JP2003031558A - プラズマ生成装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】プラズマを生成する容器の窓の削れ量を低減
し、窓の長寿命化及びチャンバ内におけるダスト発生を
抑制することができるブラズマ生成装置を提供するこ
と。 【解決手段】チャンバ２１の壁面に形成され、誘電体又
は半導体からなる窓部２４と、窓部２４の外面に沿って
配置された負荷部３０と、負荷部３０に電力を供給する
電源２６ａとを備え、負荷部３０は、導体線路３２とコ
ンデンサ３３とが直列接続された電気回路要素３１が複
数組み合わされて形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスや
液晶パネル上への薄膜素子の製造、あるいは分析、粒子
ビーム生成、加熱等を目的としてプラズマを生成するプ
ラズマ生成装置及びブラズマ処理方法に関し、特に窓の
削れ量を最小限に抑えることができるものに関する。

【０００２】

【従来の技術】図１２は従来の半導体デバイス製造用の
ドライエッチング装置１０の構成を示す図である。ドラ
イエッチング装置１０は、チャンバ１１を備えている。
チャンバ１１には、排気装置１２ａ及びチャンバ１１内
の圧力を調整する圧力調整装置１２ｂが設けられてお
り、ガス導入口１１ａから導入された反応ガスの圧力が
制御されている。なお、図中１２ｃ，１２ｄはチャンバ
１１内の圧力を検知する圧力検出器を示している。チャ
ンバ１１の天井部には開口部１１ｂが設けられ、例えば
石英やアルミナ等の誘電体又はシリコン等の半導体製の
窓１３が取り付けられており、この窓１３の外面に沿っ
てアンテナ部１４が設けられている。アンテナ部１４に
は、整合回路１６ｂを介して高周波電源１６ａが接続さ
れており、高周波電力が供給される。アンテナ部１４は
導体線路から形成されており、その一端はチャンバ１１
と同電位である。チャンバ１１側壁には、被処理体であ
る例えば半導体ウエハＷを出し入れするための搬入出口
１１ｃが設けられている。チャンバ１１内には下部電極
１５ａが設けられ、保持機構１５ｂを介して半導体ウエ
ハＷを載置保持することができる。下部電極１５ａに
は、整合回路１７ｂを介して高周波電源１７ａが接続さ
れ、高周波電力が供給される。

【０００３】なお、高周波電源１６ａ及び１７ａは、制
御部１８によってその出力が独立に制御可能な構成とな
っている。このようなドライエッチング装置１０では、
制御部１８により高周波電源１６ａ及び１７ａのいずれ
か、あるいは両方を駆動することにより、チャンバ１１
内にプラズマＰを生成するようにしている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上述したようなドライ
エッチング装置１０では、以下に説明するような問題が
あった。即ち、チャンバ１１内のプラズマＰの密度を高
めるために、プラズマ生成用のアンテナ部１４に供給す
る電力を大きくすると電圧の振幅が大きくなり、生成さ
れたプラズマＰ内のイオンが窓１３に激しく衝突し、窓
１３が削られることになる。このため、窓１３の交換頻
度が多くなり、生産コストが高くなると共に、作業効率
が低下する。また、窓１３が削られることにより、窓１
３の材料である誘電体或いはシリコン等の半導体のダス
ト、或いはそれらがプラズマＰ中で他の物質と反応して
生成された反応生成物のダストがチャンバ１１内に拡散
し、半導体ウエハＷに付着し、所望の性能が得られない
虞があった。そこで本発明は、チャンバに設けられた窓
の削れ量を低減し、窓の長寿命化及びチャンバ内におけ
るダスト発生を抑制することができるブラズマ生成装置
及びプラズマ処理方法を提供することを目的としてい
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決し目的を
達成するために、本発明のプラズマ生成装置及びプラズ
マ処理方法は次のように構成されている。本発明は、容
器内に誘導電界を発生させることによりプラズマを生成
するプラズマ生成装置において、容器の一部に形成され
た誘電体又は半導体からなる窓部と、窓部の外方に配置
された負荷部と、この負荷部に電力を供給する電力供給
部とを備え、負荷部は、導体線路とコンデンサとが直列
接続された電気回路要素が複数組み合わされて形成され
ており、導体線路と窓部との距離は、導体線路の電圧振
幅の大きさに基づいて決められていることを特徴とす
る。また、導体線路と前記窓部との距離は、前記導体線
路の電圧振幅の大きいところが電圧振幅の小さいところ
より長く設定されていることを特徴とする。更に、コン
デンサの容量、導体線路のインダクタンスは可変である
ことを特徴とする。また、電力供給部は、それぞれ独立
に制御される複数の電力供給装置を備えていることを特
徴とする。更に、導体線路と前記窓部との間の隙間に誘
電体或いはシリコン等の半導体よりなる埋め込み部材を
設けたことを特徴とする。

【０００６】また、本発明は、窓部の外方に、導体線路
とコンデンサとが直列に接続された電気回路要素を複数
組み合わせて形成され、導体線路と窓部との間に、導体
線路の電圧振幅の大きさに基づいた隙間が形成された負
荷部を有する容器内に誘導電界を発生させることでプラ
ズマを生成して処理を行うプラズマ処理方法において、
容器内に被処理体を載置する工程と、容器内を排気する
工程と、容器内に反応ガスを供給する工程と、負荷部に
電力を供給する工程と、負荷部を構成する導体線路の両
端における電圧の振幅がほぼ同じ値になる導体線路のイ
ンダクタンス、負荷部を構成し且つ導体線路に接続され
たコンデンサの容量、または電力の周波数の少なくとも
１つを調整する調整工程とを備えていることを特徴とす
る。

【０００７】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施の形
態に係る半導体デバイス製造用のドライエッチング装置
（プラズマ生成装置）２０を示す図、図２は、後述する
負荷部の詳細を示す図、図３は、後述する電気回路要素
の要部拡大図である。ドライエッチング装置２０は、例
えばアルミニウムやステンレス等の金属製のチャンバ２
１を備えている。チャンバ２１には、排気装置２２ａ及
びチャンバ２１内の圧力を調整する圧力調整装置２２ｂ
が設けられており、ガス導入口２１ａから導入された反
応ガスの圧力を０.０５〜５００Ｐａの範囲で制御でき
る。尚、図中２２ｃ，２２ｄはチャンバ２１内の圧力を
検出する圧力検出器を示している。チャンバ２１の天井
部には開口部２１ｂが設けられ、例えば石英やアルミナ
等の誘電体またはシリコン等の半導体製の窓２４が取り
付けられており、この窓２４の外方に負荷部３０が設置
されている。負荷部３０は、複数の電気回路要素３１を
環状に且つ直列に例えば４組接続されたものであり、電
気回路要素３１は銅又はアルミニウム等の導体製の導体
線路３２とコンデンサ３３を直列接続したものである。
コンデンサ３３は、図３（ａ）に示すように、窓２４表
面から若干（１〜３ｍｍ程度）上方に浮いた状態で位置
しており、これらコンデンサ３３を繋ぐ導体線路３２
は、コンデンサ３３間のほぼ中間位置で窓２４と接する
ように略Ｖ字状をなしている。尚、窓２４と導体線路３
２及びコンデンサ３３との隙間に図３（ｂ）に示すよう
に例えば誘電体或いはシリコン等の半導体などからなる
間隔部材３４を設けることも可能であり、更に導体線路
３２は傾斜状に配置する以外に、階段状に配置させても
良い。つまり、チャンバ２１内で発生するプラズマをよ
り均一化するためには、Ｕ字状であってもＷ字状であっ
ても良く、適宜選択することができる。

【０００８】負荷部３０の一端には整合回路２６ｂを介
して高周波電源２６ａが接続され、他端はチャンバ２１
に接続されている。高周波電源２６ａは数ＭＨｚ〜数百
ＭＨｚの周波数の電力を供給可能であり、所望の電力を
負荷部３０に供給する。チャンバ２１側壁には、被処理
体である例えば半導体ウエハＷを出し入れするための搬
入搬出口２１ｃが設けられている。チャンバ２１内の下
方には下部電極２５ａが設けられ、下部電極２５ａ上に
設けられた保持機構２５ｂにより半導体ウエハＷを載置
保持することができる。また、図１中２５ｃは温度調整
装置を示しており、下部電極２５ａ及び保持機構２５ｂ
の温度を調整する機能を有している。下部電極２５ａに
は整合回路２７ｂを介して高周波電源２７ａが接続さ
れ、下部電極２５ａに数百ｋＨｚ〜数ＭＨｚの周波数の
電力を供給可能としている。尚、高周波電源２６ａ及び
２７ａは、制御部２８によってその出力を独立に制御で
き、よって半導体ウエハＷに入射するイオンエネルギー
を制御することができる。また、高周波電源２６ａ及び
２７ａが同一周波数の場合は、互いに干渉して放電が不
安定になることがあるので、制御部２８内に位相シフタ
を設置することで、高周波電源２６ａ及び２７ａの位相
差を調整することで放電を安定させている。

【０００９】更に、コンデンサ３３の近傍では、導体線
路３２の近傍に比べて、生成されるブラズマＰの密度が
小さくなるので、できるだけ均一なプラズマＰを負荷部
３０の近傍で生成する目的で、導体線路３２の形状を工
夫しても良い。すなわち、図２に示すように、コンデン
サ３３の下部で２本の導体線路３２が並ぶように構成し
ている。この場合には、導体線路３２の並ぶ距離が長す
ぎると、そこでのブラズマＰの密度が逆に高くなるの
で、所望するブラズマ分布になるように構造を最適化す
るようにしてもよい。このようなドライエッチング装置
２０では、制御部２８により高周波電源２６ａ及び２７
ａのいずれか一方、或いは両方を駆動することで、チャ
ンバ２１内にプラズマＰを生成するようにしている。
尚、処理条件としては、例えば反応ガスであるＣ４Ｆ８
を２０ｓｃｃｍ、Ａｒを５００ｓｃｃｍとし、圧力を１
Ｐａ、半導体ウエハＷ上の膜をＳｉＯ２、下部電極２５
ａの温度を２０℃に設定した。図４（ａ）は、負荷部３
０が導体線路３２のみで、且つ窓２４上に接触して平面
的に設けた場合の電圧分布を示している。電圧振幅は高
周波電源２６ａ側で最大となり、チャンバ２１側でＶｃ
（Ｖｃはチャンバ２１の電位）となる。また、図４
（ｂ）は、出願人が先に出願した特願２００１−１２３
２０にある、電気回路要素を平面状に配置した場合にお
ける電圧分布を示している。このような構造であると、
電圧振幅が最大となる位置が導体線路３２の電源２６ａ
側の端部或いはコンデンサ３３側の端部となり、導体線
路３２の中間点ではほぼＶｃと等しくなる。窓２４がプ
ラズマＰにより削られる速度は、導体線路３２上に生じ
る電圧の振幅が大きいほど速くなるので、図４（ａ）の
場合較べ、コンデンサ３３を有する先願では、導体線路
３２上に生じる電圧の振幅を小さくすることができ、誘
電体又はシリコン等の半導体から形成される窓２４が削
られる速度を遅くすることができる。

【００１０】本実施の形態においては、更に上記先願に
おける電圧振幅の幅をより平坦化することができ、プラ
ズマＰの生成をより均一化すると共に、窓２４が削られ
る速度をより低減することができる。従って、窓２４の
長寿命化及びチャンバ２１内におけるダスト発生を抑制
することができる。尚、導体線路３２の中点３２ａの電
圧振幅を高電圧プローブとオシロスコープでモニタしな
がら、その電圧振幅が最小になるように各負荷部３０に
おける導体線路３２のインダクタンス、各コンデンサ３
３の容量、高周波電源２６ａの周波数ｆを調整する。即
ち、チャンバ２１の電位をＶｃ（Ｖ）、高周波電源２６
ａの周波数をｆ（Ｈｚ）、チャンバ電位点からｎ番目の
導体線路３２のインダクタンスをＬｎ（Ｈ）、コンデン
サ３３の容量をＣｎ（Ｆ）とした場合に所定の関係にな
るように調整を行う。以下、その関係について図５に基
づいて説明する。なお、ｎ＝１は、高周波電源２６ａか
ら電気回路的に最も遠い電気回路要素３１を示すものと
する。ｎ番目の電気回路要素３１に流れる電流をＩ
（Ａ）とすると、ｎ番目の導体線路３２における電圧降
下Ｖｎ（Ｖ）は、 Ｖｎ＝２πｆＬｎＩ＋Ｖｃ …（１） ｎ−１番目の導体線路３２における電圧降下Ｖｎ−１
（Ｖ）は、 Ｖｎ−１＝２πｆＬｎ−１Ｉ＋Ｖｃ …（２） ｎ番目のコンデンサで上昇する電圧φｎ（Ｖ）は、 φｎ＝Ｉ／（２πｆＣｎ）＋Ｖｃ …（３） であり、ｎ番目の導体線路３２の中点で電圧がＶｃ
（Ｖ）になるためには、 φｎ＝（Ｖｎ−１＋Ｖｎ）／２ …（４） となればよい。

【００１１】式（１）〜（３）を式（４）に代入して ２π２ｆ２（Ｌｎ−１＋Ｌｎ）Ｃｎ＝１ …（５） が得られる。ｎ＝１の場合には、φ１＝Ｖ１／２となれ
ばよいので、 ２π２ｆ２Ｌ１Ｃ１＝１ …（６） となる。上述した式（５），（６）に基づいて、ｆ、Ｌ
ｎ、Ｃｎを定めることで、導体線路３２上において電圧
振幅が最大となる点の電圧振幅の値を小さくできる。特
に電気回路要素３１の数が多い場合には、その数をｎと
すると、同じ距離を導体線路３２のみで形成する場合に
比べて電圧振幅が最大となる点の電圧振幅を２ｎ分の１
に低減できる。なお、導体線路３２のインダクタンスＬ
ｎを変化させるための構成としては、例えば導体線路３
２に数個の接続点を設け、導体線路３２とコンデンサ３
３の接続位置或いは導体線路３２と他の電気回路要素３
１との接続位置を変化させても良い。また、コンデンサ
３３の容量Ｃｎを変化させるための構成としては、固定
容量のコンデンサを適宜取り替える構成、または可変容
量のコンデンサを用いる構成であっても良い。

【００１２】図６〜図８は上述したドライエッチング装
置１０の変形例の要部を示す図である。尚、各変形例に
おける導体線路３２は、上記実施の形態と同様に、コン
デンサ３３が窓２４から若干浮いた状態であり、且つ導
体線路３２のほぼ中央位置が窓２４と接する形状（略Ｖ
字形状）をなしている。図６（ａ）、（ｂ）は、電気回
路要素３１の接続形態の変形例であり、図６（ａ）は電
気回路要素３１を並列に接続した形態、図６（ｂ）は電
気回路要素３１を直列接続と並列接続の組み合せで接続
した形態を示している。どちらの形態においても、複数
の導体線路３２が接続されると共に、高周波電源２６ａ
が整合回路２６ｂを介して接続される導体線路３２の接
続点３２ａは、コンデンサ３３と同様に窓２４から若干
浮いた位置に配置され、各導体線路３２のほぼ中央位置
が窓２４と接触するように略Ｖ字状をなしている。これ
ら電気回路要素３１の設置に関しては、プラズマＰの分
布形状が所望の形状になるようにその位置を調整するこ
とが望ましい。尚、チャンバ２１内の圧力が数Ｐａ以上
である場合には、プラズマＰが導体線路３２の近傍に集
中して生成される場合が多いため、導体線路３２の配置
を工夫することで、ブラズマＰの分布形状を制御でき
る。

【００１３】図７（ａ）〜（ｃ）は、窓２４及び負荷部
３０の変形例である。即ち、窓２４の形状は図６
（ａ），（ｂ）に示すように非平面形状であってもよ
く、電気回路要素３１をこの窓２４の形状に対応して設
ければよい。これらの変形例においても、コンデンサ３
３、及び複数の導体線路３２が接続されると共に高周波
電源２６ａとの接続点３２ａは、窓２４から若干浮いた
位置に配置され、各導体線路３２のほぼ中央位置が窓２
４と接触するように略Ｖ字状をなしている。また、図７
（ｃ）に示すように、石英やアルミナ等の誘電体、又は
シリコン等の半導体製の筒状部品３５をチャンバ２１の
外部から内部に挿入し、筒状部品３５の内部に負荷部３
０を設置するようにしてもよい。この形態であると、プ
ラズマＰの生成をより効率良く行うことができる。図８
は、ブラズマＰによる誘電体或いはシリコン等の半導体
製の窓２４の削れ量をさらに抑制するため、図２に示す
構造において、導体板４０を負荷部３０と窓２４との間
に更に設置した例を示す図である。導体板４０は、接地
電位に接続すると、放電の着火性は劣化するが、ファラ
デーシールドの効果により、ブラズマＰによる誘電体或
いはシリコン等の半導体製の窓２４の削れ量を抑制でき
る。尚、導体板４０には、導体線路３２の近傍で電流の
進行方向に交差するように切欠部４１が設けられてい
る。切欠部４１が無い場合には、導体板４０に導体線路
３２に沿って電流と逆方向の電流が流れ、プラズマＰの
発生密度が減少する虞がある。

【００１４】また、導体板４０を接地電位に接続せず
に、浮遊電位で使用することで、比較的良好な放電の着
火性を実現するようにしてもよい。また、短冊状の複数
の独立した導体板を導体線路３２と窓部２４との間に電
流の進行方向に交差するように配列するようにしても同
様の効果を得ることができる。図９は、本発明の第２の
実施の形態に係るプラズマ生成装置の負荷部の詳細を示
す図であり、図１０（ａ）〜（ｇ）は、導体線路３２の
断面形状を示す図である。尚、上記第１の実施の形態に
係るプラズマ生成装置と同等の構成には、同一の符号を
付すことで詳細は省略する。本実施の形態における上記
第１の実施の形態と異なる点は、導体線路３２の形状で
ある。本実施の形態においては、導体線路３２を略Ｖ字
状に構成することは適宜選択できるものであり、以下導
体線路３２を窓２４上に平面状に配置させた場合におい
て説明する。図９における導体線路３２の形状は、図１
０（ａ）に示すように断面がＬ字形状をなしている。本
実施の形態では、導体線路３２をコンデンサ３３を介し
ながら環状に配置しているため、Ｌ字の屈曲部を外周側
に位置させている。これは、Ｌ字の立設部を内周側に位
置させてしまうと、導体線路３２を流れる電流が立設部
を上下方向に分散して流れてしまうため、プラズマＰの
生成に寄与するエネルギーが弱くなってしまう。従っ
て、内周側に位置する部位は高さ方向の厚みが少ない方
が良いため、本実施の形態のように屈曲部を外周側に位
置させることが好ましい。

【００１５】図１０（ｃ）・・・断面Ｌ字状で立設部を
複数設けて放熱性を向上させた形態、（ｄ）・・・断面
略Ｌ字状で屈曲部の角度が大きい形態、（ｅ）・・・断
面Ｌ字状で立設部に放熱用のフィンを設けた形態、
（ｆ）・・・断面Ｌ字状で立設部内に空洞を設け冷媒が
流通可能な形態、（ｇ）・・・断面略Ｌ字状で立設部を
断面円弧状にした形態、に示すような形状を有する導体
線路３２を環状に配置する場合は、厚みの薄い部位が内
周側に位置するように配置することが望ましい。図１０
（ｂ）は断面逆Ｔ字状をなしており、このような対称形
状の場合はどちらを内周側に配置させても効果に差は生
じない。図１１は、上記第２の実施の形態における電気
回路要素３１の変形例であり、上述した第１の実施の形
態における図６（ａ）に相当する。本変形例において、
導体線路３２の断面形状は図１０（ｂ）に示す断面逆Ｔ
字状をなしている。本変形例のように導体線路３２を放
射状に配置する場合は、高周波電源２６ａと接続される
位置を底面部に接続すれば、断面形状は図１０（ａ）〜
（ｇ）のどの形態であっても構わない。つまり、底面部
が電流の流通可能範囲の最短経路となるように構成すれ
ば、プラズマＰの生成エネルギーが分散して、結果的に
プラズマＰの生成に寄与するエネルギーを有効に活用す
ることができる。

【００１６】但し、窓２４がチャンバ２１側に凸（チャ
ンバ２１外から見て凹）形状をなす場合は、導体線路３
２の断面形状は一字状をなすのが最も有効と思われる。
尚、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではな
い。即ち、上述した実施の形態では、半導体デバイス製
造用のドライエッチング装置を例にして説明したが、本
発明は、ドライエッチングに限定されることなく、プラ
ズマアッシング、ブラズマＣＶＤ、ブラズマスパッタ、
プラズマクリーニング等に適用が可能であり、半導体デ
バイスの処理のみならず、液晶パネルを構成するガラス
基板上の薄膜素子の処理、或いは分析、粒子ビーム生
成、加熱等を目的としたブラズマ生成及びブラズマ処理
にも有効である。一方、導体線路は、必ずしも窓の近傍
に設置する必要は無いが、プラズマを生成したい場所で
は、導体線路を窓の近傍に設置する方が良く、導体線路
と窓の距離が短いほどそこで生成されるプラズマの密度
を高めることができる。窓の数は１個に限定されず、各
導体線路の近傍にそれぞれ誘電体又はシリコン等の半導
体製の複数の小窓を設けるようにしてもよい。また、窓
の位置はチャンバの壁面であればどこに設けてもよく、
導体線路を窓の近傍に配置することで、チヤンバ内の窓
の近傍でプラズマを生成することができる。

【００１７】この他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で
種々変形実施可能であるのは勿論である。

【００１８】

【発明の効果】本発明によれば、チャンバ内に生成する
プラズマによる窓の削れ量を低減し、窓の長寿命化及び
チャンバ内におけるダスト発生を抑制することが可能と
なる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係るプラズマ生成
装置の構成を示す模式図。

【図２】同プラズマ生成装置に組み込まれた窓及び負荷
部の構成を示す斜視図。

【図３】同負荷部の詳細を説明する図

【図４】同負荷部の動作原理を示す説明図。

【図５】同負荷部の動作原理を示す説明図。

【図６】（ａ）、（ｂ）共に同プラズマ生成装置の変形
例を示す図。

【図７】（ａ）乃至（ｃ）共に同プラズマ生成装置の別
の変形例を示す図。

【図８】同プラズマ生成装置のさらに別の変形例を示す
図。

【図９】本発明の第２の実施の形態に係るプラズマ生成
装置に組み込まれた窓及び負荷部の構成を示す斜視図。

【図１０】（ａ）乃至（ｇ）ともに同プラズマ生成装置
に組み込まれた負荷部を構成する導体線路の断面形状を
示す図。

【図１１】同プラズマ生成装置の変形例を示す図。

【図１２】従来のプラズマ生成装置の構成を示す模式
図。

【符号の説明】

２０…プラズマ生成装置、２１…チャンバ、２４…窓、
２６ａ，２７ａ…高周波電源、２６ｂ，２７ｂ…整合回
路、２８…制御部、３０…負荷部、３１…電気回路要
素、３２…導体線路、３３…コンデンサ。

フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G075 AA24 AA30 BC02 BC04 BC06 CA25 CA47 DA02 EB01 FC11 FC13 FC15 FC20 4K030 CA04 FA03 KA14 KA30 LA15 LA18 5F004 AA01 BA20 BB11 BD01 BD04 BD05 CA03 DA23 DB03

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 容器内に誘導電界を発生させることによ
   りプラズマを生成するプラズマ生成装置において、 前記容器の一部に形成された誘電体又は半導体からなる
   窓部と、 前記窓部の外方に配置された負荷部と、 この負荷部に電力を供給する電力供給部とを備え、 前記負荷部は、導体線路とコンデンサとが直列接続され
   た電気回路要素が複数組み合わされて形成されており、
   前記導体線路と前記窓部との距離は、前記導体線路の電
   圧振幅の大きさに基づいて決められていることを特徴と
   するプラズマ生成装置。
2. 【請求項２】 前記導体線路と前記窓部との距離は、前
   記導体線路の電圧振幅の大きいところが電圧振幅の小さ
   いところより長く設定されていることを特徴とする請求
   項１記載のプラズマ生成装置。
3. 【請求項３】 前記コンデンサの容量は可変であること
   を特徴とする請求項１に記載のプラズマ生成装置。
4. 【請求項４】 前記導体線路のインダクタンスは可変で
   あることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ生成装
   置。
5. 【請求項５】 前記電力供給部は、それぞれ独立に制御
   される複数の電力供給装置を備えていることを特徴とす
   る請求項１に記載のプラズマ生成装置。
6. 【請求項６】 前記導体線路と前記窓部との間の隙間に
   誘電体或いはシリコン等の半導体よりなる埋め込み部材
   を設けたことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ生
   成装置。
7. 【請求項７】 窓部の外方に、導体線路とコンデンサと
   が直列に接続された電気回路要素を複数組み合わせて形
   成され、前記導体線路と前記窓部との間に、前記導体線
   路の電圧振幅の大きさに基づいた隙間が形成された負荷
   部を有する容器内に誘導電界を発生させることでプラズ
   マを生成して処理を行うプラズマ処理方法において、 前記容器内に被処理体を載置する工程と、 前記容器内を排気する工程と、 前記容器内に反応ガスを供給する工程と、 前記負荷部に電力を供給する工程と、 前記負荷部を構成する導体線路の両端における電圧の振
   幅がほぼ同じ値になる前記導体線路のインダクタンス、
   前記負荷部を構成しかつ前記導体線路に接続されたコン
   デンサの容量、または前記電力の周波数の少なくとも１
   つを調整する調整工程とを備えていることを特徴とする
   プラズマ処理方法。