JP2003035913A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 いわゆるリバースツイストドメインの発生を
抑制させる。 【解決手段】 液晶を介して対向配置される各基板の一
方の基板の液晶側の面にマトリクス状に配置された画素
領域に画素電極が形成され、他方の基板の液晶側の面の
対応する画素領域に対向電極が形成され、前記液晶はネ
マテック型でそのカイラルピッチが画素領域のピッチ以
下に設定されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、たとえばツイスト・ネマティック（ＮＴ）型の液晶
表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の液晶表示装置であって、アクテ
ィブ・マトリクス型の液晶表示装置は、液晶を介して対
向配置される各基板のうち一方の基板の液晶側の面に、
そのｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線と
ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線とで
囲まれた各領域を画素領域としている。そして、各画素
領域には、ゲート信号線からの走査信号によって作動さ
れるスイッチング素子と、このスイッチング素子を介し
てドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極
とが形成されている。これら各画素電極は他方の基板の
液晶側の面に形成された対向電極との間に電界を発生せ
しめ、それらの間の液晶を挙動させるようになってい
る。この液晶の挙動は配向膜あるいは偏光板によって可
視化され、液晶の光透過率の変化として可視化されるよ
うになっている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、近年における
液晶表示装置の高精細化にともない、各画素ピッチが小
さくなり、これら画素領域を画する信号線等の各画素に
物理的な影響を与えるようになってきている。この物理
的な影響は、液晶に接触して形成される配向膜のラビン
グが均一になされず、これにより液晶の配向乱れに基づ
くいわゆるリバースツイストドメインを発生し易くさ
せ、表示の品質上不都合が生じることが指摘されるに至
っている。本発明は、このような事情に基づくものであ
り、その目的は、リバースツイストドメインの発生を抑
制させた液晶表示装置を提供することにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。 手段１．本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶
を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶側の
面にマトリクス状に配置された画素領域に画素電極が形
成され、他方の基板の液晶側の面の対応する画素領域に
対向電極が形成され、前記液晶はネマテック型でそのカ
イラルピッチが画素領域のピッチ以下に設定されている
ことを特徴とするものである。

【０００５】手段２．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板の一方の基
板の液晶側の面にマトリクス状に配置された画素領域に
画素電極が形成され、他方の基板の液晶側の面の対応す
る画素領域に対向電極が形成され、前記液晶はネマテッ
ク型でそのカイラルピッチが画素領域のピッチ以下で、
画素領域のピッチ×０．８以上に設定されていることを
特徴とするものである。

【０００６】手段３．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板の一方の基
板の液晶側の面にマトリクス状に配置された画素領域に
画素電極が形成され、他方の基板の液晶側の面の対応す
る画素領域に対向電極が形成され、前記画素領域のピッ
チは６５μｍ以下に設定されているろともに、前記液晶
はネマテック型でそのカイラルピッチが前記画素領域の
ピッチ以下に設定されていることを特徴とするものであ
る。

【０００７】手段４．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板の一方の基
板の液晶側の面にマトリクス状に配置された画素領域に
画素電極が形成され、他方の基板の液晶側の面の対応す
る画素領域に対向電極が形成され、前記画素領域のピッ
チは６５μｍ以下に設定されているとともに、前記液晶
はネマテック型でそのカイラルピッチが画素領域のピッ
チ以下で、画素領域のピッチ×０．８以上に設定されて
いることを特徴とするものである。

【０００８】手段５．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板の一方の基
板の液晶側の面に、その一方向に延在しこの方向と交差
する方向に並設されるゲート信号線とこれらゲート信号
線と交差する方向に延在しこの方向と交差する方向に並
設されるドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域と
し、この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によ
って作動するスイッチング素子と、このスイッチング素
子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される
画素電極とを備え、前記液晶はネマテック型でそのカイ
ラルピッチが画素領域のピッチ以下に設定されているこ
とを特徴とするものである。

【０００９】手段６．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板の一方の基
板の液晶側の面に、その一方向に延在しこの方向と交差
する方向に並設されるゲート信号線とこれらゲート信号
線と交差する方向に延在しこの方向と交差する方向に並
設されるドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域と
し、この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によ
って作動するスイッチング素子と、このスイッチング素
子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される
画素電極とを備え、前記液晶はネマテック型でそのカイ
ラルピッチが画素領域のピッチ以下で、画素領域のピッ
チ×０．８以上に設定されていることを特徴とするもの
である。

【００１０】手段７．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板の一方の基
板の液晶側の面に、その一方向に延在しこの方向と交差
する方向に並設されるゲート信号線とこれらゲート信号
線と交差する方向に延在しこの方向と交差する方向に並
設されるドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域と
し、この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によ
って作動するスイッチング素子と、このスイッチング素
子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される
画素電極とを備え、前記画素領域のピッチは６５μｍ以
下に設定されているとともに、前記液晶はネマテック型
でそのカイラルピッチが前記画素領域のピッチ以下に設
定されていることを特徴とするものである。

【００１１】手段８．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板の一方の基
板の液晶側の面に、その一方向に延在しこの方向と交差
する方向に並設されるゲート信号線とこれらゲート信号
線と交差する方向に延在しこの方向と交差する方向に並
設されるドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域と
し、この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によ
って作動するスイッチング素子と、このスイッチング素
子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される
画素電極とを備え、前記画素領域のピッチは６５μｍ以
下に設定されているとともに、前記液晶はネマテック型
でそのカイラルピッチが画素領域のピッチ以下で、画素
領域のピッチ×０．８以上に設定されていることを特徴
とするものである。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例を図面を用いて説明をする。 《等価回路》図２は、本発明による液晶表示装置の一実
施例を示す等価回路図である。同図は等価回路図である
が実際の幾何学的配置に対応させた図となっている。

【００１３】まず、液晶を介して互いに対向配置される
一対の透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２があり、該液晶は一
方の透明基板ＳＵＢ１に対する他方の透明基板ＳＵＢ２
の固定を兼ねるシール材ＳＬによって封入されている。

【００１４】シール材ＳＬによって囲まれた前記一方の
透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在
しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとｙ方向に延在
しｘ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成され
ている。

【００１５】各ゲート信号線ＧＬと各ドレイン信号線Ｄ
Ｌとで囲まれた領域は画素領域（図中丸で囲まれた部
分）を構成するとともに、これら各画素領域のマトリク
ス状の集合体は液晶表示部ＡＲを構成するようになって
いる。

【００１６】各画素領域には、その片側のゲート信号線
ＧＬからの走査信号によって作動される薄膜トランジス
タＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して片側
のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素
電極ＰＸが形成されている。

【００１７】この画素電極ＰＸは、他方の透明基板ＳＵ
Ｂ２側に形成された対向電極ＣＴ（同図では図示されて
いない）との間に電界を発生させ、この電界によって液
晶の光透過率を制御させるようになっている。

【００１８】前記ゲート信号線ＧＬのそれぞれの一端は
前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は垂直
走査駆動回路Ｖの出力端子が接続される端子を構成する
ようになっている。また、前記垂直走査駆動回路Ｖの入
力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基
板からの信号が入力されるようになっている。

【００１９】垂直走査駆動回路Ｖは複数個の半導体装置
からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線どうしが
グループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装
置があてがわれるようになっている。

【００２０】同様に、前記ドレイン信号線ＤＬのそれぞ
れの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延
在端は映像信号駆動回路Ｈｅの出力端子が接続される端
子を構成するようになっている。また、前記映像信号駆
動回路Ｈｅの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置さ
れたプリント基板からの信号が入力されるようになって
いる。

【００２１】この映像信号駆動回路Ｈｅも複数個の半導
体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線
どうしがグループ化され、これら各グループ毎に一個の
半導体装置があてがわれるようになっている。

【００２２】前記各ゲート信号線ＧＬは、垂直走査駆動
回路Ｖからの走査信号によって、その一つが順次選択さ
れるようになっている。また、前記各ドレイン信号線Ｄ
Ｌのそれぞれには、映像信号駆動回路Ｈｅによって、前
記ゲート信号線ＧＬの選択のタイミングに合わせて映像
信号が供給されるようになっている。

【００２３】《画素の構成》図３は、透明基板ＳＵＢ１
側の前記画素領域の一実施例を示す平面図であり、ま
た、図４は、図３のIV−IV線における断面図である。

【００２４】透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面に、まず、
ｘ方向に延在しｙ方向に並設される一対のゲート信号線
ＧＬが形成されている。これらゲート信号線ＧＬは後述
の一対のドレイン信号線ＤＬとともに矩形状の領域を囲
むようになっており、この領域を画素領域として構成す
るようになっている。

【００２５】このようにゲート信号線ＧＬが形成された
透明基板ＳＵＢ１の表面にはたとえばＳｉＮからなる絶
縁膜ＧＩが該ゲート信号線ＧＬをも被って形成されてい
る。この絶縁膜ＧＩは、後述のドレイン信号線ＤＬの形
成領域においては前記ゲート信号線ＧＬに対する層間絶
縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタＴＦＴの
形成領域においてはそのゲート絶縁膜としての機能を、
後述の容量素子Ｃａｄｄの形成領域においてはその誘電
体膜としての機能を有するようになっている。

【００２６】そして、この絶縁膜ＧＩの表面であって、
前記ゲート信号線ＧＬの一部に重畳するようにしてたと
えばアモルファスＳｉからなる半導体層ＡＳが形成され
ている。この半導体層ＡＳは、薄膜トランジスタＴＦＴ
のそれであって、その上面にドレイン電極ＳＤ１および
ソース電極ＳＤ２を形成することにより、ゲート信号線
ＧＬの一部をゲート電極とする逆スタガ構造のＭＩＳ型
トランジスタを構成することができる。

【００２７】ここで、前記ドイレン電極ＳＤ１およびソ
ース電極ＳＤ２はドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時
に形成されるようになっている。すなわち、ｙ方向に延
在されｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成さ
れ、その一部が前記半導体層ＡＳの上面にまで延在され
てドレイン電極ＳＤ１が形成され、また、このドレイン
電極ＳＤ１と薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル長分だ
け離間されてソース電極ＳＤ２が形成されている。

【００２８】このソース電極ＳＤ２は半導体層ＡＳ面か
ら画素領域側の絶縁膜ＧＩの上面に至るまで若干延在さ
れ、後述の画素電極ＰＸとの接続を図るためのコンタク
ト部が形成されている。

【００２９】なお、半導体層ＡＳとドレイン電極ＳＤ１
およびソース電極ＳＤ２との界面には高濃度の不純物が
ドープされた薄い層が形成され、この層はコンタクト層
として機能するようになっている。

【００３０】このコンタクト層は、たとえば半導体層Ａ
Ｓの形成時に、その表面にすでに高濃度の不純物層が形
成されており、その上面に形成したドレイン電極ＳＤ１
およびソース電極ＳＤ２のパターンをマスクとしてそれ
から露出された前記不純物層をエッチングすることによ
って形成することができる。

【００３１】このように薄膜トランジスタＴＦＴ、ドイ
レン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ１、およびソース電
極ＳＤ２が形成された透明基板ＳＵＢ１の表面にはたと
えばＳｉＮからなる保護膜ＰＳＶが形成されている。こ
の保護膜ＰＳＶは前記薄膜トランジスタＴＦＴの液晶と
の直接の接触を回避する層で、該薄膜トランジスタの特
性劣化を防止せんとするようになっている。

【００３２】なお、この保護膜ＰＳＶとしては、たとえ
ばＳｉＮからなる無機材料とたとえば樹脂からなる有機
材料との積層構造であってもよい。このようにした場
合、保護膜としての誘電率を小さくすることができる。

【００３３】保護膜ＰＳＶの上面には画素電極ＰＸが形
成されている。この画素電極ＰＸはたとえばＩＴＯ(Ind
ium-Tin-Oxide)膜からなる透光性の導電膜から構成され
ている。この画素電極ＰＸは、薄膜トランジスタＴＦＴ
の形成領域を回避して画素領域の大部分を占めるように
して形成されている。そして、その一部が前記保護膜Ｐ
ＳＶの一部に形成されたコンタクトホールＣＨを通して
薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２に電気的に
接続されている。

【００３４】さらに、画素電極ＰＸはこれに接続される
前記薄膜トランジスタＴＦＴを駆動するゲート信号線Ｇ
Ｌとは異なる他の隣接するゲート信号線ＧＬの上方に至
るまで延在されて、該他のゲート信号線ＧＬと重畳する
部分を形成している。この部分において、画素電極ＰＸ
と他のゲート信号線ＧＬとの間に保護膜ＰＳＶを誘電体
膜とする容量素子Ｃａｄｄが形成されるようになってい
る。この容量素子Ｃａｄｄは、たとえば画素電極ＰＸに
供給された映像信号を比較的長く蓄積させる等の機能を
もたせるようになっている。

【００３５】そして、このように画素電極ＰＸが形成さ
れた透明基板ＳＵＢ１の上面には該画素電極ＰＸをも被
って配向膜ＯＲＩ１が形成されている。この配向膜ＯＲ
Ｉ１は液晶と直接に当接する膜で、その表面に形成され
たラビングによって該液晶の分子の初期配向方向を決定
づけるようになっている。

【００３６】なお、このように構成された透明基板１は
液晶を介して透明基板ＳＵＢ２と対向配置され、この透
明基板ＳＵＢ２の液晶側の面には、各画素領域を画する
ように該画素領域の中央部に開口が形成されたブラック
マトリクスＢＭ、カラーフィルタ、および各画素領域に
共通な対向電極ＣＴが形成されている。

【００３７】この対向電極ＣＴと画素電極ＰＸとの間に
は映像信号に対応した電界が発生し、この電界によって
液晶は捩られ、その捩れは前記配向膜ＯＲＩ１、各透明
基板の液晶とは反対側の面に形成された偏光板によって
光透過率として可視化されるようになる。

【００３８】前記液晶はネマテック型のものが用いら
れ、本実施例では、特に、画素ピッチと液晶のカイラル
ピッチとの間に次の関係が成立するように設定されてい
る。 （１）液晶のカイラルピッチが画素領域のピッチ以下と
なっている。あるいは、 （２）液晶のカイラルピッチが画素領域のピッチ以下
で、画素領域のピッチ×０．８以上となっている。ある
いは、 （３）画素領域のピッチは６５μｍ以下に設定されてい
るとともに、液晶のカイラルピッチが前記画素領域のピ
ッチ以下となっている。

【００３９】ここで、画素ピッチとはその画素領域にお
いてその両脇に位置づけられる各ドレイン信号線ＤＬの
離間距離に対応している。カラー表示用の液晶表示装置
においては赤色担当の画素領域、緑色担当の画素領域、
および青色担当の画素領域が互いに隣接して構成される
が、この場合においても、画素ピッチはそれらの各画素
領域のピッチを指している。

【００４０】また、液晶のカイラルピッチとは、カイラ
ル材を添付した液晶のダイレクタ（液晶分子の向き）が
３６０°回転する螺旋軸の距離のことであり、具体的に
は以下の方法で測定された値をいう。

【００４１】すなわち、カイラルピッチの測定には、図
７に示すように、水平配向処理を施したくさび型セルを
用い、このセルに液晶を注入して長時間放置すると、液
晶は図示のような配向状態になる。この図では、液晶層
が厚くなるに従って、ツイストが１８０°ずつ多くな
り、その境界にディスクリネーションのラインが観察さ
れる。ここで、くさび型のセルの角度をθとすると、カ
イラルピッチＰとディスクリネーションの間隔ａとは、
Ｐ=２ａ・ｔａｎθの関係が成立する。

【００４２】《考察》図１は、上記構成の液晶表示装置
において、画素ピッチ（μｍ）と液晶のカイラルピッチ
（μｍ）とリバースツイストドメインの関係を示したグ
ラフである。すなわち、横軸に画素ピッチ、縦軸に液晶
のカイラルピッチをとり、それらの値によってリバース
ツイストドメインが発生していない場合を白丸ドット
で、リバースツイストドメインが発生する場合を黒丸ド
ットで表している。

【００４３】また、液晶のカイラルピッチは、その値が
小さい場合に一方向にねじれやすく逆方向にねじれ難い
性質を有し、その値が大きくなる場合にいずれの方向に
もねじれ難い性質を有している。

【００４４】このグラフから、リバースツイストドメイ
ンが発生していない領域とリバースツイストドメインが
発生している領域が区分けされ（その境界をグラフ中点
線で示している）、前者の領域は液晶のカイラルピッチ
が画素ピッチよりも小さくなっていることが判明する。

【００４５】このことから、画素のピッチが縮小化する
近年において、液晶としてそのカイラルピッチが該画素
のピッチ以下のものを選定することにより、リバースツ
イストドメインの発生を充分抑制できることになる。こ
のようにすることにより、液晶が順方向に捩れる力が強
くなるためである。

【００４６】なお、上述したグラフで示す実験結果は、
その評価方法として、まず、液晶表示装置をその液晶の
Ｔ_Ｎ−１点以上にまで加熱し、その後、−１．０℃／Ｓ
の冷却速度で冷却し、室温および無通電状態でリバース
ツイストドメインの有無をチェックしたものである。

【００４７】また、図５は、画素ピッチの値を６３．５
μｍとした場合であって、液晶のカイラルピッチをそれ
ぞれ６５μｍ、４２μｍ、２０μｍのものを用いた際の
相対輝度を示したグラフである。

【００４８】このグラフにおいて、液晶のカイラルピッ
チが６５μｍの特性を丸ドットで結んだ曲線、４２μｍ
の特性を四角ドットで結んだ曲線、２０μｍの特性を三
角ドットで結んだ曲線として示している。この図からも
明らかとなるように、カイラルピッチを小さくすると、
Ｖ−Ｂ特性が変化する。

【００４９】さらに、図６は、液晶のカイラルピッチは
液晶のしきい値電圧に影響することを示したグラフであ
る。同グラフは、その横軸に液晶のカイラルピッチを縦
軸にしきい値をとり、該しきい値が大きい場合と小さい
場合の液晶のカイラルピッチの変動に基づく該しきい値
の変化を示したものである。

【００５０】同グラフ中、丸印で結んだ特性はＶｔｈが
５０％のそれで、この場合、カイラルピッチによってし
きい値電圧はそれほど変化しないが、たとえば三角印で
結んだ特性は、そのＶｔｈが０．５パーセントで、カイ
ラルピッチが小さくなるほどしきい値電圧は大きくなっ
てしまうことが判る。

【００５１】しきい値電圧の上昇は表示のコントラスト
の低下、あるいは消費電力の増加を招くことから、これ
を回避するにはカイラルピッチを小さくしてもある程度
に収めることが好ましい。

【００５２】このことから、液晶のカイラルピッチは画
素領域のピッチ以下であって、しかも画素領域のピッチ
×０．８以上にすることにより、液晶のしきい値電圧に
影響されなくリバースツイストドメインの発生を抑制す
ることができる。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したことから明らかとなるよう
に、本発明による液晶表示装置によれば、いわゆるリバ
ースツイストドメインの発生を抑制させることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明による液晶表示装置の効果を示すグラ
フである。

【図２】 本発明による液晶表示装置の一実施例を示す
等価回路図である。

【図３】 本発明による液晶表示装置の画素の一実施例
を示す平面図である。

【図４】 図３のIV−IV線における断面図である。

【図５】 本発明による液晶表示装置の効果を示すグラ
フである。

【図６】 本発明による液晶表示装置の効果を示すグラ
フである。

【図７】 カイラルピッチを説明するための図である。

【符号の説明】

ＳＵＢ１…透明基板、ＧＬ…ゲート信号線、ＤＬ…ドレ
イン信号線、ＧＩ…絶縁膜、ＴＦＴ…薄膜トランジス
タ、ＡＳ…半導体層、ＳＤ１…ドレイン電極、ＳＤ２…
ソース電極、ＰＳＶ…保護膜、ＯＲＩ１…配向膜。

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H088 GA02 GA17 HA08 JA05 KA13 KA30 MA04 MA18 2H092 GA15 JA24 JA30 JB06 NA04 PA02 QA07 5F110 AA30 BB01 CC07 FF03 GG02 GG15 HK09 HK16 HL07 NN02 NN03 NN24 NN27 NN72 NN73 QQ11

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 液晶を介して対向配置される各基板の一
   方の基板の液晶側の面にマトリクス状に配置された画素
   領域に画素電極が形成され、他方の基板の液晶側の面の
   対応する画素領域に対向電極が形成され、 前記液晶はネマテック型でそのカイラルピッチが画素領
   域のピッチ以下に設定されていることを特徴とする液晶
   表示装置。
2. 【請求項２】 液晶を介して対向配置される各基板の一
   方の基板の液晶側の面にマトリクス状に配置された画素
   領域に画素電極が形成され、他方の基板の液晶側の面の
   対応する画素領域に対向電極が形成され、 前記液晶はネマテック型でそのカイラルピッチが画素領
   域のピッチ以下で、画素領域のピッチ×０．８以上に設
   定されていることを特徴とする液晶表示装置。
3. 【請求項３】 液晶を介して対向配置される各基板の一
   方の基板の液晶側の面にマトリクス状に配置された画素
   領域に画素電極が形成され、他方の基板の液晶側の面の
   対応する画素領域に対向電極が形成され、 前記画素領域のピッチは６５μｍ以下に設定されている
   とともに、前記液晶はネマテック型でそのカイラルピッ
   チが前記画素領域のピッチ以下に設定されていることを
   特徴とする液晶表示装置。
4. 【請求項４】 液晶を介して対向配置される各基板の一
   方の基板の液晶側の面にマトリクス状に配置された画素
   領域に画素電極が形成され、他方の基板の液晶側の面の
   対応する画素領域に対向電極が形成され、 前記画素領域のピッチは６５μｍ以下に設定されている
   とともに、前記液晶はネマテック型でそのカイラルピッ
   チが画素領域のピッチ以下で、画素領域のピッチ×０．
   ８以上に設定されていることを特徴とする液晶表示装
   置。
5. 【請求項５】 液晶を介して対向配置される各基板の一
   方の基板の液晶側の面に、その一方向に延在しこの方向
   と交差する方向に並設されるゲート信号線とこれらゲー
   ト信号線と交差する方向に延在しこの方向と交差する方
   向に並設されるドレイン信号線とで囲まれた領域を画素
   領域とし、 この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって
   作動するスイッチング素子と、このスイッチング素子を
   介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素
   電極とを備え、 前記液晶はネマテック型でそのカイラルピッチが画素領
   域のピッチ以下に設定されていることを特徴とする液晶
   表示装置。
6. 【請求項６】 液晶を介して対向配置される各基板の一
   方の基板の液晶側の面に、その一方向に延在しこの方向
   と交差する方向に並設されるゲート信号線とこれらゲー
   ト信号線と交差する方向に延在しこの方向と交差する方
   向に並設されるドレイン信号線とで囲まれた領域を画素
   領域とし、 この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって
   作動するスイッチング素子と、このスイッチング素子を
   介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素
   電極とを備え、 前記液晶はネマテック型でそのカイラルピッチが画素領
   域のピッチ以下で、画素領域のピッチ×０．８以上に設
   定されていることを特徴とする液晶表示装置。
7. 【請求項７】 液晶を介して対向配置される各基板の一
   方の基板の液晶側の面に、その一方向に延在しこの方向
   と交差する方向に並設されるゲート信号線とこれらゲー
   ト信号線と交差する方向に延在しこの方向と交差する方
   向に並設されるドレイン信号線とで囲まれた領域を画素
   領域とし、 この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって
   作動するスイッチング素子と、このスイッチング素子を
   介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素
   電極とを備え、 前記画素領域のピッチは６５μｍ以下に設定されている
   とともに、前記液晶はネマテック型でそのカイラルピッ
   チが前記画素領域のピッチ以下に設定されていることを
   特徴とする液晶表示装置。
8. 【請求項８】 液晶を介して対向配置される各基板の一
   方の基板の液晶側の面に、その一方向に延在しこの方向
   と交差する方向に並設されるゲート信号線とこれらゲー
   ト信号線と交差する方向に延在しこの方向と交差する方
   向に並設されるドレイン信号線とで囲まれた領域を画素
   領域とし、 この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって
   作動するスイッチング素子と、このスイッチング素子を
   介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素
   電極とを備え、 前記画素領域のピッチは６５μｍ以下に設定されている
   とともに、前記液晶はネマテック型でそのカイラルピッ
   チが画素領域のピッチ以下で、画素領域のピッチ×０．
   ８以上に設定されていることを特徴とする液晶表示装
   置。