JP2003031614A - Semiconductor device, semiconductor module and method of mounting the device and the module - Google Patents

Semiconductor device, semiconductor module and method of mounting the device and the module

Info

Publication number
JP2003031614A
JP2003031614A JP2001214486A JP2001214486A JP2003031614A JP 2003031614 A JP2003031614 A JP 2003031614A JP 2001214486 A JP2001214486 A JP 2001214486A JP 2001214486 A JP2001214486 A JP 2001214486A JP 2003031614 A JP2003031614 A JP 2003031614A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
mounting
solder balls
semiconductor
solder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2001214486A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshiki Fukuda
圭基 福田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2001214486A priority Critical patent/JP2003031614A/en
Publication of JP2003031614A publication Critical patent/JP2003031614A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/14Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/14Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/14Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H01L2224/145Material
    • H01L2224/14505Bump connectors having different materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0103Zinc [Zn]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01075Rhenium [Re]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the occurrence of erroneous mounting of a semiconductor device and semiconductor module. SOLUTION: A first solder ball 13 and a second solder ball 14 of different fusing points are joined to each connecting electrode 12 provided at the rear surface of a semiconductor package 11 of the semiconductor device 10. The first solder ball 13 of lower fusing point is provided in the external circumferential side of the semiconductor device 10, while the second solder ball 14 of higher fusing point in the internal circumferential side. A contact point 22 is provided on a base substrate 21, the semiconductor device 10 is allocated on a mounting substrate 20 in which solder paste 23 is printed on the contact point 22, and a reflow soldering process is conducted in which the semiconductor device 10 is heated up to a first temperature at which the first solder ball 13 is fused and is then heated up to a second temperature at which the second solder ball 14 and solder paste 23 are fused.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、実装面側の接続電
極に半田ボールが設けられた半導体デバイス、一方の面
側に半導体デバイスを実装され他方の面側の接続電極に
半田ボールが設けられた半導体モジュール及びこれらの
実装方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device in which a solder ball is provided on a connecting electrode on the mounting surface side, a semiconductor device is mounted on one surface side, and a solder ball is provided on a connecting electrode on the other surface side. And a mounting method for these.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、電子機器の小型軽量化の流れは益
々著しくなってきており、使用される電子部品、特に半
導体デバイスは、高機能集積化、信号処理の高速化、メ
モリ容量の増大といった高性能化が図られている一方
で、電子機器の小型化に伴い部品を小型化し、実装基板
上での部品実装面積を小さく抑える努力がなされてい
る。
2. Description of the Related Art In recent years, the trend toward smaller and lighter electronic devices has become more and more remarkable, and the electronic components used, especially semiconductor devices, are highly integrated, the signal processing speed is increased, and the memory capacity is increased. While higher performance has been achieved, efforts have been made to reduce the size of components and the component mounting area on the mounting substrate to be small with the miniaturization of electronic devices.

【0003】従来、半導体デバイスのパッケージ形状と
しては、QFP(Quad Flat Package)のように、接続
電極となるリード線がパッケージの側面からガルウィン
グ形状に引き出されたものが多かったが、近年では、B
GA(Ball Grid Array)、LGA(Land Grid Arra
y)、LCC(Landless Chip Carrier)、QFN(Quad
Flat No Lead Package)等のようにパッケージの下面又
は側面に接続電極を設けた半導体デバイスが多用される
ようになってきている。
Conventionally, as a package shape of a semiconductor device, a lead wire serving as a connecting electrode is often drawn out in a gull wing shape from the side surface of the package like a QFP (Quad Flat Package).
GA (Ball Grid Array), LGA (Land Grid Arra)
y), LCC (Landless Chip Carrier), QFN (Quad
Semiconductor devices in which a connection electrode is provided on the lower surface or the side surface of a package such as a Flat No Lead Package) have been widely used.

【0004】上述したような半導体デバイスは、実装基
板への実装面積をを小さくすることができることにより
実装基板の電気配線を短くすることができ、回路の電気
特性を向上させることができる。
In the semiconductor device as described above, since the mounting area on the mounting board can be reduced, the electric wiring of the mounting board can be shortened and the electrical characteristics of the circuit can be improved.

【0005】ここで、上述したBGA型の半導体デバイ
スと、この半導体デバイスを実装基板へ実装する方法を
図面を参照して説明する。半導体デバイス50は、図1
3及び図14に示すように、半導体素子からなる半導体
チップを内蔵した半導体パッケージ51の背面に複数の
接続電極52が設けられ、各接続電極52に半田ボール
53が設けられている。実装基板60は、図15及び図
16に示すように、ベース基板61の実装面に複数の接
点62が設けられている。
Now, the above-mentioned BGA type semiconductor device and a method of mounting the semiconductor device on a mounting board will be described with reference to the drawings. The semiconductor device 50 is shown in FIG.
As shown in FIGS. 3 and 14, a plurality of connection electrodes 52 are provided on the back surface of a semiconductor package 51 having a semiconductor chip made of a semiconductor element, and solder balls 53 are provided on each connection electrode 52. As shown in FIGS. 15 and 16, the mounting substrate 60 is provided with a plurality of contacts 62 on the mounting surface of the base substrate 61.

【0006】まず、図17に示すように、ベース基板6
1の接点62上に半田ペースト63を印刷する。次に、
図18に示すように、半田ペースト63と半田ボール5
3とがそれぞれ対向するように、実装基板60上に半導
体デバイス50を接合する。
First, as shown in FIG. 17, the base substrate 6
The solder paste 63 is printed on the first contact 62. next,
As shown in FIG. 18, the solder paste 63 and the solder balls 5
The semiconductor device 50 is bonded onto the mounting substrate 60 such that the semiconductor device 50 and the semiconductor device 3 face each other.

【0007】次に、図19に示すように、半導体デバイ
ス50が接合された実装基板60をリフロー炉で所定の
温度まで過熱することで、半田ボール53及び半田ペー
スト63を一括して溶融し、その後再凝固させる、いわ
ゆるリフロー半田付けを行う。
Next, as shown in FIG. 19, the mounting board 60 to which the semiconductor device 50 is bonded is overheated to a predetermined temperature in a reflow furnace, so that the solder balls 53 and the solder paste 63 are collectively melted, After that, so-called reflow soldering for re-solidifying is performed.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかし、半導体デバイ
スのパッケージの小型化により外形寸法が半導体チップ
のサイズに近づくに伴い、BGA型の接続電極ピッチも
0.8mm、0.5mmと狭ピッチ化の傾向にあり、接
続電極が狭ピッチ化すると、実装基板の接続電極上への
半田ペーストの印刷の位置精度も高くする必要があり、
且つ実装機による半導体デバイスの実装精度も高くする
必要がある。
However, with the miniaturization of the package of the semiconductor device and the external dimensions approaching the size of the semiconductor chip, the pitch of the BGA type connection electrodes is narrowed to 0.8 mm and 0.5 mm. If the pitch of the connection electrodes becomes narrower, it is necessary to increase the positional accuracy of printing the solder paste on the connection electrodes of the mounting board.
In addition, it is necessary to increase the mounting accuracy of the semiconductor device by the mounting machine.

【0009】リフロー半田付け工程において、上述した
ように、半田ボール及び半田ペーストが加熱されたと
き、半田ペーストと半田ボールとが溶融して一体化す
る。しかし、図20乃至図22に示すように、半田ペー
スト63の印刷位置や、半導体デバイス50の実装位置
が適切でない場合には、半田ボール53が本来接続され
る溶融した半田ペースト63と引き合わず、隣接する列
などの誤った位置の溶融した半田ペースト63と引き合
い、半導体デバイス50の実装位置がずれる誤実装が発
生する。
In the reflow soldering process, as described above, when the solder ball and the solder paste are heated, the solder paste and the solder ball are melted and integrated. However, as shown in FIGS. 20 to 22, when the printing position of the solder paste 63 or the mounting position of the semiconductor device 50 is not appropriate, the solder balls 53 do not attract the molten solder paste 63 to which they are originally connected, An erroneous mounting occurs in which the mounting position of the semiconductor device 50 deviates due to attracting the molten solder paste 63 in an erroneous position such as in an adjacent row.

【0010】また、環境負荷を低減していく必要がある
中で、半田ボール、半田ペースト、及びその他の電子部
品、接続電極も無鉛化が進められている。半田ボール及
び半田ペーストの無鉛化により、これらの融点は高くな
り、これらを溶融するためにリフロー半田付け工程にお
ける温度も高くなる。リフロー半田付け工程における温
度上昇により、半導体デバイスや各部品への熱ダメージ
や半田ペーストの酸化等を抑える必要がある難しい状況
の中、簡易な誤実装防止方法が求められてきた。
With the need to reduce the environmental load, lead-free solder balls, solder paste, other electronic components, and connection electrodes are being promoted. Due to the lead-free solder balls and solder paste, their melting points are raised, and the temperature in the reflow soldering process is also raised in order to melt them. In a difficult situation where it is necessary to suppress heat damage to a semiconductor device or each component or oxidation of solder paste due to a temperature rise in the reflow soldering process, a simple erroneous mounting prevention method has been demanded.

【0011】本発明は、上述した問題を鑑みてなされて
なされたものであり、半導体デバイス及び半導体モジュ
ールと実装基板との誤実装を防止し、適切に実装するこ
とが可能な、半導体デバイス、半導体モジュール及びこ
れらの実装方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and it is possible to prevent erroneous mounting between a semiconductor device and a semiconductor module and a mounting board and to mount them properly. It is an object to provide modules and a method of mounting these.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体デバ
イスは、実装面側に、基板に設けられた接点に電気的に
接続される複数個の接続電極が設けられた半導体パッケ
ージを備え、複数個の接続電極には、融点の異なる複数
種の半田ボールが設けられていることを特徴とする。
A semiconductor device according to the present invention comprises a semiconductor package having a plurality of connection electrodes on a mounting surface side, the connection electrodes being electrically connected to contacts provided on a substrate. Each connection electrode is provided with a plurality of types of solder balls having different melting points.

【0013】また、本発明に係る半導体デバイスの実装
方法は、実装面側に、基板に設けられた接点に電気的に
接続される複数個の接続電極が設けられた半導体パッケ
ージを備える半導体デバイスの実装方法であって、接続
電極に融点の異なる複数種の半田ボールを設けるステッ
プと、半田ボールを加熱溶融し、接続電極と接点とを接
続するステップとを有し、半田ボールを加熱溶融するス
テップは、融点の低い半田ボールから順に加熱溶融する
ことを特徴とする。
Further, the semiconductor device mounting method according to the present invention is a semiconductor device provided with a semiconductor package having a plurality of connection electrodes electrically connected to contacts provided on a substrate on the mounting surface side. A mounting method, which comprises a step of providing a plurality of types of solder balls having different melting points on the connection electrodes, a step of heating and melting the solder balls to connect the connection electrodes and the contacts, and a step of heating and melting the solder balls. Are characterized in that they are heated and melted in order from a solder ball having a low melting point.

【0014】さらに、本発明に係る半導体モジュール
は、第1の基板の実装面側に、第2の基板に設けられた
接点に電気的に接続される複数個の接続電極が設けら
れ、第1の基板の他面側に、半導体デバイスを備え、複
数個の接続電極には、融点の異なる複数種の半田ボール
が設けられていることを特徴とする。
Further, in the semiconductor module according to the present invention, a plurality of connection electrodes electrically connected to the contacts provided on the second substrate are provided on the mounting surface side of the first substrate. The semiconductor device is provided on the other surface side of the substrate, and a plurality of types of solder balls having different melting points are provided on the plurality of connection electrodes.

【0015】さらに、本発明に係る半導体モジュールの
実装方法は、第1の基板の実装面側に、第2の基板に設
けられた接点に電気的に接続される複数個の接続電極が
設けられ、第1の基板の他面側に、半導体デバイスを備
える半導体モジュールの実装方法であって、接続電極に
融点の異なる複数種の半田ボールを設けるステップと、
半田ボールを加熱溶融し、接続電極と接点とを接続する
ステップとを有し、半田ボールを加熱溶融するステップ
は、融点の低い半田ボールから順に加熱溶融することを
特徴とする。
Further, in the semiconductor module mounting method according to the present invention, a plurality of connection electrodes electrically connected to the contacts provided on the second substrate are provided on the mounting surface side of the first substrate. A method of mounting a semiconductor module including a semiconductor device on the other surface side of the first substrate, the step of providing a plurality of types of solder balls having different melting points on connection electrodes,
A step of heating and melting the solder ball to connect the connection electrode and the contact, and the step of heating and melting the solder ball is characterized in that the solder balls having a lower melting point are sequentially heated and melted.

【0016】以上のように、本発明によれば、半導体デ
バイスを基板上に実装する際や半導体モジュールを基板
上に実装する際に、互いに融点の異なる複数種の半田ボ
ールを用い、融点が低い半田ボールから先に溶融させ、
融点が高い半田ボールを後から溶融させることにより、
実装位置のずれを修正する。
As described above, according to the present invention, when mounting a semiconductor device on a substrate or mounting a semiconductor module on a substrate, a plurality of types of solder balls having different melting points are used and the melting point is low. Melt the solder balls first,
By melting the high melting point solder balls later,
Correct the mounting position deviation.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明を半導体デバイスを
実装基板に実装する場合に適用して、図面を参照しなが
ら詳細に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention is applied to the case where a semiconductor device is mounted on a mounting board and will be described in detail with reference to the drawings.

【0018】半導体デバイス10は、図1及び図2に示
すように、半導体素子からなる半導体チップを内蔵する
半導体パッケージ11と、半導体チップと電気的に接続
するための電極となる複数個の接続電極12と、各接続
電極12に取り付けられた互いに融点の異なる第1の半
田ボール13及び第2の半田ボール14とを備えてい
る。
As shown in FIGS. 1 and 2, the semiconductor device 10 includes a semiconductor package 11 containing a semiconductor chip made of a semiconductor element and a plurality of connection electrodes serving as electrodes for electrically connecting to the semiconductor chip. 12 and a first solder ball 13 and a second solder ball 14 attached to each connection electrode 12 and having different melting points.

【0019】半導体パッケージ11は、例えば、絶縁物
質であるセラミックスや樹脂等により構成されており、
CPU、RAM、ROM等の各種半導体チップをパッケ
ージしている。
The semiconductor package 11 is made of, for example, an insulating material such as ceramics or resin,
Various semiconductor chips such as CPU, RAM and ROM are packaged.

【0020】各接続電極12は、半導体パッケージ11
の裏面、すなわち実装面にグリッド状に配設されてお
り、各接続電極12が半導体チップの端子として機能す
る。
Each connection electrode 12 is a semiconductor package 11.
Are arranged in a grid on the back surface, that is, the mounting surface, and each connection electrode 12 functions as a terminal of the semiconductor chip.

【0021】第1の半田ボール13及び第2の半田ボー
ル14は、半導体パッケージ11の裏面に配設された各
接続電極12に接合されている。そして、第1の半田ボ
ール13及び第2の半田ボール14は、互いに融点が異
なる構成とされ、第1の半田ボール13と比して第2の
半田ボール14の融点が高い金属組成とされている。
The first solder balls 13 and the second solder balls 14 are joined to the respective connection electrodes 12 arranged on the back surface of the semiconductor package 11. The first solder ball 13 and the second solder ball 14 have different melting points, and the second solder ball 14 has a higher melting point than the first solder ball 13. There is.

【0022】第1の半田ボール13は、半導体デバイス
10の四隅の各接続電極12にそれぞれ3個接合されて
いる。第1の半田ボール13は、例えば、Su−Zn−
Bi系の合金が用いられ、融点は200℃以下とされて
いる。なお、本例では、固相線187℃、液相線197
℃であるSn−8Zn−3Biを用いる。
Three first solder balls 13 are bonded to each of the connection electrodes 12 at the four corners of the semiconductor device 10. The first solder balls 13 are made of, for example, Su-Zn-.
A Bi-based alloy is used, and the melting point is set to 200 ° C. or lower. In this example, solidus line 187 ° C., liquidus line 197
Sn-8Zn-3Bi which is the temperature is used.

【0023】第2の半田ボール14は、上述した第1の
半田ボール13が接合されている以外の各接続電極12
にそれぞれ接合されている。第2の半田ボール14は、
例えば、Sn−Ag−Cu系の合金が用いられ、融点は
220℃以下とされている。なお、本例では、固相線2
17℃、液相線220℃であるSn−3Ag−0.5C
uを用いる。
The second solder balls 14 are connected to the respective connection electrodes 12 other than the first solder balls 13 described above.
Are joined to each. The second solder ball 14 is
For example, a Sn-Ag-Cu based alloy is used, and the melting point is 220 ° C or lower. In this example, the solidus line 2
Sn-3Ag-0.5C that has a liquidus of 220 ° C at 17 ° C
u is used.

【0024】なお、図2は、図1に示す半導体デバイス
10の側面図であり、半導体パッケージ11の背面に接
続電極12、接続電極12に第1の半田ボール13及び
第2の半田ボール14が接合されている状態を示す。
FIG. 2 is a side view of the semiconductor device 10 shown in FIG. 1, in which the connection electrodes 12 are provided on the back surface of the semiconductor package 11, and the first solder balls 13 and the second solder balls 14 are provided on the connection electrodes 12. The state of being joined is shown.

【0025】実装基板20は、図3及び図4に示すよう
に、ベースとなるベース基板21と、ベース基板21上
に配設された図示しない他のデバイス等と電気的に接続
するための電極となる複数個の接点22とを備えてい
る。
As shown in FIGS. 3 and 4, the mounting substrate 20 is an electrode for electrically connecting a base substrate 21 serving as a base and other devices (not shown) disposed on the base substrate 21. And a plurality of contact points 22 that

【0026】ベース基板21は、例えば、プリント配線
板であり、樹脂等の絶縁体により構成された基板に電気
配線が形成されている。なお、ベース基板21として
は、多層基板であってもよい。
The base substrate 21 is, for example, a printed wiring board, and electric wiring is formed on a substrate made of an insulating material such as resin. The base substrate 21 may be a multi-layer substrate.

【0027】各接点22は、ベース基板21の表面、す
なわち実装面にグリッド状に配設されており、各接点2
2がそれぞれ電気配線に接続されている。また、各接点
22は、それぞれ上述した半導体デバイス10の接続電
極12に対応した位置に設けられている。
The contacts 22 are arranged in a grid on the surface of the base substrate 21, that is, the mounting surface.
2 are each connected to the electric wiring. Further, each contact 22 is provided at a position corresponding to the connection electrode 12 of the semiconductor device 10 described above.

【0028】上述したような半導体デバイス10と実装
基板20とを用いて、実装基板20上に半導体デバイス
10を実装する際には、図5に示すように、接点22に
半田ペースト23を印刷し、図6に示すように、半導体
デバイス10の第1の半田ボール13及び第2の半田ボ
ール14と実装基板20の半田ペースト23とを対向さ
せて実装基板20上に半導体デバイス10を設置し、第
1の半田ボール13、第2の半田ボール14及び半田ペ
ースト23を溶融させ再凝固させる。これにより、各接
続電極12と各接点22とが電気的に接続され、且つ半
導体デバイス10と実装基板20とが機械的に接続され
ることとなる。
When the semiconductor device 10 is mounted on the mounting board 20 using the semiconductor device 10 and the mounting board 20 as described above, the solder paste 23 is printed on the contacts 22 as shown in FIG. As shown in FIG. 6, the semiconductor device 10 is placed on the mounting substrate 20 with the first solder balls 13 and the second solder balls 14 of the semiconductor device 10 facing the solder paste 23 of the mounting substrate 20, The first solder balls 13, the second solder balls 14, and the solder paste 23 are melted and re-solidified. As a result, each connection electrode 12 and each contact 22 are electrically connected, and the semiconductor device 10 and the mounting substrate 20 are mechanically connected.

【0029】ここで、半田ペースト23は、上述した第
1の半田ボール13よりも融点が高く、第2の半田ボー
ル14と略同等の融点であることが好ましい。そこで、
本例では、上述したSn−3Ag−0.5Cuや、固相
線214℃、液相線221℃であるSn−2.5Ag−
1Bi−0.5Cu等を用いる。
Here, it is preferable that the solder paste 23 has a melting point higher than that of the above-mentioned first solder ball 13 and substantially the same as that of the second solder ball 14. Therefore,
In the present example, the above-mentioned Sn-3Ag-0.5Cu and Sn-2.5Ag- having a solidus line of 214 ° C and a liquidus line of 221 ° C are used.
1Bi-0.5Cu or the like is used.

【0030】以下、実装基板20に半導体デバイス10
を実装する方法について図7に示すフローチャートに基
づき説明する。
Hereinafter, the semiconductor device 10 is mounted on the mounting substrate 20.
A method of implementing will be described based on the flowchart shown in FIG.

【0031】まず、ステップS1において、図5に示す
ように、ベース基板21上にグリッド状に設けられた複
数個の接続端子22上に、各接続端子22に対応した開
口部を有する図示しないマスクによりベース基板21を
覆い、スキジー等で半田ペースト23を印刷し、各接続
端子22に対応した半田ペースト23の層を形成する。
First, in step S1, as shown in FIG. 5, a mask (not shown) having openings corresponding to the connection terminals 22 on a plurality of connection terminals 22 provided in a grid pattern on the base substrate 21. The base substrate 21 is covered with and the solder paste 23 is printed by squeegee or the like to form a layer of the solder paste 23 corresponding to each connection terminal 22.

【0032】次に、ステップS2において、図8に示す
ように、第1の半田ボール13及び第2の半田ボール1
4と、半田ペースト23とが対向するように、実装基板
20上の対応する位置へ半導体デバイス10を設置す
る。
Next, in step S2, as shown in FIG. 8, the first solder ball 13 and the second solder ball 1
4 and the solder paste 23 are opposed to each other, the semiconductor device 10 is installed at a corresponding position on the mounting substrate 20.

【0033】次に、ステップS3において、半導体デバ
イス10が設置された実装基板20をリフロー炉内に挿
入し、140℃乃至160℃程度まで加熱する、いわゆ
るプリヒーティングを行う。
Next, in step S3, so-called preheating is performed in which the mounting substrate 20 on which the semiconductor device 10 is installed is inserted into a reflow furnace and heated to about 140 ° C. to 160 ° C.

【0034】次に、ステップS4において、さらに第1
の温度である200℃まで加熱する。これにより、第1
の半田ボール13は、図9に示すように溶融し、液化す
ることにより、接続電極12と接点22とが正確に対向
する方向、すなわち図9中の矢印T方向へ半導体デバ
イス10に対して張力を加える。
Next, in step S4, the first
To 200 ° C. which is the temperature of This makes the first
As shown in FIG. 9, the solder ball 13 of FIG. 9 is melted and liquefied, so that the connection electrode 12 and the contact point 22 face each other exactly, that is, the arrow T 1 direction in FIG. Apply tension.

【0035】次に、ステップS5において、さらに第2
の温度である250℃まで加熱する。これにより、図1
0に示すように、第2の半田ボール14と半田ペースト
23とが溶融し、対応する接続電極12と接点22とを
接続する。この際に、半導体デバイス10は、第1の半
田ボール13により張力が加えられているので、第2の
半田ボール14及び半田ペース23が溶融すると同時
に、この張力により適正な位置へ、すなわち図10中の
矢印T方向にシフトする。
Next, in step S5, the second
It is heated to the temperature of 250 ° C. As a result,
As shown in 0, the second solder ball 14 and the solder paste 23 are melted and connect the corresponding connection electrode 12 and the contact 22. At this time, since tension is applied to the semiconductor device 10 by the first solder balls 13, the second solder balls 14 and the solder pace 23 are melted, and at the same time, the tension causes an appropriate position, that is, FIG. Shift in the direction of the inner arrow T 2 .

【0036】次に、ステップS6において、半導体デバ
イス10が設置された実装基板20を室温まで冷却する
ことにより、図11に示すように、一体化した第1の半
田ボール13、第2の半田ボール14及び半田ペースト
23が再凝固する。これにより、半導体デバイス10
は、実装基板20と電気的に及び機械的に接続され、実
装基板20に実装される。
Next, in step S6, the mounting board 20 on which the semiconductor device 10 is installed is cooled to room temperature, and as shown in FIG. 11, the integrated first solder balls 13 and second solder balls 13 are formed. 14 and the solder paste 23 are solidified again. Thereby, the semiconductor device 10
Are electrically and mechanically connected to the mounting board 20 and are mounted on the mounting board 20.

【0037】以上のように、融点の低い第1の半田ボー
ル13を先に溶融し、液化した第1の半田ボール13の
表面張力により実装基板20上の半導体デバイス10に
張力を加えておき、その後第2の半田ボール14及び半
田ペースト23を溶融することにより、第2の半田ボー
ル14及び半田ペースト23が溶融すると同時に張力に
より半導体デバイス10がシフトし、それぞれ対応する
接続電極12及び接点22とが接合する。そして、これ
ら第1の半田ボール13、第2の半田ボール14及び半
田ペースト23の混合半田を冷却することにより、この
混合半田が再凝固して適切な半導体デバイス10の実装
を行うことができる。
As described above, the first solder balls 13 having a low melting point are first melted, and the surface tension of the liquefied first solder balls 13 applies tension to the semiconductor device 10 on the mounting substrate 20. Then, by melting the second solder balls 14 and the solder paste 23, the second solder balls 14 and the solder paste 23 are melted, and at the same time, the semiconductor device 10 is shifted by the tension, so that the connection electrodes 12 and the contact points 22 corresponding to each other are formed. Join together. Then, by cooling the mixed solder of the first solder ball 13, the second solder ball 14 and the solder paste 23, the mixed solder is re-solidified and the semiconductor device 10 can be properly mounted.

【0038】以上のように、本例では、半導体デバイス
10を実装基板20に実装する際に、半導体デバイス1
0に設けられたBGAのうち四隅の第1の半田ボール1
3と内周側の第2の半田ボール14との融点が異なり、
第2の半田ボール14に対して第1の半田ボール13の
融点が低いために、四隅の第1の半田ボール13が先に
溶融し、半導体デバイス10を適切な位置へ動かす方向
に張力を発生させる。このため、内周側の第2の半田ボ
ール14及び半田ペースト23が溶融すると同時にずれ
を修正する方向に半導体デバイス10がシフトし、それ
ぞれ対応する接続端子12と接続端子22とを接続する
ことができる。
As described above, in this example, when the semiconductor device 10 is mounted on the mounting substrate 20, the semiconductor device 1
The first solder balls 1 at the four corners of the BGA provided at 0
3 and the second solder ball 14 on the inner peripheral side have different melting points,
Since the melting points of the first solder balls 13 are lower than that of the second solder balls 14, the first solder balls 13 at the four corners are first melted and a tension is generated in a direction to move the semiconductor device 10 to an appropriate position. Let Therefore, the second solder balls 14 and the solder paste 23 on the inner peripheral side are melted, and at the same time, the semiconductor device 10 is shifted in a direction of correcting the deviation, and the corresponding connection terminals 12 and 22 can be connected to each other. it can.

【0039】また、本例は、接続電極12及び接点22
の幅、すなわち電極ピッチが狭いBGA型の半導体デバ
イス10を、実装基板20上の誤った位置へ半田付けし
てしまう、誤実装を低減することができる。
Further, in this example, the connection electrode 12 and the contact 22 are
It is possible to reduce erroneous mounting in which the BGA type semiconductor device 10 having a narrow width, that is, an electrode pitch is soldered to an erroneous position on the mounting substrate 20.

【0040】さらに、本例は、半導体デバイス10の誤
実装の低減により、再実装の手間を省くことができ、且
つ再実装の際にリフロー半田付け工程において各部が熱
ダメージを受けることを防止することができる。
Further, in the present example, since the erroneous mounting of the semiconductor device 10 is reduced, the re-mounting work can be omitted, and each part is prevented from being damaged by heat in the reflow soldering process. be able to.

【0041】さらに、本例は、上述したように、第1の
半田ボール13、第2の半田ボール14及び半田ペース
ト23の無鉛化により環境に憂慮し、且つ無鉛化に伴う
リフロー半田付け工程の温度上昇を抑え、温度上昇を抑
えたことにより半田ペースト23等の酸化を抑えること
ができる。
Further, in this example, as described above, the first solder balls 13, the second solder balls 14, and the solder paste 23 are lead-free, and the environment is concerned, and the reflow soldering process accompanying the lead-free process is performed. It is possible to suppress the temperature rise, and to suppress the oxidation of the solder paste 23 and the like by suppressing the temperature rise.

【0042】さらに、本例は、従来と比して各部の構成
を大きく変えることなく、一部の接続電極12に接合す
る第1の半田ボール13の金属組成を第2の半田ボール
14とは異ならせるといった容易な方法で上述の改善を
可能にするため、製造コストの低減や製造される部品の
信頼性を向上させることができる。
Furthermore, in this example, the metal composition of the first solder ball 13 bonded to a part of the connection electrodes 12 is different from that of the second solder ball 14 without largely changing the configuration of each part as compared with the prior art. Since the above-mentioned improvement can be made by an easy method such as differentiating, the manufacturing cost can be reduced and the reliability of the manufactured parts can be improved.

【0043】さらに、本例は、実装基板20や、半田ペ
ースト23といった実装に用いる材料や、リフロー炉と
いった設備を変えることなく、上述の改善を可能にする
ため、部品実装の現場におけるコスト及び信頼性の面で
の変化が小さく有利である。
Further, in this example, the above-described improvement can be made without changing the mounting substrate 20, the material used for mounting such as the solder paste 23, and the equipment such as the reflow furnace. It is advantageous because the change in sex is small.

【0044】さらに、本例は、第2の半田ボール14に
対して融点が低い第1の半田ボール13を半導体パッケ
ージ11の四隅に3個ずつ設けるとしているが、第1の
半田ボール13を設ける場所、個数に限定されるもので
はなく、例えば、外周全て第1の半田ボール13を設け
るとしてもよいし、内周部にも第1の半田ボール13を
設けるようにしてもよい。
Further, in this example, three first solder balls 13 having a lower melting point than the second solder balls 14 are provided at four corners of the semiconductor package 11, but the first solder balls 13 are provided. The location and number are not limited, and for example, the first solder balls 13 may be provided on the entire outer circumference, or the first solder balls 13 may be provided on the inner circumference.

【0045】なお、上述では、2種類の半田ボールを用
いているが、3種類以上の半田ボールを用いても同様の
効果を得ることができる。
Although two types of solder balls are used in the above description, the same effect can be obtained by using three or more types of solder balls.

【0046】なお、上述では、本発明を半導体デバイス
10を実装基板20に実装する場合に適用して説明した
が、例えば、半導体デバイスや各種の電子部品を実装基
板の一面に実装し、他面側に接続電極を設け、この接続
電極上に半田ボールを設けた半導体モジュールを、さら
に他の実装基板に実装する場合にも上述と同様に適用す
ることができる。
In the above description, the present invention is applied to the case where the semiconductor device 10 is mounted on the mounting board 20, but, for example, the semiconductor device and various electronic parts are mounted on one surface of the mounting board and the other surface thereof is mounted. The same can be applied to the case where the semiconductor module in which the connection electrode is provided on the side and the solder ball is provided on this connection electrode is further mounted on another mounting substrate.

【0047】[0047]

【発明の効果】上述したように、本発明は、異なる融点
とされた複数種の半田ボールを用いて、半導体デバイス
や半導体モジュールを基板上に実装することにより、リ
フロー半田付け工程において、融点の低い半田ボールが
溶融する温度まで加熱することにより、溶融した半田ボ
ールの張力によって、半導体デバイスや半導体モジュー
ルを適切な位置に動かそうとする張力を発生させる。さ
らに、融点の最も高い半田ボールが溶融する温度まで加
熱することにより、全ての半田ボール及び半田ペースト
が溶融し、半田ボールの張力により半導体デバイスを適
切な位置に戻すことができる。
As described above, according to the present invention, a plurality of types of solder balls having different melting points are used to mount a semiconductor device or a semiconductor module on a substrate, so that the melting point of the melting point is changed in the reflow soldering process. By heating to a temperature at which a low solder ball melts, the tension of the melted solder ball generates a tension that tends to move the semiconductor device or semiconductor module to an appropriate position. Further, by heating to a temperature at which the solder ball having the highest melting point is melted, all the solder balls and the solder paste are melted, and the tension of the solder ball can return the semiconductor device to an appropriate position.

【0048】これにより、上述した実装方法により半導
体デバイスや半導体モジュールの誤実装を低減させ、生
産性を向上させることができる。
As a result, it is possible to reduce erroneous mounting of semiconductor devices and semiconductor modules by the mounting method described above and improve productivity.

【0049】また、誤実装の低減により、半導体デバイ
スや半導体モジュールを再実装する際に、半導体デバイ
スや半導体モジュールが受ける熱ダメージを回避するこ
とができるため、半導体デバイスや半導体モジュールの
信頼性が向上する。
Further, by reducing the erroneous mounting, it is possible to avoid the thermal damage to the semiconductor device or the semiconductor module when the semiconductor device or the semiconductor module is remounted, so that the reliability of the semiconductor device or the semiconductor module is improved. To do.

【0050】また、部品の構成を大きく変えることな
く、一部の接続電極に接合する半田ボールの金属組成を
他の部分に設ける半田ボールと変えるといった容易な方
法で、上述の改善を可能にするため、部品製造コストの
低減や製造される部品の信頼性が向上する。
Further, the above-mentioned improvement is made possible by an easy method such as changing the metal composition of the solder balls joined to some of the connecting electrodes from the solder balls provided in the other parts without largely changing the structure of the parts. Therefore, the cost of manufacturing the parts is reduced and the reliability of the manufactured parts is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明を適用した半導体デバイスの裏面側の概
略構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a back surface side of a semiconductor device to which the present invention is applied.

【図2】同半導体デバイスの概略構成を示す側面図であ
る。
FIG. 2 is a side view showing a schematic configuration of the same semiconductor device.

【図3】実装基板の概略構成を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a schematic configuration of a mounting board.

【図4】実装基板の概略構成を示す側面図である。FIG. 4 is a side view showing a schematic configuration of a mounting board.

【図5】半導体デバイスの実装手順を示す図であり、実
装基板上の接続電極上に半田ペーストを印刷した状態を
示す側面図である。
FIG. 5 is a diagram showing a mounting procedure of the semiconductor device, and is a side view showing a state in which a solder paste is printed on the connection electrodes on the mounting substrate.

【図6】半導体デバイスの実装手順を示す図であり、実
装基板上に半導体デバイスを配置する状態を示す側面図
である。
FIG. 6 is a view showing a mounting procedure of the semiconductor device, and is a side view showing a state in which the semiconductor device is arranged on the mounting substrate.

【図7】実装基板上に半導体デバイスを実装する際の流
れを示すフローチャートである。
FIG. 7 is a flowchart showing a flow of mounting a semiconductor device on a mounting board.

【図8】半導体デバイスの実装手順を示す図であり、実
装基板上の接点上に半導体デバイスを配置した状態を示
す側面図である。
FIG. 8 is a view showing a mounting procedure of the semiconductor device, and is a side view showing a state where the semiconductor device is arranged on the contact on the mounting substrate.

【図9】半導体デバイスの実装手順を示す図であり、実
装基板及び半導体デバイスをリフロー炉により第1の温
度まで加熱した状態を示す側面図である。
FIG. 9 is a view showing a mounting procedure of the semiconductor device, and is a side view showing a state where the mounting substrate and the semiconductor device are heated to a first temperature by a reflow furnace.

【図10】半導体デバイスの実装手順を示す図であり、
実装基板及び半導体デバイスをリフロー炉により第2の
温度まで加熱した状態を示す側面図である。
FIG. 10 is a diagram showing a mounting procedure of a semiconductor device,
It is a side view showing the state where the mounting board and the semiconductor device were heated to the second temperature by the reflow furnace.

【図11】半導体デバイスの実装手順を示す図であり、
実装基板及び半導体デバイスを室温まで冷却し、各半田
ボール及び半田ペーストが再凝固した状態を示す側面図
である。
FIG. 11 is a diagram showing a mounting procedure of a semiconductor device,
FIG. 6 is a side view showing a state where the mounting board and the semiconductor device are cooled to room temperature and each solder ball and solder paste are re-solidified.

【図12】リフロー半田付けを行う際の、時間ごとの温
度変化を示すグラフである。
FIG. 12 is a graph showing a temperature change with time when performing reflow soldering.

【図13】従来の半導体デバイスの裏面側の概略構成を
示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing a schematic configuration of a back surface side of a conventional semiconductor device.

【図14】従来の半導体デバイスの概略構成を示す側面
図である。
FIG. 14 is a side view showing a schematic configuration of a conventional semiconductor device.

【図15】従来の実装基板の概略構成を示す平面図であ
る。
FIG. 15 is a plan view showing a schematic configuration of a conventional mounting board.

【図16】従来の実装基板の概略構成を示す側面図であ
る。
FIG. 16 is a side view showing a schematic configuration of a conventional mounting board.

【図17】従来の半導体デバイスの実装手順を示す図で
あり、実装基板上に設けられた接続電極上に半田ペース
トを印刷した状態を示す側面図である。
FIG. 17 is a view showing a mounting procedure of a conventional semiconductor device, and is a side view showing a state in which a solder paste is printed on a connection electrode provided on a mounting substrate.

【図18】従来の半導体デバイスの実装手順を示す図で
あり、実装基板上に半導体デバイスを配置した状態を示
す側面図である。
FIG. 18 is a view showing a mounting procedure of a conventional semiconductor device, which is a side view showing a state where the semiconductor device is arranged on a mounting substrate.

【図19】従来の半導体デバイスの実装手順を示す図で
あり、実装基板上に半導体デバイスが実装された状態を
示す側面図である。
FIG. 19 is a diagram showing a conventional semiconductor device mounting procedure, and is a side view showing a state in which the semiconductor device is mounted on a mounting substrate.

【図20】従来の半導体デバイスの実装手順を示す図で
あり、実装基板上に設けられた接点上に半導体デバイス
を配置した際に、実装位置がずれた状態を示す側面図で
ある。
FIG. 20 is a view showing a mounting procedure of a conventional semiconductor device, and is a side view showing a state where a mounting position is displaced when the semiconductor device is arranged on a contact provided on a mounting substrate.

【図21】従来の半導体デバイスの実装手順を示す図で
あり、実装基板及び半導体デバイスをリフロー炉により
所定の温度まで加熱した状態を示す側面図である。
FIG. 21 is a diagram showing a mounting procedure of a conventional semiconductor device, and is a side view showing a state where a mounting substrate and a semiconductor device are heated to a predetermined temperature by a reflow furnace.

【図22】従来の半導体デバイスの実装手順を示す図で
あり、実装基板及び半導体デバイスを室温まで冷却し、
各半田ボール及び半田ペーストが再凝固した状態を示す
側面図である。
FIG. 22 is a diagram showing a conventional semiconductor device mounting procedure, in which the mounting substrate and the semiconductor device are cooled to room temperature,
It is a side view which shows the state which each solder ball and solder paste re-solidified.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 半導体デバイス、11 半導体パッケージ、12
接続電極、13 第1の半田ボール、14 第2の半
田ボール、20 実装基板、21 ベース基板、22
接点、23 半田ペースト
10 semiconductor devices, 11 semiconductor packages, 12
Connection electrode, 13 first solder ball, 14 second solder ball, 20 mounting substrate, 21 base substrate, 22
Contacts, 23 solder paste

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 実装面側に、基板に設けられた接点に電
気的に接続される複数個の接続電極が設けられた半導体
パッケージを備え、 上記複数個の接続電極には、融点の異なる複数種の半田
ボールが設けられていることを特徴とする半導体デバイ
ス。
1. A semiconductor package having, on the mounting surface side, a plurality of connection electrodes electrically connected to contacts provided on a substrate, wherein the plurality of connection electrodes have a plurality of melting points. A semiconductor device having a kind of solder ball.
【請求項2】 上記複数個の接続電極には、外周に向か
うに連れて融点の低い半田ボールが設けられていること
を特徴とする請求項1記載の半導体デバイス。
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the plurality of connection electrodes are provided with solder balls having a lower melting point toward the outer circumference.
【請求項3】 実装面側に、基板に設けられた接点に電
気的に接続される複数個の接続電極が設けられた半導体
パッケージを備える半導体デバイスの実装方法におい
て、 上記複数個の接続電極に融点の異なる複数種の半田ボー
ルを設けるステップと、 上記半田ボールを加熱溶融し、上記接続電極と上記接点
とを接続するステップとを有し、 上記半田ボールを加熱溶融するステップは、融点の低い
半田ボールから順に加熱溶融することを特徴とする半導
体デバイスの実装方法。
3. A method for mounting a semiconductor device, comprising a semiconductor package, on a mounting surface side of which is provided a plurality of connection electrodes electrically connected to contacts provided on a substrate, wherein: The step of providing a plurality of types of solder balls having different melting points, the step of heating and melting the solder balls to connect the connection electrodes and the contacts, and the step of heating and melting the solder balls has a low melting point. A method for mounting a semiconductor device, which comprises sequentially heating and melting solder balls.
【請求項4】 上記複数個の接続電極には、外周に向か
うに連れて融点の低い半田ボールを設けることを特徴と
する請求項3記載の半導体デバイスの実装方法。
4. The method of mounting a semiconductor device according to claim 3, wherein the plurality of connection electrodes are provided with solder balls having a lower melting point toward the outer circumference.
【請求項5】 第1の基板の実装面側に、第2の基板に
設けられた接点に電気的に接続される複数個の接続電極
が設けられ、第1の基板の他面側に半導体デバイスを備
え、 上記複数個の接続電極には、融点の異なる複数種の半田
ボールが設けられていることを特徴とする半導体モジュ
ール。
5. A plurality of connection electrodes electrically connected to contacts provided on the second substrate are provided on the mounting surface side of the first substrate, and the semiconductor is provided on the other surface side of the first substrate. A semiconductor module comprising a device, wherein a plurality of types of solder balls having different melting points are provided on the plurality of connection electrodes.
【請求項6】 上記複数個の接続電極には、外周に向か
うに連れて融点の低い半田ボールが設けられていること
を特徴とする請求項5記載の半導体モジュール。
6. The semiconductor module according to claim 5, wherein the plurality of connection electrodes are provided with solder balls having a lower melting point toward the outer circumference.
【請求項7】 第1の基板の実装面側に、第2の基板に
設けられた接点に電気的に接続される複数個の接続電極
が設けられ、第1の基板の他面側に半導体デバイスを備
える半導体モジュールの実装方法において、 上記接続電極に融点の異なる複数種の半田ボールを設け
るステップと、 上記半田ボールを加熱溶融し、上記接続電極と上記接点
とを接続するステップとを有し、 上記半田ボールを加熱溶融するステップは、融点の低い
半田ボールから順に加熱溶融することを特徴とする半導
体モジュールの実装方法。
7. A mounting surface of the first substrate is provided with a plurality of connection electrodes electrically connected to contacts provided on the second substrate, and a semiconductor is provided on the other surface of the first substrate. In a method of mounting a semiconductor module including a device, the method includes the steps of providing a plurality of kinds of solder balls having different melting points on the connection electrode, and heating and melting the solder ball to connect the connection electrode and the contact. The method of mounting a semiconductor module, wherein the step of heating and melting the solder balls is performed by sequentially heating and melting the solder balls having a low melting point.
【請求項8】 上記複数個の接続電極には、外周に向か
うに連れて融点の低い半田ボールを設けることを特徴と
する請求項7記載の半導体モジュールの実装方法。
8. The method of mounting a semiconductor module according to claim 7, wherein solder balls having a lower melting point are provided on the plurality of connection electrodes toward the outer circumference.
JP2001214486A 2001-07-13 2001-07-13 Semiconductor device, semiconductor module and method of mounting the device and the module Withdrawn JP2003031614A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001214486A JP2003031614A (en) 2001-07-13 2001-07-13 Semiconductor device, semiconductor module and method of mounting the device and the module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001214486A JP2003031614A (en) 2001-07-13 2001-07-13 Semiconductor device, semiconductor module and method of mounting the device and the module

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003031614A true JP2003031614A (en) 2003-01-31

Family

ID=19049291

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001214486A Withdrawn JP2003031614A (en) 2001-07-13 2001-07-13 Semiconductor device, semiconductor module and method of mounting the device and the module

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003031614A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7787257B2 (en) 2008-02-05 2010-08-31 Fujitsu Limited Printed wiring board unit
CN104811889A (en) * 2015-03-26 2015-07-29 华天科技(西安)有限公司 MEMS microphone packaging device and assembling method thereof
CN107756816A (en) * 2017-11-20 2018-03-06 芜湖顺荣汽车部件有限公司 Hot melten type fuel tank adpting flange
US9985008B2 (en) 2016-04-28 2018-05-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of fabricating a semiconductor package

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7787257B2 (en) 2008-02-05 2010-08-31 Fujitsu Limited Printed wiring board unit
CN104811889A (en) * 2015-03-26 2015-07-29 华天科技(西安)有限公司 MEMS microphone packaging device and assembling method thereof
CN104811889B (en) * 2015-03-26 2021-08-10 华天科技(西安)有限公司 Assembling method of MEMS microphone packaging device
US9985008B2 (en) 2016-04-28 2018-05-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of fabricating a semiconductor package
CN107756816A (en) * 2017-11-20 2018-03-06 芜湖顺荣汽车部件有限公司 Hot melten type fuel tank adpting flange

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6486411B2 (en) Semiconductor module having solder bumps and solder portions with different materials and compositions and circuit substrate
US5057969A (en) Thin film electronic device
JP5649805B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
US7604152B2 (en) Method for manufacturing a printed circuit board for electronic devices and an electronic device using the same
US5926731A (en) Method for controlling solder bump shape and stand-off height
US5115964A (en) Method for bonding thin film electronic device
JP2003031614A (en) Semiconductor device, semiconductor module and method of mounting the device and the module
US20220102330A1 (en) Semiconductor module manufacturing method, electronic equipment manufacturing method, semiconductor module, and electronic equipment
US20190348404A1 (en) Method of manufacturing power semiconductor device and power semiconductor device
US7911062B2 (en) Electronic component with varying rigidity leads using Pb-free solder
US7064451B2 (en) Area array semiconductor device and electronic circuit board utilizing the same
JP2002076605A (en) Semiconductor module and circuit board for connecting semiconductor device
JPH11345826A (en) Semiconductor device, its manufacture, and its mounting method
JP2013258330A (en) Electronic apparatus and manufacturing method of the same
JP2000151086A (en) Printed circuit unit and its manufacture
JP2003249746A (en) Printed wiring board
JPH0758244A (en) Semiconductor package and manufacture thereof
KR101891594B1 (en) Metal layer integrated solder, pcb integrated solder and solder bonding method including the same
JPH1012992A (en) Mounting method and electronic component housing pallet
JP2023082237A (en) printed wiring board
JP2001085832A (en) Method and device for manufacturing electronic component
JP2000151056A (en) Package
JP2001251044A (en) Structure and method for mounting surface-mounting component
JP2003060336A (en) Method for mounting semiconductor device and semiconductor package
JP2004327912A (en) Semiconductor package and semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20081007