JP2003057270A - Voltage-applied current measuring apparatus and semiconductor tester - Google Patents

Voltage-applied current measuring apparatus and semiconductor tester

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JP2003057270A
JP2003057270A JP2001243404A JP2001243404A JP2003057270A JP 2003057270 A JP2003057270 A JP 2003057270A JP 2001243404 A JP2001243404 A JP 2001243404A JP 2001243404 A JP2001243404 A JP 2001243404A JP 2003057270 A JP2003057270 A JP 2003057270A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a voltage-applied current measuring apparatus realizable by a cheaper circuit arrangement and a semiconductor tester using the same. SOLUTION: The current-measuring apparatus has a floating type current measuring unit 300, having a floating form insulated from a circuit ground GND. The unit 300 is mainly composed of a floating power source, a current detecting resistance, a gain-regulating resistance, an operational amplifier(OPAMP), an DC converter, a series output unit and a photocoupler. The floating power source intended to feed circuits used for the measuring unit 300 with DC powers is an insulated DC power source floating from the circuit ground and is composed of, e.g., light-emitting elements and solar cells.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、負荷へ所定の電
圧を印加して、負荷へ流れる電流を測定する電圧印加電
流測定回路に関する。特に、半導体試験装置に適用さ
れ、被試験デバイス(DUT)へ所定の高電圧の定電圧
を供給して負荷電流を測定する電圧印加電流測定回路に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a voltage application current measuring circuit for measuring a current flowing to a load by applying a predetermined voltage to the load. In particular, the present invention relates to a voltage applied current measuring circuit which is applied to a semiconductor test apparatus and supplies a device under test (DUT) with a constant voltage of a predetermined high voltage to measure a load current.

【0002】[0002]

【従来の技術】図1は半導体試験装置に適用されている
電圧印加電流測定装置のブロック図の一例である。ここ
で、半導体試験装置は公知であり技術的に良く知られて
いる為、本願に係る要部を除き、その他の信号や構成要
素、及びその詳細説明については省略する。半導体試験
装置で適用している電圧印加電流測定装置としては、プ
ログラマブル電源、DC試験装置の電圧印加電流測定、
その他がある。これらはデバイス試験のスループットを
向上する為に、多数チャンネル、例えば64チャンネル
備えて、同時並行して電流測定が行われる。
2. Description of the Related Art FIG. 1 is an example of a block diagram of a voltage applied current measuring apparatus applied to a semiconductor test apparatus. Here, since the semiconductor test apparatus is publicly known and well known in the art, other signals and constituent elements, and detailed description thereof will be omitted except for the main part of the present application. As the voltage applied current measuring device applied in the semiconductor test device, a programmable power supply, a voltage applied current measurement of a DC test device,
There are others. In order to improve the throughput of device test, these are equipped with a large number of channels, for example, 64 channels, and current measurement is performed in parallel at the same time.

【0003】図1の要部構成要素は、DA変換器11
と、電力用の演算増幅器A1と、演算増幅器A2と、電
流測定部200と、ステーションケーブルCB1とを備
える。半導体試験装置における負荷装置は、被試験デバ
イス(DUT)であり、ステーションケーブルCB1を
介してテストヘッド上に所定に置かれ、DUTの信号用
のICピン若しくは電源用のICピンに接続されて電流
測定が行われる。このとき、ICピンのDUT端電圧が
負荷電流に影響されず所定の一定電圧となるように、ス
テーションケーブルCB1にはフォース線CBfとセン
ス線CBsの独立した2本の線路を備えていて、センス
線CBsによりDUT端の電圧が一定となるように帰還
制御する回路構成となっている。
A main component of FIG. 1 is a DA converter 11
A power operational amplifier A1, an operational amplifier A2, a current measuring unit 200, and a station cable CB1. The load device in the semiconductor test apparatus is a device under test (DUT), which is placed on the test head in a predetermined manner via the station cable CB1 and is connected to the IC pin for signal of the DUT or the IC pin for power supply to supply current. The measurement is taken. At this time, the station cable CB1 is provided with two independent lines of the force line CBf and the sense line CBs so that the DUT end voltage of the IC pin becomes a predetermined constant voltage without being affected by the load current. The circuit configuration is such that feedback control is performed by the line CBs so that the voltage at the DUT end becomes constant.

【0004】DA変換器11は、外部からの所望の設定
データD11を受けて、対応する直流の基準電圧11s
を発生する。これを抵抗Raを介して演算増幅器A1の
負入力端へ供給する。
The DA converter 11 receives desired setting data D11 from the outside and receives a corresponding DC reference voltage 11s.
To occur. This is supplied to the negative input terminal of the operational amplifier A1 via the resistor Ra.

【0005】演算増幅器A1は、高電圧に対応した電力
用の演算増幅器であって、上記基準電圧11sを受け、
抵抗Ra、Rbに基づいて、DUT端電圧Vdが所定の
一定の直流電圧となるように帰還制御している。この出
力側電圧V1は電流測定部200を介してDUTへ印加
する。DUT端電圧Vdは、例えば40v以上の高電圧
を印加できる必要がある。尚、演算増幅器A1の正入力
端は回路グランドGNDへ接続している。
The operational amplifier A1 is an operational amplifier for power corresponding to a high voltage, receives the reference voltage 11s,
Feedback control is performed based on the resistors Ra and Rb so that the DUT end voltage Vd becomes a predetermined constant DC voltage. The output voltage V1 is applied to the DUT via the current measuring unit 200. The DUT end voltage Vd needs to be able to apply a high voltage of, for example, 40 V or more. The positive input terminal of the operational amplifier A1 is connected to the circuit ground GND.

【0006】演算増幅器A2は、ハイインピーダンスで
受ける1:1の電圧バッファであって、DUT端電圧V
dを帰還線路であるセンス線CBsで受けて、バッファ
した帰還電圧V2を出力し、抵抗Rbを介して演算増幅
器A1の負入力端へ供給する。
The operational amplifier A2 is a high-impedance 1: 1 voltage buffer that receives the DUT end voltage V.
The sense line CBs, which is a feedback line, receives d and outputs the buffered feedback voltage V2, which is supplied to the negative input terminal of the operational amplifier A1 via the resistor Rb.

【0007】電流測定部200は、DUTの負荷電流を
測定する測定部であって、負荷電流に対応した比較的小
さな抵抗を直列に挿入し、この抵抗に流れる電流量を電
圧に変換し、その両端の電位差V9を測定し、デジタル
コードデータ200sに変換して外部へ出力する。この
内部原理回路構成の一例を図2に示して説明する。
The current measuring section 200 is a measuring section for measuring the load current of the DUT, in which a relatively small resistance corresponding to the load current is inserted in series, and the amount of current flowing through this resistance is converted into a voltage. The potential difference V9 at both ends is measured, converted into digital code data 200s, and output to the outside. An example of the internal principle circuit configuration will be described with reference to FIG.

【0008】図2は、電流測定部200の内部原理回路
構成であり、その要部構成要素は電流検出抵抗Rmと、
演算増幅器(OPAMP)A3、A4と、第1分圧抵抗
Rc1、Rd1と、第2分圧抵抗Rc2、Rd2と、A
D変換器80とを備える。電流検出抵抗Rmは、図示な
いが、複数の抵抗Rm1〜Rmnと切替リレーとによる電
流測定レンジ切替手段を備えていて、負荷電流に対応し
た、例えば数十〜数百ミリボルト程度となる測定レンジ
の抵抗が適用され、これに基づく電位差V9を出力す
る。
FIG. 2 is a circuit diagram of the internal principle of the current measuring unit 200, the main components of which are a current detection resistor Rm and
Operational amplifiers (OPAMP) A3, A4, first voltage dividing resistors Rc1, Rd1, second voltage dividing resistors Rc2, Rd2, A
And a D converter 80. Although not shown, the current detection resistor Rm is provided with a current measurement range switching means by a plurality of resistors Rm1 to Rmn and a switching relay, and corresponds to a load current, for example, a measurement range of several tens to several hundred millivolts. A resistor is applied and the potential difference V9 based on this is output.

【0009】演算増幅器A3は、負荷電流に影響しない
ようにハイインピーダンスで受ける1:1の電圧バッフ
ァである。ここで、40v以上の高電圧が印加されるの
で、高耐圧型の演算増幅器を適用する必要がある。高耐
圧型の演算増幅器は、極めて高価である結果、コスト高
となる難点がある。
The operational amplifier A3 is a 1: 1 voltage buffer that receives a high impedance so as not to affect the load current. Here, since a high voltage of 40 V or more is applied, it is necessary to apply a high breakdown voltage operational amplifier. The high breakdown voltage type operational amplifier is extremely expensive, and as a result, there is a problem that the cost becomes high.

【0010】第1分圧抵抗Rc1、Rd1は、演算増幅
器A4の増幅度が例えば10倍となるように分圧する抵
抗である。例えば分圧抵抗Rc1が10KΩで、分圧抵
抗Rd1が100KΩを使用する。これにより、一方の
負荷側電圧V8が演算増幅器A4の負入力端へ供給され
る。
The first voltage dividing resistors Rc1 and Rd1 are resistors that divide the operational amplifier A4 so that the amplification degree of the operational amplifier A4 is, for example, 10 times. For example, the voltage dividing resistor Rc1 is 10 KΩ and the voltage dividing resistor Rd1 is 100 KΩ. As a result, one load side voltage V8 is supplied to the negative input terminal of the operational amplifier A4.

【0011】第2分圧抵抗Rc2、Rd2は、上記第1
分圧抵抗Rc1、Rd1の分圧比、例えば1/10に厳
密に一致した分圧比を備える抵抗であり、他方の出力側
電圧V1が演算増幅器A4の正入力端へ供給される。と
ころで、増幅対象の電位差V9は例えば数十〜数百ミリ
ボルト程度と小さな電圧であり、他方のDUTへ印加す
る高電圧は40v以上である。従って、第1分圧抵抗R
c1、Rd1と第2分圧抵抗Rc2、Rd2の分圧比は
厳密に一致(マッチング)させないと、CMR(同相雑
音除去能力)が悪化してしまう。即ち、印加する40v
以上の高電圧に伴うオフセットばらつきが生じてくる。
そこで、所定の測定精度を維持する為に、これら4個の
抵抗値は、例えば±0.1%以下の部品ばらつきの抵抗
を使用し、更に、抵抗の温度係数も10PPM以下の高
安定の抵抗素子を使用する必要がある。この為、専用の
組抵抗を適用する場合もある。これらの結果、4個の抵
抗もコスト高となる難点がある。
The second voltage dividing resistors Rc2 and Rd2 are the first
The voltage divider resistors Rc1 and Rd1 are resistors having a voltage division ratio that exactly matches, for example, 1/10, and the other output side voltage V1 is supplied to the positive input terminal of the operational amplifier A4. By the way, the potential difference V9 to be amplified is a small voltage of, for example, several tens to several hundreds of millivolts, and the high voltage applied to the other DUT is 40 V or more. Therefore, the first voltage dividing resistor R
If the voltage division ratios of c1, Rd1 and the second voltage dividing resistors Rc2, Rd2 are not exactly matched (matching), the CMR (common mode noise removal capability) will deteriorate. That is, 40v applied
The offset variation occurs due to the above high voltage.
Therefore, in order to maintain a predetermined measurement accuracy, these four resistance values use, for example, resistors with a component variation of ± 0.1% or less, and a highly stable resistance with a temperature coefficient of resistance of 10 PPM or less. It is necessary to use a device. Therefore, a dedicated set resistor may be applied in some cases. As a result, the cost of the four resistors is also high.

【0012】具体数値例を示して説明する。例えば、分
圧抵抗による分圧比の誤差が0.1%存在すると仮定し
たときの測定誤差を計算してみる。印加電圧40vを1
/10に分圧すると、本来ならば4v(4000mv)
でなければならないが、0.1%の分圧誤差に伴い、4
000mv×0.1%=4mvのオフセット誤差電圧が
発生する。一方で、測定対象の電位差V9が100ミリ
ボルトと仮定すると、前記4mvは4%の測定誤差を生
じる。この4%という測定誤差は大きな誤差であり、実
用的に適用できないことが判る。従って、正入力側と負
入力側の分圧抵抗の分圧比が一致するように特別に配慮
した高精度の抵抗素子及び温度係数の小さな抵抗素子を
使用する必要性がある。
A specific numerical example will be described. For example, let us calculate the measurement error assuming that there is 0.1% error in the voltage division ratio due to the voltage dividing resistance. Applied voltage 40v is 1
If it is divided into / 10, it should be 4v (4000mv)
However, due to the partial pressure error of 0.1%, 4
An offset error voltage of 000 mv × 0.1% = 4 mv is generated. On the other hand, assuming that the potential difference V9 of the measurement target is 100 millivolts, 4 mv causes a measurement error of 4%. It can be seen that this measurement error of 4% is a large error and cannot be practically applied. Therefore, it is necessary to use a highly accurate resistive element and a resistive element with a small temperature coefficient, which are specially considered so that the voltage dividing ratios of the voltage dividing resistors on the positive input side and the negative input side match.

【0013】演算増幅器A4は、上記分圧電圧A4i
1、A4i2を受けて、電流検出抵抗Rmの両端の電位
差V9を10倍に増幅した結果の増幅電圧A4sを出力
する。ここで、入力端には40v以上の高電圧が印加さ
れるので、高耐圧型の演算増幅器を適用する必要があ
る。ここでも、高耐圧型の演算増幅器である極めて高価
なIC素子を使用する必要があり、コスト高となる難点
がある。
The operational amplifier A4 is provided with the divided voltage A4i.
1 and A4i2, the amplified voltage A4s is output as a result of amplifying the potential difference V9 across the current detection resistor Rm by 10 times. Here, since a high voltage of 40 V or more is applied to the input terminal, it is necessary to apply a high breakdown voltage operational amplifier. In this case as well, it is necessary to use an extremely expensive IC element which is a high breakdown voltage type operational amplifier, and there is a drawback that the cost becomes high.

【0014】AD変換器80は、例えば12〜16ビッ
ト分解能のAD変換器であって、上記増幅電圧A4sを
受けて、デジタルコードデータ200sに変換して外部
へ出力する。
The AD converter 80 is, for example, an AD converter having a resolution of 12 to 16 bits, receives the amplified voltage A4s, converts it into digital code data 200s, and outputs it to the outside.

【0015】上述従来構成によれば、演算増幅器A3、
A4は入力端には40v以上の高電圧が印加されるの
で、高耐圧型の演算増幅器を適用する必要がある。この
高耐圧型の演算増幅器は他の部品に比べて極めて高価で
ある。更に、第1分圧抵抗Rc1、Rd1と第2分圧抵
抗Rc2、Rd2についても高価な抵抗素子を使用する
必要がある。これらの結果、回路全体がコスト高となる
難点がある。
According to the above conventional configuration, the operational amplifier A3,
Since a high voltage of 40 V or more is applied to the input terminal of A4, it is necessary to apply a high breakdown voltage operational amplifier. This high voltage type operational amplifier is extremely expensive as compared with other parts. Further, it is necessary to use expensive resistance elements for the first voltage dividing resistors Rc1 and Rd1 and the second voltage dividing resistors Rc2 and Rd2. As a result, the cost of the entire circuit is high.

【0016】[0016]

【発明が解決しようとする課題】半導体試験装置におい
ては、電圧印加電流測定装置を多数チャンネル備える必
要がある。上述説明したように従来技術においては、電
流測定部200において、DUTへ印加する40v以上
の高電圧に対応する高耐圧型の演算増幅器を適用してい
た。また、第1分圧抵抗Rc1、Rd1と第2分圧抵抗
Rc2、Rd2についても高価な抵抗素子を使用する必
要があった。これらに伴って、電圧印加電流測定装置が
コスト高となる実用上の難点がある。そこで、本発明が
解決しようとする課題は、より安価な回路構成で実現可
能な電圧印加電流測定装置、及びこれを用いる半導体試
験装置を提供することである。
In the semiconductor test apparatus, it is necessary to provide a large number of channels for the voltage application current measuring apparatus. As described above, in the conventional technique, the current measuring unit 200 uses the high breakdown voltage operational amplifier corresponding to the high voltage of 40 V or more applied to the DUT. Further, it is necessary to use expensive resistance elements for the first voltage dividing resistors Rc1 and Rd1 and the second voltage dividing resistors Rc2 and Rd2. Along with these, there is a practical problem that the voltage applied current measuring device becomes expensive. Therefore, the problem to be solved by the present invention is to provide a voltage applied current measuring device which can be realized with a cheaper circuit configuration, and a semiconductor test device using the same.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】第1の解決手段を示す。
上記課題を解決するために、電圧印加電流測定装置にお
いて、電圧印加電流測定装置の回路グランドGNDとは
浮いた状態で負荷電流を測定する負荷電流測定手段を具
備する、ことを特徴とする電圧印加電流測定装置であ
る。上記発明によれば、より安価な回路構成で実現可能
な、高い電圧を供給する電圧印加電流測定装置が実現で
きる。
A first solution will be described.
In order to solve the above-mentioned problems, in a voltage application current measurement device, a load current measurement means for measuring a load current in a state of being floated from a circuit ground GND of the voltage application current measurement device is provided. It is a current measuring device. According to the above invention, it is possible to realize a voltage applied current measuring device that supplies a high voltage and that can be realized with a cheaper circuit configuration.

【0018】次に、第2の解決手段を示す。上記課題を
解決するために、電圧印加電流測定装置において、電圧
印加電流測定装置から負荷装置へ流れる負荷電流を測定
する負荷電流測定手段は、電圧印加電流測定装置の回路
グランドGNDとは浮いた状態のフローティング電源5
0を適用する、ことを特徴とする電圧印加電流測定装置
がある。
Next, the second solving means will be shown. In order to solve the above-mentioned problem, in the voltage applied current measuring device, the load current measuring means for measuring the load current flowing from the voltage applied current measuring device to the load device is in a state of floating from the circuit ground GND of the voltage applied current measuring device. Floating power supply 5
There is a voltage applied current measuring device characterized in that 0 is applied.

【0019】次に、第3の解決手段を示す。上述負荷電
流測定手段の一態様としては、負荷に流れる電流を抵抗
を直列に挿入して電圧に変換し、変換された前記抵抗の
両端の電圧を受けて、回路グランドGNDとは浮いたフ
ローティング状態の演算増幅手段(例えばゲイン規定用
抵抗Rc3、Rd3と、演算増幅器A5)で所定に増幅
する、ことを特徴とする上述電圧印加電流測定装置があ
る。
Next, a third solving means will be shown. As one mode of the load current measuring means, a current flowing through the load is converted into a voltage by inserting a resistor in series, the converted voltage is received across the resistor, and the floating state is floated from the circuit ground GND. There is the above-mentioned voltage application current measuring device characterized by performing predetermined amplification by the operational amplification means (for example, the gain defining resistors Rc3 and Rd3 and the operational amplifier A5).

【0020】次に、第4の解決手段を示す。上述負荷電
流測定手段の一態様としては、フローティング型電流測
定部300である、ことを特徴とする上述電圧印加電流
測定装置がある。
Next, a fourth solving means will be shown. As one mode of the above-mentioned load current measuring means, there is the above-mentioned voltage application current measuring device, which is the floating type current measuring unit 300.

【0021】次に、第5の解決手段を示す。ここで第4
図は、本発明に係る解決手段を示している。上述フロー
ティング型電流測定部300の一態様は、上記フローテ
ィング型電流測定部で使用する直流電源を供給するフロ
ーティング電源50を具備し、負荷電流を検出する電流
検出手段(例えば電流検出抵抗Rm)を具備し、上記電
流検出抵抗Rmからの電圧信号を受けて、電圧印加電流
測定装置の回路グランドGNDとはフローティングした
状態で、所定に増幅して出力し、電源は上記フローティ
ング電源50を適用する演算増幅器(OPAMP)A5
を具備し、上記演算増幅器A5からの増幅信号を受けて
デジタルコードデータに変換して出力し、電源は上記フ
ローティング電源50を適用するAD変換器85を具備
し、電圧印加電流測定装置の回路グランドGNDとはフ
ローティングした状態の上記デジタルコードデータを電
圧印加電流測定装置の回路グランドGND側へ伝送する
フォトカプラPC3を具備し、以上を具備することを特
徴とする上述電圧印加電流測定装置がある。
Next, the fifth solving means will be described. The fourth here
The figure shows the solution according to the invention. One mode of the floating type current measuring unit 300 includes a floating power source 50 that supplies a DC power source used in the floating type current measuring unit, and a current detecting unit (for example, a current detecting resistor Rm) that detects a load current. Then, it receives the voltage signal from the current detection resistor Rm, amplifies the signal in a predetermined state in a floating state with the circuit ground GND of the voltage application current measuring device, and outputs the power signal. (OPAMP) A5
The power supply includes an AD converter 85 which receives the amplified signal from the operational amplifier A5 and converts it into digital code data and outputs the digital code data. The circuit ground of the voltage applied current measuring device is provided. The GND is provided with a photocoupler PC3 for transmitting the digital code data in a floating state to the circuit ground GND side of the voltage applied current measuring apparatus, and the above voltage applied current measuring apparatus is provided with the above.

【0022】次に、第6の解決手段を示す。上述フロー
ティング電源50の一態様としては、発光素子D1と太
陽電池C2とに基づいて絶縁した直流電源を供給する、
ことを特徴とする上述電圧印加電流測定装置がある。
Next, a sixth solving means will be described. As one mode of the floating power source 50, a DC power source insulated based on the light emitting element D1 and the solar cell C2 is supplied.
There is the above-mentioned voltage application current measuring device characterized by the above.

【0023】次に、第7の解決手段を示す。ここで第3
図は、本発明に係る解決手段を示している。上述電圧印
加電流測定装置の一態様は、外部からの所定の設定デー
タD11に基づき対応する直流の基準電圧11sを発生
するDA変換器11を具備し、上記基準電圧11sに基
づいて所定の出力電圧を発生して負荷装置へ電流を供給
する電力用の演算増幅器A1を具備し、負荷装置へ電流
を供給するフォース線CBfと、負荷装置側の接続端の
電圧を検出するセンス線CBsとの2本の線路を具備
し、上記センス線CBsからの電圧信号を電流バッファ
して上記演算増幅器A1へ帰還する演算増幅器A2を具
備し、以上を具備することを特徴とする上述電圧印加電
流測定装置がある。
Next, the seventh means for solving the problems will be described. The third here
The figure shows the solution according to the invention. One mode of the above-mentioned voltage applied current measuring device includes a DA converter 11 that generates a corresponding DC reference voltage 11s based on a predetermined setting data D11 from the outside, and a predetermined output voltage based on the reference voltage 11s. And a sense line CBs for detecting the voltage at the connection end on the side of the load device. The force line CBf is provided with a power operational amplifier A1 for generating a current and supplies the current to the load device. The above-mentioned voltage application current measuring device comprising: a line; and an operational amplifier A2 for current-buffering a voltage signal from the sense line CBs and feeding back to the operational amplifier A1. is there.

【0024】次に、第8の解決手段を示す。上述電圧印
加電流測定装置から負荷装置へ供給する電圧は一般の演
算増幅器が適用できない高い電圧を供給する構成の電圧
印加電流測定装置に適用する、ことを特徴とする上述電
圧印加電流測定装置がある。
Next, the eighth solving means will be described. There is the above-mentioned voltage applied current measuring device characterized in that the voltage supplied from the above voltage applied current measuring device to the load device is applied to the voltage applied current measuring device configured to supply a high voltage that cannot be applied to a general operational amplifier. .

【0025】次に、第9の解決手段を示す。上述電圧印
加電流測定装置を適用して被試験デバイスの電流を測定
する、ことを特徴とする半導体試験装置がある。
Next, the ninth solving means will be described. There is a semiconductor test apparatus characterized in that the voltage applied current measuring apparatus described above is applied to measure the current of a device under test.

【0026】次に、第10の解決手段を示す。上述電圧
印加電流測定装置を所定複数チャンネル備えて被試験デ
バイスの電流を測定する、ことを特徴とする半導体試験
装置がある。
Next, the tenth solving means will be described. There is a semiconductor test apparatus characterized in that a predetermined plurality of channels of the voltage applied current measuring apparatus described above are provided to measure the current of a device under test.

【0027】尚、本願発明手段は、所望により、上記解
決手段における各要素手段を適宜組み合わせて、実用可
能な他の構成手段としても良い。また、上記各要素に付
与されている符号は、発明の実施の形態等に示されてい
る符号に対応するものの、これに限定するものではな
く、実用可能な他の均等物を適用した構成手段としても
良い。
If desired, the means of the present invention may be appropriately combined with the respective element means of the above-mentioned solving means to form other practical means. Further, although the reference numerals given to the above respective elements correspond to the reference numerals shown in the embodiments of the present invention and the like, the present invention is not limited to this, and constituent means to which other practical equivalents are applied. Also good.

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】以下に本発明を適用した実施の形
態の一例を図面を参照しながら説明する。また、以下の
実施の形態の説明内容によって特許請求の範囲を限定す
るものではないし、更に、実施の形態で説明されている
要素や接続関係が解決手段に必須であるとは限らない。
更に、実施の形態で説明されている要素や接続関係の形
容/形態は、一例でありその形容/形態内容のみに限定
するものではない。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An example of an embodiment to which the present invention is applied will be described below with reference to the drawings. Further, the scope of the claims is not limited by the description content of the following embodiments, and the elements and connection relationships described in the embodiments are not necessarily essential to the solving means.
Furthermore, the forms / forms of the elements and connection relationships described in the embodiments are examples, and the form / form contents are not limited to these.

【0029】本発明について、図3と図4とを参照して
以下に説明する。尚、従来構成に対応する要素は同一符
号を付し、また重複する部位の説明は省略する。
The present invention will be described below with reference to FIGS. 3 and 4. The elements corresponding to those of the conventional configuration are designated by the same reference numerals, and the description of the overlapping portions will be omitted.

【0030】図3は半導体試験装置に適用されている電
圧印加電流測定装置のブロック図の一例である。この要
部構成要素は、従来の構成要素の電流測定部200の代
わりにフローティング型電流測定部300を備える構成
である。フローティング型電流測定部300は、回路グ
ランドGNDから絶縁されたフローティング形態の電流
測定部である。この内部原理回路構成の一例を図4に示
して説明する。
FIG. 3 is an example of a block diagram of a voltage applied current measuring device applied to a semiconductor testing device. This essential component has a configuration in which a floating type current measuring unit 300 is provided instead of the current measuring unit 200 of the conventional component. The floating type current measuring unit 300 is a floating type current measuring unit that is insulated from the circuit ground GND. An example of the internal principle circuit configuration will be described with reference to FIG.

【0031】図4のフローティング型電流測定部300
の要部構成要素は、フローティング電源50と、電流検
出抵抗Rmと、ゲイン規定用抵抗Rc3、Rd3と、演
算増幅器(OPAMP)A5と、AD変換器85と、シ
リアル出力部60と、フォトカプラPC3とを備える。
尚、フローティング型電流測定部300は、高耐圧型の
演算増幅器と比較すると、数分の1程度の安価である。
The floating type current measuring unit 300 of FIG.
The main components of the above are the floating power supply 50, the current detection resistor Rm, the gain regulating resistors Rc3 and Rd3, the operational amplifier (OPAMP) A5, the AD converter 85, the serial output unit 60, and the photocoupler PC3. With.
The floating type current measuring unit 300 is about a fraction of the cost as compared with a high breakdown voltage type operational amplifier.

【0032】フローティング電源50は、フローティン
グ型電流測定部300で使用する各回路へ数十ミリワッ
ト程度の直流電源を供給するものであって、回路アース
とはフローティング状態にある絶縁直流電源である。一
例としては発光素子D1と太陽電池C2で構成される。
発光素子D1は例えば複数個を直列接続した発光ダイオ
ードであり、これに所定の電流を流して発光させ、これ
を複数個を直列接続した太陽電池C2が受けて、例えば
10v程度の正電源+Vfと負電源−Vfとを出力す
る。太陽電池C2の中点はコモン端子COMとして出力
する。ここで、図示ないが、両電源とコモン端子COM
間にはバイパスコンデンサを備えている。尚、所望によ
り、図5に示すように、定電圧ICを挿入して、一定し
た直流電圧を供給するように構成しても良い。
The floating power supply 50 supplies a DC power of several tens of milliwatts to each circuit used in the floating type current measuring section 300, and the circuit ground is an insulated DC power supply in a floating state. As an example, it is composed of a light emitting element D1 and a solar cell C2.
The light emitting element D1 is, for example, a light emitting diode in which a plurality of light emitting diodes are connected in series, and a predetermined current is applied to the light emitting diode to emit light, which is received by a solar cell C2 in which a plurality of light emitting elements are connected in series, and a positive power source + Vf of, for example, about 10v is supplied. Negative power supply -Vf is output. The middle point of the solar cell C2 is output as the common terminal COM. Here, although not shown, both power supplies and the common terminal COM
A bypass capacitor is provided between them. If desired, as shown in FIG. 5, a constant voltage IC may be inserted to supply a constant DC voltage.

【0033】電流検出抵抗Rmは、従来と同一であるの
で説明を省略する。但し、この電流検出抵抗Rmの出力
側電圧V1に該当する端子は、コモン端子COMを接続
する。
Since the current detection resistor Rm is the same as the conventional one, its explanation is omitted. However, the common terminal COM is connected to the terminal corresponding to the output side voltage V1 of the current detection resistor Rm.

【0034】ゲイン規定用抵抗Rc3、Rd3は、演算
増幅器A5の増幅度を規定する抵抗である。例えば10
倍となる抵抗値を与えるには、ゲイン規定用抵抗Rc3
が10KΩで、Rd3が90KΩを使用する。両抵抗の
中間点の電圧信号A5i2を演算増幅器A5の負入力端
へ供給する。この接続構成によれば、ゲイン規定用抵抗
Rc3、Rd3の中間点の電圧信号A5i2は、DUT
へ印加する40vもの高電圧を分圧していない。即ち、
これら抵抗値のばらつきは増幅度のみの変動要因で済む
利点が得られている。即ち、従来のように抵抗値のばら
つきが、印加電圧40vの分圧に伴う大きな測定誤差を
生じていたが、これが解消されている。従って、抵抗値
のばらつきは、単に増幅度のみのばらつきであるからし
て、一般的な0.1%程度の安価な抵抗を適用できる利
点が得られる。
The gain defining resistors Rc3 and Rd3 are resistors that define the amplification degree of the operational amplifier A5. For example, 10
To give a doubled resistance value, the gain regulating resistor Rc3
Is 10 KΩ and Rd3 is 90 KΩ. The voltage signal A5i2 at the midpoint of both resistors is supplied to the negative input terminal of the operational amplifier A5. According to this connection configuration, the voltage signal A5i2 at the midpoint between the gain regulating resistors Rc3 and Rd3 is the DUT.
The high voltage of 40 V applied to is not divided. That is,
The advantage that these variations in resistance value can be caused only by the variation factor of the amplification degree is obtained. That is, although the variation in the resistance value causes a large measurement error due to the division of the applied voltage 40v as in the conventional case, this has been resolved. Therefore, the variation of the resistance value is only the variation of the amplification degree, and therefore, there is an advantage that a general inexpensive resistance of about 0.1% can be applied.

【0035】演算増幅器A5は、高耐圧型では無く、一
般的な演算増幅器が適用できる。尚、低消費電力タイプ
のものが望ましい。この電源には、上記正電源+Vfと
負電源−Vfとを使用する。そして、負荷側電圧V8を
正入力端へ供給し、上記電圧信号A5i2を負入力端へ
供給して、電位差V9を10倍に増幅した増幅信号A5
sを出力する。これによれば、演算増幅器A5へ入力さ
れる電圧信号は、COMレベル基準からすると数百ミリ
ボルト程度である。従って、安価な一般的な演算増幅器
が適用できる利点が得られる。
As the operational amplifier A5, a general operational amplifier can be applied instead of the high breakdown voltage type. A low power consumption type is desirable. The positive power source + Vf and the negative power source -Vf are used as this power source. Then, the load side voltage V8 is supplied to the positive input end, the voltage signal A5i2 is supplied to the negative input end, and the amplified signal A5 obtained by amplifying the potential difference V9 by 10 times is supplied.
Output s. According to this, the voltage signal input to the operational amplifier A5 is about several hundred millivolts based on the COM level standard. Therefore, there is an advantage that an inexpensive general operational amplifier can be applied.

【0036】AD変換器85は、例えば12〜16ビッ
ト分解能のシリアル出力型のものを適用する。また、電
源は正電源+Vf適用する。上記増幅信号A5sを受け
て、内蔵するクロック周期でシリアルなデジタルコード
データ85sに変換して出力する。
As the AD converter 85, for example, a serial output type having a resolution of 12 to 16 bits is applied. The power source is a positive power source + Vf. The amplified signal A5s is received, converted into serial digital code data 85s at a built-in clock cycle, and output.

【0037】シリアル出力部60は、シリアルなデジタ
ルコードデータ85sを受けて、フォトカプラPC3を
所定に駆動するバッファである。
The serial output section 60 is a buffer which receives the serial digital code data 85s and drives the photocoupler PC3 in a predetermined manner.

【0038】フォトカプラPC3はフローティング状態
のシリアル信号を、回路グランドGND基準のシリアル
信号に変換する電気的に絶縁された信号伝送手段であ
る。上記シリアル出力部60を介してシリアルなデジタ
ルコードデータ85sを入力端側で受けて光信号に変換
し、出力端側ではフォトトランジスタにより電気信号に
変換して、元のシリアルなデジタルコードデータ300
sを外部へ出力する。尚、フォトカプラPC3は安価で
ある。
The photocoupler PC3 is an electrically insulated signal transmission means for converting a serial signal in a floating state into a serial signal based on the circuit ground GND. The serial digital code data 85s is received at the input end side via the serial output section 60 and converted into an optical signal, and at the output end side is converted into an electric signal by a phototransistor, and the original serial digital code data 300 is obtained.
Output s to the outside. The photo coupler PC3 is inexpensive.

【0039】上述発明構成によれば、フローティング型
電流測定部300は1つの一般的な演算増幅器A5が適
用できる結果、従来のように2個の高価な高耐圧型の演
算増幅器を不要とすることができる。従って、大幅に安
価な電圧印加電流測定装置を実現できる大きな利点が得
られる。更に、ゲイン規定用抵抗Rc3、Rd3の抵抗
値のばらつきは、単に増幅度のみのばらつきであるから
して、一般的な安価な抵抗を適用できる利点も得られ
る。
According to the configuration of the above-mentioned invention, the floating type current measuring section 300 can be applied with one general operational amplifier A5. As a result, two expensive high withstand voltage operational amplifiers as in the prior art are not required. You can Therefore, there is a great advantage that a significantly cheaper voltage applied current measuring device can be realized. Furthermore, since the variations in the resistance values of the gain defining resistors Rc3 and Rd3 are only variations in the amplification degree, there is an advantage that a general inexpensive resistor can be applied.

【0040】尚、本発明の技術的思想は、上述実施の形
態の具体構成例、接続形態例に限定されるものではな
い。更に、本発明の技術的思想に基づき、上述実施の形
態を適宜変形して広汎に応用してもよい。例えば、上述
実施例では、フローティング電源50として光源を適用
して電気的に絶縁する具体例であったが、高周波の発振
電源とコイルによる絶縁トランス形態を適用しても良い
し、電源電流が少ない場合には圧電トランスを適用して
も良い。
The technical idea of the present invention is not limited to the specific configuration examples and connection mode examples of the above-described embodiment. Furthermore, based on the technical idea of the present invention, the above-described embodiments may be appropriately modified and widely applied. For example, in the above-described embodiment, the light source is applied as the floating power supply 50 to electrically insulate it. However, an insulating transformer configuration using a high frequency oscillation power supply and a coil may be applied, and the power supply current is small. In that case, a piezoelectric transformer may be applied.

【0041】また、シリアル出力部60は、AD変換器
85の出力信号でフォトカプラPC3を直接駆動できる
場合には、このシリアル出力部60は削除しても良い。
If the serial output section 60 can directly drive the photocoupler PC3 with the output signal of the AD converter 85, the serial output section 60 may be omitted.

【0042】また、外部から直流の基準電圧を受ける場
合には、DA変換器11を削除した構成で良い。
If a DC reference voltage is received from the outside, the DA converter 11 may be omitted.

【0043】また、フォトカプラPC3の後段にパラレ
ルコードデータに変換するシリアル/パラレル変換手段
を備える構成としても良い。
A serial / parallel conversion means for converting into parallel code data may be provided at the subsequent stage of the photocoupler PC3.

【0044】[0044]

【発明の効果】本発明は、上述の説明内容からして、下
記に記載される効果を奏する。上述説明したように本発
明によれば、回路グランドGNDとは浮いた状態で負荷
電流を測定する手段を備えることで、高価な高耐圧型の
演算増幅器を不要とすることができる。従って、特に多
数チャンネル備える半導体試験装置においては、安価な
電圧印加電流測定装置を実現できる大きな利点が得られ
る。更に、使用する抵抗の抵抗値のばらつきは、単に増
幅度のみに影響するので一般的な安価な抵抗を適用して
も実用的な測定精度が得られる利点がある。従って、本
発明の技術的効果は大であり、産業上の経済効果も大で
ある。
The present invention has the following effects based on the above description. As described above, according to the present invention, by providing the means for measuring the load current while floating from the circuit ground GND, an expensive high withstand voltage operational amplifier can be eliminated. Therefore, particularly in a semiconductor test apparatus having a large number of channels, a great advantage that an inexpensive voltage applied current measuring apparatus can be realized can be obtained. Further, the variation in the resistance value of the resistors used affects only the amplification degree, so that there is an advantage that practical measurement accuracy can be obtained even if a general inexpensive resistor is applied. Therefore, the technical effect of the present invention is great, and the economic effect in industry is also great.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】従来の、半導体試験装置に適用されている電圧
印加電流測定装置のブロック図の一例。
FIG. 1 is an example of a block diagram of a conventional voltage applied current measuring apparatus applied to a semiconductor test apparatus.

【図2】従来の、電流測定部の内部原理回路構成。FIG. 2 shows a conventional internal principle circuit configuration of a current measuring unit.

【図3】本発明の、半導体試験装置に適用されている電
圧印加電流測定装置のブロック図の一例。
FIG. 3 is an example of a block diagram of a voltage application current measurement device applied to a semiconductor test device according to the present invention.

【図4】本発明の、電流測定部の内部原理回路構成。FIG. 4 is an internal principle circuit configuration of a current measuring unit according to the present invention.

【図5】本発明の、フローティング電源の出力側に定電
圧ICを備える構成例。
FIG. 5 is a configuration example in which a constant voltage IC is provided on the output side of a floating power supply according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

A1,A2,A3,A4,A5 演算増幅器(OPAM
P) CB1 ステーションケーブル D1 発光素子 Rc1,Rd1 第1分圧抵抗 Ra,Rb 抵抗 C2 太陽電池 Rc2,Rd2 第2分圧抵抗 PC3 フォトカプラ Rc3,Rd3 ゲイン規定用抵抗 11 DA変換器 50 フローティング電源 60 シリアル出力部 80,85 AD変換器 200 電流測定部 300 フローティング型電流測定部 COM コモン端子 DUT 被試験デバイス GND 回路グランド Rm 電流検出抵抗
A1, A2, A3, A4, A5 Operational amplifier (OPAM
P) CB1 Station cable D1 Light emitting element Rc1, Rd1 First voltage dividing resistor Ra, Rb Resistor C2 Solar cell Rc2, Rd2 Second voltage dividing resistor PC3 Photo coupler Rc3, Rd3 Gain regulating resistor 11 DA converter 50 Floating power source 60 Serial Output unit 80, 85 AD converter 200 Current measuring unit 300 Floating type current measuring unit COM Common terminal DUT Device under test GND Circuit ground Rm Current detection resistor

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電圧印加電流測定装置において、 電圧印加電流測定装置の回路グランドとは浮いた状態で
負荷電流を測定する負荷電流測定手段を具備する、こと
を特徴とする電圧印加電流測定装置。
1. A voltage applied current measuring device, comprising: a load current measuring means for measuring a load current in a state of being floated from a circuit ground of the voltage applied current measuring device.
【請求項2】 電圧印加電流測定装置において、 電圧印加電流測定装置から負荷装置へ流れる負荷電流を
測定する負荷電流測定手段は、電圧印加電流測定装置の
回路グランドとは浮いた状態のフローティング電源を適
用する、ことを特徴とする電圧印加電流測定装置。
2. In the voltage applied current measuring device, the load current measuring means for measuring the load current flowing from the voltage applied current measuring device to the load device is a floating power source floating above the circuit ground of the voltage applied current measuring device. A voltage applied current measuring device characterized by being applied.
【請求項3】 該負荷電流測定手段は、負荷に流れる電
流を抵抗を直列に挿入して電圧に変換し、変換された該
抵抗の両端の電圧を受けて、回路グランドとは浮いたフ
ローティング状態の演算増幅手段で所定に増幅する、こ
とを特徴とする請求項1又は2記載の電圧印加電流測定
装置。
3. The load current measuring means converts a current flowing through a load into a voltage by inserting a resistor in series, receives the converted voltage across the resistor, and floats from a circuit ground in a floating state. 3. The voltage applied current measuring device according to claim 1, wherein the operational amplification means is used for predetermined amplification.
【請求項4】 該負荷電流測定手段は、フローティング
型電流測定部である、ことを特徴とする請求項1又は2
記載の電圧印加電流測定装置。
4. The load current measuring means is a floating type current measuring unit.
The voltage applied current measuring device described.
【請求項5】 該フローティング型電流測定部は、 該フローティング型電流測定部で使用する直流電源を供
給するフローティング電源と、 負荷電流を検出する電流検出手段と、 該電流検出抵抗からの電圧信号を受けて、電圧印加電流
測定装置の回路グランドとはフローティングした状態
で、所定に増幅して出力し、電源は該フローティング電
源を適用する演算増幅器と、 該演算増幅器からの増幅信号を受けてデジタルコードデ
ータに変換して出力し、電源は該フローティング電源を
適用するAD変換器と、 電圧印加電流測定装置の回路グランドとはフローティン
グした状態の該デジタルコードデータを電圧印加電流測
定装置の回路グランドGND側へ伝送するフォトカプラ
と、 を具備することを特徴とする請求項4記載の電圧印加電
流測定装置。
5. The floating type current measuring unit supplies a DC power source used in the floating type current measuring unit, a floating power source for detecting a load current, and a voltage signal from the current detecting resistor. In the floating state with respect to the circuit ground of the voltage applied current measuring device, it is amplified and output in a predetermined manner, and the power source is an operational amplifier to which the floating power source is applied and a digital code which receives the amplified signal from the operational amplifier. The digital code data is converted into data and output, and the power supply is an AD converter that applies the floating power supply and the circuit ground of the voltage application current measurement device. 5. A voltage applied current measurement according to claim 4, further comprising: apparatus.
【請求項6】 フローティング電源は、発光素子と太陽
電池とに基づいて絶縁した直流電源を供給する、ことを
特徴とする請求項5記載の電圧印加電流測定装置。
6. The voltage applied current measuring apparatus according to claim 5, wherein the floating power source supplies a direct current power source insulated based on the light emitting element and the solar cell.
【請求項7】 該電圧印加電流測定装置は、外部からの
所定の設定データに基づき対応する直流の基準電圧を発
生するDA変換器と、 該基準電圧に基づいて所定の出力電圧を発生して負荷装
置へ電流を供給する演算増幅器と、 負荷装置へ電流を供給するフォース線と、負荷装置側の
接続端の電圧を検出するセンス線との2本の線路と、 該センス線からの電圧信号を電流バッファして該演算増
幅器へ帰還する演算増幅器と、 を具備することを特徴とする請求項1又は2記載の電圧
印加電流測定装置。
7. The voltage applied current measuring device generates a corresponding DC reference voltage based on predetermined setting data from the outside, and a predetermined output voltage based on the reference voltage. Two lines, an operational amplifier that supplies current to the load device, a force line that supplies current to the load device, and a sense line that detects the voltage at the connection end on the load device side, and a voltage signal from the sense line. 3. An operational amplifier according to claim 1, further comprising: an operational amplifier that current-buffers the current and feeds it back to the operational amplifier.
【請求項8】 該電圧印加電流測定装置から負荷装置へ
供給する電圧は一般の演算増幅器が適用できない高い電
圧を供給する構成の電圧印加電流測定装置に適用する、
ことを特徴とする請求項1乃至7記載の電圧印加電流測
定装置。
8. The voltage applied current measuring device applies to a voltage applied current measuring device having a structure for supplying a high voltage which is not applicable to a general operational amplifier, to a load device.
The voltage applied current measuring device according to claim 1, wherein
【請求項9】 請求項1乃至8記載の電圧印加電流測定
装置を適用する、ことを特徴とする半導体試験装置。
9. A semiconductor test apparatus to which the voltage applied current measuring apparatus according to claim 1 is applied.
【請求項10】 請求項1乃至8記載の電圧印加電流測
定装置を所定複数チャンネル備えて被試験デバイスの電
流を測定する、ことを特徴とする半導体試験装置。
10. A semiconductor test apparatus comprising the voltage application current measuring apparatus according to claim 1 provided in a predetermined plurality of channels to measure the current of a device under test.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008116747A1 (en) * 2007-03-26 2008-10-02 Robert Bosch Gmbh Control circuit and control method for a piezoelectric element
JP2008298468A (en) * 2007-05-29 2008-12-11 Imv Corp Board inspecting device
KR101020383B1 (en) 2009-07-08 2011-03-08 엘지이노텍 주식회사 Apparatus for detecting current of Light Emitting Diode unit
JP2012105455A (en) * 2010-11-10 2012-05-31 Hitachi Industrial Equipment Systems Co Ltd Motor control device
CN103219995A (en) * 2012-01-18 2013-07-24 横河电机株式会社 Analog front-end circuit for measurement
JP2013205406A (en) * 2012-03-29 2013-10-07 Keihin Corp Inspection apparatus for cell voltage measurement substance

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62178379U (en) * 1986-05-02 1987-11-12
JPH02285968A (en) * 1989-04-24 1990-11-26 Yaskawa Electric Mfg Co Ltd Inverter
JPH05119110A (en) * 1991-10-25 1993-05-18 Advantest Corp Direct current measuring device
JPH05142267A (en) * 1991-11-21 1993-06-08 Asia Electron Inc Device for detecting current in high voltage power source
JPH10111322A (en) * 1996-10-04 1998-04-28 Japan Radio Co Ltd Insulated analog transmission circuit and voltage detecting circuit using the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62178379U (en) * 1986-05-02 1987-11-12
JPH02285968A (en) * 1989-04-24 1990-11-26 Yaskawa Electric Mfg Co Ltd Inverter
JPH05119110A (en) * 1991-10-25 1993-05-18 Advantest Corp Direct current measuring device
JPH05142267A (en) * 1991-11-21 1993-06-08 Asia Electron Inc Device for detecting current in high voltage power source
JPH10111322A (en) * 1996-10-04 1998-04-28 Japan Radio Co Ltd Insulated analog transmission circuit and voltage detecting circuit using the same

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008116747A1 (en) * 2007-03-26 2008-10-02 Robert Bosch Gmbh Control circuit and control method for a piezoelectric element
JP2008298468A (en) * 2007-05-29 2008-12-11 Imv Corp Board inspecting device
KR101020383B1 (en) 2009-07-08 2011-03-08 엘지이노텍 주식회사 Apparatus for detecting current of Light Emitting Diode unit
JP2012105455A (en) * 2010-11-10 2012-05-31 Hitachi Industrial Equipment Systems Co Ltd Motor control device
CN103219995A (en) * 2012-01-18 2013-07-24 横河电机株式会社 Analog front-end circuit for measurement
JP2013149021A (en) * 2012-01-18 2013-08-01 Yokogawa Electric Corp Analog front end circuit for measurement
US9173107B2 (en) 2012-01-18 2015-10-27 Yokogawa Electric Corporation Analog front-end circuit for measurement
JP2013205406A (en) * 2012-03-29 2013-10-07 Keihin Corp Inspection apparatus for cell voltage measurement substance

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