JP2003085506A - Overvoltage preventing circuit in data carrier - Google Patents
Overvoltage preventing circuit in data carrierInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はデータキャリアにお
ける過電圧防止回路に関し、特に、リーダ／ライタ装置
とＡＳＫによりデータ通信を行うデータキャリアに用い
て好適なものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an overvoltage protection circuit for a data carrier, and is particularly suitable for use as a data carrier for performing data communication with a reader / writer device by ASK.
【０００２】[0002]
【従来の技術】データキャリアを用いた通信システムに
おいて、リーダ／ライタ装置とデータキャリアとの通信
距離を伸ばそうとすると、リーダ／ライタ装置の駆動コ
イルより強い磁界を発生させて、サービスエリアの端ま
で強力な動作磁界が供給されることになる。2. Description of the Related Art In a communication system using a data carrier, when an attempt is made to increase the communication distance between the reader / writer device and the data carrier, a magnetic field stronger than that of the drive coil of the reader / writer device is generated to reach the end of the service area. A strong operating magnetic field will be supplied.
【０００３】よって、データキャリアがリーダ／ライタ
装置の駆動コイルの近くにくると、データキャリアが強
く駆動されることになる。このような場合においても、
データキャリアの内部の電子回路を構成する集積回路
（ＩＣ）内に設けられているトランジスタ等の電子回路
部品の耐圧を超えて破壊や誤動作をさせないようにする
ための過電圧防止回路、例えば、テェナーダイオードま
たは等価的にテェナーダイオードとなる保護回路を備え
ている。Therefore, when the data carrier comes close to the drive coil of the reader / writer device, the data carrier is strongly driven. Even in this case,
An overvoltage prevention circuit, for example, a tenor, for preventing an electric circuit component such as a transistor provided in an integrated circuit (IC) forming an electronic circuit inside a data carrier from being damaged or malfunctioning beyond the withstand voltage. It is equipped with a protection circuit that becomes a diode or a tenor diode equivalently.
【０００４】図６に、過電圧防止回路の一例を示す。こ
の回路の場合、コイルＬ及びコンデンサＣ１よりなる並
列共振回路１で受信したリーダ／ライタ装置からの駆動
磁界を、ダイオードＤ１〜Ｄ４よりなる整流回路２で整
流してコンデンサＣ２に電荷を蓄積する。そして、上記
コンデンサＣ２に蓄積した電荷をデータキャリアの動作
電力として各部に供給するようにしている。FIG. 6 shows an example of an overvoltage prevention circuit. In the case of this circuit, the driving magnetic field from the reader / writer device received by the parallel resonant circuit 1 including the coil L and the capacitor C1 is rectified by the rectifying circuit 2 including the diodes D1 to D4 and electric charges are accumulated in the capacitor C2. Then, the electric charge accumulated in the capacitor C2 is supplied to each unit as the operating power of the data carrier.
【０００５】データキャリアの電源回路は上述のような
構成なので、リーダ／ライタ装置から送信される駆動磁
界が強過ぎると、上記コンデンサＣ２の端子電圧が高く
なり過ぎて、データキャリアに設けられている集積回路
に過電圧が印加されてしまい、回路部品が破壊された
り、データキャリアが誤動作したりする可能性がある。Since the power supply circuit of the data carrier has the above-mentioned structure, if the driving magnetic field transmitted from the reader / writer device is too strong, the terminal voltage of the capacitor C2 becomes too high and the data carrier is provided. If an overvoltage is applied to the integrated circuit, the circuit components may be destroyed or the data carrier may malfunction.
【０００６】そこで、図６の例では、コンデンサＣ２と
並列にツェナーダイオード６０１を接続して、上記ツェ
ナーダイオード６０１の特性によって定まる所定の電圧
を、上記コンデンサＣ２の端子電圧が超えた場合には、
コンデンサＣ２に蓄積された電荷を急激に放電すること
により、回路部品に印加される電圧をツェナー電圧にク
ランプするようにしている。Therefore, in the example of FIG. 6, when the Zener diode 601 is connected in parallel with the capacitor C2 and the terminal voltage of the capacitor C2 exceeds a predetermined voltage determined by the characteristics of the Zener diode 601,
The voltage applied to the circuit component is clamped to the Zener voltage by rapidly discharging the electric charge accumulated in the capacitor C2.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上述のように構成した
場合、リーダ／ライタ装置からデータキャリアに送られ
る信号が振幅の大きさに依存しない方式の信号、例え
ば、ＦＳＫやＰＳＫの場合には、それほど大きな問題は
生じない。In the case of the above configuration, when the signal sent from the reader / writer device to the data carrier does not depend on the magnitude of the amplitude, for example, in the case of FSK or PSK, It doesn't cause a big problem.
【０００８】しかしながら、振幅に依存するＡＳＫの場
合には、振幅を抑制する保護回路が動作することで変調
度が浅くなってしまう問題があった。例えば、図７の
（ａ）〜（ｃ）に示すように、データキャリアの電源回
路で発生する電圧の大きさは、リーダ／ライタ装置から
送られる駆動磁界の強さに応じて変動する。However, in the case of amplitude dependent ASK, there is a problem that the modulation degree becomes shallow due to the operation of the protection circuit for suppressing the amplitude. For example, as shown in FIGS. 7A to 7C, the magnitude of the voltage generated in the power supply circuit of the data carrier varies depending on the strength of the driving magnetic field sent from the reader / writer device.
【０００９】そこで、駆動電圧が強くなり過ぎた場合に
は、図７（ｃ）のように、ツェナーダイオード６０１の
ツェナー電圧Ｗ２でクランプするようにしている。した
がって、駆動磁界が強過ぎる場合には、駆動磁界の変調
が浅くなるために、リーダ／ライタ装置から送られるデ
ータを良好に復調することができない場合がある。Therefore, when the driving voltage becomes too strong, the Zener voltage W2 of the Zener diode 601 is clamped as shown in FIG. 7C. Therefore, when the driving magnetic field is too strong, the modulation of the driving magnetic field becomes shallow, and thus the data sent from the reader / writer device may not be demodulated well.
【００１０】上記のような問題の影響を軽減するため
に、電源電圧がクランプ領域まで高くなった場合には、
ＡＳＫの復調感度を上げるようにすることが考えられ
る。しかし、通信距離に重点をおいたデータキャリアシ
ステムでは、リーダ／ライタ装置から送られる駆動磁界
が強いので、データキャリアの復調感度を調整するだけ
では充分な対策とはならなかった。In order to reduce the effects of the above problems, when the power supply voltage is increased to the clamp area,
It is conceivable to increase the demodulation sensitivity of ASK. However, in a data carrier system that places emphasis on communication distance, the driving magnetic field sent from the reader / writer device is strong, so adjusting the demodulation sensitivity of the data carrier is not sufficient.
【００１１】また、図８に示すように、ダイオード接続
した複数のトランジスタを直列に配してなるダイオード
の直列回路１０と抵抗器１１とを接続した回路、及び電
界効果トランジスタ１２を上記コンデンサＣ２に並列に
接続し、上記ダイオードの直列回路１０と抵抗器１１と
の接続点と、上記電界効果トランジスタ１２のゲートと
を接続して保護回路１３を構成する例もあった。Further, as shown in FIG. 8, a circuit in which a series circuit 10 of a diode in which a plurality of diode-connected transistors are arranged in series and a resistor 11 are connected, and a field effect transistor 12 are connected to the capacitor C2. There is also an example in which the protection circuit 13 is configured by connecting in parallel and connecting the connection point between the series circuit 10 of the diode and the resistor 11 and the gate of the field effect transistor 12.
【００１２】この保護回路１３の場合には、図６に示し
たツェナーダイオード６０１のように、電源電圧を所定
のツェナー電圧で急激にクランプするのではなく、所定
のクランプ電圧に向かって電源電圧を徐々にクランプす
るように動作する。In the case of this protection circuit 13, as in the Zener diode 601 shown in FIG. 6, instead of abruptly clamping the power supply voltage with a predetermined Zener voltage, the power supply voltage is clamped toward the predetermined clamp voltage. It works like a gradual clamp.
【００１３】しかし、この場合も図７（ｃ）に示したよ
うに、最終的には駆動磁界のピーク電圧を所定の電圧に
一義的にクランプするようになるので、結局は変調が浅
くなってしまい、リーダ／ライタ装置から送られるデー
タのＡＳＫ復調を行うことが困難になる問題があった。However, also in this case, as shown in FIG. 7C, finally, the peak voltage of the driving magnetic field is uniquely clamped to a predetermined voltage, so that the modulation finally becomes shallow. Therefore, there is a problem that it becomes difficult to perform ASK demodulation of data sent from the reader / writer device.
【００１４】本発明は上述の問題点にかんがみ、リーダ
／ライタ装置から送られる駆動磁界が極端に強いエリア
でも、データキャリア側においてＡＳＫ復調を良好に行
うことができるようにすることを目的とする。In view of the above problems, it is an object of the present invention to enable good ASK demodulation on the data carrier side even in an area where the driving magnetic field sent from the reader / writer device is extremely strong. .
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】本発明のデータキャリア
における過電圧防止回路は、リーダ／ライタ装置から送
られる駆動磁界から動作用直流電圧を生成する電源回路
と、上記電源回路によって生成された動作用直流電圧の
大きさが所定の電圧値以下となるように固定するクラン
プ手段とを有し、上記クランプ手段により行われるクラ
ンプ動作を、上記動作用直流電圧の平均的な値に応じて
制御するようにしたことを特徴としている。また、本発
明の他の特徴とするところは、上記動作用直流電圧の大
きさが所定の電圧値以下となるように固定するためのト
ランジスタを設けるとともに、抵抗器とコンデンサとか
らなるローパスフィルタを上記トランジスタの制御電極
側に配設して、上記クランプ手段により行われるクラン
プ動作を、上記動作用直流電圧の平均的な値に応じて制
御するようにしたことを特徴としている。また、本発明
のその他の特徴とするところは、リーダ／ライタ装置か
ら送られる駆動磁界から動作用直流電圧を生成する電源
回路と、上記電源回路によって生成された動作用直流電
圧の大きさが所定の電圧値以下となるように固定するク
ランプ手段とを有し、上記クランプ手段により行われる
クランプ動作を、上記動作用直流電圧のピーク電圧値に
応じて制御するようにしたことを特徴としている。ま
た、本発明のその他の特徴とするところは、リーダ／ラ
イタ装置から送られる駆動磁界から動作用直流電圧を生
成する電源回路と、上記電源回路によって生成された動
作用直流電圧の大きさが所定の電圧値以下となるように
固定するクランプ手段とを有し、上記動作用直流電圧の
値を検出し、上記検出した電圧値に応じて上記クランプ
手段により行われるクランプ動作を制御するようにした
ことを特徴としている。An overvoltage protection circuit in a data carrier according to the present invention comprises a power supply circuit for generating an operating DC voltage from a driving magnetic field sent from a reader / writer device, and an operation power supply circuit generated by the power supply circuit. Clamping means for fixing the magnitude of the DC voltage to a predetermined voltage value or less, and controlling the clamping operation performed by the clamping means according to the average value of the operating DC voltage. It is characterized by having done. Another feature of the present invention is that a transistor for fixing the operating DC voltage so that the magnitude of the operating DC voltage becomes a predetermined voltage value or less is provided, and a low-pass filter including a resistor and a capacitor is provided. It is characterized in that it is arranged on the control electrode side of the transistor and controls the clamping operation performed by the clamping means in accordance with the average value of the operating DC voltage. Another feature of the present invention is that a power supply circuit for generating an operating DC voltage from a driving magnetic field sent from a reader / writer device and an operating DC voltage generated by the power supply circuit have a predetermined magnitude. Clamping means for fixing the voltage value to a voltage value of 1 or less, and the clamping operation performed by the clamping means is controlled according to the peak voltage value of the operating DC voltage. Another feature of the present invention is that a power supply circuit for generating an operating DC voltage from a driving magnetic field sent from a reader / writer device and an operating DC voltage generated by the power supply circuit have a predetermined magnitude. Clamping means for fixing the voltage to be less than or equal to the voltage value, and detecting the value of the operating DC voltage, and controlling the clamping operation performed by the clamping means according to the detected voltage value. It is characterized by that.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照しながら本
発明のデータキャリアにおける過電圧防止回路の実施の
形態を説明する。図１は、本発明の実施の形態を示し、
データキャリアの電源回路部の一例を示すブロック図で
ある。本実施の形態においては、データキャリアに設け
られているＩＣ内の整流電圧が高くなったことを検出し
て、保護回路として消費電流を流す電界効果トランジス
タ１２への制御信号に、抵抗器Ｒ及びコンデンサＣより
成るローパスフィルタ１００を入れて、アベレージクラ
ンプ回路１０１を構成した例を示している。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Next, an embodiment of an overvoltage prevention circuit in a data carrier of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 shows an embodiment of the present invention,
It is a block diagram which shows an example of the power supply circuit part of a data carrier. In the present embodiment, it is detected that the rectified voltage in the IC provided in the data carrier has become high, and the resistor R and An example in which the average clamp circuit 101 is configured by inserting the low-pass filter 100 including the capacitor C is shown.
【００１７】このため、リーダ／ライタ装置（図示せ
ず）側から送られる信号成分によって駆動磁界の振幅が
変化してＩＣ内の整流電圧が信号に応じて変化しても、
この信号成分の変動には直接的に応答しなくなる。Therefore, even if the amplitude of the driving magnetic field is changed by the signal component sent from the reader / writer device (not shown) and the rectified voltage in the IC is changed according to the signal.
It no longer responds directly to the fluctuation of this signal component.
【００１８】すなわち、ローパスフィルタ１００を通る
ことで平滑された平均的な磁界強度に応じてアベレージ
クランプ回路１０１が保護動作を行う。これにより、内
蔵されているIＣ内に供給される信号電圧は、図２の動
作波形図に示すように、ローパスフィルタ１００によっ
て平均化されたアベレージ電圧Ｗ１をクランプすること
になるので、駆動磁界が強いエリアでもＡＳＫ復調を良
好に実行することが可能となる。That is, the average clamp circuit 101 performs a protection operation according to the average magnetic field strength smoothed by passing through the low pass filter 100. As a result, the signal voltage supplied to the built-in IC clamps the average voltage W1 averaged by the low-pass filter 100, as shown in the operation waveform diagram of FIG. ASK demodulation can be satisfactorily executed even in a strong area.
【００１９】本実施の形態においては、上述した抵抗器
の抵抗値Ｒとコンデンサの容量Ｃとの時定数を、「Ｒ×
Ｃ＞１ｅｔｕ」としている。ここで、「ｅｔｕ」は「ev
enttime uniteであり、望ましくは、「Ｒ×Ｃ≒（５〜
１０）ｅｔｕ」程度とする。In the present embodiment, the time constant between the resistance value R of the resistor and the capacitance C of the capacitor described above is expressed as "R ×
C> 1 etu ”. Where "etu" is "ev
enttime unite, and preferably "R × C≈ (5
10) etu ".
【００２０】上述した実施の形態のように、電界効果ト
ランジスタ１２の制御電極にアベレージ電圧Ｗ１を供給
すると、コンデンサＣ２の端子電圧が急激に上昇した場
合には内蔵されているIＣに過電圧が供給される可能性
がある。そこで、図３に示すように、本実施の形態のア
ベレージクランプ回路１０１の次段に、図８にて説明し
た保護回路１３を設け、データキャリアが急に強く駆動
された場合においても、迅速なクランプを行うことがで
きるようにして、データキャリア内のIＣに過電圧が供
給されるのを防止するようにすることが望ましい。When the average voltage W1 is supplied to the control electrode of the field effect transistor 12 as in the above-described embodiment, when the terminal voltage of the capacitor C2 suddenly rises, an overvoltage is supplied to the built-in IC. There is a possibility. Therefore, as shown in FIG. 3, the protection circuit 13 described in FIG. 8 is provided in the next stage of the average clamp circuit 101 according to the present embodiment, so that even when the data carrier is suddenly driven strongly, It is desirable to be able to perform the clamping so as to prevent the overvoltage from being applied to the IC in the data carrier.
【００２１】（第２の実施の形態）次に、図４を参照し
ながら本発明のデータキャリアにおける過電圧防止回路
の第２の実施の形態を説明する。この第２の実施の形態
においては、ＩＣ内の整流電圧が高くなったことを検出
するために、ダイオード接続したトランジスタの直列回
路４１と、ピーク電圧保持用コンデンサ４２とでピーク
電圧検出回路４３を構成して、ピーク電圧保持用コンデ
ンサ４２で保持しているピーク電圧を電界効果トランジ
スタ１２の制御電極に供給するようにしている。(Second Embodiment) Next, a second embodiment of the overvoltage protection circuit in the data carrier of the present invention will be described with reference to FIG. In the second embodiment, in order to detect that the rectified voltage in the IC has increased, the peak voltage detection circuit 43 is composed of a series circuit 41 of diode-connected transistors and a peak voltage holding capacitor 42. The peak voltage held by the peak voltage holding capacitor 42 is supplied to the control electrode of the field effect transistor 12.
【００２２】このように、電界効果トランジスタ１２の
動作を制御することにより、リーダ／ライタ装置（図示
せず）側から送られるＡＳＫ信号の変調によって駆動磁
界の振幅が変化することにより、ＩＣ内の整流電圧が信
号に応じて変化しても、変調成分の変動には直接的に応
答しなくなる。In this way, by controlling the operation of the field effect transistor 12, the amplitude of the driving magnetic field is changed by the modulation of the ASK signal sent from the reader / writer device (not shown) side, and the inside of the IC is changed. Even if the rectified voltage changes according to the signal, it does not directly respond to the fluctuation of the modulation component.
【００２３】すなわち、本実施の形態のデータキャリア
における過電圧防止回路においては、内部回路に過電圧
が供給されるのを防止する保護動作を、最大振幅の磁界
強度に応じて実行されるようにしている。これにより、
駆動磁界が強いエリアでもＡＳＫ復調を良好にすること
ができるようになる。That is, in the overvoltage prevention circuit in the data carrier of the present embodiment, the protection operation for preventing the overvoltage from being supplied to the internal circuit is executed according to the magnetic field strength of the maximum amplitude. . This allows
It is possible to improve ASK demodulation even in an area where the driving magnetic field is strong.
【００２４】電源回路の整流電圧、すなわち、コンデン
サＣ２の端子電圧を検出するピーク電圧検出回路４３の
検出立ち上がり時間は、データレートより数倍速く選択
しておくがよい。また、ピーク電圧検出回路４３のホー
ルド時間は、１０倍以上に長くしておくのが望ましい。
この長さは、データ転送の中で起こりうる使用するデー
タ転送形式において、ＡＳＫ変調の振幅の小さい期間が
連続する最長時問よりも長くしておく。The rectified voltage of the power supply circuit, that is, the detection rise time of the peak voltage detection circuit 43 for detecting the terminal voltage of the capacitor C2 is preferably selected several times faster than the data rate. Further, it is desirable that the hold time of the peak voltage detection circuit 43 be made ten times or longer.
This length is set to be longer than the longest time period during which a period with a small amplitude of ASK modulation is continuous in a data transfer format that may be used during data transfer.
【００２５】使用するデータ転送形式において、ＡＳＫ
変調の振幅の小さい期間が連続する最長時間に制限がな
い場合は、データレートより充分長くすると共に、ピー
ク電圧検出回路４３の検出立ちあがり時間をデータレー
ト相当に選択する。In the data transfer format used, ASK
When there is no limitation on the maximum continuous time of the period of small modulation amplitude, the time is set to be sufficiently longer than the data rate, and the detection rise time of the peak voltage detection circuit 43 is selected corresponding to the data rate.
【００２６】本実施の形態の場合は、上述した第１の実
施の形態と比較して、ローパスフィルタ１００が不要と
なるので、大きなコンデンサＣと抵抗器Ｒが不要とな
り、データキャリアのＩＣ化において回路部品の設置面
積を小さくすることができる利点が得られる。In the case of the present embodiment, the low-pass filter 100 is not required as compared with the above-described first embodiment, so that the large capacitor C and the resistor R are not required, and in the IC implementation of the data carrier. The advantage that the installation area of the circuit component can be reduced is obtained.
【００２７】（第３の実施の形態）次に、図５のブロッ
ク図を参照しながら本発明のデータキャリアにおける過
電圧防止回路の第３の実施の形態を説明する。この第３
の実施の形態においては、過電圧を検出するための電圧
検出回路を複数用意しておく。本実施の形態において
は、第１の電圧検出回路５１〜第４の電圧検出回路５４
の４個を設けた例を示している。(Third Embodiment) Next, a third embodiment of the overvoltage protection circuit in the data carrier of the present invention will be described with reference to the block diagram of FIG. This third
In the embodiment, a plurality of voltage detection circuits for detecting overvoltage are prepared. In the present embodiment, the first voltage detection circuit 51 to the fourth voltage detection circuit 54
4 shows an example in which four of
【００２８】また、コンデンサＣ２の電圧を複数に分圧
する分圧回路５０を設け、上記分圧回路５０によって複
数に分圧した各電圧を上記第１の電圧検出回路５１〜第
４の電圧検出回路５４によって検出している。そして、
検出の状態に応じて整流電圧の上昇を防止するダミー負
荷の大きさを切り替えるようにしている。Further, a voltage dividing circuit 50 for dividing the voltage of the capacitor C2 into a plurality of voltages is provided, and each voltage divided into a plurality of voltages by the voltage dividing circuit 50 is used in the first voltage detecting circuit 51 to the fourth voltage detecting circuit. It is detected by 54. And
The size of the dummy load that prevents an increase in the rectified voltage is switched according to the detection state.
【００２９】本実施の形態においては、抵抗器ＲD1、抵
抗器ＲD2、抵抗器ＲD3、抵抗器ＲD4及び抵抗器ＲD5によ
り分圧回路５０を構成し、コンデンサＣ２の電圧を４つ
に分圧している。In the present embodiment, the resistor R D1 , the resistor R D2 , the resistor R D3 , the resistor R D4 and the resistor R D5 constitute the voltage dividing circuit 50, and the voltage of the capacitor C2 is four. Partial pressure.
【００３０】すなわち、抵抗器ＲD1と抵抗器ＲD2との間
の電圧を第１の電圧検出回路５１により検出している。
これは、コンデンサＣ２に蓄積されている電源電圧が大
幅に高過ぎるか否かを検出しており、第１の電圧検出回
路５１は抵抗器ＲD1と抵抗器ＲD2との間の電圧と、基準
電圧５５とを比較して電源電圧の検出を行っている。That is, the voltage between the resistors R D1 and R D2 is detected by the first voltage detection circuit 51.
This detects whether the power supply voltage accumulated in the capacitor C2 is significantly too high, and the first voltage detection circuit 51 detects the voltage between the resistor R D1 and the resistor R D2 . The power supply voltage is detected by comparing with the reference voltage 55.
【００３１】第２の電圧検出回路５２は、抵抗器ＲD2と
抵抗器ＲD3との間の電圧と、基準電圧５５とを比較して
電源電圧の検出を行っており、コンデンサＣ２に蓄積さ
れている電源電圧が高過ぎないかを検出している。The second voltage detection circuit 52 compares the voltage between the resistors R D2 and R D3 with the reference voltage 55 to detect the power supply voltage, and is stored in the capacitor C2. The power supply voltage is detected to be too high.
【００３２】第３の電圧検出回路５３は、抵抗器ＲD3と
抵抗器ＲD4との間の電圧と、基準電圧５５とを比較して
電源電圧の検出を行っており、これは、コンデンサＣ２
に蓄積されている電源電圧が低過ぎないかを検出してい
る。The third voltage detection circuit 53 detects the power supply voltage by comparing the voltage between the resistors R D3 and R D4 with the reference voltage 55, which is the capacitor C2.
It is detected whether the power supply voltage stored in is too low.
【００３３】第４の電圧検出回路５４は、抵抗器ＲD4と
抵抗器ＲD5との間の電圧と、基準電圧５５とを比較して
電源電圧の検出を行っており、これは、コンデンサＣ２
に蓄積されている電源電圧が大幅に低過ぎないかを検出
している。The fourth voltage detection circuit 54 compares the voltage between the resistors R D4 and R D5 with the reference voltage 55 to detect the power supply voltage, which is the capacitor C2.
Detects whether the power supply voltage stored in is too low.
【００３４】上記第１の電圧検出回路５１〜第４の電圧
検出回路５４により行われた電圧の検出結果は制御回路
５６に入力される。制御回路５６は、入力された検出結
果に基づいて、ダミー負荷の動作切り替えを行う。The detection results of the voltages performed by the first voltage detection circuit 51 to the fourth voltage detection circuit 54 are input to the control circuit 56. The control circuit 56 switches the operation of the dummy load based on the input detection result.
【００３５】具体的には、トランジスタ５７〜６１を選
択的に動作させて、電源電圧をダミー負荷ＲL1、ＲL2、
ＲL3、ＲL4、ＲL5の抵抗値に応じた大きさにクランプす
る。上記ダミー負荷ＲL1、ＲL2、ＲL3、ＲL4、ＲL5の動
作切り替えは、ロジックの制御回路によりＡＳＫ信号を
受信していないときに行うようにしている。本実施の形
態においては、ダミー負荷ＲL1、ＲL2、ＲL3、ＲL4、Ｒ
L5の大きさを「１」、「２」、「４」、「８」、「１
６」とし、トランジスタをオン／オフする回数を可及的
に少なくし、しかも電源電圧の大きさを高精細に制御で
きるようにしている。Specifically, the transistors 57 to 61 are selectively operated to control the power supply voltage to the dummy loads R L1 , R L2 ,
Clamp to a size according to the resistance values of R L3 , R L4 , and R L5 . The operation switching of the dummy loads R L1 , R L2 , R L3 , R L4 , and R L5 is performed by the logic control circuit when the ASK signal is not received. In the present embodiment, the dummy loads R L1 , R L2 , R L3 , R L4 , R
L5 size is "1", "2", "4", "8", "1"
6 ”, the number of times the transistor is turned on / off is reduced as much as possible, and the magnitude of the power supply voltage can be controlled with high precision.
【００３６】制御回路５６は、第１の電圧検出回路５１
により電源電圧が大幅に高すぎることが検出されると、
ダミー負荷を２段重くする方向に制御を行うようにして
いる。また、第２の電圧検出回路５２により電源電圧が
高すぎることを検出されると、ダミー負荷を１段重くす
る方向に制御を行うようにしている。The control circuit 56 includes the first voltage detection circuit 51.
Detects that the power supply voltage is too high,
Control is performed in the direction of increasing the dummy load by two steps. Further, when the second voltage detection circuit 52 detects that the power supply voltage is too high, the dummy load is controlled to be increased by one stage.
【００３７】さらに、第３の電圧検出回路５３により電
源電圧が低すぎることが検出された場合には、負荷を１
段軽くする方向に制御を行い、第４の電圧検出回路５４
により電源電圧が大幅に低すぎることが検出された場合
には、負荷を２段軽くする方向に制御を行うようにして
いる。Further, when the third voltage detection circuit 53 detects that the power supply voltage is too low, the load is set to 1
The fourth voltage detection circuit 54 is controlled to reduce the number of steps.
When it is detected that the power supply voltage is too low, the control is performed to reduce the load by two steps.
【００３８】以上の説明において、過電圧を防止するダ
ミー負荷は全負荷から無負荷までの間でしか動作しな
い。よって、設計以上の駆動に対しては別に耐圧限界直
前で急激に電流を流す回路も備えるようにするのが望ま
しい。In the above description, the dummy load for preventing overvoltage operates only from full load to no load. Therefore, it is desirable to additionally provide a circuit for rapidly flowing a current immediately before the withstand voltage limit for driving beyond the design.
【００３９】[0039]
【発明の効果】本発明は上述したように、本発明によれ
ば、リーダ／ライタ装置から送られる駆動磁界から動作
用直流電圧を生成する電源回路と、上記電源回路によっ
て生成された動作用直流電圧の大きさが所定の電圧値以
下となるように固定するクランプ手段とを有し、上記ク
ランプ手段により行われるクランプ動作を、上記動作用
直流電圧の平均的な値に応じて制御するようにしたの
で、リーダ／ライタ装置から送られる駆動磁界が極端に
強いエリアでもＡＳＫ復調を良好に行うようにすること
ができる。また、本発明のその他の特徴によれば、上記
動作用直流電圧の大きさが所定の電圧値以下となるよう
に固定するためのトランジスタを設けるとともに、抵抗
器とコンデンサとからなるローパスフィルタを上記トラ
ンジスタの制御電極側に配設して、上記クランプ手段に
より行われるクランプ動作を、上記動作用直流電圧の平
均的な値に応じて制御するようにしたので、回路部品の
保護動作とＡＳＫ復調の両方を良好に行うことができ
る。As described above, according to the present invention, a power supply circuit for generating an operating DC voltage from a driving magnetic field sent from a reader / writer device, and an operating DC generated by the power supply circuit are provided. A clamp means for fixing the magnitude of the voltage to a predetermined voltage value or less, and controlling the clamp operation performed by the clamp means according to an average value of the operating DC voltage. Therefore, ASK demodulation can be favorably performed even in an area where the driving magnetic field sent from the reader / writer device is extremely strong. Further, according to another feature of the present invention, a transistor for fixing the operation DC voltage so that the magnitude thereof is equal to or less than a predetermined voltage value is provided, and a low-pass filter including a resistor and a capacitor is provided as described above. Since it is arranged on the control electrode side of the transistor and the clamping operation performed by the clamping means is controlled according to the average value of the operating DC voltage, circuit component protection operation and ASK demodulation are performed. Both can be done well.
【図１】本発明の第１の実施の形態を示し、過電圧防止
回路の構成を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an overvoltage protection circuit according to a first embodiment of the present invention.
【図２】第１の実施の形態の過電圧防止回路の動作を説
明する波形図である。FIG. 2 is a waveform diagram illustrating the operation of the overvoltage protection circuit according to the first embodiment.
【図３】第１の実施の形態の過電圧防止回路の変形例を
示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram showing a modified example of the overvoltage protection circuit of the first embodiment.
【図４】本発明の第２の実施の形態を示し、過電圧防止
回路の構成を示すブロック図である。FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of an overvoltage protection circuit according to the second embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第３の実施の形態を示し、過電圧防止
回路の構成を示すブロック図である。FIG. 5 is a block diagram showing a configuration of an overvoltage protection circuit according to a third embodiment of the present invention.
【図６】従来の過電圧防止回路の構成例を示すブロック
図である。FIG. 6 is a block diagram showing a configuration example of a conventional overvoltage protection circuit.
【図７】図６の回路の動作を説明するための波形図であ
る。FIG. 7 is a waveform diagram for explaining the operation of the circuit of FIG.
【図８】従来の過電圧防止回路の他の構成例を示すブロ
ック図である。FIG. 8 is a block diagram showing another configuration example of a conventional overvoltage protection circuit.
１ 並列共振回路 ２ 整流回路 １０ ダイオードの直列回路 １１ 抵抗器 １２ 電界効果トランジスタ １３ 保護回路 １００ ローパスフィルタ １０１ アベレージクランプ回路 1 parallel resonant circuit 2 rectifier circuit 10 Diode series circuit 11 resistors 12 Field effect transistor 13 Protection circuit 100 low pass filter 101 Average clamp circuit
Claims (4)
界から動作用直流電圧を生成する電源回路と、 上記電源回路によって生成された動作用直流電圧の大き
さが所定の電圧値以下となるように固定するクランプ手
段とを有し、 上記クランプ手段により行われるクランプ動作を、上記
動作用直流電圧の平均的な値に応じて制御するようにし
たことを特徴とするデータキャリアにおける過電圧防止
回路。1. A power supply circuit for generating an operating DC voltage from a driving magnetic field sent from a reader / writer device, and a magnitude of the operating DC voltage generated by the power supply circuit being a predetermined voltage value or less. An overvoltage prevention circuit in a data carrier, comprising: a clamp means for fixing the clamp operation, wherein the clamp operation performed by the clamp means is controlled according to an average value of the operation DC voltage.
圧値以下となるように固定するためのトランジスタを設
けるとともに、抵抗器とコンデンサとからなるローパス
フィルタを上記トランジスタの制御電極側に配設して、
上記クランプ手段により行われるクランプ動作を、上記
動作用直流電圧の平均的な値に応じて制御するようにし
たことを特徴とする請求項１に記載のデータキャリアに
おける過電圧防止回路。2. A transistor for fixing the operating DC voltage to a predetermined voltage value or less is provided, and a low-pass filter including a resistor and a capacitor is arranged on the control electrode side of the transistor. Set up,
2. The overvoltage prevention circuit for a data carrier according to claim 1, wherein the clamping operation performed by the clamping means is controlled according to an average value of the operating DC voltage.
界から動作用直流電圧を生成する電源回路と、 上記電源回路によって生成された動作用直流電圧の大き
さが所定の電圧値以下となるように固定するクランプ手
段とを有し、 上記クランプ手段により行われるクランプ動作を、上記
動作用直流電圧のピーク電圧値に応じて制御するように
したことを特徴とするデータキャリアにおける過電圧防
止回路。3. A power supply circuit for generating an operating DC voltage from a driving magnetic field sent from a reader / writer device, and a magnitude of the operating DC voltage generated by the power supply circuit is not more than a predetermined voltage value. An overvoltage prevention circuit in a data carrier, comprising: a clamp means for fixing the clamp operation, wherein the clamp operation performed by the clamp means is controlled according to a peak voltage value of the operating DC voltage.
界から動作用直流電圧を生成する電源回路と、 上記電源回路によって生成された動作用直流電圧の大き
さが所定の電圧値以下となるように固定するクランプ手
段とを有し、 上記動作用直流電圧の値を検出し、上記検出した電圧値
に応じて上記クランプ手段により行われるクランプ動作
を制御するようにしたことを特徴とするデータキャリア
における過電圧防止回路。4. A power supply circuit for generating an operating DC voltage from a driving magnetic field sent from a reader / writer device, and a magnitude of the operating DC voltage generated by the power supply circuit is not more than a predetermined voltage value. A data carrier characterized by having a clamp means for fixing, detecting the value of the operating DC voltage, and controlling the clamp operation performed by the clamp means according to the detected voltage value. Overvoltage protection circuit.
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