JP2003049162A - 有機フォトリフラクティブ素子用材料、アモルファス膜、及び有機フォトリフラクティブ素子 - Google Patents
有機フォトリフラクティブ素子用材料、アモルファス膜、及び有機フォトリフラクティブ素子Info
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- JP2003049162A JP2003049162A JP2001235222A JP2001235222A JP2003049162A JP 2003049162 A JP2003049162 A JP 2003049162A JP 2001235222 A JP2001235222 A JP 2001235222A JP 2001235222 A JP2001235222 A JP 2001235222A JP 2003049162 A JP2003049162 A JP 2003049162A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ポーリング処理や高電圧印加を行なうことな
く、大きなＰＲ効果を奏することのできる、新規な有機
ＰＲ素子用材料、これを用いたアモルファス膜、及びこ
のアモルファス膜を用いた低コストの有機ＰＲ素子を提
供する。 【解決手段】 一般式 【化１】 （式中、Ｒ１〜Ｒ２４はＨ又は炭素鎖が１〜６の直鎖あ
るいは分岐状アルキル基を表す）で示される化合物と、
電子受容性化合物と、非線形光学物質とが共存して構成
された、有機フォトリフラクティブ（ＰＲ）素子用材料
を、ガラス基板１上で加熱融解させる。その後、別のガ
ラス基板２で融解した前記有機ＰＲ素子用材料を挟んで
冷却し、前記有機ＰＲ素子用材料からなるアモルファス
膜３を形成し、有機ＰＲ素子５を得る。
く、大きなＰＲ効果を奏することのできる、新規な有機
ＰＲ素子用材料、これを用いたアモルファス膜、及びこ
のアモルファス膜を用いた低コストの有機ＰＲ素子を提
供する。 【解決手段】 一般式 【化１】 （式中、Ｒ１〜Ｒ２４はＨ又は炭素鎖が１〜６の直鎖あ
るいは分岐状アルキル基を表す）で示される化合物と、
電子受容性化合物と、非線形光学物質とが共存して構成
された、有機フォトリフラクティブ（ＰＲ）素子用材料
を、ガラス基板１上で加熱融解させる。その後、別のガ
ラス基板２で融解した前記有機ＰＲ素子用材料を挟んで
冷却し、前記有機ＰＲ素子用材料からなるアモルファス
膜３を形成し、有機ＰＲ素子５を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機フォトリフラ
クティブ素子用材料、この材料を用いるアモルファス
膜、及び有機フォトリフラクティブ素子に関する。
クティブ素子用材料、この材料を用いるアモルファス
膜、及び有機フォトリフラクティブ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】フォトリフラクティブ効果（以下、「Ｐ
Ｒ効果」と略す場合がある）を用いた有機フォトリフラ
クティブ素子（以下、「有機ＰＲ素子」と略す場合があ
る）は、ホログラフィーなどの表示・記録素子への応用
が期待されている。このような有機ＰＲ素子の実用化の
ためには、大きなＰＲ効果を有すること、低電圧で駆動
できること、耐久性に優れることなどが要求される。
Ｒ効果」と略す場合がある）を用いた有機フォトリフラ
クティブ素子（以下、「有機ＰＲ素子」と略す場合があ
る）は、ホログラフィーなどの表示・記録素子への応用
が期待されている。このような有機ＰＲ素子の実用化の
ためには、大きなＰＲ効果を有すること、低電圧で駆動
できること、耐久性に優れることなどが要求される。
【０００３】これまで、有機ＰＲ素子を構成すべく有機
フォトリフラクティブ材料（以下、「有機ＰＲ材料」と
略す場合がある）に対しては種々の報告例がある。しか
しながら、従来の有機ＰＲ材料は、これを実際の有機Ｐ
Ｒ素子内に用いる際には、薄膜化した後ポーリング処理
を行なうことによって配向させる必要がある。また、有
機ＰＲ素子を駆動させるに際しては、２，０００〜１
０，０００Ｖの高電圧を印加する必要がある。
フォトリフラクティブ材料（以下、「有機ＰＲ材料」と
略す場合がある）に対しては種々の報告例がある。しか
しながら、従来の有機ＰＲ材料は、これを実際の有機Ｐ
Ｒ素子内に用いる際には、薄膜化した後ポーリング処理
を行なうことによって配向させる必要がある。また、有
機ＰＲ素子を駆動させるに際しては、２，０００〜１
０，０００Ｖの高電圧を印加する必要がある。
【０００４】このような高電圧印加は、有機ＰＲ素子に
対して絶縁破壊をもたらし、前記有機ＰＲ素子を長時間
安定して作動させることができないという問題があっ
た。また、高電圧印加は近年の省エネルギー化の要請に
も反する。また、前記高電圧印加のための外部電源が必
要となることから、有機ＰＲ素子を含む装置全体の小型
化も困難になる。
対して絶縁破壊をもたらし、前記有機ＰＲ素子を長時間
安定して作動させることができないという問題があっ
た。また、高電圧印加は近年の省エネルギー化の要請に
も反する。また、前記高電圧印加のための外部電源が必
要となることから、有機ＰＲ素子を含む装置全体の小型
化も困難になる。
【０００５】本発明は、ポーリング処理や高電圧印加を
行なうことなく、大きなＰＲ効果を奏することのでき
る、新規な有機ＰＲ素子用材料、これを用いたアモルフ
ァス膜、及びこのアモルファス膜を用いた低コストの有
機ＰＲ素子を提供することを目的とする。
行なうことなく、大きなＰＲ効果を奏することのでき
る、新規な有機ＰＲ素子用材料、これを用いたアモルフ
ァス膜、及びこのアモルファス膜を用いた低コストの有
機ＰＲ素子を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく、
本発明は、一般式
本発明は、一般式
【化７】
（式中、Ｒ１〜Ｒ２４はＨ又は炭素鎖が１〜６の直鎖あ
るいは分岐状アルキル基を表す）で示される化合物と、
電子受容性化合物と、非線形光学物質とが共存して構成
された、有機フォトリフラクティブ素子用材料に関す
る。
るいは分岐状アルキル基を表す）で示される化合物と、
電子受容性化合物と、非線形光学物質とが共存して構成
された、有機フォトリフラクティブ素子用材料に関す
る。
【０００７】本発明者らは、ポーリング処理や高電圧印
加を行なうことなく、大きなＰＲ効果を奏することので
きる、新規な有機ＰＲ素子用材料を開発すべく鋭意検討
した。そして、この検討の過程において、一般式
加を行なうことなく、大きなＰＲ効果を奏することので
きる、新規な有機ＰＲ素子用材料を開発すべく鋭意検討
した。そして、この検討の過程において、一般式
【化８】
（式中、Ｒ１〜Ｒ２４はＨ又は炭素鎖が１〜６の直鎖あ
るいは分岐状アルキル基を表す）で示される化合物の合
成に成功した。さらに、この化合物をスピンコート法、
蒸着法、又は加熱融解して得られる融液を冷却するなど
して、所定の基板又は下地層上に成膜することにより、
容易にアモルファス化できることを見出した。
るいは分岐状アルキル基を表す）で示される化合物の合
成に成功した。さらに、この化合物をスピンコート法、
蒸着法、又は加熱融解して得られる融液を冷却するなど
して、所定の基板又は下地層上に成膜することにより、
容易にアモルファス化できることを見出した。
【０００８】また、前記化合物からなるアモルファス膜
は、優れた電荷輸送層として機能することを発見し、前
記化合物が優れた電荷輸送性ホスト材料であることを見
出した。したがって、前記化合物に対して所定の電子受
容性化合物及び非線形光学物質を加えた材料を作製すれ
ば、優れた有機ＰＲ素子が得られることを想到し、本発
明をするに至ったものである。
は、優れた電荷輸送層として機能することを発見し、前
記化合物が優れた電荷輸送性ホスト材料であることを見
出した。したがって、前記化合物に対して所定の電子受
容性化合物及び非線形光学物質を加えた材料を作製すれ
ば、優れた有機ＰＲ素子が得られることを想到し、本発
明をするに至ったものである。
【０００９】すなわち、電荷輸送性ホスト材料と電子受
容性化合物との間で形成される電荷移動錯体に光を照射
することによって、容易に電荷が発生する。さらに、電
荷輸送性ホスト材料が有する優れた電荷輸送特性に基づ
き、電荷は容易に移動することができるため、内部電界
が容易に形成される。したがって、このような材料から
有機ＰＲ素子を作製した場合は、ポーリング処理や高電
圧を印加しなくとも大きなＰＲ効果を奏するようにな
る。したがって、電圧印加のための外部電源や高価なＩ
ＴＯ基板などを用いる必要がないため、有機ＰＲ素子の
低コスト化をも達成することができる。
容性化合物との間で形成される電荷移動錯体に光を照射
することによって、容易に電荷が発生する。さらに、電
荷輸送性ホスト材料が有する優れた電荷輸送特性に基づ
き、電荷は容易に移動することができるため、内部電界
が容易に形成される。したがって、このような材料から
有機ＰＲ素子を作製した場合は、ポーリング処理や高電
圧を印加しなくとも大きなＰＲ効果を奏するようにな
る。したがって、電圧印加のための外部電源や高価なＩ
ＴＯ基板などを用いる必要がないため、有機ＰＲ素子の
低コスト化をも達成することができる。
【００１０】なお、化学式７及び８で示される前記化合
物は、ガラス転位温度が約１５０℃であり、熱的に極め
て安定である。したがって、この化合物から作製された
上記アモルファス膜は、電子受容性化合物及び非線形光
学物質を含んでいる場合においても非常に安定であり、
室温以上において良好なアモルファス状態を呈する。
物は、ガラス転位温度が約１５０℃であり、熱的に極め
て安定である。したがって、この化合物から作製された
上記アモルファス膜は、電子受容性化合物及び非線形光
学物質を含んでいる場合においても非常に安定であり、
室温以上において良好なアモルファス状態を呈する。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を発明の実施の形態
に基づいて詳細に説明する。本発明の有機ＰＲ素子用材
料において、電荷輸送性ホスト材料として機能する化合
物は、化学式９で示される。そして、化学式１０で示さ
れるような、化学式９におけるＲ１〜Ｒ２４を総てＨと
した化合物である、4,4’,4’’-トリ（N-カルバゾリ
ル）トリフェニルアミンを用いることが好ましい。
に基づいて詳細に説明する。本発明の有機ＰＲ素子用材
料において、電荷輸送性ホスト材料として機能する化合
物は、化学式９で示される。そして、化学式１０で示さ
れるような、化学式９におけるＲ１〜Ｒ２４を総てＨと
した化合物である、4,4’,4’’-トリ（N-カルバゾリ
ル）トリフェニルアミンを用いることが好ましい。
【００１２】
【化９】
【００１３】
【化１０】
【００１４】上記4,4’,4’’-トリ（N-カルバゾリル）
トリフェニルアミンは、例えば、トリス（4-ヨードフェ
ニル）アミンとカルバゾールとを、Ｋ２ＣＯ３粉末、Ｃ
ｕ粉末及び18-クラウン-6の存在下、１８０℃で８時間
加熱する。その後、生成物をトルエンで抽出し、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー及び溶媒（トルエン、ヘ
キサン、又はこれらの混合物）からの再結晶させること
によって得ることができる。
トリフェニルアミンは、例えば、トリス（4-ヨードフェ
ニル）アミンとカルバゾールとを、Ｋ２ＣＯ３粉末、Ｃ
ｕ粉末及び18-クラウン-6の存在下、１８０℃で８時間
加熱する。その後、生成物をトルエンで抽出し、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー及び溶媒（トルエン、ヘ
キサン、又はこれらの混合物）からの再結晶させること
によって得ることができる。
【００１５】また、電子受容性化合物としては、上記電
荷輸送性ホスト材料と電荷移動錯体を形成するものであ
れば特には限定されない。しかしながら、2,4,7-トリニ
トロ-9-フルオレン又はＣ６０を用いることが好まし
い。これらの一般式は、それぞれ化学式１１及び１２で
示される。
荷輸送性ホスト材料と電荷移動錯体を形成するものであ
れば特には限定されない。しかしながら、2,4,7-トリニ
トロ-9-フルオレン又はＣ６０を用いることが好まし
い。これらの一般式は、それぞれ化学式１１及び１２で
示される。
【００１６】
【化１１】
【００１７】
【化１２】
【００１８】また、非線形光学物質は大きなＰＲ効果を
奏するべく、良好な非線形光学性を呈するものであれば
特には限定されない。しかしながら、電荷輸送性ホスト
材料として上述した4,4’,4’’-トリ（N-カルバゾリ
ル）トリフェニルアミンを用い、電子受容性化合物とし
て上述した2,4,7-トリニトロ-9-フルオレン又はＣ６０
を用いる場合は、2,5-ジメチル-4-(p-ニトロフェニルア
ゾ)アニソールを用いることが好ましい。この化合物の
一般式は化学式１３で表される。
奏するべく、良好な非線形光学性を呈するものであれば
特には限定されない。しかしながら、電荷輸送性ホスト
材料として上述した4,4’,4’’-トリ（N-カルバゾリ
ル）トリフェニルアミンを用い、電子受容性化合物とし
て上述した2,4,7-トリニトロ-9-フルオレン又はＣ６０
を用いる場合は、2,5-ジメチル-4-(p-ニトロフェニルア
ゾ)アニソールを用いることが好ましい。この化合物の
一般式は化学式１３で表される。
【００１９】
【化１３】
【００２０】本発明の有機ＰＲ素子用材料は、上述した
電荷輸送性ホスト材料、電子受容性化合物、及び非線形
光学物質を混合し、共存させることによって得る。具体
的には、以下に示すように有機ＰＲ素子を構成するアモ
ルファス膜を作製する際に共存させる。
電荷輸送性ホスト材料、電子受容性化合物、及び非線形
光学物質を混合し、共存させることによって得る。具体
的には、以下に示すように有機ＰＲ素子を構成するアモ
ルファス膜を作製する際に共存させる。
【００２１】図１は、本発明の有機ＰＲ素子の基本構成
を示す図である。図１に示す有機ＰＲ素子５において
は、本発明の有機ＰＲ素子用材料からなるアモルファス
膜３が、例えばガラスなどから構成される基板１及び２
で保持されている。
を示す図である。図１に示す有機ＰＲ素子５において
は、本発明の有機ＰＲ素子用材料からなるアモルファス
膜３が、例えばガラスなどから構成される基板１及び２
で保持されている。
【００２２】上記有機ＰＲ素子５は、例えば以下のよう
にして作製する。最初に、上述した電荷輸送性ホスト材
料物質、電子受容性化合物、及び非線形光学物質を、例
えばトルエンなどの溶媒に溶解させる。その後、前記溶
媒を除去することにより、固体状の有機ＰＲ素子用材料
を得る。次いで、この有機ＰＲ素子用材料をガラス基板
１上で加熱・融解させた後、別のガラス基板２で前記融
解した有機ＰＲ素子用材料を挟むようにして圧着し、冷
却する。この結果、ガラス基板１及び２間において、前
記有機ＰＲ素子用材料からなるアモルファス膜３が形成
される。
にして作製する。最初に、上述した電荷輸送性ホスト材
料物質、電子受容性化合物、及び非線形光学物質を、例
えばトルエンなどの溶媒に溶解させる。その後、前記溶
媒を除去することにより、固体状の有機ＰＲ素子用材料
を得る。次いで、この有機ＰＲ素子用材料をガラス基板
１上で加熱・融解させた後、別のガラス基板２で前記融
解した有機ＰＲ素子用材料を挟むようにして圧着し、冷
却する。この結果、ガラス基板１及び２間において、前
記有機ＰＲ素子用材料からなるアモルファス膜３が形成
される。
【００２３】このアモルファス膜３は、前述したよう
に、電荷輸送性ホスト材料物質の高ガラス転移温度に起
因して熱的に極めて安定であるため、室温以上において
アモルファス状態を維持する。
に、電荷輸送性ホスト材料物質の高ガラス転移温度に起
因して熱的に極めて安定であるため、室温以上において
アモルファス状態を維持する。
【００２４】
【実施例】本実施例においては図１に示す構成の有機Ｐ
Ｒ素子５を作製し、そのＰＲ効果の評価を実施した。
Ｒ素子５を作製し、そのＰＲ効果の評価を実施した。
【００２５】（有機ＰＲ素子の作製）最初に、4,4’,
4’’-トリ（N-カルバゾリル）トリフェニルアミン、2,
4,7-トリニトロ-9-フルオレン、及び2,5-ジメチル-4-(p
-ニトロフェニルアゾ)アニソールを、それぞれ４９重量
％、１重量％、及び５０重量％の割合でトルエンに溶解
した後、トルエンを除去することにより、固体状の有機
ＰＲ素子用材料を得た。その後、この有機ＰＲ素子用材
料をガラス基板１上で２００℃に加熱し、融解させた。
その後、融解した前記有機ＰＲ素子用材料をガラス基板
２で挟み込み自然冷却することにより、厚さ８０μｍの
アモルファス膜３を得、有機ＰＲ素子５を作製した。
4’’-トリ（N-カルバゾリル）トリフェニルアミン、2,
4,7-トリニトロ-9-フルオレン、及び2,5-ジメチル-4-(p
-ニトロフェニルアゾ)アニソールを、それぞれ４９重量
％、１重量％、及び５０重量％の割合でトルエンに溶解
した後、トルエンを除去することにより、固体状の有機
ＰＲ素子用材料を得た。その後、この有機ＰＲ素子用材
料をガラス基板１上で２００℃に加熱し、融解させた。
その後、融解した前記有機ＰＲ素子用材料をガラス基板
２で挟み込み自然冷却することにより、厚さ８０μｍの
アモルファス膜３を得、有機ＰＲ素子５を作製した。
【００２６】（有機ＰＲ素子の評価）以上にようにして
得た有機ＰＲ素子５のＰＲ効果を、可干渉性Ｈｅ−Ｎｅ
レーザ（波長６３３ｎｍ）の光源を用い、この光源から
発せられたビームを分離して得た二光波を用いる二光波
混合法により評価した。
得た有機ＰＲ素子５のＰＲ効果を、可干渉性Ｈｅ−Ｎｅ
レーザ（波長６３３ｎｍ）の光源を用い、この光源から
発せられたビームを分離して得た二光波を用いる二光波
混合法により評価した。
【００２７】図２は、二光波混合法による、有機ＰＲ素
子５からの透過光強度変化を示すグラフである。測定開
始より約１００秒の間は、ビーム２のみを有機ＰＲ素子
５に照射し、その後、１００秒〜８００秒の間において
はビーム２に加えてビーム１を照射し、二光波を混合さ
せた。そして、８００秒経過後においては再びビーム２
のみを照射するようにした。
子５からの透過光強度変化を示すグラフである。測定開
始より約１００秒の間は、ビーム２のみを有機ＰＲ素子
５に照射し、その後、１００秒〜８００秒の間において
はビーム２に加えてビーム１を照射し、二光波を混合さ
せた。そして、８００秒経過後においては再びビーム２
のみを照射するようにした。
【００２８】測定開始より１００秒までは、ビーム２に
対応した光強度が観測されるが、１００秒〜８００秒の
間においては、ビーム１に対応した光強度が増大するの
に対し、ビーム２に対応した光強度は減少する。このよ
うな非対称なエネルギー移動は、入射光の干渉パターン
と、この干渉パターンに対応して有機ＰＲ素子５内に形
成された回折格子との間で位相がシフトしていることを
示している。この位相シフトはＰＲ効果に特有のもので
あり、本実施例において得た有機ＰＲ素子５は、ポーリ
ング処理や高電圧印加を行なわない場合においても、Ｐ
Ｒ効果を示すことが確認された。
対応した光強度が観測されるが、１００秒〜８００秒の
間においては、ビーム１に対応した光強度が増大するの
に対し、ビーム２に対応した光強度は減少する。このよ
うな非対称なエネルギー移動は、入射光の干渉パターン
と、この干渉パターンに対応して有機ＰＲ素子５内に形
成された回折格子との間で位相がシフトしていることを
示している。この位相シフトはＰＲ効果に特有のもので
あり、本実施例において得た有機ＰＲ素子５は、ポーリ
ング処理や高電圧印加を行なわない場合においても、Ｐ
Ｒ効果を示すことが確認された。
【００２９】また、８００秒経過後においては、ビーム
１に対応した光強度は減少し、ビーム２に対応した光強
度は、ビーム１を照射する前の光強度に回復する。した
がって、照射する光の状態をを適宜制御することによ
り、同様なＰＲ効果を繰り返し可逆的に得ることができ
る。さらに、結合利得係数は７４ｃｍ−１であり、有機
ＰＲ素子としては比較的大きな値を示すことが判明し
た。
１に対応した光強度は減少し、ビーム２に対応した光強
度は、ビーム１を照射する前の光強度に回復する。した
がって、照射する光の状態をを適宜制御することによ
り、同様なＰＲ効果を繰り返し可逆的に得ることができ
る。さらに、結合利得係数は７４ｃｍ−１であり、有機
ＰＲ素子としては比較的大きな値を示すことが判明し
た。
【００３０】図３は、本実施例によって得られた有機Ｐ
Ｒ素子５を格子ベクトルに沿って一定速度で移動させた
時の透過光強度の変化を示すグラフである。なお、移動
速度は１０μｍ／ｓｅｃとした。ビーム１に相当する透
過光強度とビーム２に相当する透過光強度とが等しくな
る時間周期Ｔより、有機ＰＲ素子５内に形成された回折
格子幅は約１．７μｍであることが判明した。
Ｒ素子５を格子ベクトルに沿って一定速度で移動させた
時の透過光強度の変化を示すグラフである。なお、移動
速度は１０μｍ／ｓｅｃとした。ビーム１に相当する透
過光強度とビーム２に相当する透過光強度とが等しくな
る時間周期Ｔより、有機ＰＲ素子５内に形成された回折
格子幅は約１．７μｍであることが判明した。
【００３１】また、ビーム１の移動開始後の最大透過光
強度（位相差９０度）が、移動開始前（０秒以前）のビ
ーム１の透過光強度とほぼ等しくなっている。同様に、
ビーム２の移動開始後の最小透過光強度（位相差９０
度）が、移動開始前（０秒以前）のビーム１の透過光強
度とほぼ等しくなっている。したがって、干渉パターン
と回折格子との位相シフトは約９０度であることが分か
る。
強度（位相差９０度）が、移動開始前（０秒以前）のビ
ーム１の透過光強度とほぼ等しくなっている。同様に、
ビーム２の移動開始後の最小透過光強度（位相差９０
度）が、移動開始前（０秒以前）のビーム１の透過光強
度とほぼ等しくなっている。したがって、干渉パターン
と回折格子との位相シフトは約９０度であることが分か
る。
【００３２】以上、具体例を挙げながら発明の実施の形
態に基づいて本発明を詳細に説明してきたが、本発明は
上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸
脱しない限りにおいて、あらゆる変形や変更が可能であ
る。
態に基づいて本発明を詳細に説明してきたが、本発明は
上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸
脱しない限りにおいて、あらゆる変形や変更が可能であ
る。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ポーリング処理や高電圧印加を行なうことなく、大きな
ＰＲ効果を奏することのできる、新規な有機ＰＲ素子用
材料、これを用いたアモルファス膜を提供することがで
きる。したがって、有機ＰＲ素子の作製が容易になると
ともに、高電圧印加による絶縁破壊を防止できるため、
長時間安定して動作させることができ、省エネルギーの
要請に合致した有機ＰＲ素子を提供することができる。
ポーリング処理や高電圧印加を行なうことなく、大きな
ＰＲ効果を奏することのできる、新規な有機ＰＲ素子用
材料、これを用いたアモルファス膜を提供することがで
きる。したがって、有機ＰＲ素子の作製が容易になると
ともに、高電圧印加による絶縁破壊を防止できるため、
長時間安定して動作させることができ、省エネルギーの
要請に合致した有機ＰＲ素子を提供することができる。
【００３４】また、外部電源やＩＴＯ基板などを用いる
必要がないため、有機ＰＲ素子の低コスト化を図ること
ができるとともに、前記有機ＰＲ素子を含む装置全体を
小型化することができる。
必要がないため、有機ＰＲ素子の低コスト化を図ること
ができるとともに、前記有機ＰＲ素子を含む装置全体を
小型化することができる。
【図１】 本発明の有機ＰＲ素子の基本構成を示す図で
ある。
ある。
【図２】 二光波混合法による、本発明の有機ＰＲ素子
からの透過光強度変化を示すグラフである。
からの透過光強度変化を示すグラフである。
【図３】 本発明の有機ＰＲ素子を格子ベクトルに沿っ
て一定速度で移動させた時の透過光強度の変化を示すグ
ラフである。
て一定速度で移動させた時の透過光強度の変化を示すグ
ラフである。
１、２ ガラス基板
３ アモルファス膜
５ 有機ＰＲ素子
Claims (13)
- 【請求項１】 一般式 【化１】 （式中、Ｒ１〜Ｒ２４はＨ又は炭素鎖が１〜６の直鎖あ
るいは分岐状アルキル基を表す）で示される化合物と、
電子受容性化合物と、非線形光学物質とが共存して構成
された、有機フォトリフラクティブ素子用材料。 - 【請求項２】 一般式 【化２】 で示される化合物と、電子受容性化合物と、非線形光学
物質とが共存して構成された、請求項１に記載の有機フ
ォトリフラクティブ素子用材料。 - 【請求項３】 前記電子受容性化合物は、2,4,7-トリニ
トロ-9-フルオレンであることを特徴とする、請求項１
又は２に記載の有機フォトリフラクティブ素子用材料。 - 【請求項４】 前記電子受容性化合物は、Ｃ６０である
ことを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機フォト
リフラクティブ素子用材料。 - 【請求項５】 前記非線形光学物質は、2,5-ジメチル-4
-(p-ニトロフェニルアゾ)アニソールであることを特徴
とする、請求項１〜４のいずれか一に記載の有機フォト
リフラクティブ素子用材料。 - 【請求項６】 一般式 【化３】 （式中、Ｒ１〜Ｒ２４はＨ又は炭素鎖が１〜６の直鎖あ
るいは分岐状アルキル基を表す）で示されることを特徴
とする、有機フォトリフラクティブ素子用材料。 - 【請求項７】 一般式 【化４】 で示されることを特徴とする、請求項６に記載の有機フ
ォトリフラクティブ素子用材料。 - 【請求項８】 一般式 【化５】 （式中、Ｒ１〜Ｒ２４はＨ又は炭素鎖が１〜６の直鎖あ
るいは分岐状アルキル基を表す）で示される化合物と、
電子受容性化合物と、非線形光学物質とが共存し、室温
以上においてアモルファス状を呈することを特徴とす
る、アモルファス膜。 - 【請求項９】 一般式 【化６】 で示される化合物と、電子受容性化合物と、非線形光学
物質とが共存し、室温以上においてアモルファス状を呈
することを特徴とする、請求項８に記載のアモルファス
膜。 - 【請求項１０】 前記電子受容性化合物は、2,4,7-トリ
ニトロ-9-フルオレンであることを特徴とする、請求項
８又は９に記載のアモルファス膜。 - 【請求項１１】 前記電子受容性化合物は、Ｃ６０であ
ることを特徴とする、請求項８又は９に記載のアモルフ
ァス膜。 - 【請求項１２】 前記非線形光学物質は、2,5-ジメチル
-4-(p-ニトロフェニルアゾ)アニソールであることを特
徴とする、請求項８〜１１のいずれか一に記載のアモル
ファス膜。 - 【請求項１３】 請求項８〜１２のいずれか一に記載の
アモルファス膜を具えることを特徴とする、有機フォト
リフラクティブ素子。
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|---|---|---|---|
| JP2001235222A JP3721396B2 (ja) | 2001-08-02 | 2001-08-02 | 有機フォトリフラクティブ素子用材料、アモルファス膜、及び有機フォトリフラクティブ素子 |
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|---|---|
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| KR100726433B1 (ko) * | 2005-11-25 | 2007-06-11 | 삼성전자주식회사 | 급지카세트 |
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2001
- 2001-08-02 JP JP2001235222A patent/JP3721396B2/ja not_active Expired - Lifetime
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