JP2003075660A - レンズ状ファイバ及びその測定方法 - Google Patents
レンズ状ファイバ及びその測定方法Info
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- JP2003075660A JP2003075660A JP2001262500A JP2001262500A JP2003075660A JP 2003075660 A JP2003075660 A JP 2003075660A JP 2001262500 A JP2001262500 A JP 2001262500A JP 2001262500 A JP2001262500 A JP 2001262500A JP 2003075660 A JP2003075660 A JP 2003075660A
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- Japan
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- far
- fiber
- optical fiber
- lens
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- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】レーザダイオードとレンズ状ファイバの挿入損
失を効率良く評価する。 【解決手段】光ファイバ端部に光ファイバのコア軸に関
して対称な傾斜面を形成しその先端を半円筒状の曲面と
するか、もしくは光ファイバのコア軸に関して対称な円
錐面を形成しその先端を球状としたレンズ状ファイバに
おいて、挿入損失最小値をA、ファーフィールドパター
ン半値幅係数をB、最適ファーフィールドパターン半値
幅をC、ファーフィールドパターン中心ずれ係数をDと
し、光ファイバのファーフィールドパターンより測定さ
れるファーフィールドパターン半値幅をE、ファーフィ
ールドパターン中心ずれをFとした時、L=A+B×
(C−E)2+D×F2の式で挿入損失Lを算出する。
失を効率良く評価する。 【解決手段】光ファイバ端部に光ファイバのコア軸に関
して対称な傾斜面を形成しその先端を半円筒状の曲面と
するか、もしくは光ファイバのコア軸に関して対称な円
錐面を形成しその先端を球状としたレンズ状ファイバに
おいて、挿入損失最小値をA、ファーフィールドパター
ン半値幅係数をB、最適ファーフィールドパターン半値
幅をC、ファーフィールドパターン中心ずれ係数をDと
し、光ファイバのファーフィールドパターンより測定さ
れるファーフィールドパターン半値幅をE、ファーフィ
ールドパターン中心ずれをFとした時、L=A+B×
(C−E)2+D×F2の式で挿入損失Lを算出する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信に使用する
発光源と光ファイバとの光結合に用いるレンズ状ファイ
バ及びその測定方法に関するものである。
発光源と光ファイバとの光結合に用いるレンズ状ファイ
バ及びその測定方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】光通信用の発光源としては、レーザダイ
オード(以下LDという),発光ダイオード等が用いら
れる。短波長LDからの出射光のパターンは、光分布が
円状のガウス分布ではなく縦方向と横方向で異なる楕円
ビーム状となる。典型的な980nmLDは2.5:1
と4:1の間のアスペクト比を有する出射光のパターン
となり、このような大きなアスペクト比を有するLDと
光ファイバとの結合には楔形のウェッジファイバが有効
である。
オード(以下LDという),発光ダイオード等が用いら
れる。短波長LDからの出射光のパターンは、光分布が
円状のガウス分布ではなく縦方向と横方向で異なる楕円
ビーム状となる。典型的な980nmLDは2.5:1
と4:1の間のアスペクト比を有する出射光のパターン
となり、このような大きなアスペクト比を有するLDと
光ファイバとの結合には楔形のウェッジファイバが有効
である。
【0003】楔形ウェッジファイバではLDのスポット
サイズにより結合効率が変化することにより効率的集光
を目的として、それぞれのスポットサイズにあった先端
の傾斜面角度と先端の曲率半径を選定してきた。たとえ
ば図1に示すウェッジファイバ40は、光ファイバのコ
ア軸45に関して対称な傾斜面41を形成しその先端を
半円筒状の曲面43からなるレンズ44を備えている。
サイズにより結合効率が変化することにより効率的集光
を目的として、それぞれのスポットサイズにあった先端
の傾斜面角度と先端の曲率半径を選定してきた。たとえ
ば図1に示すウェッジファイバ40は、光ファイバのコ
ア軸45に関して対称な傾斜面41を形成しその先端を
半円筒状の曲面43からなるレンズ44を備えている。
【0004】このウェッジファイバとLDとの結合が重
要で、その特性である挿入損失を評価する方法として
は、従来LDに対してウェッジファイバの位置を調整し
て挿入損失を測定していた。
要で、その特性である挿入損失を評価する方法として
は、従来LDに対してウェッジファイバの位置を調整し
て挿入損失を測定していた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記に記載
した従来のウェッジファイバとLDとの挿入損失の測定
方法では、測定時に挿入損失が最も小さくなるように位
置調整をする必要があり測定に時間を要し、しかもウェ
ッジファイバとLDとの間の距離が10μm程度と非常
に近接しているため、LDと接触し、LDを破損する恐
れがあった。
した従来のウェッジファイバとLDとの挿入損失の測定
方法では、測定時に挿入損失が最も小さくなるように位
置調整をする必要があり測定に時間を要し、しかもウェ
ッジファイバとLDとの間の距離が10μm程度と非常
に近接しているため、LDと接触し、LDを破損する恐
れがあった。
【0006】また、評価に用いているLDが破損した場
合、同種の別のLDにて評価を行った際、個々のLDの
特性が異なるため、同じウェッジファイバを評価した際
でも挿入損失が異なるという問題点があった。
合、同種の別のLDにて評価を行った際、個々のLDの
特性が異なるため、同じウェッジファイバを評価した際
でも挿入損失が異なるという問題点があった。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記従来技術
の課題を解決する為になされたもので、光ファイバ端部
に光ファイバのコア軸に関して対称な傾斜面を形成しそ
の先端を半円筒状の曲面とするか、もしくは光ファイバ
のコア軸に関して対称な円錐面を形成しその先端を球面
としたレンズ状ファイバにおいて、 挿入損失最小値をA ファーフィールドパターン半値幅係数をB 最適ファーフィールドパターン半値幅をC ファーフィールドパターン中心ずれ係数をD とし、上記レンズ状ファイバのファーフィールドパター
ンより測定される ファーフィールドパターン半値幅をE ファーフィールドパターン中心ずれをF とした時、 L=A+B×(C−E)2+D×F2 の式で得られた挿入損失Lと、実際にレーザダイオード
と上記レンズ状ファイバを用いて実測した値との誤差が
0.5dB以内であることを特徴とする。
の課題を解決する為になされたもので、光ファイバ端部
に光ファイバのコア軸に関して対称な傾斜面を形成しそ
の先端を半円筒状の曲面とするか、もしくは光ファイバ
のコア軸に関して対称な円錐面を形成しその先端を球面
としたレンズ状ファイバにおいて、 挿入損失最小値をA ファーフィールドパターン半値幅係数をB 最適ファーフィールドパターン半値幅をC ファーフィールドパターン中心ずれ係数をD とし、上記レンズ状ファイバのファーフィールドパター
ンより測定される ファーフィールドパターン半値幅をE ファーフィールドパターン中心ずれをF とした時、 L=A+B×(C−E)2+D×F2 の式で得られた挿入損失Lと、実際にレーザダイオード
と上記レンズ状ファイバを用いて実測した値との誤差が
0.5dB以内であることを特徴とする。
【0008】又、光ファイバ端部に光ファイバのコア軸
に関して対称な傾斜面を形成しその先端を半円筒状の曲
面とするか、もしくは光ファイバのコア軸に関して対称
な円錐面を形成しその先端を球面としたレンズ状ファイ
バにおいて、 挿入損失最小値をA ファーフィールドパターン半値幅係数をB 最適ファーフィールドパターン半値幅をC ファーフィールドパターン中心ずれ係数をD とし、上記レンズ状ファイバのファーフィールドパター
ンより測定される ファーフィールドパターン半値幅をE ファーフィールドパターン中心ずれをF とした時、 L=A+B×(C−E)2+D×F2 の式で得られた挿入損失Lを算出することを特徴とす
る。
に関して対称な傾斜面を形成しその先端を半円筒状の曲
面とするか、もしくは光ファイバのコア軸に関して対称
な円錐面を形成しその先端を球面としたレンズ状ファイ
バにおいて、 挿入損失最小値をA ファーフィールドパターン半値幅係数をB 最適ファーフィールドパターン半値幅をC ファーフィールドパターン中心ずれ係数をD とし、上記レンズ状ファイバのファーフィールドパター
ンより測定される ファーフィールドパターン半値幅をE ファーフィールドパターン中心ずれをF とした時、 L=A+B×(C−E)2+D×F2 の式で得られた挿入損失Lを算出することを特徴とす
る。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を用いて説明する。
て、図面を用いて説明する。
【0010】図1(a)、(b)は本発明の実施形態を
示す。レンズ付ファイバの一例としてウェッジファイバ
にて説明を行う。ウェッジファイバ40のレンズ部の側
面図及び端面図である。図1において、光ファイバはシ
ングルモード光ファイバである。周知の通りシングルモ
ード光ファイバは、光が閉じこめられる円形断面のコア
47と、これを同心円状に囲むクラッド48から成る。
示す。レンズ付ファイバの一例としてウェッジファイバ
にて説明を行う。ウェッジファイバ40のレンズ部の側
面図及び端面図である。図1において、光ファイバはシ
ングルモード光ファイバである。周知の通りシングルモ
ード光ファイバは、光が閉じこめられる円形断面のコア
47と、これを同心円状に囲むクラッド48から成る。
【0011】光ファイバの先端部には、光ファイバのコ
ア軸45に対して対称な一対の傾斜面41とその傾斜面
41に対し連続して半円筒状の曲面43から成るレンズ
44を備えている。その傾斜面41のコア軸45に垂直
な面に対する角度θと、曲面43の曲率半径RをLDの
スポットサイズに最適に選ぶことにより高い光結合効率
を容易に得る事ができる。
ア軸45に対して対称な一対の傾斜面41とその傾斜面
41に対し連続して半円筒状の曲面43から成るレンズ
44を備えている。その傾斜面41のコア軸45に垂直
な面に対する角度θと、曲面43の曲率半径RをLDの
スポットサイズに最適に選ぶことにより高い光結合効率
を容易に得る事ができる。
【0012】このウェッジファイバから出射される光の
ファーフィールドパターンは図2のようになり、このフ
ァーフィールドパターン20から得られるファーフィー
ルドパターン半値幅E、ファーフィールドパターン中心
ずれFとすると、 L=A+B×(C−E)2+D×F2 の値にて、LDとの挿入損失Lを算出できる。この時の
挿入損失の単位はdBである。このA、B、C、Dの値
は以下のようにして求める。
ファーフィールドパターンは図2のようになり、このフ
ァーフィールドパターン20から得られるファーフィー
ルドパターン半値幅E、ファーフィールドパターン中心
ずれFとすると、 L=A+B×(C−E)2+D×F2 の値にて、LDとの挿入損失Lを算出できる。この時の
挿入損失の単位はdBである。このA、B、C、Dの値
は以下のようにして求める。
【0013】まずLDとウェッジファイバの挿入損失を
実際に測定する。更にそのウェッジファイバのファーフ
ィールドパターンの半値幅Eと中心ずれFを測定する。
この測定を異なるウェッジファイバ10サンプル以上に
対して行う。その際、LDは基準となるもので常に同じ
ものを使用する。ここで得られた実際の挿入損失とファ
ーフィールドパターンの半値幅Eと中心ずれFを含む A+B×(C−E)2+D×F2 の値の差が最も小さくなるように、A、B、C、Dを決
定する。具体的方法の一つとして、各測定サンプルに対
しこの値の差の2乗を計算し、その2乗の和が最も小さ
くなるよう最小2乗法を用いて計算する。
実際に測定する。更にそのウェッジファイバのファーフ
ィールドパターンの半値幅Eと中心ずれFを測定する。
この測定を異なるウェッジファイバ10サンプル以上に
対して行う。その際、LDは基準となるもので常に同じ
ものを使用する。ここで得られた実際の挿入損失とファ
ーフィールドパターンの半値幅Eと中心ずれFを含む A+B×(C−E)2+D×F2 の値の差が最も小さくなるように、A、B、C、Dを決
定する。具体的方法の一つとして、各測定サンプルに対
しこの値の差の2乗を計算し、その2乗の和が最も小さ
くなるよう最小2乗法を用いて計算する。
【0014】本発明での算出値と実測値との誤差は0.
5dB以内とする。これは、0.5dB以上の誤差を有
すると実測値の代わりの代替え測定として誤差が大きす
ぎ、この誤差の大きいウェッジファイバをLDモジュー
ルとして組み立てた際、所定の特性が出ず、ウェッジフ
ァイバを入れ替えて組み立て直すことになり、余分な時
間を要してしまう。
5dB以内とする。これは、0.5dB以上の誤差を有
すると実測値の代わりの代替え測定として誤差が大きす
ぎ、この誤差の大きいウェッジファイバをLDモジュー
ルとして組み立てた際、所定の特性が出ず、ウェッジフ
ァイバを入れ替えて組み立て直すことになり、余分な時
間を要してしまう。
【0015】これらA、B、C、Dは以下のようなパラ
メータを示す。Aは挿入損失最小値で、最適ファーフィ
ールドパターン半値幅で、ファーフィールドパターン中
心ずれFが0度の場合の損失値を示す。Bはファーフィ
ールドパターン半値幅係数で、ファーフィールドパター
ン半値幅Eが最適値からずれた際の損失への寄与を示す
係数である。Cは最適なファーフィールドパターン半値
幅を示す。Dはファーフィールドパターン中心ずれ係数
で、ファーフィールドパターン中心ずれFの損失への寄
与を示す係数である。
メータを示す。Aは挿入損失最小値で、最適ファーフィ
ールドパターン半値幅で、ファーフィールドパターン中
心ずれFが0度の場合の損失値を示す。Bはファーフィ
ールドパターン半値幅係数で、ファーフィールドパター
ン半値幅Eが最適値からずれた際の損失への寄与を示す
係数である。Cは最適なファーフィールドパターン半値
幅を示す。Dはファーフィールドパターン中心ずれ係数
で、ファーフィールドパターン中心ずれFの損失への寄
与を示す係数である。
【0016】これらA、B、C、Dを用いて、
L=A+B×(C−E)2+D×F2
の式で挿入損失Lを算出できる理由としては以下の通り
である。LDとウェッジファイバの挿入損失に関して
は、LDのファーフィールドパターンに対し、ウェッジ
ファイバのファーフィールドパターンが合っていれば損
失は少なくなり、パターンの差が大きければ大きい程損
失は大きくなる。そのファーフィールドパターンの特性
を表すパラメータで挿入損失に大きく寄与するファーフ
ィールドパターンの半値幅Eと中心ずれFを用いて、近
似を行っている。
である。LDとウェッジファイバの挿入損失に関して
は、LDのファーフィールドパターンに対し、ウェッジ
ファイバのファーフィールドパターンが合っていれば損
失は少なくなり、パターンの差が大きければ大きい程損
失は大きくなる。そのファーフィールドパターンの特性
を表すパラメータで挿入損失に大きく寄与するファーフ
ィールドパターンの半値幅Eと中心ずれFを用いて、近
似を行っている。
【0017】LDのファーフィールドパターンとウェッ
ジファイバのファーフィールドパターンは、通常正規分
布で近似されるが、その近似から実際LD、ウェッジフ
ァイバ共にややずれており、その理想的な正規分布から
のずれ分が、挿入損失最小値Aとなる。また、LDのフ
ァーフィールドパターンの半値幅が最適ファーフィール
ドパターン半値幅Cとなるが、LDの波長とウェッジフ
ァイバのファーフィールドパターン測定時の波長が異な
れば、一致せずやや異なった値となる。この最適ファー
フィールドパターン半値幅を有するウェッジファイバが
最も挿入損失が小さくなり、その値から小さくなっても
また大きくなっても損失が大きくなるのでその最適値と
の差を2乗で近似し、その際の損失への寄与の度合いと
してファーフィールドパターン半値幅係数Bを用いてい
る。
ジファイバのファーフィールドパターンは、通常正規分
布で近似されるが、その近似から実際LD、ウェッジフ
ァイバ共にややずれており、その理想的な正規分布から
のずれ分が、挿入損失最小値Aとなる。また、LDのフ
ァーフィールドパターンの半値幅が最適ファーフィール
ドパターン半値幅Cとなるが、LDの波長とウェッジフ
ァイバのファーフィールドパターン測定時の波長が異な
れば、一致せずやや異なった値となる。この最適ファー
フィールドパターン半値幅を有するウェッジファイバが
最も挿入損失が小さくなり、その値から小さくなっても
また大きくなっても損失が大きくなるのでその最適値と
の差を2乗で近似し、その際の損失への寄与の度合いと
してファーフィールドパターン半値幅係数Bを用いてい
る。
【0018】更に、ファーフィールドパターン半値幅が
最適であったとしても、そのパターンが中心からずれて
いるとLDからの光がファイバに対しまっすぐ入らず損
失が大きくなるため、それをファーフィールドパターン
中心ずれの2乗で近似し、その際の損失への寄与の度合
いとしてファーフィールドパターン中心ずれ係数Dを用
いている。
最適であったとしても、そのパターンが中心からずれて
いるとLDからの光がファイバに対しまっすぐ入らず損
失が大きくなるため、それをファーフィールドパターン
中心ずれの2乗で近似し、その際の損失への寄与の度合
いとしてファーフィールドパターン中心ずれ係数Dを用
いている。
【0019】なお、本発明のレンズ付ファイバの他の実
施形態として、図3のように先端部に平坦部50を有す
るウェッジファイバ、図4のように傾斜面41が2段以
上になっているウェッジファイバ、図5のように先端部
のRがないウェッジファイバにも適応できる。
施形態として、図3のように先端部に平坦部50を有す
るウェッジファイバ、図4のように傾斜面41が2段以
上になっているウェッジファイバ、図5のように先端部
のRがないウェッジファイバにも適応できる。
【0020】また上記ウェッジファイバの他、図6のよ
うに光ファイバのコア軸45に関して対称な円錐面61
を形成しその先端を球面62とした先球ファイバに対し
ても適用できる。
うに光ファイバのコア軸45に関して対称な円錐面61
を形成しその先端を球面62とした先球ファイバに対し
ても適用できる。
【0021】
【実施例】LDのスポットサイズがWx=2.07μ
m,Wy=0.75μmであるものを使用し、ウェッジ
ファイバのテーパ各θは62.5〜65度、先端の曲率
半径Rは5.7〜9.2μmの範囲のものを使用した。
それらウェッジファイバとLDとの挿入損失の実測値
と、本発明の算出式にて算出した値を比較した。
m,Wy=0.75μmであるものを使用し、ウェッジ
ファイバのテーパ各θは62.5〜65度、先端の曲率
半径Rは5.7〜9.2μmの範囲のものを使用した。
それらウェッジファイバとLDとの挿入損失の実測値
と、本発明の算出式にて算出した値を比較した。
【0022】その結果を表1に示す。
【0023】
【表1】
【0024】表1での算出値では、挿入損失最小値
(A)を0.939[dB]、ファーフィールドパターン
半値幅係数(B)を0.0219[dB/度2]、最適フ
ァーフィールドパターン半値幅(C)を20.49
[度]、ファーフィールドパターン中心ずれ係数(D)
を0.00625[dB/度2]とした。これらは、20
個のサンプルでの実測値と算出値の差の2乗の和が最も
小さくなるように選んだ。
(A)を0.939[dB]、ファーフィールドパターン
半値幅係数(B)を0.0219[dB/度2]、最適フ
ァーフィールドパターン半値幅(C)を20.49
[度]、ファーフィールドパターン中心ずれ係数(D)
を0.00625[dB/度2]とした。これらは、20
個のサンプルでの実測値と算出値の差の2乗の和が最も
小さくなるように選んだ。
【0025】表1より20個の評価結果の中で実測値と
算出値で最も差がある場合で0.24dBであり非常に
正確に損失値を算出出来ることが判る。
算出値で最も差がある場合で0.24dBであり非常に
正確に損失値を算出出来ることが判る。
【0026】また、実測値と算出値の相関をとったもの
が図7で、相関係数が0.980となり、これからも実
測値と算出値が一致しているのが判る。
が図7で、相関係数が0.980となり、これからも実
測値と算出値が一致しているのが判る。
【0027】以上により、従来では形状あるいはファー
フィールドパターンの特性にて合否判定するか、あるい
は直接評価用のLDを用いて挿入損失を測定して出荷し
ていたが、本発明にてファーフィールドパターンの特性
から挿入損失を算出することにより、直接LDを用いた
測定を行わずに挿入損失を算出することが出来、効率よ
くかつ挿入損失の小さい製品のみ出荷出来る。
フィールドパターンの特性にて合否判定するか、あるい
は直接評価用のLDを用いて挿入損失を測定して出荷し
ていたが、本発明にてファーフィールドパターンの特性
から挿入損失を算出することにより、直接LDを用いた
測定を行わずに挿入損失を算出することが出来、効率よ
くかつ挿入損失の小さい製品のみ出荷出来る。
【0028】
【発明の効果】本発明によれば、光ファイバ端部に光フ
ァイバのコア軸に関して対称な傾斜面を形成しその先端
を半円筒状の曲面とするか、もしくは光ファイバのコア
軸に関して対称な円錐面を形成しその先端を球面とした
レンズ状ファイバにおいて、 挿入損失最小値をA ファーフィールドパターン半値幅係数をB 最適ファーフィールドパターン半値幅をC ファーフィールドパターン中心ずれ係数をD とし、上記レンズ状ファイバのファーフィールドパター
ンより測定される ファーフィールドパターン半値幅をE ファーフィールドパターン中心ずれをF とした時、 L=A+B×(C−E)2+D×F2 の式で得られた挿入損失Lを算出する事を特徴とするレ
ーザダイオードとレンズ状ファイバの挿入損失の測定方
法を用いることにより、測定時間が短縮でき、より効率
のよいレンズ状ファイバを提供することができる。
ァイバのコア軸に関して対称な傾斜面を形成しその先端
を半円筒状の曲面とするか、もしくは光ファイバのコア
軸に関して対称な円錐面を形成しその先端を球面とした
レンズ状ファイバにおいて、 挿入損失最小値をA ファーフィールドパターン半値幅係数をB 最適ファーフィールドパターン半値幅をC ファーフィールドパターン中心ずれ係数をD とし、上記レンズ状ファイバのファーフィールドパター
ンより測定される ファーフィールドパターン半値幅をE ファーフィールドパターン中心ずれをF とした時、 L=A+B×(C−E)2+D×F2 の式で得られた挿入損失Lを算出する事を特徴とするレ
ーザダイオードとレンズ状ファイバの挿入損失の測定方
法を用いることにより、測定時間が短縮でき、より効率
のよいレンズ状ファイバを提供することができる。
【図1】本発明のレンズ状ファイバの一例であるウェッ
ジファイバを示しており、(a)は側面図、(b)は端
面図である。
ジファイバを示しており、(a)は側面図、(b)は端
面図である。
【図2】本発明のファーフィールドパターンを用いた測
定方法を説明する図である。
定方法を説明する図である。
【図3】本発明の他の実施形態を示しており、(a)は
側面図、(b)は端面図である。
側面図、(b)は端面図である。
【図4】本発明の他の実施形態を示しており、(a)は
側面図、(b)は端面図である。
側面図、(b)は端面図である。
【図5】本発明の他の実施形態を示しており、(a)は
側面図、(b)は端面図である。
側面図、(b)は端面図である。
【図6】本発明の他の実施形態を示しており、(a)は
側面図、(b)は端面図である。
側面図、(b)は端面図である。
【図7】本発明のファーフィールドパターンを用いた測
定方法による算出値とLDを用いて測定した実測値の比
較を示す図である。
定方法による算出値とLDを用いて測定した実測値の比
較を示す図である。
20 ファーフィールドパターン
40 ウェッジファイバ
41 傾斜面
43 曲面
44 レンズ
45 コア軸
46 コア軸に垂直な平面
47 コア
48 クラッド
50 平坦部
60 先球ファイバ
61 円錐面
62 球面
θ 角度
E ファーフィールドパターン半値幅
F ファーフィールドパターン中心ずれ
R 曲率半径
Claims (2)
- 【請求項1】光ファイバ端部に光ファイバのコア軸に関
して対称な傾斜面を形成しその先端を半円筒状の曲面と
するか、もしくは光ファイバのコア軸に関して対称な円
錐面を形成しその先端を球面としたレンズ状ファイバに
おいて、 挿入損失最小値をA ファーフィールドパターン半値幅係数をB 最適ファーフィールドパターン半値幅をC ファーフィールドパターン中心ずれ係数をD とし、上記レンズ状ファイバのファーフィールドパター
ンより測定される ファーフィールドパターン半値幅をE ファーフィールドパターン中心ずれをF とした時、 L=A+B×(C−E)2+D×F2 の式で得られた挿入損失Lと、実際にレーザダイオード
と上記レンズ状ファイバを用いて実測した値との誤差が
0.5dB以内であることを特徴とするレンズ状ファイ
バ。 - 【請求項2】光ファイバ端部に光ファイバのコア軸に関
して対称な傾斜面を形成しその先端を半円筒状の曲面と
するか、もしくは光ファイバのコア軸に関して対称な円
錐面を形成しその先端を球面としたレンズ状ファイバに
おいて、 挿入損失最小値をA ファーフィールドパターン半値幅係数をB 最適ファーフィールドパターン半値幅をC ファーフィールドパターン中心ずれ係数をD とし、上記レンズ状ファイバのファーフィールドパター
ンより測定される ファーフィールドパターン半値幅をE ファーフィールドパターン中心ずれをF とした時、 L=A+B×(C−E)2+D×F2 の式で得られた挿入損失Lを算出することを特徴とする
レーザダイオードとレンズ状ファイバの挿入損失の測定
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001262500A JP2003075660A (ja) | 2001-08-30 | 2001-08-30 | レンズ状ファイバ及びその測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001262500A JP2003075660A (ja) | 2001-08-30 | 2001-08-30 | レンズ状ファイバ及びその測定方法 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005050271A1 (ja) * | 2003-11-21 | 2005-06-02 | Namiki Seimitsu Houseki Kabushiki Kaisha | レンズ付き光ファイバ |
JPWO2018042715A1 (ja) * | 2016-08-30 | 2018-08-30 | オリンパス株式会社 | 内視鏡用光信号送信モジュール |
CN113835153A (zh) * | 2021-08-31 | 2021-12-24 | 武汉楚星光纤应用技术有限公司 | 用于硅光芯片的四芯透镜光纤及其楔形透镜加工方法 |
-
2001
- 2001-08-30 JP JP2001262500A patent/JP2003075660A/ja active Pending
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