JP2003077997A - Semiconductor substrate storing device and manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

Semiconductor substrate storing device and manufacturing method of semiconductor device

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JP2003077997A
JP2003077997A JP2001270695A JP2001270695A JP2003077997A JP 2003077997 A JP2003077997 A JP 2003077997A JP 2001270695 A JP2001270695 A JP 2001270695A JP 2001270695 A JP2001270695 A JP 2001270695A JP 2003077997 A JP2003077997 A JP 2003077997A
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JP
Japan
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semiconductor substrate
container
lid
inner lid
outer lid
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Application number
JP2001270695A
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Japanese (ja)
Inventor
Kiyotaka Inoue
上 清 敬 井
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor substrate storing device and a manufacturing method of a semiconductor device in which dust does not adhere to the surface of a semiconductor substrate when a cover part is removed to open enclosure of the inside of a storing vessel. SOLUTION: The semiconductor substrate storing vessel 100 is provided with a storing vessel 20 for storing the semiconductor substrate 10, an outer cover 30 tightly shutting the inside of the storing vessel, and an inner cover 32 for dividing the inside of the storing vessel into a substrate storing chamber storing at least the semiconductor substrate and a sealing open chamber being in a more outer cover side than the substrate storing chamber when at least the outer cover is removed to open the enclosure of the inside of the storing vessel.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板収容装
置および半導体装置の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor substrate housing device and a method of manufacturing a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体基板収容装置は、半導体装置製造
工程において半導体基板を収容し、搬送するために使用
される。
2. Description of the Related Art A semiconductor substrate accommodating device is used for accommodating and carrying a semiconductor substrate in a semiconductor device manufacturing process.

【0003】図9は、従来の半導体基板収容装置800
の断面図である。半導体基板収容装置800は、前面開
放一体型容器(FOUP(Front Opening Unified Po
d))である。
FIG. 9 shows a conventional semiconductor substrate housing device 800.
FIG. The semiconductor substrate accommodating device 800 includes a front opening integrated container (FOUP).
d)).

【0004】半導体基板収容装置800は、半導体基板
810を収容する収容器820と収容器の内部を密閉す
るための蓋部830を有している。収容器820と蓋部
830との間にはシール部材840が設けられており、
シール部材840が収容器820と蓋部830との間に
おいて押圧されることによって収容器820の内部を密
閉する。
The semiconductor substrate housing device 800 has a container 820 for housing the semiconductor substrate 810 and a lid portion 830 for sealing the inside of the container. A seal member 840 is provided between the container 820 and the lid 830,
The seal member 840 is pressed between the container 820 and the lid 830 to seal the inside of the container 820.

【0005】蓋部830を収容器820に固定して半導
体基板収容装置800の内部の密閉を保持するために、
ロック部850が設けられている。
In order to fix the lid portion 830 to the container 820 and to keep the inside of the semiconductor substrate housing device 800 sealed,
A lock portion 850 is provided.

【0006】収容器820の内部が密閉されているとき
には、蓋部830に設けられた基板支持部835が半導
体基板810を収容器820の内壁へ押圧することによ
って半導体基板810を固定する。尚、図9および図1
0は、蓋部830が収容器820から外され、収容器8
20の内部の密閉が開放された時の状態を示している。
When the inside of the container 820 is sealed, the substrate supporting portion 835 provided on the lid 830 presses the semiconductor substrate 810 against the inner wall of the container 820 to fix the semiconductor substrate 810. Incidentally, FIG. 9 and FIG.
0, the lid 830 is removed from the container 820,
It shows the state when the inner seal of 20 is opened.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】収容器820の内部に
収容されている半導体基板810を取り出すためには、
蓋部830が収容器820から外される必要がある。ロ
ック部850が解除され蓋部830が収容器820から
外されることによって、収容器820内の密閉が開放さ
れる。
In order to take out the semiconductor substrate 810 contained in the container 820,
The lid portion 830 needs to be removed from the container 820. When the lock portion 850 is released and the lid portion 830 is removed from the container 820, the inside of the container 820 is opened.

【0008】収容器820内の密閉が開放されるとき
に、蓋部830とシール部材840との間から収容器8
20内へ気体が急激に流入する。それによって、蓋部8
30とシール部材840との間に気流が発生する。図9
において、矢印860が気流の流れを示す(以下、気流
860という)。
When the inside of the container 820 is opened, the container 8 is inserted between the lid 830 and the seal member 840.
Gas rapidly flows into 20. Thereby, the lid portion 8
An airflow is generated between 30 and the seal member 840. Figure 9
In, the arrow 860 indicates the flow of airflow (hereinafter, referred to as airflow 860).

【0009】一方で、半導体基板収容装置800の外部
にパーティクルやダスト870が存在する場合がある。
また、蓋部830とシール部材840とが摺動し、蓋部
830またはシール部材840が削られることによっ
て、パーティクルやダスト870が発生する場合もあ
る。
On the other hand, particles or dust 870 may exist outside the semiconductor substrate housing device 800.
Further, the lid portion 830 and the seal member 840 may slide, and the lid portion 830 or the seal member 840 may be scraped to generate particles or dust 870.

【0010】このようなダスト870は、気流860に
よって収容器820の内部へ入り込み、半導体基板81
0の表面に付着してしまう。近年においては、大口径の
半導体基板810が使用されている。大口径の半導体基
板810ほど表面積が大きいので、ダスト870が付着
しやすい。特に、口径が300mmの半導体基板810が使
用され始めているため、半導体基板810の表面にダス
ト870が付着し易いという問題がある。
Such dust 870 enters the inside of the container 820 by the air flow 860, and the semiconductor substrate 81
It adheres to the surface of 0. In recent years, a large diameter semiconductor substrate 810 has been used. Since the larger diameter semiconductor substrate 810 has a larger surface area, dust 870 is more likely to adhere thereto. In particular, since the semiconductor substrate 810 having a diameter of 300 mm is beginning to be used, there is a problem that dust 870 is likely to adhere to the surface of the semiconductor substrate 810.

【0011】図10は、収容器820の側壁に通気口8
80を備えた半導体基板収容装置900の断面図であ
る。通気口880は、半導体基板収容装置900の内部
の密閉を開放することができる。従って、蓋部830が
収容器820から外される前に、通気口880が収容器
820の内部の密閉を開放することができる。それによ
って、蓋部830とシール部材840との間には気流が
発生しない。従って、ダスト870が収容器820内へ
入り込むことがない。
FIG. 10 shows that the side wall of the container 820 has a ventilation port 8
FIG. 10 is a cross-sectional view of a semiconductor substrate housing device 900 including 80. The ventilation port 880 can open the airtight inside the semiconductor substrate housing device 900. Therefore, before the lid portion 830 is removed from the container 820, the ventilation port 880 can open the airtight inside the container 820. Thereby, no airflow is generated between the lid portion 830 and the seal member 840. Therefore, the dust 870 does not enter the container 820.

【0012】しかし、収容器820に通気口880が設
けられているため、半導体基板収容装置900は半導体
基板収容装置800に比較して密閉性が悪い。半導体基
板収容器の内部の気体が不活性ガス(図示せず)に置換
される場合がある。かかる場合においても、収容器82
0に通気口880が設けられていることによって、外部
に漏出してしまう不活性ガスの量は半導体基板収容装置
800よりも半導体基板収容装置900の方が多い。
However, since the container 820 is provided with the vent 880, the semiconductor substrate housing device 900 has a poorer hermeticity than the semiconductor substrate housing device 800. The gas inside the semiconductor substrate container may be replaced with an inert gas (not shown). Even in such a case, the container 82
Since the ventilation port 880 is provided at 0, the amount of the inert gas leaked to the outside is larger in the semiconductor substrate housing device 900 than in the semiconductor substrate housing device 800.

【0013】そこで、本発明は、蓋部が外されて収容器
の内部の密閉を開放するときに、パーティクルやダスト
が半導体基板の表面に付着することがない半導体基板収
容装置および半導体装置の製造方法を提供することを目
的とする。
Therefore, according to the present invention, when the lid is removed to open the airtightness inside the container, particles and dust are prevented from adhering to the surface of the semiconductor substrate. The purpose is to provide a method.

【0014】また、本発明は、蓋部が収容器に取り付け
られているときには収容器の内部の密閉性を良好に維持
する半導体基板収容装置を提供することを目的とする。
It is another object of the present invention to provide a semiconductor substrate housing device that maintains good airtightness inside the housing when the lid is attached to the housing.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明に従った実施の形
態による半導体基板収容装置は、半導体基板を収容する
収容器、前記収容器内を密閉する外蓋および、少なくと
も前記外蓋を外して前記収容器の内部の密閉を開放する
ときに、前記収容器の内部を少なくとも前記半導体基板
が収容されている基板収容チャンバと該基板収容チャン
バよりも前記外蓋側にある密閉開放チャンバとに仕切る
内蓋、を備える。
A semiconductor substrate housing device according to an embodiment of the present invention is a container for housing a semiconductor substrate, an outer lid for sealing the inside of the container, and at least the outer lid being removed. When the inside of the container is opened, the inside of the container is partitioned into a substrate housing chamber in which at least the semiconductor substrate is housed and a sealed open chamber on the outer lid side of the substrate housing chamber. An inner lid is provided.

【0016】好ましくは、前記内蓋は、前記外蓋に連動
し、前記外蓋よりも遅延して前記収容器から外されるよ
うに前記外蓋に接続されている。
[0016] Preferably, the inner lid is connected to the outer lid so as to be interlocked with the outer lid and to be removed from the container with a delay from the outer lid.

【0017】好ましくは、前記外蓋が前記収容器内を密
閉したときに、前記内蓋は、前記外蓋によって前記収容
器に対して弾性的に押圧される。
Preferably, when the outer lid seals the inside of the container, the inner lid is elastically pressed against the container by the outer lid.

【0018】好ましくは、前記内蓋は、ばね、ゴム、磁
性体、気体または流動体のいずれかを用いて前記収容器
に対して弾性的に押圧される。
Preferably, the inner lid is elastically pressed against the container by using any one of a spring, a rubber, a magnetic material, a gas or a fluid.

【0019】好ましくは、前記基板収容チャンバと前記
密閉開放チャンバとの間が通気性を有する。
Preferably, there is air permeability between the substrate accommodating chamber and the closed open chamber.

【0020】前記内蓋が通気材料から形成されていても
よい。少なくとも前記内蓋と前記収容器との接触する部
分に通気材料が備えられていてもよい。前記通気材料は
多孔質材料から成っていてもよい。好ましくは、前記多
孔質材料の孔径は0.1μm以下である。
The inner lid may be made of a ventilation material. A ventilation material may be provided in at least a portion where the inner lid and the container are in contact with each other. The vent material may comprise a porous material. Preferably, the pore diameter of the porous material is 0.1 μm or less.

【0021】前記内蓋は該内蓋の外縁で該内蓋の主面か
ら突出した突縁部を有し、前記収容器は内側の側壁に前
記突縁部を受容する凹部を有し、前記凹部に前記突縁部
を受容させることによって、前記基板収容チャンバと密
閉開放チャンバとが仕切られていてもよい。
The inner lid has a projecting edge portion projecting from a main surface of the inner lid at an outer edge of the inner lid, and the container has a concave portion for receiving the projecting edge portion on an inner side wall, The substrate accommodating chamber and the sealed open chamber may be partitioned by allowing the concave portion to receive the projecting edge portion.

【0022】前記内蓋は前記外蓋を介して当該半導体基
板収容装置の外側へ延びている押圧シャフトを含み、少
なくとも前記外蓋を外して前記収容器内の密閉を開放す
るときに、前記押圧シャフトを固定することによって、
前記内蓋は、前記収容器に対して押圧され、前記収容器
の内部を少なくとも前記基板収容チャンバと前記密閉開
放チャンバとに仕切るようにしてもよい。
The inner lid includes a pressing shaft extending to the outside of the semiconductor substrate accommodating device through the outer lid, and at least when the outer lid is removed to release the airtightness inside the container, the pressing force is increased. By fixing the shaft,
The inner lid may be pressed against the container to partition the inside of the container into at least the substrate housing chamber and the closed open chamber.

【0023】好ましくは、前記内蓋は前記収容器の内壁
へ前記半導体基板を弾性的に押圧することによって支持
する。
Preferably, the inner lid supports the semiconductor substrate by elastically pressing the semiconductor substrate against the inner wall of the container.

【0024】本発明に従った実施の形態による半導体装
置の製造方法は、第1の半導体処理を半導体基板に施す
ステップ、前記第1の半導体処理の施された半導体基板
を搬送する半導体基板収容装置へ収容するステップ、前
記半導体基板収容装置から前記半導体基板を取り出すス
テップ、および第2の半導体処理を前記半導体基板収容
装置から取り出された前記半導体基板に施すステップを
備えた半導体装置の製造方法において、前記半導体基板
収容装置は、半導体基板を収容する収容器内を密閉する
外蓋、および前記収容器に押圧されることによって前記
収容器の内部を前記半導体基板が収容される基板収容チ
ャンバと該基板収容チャンバよりも前記外蓋側にある密
閉開放チャンバとに仕切る内蓋、を備え、前記半導体基
板収容装置から前記半導体基板を取り出すステップは、
前記内蓋が前記収容器に押圧されたまま、前記外蓋が外
され、前記収容器の内部の密閉を開放する外蓋開放ステ
ップと、前記内蓋が前記収容器に押圧されたまま前記外
蓋が外された状態を所定の期間維持する維持ステップ
と、前記内蓋が外される内蓋開放ステップとを有する。
A method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention includes a step of subjecting a semiconductor substrate to a first semiconductor treatment, and a semiconductor substrate accommodating apparatus for transporting the semiconductor substrate subjected to the first semiconductor treatment. In the method of manufacturing a semiconductor device, the method comprises the steps of accommodating into The semiconductor substrate accommodating apparatus includes an outer lid that seals the inside of a container that accommodates a semiconductor substrate, a substrate accommodating chamber that accommodates the semiconductor substrate inside the container when pressed by the container, and the substrate. An inner lid for partitioning with a closed open chamber on the outer lid side of the accommodation chamber, Retrieving the semiconductor substrate,
An outer lid opening step of opening the inner seal of the container while the inner lid is pressed against the container, and an outer lid opening step of opening the inner seal of the container; The method includes a maintaining step of maintaining a state where the lid is removed for a predetermined period, and an inner lid opening step of removing the inner lid.

【0025】本発明に従った他の実施の形態による半導
体装置の製造方法は、第1の半導体処理を半導体基板に
施すステップ、前記第1の半導体処理の施された半導体
基板を半導体基板収容装置へ収容するステップ、前記半
導体基板収容装置から前記半導体基板を取り出すステッ
プ、および第2の半導体処理を前記半導体基板収容装置
から取り出された前記半導体基板に施すステップを備え
た半導体装置の製造方法において、前記半導体基板収容
装置は、半導体基板を収容する収容器内を密閉する外
蓋、および前記収容器に押圧されることによって前記収
容器の内部を前記半導体基板が収容される基板収容チャ
ンバと該基板収容チャンバよりも前記外蓋側にある密閉
開放チャンバとに仕切る内蓋、を備え、前記半導体基板
収容装置から前記半導体基板を取り出すステップは、前
記内蓋が前記収容器に押圧されたまま、前記外蓋が外さ
れ、前記収容器の内部の密閉を開放する外蓋開放ステッ
プと、前記内蓋が前記収容器に押圧されたまま前記外蓋
と前記収容器との間にある前記密閉開放チャンバへ強制
的に気体を送入する送入ステップと、前記内蓋が外され
る内蓋開放ステップとを有する。
A method of manufacturing a semiconductor device according to another embodiment of the present invention includes a step of subjecting a semiconductor substrate to a first semiconductor treatment, and a semiconductor substrate accommodating device for treating the semiconductor substrate subjected to the first semiconductor treatment. In the method of manufacturing a semiconductor device, the method comprises the steps of accommodating into The semiconductor substrate accommodating apparatus includes an outer lid that seals the inside of a container that accommodates a semiconductor substrate, a substrate accommodating chamber that accommodates the semiconductor substrate inside the container when pressed by the container, and the substrate. An inner lid for partitioning into a closed open chamber located on the outer lid side with respect to the accommodation chamber; In the step of taking out the body substrate, the outer lid is removed while the inner lid is being pressed by the container, and an outer lid opening step of opening the airtight inside the container, and the inner lid being the container The method further includes a feeding step of forcibly feeding gas into the closed open chamber between the outer lid and the container while being pressed by the inner lid opening step of removing the inner lid.

【0026】好ましくは、前記外蓋が前記収容器内を密
閉する際に、前記外蓋は前記内蓋を前記収容器に弾性的
に押圧するとともに、前記内蓋が外される際に、前記内
蓋は、前記外蓋に連動し、前記外蓋よりも遅延して前記
収容器から外される。
Preferably, when the outer lid seals the inside of the container, the outer lid elastically presses the inner lid against the container, and when the inner lid is removed, The inner lid is interlocked with the outer lid and is removed from the container with a delay from the outer lid.

【0027】[0027]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照し、本発明によ
る実施の形態を説明する。尚、本実施の形態は本発明を
限定するものではない。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The present embodiment does not limit the present invention.

【0028】図1は、本発明に従った第1の実施の形態
による半導体基板収容装置100の断面図である。尚、
図1(A)は、半導体基板収容装置100の内部が密閉
されている状態を示す。図1(B)および図1(C)
は、半導体基板収容装置100の内部が開放され、密閉
が解除された状態を示す。
FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor substrate housing device 100 according to a first embodiment of the present invention. still,
FIG. 1A shows a state in which the inside of the semiconductor substrate housing device 100 is hermetically sealed. 1 (B) and 1 (C)
Shows a state where the inside of the semiconductor substrate housing device 100 is opened and the hermetically sealed state is released.

【0029】半導体基板収容装置100は、半導体基板
10を収容する収容器20と、収容器20内を密閉する
外蓋30とを備える。収容器20と外蓋30との間には
シール部材40が設けられており、シール部材40が収
容器20と外蓋30との間において押圧されることによ
って収容器20の内部を密閉する。さらに、外蓋30を
収容器20に固定して半導体基板収容装置100の内部
の密閉を保持するために、ロック部50が設けられてい
る。
The semiconductor substrate housing apparatus 100 comprises a container 20 for housing the semiconductor substrate 10 and an outer lid 30 for sealing the inside of the container 20. A seal member 40 is provided between the container 20 and the outer lid 30, and the seal member 40 is pressed between the container 20 and the outer lid 30 to seal the inside of the container 20. Further, a lock portion 50 is provided in order to fix the outer lid 30 to the container 20 and keep the inside of the semiconductor substrate housing apparatus 100 airtight.

【0030】また、半導体基板収容装置100は、収容
器20の内部を少なくとも半導体基板10が収容されて
いる基板収容チャンバ92と基板収容チャンバ92より
も外蓋30側にある密閉開放チャンバ94とに仕切る内
蓋32をさらに備える。
Further, the semiconductor substrate housing apparatus 100 has a substrate housing chamber 92 housing at least the semiconductor substrate 10 and a sealed open chamber 94 on the outer lid 30 side of the substrate housing chamber 92 inside the container 20. An inner lid 32 for partitioning is further provided.

【0031】内蓋32は、内蓋32を押圧する力を伝達
する押圧シャフト34を有する。押圧シャフト34が複
数設けられることによって、内蓋32は偏ることなく押
圧されることができる。また、内蓋32は、押圧シャフ
ト34を設けた面に対して反対側の面に半導体基板10
を押圧して支持する基板支持部35を有する。
The inner lid 32 has a pressing shaft 34 for transmitting a force for pressing the inner lid 32. By providing the plurality of pressing shafts 34, the inner lid 32 can be pressed without being biased. The inner lid 32 is provided on the surface opposite to the surface on which the pressing shaft 34 is provided.
It has a substrate supporting portion 35 for pressing and supporting.

【0032】シャフト34より径が大きい摺動体36が
押圧シャフト34の先端に設けられている。摺動体36
は、シャフト34と同数設けられている。
A sliding body 36 having a diameter larger than that of the shaft 34 is provided at the tip of the pressing shaft 34. Sliding body 36
Are provided in the same number as the shafts 34.

【0033】外蓋30は、押圧シャフト34の摺動体3
6を受容することができるように外蓋30の内側へくり
抜いたシリンダ38を有する。シリンダ38も、シャフ
ト34および摺動体36と同数設けられている。摺動体
36は、シリンダ38の内部において摺動する。開口3
9は、その内側に押圧シャフト34を貫通させつつ、摺
動体36と当接するようにシリンダ38の内径より小さ
い口径を有するように成形されている。それによって、
内蓋32は、外蓋30から外れることなく連動すること
ができる。
The outer lid 30 is a sliding member 3 of the pressing shaft 34.
It has a cylinder 38 hollowed out inside the outer lid 30 so that it can receive 6. The same number of cylinders 38 as the shafts 34 and the sliding bodies 36 are provided. The sliding body 36 slides inside the cylinder 38. Opening 3
9 is formed to have a diameter smaller than the inner diameter of the cylinder 38 so as to come into contact with the sliding body 36 while penetrating the pressing shaft 34 inside thereof. Thereby,
The inner lid 32 can be interlocked without coming off from the outer lid 30.

【0034】摺動体36がシリンダ38の内部を摺動す
ることができる。よって、内蓋32は外蓋30に対して
一次元的に相対運動することができる。尚、さらに、押
圧シャフト34が開口39に対して摺動するように設計
してもよい。それによって、外蓋30に対する内蓋32
の動作はより安定する。
The sliding body 36 can slide inside the cylinder 38. Therefore, the inner lid 32 can move relative to the outer lid 30 one-dimensionally. Further, the pressing shaft 34 may be designed to slide with respect to the opening 39. Thereby, the inner lid 32 with respect to the outer lid 30
The operation of is more stable.

【0035】また、摺動体36とシリンダ38との間に
は弾性体として圧縮バネ90が設けられている。それに
よって、内蓋32と外蓋30とは、弾性的に接続され、
連動することができる。収容器20の内部が外蓋30に
よって密閉されているときに、外蓋30は圧縮バネ90
を介して内蓋32を収容器20の内壁へ弾性的に押圧す
る。それによって、内蓋32は、収容器20の内部を基
板収容チャンバ92と密閉開放チャンバ94とに仕切
る。
A compression spring 90 is provided as an elastic body between the sliding body 36 and the cylinder 38. Thereby, the inner lid 32 and the outer lid 30 are elastically connected,
Can be interlocked. When the inside of the container 20 is sealed by the outer lid 30, the outer lid 30 holds the compression spring 90.
The inner lid 32 is elastically pressed against the inner wall of the container 20 via. Thereby, the inner lid 32 partitions the inside of the container 20 into the substrate housing chamber 92 and the closed open chamber 94.

【0036】また、基板支持部35は、収容器20の内
部が密閉されているときに、半導体基板10を収容器2
0の内壁へ押圧することによって半導体基板10を固定
する。
Further, the substrate supporting portion 35 holds the semiconductor substrate 10 in the container 2 when the inside of the container 20 is sealed.
The semiconductor substrate 10 is fixed by pressing against the inner wall of 0.

【0037】さらに、圧縮バネ90によって、外蓋30
が収容器20から外された後に、外蓋30に遅延して内
蓋32が収容器20から外され得る。
Further, by the compression spring 90, the outer lid 30
After being removed from the container 20, the inner cover 32 can be removed from the container 20 with a delay to the outer cover 30.

【0038】尚、弾性体としての圧縮バネ90は、ゴム
でもよい。また、シリンダ38と摺動体36とに、互い
に反発力を有する磁性体が設けられることによって、内
蓋32と外蓋30とは弾性的に接続されてもよい。ま
た、シリンダ38自体や押圧シャフト34自体が互いに
反発力を有する磁性体であってもよい。また、シリンダ
38がある程度、気密または液密に保持され、シリンダ
38内に気体または流動体を封入しておくことによっ
て、内蓋32と外蓋30とが弾性的に接続されてもよ
い。
The compression spring 90 as an elastic body may be rubber. Further, the inner lid 32 and the outer lid 30 may be elastically connected to each other by providing the cylinder 38 and the sliding body 36 with magnetic bodies having repulsive forces. Further, the cylinder 38 itself and the pressing shaft 34 themselves may be magnetic bodies having repulsive force. The inner lid 32 and the outer lid 30 may be elastically connected by keeping the cylinder 38 airtight or liquid-tight to some extent and enclosing a gas or a fluid in the cylinder 38.

【0039】内蓋32は、通気性のない材料、例えば、
樹脂によって形成されてもよい。しかし、基板収容チャ
ンバ92と密閉開放チャンバ94との間を気体が通過で
きるように、内蓋32は通気性のある多孔質材料によっ
て形成されていることが好ましい。それによって、基板
収容チャンバ92と密閉開放チャンバ94との間の気圧
が等しくなる。
The inner lid 32 is made of a non-breathable material, for example,
It may be formed of resin. However, it is preferable that the inner lid 32 is made of a porous material having air permeability so that the gas can pass between the substrate housing chamber 92 and the closed open chamber 94. Thereby, the atmospheric pressure between the substrate accommodation chamber 92 and the closed open chamber 94 becomes equal.

【0040】ただし、内蓋32の一部分に多孔質材料を
使用してよい。多孔質材料としてはフィルタやフォーム
などがある。また、多孔質材料の孔径は、一般的なクリ
ーンルーム内のダストの径を考慮して、約0.1μm以下に
することが好ましい。それによって、基板収容チャンバ
92と密閉開放チャンバ94との間の気圧が等しく維持
され、かつダストが収容器20内へ侵入することを防止
する。
However, a porous material may be used for a part of the inner lid 32. Examples of porous materials include filters and foams. The pore diameter of the porous material is preferably about 0.1 μm or less in consideration of the diameter of dust in a general clean room. Thereby, the atmospheric pressure between the substrate accommodating chamber 92 and the sealed open chamber 94 is maintained equal, and dust is prevented from entering the container 20.

【0041】本実施の形態による半導体基板収容装置1
00は、口径が300mmの半導体基板を収容する。それに
よって、ダストが付着し易くかつ単価の高い大口径の半
導体基板にダストが付着することを防止することができ
る。
Semiconductor substrate accommodation device 1 according to the present embodiment
00 accommodates a semiconductor substrate having a diameter of 300 mm. As a result, it is possible to prevent dust from adhering to a large-diameter semiconductor substrate that easily adheres and has a high unit price.

【0042】次に、半導体基板収容装置100の内部に
密閉されている半導体基板10を半導体基板収容装置1
00から取り出す動作を説明する。
Next, the semiconductor substrate 10 hermetically sealed inside the semiconductor substrate housing device 100 is replaced with the semiconductor substrate housing device 1.
The operation of extracting from 00 will be described.

【0043】図1(A)において、半導体基板収容装置
100の内部は密閉されている。
In FIG. 1A, the inside of the semiconductor substrate housing device 100 is hermetically sealed.

【0044】図1(B)において、ロック部50が解除
される。圧縮バネ90によって外蓋30が外される。外
蓋30が外されるとほぼ同時に、収容器20の内部の密
閉が開放される。しかし、内蓋32は、圧縮バネ90に
よって収容器20に押圧された状態を維持する。
In FIG. 1B, the lock portion 50 is released. The outer lid 30 is removed by the compression spring 90. Almost at the same time when the outer lid 30 is removed, the airtight inside the container 20 is opened. However, the inner lid 32 remains pressed by the compression spring 90 against the container 20.

【0045】従って、外蓋20とシール部材40との間
にダスト70が発生しても、ダスト70は内蓋32に遮
断されて、収容器20の内部へ進入することができな
い。従って、半導体基板収容装置100の密閉を開放す
るときに発生する外蓋20とシール部材40との間の気
流60によって、ダスト70が半導体基板10に付着す
ることがない。
Therefore, even if dust 70 is generated between the outer lid 20 and the seal member 40, the dust 70 is blocked by the inner lid 32 and cannot enter the inside of the container 20. Therefore, the dust 70 does not adhere to the semiconductor substrate 10 due to the airflow 60 between the outer lid 20 and the seal member 40 that occurs when the airtightness of the semiconductor substrate housing device 100 is opened.

【0046】外蓋30が外されかつ内蓋32が収容器2
0に押圧された状態を、気流60がなくなるまでしばら
く維持する。
The outer lid 30 is removed and the inner lid 32 is attached to the container 2.
The state of being pressed to 0 is maintained for a while until the air flow 60 disappears.

【0047】図1(C)において、内蓋32も外され
る。
In FIG. 1C, the inner lid 32 is also removed.

【0048】内蓋32と外蓋30との間には圧縮バネ9
0が設けられ、内蓋32と外蓋30とは弾性的に接続さ
れている。よって、内蓋32は外蓋30に連動して動作
する。従って、内蓋32を直接制御することなく、外蓋
30を制御することによって、内蓋32は外蓋30に連
動して制御されることができる。また、圧縮バネ90に
よって、外蓋30が収容器20から外された後に、遅延
して内蓋32が収容器20から外され得る。
A compression spring 9 is provided between the inner lid 32 and the outer lid 30.
0 is provided, and the inner lid 32 and the outer lid 30 are elastically connected. Therefore, the inner lid 32 operates in conjunction with the outer lid 30. Therefore, the inner lid 32 can be controlled in conjunction with the outer lid 30 by controlling the outer lid 30 without directly controlling the inner lid 32. Further, the compression spring 90 allows the inner lid 32 to be removed from the container 20 with a delay after the outer lid 30 is removed from the container 20.

【0049】本実施の形態による方法においては、外蓋
30が外されかつ内蓋32が収容器20に押圧された状
態が所定期間維持される。所定期間は、特に限定しない
が、密閉が開放された後、ダスト70がある程度沈滞す
るまでの間であることが好ましい。
In the method according to the present embodiment, the state in which the outer lid 30 is removed and the inner lid 32 is pressed against the container 20 is maintained for a predetermined period. The predetermined period is not particularly limited, but is preferably a period after the sealing is opened until the dust 70 is stagnated to some extent.

【0050】しかし、他の実施の形態によれば、半導体
基板収容装置100の内部の密閉を開放した後、内蓋3
2が収容器20に押圧されたまま、外蓋30と収容器2
0との間にある密閉開放チャンバ94へ強制的に気体
(図示せず)が送入されてもよい。
However, according to another embodiment, the inner lid 3 is opened after the inner sealing of the semiconductor substrate housing device 100 is opened.
2 is pressed against the container 20 and the outer lid 30 and the container 2
Gas (not shown) may be forced into the closed open chamber 94 between zero and zero.

【0051】その強制的に挿入された気体が、ダスト7
0を密閉開放チャンバ94から追い出す。従って、外蓋
30が外されかつ内蓋32が収容器20に押圧された状
態は、前述の実施の形態に対して比較的短時間で足り
る。
The gas that is forcibly inserted is dust 7
0 is expelled from the closed open chamber 94. Therefore, the state in which the outer lid 30 is removed and the inner lid 32 is pressed against the container 20 is sufficient in a relatively short time as compared with the above-described embodiment.

【0052】これらの動作は、総て半導体装置の製造工
程内において自動化されていることが好ましい。
It is preferable that all of these operations are automated in the semiconductor device manufacturing process.

【0053】図2は、本発明に従った第2の実施の形態
による半導体基板収容装置200の断面図である。本実
施の形態によれば、内蓋32の代わりに内蓋32aが使
用されている。内蓋32aは、収容器20の内壁へ押圧
されている部分(図1の円110で示されている部分に
相当)に多孔質材料210を使用している点で内蓋32
と異なる。本実施の形態によれば、多孔質材料210が
内蓋32aの外縁部にのみ設けられている。
FIG. 2 is a sectional view of a semiconductor substrate housing device 200 according to a second embodiment of the present invention. According to the present embodiment, the inner lid 32a is used instead of the inner lid 32. The inner lid 32a uses the porous material 210 in the portion pressed against the inner wall of the container 20 (corresponding to the portion indicated by the circle 110 in FIG. 1), so that the inner lid 32a is used.
Different from According to this embodiment, the porous material 210 is provided only on the outer edge portion of the inner lid 32a.

【0054】図3は、本発明に従った第3の実施の形態
による半導体基板収容装置300の断面図である。本実
施の形態によれば、収容器20の代わりに収容器20a
が使用されている。収容器20aは、内蓋32が収容器
20aの内壁へ押圧されている部分に多孔質材料310
を有している点で収容器20と異なる。本実施の形態に
よれば、多孔質材料310が収容器20aの開口部の内
壁に設けられている。
FIG. 3 is a sectional view of a semiconductor substrate housing device 300 according to a third embodiment of the present invention. According to this embodiment, instead of the container 20, the container 20a
Is used. In the container 20a, the porous material 310 is provided on the portion where the inner lid 32 is pressed against the inner wall of the container 20a.
It is different from the container 20 in that it has. According to this embodiment, the porous material 310 is provided on the inner wall of the opening of the container 20a.

【0055】多孔質材料210および310は、いずれ
か一方のみ設けられていてもよいが、両方とも設けられ
ていてもよい。ただし、多孔質材料210および310
がダストまたはパーティクルを発生しやすい材料である
場合には、多孔質材料210および310は、いずれか
一方のみ設けられていることが好ましい。
Either one of the porous materials 210 and 310 may be provided, or both of them may be provided. However, the porous materials 210 and 310
Is a material that easily generates dust or particles, it is preferable that only one of the porous materials 210 and 310 is provided.

【0056】尚、多孔質材料の孔径は、ダストの径を考
慮して、約0.1μm以下にすることが好ましい。
The pore diameter of the porous material is preferably about 0.1 μm or less in consideration of the diameter of dust.

【0057】図4は、本発明に従った第4の実施の形態
による半導体基板収容装置400の断面図である。本実
施の形態は、内蓋32および収容器20の代わりに内蓋
32bおよび収容器20bを使用している。
FIG. 4 is a sectional view of a semiconductor substrate housing device 400 according to a fourth embodiment of the present invention. In this embodiment, the inner lid 32b and the container 20b are used instead of the inner lid 32 and the container 20.

【0058】内蓋32bはその外周に内蓋20bの表面
に対して垂直の方向へ突出した突縁部410を有する点
で内蓋32と異なる。本実施の形態において、突縁部4
10は内蓋32bの外周の全体に設けられている。
The inner lid 32b differs from the inner lid 32 in that it has a projecting edge portion 410 projecting in a direction perpendicular to the surface of the inner lid 20b on the outer periphery thereof. In the present embodiment, the flange 4
10 is provided on the entire outer circumference of the inner lid 32b.

【0059】収容器20bはその内壁に突縁部410を
受容することができる凹部420を有する。収容器20
bの内壁の側面に段差を設け、その段差の端に収容器2
0bの内壁の側面に対してほぼ平行の方向に突端部43
0を成形することによって、凹部420が形成される。
The container 20b has a recess 420 on its inner wall which can receive the flange 410. Container 20
A step is provided on the side surface of the inner wall of b, and the container 2 is provided at the end of the step.
0b in a direction substantially parallel to the side surface of the inner wall
By molding 0, the recess 420 is formed.

【0060】本実施の形態によれば、凹部420に設け
られた突端部430は、内蓋32bと収容器20bとの
間に生じたダスト等が収容器20bの内部へ侵入するこ
とを防止する。
According to the present embodiment, the projection 430 provided in the recess 420 prevents dust and the like generated between the inner lid 32b and the container 20b from entering the inside of the container 20b. .

【0061】また、本実施の形態によれば、突縁部41
0と凹部420との間の接触面の面積が第1から第3の
実施の形態と比較して狭い。従って、内蓋32bと収容
器20bとの間に生ずるダスト等が少ない。
Further, according to the present embodiment, the protruding edge portion 41
The area of the contact surface between 0 and the concave portion 420 is smaller than that in the first to third embodiments. Therefore, dust or the like generated between the inner lid 32b and the container 20b is small.

【0062】図5は、本発明に従った第5の実施の形態
による半導体基板収容装置500の断面図である。本実
施の形態は、第4の実施の形態における収容器20bの
代わりに収容器20cを使用している。
FIG. 5 is a sectional view of a semiconductor substrate accommodation device 500 according to a fifth embodiment of the present invention. In this embodiment, a container 20c is used instead of the container 20b in the fourth embodiment.

【0063】収容器20cは、凹部420に通気性の材
料として多孔質材料510を有する。多孔質材料510
は、突縁部410が当接する凹部420の底部に設けら
れる。それによって、基板収容チャンバ92と密閉開放
チャンバ94との間に気体が通過できる。
The container 20c has a porous material 510 in the recess 420 as an air-permeable material. Porous material 510
Is provided at the bottom of the recess 420 with which the protruding edge 410 abuts. Thereby, gas can pass between the substrate housing chamber 92 and the closed open chamber 94.

【0064】図6は、本発明に従った第6の実施の形態
による半導体基板収容装置600の断面図である。本実
施の形態は、第4の実施の形態における内蓋32bの代
わりに内蓋32cを使用している。
FIG. 6 is a sectional view of a semiconductor substrate accommodation device 600 according to a sixth embodiment of the present invention. In this embodiment, an inner lid 32c is used instead of the inner lid 32b in the fourth embodiment.

【0065】内蓋32cは、突縁部410の先端に通気
性の材料として多孔質材料610を有する。それによっ
て、基板収容チャンバ92と密閉開放チャンバ94との
間に気体が通過できる。
The inner lid 32c has a porous material 610 as a breathable material at the tip of the projecting edge portion 410. Thereby, gas can pass between the substrate housing chamber 92 and the closed open chamber 94.

【0066】尚、第4から第6の実施の形態において、
突端部430は、その先端に凹部420の内側へ向かっ
て突出した爪部620をさらに有してもよい。即ち、図
6中に示されているような爪部620によって、内蓋3
2cと収容器20bとの間において生じたダスト等は凹
部420に篭る。よって、ダスト等が収容器32cの内
部へ入り込むことがさらに困難になる。
Incidentally, in the fourth to sixth embodiments,
The protruding end portion 430 may further have a claw portion 620 protruding toward the inside of the recess 420 at the tip thereof. That is, by the claw portion 620 as shown in FIG.
Dust and the like generated between 2c and the container 20b are stored in the recess 420. Therefore, it becomes more difficult for dust and the like to enter the inside of the container 32c.

【0067】図7は、本発明に従った第7の実施の形態
による半導体基板収容装置700の断面図である。本実
施の形態によれば、押圧シャフト34の先端に係合部3
7が設けられている。外蓋30aは、押圧シャフト34
が摺動することができる孔96を有する。押圧シャフト
34と孔96との間は密閉が保持されるように形成され
ている。押圧シャフト34は、外蓋30aを貫通して、
半導体基板収容装置700の外部へ突出して延びてい
る。
FIG. 7 is a sectional view of a semiconductor substrate housing device 700 according to a seventh embodiment of the present invention. According to this embodiment, the engaging portion 3 is attached to the tip of the pressing shaft 34.
7 is provided. The outer lid 30a has a pressing shaft 34.
Has a hole 96 through which it can slide. The space between the pressing shaft 34 and the hole 96 is formed so that a hermetic seal is maintained. The pressing shaft 34 penetrates the outer lid 30a,
It projects and extends to the outside of the semiconductor substrate housing device 700.

【0068】外蓋30aは、押圧シャフト34に対して
摺動することができ、かつ係合部37に当接する。それ
によって、外蓋30aが押圧シャフト34を摺動してい
るときには、外蓋30aと内蓋32とは独立して動作ま
たは静止し、外蓋30aが係合部37に当接したときに
は、外蓋30aと内蓋32とは互いに随伴して動作また
は静止する。それによって、内蓋32は、外蓋30aか
ら外れることなく連動することができる。さらに、外蓋
30aが収容器20から外された後に、遅延して内蓋3
2が収容器20から外され得る。
The outer lid 30a is slidable with respect to the pressing shaft 34 and abuts on the engaging portion 37. As a result, when the outer lid 30a slides on the pressing shaft 34, the outer lid 30a and the inner lid 32 operate or stand independently of each other, and when the outer lid 30a abuts the engaging portion 37, the outer lid 30a moves outside. The lid 30a and the inner lid 32 move or stand still in association with each other. Thereby, the inner lid 32 can be interlocked without coming off from the outer lid 30a. Further, after the outer lid 30a is removed from the container 20, the inner lid 3 is delayed.
2 can be removed from the container 20.

【0069】図7(A)は、収容器20内が密閉されて
いるときの半導体基板収容装置700の断面図である。
半導体基板収容装置700の密閉を開放するために、外
部装置710が半導体基板収容装置700に取り付けら
れている。外部装置710は、半導体基板収容装置70
0の構成要素ではないので、鎖線で示されている。
FIG. 7A is a sectional view of the semiconductor substrate housing device 700 when the housing 20 is sealed.
An external device 710 is attached to the semiconductor substrate housing device 700 in order to open the airtightness of the semiconductor substrate housing device 700. The external device 710 is the semiconductor substrate housing device 70.
Since it is not a component of 0, it is indicated by a chain line.

【0070】外部装置710は、外蓋30aを収容器2
0から外すための外蓋固定部720と、内蓋32の係合
部37を保持するための内蓋固定部730とを備える。
The external device 710 includes the outer lid 30a and the container 2
An outer lid fixing portion 720 for removing from 0 and an inner lid fixing portion 730 for holding the engaging portion 37 of the inner lid 32 are provided.

【0071】また、半導体基板収容装置700におい
て、内蓋32は、通気性を有する部材、例えば、多孔質
部材から形成されていてもよい。また、内蓋32が収容
器20の内壁へ押圧されている部分(図7(A)の円7
70で示されている部分に相当)には、図2または図3
において示されているように、多孔質部材210、31
0を配設してもよい。さらに、内蓋32が収容器20の
内壁へ押圧されている部分は、図4から図6において示
されているような形状にしてもよく、図5または図6の
ように、多孔質部材510、610を配設してもよい。
Further, in the semiconductor substrate housing device 700, the inner lid 32 may be formed of a member having air permeability, for example, a porous member. Further, the portion where the inner lid 32 is pressed against the inner wall of the container 20 (the circle 7 in FIG. 7A)
2 or 3 corresponds to the part indicated by 70).
, The porous members 210, 31
0 may be provided. Further, the portion where the inner lid 32 is pressed against the inner wall of the container 20 may have a shape as shown in FIGS. 4 to 6, and as shown in FIG. 5 or 6, the porous member 510 may be formed. , 610 may be provided.

【0072】半導体基板収容装置700の動作を説明す
る。
The operation of the semiconductor substrate housing device 700 will be described.

【0073】図7(B)において、外蓋固定部720が
外蓋30aを収容器20から外す。同時に収容器20内
の密閉が開放される。このとき、内蓋固定部730は、
押圧シャフト34を介して、内蓋32を収容器20の内
壁に対して押圧する。それによって、収容器20内の密
閉が開放されたときに、ダストが半導体基板10へ付着
することを防ぐことができる。
In FIG. 7B, the outer lid fixing portion 720 removes the outer lid 30a from the container 20. At the same time, the airtight inside the container 20 is opened. At this time, the inner lid fixing portion 730 is
The inner lid 32 is pressed against the inner wall of the container 20 via the pressing shaft 34. Thereby, it is possible to prevent dust from adhering to the semiconductor substrate 10 when the airtight inside the container 20 is opened.

【0074】外蓋30aが、押圧シャフト34に対して
摺動して係合部37に当接したときに、内蓋32が収容
器20から外される。それによって、半導体基板10を
収容器20内から取り出すことができる。
When the outer lid 30a slides on the pressing shaft 34 and comes into contact with the engaging portion 37, the inner lid 32 is removed from the container 20. Thereby, the semiconductor substrate 10 can be taken out from the container 20.

【0075】尚、内蓋32を収容器20に押圧したま
ま、外蓋30aを外した状態が所定の期間維持される。
この所定期間は、外蓋30aが押圧シャフト34に対し
て摺動している時間である。従って、外蓋30aの速度
が一定に保持されることによって、所定期間は押圧シャ
フト34の長さによって規定されてもよい。
The state in which the outer lid 30a is removed while the inner lid 32 is pressed against the container 20 is maintained for a predetermined period.
The predetermined period is the time during which the outer lid 30a is sliding on the pressing shaft 34. Therefore, by maintaining the speed of the outer lid 30a constant, the predetermined period may be defined by the length of the pressing shaft 34.

【0076】また、外蓋30aが係合部37に当接する
前に内蓋固定部730や他の内蓋32の部分に係合する
ことによって、内蓋32が収容器20から外れるように
設計してもよい。
Further, the inner lid 32 is designed to be disengaged from the container 20 by engaging with the inner lid fixing portion 730 and other inner lid 32 portions before the outer lid 30a abuts the engaging portion 37. You may.

【0077】さらに、これらの動作は、総て半導体装置
の製造工程内において自動化されていることが好まし
い。
Further, it is preferable that all of these operations are automated in the manufacturing process of the semiconductor device.

【0078】図8は、半導体装置の製造工程の一部分を
概略的に示した図である。図8において、半導体基板1
0が半導体処理装置120から半導体処理装置130へ
搬送される。図8においては、自動搬送装置140は、
無軌道の自動搬送装置(AGV(Auto Guided Vehicle))
である。
FIG. 8 is a diagram schematically showing a part of the manufacturing process of the semiconductor device. In FIG. 8, the semiconductor substrate 1
0 is transferred from the semiconductor processing device 120 to the semiconductor processing device 130. In FIG. 8, the automatic transport device 140 is
Trackless automatic carrier (AGV (Auto Guided Vehicle))
Is.

【0079】まず、半導体処理装置120における処
理、例えば、エッチング処理や成膜処理が終了した後、
半導体基板は、半導体処理装置120から搬出され、置
き台150の上の半導体基板収容装置100へ搬入され
る。次に、半導体基板収容装置100が密閉される。
First, after the processing in the semiconductor processing apparatus 120, for example, the etching processing and the film forming processing are completed,
The semiconductor substrate is unloaded from the semiconductor processing apparatus 120 and loaded into the semiconductor substrate housing apparatus 100 on the stand 150. Next, the semiconductor substrate housing device 100 is sealed.

【0080】半導体基板収容装置100は、半導体処理
装置120および半導体処理装置130の間を自動搬送
装置140によって搬送される。それによって、半導体
基板収容装置100に収容されている半導体基板10が
半導体処理装置120および半導体処理装置130の間
を搬送される。
The semiconductor substrate housing apparatus 100 is conveyed between the semiconductor processing apparatus 120 and the semiconductor processing apparatus 130 by the automatic transfer apparatus 140. Thereby, the semiconductor substrate 10 accommodated in the semiconductor substrate accommodation device 100 is transported between the semiconductor processing device 120 and the semiconductor processing device 130.

【0081】自動搬送装置140は、半導体基板収容装
置100を置き台160へ移動させる。半導体基板10
は、半導体基板収容装置100から搬出され、半導体処
理装置130へ搬入される。半導体処理装置130にお
いて、半導体基板10には、半導体処理装置120にお
ける処理に続く処理、例えば、他のエッチング処理や他
の成膜処理が施される。半導体基板が半導体基板収容装
置100から搬出されるときに、半導体基板収容装置1
00の密閉が開放される。この密閉の開放の動作は、図
1(A)から図1(C)を参照して上記したように実施さ
れる。
The automatic carrier device 140 moves the semiconductor substrate housing device 100 to the stand 160. Semiconductor substrate 10
Are unloaded from the semiconductor substrate housing apparatus 100 and loaded into the semiconductor processing apparatus 130. In the semiconductor processing apparatus 130, the semiconductor substrate 10 is subjected to processing subsequent to the processing in the semiconductor processing apparatus 120, for example, another etching processing or another film forming processing. When the semiconductor substrate is unloaded from the semiconductor substrate accommodation device 100, the semiconductor substrate accommodation device 1
The 00 seal is opened. The operation of opening the seal is performed as described above with reference to FIGS. 1 (A) to 1 (C).

【0082】半導体処理装置120と130との間にお
ける半導体基板10の搬送、半導体処理装置130への
半導体基板10の搬入および半導体処理装置120から
の半導体基板10の搬出は総て自動化されている。ま
た、半導体基板収容装置100の密閉や半導体基板収容
装置100の密閉の開放も自動化されている。従って、
人手を介することなく、互いに異なる半導体処理装置1
20と130との間における半導体基板の搬送が実施さ
れ得る。それによって、人手を介する必要がないので、
パーティクルやダストの発生が防止される。
The transportation of the semiconductor substrate 10 between the semiconductor processing apparatuses 120 and 130, the loading of the semiconductor substrate 10 into the semiconductor processing apparatus 130, and the unloading of the semiconductor substrate 10 from the semiconductor processing apparatus 120 are all automated. Further, the sealing of the semiconductor substrate housing device 100 and the opening of the semiconductor substrate housing device 100 are also automated. Therefore,
Different semiconductor processing devices 1 without human intervention
Transfer of the semiconductor substrate between 20 and 130 may be performed. This eliminates the need for human intervention
Generation of particles and dust is prevented.

【0083】尚、自動搬送装置140は、天井搬送装置
(OHT(Overhead Hoist Transportation) )、軌道式自
動搬送装置(RGV(Rail Guided Vehicle))、移載装置
付き手押し台車(PGV(Personal Guided Vehicle))な
どでもよい。
The automatic transfer device 140 is a ceiling transfer device (OHT (Overhead Hoist Transportation)), a track-type automatic transfer device (RGV (Rail Guided Vehicle)), or a trolley with a transfer device (PGV (Personal Guided Vehicle)). ) Or the like.

【0084】[0084]

【発明の効果】本発明による半導体基板収容装置および
半導体装置の製造方法によれば、蓋部が外されて収容器
の内部の密閉を開放するときに、パーティクルやダスト
が半導体基板の表面に付着することがない。
According to the semiconductor substrate accommodating apparatus and the semiconductor device manufacturing method of the present invention, particles and dust adhere to the surface of the semiconductor substrate when the lid is removed to open the inside of the container. There is nothing to do.

【0085】また、本発明による半導体基板収容装置に
よれば、蓋部が収容器に取り付けられているときには収
容器の内部の密閉性を維持することができる。
Further, according to the semiconductor substrate accommodating apparatus of the present invention, the airtightness inside the container can be maintained when the lid is attached to the container.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に従った第1の実施の形態による半導体
基板収容装置100の断面図。
FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor substrate housing device 100 according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明に従った第2の実施の形態による半導体
基板収容装置200の断面図。
FIG. 2 is a sectional view of a semiconductor substrate housing device 200 according to a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明に従った第3の実施の形態による半導体
基板収容装置300の断面図。
FIG. 3 is a sectional view of a semiconductor substrate housing device 300 according to a third embodiment of the present invention.

【図4】本発明に従った第4の実施の形態による半導体
基板収容装置400の断面図。
FIG. 4 is a sectional view of a semiconductor substrate housing device 400 according to a fourth embodiment of the present invention.

【図5】本発明に従った第5の実施の形態による半導体
基板収容装置500の断面図。
FIG. 5 is a sectional view of a semiconductor substrate housing device 500 according to a fifth embodiment of the present invention.

【図6】本発明に従った第6の実施の形態による半導体
基板収容装置600の断面図。
FIG. 6 is a sectional view of a semiconductor substrate housing device 600 according to a sixth embodiment of the present invention.

【図7】本発明に従った第7実施の形態による半導体基
板収容装置700の断面図。
FIG. 7 is a sectional view of a semiconductor substrate housing device 700 according to a seventh embodiment of the present invention.

【図8】半導体装置の製造方法の一部分を概略的に示し
た図。
FIG. 8 is a diagram schematically showing a part of a method for manufacturing a semiconductor device.

【図9】従来の半導体基板収容装置800の断面図。FIG. 9 is a sectional view of a conventional semiconductor substrate housing device 800.

【図10】従来の半導体基板収容装置900の断面図。FIG. 10 is a cross-sectional view of a conventional semiconductor substrate accommodation device 900.

【符号の説明】 10 半導体基板 20 収容器 30 外蓋 32 内蓋 40 シール部材 50 ロック部 60 気流 70 ダスト 90 圧縮バネ 92 基板収容チャンバ 94 密閉開放チャンバ 100、200、300、400、500、700、8
00 半導体基板収容装置 120、130 半導体処理装置 140 自動搬送装置
[Description of Reference Signs] 10 semiconductor substrate 20 container 30 outer lid 32 inner lid 40 seal member 50 lock portion 60 airflow 70 dust 90 compression spring 92 substrate housing chamber 94 hermetically sealed open chamber 100, 200, 300, 400, 500, 700, 8
00 semiconductor substrate accommodation device 120, 130 semiconductor processing device 140 automatic transfer device

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体基板を収容する収容器、 前記収容器内を密閉する外蓋および、 少なくとも前記外蓋を外して前記収容器の内部の密閉を
開放するときに、前記収容器の内部を少なくとも前記半
導体基板が収容されている基板収容チャンバと該基板収
容チャンバよりも前記外蓋側にある密閉開放チャンバと
に仕切る内蓋、 を備えることを特徴とする半導体基板収容装置。
1. A container for accommodating a semiconductor substrate, an outer lid for sealing the inside of the container, and an interior of the container when at least the outer lid is removed to open the interior of the container. A semiconductor substrate accommodating apparatus comprising: a substrate accommodating chamber accommodating at least the semiconductor substrate and an inner lid for partitioning the chamber into a closed open chamber on the outer lid side of the substrate accommodating chamber.
【請求項2】前記内蓋は、前記外蓋に連動し、前記外蓋
よりも遅延して前記収容器から外されるように前記外蓋
に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の半
導体基板収容装置。
2. The inner lid is connected to the outer lid so as to be interlocked with the outer lid and to be removed from the container with a delay from the outer lid. The semiconductor substrate housing device described in 1.
【請求項3】前記外蓋が前記収容器内を密閉したとき
に、前記内蓋は、前記外蓋によって前記収容器に対して
弾性的に押圧されることを特徴とする請求項2に記載の
半導体基板収容装置。
3. The inner lid is elastically pressed against the container by the outer lid when the outer lid seals the inside of the container. Semiconductor substrate housing device.
【請求項4】前記内蓋は、ばね、ゴム、磁性体、気体ま
たは流動体のいずれかを用いて前記収容器に対して弾性
的に押圧されることを特徴とする請求項3に記載の半導
体基板収容装置。
4. The inner lid is elastically pressed against the container by using any one of a spring, a rubber, a magnetic material, a gas or a fluid. Semiconductor substrate housing device.
【請求項5】前記基板収容チャンバと前記密閉開放チャ
ンバとの間が通気性を有することを特徴とする請求項1
に記載の半導体基板収容装置。
5. A gas permeable material between the substrate accommodating chamber and the closed open chamber.
The semiconductor substrate housing device described in 1.
【請求項6】前記内蓋が通気材料から形成されているこ
とを特徴とする請求項5に記載の半導体基板収容装置。
6. The semiconductor substrate accommodating apparatus according to claim 5, wherein the inner lid is made of a ventilation material.
【請求項7】少なくとも前記内蓋と前記収容器との接触
する部分に通気材料が備えられていることを特徴とする
請求項5に記載の半導体基板収容装置。
7. The semiconductor substrate accommodating apparatus according to claim 5, wherein a ventilation material is provided at least in a portion where the inner lid and the container are in contact with each other.
【請求項8】前記通気材料は多孔質材料から成ることを
特徴とする請求項6または請求項7に記載の半導体基板
収容装置。
8. The semiconductor substrate accommodating apparatus according to claim 6, wherein the ventilation material is made of a porous material.
【請求項9】前記多孔質材料の孔径は0.1μm以下であ
ることを特徴とする請求項8に記載の半導体基板収容装
置。
9. The semiconductor substrate housing device according to claim 8, wherein the porous material has a pore diameter of 0.1 μm or less.
【請求項10】前記内蓋は該内蓋の外縁で該内蓋の主面
から突出した突縁部を有し、 前記収容器は内側の側壁に前記突縁部を受容する凹部を
有し、 前記凹部に前記突縁部を受容させることによって、前記
基板収容チャンバと密閉開放チャンバとが仕切られてい
ることを特徴とする請求項1に記載の半導体基板収容装
置。
10. The inner lid has a projecting edge portion protruding from a main surface of the inner lid at an outer edge of the inner lid, and the container has a recessed portion for receiving the projecting edge portion on an inner side wall. The semiconductor substrate housing apparatus according to claim 1, wherein the substrate housing chamber and the sealed open chamber are partitioned by receiving the projecting edge portion in the recess.
【請求項11】前記内蓋は前記外蓋を介して当該半導体
基板収容装置の外側へ延びている押圧シャフトを含み、 少なくとも前記外蓋を外して前記収容器内の密閉を開放
するときに、前記押圧シャフトを固定することによっ
て、前記内蓋は、前記収容器に対して押圧され、前記収
容器の内部を少なくとも前記基板収容チャンバと前記密
閉開放チャンバとに仕切ることを特徴とする請求項1に
記載の半導体基板収容装置。
11. The inner lid includes a pressing shaft extending to the outside of the semiconductor substrate accommodating apparatus through the outer lid, and at least when the outer lid is removed to release the airtightness inside the container. By fixing the pressing shaft, the inner lid is pressed against the container to partition the inside of the container into at least the substrate housing chamber and the closed open chamber. The semiconductor substrate housing device described in 1.
【請求項12】前記内蓋は前記半導体基板を前記収容器
の内壁へ弾性的に押圧することによって支持することを
特徴とする請求項1に記載の半導体基板収容装置。
12. The semiconductor substrate storage device according to claim 1, wherein the inner lid supports the semiconductor substrate by elastically pressing the semiconductor substrate against the inner wall of the storage container.
【請求項13】第1の半導体処理を半導体基板に施すス
テップ、前記第1の半導体処理の施された半導体基板を
半導体基板収容装置へ収容するステップ、前記半導体基
板収容装置から前記半導体基板を取り出すステップ、お
よび第2の半導体処理を前記半導体基板収容装置から取
り出された前記半導体基板に施すステップを備えた半導
体装置の製造方法において、 前記半導体基板収容装置は、半導体基板を収容する収容
器内を密閉する外蓋、および前記収容器に押圧されるこ
とによって前記収容器の内部を前記半導体基板が収容さ
れる基板収容チャンバと該基板収容チャンバよりも前記
外蓋側にある密閉開放チャンバとに仕切る内蓋、を備
え、 前記半導体基板収容装置から前記半導体基板を取り出す
ステップは、 前記内蓋が前記収容器に押圧されたまま、前記外蓋が外
され、前記収容器の内部の密閉を開放する外蓋開放ステ
ップと、 前記内蓋が前記収容器に押圧されたまま前記外蓋が外さ
れた状態を所定の期間維持する維持ステップと、 前記内蓋が外される内蓋開放ステップと、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
13. A step of subjecting a semiconductor substrate to a first semiconductor treatment, a step of accommodating the semiconductor substrate subjected to the first semiconductor treatment in a semiconductor substrate accommodating apparatus, and a step of taking out the semiconductor substrate from the semiconductor substrate accommodating apparatus. In the method of manufacturing a semiconductor device, which comprises the steps of: and a step of performing a second semiconductor treatment on the semiconductor substrate taken out from the semiconductor substrate housing device, the semiconductor substrate housing device includes a container for housing a semiconductor substrate. An outer lid to be sealed, and the interior of the container when pressed by the container is partitioned into a substrate accommodating chamber in which the semiconductor substrate is accommodated and a sealed open chamber that is closer to the outer lid than the substrate accommodating chamber. An inner lid, wherein the step of taking out the semiconductor substrate from the semiconductor substrate accommodation device includes the inner lid pressing the container. The outer lid is removed and the outer lid is opened to release the airtightness inside the container, and a state in which the outer lid is removed while the inner lid is pressed against the container is predetermined. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a maintaining step of maintaining a period of time; and an inner lid opening step of removing the inner lid.
【請求項14】第1の半導体処理を半導体基板に施すス
テップ、前記第1の半導体処理の施された半導体基板を
半導体基板収容装置へ収容するステップ、前記半導体基
板収容装置から前記半導体基板を取り出すステップ、お
よび第2の半導体処理を前記半導体基板収容装置から取
り出された前記半導体基板に施すステップを備えた半導
体装置の製造方法において、 前記半導体基板収容装置は、半導体基板を収容する収容
器内を密閉する外蓋、および前記収容器に押圧されるこ
とによって前記収容器の内部を前記半導体基板が収容さ
れる基板収容チャンバと該基板収容チャンバよりも前記
外蓋側にある密閉開放チャンバとに仕切る内蓋、を備
え、 前記半導体基板収容装置から前記半導体基板を取り出す
ステップは、 前記内蓋が前記収容器に押圧されたまま、前記外蓋が外
され、前記収容器の内部の密閉を開放する外蓋開放ステ
ップと、 前記内蓋が前記収容器に押圧されたまま前記外蓋と前記
収容器との間にある前記密閉開放チャンバへ強制的に気
体を送入する送入ステップと、 前記内蓋が外される内蓋開放ステップと、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
14. A step of subjecting a semiconductor substrate to a first semiconductor treatment, a step of accommodating the semiconductor substrate subjected to the first semiconductor treatment in a semiconductor substrate accommodating apparatus, and a step of taking out the semiconductor substrate from the semiconductor substrate accommodating apparatus. In the method of manufacturing a semiconductor device, which comprises the steps of: and a step of performing a second semiconductor treatment on the semiconductor substrate taken out from the semiconductor substrate housing device, the semiconductor substrate housing device includes a container for housing a semiconductor substrate. An outer lid to be sealed, and the interior of the container when pressed by the container is partitioned into a substrate accommodating chamber in which the semiconductor substrate is accommodated and a sealed open chamber that is closer to the outer lid than the substrate accommodating chamber. An inner lid, wherein the step of taking out the semiconductor substrate from the semiconductor substrate accommodation device includes the inner lid pressing the container. The outer lid is removed, and the outer lid is opened to release the airtightness inside the container, and the inner lid is pressed against the container, and the space between the outer lid and the container is maintained. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a feeding step of forcibly feeding gas into the closed open chamber; and an inner lid opening step of removing the inner lid.
【請求項15】前記外蓋が前記収容器内を密閉する際
に、前記外蓋は前記内蓋を前記収容器に弾性的に押圧す
るとともに、 前記内蓋が外される際に、前記内蓋は、前記外蓋に連動
し、前記外蓋よりも遅延して前記収容器から外されるこ
とを特徴とする請求項13または請求項14に記載の半
導体装置の製造方法。
15. The outer lid elastically presses the inner lid against the container when the outer lid seals the inside of the container, and the inner lid is removed when the inner lid is removed. 15. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 13, wherein the lid is detached from the container after being interlocked with the outer lid and later than the outer lid.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016164927A (en) * 2015-03-06 2016-09-08 シンフォニアテクノロジー株式会社 Door opening/closing device

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JP2016164927A (en) * 2015-03-06 2016-09-08 シンフォニアテクノロジー株式会社 Door opening/closing device

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