JP2003042723A - Light-intensity measuring apparatus - Google Patents

Light-intensity measuring apparatus

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JP2003042723A
JP2003042723A JP2001235158A JP2001235158A JP2003042723A JP 2003042723 A JP2003042723 A JP 2003042723A JP 2001235158 A JP2001235158 A JP 2001235158A JP 2001235158 A JP2001235158 A JP 2001235158A JP 2003042723 A JP2003042723 A JP 2003042723A
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Japan
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light
optical system
sample
measuring device
condensing optical
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JP2001235158A
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Japanese (ja)
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Hiroshi Watanabe
広 渡邉
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Olympus Corp
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Olympus Optical Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-accuracy film-thickness measuring apparatus. SOLUTION: The light-intensity measuring apparatus is provided with a light source 1, a first condensing optical system 2 which condenses light from the light source on a sample, a second condensing optical system 7 which condenses reflected light from the sample, a light detection part 8 which detects the reflected light from the sample via the optical system 7, and a measuring means 9 which measures a change in the light intensity of the reflected light detected by the part 8. The measuring apparatus is provided with either a means by which the sample is arranged in the defocus position of the optical system 2, or a means by which the light receiving face of the part 8 is arranged in the defocus position of the optical system 7.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板や液晶
パネル用のガラス基板などの基板上に形成された薄膜の
膜厚測定装置、半導体基板や液晶パネル用のガラス基板
の製造工程における成膜、エッチング、平坦化工程の終
了点検出装置、並びにリアルタイム膜厚モニターなどの
光強度測定装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film thickness measuring device for a thin film formed on a substrate such as a semiconductor substrate or a glass substrate for a liquid crystal panel, and film formation in a manufacturing process of a glass substrate for a semiconductor substrate or a liquid crystal panel. The present invention relates to a light intensity measuring device such as an end point detecting device for etching and flattening processes, and a real-time film thickness monitor.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、半導体デバイスの製造工程にお
いて、基板上に形成された薄膜の厚さを測定するのに、
一般的に、光学的手法が用いられている。この膜厚装置
の光源として、ハロゲンランプや分光計を用いた膜厚測
定装置が使用されているが、高価であるという問題があ
る。この問題を解決するために、図8に示すような、光
源にLEDを用いた膜厚測定装置が提案されている(特
開2000−46525号公報参照)。
2. Description of the Related Art For example, in the process of manufacturing a semiconductor device, to measure the thickness of a thin film formed on a substrate,
Generally, an optical method is used. A film thickness measuring device using a halogen lamp or a spectrometer is used as a light source of this film thickness device, but there is a problem that it is expensive. In order to solve this problem, a film thickness measuring device using an LED as a light source as shown in FIG. 8 has been proposed (see Japanese Patent Laid-Open No. 2000-46525).

【0003】この装置では、光源1である発光ダイオー
ド(LED)から出射された光は、投光側光ファイバ3
を経由した後に、光射出部4から試料5であるウェハに
照射される。試料5からの反射光は再び光射出部4、受
光側光ファイバ6によって導かれ光検出部8に到達す
る。光検出部8は入射した光の強度を測定し、その信号
を演算部9に送り必要な演算がなされ、膜厚を測定す
る。
In this device, light emitted from a light emitting diode (LED) which is the light source 1 emits light from an optical fiber 3 on the light projecting side.
After passing through, the light emitting unit 4 irradiates the wafer which is the sample 5 with the light. The reflected light from the sample 5 is guided again by the light emitting unit 4 and the light receiving side optical fiber 6 and reaches the light detecting unit 8. The photodetector 8 measures the intensity of the incident light and sends the signal to the calculator 9 to perform necessary calculations to measure the film thickness.

【0004】しかし、この装置では、LED1において
は、パッケージ内のチップ上の発光素子が発光するた
め、チップ、ボンデイングが像として投影されてしま
う。従って、LED1の発光強度分布には大きなムラが
ある。また、投光側光ファイバ3や受光側光ファイバ6
の光ファイバ束の配列にも大きなバラツキが存在する。
従って、投光側光ファイバ3や、光射出部4からウェハ
5へ照射する光の光量分布が均一ではなく、更に、光検
出部8に導かれるウェハ5からの反射光も均一ではない
ため光強度測定の精度が悪くなるおそれがある。
However, in this device, in the LED 1, since the light emitting element on the chip in the package emits light, the chip and the bonding are projected as an image. Therefore, the light emission intensity distribution of the LED 1 has large unevenness. In addition, the light emitting side optical fiber 3 and the light receiving side optical fiber 6
There is a large variation in the arrangement of the optical fiber bundles.
Therefore, the light amount distribution of the light emitted from the light projecting side optical fiber 3 and the light emitting portion 4 to the wafer 5 is not uniform, and further, the reflected light from the wafer 5 guided to the light detecting portion 8 is also not uniform. The accuracy of strength measurement may deteriorate.

【0005】また、構成部品の機械公差などによって、
光軸に対してケラレが発生した場合には、投光側光ファ
イバ3に照射される光量や光検出部8に導かれる光量が
大きく損なわれてしまうという問題点があった。
Also, due to mechanical tolerances of the components,
When vignetting occurs on the optical axis, there is a problem in that the amount of light applied to the light projecting side optical fiber 3 and the amount of light guided to the light detection unit 8 are greatly impaired.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、高精度の膜
厚測定装置を提供することを目的とする。本発明によれ
ば、以下の各手段により、試料に照射する光や光検出部
に入射する光の光量分布が均一になり、更には、またL
ED−投光側光ファイバや受光側光ファイバ−光検出部
の光軸に対するケラレの影響をなくすことができる。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a highly accurate film thickness measuring device. According to the present invention, the light amount distribution of the light irradiating the sample and the light incident on the photodetector is made uniform by each of the following means, and further, L
It is possible to eliminate the influence of vignetting on the optical axes of the ED-light projecting side optical fiber and the light receiving side optical fiber-photodetector.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するために次のような手段を講じた。
The present invention has taken the following means in order to solve the above problems.

【0008】本発明の第1局面に係る光強度測定装置
は、光源と、前記光源からの光を試料上に集光させる第
1の集光光学系と、前記試料からの反射光を集光させる
第2の集光光学系と、前記第2の集光光学系を介した前
記試料からの反射光を検出する光検出部と、前記光検出
部で検出した反射光の光強度変化を測定する測定手段と
を備え、前記試料のいずれかを前記第1の集光光学系の
デフォーカス位置に配置する手段と、前記光検出部の受
光面を前記第2の集光光学系のデフォーカス位置に配置
する手段の少なくとも一方を備えたことを特徴とする。
A light intensity measuring apparatus according to a first aspect of the present invention includes a light source, a first condensing optical system for condensing light from the light source onto a sample, and condensing reflected light from the sample. A second condensing optical system, a photodetector that detects reflected light from the sample through the second condensing optical system, and a change in the light intensity of the reflected light detected by the photodetector. Means for arranging any one of the samples at a defocus position of the first condensing optical system, and a light receiving surface of the photodetection unit for defocusing the second condensing optical system. It is characterized in that at least one of the means for arranging the position is provided.

【0009】本発明の第2局面に係る光強度測定装置
は、光源と、前記光源からの光を集光させる集光光学系
と、前記集光光学系からの光を試料に照射するための光
射出手段と、前記試料からの反射光を検出する光検出部
と、前記光検出部で検出した反射光の光強度変化を測定
する測定手段とを備え、前記光射出手段の入射端を、前
記集光光学系のデフォーカス位置に配置したことを特徴
とする。
A light intensity measuring device according to a second aspect of the present invention is for irradiating a light source, a condensing optical system for condensing light from the light source, and light from the condensing optical system onto a sample. Light emitting means, a light detecting section for detecting the reflected light from the sample, and a measuring means for measuring the change in the light intensity of the reflected light detected by the light detecting section, the incident end of the light emitting means, It is characterized in that it is arranged at a defocus position of the condensing optical system.

【0010】本発明の第3局面に係る光強度測定装置
は、試料を照明する光源と、前記試料からの反射光を集
光させる集光光学系と、前記集光光学系を介した前記試
料からの反射光を検出する光検出部と、前記光検出部で
検出した反射光の光強度変化を測定する測定手段とを備
えた光強度測定装置において、前記光源及び前記光検出
部の受光面の少なくとも一方を、前記集光光学系のデフ
ォーカス位置に配置したことを特徴とする。
A light intensity measuring apparatus according to a third aspect of the present invention is a light source for illuminating a sample, a condensing optical system for condensing reflected light from the sample, and the sample through the condensing optical system. In a light intensity measuring device comprising a light detecting section for detecting reflected light from the light detecting section and a measuring means for measuring the light intensity change of the reflected light detected by the light detecting section, the light source and the light receiving surface of the light detecting section. At least one of them is arranged at the defocus position of the condensing optical system.

【0011】上記の光強度測定装置の好ましい実施態様
は以下のとおりである。なお、以下の各実施態様は、単
独で適用しても良いし、適宜組み合わせて適用しても良
い。 (1) 前記光射出手段の少なくとも1部を光ファイバ
で構成したこと。 (2) 前記第1の集光光学系からのデフォーカス光の
照射面積が、前記光射出手段の入射端の有効面積よりも
大きいこと。 (3) 前記集光光学系からのデフォーカス光の照射面
積が、前記光検出部の受光面の有効受光面積よりも大き
いこと。 (4) 前記光源に少なくとも1つ以上の発光ダイオー
ドを用いたこと。
A preferred embodiment of the above-mentioned light intensity measuring device is as follows. The following embodiments may be applied individually or in appropriate combination. (1) At least a part of the light emitting means is composed of an optical fiber. (2) The irradiation area of the defocused light from the first condensing optical system is larger than the effective area of the incident end of the light emitting means. (3) The irradiation area of the defocused light from the condensing optical system is larger than the effective light receiving area of the light receiving surface of the photodetector. (4) At least one light emitting diode is used as the light source.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】図面を参照して本発明の実施の形
態を説明する。 (第1の実施形態)図1は、本発明の第1の実施形態に
係る膜厚測定装置の概略構成を示す図であって、その全
体構成を図1の(a)に示す。図1に示す膜厚測定装置
は、半導体ウェハなどに形成された膜厚を測定するため
の膜厚測定装置である。なお、以下の各実施形態におい
ては、膜厚測定装置を例にとって説明するが、これに限
らず、本発明は、光強度を測定する装置、例えば、半導
体基板などの成膜やエッチング等の終了点検装置や、リ
アルタイム膜厚モニターなどにも適用可能である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. (First Embodiment) FIG. 1 is a view showing a schematic structure of a film thickness measuring apparatus according to a first embodiment of the present invention, and the entire structure is shown in FIG. The film thickness measuring device shown in FIG. 1 is a film thickness measuring device for measuring the film thickness formed on a semiconductor wafer or the like. In each of the following embodiments, a film thickness measuring device will be described as an example, but the present invention is not limited to this, and the present invention is applicable to a device for measuring light intensity, for example, completion of film formation or etching of a semiconductor substrate or the like. It can also be applied to inspection devices and real-time film thickness monitors.

【0013】図1において、LED光源1は、試料に照
射する光を出射する。LED光源1から出射された光
は、投光側集光レンズ2を介して、投光側光ファイバ3
の導入部に入射する。LED光源1、投光側集光レンズ
2、投光側光ファイバ3の部分拡大図を図1の(b)に
示す。図1の(b)で示すように、本実施形態において
は、投光側光ファイバ3の導入部が、投光側集光レンズ
2の焦点距離f1とは異なる位置に配置されている(以
下、焦点距離とは異なる位置に配置することを、本明細
書においては「デフォーカス」と称する)。すなわち、
LED光源1から出射された光は、焦点距離f1の位置
の像11ではなく、投光側集光レンズ2により投光側光
ファイバ3の導入部にデフォーカスされて集光され、こ
のデフォーカスされた光は、投光側光ファイバ3の導入
部よりも広い範囲で集光される。従って、LEDチップ
10の像は、投光側光ファイバ3の導入部位置において
デフォーカスした像12が集光されることになる。図1
の(c)にその様子を示す。図1の(c)は、図1の
(b)の1C−1C矢視図である。図1の(c)の示す
ように、投光側光ファイバ3の導入部位置にデフォーカ
スした像12は、ファイバ束13の面積より大きくなる
ように集光されている。
In FIG. 1, an LED light source 1 emits light for irradiating a sample. The light emitted from the LED light source 1 is transmitted through the light-projecting-side condenser lens 2 to the light-projecting-side optical fiber 3
Incident on the introduction part of. A partially enlarged view of the LED light source 1, the light-projecting-side condenser lens 2, and the light-projecting-side optical fiber 3 is shown in FIG. As shown in FIG. 1B, in the present embodiment, the introduction portion of the light projecting side optical fiber 3 is arranged at a position different from the focal length f1 of the light projecting side condenser lens 2 (hereinafter The arrangement at a position different from the focal length is referred to as "defocus" in this specification). That is,
The light emitted from the LED light source 1 is not focused on the image 11 at the position of the focal length f1, but is defocused by the light-projecting-side condenser lens 2 to the introduction portion of the light-projecting-side optical fiber 3 and is condensed. The emitted light is condensed in a wider range than the introduction part of the light projecting side optical fiber 3. Therefore, as for the image of the LED chip 10, the defocused image 12 is collected at the position of the introduction portion of the light projecting side optical fiber 3. Figure 1
This is shown in (c). 1C is a view taken along the line 1C-1C in FIG. As shown in (c) of FIG. 1, the image 12 defocused at the position of the introduction portion of the light projecting side optical fiber 3 is condensed so as to be larger than the area of the fiber bundle 13.

【0014】投光側光ファイバ3の導入部に入射した光
は、投光側光ファイバ3の他端に配置された光射出部4
を経由して試料5を照射する。この試料5は、半導体基
板や液晶パネル用のガラス基板などであって、XYZの
3軸方向に駆動可能なステージ(図示しない)に固定さ
れている。そして、試料5からの反射光は再び光射出部
4、受光側光ファイバ6を経由して受光側集光レンズ7
によって、光検出部8の受光面に入射する。光検出部8
は入射した光の強度を測定して、その測定結果に係る信
号を演算部9に送る。演算部9は、光検出部8から送ら
れた信号に基づいて必要な演算を行う。なお、光検出部
8は、光強度が測定可能なものであれば、どのようなも
のでも適用可能であるが、例えば、分光器や、光電子増
倍管、フォトダイオードなどが用いられる。また、演算
部9で必要な演算が行われ、試料5の膜圧が測定されて
必要に応じて図示しない外部装置を制御する。
The light incident on the introduction part of the light projecting side optical fiber 3 is a light emitting part 4 arranged at the other end of the light projecting side optical fiber 3.
The sample 5 is irradiated via. This sample 5 is a semiconductor substrate or a glass substrate for a liquid crystal panel,
It is fixed to a stage (not shown) that can be driven in three axis directions. Then, the reflected light from the sample 5 passes through the light emitting portion 4 and the light receiving side optical fiber 6 again, and the light receiving side condensing lens 7
Is incident on the light receiving surface of the photodetector 8. Light detector 8
Measures the intensity of the incident light and sends a signal relating to the measurement result to the arithmetic unit 9. The calculation unit 9 performs a necessary calculation based on the signal sent from the light detection unit 8. The photodetector 8 may be of any type as long as it can measure the light intensity. For example, a spectroscope, a photomultiplier tube, a photodiode, or the like is used. In addition, necessary calculation is performed in the calculation unit 9, the film pressure of the sample 5 is measured, and an external device (not shown) is controlled as necessary.

【0015】本実施形態においては、投光側光ファイバ
3の導入部における入射光がデフォーカスされているこ
とを特徴とする。図2を用いて、本実施形態の作用を説
明する。図2は焦点位置で集光した像とデフォーカスさ
せた像の中心距離と光量の関係を示すグラフであって、
(a)は、焦点位置で集光した像であり、(b)はデフ
ォーカスさせた像である。図2の(a)に示すように、
焦点位置で集光させた像は、LED光源1からの強度分
布を正確に反映しており、シャープな像が得られてい
る。これに対して、図2の(b)に示すように、デフォ
ーカスさせた像は、焦点位置で集光させた像に比ベ均一
な光量分布が得られる。なお、投光側光ファイバ3導入
部位置にデフォーカスした像12は、ファイバ束13の
面積より大きくなるように集光するようにしている。
The present embodiment is characterized in that the incident light at the introduction portion of the light projecting side optical fiber 3 is defocused. The operation of this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a graph showing the relationship between the center distance between the image condensed at the focal position and the defocused image, and the light amount,
(A) is an image condensed at the focal position, and (b) is a defocused image. As shown in (a) of FIG.
The image condensed at the focal position accurately reflects the intensity distribution from the LED light source 1, and a sharp image is obtained. On the other hand, as shown in FIG. 2B, the defocused image has a more uniform light amount distribution than the image focused at the focal position. The image 12 defocused at the position where the light-projecting side optical fiber 3 is introduced is focused so as to be larger than the area of the fiber bundle 13.

【0016】上記のように、本実施形態によれば、投光
側光ファイバ3へ集光する光をデフォーカスすることに
より、試料5に照射する光の光量分布が均一となるの
で、膜厚測定の精度悪化の影響が軽減される。また、投
光側光ファイバのファイバ束13に対して、LED光源
1の像12を大きくなるように集光させることより、L
ED光源1と投光側光ファイバ3を固定している部品の
機械公差などに起因する光軸に対してのケラレによる光
量減衰の影響が軽減される。従って、本実施形態によれ
ば、高精度の膜厚測定ができる。
As described above, according to the present embodiment, by defocusing the light focused on the light projecting side optical fiber 3, the light amount distribution of the light irradiating the sample 5 becomes uniform, so that the film thickness The influence of measurement accuracy deterioration is reduced. Further, by converging the image 12 of the LED light source 1 so as to be large on the fiber bundle 13 of the light projecting side optical fibers, L
The influence of light amount attenuation due to vignetting with respect to the optical axis due to mechanical tolerances of components that fix the ED light source 1 and the projection side optical fiber 3 is reduced. Therefore, according to this embodiment, highly accurate film thickness measurement can be performed.

【0017】(第2の実施形態)図3を参照して、本発
明の第2の実施形態を説明する。図3は、本発明の第2
の実施形態に係る膜厚測定装置の概略構成を示す図であ
って、(a)は全体構成を示す図であり、(b)は受光
側光ファイバ6、受光側集光レンズ7、光検出部8の拡
大図であり、(c)は(b)の3C−3C矢視図であ
る。なお、図3において、図1と同じ部分には、同じ符
号を付し、詳細な説明は省略する。
(Second Embodiment) A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 3 shows the second aspect of the present invention.
FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of a film thickness measuring device according to the embodiment of the present invention, wherein (a) is a diagram showing an overall configuration, and (b) is a light-receiving side optical fiber 6, a light-receiving side condensing lens 7, and light detection It is an enlarged view of the part 8, (c) is a 3C-3C arrow view of (b). In FIG. 3, the same parts as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0018】本実施形態においては、投光側光ファイバ
3の導入部は投光側集光レンズ2の焦点位置f1に配置
されている。そして、図3の(b)に示すように、光検
出部8が、受光側集光レンズ7の焦点位置f2とは異な
る位置(すなわち、デフォーカス位置)に配置されてい
る。また、図3(c)に示すように、受光側光ファイバ
6からの像14が光検出部8の受光面15の面積より大
きくなるように集光させるように受光側集光レンズ7を
構成している。これにより、光検出部8の受光面に入射
される光は、光検出部8が受光側集光レンズ7の焦点位
置f2にある時に比べて、均一な光量分布となって、光
検出部8の受光面に入射される。この理由は、第1の実
施形態と同様である。
In this embodiment, the introduction part of the light projecting side optical fiber 3 is arranged at the focal position f1 of the light projecting side condensing lens 2. Then, as shown in FIG. 3B, the photodetector 8 is arranged at a position (that is, a defocus position) different from the focal position f2 of the light-receiving side condenser lens 7. Further, as shown in FIG. 3C, the light-receiving side condensing lens 7 is configured so that the image 14 from the light-receiving side optical fiber 6 is condensed so as to be larger than the area of the light-receiving surface 15 of the photodetector 8. is doing. As a result, the light incident on the light receiving surface of the light detecting unit 8 has a more uniform light amount distribution than when the light detecting unit 8 is at the focal position f2 of the light receiving side condenser lens 7, and the light detecting unit 8 Is incident on the light receiving surface of. The reason for this is the same as in the first embodiment.

【0019】上記のように、本実施形態においても第1
の実施形態と同様に、光検出部8への入射光をデフォー
カスして、均一光にすることで、LED光源1のムラに
よる膜厚測定の精度悪化の影響が軽減される。また、受
光側光ファイバ6の像14を光検出部8の受光面15の
面積より大きくなるように集光させることにより、光検
出部8−受光側光ファイバ6を固定している部品の機械
公差などに起因する光軸に対してのケラレによる光量減
衰の影響が軽減される。
As described above, the first embodiment also
Similar to the embodiment described above, by defocusing the incident light on the photodetector 8 to make it uniform, the influence of the deterioration of the film thickness measurement accuracy due to the unevenness of the LED light source 1 is reduced. Further, by condensing the image 14 of the light-receiving side optical fiber 6 so as to be larger than the area of the light-receiving surface 15 of the light detecting section 8, the machine of the component fixing the light detecting section 8-the light receiving side optical fiber 6. The influence of light amount attenuation due to vignetting on the optical axis due to tolerance and the like is reduced.

【0020】(第3の実施形態)図4を参照して、本発
明の第3の実施形態を説明する。図4は、本発明の第3
の実施形態に係る膜厚測定装置の概略構成を示す図であ
る。なお、図4において、図1及び図3と同じ部分に
は、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
(Third Embodiment) A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 4 shows the third aspect of the present invention.
It is a figure which shows schematic structure of the film thickness measuring apparatus which concerns on embodiment of this. In FIG. 4, the same parts as those in FIGS. 1 and 3 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0021】本実施形態においては、第1の実施形態と
第2の実施形態とを組み合わせて、投光側光ファイバ3
の導入部が投光側集光レンズ2の焦点距離f1とは異な
る位置に配置され、光検出部8が受光側集光レンズ7の
焦点位置f2と異なる位置に配置されている。具体的に
は、以下の通りである。
In this embodiment, the light projecting side optical fiber 3 is obtained by combining the first embodiment and the second embodiment.
Is arranged at a position different from the focal length f1 of the light projecting side condenser lens 2, and the light detecting part 8 is arranged at a position different from the focus position f2 of the light receiving side condenser lens 7. Specifically, it is as follows.

【0022】LED光源1から発せられた光は、図4の
右方より投光側集光レンズ2によって投光側光ファイバ
3に集光される。図1(b)に示すように、LEDチッ
プ10の像は、焦点距離f1の位置で集光される像11
ではなく、投光側光ファイバ3の導入部の位置にデフォ
ーカスした像12が集光される。従って、光射出部4か
ら均一な光量分布を持つ光が試料5に照射される。ま
た、試料5からの反射光は再び光射出部4を経由して受
光側光ファイバ6に導入され、図3(b)に示すよう
に、受光側光ファイバ6の他端からの光は受光側集光レ
ンズ7で光検出部8にデフォーカスして検出される。従
って、光検出部8に入射する光は、光検出部8が受光側
集光レンズ7からf2の焦点位置の距離に配置されてい
る時に比べ、均一な光量分布が得られる。
The light emitted from the LED light source 1 is focused on the light projecting side optical fiber 3 by the light projecting side collecting lens 2 from the right side of FIG. As shown in FIG. 1B, the image of the LED chip 10 is an image 11 condensed at the position of the focal length f1.
Instead, the defocused image 12 is collected at the position of the introduction part of the light projecting side optical fiber 3. Therefore, the sample 5 is irradiated with light having a uniform light amount distribution from the light emitting unit 4. Further, the reflected light from the sample 5 is again introduced into the light receiving side optical fiber 6 via the light emitting portion 4, and the light from the other end of the light receiving side optical fiber 6 is received as shown in FIG. 3B. The side condenser lens 7 defocuses and detects the light on the photodetector 8. Therefore, the light incident on the photodetector 8 has a more uniform light amount distribution than when the photodetector 8 is arranged at the distance of the focus position f2 from the light-receiving side condenser lens 7.

【0023】本実施形態においては、投光側光ファイバ
3へ導入する光をデフォーカスすることにより、試料5
に照射する光の光量分布が均一となり、加えて、光検出
部8への入射光をデフォーカスして均一光にしているの
で、光検出部に対する膜厚測定の精度悪化の影響がより
一層軽減される。
In this embodiment, the sample 5 is defocused by defocusing the light introduced into the light projecting side optical fiber 3.
Since the light amount distribution of the light irradiating the laser light is uniform and the incident light to the photodetector 8 is defocused to be uniform light, the influence of the deterioration of the accuracy of the film thickness measurement on the photodetector is further reduced. To be done.

【0024】(第4の実施形態)図5を参照して、本発
明の第4の実施形態を説明する。図5は、本発明の第4
の実施形態に係る膜厚測定装置の概略構成を示す図であ
る。なお、図5において、図4と同じ部分には、同じ符
号を付し、詳細な説明は省略する。
(Fourth Embodiment) A fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 shows a fourth embodiment of the present invention.
It is a figure which shows schematic structure of the film thickness measuring apparatus which concerns on embodiment of this. 5, the same parts as those in FIG. 4 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0025】本実施形態においては、第3の実施形態に
おいて、LED光源を複数としている。すなわち、本実
施形態に係る膜厚測定装置は、複数のLED光源1a、
1b、投光側集光レンズ2a、2b、投光側ファイバ1
4、光射出部4、試料5、受光側光ファイバ6、受光側
集光レンズ7、光検出部8を備えている。本構成におい
て、投光側光ファイバ20の導入部は投光側集光レンズ
2a、2b,の焦点距離f1a、f1bとは異なる位置
に配置され、更に、光検出部8は受光側集光レンズ7の
焦点位置f2とは異なる位置に配置されている。
In this embodiment, a plurality of LED light sources are used in the third embodiment. That is, the film thickness measuring device according to the present embodiment includes a plurality of LED light sources 1a,
1b, light projecting side condenser lenses 2a, 2b, light projecting side fiber 1
4, a light emitting part 4, a sample 5, a light receiving side optical fiber 6, a light receiving side condensing lens 7, and a light detecting part 8. In this configuration, the introduction part of the light projecting side optical fiber 20 is arranged at a position different from the focal lengths f1a and f1b of the light projecting side condensing lenses 2a, 2b, and the light detecting part 8 is arranged on the light receiving side condensing lens. It is arranged at a position different from the focal position f2 of No. 7.

【0026】具体的には、LED光源1a、1bから発
せられた光は、投光側集光レンズ2a、2bによって投
光側光ファイバ20に導入される。ここで、第3の実施
形態と同様に、受光側光ファイバ6の導入部位置にデフ
ォーカスした像12が集光される。そして、デフォーカ
スした像は、投光側光ファイバ20の他端から光射出部
4に導入されて、光射出部4で、複数の光源1a、1b
からの光が足し合わされて試料5に照射される。試料5
から反射された光は、第3の実施形態と同様に、光検出
部8にデフォーカスして検出される。
Specifically, the light emitted from the LED light sources 1a and 1b is introduced into the light projecting side optical fiber 20 by the light projecting side condenser lenses 2a and 2b. Here, as in the third embodiment, the defocused image 12 is collected at the introduction position of the light-receiving side optical fiber 6. Then, the defocused image is introduced into the light emitting unit 4 from the other end of the light projecting side optical fiber 20, and in the light emitting unit 4, the plurality of light sources 1a, 1b.
The lights from the above are added together and the sample 5 is irradiated. Sample 5
The light reflected from is defocused and detected by the photodetector 8 as in the third embodiment.

【0027】本実施形態によれば、第1の実施形態の効
果に加えて、複数の単色LEDを用いることによって、
より強い均一な光を試料5に照射する事が可能となる。
According to this embodiment, in addition to the effects of the first embodiment, by using a plurality of monochromatic LEDs,
It is possible to irradiate the sample 5 with stronger and uniform light.

【0028】なお、本実施形態において、光源1a、1
bは独立に点灯することも可能である。また、複数のL
ED光源1a、1bは、同一色を複数備えるだけでな
く、異なる色のLED、またLEDとランプ、ハロゲン
ランプとXeランプといった組合せでも構わない。この
ように、複数色の光源を用いることにより、試料に合わ
せて光源色を選択することが可能になる。
In the present embodiment, the light sources 1a, 1
b can also be turned on independently. Also, a plurality of L
The ED light sources 1a and 1b are not limited to having a plurality of the same colors, but may be LEDs of different colors, or a combination of an LED and a lamp, a halogen lamp and a Xe lamp. In this way, by using the light sources of a plurality of colors, it becomes possible to select the light source color according to the sample.

【0029】(第5の実施形態)図6を参照して、本発
明の第5の実施形態を説明する。図6は、投光側の集光
レンズをフォーカス方向(すなわち、光軸方向)に調整
できるスライド機構を備えた場合の実施形態を示す図で
ある。なお、図6において、図1と同じ部分には、同じ
符号を付し、詳細な説明は省略する。
(Fifth Embodiment) A fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a diagram showing an embodiment in which a slide mechanism capable of adjusting the condenser lens on the light projecting side in the focus direction (that is, the optical axis direction) is provided. In FIG. 6, the same parts as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0030】図6に示すように、本実施形態において
は、集光レンズ2を移動させることが可能なスライド機
構(図示しない)を設け、焦点位置を可変としている。
このような構成とすることにより、集光レンズ2をフォ
ーカス方向(図中矢印方向)に動かして、焦点位置を調
整することによって、LEDチップ10の像を最適な状
態にするように調整して、LED光源1から出射された
光を投光側光ファイバ3の導入部に集光する。
As shown in FIG. 6, in this embodiment, a slide mechanism (not shown) capable of moving the condenser lens 2 is provided to make the focal position variable.
With such a configuration, the condenser lens 2 is moved in the focus direction (arrow direction in the drawing) and the focus position is adjusted, so that the image of the LED chip 10 is adjusted to an optimum state. , The light emitted from the LED light source 1 is condensed on the introduction part of the light projecting side optical fiber 3.

【0031】このように、集光レンズ2の位置を移動可
能として、焦点位置を任意に調整することができるよう
にしたのデ、LED光源1、投光側光ファイバ3周辺部
品の機械公差や、組み立てなどのばらつきがあった場合
でも、ユーザーが最適位置を設定することができる。
As described above, the position of the condenser lens 2 can be moved so that the focal position can be adjusted arbitrarily, mechanical tolerances of the LED light source 1, the peripheral parts of the optical fiber 3 on the light projecting side, and the like. The user can set the optimum position even if there are variations due to assembly or the like.

【0032】なお、本実施形態においては、投光側集光
レンズ2のみを移動可能としたが、これに限定されず、
例えば、LED光源1や投光側光ファイバ3がそれぞれ
移動可能としても構わない。またLED光源1、投光側
集光レンズ2、投光側光ファイバ3の全てが同時に動く
ような機構としても構わない。
In this embodiment, only the light projecting side condenser lens 2 is movable, but the invention is not limited to this.
For example, the LED light source 1 and the light projecting side optical fiber 3 may be movable. Further, the LED light source 1, the light-projecting-side condenser lens 2, and the light-projecting-side optical fiber 3 may all move simultaneously.

【0033】(第6の実施形態)図7を参照して、本発
明の第6の実施形態を説明する。図7は、本発明の第6
の実施形態に係る膜厚測定装置の概略構成を示す図であ
る。なお、図7において、図1と同じ部分には、同じ符
号を付し、詳細な説明は省略する。本実施形態において
は、第1から第4の実施形態と異なり、光ファイバを用
いずに、ハーフミラー21にて投光部、受光部の光路を
分割し、集光レンズ22の焦点位置f13から異なる位
置(すなわち、デフォーカス位置)に、LED光源1と
光検出部8を設置している。
(Sixth Embodiment) A sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 7 shows a sixth embodiment of the present invention.
It is a figure which shows schematic structure of the film thickness measuring apparatus which concerns on embodiment of this. In FIG. 7, the same parts as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. In the present embodiment, unlike the first to fourth embodiments, the optical path of the light projecting portion and the light receiving portion is split by the half mirror 21 without using an optical fiber, and the focus position f13 of the condenser lens 22 is changed. The LED light source 1 and the light detection unit 8 are installed at different positions (that is, defocus positions).

【0034】本実施形態においては、図7に示すよう
に、LED光源1から発せられた光は、ハーフミラー2
1を通過し、集光レンズ22に導入される。この時LE
D光源1は集光レンズ22の焦点距離f3と異なる位置
に配置されているためLED光源1の像は、試料5にデ
フォーカスして集光される。試料5からの反射光は、集
光レンズ22からハーフミラー21にて偏向され、デフ
ォーカスして光検出部8に集光する。
In the present embodiment, as shown in FIG. 7, the light emitted from the LED light source 1 is emitted from the half mirror 2
1 and is introduced into the condenser lens 22. LE at this time
Since the D light source 1 is arranged at a position different from the focal length f3 of the condenser lens 22, the image of the LED light source 1 is defocused and condensed on the sample 5. The reflected light from the sample 5 is deflected from the condenser lens 22 by the half mirror 21, defocused, and condensed on the photodetector 8.

【0035】本実施形態においても、第1の実施形態と
比較して、第1の実施形態と同様の効果が得られること
に加え、構成する部品数を少なくできる。
Also in this embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained and the number of constituent parts can be reduced as compared with the first embodiment.

【0036】なお、本実施形態においては、LED光源
1、光検出部8の両方をデフォーカスさせた例を示した
が、どちらか一方のみでも良い。
In the present embodiment, an example in which both the LED light source 1 and the light detecting section 8 are defocused has been shown, but only one of them may be used.

【0037】本発明は、上記の発明の実施の形態に限定
されるものではない。上記の各実施形態では、膜厚測定
装置に適用した実施形態を説明したが、これに限定され
ず、半導体、液晶パネル製造の成膜、エッチング、平坦
化工程などの終了点検出装置、リアルタイム膜厚モニタ
ーなどの光強度測定装置に本発明を適用することができ
る。また、LED光源1は、単色、白色、1パッケージ
に複数色のチップが1パッケージに納めされているLE
Dなど、1パッケージのLED、更には、LEDに限定
されずハロゲンランプ、Xeランプを光源として使用す
ることができる。また、上記の実施形態においては、L
ED、その他、本発明の要旨を変更しない範囲で種々変
形して実施できるのは勿論である。
The present invention is not limited to the above embodiments of the invention. In each of the above-described embodiments, the embodiment applied to the film thickness measuring device has been described, but the present invention is not limited to this, and a semiconductor, a liquid crystal panel manufacturing film forming, etching, a flattening process end point detecting device, a real-time film. The present invention can be applied to a light intensity measuring device such as a thickness monitor. Further, the LED light source 1 is an LE in which a single color, white color, and a plurality of color chips are packaged in one package.
One package LED such as D, and further, not limited to the LED, a halogen lamp or a Xe lamp can be used as a light source. In the above embodiment, L
Needless to say, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention, such as ED.

【0038】[0038]

【発明の効果】本発明によれば、光量分布ムラの大きい
光源を用いても試料に照射する光の光量分布が均一とな
り、膜厚測定の精度悪化の影響が軽減される。加えて、
投光側各構成部品の機械公差などにより生じる、光軸に
対してのケラレ等による光量減衰の影響が軽減される。
従って、測定の精度が向上する。
According to the present invention, even if a light source having a large unevenness of the light quantity distribution is used, the light quantity distribution of the light irradiating the sample becomes uniform, and the influence of the deterioration of the accuracy of the film thickness measurement is reduced. in addition,
The influence of light amount attenuation due to vignetting or the like with respect to the optical axis, which is caused by mechanical tolerance of each component on the light projecting side, is reduced.
Therefore, the accuracy of measurement is improved.

【0039】また、光源にLEDを適用することで、装
置の省スペース化、メンテナンス性が向上する。更に、
光ファイバを適用することで装置スペースの設置自由度
が向上する。
Further, by applying the LED to the light source, the space saving of the device and the maintainability are improved. Furthermore,
By using the optical fiber, the degree of freedom in installing the device space is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の第1の実施形態に係る膜厚測定装置
の概略構成を示す図。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a film thickness measuring device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 焦点位置で集光した像とデフォーカスさせた
像の中心距離と光量の関係を示すグラフ。
FIG. 2 is a graph showing the relationship between the center distance between a focused image and a defocused image at the focal position and the amount of light.

【図3】 本発明の第2の実施形態に係る膜厚測定装置
の概略構成を示す図。
FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration of a film thickness measuring device according to a second embodiment of the present invention.

【図4】 本発明の第3の実施形態に係る膜厚測定装置
の概略構成を示す図。
FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of a film thickness measuring device according to a third embodiment of the present invention.

【図5】 本発明の第4の実施形態に係る膜厚測定装置
の概略構成を示す図。
FIG. 5 is a diagram showing a schematic configuration of a film thickness measuring device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図6】 本発明の第5の実施形態に係る膜厚測定装置
の概略構成を示す図。
FIG. 6 is a diagram showing a schematic configuration of a film thickness measuring device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図7】 本発明の第6の実施形態に係る膜厚測定装置
の概略構成を示す図。
FIG. 7 is a diagram showing a schematic configuration of a film thickness measuring device according to a sixth embodiment of the present invention.

【図8】 従来例を説明するための図。FIG. 8 is a diagram for explaining a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、1a、1b…光源(LED光源) 2、2a、2b…投光側集光レンズ 3…投光側光ファイバ 4…光射出部 5…試料(ウェハ) 6…受光側光ファイバ 7…受光側集光レンズ 8…光検出部 9…演算部 10…LEDチップ 11…像 12…像 13…ファイバ束 14…投光側ファイバ 15…受光面 20…投光側光ファイバ 21…ハーフミラー 22…集光レンズ 1, 1a, 1b ... Light source (LED light source) 2, 2a, 2b ... Condensing lens on projection side 3 ... Emitter side optical fiber 4 ... Light emitting part 5 ... Sample (wafer) 6 ... Receiving side optical fiber 7 ... Receiving side condenser lens 8 ... Photodetector 9 ... Operation unit 10 ... LED chip 11 ... Statue 12 ... Statue 13 ... Fiber bundle 14 ... Emitter side fiber 15 ... Light receiving surface 20 ... Emitter side optical fiber 21 ... Half mirror 22 ... Condensing lens

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Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光源と、前記光源からの光を試料上に集
光させる第1の集光光学系と、前記試料からの反射光を
集光させる第2の集光光学系と、前記第2の集光光学系
を介した前記試料からの反射光を検出する光検出部と、
前記光検出部で検出した反射光の光強度変化を測定する
測定手段とを備えた光強度測定装置において、 前記試料を前記第1の集光光学系のデフォーカス位置に
配置する手段と、前記光検出部の受光面を前記第2の集
光光学系のデフォーカス位置に配置する手段の少なくと
も一方を備えたことを特徴とする光強度測定装置。
1. A light source, a first condensing optical system that condenses light from the light source onto a sample, a second condensing optical system that condenses reflected light from the sample, and the first condensing optical system. A light detection unit for detecting reflected light from the sample through the light collecting optical system 2;
In a light intensity measuring device including a measuring unit that measures a light intensity change of reflected light detected by the light detecting unit, a unit that arranges the sample at a defocus position of the first condensing optical system, and A light intensity measuring apparatus comprising at least one of means for arranging a light receiving surface of a light detecting portion at a defocus position of the second condensing optical system.
【請求項2】 光源と、前記光源からの光を集光させる
集光光学系と、前記集光光学系からの光を試料に照射す
るための光射出手段と、前記試料からの反射光を検出す
る光検出部と、前記光検出部で検出した反射光の光強度
変化を測定する測定手段とを備えた光強度測定装置にお
いて、 前記光射出手段の入射端を、前記集光光学系のデフォー
カス位置に配置したことを特徴とする光強度測定装置。
2. A light source, a condensing optical system for condensing the light from the light source, a light emitting means for irradiating the sample with the light from the condensing optical system, and a reflected light from the sample. In a light intensity measuring device comprising a light detecting unit for detecting and a measuring unit for measuring the light intensity change of the reflected light detected by the light detecting unit, the incident end of the light emitting unit is set to the condensing optical system. A light intensity measuring device, which is arranged at a defocus position.
【請求項3】 請求項第2項に記載の光強度測定装置に
おいて、前記光射出手段の少なくとも1部を光ファイバ
で構成したことを特徴とする光強度測定装置。
3. The light intensity measuring device according to claim 2, wherein at least a part of the light emitting means is composed of an optical fiber.
【請求項4】 請求項第2項または3項のいずれかに記
載の光強度測定装置において、前記第1の集光光学系か
らのデフォーカス光の照射面積が、前記光射出手段の入
射端の有効面積よりも大きいことを特徴とする光強度測
定装置。
4. The light intensity measuring device according to claim 2, wherein the irradiation area of the defocused light from the first condensing optical system is the incident end of the light emitting means. The light intensity measuring device is characterized by being larger than the effective area of.
【請求項5】 試料を照明する光源と、前記試料からの
反射光を集光させる集光光学系と、前記集光光学系を介
した前記試料からの反射光を検出する光検出部と、前記
光検出部で検出した反射光の光強度変化を測定する測定
手段とを備えた光強度測定装置において、 前記光源及び前記光検出部の受光面の少なくとも一方
を、前記集光光学系のデフォーカス位置に配置したこと
を特徴とする光強度測定装置。
5. A light source that illuminates a sample, a condensing optical system that condenses reflected light from the sample, and a photodetector that detects reflected light from the sample through the condensing optical system, In a light intensity measuring device including a measuring unit that measures a change in the light intensity of the reflected light detected by the light detecting unit, at least one of the light source and the light receiving surface of the light detecting unit is connected to the defocusing optical system. A light intensity measuring device, which is arranged at a focus position.
【請求項6】 請求項1乃至請求項5のいずれか1項に
記載の光強度測定装置において、前記集光光学系からの
デフォーカス光の照射面積が、前記光検出部の受光面の
有効受光面積よりも大きいことを特徴とする光強度測定
装置。
6. The light intensity measuring device according to claim 1, wherein an irradiation area of the defocused light from the condensing optical system is an effective area of a light receiving surface of the light detecting section. A light intensity measuring device characterized by being larger than a light receiving area.
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