JP2003057571A - Optical multi-layered structure and optical switching element, and image display device - Google Patents

Optical multi-layered structure and optical switching element, and image display device

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JP2003057571A
JP2003057571A JP2001247109A JP2001247109A JP2003057571A JP 2003057571 A JP2003057571 A JP 2003057571A JP 2001247109 A JP2001247109 A JP 2001247109A JP 2001247109 A JP2001247109 A JP 2001247109A JP 2003057571 A JP2003057571 A JP 2003057571A
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JP
Japan
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refractive index
layer
optical
substrate
index layer
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Application number
JP2001247109A
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Japanese (ja)
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Takuya Makino
拓也 牧野
Hirokazu Ishikawa
博一 石川
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/001Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on interference in an adjustable optical cavity

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical multi-layered structure which has simple constitution, is small-sized and lightweight, and can switch incident light at a high speed. SOLUTION: On a substrate 10 made of glass, low-refractive-index layers 12A to 13H made of magnesium fluoride (MgF2 ) and high-refractive-index layers 13A to 14H made of antimony oxide (Sb2 O3 ) are laminated by turns. The low- refractive-index layer 12A to the high-refractive index layer 13D on the side of the substrate 10 form a 1st layer 15 across a gap part 14 (low-refractive-index layer 12E), and the low-refractive-index layer 13E to the high-refractive-index layer 13H on the opposite side to the substrate 10 form a 2nd layer 18. A lower electrode layer 17 and an upper electrode layer 18 are provided which are formed out of metal thin films having windows 17A and 18A for transmitting ultraviolet light and the optical size of the gap part 14 is varied with an electrostatic force generated between the both to switch the quantity of reflection or transmission of the ultraviolet light.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、紫外光を反射また
は透過させる機能を有する光学多層構造体、およびこれ
を用いた光スイッチング素子並びに画像表示装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical multilayer structure having a function of reflecting or transmitting ultraviolet light, an optical switching element using the same, and an image display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、映像情報の表示デバイスとしての
ディスプレイの重要性が高まっており、このディスプレ
イ用の素子として、更には、光通信,光記憶装置,光プ
リンタなどの素子として、高速で動作する光スイッチン
グ素子(ライトバルブ)の開発が要望されている。従
来、この種の素子としては、液晶を用いたもの、マイク
ロミラーを用いたもの(DMD;Digtal Micro Miror D
evice 、ディジタルマイクロミラーデバイス、テキサス
インスツルメンツ社の登録商標)、回折格子を用いたも
の(GLV:Grating Light Valve,グレーティングライ
トバルブ、SLM(シリコンライトマシン)社)等があ
る。
2. Description of the Related Art In recent years, the importance of a display as a display device for video information is increasing, and it operates at high speed as an element for this display and further as an element for optical communication, an optical storage device, an optical printer and the like. There is a demand for the development of an optical switching element (light valve) that does. Conventionally, as this type of element, an element using a liquid crystal or an element using a micromirror (DMD: Digital Micro Miror D
evice, digital micromirror device, registered trademark of Texas Instruments), and one using a diffraction grating (GLV: Grating Light Valve, SLM (Silicon Light Machine)).

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】液晶を用いた従来の反
射型画像表示装置は、ガラスからなる一対の基板の内側
に透明電極が形成されており、両基板の透明電極の間に
液晶分子が封入された構造になっている。ガラス基板の
外側はさらに一対の偏光板で覆われ、背面からバックラ
イトで照らされている。透明電極間に電圧を印加し、液
晶分子の方向を制御して偏光面を回転させることにより
光スイッチングを行う。
In a conventional reflection type image display device using liquid crystal, transparent electrodes are formed inside a pair of substrates made of glass, and liquid crystal molecules are formed between the transparent electrodes of both substrates. It has an enclosed structure. The outside of the glass substrate is further covered with a pair of polarizing plates and is illuminated by a backlight from the back. Optical switching is performed by applying a voltage between the transparent electrodes and controlling the direction of liquid crystal molecules to rotate the plane of polarization.

【0004】しかしながら、液晶は応答速度が速いもの
でも数ミリ秒程度でしかなく、高速応答特性が悪いの
で、高速応答が要求される光通信,光演算,ホログラム
メモリ等の光記憶装置,光プリンタなどへの適用は非常
に難しい。また、偏光板を必要とするため、光の利用効
率が低い。さらに、液晶が強い光には耐えられないの
で、強いレーザ光のようなエネルギー密度の高い光のス
イッチングを行うことはできない。近年では、カラー画
像表示装置としての明るさ、色再現性、正確な階調表示
など高品位な画質への要求が高まっており、現状の液晶
を用いた光スイッチング素子では階調表示の正確さにお
いて不充分な点が出てきている。
However, even if the liquid crystal has a high response speed, it is only about a few milliseconds, and the high speed response characteristic is poor. It is very difficult to apply it to. Moreover, since a polarizing plate is required, the light utilization efficiency is low. Further, since the liquid crystal cannot withstand strong light, it is impossible to switch light with high energy density such as strong laser light. In recent years, there has been an increasing demand for high-quality image quality such as brightness, color reproducibility, and accurate gradation display as a color image display device. There are insufficient points in.

【0005】マイクロミラーを用いた光スイッチング素
子は、マイクロミラーの角度を制御することにより入射
光をスイッチングするものである。マイクロミラーを用
いた光スイッチング素子は、DMD(Digital Micro Mi
ror Device,デジタルマイクロミラーデバイス、米国テ
キサスインスツルメンツ社の登録商標)に代表されるよ
うに、既に多くの実施例を有している。マイクロミラー
は、大きく分けて一点で支持される片持ち梁構造と二点
で支持される捩れヒンジ構造との二種類に分類され、静
電力、圧電素子、熱アクチュエータなどを利用して駆動
される。
An optical switching element using a micromirror switches incident light by controlling the angle of the micromirror. An optical switching element using a micromirror is a DMD (Digital Micro Mi
ror Device, digital micromirror device, registered trademark of Texas Instruments Incorporated in the United States). Micromirrors are roughly classified into two types: a cantilever structure that is supported at one point and a torsion hinge structure that is supported at two points, and they are driven using electrostatic force, a piezoelectric element, a thermal actuator, etc. .

【0006】片持ち梁構造の場合、各マイクロミラーは
基板に対して水平な状態で支持され、マイクロミラーと
これに対応する駆動電極との間に電位差を与えると、静
電引力が発生し、そのマイクロミラーが対応する駆動電
極に向かって傾斜する。傾斜したマイクロミラーと傾斜
していないマイクロミラーとでは入射光を異なる角度で
反射させるので、これにより入射光を二方向にスイッチ
ングすることができる。マイクロミラーと駆動電極との
間に与えた電位差を取り除くと、マイクロミラーを支持
しているヒンジ部のばね力によって、マイクロミラーは
元の位置に復帰する。
In the case of the cantilever structure, each micromirror is supported in a horizontal state with respect to the substrate, and when a potential difference is applied between the micromirror and the corresponding drive electrode, an electrostatic attractive force is generated, The micromirror tilts towards the corresponding drive electrode. Since the incident light is reflected at different angles between the tilted micromirror and the non-tilted micromirror, the incident light can be switched in two directions. When the potential difference applied between the micromirror and the drive electrode is removed, the spring force of the hinge portion supporting the micromirror returns the micromirror to its original position.

【0007】一方、捩れヒンジ構造のマイクロミラーで
は、各マイクロミラーが一対のヒンジ部により共通の上
部基板に支持されている。下部基板には、各マイクロミ
ラーに対応させて、それぞれ一対の電極が設けられてい
る。各マイクロミラーと一対の電極のうちの一方の電極
との間、およびそのマイクロミラーと他方の電極との間
には、同じ電位差を生じさせており、これにより、その
マイクロミラーは下部基板に対して水平に保たれてい
る。
On the other hand, in a micromirror having a twist hinge structure, each micromirror is supported by a pair of hinge portions on a common upper substrate. The lower substrate is provided with a pair of electrodes corresponding to each micromirror. The same potential difference is generated between each micromirror and one of the pair of electrodes, and between the micromirror and the other electrode, which causes the micromirror to move to the lower substrate. It is kept horizontal.

【0008】ここで、例えば一方の電極に加える電圧を
大きくし、他方の電極に加える電圧を小さくすることに
よって、マイクロミラーと対応する一対の電極のそれぞ
れとの間に生じる静電引力に不釣合いを生じさせ、マイ
クロミラーを一対の電極のうちのどちらかに向かって傾
ける。これにより、マイクロミラーは異なる二方向のう
ちのどちらかに傾くことになるので、入射光を異なる二
方向に反射させてスイッチングすることができる。この
ようなマイクロミラーにおいては、光を偏向できる角
度、すなわち、二方向の反射光の角度の差が機械的なミ
ラーの振れ角の二倍となり、偏向できる角度が大きくな
る。
Here, for example, by increasing the voltage applied to one electrode and decreasing the voltage applied to the other electrode, the electrostatic attraction generated between the micromirror and each of the corresponding pair of electrodes is unbalanced. And tilt the micromirror toward either of the pair of electrodes. As a result, the micromirror tilts in one of two different directions, so that it is possible to reflect incident light in two different directions for switching. In such a micromirror, the angle at which the light can be deflected, that is, the difference between the angles of the reflected light in the two directions becomes twice the deflection angle of the mechanical mirror, and the angle at which the light can be deflected becomes large.

【0009】しかしながら、このようなマイクロミラー
の応答速度は一般に数マイクロ秒程度であり、高速性が
十分ではない。また、画像表示装置に用いる場合には、
コントラストを向上させるために光を偏向できる角度を
増大させる必要があり、そのため応答速度が一層低下す
るという問題がある。したがって、マイクロミラーを用
いた光スイッチング素子は、プロジェクション型の画像
表示装置には既に用いられているが、直視型の画像表示
装置への適用は困難である。
However, the response speed of such a micromirror is generally about several microseconds, and its high speed is not sufficient. When used in an image display device,
In order to improve the contrast, it is necessary to increase the angle at which the light can be deflected, which causes a problem that the response speed further decreases. Therefore, an optical switching element using a micromirror has been already used in a projection type image display device, but it is difficult to apply it to a direct view type image display device.

【0010】また、回折格子を用いた光スイッチング素
子として、例えば特表平10−510374号公報に開
示されたGLV(Grating Light Valve,グレーティング
ライトバルブ、SLM(シリコンライトマシン)社)が
ある。このGLVにおいては、光反射面を持つリボン状
のミラーと下部電極との間に電位差を生じさせ、これに
より発生する静電引力によって、リボン状ミラーを入射
光の波長の1/4動かす。こうして、静止状態のリボン
状ミラーと可動リボン状ミラーとの間に1/2波長分の
光路差を作り出すことにより回折光を生じさせ、反射光
を0次回折光方向と1次回折光方向とにスイッチングす
る。このとき、光路差を1/2波長までの範囲で制御す
ることにより、1次回折光の強度をコントロールするこ
とも可能である。
As an optical switching element using a diffraction grating, there is GLV (Grating Light Valve, SLM (Silicon Light Machine) Co., Ltd.) disclosed in, for example, Japanese Patent Publication No. 10-510374. In this GLV, a potential difference is generated between a ribbon-shaped mirror having a light-reflecting surface and a lower electrode, and the electrostatic attraction generated thereby moves the ribbon-shaped mirror by 1/4 of the wavelength of incident light. Thus, a diffracted light is generated by creating an optical path difference of 1/2 wavelength between the stationary ribbon-shaped mirror and the movable ribbon-shaped mirror, and the reflected light is switched between the 0th-order diffracted light direction and the 1st-order diffracted light direction. To do. At this time, it is also possible to control the intensity of the first-order diffracted light by controlling the optical path difference within a range up to 1/2 wavelength.

【0011】GLVは、非常に軽いリボン状ミラーを小
さい距離動かすだけで光のスイッチングを行うことがで
きるので、応答速度が数十ナノ秒と速く、高速スイッチ
ングに適しているが、以下のようないくつかの問題も有
している。
The GLV can switch light by moving a very light ribbon mirror by a small distance, and therefore has a fast response speed of several tens of nanoseconds and is suitable for high speed switching. It also has some problems.

【0012】第1に、光の回折を生じさせるためには少
なくとも二本のリボン状ミラーが必要であり、光の利用
効率を高めるためには四本以上、現実的には六本のリボ
ン状ミラーが必要となる。したがって、1次元に配列し
て用いた場合、全体の小型化が困難となる。
First, at least two ribbon-shaped mirrors are required to cause the diffraction of light, and four or more, and in reality, six ribbon-shaped mirrors are required to enhance the light utilization efficiency. You need a mirror. Therefore, when used in a one-dimensional array, it is difficult to reduce the overall size.

【0013】第2に、1次回折光は、0次回折光の光軸
に対称な二方向に対してある角度をもって生じるので、
1次回折光を利用するためにはこの二方向に進む光を集
めて一本にするための複雑な光学系が必要となる。
Second, since the 1st-order diffracted light is generated at an angle with respect to the two directions symmetrical with the optical axis of the 0th-order diffracted light,
In order to use the first-order diffracted light, a complicated optical system for collecting and advancing the light traveling in these two directions is required.

【0014】第3に、電極に電圧を加えない状態では、
静止状態のリボン状ミラーの反射面と可動リボン状ミラ
ーの反射面とは理想的には同一平面上にあるはずである
が、実際には同一平面上に揃わない。したがって、下部
電極にそれぞれ小さい電圧を加えてすべてのミラーの反
射面が同一平面上に揃うよう調整が必要となる。
Third, in the state where no voltage is applied to the electrodes,
The reflecting surface of the ribbon-shaped mirror in a stationary state and the reflecting surface of the movable ribbon-shaped mirror should ideally be on the same plane, but they are not actually on the same plane. Therefore, it is necessary to apply a small voltage to the lower electrodes so that the reflecting surfaces of all the mirrors are aligned on the same plane.

【0015】第4に、GLVは、光源としてレーザを用
い、一次元アレイ状に集積されたスイッチング素子にラ
イン状に成形した光を照射し、その光をミラー等でスキ
ャンすることによって2次元画像を得るようにしたプロ
ジェクション型の画像表示装置には適しているが、レー
ザ以外の光源を用いたり、直視型の画像表示装置に用い
ることは原理的に非常に困難である。
Fourth, the GLV uses a laser as a light source, irradiates switching light integrated in a one-dimensional array with linearly shaped light, and scans the light with a mirror or the like to form a two-dimensional image. Although it is suitable for a projection type image display device designed to obtain the above, it is theoretically very difficult to use a light source other than a laser or a direct view type image display device.

【0016】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、簡単な構成で、小型軽量であるとと
もに、紫外光に対して高速スイッチングが可能な光学多
層構造体、およびこれを用いた光スイッチング素子並び
に画像表示装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is an optical multilayer structure which has a simple structure, is small and lightweight, and is capable of high-speed switching with respect to ultraviolet light. An object is to provide an optical switching element and an image display device using the same.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】本発明による光学多層構
造体は、紫外光に対して透明な基板と、基板上に低屈折
率層と高屈折率層とを交互に積層してなる光学多層膜構
造に含まれる低屈折率層の一つとして形成され、光の干
渉現象を起こしうる大きさを有すると共にその大きさが
可変な間隙部と、間隙部に関して基板側に積層された低
屈折率層と高屈折率層とからなる第1の層と、間隙部に
関して基板と反対側に積層された低屈折率層と高屈折率
層とからなる第2の層とを有するものである。
An optical multilayer structure according to the present invention is an optical multilayer comprising a substrate transparent to ultraviolet light, and low refractive index layers and high refractive index layers alternately laminated on the substrate. It is formed as one of the low-refractive-index layers included in the film structure, and has a gap that has a size that can cause an interference phenomenon of light and the size of which is variable, and a low-refractive index laminated on the substrate side with respect to the gap. It has a first layer composed of a layer and a high refractive index layer, and a second layer composed of a low refractive index layer and a high refractive index layer laminated on the side opposite to the substrate with respect to the gap.

【0018】本発明による光スイッチング素子は、紫外
光に対して透明な基板と、基板上に低屈折率層と高屈折
率層とを交互に積層してなる光学多層膜構造に含まれる
低屈折率層の一つとして形成され、光の干渉現象を起こ
しうる大きさを有すると共にその大きさが可変な間隙部
と、間隙部に関して基板側に積層された低屈折率層と高
屈折率層とからなる第1の層と、間隙部に関して基板と
反対側に積層された低屈折率層と高屈折率層とからなる
第2の層とを有する光学多層構造体と、間隙部の光学的
な大きさを変化させるための駆動手段とを備えたもので
ある。
The optical switching element according to the present invention has a low refractive index contained in an optical multilayer film structure in which a substrate transparent to ultraviolet light and low refractive index layers and high refractive index layers are alternately laminated on the substrate. Formed as one of the refractive index layers and having a size capable of causing a light interference phenomenon and having a variable size, a low refractive index layer and a high refractive index layer laminated on the substrate side with respect to the gap part. An optical multi-layer structure having a first layer made of a material, a second layer made of a low refractive index layer and a high refractive index layer, which are laminated on the side opposite to the substrate with respect to the gap, and an optical structure of the gap. And a drive means for changing the size.

【0019】本発明による画像表示装置は、1次元また
は2次元に配列された複数の光スイッチング素子と、紫
外光源と、蛍光体とを備え、複数の光スイッチング素子
に紫外光源からの紫外光を照射して蛍光体を励起するこ
とで2次元画像を表示するものであって、光スイッチン
グ素子が、紫外光に対して透明な基板と、基板上に低屈
折率層と高屈折率層とを交互に積層してなる光学多層膜
構造に含まれる低屈折率層の一つとして形成され、光の
干渉現象を起こしうる大きさを有すると共にその大きさ
が可変な間隙部と、間隙部に関して基板側に積層された
低屈折率層と高屈折率層とからなる第1の層と、間隙部
に関して基板と反対側に積層された低屈折率層と高屈折
率層とからなる第2の層とを有する光学多層構造体と、
間隙部の光学的な大きさを変化させるための駆動手段と
を備えたものである。
The image display device according to the present invention comprises a plurality of one-dimensionally or two-dimensionally arranged optical switching elements, an ultraviolet light source, and a phosphor, and the plurality of optical switching elements are irradiated with ultraviolet light from the ultraviolet light source. A two-dimensional image is displayed by irradiating the phosphor to excite the phosphor, and the optical switching element includes a substrate transparent to ultraviolet light, and a low refractive index layer and a high refractive index layer on the substrate. It is formed as one of the low-refractive index layers included in the optical multilayer film structure that is alternately laminated, and has a size that can cause an interference phenomenon of light and the size of which is variable. A first layer composed of a low refractive index layer and a high refractive index layer laminated on the side, and a second layer composed of a low refractive index layer and a high refractive index layer laminated on the side opposite to the substrate with respect to the gap. An optical multilayer structure having
And a drive unit for changing the optical size of the gap.

【0020】本発明による光学多層構造体では、間隙部
の大きさを、「λ/2」(λは入射光の設計波長)の奇
数倍と「λ/2」の偶数倍(0を含む)との間で、2値
的あるいは連続的に変化させると、入射光の反射または
透過の量が2値的あるいは連続的に変化する。
In the optical multi-layer structure according to the present invention, the size of the gap portion is an odd multiple of "λ / 2" (λ is the design wavelength of incident light) and an even multiple of "λ / 2" (including 0). Between and, the amount of reflection or transmission of incident light changes in a binary or continuous manner.

【0021】本発明による光スイッチング素子では、駆
動手段によって、光学多層構造体の間隙部の光学的な大
きさが変化することにより、入射光に対してスイッチン
グ動作がなされる。
In the optical switching element according to the present invention, the driving means changes the optical size of the gap portion of the optical multi-layer structure to perform the switching operation with respect to the incident light.

【0022】本発明による画像表示装置では、1次元あ
るいは2次元に配列された本発明の複数の光スイッチン
グ素子に対して紫外光源からの紫外光が照射され蛍光体
が励起されることによって2次元画像が表示される。
In the image display device according to the present invention, a plurality of optical switching elements of the present invention arranged one-dimensionally or two-dimensionally are irradiated with ultraviolet light from an ultraviolet light source to excite the phosphor, thereby two-dimensionally. The image is displayed.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0024】〔光学多層構造体〕図1および図2は、本
発明の一実施の形態に係る光学多層構造体1の基本的な
構成を表すものである。図1は光学多層構造体1におけ
る後述の間隙部14が存在し、低透過時の状態、図2は
光学多層構造体1の間隙部14がなく、高透過時の状態
をそれぞれ示している。なお、この光学多層構造体1は
具体的には例えば紫外光に対する光スイッチング素子と
して用いられ、この光スイッチング素子を複数個1次元
または2次元に配列することにより、画像表示装置を構
成することができる。
[Optical Multilayer Structure] FIGS. 1 and 2 show a basic structure of an optical multilayer structure 1 according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 shows a state where there is a gap portion 14 described later in the optical multilayer structure 1 at the time of low transmission, and FIG. 2 shows a state when there is no gap portion 14 of the optical multilayer structure 1 at the time of high transmission. The optical multilayer structure 1 is specifically used as, for example, an optical switching element for ultraviolet light, and by arranging a plurality of the optical switching elements in one or two dimensions, an image display device can be configured. it can.

【0025】本実施の形態の光学多層構造体1は、基板
10の上に、低屈折率層12A〜12Hと高屈折率層1
3A〜13Hとを交互に積層した光学多層膜構造11を
有する。具体的には、光学多層膜構造11は、低屈折率
層12A、高屈折率層13A、低屈折率層12B、高屈
折率層13B、低屈折率層12C、高屈折率層13C、
低屈折率層12D、高屈折率層13D、低屈折率層12
E、高屈折率層13E、低屈折率層12F、高屈折率層
13F、低屈折率層12G、高屈折率層13G、低屈折
率層12H、高屈折率層13Hをこの順で含んでいる。
表1に、波長300nmの紫外光に対して最適設計した
場合の光学多層膜構造11の各層の詳細な構成を示す。
The optical multilayer structure 1 according to the present embodiment has the low refractive index layers 12A to 12H and the high refractive index layer 1 on the substrate 10.
It has an optical multilayer film structure 11 in which 3A to 13H are alternately laminated. Specifically, the optical multilayer film structure 11 includes a low refractive index layer 12A, a high refractive index layer 13A, a low refractive index layer 12B, a high refractive index layer 13B, a low refractive index layer 12C, a high refractive index layer 13C,
Low refractive index layer 12D, high refractive index layer 13D, low refractive index layer 12
E, a high refractive index layer 13E, a low refractive index layer 12F, a high refractive index layer 13F, a low refractive index layer 12G, a high refractive index layer 13G, a low refractive index layer 12H, and a high refractive index layer 13H are included in this order. .
Table 1 shows the detailed configuration of each layer of the optical multilayer film structure 11 when optimally designed for ultraviolet light having a wavelength of 300 nm.

【0026】[0026]

【表1】 [Table 1]

【0027】また、表1に示した構成を有する光学多層
構造体1について、波長300nmの紫外光を入射角
0.00度で入射させた場合の透過特性を図3に示す。
図3から分かるように、波長300nmの紫外光に対し
て、光学多層構造体1の高透過時の透過率は94.5
%、低透過時の透過率は0.23%となっており、光学
多層膜構造11を設けることにより優れた光学的特性が
得られる。なお、図3において、符号300Hで示した
曲線は高透過時の透過特性を、符号300Lで示した曲
線は低透過時の透過特性を表す。
FIG. 3 shows the transmission characteristics of the optical multilayer structure 1 having the structure shown in Table 1 when ultraviolet light having a wavelength of 300 nm is incident at an incident angle of 0.00 degree.
As can be seen from FIG. 3, the transmittance of the optical multilayer structure 1 at high transmittance is 94.5 for ultraviolet light having a wavelength of 300 nm.
%, The transmittance at low transmittance is 0.23%, and by providing the optical multilayer film structure 11, excellent optical characteristics can be obtained. In FIG. 3, the curve indicated by reference numeral 300H indicates the transmission characteristic at the time of high transmission, and the curve indicated by the reference numeral 300L indicates the transmission characteristic at the time of low transmission.

【0028】低屈折率層12A〜12Hのうち、低屈折
率層12Eは空気で充たされており、間隙部14を形成
している。間隙部14を挟んで、基板10側の低屈折率
層12Aから高屈折率層13Dまでが第1の層15を形
成しており、基板10と反対側の高屈折率層13Eから
高屈折率層13Hまでが第2の層16を形成している。
Of the low refractive index layers 12A to 12H, the low refractive index layer 12E is filled with air and forms the gap portion 14. The low-refractive index layer 12A to the high-refractive index layer 13D on the substrate 10 side form the first layer 15 with the gap 14 interposed therebetween, and the high-refractive index layer 13E on the side opposite to the substrate 10 has a high refractive index. The layers up to the layer 13H form the second layer 16.

【0029】本実施の形態では、基板10として紫外光
に対して透明な、例えばガラスからなる基板が用いられ
ている。また、間隙部14となる低屈折率層12E以外
の低屈折率層12A〜12D,12F〜12Hは、屈折
率が1.387と比較的低いフッ化マグネシウム(Mg
2 )から構成されている。高屈折率層13A〜13H
は、屈折率が2.290と比較的高い酸化アンチモン
(Sb2 3 )から構成されている。
In the present embodiment, a substrate that is transparent to ultraviolet light and is made of, for example, glass is used as the substrate 10. The low-refractive-index layers 12A to 12D and 12F to 12H other than the low-refractive-index layer 12E serving as the gap portion 14 have a relatively low refractive index of 1.387, namely magnesium fluoride (Mg).
F 2 ). High refractive index layers 13A to 13H
Is composed of antimony oxide (Sb 2 O 3 ) having a relatively high refractive index of 2.290.

【0030】間隙部14は、後述の駆動手段によって、
その光学的な大きさ(第1の層15と第2の層16との
間隔)が可変であるように設定されている。間隙部14
を埋める媒体は、紫外光に対して透明であれば気体でも
液体でもよい。気体としては、例えば、空気、窒素(N
2 )、ヘリウム(He)など、液体としては、水、シリ
コーンオイル、エチルアルコール、グリセリン、ジョー
ドメタンなどが挙げられる。なお、間隙部14を真空状
態とすることもできる。
The gap portion 14 is formed by a driving means described later.
The optical size (the distance between the first layer 15 and the second layer 16) is set to be variable. Gap 14
The medium that fills in may be gas or liquid as long as it is transparent to ultraviolet light. Examples of the gas include air and nitrogen (N
Examples of the liquid such as 2 ) and helium (He) include water, silicone oil, ethyl alcohol, glycerin, and jodomethane. Note that the gap portion 14 can also be in a vacuum state.

【0031】間隙部14の光学的な大きさは、例えば
「λ/2の奇数倍」と「λ/2の偶数倍(0を含む)」
との間で、2値的あるいは連続的に変化するものであ
る。これにより入射紫外光の反射または透過の量が2値
的あるいは連続的に変化する。なお、λ/2の倍数から
多少ずれても、他の層の膜厚あるいは屈折率の多少の変
化で補完できるので、「λ/2」の表現には、「ほぼλ
/2」の場合も含まれるものとする。
The optical size of the gap portion 14 is, for example, "odd times λ / 2" and "even times λ / 2 (including 0)".
It changes in a binary manner or continuously between and. This causes the amount of reflection or transmission of incident ultraviolet light to change in a binary manner or continuously. It should be noted that even if it is slightly deviated from a multiple of λ / 2, it can be complemented by a slight change in the film thickness or the refractive index of the other layers.
The case of "/ 2" is also included.

【0032】間隙部14の光学的な大きさを変化させて
紫外光のスイッチングを行うための駆動手段として、第
1の層15の下に下部電極層17が、第2の層16の上
に上部電極層18が設けられている。下部電極層17
は、本実施の形態では基板10に埋め込まれるようにし
て形成された金属薄膜であり、紫外光を透過させるため
の窓17Aが形成されている。上部電極層18は、第2
の層16を覆うように形成された金属薄膜であり、下部
電極層17の窓17Aに対応する位置に、紫外光を透過
させるための窓18Aが設けられている。下部電極層1
7および上部電極層18の材料としては、アルミニウム
(Al),金(Au),クロム(Cr),チタン(T
i)が挙げられる。
A lower electrode layer 17 is provided under the first layer 15 and a lower electrode layer 17 is provided over the second layer 16 as a driving means for changing the optical size of the gap portion 14 to switch the ultraviolet light. The upper electrode layer 18 is provided. Lower electrode layer 17
In the present embodiment, is a metal thin film formed so as to be embedded in the substrate 10, and has a window 17A for transmitting ultraviolet light. The upper electrode layer 18 is the second
Is a metal thin film formed so as to cover the layer 16 of the above, and a window 18A for transmitting ultraviolet light is provided at a position corresponding to the window 17A of the lower electrode layer 17. Lower electrode layer 1
7 and the upper electrode layer 18 include aluminum (Al), gold (Au), chromium (Cr), titanium (T).
i) are mentioned.

【0033】このような光学多層構造体1は、図4ない
し図15に示した製造プロセスにより作製することがで
きる。図4ないし図15においては、基板10上に3個
の光学多層構造体1を一方向に配列して作製する場合に
ついて説明する。なお、図4ないし図15においては、
簡単のため、第1の層15および第2の層16は単一の
層として示している。
Such an optical multilayer structure 1 can be manufactured by the manufacturing process shown in FIGS. 4 to 15, a case will be described in which three optical multilayer structures 1 are arranged on a substrate 10 in one direction to be manufactured. In addition, in FIG. 4 to FIG.
For simplicity, first layer 15 and second layer 16 are shown as a single layer.

【0034】まず、図4に示したように、紫外光に対し
て透明な、例えばガラスからなる基板10を用意する。
そして、図5に示したように、イオンビームにより基板
10に、下部電極層17を埋め込み形成するための溝1
0Aを加工する。溝10Aの加工深さは、電気抵抗等を
考慮し例えば1μmとすることができる。島10Bは、
下部電極層17において紫外光を透過させるための窓1
7Aとなるものである。
First, as shown in FIG. 4, a substrate 10 made of glass, which is transparent to ultraviolet light, is prepared.
Then, as shown in FIG. 5, the groove 1 for burying the lower electrode layer 17 in the substrate 10 by the ion beam is formed.
Process 0A. The processing depth of the groove 10A can be set to, for example, 1 μm in consideration of electric resistance and the like. Island 10B
Window 1 for transmitting ultraviolet light in the lower electrode layer 17
7A.

【0035】溝10Aが加工された基板10に、例えば
クロムからなる下部電極層17を成膜する。このときの
成膜厚さは、図5に示した溝10Aの加工深さ(本実施
の形態では1μm)以上とする。その後、図6に示した
ように、下部電極層17と基板10の表面が同一平面と
なるように平坦化する。これにより、紫外光を透過させ
るための窓17Aを有する下部電極層17が基板10に
埋め込まれた状態で形成される。
A lower electrode layer 17 made of, for example, chromium is formed on the substrate 10 in which the groove 10A has been processed. The film-forming thickness at this time is equal to or more than the processing depth (1 μm in the present embodiment) of the groove 10A shown in FIG. After that, as shown in FIG. 6, the lower electrode layer 17 and the substrate 10 are flattened so that the surfaces thereof are flush with each other. As a result, the lower electrode layer 17 having the window 17A for transmitting ultraviolet light is formed in a state of being embedded in the substrate 10.

【0036】下部電極層17を形成した後、フッ化マグ
ネシウムからなる低屈折率層12A〜12Dと、酸化ア
ンチモンからなる高屈折率層13A〜13Dとを表1に
示した膜厚で交互に積層し、図7に示したように、エッ
チングにより所定の形状にパターニングし、第1の層1
5を形成する。このときのエッチングは、例えばRIE
(Reactive Ion Etching)により行うことができる。
After forming the lower electrode layer 17, the low refractive index layers 12A to 12D made of magnesium fluoride and the high refractive index layers 13A to 13D made of antimony oxide are alternately laminated in the thickness shown in Table 1. Then, as shown in FIG. 7, the first layer 1 is patterned by etching into a predetermined shape.
5 is formed. The etching at this time is, for example, RIE.
(Reactive Ion Etching).

【0037】さらに、間隙部14を形成するための犠牲
層として、非晶質シリコン(a−Si)層19を成膜す
る。このとき成膜される非晶質シリコン層19の膜厚
は、間隙部14の光学的な大きさ(本実施の形態では、
表1に示したように、189.3nm)とする。その
後、図8に示したように、非晶質シリコン層19をエッ
チングにより所定の形状にパターニングする。このとき
のエッチングもまた、例えばRIE(Reactive Ion Etc
hing)により行うことができる。
Further, an amorphous silicon (a-Si) layer 19 is formed as a sacrificial layer for forming the gap portion 14. The film thickness of the amorphous silicon layer 19 formed at this time is the optical size of the gap portion 14 (in the present embodiment,
As shown in Table 1, it is 189.3 nm). After that, as shown in FIG. 8, the amorphous silicon layer 19 is patterned into a predetermined shape by etching. Etching at this time is also performed by, for example, RIE (Reactive Ion Etc
hing).

【0038】続いて、酸化アンチモンからなる高屈折率
層13E〜13Hと、フッ化マグネシウムからなる低屈
折率層12F〜12Hとを表1に示した膜厚で交互に積
層し、図9に示したように、エッチングにより所定の形
状にパターニングし、第2の層16を形成する。このと
きのエッチングは、例えばRIE(Reactive Ion Etchi
ng)により行うことができる。なお、符号20で示した
のは、後述のスペーサ21を形成するための開口であ
る。
Successively, high refractive index layers 13E to 13H made of antimony oxide and low refractive index layers 12F to 12H made of magnesium fluoride were alternately laminated to have the film thickness shown in Table 1 and shown in FIG. As described above, the second layer 16 is formed by patterning into a predetermined shape by etching. The etching at this time is, for example, RIE (Reactive Ion Etchi
ng). The reference numeral 20 indicates an opening for forming a spacer 21 described later.

【0039】第2の層16を形成した後、アルミニウム
からなる上部電極層18を成膜し、図10に示したよう
に所定の形状にパターニングし、紫外光を透過させるた
めの窓18Aを形成する。
After forming the second layer 16, an upper electrode layer 18 made of aluminum is formed and patterned into a predetermined shape as shown in FIG. 10 to form a window 18A for transmitting ultraviolet light. To do.

【0040】次いで、光学多層構造体1と後述のカバー
ガラスとの間に挿入されるスペーサ21として、二酸化
ケイ素(SiO2 )膜を基板10の表面から測って2μ
mの厚さになるよう成膜し、リフトオフ法により、図1
1および図12に示したように所定の形状にパターニン
グする。
Next, a silicon dioxide (SiO 2 ) film is measured as 2 μm from the surface of the substrate 10 as a spacer 21 to be inserted between the optical multilayer structure 1 and a cover glass described later.
1 is formed by a lift-off method so as to have a thickness of m.
1 and patterning into a predetermined shape as shown in FIG.

【0041】最後に、非晶質シリコン層19をゼノンダ
イフロライド(XeF2 )を用いたドライエッチングに
より除去し、図13ないし図15に示したように、間隙
部14を形成する。これにより、図1に示した光学多層
構造体1が完成する。なお、図13に示したような3個
の光学多層構造体1を一方向に配列した状態での平面形
状における寸法は、例えば5インチSVGA,800×
600ピクセルの直視・反射型画像表示装置の場合であ
れば、縦147μm×横147μmに収まっている。
Finally, the amorphous silicon layer 19 is removed by dry etching using Zenon difluoride (XeF 2 ) to form the gap portion 14 as shown in FIGS. 13 to 15. As a result, the optical multilayer structure 1 shown in FIG. 1 is completed. In addition, the dimension in the planar shape in a state where three optical multilayer structures 1 as shown in FIG. 13 are arranged in one direction is, for example, 5 inches SVGA, 800 ×
In the case of a 600-pixel direct-view / reflection-type image display device, the size is 147 μm in length × 147 μm in width.

【0042】上記のような構造を有する光学多層構造体
1は、下部電極層17と上部電極層18への電圧の印加
によって発生した静電力により駆動される。すなわち、
上部電極層18と、下部電極層17との間への電圧印加
による電位差で生じた静電引力によって、間隙部14の
光学的な大きさを、λ/2の奇数倍とλ/2の偶数倍
(0を含む)との間(例えば「λ/2」と「0」との
間)で2値的に切り替え、これにより、入射した紫外光
の反射または透過の量を変化させる。勿論、上部電極層
18、下部電極層17への電圧印加を連続的に変化させ
ることにより、間隙部14の大きさをある値の範囲で連
続的に変化させ、入射した紫外光の反射または透過の量
を連続的(アナログ的)に変化させるようにすることも
できる。
The optical multilayer structure 1 having the above structure is driven by the electrostatic force generated by applying the voltage to the lower electrode layer 17 and the upper electrode layer 18. That is,
Due to the electrostatic attraction generated by the potential difference due to the voltage application between the upper electrode layer 18 and the lower electrode layer 17, the optical size of the gap portion 14 is set to an odd multiple of λ / 2 and an even number of λ / 2. It is binary-switched between double (including 0) (for example, between “λ / 2” and “0”), thereby changing the amount of reflection or transmission of incident ultraviolet light. Of course, by continuously changing the voltage applied to the upper electrode layer 18 and the lower electrode layer 17, the size of the gap portion 14 is continuously changed within a certain value range, and the incident ultraviolet light is reflected or transmitted. It is also possible to change the amount of A in a continuous (analog) manner.

【0043】ここで、間隙部14の光学的な大きさを例
えば上記の「λ/2」と「0」との間で2値的に切り替
えるとする。上部電極層18と下部電極層17との間の
電位差が0Vであるときは、図1に示したように、第2
の層16は第1の層15に対して離間した状態となり、
間隙部14の光学的な大きさは「λ/2」である。この
とき、基板10の裏面から入射した紫外光UV1は透過
することができない。
Here, it is assumed that the optical size of the gap portion 14 is binary-switched between, for example, "λ / 2" and "0". When the potential difference between the upper electrode layer 18 and the lower electrode layer 17 is 0 V, as shown in FIG.
Layer 16 is separated from the first layer 15,
The optical size of the gap portion 14 is “λ / 2”. At this time, the ultraviolet light UV1 incident from the back surface of the substrate 10 cannot be transmitted.

【0044】これに対し、上部電極層18に正の電圧
(本実施の形態では例えば+10V)を印加し、下部電
極層17を接地し0Vとすると、静電引力が発生する。
この静電引力により、図2に示したように、第2の層1
6が、第1の層15に密着する。こうして間隙部14の
光学的な大きさが「0」となる。このとき、基板10の
裏面から入射した紫外光UV1は、窓17A,18Aを
通って基板10、第1の層15および第2の層16を透
過することができる(図2のUV2)。
On the other hand, when a positive voltage (for example, + 10V in this embodiment) is applied to the upper electrode layer 18 and the lower electrode layer 17 is grounded to 0V, an electrostatic attractive force is generated.
Due to this electrostatic attraction, as shown in FIG. 2, the second layer 1
6 adheres to the first layer 15. In this way, the optical size of the gap portion 14 becomes "0". At this time, the ultraviolet light UV1 incident from the back surface of the substrate 10 can pass through the windows 17A and 18A and pass through the substrate 10, the first layer 15, and the second layer 16 (UV2 in FIG. 2).

【0045】〔光スイッチング装置〕図16および図1
7は、上記光学多層構造体1を用いた光スイッチング装
置30の構成を表すものである。この光スイッチング装
置30は、具体的には紫外光のスイッチングにより画像
表示を行う直視・透過型の画像表示装置として用いられ
る。
[Optical Switching Device] FIGS. 16 and 1
7 shows a configuration of an optical switching device 30 using the optical multilayer structure 1. The optical switching device 30 is specifically used as a direct-view / transmissive image display device that displays an image by switching ultraviolet light.

【0046】光スイッチング装置30は、共通の基板3
1上に、複数(図では12個)の光スイッチング素子3
0A〜30Lを2次元アレイ状に配設したものである。
図15では、光スイッチング素子30A〜30Cのみが
完全に示されている。なお、2次元に限らず、1次元に
配列した構成としてもよい。光スイッチング素子30A
〜30Lのそれぞれは、上記実施の形態の光学多層構造
体1と同様の構成を有しているので、同一の構成要素に
は同一の符号を付してその説明を省略する。また、基板
31としては上述の実施の形態における基板10と同じ
ものを用いることができる。
The optical switching device 30 includes the common substrate 3
A plurality of (12 in the figure) optical switching elements 3
0A to 30L are arranged in a two-dimensional array.
In FIG. 15, only the optical switching elements 30A to 30C are completely shown. The configuration is not limited to two dimensions, and may be one-dimensionally arranged. Optical switching element 30A
Since each of 30L to 30L has the same configuration as the optical multilayer structure 1 of the above-described embodiment, the same components are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. Further, as the substrate 31, the same substrate as the substrate 10 in the above-described embodiment can be used.

【0047】図16において、各光スイッチング素子3
0A〜30Lのスペーサ21には、共通のカバーガラス
32が接合されている。内部は窒素(N2 )またはヘリ
ウム(He)雰囲気にして封止される。内部の圧力は、
用途に応じて必要な素子の減衰を考慮して決定され、本
実施の形態では例えば0.5KPaのヘリウム雰囲気と
している。光スイッチング装置30は画像表示装置とし
て用いられるので、カバーガラス32の内側には、赤色
(R),緑色(G),青色(B)の各色の蛍光体33
R,33G,33Bがパターニングされている。蛍光体
33R,33G,33Bとしては、紫外光により励起さ
れるものを用いる。
In FIG. 16, each optical switching element 3
A common cover glass 32 is joined to the spacers 21 of 0A to 30L. The inside is sealed in a nitrogen (N 2 ) or helium (He) atmosphere. The internal pressure is
The helium atmosphere is determined to be 0.5 KPa, for example, in this embodiment. Since the optical switching device 30 is used as an image display device, inside the cover glass 32, phosphors 33 of red (R), green (G), and blue (B) colors are provided.
R, 33G and 33B are patterned. As the phosphors 33R, 33G, 33B, those excited by ultraviolet light are used.

【0048】基板31の光スイッチング素子30A〜3
0Lと反対側には、紫外光源34が設けられている。ま
た、基板31の裏面には、紫外光の利用効率を高めるた
めのマイクロレンズアレイ35が接合される。光スイッ
チング素子30A〜30Lにおいては、紫外光は下部電
極層17に遮られて窓17A,18Aしか透過すること
ができないが、マイクロレンズアレイ35を設けること
により紫外光の利用効率を高めることができる。なお、
図17においては、紫外光源34は図示していない。
Optical switching elements 30A-3 on the substrate 31
An ultraviolet light source 34 is provided on the side opposite to 0L. Further, a microlens array 35 for enhancing the utilization efficiency of ultraviolet light is bonded to the back surface of the substrate 31. In the optical switching elements 30A to 30L, the ultraviolet light is blocked by the lower electrode layer 17 and can only pass through the windows 17A and 18A, but by providing the microlens array 35, the utilization efficiency of the ultraviolet light can be improved. . In addition,
In FIG. 17, the ultraviolet light source 34 is not shown.

【0049】図16または図17からわかるように、こ
の光スイッチング装置30において、光スイッチング素
子30A,30Cは低透過(高反射)状態であり、光ス
イッチング素子30Bは高透過(低反射)状態となって
いる。したがって、図17に示したように、光スイッチ
ング素子30A,30Cに入射した紫外光UVA,UV
Cは透過することができず、光スイッチング素子30
A,30Cは画面上暗部となる。一方、光スイッチング
素子30Bにおいては、紫外光UVB1は透過してUV
B2となり、更に蛍光体33Gとカバーガラス32とを
透過してUVB3となり、画面上明部となる。
As can be seen from FIG. 16 or FIG. 17, in this optical switching device 30, the optical switching elements 30A and 30C are in the low transmission (high reflection) state, and the optical switching element 30B is in the high transmission (low reflection) state. Has become. Therefore, as shown in FIG. 17, the ultraviolet light UVA, UV that has entered the optical switching elements 30A, 30C.
C cannot pass through the optical switching element 30.
A and 30C are dark areas on the screen. On the other hand, in the optical switching element 30B, the ultraviolet light UVB1 is transmitted and UV
It becomes B2, and further passes through the phosphor 33G and the cover glass 32 to become UVB3, which becomes a bright portion on the screen.

【0050】〔画像表示装置〕図16および図17に示
した光スイッチング装置30は、例えばPDA(Person
al Digital Assistant)やコンピュータのモニタなどの
直視型画像表示装置にこのまま適用することができる。
[Image Display Device] The optical switching device 30 shown in FIGS. 16 and 17 is, for example, a PDA (Person).
al Digital Assistant) or a direct-view image display device such as a computer monitor can be directly applied.

【0051】以上説明したように、本実施の形態の光学
多層構造体1によれば、基板10の上に、低屈折率層1
2A〜12Hと高屈折率層13A〜13Hとを交互に積
層した光学多層膜構造11を作製し、低屈折率層12E
を間隙部14としたので、優れた光学的特性を発揮する
ことができる。さらに、3個の光学多層構造体1が画面
上の1ピクセルを構成するので、例えば1つのピクセル
に6本の格子状のリボンが必要となるGLVに比べて構
成が簡単であり、寸法を小さくすることができる。した
がって、画像表示装置に適用した場合に、小型軽量化が
可能となるとともに、小型であるだけに応答速度が速く
なるので、動きの速い動画表示の品質向上が期待でき
る。
As described above, according to the optical multilayer structure 1 of the present embodiment, the low refractive index layer 1 is formed on the substrate 10.
2A to 12H and high refractive index layers 13A to 13H are alternately laminated to produce an optical multilayer film structure 11, and a low refractive index layer 12E is manufactured.
Since the gap is used as the gap portion 14, excellent optical characteristics can be exhibited. Furthermore, since the three optical multilayer structures 1 form one pixel on the screen, the structure is simpler and the size is smaller than that of a GLV that requires six grid ribbons for one pixel, for example. can do. Therefore, when applied to an image display device, the size and weight can be reduced, and the response speed is increased due to the small size. Therefore, improvement in the quality of moving image display with fast movement can be expected.

【0052】本実施の形態では、低屈折率層12E(す
なわち間隙部14)以外の低屈折率層12A〜12Hを
フッ化マグネシウム、高屈折率層13A〜13Hを酸化
アンチモンで構成したので、所望の光学的特性を得るこ
とができる。
In this embodiment, the low refractive index layers 12A to 12H other than the low refractive index layer 12E (that is, the gap portion 14) are made of magnesium fluoride, and the high refractive index layers 13A to 13H are made of antimony oxide. The optical characteristics of

【0053】また、間隙部14の光学的な大きさを切り
換える駆動手段として、金属薄膜からなる下部電極層1
7および上部電極層18を設け、さらに下部電極層17
および上部電極層18に紫外線を透過させるための窓1
7A,18Aを形成したので、光学多層構造体1を静電
力により駆動して紫外光をスイッチングすることができ
る。現在のところ紫外光に対して透明(吸収がない)で
かつ導電性を有する材料は存在しないが、本実施の形態
に係る光学多層構造体1においては、低屈折率層12A
〜12Hおよび高屈折率層13A〜13Hは紫外光に対
して透明であるとともに、下部電極層17および上部電
極層18として導電性の金属薄膜を用い、窓17A,1
8Aを通して紫外光を透過させることができる。さら
に、光学多層構造体1においては、可動部分である第2
の層16および上部電極層18を小さく軽くすることが
できるので、高速スイッチングが可能となる。
Further, the lower electrode layer 1 made of a metal thin film is used as a driving means for switching the optical size of the gap portion 14.
7 and the upper electrode layer 18, and further the lower electrode layer 17
And a window 1 for transmitting ultraviolet rays to the upper electrode layer 18.
Since 7A and 18A are formed, the optical multilayer structure 1 can be driven by electrostatic force to switch ultraviolet light. At present, there is no material that is transparent (does not absorb) to ultraviolet light and has conductivity, but in the optical multilayer structure 1 according to the present embodiment, the low refractive index layer 12A is used.
.About.12H and high refractive index layers 13A to 13H are transparent to ultraviolet light, and a conductive metal thin film is used as the lower electrode layer 17 and the upper electrode layer 18, and the windows 17A, 1
Ultraviolet light can be transmitted through 8A. Further, in the optical multilayer structure 1, the second movable part
Since the layer 16 and the upper electrode layer 18 can be made smaller and lighter, high speed switching becomes possible.

【0054】本実施の形態の光スイッチング装置30に
よれば、各光スイッチング素子30A〜30Lとして本
実施の形態の光学多層構造体1を用いているので、紫外
光の高速スイッチングが可能であり、かつ所望の光学的
特性を得られる。
According to the optical switching device 30 of this embodiment, since the optical multilayer structure 1 of this embodiment is used as each of the optical switching elements 30A to 30L, high-speed switching of ultraviolet light is possible, And desired optical characteristics can be obtained.

【0055】また、光スイッチング装置30は、紫外光
により励起される蛍光体33R,33G,33Bやマイ
クロレンズアレイ35などと組み合わせて種々の画像表
示装置に適用可能である。光スイッチング装置30を用
いた画像表示装置は偏光板が不要であるので、光利用効
率が高い直視型フルカラー画像表示装置が実現できる。
また、紫外光を光源として蛍光体を励起する構成なので
陰極線管と同じく自発光型の画像表示装置であり、液晶
を用いた画像表示装置に比べてはるかに明るい画像表示
が可能となる。
The optical switching device 30 can be applied to various image display devices in combination with the phosphors 33R, 33G, 33B excited by ultraviolet light, the microlens array 35, and the like. Since the image display device using the optical switching device 30 does not need a polarizing plate, a direct-view full-color image display device with high light utilization efficiency can be realized.
Further, since the phosphor is excited by using ultraviolet light as a light source, it is a self-luminous image display device like the cathode ray tube, and can display a much brighter image than an image display device using liquid crystal.

【0056】さらに、光学多層構造体1は小型軽量であ
って高速スイッチングが可能であるので、光スイッチン
グ装置30を用いた画像表示装置は携帯情報機器などの
用途に最適であるとともに、速い動きの動画表示にも対
応することができる。
Furthermore, since the optical multilayer structure 1 is small and lightweight and capable of high-speed switching, the image display device using the optical switching device 30 is suitable for use in portable information equipment and the like, and is fast-moving. It can also support video display.

【0057】また、光スイッチング装置30の光スイッ
チング素子30A〜30Lは、静電力により駆動される
光学多層構造体1を用いた電圧制御の素子であるので、
光スイッチング装置30を直視・透過型画像表示装置と
して用いた場合、消費電力が非常に小さくなる。
Since the optical switching elements 30A to 30L of the optical switching device 30 are voltage control elements using the optical multi-layer structure 1 driven by electrostatic force,
When the optical switching device 30 is used as a direct-view / transmissive image display device, the power consumption becomes very small.

【0058】加えて、本実施の形態では、1ピクセルに
複数の光学多層構造体1を割り当てれば、それぞれ独立
に駆動可能であるため、画像表示装置として画像表示の
階調表示を行う場合に、時分割による方法だけではな
く、面積による階調表示も可能である。
In addition, in the present embodiment, if a plurality of optical multilayer structures 1 are assigned to one pixel, they can be driven independently of each other. Therefore, when performing gradation display of image display as an image display device. Not only the method of time division but also gradation display by area is possible.

【0059】以上実施の形態を挙げて本発明を説明した
が、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態で
は、基板10に下部電極層17を埋め込むための溝10
Aをイオンビームにより加工するようにしたが、ウエッ
トエッチングやRIE等による加工も可能である。
Although the present invention has been described with reference to the embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made. For example, in the above embodiment, the groove 10 for embedding the lower electrode layer 17 in the substrate 10 is used.
Although A was processed by the ion beam, it is also possible to process it by wet etching, RIE or the like.

【0060】また、表1に示した光学多層構造体1の各
層の膜厚は波長300nmの紫外光に対して最適となる
よう設計されている。しかしながら、使用される蛍光体
33R,33G,33Bにより最も効率良く励起できる
波長が異なるので、その波長に合わせた最適設計を行う
必要がある。したがって、光学多層構造体1の各層の膜
厚は必ずしも表1に示したとおりである必要はない。
Further, the film thickness of each layer of the optical multilayer structure 1 shown in Table 1 is designed to be optimum for ultraviolet light having a wavelength of 300 nm. However, since the wavelengths that can be excited most efficiently differ depending on the phosphors 33R, 33G, 33B used, it is necessary to make an optimum design according to the wavelengths. Therefore, the film thickness of each layer of the optical multilayer structure 1 does not necessarily have to be as shown in Table 1.

【0061】また、図16および図17に示した光スイ
ッチング装置30ないしこれを用いた画像表示装置にお
いて、さらに、基板31とマイクロレンズアレイ35と
の間にカラーフィルタを組み合わせることにより、紫外
光の利用効率を一層向上させることができる。
In addition, in the optical switching device 30 shown in FIGS. 16 and 17 or the image display device using the same, a color filter is further combined between the substrate 31 and the microlens array 35, so that the ultraviolet light Utilization efficiency can be further improved.

【0062】上記実施の形態では、図13に示したよう
な3個の光学多層構造体1を一方向に配列した状態での
平面形状における寸法を、例えば5インチSVGA,8
00×600ピクセルの直視・反射型画像表示装置の場
合であれば、縦147μm×横147μmに収まるよう
にしたが、光学多層構造体1の寸法を数μmまで小さく
することにより、ヘッドマウントディスプレイ,フェイ
スマウントディスプレイへの応用も可能である。このよ
うに、光学多層構造体1の寸法を変化させるだけで、フ
ェイスマウントディスプレイから大型直視型画像表示装
置まで基本的に同じ構成で実現することができる。
In the above-mentioned embodiment, the dimension in the plane shape when the three optical multilayer structures 1 as shown in FIG. 13 are arranged in one direction is, for example, 5 inches SVGA, 8
In the case of a direct view / reflective image display device of 00 × 600 pixels, the size is set to 147 μm in length × 147 μm in width. However, by reducing the size of the optical multilayer structure 1 to several μm, a head mounted display, It can also be applied to face mount displays. As described above, by simply changing the dimensions of the optical multilayer structure 1, a face-mounted display to a large direct-view image display device can be realized with basically the same configuration.

【0063】更に、上記実施の形態では、光スイッチン
グ装置30を直視・透過型画像表示装置に用いた例につ
いて説明したが、直視・透過型画像表示装置に限らず、
プロジェクション型などの他の画像表示装置への適用も
可能である。さらに、例えば光プリンタに用いて感光性
ドラムへの画像の描きこみをする等、画像表示装置以外
の光プリンタなどの各種デバイスにも適用することも可
能である。
Furthermore, in the above embodiment, an example in which the optical switching device 30 is used in a direct-view / transmissive image display device has been described, but the invention is not limited to the direct-view / transmissive image display device.
Application to other image display devices such as a projection type is also possible. Further, it can be applied to various devices such as an optical printer other than the image display device, for example, an image can be drawn on a photosensitive drum using the optical printer.

【0064】[0064]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1ないし請
求項4のいずれか1に記載の光学多層構造体によれば、
低屈折率層と高屈折率層とを交互に積層した光学多層膜
構造を形成し、低屈折率層の一つを間隙部に置き換える
ようにしたので、優れた光学的特性を得ることができる
とともに、小型軽量化が可能となり、応答速度が向上す
る。
As described above, according to the optical multilayer structure of any one of claims 1 to 4,
Since an optical multilayer film structure in which low refractive index layers and high refractive index layers are alternately laminated is formed, and one of the low refractive index layers is replaced with a gap portion, excellent optical characteristics can be obtained. At the same time, the size and weight can be reduced, and the response speed can be improved.

【0065】特に、請求項2記載の光学多層構造体によ
れば、間隙部以外の低屈折率層をフッ化マグネシウム、
高屈折率層を酸化アンチモンで構成したので、所望の光
学的特性を得ることができる。
In particular, according to the optical multilayer structure of the second aspect, the low refractive index layer other than the gap portion is made of magnesium fluoride,
Since the high refractive index layer is made of antimony oxide, desired optical characteristics can be obtained.

【0066】また、特に、請求項3または請求項4に記
載の光学多層構造体によれば、間隙部の光学的な大きさ
を切り換える駆動手段として、紫外線を透過させるため
の窓が形成された金属薄膜からなる下部電極層および上
部電極層を設けたので、光学多層構造体を静電力により
駆動して紫外光をスイッチングすることができる。この
光学多層構造体は電圧制御の素子であるので、画像表示
装置に用いた場合、消費電力が非常に小さくなる。
Further, in particular, according to the optical multilayer structure of the third or fourth aspect, a window for transmitting ultraviolet rays is formed as a driving means for switching the optical size of the gap portion. Since the lower electrode layer and the upper electrode layer made of a metal thin film are provided, the optical multilayer structure can be driven by electrostatic force to switch ultraviolet light. Since this optical multilayer structure is a voltage-controlled element, it consumes very little power when used in an image display device.

【0067】請求項5記載の光スイッチング素子によれ
ば、本発明の光学多層構造体を用いているので、小型軽
量であり、スイッチング動作が高速化される。この光ス
イッチング素子は、したがって、携帯情報機器などの画
像表示装置の用途に最適である。
According to the optical switching element of the fifth aspect, since the optical multilayer structure of the present invention is used, the optical switching element is small and lightweight, and the switching operation is speeded up. This optical switching element is therefore most suitable for use in image display devices such as portable information devices.

【0068】請求項6または請求項7記載の画像表示装
置によれば、本発明の光学多層構造体ないし光スイッチ
ング素子を用いるので、小型軽量化が求められる携帯情
報機器などの用途に最適である。また、応答速度が速く
なるので、動きの速い動画表示の品質向上が期待でき
る。この画像表示装置は偏光板が不要であるので、光利
用効率が高い直視型フルカラー画像表示装置が実現でき
る。また、紫外光を光源として蛍光体を励起する構成な
ので陰極線管と同じく自発光型の画像表示装置であり、
液晶を用いた画像表示装置に比べてはるかに明るい画像
表示が可能となる。
According to the image display device of the sixth or seventh aspect, since the optical multilayer structure or the optical switching element of the present invention is used, the image display device is most suitable for applications such as portable information equipment which is required to be small and lightweight. . Also, since the response speed becomes faster, it is expected that the quality of moving image display with fast movement will be improved. Since this image display device does not require a polarizing plate, a direct-view type full-color image display device having high light utilization efficiency can be realized. Also, since it is a structure that excites the phosphor using ultraviolet light as a light source, it is a self-luminous image display device similar to a cathode ray tube.
It is possible to display a much brighter image than an image display device using a liquid crystal.

【0069】特に、請求項7記載の画像表示装置によれ
ば、マイクロレンズを更に備えたので、光の利用効率を
大幅に高めることができるという効果を奏する。
Particularly, according to the image display device of the seventh aspect, since the microlens is further provided, there is an effect that the utilization efficiency of light can be significantly increased.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施の形態に係る光学多層構造体の
間隙部の光学的大きさが「λ/2」のときの構成を表す
断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration when an optical size of a gap portion of an optical multi-layer structure according to an embodiment of the present invention is “λ / 2”.

【図2】図1に示した光学多層構造体の間隙部の光学的
大きさが「0」のときの構成を表す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a configuration when the optical size of a gap portion of the optical multilayer structure shown in FIG. 1 is “0”.

【図3】図1に示した光学多層構造体の透過特性を示す
特性図である。
FIG. 3 is a characteristic diagram showing transmission characteristics of the optical multilayer structure shown in FIG.

【図4】図1に示した光学多層構造体の製造工程を説明
するための斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view for explaining a manufacturing process of the optical multilayer structure shown in FIG.

【図5】図4の工程に続く工程を説明するための斜視図
である。
5 is a perspective view for explaining a step that follows the step of FIG.

【図6】図5の工程に続く工程を説明するための斜視図
である。
FIG. 6 is a perspective view for explaining a step that follows the step of FIG.

【図7】図6の工程に続く工程を説明するための斜視図
である。
FIG. 7 is a perspective view for explaining a step that follows the step of FIG.

【図8】図7の工程に続く工程を説明するための斜視図
である。
FIG. 8 is a perspective view for explaining a step that follows the step of FIG.

【図9】図8の工程に続く工程を説明するための斜視図
である。
9 is a perspective view for explaining a step that follows the step of FIG.

【図10】図9の工程に続く工程を説明するための斜視
図である。
FIG. 10 is a perspective view for explaining a step that follows the step of FIG.

【図11】図10の工程に続く工程を説明するための斜
視図である。
FIG. 11 is a perspective view for explaining a step that follows the step of FIG.

【図12】図11のXII−XII線に沿った断面図で
ある。
12 is a cross-sectional view taken along line XII-XII of FIG.

【図13】図11の工程に続く工程を説明するための斜
視図である。
FIG. 13 is a perspective view for explaining a step that follows the step of FIG.

【図14】図13のXIV−XIV線に沿った断面図で
ある。
14 is a sectional view taken along line XIV-XIV in FIG.

【図15】図13のXV−XV線に沿った断面図であ
る。
15 is a sectional view taken along line XV-XV in FIG.

【図16】本実施の形態に係る画像表示装置に適用可能
な光スイッチング装置の概略構成を表す斜視図である。
FIG. 16 is a perspective view showing a schematic configuration of an optical switching device applicable to the image display device according to the present embodiment.

【図17】図16のXVII−XVII線に沿った断面
図である。
17 is a sectional view taken along line XVII-XVII in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…光学多層構造体、10…基板、11…光学多層膜構
造、12A〜12H…低屈折率層、13A〜13H…高
屈折率層、14…間隙部、15…第1の層、16…第2
の層、17…下部電極層、18…上部電極層、17A,
18A…窓、30…光スイッチング装置、30A〜30
C…光スイッチング素子、31…基板、32…カバーガ
ラス、33R,33G,33B…蛍光体、34…紫外光
源、35…マイクロレンズアレイ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Optical multilayer structure, 10 ... Substrate, 11 ... Optical multilayer structure, 12A-12H ... Low refractive index layer, 13A-13H ... High refractive index layer, 14 ... Gap part, 15 ... 1st layer, 16 ... Second
Layer, 17 ... lower electrode layer, 18 ... upper electrode layer, 17A,
18A ... Window, 30 ... Optical switching device, 30A-30
C ... Optical switching element, 31 ... Substrate, 32 ... Cover glass, 33R, 33G, 33B ... Phosphor, 34 ... Ultraviolet light source, 35 ... Microlens array

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H041 AA16 AB14 AB40 AC06 AZ02 AZ05 AZ08 2H048 GA04 GA13 GA23 GA43 GA60 GA61 2H049 AA07 AA33 AA37 AA51 AA60 AA68    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F-term (reference) 2H041 AA16 AB14 AB40 AC06 AZ02                       AZ05 AZ08                 2H048 GA04 GA13 GA23 GA43 GA60                       GA61                 2H049 AA07 AA33 AA37 AA51 AA60                       AA68

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 紫外光に対して透明な基板と、 前記基板上に低屈折率層と高屈折率層とを交互に積層し
てなる光学多層膜構造に含まれる低屈折率層の一つとし
て形成され、光の干渉現象を起こしうる大きさを有する
と共にその大きさが可変な間隙部と、 前記間隙部に関して前記基板側に積層された前記低屈折
率層と前記高屈折率層とからなる第1の層と、 前記間隙部に関して前記基板と反対側に積層された前記
低屈折率層と前記高屈折率層とからなる第2の層とを有
することを特徴とする光学多層構造体。
1. A low refractive index layer included in an optical multilayer film structure comprising a substrate transparent to ultraviolet light, and a low refractive index layer and a high refractive index layer alternately laminated on the substrate. A gap portion having a size capable of causing a light interference phenomenon and having a variable size, and the low refractive index layer and the high refractive index layer laminated on the substrate side with respect to the gap portion. And a second layer composed of the low-refractive index layer and the high-refractive index layer, which are laminated on the opposite side of the substrate with respect to the gap portion. .
【請求項2】 前記基板はガラスから構成されており、
前記間隙部に対応する低屈折率層以外の前記低屈折率層
はフッ化マグネシウム(MgF2 )から構成されてお
り、前記高屈折率層は酸化アンチモン(Sb2 3 )か
ら構成されていることを特徴とする請求項1記載の光学
多層構造体。
2. The substrate is made of glass,
The low-refractive index layers other than the low-refractive index layer corresponding to the gap are made of magnesium fluoride (MgF 2 ), and the high-refractive index layer is made of antimony oxide (Sb 2 O 3 ). The optical multilayer structure according to claim 1, wherein:
【請求項3】 更に、前記間隙部の光学的な大きさを変
化させる駆動手段として、 前記第1の層と前記基板との間に設けられるとともに、
紫外光を透過させるための窓が形成された金属薄膜であ
る下部電極層と、 前記第2の層の前記基板と反対側に設けられるととも
に、紫外光を透過させるための窓が形成された金属薄膜
である上部電極層とを有し、前記駆動手段によって前記
間隙部の大きさを変化させることにより、入射した光の
反射または透過の量を変化させることを特徴とする請求
項1記載の光学多層構造体。
3. A driving means for changing the optical size of the gap portion is provided between the first layer and the substrate, and
A lower electrode layer, which is a metal thin film having a window for transmitting ultraviolet light, and a metal provided with a window for transmitting ultraviolet light, which is provided on the opposite side of the second layer from the substrate. 2. An optical element according to claim 1, further comprising an upper electrode layer which is a thin film, wherein the amount of reflection or transmission of incident light is changed by changing the size of the gap portion by the driving means. Multi-layer structure.
【請求項4】 前記上部電極層および前記下部電極層
は、アルミニウム(Al),金(Au),クロム(C
r),チタン(Ti)から構成されていることを特徴と
する請求項3記載の光学多層構造体。
4. The upper electrode layer and the lower electrode layer are made of aluminum (Al), gold (Au), chromium (C).
The optical multilayer structure according to claim 3, wherein the optical multilayer structure is composed of r) and titanium (Ti).
【請求項5】 紫外光に対して透明な基板と、前記基板
上に低屈折率層と高屈折率層とを交互に積層してなる光
学多層膜構造に含まれる低屈折率層の一つとして形成さ
れ、光の干渉現象を起こしうる大きさを有すると共にそ
の大きさが可変な間隙部と、前記間隙部に関して前記基
板側に積層された前記低屈折率層と前記高屈折率層とか
らなる第1の層と、前記間隙部に関して前記基板と反対
側に積層された前記低屈折率層と前記高屈折率層とから
なる第2の層とを有する光学多層構造体と、 前記間隙部の光学的な大きさを変化させるための駆動手
段とを備えたことを特徴とする光スイッチング素子。
5. A low-refractive index layer included in an optical multilayer film structure comprising a substrate transparent to ultraviolet light, and low-refractive index layers and high-refractive index layers alternately laminated on the substrate. A gap having a size capable of causing a light interference phenomenon and having a variable size, and the low refractive index layer and the high refractive index layer laminated on the substrate side with respect to the gap. An optical multi-layer structure having a first layer formed by: and a second layer formed by stacking the low refractive index layer and the high refractive index layer on the opposite side of the substrate with respect to the gap, and the gap An optical switching element comprising: a driving unit for changing the optical size of the optical switching element.
【請求項6】 1次元または2次元に配列された複数の
光スイッチング素子と、 紫外光源と、 蛍光体とを備え、前記複数の光スイッチング素子に前記
紫外光源からの紫外光を照射して前記蛍光体を励起する
ことで2次元画像を表示する画像表示装置であって、 前記光スイッチング素子が、 紫外光に対して透明な基板と、前記基板上に低屈折率層
と高屈折率層とを交互に積層してなる光学多層膜構造に
含まれる低屈折率層の一つとして形成され、光の干渉現
象を起こしうる大きさを有すると共にその大きさが可変
な間隙部と、前記間隙部に関して前記基板側に積層され
た前記低屈折率層と前記高屈折率層とからなる第1の層
と、前記間隙部に関して前記基板と反対側に積層された
前記低屈折率層と前記高屈折率層とからなる第2の層と
を有する光学多層構造体と、 前記間隙部の光学的な大きさを変化させるための駆動手
段とを備えたことを特徴とする画像表示装置。
6. A plurality of one-dimensionally or two-dimensionally arranged optical switching elements, an ultraviolet light source, and a phosphor, wherein the plurality of optical switching elements are irradiated with ultraviolet light from the ultraviolet light source. An image display device for displaying a two-dimensional image by exciting a phosphor, wherein the optical switching element includes a substrate transparent to ultraviolet light, and a low refractive index layer and a high refractive index layer on the substrate. Formed as one of the low-refractive-index layers included in the optical multilayer film structure in which the layers are alternately laminated, and having a size capable of causing a light interference phenomenon and having a variable size; A first layer composed of the low-refractive index layer and the high-refractive index layer laminated on the substrate side, with respect to the gap, the low-refractive index layer and the high-refractive index layer laminated on the opposite side of the substrate. And a second layer consisting of The image display apparatus comprising: the optical multilayer structure, and drive means for changing the optical size of the gap portion.
【請求項7】 さらに、前記基板と前記紫外光源との間
に、マイクロレンズを備えたことを特徴とする請求項6
記載の画像表示装置。
7. The microlens is further provided between the substrate and the ultraviolet light source.
The image display device described.
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