JP2003059607A - Ic socket - Google Patents

Ic socket

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JP2003059607A
JP2003059607A JP2001247176A JP2001247176A JP2003059607A JP 2003059607 A JP2003059607 A JP 2003059607A JP 2001247176 A JP2001247176 A JP 2001247176A JP 2001247176 A JP2001247176 A JP 2001247176A JP 2003059607 A JP2003059607 A JP 2003059607A
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Japan
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socket
contact
nickel
plating layer
palladium
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JP2001247176A
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Japanese (ja)
Inventor
Shuichi Ikeda
修一 池田
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WELLS CTI KK
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WELLS CTI KK
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an IC socket keeping stable properties against repeated burn-in, having an electric contact with a durable plated layer. SOLUTION: The IC socket, for testing an IC having many electrodes, is mounted on a test device through a socket board. the IC socket has many electric contacts 20 which electrically connect the electrodes of the IC to a test device through an electric circuit formed to a socket board, and the electric contacts 20 have nickel palladium plating layer at a contact point 20a contacting the electrode of the IC.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ソケットボードを
介して試験装置に設置され、多数の電極を配列したIC
を試験するためのICソケットに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an IC having a large number of electrodes arranged on a test apparatus via a socket board.
IC socket for testing

【0002】[0002]

【従来の技術】ICを単体でバーンインし、短時間で故
障因子を強制的に引き起こすことによって、初期不良を
有するICをスクリーニングすることが一般的に行われ
ている。このようなICのバーンインは、多数のICソ
ケットを装着したソケットボードあるいはバーンインボ
ードと称される基板にICを搭載し、これらのICを搭
載した基板をバーンイン装置にセットすることによって
行われている。このバーンイン装置は、ICを例えば1
25℃前後の高温状態におき、基板およびICソケット
を介して定格電圧/信号の1.2から1.6倍程度のレ
ベルの高電圧を印加する。このようにICを単体でバー
ンインすることによって、初期不良を有するICを判別
して予め排除することができ、ICを実装した高価な基
板毎にバーンインするよりもコストを安価に抑えること
ができる。
2. Description of the Related Art It is common practice to burn-in an IC by itself and forcibly cause a failure factor in a short time to screen an IC having an initial failure. Such burn-in of ICs is performed by mounting the ICs on a board called a socket board or burn-in board having a large number of IC sockets mounted thereon, and setting the boards on which these ICs are mounted in a burn-in device. . This burn-in device has an IC of, for example, 1
A high voltage of about 1.2 to 1.6 times the rated voltage / signal is applied through a substrate and an IC socket at a high temperature of about 25 ° C. In this way, by burn-in the IC alone, the IC having the initial failure can be discriminated and eliminated in advance, and the cost can be suppressed to be lower than the burn-in for each expensive board on which the IC is mounted.

【0003】バーンイン用のICソケットは、ICの形
状に対応して形成され、このICソケットの電気コンタ
クトは、ICの電極に対応して配列されている。これら
電気コンタクトは、一般にリン青銅あるいはベリリウム
銅からなる基材の全体もしくはICの電極との接点部に
下地のニッケルメッキ層の上に金メッキ層を有してい
る。
The burn-in IC socket is formed corresponding to the shape of the IC, and the electric contacts of the IC socket are arranged corresponding to the electrodes of the IC. These electrical contacts generally have a gold-plated layer on the underlying nickel-plated layer at the contact point with the whole of the base material made of phosphor bronze or beryllium copper or the electrode of the IC.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】このようなICソケッ
トは、ICのバーンインを繰り返すと、接点部に有する
金メッキ層は、金自体が元来有している柔らかさのため
に、特に高温になるほどICの電極が有する不純物が付
着しやすくなる。また、バーンインを繰り返すことによ
り、金メッキ層が下地のニッケルメッキ層や基材から剥
がれやすくなるなど、電気コンタクトひいてはICソケ
ットの耐久性に問題があった。
In such an IC socket, when the burn-in of the IC is repeated, the gold-plated layer at the contact portion becomes so high that the temperature becomes particularly high because of the softness inherent in the gold itself. Impurities of the electrodes of the IC are likely to adhere. Further, by repeating the burn-in, the gold plating layer is easily peeled off from the underlying nickel plating layer or the base material, and there is a problem in the durability of the electrical contact and eventually the IC socket.

【0005】本発明は、このような課題を解決するため
になされ、繰り返しバーンインしても安定した特性を保
ち、耐久性を備えたメッキ層を有する電気コンタクトが
配設されたICソケットを提供することを目的とする。
The present invention has been made to solve the above problems, and provides an IC socket provided with an electric contact having a plating layer having stable characteristics and having stable characteristics even after repeated burn-in. The purpose is to

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明者等は、最適のメッキ層を得るべく、鋭意検
討し、ニッケルパラジウムメッキがICソケットの接点
として極めて耐久性に優れていることを見出し、これに
基づいて本発明を完成するに至った。すなわち、本発明
のICソケットは、ソケットボードを介して試験装置に
設置され、多数の電極を配列したICを試験するための
ものである。そして、このICソケットは、ソケットボ
ードに形成した電気回路を介してICの電極を試験装置
に電気的に接続する多数の電気コンタクトを有し、これ
ら電気コンタクトは、ICの電極と接触する接点部にニ
ッケルパラジウムメッキ層を有することを特徴とするも
のである。
In order to solve the above problems, the inventors of the present invention have diligently studied in order to obtain an optimum plating layer, and nickel palladium plating is extremely durable as a contact of an IC socket. Therefore, the present invention has been completed based on these findings. That is, the IC socket of the present invention is installed in a test device via a socket board to test an IC in which a large number of electrodes are arranged. The IC socket has a large number of electrical contacts for electrically connecting the electrodes of the IC to the testing device via an electrical circuit formed on the socket board, and these electrical contacts are contact portions that come into contact with the electrodes of the IC. It has a nickel-palladium plating layer on its surface.

【0007】また、本発明のICソケットは、前記ニッ
ケルパラジウムメッキ層が、ニッケルとパラジウムとの
割合が略1対9ないし4対6の範囲にあることが好適で
ある。
Further, in the IC socket of the present invention, it is preferable that the nickel palladium plating layer has a ratio of nickel and palladium in a range of approximately 1: 9 to 4: 6.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態について説明する。まず、図1ないし図4
を用い、オープントップタイプに形成されたバーンイン
用のICソケットおよびそのための電気コンタクトを例
として説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, FIGS. 1 to 4
An open top type IC socket for burn-in and an electric contact therefor will be described as an example.

【0009】図1に示すように、ICソケット2は、ソ
ケットボードあるいはバーンインボードなどの図示しな
い基板(試験装置)に取り付けられる絶縁材製で矩形状
のソケットボディ4を備えている。このソケットボディ
4の上部には、ソケットボディ4を上下に貫通した多数
の小孔が格子状に並設され、図示しない矩形状のICを
載置させる矩形状の台座4aと、この台座4aを四方か
ら取り囲み、ICを所定の位置に配置させるガイド部4
bとを一体的に備えている。
As shown in FIG. 1, the IC socket 2 is provided with a rectangular socket body 4 made of an insulating material, which is attached to a substrate (test device) (not shown) such as a socket board or a burn-in board. On the upper part of the socket body 4, a large number of small holes vertically penetrating the socket body 4 are arranged side by side in a grid pattern, and a rectangular pedestal 4a on which a rectangular IC (not shown) is mounted, and this pedestal 4a Guide part 4 that surrounds from all sides and arranges the IC in a predetermined position
and b are integrally provided.

【0010】また、このソケットボディ4の一側に枢着
され、ガイド部4bから台座4a上に向かってICを押
圧する位置に向けてばね(図示せず)で付勢された対向
した1対のICホルダ6が設けられている。
A pair of opposed sockets which are pivotally attached to one side of the socket body 4 and are urged by a spring (not shown) toward a position for pressing the IC from the guide portion 4b to the pedestal 4a. IC holder 6 is provided.

【0011】そして、ICの各電極と電気的に接触する
多数の電気コンタクト8が図示しない部材で支持されて
前記小孔と同一軸上に並設され、ソケットボディ4の他
側から前記小孔にそれぞれ挿入され、接点部8aの先端
が僅かに突出されて保持されている。
A large number of electrical contacts 8 which are in electrical contact with the electrodes of the IC are supported by members (not shown) and are arranged on the same axis as the small holes, and the small holes are provided from the other side of the socket body 4. And the tip of the contact portion 8a is slightly projected and held.

【0012】このソケットボディ4の側面部には、複数
の係止爪が設けられている。これら係止爪の所定の部分
には、ソケットボディ4に配設されたばね10でソケッ
トボディ4に対して離隔する方向に付勢され、台座4a
に位置させるICを取り付けおよび取り外しする開口部
を備えたカバー12が係止されている。このカバー12
は、これらICホルダ6を駆動するのに連動して電気コ
ンタクト8の後述する接点部8aを互いに対して開かせ
る。また、前記係止爪の所定の部分には、このICソケ
ット2の位置決め装置14が他側から係止されている。
The side surface of the socket body 4 is provided with a plurality of locking claws. A spring 10 arranged on the socket body 4 urges a predetermined portion of these locking claws in a direction away from the socket body 4 to move the pedestal 4a.
The cover 12 having an opening for attaching and detaching the IC to be positioned at is locked. This cover 12
Interlocks with the driving of these IC holders 6 to open later-described contact portions 8a of the electrical contacts 8. Further, the positioning device 14 of the IC socket 2 is locked to the predetermined portion of the locking claw from the other side.

【0013】また、図2に示すように、このICソケッ
ト2に用いられる電気コンタクト8の接点部8aは、I
Cの電極を形成するはんだボール(図示せず)を4つの
突起部8bで挟み込む一対の板ばね状のアーム部から形
成されている。なお、この電気コンタクト8のICとの
接点部8aとその近傍(図2中の斜線部)には、下地層
として例えばニッケルメッキ層を形成し、その上にニッ
ケルパラジウム合金からなるニッケルパラジウムメッキ
層を有する。このニッケルパラジウムメッキ層は、接点
部8aのうち、ICの電極に直接接触する4つの突起部
8bにのみ有していればよいが、メッキを行なうコスト
によって、4つの突起部8bだけでなく、図2に示す接
点部8aおよびその近傍(斜線部)、もしくは電気コン
タクト8全体などに有し得る。これは、ICソケットの
耐久性を改善すべく鋭意努力し、ニッケルパラジウムメ
ッキがICソケットの接点として極めて耐久性に優れて
いることを見出したことによるものである。
Further, as shown in FIG. 2, the contact portion 8a of the electric contact 8 used in the IC socket 2 is I
It is formed by a pair of leaf spring-shaped arm portions in which a solder ball (not shown) forming the C electrode is sandwiched by four protrusions 8b. A nickel plating layer, for example, is formed as a base layer on the contact portion 8a with the IC of the electric contact 8 and the vicinity thereof (hatched portion in FIG. 2), and a nickel palladium plating layer made of a nickel palladium alloy is formed thereon. Have. This nickel-palladium plating layer need only be provided on the four protrusions 8b of the contact portions 8a that are in direct contact with the electrodes of the IC, but not only the four protrusions 8b but also the four protrusions 8b depending on the cost of plating. The contact portion 8a shown in FIG. 2 and its vicinity (hatched portion), or the electric contact 8 as a whole may be provided. This is because the inventors have made diligent efforts to improve the durability of the IC socket and have found that nickel-palladium plating has extremely excellent durability as a contact of the IC socket.

【0014】なお、このようなICソケットは、図1お
よび図2に示す電気コンタクト8だけでなく、例えば、
図3に示す電気コンタクト20を有することもある。こ
の電気コンタクト20は、一般に平板状の電極を有する
ICの電極に対して後述するばね腕部24によって付勢
されて接触される。
Incidentally, such an IC socket is not limited to the electrical contact 8 shown in FIGS.
It may also have the electrical contacts 20 shown in FIG. The electrical contact 20 is urged by a spring arm portion 24, which will be described later, to be brought into contact with an electrode of an IC having a generally flat plate-shaped electrode.

【0015】この電気コンタクト20は、ICの電極に
接触する鉤状の接点部20aと、この接点部20aをば
ね腕部24を介して支える基部26とを備えている。こ
の基部26は、接点部20aに対して反対の側に試験装
置に接続される2つのソルダレッグ部28を備えてい
る。また、この電気コンタクト20の例えば、接点部2
0aおよびその近傍(図3中の斜線部)には、下地層と
して例えばニッケルメッキ層を形成し、その上にニッケ
ルパラジウム合金からなるニッケルパラジウムメッキ層
を有する。
The electric contact 20 includes a hook-shaped contact portion 20a that contacts an electrode of the IC, and a base portion 26 that supports the contact portion 20a via a spring arm portion 24. The base portion 26 has two solder leg portions 28 connected to the test device on the side opposite to the contact portion 20a. Further, for example, the contact portion 2 of the electric contact 20.
0a and its vicinity (hatched portion in FIG. 3) have, for example, a nickel plating layer formed as a base layer and a nickel palladium plating layer made of a nickel palladium alloy thereon.

【0016】また、ICソケットは、図4の(a)に示
す電気コンタクト30を有することもある。この電気コ
ンタクト30は、ICの電極すなわちはんだボールに接
触する接点部30aと、この接点部30aから側方に変
位した基部32と、これらの接点部30aと基部32と
を連結する連結部34とを有する。接点部30aは、先
端部が2又状に分岐しアーム部を有する音叉形に形成さ
れ、ICのはんだボールに接触する先端面は互いに反対
方向に傾斜する2つの傾斜面で形成されている。また、
この電気コンタクト30の例えば、接点部30aおよび
その近傍(図4の(a)中の斜線部)には、下地層とし
て例えばニッケルメッキ層を形成し、その上にニッケル
パラジウム合金からなるニッケルパラジウムメッキ層を
有する。
The IC socket may also have the electrical contact 30 shown in FIG. 4 (a). The electrical contact 30 includes a contact portion 30a that comes into contact with an electrode of an IC, that is, a solder ball, a base portion 32 that is laterally displaced from the contact portion 30a, and a connecting portion 34 that connects the contact portion 30a and the base portion 32. Have. The contact point portion 30a is formed in a tuning fork shape in which the tip portion is branched into two forks and has an arm portion, and the tip end surface that contacts the solder ball of the IC is formed by two inclined surfaces that are inclined in opposite directions. Also,
For example, a nickel plating layer is formed as a base layer on the contact portion 30a and the vicinity thereof (hatched portion in FIG. 4A) of the electrical contact 30, and nickel palladium plating made of nickel palladium alloy is formed thereon. With layers.

【0017】そして、ICソケットは、図4の(b)に
示す電気コンタクト40を有することもある。この電気
コンタクト40は、図3に示す電気コンタクト20と同
様に、一般に平板状の電極を有するICの電極に対して
後述するばね腕部42によって付勢されて接触される。
The IC socket may have the electrical contact 40 shown in FIG. 4 (b). Similar to the electrical contact 20 shown in FIG. 3, the electrical contact 40 is urged and brought into contact with an electrode of an IC having a generally plate-like electrode by a spring arm portion 42 described later.

【0018】この電気コンタクト40は、ICの電極と
接触する接点部40aと、この接点部40aをばね腕部
42を介して支える基部44とを有する。このばね腕部
42は、基部44の一端側から延びた湾曲形状のばね部
を形成する連結部46と、この連結部46からほぼ真直
ぐに延びたアーム48と、このアーム48の先端にある
アーム先端部50とからなっている。また、この電気コ
ンタクト40の例えば、接点部40aおよびその近傍
(図4の(b)中の斜線部)には、下地層として例えば
ニッケルメッキ層を形成し、その上にニッケルパラジウ
ム合金からなるニッケルパラジウムメッキ層を有する。
The electrical contact 40 has a contact portion 40a that contacts the electrode of the IC, and a base portion 44 that supports the contact portion 40a via a spring arm portion 42. The spring arm portion 42 includes a connecting portion 46 that forms a curved spring portion that extends from one end of the base portion 44, an arm 48 that extends substantially straight from the connecting portion 46, and an arm at the tip of the arm 48. It consists of a tip 50. Further, for example, a nickel plating layer is formed as a base layer on, for example, the contact portion 40a and the vicinity thereof (hatched portion in FIG. 4B) of the electrical contact 40, and nickel made of nickel palladium alloy is formed thereon. It has a palladium plating layer.

【0019】以下、図3に示す電気コンタクト20が所
定のICソケットに配設された例について説明する。こ
の電気コンタクト20の基材には、例えば約0.25m
mの厚さを有するベリリウム銅が用いられ、315℃、
2時間の熱処理が施されている。
An example in which the electric contact 20 shown in FIG. 3 is arranged in a predetermined IC socket will be described below. The base material of this electric contact 20 is, for example, about 0.25 m.
Beryllium copper having a thickness of m is used at 315 ° C.,
Heat treatment is performed for 2 hours.

【0020】この電気コンタクト20に有するニッケル
パラジウムメッキ層は、ニッケルメッキ層の厚さが1.
0μm程度、ニッケルパラジウムメッキ層の厚さが1.
0μm程度で、かつニッケルとパラジウムとの比率がほ
ぼ2対8であることが好適である。以下、ニッケルとパ
ラジウムとの比率は、このような比率のものを例として
説明する。
The nickel-palladium plating layer included in the electrical contact 20 has a nickel plating layer thickness of 1.
The thickness of the nickel palladium plating layer is about 0 μm.
It is preferable that the thickness is about 0 μm and the ratio of nickel and palladium is approximately 2 to 8. Hereinafter, the ratio of nickel and palladium will be described by taking such a ratio as an example.

【0021】そして、接点部20aにニッケルパラジウ
ムメッキ層を有する電気コンタクト20を備えたICソ
ケットの耐久性は、以下の試験で測定される。なお、こ
の実施の形態では、1つのICソケットには、例えば5
4個の電気コンタクト20がそれぞれ所定の位置に並設
されている。
The durability of the IC socket provided with the electrical contact 20 having the nickel palladium plating layer on the contact portion 20a is measured by the following test. In this embodiment, one IC socket has, for example, 5
Four electric contacts 20 are juxtaposed at predetermined positions.

【0022】まず、バーンイン用の試験装置(図示せ
ず)に設置されたICソケットに装着された電気コンタ
クト20を解放状態(初期状態)にし、このICソケッ
トに取り付け可能なIC(図示せず)を所定の位置に載
置させて取り付ける。そして、このICの例えばはんだ
ボールで形成した54個の電極にそれぞれ接触した接点
部20aでそれぞれ接触抵抗値を測定し、その平均値を
とる。次に、前記ICを取り付けた状態で、ICソケッ
トのカバーをばねの付勢力に抗して100回押圧する。
これを操作試験の1サイクルとする。その後、電気コン
タクト20の各接点部20aで接触抵抗値を測定し、そ
の平均値をとる。さらに、前記ICを取り付けた状態
で、ICソケットを135℃中に48時間放置する。こ
れを高温試験の1サイクルとする。その後、電気コンタ
クト20の各接点部20aで接触抵抗値を測定し、その
平均値をとる。そして、操作試験およびこの操作試験後
の高温試験をそれぞれ1サイクル行なったものをICの
バーンインを模擬したICソケットの耐久試験の1サイ
クルとし、この耐久試験を20サイクル繰り返した。な
お、この試験に用いたICは、耐久試験の1サイクルご
とに新たなICに交換する。
First, the electric contact 20 attached to the IC socket installed in the burn-in test device (not shown) is brought into an open state (initial state), and an IC (not shown) attachable to this IC socket is provided. Place it in place and attach it. Then, the contact resistance value is measured at each of the contact portions 20a in contact with the 54 electrodes formed of, for example, solder balls of this IC, and the average value thereof is taken. Next, with the IC attached, the cover of the IC socket is pressed 100 times against the biasing force of the spring.
This is one cycle of the operation test. After that, the contact resistance value is measured at each contact portion 20a of the electrical contact 20, and the average value is taken. Further, with the IC attached, the IC socket is left at 135 ° C. for 48 hours. This is one cycle of the high temperature test. After that, the contact resistance value is measured at each contact portion 20a of the electrical contact 20, and the average value is taken. Then, one cycle of each of the operation test and the high temperature test after this operation test was set as one cycle of the durability test of the IC socket simulating the burn-in of the IC, and this durability test was repeated 20 cycles. The IC used in this test is replaced with a new IC every cycle of the durability test.

【0023】なお、接点部20aには、ニッケルパラジ
ウムメッキ層との比較のため、従来から一般的に用いら
れてきたニッケルメッキ下地の上に有する金メッキ層
と、金メッキ層に比べて十分な硬さのあるニッケルボロ
ンメッキ層とを同様に図3中に示す電気コンタクト20
の斜線部にメッキし、耐久試験を繰り返した。なお、金
メッキ層は、1.27μm程度の厚さのニッケルメッキ
下地の上に0.035μm程度の厚さの金メッキが施さ
れている。また、ニッケルボロンメッキ層は、2.0μ
mないし4.0μmの厚さを有する。
For comparison with the nickel-palladium plating layer, the contact portion 20a has a sufficient hardness as compared with the gold-plating layer and the gold-plating layer, which are generally used in the past, on the nickel-plating base. The electrical contact 20 shown in FIG.
The shaded area was plated and the durability test was repeated. The gold plating layer is formed by plating gold having a thickness of approximately 0.035 μm on a nickel plating base having a thickness of approximately 1.27 μm. The nickel boron plating layer has a thickness of 2.0μ.
It has a thickness of m to 4.0 μm.

【0024】図5および図6中、縦軸は接触抵抗値、横
軸はそれぞれ操作試験および高温試験のサイクル数を示
している。また、丸マークはニッケルパラジウムメッキ
層、四角マークは金メッキ層、三角マークはニッケルボ
ロンメッキ層の測定結果をそれぞれ示している。図5お
よび図6に示すように、耐久試験の初期状態(図5およ
び図6中の横軸の0サイクル)では、電気コンタクト2
0の接点部20aに有する3種類のメッキ層による試験
結果は、互いにほぼ同じ接触抵抗値を有している。しか
し、耐久試験のサイクル数を重ねるにつれて、ニッケル
ボロンメッキ層および金メッキ層を有する接点部20a
の接触抵抗値は、20サイクルまでの過程中に全体的に
初期状態に比べて上昇する方向に大きく変化したが、ニ
ッケルパラジウムメッキ層を有する接点部20aの接触
抵抗値は、ほぼ平坦で、初期状態との変化が最も少ない
ことが明らかとなった。
5 and 6, the vertical axis represents the contact resistance value and the horizontal axis represents the number of cycles of the operation test and the high temperature test, respectively. Further, the circle mark indicates the measurement result of the nickel palladium plating layer, the square mark indicates the measurement result of the gold plating layer, and the triangle mark indicates the measurement result of the nickel boron plating layer. As shown in FIGS. 5 and 6, in the initial state of the durability test (0 cycle on the horizontal axis in FIGS. 5 and 6), the electrical contact 2
The test results of the three types of plated layers in the contact portion 20a of 0 have almost the same contact resistance value. However, as the number of cycles of the durability test is increased, the contact portion 20a having the nickel boron plating layer and the gold plating layer is formed.
The contact resistance value of No. 2 changed largely in the direction of increasing as compared with the initial state during the process up to 20 cycles, but the contact resistance value of the contact portion 20a having the nickel palladium plating layer was almost flat, It was revealed that the change from the state was the least.

【0025】したがって、ICの電極との接点部にニッ
ケルパラジウムメッキ層を有する電気コンタクトは、金
メッキ層やニッケルボロンメッキ層を有する電気コンタ
クトに比べて繰り返し耐久試験を行なった後も安定して
データを取ることができる。このため、電気コンタクト
20ひいてはICソケットの耐久性がよいことが確認さ
れた。
Therefore, the electrical contact having the nickel-palladium plating layer at the contact portion with the electrode of the IC can provide stable data even after repeated durability tests as compared with the electrical contact having the gold-plating layer or the nickel boron plating layer. Can be taken. Therefore, it was confirmed that the durability of the electrical contact 20 and eventually the IC socket was good.

【0026】以上説明したように、本実施の形態のIC
ソケットによれば、ICのバーンインを繰り返しても電
気コンタクトのメッキ層が安定した特性を有し、長期間
に渡って使用することができる。
As described above, the IC of this embodiment
According to the socket, the plating layer of the electrical contact has stable characteristics even if the burn-in of the IC is repeated, and the socket can be used for a long period of time.

【0027】なお、本実施の形態で示した接点部8a,
20a,30a,40aにニッケルパラジウムメッキ層
を有する電気コンタクト8,20,30,40は、一例
であって、例えば、スプリングプローブ状の電気コンタ
クト(図示せず)などにも使用できる。すなわち、バー
ンインを行なうICによって変化し得る全てのICソケ
ットの電気コンタクトの接点部に適用することができ
る。また、図2、図3および図4の斜線部として示すよ
うに、メッキ層は接点部およびその近傍のみ有していて
もよいが、ICの電極と接触する部分のみ、もしくは電
気コンタクトの基材全体にメッキ層を有していてもよ
い。
The contact portions 8a shown in the present embodiment,
The electrical contacts 8, 20, 30, 40 having nickel-palladium plated layers on 20a, 30a, 40a are examples, and can be used, for example, as spring probe-shaped electrical contacts (not shown). That is, the present invention can be applied to the contact portions of all electrical contacts of IC sockets that can change depending on the burn-in IC. Further, as shown by the shaded portions in FIGS. 2, 3 and 4, the plating layer may have only the contact portion and the vicinity thereof, but only the portion contacting the electrode of the IC or the base material of the electrical contact. You may have a plating layer in the whole.

【0028】また、本実施の形態では、ニッケルパラジ
ウムメッキ層の厚さには、上述の厚さを例として説明し
たが、このような厚さに限らず、必要に応じて適宜の値
とすることができる。また、本実施の形態では、電気コ
ンタクトに有するニッケルパラジウムメッキ層のニッケ
ルとパラジウムとの比率は、上述の実験からも明らかな
ように、2対8が最も好ましいが、このようなニッケル
パラジウムメッキ層の特性を維持できる限り、1対9か
ら4対6の範囲程度でも用いることができる。
Further, in the present embodiment, the thickness of the nickel-palladium plating layer has been described by taking the above-mentioned thickness as an example, but the thickness is not limited to such a thickness and may be an appropriate value as necessary. be able to. Further, in the present embodiment, the ratio of nickel to palladium in the nickel-palladium plating layer included in the electrical contact is most preferably 2 to 8, as is clear from the above experiment, but such a nickel-palladium plating layer is preferable. As long as the above characteristics can be maintained, it can be used in the range of 1: 9 to 4: 6.

【0029】また、本実施の形態では、ICソケットは
54個の電気コンタクトを有していたが、このような数
に限ることはなく、ICに配列された電極数に応じて配
列可能なことはもちろんである。また、本実施の形態で
は、ICソケットおよびICを矩形状として説明した
が、このような形状に限ることはなく、他の形状でもよ
い。また、本実施の形態では、オープントップタイプの
ICソケットを例として説明したが、このようなICソ
ケットに限ることはなく、リッドタイプのICソケット
などに対しても同様に適用することができる。
Further, in the present embodiment, the IC socket has 54 electrical contacts, but the number is not limited to this, and it can be arranged according to the number of electrodes arranged in the IC. Of course. Further, although the IC socket and the IC are described as being rectangular in the present embodiment, the present invention is not limited to such a shape and may be another shape. Further, in the present embodiment, the open top type IC socket is described as an example, but the present invention is not limited to such an IC socket, and the same can be applied to a lid type IC socket or the like.

【0030】従って、本実施の形態によるICソケット
について、以下のことが言える。本実施の形態によれ
ば、ICソケットの操作試験後および高温試験後の接触
抵抗値から明らかなように、接点部にニッケルパラジウ
ムメッキ層を有する電気コンタクトは、接点部に金メッ
キ層やニッケルボロンメッキ層を有する電気コンタクト
に比べて優れた耐久性を示す。
Therefore, the following can be said about the IC socket according to the present embodiment. According to the present embodiment, as is clear from the contact resistance values of the IC socket after the operation test and after the high temperature test, the electrical contact having the nickel palladium plating layer at the contact portion is a gold plating layer or nickel boron plating at the contact portion. It has superior durability compared to electrical contacts with layers.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
バーンインなどの過酷な環境下での試験においても、耐
久性を向上させたICソケットを提供することができ
る。
As described above, according to the present invention,
It is possible to provide an IC socket having improved durability even in a test under a severe environment such as burn-in.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本実施の形態によるICソケットの全体を概略
的に示す斜視図。
FIG. 1 is a perspective view schematically showing an entire IC socket according to the present embodiment.

【図2】本実施の形態による電気コンタクトの接点部を
概略的に示す斜視図。
FIG. 2 is a perspective view schematically showing a contact portion of the electric contact according to the present embodiment.

【図3】本実施の形態による電気コンタクトの概略図。FIG. 3 is a schematic diagram of an electrical contact according to the present embodiment.

【図4】(a)および(b)は、図2および図3に示す
電気コンタクトの変形例。
4A and 4B are modifications of the electrical contacts shown in FIGS. 2 and 3.

【図5】本実施の形態による操作試験の各サイクル後に
測定したICソケットの接点部の接触抵抗値の平均値を
示すグラフ。
FIG. 5 is a graph showing the average value of the contact resistance value of the contact portion of the IC socket measured after each cycle of the operation test according to the present embodiment.

【図6】本実施の形態による高温試験の各サイクル後に
測定したICソケットの接点部の接触抵抗値の平均値を
示すグラフ。
FIG. 6 is a graph showing the average value of the contact resistance value of the contact portion of the IC socket measured after each cycle of the high temperature test according to the present embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2…ICソケット、4…ソケットボディ、4a…台座、
4b…ガイド部、6…ICホルダ、8…電気コンタク
ト、8a…接点部、8b…突起部、12…カバー、14
…位置決め装置、20…電気コンタクト、20a…接点
部、24…ばね腕部、26…基部、28…ソルダレッグ
部、30…電気コンタクト、30a…接点部、32…基
部、34…連結部、40…電気コンタクト、40a…接
点部、42…ばね腕部、44…基部、46…連結部、4
8…アーム、50…アーム先端部
2 ... IC socket, 4 ... Socket body, 4a ... Pedestal,
4b ... Guide part, 6 ... IC holder, 8 ... Electric contact, 8a ... Contact part, 8b ... Projection part, 12 ... Cover, 14
... Positioning device, 20 ... Electric contact, 20a ... Contact part, 24 ... Spring arm part, 26 ... Base part, 28 ... Solder leg part, 30 ... Electric contact, 30a ... Contact part, 32 ... Base part, 34 ... Coupling part, 40 ... Electrical contacts, 40a ... Contact portion, 42 ... Spring arm portion, 44 ... Base portion, 46 ... Connecting portion, 4
8 ... Arm, 50 ... Arm tip

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2G003 AA07 AC01 AG01 AG08 AG12 AH00 2G011 AA14 AA15 AB01 AB06 AB07 AC00 AC14 AE03 AF02 5E024 CA18 CB03    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F-term (reference) 2G003 AA07 AC01 AG01 AG08 AG12                       AH00                 2G011 AA14 AA15 AB01 AB06 AB07                       AC00 AC14 AE03 AF02                 5E024 CA18 CB03

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ソケットボードを介して試験装置に設置
され、多数の電極を配列したICを試験するためのIC
ソケットであって、 ソケットボードに形成した電気回路を介してICの電極
を試験装置に電気的に接続する多数の電気コンタクトを
有し、 これら電気コンタクトは、ICの電極と接触する接点部
にニッケルパラジウムメッキ層を有することを特徴とす
るICソケット。
1. An IC for testing an IC having a large number of electrodes arranged in a test device through a socket board.
The socket has a large number of electrical contacts for electrically connecting the electrodes of the IC to the testing device through an electrical circuit formed on the socket board. These electrical contacts are provided with nickel at the contact portions that come into contact with the electrodes of the IC. An IC socket having a palladium plating layer.
【請求項2】 前記ニッケルパラジウムメッキ層は、ニ
ッケルとパラジウムとの割合が略1対9ないし4対6の
範囲にあることを特徴とする請求項1に記載のICソケ
ット。
2. The IC socket according to claim 1, wherein the nickel-palladium plating layer has a ratio of nickel and palladium in a range of approximately 1: 9 to 4: 6.
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