JP2003060143A - Semiconductor module - Google Patents

Semiconductor module

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JP2003060143A
JP2003060143A JP2001242582A JP2001242582A JP2003060143A JP 2003060143 A JP2003060143 A JP 2003060143A JP 2001242582 A JP2001242582 A JP 2001242582A JP 2001242582 A JP2001242582 A JP 2001242582A JP 2003060143 A JP2003060143 A JP 2003060143A
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Masaharu Anpo
Hironobu Kusafuka
正治 安保
浩伸 草深
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Toyota Motor Corp
トヨタ自動車株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable a ceramic board to be fixed to a heat sink in a simple structure. SOLUTION: A metal plate 20 and a heat sink 32 are fixed together with an adhesive agent. An opening 18 slightly smaller than a ceramic board 24 is provided at the center of the metal plate 20, and the inner tip 20a of the metal plate 20 is engaged with the periphery of the ceramic board 24 from above. On the other hand, the heat sink 32 is made to press the ceramic board 24 from below. Therefore, the ceramic board 24 can be fixed as pinched between the tip 20a of the metal plate 20 and the heat sink 32.

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】素子が実装されるセラミックス基板をヒートシンクに押しつけて固定する半導体モジュールに関する。 Relates BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] semiconductor module the ceramic substrate is fixed against the heat sink element is mounted. BACKGROUND OF THE INVENTION 【0002】 【従来の技術】従来より、MOSFET等の素子を実装した半導体モジュールが広く利用されている。 2. Description of the Related Art Conventionally, semiconductor modules are widely mounted with elements such as a MOSFET. 例えば、 For example,
ハイブリッド車両や電気自動車などにおいては、モータ駆動用の高電圧系と、補機駆動用の低電圧系の2系統の電源系統を有している。 In such hybrid vehicles and electric vehicles has a high voltage system for driving a motor, a power supply system of the two systems of low-voltage system for accessory drive. そして、通常は、DCDCコンバータを利用して高電圧から低電圧に変換し、低電圧系のバッテリに電力を供給している。 Then, usually, by using DCDC converter converts from a high voltage to a low voltage, and supplies power to the low voltage system of the battery. 【0003】このようなDCDCコンバータは、複数のMOSFETを利用する半導体モジュールで形成される場合が多い。 Such a DCDC converter are often formed in the semiconductor module utilizing multiple MOSFET. このようなDCDCコンバータは、比較的大きな電流を流すため、素子の発熱量も大きい。 Such DCDC converter to flow a relatively large current, the heating value of the device is also large. 【0004】そこで、半導体モジュールは、MOSFE [0004] Therefore, semiconductor module, MOSFE
Tなどの素子を実装したセラミック基板を放熱用のヒートシンク上に取り付けて構成される。 Comprised a ceramic substrate mounted with elements such as T mounted on the heat sink for heat dissipation. 【0005】ここで、ヒートシンクとセラミック基板とでは、熱膨張率に差があり、両者を完全に固定すると、 [0005] In the heat sink and the ceramic substrate, there is a difference in thermal expansion coefficient, when fully fixing the both
熱ストレスによる接合破壊が発生しやすい。 Junction breakdown due to thermal stress is likely to occur. 【0006】特開平11−330328号公報では、素子を実装したセラミック基板を端正付勢部材によりヒートシンクに押しつけることを開示する。 [0006] In JP-A 11-330328 JP discloses that press the ceramic substrate mounting the device to the heat sink by neat biasing member. この構成によって、熱ストレスによる接合破壊を防止しつつ、十分な放熱性を得ることができる。 This configuration, while preventing junction breakdown by thermal stress, it is possible to obtain a sufficient heat dissipation property. 【0007】 【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来例では、セラミック基板の収容するケースの上面をセラミック基板の上方に対抗配置し、両者の間に弾性部材を配置してセラミック基板を下方に存在するヒートシンクに押さえつけている。 [0007] The present invention is to provide, however, in the conventional example, against placing the top surface of the case for housing the ceramic substrate above the ceramic substrate, the ceramic substrate by disposing the elastic member therebetween It is pressed against the heat sink to present below. 従って、その構造が比較的複雑で大がかりなものになってしまうという問題があった。 Therefore, there is a problem that the structure becomes comparatively complicated and large in scale. 【0008】また、上述のようなDCDCコンバータでは、MOSFETを高速でスイッチングしてコンバータとして機能させるが、このスイッチングの際に電流の変化に基づくエネルギーが発生する。 [0008] In the DCDC converter as described above, but to function as a converter by switching the MOSFET on the high speed, energy is generated based on the change in current during the switching. そして、このエネルギーが電流量の2乗および回路のインダクタンスに比例する。 Then, the energy is proportional to the inductance of the square and the circuit of the current amount. 従って、配線線路が長いと、インダクタンスが大きくなり、それだけ大きなエネルギーが発生する。 Therefore, when the wiring line is long, the inductance is increased, a large energy correspondingly occurs. このようにして発生したエネルギーは、コンデンサなどで消費され、熱に変換されるため、配線インダクタンスが大きくなるに従って、発熱が大きくなってしまうという問題点もある。 Such energy generated in the can is consumed by such as capacitors, to be converted into heat, according to the wiring inductance increases, there is a problem that heat generation becomes large. 【0009】本発明の目的は、比較的簡単な構成でセラミック基板をヒートシンクに押しつけ固定することができる半導体モジュールを提供することにある。 An object of the present invention is to provide a semiconductor module which can be fixed against the ceramic substrate to the heat sink in a relatively simple configuration. 本発明の他の目的は、回路のインダクタンスを減少し、発熱量を小さく抑えることができる半導体モジュールを提供することを目的とする。 Another object of the present invention is to reduce the inductance of the circuit, and an object thereof is to provide a semiconductor module which can suppress the amount of heat generated. 【0010】 【課題を解決するための手段】本発明は、素子が実装されるセラミック基板と、このセラミック基板を取り囲む形状を有し、その内側端が前記セラミック基板周辺部にその上方より係合される金属板と、この金属板および前記セラミック基板の下側に配置されるヒートシンクと、 [0010] The present invention SUMMARY OF] includes a ceramic substrate element is mounted, the shape surrounding the ceramic substrate, engaging from its upper to its inner end said ceramic substrate peripheral portion a metal plate that is, a heat sink is arranged on the lower side of the metal plate and the ceramic substrate,
を有し、セラミック基板の外方において、前記金属板とヒートシンクを固定することで、前記ヒートシンクで前記セラミック基板を上方に向けて付勢するとともに、前記金属板によりセラミック基板を下方に向けて付勢して、前記セラミック基板を挟み込み固定することを特徴とする。 It has, with the outside of the ceramic substrate, by fixing the metal plate and the heat sink, as well as urges said ceramic substrate upward in the heat sink toward the ceramic substrate downward by the metal plate and energized, characterized by securing sandwiching said ceramic substrate. 【0011】このように、金属板と、ヒートシンクでセラミック基板を挟み込むことで、簡易な構造でセラミック基板を固定することができる。 [0011] Thus, the metal plate, by sandwiching the ceramic substrate with the heat sink, it is possible to fix the ceramic substrate with a simple structure. 特に、セラミック基板とヒートシンクの熱膨張の差を効果的に吸収することができる。 In particular, it is possible to absorb the difference of thermal expansion of the ceramic substrate and the heat sink effectively. 【0012】また、前記金属板は、中央部分にセラミック基板に対応する大きさの開口を有し、この開口を形成する内側端が前記セラミック基板の周辺部に係合されることが好適である。 Further, the metal plate has a size openings corresponding to the ceramic substrate in the central portion, it is preferable that the inner end to form the opening is engaged with the peripheral portion of the ceramic substrate . セラミック基板の周辺部全体を抑えることで確実にセラミック基板を固定することができる。 It is possible to reliably fix the ceramic substrate by suppressing the entire periphery of the ceramic substrate. 【0013】また、前記金属板は、前記セラミック基板上の素子を含む回路のアースとして機能することが好適である。 Further, the metal plate, it is preferable to function as a ground of a circuit including the elements on the ceramic substrate. これによって、回路からアースまでの距離を短くすることができ、ここにおけるインダクタンスを小さくできる。 Thus, it is possible to shorten the distance from the circuit to the ground, it is possible to reduce the inductance in here. そこで、電流のオンオフを行うDCDCコンバータなどがセラミック基板上に形成されている際における発熱を小さく抑制できるなどの効果が得られる。 Therefore, effects such as fever possible kept small at the time of such DCDC converter that performs on-off of the current is formed on the ceramic substrate is obtained. 【0014】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について、図面に基づいて説明する。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. 【0015】図1は、一実施形態に係る半導体モジュールの平面構成を示す模式図であり、図2はその正面図を示す。 [0015] Figure 1 is a schematic view showing a planar structure of a semiconductor module according to one embodiment, FIG. 2 shows a front view thereof. 【0016】ハウジング10は、例えばPPS(ポリフェニレンサルファイド)樹脂によって形成され、四角枠状の形状を有している。 [0016] The housing 10 is formed, for example by PPS (polyphenylene sulfide) resin and has a rectangular frame-like shape. このハウジング10の四隅には、ボルト用の切り欠き12が設けられている。 The four corners of the housing 10, notches 12 of the bolt is provided. そして、このボルト用の切り欠き12の中心部には、導電性の丸端子16が配置されている。 And, in the center of the notch 12 for the bolt, conductive round terminal 16 is arranged. この丸端子16は、ハウジング10の内部へと伸びており、後述する回路のアースが接続される。 The round terminal 16 extends into the interior of the housing 10, the ground of the circuit to be described later is connected. なお、丸端子16は、4つ設けられているが、電気的接続に利用されるのは1つだけでよい。 Incidentally, round terminal 16, although provided with four, being utilized in the electrical connection may be only one. 【0017】ハウジング10の下側には、中央部に開口18が形成された金属板20がシリコーン接着剤により接続されている。 [0017] underside of the housing 10, the metal plate 20 with an opening 18 is formed in the central portion are connected by a silicone adhesive. また、金属板20の丸端子16に対応する位置には、ボルト孔14が設けられている。 Further, at a position corresponding to the ring terminal 16 of the metal plate 20, bolt holes 14 are provided. なお、 It should be noted that,
金属板20は例えば黄銅を材料としている。 The metal plate 20 has a material, for example brass. そして、金属板20の開口18側の端部は、上方に向けてシフトした形状を有している。 The end portion of the opening 18 side of the metal plate 20 has a shape which is shifted upward. すなわち、図3、4に示すように金属板20の内側端部は、クランク状になっており、先端部20aが周辺より上側に位置している。 That is, the inner end of the metal plate 20 as shown in FIGS. 3 and 4 is adapted in a crank shape, the tip portion 20a is positioned above the periphery. なお、このような形状は四辺すべてについて同様である。 Such a shape is the same for all four sides. このようなクランク上の先端部20aは、例えばプレス成形で形成される。 Tip 20a on such crank is formed, for example, by press molding. 【0018】金属板20の先端部20aの下側には、接着剤22を介し、セラミック基板24の周辺部24aが位置している。 [0018] below the tip 20a of the metal plate 20, via the adhesive 22, the peripheral portion 24a of the ceramic substrate 24 is positioned. すなわち、セラミック基板24は、金属板20の中央部の開口18より大きく、その外縁は先端部20aの外側縁に対応している。 That is, the ceramic substrate 24 is larger than the opening 18 in the central portion of the metal plate 20, the outer edges correspond to the outer edge of the distal end portion 20a. 従って、セラミック基板24の周辺が金属板20の上に向けてシフトしている先端部20aの下側に収容される形になっており、両者の間にシリコーン接着剤22が位置している。 Accordingly, and in the form of the periphery of the ceramic substrate 24 is accommodated in the lower side of the distal end portion 20a which is shifted towards the top of the metal plate 20, the silicone adhesive 22 therebetween are located. 【0019】また、セラミック基板24の上表面の金属板の先端部20aより内側には、素子26を含むDCD Further, the inner side of the distal end portion 20a of the metal plate on the surface of the ceramic substrate 24, DCD including an element 26
Cコンバータ用の回路が形成されている。 Circuitry for C converter is formed. 【0020】また、ハウジング10の外周面からは一対のバスバー28,30が突出形成されている。 Further, a pair of bus bars 28, 30 are formed to project from the outer peripheral surface of the housing 10. これは、 this is,
セラミック基板20上のDCDCコンバータの入力ラインおよび出力ラインが接続されるもので、バスバー28 Those input and output lines of the DCDC converter on a ceramic substrate 20 is connected, the bus bar 28
には高圧電源ラインが接続され、バスバー30には低圧電源ラインが接続される。 The is connected to high-voltage supply line, the bus bar 30 is connected low-voltage power line. 【0021】さらに、ハウジング10の外周面には、コネクタ34も突出形成されており、このコネクタ34を介し、各種の信号がセラミック基板24上の回路に供給される。 Furthermore, the outer peripheral surface of the housing 10, the connector 34 is also formed to project, through the connector 34, various signals are supplied to the circuit on the ceramic substrate 24. 【0022】そして、図3、4に示すように、金属板2 [0022] Then, as shown in FIGS. 3 and 4, the metal plate 2
0およびセラミック基板24の下方にはこれら全体に対応した形状のヒートシンク32が固定される。 Below the 0 and the ceramic substrate 24 sink 32 having a shape corresponding to the whole they are fixed. すなわち、ハウジング10の切り欠き12内の金属板20のボルト孔14に上方から相通されたボルト(図示せず)がヒートシンク32のねじ孔32aにねじ止めされる。 In other words, it cuts phase from above the bolt hole 14 of the metal plate 20 away 12 threaded bolt of the housing 10 (not shown) is screwed into the screw hole 32a of the heat sink 32. なお、このボルトによって、丸端子16および金属板20 Incidentally, this bolt, round terminal 16 and the metal plate 20
がとも締めされる。 There and also be tightened. ヒートシンク32は、例えばアルミニウムで形成される。 The heat sink 32 is formed of, for example, aluminum. 【0023】特に、図4に示すように、セラミック基板24の下面は、金属板20の下面より(例えば、0.1 [0023] In particular, as shown in FIG. 4, the lower surface of the ceramic substrate 24, the lower surface of the metal plate 20 (e.g., 0.1
mm程度)下側に位置するように、金属板20のクランク部の形状、セラミック基板24の厚さが設定されている。 So as to be positioned in mm approximately) lower, the shape of the crank portion of the metal plate 20, the thickness of the ceramic substrate 24 is set. 【0024】従って、ヒートシンク32と金属板20をボルト締めすることで、ヒートシンク32の上面によって、セラミック基板24が上方に付勢され、金属板20 [0024] Accordingly, the heat sink 32 and the metal plate 20 by bolting, by the upper surface of the heat sink 32, the ceramic substrate 24 is biased upward, the metal plate 20
が板バネとして作用するため、その内側端によってセラミック基板24が下方に向けて付勢され、セラミック基板24が挟み込み固定される。 There to act as a leaf spring, the ceramic substrate 24 is energized downward by its inner end, the ceramic substrate 24 is sandwiched fixed. 【0025】このように、セラミック基板24の下面は、全体としてヒートシンク32に押しつけられるため、効果的な放熱が行われる。 [0025] Thus, the lower surface of the ceramic substrate 24, because it is pressed against the heat sink 32 as a whole, effective heat dissipation is carried out. また、金属板20とヒートシンク32がシリコーン接着剤で接着されるとともに、金属板20とセラミック基板24もシリコーン接着剤で固定されているが、セラミック基板24は、ヒートシンク32に接着されておらず、両者の熱膨張率の差に伴うストレスなどが緩和され、適切な固定が行える。 Further, the metal plate 20 and the heat sink 32 are bonded with a silicone adhesive, the metal plate 20 and the ceramic substrate 24 is also fixed by silicone adhesive, the ceramic substrate 24 is not bonded to the heat sink 32, and stress caused by the difference in thermal expansion coefficient therebetween is reduced, enabling appropriate fixation. 【0026】さらに、図4に示すように、素子26のアース端子は、ワイヤ36によって、セラミック基板24 Furthermore, as shown in FIG. 4, the ground terminal of the device 26, the wire 36, the ceramic substrate 24
のアース配線を介し、金属板20に接続されている。 Through the ground wiring are connected to the metal plate 20. そして、金属板20は、ヒートシンク32にボルトによって電気的に接続されており、これらがアースとして機能する。 Then, the metal plate 20 is electrically connected to the heat sink 32 by a bolt, it serves as a ground. また、右上の丸端子16は、コネクタ34のアース端子にも接続されている。 The right circle on terminal 16 is also connected to the ground terminal of the connector 34. 【0027】このようにして、セラミック基板24上のアースは、近傍の金属板20にワイヤボンディングで接続される。 [0027] Thus, the ground on the ceramic substrate 24 are connected by wire bonding in the vicinity of the metal plate 20. 従って、回路におけるアース配線の長さを短くすることができ、線路インダクタンスを小さくすることができ、これによってセラミック基板24上の回路の発熱を低減することができる。 Therefore, it is possible to shorten the length of the ground wiring in the circuit, it is possible to reduce the line inductance, which makes it possible to reduce heat generation of the circuit on the ceramic substrate 24. 【0028】すなわち、本実施形態の回路の等価回路は、図5にように示される。 [0028] That is, the equivalent circuit of the circuit of this embodiment is shown as in FIG. バスバー28には、高圧電源(例えば、42V)ラインが入力として接続される。 The bus bar 28, high-voltage power supply (e.g., 42V) lines are connected as inputs.
このバスバー28には、他端がアースに接続されたコンデンサC1が接続される。 The bus bar 28 and the other end connected capacitor C1 connected to ground is. このコンデンサC1によって、バスバー28からの入力電圧が安定化される。 This capacitor C1, the input voltage from the bus bar 28 is stabilized. なお、このコンデンサC1は、外部に設けてもよい。 Incidentally, the capacitor C1 may be provided outside. 【0029】バスバー28には、NチャンネルのスイッチトランジスタQ1のソースが接続され、そのドレインが上側トランジスタQ2のドレインが接続される。 The bus bar 28 is connected to the source of N-channel switching transistor Q1, a drain drain of the upper transistor Q2 is connected. 上側トランジスタQ2のソースには、下側トランジスタQ3 The source of the upper transistor Q2, lower transistors Q3
のドレインが接続され、下側トランジスタQ3のソースがアースに接続されている。 The drain of the connection, the source of the lower transistor Q3 is connected to ground. ここで、下側トランジスQ Here, the lower transistor Q
3ソースとアースとの線路にインダクタンスLが存在する。 Inductance L is present in the third line of the source and the ground. また、上側トランジスタQ2のドレインと下側トランジスタソースとの間には、コンデンサC2が接続されている。 Between the drain and the lower transistor source of the upper transistor Q2, capacitor C2 is connected. 【0030】そして、上側トランジスタQ2のソースと下側トランジスタQ3のドレインの接続点がバスバー3 [0030] The drain connection point of the source and lower transistors Q3 of the upper transistor Q2 busbar 3
0を介し、外部の低圧(例えば、14V)電源ラインに接続される。 Through 0 are connected to an external low pressure (e.g., 14 V) to the power supply line. 【0031】ここで、バスバー30にはコイルL2が接続されるとともに、他端がアースに接続されるコンデンサC3が接続されており、これによってバスバー30の出力におけるリップルが除去され低圧電源ラインが安定化されている。 [0031] Here, together with the coil L2 is connected to the bus bar 30, the other end is connected to a capacitor C3 is connected to ground, whereby low-voltage power line ripple is removed at the output of the bus bar 30 is stable It is of. 【0032】そして、上側トランジスタQ2、下側トランジスタQ3を交互にオンオフする。 [0032] Then, the on-off upper transistors Q2, the lower transistors Q3 alternately. 本実施形態の例では、42Vの入力に対し、1/3である14Vの出力を得るため、上側トランジスタQ2のオンデューティーに比べ、下側トランジスタのオンデューティーは、2倍に設定される。 In the example of this embodiment, the input of 42V, for obtaining an output of 14V is 1/3, compared with the on-duty of the upper transistor Q2, on-duty of the lower transistor is set to two times. これによって、出力に14Vの電圧が得られる。 Accordingly, the voltage of 14V is obtained at the output. 【0033】ここで、コイルL3が出力に接続されているため、上側トランジスタQ2がオン(下側トランジスタQ3はオフ)の時には、図におけるAで示す電流iが流れ、下側トランジスタQ3がオン(上側トランジスタQ2はオフ)の時には、図において、Bで示すように電流iが流れる。 [0033] Here, since the coil L3 is connected to the output, when the upper transistor Q2 is on (the lower transistor Q3 is turned off), the current flows i indicated by A in FIG, lower transistor Q3 is turned on ( when the upper transistor Q2 off), in the figure, a current i flows as indicated by B. 従って、インダクタンスL1の上側であるC点の電流は、0→電流i→0(A)と変化することになり、この電流の変化により、(1/2)L1・i 2 Accordingly, the current of the upper a C point of the inductance L1 becomes to change 0 → current i → 0 (A), the change of the current, (1/2) L1 · i 2
の共振エネルギが発生する。 Resonance energy is generated by the. そして、このエネルギは、 Then, this energy,
コンデンサC2にのESR(直流抵抗分)により消費され熱に変わる。 Converted into heat is consumed by the capacitor C2 Nino ESR (DC resistance component). 【0034】本実施形態では、ワイヤ36によって、C [0034] In this embodiment, the wire 36, C
点が直近の金属板20に接続される。 Points are connected to the nearest metal plate 20. 従って、ここに生じるインダクタンスL1を小さくでき、発熱量を小さく抑えることができる。 Therefore, it is possible to reduce the inductance L1 occurring here, it is possible to reduce the amount of heat generated. 【0035】なお、スイッチトランジスタQ1は、出力側から入力側への電流を阻止するものである。 [0035] The switch transistor Q1 is for blocking current from the output side to the input side. 【0036】 【発明の効果】以上説明したように、金属板と、ヒートシンクでセラミック基板を挟み込むことで、簡易な構造でセラミック基板を固定することができる。 [0036] As described above, according to the present invention, a metal plate, by sandwiching the ceramic substrate with the heat sink, it is possible to fix the ceramic substrate with a simple structure. 特に、セラミック基板とヒートシンクの熱膨張の差を効果的に吸収することができる。 In particular, it is possible to absorb the difference of thermal expansion of the ceramic substrate and the heat sink effectively. 【0037】また、セラミック基板の周辺部全体を抑えることで、確実にセラミック基板を固定することができる。 Further, by suppressing the entire periphery of the ceramic substrate, it is possible to reliably fix the ceramic substrate. 【0038】さらに、前記金属板は、前記セラミック基板上の素子を含む回路のアースとして機能させることで、回路からアースまでの距離を短くすることができ、 [0038] Further, the metal plate is, by functioning as a ground of a circuit including the elements on the ceramic substrate, it is possible to shorten the distance from the circuit to the ground,
ここにおけるインダクタンスを小さくできる。 The inductance in here can be reduced.

【図面の簡単な説明】 【図1】 実施形態の構成を示す平面図である。 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a plan view showing a structure of an embodiment. 【図2】 実施形態の構成を示す正面図である。 2 is a front view showing a structure of an embodiment. 【図3】 実施形態の組み立て構成を説明する図である。 3 is a diagram illustrating the assembly structure of the embodiment. 【図4】 実施形態の要部の構成を示す図である。 4 is a diagram showing a structure of a main portion of the embodiment. 【図5】 回路構成を示す図である。 5 is a diagram showing a circuit configuration. 【符号の説明】 10 ハウジング、20 金属板、24 セラミック基板、26 素子、32ヒートシンク。 [Description of reference numerals] 10 housing, 20 a metal plate, 24 ceramic substrate, 26 elements, 32 heat sink.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5E322 AA02 AA03 AB01 FA04 5F036 AA01 BB01 BB08 BC08 BC17 BD01 ────────────────────────────────────────────────── ─── front page of continued F-term (reference) 5E322 AA02 AA03 AB01 FA04 5F036 AA01 BB01 BB08 BC08 BC17 BD01

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 素子が実装されるセラミック基板と、 このセラミック基板を取り囲む形状を有し、その内側端が前記セラミック基板周辺部にその上方より係合される金属板と、 この金属板および前記セラミック基板の下側に配置されるヒートシンクと、 を有し、 セラミック基板の外方において、前記金属板とヒートシンクを固定することで、前記ヒートシンクで前記セラミック基板を上方に向けて付勢するとともに、前記金属板によりセラミック基板を下方に向けて付勢して、前記セラミック基板を挟み込み固定する半導体モジュール。 A ceramic substrate Claims 1. A device is mounted, has a shape surrounding the ceramic substrate, a metal plate inside end is engaged from the top to the ceramic substrate peripheral portion has, a heat sink is arranged on the lower side of the metal plate and the ceramic substrate, at the outer side of the ceramic substrate, by fixing the metal plate and the heat sink, toward the ceramic substrate upward by the heat sink with biasing Te, semiconductor module and biases the ceramic substrate downward, securing sandwiching said ceramic substrate by the metal plate. 【請求項2】 請求項1に記載の半導体モジュールにおいて、 前記金属板は、中央部分にセラミック基板に対応する大きさの開口を有し、この開口を形成する内側端が前記セラミック基板の周辺部に係合される半導体モジュール。 2. A semiconductor module according to claim 1, wherein the metal plate has a size openings corresponding to the ceramic substrate in the central portion, the peripheral portion of the inner end forming the opening said ceramic substrate semiconductor module that is engaged. 【請求項3】 請求項1または2に記載の半導体モジュールにおいて、 前記金属板は、前記セラミック基板上の素子を含む回路のアースとして機能する半導体モジュール。 3. A semiconductor module according to claim 1 or 2, wherein the metal plate is a semiconductor module that functions as a ground of the circuit comprising the elements on the ceramic substrate.
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