JP2003046175A - 半導体レーザ選別方法および装置 - Google Patents
半導体レーザ選別方法および装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 常温で半導体レーザの温度特性の良否の選別
を簡易にできる半導体レーザ選別方法および装置を提供
する。 【解決手段】 半導体レーザ４に駆動電流を供給して光
出力を定格値まで上昇させる手段（２，３）と、光出力
が前記定格値まで上昇した時点の駆動電流を所定時間保
持する手段（２，３）と、前記所定時間後の半導体レー
ザの光出力低下量を測定する手段５と、前記光出力低下
量を所定の閾値と比較する手段８と、前記光出力低下量
が前記所定の閾値より大きいときの半導体レーザを不良
品として選別する手段８とを備える。
を簡易にできる半導体レーザ選別方法および装置を提供
する。 【解決手段】 半導体レーザ４に駆動電流を供給して光
出力を定格値まで上昇させる手段（２，３）と、光出力
が前記定格値まで上昇した時点の駆動電流を所定時間保
持する手段（２，３）と、前記所定時間後の半導体レー
ザの光出力低下量を測定する手段５と、前記光出力低下
量を所定の閾値と比較する手段８と、前記光出力低下量
が前記所定の閾値より大きいときの半導体レーザを不良
品として選別する手段８とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、常温で半導体レー
ザの良品・不良品の選別を簡易にできる半導体レーザ選
別方法および装置に関する。
ザの良品・不良品の選別を簡易にできる半導体レーザ選
別方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、温度特性が不良な半導体レーザ
の選別においては、半導体レーザを高温槽等に入れて、
高温下での光出力の温度特性の測定を行い、この温度特
性の変化が大きなものを不良品とするような選別方法を
採用している。
の選別においては、半導体レーザを高温槽等に入れて、
高温下での光出力の温度特性の測定を行い、この温度特
性の変化が大きなものを不良品とするような選別方法を
採用している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来
は、半導体レーザを高温状態に保持して光出力の測定を
行う必要があるため、半導体レーザの選別に時間がかか
ると共に、選別時に半導体レーザを高温に保持するため
に良品の半導体レーザの性能にも悪影響を与えるおそれ
があった。また、選別のために高温漕等が必要であり、
選別装置の構成が複雑になるという問題があった。
は、半導体レーザを高温状態に保持して光出力の測定を
行う必要があるため、半導体レーザの選別に時間がかか
ると共に、選別時に半導体レーザを高温に保持するため
に良品の半導体レーザの性能にも悪影響を与えるおそれ
があった。また、選別のために高温漕等が必要であり、
選別装置の構成が複雑になるという問題があった。
【０００４】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたもので、常温で半導体レーザの温度特性の
良否の選別を簡易にできる半導体レーザ選別方法および
装置を提供することを目的とする。
めになされたもので、常温で半導体レーザの温度特性の
良否の選別を簡易にできる半導体レーザ選別方法および
装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、本発明の半導体レーザ選別方法は、半導体レーザ
に駆動電流を供給して光出力を定格値まで上昇させるス
テップと、光出力が定格値まで上昇した時点の駆動電流
を所定時間保持するステップと、前記の所定時間後の半
導体レーザの光出力低下量を測定するステップと、前記
の光出力低下量を所定の閾値と比較するステップと、前
記光出力低下量が前記所定の閾値より大きいときの半導
体レーザを不良品として選別するステップとを含むこと
を特徴とする。
めに、本発明の半導体レーザ選別方法は、半導体レーザ
に駆動電流を供給して光出力を定格値まで上昇させるス
テップと、光出力が定格値まで上昇した時点の駆動電流
を所定時間保持するステップと、前記の所定時間後の半
導体レーザの光出力低下量を測定するステップと、前記
の光出力低下量を所定の閾値と比較するステップと、前
記光出力低下量が前記所定の閾値より大きいときの半導
体レーザを不良品として選別するステップとを含むこと
を特徴とする。
【０００６】また、本発明の半導体レーザ選別方法は、
半導体レーザに駆動電流を供給してモニタ光出力を定格
値まで上昇させるステップと、モニタ光出力が定格値ま
で上昇した時点の駆動電流を所定時間保持するステップ
と、前記所定時間後のモニタ光出力の低下量を測定する
ステップと、前記モニタ光出力の低下量を所定の閾値と
比較するステップと、前記モニタ光出力の低下量が前記
所定の閾値より大きいときの半導体レーザを不良品とし
て選別するステップとを含むことを特徴とする。
半導体レーザに駆動電流を供給してモニタ光出力を定格
値まで上昇させるステップと、モニタ光出力が定格値ま
で上昇した時点の駆動電流を所定時間保持するステップ
と、前記所定時間後のモニタ光出力の低下量を測定する
ステップと、前記モニタ光出力の低下量を所定の閾値と
比較するステップと、前記モニタ光出力の低下量が前記
所定の閾値より大きいときの半導体レーザを不良品とし
て選別するステップとを含むことを特徴とする。
【０００７】また、本発明の半導体レーザ選別方法は、
半導体レーザに駆動電流を供給して光出力を定格値まで
上昇させるステップと、モニタ光出力が前記定格値まで
上昇した時点の駆動電流を保持して、種々の測定を行う
ステップと、前記モニタ光出力が前記定格値まで上昇し
た時点から所定時間後にモニタ光出力の低下量を測定す
るステップと、前記モニタ光出力の低下量を所定の閾値
と比較するステップと、前記モニタ光出力の低下量が前
記所定の閾値より大きいときの半導体レーザを不良品と
して選別するステップとを含むことを特徴とする。
半導体レーザに駆動電流を供給して光出力を定格値まで
上昇させるステップと、モニタ光出力が前記定格値まで
上昇した時点の駆動電流を保持して、種々の測定を行う
ステップと、前記モニタ光出力が前記定格値まで上昇し
た時点から所定時間後にモニタ光出力の低下量を測定す
るステップと、前記モニタ光出力の低下量を所定の閾値
と比較するステップと、前記モニタ光出力の低下量が前
記所定の閾値より大きいときの半導体レーザを不良品と
して選別するステップとを含むことを特徴とする。
【０００８】さらに、本発明の半導体レーザ選別装置
は、半導体レーザに駆動電流を供給して光出力を定格値
まで上昇させる手段と、光出力が前記定格値まで上昇し
た時点の駆動電流を所定時間保持する手段と、前記所定
時間後の半導体レーザの光出力低下量を測定する手段
と、前記光出力低下量を所定の閾値と比較する手段と、
前記光出力低下量が前記所定の閾値より大きいときの半
導体レーザを不良品として選別する手段とを含むことを
特徴とする。
は、半導体レーザに駆動電流を供給して光出力を定格値
まで上昇させる手段と、光出力が前記定格値まで上昇し
た時点の駆動電流を所定時間保持する手段と、前記所定
時間後の半導体レーザの光出力低下量を測定する手段
と、前記光出力低下量を所定の閾値と比較する手段と、
前記光出力低下量が前記所定の閾値より大きいときの半
導体レーザを不良品として選別する手段とを含むことを
特徴とする。
【０００９】また、本発明の半導体レーザ選別装置は、
半導体レーザに駆動電流を供給してモニタ光出力を定格
値まで上昇させる手段と、モニタ光出力が前記定格値ま
で上昇した時点の駆動電流を所定時間保持する手段と、
前記所定時間後のモニタ光出力の低下量を測定する手段
と、前記モニタ光出力の低下量を所定の閾値と比較する
手段と、前記モニタ光出力の低下量が前記所定の閾値よ
り大きいときの半導体レーザを不良品として選別する手
段とを含むことを特徴とする。
半導体レーザに駆動電流を供給してモニタ光出力を定格
値まで上昇させる手段と、モニタ光出力が前記定格値ま
で上昇した時点の駆動電流を所定時間保持する手段と、
前記所定時間後のモニタ光出力の低下量を測定する手段
と、前記モニタ光出力の低下量を所定の閾値と比較する
手段と、前記モニタ光出力の低下量が前記所定の閾値よ
り大きいときの半導体レーザを不良品として選別する手
段とを含むことを特徴とする。
【００１０】また、本発明の半導体レーザ選別装置は、
半導体レーザに駆動電流を供給して光出力を定格値まで
上昇させる手段と、モニタ光出力が前記定格値まで上昇
した時点の駆動電流を保持して、種々の測定を行う手段
と、前記モニタ光出力が前記定格値まで上昇した時点か
ら所定時間後にモニタ光出力の低下量を測定する手段
と、前記モニタ光出力の低下量を所定の閾値と比較する
手段と、前記モニタ光出力の低下量が前記所定の閾値よ
り大きいときの半導体レーザを不良品として選別する手
段とを含むことを特徴とする。
半導体レーザに駆動電流を供給して光出力を定格値まで
上昇させる手段と、モニタ光出力が前記定格値まで上昇
した時点の駆動電流を保持して、種々の測定を行う手段
と、前記モニタ光出力が前記定格値まで上昇した時点か
ら所定時間後にモニタ光出力の低下量を測定する手段
と、前記モニタ光出力の低下量を所定の閾値と比較する
手段と、前記モニタ光出力の低下量が前記所定の閾値よ
り大きいときの半導体レーザを不良品として選別する手
段とを含むことを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、本発明の実
施の形態１の半導体レーザ選別方法を図面に基づいて説
明する。図１は、本発明の実施の形態１の半導体レーザ
選別装置を示すブロック図である。同図において、半導
体レーザ選別装置は、タイマ１、制御装置２、定電流源
３、半導体レーザ４、受光素子５、電流−電圧（Ｉ／
Ｖ）変換器６、Ａ／Ｄ変換器７、測定器８から構成され
る。半導体レーザ４は、ヒートシンク４１、半導体レー
ザチップ４２、モニタ素子４３から構成され、駆動電流
端子５０、モニタ出力端子５１、グランド端子５２を有
する。
施の形態１の半導体レーザ選別方法を図面に基づいて説
明する。図１は、本発明の実施の形態１の半導体レーザ
選別装置を示すブロック図である。同図において、半導
体レーザ選別装置は、タイマ１、制御装置２、定電流源
３、半導体レーザ４、受光素子５、電流−電圧（Ｉ／
Ｖ）変換器６、Ａ／Ｄ変換器７、測定器８から構成され
る。半導体レーザ４は、ヒートシンク４１、半導体レー
ザチップ４２、モニタ素子４３から構成され、駆動電流
端子５０、モニタ出力端子５１、グランド端子５２を有
する。
【００１２】次に、半導体レーザ選別装置の動作につい
て説明する。図１において、定電流源３から駆動電流端
子５０に供給された定電流の駆動電流Ｉは、半導体レー
ザ４のヒートシンク４１にマウントされた半導体レーザ
チップ４２に供給され、放射光４４を発射する。この放
射光４４は、受光素子５で受光され、その出力電流は電
流−電圧（Ｉ／Ｖ）変換器６でアナログ電圧に変換さ
れ、Ａ／Ｄ変換器７でディジタルデータに変換され、測
定器８でそのディジタル電圧が測定される。Ａ／Ｄ変換
器７の電圧が所定の値になったときには、制御信号が制
御装置２にフィードバックされ、制御装置２は定電流源
３から半導体レーザ４に供給される駆動電流をそのとき
の値に保持するように指示する。半導体レーザチップ４
２から放射される放射光４４と逆方向の放射光４５はモ
ニタ素子４３で検出され、モニタ出力端子５１に出力さ
れる。また、グランド端子５２は接地される。
て説明する。図１において、定電流源３から駆動電流端
子５０に供給された定電流の駆動電流Ｉは、半導体レー
ザ４のヒートシンク４１にマウントされた半導体レーザ
チップ４２に供給され、放射光４４を発射する。この放
射光４４は、受光素子５で受光され、その出力電流は電
流−電圧（Ｉ／Ｖ）変換器６でアナログ電圧に変換さ
れ、Ａ／Ｄ変換器７でディジタルデータに変換され、測
定器８でそのディジタル電圧が測定される。Ａ／Ｄ変換
器７の電圧が所定の値になったときには、制御信号が制
御装置２にフィードバックされ、制御装置２は定電流源
３から半導体レーザ４に供給される駆動電流をそのとき
の値に保持するように指示する。半導体レーザチップ４
２から放射される放射光４４と逆方向の放射光４５はモ
ニタ素子４３で検出され、モニタ出力端子５１に出力さ
れる。また、グランド端子５２は接地される。
【００１３】次に、本発明の実施の形態１の半導体レー
ザ選別方法において、半導体レーザ４の光出力の低下量
の測定について説明する。図２は、本発明の実施の形態
１の半導体レーザの光出力の変化を示すグラフである。
図２の駆動電流増加領域において、定電流源３から半導
体レーザ４に供給する駆動電流を徐々に増加させなが
ら、制御装置２がＡ／Ｄ変換器７から制御信号を受信す
るまで、所定時間Ｔ１駆動電流を供給する。半導体レー
ザ４の光出力は前段ではなだらか増加し後段では急激に
立ち上がり、所定の定格値Ｐ１に達する。半導体レーザ
４の光出力が、定格値Ｐ１に達すると、Ａ／Ｄ変換器７
から制御装置２に制御信号が送られ、制御装置２の指令
によって、定電流源３から半導体レーザ４に供給される
駆動電流がその時の駆動電流に固定され、タイマ１を起
動して、その所定電流が一定時間Ｔ２（例えば１秒間）
だけ供給される。半導体レーザ４の光出力は、半導体レ
ーザ４に供給される駆動電流が一定であっても、この時
間Ｔ２の間に徐々に低下し、最終的にはほぼ一定の値
（Ｐ２）になる。この時の光出力低下量ΔＰ（ΔＰ＝Ｐ
２−Ｐ１）を測定器８で測定する。ここで、光出力低下
量ΔＰが大きいということは、半導体レーザ４の温度が
上昇すると、発光部の温度増加が大きく、また発光部の
熱が逃げにくい、すなわち、半導体レーザ４は、高温に
なると破壊する可能性が大きいことを意味する。
ザ選別方法において、半導体レーザ４の光出力の低下量
の測定について説明する。図２は、本発明の実施の形態
１の半導体レーザの光出力の変化を示すグラフである。
図２の駆動電流増加領域において、定電流源３から半導
体レーザ４に供給する駆動電流を徐々に増加させなが
ら、制御装置２がＡ／Ｄ変換器７から制御信号を受信す
るまで、所定時間Ｔ１駆動電流を供給する。半導体レー
ザ４の光出力は前段ではなだらか増加し後段では急激に
立ち上がり、所定の定格値Ｐ１に達する。半導体レーザ
４の光出力が、定格値Ｐ１に達すると、Ａ／Ｄ変換器７
から制御装置２に制御信号が送られ、制御装置２の指令
によって、定電流源３から半導体レーザ４に供給される
駆動電流がその時の駆動電流に固定され、タイマ１を起
動して、その所定電流が一定時間Ｔ２（例えば１秒間）
だけ供給される。半導体レーザ４の光出力は、半導体レ
ーザ４に供給される駆動電流が一定であっても、この時
間Ｔ２の間に徐々に低下し、最終的にはほぼ一定の値
（Ｐ２）になる。この時の光出力低下量ΔＰ（ΔＰ＝Ｐ
２−Ｐ１）を測定器８で測定する。ここで、光出力低下
量ΔＰが大きいということは、半導体レーザ４の温度が
上昇すると、発光部の温度増加が大きく、また発光部の
熱が逃げにくい、すなわち、半導体レーザ４は、高温に
なると破壊する可能性が大きいことを意味する。
【００１４】図３は、半導体レーザの駆動電流Ｉと温度
Ｔとの関係を示すグラフである。図３において、異なる
温度パラメータＴoｎ*を有する半導体レーザの３つの特
性を示す。ここで、Ｔon*におけるｎはａ，ｂ，ｃ, …
等を示す値である。すなわち、半導体レーザａの温度パ
ラメータはＴoa*であり、半導体レーザｂの温度パラメ
ータはＴob*であり、半導体レーザｃの温度パラメータ
はＴoc*であるものとする。このとき、温度パラメータ
の一般式は式１で表わされる。
Ｔとの関係を示すグラフである。図３において、異なる
温度パラメータＴoｎ*を有する半導体レーザの３つの特
性を示す。ここで、Ｔon*におけるｎはａ，ｂ，ｃ, …
等を示す値である。すなわち、半導体レーザａの温度パ
ラメータはＴoa*であり、半導体レーザｂの温度パラメ
ータはＴob*であり、半導体レーザｃの温度パラメータ
はＴoc*であるものとする。このとき、温度パラメータ
の一般式は式１で表わされる。
【数１】
【００１５】Ｉ１は半導体レーザ４の動作点の温度がＴ
１のときの駆動電流でありこの点ではどの半導体レーザ
４も同じであるものとし、次に、半導体レーザ４の動作
点の温度をＴ２に上昇したときの各半導体レーザａ，
ｂ，ｃの駆動電流がＩ２ａ、Ｉ２ｂ、Ｉ２ｃであるもの
とする。このときの、Ｉ２ｎ（ｎ＝ａ，ｂ，ｃ, …）
は式２で表わされる。
１のときの駆動電流でありこの点ではどの半導体レーザ
４も同じであるものとし、次に、半導体レーザ４の動作
点の温度をＴ２に上昇したときの各半導体レーザａ，
ｂ，ｃの駆動電流がＩ２ａ、Ｉ２ｂ、Ｉ２ｃであるもの
とする。このときの、Ｉ２ｎ（ｎ＝ａ，ｂ，ｃ, …）
は式２で表わされる。
【数２】
【００１６】周囲温度Ｔ１の時に同じであった各半導体
レーザ４の駆動電流Ｉ２ｎは、周囲温度がＴ２になる
と、式１および式２から分かるように、Ｔon*が小さい
方がより大きくなる。すなわち、この例ではＴoc*＜Ｔo
b*＜Ｔoa*であるので、Ｉ２ｃ＞Ｉ２ｂ＞Ｉ２ａとな
る。言い換えれば、このことから、Ｔon*が小さい半導
体レーザ４は不良品となる率が大きいと言える。
レーザ４の駆動電流Ｉ２ｎは、周囲温度がＴ２になる
と、式１および式２から分かるように、Ｔon*が小さい
方がより大きくなる。すなわち、この例ではＴoc*＜Ｔo
b*＜Ｔoa*であるので、Ｉ２ｃ＞Ｉ２ｂ＞Ｉ２ａとな
る。言い換えれば、このことから、Ｔon*が小さい半導
体レーザ４は不良品となる率が大きいと言える。
【００１７】図４は、半導体レーザの温度パラメータＴ
o*と光出力低下量ΔＰとの実験値を示している。ここ
で、例えば、−０．０８ｍＷの値を閾値（この閾値は任
意に設定することができる、図４の点線参照）とし、こ
れ以上の光出力低下量を示すもの、言い換えれば、温度
パラメータＴo*が、この例では、１２０より小さい半導
体レーザを不良品として選別することができる。
o*と光出力低下量ΔＰとの実験値を示している。ここ
で、例えば、−０．０８ｍＷの値を閾値（この閾値は任
意に設定することができる、図４の点線参照）とし、こ
れ以上の光出力低下量を示すもの、言い換えれば、温度
パラメータＴo*が、この例では、１２０より小さい半導
体レーザを不良品として選別することができる。
【００１８】実施の形態２．実施の形態１においては、
半導体レーザ４の放射光４４を受光素子５で受光して、
半導体レーザ４の光出力低下量を測定する半導体レーザ
選別方法および装置について説明した。実施の形態２に
おいては、半導体レーザ４から出力されるモニタ出力か
ら光出力低下量を測定する半導体レーザ選別方法および
装置について説明する。
半導体レーザ４の放射光４４を受光素子５で受光して、
半導体レーザ４の光出力低下量を測定する半導体レーザ
選別方法および装置について説明した。実施の形態２に
おいては、半導体レーザ４から出力されるモニタ出力か
ら光出力低下量を測定する半導体レーザ選別方法および
装置について説明する。
【００１９】図５は、本発明の実施の形態２の半導体レ
ーザ選別装置を示す図である。図５においては、電流-
電圧変換器６の入力信号が、受光素子５からではなく、
半導体レーザ４のモニタ出力端子５１から得られる点に
特徴がある。図５は、図１と比べ、受光素子５がなく、
モニタ出力端子５１からの出力が電流-電圧変換部６に
供給される点が図１と異なり、その他の構成について
は、図１の回路とほぼ同様であるので説明を省略する。
半導体レーザチップ４２から放射される放射光４４と逆
方向の放射光４５がモニタ素子４３で検出され、モニタ
出力端子５１に出力されるが、この放射光４５は放射光
４４と相似関係にあることは当業者には良く知られてい
る。
ーザ選別装置を示す図である。図５においては、電流-
電圧変換器６の入力信号が、受光素子５からではなく、
半導体レーザ４のモニタ出力端子５１から得られる点に
特徴がある。図５は、図１と比べ、受光素子５がなく、
モニタ出力端子５１からの出力が電流-電圧変換部６に
供給される点が図１と異なり、その他の構成について
は、図１の回路とほぼ同様であるので説明を省略する。
半導体レーザチップ４２から放射される放射光４４と逆
方向の放射光４５がモニタ素子４３で検出され、モニタ
出力端子５１に出力されるが、この放射光４５は放射光
４４と相似関係にあることは当業者には良く知られてい
る。
【００２０】図６は、半導体レーザ４の放射光４４の光
出力Ｐと放射光４４と逆方向の放射光４５の光出力Ｐｍ
との関係を示す図である。図６おいて、定電流源３から
半導体レーザ４に供給する駆動電流を徐々に増加させな
がら、所定の定格値Ｐ１に達した後、その駆動電流を一
定時間Ｔ２（例えば１秒間）だけ保持しても、放射光Ｐ
はこの時間Ｔ２の間に徐々に低下し、ほぼ一定の値（Ｐ
２）になる。このとき、放射光４５の特性も同様に相似
形を保って、所定の定格値Ｐｍに達した後、この時間Ｔ
２の間に徐々に低下し、ほぼ一定の値（Ｐｍ）になる。
従って、この場合も、実施の形態1の場合と同様に、モ
ニタ光出力低下量ΔＰｍ（ΔＰｍ＝Ｐ２ｍ−Ｐｍ１）を
測定器８で測定することができる。このときにも、実施
の形態１の図４で述べたように、モニタ光出力低下量Δ
Ｐｍと所定の閾値とを比較して、不良な半導体レーザを
選別することができる。
出力Ｐと放射光４４と逆方向の放射光４５の光出力Ｐｍ
との関係を示す図である。図６おいて、定電流源３から
半導体レーザ４に供給する駆動電流を徐々に増加させな
がら、所定の定格値Ｐ１に達した後、その駆動電流を一
定時間Ｔ２（例えば１秒間）だけ保持しても、放射光Ｐ
はこの時間Ｔ２の間に徐々に低下し、ほぼ一定の値（Ｐ
２）になる。このとき、放射光４５の特性も同様に相似
形を保って、所定の定格値Ｐｍに達した後、この時間Ｔ
２の間に徐々に低下し、ほぼ一定の値（Ｐｍ）になる。
従って、この場合も、実施の形態1の場合と同様に、モ
ニタ光出力低下量ΔＰｍ（ΔＰｍ＝Ｐ２ｍ−Ｐｍ１）を
測定器８で測定することができる。このときにも、実施
の形態１の図４で述べたように、モニタ光出力低下量Δ
Ｐｍと所定の閾値とを比較して、不良な半導体レーザを
選別することができる。
【００２１】実施の形態３．実施の形態２においては、
半導体レーザ４から出力されるモニタ出力からモニタ光
出力低下量を測定する半導体レーザ選別方法および装置
について説明した。実施の形態３おいては、半導体レー
ザ４に関する種々の特性を測定する間に、例えば、半導
体レーザ４の放射角特性、波長特性等を測定している間
に、半導体レーザ４から出力されるモニタ出力を用いて
モニタ光出力低下量を測定することに特徴がある。
半導体レーザ４から出力されるモニタ出力からモニタ光
出力低下量を測定する半導体レーザ選別方法および装置
について説明した。実施の形態３おいては、半導体レー
ザ４に関する種々の特性を測定する間に、例えば、半導
体レーザ４の放射角特性、波長特性等を測定している間
に、半導体レーザ４から出力されるモニタ出力を用いて
モニタ光出力低下量を測定することに特徴がある。
【００２２】図７は、本発明の実施の形態３の半導体レ
ーザ選別装置を示す図である。この図７には他の特性の
測定回路、例えば、放射角特性、波長特性等の測定回路
が並存している。製造された全ての半導体レーザ４につ
いて、その放射光４４を受光素子５で受光し、放射角特
性、波長特性等が測定される。実施の形態３では、これ
らの測定が行われている間に、モニタ出力端子５１から
得られるモニタ出力Ｉｍを用いて、測定器８で測定され
たモニタ光出力低下量ΔＰｍと所定の閾値とを比較し
て、不良の半導体レーザを選別することができる。
ーザ選別装置を示す図である。この図７には他の特性の
測定回路、例えば、放射角特性、波長特性等の測定回路
が並存している。製造された全ての半導体レーザ４につ
いて、その放射光４４を受光素子５で受光し、放射角特
性、波長特性等が測定される。実施の形態３では、これ
らの測定が行われている間に、モニタ出力端子５１から
得られるモニタ出力Ｉｍを用いて、測定器８で測定され
たモニタ光出力低下量ΔＰｍと所定の閾値とを比較し
て、不良の半導体レーザを選別することができる。
【００２３】図７においても、半導体レーザチップ４２
から放射される放射光４４と逆方向の放射光４５は、モ
ニタ素子４３で検出され、モニタ出力端子５１から出力
される。この半導体レーザチップ４２から放射される放
射光４４と逆方向の放射光４５は、放射光４４と相似関
係にあることは当業者には良く知られている。その他の
構成については、図５の回路と同様であるので説明を省
略する。
から放射される放射光４４と逆方向の放射光４５は、モ
ニタ素子４３で検出され、モニタ出力端子５１から出力
される。この半導体レーザチップ４２から放射される放
射光４４と逆方向の放射光４５は、放射光４４と相似関
係にあることは当業者には良く知られている。その他の
構成については、図５の回路と同様であるので説明を省
略する。
【００２４】図８は、半導体レーザ４の放射光４４の光
出力Ｐと放射光４４と逆方向の放射光４５の光出力Ｐｍ
との関係を示す図である。図８おいて、定電流源３から
半導体レーザ４に供給する駆動電流を徐々に増加させな
がら、所定の定格値Ｐ１に達した後、そのときの所定電
流を一定に保持したまま、放射角特性、波長特性等が測
定される。この放射角特性、波長特性等を測定している
間に、放射光４４と相似の関係にある放射光４５の出力
が所定の定格値Ｐｍに達した後から所定の時間Ｔ２後の
光出力Ｐｍ２を測定することによって、実施の形態２の
場合と同様に、モニタ光出力低下量ΔＰｍ（ΔＰｍ＝Ｐ
２ｍ−Ｐｍ１）を測定器８で測定することができる。こ
のときにも、実施の形態２の図６で述べたように、モニ
タ光出力低下量ΔＰｍと所定の閾値とを比較して、不良
な半導体レーザを選別することができる。
出力Ｐと放射光４４と逆方向の放射光４５の光出力Ｐｍ
との関係を示す図である。図８おいて、定電流源３から
半導体レーザ４に供給する駆動電流を徐々に増加させな
がら、所定の定格値Ｐ１に達した後、そのときの所定電
流を一定に保持したまま、放射角特性、波長特性等が測
定される。この放射角特性、波長特性等を測定している
間に、放射光４４と相似の関係にある放射光４５の出力
が所定の定格値Ｐｍに達した後から所定の時間Ｔ２後の
光出力Ｐｍ２を測定することによって、実施の形態２の
場合と同様に、モニタ光出力低下量ΔＰｍ（ΔＰｍ＝Ｐ
２ｍ−Ｐｍ１）を測定器８で測定することができる。こ
のときにも、実施の形態２の図６で述べたように、モニ
タ光出力低下量ΔＰｍと所定の閾値とを比較して、不良
な半導体レーザを選別することができる。
【００２５】
【発明の効果】以上、詳述したように、本発明によれ
ば、常温の定電流駆動下で、半導体レーザ４の光出力低
下量を測定することにより、高温動作試験を行うことな
く温度特性の悪い半導体レーザを選別することが可能と
なる。
ば、常温の定電流駆動下で、半導体レーザ４の光出力低
下量を測定することにより、高温動作試験を行うことな
く温度特性の悪い半導体レーザを選別することが可能と
なる。
【００２６】また、半導体レーザ４の光出力低下量を検
出し、その量と所定の閾値と比較する測定器を備えるだ
けで、半導体レーザの選別を実現でき、安価な装置構成
が可能となる効果がある。
出し、その量と所定の閾値と比較する測定器を備えるだ
けで、半導体レーザの選別を実現でき、安価な装置構成
が可能となる効果がある。
【００２７】さらに、本発明によれば、半導体レーザの
測定において必ず行われる放射角特性測定および波長特
性測定を行うときに、それと平行して半導体レーザのモ
ニタ出力を用いて光出力低下量を測定できるので、光出
力低下量の測定のみを別に行う必要がなく、作業工程の
迅速化・省力化ができるという効果がある。
測定において必ず行われる放射角特性測定および波長特
性測定を行うときに、それと平行して半導体レーザのモ
ニタ出力を用いて光出力低下量を測定できるので、光出
力低下量の測定のみを別に行う必要がなく、作業工程の
迅速化・省力化ができるという効果がある。
【図１】本発明の実施の形態１の半導体レーザ選別装置
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態１の半導体レーザの光出力
の変化を示すグラフである。
の変化を示すグラフである。
【図３】本発明の実施の形態１の半導体レーザの駆動電
流と温度との関係を示す図である。
流と温度との関係を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態１の光出力低下量と温度パ
ラメータとの関係を示す図である。
ラメータとの関係を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態２の半導体レーザ選別装置
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態２の半導体レーザの光出力
の変化を示すグラフである。
の変化を示すグラフである。
【図７】本発明の実施の形態３の半導体レーザ選別装置
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図８】本発明の実施の形態３の半導体レーザの光出力
の変化を示すグラフである。
の変化を示すグラフである。
１ タイマ
２ 制御装置
３ 定電流源
４ 半導体レーザ
５ 受光素子
６ 電流−電圧変換部
７ Ａ／Ｄ変換器
８ 測定器
１２ 放射角特性測定器
１３ 波長特性測定器
４１ ヒートシンク
４２ 半導体レーザチップ
４３ モニタ素子
４４ 放射光
４５ 逆方向の放射光
５０ 駆動電流端子
５１ モニタ出力端子
５２ グランド端子
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体レーザに駆動電流を供給して光出
力を定格値まで上昇させるステップと、 光出力が前記定格値まで上昇した時点の駆動電流を所定
時間保持するステップと、 前記所定時間後の半導体レーザの光出力低下量を測定す
るステップと、 前記光出力低下量を所定の閾値と比較するステップと、 前記光出力低下量が前記所定の閾値より大きいときの半
導体レーザを不良品として選別するステップと、を含む
ことを特徴とする半導体レーザ選別方法。 - 【請求項２】 半導体レーザに駆動電流を供給してモニ
タ光出力を定格値まで上昇させるステップと、 モニタ光出力が前記定格値まで上昇した時点の駆動電流
を所定時間保持するステップと、 前記所定時間後のモニタ光出力の低下量を測定するステ
ップと、 前記モニタ光出力の低下量を所定の閾値と比較するステ
ップと、 前記モニタ光出力の低下量が前記所定の閾値より大きい
ときの半導体レーザを不良品として選別するステップ
と、を含むことを特徴とする半導体レーザ選別方法。 - 【請求項３】 半導体レーザに駆動電流を供給して光出
力を定格値まで上昇させるステップと、 モニタ光出力が前記定格値まで上昇した時点の駆動電流
を保持して、種々の測定を行うステップと、 前記モニタ光出力が前記定格値まで上昇した時点から所
定時間後にモニタ光出力の低下量を測定するステップ
と、 前記モニタ光出力の低下量を所定の閾値と比較するステ
ップと、 前記モニタ光出力の低下量が前記所定の閾値より大きい
ときの半導体レーザを不良品として選別するステップ
と、を含むことを特徴とする半導体レーザ選別方法。 - 【請求項４】 半導体レーザに駆動電流を供給して光出
力を定格値まで上昇させる手段と、 光出力が前記定格値まで上昇した時点の駆動電流を所定
時間保持する手段と、 前記所定時間後の半導体レーザの光出力低下量を測定す
る手段と、 前記光出力低下量を所定の閾値と比較する手段と、 前記光出力低下量が前記所定の閾値より大きいときの半
導体レーザを不良品として選別する手段と、を含むこと
を特徴とする半導体レーザ選別装置。 - 【請求項５】 半導体レーザに駆動電流を供給してモニ
タ光出力を定格値まで上昇させる手段と、 モニタ光出力が前記定格値まで上昇した時点の駆動電流
を所定時間保持する手段と、 前記所定時間後のモニタ光出力の低下量を測定する手段
と、 前記モニタ光出力の低下量を所定の閾値と比較する手段
と、 前記モニタ光出力の低下量が前記所定の閾値より大きい
ときの半導体レーザを不良品として選別する手段と、を
含むことを特徴とする半導体レーザ選別装置。 - 【請求項６】 半導体レーザに駆動電流を供給して光出
力を定格値まで上昇させる手段と、 モニタ光出力が前記定格値まで上昇した時点の駆動電流
を保持して、種々の測定を行う手段と、 前記モニタ光出力が前記定格値まで上昇した時点から所
定時間後にモニタ光出力の低下量を測定する手段と、 前記モニタ光出力の低下量を所定の閾値と比較する手段
と、 前記モニタ光出力の低下量が前記所定の閾値より大きい
ときの半導体レーザを不良品として選別する手段と、を
含むことを特徴とする半導体レーザ選別装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001230182A JP2003046175A (ja) | 2001-07-30 | 2001-07-30 | 半導体レーザ選別方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001230182A JP2003046175A (ja) | 2001-07-30 | 2001-07-30 | 半導体レーザ選別方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003046175A true JP2003046175A (ja) | 2003-02-14 |
Family
ID=19062427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001230182A Pending JP2003046175A (ja) | 2001-07-30 | 2001-07-30 | 半導体レーザ選別方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003046175A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2020022235A1 (ja) * | 2018-07-27 | 2021-08-02 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 半導体レーザ素子、検査方法及び検査装置 |
-
2001
- 2001-07-30 JP JP2001230182A patent/JP2003046175A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2020022235A1 (ja) * | 2018-07-27 | 2021-08-02 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 半導体レーザ素子、検査方法及び検査装置 |
| JP7379334B2 (ja) | 2018-07-27 | 2023-11-14 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 半導体レーザ素子、検査方法及び検査装置 |
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|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050401 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20050408 |