JP2003068907A - High-frequency function module and its multi-layered mount structure - Google Patents

High-frequency function module and its multi-layered mount structure

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JP2003068907A
JP2003068907A JP2001260310A JP2001260310A JP2003068907A JP 2003068907 A JP2003068907 A JP 2003068907A JP 2001260310 A JP2001260310 A JP 2001260310A JP 2001260310 A JP2001260310 A JP 2001260310A JP 2003068907 A JP2003068907 A JP 2003068907A
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frequency functional
interface
frequency
functional module
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Hideki Kusamitsu
秀樹 草光
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    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16152Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To actualize the mount size reduction, standardization, automatic mounting, yield improvement, and cost reduction of a high-frequency function module by mounting single-function modules in three dimensions instead of mounting components on the same surface. SOLUTION: A single function module is constituted by mounting function element components such as MMIC (monolithic microwave integrated circuit) 3 or the like in a bottomed cavity 2 formed in a package 1 and electrically connects the components to the package 1 by bonding wires 4. Through FR interfaces 5 and 6 in coaxial structure provided on the top and reverse surfaces of the package 1 and a DC interface 7 penetrating the package vertically, the signals of the MMIC 3 are outputted to the outside through a connecting circuit 8 in the package 1. A cap 9 forms an airtight sealing structure. Such single- function modules are longitudinally stacked and their interfaces are connected to one another by solder fusion by reflow to obtain a multi-layered high-frequency function module structure.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はマイクロ波帯やミリ
波帯の通信機器に用いられる高周波回路モジュールに係
り、特に高周波機能素子を機能ブロック単位に収めた単
機能モジュール及びこれら単機能モジュールを三次元的
に積層した高周波機能モジュールの多層実装構造に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-frequency circuit module used in a communication device in a microwave band or a millimeter wave band, and more particularly to a single-function module containing a high-frequency function element in a functional block unit and a third-function module of these single-function modules. The present invention relates to a multilayer mounting structure of originally laminated high frequency functional modules.

【0002】[0002]

【従来の技術】図6は従来の高周波機能モジュールであ
るMIC(マイクロ波集積回路)の代表的な実装形態の
例を示す断面図である。
2. Description of the Related Art FIG. 6 is a sectional view showing an example of a typical mounting form of a conventional high frequency functional module MIC (microwave integrated circuit).

【0003】従来の高周波回路モジュールは、図6に示
すように、金属パッケージ61上のヘッダ62におい
て、機能素子であるMMIC(モノリシック・マイクロ
波集積回路)ベアチップ63を複数配置し、さらにマイ
クロ波回路が形成されたアルミナセラミック基板64を
複数配置してこれらの間をボンディングワイヤにて接続
し、金属パッケージ61の同一面上に並べて実装し、R
F信号の外部漏洩を防止するハーメチックシールとして
のキャップ65で覆うことによって、高周波機能モジュ
ールを構成していた。なお、外部とのインターフェース
はガラス封止端子66によって行う。
In a conventional high frequency circuit module, a plurality of MMIC (monolithic microwave integrated circuit) bare chips 63, which are functional elements, are arranged in a header 62 on a metal package 61, as shown in FIG. A plurality of alumina ceramic substrates 64 on which are formed are arranged, the bonding wires are connected between them, and they are mounted side by side on the same surface of the metal package 61.
The high frequency functional module is configured by covering with a cap 65 as a hermetic seal that prevents external leakage of F signals. The interface with the outside is performed by the glass sealed terminal 66.

【0004】このような構成の従来の高周波機能モジュ
ールにおいて、その集積度はMMIC製造技術の進歩に
よって年々増加しており、従来2パッケージから4パッ
ケージで構成していた送受信コンバーター回路をワンパ
ッケージにまで集約できるようになってきている。
In the conventional high-frequency functional module having such a structure, the degree of integration thereof is increasing year by year due to the progress of the MMIC manufacturing technology, and the transmission / reception converter circuit which has conventionally been composed of 2 packages to 4 packages is reduced to one package. It can be aggregated.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
高周波機能モジュールでは、複数のMMICベアチップ
及び複数のアルミナセラミック基板を金属パッケージの
同一面上に並べて実装する構成となっているため、パッ
ケージの小型化に限界があるという問題がある。
As described above, the conventional high-frequency functional module has a structure in which a plurality of MMIC bare chips and a plurality of alumina ceramic substrates are mounted side by side on the same surface of the metal package. There is a problem that there is a limit to miniaturization.

【0006】また、MMICをベアチップの形にて供給
される関係で、パッケージに搭載した後にバーインとい
ったスクリーニングを行うので、仮に1つのMMICの
みに不良があったとしてもパッケージごと全体が不良品
となってしまい、歩留まり低下の一因ともなっている。
Further, since the MMIC is supplied in the form of a bare chip, screening such as burn-in is performed after it is mounted on the package. Therefore, even if only one MMIC has a defect, the entire package becomes a defective product. This is one of the causes of the decrease in yield.

【0007】さらに、パッケージに搭載すべき部品が多
いが故に組み立て時間が長くかかり、デバイスにとって
信頼度低下の要因となる高温にさらされる時間が長くな
ることにより、全体としての信頼度低下を招くという問
題がある。
Further, since many parts are to be mounted in the package, it takes a long time to assemble the device, and the device is exposed to a high temperature which causes a decrease in reliability, which results in a decrease in reliability as a whole. There's a problem.

【0008】本発明の目的は、パッケージ同一面上への
複数部品搭載という従来の考え方を改め、機能ブロック
ごとの単機能モジュールを構成し、これら単機能モジュ
ールを三次元的に複数実装することで、上記従来の問題
点を解決する高周波機能モジュール及びその多層構造を
提供することにある。
An object of the present invention is to revise the conventional idea of mounting a plurality of components on the same surface of a package, configure a single-function module for each functional block, and mount a plurality of these single-function modules three-dimensionally. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a high-frequency functional module and a multi-layer structure thereof that solve the above conventional problems.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の高周波機能モジ
ュールは、有底のキャビティ穴を形成してなるパッケー
ジと、前記キャビティ穴に搭載される高周波機能素子
と、前記キャビティ穴及び前記高周波機能素子とをシー
ル封止するように前記パッケージに取り付けられる金属
板と、前記パッケージの上面及び下面にそれぞれ少なく
とも1個所設けられるRFインターフェース部と、前記
パッケージの上下を貫通するように複数設けられるDC
インターフェース部と、前記高周波機能素子と前記RF
インターフェース部及び前記DCインターフェース部と
の間を電気的に接続する接続部とを備えてなる。
A high frequency functional module of the present invention is a package having a bottomed cavity hole, a high frequency functional element mounted in the cavity hole, the cavity hole and the high frequency functional element. A metal plate attached to the package so as to seal and seal the above, an RF interface portion provided at at least one each on the upper surface and the lower surface of the package, and a plurality of DCs provided so as to pass through the package from above and below.
Interface section, high-frequency functional element, and RF
An interface section and a connection section for electrically connecting the DC interface section are provided.

【0010】この高周波機能モジュールにおいて、前記
パッケージが誘電体基板であること、ならびに前記高周
波機能素子がモノリシック・マイクロ波集積回路(MM
IC)であることが好ましい。
In this high frequency functional module, the package is a dielectric substrate, and the high frequency functional element is a monolithic microwave integrated circuit (MM).
IC) is preferred.

【0011】またこの高周波機能モジュールにおいて、
前記誘電体基板が多層に重ね合わされた低温焼成セラミ
ックス(LTCC)からなること、あるいは前記誘電体
基板が多層に重ね合わされた高温焼成セラミックス(H
TCC)からなることのいずれかであることが好まし
い。
In this high frequency functional module,
The dielectric substrate is made of low temperature fired ceramics (LTCC) stacked in multiple layers, or the high temperature fired ceramics (H) in which the dielectric substrates are stacked in multiple layers.
TCC).

【0012】さらにこの高周波機能モジュールにおい
て、前記RFインターフェース部が同軸構造であるこ
と、ならびに前記高周波機能素子が前記キャビティ穴に
少なくとも2個搭載されることが好ましい。
Further, in this high frequency functional module, it is preferable that the RF interface section has a coaxial structure and that at least two high frequency functional elements are mounted in the cavity hole.

【0013】本発明の他の高周波機能モジュールは、貫
通して形成されたキャビティ穴を有するプリント配線板
と、熱伝導率の高い材料からなり前記キャビティ穴を塞
ぐように前記プリント配線板に取り付けられる金属板
と、前記キャビティ穴内において前記金属板に搭載され
る高周波機能素子と、前記キャビティ穴及び前記高周波
機能素子とをシール封止するように前記プリント配線板
に取り付けられる金属キャップと、前記プリント配線板
の上面及び下面にそれぞれ少なくとも1個所設けられる
RFインターフェース部と、前記プリント配線板の上下
を貫通するように複数設けられるDCインターフェース
部と、前記高周波機能素子と前記RFインターフェース
部及び前記DCインターフェース部との間を電気的に接
続する接続部とを備えてなる。
Another high-frequency functional module of the present invention is a printed wiring board having a cavity hole formed therethrough, and is mounted on the printed wiring board so as to cover the cavity hole made of a material having a high thermal conductivity. A metal plate; a high-frequency functional element mounted on the metal plate in the cavity hole; a metal cap attached to the printed wiring board so as to seal and seal the cavity hole and the high-frequency functional element; and the printed wiring. At least one RF interface section is provided on each of the upper surface and the lower surface of the board, a plurality of DC interface sections are provided so as to penetrate the printed wiring board up and down, the high-frequency functional element, the RF interface section, and the DC interface section. And a connection part that electrically connects between It becomes Te.

【0014】また本発明の高周波機能モジュールの多層
実装構造は、上述したような高周波機能モジュールを縦
方向に複数積層し、前記RFインターフェース部同士及
び前記DCインターフェース部同士を接続してなるもの
である。
Further, the multilayer mounting structure of the high-frequency functional module of the present invention is formed by stacking a plurality of the high-frequency functional modules as described above in the vertical direction and connecting the RF interface parts to each other and the DC interface parts to each other. .

【0015】このような本発明の高周波機能モジュール
及びその多層実装構造によれば、次に示すような特徴を
得ることができる。
According to the high-frequency functional module and the multilayer mounting structure thereof of the present invention as described above, the following features can be obtained.

【0016】(1)実装構造の特徴 モジュールを構成する機能ブロックごとに一つのパッケ
ージに収めて単機能モジュールを作成し、それらの単機
能モジュールを縦方向に積層することにより所定の機能
を持った高周波モジュール(三次元実装)を実現するこ
とができる。
(1) Each of the functional blocks constituting the characteristic module of the mounting structure is put in one package to prepare a single-function module, and these single-function modules are vertically stacked to have a predetermined function. A high frequency module (three-dimensional mounting) can be realized.

【0017】(1a)単機能モジュールの構造 パッケージにはMMIC等の機能素子部品が搭載される
キャビティが形成され、この中に機能素子部品を搭載
し、キャビティ上部を薄い金属によって封止できる構造
とする。
(1a) Structure of a single-function module A cavity in which functional element parts such as MMIC are mounted is formed in the package, and the functional element parts are mounted in the cavity, and the upper part of the cavity can be sealed with a thin metal. To do.

【0018】パッケージ上部にRFインターフェース部
を少なくとも1個所有するとともに、パッケージ下部に
もRFインターフェース部を少なくとも1個所有する。
またDCインターフェースは、パッケージ上下間を貫通
する形で複数実装されている。これら各インターフェー
スに半田を供給し、積層時に溶融することにより各単機
能モジュール間を電気的に接続することができる。
At least one RF interface section is owned in the upper part of the package, and at least one RF interface section is also owned in the lower part of the package.
Further, a plurality of DC interfaces are mounted so as to penetrate between the top and bottom of the package. By supplying solder to each of these interfaces and melting them at the time of stacking, it is possible to electrically connect the single-function modules.

【0019】(1b)高周波機能モジュールの構造 複数の単機能モジュールを縦方向に積層し、あらかじめ
端子に供給された半田を溶融させることで各モジュール
間を相互に接続する構造とすることができる。
(1b) Structure of high-frequency functional module A plurality of single-functional modules may be vertically stacked and the solder supplied to the terminals may be melted in advance to connect the modules to each other.

【0020】(1)実装材料の特徴 単機能モジュールを構成する実装材料はHTCC(高温
焼成セラミックス)、LTCC(低温焼成セラミック
ス)といった無機系材料のみならず、有機系材料による
パッケージも選択可能である。またこれに伴い、各機能
モジュールの性格に合わせて最適な材料選定が行える可
能性を有する。
(1) Characteristics of mounting material As the mounting material constituting the single-function module, not only inorganic materials such as HTCC (high temperature firing ceramics) and LTCC (low temperature firing ceramics) but also packages of organic materials can be selected. . In addition, along with this, there is a possibility that optimum material selection can be performed according to the characteristics of each functional module.

【0021】(1)その他の特徴 RFインターフェースは同軸構造の他、導波管型インタ
フェース構造も可能とする。
(1) Other Features The RF interface can have a waveguide type interface structure as well as a coaxial structure.

【0022】また複数の機能モジュールの積層手段とし
ては半田接合の他、導電性接着剤による接合も可能とす
る。
As means for laminating a plurality of functional modules, it is possible to use soldering as well as bonding with a conductive adhesive.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be described with reference to the drawings.

【0024】図1(a),(b)は本発明の第1の実施
の形態の高周波機能モジュールを構成する単機能モジュ
ールの縦断面図及びその平面図であり、図2(a),
(b)はこの第1の実施の形態の単機能モジュールを縦
方向に複数積層した状態をそれぞれ図1(b)のA−A
線及びB−B線にて切断して示す縦断面図であり、また
図3(a),(b)はこのような多層実装構造の一例を
示す回路ブロック図及び構成図である。
1 (a) and 1 (b) are a longitudinal sectional view and a plan view of a single function module constituting the high frequency function module according to the first embodiment of the present invention.
1B shows a state in which a plurality of single-function modules according to the first embodiment are vertically stacked, each of which is taken along the line AA in FIG.
FIG. 3 is a vertical cross-sectional view taken along line B-B and line B-B, and FIGS. 3A and 3B are a circuit block diagram and a configuration diagram showing an example of such a multilayer mounting structure.

【0025】この第1の実施の形態の高周波単機能モジ
ュールは、図1(a),(b)に示すように、パッケー
ジ1の内部に有底のキャビティ2が形成穿設され、キャ
ビティ2にはMMIC(モノリシック・マイクロ波集積
回路)3等の機能素子部品が搭載される。
In the high frequency single-function module of the first embodiment, as shown in FIGS. 1A and 1B, a cavity 2 having a bottom is formed and punched inside the package 1, and the cavity 2 is formed in the cavity 2. Is mounted with functional element parts such as MMIC (monolithic microwave integrated circuit) 3.

【0026】パッケージ1は多層に重ね合わされた誘電
体基板で、その材料には熱膨張係数の低い多層LTCC
(低温焼成セラミックス)を用いている。
The package 1 is a dielectric substrate laminated in multiple layers, and its material is a multilayer LTCC having a low coefficient of thermal expansion.
(Low temperature firing ceramics) is used.

【0027】キャビティ2内部への機能素子部品、即ち
MMIC3の実装方法に関しては、通常の高温ロウ材に
よるロウ接を用いている。このロウ接による実装以外に
も、導電性接着剤による部品搭載、あるいはバンプを用
いたフェイスダウン実装といった手段を用いてもよい。
このようにしてキャビティ2内部へ実装したMMIC3
に対しては、ボンディングワイヤ4などによって部品と
パッケージ1間が電気的に接続される。
As for the method of mounting the functional element component, that is, the MMIC 3 inside the cavity 2, the normal soldering using a high temperature brazing material is used. In addition to this soldering mounting, it is also possible to use means such as component mounting using a conductive adhesive or face-down mounting using bumps.
The MMIC 3 mounted inside the cavity 2 in this way
For example, the component and the package 1 are electrically connected by the bonding wire 4 or the like.

【0028】パッケージ1の上面にはRFインターフェ
ース5が少なくとも1個所設けられるとともに、パッケ
ージ1の下面にもRFインターフェース6が少なくとも
1個所設けられる。なお、このRFインターフェース5
及びRFインターフェース6は、同軸構造にて形成され
ているのが好ましい。
At least one RF interface 5 is provided on the upper surface of the package 1, and at least one RF interface 6 is provided on the lower surface of the package 1. In addition, this RF interface 5
The RF interface 6 and the RF interface 6 are preferably formed in a coaxial structure.

【0029】また、パッケージ1の表面には、その長手
方向に複数のDCインターフェース7が設けられる。D
Cインターフェース7は、パッケージ1の上下間を貫通
する形で実装されており、パッケージ1内部の配線を外
部に取り出す役割を有している。
A plurality of DC interfaces 7 are provided on the surface of the package 1 in the longitudinal direction. D
The C interface 7 is mounted so as to penetrate between the upper and lower sides of the package 1, and has a role of taking out the wiring inside the package 1 to the outside.

【0030】これら各インターフェース(RFインター
フェース5,6及びDCインターフェース7)には半田
が供給され、後述する単機能モジュールの複数積層時に
溶融することにより、各単機能モジュール間を電気的に
接続することができる。
Solder is supplied to each of these interfaces (RF interfaces 5 and 6 and DC interface 7) and melts when a plurality of single-function modules to be described later are laminated to electrically connect the single-function modules. You can

【0031】パッケージ1の内部には、実装されたMM
IC3とRFインターフェース5,6及びDCインター
フェース7との間を電気的に接続する接続回路8が備え
られる。
Inside the package 1, the mounted MM
A connection circuit 8 for electrically connecting the IC 3 to the RF interfaces 5 and 6 and the DC interface 7 is provided.

【0032】パッケージ1の上面には薄い金属板からな
るキャップ9がロウ接により取り付けられる。キャップ
9は、パッケージ1内のキャビティ2及び実装されたM
MIC3を気密封止する構造となり、パッケージ1内に
金属閉空間を形成することとなる。なおキャップ9は、
取り付けられた際にパッケージ1の上面からはみ出さな
いようにその厚みが決められる(通常では0.1mm程
度である)。なお、キャップ9の取り付けには、ロウ接
に限らず、導電性接着剤を用いて取り付け、気密封止を
行うようにしてもよい。
A cap 9 made of a thin metal plate is attached to the upper surface of the package 1 by brazing. The cap 9 includes the cavity 2 in the package 1 and the mounted M
The MIC 3 is hermetically sealed to form a metal closed space in the package 1. The cap 9 is
The thickness of the package 1 is determined so that it does not protrude from the upper surface of the package 1 when attached (usually about 0.1 mm). The cap 9 may be attached not only by brazing but also by using a conductive adhesive for hermetic sealing.

【0033】上述したような状態において、RFインタ
ーフェース5,6及びDCインターフェース7には半田
印刷、あるいはボール供給などの手段によって半田が供
給される。
In the above-mentioned state, solder is supplied to the RF interfaces 5 and 6 and the DC interface 7 by means such as solder printing or ball supply.

【0034】このようにして構成した第1の実施の形態
の単機能モジュールを縦方向に複数積層する。この様子
を図2に示す。
A plurality of the single-function modules of the first embodiment thus configured are vertically stacked. This state is shown in FIG.

【0035】図2においては、図1にて説明したように
パッケージ1に形成した単機能モジュールを4個、即ち
高周波単機能モジュール11,12,13,14を縦方
向に積層した状態である。
In FIG. 2, four single-function modules formed in the package 1 as described with reference to FIG. 1, that is, high-frequency single-function modules 11, 12, 13, and 14 are vertically stacked.

【0036】図2(a)では図1(a)と同じ断面状態
での積層状態が示され、縦方向に積層された各々の高周
波単機能モジュール11,12,13,14間はそれぞ
れに設けられたRFインターフェース5及びRFインタ
ーフェース6の部分にて接続される。
FIG. 2A shows a laminated state in the same sectional state as FIG. 1A, and the high frequency single-function modules 11, 12, 13, 14 provided in the longitudinal direction are provided respectively. The RF interface 5 and the RF interface 6 are connected to each other.

【0037】図2(b)では図1(b)におけるB−B
線による切断断面での積層状態が示され、縦方向に積層
された各々の高周波単機能モジュール11,12,1
3,14間はそれぞれに設けられたDCインターフェー
ス7の部分にて接続がなされる。
In FIG. 2B, BB in FIG.
The laminated state in the cross section taken along the line is shown, and each high frequency single-function module 11, 12, 1 is laminated in the longitudinal direction.
The parts 3 and 14 are connected by the DC interface 7 provided in each part.

【0038】複数の単機能モジュールの積層作業は、手
作業によって行われる他、高さ制御可能な表面実装用部
品搭載機を用いて行うことも可能である。
The stacking work of a plurality of single-function modules can be carried out manually, or can be carried out by using a surface mount component mounter whose height can be controlled.

【0039】図2の状態に積層した複数の単機能モジュ
ールは、その後、リフロー炉を通すことによって、あら
かじめ各インターフェース部分の端子に供給されていた
半田が溶融し、パッケージ自身の重みで単機能モジュー
ルの上下間が接続され、所定の機能を持った多層の高周
波モジュール構造となる。
The plurality of single-function modules stacked in the state shown in FIG. 2 are then passed through a reflow furnace to melt the solder that has been supplied to the terminals of each interface portion in advance, and the single-function modules are loaded by the weight of the package itself. The upper and lower sides of the are connected to form a multilayer high frequency module structure having a predetermined function.

【0040】図3に、このような多層実装した高周波モ
ジュールの一例を示す。図3(a)は周波数変換・増幅
回路の回路ブロック図、図3(b)はその多層積層実装
の構成図である。
FIG. 3 shows an example of such a multi-layered high frequency module. FIG. 3A is a circuit block diagram of the frequency conversion / amplification circuit, and FIG. 3B is a configuration diagram of the multilayer stack mounting.

【0041】図3(a)に示すように、この回路は変調
がかけられた中間周波数(IF)から送信周波数(R
F)に周波数変換し、伝送に必要な電力増幅を行うこと
を目的とする回路である。
As shown in FIG. 3 (a), this circuit changes from the modulated intermediate frequency (IF) to the transmission frequency (R).
It is a circuit whose purpose is to perform frequency conversion into F) and to perform power amplification necessary for transmission.

【0042】変換に必要な周波数信号を発振器(LO−
OSC)21にて発振させ、増幅器(AMP)22にて
増幅したのちミキサー(MIX)24にて中間周波数と
混合し、RFのみを取り出して、その信号をドライバー
増幅器(Drive)25及び電力増幅器(PA)27
にて増幅させて伝送に必要な電力まで高め、空中線に供
給する。LO−OSC21にはその発振周波数制御に必
要な発振周波数を分周してPLL回路へ供給するプリス
ケーラ(PSC)23が接続されており、またドライバ
ー段とPA段との間には、送信電力を常に一定に保つた
めに必要な可変電力減衰器(Atten)26が挿入さ
れている。DET28は検波器である。
A frequency signal necessary for conversion is generated by an oscillator (LO-
Oscillator 21 oscillates, amplifier (AMP) 22 amplifies, mixer (MIX) 24 mixes with the intermediate frequency, only RF is taken out, and the signal is output to driver amplifier (Drive) 25 and power amplifier ( PA) 27
The power is amplified to the power required for transmission and supplied to the antenna. The LO-OSC 21 is connected to a prescaler (PSC) 23 that divides the oscillation frequency necessary for controlling the oscillation frequency and supplies the divided frequency to the PLL circuit. Further, transmission power is provided between the driver stage and the PA stage. A variable power attenuator (Atten) 26 necessary to keep constant is inserted. DET 28 is a detector.

【0043】これらの各機能ブロックをそれぞれ単機能
モジュールとして組立、調整し、図3(b)に示すよう
に、(OSC+PSC)機能モジュール31、AMP機
能モジュール32、MIX機能モジュール33、Dri
ve機能モジュール34、Atten機能モジュール3
5及び(PA+DET)機能モジュール36とした後
に、縦方向にすべて積層し、それぞれが有するインター
フェース部同士を相互接続することにより、上記した目
的・機能を有する多層高周波機能モジュール30を実現
している。
Each of these functional blocks is assembled and adjusted as a single functional module, and as shown in FIG. 3B, the (OSC + PSC) functional module 31, the AMP functional module 32, the MIX functional module 33, and the Dri.
ve function module 34, Atten function module 3
5 and the (PA + DET) function module 36, all of them are vertically stacked and the interface portions of the respective modules are interconnected to realize the multi-layer high-frequency function module 30 having the above-described purposes and functions.

【0044】図4は本発明の第2の実施の形態の複数チ
ップを用いた高周波単機能モジュールを示す平面図であ
る。
FIG. 4 is a plan view showing a high frequency single function module using a plurality of chips according to the second embodiment of the present invention.

【0045】この第2の実施の形態の単機能モジュール
は、使用する高周波機能素子がワンチップのみではな
く、複数のチップ(高周波機能素子)による構成も可能
であることを示すものである。一例としてDriver
部の構成例を図4に示す。
The single-function module of the second embodiment shows that the high-frequency functional element to be used is not limited to a single chip, but can be composed of a plurality of chips (high-frequency functional element). Driver as an example
FIG. 4 shows a configuration example of the unit.

【0046】図4に示すように、このマルチチップ単機
能モジュール40は、複数のMMIC(Amp)、即ち
MMIC43とMMIC44とを1つのパッケージ41
内のキャビティ42に組み入れて実装し、その間をチッ
プ間接続用基板45にて接続することで単機能モジュー
ルを構成している。なお、他の構成要素であるRFイン
ターフェース、DCインターフェース、ボンディングワ
イヤ、気密封止のキャップなどは上述した第1の実施の
形態の図1(a),(b)に示したと同様であるので、
説明は省略する。
As shown in FIG. 4, the multi-chip single-function module 40 includes a plurality of MMICs (Amp), that is, MMIC 43 and MMIC 44, in one package 41.
A single-function module is constructed by incorporating and mounting in a cavity 42 inside, and connecting between them by a chip connection substrate 45. Since the other components such as the RF interface, DC interface, bonding wire, and hermetically sealing cap are the same as those shown in FIGS. 1A and 1B of the above-described first embodiment,
The description is omitted.

【0047】また、第2の実施の形態のマルチチップ単
機能モジュール40は、第1の実施の形態の図2で示し
たと同じく、縦方向に複数を積層できることは言うまで
もない。
Needless to say, the multi-chip single-function module 40 of the second embodiment can be vertically stacked in the same manner as that shown in FIG. 2 of the first embodiment.

【0048】このようにマルチチップ単機能モジュール
化することで、モジュール積層数を少なくすることが出
来、コストダウンに繋がる。また、仕様変更などで単機
能モジュールに求められる性能(利得、歪等)が変わっ
た場合でも、設計に大きな変更を施すことなく素子構成
を変更できるという効果を有する。
By forming a multi-chip single-function module as described above, the number of laminated modules can be reduced, leading to cost reduction. Further, even if the performance (gain, distortion, etc.) required of the single-function module is changed due to the specification change, the element configuration can be changed without making a large change in the design.

【0049】なお上述した第1及び第2の実施の形態に
おいては、パッケージ1及びパッケージ41は多層に重
ね合わされた誘電体基板で、その材料には熱膨張係数の
低い多層LTCC(低温焼成セラミックス)を用いてい
るが、これに限定することなく、パッケージ材料として
アルミナセラミックスや、窒化アルミといった多層HT
CC(高温焼成セラミック)材に変更して使用すること
も可能である。この場合はパッケージの熱抵抗を下げる
ことができ、放熱特性改善が期待できる。
In the above-described first and second embodiments, the packages 1 and 41 are dielectric substrates laminated in multiple layers, and the material thereof is a multilayer LTCC (low temperature firing ceramics) having a low coefficient of thermal expansion. However, the present invention is not limited to this, and multilayer HT such as alumina ceramics or aluminum nitride is used as a package material.
It is also possible to use it by changing it to a CC (high temperature fired ceramic) material. In this case, the thermal resistance of the package can be reduced, and improvement of heat dissipation characteristics can be expected.

【0050】次に、本発明の第3の実施の形態について
説明する。
Next, a third embodiment of the present invention will be described.

【0051】図5は第3の実施の形態の高周波機能モジ
ュールを構成する単機能モジュールの縦断面図である。
FIG. 5 is a vertical sectional view of a single function module which constitutes the high frequency function module of the third embodiment.

【0052】この第3の実施の形態では、上述したよう
なパッケージ1、41に代わってプリント配線板51を
用いる。プリント配線板51にはキャビティ52が貫通
して形成されており、このキャビティ52を塞ぐように
放熱板54がプリント配線板51に取り付けられる。放
熱板54は、熱伝導率の高い銅等の材料からなる薄い金
属板にて形成される。
In the third embodiment, a printed wiring board 51 is used instead of the packages 1 and 41 described above. A cavity 52 is formed penetrating the printed wiring board 51, and a heat dissipation plate 54 is attached to the printed wiring board 51 so as to close the cavity 52. The heat dissipation plate 54 is formed of a thin metal plate made of a material such as copper having high thermal conductivity.

【0053】MMIC(モノリシック・マイクロ波集積
回路)53等の機能素子部品が、キャビティ52内にお
いて放熱板54に搭載される。MMIC53の搭載実装
方法については、通常の高温ロウ材によるロウ接や、導
電性接着剤による部品搭載、あるいはバンプを用いたフ
ェイスダウン実装といった手段が用いられる。このよう
にしてキャビティ52内部にて放熱板54へ実装したM
MIC53に対しては、ボンディングワイヤ60などに
よって部品とプリント配線板51間が電気的に接続され
る。
Functional element parts such as an MMIC (monolithic microwave integrated circuit) 53 are mounted on the heat sink 54 in the cavity 52. As the mounting and mounting method of the MMIC 53, a method such as brazing with a normal high-temperature brazing material, mounting of a component with a conductive adhesive, or face-down mounting with bumps is used. Thus, the M mounted on the heat sink 54 inside the cavity 52
With respect to the MIC 53, the component and the printed wiring board 51 are electrically connected by a bonding wire 60 or the like.

【0054】プリント配線板51の上面と下面には、上
述した実施の形態と同様にRFインターフェース55と
RFインターフェース56がそれぞれ1個所以上設けら
れる。このRFインターフェース55及びRFインター
フェース56は、同軸構造にて形成されているのが好ま
しい。
On the upper surface and the lower surface of the printed wiring board 51, one or more RF interfaces 55 and 56 are provided as in the above-described embodiment. It is preferable that the RF interface 55 and the RF interface 56 have a coaxial structure.

【0055】またプリント配線板51の表面には、上述
した実施の形態と同様、その長手方向に複数のDCイン
ターフェース57がプリント配線板51の上下間を貫通
する形で実装され、プリント配線板51内部の配線を外
部に取り出す役割を有する。
On the surface of the printed wiring board 51, a plurality of DC interfaces 57 are mounted in the longitudinal direction of the printed wiring board 51 so as to penetrate between the upper and lower sides of the printed wiring board 51, as in the above-described embodiment. It has a role to take out the internal wiring to the outside.

【0056】これら各インターフェース(RFインター
フェース55,56及びDCインターフェース57)に
は半田が供給され、単機能モジュールの複数積層時に溶
融することにより、各単機能モジュール間を電気的に接
続することができる。
Solder is supplied to each of these interfaces (RF interfaces 55 and 56 and DC interface 57) and melts when a plurality of single-function modules are laminated, whereby the single-function modules can be electrically connected. .

【0057】プリント配線板51の内部には、実装され
たMMIC53とRFインターフェース55,56及び
DCインターフェース57との間を電気的に接続する接
続回路58が備えられる。
Inside the printed wiring board 51, a connection circuit 58 for electrically connecting the mounted MMIC 53 to the RF interfaces 55 and 56 and the DC interface 57 is provided.

【0058】プリント配線板51の上面には薄い金属板
からなるキャップ59がロウ付けにより取り付けられて
おり、キャビティ52及び実装されたMMIC53を気
密封止して、プリント配線板51内に金属閉空間を形成
する構造となる。
A cap 59 made of a thin metal plate is attached to the upper surface of the printed wiring board 51 by brazing, and the cavity 52 and the mounted MMIC 53 are hermetically sealed so that the printed wiring board 51 has a metal closed space. To form a structure.

【0059】上述したような状態において、RFインタ
ーフェース55,56及びDCインターフェース57に
は半田印刷、あるいはボール供給などの手段によって半
田が供給される。このような構成の第3の実施の形態の
単機能モジュールを、縦方向に複数積層しうることは、
第1の実施の形態における図2に示す場合と同様であ
る。
In the above-mentioned state, the solder is supplied to the RF interfaces 55 and 56 and the DC interface 57 by means of solder printing or ball supply. It is possible to stack a plurality of single-function modules of the third embodiment having such a configuration in the vertical direction,
This is similar to the case shown in FIG. 2 in the first embodiment.

【0060】このような第3の実施の形態の単機能モジ
ュールによれば、高周波機能素子部品であるMMIC5
3の発熱量が大である場合が多いことから、薄い金属板
で熱伝導率の高い材料からなる放熱板54に直接にMM
IC53を搭載する構成とすることにより、プリント配
線板51の熱抵抗を下げて放熱効果を高められるととも
に、上述したようなセラミック材料と比較して安価にパ
ッケージを提供することが可能となる。
According to the single function module of the third embodiment, the MMIC 5 which is a high frequency functional element component.
Since the heat generation amount of 3 is large in many cases, the MM is directly attached to the heat dissipation plate 54 made of a thin metal plate having a high thermal conductivity.
By adopting the configuration in which the IC 53 is mounted, the thermal resistance of the printed wiring board 51 can be reduced to enhance the heat dissipation effect, and the package can be provided at a lower cost than the ceramic material as described above.

【0061】なお、上述した各実施の形態において、R
Fインターフェースは同軸構造にて形成されると例示し
たが、これに限定することなく、導波管型インターフェ
ース構造を用いてもよい。
In each of the above-mentioned embodiments, R
Although the F interface is illustrated as being formed in a coaxial structure, the present invention is not limited to this, and a waveguide type interface structure may be used.

【0062】また単機能モジュールを構成するパッケー
ジ材料に関しても、HTCC、LTCCといった無機系
材料のみならず、有機系材料によるパッケージも選択可
能である。これにより、各機能モジュールの性格に合わ
せた最適な材料を選定することが可能である。
As for the package material forming the single-function module, not only inorganic materials such as HTCC and LTCC but also organic material packages can be selected. As a result, it is possible to select the optimum material according to the characteristics of each functional module.

【0063】[0063]

【発明の効果】上述した本発明の高周波機能モジュール
及びその多層実装構造によれば、モジュールを構成する
機能ブロックごとに一つのパッケージに収めて単機能モ
ジュールを作成し、それらの単機能モジュールを縦方向
に複数積層することにより所定の機能を持った高周波モ
ジュール(三次元実装)を実現することができる効果が
ある。
According to the high-frequency functional module and the multilayer mounting structure thereof of the present invention described above, the functional blocks constituting the module are housed in one package to form a single-functional module, and the single-functional modules are vertically arranged. By stacking a plurality of layers in the direction, a high-frequency module (three-dimensional mounting) having a predetermined function can be realized.

【0064】また、このような本発明の構成によれば、
従来の問題点を解決した次のような幾多の効果が得られ
る。 (a)パッケージ投影面積が少なくなり、本モジュール
が搭載される装置の小型化が図れる。 (b)単機能モジュール単体で検査、スクリーニングを
実施した後に組み合わせることができるため、総合歩留
まりが向上する。 (c)単機能モジュールに組み込まれる部品数が少な
く、組み立てに要する時間が短いため、MMICの信頼
度を低下させる組み立て時の熱負荷が少なく、モジュー
ルとしての信頼性向上が期待できる。 (d)パッケージの標準化が図れ、検査、バーインとい
った工程に必要な検査冶具の種類を少なくすることがで
き、設備投資金額を抑えることが可能である。 (e)単機能モジュールとすることで最適な材料選定が
可能であり、原価低減がしやすい。 (f)機能ブロックごとにパッケージとするため、電磁
波の回り込みによる回路間干渉が発生しにくい。 (g)修理の際には故障した単機能モジュールのみ交換
することができる。
Further, according to such a configuration of the present invention,
The following various effects that solve the conventional problems can be obtained. (A) The projected area of the package is reduced, and the device in which this module is mounted can be downsized. (B) Since the single-function modules can be combined after being inspected and screened, the overall yield is improved. (C) Since the number of parts to be incorporated into the single-function module is small and the time required for assembly is short, the heat load at the time of assembly that reduces the reliability of the MMIC is small, and the reliability of the module can be improved. (D) It is possible to standardize the package, reduce the types of inspection jigs required for processes such as inspection and burn-in, and reduce the amount of capital investment. (E) Optimum material selection is possible by using a single-function module, and cost reduction is easy. (F) Since each functional block is packaged, interference between circuits is less likely to occur due to electromagnetic wave wraparound. (G) Only the failed single-function module can be replaced for repair.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態の高周波機能モジュ
ールを構成する単機能モジュールを示す(a)は縦断面
図、(b)は平面図である。
FIG. 1A is a vertical sectional view and FIG. 1B is a plan view showing a single-function module that constitutes a high-frequency function module according to a first embodiment of the present invention.

【図2】第1の実施の形態の単機能モジュールを縦方向
に複数積層した状態を示し、(a)は図1(b)のA−
A線にて、(b)は図1(b)のB−B線にてそれぞれ
切断して示す縦断面図である。
FIG. 2 shows a state in which a plurality of single-function modules according to the first embodiment are vertically stacked, and (a) shows A- of FIG. 1 (b).
1B is a vertical cross-sectional view taken along the line A-B in FIG. 1B.

【図3】第1の実施の形態の単機能モジュールを縦方向
に多層実装した高周波モジュールの一例を示し、(a)
は回路ブロック図、(b)はその多層積層実装の構成図
である。
FIG. 3 shows an example of a high-frequency module in which the single-function module according to the first embodiment is vertically multi-layered, (a)
Is a circuit block diagram, and (b) is a configuration diagram of the multi-layer stack mounting.

【図4】本発明の第2の実施の形態の複数チップを用い
た高周波単機能モジュールを示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing a high frequency single function module using a plurality of chips according to a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第3の実施の形態の高周波機能モジュ
ールを構成する単機能モジュールを示す縦断面図であ
る。
FIG. 5 is a vertical cross-sectional view showing a single function module that constitutes a high frequency function module according to a third embodiment of the present invention.

【図6】従来の高周波機能モジュールの代表的な実装形
態の例を示す断面図である。
FIG. 6 is a sectional view showing an example of a typical mounting form of a conventional high-frequency functional module.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,41 パッケージ 2,42,52 キャビティ 3,43,44,53 MMIC 4,60 ボンディングワイヤ 5,6,55,56 RFインターフェース 7,57 DCインターフェース 8,58 接続回路 9,59,65 キャップ 11,12,13,14 高周波単機能モジュール 21 発振器(LO−OSC) 22 増幅器(AMP) 23 プリスケーラ(PSC) 24 ミキサー(MIX) 25 ドライバー増幅器(Drive) 26 可変電力減衰器(Atten) 27 電力増幅器(PA) 28 検波器(DET) 30 多層高周波機能モジュール 31 (OSC+PSC)機能モジュール 32 AMP機能モジュール 33 MIX機能モジュール 34 Drive機能モジュール 35 Atten機能モジュール 36 (PA+DET)機能モジュール 40 マルチチップ単機能モジュール 45 チップ間接続用基板 51 プリント配線板 54 放熱板 61 金属パッケージ 62 ヘッダ 63 MMICベアチップ 64 アルミナセラミック基板 66 ガラス封止端子 1,41 package 2,42,52 cavity 3,43,44,53 MMIC 4,60 Bonding wire 5, 6, 55, 56 RF interface 7,57 DC interface 8,58 connection circuit 9,59,65 cap 11, 12, 13, 14 High frequency single function module 21 Oscillator (LO-OSC) 22 Amplifier (AMP) 23 Prescaler (PSC) 24 Mixer (MIX) 25 Driver Amplifier (Drive) 26 Variable Power Attenuator (Atten) 27 Power Amplifier (PA) 28 Detector (DET) 30 Multi-layer high frequency function module 31 (OSC + PSC) function module 32 AMP function module 33 MIX function module 34 Drive Function Module 35 Atten function module 36 (PA + DET) function module 40 multi-chip single function module 45 Chip connection substrate 51 printed wiring board 54 Heat sink 61 metal package 62 header 63 MMIC bare chip 64 Alumina ceramic substrate 66 Glass sealed terminal

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 有底のキャビティ穴を形成してなるパッ
ケージと、前記キャビティ穴に搭載される高周波機能素
子と、前記キャビティ穴及び前記高周波機能素子とをシ
ール封止するように前記パッケージに取り付けられる金
属板と、前記パッケージの上面及び下面にそれぞれ少な
くとも1個所設けられるRFインターフェース部と、前
記パッケージの上下を貫通するように複数設けられるD
Cインターフェース部と、前記高周波機能素子と前記R
Fインターフェース部及び前記DCインターフェース部
との間を電気的に接続する接続部とを備えることを特徴
とする高周波機能モジュール。
1. A package having a bottomed cavity hole, a high-frequency functional element mounted in the cavity hole, and attached to the package so as to seal and seal the cavity hole and the high-frequency functional element. A metal plate, at least one RF interface portion on each of the upper surface and the lower surface of the package, and a plurality of D interface portions that penetrate the package from above and below.
C interface section, the high-frequency functional element, and the R
A high-frequency functional module comprising: an F interface unit and a connection unit electrically connecting the DC interface unit.
【請求項2】 前記パッケージが誘電体基板であること
を特徴とする請求項1記載の高周波機能モジュール。
2. The high frequency functional module according to claim 1, wherein the package is a dielectric substrate.
【請求項3】 前記高周波機能素子がモノリシック・マ
イクロ波集積回路(MMIC)であることを特徴とする
請求項1または2に記載の高周波機能モジュール。
3. The high frequency functional module according to claim 1, wherein the high frequency functional element is a monolithic microwave integrated circuit (MMIC).
【請求項4】 前記誘電体基板が多層に重ね合わされた
低温焼成セラミックス(LTCC)からなることを特徴
とする請求項1ないし3のいずれかに記載の高周波機能
モジュール。
4. The high frequency functional module according to claim 1, wherein the dielectric substrate is made of low temperature co-fired ceramics (LTCC) laminated in multiple layers.
【請求項5】 前記誘電体基板が多層に重ね合わされた
高温焼成セラミックス(HTCC)からなることを特徴
とする請求項1ないし3のいずれかに記載の高周波機能
モジュール。
5. The high frequency functional module according to claim 1, wherein the dielectric substrate is made of high temperature fired ceramics (HTCC) laminated in multiple layers.
【請求項6】 前記RFインターフェース部が同軸構造
であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに
記載の高周波機能モジュール。
6. The high frequency functional module according to claim 1, wherein the RF interface unit has a coaxial structure.
【請求項7】 前記高周波機能素子が前記キャビティ穴
に少なくとも2個搭載されることを特徴とする請求項1
ないし6のいずれかに記載の高周波機能モジュール。
7. The at least two high-frequency functional elements are mounted in the cavity hole.
7. The high-frequency functional module according to any one of 1 to 6.
【請求項8】 貫通して形成されたキャビティ穴を有す
るプリント配線板と、熱伝導率の高い材料からなり前記
キャビティ穴を塞ぐように前記プリント配線板に取り付
けられる金属板と、前記キャビティ穴内において前記金
属板に搭載される高周波機能素子と、前記キャビティ穴
及び前記高周波機能素子とをシール封止するように前記
プリント配線板に取り付けられる金属キャップと、前記
プリント配線板の上面及び下面にそれぞれ少なくとも1
個所設けられるRFインターフェース部と、前記プリン
ト配線板の上下を貫通するように複数設けられるDCイ
ンターフェース部と、前記高周波機能素子と前記RFイ
ンターフェース部及び前記DCインターフェース部との
間を電気的に接続する接続部とを備えることを特徴とす
る高周波機能モジュール。
8. A printed wiring board having a cavity hole formed therethrough, a metal plate made of a material having a high thermal conductivity and attached to the printed wiring board so as to close the cavity hole, and inside the cavity hole. A high-frequency functional element mounted on the metal plate, a metal cap attached to the printed wiring board so as to seal and seal the cavity hole and the high-frequency functional element, and at least an upper surface and a lower surface of the printed wiring board, respectively. 1
An RF interface part provided at each location, a plurality of DC interface parts provided so as to pass through the printed wiring board from above and below, and the high-frequency functional element, the RF interface part, and the DC interface part are electrically connected. A high-frequency functional module comprising: a connection part.
【請求項9】 請求項1ないし8のいずれかに記載の前
記高周波機能モジュールを縦方向に複数積層し、前記R
Fインターフェース部同士及び前記DCインターフェー
ス部同士を接続してなることを特徴とする高周波機能モ
ジュールの多層実装構造。
9. A plurality of the high-frequency functional modules according to claim 1 are vertically stacked to form the R
A multilayer mounting structure of a high-frequency functional module, characterized in that F interface parts are connected to each other and the DC interface parts are connected to each other.
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