面内におけるレジストパタ
ーンの線幅均一性が変化するため、上述したように露光
波長を選択することで、同一の露光装置を用いた場合に
より線幅均一性の良好なレジストパターンの形成が可能
になる。According to such a lithographic method, the line width uniformity of each test resist pattern in the exposure plane becomes better within the adjustment range of the exposure wavelength in the exposure apparatus used for pattern exposure. The exposure wavelength is selected. Here, conventionally, the exposure wavelength in the exposure apparatus has been adjusted to a predetermined reference wavelength. However, by changing the exposure wavelength adjusted in the exposure apparatus, the aberration distribution in the projection lens surface of the exposure apparatus changes, and thereby the line width uniformity of the resist pattern in the exposure surface changes, By selecting the exposure wavelength as described above, it becomes possible to form a resist pattern having good line width uniformity, when the same exposure apparatus is used.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】以下、本発明のリソグラフィ方法
の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the lithography method of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
【００１１】先ず、実製品製造のためのパターン露光に
用いる露光装置において、最適な露光波長を選択するた
めのテスト用レジストパターンを形成する。First, in an exposure apparatus used for pattern exposure for manufacturing an actual product, a test resist pattern for selecting an optimum exposure wavelength is formed.
【００１２】そのため先ず、基板上にフォトレジストを
塗布する。この際、例えばベアシリコンからなる基板上
に、スピンコート法によって下塗り反射防止膜を介して
フォトレジスト膜を形成する。Therefore, first, a photoresist is applied on the substrate. At this time, a photoresist film is formed on a substrate made of bare silicon, for example, by an undercoating antireflection film by a spin coating method.
【００１３】次に、露光装置を用いて、基板上に形成し
たフォトレジスト膜に対してパターン露光をおこなう。
ここではテストレチクルを用い、露光面内の各部にテス
ト用レジストパターンを形成するためのパターン露光を
行う。この際、例えば図１に示すように、Ｘ×Ｙ＝２５
ｍｍ×８ｍｍの露光面１０１（すなわち１ショット分の
露光フィールド面）内の各部に、所定方向に延設された
垂直パターンＶと、この垂直パターンＶと垂直をなす方
向に延設された水平パターンＨとを一組としたテスト用
レジストパターン１０３が形成されるようにパターン露
光を行う。尚、各テスト用レジストパターン１０３にお
ける垂直パターンＶと水平パターンＨとは、孤立パター
ン（ＩＳＯ）であり、例えば設計線幅を１５０ｎｍとし
ている。Next, pattern exposure is performed on the photoresist film formed on the substrate using an exposure apparatus.
Here, a test reticle is used to perform pattern exposure for forming a test resist pattern on each portion in the exposure surface. At this time, for example, as shown in FIG. 1, X × Y = 25
A vertical pattern V extending in a predetermined direction and a horizontal pattern extending in a direction perpendicular to the vertical pattern V on each part in an exposure surface 101 (that is, an exposure field surface for one shot) of 8 mm × 8 mm. Pattern exposure is performed so that a test resist pattern 103 including H and H as a set is formed. The vertical pattern V and the horizontal pattern H in each test resist pattern 103 are isolated patterns (ISO) and have a design line width of 150 nm, for example.
【００１４】また、このパターン露光においては、露光
波長とフォーカスとを因子として、複数の露光面に対し
てパターン露光を行う。例えば、この露光装置が、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザ光を露光光に用いる露光装置である場
合、通常、露光波長は基準露光波長λ0＝２４８．３８
５ｎｍに設定されるが、この基準露光波長λ0を±０．
０１０ｎｍ変化させた３段階に設定する。尚、露光波長
の調整は、例えば露光装置のメンテナンスのために設け
られている露光波長の調整機能によって行うこととす
る。Further, in this pattern exposure, pattern exposure is performed on a plurality of exposure surfaces by factors of the exposure wavelength and the focus. For example, this exposure apparatus is
In the case of an exposure apparatus that uses F excimer laser light as the exposure light, the exposure wavelength is usually the reference exposure wavelength λ 0 = 248.38.
The reference exposure wavelength λ 0 is set to ± 0.
It is set in three steps with a change of 010 nm. The exposure wavelength is adjusted by the exposure wavelength adjusting function provided for maintenance of the exposure apparatus, for example.
【００１５】また、フォーカスは、ジャストフォーカス
を０とした場合に、例え±方向に０．１μｍ刻みで変化
させる。そして、上述したテストレチクルを用い、３段
階で変化させた各露光波長においてフォーカスを変化さ
せた複数回のパターン露光を行う。Further, when the just focus is set to 0, the focus is changed, for example, in the ± direction at intervals of 0.1 μm. Then, using the above-mentioned test reticle, pattern exposure is performed a plurality of times while changing the focus at each exposure wavelength changed in three steps.
【００１６】次いで、パターン露光を行ったフォトレジ
スト膜を現像処理し、基板上の複数の露光面１０１内
に、複数のテスト用レジストパターン１０３を形成す
る。Then, the photoresist film subjected to the pattern exposure is developed to form a plurality of test resist patterns 103 in a plurality of exposed surfaces 101 on the substrate.
【００１７】そして、各テスト用レジストパターン１０
３の線幅ＣＤ（critical dimension）を、例えばＣＤ−
ＳＥＭを用いて測定する。この際、露光面１０１内の各
部に形成されたテスト用レジストパターン１０３にチャ
ート番号（例えば１〜２５）を付与し、露光面１内のＸ
方向にわたって等間隔に形成された５つのチャート１６
〜２０のレジストパターン１０３について、垂直パター
ンＶの線幅ＣＤと水平パターンＨの線幅ＣＤを測定す
る。Then, each test resist pattern 10
The line width CD (critical dimension) of 3 is, for example, CD-
Measure using SEM. At this time, a chart number (for example, 1 to 25) is given to the test resist pattern 103 formed on each part in the exposed surface 101, and X in the exposed surface 1
5 charts 16 formed at equal intervals along the direction
The line width CD of the vertical pattern V and the line width CD of the horizontal pattern H are measured for the resist patterns 103 of # 20.
【００１８】図２には露光波長を基準露光波長λ0＝２
４８．３８５ｎｍ（±０．０００ｎｍ）とした場合の線
幅測定値をｔａｂｌｅ１として示し、図３には露光波長
λ+＝２４８．３９５ｎｍ（＋０．０１０ｎｍ）とした
場合の線幅測定値をｔａｂｌｅ２として示し、図４には
露光波長λ-＝２４８．３７５ｎｍ（−０．０１０ｎ
ｍ）とした場合の線幅測定値をｔａｂｌｅ３として示し
た。In FIG. 2, the exposure wavelength is the reference exposure wavelength λ 0 = 2.
The line width measurement value when 48.385 nm (± 0.000 nm) is shown as table1, and the line width measurement value when exposure wavelength λ + = 248.395 nm (+0.010 nm) is shown as table2 in FIG. 4 shows the exposure wavelength λ − = 248.375 nm (−0.010 n
The line width measurement value in the case of m) is shown as table3.
【００１９】各ｔａｂｌｅにおいては、フォーカスの変
化量（Focus Offset）を縦方向に、また露光面における
各テスト用パターンのＸ方向の形成位置をチャート番号
に対応させて横方向に割り振り、各テスト用レジストパ
ターンの垂直パターンＶと水平パターンＨの線幅測定値
を表示した。In each table, the focus change amount (Focus Offset) is assigned in the vertical direction, and the formation position in the X direction of each test pattern on the exposure surface is assigned in the horizontal direction so as to correspond to the chart number. The line width measurement values of the vertical pattern V and the horizontal pattern H of the resist pattern are displayed.
【００２０】尚、設計線幅１５０ｎｍに対し、線幅の許
容値を１５０ｎｍ±１５ｎｍに設定し、各ｔａｂｌｅ１
〜３にはこの許容値の範囲に含まれていない線幅測定値
をスペックアウトとして網掛けを施した。また、線幅測
定値を示した全ての露光部分（チャート番号１６〜２
５）で線幅が許容値（スペックイン）となっているフォ
ーカス範囲を太枠で囲んだ。With respect to the designed line width of 150 nm, the allowable value of the line width is set to 150 nm ± 15 nm, and each table1
3 to 3 are shaded with the line width measurement values not included in this allowable range as spec out. In addition, all exposed portions (chart numbers 16 to 2) showing the line width measurement values
In 5), the focus range in which the line width is the allowable value (spec-in) is surrounded by a thick frame.
【００２１】さらに、各ｔａｂｌｅ１〜３の下欄には、
露光位置（すなわち各テスト用パターンの形成位置）に
おける下記の各値を示した。
ＤＯＦ（Depth of Focus）：線幅測定値が許容範囲に
なっているフォーカスの幅であり、フォーカスマージン
（焦点深度）。
Ｂ．Ｆ．（Best Focus）：線幅測定値が設計線幅１５
０ｎｍに最も近い場合のフォーカス。
ＡＳＴ（Astigmatism）：非点収差であり、各テスト
用レジストパターン１０３における垂直パターンＶと水
平パターンＨとのベストフォーカスＢ．Ｆ．の差。Further, in the lower columns of each table 1 to 3,
The following values are shown at the exposure position (that is, the position where each test pattern is formed). DOF (Depth of Focus): This is the focus width within which the line width measurement value is within the allowable range, and is the focus margin (depth of focus). B. F. (Best Focus): The measured line width is the design line width of 15
Focus when closest to 0 nm. AST (Astigmatism): Astigmatism, which is the best focus between the vertical pattern V and the horizontal pattern H in each test resist pattern 103. F. Difference.
【００２２】一方、各ｔａｂｌｅ１〜３の右欄には、各
フォーカス位置における線幅の最大値Ｍａｘと最小値Ｍ
ｉｎ、および最大値Ｍａｘと最小値Ｍｉｎとの差（すな
わち線幅ばらつき）Ｒａｎｇｅを示した。On the other hand, in the right column of each table 1 to 3, the maximum value Max and the minimum value M of the line width at each focus position are set.
In, and the difference (that is, line width variation) Range between the maximum value Max and the minimum value Min are shown.
【００２３】次に、これらのｔａｂｌｅ１〜３の結果に
基づいて、このテスト用レジストパターンの形成に用い
た露光装置における露光波長を選択する。ここでは、テ
スト用レジストパターンの線幅均一性がより良好な露光
波長を選択することとする。Next, based on the results of these tables 1 to 3, the exposure wavelength in the exposure apparatus used for forming this test resist pattern is selected. Here, the exposure wavelength is selected so that the line width uniformity of the test resist pattern is better.
【００２４】この際、例えば、露光面内における全ての
テスト用レジストパターンの線幅を許容値に納めるため
に、より広いフォーカスマージン、すなわち最も広い焦
点深度が得られている露光波長を、線幅均一性が良好な
露光波長として選択する。At this time, for example, in order to set the line widths of all the test resist patterns in the exposure surface to an allowable value, the line width is set to a wider focus margin, that is, the exposure wavelength at which the widest depth of focus is obtained. It is selected as an exposure wavelength with good uniformity.
【００２５】また、求められるフォーカスマージンＤの
範囲内において、線幅のばらつきが最小となる露光波長
を、線幅均一性が良好な露光波長として選択しても良
い。例えば、設計線幅１５０ｎｍを最小パターン幅とす
る半導体装置の製造では、フォーカスマージンＤ＝０．
４μｍが要求されており、このフォーカスマージンＤの
範囲において、線幅測定値の差が最も小さい露光波長を
選択しても良い。Further, within the range of the required focus margin D, the exposure wavelength with which the line width variation is minimized may be selected as the exposure wavelength with good line width uniformity. For example, in manufacturing a semiconductor device having a design line width of 150 nm as the minimum pattern width, the focus margin D = 0.
4 μm is required, and in the range of the focus margin D, the exposure wavelength having the smallest difference between the line width measurement values may be selected.
【００２６】下記表１には、各露光波長においてテスト
用レジストパターンの線幅を許容値に納めることができ
るフォーカスマージン（焦点深度）ＤＯＦａと、この製
造工程において要求されるフォーカスマージンＤ＝０．
４μｍの範囲における線幅ばらつきの最大値Ｒａｎｇｅ
（Ｍａｘ）を示した。In Table 1 below, the focus margin (depth of focus) DOFa that allows the line width of the test resist pattern to be within an allowable value at each exposure wavelength, and the focus margin D = 0.
Maximum value of line width variation in the range of 4 μm Range
(Max) is shown.
【００２７】[0027]
【表１】 [Table 1]
【００２８】この表１より、フォーカスマージン（焦点
深度）ＤＯＦａが最も大きい露光波長はλ+＝２４８．
３９５ｎｍであり、また線幅ばらつきの最大値Ｒａｎｇ
ｅ（Ｍａｘ）が最も小さくなる露光波長もλ+＝２４
８．３９５ｎｍであることがわかり、線幅均一性が良好
な露光波長としてλ+＝２４８．３９５ｎｍを選択す
る。From Table 1, the exposure wavelength having the largest focus margin (depth of focus) DOFa is λ + = 248.
395 nm, and the maximum value of line width variation Rang
The exposure wavelength at which e (Max) is the smallest is also λ + = 24
It was found to be 8.395 nm, and λ + = 248.395 nm is selected as the exposure wavelength with good line width uniformity.
【００２９】以上の後、テスト用レジストパターンの形
成に用いた露光装置の露光波長を、λ+＝２４８．３９
５ｎｍに調整する。そして、実製品ウエハ上に塗布した
レジスト膜に対して、この露光波長を用いて実製品製造
のためのパターン露光を行う。その後、パターン露光を
行ったレジスト膜を現像処理し、実製品製造のためのレ
ジストパターンをウエハ上に形成する。After the above, the exposure wavelength of the exposure apparatus used for forming the test resist pattern was set to λ + = 248.39.
Adjust to 5 nm. Then, the resist film coated on the actual product wafer is subjected to pattern exposure for manufacturing the actual product using this exposure wavelength. After that, the resist film that has been subjected to pattern exposure is developed to form a resist pattern for manufacturing an actual product on the wafer.
【００３０】以上説明したリソグラフィ方法では、露光
波長を変化させることで、投影レンズ面内の収差の分布
を変化させたテストパターン露光を行うことが可能にな
り、露光装置における露光波長の調整範囲内において、
露光面内における当該各テスト用レジストパターンの線
幅均一性がより良好となるような露光波長を選択するこ
とができる。そして、選択された露光波長を適用して実
製品製造のためのパターン露光を行うことから、より線
幅均一性の良好なレジストパターンを形成することが可
能になる。この結果、このレジストパターンをマスクに
用いて加工形成された素子の性能安定化を図ることが可
能になると共に、積層パターンの重ね合わせマージンの
余裕が拡大されるため、半導体装置の製造においてはそ
の歩留まりの向上を図ることが可能になる。In the lithography method described above, by changing the exposure wavelength, it becomes possible to perform test pattern exposure in which the distribution of aberration in the projection lens surface is changed, and within the adjustment range of the exposure wavelength in the exposure apparatus. At
The exposure wavelength can be selected so that the line width uniformity of each test resist pattern in the exposed surface becomes better. Then, since the selected exposure wavelength is applied to perform the pattern exposure for manufacturing the actual product, it becomes possible to form a resist pattern having better line width uniformity. As a result, it becomes possible to stabilize the performance of the element processed and formed by using this resist pattern as a mask, and the margin of the stacking margin of the laminated pattern is expanded. It is possible to improve the yield.
【００３１】尚、以上で説明した実施の形態において
は、露光波長を３段階で変化させたが、調整可能な範囲
内でさらに他段階に幅広く変化させてテスト露光を行う
ようにすることで、露光波長の選択範囲を広げ、さらに
線幅均一性の良好なパターン露光を行うことが可能にな
る。また、本発明は、ＫｒＦエキシマレーザ光を用いて
パターン露光を行うリソグラフィに限定されることはな
く、様々な波長の露光光を用いてパターン露光を行うリ
ソグラフィに適用可能である。Although the exposure wavelength is changed in three steps in the embodiment described above, the test exposure is performed by widely changing the exposure wavelength to another step within an adjustable range. It is possible to expand the selection range of the exposure wavelength and perform pattern exposure with good line width uniformity. Further, the present invention is not limited to lithography in which pattern exposure is performed using KrF excimer laser light, and is applicable to lithography in which pattern exposure is performed using exposure light of various wavelengths.
【００３２】[0032]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のリソグラ
フィ方法によれば、露光面内における線幅均一性がより
良好となるような露光波長を選択してパターン露光を行
うことから、より線幅均一性の良好なレジストパターン
を形成することが可能になり、このレジストパターンを
マスクに用いて加工形成された素子の性能安定化を図る
ことが可能になると共に、積層パターンの重ね合わせマ
ージンに余裕を持たせて歩留まりの向上を図ることが可
能になる。As described above, according to the lithographic method of the present invention, since the pattern exposure is performed by selecting the exposure wavelength that makes the line width uniformity within the exposure plane better, the lithographic line is selected. It is possible to form a resist pattern with good width uniformity, and it is possible to stabilize the performance of the element processed by using this resist pattern as a mask, and also to improve the stacking margin of the laminated pattern. It is possible to improve the yield with a margin.
【図１】テスト用レジストパターンの形成を説明する図
である。FIG. 1 is a diagram illustrating formation of a test resist pattern.
【図２】露光波長λ0の場合のテスト用レジストパター
ンの線幅の測定値を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing measured values of the line width of a test resist pattern in the case of an exposure wavelength λ 0 .
【図３】露光波長λ+の場合のテスト用レジストパター
ンの線幅の測定値を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing measured values of the line width of a test resist pattern in the case of an exposure wavelength λ + .
【図４】露光波長λ-の場合のテスト用レジストパター
ンの線幅の測定値を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a measured value of a line width of a test resist pattern in the case of an exposure wavelength λ − .
１０１…露光面、１０３…テスト用レジストパターン、
ＣＤ…線幅101 ... Exposure surface, 103 ... Test resist pattern,
CD: Line width
Claims (2)
の現像処理によってレジストパターンを形成するリソグ
ラフィ方法において、 前記露光装置における露光波長を因子としたテストパタ
ーン露光およびその後の現像処理によって、複数の露光
面内に複数のテスト用レジストパターンを形成し、 前記各テスト用レジストパターンの線幅を測定し、前記
露光波長のうち前記各露光面内における当該各テスト用
レジストパターンの線幅均一性がより良好な露光波長を
選択し、 前記露光装置の露光波長を前記選択した露光波長に調整
し、実製品製造用のレジストパターン形成のためのパタ
ーン露光を行うことを特徴とするリソグラフィ方法。1. A lithography method for forming a resist pattern by pattern exposure using an exposure apparatus and subsequent development processing, comprising a plurality of exposures by test pattern exposure using an exposure wavelength in the exposure apparatus as a factor and subsequent development processing. A plurality of test resist patterns are formed in a plane, the line width of each test resist pattern is measured, and the line width uniformity of each test resist pattern in each of the exposure surfaces among the exposure wavelengths is higher. A lithographic method comprising selecting a good exposure wavelength, adjusting the exposure wavelength of the exposure device to the selected exposure wavelength, and performing pattern exposure for forming a resist pattern for manufacturing an actual product.
て、 前記テスト用レジストパターンを形成する際には、前記
露光波長とともに露光光のフォーカスを因子としたテス
トパターン露光を行い、 前記露光波長を選択する際には、最も広い焦点深度で前
記各テスト用レジストパターンの線幅が許容値に納めら
れている露光波長を選択することを特徴とするリソグラ
フィ方法。2. The lithography method according to claim 1, wherein when the test resist pattern is formed, a test pattern exposure is performed with a focus of exposure light together with the exposure wavelength, and the exposure wavelength is selected. In this case, the lithography method is characterized in that the exposure wavelength is selected such that the line width of each of the test resist patterns has an allowable value at the widest focal depth.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001277510A JP2003086497A (en) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | Method of lithography |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003086497A true JP2003086497A (en) | 2003-03-20 |
Family
ID=19102025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001277510A Pending JP2003086497A (en) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | Method of lithography |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003086497A (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2001-09-13 JP JP2001277510A patent/JP2003086497A/en active Pending
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