JP2003069111A - Sensitivity evaluation device of magnetic resistance element - Google Patents

Sensitivity evaluation device of magnetic resistance element

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JP2003069111A JP2001253232A JP2001253232A JP2003069111A JP 2003069111 A JP2003069111 A JP 2003069111A JP 2001253232 A JP2001253232 A JP 2001253232A JP 2001253232 A JP2001253232 A JP 2001253232A JP 2003069111 A JP2003069111 A JP 2003069111A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sensitivity evaluation device of a magnetic resistance element which is excellent in possibility of highly accurate evaluation of sensitivity of a magnetic resistance element when sensitivity property of a magnetic resistance element is evaluated highly precisely. SOLUTION: A sensitivity evaluation device of a magnetic resistance element has an electromagnet unit 42 with two electromagnets. A pair of magnetic poles of each electromagnet are formed at a tip of a yoke 56 extending from a pair of cores of the electromagnet, and are positioned at a wafer table 12 side, whereon a wafer W is mounted, from an outer circumference of a solenoid of an electromagnet.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば半導体か
らなるウエハに集積して形成された磁気抵抗素子の感応
特性を評価する評価装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an evaluation device for evaluating the sensitivity characteristic of a magnetoresistive element formed by being integrated on a wafer made of, for example, a semiconductor.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種の磁気抵抗素子は内部の磁化方向
に対する外部磁界の横切り方向により、その電気抵抗が
変化することから、その内部の磁化方向を二値の情報に
対応させることで、磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)
の1つのメモリセルとしての応用が期待されている。こ
の種のMRAMは、いわゆるDRAMなどの内部メモリやハード
ディスクなどの外部メモリに比べて優れた性能を発揮す
ることが可能であり、近年、MRAMの開発が盛んに行われ
ている。
2. Description of the Related Art This type of magnetoresistive element changes its electrical resistance depending on the transverse direction of an external magnetic field with respect to the internal magnetization direction. Therefore, by making the internal magnetization direction correspond to binary information, Random access memory (MRAM)
Is expected to be applied as a single memory cell. This type of MRAM can exhibit superior performance to internal memory such as so-called DRAM and external memory such as a hard disk, and MRAM has been actively developed in recent years.

【0003】この種の磁気抵抗素子にはスピン依存トン
ネル効果(TMR効果)を利用したTMR素子が使用され、TMR
素子は主として強磁性層、絶縁層および強磁性層の3層
構造をなしている。そして、MRAMの1つのメモリセルを
構成するTMR素子は半導体からなるウエハ上に集積して
形成されるため、個々のTMR素子の検査、つまり、その
感応特性の評価はウエハ上にTMR素子を形成した段階のM
RAMの製造途中にて実施するが好ましく、これにより、
不良のTMR素子を早期に除外でき、MRAMの歩留まりの向
上を図ることができる。
A TMR element utilizing a spin-dependent tunnel effect (TMR effect) is used for this type of magnetoresistive element.
The element mainly has a three-layer structure of a ferromagnetic layer, an insulating layer and a ferromagnetic layer. Since the TMR elements that compose one memory cell of the MRAM are integrated and formed on the wafer made of semiconductor, the individual TMR elements are inspected, that is, the sensitivity characteristics are evaluated by forming the TMR elements on the wafer. M of the stage
It is preferable to implement this during the manufacturing of the RAM.
Defective TMR elements can be eliminated early and the yield of MRAM can be improved.

【0004】ところで、上述したTMR素子の感応特性評
価装置はたとえばその一例が特開平9-283578号公報に開
示されているが、この公知の評価装置は、一対のソレノ
イドにより磁極間に形成される磁界に対して、TMR素子
からの出力を取出すプローブの配置のみを規定している
に過ぎない。
An example of the above-mentioned TMR element sensitive characteristic evaluation device is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 9-283578, and this known evaluation device is formed between magnetic poles by a pair of solenoids. It only specifies the placement of the probe that extracts the output from the TMR element with respect to the magnetic field.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】それゆえ、公知の評価
装置にあっては、ウエハを載置するテーブルを有したX
YZステージと、ソレノイドとの関係が具体的ではな
く、その実現性に乏しい。すなわち、TMR素子の感応特
性評価を高精度に実施するには、ウエハの表面に沿って
TMR素子を横切るような磁界を均一に形成する必要があ
るが、このためには、ウエハの直上にて一対の磁極を水
平方向に対向配置する一方、これら磁極間の磁気ギャッ
プを大きく確保しなければならない。
Therefore, in the known evaluation apparatus, an X having a table on which a wafer is placed is used.
The relationship between the YZ stage and the solenoid is not concrete and its feasibility is poor. That is, in order to perform the sensitive characteristic evaluation of the TMR element with high accuracy,
It is necessary to form a uniform magnetic field across the TMR element.To this end, a pair of magnetic poles must be horizontally opposed to each other directly above the wafer, and a large magnetic gap between these magnetic poles must be secured. I have to.

【0006】しかしながら、磁気ギャップの拡大に伴
い、磁極間に所望の磁界強度を有した均一磁界を安定し
て発生させるには大径のソレノイドが必要不可欠とな
り、このようなソレノイドの大径化は、ソレノイドとX
YZステージ上のウエハとの干渉を招き、ウエハの移動
範囲を大きく制約する。この結果、公知の感応特性評価
装置では、ウエハ上の全てのTMR素子に対して感応特性
評価を実施するのは非常に困難である。
However, with the expansion of the magnetic gap, a large-diameter solenoid is indispensable for stably generating a uniform magnetic field having a desired magnetic field strength between the magnetic poles. , Solenoid and X
This causes interference with the wafer on the YZ stage and greatly restricts the movement range of the wafer. As a result, it is very difficult to perform the sensitivity characteristic evaluation on all the TMR elements on the wafer with the known sensitivity characteristic evaluation device.

【0007】また、高精度な感応特性の評価のために
は、TMR素子を横切る磁界を正確に形成し、また、TMR素
子に対するプローブの接触を確実に保証すべきである
が、これらを実現するための工夫に関しても、公知の感
応特性評価装置は何等開示していない。本発明は、上述
の事情に基づいてなされたもので、その目的とするとこ
ろは、磁気抵抗素子の感応特性評価を高精度に実施する
うえで、高い実現性を有する磁気抵抗素子の感応特性評
価装置を提供することにある。
Further, in order to evaluate the sensitive characteristics with high accuracy, it is necessary to accurately form a magnetic field that traverses the TMR element and ensure the contact of the probe with the TMR element. With respect to the devising for this, no publicly-known sensitive characteristic evaluation device is disclosed. The present invention has been made based on the above-mentioned circumstances, and an object thereof is to evaluate the sensitivity characteristic of a magnetoresistive element, which has high feasibility in highly sensitively evaluating the sensitivity characteristic of the magnetoresistive element. To provide a device.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、多数の磁気抵抗素子が形成されたウエハ
を載置し、このウエハを所定温度まで加熱可能なウエハ
テーブルと、ウエハテーブルを前後左右上下の3軸方向
に加え、水平面内にて回転させることで、ウエハの任意
の磁気抵抗素子を検査位置に位置付けて検査対象素子と
するテーブル移動手段と、検査位置の上方に配置され、
検査対象素子を任意の方向に横切る水平な外部磁界を形
成する電磁石ユニットと、検査対象素子の入出力端子に
電気的に接触可能な複数のプローブを有し、これらプロ
ーブを通じて検査対象素子に所望の入力を印加可能であ
るとともに、外部磁界に対する検査対象素子の感応出力
を取出すプローブホルダとを備え、請求項1の評価装置
は電磁石ユニットの構成に特徴を有する。
In order to achieve the above object, the present invention provides a wafer table on which a wafer on which a large number of magnetoresistive elements are formed is placed, and which wafer can be heated to a predetermined temperature, and a wafer. The table is moved in the horizontal plane in the front, rear, left, right, up, and down directions, and is rotated in a horizontal plane, thereby arranging any magnetoresistive element of the wafer at the inspection position to be the element to be inspected, and the table moving means and arranged above the inspection position. Is
It has an electromagnet unit that forms a horizontal external magnetic field that crosses the element to be inspected in an arbitrary direction, and a plurality of probes that can electrically contact the input / output terminals of the element to be inspected. The evaluation device according to claim 1 is characterized in that the input device can be applied and the probe holder that extracts the sensitive output of the element to be inspected with respect to an external magnetic field is provided.

【0009】すなわち、請求項1の電磁石ユニットは、
検査位置上方の水平面に配置され、対向する一対のコア
およびこれらコアにそれぞれ装着されたソレノイドを有
する電磁石と、各コアから検査位置に向けてそれぞれ延
び、ソレノイドの径方向でみて先端同士がソレノイドの
外周を越えた検査位置の直上にて磁極として近接対向す
る延長磁路形成部材とを含んでいる。
That is, the electromagnet unit according to claim 1 is
An electromagnet having a pair of cores facing each other and solenoids attached to the cores, which are arranged on a horizontal plane above the inspection position, and extend from each core toward the inspection position. An extended magnetic path forming member that closely faces and faces as a magnetic pole immediately above the inspection position beyond the outer circumference is included.

【0010】上述の感応特性評価装置によれば、電磁石
の一対の磁極はそのソレノイドの外周よりもウエハテー
ブル側に位置付けられているので、ウエハテーブル上の
ウエハはソレノイドと干渉することなく、テーブル移動
手段によりウエハ上の任意の磁気抵抗素子を検査位置に
位置付け可能となる。具体的には、電磁石ユニット(請
求項2)は、電磁石の一方の磁極に設けられ、磁極間の
磁界強度を測定するためのホール素子と、ホール素子を
冷却する冷却手段とをさらに含んでいる。
According to the above-mentioned sensitive characteristic evaluation apparatus, since the pair of magnetic poles of the electromagnet are positioned closer to the wafer table side than the outer circumference of the solenoid, the wafer on the wafer table moves without interfering with the solenoid. The means makes it possible to position an arbitrary magnetoresistive element on the wafer at the inspection position. Specifically, the electromagnet unit (claim 2) further includes a Hall element that is provided on one magnetic pole of the electromagnet and that measures the magnetic field strength between the magnetic poles, and a cooling unit that cools the Hall element. .

【0011】ホール素子はその出力が温度上昇により変
化するため、冷却手段によりホール素子が冷却されるこ
とで、ホール素子の出力は電磁石が形成する磁界の強度
を正確に示すことになる。具体的には、冷却手段(請求
項3)は、ホール素子を有する延長磁路形成部材の先端
部に密着し、内部に冷媒通路を有した冷却ブロックと、
ホール素子の熱を冷却ブロックに伝達する熱伝達経路と
を含むことができる。この場合、ホール素子は冷却ブロ
ックにより熱伝達経路を介して冷却され、その温度上昇
が抑制される。
Since the output of the Hall element changes due to the temperature rise, the Hall element is cooled by the cooling means, so that the output of the Hall element accurately indicates the strength of the magnetic field formed by the electromagnet. Specifically, the cooling means (claim 3) is a cooling block which is in close contact with the distal end portion of the extended magnetic path forming member having a Hall element and has a refrigerant passage therein,
And a heat transfer path for transferring heat of the Hall element to the cooling block. In this case, the Hall element is cooled by the cooling block via the heat transfer path, and its temperature rise is suppressed.

【0012】より好ましくは、冷却ブロック(請求項
4)は、各延長磁路形成部材の先端間に跨って装着さ
れ、プローブホルダの挿通を許容する挿通孔を有した形
状をなしている。この場合、冷却ブロックの熱容量が大
きく確保され、冷却ブロックはホール素子を効率的に冷
却する。さらに、冷却手段(請求項5)は、磁極とホー
ル素子との間に断熱層を含んでいるのが好ましい。この
場合、断熱層は、延長磁路形成部材からホール素子に伝
達される熱を遮断し、ホール素子の加熱を防止する。
More preferably, the cooling block (claim 4) is mounted so as to straddle between the tips of the respective extension magnetic path forming members, and has a shape having an insertion hole for allowing the insertion of the probe holder. In this case, a large heat capacity of the cooling block is ensured, and the cooling block efficiently cools the Hall element. Further, the cooling means (claim 5) preferably includes a heat insulating layer between the magnetic pole and the Hall element. In this case, the heat insulating layer blocks the heat transferred from the extended magnetic path forming member to the Hall element and prevents the Hall element from being heated.

【0013】プローブホルダ(請求項6,7)は、磁極
間にて形成される磁気ギャップまたは冷却ブロックの挿
通孔内を延び、その下端面にプローブを備えた中空のプ
ローブ挿入体を有する。このようなプローブ挿入体によ
れば、延長磁路形成部材や冷却ブロックの存在に拘わり
なく、その下端面のプローブを検査対象素子の入出力端
子に接触させることができる。
The probe holder (claims 6 and 7) has a hollow probe insert body extending in the magnetic gap formed between the magnetic poles or the insertion hole of the cooling block and having a probe at the lower end surface thereof. According to such a probe insert, the probe on the lower end surface can be brought into contact with the input / output terminal of the inspection target element regardless of the presence of the extension magnetic path forming member and the cooling block.

【0014】さらに、感応特性評価装置は、プローブ挿
入体内を通じて検査対象素子およびプローブの先端を撮
像する撮像手段をさらに備えることができ、この撮像手
段(請求項8)は、プローブホルダの上方に配置され、
プローブ挿入体と同軸の鏡筒およびCCDカメラを有し
たカメラユニットと、一端にてカメラユニットを支持す
る一方、他端を中心としてカメラユニットの水平方向の
回動を許容する取付けアーム(回動アーム)とを含む。
Further, the sensitive characteristic evaluation apparatus can further comprise an image pickup means for picking up an image of the element to be inspected and the tip of the probe through the probe insertion body, and the image pickup means (claim 8) is arranged above the probe holder. Is
A camera unit having a lens barrel coaxial with the probe insertion body and a CCD camera, and a mounting arm (rotating arm) that supports the camera unit at one end and allows the camera unit to horizontally rotate about the other end. ) And.

【0015】このようにしてカメラユニットが配置され
ていると、プローブ挿入体、つまり、プローブホルダの
交換時、カメラユニットは取付けアームを介し水平方向
に回動されてプローブホルダの上方から退避し、これに
より、カメラユニットの存在に拘わりなくプローブホル
ダへのアクセスが許容される。感応特性評価装置(請求
項9)は、装置ベースと、装置ベースと電磁石ユニット
との間を連結し、電磁石ユニットを支持する支柱と、装
置ベースに振動吸収部材を介して支持され、テーブル移
動手段およびプローブホルダの荷重を受ける載置台とを
さらに備えている。この場合、通電時における電磁石ユ
ニットの振動は振動吸収部材により遮断され、電磁石ユ
ニットの振動が載置台に伝達されることはない。
When the camera unit is arranged in this way, when the probe insert body, that is, the probe holder is replaced, the camera unit is horizontally rotated through the mounting arm and retracted from above the probe holder, This allows access to the probe holder regardless of the presence of the camera unit. The sensitive characteristic evaluation device (claim 9) includes a device base, a support column that connects the device base and the electromagnet unit, and supports the electromagnet unit, and is supported by the device base via a vibration absorbing member. And a mounting table for receiving the load of the probe holder. In this case, the vibration of the electromagnet unit during energization is blocked by the vibration absorbing member, and the vibration of the electromagnet unit is not transmitted to the mounting table.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】図1を参照すると、磁気抵抗素子
の感応特性評価装置は装置ベースとしての基台2を備え
ており、この基台2は複数の伸縮可能な脚4を介してフ
ロアF上に配置されている。なお、基台2の下面には複
数のキャスタ6が取付けられ、これらキャスタ6は各脚
4が収縮されたときにフロアFに接地し、評価装置の移
動を可能にする。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Referring to FIG. 1, a magnetoresistive element sensitivity characteristic evaluation apparatus is provided with a base 2 as an apparatus base, and the base 2 is provided with a plurality of extendable legs 4 on a floor. It is located on F. A plurality of casters 6 are attached to the lower surface of the base 2, and the casters 6 are grounded on the floor F when the legs 4 are contracted, and the evaluation device can be moved.

【0017】基台2上には振動吸収部材として6つのエ
アクッション8が配置されており、これらエアクッショ
ン8に載置台としてのステージ台10が支持されてい
る。ステージ台10の上方にはウエハテーブル12が配
置され、このウエハテーブル12の上面は多数の吸着孔
(図示しない)を有するサクション面として形成されて
いる。
Six air cushions 8 are arranged on the base 2 as vibration absorbing members, and a stage base 10 as a mounting base is supported on the air cushions 8. A wafer table 12 is arranged above the stage table 10, and the upper surface of the wafer table 12 is formed as a suction surface having a large number of suction holes (not shown).

【0018】ウエハテーブル12はテーブル移動機構1
4を介しステージ台10に支持されている。より詳しく
は、テーブル移動機構14はその下部にXYステージ1
6を備え、このXYステージ16がステージ台10上に
配置されている。XYステージ16はその上側および下
側にそれぞれ可動ステージ18,20を有し、下側の可
動ステージ18は直動ガイド24を介してステージ台1
0に支持され、一方、上側の可動ステージ20は直動ガ
イド24とは直交する直動ガイド26を介して可動ステ
ージ18上に支持されてている。
The wafer table 12 is a table moving mechanism 1.
It is supported by the stage base 10 via the unit 4. More specifically, the table moving mechanism 14 has a XY stage 1 at the bottom thereof.
6, the XY stage 16 is arranged on the stage base 10. The XY stage 16 has movable stages 18 and 20 on its upper side and lower side, respectively, and the lower movable stage 18 is provided with a stage guide 1 via a linear guide 24.
On the other hand, the upper movable stage 20 is supported on the movable stage 18 via a linear motion guide 26 that is orthogonal to the linear motion guide 24.

【0019】また、可動ステージ18,20はその直動
ガイド24,26と平行に延びるフィードスクリュー2
8,30(図2参照)を備えており,これらフィードス
クリュー28,30はステップモータ32,34にそれ
ぞれ連結されている。ステップモータ32,34はフィ
ードスクリュー28,30を正逆方向に回転させ、これ
らフィードスクリュー28,30の回転により、上側お
よび下側の可動ステージ18,20は水平面内にて互い
に直交する2方向、すなわちXY方向に独立して移動す
ることができ、そして、これら可動ステージ18,20
の移動が組み合わされることで、上側の可動ステージ2
0を所望位置に位置付け可能である。
Further, the movable stages 18 and 20 have feed screws 2 extending parallel to the linear motion guides 24 and 26.
8 and 30 (see FIG. 2), these feed screws 28 and 30 are connected to step motors 32 and 34, respectively. The step motors 32 and 34 rotate the feed screws 28 and 30 in the forward and reverse directions, and the rotations of the feed screws 28 and 30 cause the upper and lower movable stages 18 and 20 to be orthogonal to each other in two directions in a horizontal plane. That is, the movable stages 18 and 20 can be moved independently in the XY directions.
Of the upper movable stage 2
It is possible to position 0 at the desired position.

【0020】上側の可動ステージ20上にはZ軸ステー
ジ36およびθ軸ステージ38が順次配置され、そし
て、θ軸ステージ38上に吸着/ヒータユニット40を
介して、前述のウエハテーブル12が取付けられてい
る。Z軸ステージ36はジャッキ機構を内蔵し、θ軸ス
テージ38を所定の範囲内で昇降させることができる。
一方、θ軸ステージ38は吸着/ヒータユニット40と
ともに、ウエハテーブル12を所定の回転角の範囲内に
て回転させることができる。さらに、吸着/ヒータユニ
ット40はその内部にサクション室および電気ヒータ
(何れも図示しない)を内蔵し、サクション室はウエハ
テーブル12の吸着孔にサクション圧を供給し、一方、
電気ヒータはウエハテーブル12を所定温度、例えば2
00℃まで加熱することができる。
A Z-axis stage 36 and a θ-axis stage 38 are sequentially arranged on the upper movable stage 20, and the above-mentioned wafer table 12 is mounted on the θ-axis stage 38 via an adsorption / heater unit 40. ing. The Z-axis stage 36 has a built-in jack mechanism and can move the θ-axis stage 38 up and down within a predetermined range.
On the other hand, the θ-axis stage 38, together with the suction / heater unit 40, can rotate the wafer table 12 within a predetermined rotation angle range. Further, the suction / heater unit 40 has a suction chamber and an electric heater (neither shown) built therein, and the suction chamber supplies suction pressure to the suction holes of the wafer table 12, while
The electric heater moves the wafer table 12 to a predetermined temperature, for example, 2
It can be heated to 00 ° C.

【0021】なお、上述したテーブル移動機構14は測
定コントローラ(図示しない)に電気的に接続され、こ
の測定コントローラにより各ステージ18,20,3
6,38や吸着/ヒータユニット40の動作が制御され
る。図2に示すようにウエハテーブル12はP1位置に
て、その上面に半導体からなるウエハWの供給を受け
る。ウエハWはウエハテーブル12の上面、つまり、サ
クション面に吸着保持され、そして、ウエハテーブル1
2を介してたとえば200℃に加熱される。この後、X
Yステージ16の作動を受け、ウエハテーブル12はウ
エハWとともに、P1位置からP2位置を経てP3位置に
至るような略L字状の移動経路を移動する。ウエハWの
移動中、Z軸ステージ36はθ軸ステージ38、すなわ
ち、ウエハテーブル12を降下させているが、P3位置
にてウエハテーブル12を上昇させることで、ウエハW
の上面を検査位置レベルに位置付けることができる。
The table moving mechanism 14 described above is electrically connected to a measurement controller (not shown), and each stage 18, 20, 3 is connected by this measurement controller.
The operations of 6, 38 and the adsorption / heater unit 40 are controlled. As shown in FIG. 2, the wafer table 12 is supplied with the wafer W made of semiconductor on its upper surface at the position P 1 . The wafer W is suction-held on the upper surface of the wafer table 12, that is, the suction surface, and the wafer table 1
It is heated to 200 ° C. via 2, for example. After this, X
In response to the operation of the Y stage 16, the wafer table 12 moves together with the wafer W in a substantially L-shaped movement path from the P 1 position to the P 2 position to the P 3 position. While the wafer W is moving, the Z-axis stage 36 lowers the θ-axis stage 38, that is, the wafer table 12, but by raising the wafer table 12 at the P 3 position, the wafer W is moved.
The upper surface of the can be positioned at the inspection position level.

【0022】ここで、ウエハWには、磁気抵抗素子、つ
まり、前述したTMR素子が集積して形成されており、こ
れらTMR素子は格子状に配列されている。より詳しく
は、図3に示すように各TMR素子Eはその近傍に所定の
配列パターンにしたがって、たとえば4つの入出力端子
Tを備えており、これら入出力端子TはウエハWの上面
に露出した状態にある。なお、入出力端子Tを含む個々
のTMR素子Eの形成領域はたとえば0.4×0.4mmの
領域内に収められている。
Here, on the wafer W, magnetoresistive elements, that is, the above-mentioned TMR elements are formed in an integrated manner, and these TMR elements are arranged in a lattice pattern. More specifically, as shown in FIG. 3, each TMR element E has, for example, four input / output terminals T in the vicinity thereof according to a predetermined array pattern, and these input / output terminals T are exposed on the upper surface of the wafer W. Is in a state. The formation region of each TMR element E including the input / output terminal T is accommodated within a region of 0.4 × 0.4 mm, for example.

【0023】P3位置にあるウエハテーブル12の直上
には、図1に示されるような箱状の電磁石ユニット42
が配置されており、電磁石ユニット42は、基台2から
立設した4本の支柱44に正方形の枠46を介して支持
されている。図2でみて、電磁石ユニット42は前述し
たP2位置とP3位置との間のほぼ中央に位置し、ウエハ
テーブル12上のウエハWの全てのポイントに磁界を印
加可能である。
Directly above the wafer table 12 at the P 3 position is a box-shaped electromagnet unit 42 as shown in FIG.
Are arranged, and the electromagnet unit 42 is supported by four columns 44 standing from the base 2 via a square frame 46. As shown in FIG. 2, the electromagnet unit 42 is located substantially in the center between the above-described P 2 position and P 3 position, and can apply a magnetic field to all points of the wafer W on the wafer table 12.

【0024】図4および図5に示されるように、電磁石
ユニット42は磁性材料からなる正方形のフレーム48
を有し、このフレーム48の各内壁からはコア50がそ
れぞれ突出されている。これらコア50は同一の水平面
内に配置され、各コア50にソレノイド52がそれぞれ
装着されている。すなわち、互いに対向するコア50お
よびこれらコア50に装着されたソレノイド52は電磁
石を構成し、電磁石ユニット42は2つの電磁石を含ん
でいる。
As shown in FIGS. 4 and 5, the electromagnet unit 42 includes a square frame 48 made of a magnetic material.
The core 50 projects from each inner wall of the frame 48. These cores 50 are arranged in the same horizontal plane, and solenoids 52 are attached to each core 50. That is, the cores 50 facing each other and the solenoids 52 mounted on these cores 50 constitute an electromagnet, and the electromagnet unit 42 includes two electromagnets.

【0025】さらに、各電磁石のソレノイド52は冷却
パイプからなる冷却ジャケット54によりそれぞれ囲ま
れており、これら冷却ジャケット54は冷却パイプに冷
媒としての冷却水が供給されることで、対応するソレノ
イド52を冷却する。各電磁石においては、その各コア
50からフレーム48の中央に向けて延長磁路形成部
材、つまり、ヨーク56がそれぞれ延び、これらヨーク
56の先端はフレーム48の中央にて近接対向する一対
の磁極58を形成し、各電磁石の一対の磁極58はその
対向方向が互いに直交する。ここで、各対の磁極58間
にはたとえば30mmの磁気ギャップが形成されている。
なお、各電磁石は前述した測定コントローラに電気的に
接続され、この測定コントローラにより各電磁石への通
電が制御される。磁極58は、対向する2極を一組とし
て直交する位置に配置され、合計2組でウエハWの面内
に磁界を印加し、2組の磁極が発生する磁界強さの比を
変えることにより、任意の方向に磁界を発生させること
ができる。
Further, the solenoid 52 of each electromagnet is surrounded by a cooling jacket 54 composed of a cooling pipe, and the cooling jacket 54 is supplied with cooling water as a refrigerant, so that the corresponding solenoid 52 can be operated. Cooling. In each electromagnet, an extension magnetic path forming member, that is, a yoke 56 extends from each core 50 toward the center of the frame 48, and the tips of these yokes 56 are paired with a pair of magnetic poles 58 that closely oppose each other in the center of the frame 48. And a pair of magnetic poles 58 of each electromagnet have their facing directions orthogonal to each other. Here, a magnetic gap of, for example, 30 mm is formed between each pair of magnetic poles 58.
In addition, each electromagnet is electrically connected to the above-described measurement controller, and the measurement controller controls the energization of each electromagnet. The magnetic poles 58 are arranged in orthogonal positions with two opposing magnetic poles as a set, and a total of two magnetic poles are applied to the surface of the wafer W to change the ratio of the magnetic field strengths generated by the two magnetic poles. , A magnetic field can be generated in any direction.

【0026】ヨーク56に関して詳述すると、各ヨーク
56はコア50からソレノイド52の外周、つまり、フ
レーム48の下面を越えて垂直に下降する垂直部分56
Vと、この垂直部分56Vの下端からフレーム48の中央
に向けて水平に延びる水平部分56Hとを有し、図5か
ら明かなように水平部分56Hはフレーム48の中央に
向けて先細状となっている。したがって、前述した磁極
58はソレノイド52の径方向でみて、ソレノイド52
の外周よりも下方に位置付けられている。
In detail regarding the yokes 56, each yoke 56 is a vertical portion 56 that vertically descends from the core 50 to the outer periphery of the solenoid 52, that is, beyond the lower surface of the frame 48.
V and a horizontal portion 56 H extending horizontally from the lower end of the vertical portion 56 V toward the center of the frame 48. As is clear from FIG. 5, the horizontal portion 56 H is tapered toward the center of the frame 48. It is in a state. Therefore, when the magnetic pole 58 described above is viewed in the radial direction of the solenoid 52,
Is located below the outer circumference of the.

【0027】なお、各コア50にはヨーク56側の端部
に消磁コイル60がそれぞれ装着され、これら消磁コイ
ル60はヨーク56の残留磁場を除去するために使用さ
れる。さらに、各ヨーク56の先端部にはその上面に磁
極58に向けて下方に傾斜した受け面62(図4)が形
成され、これらヨーク56の受け面62に冷却ブロック
64(図5)が密着した状態で装着されている。
A degaussing coil 60 is attached to each core 50 at the end on the yoke 56 side, and these degaussing coils 60 are used to remove the residual magnetic field of the yoke 56. Further, a receiving surface 62 (FIG. 4) which is inclined downward toward the magnetic pole 58 is formed on the top surface of each yoke 56, and a cooling block 64 (FIG. 5) is closely attached to the receiving surface 62 of these yokes 56. It is installed in the state.

【0028】冷却ブロック64は熱伝導性に優れた真鍮
からなり、図6に示されるように下向きの四角錐台形状
をなしている。冷却ブロック64の中央には正方形の挿
通孔66が形成され、挿通孔66は冷却ブロック64を
上下に貫通している。挿通孔66内には隣接する一対の
内壁にセンサホルダ68がそれぞれ取付けられている。
これらセンサホルダ68は長尺なプレート状をなし、冷
却ブロック64の上面から下面を越えて延び、冷却ブロ
ック64の下方に突出している。
The cooling block 64 is made of brass having excellent heat conductivity and has a downward facing truncated pyramid shape as shown in FIG. A square insertion hole 66 is formed in the center of the cooling block 64, and the insertion hole 66 penetrates the cooling block 64 vertically. Sensor holders 68 are attached to a pair of inner walls adjacent to each other in the insertion hole 66.
These sensor holders 68 have an elongated plate shape, extend from the upper surface of the cooling block 64 over the lower surface, and project below the cooling block 64.

【0029】さらに、冷却ブロック64内には冷媒通路
70が形成されており、冷媒通路70は冷却ブロック6
4の対角上に位置した角部にそれそれ開口する入口72
および出口74を有している。より詳しくは、図7に示
されるように冷媒通路70は入口72から一対のセンサ
ホルダ68の近傍を順次通過した後、出口74に向けて
延びている。
Further, a cooling medium passage 70 is formed in the cooling block 64, and the cooling medium passage 70 is formed in the cooling block 6.
Inlet 72 opening at each corner located on the diagonal of 4
And an outlet 74. More specifically, as shown in FIG. 7, the refrigerant passage 70 sequentially passes from the inlet 72 in the vicinity of the pair of sensor holders 68 and then extends toward the outlet 74.

【0030】なお、図7中、参照符号76は冷却ブロッ
ク64をヨーク56の受け面62に固定するボルトの挿
通孔を示し、参照符号78は冷媒通路70の形成に使用
した孔を閉塞するためのプラグを示している。冷媒通路
70の入口72および出口74には冷却液の導入管80
および排出管82(図5参照)がそれぞれ接続されてお
り、これら導入管80および排出管82が冷却液循環装
置(図示しない)に接続されている。したがって、冷却
ブロック64は冷却液循環装置により循環される冷却液
の供給を受けて冷却される。
In FIG. 7, reference numeral 76 indicates an insertion hole of a bolt for fixing the cooling block 64 to the receiving surface 62 of the yoke 56, and reference numeral 78 closes the hole used for forming the refrigerant passage 70. Shows the plug. At the inlet 72 and the outlet 74 of the refrigerant passage 70, a coolant introduction pipe 80 is provided.
And a discharge pipe 82 (see FIG. 5) are connected to each other, and the introduction pipe 80 and the discharge pipe 82 are connected to a cooling liquid circulation device (not shown). Therefore, the cooling block 64 is cooled by receiving the supply of the cooling liquid circulated by the cooling liquid circulation device.

【0031】図8に示されるように、冷却ブロック64
が各ヨーク56の受け面62に装着されたとき、冷却ブ
ロック64の上面はヨーク56の上面と面一となり、そ
して、冷却ブロック64の下面から突出した一対のセン
サホルダ68の下端部は対応するヨーク56の磁極58
に隣接して位置付けられる。図9から明かなように各セ
ンサホルダ68は熱伝導性に優れた真鍮製のホルダプレ
ート84を有し、ホルダプレート84は冷却ブロック6
4の内面からヨーク56の磁極58に亘って密着し、冷
却ブロック64に取付けねじ(図示しない)を介して固
定されている。ホルダプレート84は耐熱性を有したカ
バー86により覆われ、カバー86とホルダプレート8
4との間にて素子基板88の挿入空間が形成されてい
る。素子基板88は熱伝導性に優れた材料からなり、そ
の下端にホール素子90を有している。ホール素子90
は磁極58間に形成される磁界強度を測定し、その測定
結果が素子基板88を介して測定コントローラに出力さ
れる。これにより、測定コントローラはホール素子90
からの出力に基づき、電磁石ユニット42における各電
磁石への通電を制御し、その磁極58間に所望の水平磁
界を形成する。
As shown in FIG. 8, a cooling block 64
Is attached to the receiving surface 62 of each yoke 56, the upper surface of the cooling block 64 is flush with the upper surface of the yoke 56, and the lower end portions of the pair of sensor holders 68 protruding from the lower surface of the cooling block 64 correspond to each other. Magnetic pole 58 of the yoke 56
Located adjacent to. As is clear from FIG. 9, each sensor holder 68 has a brass holder plate 84 having excellent thermal conductivity, and the holder plate 84 is the cooling block 6.
It is in close contact with the magnetic pole 58 of the yoke 56 from the inner surface of 4, and is fixed to the cooling block 64 via mounting screws (not shown). The holder plate 84 is covered with a heat-resistant cover 86, and the cover 86 and the holder plate 8 are
4 and an insertion space for the element substrate 88 are formed between them. The element substrate 88 is made of a material having excellent thermal conductivity, and has a Hall element 90 at its lower end. Hall element 90
Measures the magnetic field strength formed between the magnetic poles 58, and the measurement result is output to the measurement controller via the element substrate 88. As a result, the measurement controller causes the hall element
On the basis of the output from, the energization of each electromagnet in the electromagnet unit 42 is controlled to form a desired horizontal magnetic field between the magnetic poles 58.

【0032】さらに、図9に示されるように磁極58と
ホルダプレート84との間にはセラミックからなる断熱
シート92が配置され、この断熱シート92は磁極58
に貼り付けられている。一方、冷却ブロック64の挿通
孔66にはセラミック製のプローブホルダ94が挿通さ
れている。より詳しくは、プローブホルダ94は、挿通
孔66に挿通可能なプローブ挿入体96を有し、このプ
ローブ挿入体96はその中央に貫通孔97を有し、中空
形状をなしている。プローブ挿入体96の上端は冷却ブ
ロック64から突出し、この上端に取付けフランジ98
が一体に形成されている。ブロー挿入体96の下端面は
ヨーク56の下面、すなわち、磁極58の下縁と面一に
位置付けられ、この下端面から複数のタングステン製の
プローブ100が突出されている。これらプローブ10
0の本数は前述したTMR素子Eにおける入出力端子Tの
個数と同数であり、その配列パターンもまた入出力端子
Tの配列パターンと同一である。
Further, as shown in FIG. 9, a heat insulating sheet 92 made of ceramic is disposed between the magnetic pole 58 and the holder plate 84, and this heat insulating sheet 92 is used for the magnetic pole 58.
Pasted on. On the other hand, a ceramic probe holder 94 is inserted through the insertion hole 66 of the cooling block 64. More specifically, the probe holder 94 has a probe insert 96 that can be inserted into the insert hole 66, and this probe insert 96 has a through hole 97 in the center thereof and is hollow. The upper end of the probe insert 96 projects from the cooling block 64, and the mounting flange 98 is attached to this upper end.
Are integrally formed. The lower end surface of the blow insert 96 is positioned flush with the lower surface of the yoke 56, that is, the lower edge of the magnetic pole 58, and a plurality of tungsten probes 100 are projected from this lower end surface. These probes 10
The number of 0s is the same as the number of the input / output terminals T in the TMR element E described above, and the array pattern thereof is also the same as the array pattern of the input / output terminals T.

【0033】プローブ100はプローブホルダ94を介
して測定コントローラに電気的に接続され、また、図8
中、参照符号Gはプローブ100の先端間のギャップを
拡大して示している。図8から明らかなようにプローブ
ホルダ94はその取付けフランジ98を介して、取付け
プレート102の段付き装着孔に取付けられ、そして、
取付けプレート102は複数の支持フィンガ104上に
配置されている。より詳しくは、取付けフランジ98は
位置決めピン106を介して取付けプレート102に位
置決めされ、そして、締付けボルト108のねじ込みに
よりクリップ110を介して取付けプレート102に保
持されている。
The probe 100 is electrically connected to the measurement controller via the probe holder 94, and also shown in FIG.
In the figure, the reference symbol G indicates an enlarged gap between the tips of the probe 100. As is apparent from FIG. 8, the probe holder 94 is attached to the stepped mounting hole of the mounting plate 102 through its mounting flange 98, and
The mounting plate 102 is arranged on a plurality of support fingers 104. More specifically, the mounting flange 98 is positioned on the mounting plate 102 via locating pins 106 and is retained on the mounting plate 102 via clips 110 by screwing in the tightening bolts 108.

【0034】一方、各支持フィンガ104は電磁石ユニ
ット42の外側からヨーク56を避けた状態で、取付け
プレート102に向けて水平に延び、その基端は図1に
示されるように水平な支持枠112に取付けられてい
る。支持枠112はたとえば4本の支持ロッド114を
介してステージ台10に支持されている。さらに、図1
に示されるようにプローブホルダ94の上方にはカメラ
ユニット116が配置されており、カメラユニット11
6はズーム鏡筒118と、ズーム鏡筒118の上端に取
付けられたCCDカメラ120とを含んでいる。ズーム
鏡筒118はプローブ挿入体96の貫通孔97と同軸上
に位置した状態でヨーク56により囲まれており、そし
て、CCDカメラ120はズーム鏡筒118を通じて撮
像した画像をモニタ(図示しない)に出力可能である。
On the other hand, each of the supporting fingers 104 extends horizontally toward the mounting plate 102 from the outside of the electromagnet unit 42 while avoiding the yoke 56, and its base end is a horizontal supporting frame 112 as shown in FIG. Installed on. The support frame 112 is supported by the stage base 10 via, for example, four support rods 114. Furthermore, FIG.
The camera unit 116 is arranged above the probe holder 94 as shown in FIG.
Reference numeral 6 includes a zoom lens barrel 118 and a CCD camera 120 attached to the upper end of the zoom lens barrel 118. The zoom lens barrel 118 is surrounded by the yoke 56 while being positioned coaxially with the through hole 97 of the probe insert 96, and the CCD camera 120 displays the image captured through the zoom lens barrel 118 on a monitor (not shown). Output is possible.

【0035】さらに、図10に示されるように、カメラ
ユニット116はそのズーム鏡筒118の上部が回動ア
ーム122の先端に取付けられ、回動アーム122はそ
の基端がブラケット124に水平面内にて回動可能に取
付けられている。ブラケット124は電磁石ユニット4
2の直上を延び、電磁石42の側方に配置された支柱1
26の上端に取付けられている。
Further, as shown in FIG. 10, the camera unit 116 has the upper part of the zoom lens barrel 118 attached to the tip of the rotary arm 122, and the base end of the rotary arm 122 is mounted on the bracket 124 in a horizontal plane. Is rotatably attached. The bracket 124 is the electromagnet unit 4
The column 1 that extends directly above the column 2 and is arranged beside the electromagnet 42
It is attached to the upper end of 26.

【0036】上述した感応特性評価装置によれば、P3
位置に位置付けられたウエハWは、XYステージ16お
よびθ軸ステージ38の作動を介して所望のTMR素子E
がプローブホルダ94のプローブ100の直下、つま
り、検査位置の直下に検査対象素子として位置付けられ
る。この後、Z軸ステージ36によりウエハW、つま
り、その検査対象素子が検査位置に上昇され、この検査
位置にて、プローブホルダ94の各プローブ100は検
査対象素子の対応する入出力端子Tにそれぞれ接触し、
プローブ100と入出端子Tとの電気的な接続が確立さ
れる。
According to the above-mentioned sensitive characteristic evaluation device, P 3
The wafer W positioned at the position is moved to the desired TMR element E through the operation of the XY stage 16 and the θ axis stage 38.
Is positioned as an inspection target element immediately below the probe 100 of the probe holder 94, that is, immediately below the inspection position. Thereafter, the wafer W, that is, the inspection target element is raised to the inspection position by the Z-axis stage 36, and at this inspection position, each probe 100 of the probe holder 94 is respectively connected to the corresponding input / output terminal T of the inspection target element. Contact,
The electrical connection between the probe 100 and the input / output terminal T is established.

【0037】この際、前述したカメラユニット116の
CCDカメラ120にて、プローブ100と入出力端子
Tとの間の接触状態がプローブホルダ94の貫通孔97
を通じて撮像され、その画像がモニタに出力される。こ
のモニタの出力画像からプローブ100と入出力端子T
との間の接触状態が不完全であると判定された場合に
は、測定コントローラを介してウエハWを一旦下降さ
せ、そして、前記接触状態を完全にすべくXYステージ
16又はθ軸ステージ38を介してウエハWの位置を微
調整し、検査対象素子をその検査位置に正確に位置付け
る。
At this time, in the CCD camera 120 of the camera unit 116 described above, the contact state between the probe 100 and the input / output terminal T is determined by the through hole 97 of the probe holder 94.
The image is output through the monitor and the image is output to the monitor. From the output image of this monitor, the probe 100 and the input / output terminal T
When it is determined that the contact state between the wafer W and the substrate is incomplete, the wafer W is once lowered via the measurement controller, and the XY stage 16 or the θ-axis stage 38 is moved to complete the contact state. The position of the wafer W is finely adjusted to accurately position the inspection target element at the inspection position.

【0038】この状態で、検査対象素子の所定の入出力
端子Tにプローブ100を通じて必要な入力が加えられ
る一方、電磁石ユニット42の一方の電磁石に通電され
る。この通電を受けて、電磁石の一対の磁極58間に磁
界が形成され、この磁界は検査対象素子を所望の水平方
向から横切る。ここで、磁極58間に形成された磁界強
度は対応する側のセンサホルダ68のホール素子90に
より測定され、ホール素子90からの出力により電磁石
への通電が制御される結果、磁極58間に所望の磁界を
形成することができる。
In this state, a required input is applied to a predetermined input / output terminal T of the element to be inspected through the probe 100, while one of the electromagnets of the electromagnet unit 42 is energized. In response to this energization, a magnetic field is formed between the pair of magnetic poles 58 of the electromagnet, and the magnetic field traverses the element to be inspected in the desired horizontal direction. Here, the magnetic field strength formed between the magnetic poles 58 is measured by the Hall element 90 of the corresponding sensor holder 68, and the output from the Hall element 90 controls the energization of the electromagnet. Magnetic field can be generated.

【0039】このような外部磁界が検査対象素子を横切
ると、検査対象素子における磁気抵抗等の特性が変化
し、この変化が所定の入出力端子Tからプローブ100
を通じて測定コントローラに出力される。この結果、測
定コントローラはプローブ100からの出力結果に基づ
き、その検査対象素子の感応特性を評価することができ
る。
When such an external magnetic field crosses the element to be inspected, the characteristics such as the magnetic resistance in the element to be inspected change, and this change is caused from the predetermined input / output terminal T to the probe 100.
To the measurement controller. As a result, the measurement controller can evaluate the sensitivity characteristic of the device under test based on the output result from the probe 100.

【0040】上述した感応特性は、テーブル移動機構1
4によりウエハWを移動させ、個々のTMR素子Eを検査
位置に位置付けることで、ウエハWの全てのTMR素子E
に対して実施される。ここで、TMR素子Eは格子状に正
確に配列されていることから、カメラユニット116は
最初のTMR素子Eを検査位置に位置付けるために使用さ
れ、この後は、テーブル移動機構14により各TMR素子
Eを検査位置に正確に位置付けることができる。
The above-mentioned sensitive characteristic is the table moving mechanism 1
All the TMR elements E of the wafer W are moved by moving the wafer W by 4 and positioning each TMR element E at the inspection position.
Will be carried out against. Here, since the TMR elements E are accurately arranged in a grid pattern, the camera unit 116 is used to position the first TMR element E at the inspection position, and thereafter, the TMR elements E are moved by the table moving mechanism 14. E can be accurately positioned at the inspection position.

【0041】前述した各電磁石の磁極58はヨーク56
の先端にて形成され、ソレノイド52の外周よりも下方
に位置付けられている。それゆえ、ウエハWが移動され
ても、ソレノイド52がウエハWと干渉することはな
く、ウエハWの全てのTMR素子Eに対し、その感応特性
の評価を容易に実施可能となる。また、前述したように
ウエハWは感応特性の評価時、200℃の高温に加熱さ
れているため、センサホルダ68のホール素子90もま
たウエハWからの熱に晒されることになる。しかしなが
ら、ホール素子90はセンサホルダ68のカバー86に
より覆われている一方、その素子基板88がホルダプレ
ート84を介して冷却ブロック64に密着した状態にあ
るので、ホール素子90は冷却ブロック64からホルダ
プレート84を介して冷却される。これにより、センサ
基板88上のホール素子90の温度を一定に維持できる
ので、磁極58間に形成される磁界強度を正確に測定す
ることができる。この結果、検査対象素子を所望の磁界
中に置くことができ、検査対象素子の感応特性の評価を
高精度に実施可能となる。
The magnetic pole 58 of each electromagnet described above is a yoke 56.
Is formed at the tip of the solenoid 52 and is positioned below the outer circumference of the solenoid 52. Therefore, even if the wafer W is moved, the solenoid 52 does not interfere with the wafer W, and the sensitivity characteristics of all the TMR elements E of the wafer W can be easily evaluated. Further, as described above, since the wafer W is heated to a high temperature of 200 ° C. during the evaluation of the sensitive characteristic, the Hall element 90 of the sensor holder 68 is also exposed to the heat from the wafer W. However, while the Hall element 90 is covered by the cover 86 of the sensor holder 68, and the element substrate 88 thereof is in close contact with the cooling block 64 via the holder plate 84, the Hall element 90 moves from the cooling block 64 to the holder. It is cooled via the plate 84. As a result, the temperature of the Hall element 90 on the sensor substrate 88 can be maintained constant, so that the magnetic field strength formed between the magnetic poles 58 can be accurately measured. As a result, the element to be inspected can be placed in a desired magnetic field, and the sensitive characteristics of the element to be inspected can be evaluated with high accuracy.

【0042】冷却ブロック64は、各ヨーク56の先端
に形成した受け面62に装着される下向きの四角錐台形
状をなしているので、ホール素子90の近傍に容易に配
置することができ、しかも、その熱容量を大きく確保す
ることができる。それゆえ、冷却ブロック64によるホ
ール素子90の冷却効果は高い。しかも、磁極58とセ
ンサホルダ68との間には断熱シート92が介在してい
るで、ウエハWからの熱によりヨーク56が加熱されて
も、ヨーク56からホール素子90への熱伝達を低減す
ることができる。
Since the cooling block 64 has a downwardly-facing quadrangular truncated pyramid shape mounted on the receiving surface 62 formed at the tip of each yoke 56, it can be easily arranged near the Hall element 90, and It is possible to secure a large heat capacity. Therefore, the cooling effect of the Hall element 90 by the cooling block 64 is high. Moreover, since the heat insulating sheet 92 is interposed between the magnetic pole 58 and the sensor holder 68, even if the yoke 56 is heated by the heat from the wafer W, the heat transfer from the yoke 56 to the Hall element 90 is reduced. be able to.

【0043】プロープホルダ94は、冷却ブロック64
の挿通孔66内を延びるプロープ挿入体96を有してい
るので、プローブ挿入体96の下端面にプローブ100
を設けることで、ヨーク56や冷却ブロック64の存在
に拘わらず、プローブ100を検査対象素子の入出力端
子Tに容易に接触させることができる。さらに、電磁石
ユニット42は、支柱44を介して基台2に支持されて
いるので、電磁石ユニット42の重量がステージ台10
に加わることはない。それゆえ、ステージ台10を支持
するエアクッション8に小形のものを使用することがで
きる。
The probe holder 94 includes the cooling block 64.
Since it has the probe insert 96 extending through the insertion hole 66 of the probe 100, the probe 100 is attached to the lower end surface of the probe insert 96.
By providing the, the probe 100 can be easily brought into contact with the input / output terminal T of the element to be inspected regardless of the presence of the yoke 56 and the cooling block 64. Further, since the electromagnet unit 42 is supported by the base 2 via the pillars 44, the weight of the electromagnet unit 42 is less than that of the stage base 10.
Do not join. Therefore, a small air cushion 8 that supports the stage base 10 can be used.

【0044】また、電磁石ユニット42の各電磁石はそ
のソレノイドへの通電に伴い振動するが、この振動はエ
アクッション8により遮断され、ウエハWやプローブホ
ルダ94に電磁石ユニット42の振動が伝達されること
はない。さらにまた、プローブホルダ94は、感応特性
の評価対象となる磁気抵抗素子のタイプ、つまり、その
入出力端子の個数および配列パターンに応じたプローブ
100を有するものであり、磁気抵抗素子のタイプが異
なる場合には対応したプローブホルダ94に交換する必
要がある。ここで、プローブホルダ94の上方に位置す
るカメラユニット116は水平面内にて回動可能である
から、プローブホルダ94の交換時には、カメラユニッ
ト116を回動させることで、プローブホルダ94の上
方から側方に退避させることができ、この結果、プロー
ブホルダ94の交換を容易かつ迅速に行うことができ
る。
Further, each electromagnet of the electromagnet unit 42 vibrates as the solenoid is energized, but this vibration is interrupted by the air cushion 8 and the vibration of the electromagnet unit 42 is transmitted to the wafer W and the probe holder 94. There is no. Furthermore, the probe holder 94 has the type of the magnetoresistive element whose sensitivity characteristic is to be evaluated, that is, the probe 100 according to the number of its input / output terminals and the arrangement pattern, and the type of the magnetoresistive element is different. In some cases, it is necessary to replace with a corresponding probe holder 94. Here, since the camera unit 116 located above the probe holder 94 is rotatable in a horizontal plane, when the probe holder 94 is replaced, the camera unit 116 is rotated so that the camera unit 116 is moved from above the probe holder 94 to the side. The probe holder 94 can be easily and quickly replaced.

【0045】本発明は上述の実施例に制約されるもので
はなく、種々の変形が可能である。たとえば、一実施例
の場合、コア50から延びるヨーク56は断面L字形を
なしているが、この断面L字形に限らず、ヨーク56は
コア50から検査位置に向けて真っ直ぐに延びるもので
あってもよい。また、冷却ブロック64の形状も、下向
きの四角錐台形状に限られるものではない。
The present invention is not limited to the above embodiment, but various modifications can be made. For example, in one embodiment, the yoke 56 extending from the core 50 has an L-shaped cross section, but the yoke 56 is not limited to this L-shaped cross section, and the yoke 56 extends straight from the core 50 toward the inspection position. Good. Further, the shape of the cooling block 64 is not limited to the downward facing truncated pyramid shape.

【0046】[0046]

【発明の効果】以上説明したように本発明の磁気抵抗素
子の感応特性評価装置(請求項1)によれば、電磁石ユ
ニットの電磁石はその一対のコアから延びる延長磁路形
成部材の先端にて磁極が形成されているから、電磁石の
一対の磁極をそのソレノイドの外周よりもウエハテーブ
ル側に位置付けることが可能となり、この結果、ウエハ
はソレノイドと干渉することなく移動することができ、
ウエハの個々の磁気抵抗素子を検査位置に容易に位置付
けることで、その磁気抵抗素子の感応特性を正確に評価
することができる。
As described above, according to the sensitive characteristic evaluation device for a magnetoresistive element of the present invention (claim 1), the electromagnet of the electromagnet unit is provided at the tip of the extended magnetic path forming member extending from the pair of cores. Since the magnetic poles are formed, the pair of magnetic poles of the electromagnet can be positioned closer to the wafer table side than the outer circumference of the solenoid, and as a result, the wafer can move without interfering with the solenoid,
By easily positioning the individual magnetoresistive elements on the wafer at the inspection position, the sensitive characteristics of the magnetoresistive elements can be accurately evaluated.

【0047】また、感応特性評価装置はホール素子の冷
却手段(請求項2〜4)を備えているので、ホール素子
は磁界強度を正確に測定でき、磁極間に所望の磁界を正
確に発生させることができる。さらに、冷却手段が各延
長磁路形成部材の先端間に跨って装着される冷却ブロッ
クを備えていれば、この冷却ブロックの熱容量を大きく
確保でき、ホール素子を効果的に冷却することができ
る。
Further, since the sensitive characteristic evaluation device is provided with the cooling means for the hall element (claims 2 to 4), the hall element can accurately measure the magnetic field strength and accurately generate the desired magnetic field between the magnetic poles. be able to. Further, if the cooling means is provided with the cooling block mounted across the tips of the respective extension magnetic path forming members, a large heat capacity of this cooling block can be secured and the Hall element can be effectively cooled.

【0048】さらに、磁極とホール素子との間に断熱層
が介在されていれば(請求項5)、ホール素子の温度上
昇をより効果的に防止することができる。プローブホル
ダが中空のプローブ挿入体を有していれば(請求項6,
7)、延長磁路形成部材や冷却ブロックの存在に拘わり
なく、そのプローブを磁気抵抗素子の入出力端子に正確
に接触させることができる。
Further, if the heat insulating layer is interposed between the magnetic pole and the Hall element (claim 5), the temperature rise of the Hall element can be prevented more effectively. If the probe holder has a hollow probe insert (claim 6,
7) The probe can be accurately brought into contact with the input / output terminals of the magnetoresistive element regardless of the presence of the extended magnetic path forming member and the cooling block.

【0049】また、プローブホルダの上方に配置される
カメラユニットが側方に退避可能であれば(請求項
8)、プローブホルダの交換を容易に行うことができ
る。さらにまた、電磁石ユニットがウエハテーブルおよ
びプローブホルダ側と別系統にして支持され、そして、
これら支持系統間に振動吸収部材が介在されていれば
(請求項9)、電磁石ユニットからウエハテーブルおよ
びプローブホルダに伝達されようとする振動を振動吸収
部材により阻止することができるばかりでなく、振動吸
収部材に電磁石ユニットの重量が加わらないので、振動
吸収部材に小形のものを使用することができる。
If the camera unit arranged above the probe holder can be retracted laterally (claim 8), the probe holder can be easily replaced. Furthermore, the electromagnet unit is supported separately from the wafer table and probe holder side, and
If the vibration absorbing member is interposed between these supporting systems (claim 9), not only the vibration absorbing member can prevent the vibration from being transmitted from the electromagnet unit to the wafer table and the probe holder, but also the vibration can be prevented. Since the weight of the electromagnet unit is not added to the absorbing member, a small vibration absorbing member can be used.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】一実施例の感応特性評価装置を一部破断して示
した正面図である。
FIG. 1 is a partially cutaway front view of a sensitive characteristic evaluation device of an example.

【図2】図1の感応特性評価装置におけるテーブル移動
機構の平面図である。
FIG. 2 is a plan view of a table moving mechanism in the sensitivity characteristic evaluation device of FIG.

【図3】TMR素子の拡大平面図である。FIG. 3 is an enlarged plan view of a TMR element.

【図4】電磁石ユニットの断面図である。FIG. 4 is a sectional view of an electromagnet unit.

【図5】電磁石ユニットの平面図である。FIG. 5 is a plan view of an electromagnet unit.

【図6】冷却ブロックの側面図である。FIG. 6 is a side view of a cooling block.

【図7】冷却ブロックの底面図である。FIG. 7 is a bottom view of the cooling block.

【図8】プローブホルダ周辺の断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view around a probe holder.

【図9】図8中、IX部の拡大断面図である。9 is an enlarged cross-sectional view of the IX portion in FIG.

【図10】カメラユニットを上方からみた図である。FIG. 10 is a view of the camera unit seen from above.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 基台 10 ステージ台 12 ウエハテーブル 14 テーブル移動機構(テーブル移動手段) 42 電磁石ユニット 50 コア 52 ソレノイド 56 ヨーク(延長磁路形成部材) 58 磁極 64 冷却ブロック 66 挿通孔 68 センサホルダ 70 冷媒通路 84 ホルダプレート 86 カバー 90 ホール素子 92 断熱シート(断熱層) 94 プローブホルダ 96 プローブ挿入体 100 プローブ 116 カメラユニット 122 回動アーム(取付けアーム) E TMR素子(磁気抵抗素子) T 入出力端子 W ウエハ 2 bases 10 stage stand 12 Wafer table 14 Table moving mechanism (table moving means) 42 Electromagnet unit 50 cores 52 solenoid 56 Yoke (extended magnetic path forming member) 58 magnetic pole 64 cooling block 66 insertion hole 68 Sensor holder 70 Refrigerant passage 84 Holder plate 86 cover 90 Hall element 92 Heat insulation sheet (heat insulation layer) 94 probe holder 96 probe insert 100 probes 116 camera unit 122 Rotating arm (mounting arm) E TMR element (magnetoresistive element) T input / output terminal W wafer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/66 H01L 43/06 U 43/06 43/08 Z 43/08 G01R 33/06 R (72)発明者 河合 孝昭 愛知県名古屋市港区竜宮町10番地 大同特 殊鋼株式会社築地工場内 (72)発明者 沖田 和彦 宮城県柴田郡村田町大字村田字西ヶ丘23 東北特殊鋼株式会社内 Fターム(参考) 2G003 AA00 AA10 AG03 AG16 AH05 2G017 AA01 AD55 CB24 CB26 4M106 AA01 AB07 BA01 BA14 BA20 CA10 DD30 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H01L 21/66 H01L 43/06 U 43/06 43/08 Z 43/08 G01R 33/06 R (72) Inventor Takaaki Kawai 10 Ryugu-cho, Minato-ku, Aichi Prefecture Daido Special Steel Co., Ltd., Tsukiji Plant (72) Inventor Kazuhiko Okita Nishigataoka, Murata-cho, Shibata-gun, Miyagi Prefecture 23 F-term in Tohoku Special Steel Co., Ltd. Reference) 2G003 AA00 AA10 AG03 AG16 AH05 2G017 AA01 AD55 CB24 CB26 4M106 AA01 AB07 BA01 BA14 BA20 CA10 DD30

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 多数の磁気抵抗素子が形成されたウエハ
を載置し、前記ウエハを所定温度まで加熱可能なウエハ
テーブルと、 前記ウエハテーブルを前後左右上下の3軸方向に加え、
水平面内にて回転させることで、前記ウエハの任意の磁
気抵抗素子を検査位置に位置付けて検査対象素子とする
テーブル移動手段と、 前記検査位置の上方に配置され、前記検査対象素子を任
意の方向に横切る水平な外部磁界を形成する電磁石ユニ
ットと、 前記検査対象素子の入出力端子に電気的に接触可能な複
数のプローブを有し、これらプローブを通じて前記検査
対象素子に所望の入力を印加可能であるとともに、前記
外部磁界に対する前記検査対象素子の感応出力を取出す
プローブホルダとを備え、 前記電磁石ユニットは、前記検査位置上方の水平面に配
置され、対向する一対のコアおよびこれらコアにそれぞ
れ装着されたソレノイドを有する電磁石と、 前記各コアから前記検査位置に向けてそれぞれ延び、前
記ソレノイドの径方向でみて先端同士が前記ソレノイド
の外周を越えた前記検査位置の直上にて磁極として近接
対向する延長磁路形成部材とを含むことを特徴とする磁
気抵抗素子の感応特性評価装置。
1. A wafer table on which a large number of magnetoresistive elements are mounted and which can heat the wafer to a predetermined temperature, and the wafer table is added in front, rear, left, right, up, and down three axial directions,
By rotating in the horizontal plane, table moving means for positioning an arbitrary magnetoresistive element of the wafer at an inspection position to be an inspection target element, and arranged above the inspection position, the inspection target element in an arbitrary direction. And an electromagnet unit that forms a horizontal external magnetic field that traverses each other, and a plurality of probes that can electrically contact the input / output terminals of the element to be inspected, and a desired input can be applied to the element to be inspected through these probes. And a probe holder for taking out the sensitive output of the element to be inspected to the external magnetic field, wherein the electromagnet unit is arranged on a horizontal plane above the inspection position, and is attached to a pair of cores facing each other and these cores, respectively. An electromagnet having a solenoid, and extending from each core toward the inspection position, respectively, in a radial direction of the solenoid. A magnetoresistive element sensitivity characteristic evaluation device, characterized in that it includes an extended magnetic path forming member whose ends are opposed to each other as magnetic poles immediately above the inspection position beyond the outer circumference of the solenoid.
【請求項2】 前記電磁石ユニットは、 前記電磁石の一方の磁極に設けられ、磁極間の磁界強度
を測定するためのホール素子と、 前記ホール素子を冷却する冷却手段とをさらに含むこと
を特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗素子の感応特性
評価装置。
2. The electromagnet unit further includes a Hall element that is provided on one magnetic pole of the electromagnet and that measures a magnetic field strength between the magnetic poles, and a cooling unit that cools the Hall element. The sensitive characteristic evaluation device for a magnetoresistive element according to claim 1.
【請求項3】 前記冷却手段は、 前記ホール素子を有した前記延長磁路形成部材の先端部
に密着し、内部に冷媒通路を有した冷却ブロックと、 前記ホール素子の熱を前記冷却ブロックに伝達する熱伝
達経路とを含むことを特徴とする請求項2に記載の磁気
抵抗素子の感応特性評価装置。
3. The cooling means is a cooling block which is in close contact with a tip end portion of the extension magnetic path forming member having the hall element and has a refrigerant passage therein, and heat of the hall element to the cooling block. 3. The sensitive characteristic evaluation device for a magnetoresistive element according to claim 2, further comprising a heat transfer path for transfer.
【請求項4】 前記冷却ブロックは、 前記各延長磁路形成部材の先端間に跨って装着され、前
記プローブホルダの挿通を許容する挿通孔を有した形状
をなしていることを特徴とする請求項3に記載の磁気抵
抗素子の感応特性評価装置。
4. The cooling block is mounted so as to straddle between the tips of the extension magnetic path forming members, and has a shape having an insertion hole that allows insertion of the probe holder. Item 5. The magneto-resistive element sensitivity characteristic evaluation device according to Item 3.
【請求項5】 前記冷却手段は、前記磁極と前記ホール
素子との間に断熱層をさらに含むことを特徴とする請求
項2〜4の何れかに記載の磁気抵抗素子の感応特性評価
装置。
5. The magnetoresistive element sensitivity characteristic evaluation device according to claim 2, wherein the cooling unit further includes a heat insulating layer between the magnetic pole and the Hall element.
【請求項6】 前記プローブホルダは、前記磁極間にて
形成される磁気ギャップ内を延び、下端面に前記プロー
ブを備えた中空のプローブ挿入体を有することを特徴と
する請求項1に記載の磁気抵抗素子の感応特性評価装
置。
6. The probe holder according to claim 1, wherein the probe holder has a hollow probe insert body extending in a magnetic gap formed between the magnetic poles and having the probe on a lower end surface thereof. Sensitive characteristic evaluation device for magnetoresistive element.
【請求項7】 前記プローブホルダは、前記冷却ブロッ
クの挿通孔内を延び、下端面に前記プローブを備えた中
空のプローブ挿入体を有することを特徴とする請求項4
に記載の磁気抵抗素子の感応特性評価装置。
7. The probe holder has a hollow probe insert body that extends in the insertion hole of the cooling block and has the probe on the lower end surface thereof.
The magneto-resistive element sensitivity characteristic evaluation device according to.
【請求項8】 前記プローブ挿入体内を通じて前記検査
対象素子および前記プローブの先端を撮像する撮像手段
をさらに備え、 前記撮像手段は、 前記プローブホルダの上方に配置され、前記プローブ挿
入体と同軸の鏡筒およびCCDカメラを有したカメラユ
ニットと、 一端にて前記カメラユニットを支持する一方、他端を中
心として前記カメラユニットの水平方向の回動を許容す
る取付けアームとを含むことを特徴とする請求項6又は
7に記載の磁気抵抗素子の感応特性評価装置。
8. An image pickup means for picking up an image of the element to be inspected and the tip of the probe through the probe insert body, wherein the image pickup means is arranged above the probe holder and coaxial with the probe insert body. A camera unit having a tube and a CCD camera, and an attachment arm that supports the camera unit at one end and allows the camera unit to rotate in the horizontal direction about the other end. Item 6. The sensitive characteristic evaluation device for a magnetoresistive element according to Item 6 or 7.
【請求項9】 装置ベースと、 前記装置ベースと前記電磁石ユニットとの間を連結し、
前記電磁石ユニットを支持する支柱と、 前記装置ベースに振動吸収部材を介して支持され、前記
テーブル移動手段および前記プローブホルダの荷重を受
ける載置台とをさらに備えることを特徴とする請求項1
に記載の磁気抵抗素子の感応特性評価装置。
9. A device base, and a connection between the device base and the electromagnet unit,
The column further comprises: a support column that supports the electromagnet unit; and a mounting table that is supported by the apparatus base via a vibration absorbing member and receives a load of the table moving unit and the probe holder.
The magneto-resistive element sensitivity characteristic evaluation device according to.
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