JP2003078280A - Electronic component - Google Patents

Electronic component

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JP2003078280A
JP2003078280A JP2001262747A JP2001262747A JP2003078280A JP 2003078280 A JP2003078280 A JP 2003078280A JP 2001262747 A JP2001262747 A JP 2001262747A JP 2001262747 A JP2001262747 A JP 2001262747A JP 2003078280 A JP2003078280 A JP 2003078280A
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JP
Japan
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shield case
crystal oscillator
electronic component
substrate
temperature
Prior art date
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Application number
JP2001262747A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshiyuki Nozaki
善幸 野崎
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Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
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Publication date
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  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a small and lightweight electronic component operating stably by improving the bonding structure of a shield case thereby reducing the bonding process of the shield case. SOLUTION: The electronic component comprises a container body having a cavity opening upward with a sealing conductor being fixed around the cavity opening, an electronic component element being contained in the container body, a substrate for mounting the container body and circuit components, and a shield case being mounted on the sealing conductor of the container body to seal the cavity opening and to cover the upper part of the circuit components.

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に容器体か
らなる水晶振動子と回路構成部品であるコンデンサ等を
搭載するとともに、基板上の容器体および回路構成部品
上部をシールドケースにより覆ってなる電子部品に関す
るものである。 【0002】 【従来の技術】従来、シールドケースを有する電子部品
としては、例えば、携帯用通信機器に用いられる温度補
償型水晶発振器などが広く知られている。 【0003】このような電子部品である温度補償型水晶
発振器は、気密容器を有する水晶振動子からなる振動部
と、温度感応素子、抵抗、コンデンサからなる温度補償
回路と、トランジスタからなる発振回路と、コンデンサ
からなる周波数調整回路により構成されている。 【0004】例えば、図8、図9に示す電子部品である
温度補償型水晶発振器51は、セラミックやガラスエポ
キシなどの基板2上に、水晶発振器53と上述の温度補
償型水晶発振器の各回路を構成する回路構成部品8が搭
載されている。さらに、水晶発振器53の金属製蓋体5
6に溶接などによりシールドケース57が接続されてお
り、シールドケース57は前記基板2の略全域を覆うよ
うに配置されている。 【0005】このようなシールドケース57は、少なく
とも水晶発振器53を含む電子部品8を覆うように筐体
状または平板状に形成され、例えばSUS304をプレ
ス成形して形成される。さらに、シールドケース57を
電子部品53の金属製蓋体56上に配置し、レーザーな
どのエネルギービームを照射し、シールドケース57を
約1250℃〜1300℃にまで昇温させ、溶融させる
ことにより、シールドケース57と金属製蓋体56を電
気的、機械的に接合させていた。 【0006】 【発明が解決しようとする課題】このようなシールドケ
ース57を水晶発振器53に接合しようとすると、基板
52上に水晶発振器53と複数の電子部品8を搭載する
だけでなく、その他全ての電子部品が搭載された最後に
シールドケース57を水晶発振器53の金属製蓋体56
上に載置し、レーザーなどのエネルギービームを照射す
ることにより、シールドケース57と金属製蓋体56を
電気的、機械的に接合させる溶融接合工程が行われてい
た。 【0007】一方、近年、電子部品の小型化の要求に伴
って、電子部品の低背化、小面積化が検討されている
が、特に低背化させるためにも、シールドケース57や
金属製蓋体56はそれぞれの機能を保つ程度に薄型化さ
れてきている。 【0008】しかしながら、シールドケース57を水晶
発振器53に接合する際に、その水晶発振器53の金属
製蓋体56に照射するエネルギービームの強度の調整が
難しく、エネルギービームが強すぎる場合は金属製蓋体
56が水晶発振器53内部でも溶解してしまい、溶けた
金属溶融物が水晶振動子54表面に飛散し、表面を汚染
することになり、水晶発振器53の発振特性を損ない、
最終的には電子部品51の電気特性を損なってしまう場
合があった。特に、シールドケース57や金属製蓋体5
6が薄い場合に金属製蓋体56から金属溶融物が飛散す
るという問題が顕著にあらわれていた。 【0009】また、このように水晶発振器53の金属製
蓋体56がその内部で溶けてしまうことを防ぐために
は、金属製蓋体56の厚みを厚くすることも重要であ
り、少なくとも100μm程度という具合に充分厚くす
る必要があるが、あまり厚すぎるとシールドケース57
を金属製蓋体56上面に接合すると、完成品の電子部品
51として厚みを薄くできず、重量も重くなってしまう
という問題があった。 【0010】また、水晶発振器53の金属製蓋体56上
面にさらにシールドケース57を接合する構造であるた
め、シールドケース57と金属製蓋体56の接合状態に
よってはシールドの効果が充分に得られないという問題
もあった。 【0011】一方、シールドケース57と金属製蓋体5
6を溶融接合する場合、シールドケース57上面側から
レーザービームを照射するが、シールドケースが平板状
となっているので、適切な位置にレーザースポットを照
射するためには、特別に位置決め機構等を用いる必要が
あり、製造工程が煩雑となっていた。 【0012】本発明は上述の問題点に鑑みて案出された
ものであり、その目的は、電子部品を低背に形成すると
ともに、製造時、溶融接合により金属溶融物が飛散して
電子部品の特性を損ねることなくシールド効果を確実に
得ることができ、且つ小型・軽量化となる電子部品を提
供するものである。 【0013】 【課題を解決するための手段】本発明は、上部が開口し
たキャビティを有し、該キャビティ開口周囲に封止用導
体を取着してなる容器体と、該容器体内に収容される電
子部品素子と前記容器体と、回路構成部品を搭載する基
板と、前記容器体の封止用導体上に搭載して前記キャビ
ティ開口を封止するとともに、前記回路構成部品上部を
覆うシールドケースとを有したことを特徴とする電子部
品である。 【0014】本発明の構成によれば、シールドケースは
基板上部の略全域を覆うように配置されているのだが、
同時に基板に搭載された容器体の上部開口周囲に形成さ
れた封止用導体をシールドケースに直接、溶融接合させ
て容器体開口を気密封止している。即ち、従来のよう
に、シールドケースを、容器体上面を気密的に封止して
いる金属製蓋体に別途、溶接などにより接合する必要が
ないため、レーザービームを強くして溶融させることが
なく、金属製蓋体から金属溶融物が飛散することもな
い。 【0015】また、シールドケースを直接、封止用導体
に溶融接合しているので、従来、金属製蓋体を用いると
シールドケースの厚みについてもレーザービームでの接
合により溶けない程度に充分厚くしなければならないと
いう制限がなくなり、充分な溶融接合ができ、かつ、シ
ールドケースの機能が損なわない範囲であれば、シール
ドケースをさらに薄くすることが可能になり、結局、電
子部品として低背化が可能になる。 【0016】また、従来は水晶振動子を作製する際に金
属製蓋体により気密的に封止する工程があり、さらに、
電子部品を作製する際に、金属製蓋体の上部にシールド
ケースを接合する工程が必要であったが、本発明によ
り、別途行っていたシールドケースの接合工程が簡略化
される。 【0017】 【発明の実施の形態】以下、本発明の電子部品を図面に
基づいて詳説する。 【0018】図1は、本発明の電子部品の外観斜視図で
あり、図2はその断面図、図3はその要部断面図であ
る。 【0019】図において、1は温度補償型水晶発振器
(電子部品)であり、2は基板、3は水晶発振器、4は
水晶振動子を収容した容器体、7はシールドケース、8
はコンデンサ、抵抗、サーミスタ、トランジスタなどの
回路構成部品である。ここで、本発明の回路構成部品8
は、基板2上面に搭載するコンデンサ、抵抗、トランジ
スタ、IC素子、SAW発振子・SAWフィルタなどの
部品をいう。 【0020】また、電子部品素子とは容器体4の内部に
収容できる素子であって、例えば、温度補償型水晶発振
器であるならば、電子部品素子は、水晶発振器を構成す
る水晶振動子となる。 【0021】基板2は、単板構造、内部に所定配線導体
が形成された多層構造のセラミック基板、ガラスエポキ
シ基板などの基体21と、少なくとも基体21の表面に
形成され、所定回路を構成する配線パターン22と、基
体21の底面や側面に形成され、配線パターン22に接
続された端子電極23とから構成されている。このよう
な基板2は、公知の多層配線基板、厚膜基板、ガラスエ
ポキシ基板の製造方法によって作成される。 【0022】ここで、水晶発振器3について説明する。
水晶発振器3の容器体4の種類は様々存在する。図で
は、基板2上に表面実装されるSMDパッケージが用い
られている。 【0023】水晶発振器3は、図3に示すように、底面
から平板状セラミック層41、水晶振動子5が載置され
る枠状セラミック層42、水晶振動子5を収納するキャ
ビティを有する枠状セラミック層43が積層された容器
体4と、水晶振動子5、Fe−Ni合金(コバール)な
どからなるシールドケース7とから構成されている。即
ち、容器体4とシールドケース7とで、水晶振動子5を
気密的に封止している。 【0024】容器体4の底面には、基板2の配線パター
ン22と半田接合される外部電極端子46が形成されて
いる。また、容器体4の開口周囲には、シールドケース
7をシーム溶接するための枠体状の封止用導体44がA
gろうなどにより接合され、配置されている。この封止
用導体44はその接合面に導体膜を被着させている。
尚、シールドケース7と封止用導体44とのシーム溶接
を行う作業性を考慮して、導体膜、封止用導体44はア
ース電位にされるようになっている。封止用導体膜、封
止用導体44は、容器4の表面から側面及び底面に導出
されたシーム溶接電流接点電極を有している。 【0025】尚、前述のように、本発明においては、シ
ールドケース7を従来の金属製蓋体としても同時に機能
しており、水晶発振器3のシールドケース7が即ち金属
製蓋体となる。 【0026】また、図には示していないが、基板2に搭
載する際、封止用導体膜、封止用導体44から導出され
たシーム溶接電流接点電極を、基板2のアース電位の配
線パターン22とシールドケース7とを電気的に接続す
ることにより溶接が可能となる。 【0027】ここで、基板2上に搭載される容器体4、
回路構成部品8の高さを比較すると、抵抗、コンデン
サ、トランジスタなどの電子部品素子8は、0.9mm
程度であり、水晶発振器3の高さは、1.0mm程度と
若干高くなっている。 【0028】シールドケース7は、少なくとも水晶発振
器3及び回路構成部品8の上部を覆うような形状、例え
ば、少なくとも基板2に対応した大きさの長方形の平板
状に形成されていればよいが(図4のシールドケース7
1)、より好ましくは、平板状の底面側から開口して筺
体状となっていればよく(図2のシールドケース7)、
このように形成されることにより、より充分なシールド
効果が得られる。 【0029】また、このようなシールドケース4はSU
S304をプレス成型して形成される。即ち、シールド
ケース4は底面側が開口した筐体状に形成される場合、
天井面及び4つの側面を有する形状であり、その厚みは
80μm〜100μm程度となっている。また、この側
面の高さ方向寸法は、水晶発振器3の搭載高さに比較し
て若干短い寸法となっている。 【0030】次に、上述の基板2、水晶発振器3、回路
構成部品8、シールドケース7を用いた水晶振動子5及
び温度補償型水晶発振器の組立方法及びシールドケース
7の接合構造を説明する。 【0031】まず、水晶振動子5の組立方法であるが、
容器体4のキャビティ内の段差部上面に形成された電極
パッド(図示しない)に硬化されて導電性接着部材45
となる導電性樹脂ペーストを塗布し、その上部に水晶振
動子5の引き出し電極が載置されるように水晶振動子5
を搭載する。その後、加熱することにより、導電性樹脂
ペーストを硬化し、水晶振動子5と容器体4の接続、固
定を行う。さらに、シールドケース7を水晶発振器3の
開口上部を覆うように載置し、水晶発振器3の封止用導
体44の上部に対応する位置にローラを走査させ、所定
電流を流し、シールドケース7と封止用導体44をシー
ム溶接にて溶融接合させる。なお、ビーム溶接でも構わ
ない。 【0032】次に、温度補償型水晶発振器の組立方法で
あるが、公知の厚膜基板の製法で作成された基板2に、
水晶発振器3及び回路構成部品8が搭載される配線パタ
ーン22上にクリーム半田を塗布する。 【0033】その後、クリーム半田が塗布された部分
に、所定水晶発振器3以外の回路構成部品8を基板2上
の所定の位置に、全て搭載し、最後に水晶発振器3を基
板2上の所定の位置に、シールドケース7の外部延出部
が上面から、他の回路構成部品8を被覆するように載置
し、リフロー処理によって水晶発振器31を基板2上に
接合する。尚、ここで、水晶発振器3は、基板2の中央
部付近に配置するようにしても、一方の端面寄りに寄せ
て配置してもよい。 【0034】この際、基板2上に、水晶発振器3のセラ
ミックパッケージ4部の高さが、他の回路構成部品8に
比較して高い場合が多いため、シールドケース7は温度
補償型水晶発振器1の上部を全体として覆うように配置
されることになる。 【0035】以上の点から、接合構造として、シールド
ケース7の天井面70を水晶発振器3の金属製蓋体のよ
うにキャビティ開口上部に配置し、溶接により気密的に
接合を行う。従って、温度補償型水晶発振器1作製時に
シールドケース7を搭載する工程が不要となるため、温
度補償型水晶発振器1の作製を容易にすることができ
る。 【0036】また、シールドケース7が水晶発振器3の
蓋の機能を兼ねており、別途、水晶発振器3の金属製蓋
体に接合する必要がないため、シールドケース7と従来
の金属製蓋体の都合により発生していた問題、例えば、
照射するエネルギービームの強度の調整が合っていなけ
れば、シールドケース7の溶接部に対応する金属製蓋体
の下面において溶けた部分がキャビティ内部の水晶振動
子の表面に飛散して接触すると、水晶振動子を汚染し、
水晶振動子の電気特性、ひいては温度補償型水晶発振器
の電気特性を悪化させてしまうことがあったが、そのよ
うな異常が起きる危険もなくなる。 【0037】また、従来は、シールドケース7と水晶振
動子の金属製蓋体をエネルギービームの照射により接合
していたが、実質シールドケースと金属製蓋体を一体化
することができ、温度補償型水晶発振器1の厚みも薄型
化することが可能になった。尚、前述の通りでエネルギ
ービームによる接合ではないため、シールドケース7
(即ち、金属製蓋体)の厚みはシーム溶接に耐え得る最
低限の厚みであればよく、例えば0.5mm〜0.8m
m程度であっても十分作製可能である。 【0038】このようにさらなる薄型化が可能になる。 【0039】以上の点から、電子部品全体が非常に簡素
化されて、外形寸法が非常に安定化し、且つ小型化とな
る。 【0040】また、基板2上に搭載する水晶発振器3及
び回路構成部品8のうち、水晶発振器3が最も搭載高さ
が高い電子部品素子とはかぎらない。このような場合に
は、図5に示すように、シールドケース71の天井面に
一段凹んだ窪み部72を形成して、搭載高さが最も高い
他の電子部品素子3とシールドケース7との当接を回避
して、シールドケース7が水晶発振器3のキャビティ上
面を金属製蓋体のように気密的に封止するようにしてい
る。尚、窪み部72は、例えば直径20〜100μm程
度で20μm以上に形成する。さらに、この場合、窪み
部72においてセラミックパッケージ4のキャビティ開
口上部を気密的に封止するために、シーム溶接以外にも
電子ビームによる溶接・接合も有効である。 【0041】例えば、上述の例は、温度補償型水晶発振
器において周波数調整回路にトリマコンデンサを用いた
場合に、電子部品素子8であるこのトリマコンデンサ
が、水晶発振器3、即ちシールドケース72の平面部下
面の高さよりも搭載高さが高くなる場合が一例として挙
げられる。 【0042】この場合、シールドケース72のトリマコ
ンデンサと当接しえる部分に、トリマコンデンサの上部
(調整ピンの頭部部分)のみが突出されるように、開口
を形成してもよい。このようにすれば、シールドケース
72を水晶発振器3に安定して溶接接合できるととも
に、シールドケース72を接合した後であっても、トリ
マコンデンサの容量を簡単に調整することができる。
尚、上述の例ではトリマコンデンサを例示したが、突出
した部品を基板2上に搭載する場合、同様の方法を行う
ことで水晶振動子部3及び回路構成部品8の上面を覆う
ように、シールドケース72を問題なく載置することが
できる。 【0043】また、第4の実施例として、図6に示すよ
うに、シールドケース73の水晶発振器3の封止用導体
44上部に搭載される部分を、封止用導体44が略嵌り
込むように窪ませた窪み部731を形成している。そし
て、上部が開口した水晶発振器3の封止用導体44と窪
み部731が嵌め合わせられるように載置し、シーム溶
接などによりシールドケース73側からレーザービーム
を照射してシールドケース73と封止用導体44を接合
することもできる。これにより、シールドケース73を
水晶発振器3の封止用導体44に搭載しやくなり製造が
容易になる。しかも、シールドケース73の窪み部73
1において、上面側の傾斜部周囲を溶融接合することで
も金属溶融物が水晶振動子4の内部に飛散させないよう
にして発振特性が損なわれるのを防ぐことができる。 【0044】さらに、第5の実施例としてはシールドケ
ース74の水晶発振器3の開口上部に搭載される部分を
水晶発振器3の開口部の封止用導体44内側に嵌め合わ
せられるように形成した凸部を形成し、シールドケース
74と封止用導体44をシーム溶接などにより接合する
こともできる。このようにシールドケース74を形成す
ることにより、上述と同様に製造が容易になるととも
に、シーム溶接でシールドケース74の表面をレーザー
ビームで照射しても、凸部741が封止用導体44の開
口が水晶発振器3内部に入り込んでいるため、溶融して
金属溶融物がキャビティ内部に飛散し、水晶振動子5の
表面に付着するなどして、発振特性が損なわれるのを防
ぐことができる。 【0045】上記の実施例では、電子部品1として、温
度補償型水晶発振器を用い、且つ水晶発振器3として、
SMD対応で上面にアース電位となるシールドケース7
を有する水晶振動子を用いた。 【0046】しかし、デジタル型温度補償水晶発振器の
ように、水晶振動子の温度周波数をデジタル補償データ
に基づいて温度補償を行う場合には、デジタル補償デー
タを記憶するメモリ手段及びメモリ素子を制御する制御
手段が必要である。このようなICに集積できる手段
が、アース電位の金属製蓋体で封止されている半導体素
子を用いる場合には、必要に応じて、水晶発振器3をア
ース電位の金属製蓋体で封止されている半導体素子とし
ても構わない。 【0047】上述の実施例などから、水晶発振器3とし
ては、アース電位の金属製蓋体を有する電子部品素子で
あればよいことが判る。 【0048】従って、金属ステム上に電子部品素体を搭
載して、金属容器で封止して電子部品素子、例えば、円
板状水晶振動子を用いた水晶振動子や圧電単結晶基板の
表面弾性波を用いて動作する電子部品素子(SAWデバ
イス)を、本発明の水晶振動子の代わりに用いても構わ
ない。 【0049】例えば、SAWデバイスは、移動体通信機
器では、局発振回路部分や通信チャンネル選択回路部分
など非常に高周波領域部分の回路に使用されるものであ
る。従って、本発明の電子部品とは、温度補償型水晶発
振器以外に、上述の局発振回路部分や通信チャンネル選
択回路部分などを1つの電子部品として部品にも広く適
用できる。 【0050】 【発明の効果】以上のように、本発明によれば、基板に
搭載した電子部品を覆うシールドケースの接合構造とし
て、シールドケースを電子部品の開口部の封止用導体に
直接接合固定している。これにより、従来は金属製蓋体
上面に別途、シールドケースをエネルギービームにより
接合しており、エネルギービームの強さによって溶けた
金属製蓋体が水晶振動子表面へ飛散し、水晶振動子の電
気特性を損なうことがあったが、シールドケースの金属
製蓋体との接合工程が不要となり、前述のように水晶振
動子の電気特性を損なうことがなくなった。 【0051】また、水晶振動子とシールドケースの接続
がより確実になり、シールド効果が確実に得られるよう
になった。 【0052】このように、小型・軽量化となり、同時に
動作的にも安定する電子部品を提供することができるよ
うになった。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for mounting a crystal unit comprising a container and a capacitor which is a circuit component on a substrate, and a method for mounting the container on the substrate. The present invention relates to an electronic component in which the upper part of a circuit component is covered by a shield case. 2. Description of the Related Art Conventionally, as an electronic component having a shield case, for example, a temperature-compensated crystal oscillator used for portable communication equipment has been widely known. [0003] Such a temperature-compensated crystal oscillator, which is an electronic component, includes a vibrating section composed of a crystal oscillator having an airtight container, a temperature compensation circuit composed of a temperature-sensitive element, a resistor and a capacitor, and an oscillation circuit composed of a transistor. , And a frequency adjustment circuit composed of a capacitor. For example, a temperature-compensated crystal oscillator 51, which is an electronic component shown in FIGS. 8 and 9, includes a crystal oscillator 53 and each circuit of the above-described temperature-compensated crystal oscillator on a substrate 2 made of ceramic or glass epoxy. The circuit components 8 to be configured are mounted. Further, the metal lid 5 of the crystal oscillator 53
6, a shield case 57 is connected by welding or the like, and the shield case 57 is arranged so as to cover substantially the entire area of the substrate 2. [0005] Such a shield case 57 is formed in a housing shape or a flat plate shape so as to cover at least the electronic component 8 including the crystal oscillator 53, and is formed, for example, by pressing SUS304. Further, by disposing the shield case 57 on the metal lid 56 of the electronic component 53 and irradiating an energy beam such as a laser to raise the temperature of the shield case 57 to about 1250 ° C. to 1300 ° C. and melt it, The shield case 57 and the metal lid 56 are electrically and mechanically joined. [0006] When such a shield case 57 is to be joined to the crystal oscillator 53, not only is the crystal oscillator 53 and a plurality of electronic components 8 mounted on the substrate 52, but also all others. Finally, the shield case 57 is mounted on the metal cover 56 of the crystal oscillator 53.
A fusion bonding step of electrically and mechanically bonding the shield case 57 and the metal lid 56 by irradiating an energy beam such as a laser on the shield case 57 has been performed. On the other hand, in recent years, with the demand for miniaturization of electronic components, reduction in height and area of electronic components has been studied. The lid 56 has been reduced in thickness so as to maintain its functions. However, when the shield case 57 is joined to the crystal oscillator 53, it is difficult to adjust the intensity of the energy beam applied to the metal cover 56 of the crystal oscillator 53. If the energy beam is too strong, the metal cover The body 56 is also melted inside the crystal oscillator 53, and the melted metal melt scatters on the surface of the crystal oscillator 54 to contaminate the surface, impairing the oscillation characteristics of the crystal oscillator 53,
Eventually, the electrical characteristics of the electronic component 51 may be impaired. In particular, the shield case 57 and the metal lid 5
The problem that the molten metal is scattered from the metal lid 56 when the thickness of the metal layer 6 is thin has been prominent. In order to prevent the metal lid 56 of the crystal oscillator 53 from being melted inside, it is also important to increase the thickness of the metal lid 56, which is at least about 100 μm. It is necessary to make the shield case 57 thick enough.
When the electronic component 51 is bonded to the upper surface of the metal lid 56, the thickness of the electronic component 51 as a finished product cannot be reduced, and the weight increases. Further, since the shield case 57 is further joined to the upper surface of the metal cover 56 of the crystal oscillator 53, a sufficient shielding effect can be obtained depending on the connection state of the shield case 57 and the metal cover 56. There was another problem. On the other hand, the shield case 57 and the metal lid 5
When the joint 6 is melt-bonded, a laser beam is irradiated from the upper surface side of the shield case 57. Since the shield case has a flat plate shape, a special positioning mechanism or the like is required to irradiate a laser spot to an appropriate position. It had to be used, and the manufacturing process was complicated. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and has as its object to form an electronic component with a low profile and to melt a metal melt by fusion bonding at the time of manufacture. It is an object of the present invention to provide an electronic component which can surely obtain a shielding effect without impairing the characteristics of the electronic component and which is reduced in size and weight. According to the present invention, there is provided a container having a cavity with an open upper portion, a sealing conductor attached around the cavity opening, and a container housed in the container. An electronic component element, the container, a substrate on which a circuit component is mounted, and a shield case mounted on a sealing conductor of the container to seal the cavity opening and cover an upper portion of the circuit component And an electronic component having: According to the structure of the present invention, the shield case is disposed so as to cover substantially the entire area of the upper part of the substrate.
At the same time, the sealing conductor formed around the upper opening of the container mounted on the substrate is directly melt-bonded to the shield case to hermetically seal the container opening. That is, unlike the conventional case, it is not necessary to separately join the shield case to the metal lid body that hermetically seals the upper surface of the container body by welding or the like. Also, there is no scattering of the molten metal from the metal lid. In addition, since the shield case is directly melt-bonded to the sealing conductor, if a metal lid is used, the thickness of the shield case is made sufficiently thick so as not to be melted by bonding with a laser beam. As long as there is no restriction on the necessity of such a case, sufficient fusion bonding can be performed and the function of the shield case is not impaired, it is possible to make the shield case even thinner. Will be possible. Conventionally, there is a step of hermetically sealing with a metal lid when manufacturing a quartz oscillator.
When manufacturing an electronic component, a step of joining the shield case to the upper part of the metal lid was necessary. However, the present invention simplifies the step of joining the shield case, which was performed separately. Hereinafter, an electronic component according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is an external perspective view of an electronic component of the present invention, FIG. 2 is a sectional view thereof, and FIG. 3 is a sectional view of a main part thereof. In the figure, 1 is a temperature-compensated crystal oscillator (electronic component), 2 is a substrate, 3 is a crystal oscillator, 4 is a container housing a crystal oscillator, 7 is a shield case, 8
Are circuit components such as capacitors, resistors, thermistors, and transistors. Here, the circuit component 8 of the present invention
Denotes components such as a capacitor, a resistor, a transistor, an IC element, a SAW oscillator and a SAW filter mounted on the upper surface of the substrate 2. The electronic component element is an element that can be accommodated in the container 4. For example, if the element is a temperature-compensated crystal oscillator, the electronic component element is a crystal oscillator constituting the crystal oscillator. . The substrate 2 is a single-plate structure, a multi-layered ceramic substrate having a predetermined wiring conductor formed therein, a substrate 21 such as a glass epoxy substrate, and a wiring formed at least on the surface of the substrate 21 and constituting a predetermined circuit. It is composed of a pattern 22 and terminal electrodes 23 formed on the bottom and side surfaces of the base 21 and connected to the wiring pattern 22. Such a substrate 2 is produced by a known method for manufacturing a multilayer wiring substrate, a thick film substrate, or a glass epoxy substrate. Here, the crystal oscillator 3 will be described.
There are various types of the container 4 of the crystal oscillator 3. In the figure, an SMD package that is surface-mounted on the substrate 2 is used. As shown in FIG. 3, the crystal oscillator 3 has a flat ceramic layer 41 from the bottom, a frame-shaped ceramic layer 42 on which the crystal oscillator 5 is mounted, and a frame-like shape having a cavity for accommodating the crystal oscillator 5. It comprises a container body 4 on which a ceramic layer 43 is laminated, a quartz oscillator 5, and a shield case 7 made of an Fe—Ni alloy (Kovar) or the like. That is, the crystal unit 5 is hermetically sealed by the container 4 and the shield case 7. An external electrode terminal 46 is formed on the bottom surface of the container 4 to be soldered to the wiring pattern 22 of the substrate 2. Around the opening of the container 4, a frame-shaped sealing conductor 44 for seam welding the shield case 7 is provided with an A.
g are joined and arranged by a brazing filler metal or the like. The sealing conductor 44 has a conductive film adhered to its joint surface.
The conductor film and the sealing conductor 44 are set to the ground potential in consideration of the workability of performing seam welding between the shield case 7 and the sealing conductor 44. The sealing conductor film and the sealing conductor 44 have seam welding current contact electrodes led out from the surface of the container 4 to the side surface and the bottom surface. As described above, in the present invention, the shield case 7 also functions as a conventional metal lid at the same time, and the shield case 7 of the crystal oscillator 3 is a metal lid. Although not shown in the figure, when mounted on the substrate 2, the seam welding current contact electrode derived from the sealing conductor film and the sealing conductor 44 is connected to the ground potential wiring pattern of the substrate 2. Welding becomes possible by electrically connecting the shield case 7 to the shield case 7. Here, the container body 4 mounted on the substrate 2,
Comparing the heights of the circuit components 8, the electronic component elements 8 such as resistors, capacitors, and transistors are 0.9 mm
And the height of the crystal oscillator 3 is slightly higher at about 1.0 mm. The shield case 7 may be formed so as to cover at least the upper part of the crystal oscillator 3 and the circuit component 8, for example, a rectangular flat plate having a size corresponding to at least the substrate 2. 4 shield case 7
1) More preferably, it is sufficient if the housing is open from the bottom side of the flat plate (shield case 7 in FIG. 2).
With such a configuration, a more sufficient shielding effect can be obtained. Further, such a shield case 4 is made of SU
It is formed by pressing S304. That is, when the shield case 4 is formed in a housing shape having an open bottom surface,
It has a ceiling surface and four side surfaces, and its thickness is about 80 μm to 100 μm. The height dimension of the side surface is slightly shorter than the mounting height of the crystal oscillator 3. Next, a description will be given of a method of assembling the crystal resonator 5 and the temperature-compensated crystal oscillator using the substrate 2, the crystal oscillator 3, the circuit component 8, the shield case 7, and the bonding structure of the shield case 7. First, a method of assembling the crystal unit 5 will be described.
The conductive adhesive member 45 is cured by an electrode pad (not shown) formed on the upper surface of the step portion in the cavity of the container body 4.
A conductive resin paste is applied, and the crystal oscillator 5 is placed on top of the conductive resin paste.
With. Thereafter, the conductive resin paste is cured by heating, and the connection and fixation of the crystal unit 5 and the container 4 are performed. Further, the shield case 7 is placed so as to cover the upper part of the opening of the crystal oscillator 3, and the roller is scanned at a position corresponding to the upper part of the sealing conductor 44 of the crystal oscillator 3, a predetermined current is passed, and the shield case 7 is The sealing conductor 44 is fusion-bonded by seam welding. Note that beam welding may be used. Next, a method of assembling a temperature-compensated crystal oscillator will be described.
A cream solder is applied on the wiring pattern 22 on which the crystal oscillator 3 and the circuit component 8 are mounted. Thereafter, the circuit components 8 other than the predetermined crystal oscillator 3 are all mounted at predetermined positions on the substrate 2 on the portion where the cream solder is applied, and finally, the crystal oscillator 3 is mounted on the substrate 2 at a predetermined position. At this position, the external extension of the shield case 7 is placed from above to cover the other circuit components 8, and the crystal oscillator 31 is bonded onto the substrate 2 by reflow processing. Here, the crystal oscillator 3 may be arranged near the center of the substrate 2 or may be arranged closer to one end face. At this time, since the height of the ceramic package 4 of the crystal oscillator 3 on the substrate 2 is often higher than the other circuit components 8, the shield case 7 includes the temperature-compensated crystal oscillator 1 Will be arranged so as to cover the upper part of the whole as a whole. In view of the above, as a joining structure, the ceiling surface 70 of the shield case 7 is arranged above the cavity opening like a metal lid of the crystal oscillator 3 and is hermetically joined by welding. Therefore, the step of mounting the shield case 7 at the time of manufacturing the temperature-compensated crystal oscillator 1 becomes unnecessary, so that the manufacture of the temperature-compensated crystal oscillator 1 can be facilitated. Also, since the shield case 7 also functions as a lid of the crystal oscillator 3 and does not need to be separately joined to the metal lid of the crystal oscillator 3, the shield case 7 and the conventional metal lid Problems that occurred due to circumstances, for example,
If the intensity of the irradiated energy beam is not adjusted properly, the melted portion on the lower surface of the metal lid corresponding to the welded portion of the shield case 7 scatters and contacts the surface of the crystal resonator inside the cavity, Polluting the transducer,
In some cases, the electrical characteristics of the crystal unit and, in turn, the electrical characteristics of the temperature-compensated crystal oscillator may be degraded, but there is no danger of such abnormalities occurring. Further, conventionally, the shield case 7 and the metal cover of the crystal unit have been joined by irradiating an energy beam. However, the shield case and the metal cover can be substantially integrated, and the temperature compensation can be performed. The thickness of the crystal oscillator 1 can also be reduced. As described above, since the joining is not performed by the energy beam, the shield case 7
The thickness of the metal cover (i.e., the metal lid) may be a minimum thickness that can withstand seam welding, for example, 0.5 mm to 0.8 m.
Even if it is about m, it can be manufactured sufficiently. As described above, it is possible to further reduce the thickness. From the above points, the entire electronic component is greatly simplified, the external dimensions are extremely stabilized, and the size is reduced. Further, of the crystal oscillator 3 and the circuit components 8 mounted on the substrate 2, the crystal oscillator 3 is not necessarily the electronic component element having the highest mounting height. In such a case, as shown in FIG. 5, a one-step recessed portion 72 is formed in the ceiling surface of the shield case 71, and the other electronic component element 3 having the highest mounting height and the shield case 7 are connected. By avoiding contact, the shield case 7 hermetically seals the upper surface of the cavity of the crystal oscillator 3 like a metal lid. The depression 72 is formed to have a diameter of, for example, about 20 to 100 μm and a thickness of 20 μm or more. Further, in this case, in order to hermetically seal the upper portion of the cavity opening of the ceramic package 4 in the recess 72, welding and joining by an electron beam other than seam welding are also effective. For example, in the above-described example, when a trimmer capacitor is used for the frequency adjustment circuit in the temperature compensated crystal oscillator, the trimmer capacitor as the electronic component element 8 is connected to the crystal oscillator 3, that is, the flat portion of the shield case 72. An example is a case where the mounting height is higher than the lower surface height. In this case, an opening may be formed in a portion of the shield case 72 which can come into contact with the trimmer capacitor so that only the upper part (the head portion of the adjustment pin) of the trimmer capacitor protrudes. By doing so, the shield case 72 can be stably welded to the crystal oscillator 3 and the capacitance of the trimmer capacitor can be easily adjusted even after the shield case 72 has been joined.
In the above-described example, a trimmer capacitor is illustrated. However, when a protruding component is mounted on the substrate 2, a similar method is performed to cover the upper surfaces of the crystal unit 3 and the circuit component 8. The case 72 can be placed without any problem. As a fourth embodiment, as shown in FIG. 6, the portion of the shield case 73 mounted on the upper portion of the sealing conductor 44 of the crystal oscillator 3 is substantially fitted with the sealing conductor 44. A recess 731 is formed. The sealing conductor 44 of the crystal oscillator 3 having an open top is mounted so as to be fitted to the recessed portion 731, and a laser beam is irradiated from the shield case 73 side by seam welding or the like to seal the shield case 73. The conductor for use 44 can also be joined. This makes it easier to mount the shield case 73 on the sealing conductor 44 of the crystal oscillator 3 and facilitates manufacturing. Moreover, the recess 73 of the shield case 73
In (1), by melting and joining the periphery of the inclined portion on the upper surface side, it is possible to prevent the metal melt from scattering into the inside of the crystal unit 4, thereby preventing the oscillation characteristics from being impaired. Further, as a fifth embodiment, a portion of the shield case 74 mounted above the opening of the crystal oscillator 3 is formed so as to be fitted inside the sealing conductor 44 in the opening of the crystal oscillator 3. A portion may be formed, and the shield case 74 and the sealing conductor 44 may be joined by seam welding or the like. By forming the shield case 74 in this manner, the manufacturing is facilitated in the same manner as described above, and even when the surface of the shield case 74 is irradiated with a laser beam by seam welding, the projection 741 forms the sealing conductor 44. Since the opening enters the inside of the crystal oscillator 3, it is possible to prevent the oscillation characteristics from being impaired due to melting and the metal melt scattered inside the cavity and attaching to the surface of the crystal resonator 5. In the above embodiment, a temperature-compensated crystal oscillator is used as the electronic component 1 and the crystal oscillator 3 is
Shield case 7 which is ground potential on the upper surface for SMD
Was used. However, when temperature compensation of the temperature of the crystal unit is performed based on digital compensation data as in a digital temperature compensation crystal oscillator, a memory means for storing digital compensation data and a memory element are controlled. Control means is required. When the means that can be integrated into such an IC uses a semiconductor element sealed with a metal cover at the earth potential, the crystal oscillator 3 is sealed with a metal cover at the earth potential as necessary. It may be used as a semiconductor element. From the above-described examples and the like, it can be seen that the crystal oscillator 3 may be any electronic component element having a metal lid at a ground potential. Therefore, the electronic component element body is mounted on the metal stem and sealed with a metal container, and the surface of an electronic component element, for example, a crystal resonator using a disk-shaped crystal resonator or the surface of a piezoelectric single crystal substrate An electronic component element (SAW device) that operates using elastic waves may be used in place of the crystal resonator of the present invention. For example, a SAW device is used in a mobile communication device for a circuit in a very high frequency region such as a local oscillation circuit portion and a communication channel selection circuit portion. Therefore, the electronic component of the present invention can be widely applied to components other than the temperature-compensated crystal oscillator, such as the local oscillation circuit portion and the communication channel selection circuit portion as one electronic component. As described above, according to the present invention, the shield case is directly joined to the sealing conductor in the opening of the electronic component as a joining structure of the shield case covering the electronic component mounted on the substrate. It is fixed. Conventionally, a shield case is separately bonded to the upper surface of the metal lid by an energy beam, and the molten metal lid scatters due to the intensity of the energy beam to the surface of the crystal unit, and the electric power of the crystal unit is reduced. Although the characteristics were sometimes impaired, the step of joining the shield case to the metal lid was not required, and the electric characteristics of the crystal resonator were not impaired as described above. Further, the connection between the crystal unit and the shield case has become more reliable, and the shielding effect can be obtained more reliably. As described above, it has become possible to provide an electronic component which is reduced in size and weight and which is also stable in operation.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の電子部品である温度補償型水晶発振器
の外観斜視図である。 【図2】本発明の電子部品である温度補償型水晶発振器
の断面図である。 【図3】本発明の電子部品である温度補償型水晶発振器
に用いる水晶振動子の構造を示す要部断面図である。 【図4】本発明の電子部品である温度補償型水晶発振器
の第2実施例の断面図である。 【図5】本発明の電子部品である温度補償型水晶発振器
の第3実施例の断面図である。 【図6】本発明の電子部品である温度補償型水晶発振器
の第4実施例の断面図である。 【図7】本発明の電子部品である温度補償型水晶発振器
の第5実施例の断面図である。 【図8】従来の電子部品である温度補償型水晶発振器の
断面図である。 【図9】従来の電子部品である温度補償型水晶発振器に
用いる水晶振動子の構造を示す断面図である。従来の水
晶発振子の水晶振動子の搭載状態の要部断面図及びその
拡大図である。 【符号の説明】 1・・・温度補償型水晶発振器 2・・・基板 21・・・基体 22・・・配線パターン 23・・・端子電極 25・・・シールリング 26・・・外部端子電極 3・・・水晶発振器 4・・・容器体 5・・・水晶振動子 7・・・シールドケース
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is an external perspective view of a temperature-compensated crystal oscillator which is an electronic component of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of a temperature-compensated crystal oscillator that is an electronic component of the present invention. FIG. 3 is a cross-sectional view of a main part showing a structure of a crystal resonator used for a temperature-compensated crystal oscillator which is an electronic component of the present invention. FIG. 4 is a sectional view of a temperature-compensated crystal oscillator as an electronic component according to a second embodiment of the present invention. FIG. 5 is a cross-sectional view of a temperature-compensated crystal oscillator as an electronic component according to a third embodiment of the present invention. FIG. 6 is a sectional view of a fourth embodiment of a temperature-compensated crystal oscillator which is an electronic component of the present invention. FIG. 7 is a sectional view of a fifth embodiment of a temperature-compensated crystal oscillator which is an electronic component of the present invention. FIG. 8 is a cross-sectional view of a temperature-compensated crystal oscillator that is a conventional electronic component. FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a structure of a crystal resonator used in a temperature-compensated crystal oscillator, which is a conventional electronic component. It is the principal part sectional view of the mounting state of the crystal oscillator of the conventional crystal oscillator, and its enlarged view. [Description of Signs] 1 ... Temperature-compensated crystal oscillator 2 ... Substrate 21 ... Base 22 ... Wiring pattern 23 ... Terminal electrode 25 ... Seal ring 26 ... External terminal electrode 3 ... Crystal oscillator 4 ... Container 5 ... Crystal vibrator 7 ... Shield case

Claims (1)

【特許請求の範囲】 【請求項1】 上部が開口したキャビティを有し、該キ
ャビティ開口周囲に封止用導体を取着してなる容器体
と、 該容器体内に収容される電子部品素子と前記容器体と、
回路構成部品を搭載する基板と、 前記容器体の封止用導体上に搭載して前記キャビティ開
口を封止するとともに、前記回路構成部品上部を覆うシ
ールドケースとを有したことを特徴とする電子部品。
Claims: 1. A container body having a cavity with an open top and a sealing conductor attached around the cavity opening, and an electronic component element housed in the container body. The container body;
An electronic device comprising: a substrate on which a circuit component is mounted; and a shield case that is mounted on a sealing conductor of the container body to seal the cavity opening and cover an upper portion of the circuit component. parts.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006156798A (en) * 2004-11-30 2006-06-15 Shinko Electric Ind Co Ltd Semiconductor device
JP4494175B2 (en) * 2004-11-30 2010-06-30 新光電気工業株式会社 Semiconductor device

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