JP2003028629A - 寸法検出装置、寸法検出方法、プログラム及び記録媒体 - Google Patents
寸法検出装置、寸法検出方法、プログラム及び記録媒体Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェハ等の寸法の測定を、短時間かつ
高精度で行う。 【解決手段】 第１の実測値情報入力手段２、及び第２
の実測値情報入力手段４において、第１の半導体ウェハ
における第１の実測値情報、及び第２の実測値情報の入
力を受け付け、基準値寸法算出手段５によって、第２の
実測値情報を用い、シミュレーションによって、第１の
寸法の算出を行い、寸法誤差関係情報生成手段６によっ
て、第１の実測値情報に示される第１の寸法の実測値
と、求められた第１の寸法の算出値と、の関係を示す寸
法誤差関係情報を生成し、第３の実測値情報入力手段８
において、第２の半導体ウェハにおける第３の実測値情
報の入力を受け付け、第１の寸法算出手段９によって、
寸法誤差関係情報生成手段によって生成された寸法誤差
関係情報と、第３の実測値情報とを用い、第２の半導体
ウェハにおける第１の寸法を算出する。
高精度で行う。 【解決手段】 第１の実測値情報入力手段２、及び第２
の実測値情報入力手段４において、第１の半導体ウェハ
における第１の実測値情報、及び第２の実測値情報の入
力を受け付け、基準値寸法算出手段５によって、第２の
実測値情報を用い、シミュレーションによって、第１の
寸法の算出を行い、寸法誤差関係情報生成手段６によっ
て、第１の実測値情報に示される第１の寸法の実測値
と、求められた第１の寸法の算出値と、の関係を示す寸
法誤差関係情報を生成し、第３の実測値情報入力手段８
において、第２の半導体ウェハにおける第３の実測値情
報の入力を受け付け、第１の寸法算出手段９によって、
寸法誤差関係情報生成手段によって生成された寸法誤差
関係情報と、第３の実測値情報とを用い、第２の半導体
ウェハにおける第１の寸法を算出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハの寸
法検出を行う寸法検出装置、寸法検出方法、その機能を
コンピュータに実行させるためのプログラム、及びその
プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録
媒体に関し、特に、微細化が進んだ半導体ウェハの寸法
検出を行う寸法検出装置、寸法検出方法、その機能をコ
ンピュータに実行させるためのプログラム、及びそのプ
ログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒
体に関する。
法検出を行う寸法検出装置、寸法検出方法、その機能を
コンピュータに実行させるためのプログラム、及びその
プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録
媒体に関し、特に、微細化が進んだ半導体ウェハの寸法
検出を行う寸法検出装置、寸法検出方法、その機能をコ
ンピュータに実行させるためのプログラム、及びそのプ
ログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒
体に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハの製造工程では、製造され
た半導体ウェハの品質管理等を目的に、半導体基板上に
形成されたレジストパターンのパターン幅測定が行われ
ている。従来、このようなパターン幅測定には、光学顕
微鏡を用いる方法、画像解析を用いる方法等、さまざま
な方法が利用されてきたわけであるが、近年のように半
導体ウェハの高集積化、微細化が進んだ状況では、この
ようなパターン幅測定に、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：
Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃ
ｏｐｅ）を用いることも一般的になってきた。走査型電
子顕微鏡とは、直径数百オングストローム（Å）の電子
線を半導体ウェハ等の寸法測定対象に照射し、その照射
によって寸法測定対象から放出された２次電子（反射電
子、オージェ電子、Ｘ線等）を検出することによって、
この寸法測定対象の表面状態を検知する顕微鏡である。
以下、この走査型電子顕微鏡を用いて行われる寸法測定
対象のパターン幅測定について説明する。
た半導体ウェハの品質管理等を目的に、半導体基板上に
形成されたレジストパターンのパターン幅測定が行われ
ている。従来、このようなパターン幅測定には、光学顕
微鏡を用いる方法、画像解析を用いる方法等、さまざま
な方法が利用されてきたわけであるが、近年のように半
導体ウェハの高集積化、微細化が進んだ状況では、この
ようなパターン幅測定に、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：
Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃ
ｏｐｅ）を用いることも一般的になってきた。走査型電
子顕微鏡とは、直径数百オングストローム（Å）の電子
線を半導体ウェハ等の寸法測定対象に照射し、その照射
によって寸法測定対象から放出された２次電子（反射電
子、オージェ電子、Ｘ線等）を検出することによって、
この寸法測定対象の表面状態を検知する顕微鏡である。
以下、この走査型電子顕微鏡を用いて行われる寸法測定
対象のパターン幅測定について説明する。
【０００３】走査型電子顕微鏡によってパターン幅測定
を行う場合、まず、寸法測定対象である半導体ウェハ等
を真空装置内に配置し、その半導体ウェハ表面に対し、
加速電圧１ｋｅＶ以下の低エネルギーの電子線を走査さ
せながら照射する。この電子線が照射された半導体ウェ
ハは、その照射に応じた２次電子を放出し、このように
放出された２次電子は、所定の２次電子検出器によって
検出される。ここで、半導体ウェハから放出される２次
電子の放出量は、半導体ウェハ表面の微細な凹凸によっ
て変化する。そのため、この２次電子を像信号として検
出することにより、半導体ウェハ表面の凹凸に対応した
コントラスト像を得ることができる。このように得られ
たコントラスト像は、既知の方法により画像処理され、
その画像処理結果を用いることにより、半導体ウェハの
パターン幅測定を行うことができる。
を行う場合、まず、寸法測定対象である半導体ウェハ等
を真空装置内に配置し、その半導体ウェハ表面に対し、
加速電圧１ｋｅＶ以下の低エネルギーの電子線を走査さ
せながら照射する。この電子線が照射された半導体ウェ
ハは、その照射に応じた２次電子を放出し、このように
放出された２次電子は、所定の２次電子検出器によって
検出される。ここで、半導体ウェハから放出される２次
電子の放出量は、半導体ウェハ表面の微細な凹凸によっ
て変化する。そのため、この２次電子を像信号として検
出することにより、半導体ウェハ表面の凹凸に対応した
コントラスト像を得ることができる。このように得られ
たコントラスト像は、既知の方法により画像処理され、
その画像処理結果を用いることにより、半導体ウェハの
パターン幅測定を行うことができる。
【０００４】また、微細化が進んだ近年の半導体ウェハ
の製造工程では、その品質を高く維持するため、半導体
基板上に形成されたレジストパターンの膜厚測定が行わ
れることも一般的である。
の製造工程では、その品質を高く維持するため、半導体
基板上に形成されたレジストパターンの膜厚測定が行わ
れることも一般的である。
【０００５】図１０は、膜厚測定法の一つである偏光解
析法（エリプソメトリ：Ｅｌｌｉｐｓｏｍｅｔｒｙ）に
よって、レジストパターン１１１の膜厚測定を行う膜厚
測定装置１００を例示した概念図である。
析法（エリプソメトリ：Ｅｌｌｉｐｓｏｍｅｔｒｙ）に
よって、レジストパターン１１１の膜厚測定を行う膜厚
測定装置１００を例示した概念図である。
【０００６】偏光解析法とは、膜厚測定対象に対して偏
光した光を入射させた際、その膜厚測定対象の表面状態
に応じ、その反射光の偏光状態が変化する現象を利用し
て、膜厚測定対象の膜厚を測定する膜厚測定方法であ
る。以下に、その測定手順の概要を示す。
光した光を入射させた際、その膜厚測定対象の表面状態
に応じ、その反射光の偏光状態が変化する現象を利用し
て、膜厚測定対象の膜厚を測定する膜厚測定方法であ
る。以下に、その測定手順の概要を示す。
【０００７】膜厚測定装置１００は、光源１０１から出
力した光束１２０を、表面にレジストパターン１１１が
設けられた半導体ウェハ１１０に入射させ、その反射波
の偏光状態の変化を検出することにより、レジストパタ
ーン１１１の膜厚の測定を行う。
力した光束１２０を、表面にレジストパターン１１１が
設けられた半導体ウェハ１１０に入射させ、その反射波
の偏光状態の変化を検出することにより、レジストパタ
ーン１１１の膜厚の測定を行う。
【０００８】図１０に例示するように、レーザダイオー
ド等の光源１０１から出力された直線偏光である光束１
２０は、まず、コリメートレンズ１０２を通過し、平行
光となる。平行光となった光束１２０は、１／２波長板
１０３に入射し、この１／２波長板１０３により、電気
ベクトルの振動方向が変換された直線偏光となる。次
に、この光束１２０は、１／４波長板１０４に入射し、
この１／４波長板１０４により、楕円偏光となる。な
お、ここで、１／２波長板１０３及び１／４波長板１０
４は、相互に独立に回転することが可能な構成となって
おり、これらを回転させることにより、この１／２波長
板１０３及び１／４波長板１０４を通過した光束１２０
における楕円偏光主軸の方位と楕円率とを任意に変化さ
せることができる。
ド等の光源１０１から出力された直線偏光である光束１
２０は、まず、コリメートレンズ１０２を通過し、平行
光となる。平行光となった光束１２０は、１／２波長板
１０３に入射し、この１／２波長板１０３により、電気
ベクトルの振動方向が変換された直線偏光となる。次
に、この光束１２０は、１／４波長板１０４に入射し、
この１／４波長板１０４により、楕円偏光となる。な
お、ここで、１／２波長板１０３及び１／４波長板１０
４は、相互に独立に回転することが可能な構成となって
おり、これらを回転させることにより、この１／２波長
板１０３及び１／４波長板１０４を通過した光束１２０
における楕円偏光主軸の方位と楕円率とを任意に変化さ
せることができる。
【０００９】このように楕円偏光となった光束１２０
は、次に、半導体ウェハ１１０に入射され、この半導体
ウェハ１１０のレジストパターン１１１において偏光状
態を変化させつつ、このレジストパターン１１１におい
て反射する。反射した光束１２０は、検光子１０５を通
過した後、集光レンズ１０６によって集光され、検出器
１０７に入射する。この際、検出器１０７における検出
結果を参照しつつ、検光子１０５に達した光束１２０
が、検光子１０５の透過軸と直行する直線偏光となるよ
うに、１／２波長板１０３及び１／４波長板１０４を回
転調整する（光束１２０が、検光子１０５の透過軸と直
行する直線偏光となった場合、検出器１０７では、光束
１２０が検出されない消光状態となる。）。そして、こ
の１／２波長板１０３及び１／４波長板１０４の回転調
整量を検出することにより、半導体ウェハ１１０におけ
る光束１２０の偏光状態の変化量を求め、この半導体ウ
ェハ１１０における光束１２０の偏光状態の変化量によ
り、レジストパターン１１１の膜厚を求める。
は、次に、半導体ウェハ１１０に入射され、この半導体
ウェハ１１０のレジストパターン１１１において偏光状
態を変化させつつ、このレジストパターン１１１におい
て反射する。反射した光束１２０は、検光子１０５を通
過した後、集光レンズ１０６によって集光され、検出器
１０７に入射する。この際、検出器１０７における検出
結果を参照しつつ、検光子１０５に達した光束１２０
が、検光子１０５の透過軸と直行する直線偏光となるよ
うに、１／２波長板１０３及び１／４波長板１０４を回
転調整する（光束１２０が、検光子１０５の透過軸と直
行する直線偏光となった場合、検出器１０７では、光束
１２０が検出されない消光状態となる。）。そして、こ
の１／２波長板１０３及び１／４波長板１０４の回転調
整量を検出することにより、半導体ウェハ１１０におけ
る光束１２０の偏光状態の変化量を求め、この半導体ウ
ェハ１１０における光束１２０の偏光状態の変化量によ
り、レジストパターン１１１の膜厚を求める。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、半導体ウェハ
の微細化がさらに進んだ場合、走査型電子顕微鏡による
パターン幅測定では、高い精度でパターン幅測定を行う
ことができないという問題点がある。
の微細化がさらに進んだ場合、走査型電子顕微鏡による
パターン幅測定では、高い精度でパターン幅測定を行う
ことができないという問題点がある。
【００１１】前述のように、走査型電子顕微鏡における
パターン幅測定は、半導体ウェハの表面に加速した電子
を照射し、それによって発生する２次電子を測定するこ
とによって行われる。この半導体ウェハ表面への電子の
照射により、その半導体ウェハに形成されたレジストパ
ターン等の絶縁物が帯電することが知られている。この
ように絶縁物が帯電した場合、その電荷によって電界が
発生し、その電界により、照射された電子線が曲げられ
たり、発生した２次電子がこの絶縁物に引き寄せられ、
２次電子検出器にまで達しない状況も生じ得る。このよ
うな状況では、高精度のコントラスト像が得られないこ
ととなり、結果、高精度のパターン幅測定を行うことが
できないこととなる。また、この帯電量は、照射する電
子の加速電圧を小さくすれば低減させることは可能であ
るが、その場合、発生する２次電子も減少することとな
るため、所定値以上には加速電圧を小さくすることはで
きず、所定値以上の帯電は避けることができない。
パターン幅測定は、半導体ウェハの表面に加速した電子
を照射し、それによって発生する２次電子を測定するこ
とによって行われる。この半導体ウェハ表面への電子の
照射により、その半導体ウェハに形成されたレジストパ
ターン等の絶縁物が帯電することが知られている。この
ように絶縁物が帯電した場合、その電荷によって電界が
発生し、その電界により、照射された電子線が曲げられ
たり、発生した２次電子がこの絶縁物に引き寄せられ、
２次電子検出器にまで達しない状況も生じ得る。このよ
うな状況では、高精度のコントラスト像が得られないこ
ととなり、結果、高精度のパターン幅測定を行うことが
できないこととなる。また、この帯電量は、照射する電
子の加速電圧を小さくすれば低減させることは可能であ
るが、その場合、発生する２次電子も減少することとな
るため、所定値以上には加速電圧を小さくすることはで
きず、所定値以上の帯電は避けることができない。
【００１２】また、偏光解析法による膜厚測定は、その
測定時間が長く、製造された全ての半導体ウェハについ
て膜厚を測定することが困難であり、抜き取りによる膜
厚測定しか行うことができないという問題点がある。
測定時間が長く、製造された全ての半導体ウェハについ
て膜厚を測定することが困難であり、抜き取りによる膜
厚測定しか行うことができないという問題点がある。
【００１３】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、高い精度で半導体ウェハ等の寸法の測定を行
うことが可能な寸法検出装置を提供することを目的とす
る。また、本発明の他の目的は、短時間で半導体ウェハ
等の寸法の測定を行うことが可能な寸法検出装置を提供
することを目的とする。
のであり、高い精度で半導体ウェハ等の寸法の測定を行
うことが可能な寸法検出装置を提供することを目的とす
る。また、本発明の他の目的は、短時間で半導体ウェハ
等の寸法の測定を行うことが可能な寸法検出装置を提供
することを目的とする。
【００１４】さらに、本発明の他の目的は、高い精度で
半導体ウェハ等の寸法の測定を行うことが可能な寸法検
出方法を提供することである。また、本発明の他の目的
は、短時間で半導体ウェハ等の寸法の測定を行うことが
可能な寸法検出方法を提供することである。
半導体ウェハ等の寸法の測定を行うことが可能な寸法検
出方法を提供することである。また、本発明の他の目的
は、短時間で半導体ウェハ等の寸法の測定を行うことが
可能な寸法検出方法を提供することである。
【００１５】さらに、本発明の他の目的は、高い精度で
半導体ウェハ等の寸法の測定を行うことが可能な機能を
コンピュータに実行させるためのプログラムを提供する
ことである。
半導体ウェハ等の寸法の測定を行うことが可能な機能を
コンピュータに実行させるためのプログラムを提供する
ことである。
【００１６】また、本発明の他の目的は、短時間で半導
体ウェハ等の寸法の測定を行うことが可能な機能をコン
ピュータに実行させるためのプログラムを提供すること
である。
体ウェハ等の寸法の測定を行うことが可能な機能をコン
ピュータに実行させるためのプログラムを提供すること
である。
【００１７】さらに、本発明の他の目的は、高い精度で
半導体ウェハ等の寸法の測定を行うことが可能な機能を
コンピュータに実行させるためのプログラムを記録した
コンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供することで
ある。
半導体ウェハ等の寸法の測定を行うことが可能な機能を
コンピュータに実行させるためのプログラムを記録した
コンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供することで
ある。
【００１８】また、本発明の他の目的は、短時間で半導
体ウェハ等の寸法の測定を行うことが可能な機能をコン
ピュータに実行させるためのプログラムを記録したコン
ピュータ読み取り可能な記録媒体を提供することであ
る。
体ウェハ等の寸法の測定を行うことが可能な機能をコン
ピュータに実行させるためのプログラムを記録したコン
ピュータ読み取り可能な記録媒体を提供することであ
る。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明では上記課題を解
決するために、半導体ウェハの寸法検出を行う寸法検出
装置において、第１の半導体ウェハにおける第１の寸法
を物理的に測定することによって抽出した前記第１の寸
法の実測値を示す第１の実測値情報の入力を受け付ける
第１の実測値情報入力手段と、前記第１の半導体ウェハ
における第２の寸法を物理的に測定することによって抽
出した前記第２の寸法の実測値を示す第２の実測値情報
の入力を受け付ける第２の実測値情報入力手段と、前記
第２の実測値情報入力手段において入力された前記第２
の実測値情報を用い、シミュレーションによって、前記
第１の寸法の算出を行う基準値寸法算出手段と、前記第
１の実測値情報入力手段において入力された前記第１の
実測値情報に示される前記第１の寸法の実測値と、前記
基準値寸法算出手段によって求められた前記第１の寸法
の算出値と、の関係を示す寸法誤差関係情報を生成する
寸法誤差関係情報生成手段と、第２の半導体ウェハにお
ける前記第１の寸法を物理的に測定することによって抽
出した前記第１の寸法の実測値を示す第３の実測値情報
の入力を受け付ける第３の実測値情報入力手段と、前記
寸法誤差関係情報生成手段によって生成された前記寸法
誤差関係情報と、前記第３の実測値情報入力手段におい
て入力された前記第３の実測値情報とを用い、前記第２
の半導体ウェハにおける前記第１の寸法を算出する第１
の寸法算出手段と、を有することを特徴とする寸法検出
装置が提供される。
決するために、半導体ウェハの寸法検出を行う寸法検出
装置において、第１の半導体ウェハにおける第１の寸法
を物理的に測定することによって抽出した前記第１の寸
法の実測値を示す第１の実測値情報の入力を受け付ける
第１の実測値情報入力手段と、前記第１の半導体ウェハ
における第２の寸法を物理的に測定することによって抽
出した前記第２の寸法の実測値を示す第２の実測値情報
の入力を受け付ける第２の実測値情報入力手段と、前記
第２の実測値情報入力手段において入力された前記第２
の実測値情報を用い、シミュレーションによって、前記
第１の寸法の算出を行う基準値寸法算出手段と、前記第
１の実測値情報入力手段において入力された前記第１の
実測値情報に示される前記第１の寸法の実測値と、前記
基準値寸法算出手段によって求められた前記第１の寸法
の算出値と、の関係を示す寸法誤差関係情報を生成する
寸法誤差関係情報生成手段と、第２の半導体ウェハにお
ける前記第１の寸法を物理的に測定することによって抽
出した前記第１の寸法の実測値を示す第３の実測値情報
の入力を受け付ける第３の実測値情報入力手段と、前記
寸法誤差関係情報生成手段によって生成された前記寸法
誤差関係情報と、前記第３の実測値情報入力手段におい
て入力された前記第３の実測値情報とを用い、前記第２
の半導体ウェハにおける前記第１の寸法を算出する第１
の寸法算出手段と、を有することを特徴とする寸法検出
装置が提供される。
【００２０】ここで、第１の実測値情報入力手段は、第
１の半導体ウェハにおける第１の寸法を物理的に測定す
ることによって抽出した第１の寸法の実測値を示す第１
の実測値情報の入力を受け付け、第２の実測値情報入力
手段は、第１の半導体ウェハにおける第２の寸法を物理
的に測定することによって抽出した第２の寸法の実測値
を示す第２の実測値情報の入力を受け付け、基準値寸法
算出手段は、第２の実測値情報入力手段において入力さ
れた第２の実測値情報を用い、シミュレーションによっ
て、第１の寸法の算出を行い、寸法誤差関係情報生成手
段は、第１の実測値情報入力手段において入力された第
１の実測値情報に示される第１の寸法の実測値と、基準
値寸法算出手段によって求められた第１の寸法の算出値
と、の関係を示す寸法誤差関係情報を生成し、第３の実
測値情報入力手段は、第２の半導体ウェハにおける第１
の寸法を物理的に測定することによって抽出した第１の
寸法の実測値を示す第３の実測値情報の入力を受け付
け、第１の寸法算出手段は、寸法誤差関係情報生成手段
によって生成された寸法誤差関係情報と、第３の実測値
情報入力手段において入力された第３の実測値情報とを
用い、第２の半導体ウェハにおける第１の寸法を算出す
る。
１の半導体ウェハにおける第１の寸法を物理的に測定す
ることによって抽出した第１の寸法の実測値を示す第１
の実測値情報の入力を受け付け、第２の実測値情報入力
手段は、第１の半導体ウェハにおける第２の寸法を物理
的に測定することによって抽出した第２の寸法の実測値
を示す第２の実測値情報の入力を受け付け、基準値寸法
算出手段は、第２の実測値情報入力手段において入力さ
れた第２の実測値情報を用い、シミュレーションによっ
て、第１の寸法の算出を行い、寸法誤差関係情報生成手
段は、第１の実測値情報入力手段において入力された第
１の実測値情報に示される第１の寸法の実測値と、基準
値寸法算出手段によって求められた第１の寸法の算出値
と、の関係を示す寸法誤差関係情報を生成し、第３の実
測値情報入力手段は、第２の半導体ウェハにおける第１
の寸法を物理的に測定することによって抽出した第１の
寸法の実測値を示す第３の実測値情報の入力を受け付
け、第１の寸法算出手段は、寸法誤差関係情報生成手段
によって生成された寸法誤差関係情報と、第３の実測値
情報入力手段において入力された第３の実測値情報とを
用い、第２の半導体ウェハにおける第１の寸法を算出す
る。
【００２１】また、本発明の寸法検出装置において、好
ましくは、第１の実測値情報は、光学的な方法によって
測定された第１の半導体ウェハにおける第１の寸法の実
測値を示す情報である。
ましくは、第１の実測値情報は、光学的な方法によって
測定された第１の半導体ウェハにおける第１の寸法の実
測値を示す情報である。
【００２２】また、本発明の寸法検出装置において、好
ましくは、第１の寸法は、半導体ウェハのパターン幅で
ある。また、本発明の寸法検出装置において、好ましく
は、第２の寸法は、第１の寸法よりも高い精度で物理的
な測定が可能な寸法である。
ましくは、第１の寸法は、半導体ウェハのパターン幅で
ある。また、本発明の寸法検出装置において、好ましく
は、第２の寸法は、第１の寸法よりも高い精度で物理的
な測定が可能な寸法である。
【００２３】また、本発明の寸法検出装置は、好ましく
は、第１の寸法算出手段によって算出された第１の寸法
を示す第１の寸法算出情報を用い、シミュレーションに
よって、第２の寸法を算出する第２の寸法算出手段を、
さらに有する。
は、第１の寸法算出手段によって算出された第１の寸法
を示す第１の寸法算出情報を用い、シミュレーションに
よって、第２の寸法を算出する第２の寸法算出手段を、
さらに有する。
【００２４】また、本発明の寸法検出装置において、好
ましくは、第２の寸法算出手段によって算出される第２
の寸法は、第１の寸法よりも、物理的な測定に長時間を
要する寸法である。
ましくは、第２の寸法算出手段によって算出される第２
の寸法は、第１の寸法よりも、物理的な測定に長時間を
要する寸法である。
【００２５】また、半導体ウェハの寸法検出を行う寸法
検出装置において、定数を示す定数情報の入力を受け付
ける定数情報入力手段と、前記定数情報入力手段におい
て入力された前記定数情報を用い、シミュレーションに
よって、前記半導体ウェハにおける第１の寸法と第２の
寸法との関係を示す寸法相関情報を算出する寸法相関情
報算出手段と、を有することを特徴とする寸法検出装置
が提供される。
検出装置において、定数を示す定数情報の入力を受け付
ける定数情報入力手段と、前記定数情報入力手段におい
て入力された前記定数情報を用い、シミュレーションに
よって、前記半導体ウェハにおける第１の寸法と第２の
寸法との関係を示す寸法相関情報を算出する寸法相関情
報算出手段と、を有することを特徴とする寸法検出装置
が提供される。
【００２６】ここで、定数情報入力手段は、定数情報の
入力を受け付け、寸法相関情報算出手段は、定数情報入
力手段において入力された定数情報を用い、シミュレー
ションによって、半導体ウェハにおける第１の寸法と第
２の寸法との関係を示す寸法相関情報を算出する。
入力を受け付け、寸法相関情報算出手段は、定数情報入
力手段において入力された定数情報を用い、シミュレー
ションによって、半導体ウェハにおける第１の寸法と第
２の寸法との関係を示す寸法相関情報を算出する。
【００２７】また、半導体ウェハの寸法検出を行う寸法
検出方法において、第１の半導体ウェハにおける第１の
寸法を物理的に測定することによって抽出した前記第１
の寸法の実測値を示す第１の実測値情報の入力を受け付
ける第１の実測値情報入力ステップと、前記第１の半導
体ウェハにおける第２の寸法を物理的に測定することに
よって抽出した前記第２の寸法の実測値を示す第２の実
測値情報の入力を受け付ける第２の実測値情報入力ステ
ップと、前記第２の実測値情報入力ステップにおいて入
力された前記第２の実測値情報を用い、シミュレーショ
ンによって、前記第１の寸法の算出を行う基準値寸法算
出ステップと、前記第１の実測値情報入力ステップにお
いて入力された前記第１の実測値情報に示される前記第
１の寸法の実測値と、前記基準値寸法算出ステップによ
って求められた前記第１の寸法の算出値と、の関係を示
す寸法誤差関係情報を生成する寸法誤差関係情報生成ス
テップと、第２の半導体ウェハにおける前記第１の寸法
を物理的に測定することによって抽出した前記第１の寸
法の実測値を示す第３の実測値情報の入力を受け付ける
第３の実測値情報入力ステップと、前記寸法誤差関係情
報生成ステップによって生成された前記寸法誤差関係情
報と、前記第３の実測値情報入力ステップにおいて入力
された前記第３の実測値情報とを用い、前記第２の半導
体ウェハにおける前記第１の寸法を算出する第１の寸法
算出ステップと、を有することを特徴とする寸法検出方
法が提供される。
検出方法において、第１の半導体ウェハにおける第１の
寸法を物理的に測定することによって抽出した前記第１
の寸法の実測値を示す第１の実測値情報の入力を受け付
ける第１の実測値情報入力ステップと、前記第１の半導
体ウェハにおける第２の寸法を物理的に測定することに
よって抽出した前記第２の寸法の実測値を示す第２の実
測値情報の入力を受け付ける第２の実測値情報入力ステ
ップと、前記第２の実測値情報入力ステップにおいて入
力された前記第２の実測値情報を用い、シミュレーショ
ンによって、前記第１の寸法の算出を行う基準値寸法算
出ステップと、前記第１の実測値情報入力ステップにお
いて入力された前記第１の実測値情報に示される前記第
１の寸法の実測値と、前記基準値寸法算出ステップによ
って求められた前記第１の寸法の算出値と、の関係を示
す寸法誤差関係情報を生成する寸法誤差関係情報生成ス
テップと、第２の半導体ウェハにおける前記第１の寸法
を物理的に測定することによって抽出した前記第１の寸
法の実測値を示す第３の実測値情報の入力を受け付ける
第３の実測値情報入力ステップと、前記寸法誤差関係情
報生成ステップによって生成された前記寸法誤差関係情
報と、前記第３の実測値情報入力ステップにおいて入力
された前記第３の実測値情報とを用い、前記第２の半導
体ウェハにおける前記第１の寸法を算出する第１の寸法
算出ステップと、を有することを特徴とする寸法検出方
法が提供される。
【００２８】ここで、第１の実測値情報入力ステップ
は、第１の半導体ウェハにおける第１の寸法を物理的に
測定することによって抽出した第１の寸法の実測値を示
す第１の実測値情報の入力を受け付け、第２の実測値情
報入力ステップは、第１の半導体ウェハにおける第２の
寸法を物理的に測定することによって抽出した第２の寸
法の実測値を示す第２の実測値情報の入力を受け付け、
基準値寸法算出ステップは、第２の実測値情報入力ステ
ップにおいて入力された第２の実測値情報を用い、シミ
ュレーションによって、第１の寸法の算出を行い、寸法
誤差関係情報生成ステップは、第１の実測値情報入力ス
テップにおいて入力された第１の実測値情報に示される
第１の寸法の実測値と、基準値寸法算出ステップによっ
て求められた第１の寸法の算出値と、の関係を示す寸法
誤差関係情報を生成し、第３の実測値情報入力ステップ
は、第２の半導体ウェハにおける第１の寸法を物理的に
測定することによって抽出した第１の寸法の実測値を示
す第３の実測値情報の入力を受け付け、第１の寸法算出
ステップは、寸法誤差関係情報生成ステップによって生
成された寸法誤差関係情報と、第３の実測値情報入力ス
テップにおいて入力された第３の実測値情報とを用い、
第２の半導体ウェハにおける第１の寸法を算出する。
は、第１の半導体ウェハにおける第１の寸法を物理的に
測定することによって抽出した第１の寸法の実測値を示
す第１の実測値情報の入力を受け付け、第２の実測値情
報入力ステップは、第１の半導体ウェハにおける第２の
寸法を物理的に測定することによって抽出した第２の寸
法の実測値を示す第２の実測値情報の入力を受け付け、
基準値寸法算出ステップは、第２の実測値情報入力ステ
ップにおいて入力された第２の実測値情報を用い、シミ
ュレーションによって、第１の寸法の算出を行い、寸法
誤差関係情報生成ステップは、第１の実測値情報入力ス
テップにおいて入力された第１の実測値情報に示される
第１の寸法の実測値と、基準値寸法算出ステップによっ
て求められた第１の寸法の算出値と、の関係を示す寸法
誤差関係情報を生成し、第３の実測値情報入力ステップ
は、第２の半導体ウェハにおける第１の寸法を物理的に
測定することによって抽出した第１の寸法の実測値を示
す第３の実測値情報の入力を受け付け、第１の寸法算出
ステップは、寸法誤差関係情報生成ステップによって生
成された寸法誤差関係情報と、第３の実測値情報入力ス
テップにおいて入力された第３の実測値情報とを用い、
第２の半導体ウェハにおける第１の寸法を算出する。
【００２９】また、本発明の寸法検出方法において、好
ましくは、第１の実測値情報は、光学的な方法によって
測定された第１の半導体ウェハにおける第１の寸法の実
測値を示す情報である。
ましくは、第１の実測値情報は、光学的な方法によって
測定された第１の半導体ウェハにおける第１の寸法の実
測値を示す情報である。
【００３０】また、本発明の寸法検出方法において、好
ましくは、第１の寸法は、半導体ウェハのパターン幅で
ある。また、本発明の寸法検出方法において、好ましく
は、第２の寸法は、第１の寸法よりも高い精度で物理的
な測定が可能な寸法である。
ましくは、第１の寸法は、半導体ウェハのパターン幅で
ある。また、本発明の寸法検出方法において、好ましく
は、第２の寸法は、第１の寸法よりも高い精度で物理的
な測定が可能な寸法である。
【００３１】また、本発明の寸法検出方法は、好ましく
は、第１の寸法算出ステップによって算出された第１の
寸法を示す第１の寸法算出情報を用い、シミュレーショ
ンによって、第２の寸法を算出する第２の寸法算出ステ
ップを、さらに有する。
は、第１の寸法算出ステップによって算出された第１の
寸法を示す第１の寸法算出情報を用い、シミュレーショ
ンによって、第２の寸法を算出する第２の寸法算出ステ
ップを、さらに有する。
【００３２】また、本発明の寸法検出方法において、好
ましくは、第２の寸法算出ステップによって算出される
第２の寸法は、第１の寸法よりも、物理的な測定に長時
間を要する寸法である。
ましくは、第２の寸法算出ステップによって算出される
第２の寸法は、第１の寸法よりも、物理的な測定に長時
間を要する寸法である。
【００３３】また、コンピュータに、第１の半導体ウェ
ハにおける第１の寸法を物理的に測定することによって
抽出した前記第１の寸法の実測値を示す第１の実測値情
報の入力を受け付ける第１の実測値情報入力ステップ
と、前記第１の半導体ウェハにおける第２の寸法を物理
的に測定することによって抽出した前記第２の寸法の実
測値を示す第２の実測値情報の入力を受け付ける第２の
実測値情報入力ステップと、前記第２の実測値情報入力
ステップにおいて入力された前記第２の実測値情報を用
い、シミュレーションによって、前記第１の寸法の算出
を行う基準値寸法算出ステップと、前記第１の実測値情
報入力ステップにおいて入力された前記第１の実測値情
報に示される前記第１の寸法の実測値と、前記基準値寸
法算出ステップによって求められた前記第１の寸法の算
出値と、の関係を示す寸法誤差関係情報を生成する寸法
誤差関係情報生成ステップと、第２の半導体ウェハにお
ける前記第１の寸法を物理的に測定することによって抽
出した前記第１の寸法の実測値を示す第３の実測値情報
の入力を受け付ける第３の実測値情報入力ステップと、
前記寸法誤差関係情報生成ステップによって生成された
前記寸法誤差関係情報と、前記第３の実測値情報入力ス
テップにおいて入力された前記第３の実測値情報とを用
い、前記第２の半導体ウェハにおける前記第１の寸法を
算出する第１の寸法算出ステップと、を実行させるため
のプログラムが提供される。
ハにおける第１の寸法を物理的に測定することによって
抽出した前記第１の寸法の実測値を示す第１の実測値情
報の入力を受け付ける第１の実測値情報入力ステップ
と、前記第１の半導体ウェハにおける第２の寸法を物理
的に測定することによって抽出した前記第２の寸法の実
測値を示す第２の実測値情報の入力を受け付ける第２の
実測値情報入力ステップと、前記第２の実測値情報入力
ステップにおいて入力された前記第２の実測値情報を用
い、シミュレーションによって、前記第１の寸法の算出
を行う基準値寸法算出ステップと、前記第１の実測値情
報入力ステップにおいて入力された前記第１の実測値情
報に示される前記第１の寸法の実測値と、前記基準値寸
法算出ステップによって求められた前記第１の寸法の算
出値と、の関係を示す寸法誤差関係情報を生成する寸法
誤差関係情報生成ステップと、第２の半導体ウェハにお
ける前記第１の寸法を物理的に測定することによって抽
出した前記第１の寸法の実測値を示す第３の実測値情報
の入力を受け付ける第３の実測値情報入力ステップと、
前記寸法誤差関係情報生成ステップによって生成された
前記寸法誤差関係情報と、前記第３の実測値情報入力ス
テップにおいて入力された前記第３の実測値情報とを用
い、前記第２の半導体ウェハにおける前記第１の寸法を
算出する第１の寸法算出ステップと、を実行させるため
のプログラムが提供される。
【００３４】また、本発明のプログラムは、好ましく
は、コンピュータに、寸法算出ステップによって算出さ
れた第１の寸法を示す第１の寸法算出情報を用い、シミ
ュレーションによって、第２の寸法を算出する第２の寸
法算出ステップをさらに実行させる。
は、コンピュータに、寸法算出ステップによって算出さ
れた第１の寸法を示す第１の寸法算出情報を用い、シミ
ュレーションによって、第２の寸法を算出する第２の寸
法算出ステップをさらに実行させる。
【００３５】また、コンピュータに、第１の半導体ウェ
ハにおける第１の寸法を物理的に測定することによって
抽出した前記第１の寸法の実測値を示す第１の実測値情
報の入力を受け付ける第１の実測値情報入力ステップ
と、前記第１の半導体ウェハにおける第２の寸法を物理
的に測定することによって抽出した前記第２の寸法の実
測値を示す第２の実測値情報の入力を受け付ける第２の
実測値情報入力ステップと、前記第２の実測値情報入力
ステップにおいて入力された前記第２の実測値情報を用
い、シミュレーションによって、前記第１の寸法の算出
を行う基準値寸法算出ステップと、前記第１の実測値情
報入力ステップにおいて入力された前記第１の実測値情
報に示される前記第１の寸法の実測値と、前記基準値寸
法算出ステップによって求められた前記第１の寸法の算
出値と、の関係を示す寸法誤差関係情報を生成する寸法
誤差関係情報生成ステップと、第２の半導体ウェハにお
ける前記第１の寸法を物理的に測定することによって抽
出した前記第１の寸法の実測値を示す第３の実測値情報
の入力を受け付ける第３の実測値情報入力ステップと、
前記寸法誤差関係情報生成ステップによって生成された
前記寸法誤差関係情報と、前記第３の実測値情報入力ス
テップにおいて入力された前記第３の実測値情報とを用
い、前記第２の半導体ウェハにおける前記第１の寸法を
算出する第１の寸法算出ステップと、を実行させるため
のプログラムを記録したコンピュータ読みとり可能な記
録媒体が提供される。
ハにおける第１の寸法を物理的に測定することによって
抽出した前記第１の寸法の実測値を示す第１の実測値情
報の入力を受け付ける第１の実測値情報入力ステップ
と、前記第１の半導体ウェハにおける第２の寸法を物理
的に測定することによって抽出した前記第２の寸法の実
測値を示す第２の実測値情報の入力を受け付ける第２の
実測値情報入力ステップと、前記第２の実測値情報入力
ステップにおいて入力された前記第２の実測値情報を用
い、シミュレーションによって、前記第１の寸法の算出
を行う基準値寸法算出ステップと、前記第１の実測値情
報入力ステップにおいて入力された前記第１の実測値情
報に示される前記第１の寸法の実測値と、前記基準値寸
法算出ステップによって求められた前記第１の寸法の算
出値と、の関係を示す寸法誤差関係情報を生成する寸法
誤差関係情報生成ステップと、第２の半導体ウェハにお
ける前記第１の寸法を物理的に測定することによって抽
出した前記第１の寸法の実測値を示す第３の実測値情報
の入力を受け付ける第３の実測値情報入力ステップと、
前記寸法誤差関係情報生成ステップによって生成された
前記寸法誤差関係情報と、前記第３の実測値情報入力ス
テップにおいて入力された前記第３の実測値情報とを用
い、前記第２の半導体ウェハにおける前記第１の寸法を
算出する第１の寸法算出ステップと、を実行させるため
のプログラムを記録したコンピュータ読みとり可能な記
録媒体が提供される。
【００３６】また、本発明の記録媒体は、コンピュータ
に、第１の寸法算出ステップによって算出された第１の
寸法を示す第１の寸法算出情報を用い、シミュレーショ
ンによって、第２の寸法を算出する第２の寸法算出ステ
ップをさらに実行させるためのプログラムを記録してい
る。
に、第１の寸法算出ステップによって算出された第１の
寸法を示す第１の寸法算出情報を用い、シミュレーショ
ンによって、第２の寸法を算出する第２の寸法算出ステ
ップをさらに実行させるためのプログラムを記録してい
る。
【００３７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。まず、本発明における第１の実施
の形態について説明する。
を参照して説明する。まず、本発明における第１の実施
の形態について説明する。
【００３８】図１は、本形態における寸法検出装置１の
機能構成を例示したブロック図である。図１に例示する
ように、寸法検出装置１は、例えば、第１の半導体ウェ
ハにおける第１の寸法を物理的に測定することによって
抽出した第１の寸法の実測値を示す第１の実測値情報の
入力を受け付ける第１の実測値情報入力手段２、第１の
半導体ウェハにおける第１の寸法を決定付ける定数を示
す情報である定数情報の入力を受け付ける定数情報入力
手段３、第１の半導体ウェハにおける第２の寸法を物理
的に測定することによって抽出した第２の寸法の実測値
を示す第２の実測値情報の入力を受け付ける第２の実測
値情報入力手段４、第２の実測値情報入力手段４におい
て入力された第２の実測値情報を用い、シミュレーショ
ンによって、第１の寸法の算出を行う基準値寸法算出手
段５、第１の実測値情報入力手段２において入力された
第１の実測値情報に示される第１の寸法の実測値と、基
準値寸法算出手段５によって求められた第１の寸法の算
出値と、の関係を示す寸法誤差関係情報を生成する寸法
誤差関係情報生成手段６、寸法誤差関係情報生成手段６
によって生成された寸法誤差関係情報を格納する寸法誤
差関係情報格納手段７、第２の半導体ウェハにおける第
１の寸法を物理的に測定することによって抽出した第１
の寸法の実測値を示す第３の実測値情報の入力を受け付
ける第３の実測値情報入力手段８、及び寸法誤差関係情
報生成手段６によって生成された寸法誤差関係情報と、
第３の実測値情報入力手段８において入力された第３の
実測値情報とを用い、第２の半導体ウェハにおける第１
の寸法を算出する第１の寸法算出手段９を有している。
機能構成を例示したブロック図である。図１に例示する
ように、寸法検出装置１は、例えば、第１の半導体ウェ
ハにおける第１の寸法を物理的に測定することによって
抽出した第１の寸法の実測値を示す第１の実測値情報の
入力を受け付ける第１の実測値情報入力手段２、第１の
半導体ウェハにおける第１の寸法を決定付ける定数を示
す情報である定数情報の入力を受け付ける定数情報入力
手段３、第１の半導体ウェハにおける第２の寸法を物理
的に測定することによって抽出した第２の寸法の実測値
を示す第２の実測値情報の入力を受け付ける第２の実測
値情報入力手段４、第２の実測値情報入力手段４におい
て入力された第２の実測値情報を用い、シミュレーショ
ンによって、第１の寸法の算出を行う基準値寸法算出手
段５、第１の実測値情報入力手段２において入力された
第１の実測値情報に示される第１の寸法の実測値と、基
準値寸法算出手段５によって求められた第１の寸法の算
出値と、の関係を示す寸法誤差関係情報を生成する寸法
誤差関係情報生成手段６、寸法誤差関係情報生成手段６
によって生成された寸法誤差関係情報を格納する寸法誤
差関係情報格納手段７、第２の半導体ウェハにおける第
１の寸法を物理的に測定することによって抽出した第１
の寸法の実測値を示す第３の実測値情報の入力を受け付
ける第３の実測値情報入力手段８、及び寸法誤差関係情
報生成手段６によって生成された寸法誤差関係情報と、
第３の実測値情報入力手段８において入力された第３の
実測値情報とを用い、第２の半導体ウェハにおける第１
の寸法を算出する第１の寸法算出手段９を有している。
【００３９】図１に例示するように、例えば、第１の実
測値情報入力手段２は、寸法誤差関係情報生成手段６
と、寸法誤差関係情報生成手段６は、寸法誤差関係情報
格納手段７と、それぞれ情報のやりとりが可能なように
構成される。また、例えば、第２の実測値情報入力手段
４は、基準値寸法算出手段５と、基準値寸法算出手段５
は、寸法誤差関係情報生成手段６及び定数情報入力手段
３と、それぞれ情報のやりとりが可能なように構成され
る。さらに、例えば、第３の実測値情報入力手段８は、
第１の寸法算出手段９と、第１の寸法算出手段９は、寸
法誤差関係情報格納手段７と、それぞれ情報のやりとり
が可能なように構成される。
測値情報入力手段２は、寸法誤差関係情報生成手段６
と、寸法誤差関係情報生成手段６は、寸法誤差関係情報
格納手段７と、それぞれ情報のやりとりが可能なように
構成される。また、例えば、第２の実測値情報入力手段
４は、基準値寸法算出手段５と、基準値寸法算出手段５
は、寸法誤差関係情報生成手段６及び定数情報入力手段
３と、それぞれ情報のやりとりが可能なように構成され
る。さらに、例えば、第３の実測値情報入力手段８は、
第１の寸法算出手段９と、第１の寸法算出手段９は、寸
法誤差関係情報格納手段７と、それぞれ情報のやりとり
が可能なように構成される。
【００４０】図２は、本形態における寸法検出装置１の
ハードウェア構成を例示したブロック図である。図２に
例示するように、寸法検出装置１は、例えば、ＣＰＵ
（Ｃｅｎｔｒａｌｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ：中
央処理装置）１１、ＨＤＤ（ＨａｒｄＤｉｓｋ Ｄｒｉ
ｖｅ：ハードディスク装置）１２、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ
Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）１３、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ
Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）１４、ホストバス１
５、ブリッジ１６、外部バス１７、入力インターフェー
ス１８ａ、キーボード１８ｂ、マウス１８ｃ、映像処理
装置１９ａ、及びＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ−Ｒａｙ Ｔ
ｕｂｅ）ディスプレイ１９ｂを有している。
ハードウェア構成を例示したブロック図である。図２に
例示するように、寸法検出装置１は、例えば、ＣＰＵ
（Ｃｅｎｔｒａｌｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ：中
央処理装置）１１、ＨＤＤ（ＨａｒｄＤｉｓｋ Ｄｒｉ
ｖｅ：ハードディスク装置）１２、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ
Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）１３、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ
Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）１４、ホストバス１
５、ブリッジ１６、外部バス１７、入力インターフェー
ス１８ａ、キーボード１８ｂ、マウス１８ｃ、映像処理
装置１９ａ、及びＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ−Ｒａｙ Ｔ
ｕｂｅ）ディスプレイ１９ｂを有している。
【００４１】図２に例示するように、例えば、ＣＰＵ１
１、ＨＤＤ１２、ＲＯＭ１３及びＲＡＭ１４は、ホスト
バス１５と、それぞれ情報のやりとりが可能なように接
続され、ホストバス１５は、ブリッジ１６を介し、外部
バス１７と情報のやりとりが可能なように接続される。
外部バス１７は、例えば、入力インターフェース１８
ａ、及び映像処理装置１９ａと、それぞれ情報のやりと
りが可能なように接続され、入力インターフェース１８
ａには、キーボード１８ｂ及びマウス１８ｃが、映像処
理装置１９ａにはＣＲＴディスプレイ１９ｂが、それぞ
れ情報のやりとりが可能なように接続される。
１、ＨＤＤ１２、ＲＯＭ１３及びＲＡＭ１４は、ホスト
バス１５と、それぞれ情報のやりとりが可能なように接
続され、ホストバス１５は、ブリッジ１６を介し、外部
バス１７と情報のやりとりが可能なように接続される。
外部バス１７は、例えば、入力インターフェース１８
ａ、及び映像処理装置１９ａと、それぞれ情報のやりと
りが可能なように接続され、入力インターフェース１８
ａには、キーボード１８ｂ及びマウス１８ｃが、映像処
理装置１９ａにはＣＲＴディスプレイ１９ｂが、それぞ
れ情報のやりとりが可能なように接続される。
【００４２】ＣＰＵ１１は、例えば、プロセッサを中心
とした構成となっており、図示していない発信器から供
給されるクロック信号に同期して、ＲＯＭ１３、或いは
ＲＡＭ１４に格納されているオペレーティングシステ
ム、アプリケーションプログラム等の各種プログラムを
実行する。
とした構成となっており、図示していない発信器から供
給されるクロック信号に同期して、ＲＯＭ１３、或いは
ＲＡＭ１４に格納されているオペレーティングシステ
ム、アプリケーションプログラム等の各種プログラムを
実行する。
【００４３】ＨＤＤ１２は、例えば、固定式の記憶装
置、ＲＯＭ１３は、マスクＲＯＭ等、ＲＡＭ１４は、ダ
イナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ：Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎ
ｄｏｍＡｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等であり、オペレ
ーティングシステム、アプリケーションプログラム等の
各種プログラムや、プログラムの実行に必要な各種デー
タ等の格納を行う。
置、ＲＯＭ１３は、マスクＲＯＭ等、ＲＡＭ１４は、ダ
イナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ：Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎ
ｄｏｍＡｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等であり、オペレ
ーティングシステム、アプリケーションプログラム等の
各種プログラムや、プログラムの実行に必要な各種デー
タ等の格納を行う。
【００４４】ホストバス１５及び外部バス１７は、例え
ば、マイクロプロセッサ、メモリ等から構成される情報
伝達路であり、ブリッジ１６は、ホストバス１５、外部
バス１７間のデータを中継する。
ば、マイクロプロセッサ、メモリ等から構成される情報
伝達路であり、ブリッジ１６は、ホストバス１５、外部
バス１７間のデータを中継する。
【００４５】入力インターフェース１８ａは、例えば、
キーボード１８ｂ及びマウス１８ｃからの入力信号を外
部バス１７に中継する。映像処理装置１９ａは、例え
ば、ＣＰＵ１１の制御の下、外部バス１７から供給され
る映像のアナログデータ或いはデジタルデータに対応す
るアナログ信号を生成し、生成したアナログ信号をＣＲ
Ｔディスプレイ１９ｂに供給する。
キーボード１８ｂ及びマウス１８ｃからの入力信号を外
部バス１７に中継する。映像処理装置１９ａは、例え
ば、ＣＰＵ１１の制御の下、外部バス１７から供給され
る映像のアナログデータ或いはデジタルデータに対応す
るアナログ信号を生成し、生成したアナログ信号をＣＲ
Ｔディスプレイ１９ｂに供給する。
【００４６】ＣＲＴディスプレイ１９ｂは、例えば、画
面表面の蛍光素材に電子ビームを当てることによって映
像の表示を行うブラウン管型のディスプレイであり、映
像処理装置１９ａから供給されたアナログ信号をもと
に、所定の映像の表示を行う。
面表面の蛍光素材に電子ビームを当てることによって映
像の表示を行うブラウン管型のディスプレイであり、映
像処理装置１９ａから供給されたアナログ信号をもと
に、所定の映像の表示を行う。
【００４７】以上のようなハードウェア構成によって、
本形態における寸法検出装置１の処理機能を実現するこ
とができる。次に、本形態における寸法検出装置１の動
作について説明する。
本形態における寸法検出装置１の処理機能を実現するこ
とができる。次に、本形態における寸法検出装置１の動
作について説明する。
【００４８】図３は、本形態における寸法検出装置１の
動作を説明するためのフローチャートである。図３に例
示するように、本形態における寸法検出装置１の処理ス
テップは、例えば、第１の半導体ウェハにおける第１の
寸法を物理的に測定することによって抽出した第１の寸
法の実測値を示す第１の実測値情報の入力を受け付ける
第１の実測値情報入力ステップ（ステップＳ１）、第１
の半導体ウェハにおける第２の寸法を物理的に測定する
ことによって抽出した第２の寸法の実測値を示す第２の
実測値情報の入力を受け付ける第２の実測値情報入力ス
テップ（ステップＳ２）、第２の実測値情報入力ステッ
プにおいて入力された第２の実測値情報を用い、シミュ
レーションによって、第１の寸法の算出を行う基準値寸
法算出ステップ（ステップＳ３）、第１の実測値情報入
力ステップにおいて入力された第１の実測値情報に示さ
れる第１の寸法の実測値と、基準値寸法算出ステップに
よって求められた第１の寸法の算出値と、の関係を示す
寸法誤差関係情報を生成する寸法誤差関係情報生成ステ
ップ（ステップＳ４）、寸法誤差関係情報生成ステップ
によって生成された寸法誤差関係情報を格納する寸法誤
差関係情報格納ステップ（ステップＳ５）、第２の半導
体ウェハにおける第１の寸法を物理的に測定することに
よって抽出した第１の寸法の実測値を示す第３の実測値
情報の入力を受け付ける第３の実測値情報入力ステップ
（ステップＳ６）、及び寸法誤差関係情報生成ステップ
によって生成された寸法誤差関係情報と、第３の実測値
情報入力ステップにおいて入力された第３の実測値情報
とを用い、第２の半導体ウェハにおける第１の寸法を算
出する第１の寸法算出ステップ（ステップＳ７）を有し
ている。以下、各ステップにおける処理を、図を用いて
説明していく。
動作を説明するためのフローチャートである。図３に例
示するように、本形態における寸法検出装置１の処理ス
テップは、例えば、第１の半導体ウェハにおける第１の
寸法を物理的に測定することによって抽出した第１の寸
法の実測値を示す第１の実測値情報の入力を受け付ける
第１の実測値情報入力ステップ（ステップＳ１）、第１
の半導体ウェハにおける第２の寸法を物理的に測定する
ことによって抽出した第２の寸法の実測値を示す第２の
実測値情報の入力を受け付ける第２の実測値情報入力ス
テップ（ステップＳ２）、第２の実測値情報入力ステッ
プにおいて入力された第２の実測値情報を用い、シミュ
レーションによって、第１の寸法の算出を行う基準値寸
法算出ステップ（ステップＳ３）、第１の実測値情報入
力ステップにおいて入力された第１の実測値情報に示さ
れる第１の寸法の実測値と、基準値寸法算出ステップに
よって求められた第１の寸法の算出値と、の関係を示す
寸法誤差関係情報を生成する寸法誤差関係情報生成ステ
ップ（ステップＳ４）、寸法誤差関係情報生成ステップ
によって生成された寸法誤差関係情報を格納する寸法誤
差関係情報格納ステップ（ステップＳ５）、第２の半導
体ウェハにおける第１の寸法を物理的に測定することに
よって抽出した第１の寸法の実測値を示す第３の実測値
情報の入力を受け付ける第３の実測値情報入力ステップ
（ステップＳ６）、及び寸法誤差関係情報生成ステップ
によって生成された寸法誤差関係情報と、第３の実測値
情報入力ステップにおいて入力された第３の実測値情報
とを用い、第２の半導体ウェハにおける第１の寸法を算
出する第１の寸法算出ステップ（ステップＳ７）を有し
ている。以下、各ステップにおける処理を、図を用いて
説明していく。
【００４９】ステップＳ１：本ステップでは、例えば、
第１の実測値情報の入力処理を行う。第１の実測値情報
とは、例えば、第１の半導体ウェハにおける第１の寸法
を物理的に測定することによって抽出した第１の寸法の
実測値を示す情報である。具体的には、例えば、ある半
導体ウェハに形成されたレジストパターンのパターン幅
（第１の寸法）の実測値を示す情報である。ここで、第
１の寸法が、半導体ウェハに形成されたレジストパター
ンのパターン幅である場合、この第１の寸法の測定は、
例えば、走査型電子顕微鏡、或いはレーザ光を用いた光
学的な方法によって行われることが望ましい。特に、レ
ーザ光を用いた光学的な方法の場合、その寸法測定の際
に、測定対象である半導体ウェハを真空状態とする必要
がないため、測定装置を簡略化することができるという
長所がある。以下に、レーザ光を用いた光学的な方法に
よって、半導体ウェハのレジストパターンのパターン幅
が測定される様子を例示する。
第１の実測値情報の入力処理を行う。第１の実測値情報
とは、例えば、第１の半導体ウェハにおける第１の寸法
を物理的に測定することによって抽出した第１の寸法の
実測値を示す情報である。具体的には、例えば、ある半
導体ウェハに形成されたレジストパターンのパターン幅
（第１の寸法）の実測値を示す情報である。ここで、第
１の寸法が、半導体ウェハに形成されたレジストパター
ンのパターン幅である場合、この第１の寸法の測定は、
例えば、走査型電子顕微鏡、或いはレーザ光を用いた光
学的な方法によって行われることが望ましい。特に、レ
ーザ光を用いた光学的な方法の場合、その寸法測定の際
に、測定対象である半導体ウェハを真空状態とする必要
がないため、測定装置を簡略化することができるという
長所がある。以下に、レーザ光を用いた光学的な方法に
よって、半導体ウェハのレジストパターンのパターン幅
が測定される様子を例示する。
【００５０】図４は、レーザ光を用いた光学的な方法に
よって、半導体ウェハ４０のレジストパターン４１のパ
ターン幅Ｌを測定するパターン幅測定装置２０の構成を
例示した概念図である。
よって、半導体ウェハ４０のレジストパターン４１のパ
ターン幅Ｌを測定するパターン幅測定装置２０の構成を
例示した概念図である。
【００５１】図４に例示するように、パターン幅測定装
置２０は、例えば、寸法測定に用いるレーザ光を出力す
るレーザ光源２１、及びレーザ光源２１から出力された
レーザ光のレジストパターン４１からの反射光を検出す
るＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃ
ｅ）カメラ２２を有しており、半導体ウェハ４０に形成
されたレジストパターン４１のパターン幅Ｌの測定を行
う。
置２０は、例えば、寸法測定に用いるレーザ光を出力す
るレーザ光源２１、及びレーザ光源２１から出力された
レーザ光のレジストパターン４１からの反射光を検出す
るＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃ
ｅ）カメラ２２を有しており、半導体ウェハ４０に形成
されたレジストパターン４１のパターン幅Ｌの測定を行
う。
【００５２】パターン幅測定装置２０を用いてレジスト
パターン４１のパターン幅Ｌの測定を行う場合、例え
ば、まず、図４に例示するように、レーザ光源２１から
レーザ光であるレーザ入射光３１を出力し、そのレーザ
入射光３１を、半導体ウェハ４０のレジストパターン４
１形成面に照射する。レジストパターン４１形成面に照
射されたレーザ入射光３１は、このレジストパターン４
１形成面において反射し、その反射光であるレーザ反射
光３２は、ＣＣＤカメラ２２により、画像情報として検
出される。ＣＣＤカメラ２２によって検出されたレーザ
反射光３２の画像情報は、その後、電気信号に変換さ
れ、図示していない画像処理装置へ送られる。この画像
情報を示す電気信号が送られた画像処理装置は、その画
像情報から、レジストパターン４１の形状を認識し、そ
のパターン幅Ｌを検出する。
パターン４１のパターン幅Ｌの測定を行う場合、例え
ば、まず、図４に例示するように、レーザ光源２１から
レーザ光であるレーザ入射光３１を出力し、そのレーザ
入射光３１を、半導体ウェハ４０のレジストパターン４
１形成面に照射する。レジストパターン４１形成面に照
射されたレーザ入射光３１は、このレジストパターン４
１形成面において反射し、その反射光であるレーザ反射
光３２は、ＣＣＤカメラ２２により、画像情報として検
出される。ＣＣＤカメラ２２によって検出されたレーザ
反射光３２の画像情報は、その後、電気信号に変換さ
れ、図示していない画像処理装置へ送られる。この画像
情報を示す電気信号が送られた画像処理装置は、その画
像情報から、レジストパターン４１の形状を認識し、そ
のパターン幅Ｌを検出する。
【００５３】なお、上述のパターン幅測定装置２０に用
いるレーザとしては、例えば、半導体レーザ、ＣＯ2レ
ーザ等、特に制限はなく、どのようなものでもよい。ま
た、図４の例では、レーザ光源２１から出力されたレー
ザ光を用いて、レジストパターン４１のパターン幅を測
定することとしたが、レーザ光源２１以外の光源、例え
ば、ハロゲン光源等を用い、レーザ光以外の光によっ
て、レジストパターン４１のパターン幅を測定すること
としてもよい。さらに、図４の例では、ＣＣＤカメラ２
２によって、レジストパターン４１からの反射光を検出
することとしたが、ＣＣＤカメラ２２以外の検出器によ
って、この反射光を検出する構成としてもよい。
いるレーザとしては、例えば、半導体レーザ、ＣＯ2レ
ーザ等、特に制限はなく、どのようなものでもよい。ま
た、図４の例では、レーザ光源２１から出力されたレー
ザ光を用いて、レジストパターン４１のパターン幅を測
定することとしたが、レーザ光源２１以外の光源、例え
ば、ハロゲン光源等を用い、レーザ光以外の光によっ
て、レジストパターン４１のパターン幅を測定すること
としてもよい。さらに、図４の例では、ＣＣＤカメラ２
２によって、レジストパターン４１からの反射光を検出
することとしたが、ＣＣＤカメラ２２以外の検出器によ
って、この反射光を検出する構成としてもよい。
【００５４】このように測定されたパターン幅等の第１
の寸法を示す第１の実測値情報は、例えば、第１の実測
値情報入力手段２において入力される。ここで、第１の
実測値情報入力手段２における第１の実測値情報の入力
とは、例えば、上述のパターン幅測定装置２０及び画像
処理装置におけるパターン幅Ｌの検出結果等を、直接、
データとして入力すること、或いは、利用者が、図２に
例示したキーボード１８ｂ等を用い、上述のパターン幅
測定装置２０及び画像処理装置における検出結果を入力
すること等を意味する。
の寸法を示す第１の実測値情報は、例えば、第１の実測
値情報入力手段２において入力される。ここで、第１の
実測値情報入力手段２における第１の実測値情報の入力
とは、例えば、上述のパターン幅測定装置２０及び画像
処理装置におけるパターン幅Ｌの検出結果等を、直接、
データとして入力すること、或いは、利用者が、図２に
例示したキーボード１８ｂ等を用い、上述のパターン幅
測定装置２０及び画像処理装置における検出結果を入力
すること等を意味する。
【００５５】第１の実測値情報の入力が終了すると、例
えば、次に、ステップＳ２に移る。 ステップＳ２：本ステップでは、例えば、第２の実測値
情報及び定数情報の入力処理を行う。
えば、次に、ステップＳ２に移る。 ステップＳ２：本ステップでは、例えば、第２の実測値
情報及び定数情報の入力処理を行う。
【００５６】第２の実測値情報とは、例えば、第１の半
導体ウェハにおける第２の寸法を物理的に測定すること
によって抽出した第２の寸法の実測値を示す情報であ
る。また、第２の寸法は、例えば、第１の寸法よりも高
い精度で物理的な測定が可能な寸法であり、さらに、例
えば、第１の寸法よりも、物理的な測定に長時間を要す
る寸法である。具体的には、例えば、第１の寸法が、上
述の半導体ウェハに形成されたレジストパターンのパタ
ーン幅であった場合、このレジストパターンの膜厚の実
測値を示す情報等が、この第２の実測値情報に該当す
る。
導体ウェハにおける第２の寸法を物理的に測定すること
によって抽出した第２の寸法の実測値を示す情報であ
る。また、第２の寸法は、例えば、第１の寸法よりも高
い精度で物理的な測定が可能な寸法であり、さらに、例
えば、第１の寸法よりも、物理的な測定に長時間を要す
る寸法である。具体的には、例えば、第１の寸法が、上
述の半導体ウェハに形成されたレジストパターンのパタ
ーン幅であった場合、このレジストパターンの膜厚の実
測値を示す情報等が、この第２の実測値情報に該当す
る。
【００５７】ここで、第２の寸法が、半導体ウェハに形
成されたレジストパターンの膜厚である場合、この第２
の寸法の測定は、例えば、偏光解析法等の光学的な方法
によって行うことが望ましい。以下に、偏光解析法によ
って半導体ウェハ４０に形成されたレジストパターン４
１の膜厚が測定される様子を例示する。
成されたレジストパターンの膜厚である場合、この第２
の寸法の測定は、例えば、偏光解析法等の光学的な方法
によって行うことが望ましい。以下に、偏光解析法によ
って半導体ウェハ４０に形成されたレジストパターン４
１の膜厚が測定される様子を例示する。
【００５８】図５は、この偏光解析法によって半導体ウ
ェハ４０のレジストパターン４１の膜厚Ｔを測定する膜
厚測定装置５０の構成を例示した概念図である。図５に
例示するように、膜厚測定装置５０は、例えば、ＣＯ2
レーザ光源、半導体レーザ光源等の光源５１、コリメー
トレンズ５２、通過光の特定成分に対し、１／２波長分
の光路差を与える１／２波長板５３、通過光の特定成分
に対し、１／４波長分の光路差を与える１／４波長板５
４、入射光の偏光の有無、及び偏光の方位を検出する検
光子５５、集光レンズ５６、及び検出器５７を有してお
り、レジストパターン４１に入射させた光束６０の偏光
状態が、レジストパターン４１での反射前後において変
化する現象を利用して、レジストパターン４１の膜厚Ｔ
を測定する。
ェハ４０のレジストパターン４１の膜厚Ｔを測定する膜
厚測定装置５０の構成を例示した概念図である。図５に
例示するように、膜厚測定装置５０は、例えば、ＣＯ2
レーザ光源、半導体レーザ光源等の光源５１、コリメー
トレンズ５２、通過光の特定成分に対し、１／２波長分
の光路差を与える１／２波長板５３、通過光の特定成分
に対し、１／４波長分の光路差を与える１／４波長板５
４、入射光の偏光の有無、及び偏光の方位を検出する検
光子５５、集光レンズ５６、及び検出器５７を有してお
り、レジストパターン４１に入射させた光束６０の偏光
状態が、レジストパターン４１での反射前後において変
化する現象を利用して、レジストパターン４１の膜厚Ｔ
を測定する。
【００５９】図５に例示するように、光源５１から出力
された直線偏光である光束６０は、まず、コリメートレ
ンズ５２を通過し、平行光となる。平行光となった光束
６０は、１／２波長板５３に入射し、この１／２波長板
５３により、電気ベクトルの振動方向が変換された直線
偏光となる。次に、この光束６０は、１／４波長板５４
に入射し、この１／４波長板５４により、楕円偏光とな
る。なお、ここで、１／２波長板５３及び１／４波長板
５４は、相互に独立に回転することが可能な構成となっ
ており、これらを回転させることにより、この１／２波
長板５３及び１／４波長板５４を通過した光束６０にお
ける楕円偏光主軸の方位と楕円率とを任意に変化させる
ことができる。
された直線偏光である光束６０は、まず、コリメートレ
ンズ５２を通過し、平行光となる。平行光となった光束
６０は、１／２波長板５３に入射し、この１／２波長板
５３により、電気ベクトルの振動方向が変換された直線
偏光となる。次に、この光束６０は、１／４波長板５４
に入射し、この１／４波長板５４により、楕円偏光とな
る。なお、ここで、１／２波長板５３及び１／４波長板
５４は、相互に独立に回転することが可能な構成となっ
ており、これらを回転させることにより、この１／２波
長板５３及び１／４波長板５４を通過した光束６０にお
ける楕円偏光主軸の方位と楕円率とを任意に変化させる
ことができる。
【００６０】このように楕円偏光となった光束６０は、
次に、半導体ウェハ４０に入射され、この半導体ウェハ
４０のレジストパターン４１において偏光状態を変化さ
せつつ、このレジストパターン４１において反射する。
反射した光束６０は、検光子５５を通過した後、集光レ
ンズ５６によって集光され、検出器５７に入射する。こ
の際、検出器５７における検出結果を参照しつつ、検光
子５５に達した光束６０が、検光子５５の透過軸と直行
する直線偏光となるように、１／２波長板５３及び１／
４波長板５４を回転調整する（光束６０が、検光子５５
の透過軸と直行する直線偏光となった場合、検出器５７
では、光束６０が検出されない消光状態となる。）。そ
して、この１／２波長板５３及び１／４波長板５４の回
転調整量を検出することにより、半導体ウェハ４０にお
ける光束６０の偏光状態の変化量を求め、この半導体ウ
ェハ４０における光束６０の偏光状態の変化量により、
レジストパターン４１の膜厚Ｔを求める。
次に、半導体ウェハ４０に入射され、この半導体ウェハ
４０のレジストパターン４１において偏光状態を変化さ
せつつ、このレジストパターン４１において反射する。
反射した光束６０は、検光子５５を通過した後、集光レ
ンズ５６によって集光され、検出器５７に入射する。こ
の際、検出器５７における検出結果を参照しつつ、検光
子５５に達した光束６０が、検光子５５の透過軸と直行
する直線偏光となるように、１／２波長板５３及び１／
４波長板５４を回転調整する（光束６０が、検光子５５
の透過軸と直行する直線偏光となった場合、検出器５７
では、光束６０が検出されない消光状態となる。）。そ
して、この１／２波長板５３及び１／４波長板５４の回
転調整量を検出することにより、半導体ウェハ４０にお
ける光束６０の偏光状態の変化量を求め、この半導体ウ
ェハ４０における光束６０の偏光状態の変化量により、
レジストパターン４１の膜厚Ｔを求める。
【００６１】このように求められた膜厚等の第２の寸法
を示す第２の実測値情報は、例えば、第２の実測値情報
入力手段４において入力される。ここで、第２の実測値
情報入力手段４における第２の実測値情報の入力とは、
例えば、上述の膜厚測定装置５０における膜厚Ｔの測定
結果等を、直接、データとして入力すること、或いは、
利用者が、図２に例示したキーボード１８ｂ等を用い、
膜厚測定装置５０における膜厚Ｔの測定結果を入力する
こと等を意味する。
を示す第２の実測値情報は、例えば、第２の実測値情報
入力手段４において入力される。ここで、第２の実測値
情報入力手段４における第２の実測値情報の入力とは、
例えば、上述の膜厚測定装置５０における膜厚Ｔの測定
結果等を、直接、データとして入力すること、或いは、
利用者が、図２に例示したキーボード１８ｂ等を用い、
膜厚測定装置５０における膜厚Ｔの測定結果を入力する
こと等を意味する。
【００６２】また、本ステップにおいて入力される定数
情報とは、例えば、第１の半導体ウェハの寸法を測定す
る際における固定パラメータを示す情報である。具体的
には、例えば、膜厚測定装置５０における光学定数（証
明条件等）や、半導体ウェハ４０における材質情報（レ
ジストパターンの屈折率情報等）等を示す情報が、この
定数情報に該当する。この定数情報の入力は、例えば、
第２の実測値情報と同様な方法により、定数情報入力手
段３において入力される。
情報とは、例えば、第１の半導体ウェハの寸法を測定す
る際における固定パラメータを示す情報である。具体的
には、例えば、膜厚測定装置５０における光学定数（証
明条件等）や、半導体ウェハ４０における材質情報（レ
ジストパターンの屈折率情報等）等を示す情報が、この
定数情報に該当する。この定数情報の入力は、例えば、
第２の実測値情報と同様な方法により、定数情報入力手
段３において入力される。
【００６３】第２の実測値情報及び定数情報の入力が終
了すると、例えば、次に、ステップＳ３に移る。 ステップＳ３：本ステップでは、例えば、第２の実測値
情報入力ステップにおいて入力された第２の実測値情報
を用い、シミュレーションによって、第１の寸法の算出
を行う。
了すると、例えば、次に、ステップＳ３に移る。 ステップＳ３：本ステップでは、例えば、第２の実測値
情報入力ステップにおいて入力された第２の実測値情報
を用い、シミュレーションによって、第１の寸法の算出
を行う。
【００６４】本ステップにおける第１の寸法の算出は、
例えば、所定のシミュレーションソフトウェアを用い、
基準値寸法算出手段５によって行われる。本ステップに
おいて使用するシミュレーションソフトウェアとして
は、例えば、所定のパラメータを入力することによっ
て、特定のパラメータ（例えば、パターン幅、膜厚等）
を算出できるものであれば、特に制限なく使用できる。
このようなシミュレーションソフトウェアの具体例とし
ては、例えば、メトロロジア（Ｍｅｔｒｏｌｏｇｉａ）
ソフトウェア等を挙げることができる。
例えば、所定のシミュレーションソフトウェアを用い、
基準値寸法算出手段５によって行われる。本ステップに
おいて使用するシミュレーションソフトウェアとして
は、例えば、所定のパラメータを入力することによっ
て、特定のパラメータ（例えば、パターン幅、膜厚等）
を算出できるものであれば、特に制限なく使用できる。
このようなシミュレーションソフトウェアの具体例とし
ては、例えば、メトロロジア（Ｍｅｔｒｏｌｏｇｉａ）
ソフトウェア等を挙げることができる。
【００６５】第１の寸法の算出を行う場合、例えば、ま
ず、基準値寸法算出手段５は、第２の実測値情報入力手
段４において入力された第２の実測値情報、及び定数情
報入力手段３において入力された定数情報を、第２の実
測値情報入力手段４及び定数情報入力手段３から受け取
る。具体的には、例えば、半導体ウェハ４０が有するレ
ジストパターン４１の膜厚Ｔの実測値を示す情報を、第
２の実測値情報として受け取り、光学定数及び材質情報
等の情報を、定数情報として受け取る。
ず、基準値寸法算出手段５は、第２の実測値情報入力手
段４において入力された第２の実測値情報、及び定数情
報入力手段３において入力された定数情報を、第２の実
測値情報入力手段４及び定数情報入力手段３から受け取
る。具体的には、例えば、半導体ウェハ４０が有するレ
ジストパターン４１の膜厚Ｔの実測値を示す情報を、第
２の実測値情報として受け取り、光学定数及び材質情報
等の情報を、定数情報として受け取る。
【００６６】第２の実測値情報及び定数情報を受け取っ
た基準値寸法算出手段５は、次に、受け取ったこれらの
情報を用い、シミュレーションによって第１の寸法の算
出を行う。具体的には、例えば、第２の実測値情報とし
て受け取った半導体ウェハ４０が有するレジストパター
ン４１の膜厚Ｔの実測値を示す情報と、定数情報として
受け取った光学定数及び材質情報等の情報とを用い、メ
トロロジアソフトウェア等を用い、半導体ウェハ４０が
有するレジストパターン４１のパターン幅Ｌの算出を行
う。
た基準値寸法算出手段５は、次に、受け取ったこれらの
情報を用い、シミュレーションによって第１の寸法の算
出を行う。具体的には、例えば、第２の実測値情報とし
て受け取った半導体ウェハ４０が有するレジストパター
ン４１の膜厚Ｔの実測値を示す情報と、定数情報として
受け取った光学定数及び材質情報等の情報とを用い、メ
トロロジアソフトウェア等を用い、半導体ウェハ４０が
有するレジストパターン４１のパターン幅Ｌの算出を行
う。
【００６７】このように、シミュレーションによって第
１の寸法が算出されると、例えば、次に、ステップＳ４
に移る。 ステップＳ４：本ステップでは、例えば、第１の実測値
情報入力ステップ（ステップＳ１）において入力された
第１の実測値情報に示される第１の寸法の実測値と、基
準値寸法算出ステップ（ステップＳ３）によって求めら
れた第１の寸法の算出値と、の関係を示す寸法誤差関係
情報を生成する。つまり、ステップＳ１において入力さ
れた第１の実測値情報に示される第１の寸法の実測値
は、半導体ウェハを物理的に実測した結果得られた値で
あるため、その値には所定の誤差が含まれる。本ステッ
プでは、例えば、ステップＳ３でシミュレーションによ
って算出された第１の寸法の算出値と、ステップＳ１で
測定された第１の寸法の実測値とを比較し、第１の寸法
とその測定誤差との関係を寸法誤差関係情報として生成
する。
１の寸法が算出されると、例えば、次に、ステップＳ４
に移る。 ステップＳ４：本ステップでは、例えば、第１の実測値
情報入力ステップ（ステップＳ１）において入力された
第１の実測値情報に示される第１の寸法の実測値と、基
準値寸法算出ステップ（ステップＳ３）によって求めら
れた第１の寸法の算出値と、の関係を示す寸法誤差関係
情報を生成する。つまり、ステップＳ１において入力さ
れた第１の実測値情報に示される第１の寸法の実測値
は、半導体ウェハを物理的に実測した結果得られた値で
あるため、その値には所定の誤差が含まれる。本ステッ
プでは、例えば、ステップＳ３でシミュレーションによ
って算出された第１の寸法の算出値と、ステップＳ１で
測定された第１の寸法の実測値とを比較し、第１の寸法
とその測定誤差との関係を寸法誤差関係情報として生成
する。
【００６８】本ステップにおける寸法誤差関係情報の算
出は、例えば、寸法誤差関係情報生成手段６によって行
われる。寸法誤差関係情報の算出を行う場合、例えば、
まず、寸法誤差関係情報生成手段６は、ステップＳ１に
おいて入力された第１の実測値情報を、第１の実測値情
報入力手段２から、ステップＳ３において算出された第
１の寸法の算出値を示す情報を、基準値寸法算出手段５
から受け取る。これらの情報を受け取った寸法誤差関係
情報生成手段６は、例えば、次に、受け取った情報を用
い、ステップＳ３でシミュレーションによって算出され
た第１の寸法の算出値と、ステップＳ１で測定された第
１の寸法の実測値との差を、第１の寸法ごとに求め、そ
の算出結果（第１の寸法の算出値と第１の寸法の実測値
との差）と第１の寸法値との関係式を、寸法誤差関係情
報として算出する。なお、この関係式には、例えば、ス
テップＳ２において説明した固定パラメータ等の定数を
変数として含めることとしてもよく、その他のパラメー
タを変数として含めることとしてもよい。また、第１の
寸法の算出値、及び第１の寸法の実測値のデータ量を増
やし、本ステップにおいて算出される寸法誤差関係情報
の精度を向上させることとしてもよい。
出は、例えば、寸法誤差関係情報生成手段６によって行
われる。寸法誤差関係情報の算出を行う場合、例えば、
まず、寸法誤差関係情報生成手段６は、ステップＳ１に
おいて入力された第１の実測値情報を、第１の実測値情
報入力手段２から、ステップＳ３において算出された第
１の寸法の算出値を示す情報を、基準値寸法算出手段５
から受け取る。これらの情報を受け取った寸法誤差関係
情報生成手段６は、例えば、次に、受け取った情報を用
い、ステップＳ３でシミュレーションによって算出され
た第１の寸法の算出値と、ステップＳ１で測定された第
１の寸法の実測値との差を、第１の寸法ごとに求め、そ
の算出結果（第１の寸法の算出値と第１の寸法の実測値
との差）と第１の寸法値との関係式を、寸法誤差関係情
報として算出する。なお、この関係式には、例えば、ス
テップＳ２において説明した固定パラメータ等の定数を
変数として含めることとしてもよく、その他のパラメー
タを変数として含めることとしてもよい。また、第１の
寸法の算出値、及び第１の寸法の実測値のデータ量を増
やし、本ステップにおいて算出される寸法誤差関係情報
の精度を向上させることとしてもよい。
【００６９】寸法誤差関係情報が生成されると、例え
ば、次に、ステップＳ５に移る。 ステップＳ５：本ステップでは、例えば、寸法誤差関係
情報生成ステップ（ステップＳ４）によって生成された
寸法誤差関係情報を格納する。
ば、次に、ステップＳ５に移る。 ステップＳ５：本ステップでは、例えば、寸法誤差関係
情報生成ステップ（ステップＳ４）によって生成された
寸法誤差関係情報を格納する。
【００７０】本ステップにおける寸法誤差関係情報の格
納は、例えば、まず、寸法誤差関係情報生成手段６にお
いて生成された寸法誤差関係情報を寸法誤差関係情報格
納手段７に送り、送られた寸法誤差関係情報を、この寸
法誤差関係情報格納手段７に格納することによって行わ
れる。
納は、例えば、まず、寸法誤差関係情報生成手段６にお
いて生成された寸法誤差関係情報を寸法誤差関係情報格
納手段７に送り、送られた寸法誤差関係情報を、この寸
法誤差関係情報格納手段７に格納することによって行わ
れる。
【００７１】寸法誤差関係情報の格納が終了すると、例
えば、次に、ステップＳ６に移る。 ステップＳ６：本ステップでは、例えば、第２の半導体
ウェハにおける第１の寸法を物理的に測定することによ
って抽出した第１の寸法の実測値を示す第３の実測値情
報の入力処理を行う。
えば、次に、ステップＳ６に移る。 ステップＳ６：本ステップでは、例えば、第２の半導体
ウェハにおける第１の寸法を物理的に測定することによ
って抽出した第１の寸法の実測値を示す第３の実測値情
報の入力処理を行う。
【００７２】ここで、第２の半導体ウェハとは、例え
ば、ステップＳ１において入力された第１の実測値情報
に係る第１の半導体ウェハとは別の半導体ウェハを意味
し、本形態の寸法検出装置１において算出を行う第１の
寸法の算出対象となる半導体ウェハを意味する。具体的
には、例えば、入力された第１の実測値情報に係る第１
の半導体ウェハと製造プロセスが同一で、ロットが異な
る半導体ウェハを意味し、この第１の半導体ウェハと同
一の製造プロセスにおいて製造され、寸法測定検査の対
象となる半導体ウェハを意味する。また、本ステップに
おける第１の寸法とは、ステップＳ１における第１の寸
法と同一の測定項目の寸法を意味し、例えば、ステップ
Ｓ１において入力される第１の実測値情報に示される第
１の寸法が、パターン幅Ｌであった場合、本ステップに
いう第１の寸法もパターン幅Ｌということになる。
ば、ステップＳ１において入力された第１の実測値情報
に係る第１の半導体ウェハとは別の半導体ウェハを意味
し、本形態の寸法検出装置１において算出を行う第１の
寸法の算出対象となる半導体ウェハを意味する。具体的
には、例えば、入力された第１の実測値情報に係る第１
の半導体ウェハと製造プロセスが同一で、ロットが異な
る半導体ウェハを意味し、この第１の半導体ウェハと同
一の製造プロセスにおいて製造され、寸法測定検査の対
象となる半導体ウェハを意味する。また、本ステップに
おける第１の寸法とは、ステップＳ１における第１の寸
法と同一の測定項目の寸法を意味し、例えば、ステップ
Ｓ１において入力される第１の実測値情報に示される第
１の寸法が、パターン幅Ｌであった場合、本ステップに
いう第１の寸法もパターン幅Ｌということになる。
【００７３】第３の実測値情報の取得は、ステップＳ１
の場合と同様な方法、例えば、レーザ光を用いた光学的
な方法によって行われ、このように取得された第３の実
測値情報は、ステップＳ１の場合と同様な方法により、
第３の実測値情報入力手段８において入力される。
の場合と同様な方法、例えば、レーザ光を用いた光学的
な方法によって行われ、このように取得された第３の実
測値情報は、ステップＳ１の場合と同様な方法により、
第３の実測値情報入力手段８において入力される。
【００７４】第３の実測値情報の入力が終了すると、例
えば、次に、ステップＳ７に移る。 ステップＳ７：本ステップでは、例えば、寸法誤差関係
情報生成ステップ（ステップＳ４）によって生成された
寸法誤差関係情報と、第３の実測値情報入力ステップ
（ステップＳ６）において入力された第３の実測値情報
とを用い、第２の半導体ウェハにおける第１の寸法を算
出する（第１の寸法情報）。
えば、次に、ステップＳ７に移る。 ステップＳ７：本ステップでは、例えば、寸法誤差関係
情報生成ステップ（ステップＳ４）によって生成された
寸法誤差関係情報と、第３の実測値情報入力ステップ
（ステップＳ６）において入力された第３の実測値情報
とを用い、第２の半導体ウェハにおける第１の寸法を算
出する（第１の寸法情報）。
【００７５】本ステップにおける第１の寸法の算出は、
例えば、第１の寸法算出手段９によって行われる。本ス
テップにおいて第１の寸法を算出する場合、例えば、ま
ず、第１の寸法算出手段９により、第３の実測値情報入
力手段８から第３の実測値情報を、寸法誤差関係情報格
納手段７から寸法誤差関係情報を、それぞれ取得する。
これらの情報を取得した第１の寸法算出手段９は、例え
ば、次に、取得した第３の実測値情報と寸法誤差関係情
報とを用い、計算によって、第１の寸法の算出を行う。
具体的には、例えば、寸法誤差関係情報に示される関係
式に、第３の実測値情報に示される第１の寸法の実測値
を代入し、その算出を行う。
例えば、第１の寸法算出手段９によって行われる。本ス
テップにおいて第１の寸法を算出する場合、例えば、ま
ず、第１の寸法算出手段９により、第３の実測値情報入
力手段８から第３の実測値情報を、寸法誤差関係情報格
納手段７から寸法誤差関係情報を、それぞれ取得する。
これらの情報を取得した第１の寸法算出手段９は、例え
ば、次に、取得した第３の実測値情報と寸法誤差関係情
報とを用い、計算によって、第１の寸法の算出を行う。
具体的には、例えば、寸法誤差関係情報に示される関係
式に、第３の実測値情報に示される第１の寸法の実測値
を代入し、その算出を行う。
【００７６】このようにして算出された第１の寸法の算
出結果は、例えば、第３の実測値情報入力手段８におい
て入力された第１の寸法の実測値から、所定の誤差を除
いた値となる。そのため、例えば、製造された半導体ウ
ェハごとに、上述のステップＳ６及びステップＳ７の処
理を繰り返して行うことにより、製造された半導体ウェ
ハにおける第１の寸法を、高精度で算出することが可能
となる。
出結果は、例えば、第３の実測値情報入力手段８におい
て入力された第１の寸法の実測値から、所定の誤差を除
いた値となる。そのため、例えば、製造された半導体ウ
ェハごとに、上述のステップＳ６及びステップＳ７の処
理を繰り返して行うことにより、製造された半導体ウェ
ハにおける第１の寸法を、高精度で算出することが可能
となる。
【００７７】また、第１の寸法算出手段９における第１
の寸法の算出は、例えば、事前に寸法誤差関係情報格納
手段７に格納された寸法誤差関係情報を用いた計算によ
って行うため、この第１の寸法の算出に必要な時間は、
第３の実測値情報（第１の寸法の実測値）のみを取得す
るために必要な時間と、ほぼ同等である。そのため、特
別な時間をかけることなく、製造された半導体ウェハに
おける第１の寸法の正確な値を、短時間で求めることが
できる。
の寸法の算出は、例えば、事前に寸法誤差関係情報格納
手段７に格納された寸法誤差関係情報を用いた計算によ
って行うため、この第１の寸法の算出に必要な時間は、
第３の実測値情報（第１の寸法の実測値）のみを取得す
るために必要な時間と、ほぼ同等である。そのため、特
別な時間をかけることなく、製造された半導体ウェハに
おける第１の寸法の正確な値を、短時間で求めることが
できる。
【００７８】このように、本形態では、第１の実測値情
報入力手段２において、第１の半導体ウェハにおける第
１の寸法を物理的に測定することによって抽出した第１
の寸法の実測値を示す第１の実測値情報の入力を受け付
け、第２の実測値情報入力手段４によって、第１の半導
体ウェハにおける第２の寸法を物理的に測定することに
よって抽出した第２の寸法の実測値を示す第２の実測値
情報の入力を受け付け、基準値寸法算出手段５によっ
て、第２の実測値情報入力手段４において入力された第
２の実測値情報を用い、シミュレーションによって、第
１の寸法の算出を行い、寸法誤差関係情報生成手段６に
よって、第１の実測値情報入力手段２において入力され
た第１の実測値情報に示される第１の寸法の実測値と、
基準値寸法算出手段５によって求められた第１の寸法の
算出値と、の関係を示す寸法誤差関係情報を生成し、第
３の実測値情報入力手段８において、第２の半導体ウェ
ハにおける第１の寸法を物理的に測定することによって
抽出した第１の寸法の実測値を示す第３の実測値情報の
入力を受け付け、第１の寸法算出手段９によって、寸法
誤差関係情報生成手段６によって生成された寸法誤差関
係情報と、第３の実測値情報入力手段８において入力さ
れた第３の実測値情報とを用い、第２の半導体ウェハに
おける第１の寸法を算出することとしたため、製造され
た半導体ウェハにおける第１の寸法を、高精度で算出す
ることが可能となる。
報入力手段２において、第１の半導体ウェハにおける第
１の寸法を物理的に測定することによって抽出した第１
の寸法の実測値を示す第１の実測値情報の入力を受け付
け、第２の実測値情報入力手段４によって、第１の半導
体ウェハにおける第２の寸法を物理的に測定することに
よって抽出した第２の寸法の実測値を示す第２の実測値
情報の入力を受け付け、基準値寸法算出手段５によっ
て、第２の実測値情報入力手段４において入力された第
２の実測値情報を用い、シミュレーションによって、第
１の寸法の算出を行い、寸法誤差関係情報生成手段６に
よって、第１の実測値情報入力手段２において入力され
た第１の実測値情報に示される第１の寸法の実測値と、
基準値寸法算出手段５によって求められた第１の寸法の
算出値と、の関係を示す寸法誤差関係情報を生成し、第
３の実測値情報入力手段８において、第２の半導体ウェ
ハにおける第１の寸法を物理的に測定することによって
抽出した第１の寸法の実測値を示す第３の実測値情報の
入力を受け付け、第１の寸法算出手段９によって、寸法
誤差関係情報生成手段６によって生成された寸法誤差関
係情報と、第３の実測値情報入力手段８において入力さ
れた第３の実測値情報とを用い、第２の半導体ウェハに
おける第１の寸法を算出することとしたため、製造され
た半導体ウェハにおける第１の寸法を、高精度で算出す
ることが可能となる。
【００７９】また、第１の実測値情報入力手段２におい
て、第１の半導体ウェハにおける第１の寸法を物理的に
測定することによって抽出した第１の寸法の実測値を示
す第１の実測値情報の入力を受け付け、第２の実測値情
報入力手段４によって、第１の半導体ウェハにおける第
２の寸法を物理的に測定することによって抽出した第２
の寸法の実測値を示す第２の実測値情報の入力を受け付
け、基準値寸法算出手段５によって、第２の実測値情報
入力手段４において入力された第２の実測値情報を用
い、シミュレーションによって、第１の寸法の算出を行
い、寸法誤差関係情報生成手段６によって、第１の実測
値情報入力手段２において入力された第１の実測値情報
に示される第１の寸法の実測値と、基準値寸法算出手段
５によって求められた第１の寸法の算出値と、の関係を
示す寸法誤差関係情報を生成し、第３の実測値情報入力
手段８において、第２の半導体ウェハにおける第１の寸
法を物理的に測定することによって抽出した第１の寸法
の実測値を示す第３の実測値情報の入力を受け付け、第
１の寸法算出手段９によって、寸法誤差関係情報生成手
段６によって生成された寸法誤差関係情報と、第３の実
測値情報入力手段８において入力された第３の実測値情
報とを用い、第２の半導体ウェハにおける第１の寸法を
算出することとしたため、製造された半導体ウェハにお
ける第１の寸法の正確な値を、短時間で求めることがで
きる。
て、第１の半導体ウェハにおける第１の寸法を物理的に
測定することによって抽出した第１の寸法の実測値を示
す第１の実測値情報の入力を受け付け、第２の実測値情
報入力手段４によって、第１の半導体ウェハにおける第
２の寸法を物理的に測定することによって抽出した第２
の寸法の実測値を示す第２の実測値情報の入力を受け付
け、基準値寸法算出手段５によって、第２の実測値情報
入力手段４において入力された第２の実測値情報を用
い、シミュレーションによって、第１の寸法の算出を行
い、寸法誤差関係情報生成手段６によって、第１の実測
値情報入力手段２において入力された第１の実測値情報
に示される第１の寸法の実測値と、基準値寸法算出手段
５によって求められた第１の寸法の算出値と、の関係を
示す寸法誤差関係情報を生成し、第３の実測値情報入力
手段８において、第２の半導体ウェハにおける第１の寸
法を物理的に測定することによって抽出した第１の寸法
の実測値を示す第３の実測値情報の入力を受け付け、第
１の寸法算出手段９によって、寸法誤差関係情報生成手
段６によって生成された寸法誤差関係情報と、第３の実
測値情報入力手段８において入力された第３の実測値情
報とを用い、第２の半導体ウェハにおける第１の寸法を
算出することとしたため、製造された半導体ウェハにお
ける第１の寸法の正確な値を、短時間で求めることがで
きる。
【００８０】さらに、第１の実測値情報入力手段２にお
いて入力される第１の実測値情報の取得を、光学的な方
法を用いた測定によって行うことにより、走査型電子顕
微鏡を用いた寸法測定のように、寸法測定時に真空引き
を行う必要がなくなる。これにより、測定器の簡略化を
図ることが可能となる。
いて入力される第１の実測値情報の取得を、光学的な方
法を用いた測定によって行うことにより、走査型電子顕
微鏡を用いた寸法測定のように、寸法測定時に真空引き
を行う必要がなくなる。これにより、測定器の簡略化を
図ることが可能となる。
【００８１】また、寸法検出装置１によって求める第１
の寸法を半導体ウェハのパターン幅とし、第２の実測値
情報入力手段４において入力される第２の実測値情報に
係る第２の寸法を、パターン幅よりも高い精度で物理的
な寸法測定が可能な寸法（例えば、膜厚Ｔ）とすること
により、基準値寸法算出手段５によって算出される第１
の寸法の値を、この第１の寸法の実測値よりも高い精度
で算出することができる。これにより、寸法誤差関係情
報生成手段６において、適切な寸法誤差関係情報を生成
することが可能となり、結果、第１の寸法算出手段９に
よって算出される第１の寸法（パターン幅）の精度を、
第２の寸法並に向上させることができる。
の寸法を半導体ウェハのパターン幅とし、第２の実測値
情報入力手段４において入力される第２の実測値情報に
係る第２の寸法を、パターン幅よりも高い精度で物理的
な寸法測定が可能な寸法（例えば、膜厚Ｔ）とすること
により、基準値寸法算出手段５によって算出される第１
の寸法の値を、この第１の寸法の実測値よりも高い精度
で算出することができる。これにより、寸法誤差関係情
報生成手段６において、適切な寸法誤差関係情報を生成
することが可能となり、結果、第１の寸法算出手段９に
よって算出される第１の寸法（パターン幅）の精度を、
第２の寸法並に向上させることができる。
【００８２】なお、本発明は、上述の実施の形態に限定
されるものではない。例えば、本形態では、本発明を、
半導体ウェハに形成されたレジストパターンの寸法検出
のために利用する構成としたが、半導体ウェハに形成さ
れた絶縁層、配線層等、その他の寸法を検出するため
に、本発明を適用することとしてもよい。
されるものではない。例えば、本形態では、本発明を、
半導体ウェハに形成されたレジストパターンの寸法検出
のために利用する構成としたが、半導体ウェハに形成さ
れた絶縁層、配線層等、その他の寸法を検出するため
に、本発明を適用することとしてもよい。
【００８３】次に、本発明における第２の実施の形態に
ついて説明する。本形態は、第１の実施の形態の応用例
であり、最終的に第２の寸法を算出する点が第１の実施
の形態と相違する。
ついて説明する。本形態は、第１の実施の形態の応用例
であり、最終的に第２の寸法を算出する点が第１の実施
の形態と相違する。
【００８４】図６は、本形態における寸法検出装置７０
の機能構成を例示したブロック図である。図６に例示す
るように、寸法検出装置７０は、例えば、第１の半導体
ウェハにおける第１の寸法を物理的に測定することによ
って抽出した第１の寸法の実測値を示す第１の実測値情
報の入力を受け付ける第１の実測値情報入力手段７１、
第１の半導体ウェハにおける第１の寸法を決定付ける定
数を示す情報である定数情報の入力を受け付ける定数情
報入力手段７２、第１の半導体ウェハにおける第２の寸
法を物理的に測定することによって抽出した第２の寸法
の実測値を示す第２の実測値情報の入力を受け付ける第
２の実測値情報入力手段７３、第２の実測値情報入力手
段７３において入力された第２の実測値情報を用い、シ
ミュレーションによって、第１の寸法の算出を行う基準
値寸法算出手段７４、第１の実測値情報入力手段７１に
おいて入力された第１の実測値情報に示される第１の寸
法の実測値と、基準値寸法算出手段７４によって求めら
れた第１の寸法の算出値と、の関係を示す寸法誤差関係
情報を生成する寸法誤差関係情報生成手段７５、寸法誤
差関係情報生成手段７５によって生成された寸法誤差関
係情報を格納する寸法誤差関係情報格納手段７６、第２
の半導体ウェハにおける第１の寸法を物理的に測定する
ことによって抽出した第１の寸法の実測値を示す第３の
実測値情報の入力を受け付ける第３の実測値情報入力手
段７７、寸法誤差関係情報生成手段７５によって生成さ
れた寸法誤差関係情報と、第３の実測値情報入力手段７
７において入力された第３の実測値情報とを用い、第２
の半導体ウェハにおける第１の寸法を算出する第１の寸
法算出手段７８、及び第１の寸法算出手段７８によって
算出された第１の寸法を示す第１の寸法算出情報を用
い、シミュレーションによって、第２の寸法を算出する
第２の寸法算出手段７９を有している。
の機能構成を例示したブロック図である。図６に例示す
るように、寸法検出装置７０は、例えば、第１の半導体
ウェハにおける第１の寸法を物理的に測定することによ
って抽出した第１の寸法の実測値を示す第１の実測値情
報の入力を受け付ける第１の実測値情報入力手段７１、
第１の半導体ウェハにおける第１の寸法を決定付ける定
数を示す情報である定数情報の入力を受け付ける定数情
報入力手段７２、第１の半導体ウェハにおける第２の寸
法を物理的に測定することによって抽出した第２の寸法
の実測値を示す第２の実測値情報の入力を受け付ける第
２の実測値情報入力手段７３、第２の実測値情報入力手
段７３において入力された第２の実測値情報を用い、シ
ミュレーションによって、第１の寸法の算出を行う基準
値寸法算出手段７４、第１の実測値情報入力手段７１に
おいて入力された第１の実測値情報に示される第１の寸
法の実測値と、基準値寸法算出手段７４によって求めら
れた第１の寸法の算出値と、の関係を示す寸法誤差関係
情報を生成する寸法誤差関係情報生成手段７５、寸法誤
差関係情報生成手段７５によって生成された寸法誤差関
係情報を格納する寸法誤差関係情報格納手段７６、第２
の半導体ウェハにおける第１の寸法を物理的に測定する
ことによって抽出した第１の寸法の実測値を示す第３の
実測値情報の入力を受け付ける第３の実測値情報入力手
段７７、寸法誤差関係情報生成手段７５によって生成さ
れた寸法誤差関係情報と、第３の実測値情報入力手段７
７において入力された第３の実測値情報とを用い、第２
の半導体ウェハにおける第１の寸法を算出する第１の寸
法算出手段７８、及び第１の寸法算出手段７８によって
算出された第１の寸法を示す第１の寸法算出情報を用
い、シミュレーションによって、第２の寸法を算出する
第２の寸法算出手段７９を有している。
【００８５】図６に例示するように、例えば、第１の実
測値情報入力手段７１は、寸法誤差関係情報生成手段７
５と、寸法誤差関係情報生成手段７５は、寸法誤差関係
情報格納手段７６と、それぞれ情報のやりとりが可能な
ように構成される。また、例えば、第２の実測値情報入
力手段７３は、基準値寸法算出手段７４と、基準値寸法
算出手段７４は、寸法誤差関係情報生成手段７５及び定
数情報入力手段７２と、それぞれ情報のやりとりが可能
なように構成される。さらに、例えば、第３の実測値情
報入力手段７７は、第１の寸法算出手段７８と、第１の
寸法算出手段７８は、寸法誤差関係情報格納手段７６及
び第２の寸法算出手段７９と、第２の寸法算出手段７９
は、定数情報入力手段７２と、それぞれ情報のやりとり
が可能なように構成される。
測値情報入力手段７１は、寸法誤差関係情報生成手段７
５と、寸法誤差関係情報生成手段７５は、寸法誤差関係
情報格納手段７６と、それぞれ情報のやりとりが可能な
ように構成される。また、例えば、第２の実測値情報入
力手段７３は、基準値寸法算出手段７４と、基準値寸法
算出手段７４は、寸法誤差関係情報生成手段７５及び定
数情報入力手段７２と、それぞれ情報のやりとりが可能
なように構成される。さらに、例えば、第３の実測値情
報入力手段７７は、第１の寸法算出手段７８と、第１の
寸法算出手段７８は、寸法誤差関係情報格納手段７６及
び第２の寸法算出手段７９と、第２の寸法算出手段７９
は、定数情報入力手段７２と、それぞれ情報のやりとり
が可能なように構成される。
【００８６】なお、寸法検出装置７０のハードウェア構
成については、第１の実施の形態と同様であるため、説
明を省略する。次に、本形態における寸法検出装置７０
の動作について説明する。
成については、第１の実施の形態と同様であるため、説
明を省略する。次に、本形態における寸法検出装置７０
の動作について説明する。
【００８７】図７は、本形態における寸法検出装置７０
の動作を説明するためのフローチャートである。図７に
例示するように、本形態における寸法検出装置７０の処
理ステップは、例えば、第１の半導体ウェハにおける第
１の寸法を物理的に測定することによって抽出した第１
の寸法の実測値を示す第１の実測値情報の入力を受け付
ける第１の実測値情報入力ステップ（ステップＳ１
１）、第１の半導体ウェハにおける第２の寸法を物理的
に測定することによって抽出した第２の寸法の実測値を
示す第２の実測値情報の入力を受け付ける第２の実測値
情報入力ステップ（ステップＳ１２）、第２の実測値情
報入力ステップにおいて入力された第２の実測値情報を
用い、シミュレーションによって、第１の寸法の算出を
行う基準値寸法算出ステップ（ステップＳ１３）、第１
の実測値情報入力ステップにおいて入力された第１の実
測値情報に示される第１の寸法の実測値と、基準値寸法
算出ステップによって求められた第１の寸法の算出値
と、の関係を示す寸法誤差関係情報を生成する寸法誤差
関係情報生成ステップ（ステップＳ１４）、寸法誤差関
係情報生成ステップによって生成された寸法誤差関係情
報を格納する寸法誤差関係情報格納ステップ（ステップ
Ｓ１５）、第２の半導体ウェハにおける第１の寸法を物
理的に測定することによって抽出した第１の寸法の実測
値を示す第３の実測値情報の入力を受け付ける第３の実
測値情報入力ステップ（ステップＳ１６）、寸法誤差関
係情報生成ステップによって生成された寸法誤差関係情
報と、第３の実測値情報入力ステップにおいて入力され
た第３の実測値情報とを用い、第２の半導体ウェハにお
ける第１の寸法を算出する第１の寸法算出ステップ（ス
テップＳ１７）、及び第１の寸法算出ステップによって
算出された第１の寸法を示す第１の寸法算出情報を用
い、シミュレーションによって、第２の寸法を算出する
第２の寸法算出ステップ（ステップＳ１８）を有してい
る。以下、各ステップにおける処理の詳細を説明してい
く。
の動作を説明するためのフローチャートである。図７に
例示するように、本形態における寸法検出装置７０の処
理ステップは、例えば、第１の半導体ウェハにおける第
１の寸法を物理的に測定することによって抽出した第１
の寸法の実測値を示す第１の実測値情報の入力を受け付
ける第１の実測値情報入力ステップ（ステップＳ１
１）、第１の半導体ウェハにおける第２の寸法を物理的
に測定することによって抽出した第２の寸法の実測値を
示す第２の実測値情報の入力を受け付ける第２の実測値
情報入力ステップ（ステップＳ１２）、第２の実測値情
報入力ステップにおいて入力された第２の実測値情報を
用い、シミュレーションによって、第１の寸法の算出を
行う基準値寸法算出ステップ（ステップＳ１３）、第１
の実測値情報入力ステップにおいて入力された第１の実
測値情報に示される第１の寸法の実測値と、基準値寸法
算出ステップによって求められた第１の寸法の算出値
と、の関係を示す寸法誤差関係情報を生成する寸法誤差
関係情報生成ステップ（ステップＳ１４）、寸法誤差関
係情報生成ステップによって生成された寸法誤差関係情
報を格納する寸法誤差関係情報格納ステップ（ステップ
Ｓ１５）、第２の半導体ウェハにおける第１の寸法を物
理的に測定することによって抽出した第１の寸法の実測
値を示す第３の実測値情報の入力を受け付ける第３の実
測値情報入力ステップ（ステップＳ１６）、寸法誤差関
係情報生成ステップによって生成された寸法誤差関係情
報と、第３の実測値情報入力ステップにおいて入力され
た第３の実測値情報とを用い、第２の半導体ウェハにお
ける第１の寸法を算出する第１の寸法算出ステップ（ス
テップＳ１７）、及び第１の寸法算出ステップによって
算出された第１の寸法を示す第１の寸法算出情報を用
い、シミュレーションによって、第２の寸法を算出する
第２の寸法算出ステップ（ステップＳ１８）を有してい
る。以下、各ステップにおける処理の詳細を説明してい
く。
【００８８】ステップＳ１１：本ステップでは、例え
ば、第１の実測値情報の入力処理を行う。第１の実施の
形態と同様、第１の実測値情報とは、例えば、第１の半
導体ウェハにおける第１の寸法を物理的に測定すること
によって抽出した第１の寸法の実測値を示す情報であ
る。具体的には、例えば、ある半導体ウェハに形成され
たレジストパターンのパターン幅（第１の寸法）の実測
値を示す情報である。ここで、第１の寸法が、半導体ウ
ェハに形成されたレジストパターンのパターン幅である
場合、この第１の寸法の測定は、例えば、走査型電子顕
微鏡、或いはレーザ光を用いた光学的な方法によって行
われることが望ましい。特に、レーザ光を用いた光学的
な方法の場合、その寸法測定の際に、測定対象である半
導体ウェハを真空状態とする必要がないため、測定装置
を簡略化することができるという長所がある。
ば、第１の実測値情報の入力処理を行う。第１の実施の
形態と同様、第１の実測値情報とは、例えば、第１の半
導体ウェハにおける第１の寸法を物理的に測定すること
によって抽出した第１の寸法の実測値を示す情報であ
る。具体的には、例えば、ある半導体ウェハに形成され
たレジストパターンのパターン幅（第１の寸法）の実測
値を示す情報である。ここで、第１の寸法が、半導体ウ
ェハに形成されたレジストパターンのパターン幅である
場合、この第１の寸法の測定は、例えば、走査型電子顕
微鏡、或いはレーザ光を用いた光学的な方法によって行
われることが望ましい。特に、レーザ光を用いた光学的
な方法の場合、その寸法測定の際に、測定対象である半
導体ウェハを真空状態とする必要がないため、測定装置
を簡略化することができるという長所がある。
【００８９】測定されたパターン幅等の第１の寸法を示
す第１の実測値情報は、例えば、第１の実施の形態と同
様な方法により、第１の実測値情報入力手段７１におい
て入力される。
す第１の実測値情報は、例えば、第１の実施の形態と同
様な方法により、第１の実測値情報入力手段７１におい
て入力される。
【００９０】第１の実測値情報の入力が終了すると、例
えば、次に、ステップＳ１２に移る。 ステップＳ１２：本ステップでは、例えば、第２の実測
値情報及び定数情報の入力処理を行う。
えば、次に、ステップＳ１２に移る。 ステップＳ１２：本ステップでは、例えば、第２の実測
値情報及び定数情報の入力処理を行う。
【００９１】第１の実施の形態と同様、第２の実測値情
報とは、例えば、第１の半導体ウェハにおける第２の寸
法を物理的に測定することによって抽出した第２の寸法
の実測値を示す情報である。また、第２の寸法は、例え
ば、第１の寸法よりも高い精度で物理的な測定が可能な
寸法であり、さらに、例えば、第１の寸法よりも、物理
的な測定に長時間を要する寸法である。具体的には、例
えば、第１の寸法が、上述の半導体ウェハに形成された
レジストパターンのパターン幅であった場合、このレジ
ストパターンの膜厚の実測値を示す情報等が、この第２
の実測値情報に該当する。なお、第１の実施の形態と同
様、第２の寸法が、半導体ウェハに形成されたレジスト
パターンの膜厚である場合、この第２の寸法の測定は、
例えば、偏光解析法等の光学的な方法によって行うこと
が望ましい。
報とは、例えば、第１の半導体ウェハにおける第２の寸
法を物理的に測定することによって抽出した第２の寸法
の実測値を示す情報である。また、第２の寸法は、例え
ば、第１の寸法よりも高い精度で物理的な測定が可能な
寸法であり、さらに、例えば、第１の寸法よりも、物理
的な測定に長時間を要する寸法である。具体的には、例
えば、第１の寸法が、上述の半導体ウェハに形成された
レジストパターンのパターン幅であった場合、このレジ
ストパターンの膜厚の実測値を示す情報等が、この第２
の実測値情報に該当する。なお、第１の実施の形態と同
様、第２の寸法が、半導体ウェハに形成されたレジスト
パターンの膜厚である場合、この第２の寸法の測定は、
例えば、偏光解析法等の光学的な方法によって行うこと
が望ましい。
【００９２】求められた膜厚等の第２の寸法を示す第２
の実測値情報は、例えば、第１の実施の形態と同様な方
法により、第２の実測値情報入力手段７３において入力
される。
の実測値情報は、例えば、第１の実施の形態と同様な方
法により、第２の実測値情報入力手段７３において入力
される。
【００９３】また、第１の実施の形態と同様、本ステッ
プにおいて入力される定数情報とは、例えば、第１の半
導体ウェハの寸法を測定する際における固定パラメータ
を示す情報である。具体的には、例えば、光学定数（証
明条件等）や、材質情報（レジストパターンの屈折率情
報等）等を示す情報が、この定数情報に該当する。この
定数情報の入力は、例えば、第２の実測値情報と同様な
方法により、定数情報入力手段７２において入力され
る。
プにおいて入力される定数情報とは、例えば、第１の半
導体ウェハの寸法を測定する際における固定パラメータ
を示す情報である。具体的には、例えば、光学定数（証
明条件等）や、材質情報（レジストパターンの屈折率情
報等）等を示す情報が、この定数情報に該当する。この
定数情報の入力は、例えば、第２の実測値情報と同様な
方法により、定数情報入力手段７２において入力され
る。
【００９４】第２の実測値情報及び定数情報の入力が終
了すると、例えば、次に、ステップＳ１３に移る。 ステップＳ１３：本ステップでは、例えば、第２の実測
値情報入力ステップにおいて入力された第２の実測値情
報を用い、シミュレーションによって、第１の寸法の算
出を行う。
了すると、例えば、次に、ステップＳ１３に移る。 ステップＳ１３：本ステップでは、例えば、第２の実測
値情報入力ステップにおいて入力された第２の実測値情
報を用い、シミュレーションによって、第１の寸法の算
出を行う。
【００９５】本ステップにおける第１の寸法の算出は、
例えば、第１の実施の形態と同様、所定のシミュレーシ
ョンソフトウェアを用い、基準値寸法算出手段７４によ
って行われる。本ステップにおいて使用するシミュレー
ションソフトウェアとしては、例えば、所定のパラメー
タを入力することによって、特定のパラメータ（例え
ば、パターン幅、膜厚等）を算出できるものであれば、
特に制限なく使用できる。このようなシミュレーション
ソフトウェアの具体例としては、例えば、メトロロジア
ソフトウェア等を挙げることができる。
例えば、第１の実施の形態と同様、所定のシミュレーシ
ョンソフトウェアを用い、基準値寸法算出手段７４によ
って行われる。本ステップにおいて使用するシミュレー
ションソフトウェアとしては、例えば、所定のパラメー
タを入力することによって、特定のパラメータ（例え
ば、パターン幅、膜厚等）を算出できるものであれば、
特に制限なく使用できる。このようなシミュレーション
ソフトウェアの具体例としては、例えば、メトロロジア
ソフトウェア等を挙げることができる。
【００９６】第１の寸法の算出を行う場合、例えば、ま
ず、基準値寸法算出手段７４は、第２の実測値情報入力
手段７３において入力された第２の実測値情報、及び定
数情報入力手段７２において入力された定数情報を、第
２の実測値情報入力手段７３及び定数情報入力手段７２
から受け取る。具体的には、例えば、半導体ウェハが有
するレジストパターンの膜厚の実測値を示す情報を、第
２の実測値情報として受け取り、光学定数及び材質情報
等の情報を、定数情報として受け取る。
ず、基準値寸法算出手段７４は、第２の実測値情報入力
手段７３において入力された第２の実測値情報、及び定
数情報入力手段７２において入力された定数情報を、第
２の実測値情報入力手段７３及び定数情報入力手段７２
から受け取る。具体的には、例えば、半導体ウェハが有
するレジストパターンの膜厚の実測値を示す情報を、第
２の実測値情報として受け取り、光学定数及び材質情報
等の情報を、定数情報として受け取る。
【００９７】第２の実測値情報及び定数情報を受け取っ
た基準値寸法算出手段７４は、次に、受け取ったこれら
の情報を用い、シミュレーションによって第１の寸法の
算出を行う。具体的には、例えば、第２の実測値情報と
して受け取った半導体ウェハが有するレジストパターン
の膜厚の実測値を示す情報と、定数情報として受け取っ
た光学定数及び材質情報等の情報とを用い、メトロロジ
アソフトウェアを用い、半導体ウェハが有するレジスト
パターンのパターン幅の算出を行う。
た基準値寸法算出手段７４は、次に、受け取ったこれら
の情報を用い、シミュレーションによって第１の寸法の
算出を行う。具体的には、例えば、第２の実測値情報と
して受け取った半導体ウェハが有するレジストパターン
の膜厚の実測値を示す情報と、定数情報として受け取っ
た光学定数及び材質情報等の情報とを用い、メトロロジ
アソフトウェアを用い、半導体ウェハが有するレジスト
パターンのパターン幅の算出を行う。
【００９８】このように、シミュレーションによって第
１の寸法が算出されると、例えば、次に、ステップＳ１
４に移る。 ステップＳ１４：本ステップでは、例えば、第１の実測
値情報入力ステップ（ステップＳ１１）において入力さ
れた第１の実測値情報に示される第１の寸法の実測値
と、基準値寸法算出ステップ（ステップＳ１３）によっ
て求められた第１の寸法の算出値と、の関係を示す寸法
誤差関係情報を生成する。具体的には、例えば、第１の
実施の形態と同様、ステップＳ１３でシミュレーション
によって算出された第１の寸法の算出値と、ステップＳ
１１で測定された第１の寸法の実測値とを比較し、第１
の寸法とその測定誤差との関係を寸法誤差関係情報とし
て生成する。
１の寸法が算出されると、例えば、次に、ステップＳ１
４に移る。 ステップＳ１４：本ステップでは、例えば、第１の実測
値情報入力ステップ（ステップＳ１１）において入力さ
れた第１の実測値情報に示される第１の寸法の実測値
と、基準値寸法算出ステップ（ステップＳ１３）によっ
て求められた第１の寸法の算出値と、の関係を示す寸法
誤差関係情報を生成する。具体的には、例えば、第１の
実施の形態と同様、ステップＳ１３でシミュレーション
によって算出された第１の寸法の算出値と、ステップＳ
１１で測定された第１の寸法の実測値とを比較し、第１
の寸法とその測定誤差との関係を寸法誤差関係情報とし
て生成する。
【００９９】本ステップにおける寸法誤差関係情報の算
出は、例えば、寸法誤差関係情報生成手段７５によって
行われる。寸法誤差関係情報の算出を行う場合、例え
ば、まず、寸法誤差関係情報生成手段７５は、ステップ
Ｓ１１において入力された第１の実測値情報を、第１の
実測値情報入力手段７１から、ステップＳ１３において
算出された第１の寸法の算出値を示す情報を、基準値寸
法算出手段７４から受け取る。これらの情報を受け取っ
た寸法誤差関係情報生成手段７５は、例えば、次に、受
け取った情報を用い、ステップＳ１３でシミュレーショ
ンによって算出された第１の寸法の算出値と、ステップ
Ｓ１１で測定された第１の寸法の実測値との差を、第１
の寸法ごとに求め、その算出結果（第１の寸法の算出値
と第１の寸法の実測値との差）と第１の寸法値との関係
式を、寸法誤差関係情報として算出する。
出は、例えば、寸法誤差関係情報生成手段７５によって
行われる。寸法誤差関係情報の算出を行う場合、例え
ば、まず、寸法誤差関係情報生成手段７５は、ステップ
Ｓ１１において入力された第１の実測値情報を、第１の
実測値情報入力手段７１から、ステップＳ１３において
算出された第１の寸法の算出値を示す情報を、基準値寸
法算出手段７４から受け取る。これらの情報を受け取っ
た寸法誤差関係情報生成手段７５は、例えば、次に、受
け取った情報を用い、ステップＳ１３でシミュレーショ
ンによって算出された第１の寸法の算出値と、ステップ
Ｓ１１で測定された第１の寸法の実測値との差を、第１
の寸法ごとに求め、その算出結果（第１の寸法の算出値
と第１の寸法の実測値との差）と第１の寸法値との関係
式を、寸法誤差関係情報として算出する。
【０１００】なお、第１の実施の形態と同様、この関係
式には、例えば、固定パラメータ等の定数を変数として
含めることとしてもよく、その他のパラメータを変数と
して含めることとしてもよい。また、第１の寸法の算出
値、及び第１の寸法の実測値のデータ量を増やし、本ス
テップにおいて算出される寸法誤差関係情報の精度を向
上させることとしてもよい。
式には、例えば、固定パラメータ等の定数を変数として
含めることとしてもよく、その他のパラメータを変数と
して含めることとしてもよい。また、第１の寸法の算出
値、及び第１の寸法の実測値のデータ量を増やし、本ス
テップにおいて算出される寸法誤差関係情報の精度を向
上させることとしてもよい。
【０１０１】寸法誤差関係情報が生成されると、例え
ば、次に、ステップＳ１５に移る。 ステップＳ１５：本ステップでは、例えば、寸法誤差関
係情報生成ステップ（ステップＳ１４）によって生成さ
れた寸法誤差関係情報を格納する。
ば、次に、ステップＳ１５に移る。 ステップＳ１５：本ステップでは、例えば、寸法誤差関
係情報生成ステップ（ステップＳ１４）によって生成さ
れた寸法誤差関係情報を格納する。
【０１０２】第１の実施の形態と同様、本ステップにお
ける寸法誤差関係情報の格納は、例えば、まず、寸法誤
差関係情報生成手段７５において生成された寸法誤差関
係情報を寸法誤差関係情報格納手段７６に送り、送られ
た寸法誤差関係情報を、この寸法誤差関係情報格納手段
７６に格納することによって行われる。
ける寸法誤差関係情報の格納は、例えば、まず、寸法誤
差関係情報生成手段７５において生成された寸法誤差関
係情報を寸法誤差関係情報格納手段７６に送り、送られ
た寸法誤差関係情報を、この寸法誤差関係情報格納手段
７６に格納することによって行われる。
【０１０３】寸法誤差関係情報の格納が終了すると、例
えば、次に、ステップＳ１６に移る。 ステップＳ１６：本ステップでは、例えば、第２の半導
体ウェハにおける第１の寸法を物理的に測定することに
よって抽出した第１の寸法の実測値を示す第３の実測値
情報、及び定数情報の入力処理を行う。
えば、次に、ステップＳ１６に移る。 ステップＳ１６：本ステップでは、例えば、第２の半導
体ウェハにおける第１の寸法を物理的に測定することに
よって抽出した第１の寸法の実測値を示す第３の実測値
情報、及び定数情報の入力処理を行う。
【０１０４】第１の実施の形態と同様、第２の半導体ウ
ェハとは、例えば、ステップＳ１１において入力された
第１の実測値情報に係る第１の半導体ウェハとは別の半
導体ウェハを意味し、本形態の寸法検出装置７０におい
て算出を行う第１の寸法の算出対象となる半導体ウェハ
を意味する。具体的には、例えば、入力された第１の実
測値情報に係る第１の半導体ウェハと製造プロセスが同
一で、ロットが異なる半導体ウェハを意味し、この第１
の半導体ウェハと同一の製造プロセスにおいて製造さ
れ、寸法測定検査の対象となる半導体ウェハを意味す
る。また、第１の実施の形態と同様、本ステップにおけ
る第１の寸法とは、ステップＳ１１における第１の寸法
と同一の測定項目の寸法を意味し、例えば、ステップＳ
１１において入力される第１の実測値情報に示される第
１の寸法が、パターン幅であった場合、本ステップにい
う第１の寸法もパターンということになる。
ェハとは、例えば、ステップＳ１１において入力された
第１の実測値情報に係る第１の半導体ウェハとは別の半
導体ウェハを意味し、本形態の寸法検出装置７０におい
て算出を行う第１の寸法の算出対象となる半導体ウェハ
を意味する。具体的には、例えば、入力された第１の実
測値情報に係る第１の半導体ウェハと製造プロセスが同
一で、ロットが異なる半導体ウェハを意味し、この第１
の半導体ウェハと同一の製造プロセスにおいて製造さ
れ、寸法測定検査の対象となる半導体ウェハを意味す
る。また、第１の実施の形態と同様、本ステップにおけ
る第１の寸法とは、ステップＳ１１における第１の寸法
と同一の測定項目の寸法を意味し、例えば、ステップＳ
１１において入力される第１の実測値情報に示される第
１の寸法が、パターン幅であった場合、本ステップにい
う第１の寸法もパターンということになる。
【０１０５】第３の実測値情報の取得は、ステップＳ１
１の場合と同様な方法、例えば、レーザ光を用いた光学
的な方法によって行われ、このように取得された第３の
実測値情報は、ステップＳ１１の場合と同様な方法によ
り、第３の実測値情報入力手段７７において入力され
る。
１の場合と同様な方法、例えば、レーザ光を用いた光学
的な方法によって行われ、このように取得された第３の
実測値情報は、ステップＳ１１の場合と同様な方法によ
り、第３の実測値情報入力手段７７において入力され
る。
【０１０６】また、本ステップにおける定数情報の入力
は、例えば、ステップＳ１２と同様な方法により、定数
情報入力手段７２において行われる。第３の実測値情報
及び定数情報の入力が終了すると、例えば、次に、ステ
ップＳ１７に移る。
は、例えば、ステップＳ１２と同様な方法により、定数
情報入力手段７２において行われる。第３の実測値情報
及び定数情報の入力が終了すると、例えば、次に、ステ
ップＳ１７に移る。
【０１０７】ステップＳ１７：本ステップでは、例え
ば、寸法誤差関係情報生成ステップ（ステップＳ１４）
によって生成された寸法誤差関係情報と、第３の実測値
情報入力ステップ（ステップＳ１６）において入力され
た第３の実測値情報とを用い、第２の半導体ウェハにお
ける第１の寸法を算出する。
ば、寸法誤差関係情報生成ステップ（ステップＳ１４）
によって生成された寸法誤差関係情報と、第３の実測値
情報入力ステップ（ステップＳ１６）において入力され
た第３の実測値情報とを用い、第２の半導体ウェハにお
ける第１の寸法を算出する。
【０１０８】本ステップにおける第１の寸法の算出は、
例えば、第１の寸法算出手段７８によって行われる。本
ステップにおいて第１の寸法を算出する場合、例えば、
まず、第１の寸法算出手段７８により、第３の実測値情
報入力手段７７から第３の実測値情報を、寸法誤差関係
情報格納手段７６から寸法誤差関係情報を、それぞれ取
得する。これらの情報を取得した第１の寸法算出手段７
８は、例えば、次に、取得した第３の実測値情報と寸法
誤差関係情報とを用い、計算によって、第１の寸法の算
出を行う。具体的には、例えば、寸法誤差関係情報に示
される関係式に、第３の実測値情報に示される第１の寸
法の実測値を代入し、その算出を行う。
例えば、第１の寸法算出手段７８によって行われる。本
ステップにおいて第１の寸法を算出する場合、例えば、
まず、第１の寸法算出手段７８により、第３の実測値情
報入力手段７７から第３の実測値情報を、寸法誤差関係
情報格納手段７６から寸法誤差関係情報を、それぞれ取
得する。これらの情報を取得した第１の寸法算出手段７
８は、例えば、次に、取得した第３の実測値情報と寸法
誤差関係情報とを用い、計算によって、第１の寸法の算
出を行う。具体的には、例えば、寸法誤差関係情報に示
される関係式に、第３の実測値情報に示される第１の寸
法の実測値を代入し、その算出を行う。
【０１０９】第１の寸法の算出が終了すると、例えば、
次に、ステップＳ１８に移る。 ステップＳ１８：本ステップでは、例えば、第１の寸法
算出ステップによって算出された第１の寸法を示す第１
の寸法算出情報を用い、シミュレーションによって、第
２の寸法を算出する（第２の寸法情報）。
次に、ステップＳ１８に移る。 ステップＳ１８：本ステップでは、例えば、第１の寸法
算出ステップによって算出された第１の寸法を示す第１
の寸法算出情報を用い、シミュレーションによって、第
２の寸法を算出する（第２の寸法情報）。
【０１１０】本ステップにおける第１の寸法の算出は、
例えば、ステップＳ１３と同様に、所定のシミュレーシ
ョンソフトウェアを用い、第２の寸法算出手段７９によ
って行われる。本ステップにおいて使用するシミュレー
ションソフトウェアとしては、例えば、所定のパラメー
タを入力することによって、特定のパラメータ（例え
ば、パターン幅、膜厚等）を算出できるものであれば、
前述のメトロロジアソフトウェア等、特に制限なく使用
できる。
例えば、ステップＳ１３と同様に、所定のシミュレーシ
ョンソフトウェアを用い、第２の寸法算出手段７９によ
って行われる。本ステップにおいて使用するシミュレー
ションソフトウェアとしては、例えば、所定のパラメー
タを入力することによって、特定のパラメータ（例え
ば、パターン幅、膜厚等）を算出できるものであれば、
前述のメトロロジアソフトウェア等、特に制限なく使用
できる。
【０１１１】第２の寸法の算出を行う場合、例えば、ま
ず、第２の寸法算出手段７９は、ステップＳ１７におい
て第１の寸法算出手段７８によって生成された第１の寸
法を示す情報である第１の寸法算出情報、及び定数情報
入力手段７２において入力された定数情報を、第１の寸
法算出手段７８及び定数情報入力手段７２から受け取
る。具体的には、例えば、半導体ウェハが有するレジス
トパターンのパターン幅の計算値を示す情報を第１の寸
法算出情報として受け取り、光学定数及び材質情報等の
情報を、定数情報として受け取る。
ず、第２の寸法算出手段７９は、ステップＳ１７におい
て第１の寸法算出手段７８によって生成された第１の寸
法を示す情報である第１の寸法算出情報、及び定数情報
入力手段７２において入力された定数情報を、第１の寸
法算出手段７８及び定数情報入力手段７２から受け取
る。具体的には、例えば、半導体ウェハが有するレジス
トパターンのパターン幅の計算値を示す情報を第１の寸
法算出情報として受け取り、光学定数及び材質情報等の
情報を、定数情報として受け取る。
【０１１２】第１の寸法算出情報及び定数情報を受け取
った第２の寸法算出手段７９は、例えば、次に、受け取
ったこれらの情報を用い、シミュレーションによって第
２の寸法の算出を行う。
った第２の寸法算出手段７９は、例えば、次に、受け取
ったこれらの情報を用い、シミュレーションによって第
２の寸法の算出を行う。
【０１１３】具体的には、例えば、第１の寸法算出情報
として受け取った半導体ウェハが有するレジストパター
ンのパターン幅の計算値を示す情報と、定数情報として
受け取った光学定数及び材質情報等の情報とを用い、メ
トロロジアソフトウェアを用い、半導体ウェハが有する
レジストパターンの膜厚の算出を行う。
として受け取った半導体ウェハが有するレジストパター
ンのパターン幅の計算値を示す情報と、定数情報として
受け取った光学定数及び材質情報等の情報とを用い、メ
トロロジアソフトウェアを用い、半導体ウェハが有する
レジストパターンの膜厚の算出を行う。
【０１１４】このようにして算出された第２の寸法の算
出結果は、例えば、第１の寸法算出手段７８によって算
出された第１の寸法の算出結果（例えば、第３の実測値
情報入力手段８において入力された第１の寸法の実測値
から、所定の誤差を除いた値）を用い、シミュレーショ
ンによって求められた値である。よって、このように求
められた第２の寸法の算出結果は、第１の寸法算出手段
７８によって算出された第１の寸法の算出結果と同様、
高精度な値となる。そのため、例えば、製造された半導
体ウェハごとに、上述のステップＳ１６からステップＳ
１８の処理を繰り返して行うことにより、製造された半
導体ウェハにおける第２の寸法を、高精度で算出するこ
とが可能となる。
出結果は、例えば、第１の寸法算出手段７８によって算
出された第１の寸法の算出結果（例えば、第３の実測値
情報入力手段８において入力された第１の寸法の実測値
から、所定の誤差を除いた値）を用い、シミュレーショ
ンによって求められた値である。よって、このように求
められた第２の寸法の算出結果は、第１の寸法算出手段
７８によって算出された第１の寸法の算出結果と同様、
高精度な値となる。そのため、例えば、製造された半導
体ウェハごとに、上述のステップＳ１６からステップＳ
１８の処理を繰り返して行うことにより、製造された半
導体ウェハにおける第２の寸法を、高精度で算出するこ
とが可能となる。
【０１１５】また、第１の寸法算出手段７８における第
１の寸法の算出は、例えば、事前に寸法誤差関係情報格
納手段７６に格納された寸法誤差関係情報を用いた計算
によって行われ、第２の寸法算出手段７９における第２
の寸法の算出は、例えば、第１の寸法算出手段７８によ
って算出された第１の寸法を用いた計算によって行われ
る。そのため、この第２の寸法の算出に必要な時間は、
第３の実測値情報（第１の寸法の実測値）のみを取得す
るために必要な時間と、ほぼ同等である。そのため、た
とえ、この第２の寸法が、実測に長時間を要する寸法
（例えば、膜厚）であったとしても、製造された半導体
ウェハにおける第２の寸法の正確な値を、短時間で求め
ることができる。結果、実測に長時間をするため、製造
された半導体ウェハに対する全数測定ができなかった寸
法であっても、本形態の寸法検出装置７０を用いること
により、その測定時間を短縮することが可能となり、製
造された半導体ウェハに対する全数測定を行うことが可
能となる。
１の寸法の算出は、例えば、事前に寸法誤差関係情報格
納手段７６に格納された寸法誤差関係情報を用いた計算
によって行われ、第２の寸法算出手段７９における第２
の寸法の算出は、例えば、第１の寸法算出手段７８によ
って算出された第１の寸法を用いた計算によって行われ
る。そのため、この第２の寸法の算出に必要な時間は、
第３の実測値情報（第１の寸法の実測値）のみを取得す
るために必要な時間と、ほぼ同等である。そのため、た
とえ、この第２の寸法が、実測に長時間を要する寸法
（例えば、膜厚）であったとしても、製造された半導体
ウェハにおける第２の寸法の正確な値を、短時間で求め
ることができる。結果、実測に長時間をするため、製造
された半導体ウェハに対する全数測定ができなかった寸
法であっても、本形態の寸法検出装置７０を用いること
により、その測定時間を短縮することが可能となり、製
造された半導体ウェハに対する全数測定を行うことが可
能となる。
【０１１６】このように、本形態では、第１の実測値情
報入力手段７１において、第１の半導体ウェハにおける
第１の寸法を物理的に測定することによって抽出した第
１の寸法の実測値を示す第１の実測値情報の入力を受け
付け、第２の実測値情報入力手段７３によって、第１の
半導体ウェハにおける第２の寸法を物理的に測定するこ
とによって抽出した第２の寸法の実測値を示す第２の実
測値情報の入力を受け付け、基準値寸法算出手段７４に
よって、第２の実測値情報入力手段７３において入力さ
れた第２の実測値情報を用い、シミュレーションによっ
て、第１の寸法の算出を行い、寸法誤差関係情報生成手
段７５によって、第１の実測値情報入力手段７１におい
て入力された第１の実測値情報に示される第１の寸法の
実測値と、基準値寸法算出手段７４によって求められた
第１の寸法の算出値と、の関係を示す寸法誤差関係情報
を生成し、第３の実測値情報入力手段７７において、第
２の半導体ウェハにおける第１の寸法を物理的に測定す
ることによって抽出した第１の寸法の実測値を示す第３
の実測値情報の入力を受け付け、第１の寸法算出手段７
８によって、寸法誤差関係情報生成手段７５によって生
成された寸法誤差関係情報と、第３の実測値情報入力手
段７７において入力された第３の実測値情報とを用い、
第２の半導体ウェハにおける第１の寸法を算出し、第２
の寸法算出手段７９において、第１の寸法算出手段７８
によって算出された第１の寸法を示す第１の寸法算出情
報を用い、シミュレーションによって、第２の寸法を算
出することとしたため、製造された半導体ウェハにおけ
る第２の寸法を、高精度で算出することが可能となる。
報入力手段７１において、第１の半導体ウェハにおける
第１の寸法を物理的に測定することによって抽出した第
１の寸法の実測値を示す第１の実測値情報の入力を受け
付け、第２の実測値情報入力手段７３によって、第１の
半導体ウェハにおける第２の寸法を物理的に測定するこ
とによって抽出した第２の寸法の実測値を示す第２の実
測値情報の入力を受け付け、基準値寸法算出手段７４に
よって、第２の実測値情報入力手段７３において入力さ
れた第２の実測値情報を用い、シミュレーションによっ
て、第１の寸法の算出を行い、寸法誤差関係情報生成手
段７５によって、第１の実測値情報入力手段７１におい
て入力された第１の実測値情報に示される第１の寸法の
実測値と、基準値寸法算出手段７４によって求められた
第１の寸法の算出値と、の関係を示す寸法誤差関係情報
を生成し、第３の実測値情報入力手段７７において、第
２の半導体ウェハにおける第１の寸法を物理的に測定す
ることによって抽出した第１の寸法の実測値を示す第３
の実測値情報の入力を受け付け、第１の寸法算出手段７
８によって、寸法誤差関係情報生成手段７５によって生
成された寸法誤差関係情報と、第３の実測値情報入力手
段７７において入力された第３の実測値情報とを用い、
第２の半導体ウェハにおける第１の寸法を算出し、第２
の寸法算出手段７９において、第１の寸法算出手段７８
によって算出された第１の寸法を示す第１の寸法算出情
報を用い、シミュレーションによって、第２の寸法を算
出することとしたため、製造された半導体ウェハにおけ
る第２の寸法を、高精度で算出することが可能となる。
【０１１７】また、第１の実測値情報入力手段７１にお
いて、第１の半導体ウェハにおける第１の寸法を物理的
に測定することによって抽出した第１の寸法の実測値を
示す第１の実測値情報の入力を受け付け、第２の実測値
情報入力手段７３によって、第１の半導体ウェハにおけ
る第２の寸法を物理的に測定することによって抽出した
第２の寸法の実測値を示す第２の実測値情報の入力を受
け付け、基準値寸法算出手段７４によって、第２の実測
値情報入力手段７３において入力された第２の実測値情
報を用い、シミュレーションによって、第１の寸法の算
出を行い、寸法誤差関係情報生成手段７５によって、第
１の実測値情報入力手段７１において入力された第１の
実測値情報に示される第１の寸法の実測値と、基準値寸
法算出手段７４によって求められた第１の寸法の算出値
と、の関係を示す寸法誤差関係情報を生成し、第３の実
測値情報入力手段７７において、第２の半導体ウェハに
おける第１の寸法を物理的に測定することによって抽出
した第１の寸法の実測値を示す第３の実測値情報の入力
を受け付け、第１の寸法算出手段７８によって、寸法誤
差関係情報生成手段７５によって生成された寸法誤差関
係情報と、第３の実測値情報入力手段７７において入力
された第３の実測値情報とを用い、第２の半導体ウェハ
における第１の寸法を算出し、第２の寸法算出手段７９
において、第１の寸法算出手段７８によって算出された
前記第１の寸法を示す第１の寸法算出情報を用い、シミ
ュレーションによって、前記第２の寸法を算出すること
としたため、製造された半導体ウェハにおける第２の寸
法の正確な値を、短時間で求めることができる。
いて、第１の半導体ウェハにおける第１の寸法を物理的
に測定することによって抽出した第１の寸法の実測値を
示す第１の実測値情報の入力を受け付け、第２の実測値
情報入力手段７３によって、第１の半導体ウェハにおけ
る第２の寸法を物理的に測定することによって抽出した
第２の寸法の実測値を示す第２の実測値情報の入力を受
け付け、基準値寸法算出手段７４によって、第２の実測
値情報入力手段７３において入力された第２の実測値情
報を用い、シミュレーションによって、第１の寸法の算
出を行い、寸法誤差関係情報生成手段７５によって、第
１の実測値情報入力手段７１において入力された第１の
実測値情報に示される第１の寸法の実測値と、基準値寸
法算出手段７４によって求められた第１の寸法の算出値
と、の関係を示す寸法誤差関係情報を生成し、第３の実
測値情報入力手段７７において、第２の半導体ウェハに
おける第１の寸法を物理的に測定することによって抽出
した第１の寸法の実測値を示す第３の実測値情報の入力
を受け付け、第１の寸法算出手段７８によって、寸法誤
差関係情報生成手段７５によって生成された寸法誤差関
係情報と、第３の実測値情報入力手段７７において入力
された第３の実測値情報とを用い、第２の半導体ウェハ
における第１の寸法を算出し、第２の寸法算出手段７９
において、第１の寸法算出手段７８によって算出された
前記第１の寸法を示す第１の寸法算出情報を用い、シミ
ュレーションによって、前記第２の寸法を算出すること
としたため、製造された半導体ウェハにおける第２の寸
法の正確な値を、短時間で求めることができる。
【０１１８】さらに、第１の寸法よりも、物理的な測定
に長時間を要する寸法を第２の寸法とすることにより、
第２の寸法の正確な値の検出を、第１の寸法と同等な速
度で行うことが可能となる。
に長時間を要する寸法を第２の寸法とすることにより、
第２の寸法の正確な値の検出を、第１の寸法と同等な速
度で行うことが可能となる。
【０１１９】なお、本発明は、上述の実施の形態に限定
されるものではない。例えば、本形態では、本発明を、
半導体ウェハに形成されたレジストパターンの寸法検出
のために利用する構成としたが、半導体ウェハに形成さ
れた絶縁層、配線層等、その他の寸法を検出するため
に、本発明を適用することとしてもよい。
されるものではない。例えば、本形態では、本発明を、
半導体ウェハに形成されたレジストパターンの寸法検出
のために利用する構成としたが、半導体ウェハに形成さ
れた絶縁層、配線層等、その他の寸法を検出するため
に、本発明を適用することとしてもよい。
【０１２０】次に、本発明における第３の実施の形態に
ついて説明する。本形態は、第１の実施の形態の応用例
であり、最終的に、第１の寸法と第２の寸法との相関関
係を算出する点が第１の実施の形態と相違する。
ついて説明する。本形態は、第１の実施の形態の応用例
であり、最終的に、第１の寸法と第２の寸法との相関関
係を算出する点が第１の実施の形態と相違する。
【０１２１】図８は、本形態における寸法検出装置９０
の機能構成を例示したブロック図である。図８に例示す
るように、寸法検出装置９０は、例えば、第１の半導体
ウェハにおける第１の寸法を物理的に測定することによ
って抽出した第１の寸法の実測値を示す第１の実測値情
報の入力を受け付ける第１の実測値情報入力手段９１、
第１の半導体ウェハにおける第１の寸法を決定付ける定
数を示す情報である定数情報の入力を受け付ける定数情
報入力手段９２、第１の半導体ウェハにおける第２の寸
法を物理的に測定することによって抽出した第２の寸法
の実測値を示す第２の実測値情報の入力を受け付ける第
２の実測値情報入力手段９３、第２の実測値情報入力手
段９３において入力された第２の実測値情報を用い、シ
ミュレーションによって、第１の寸法の算出を行う基準
値寸法算出手段９４、第１の実測値情報入力手段９１に
おいて入力された第１の実測値情報に示される第１の寸
法の実測値と、基準値寸法算出手段９４によって求めら
れた第１の寸法の算出値と、の関係を示す寸法誤差関係
情報を生成する寸法誤差関係情報生成手段９５、寸法誤
差関係情報生成手段９５によって生成された寸法誤差関
係情報を格納する寸法誤差関係情報格納手段９６、及び
定数情報入力手段９２において入力された定数情報を用
い、シミュレーションによって、半導体ウェハにおける
第１の寸法と第２の寸法との関係を示す寸法相関情報を
算出する寸法相関情報算出手段９７を有している。
の機能構成を例示したブロック図である。図８に例示す
るように、寸法検出装置９０は、例えば、第１の半導体
ウェハにおける第１の寸法を物理的に測定することによ
って抽出した第１の寸法の実測値を示す第１の実測値情
報の入力を受け付ける第１の実測値情報入力手段９１、
第１の半導体ウェハにおける第１の寸法を決定付ける定
数を示す情報である定数情報の入力を受け付ける定数情
報入力手段９２、第１の半導体ウェハにおける第２の寸
法を物理的に測定することによって抽出した第２の寸法
の実測値を示す第２の実測値情報の入力を受け付ける第
２の実測値情報入力手段９３、第２の実測値情報入力手
段９３において入力された第２の実測値情報を用い、シ
ミュレーションによって、第１の寸法の算出を行う基準
値寸法算出手段９４、第１の実測値情報入力手段９１に
おいて入力された第１の実測値情報に示される第１の寸
法の実測値と、基準値寸法算出手段９４によって求めら
れた第１の寸法の算出値と、の関係を示す寸法誤差関係
情報を生成する寸法誤差関係情報生成手段９５、寸法誤
差関係情報生成手段９５によって生成された寸法誤差関
係情報を格納する寸法誤差関係情報格納手段９６、及び
定数情報入力手段９２において入力された定数情報を用
い、シミュレーションによって、半導体ウェハにおける
第１の寸法と第２の寸法との関係を示す寸法相関情報を
算出する寸法相関情報算出手段９７を有している。
【０１２２】図８に例示するように、例えば、第１の実
測値情報入力手段９１は、寸法誤差関係情報生成手段９
５と、寸法誤差関係情報生成手段９５は、寸法誤差関係
情報格納手段９６と、それぞれ情報のやりとりが可能な
ように構成される。また、例えば、第２の実測値情報入
力手段９３は、基準値寸法算出手段９４と、基準値寸法
算出手段９４は、寸法誤差関係情報生成手段９５及び定
数情報入力手段９２と、それぞれ情報のやりとりが可能
なように構成される。さらに、例えば、寸法相関情報算
出手段９７は、寸法誤差関係情報格納手段９６及び定数
情報入力手段９２と、それぞれ情報のやりとりが可能な
ように構成される。
測値情報入力手段９１は、寸法誤差関係情報生成手段９
５と、寸法誤差関係情報生成手段９５は、寸法誤差関係
情報格納手段９６と、それぞれ情報のやりとりが可能な
ように構成される。また、例えば、第２の実測値情報入
力手段９３は、基準値寸法算出手段９４と、基準値寸法
算出手段９４は、寸法誤差関係情報生成手段９５及び定
数情報入力手段９２と、それぞれ情報のやりとりが可能
なように構成される。さらに、例えば、寸法相関情報算
出手段９７は、寸法誤差関係情報格納手段９６及び定数
情報入力手段９２と、それぞれ情報のやりとりが可能な
ように構成される。
【０１２３】なお、寸法検出装置９０のハードウェア構
成については、第１の実施の形態と同様であるため、説
明を省略する。次に、本形態における寸法検出装置９０
の動作について説明する。
成については、第１の実施の形態と同様であるため、説
明を省略する。次に、本形態における寸法検出装置９０
の動作について説明する。
【０１２４】図９は、本形態における寸法検出装置９０
の動作を説明するためのフローチャートである。図９に
例示するように、本形態における寸法検出装置９０の処
理ステップは、例えば、第１の半導体ウェハにおける第
１の寸法を物理的に測定することによって抽出した第１
の寸法の実測値を示す第１の実測値情報の入力を受け付
ける第１の実測値情報入力ステップ（ステップＳ２
１）、第１の半導体ウェハにおける第２の寸法を物理的
に測定することによって抽出した第２の寸法の実測値を
示す第２の実測値情報の入力を受け付ける第２の実測値
情報入力ステップ（ステップＳ２２）、第２の実測値情
報入力ステップにおいて入力された第２の実測値情報を
用い、シミュレーションによって、第１の寸法の算出を
行う基準値寸法算出ステップ（ステップＳ２３）、第１
の実測値情報入力ステップにおいて入力された第１の実
測値情報に示される第１の寸法の実測値と、基準値寸法
算出ステップによって求められた第１の寸法の算出値
と、の関係を示す寸法誤差関係情報を生成する寸法誤差
関係情報生成ステップ（ステップＳ２４）、寸法誤差関
係情報生成ステップによって生成された寸法誤差関係情
報を格納する寸法誤差関係情報格納ステップ（ステップ
Ｓ２５）、定数を示す定数情報の入力を受け付ける定数
情報入力ステップ（ステップＳ２６）、及び定数情報入
力ステップにおいて入力された定数情報を用い、シミュ
レーションによって、半導体ウェハにおける第１の寸法
と第２の寸法との関係を示す寸法相関情報を算出する寸
法相関情報算出ステップ（ステップＳ２７）を有してい
る。以下、各ステップにおける処理の詳細を説明してい
く。
の動作を説明するためのフローチャートである。図９に
例示するように、本形態における寸法検出装置９０の処
理ステップは、例えば、第１の半導体ウェハにおける第
１の寸法を物理的に測定することによって抽出した第１
の寸法の実測値を示す第１の実測値情報の入力を受け付
ける第１の実測値情報入力ステップ（ステップＳ２
１）、第１の半導体ウェハにおける第２の寸法を物理的
に測定することによって抽出した第２の寸法の実測値を
示す第２の実測値情報の入力を受け付ける第２の実測値
情報入力ステップ（ステップＳ２２）、第２の実測値情
報入力ステップにおいて入力された第２の実測値情報を
用い、シミュレーションによって、第１の寸法の算出を
行う基準値寸法算出ステップ（ステップＳ２３）、第１
の実測値情報入力ステップにおいて入力された第１の実
測値情報に示される第１の寸法の実測値と、基準値寸法
算出ステップによって求められた第１の寸法の算出値
と、の関係を示す寸法誤差関係情報を生成する寸法誤差
関係情報生成ステップ（ステップＳ２４）、寸法誤差関
係情報生成ステップによって生成された寸法誤差関係情
報を格納する寸法誤差関係情報格納ステップ（ステップ
Ｓ２５）、定数を示す定数情報の入力を受け付ける定数
情報入力ステップ（ステップＳ２６）、及び定数情報入
力ステップにおいて入力された定数情報を用い、シミュ
レーションによって、半導体ウェハにおける第１の寸法
と第２の寸法との関係を示す寸法相関情報を算出する寸
法相関情報算出ステップ（ステップＳ２７）を有してい
る。以下、各ステップにおける処理の詳細を説明してい
く。
【０１２５】ステップＳ２１：本ステップでは、例え
ば、第１の実測値情報の入力処理を行う。第１の実施の
形態と同様、第１の実測値情報とは、例えば、第１の半
導体ウェハにおける第１の寸法を物理的に測定すること
によって抽出した第１の寸法の実測値を示す情報であ
る。具体的には、例えば、ある半導体ウェハに形成され
たレジストパターンのパターン幅（第１の寸法）の実測
値を示す情報である。ここで、第１の寸法が、半導体ウ
ェハに形成されたレジストパターンのパターン幅である
場合、この第１の寸法の測定は、例えば、走査型電子顕
微鏡、或いはレーザ光を用いた光学的な方法によって行
われることが望ましい。特に、レーザ光を用いた光学的
な方法の場合、その寸法測定の際に、測定対象である半
導体ウェハを真空状態とする必要がないため、測定装置
を簡略化することができるという長所がある。
ば、第１の実測値情報の入力処理を行う。第１の実施の
形態と同様、第１の実測値情報とは、例えば、第１の半
導体ウェハにおける第１の寸法を物理的に測定すること
によって抽出した第１の寸法の実測値を示す情報であ
る。具体的には、例えば、ある半導体ウェハに形成され
たレジストパターンのパターン幅（第１の寸法）の実測
値を示す情報である。ここで、第１の寸法が、半導体ウ
ェハに形成されたレジストパターンのパターン幅である
場合、この第１の寸法の測定は、例えば、走査型電子顕
微鏡、或いはレーザ光を用いた光学的な方法によって行
われることが望ましい。特に、レーザ光を用いた光学的
な方法の場合、その寸法測定の際に、測定対象である半
導体ウェハを真空状態とする必要がないため、測定装置
を簡略化することができるという長所がある。
【０１２６】測定されたパターン幅等の第１の寸法を示
す第１の実測値情報は、例えば、第１の実施の形態と同
様な方法により、第１の実測値情報入力手段９１におい
て入力される。
す第１の実測値情報は、例えば、第１の実施の形態と同
様な方法により、第１の実測値情報入力手段９１におい
て入力される。
【０１２７】第１の実測値情報の入力が終了すると、例
えば、次に、ステップＳ２２に移る。 ステップＳ２２：本ステップでは、例えば、第２の実測
値情報及び定数情報の入力処理を行う。
えば、次に、ステップＳ２２に移る。 ステップＳ２２：本ステップでは、例えば、第２の実測
値情報及び定数情報の入力処理を行う。
【０１２８】第１の実施の形態と同様、第２の実測値情
報とは、例えば、第１の半導体ウェハにおける第２の寸
法を物理的に測定することによって抽出した第２の寸法
の実測値を示す情報である。また、第２の寸法は、例え
ば、第１の寸法よりも高い精度で物理的な測定が可能な
寸法であり、さらに、例えば、第１の寸法よりも、物理
的な測定に長時間を要する寸法である。具体的には、例
えば、第１の寸法が、上述の半導体ウェハに形成された
レジストパターンのパターン幅であった場合、このレジ
ストパターンの膜厚の実測値を示す情報等が、この第２
の実測値情報に該当する。なお、第１の実施の形態と同
様、第２の寸法が、半導体ウェハに形成されたレジスト
パターンの膜厚である場合、この第２の寸法の測定は、
例えば、偏光解析法等の光学的な方法によって行うこと
が望ましい。
報とは、例えば、第１の半導体ウェハにおける第２の寸
法を物理的に測定することによって抽出した第２の寸法
の実測値を示す情報である。また、第２の寸法は、例え
ば、第１の寸法よりも高い精度で物理的な測定が可能な
寸法であり、さらに、例えば、第１の寸法よりも、物理
的な測定に長時間を要する寸法である。具体的には、例
えば、第１の寸法が、上述の半導体ウェハに形成された
レジストパターンのパターン幅であった場合、このレジ
ストパターンの膜厚の実測値を示す情報等が、この第２
の実測値情報に該当する。なお、第１の実施の形態と同
様、第２の寸法が、半導体ウェハに形成されたレジスト
パターンの膜厚である場合、この第２の寸法の測定は、
例えば、偏光解析法等の光学的な方法によって行うこと
が望ましい。
【０１２９】求められた膜厚等の第２の寸法を示す第２
の実測値情報は、例えば、第１の実施の形態と同様な方
法により、第２の実測値情報入力手段９３において入力
される。
の実測値情報は、例えば、第１の実施の形態と同様な方
法により、第２の実測値情報入力手段９３において入力
される。
【０１３０】また、第１の実施の形態と同様、本ステッ
プにおいて入力される定数情報とは、例えば、第１の半
導体ウェハの寸法を測定する際における固定パラメータ
を示す情報である。具体的には、例えば、光学定数（証
明条件等）や、材質情報（レジストパターンの屈折率情
報等）等を示す情報が、この定数情報に該当する。この
定数情報の入力は、例えば、第２の実測値情報と同様な
方法により、定数情報入力手段９２において入力され
る。
プにおいて入力される定数情報とは、例えば、第１の半
導体ウェハの寸法を測定する際における固定パラメータ
を示す情報である。具体的には、例えば、光学定数（証
明条件等）や、材質情報（レジストパターンの屈折率情
報等）等を示す情報が、この定数情報に該当する。この
定数情報の入力は、例えば、第２の実測値情報と同様な
方法により、定数情報入力手段９２において入力され
る。
【０１３１】第２の実測値情報及び定数情報の入力が終
了すると、例えば、次に、ステップＳ２３に移る。 ステップＳ２３：本ステップでは、例えば、第２の実測
値情報入力ステップにおいて入力された第２の実測値情
報を用い、シミュレーションによって、第１の寸法の算
出を行う。
了すると、例えば、次に、ステップＳ２３に移る。 ステップＳ２３：本ステップでは、例えば、第２の実測
値情報入力ステップにおいて入力された第２の実測値情
報を用い、シミュレーションによって、第１の寸法の算
出を行う。
【０１３２】本ステップにおける第１の寸法の算出は、
例えば、第１の実施の形態と同様、所定のシミュレーシ
ョンソフトウェアを用い、基準値寸法算出手段９４によ
って行われる。本ステップにおいて使用するシミュレー
ションソフトウェアとしては、例えば、所定のパラメー
タを入力することによって、特定のパラメータ（例え
ば、パターン幅、膜厚等）を算出できるものであれば、
特に制限なく使用できる。このようなシミュレーション
ソフトウェアの具体例としては、例えば、メトロロジア
ソフトウェア等を挙げることができる。
例えば、第１の実施の形態と同様、所定のシミュレーシ
ョンソフトウェアを用い、基準値寸法算出手段９４によ
って行われる。本ステップにおいて使用するシミュレー
ションソフトウェアとしては、例えば、所定のパラメー
タを入力することによって、特定のパラメータ（例え
ば、パターン幅、膜厚等）を算出できるものであれば、
特に制限なく使用できる。このようなシミュレーション
ソフトウェアの具体例としては、例えば、メトロロジア
ソフトウェア等を挙げることができる。
【０１３３】第１の寸法の算出を行う場合、例えば、ま
ず、基準値寸法算出手段９４は、第２の実測値情報入力
手段９３において入力された第２の実測値情報、及び定
数情報入力手段９２において入力された定数情報を、第
２の実測値情報入力手段９３及び定数情報入力手段９２
から受け取る。具体的には、例えば、半導体ウェハが有
するレジストパターンの膜厚の実測値を示す情報を、第
２の実測値情報として受け取り、光学定数及び材質情報
等の情報を、定数情報として受け取る。
ず、基準値寸法算出手段９４は、第２の実測値情報入力
手段９３において入力された第２の実測値情報、及び定
数情報入力手段９２において入力された定数情報を、第
２の実測値情報入力手段９３及び定数情報入力手段９２
から受け取る。具体的には、例えば、半導体ウェハが有
するレジストパターンの膜厚の実測値を示す情報を、第
２の実測値情報として受け取り、光学定数及び材質情報
等の情報を、定数情報として受け取る。
【０１３４】第２の実測値情報及び定数情報を受け取っ
た基準値寸法算出手段９４は、次に、受け取ったこれら
の情報を用い、シミュレーションによって第１の寸法の
算出を行う。具体的には、例えば、第２の実測値情報と
して受け取った半導体ウェハが有するレジストパターン
の膜厚の実測値を示す情報と、定数情報として受け取っ
た光学定数及び材質情報等の情報とを用い、メトロロジ
アソフトウェアを用い、半導体ウェハが有するレジスト
パターンのパターン幅の算出を行う。
た基準値寸法算出手段９４は、次に、受け取ったこれら
の情報を用い、シミュレーションによって第１の寸法の
算出を行う。具体的には、例えば、第２の実測値情報と
して受け取った半導体ウェハが有するレジストパターン
の膜厚の実測値を示す情報と、定数情報として受け取っ
た光学定数及び材質情報等の情報とを用い、メトロロジ
アソフトウェアを用い、半導体ウェハが有するレジスト
パターンのパターン幅の算出を行う。
【０１３５】このように、シミュレーションによって第
１の寸法が算出されると、例えば、次に、ステップＳ２
４に移る。 ステップＳ２４：本ステップでは、例えば、第１の実測
値情報入力ステップ（ステップＳ２１）において入力さ
れた第１の実測値情報に示される第１の寸法の実測値
と、基準値寸法算出ステップ（ステップＳ２３）によっ
て求められた第１の寸法の算出値と、の関係を示す寸法
誤差関係情報を生成する。具体的には、例えば、第１の
実施の形態と同様、ステップＳ２３でシミュレーション
によって算出された第１の寸法の算出値と、ステップＳ
２１で測定された第１の寸法の実測値とを比較し、第１
の寸法とその測定誤差との関係を寸法誤差関係情報とし
て生成する。
１の寸法が算出されると、例えば、次に、ステップＳ２
４に移る。 ステップＳ２４：本ステップでは、例えば、第１の実測
値情報入力ステップ（ステップＳ２１）において入力さ
れた第１の実測値情報に示される第１の寸法の実測値
と、基準値寸法算出ステップ（ステップＳ２３）によっ
て求められた第１の寸法の算出値と、の関係を示す寸法
誤差関係情報を生成する。具体的には、例えば、第１の
実施の形態と同様、ステップＳ２３でシミュレーション
によって算出された第１の寸法の算出値と、ステップＳ
２１で測定された第１の寸法の実測値とを比較し、第１
の寸法とその測定誤差との関係を寸法誤差関係情報とし
て生成する。
【０１３６】本ステップにおける寸法誤差関係情報の算
出は、例えば、寸法誤差関係情報生成手段９５によって
行われる。寸法誤差関係情報の算出を行う場合、例え
ば、まず、寸法誤差関係情報生成手段９５は、ステップ
Ｓ２１において入力された第１の実測値情報を、第１の
実測値情報入力手段９１から、ステップＳ２３において
算出された第１の寸法の算出値を示す情報を、基準値寸
法算出手段９４から受け取る。これらの情報を受け取っ
た寸法誤差関係情報生成手段９５は、例えば、次に、受
け取った情報を用い、ステップＳ２３でシミュレーショ
ンによって算出された第１の寸法の算出値と、ステップ
Ｓ２１で測定された第１の寸法の実測値との差を、第１
の寸法ごとに求め、その算出結果（第１の寸法の算出値
と第１の寸法の実測値との差）と第１の寸法値との関係
式を、寸法誤差関係情報として算出する。
出は、例えば、寸法誤差関係情報生成手段９５によって
行われる。寸法誤差関係情報の算出を行う場合、例え
ば、まず、寸法誤差関係情報生成手段９５は、ステップ
Ｓ２１において入力された第１の実測値情報を、第１の
実測値情報入力手段９１から、ステップＳ２３において
算出された第１の寸法の算出値を示す情報を、基準値寸
法算出手段９４から受け取る。これらの情報を受け取っ
た寸法誤差関係情報生成手段９５は、例えば、次に、受
け取った情報を用い、ステップＳ２３でシミュレーショ
ンによって算出された第１の寸法の算出値と、ステップ
Ｓ２１で測定された第１の寸法の実測値との差を、第１
の寸法ごとに求め、その算出結果（第１の寸法の算出値
と第１の寸法の実測値との差）と第１の寸法値との関係
式を、寸法誤差関係情報として算出する。
【０１３７】なお、第１の実施の形態と同様、この関係
式には、例えば、固定パラメータ等の定数を変数として
含めることとしてもよく、その他のパラメータを変数と
して含めることとしてもよい。また、第１の寸法の算出
値、及び第１の寸法の実測値のデータ量を増やし、本ス
テップにおいて算出される寸法誤差関係情報の精度を向
上させることとしてもよい。
式には、例えば、固定パラメータ等の定数を変数として
含めることとしてもよく、その他のパラメータを変数と
して含めることとしてもよい。また、第１の寸法の算出
値、及び第１の寸法の実測値のデータ量を増やし、本ス
テップにおいて算出される寸法誤差関係情報の精度を向
上させることとしてもよい。
【０１３８】寸法誤差関係情報が生成されると、例え
ば、次に、ステップＳ２５に移る。 ステップＳ２５：本ステップでは、例えば、寸法誤差関
係情報生成ステップ（ステップＳ２４）によって生成さ
れた寸法誤差関係情報を格納する。
ば、次に、ステップＳ２５に移る。 ステップＳ２５：本ステップでは、例えば、寸法誤差関
係情報生成ステップ（ステップＳ２４）によって生成さ
れた寸法誤差関係情報を格納する。
【０１３９】第１の実施の形態と同様、本ステップにお
ける寸法誤差関係情報の格納は、例えば、まず、寸法誤
差関係情報生成手段９５において生成された寸法誤差関
係情報を寸法誤差関係情報格納手段９６に送り、送られ
た寸法誤差関係情報を、この寸法誤差関係情報格納手段
９６に格納することによって行われる。
ける寸法誤差関係情報の格納は、例えば、まず、寸法誤
差関係情報生成手段９５において生成された寸法誤差関
係情報を寸法誤差関係情報格納手段９６に送り、送られ
た寸法誤差関係情報を、この寸法誤差関係情報格納手段
９６に格納することによって行われる。
【０１４０】寸法誤差関係情報の格納が終了すると、例
えば、次に、ステップＳ２６に移る。 ステップＳ２６：本ステップでは、例えば、定数情報の
入力処理を行う。
えば、次に、ステップＳ２６に移る。 ステップＳ２６：本ステップでは、例えば、定数情報の
入力処理を行う。
【０１４１】本ステップにおける定数情報の入力は、例
えば、ステップＳ２２と同様な方法により、定数情報入
力手段９２において行われる。定数情報の入力が終了す
ると、例えば、次に、ステップＳ２７に移る。
えば、ステップＳ２２と同様な方法により、定数情報入
力手段９２において行われる。定数情報の入力が終了す
ると、例えば、次に、ステップＳ２７に移る。
【０１４２】ステップＳ２７：本ステップでは、例え
ば、定数情報入力ステップ（ステップＳ２６）において
入力された定数情報を用い、シミュレーションによっ
て、半導体ウェハにおける第１の寸法と第２の寸法との
関係を示す寸法相関情報を算出する。
ば、定数情報入力ステップ（ステップＳ２６）において
入力された定数情報を用い、シミュレーションによっ
て、半導体ウェハにおける第１の寸法と第２の寸法との
関係を示す寸法相関情報を算出する。
【０１４３】寸法相関情報とは、例えば、半導体ウェハ
における第１の寸法と第２の寸法との関係を示す関係式
等の情報を意味する。ここで、第１の寸法と第２の寸法
との関係とは、例えば、第２の寸法と、測定誤差を含め
た第１の寸法との関係、或いは、第２の寸法と、測定誤
差を含まない第１の寸法との関係を意味する。
における第１の寸法と第２の寸法との関係を示す関係式
等の情報を意味する。ここで、第１の寸法と第２の寸法
との関係とは、例えば、第２の寸法と、測定誤差を含め
た第１の寸法との関係、或いは、第２の寸法と、測定誤
差を含まない第１の寸法との関係を意味する。
【０１４４】本ステップでは、例えば、使用者の選択に
応じ、寸法相関情報算出手段９７において、この第２の
寸法と、測定誤差を含めた第１の寸法との関係を示す寸
法相関情報、或いは、第２の寸法と、測定誤差を含まな
い第１の寸法との関係を示す寸法相関情報の算出を行
う。
応じ、寸法相関情報算出手段９７において、この第２の
寸法と、測定誤差を含めた第１の寸法との関係を示す寸
法相関情報、或いは、第２の寸法と、測定誤差を含まな
い第１の寸法との関係を示す寸法相関情報の算出を行
う。
【０１４５】例えば、本ステップにおいて、第２の寸法
と、測定誤差を含めた第１の寸法との関係を示す寸法相
関情報の算出を行う場合、寸法相関情報算出手段９７
は、まず、寸法誤差関係情報格納手段９６に格納されて
いる寸法誤差関係情報、及び定数情報入力手段９２にお
いて入力された定数情報を、寸法誤差関係情報格納手段
９６或いは定数情報入力手段９２から取得する。これら
の情報を取得した寸法相関情報算出手段９７は、例え
ば、まず、取得した定数情報を用い、シミュレーション
によって、第２の寸法と、測定誤差を含めない第１の寸
法との関係を示す寸法相関情報の算出を行う。具体的に
は、例えば、取得した光学定数、材質情報等を用い、メ
トロロジアソフトウェア等によって、レジストパターン
の膜厚と、測定誤差を含めないレジストパターンのパタ
ーン幅との関係を示す関係式の算出を行う。この関係式
が算出されると、例えば、次に、算出された関係式と、
取得した寸法誤差関係情報とを用い、計算によって、第
２の寸法と、測定誤差を含めた第１の寸法との関係を示
す寸法相関情報の算出を行う。具体的には、例えば、レ
ジストパターンの膜厚と、測定誤差を含めたレジストパ
ターンのパターン幅との関係を示す関係式を、寸法相関
情報として算出する。
と、測定誤差を含めた第１の寸法との関係を示す寸法相
関情報の算出を行う場合、寸法相関情報算出手段９７
は、まず、寸法誤差関係情報格納手段９６に格納されて
いる寸法誤差関係情報、及び定数情報入力手段９２にお
いて入力された定数情報を、寸法誤差関係情報格納手段
９６或いは定数情報入力手段９２から取得する。これら
の情報を取得した寸法相関情報算出手段９７は、例え
ば、まず、取得した定数情報を用い、シミュレーション
によって、第２の寸法と、測定誤差を含めない第１の寸
法との関係を示す寸法相関情報の算出を行う。具体的に
は、例えば、取得した光学定数、材質情報等を用い、メ
トロロジアソフトウェア等によって、レジストパターン
の膜厚と、測定誤差を含めないレジストパターンのパタ
ーン幅との関係を示す関係式の算出を行う。この関係式
が算出されると、例えば、次に、算出された関係式と、
取得した寸法誤差関係情報とを用い、計算によって、第
２の寸法と、測定誤差を含めた第１の寸法との関係を示
す寸法相関情報の算出を行う。具体的には、例えば、レ
ジストパターンの膜厚と、測定誤差を含めたレジストパ
ターンのパターン幅との関係を示す関係式を、寸法相関
情報として算出する。
【０１４６】このように算出された第２の寸法と測定誤
差を含めた第１の寸法との関係を示す寸法相関情報を用
いることにより、第１の寸法の実測値と、第２の寸法と
の関係を知ることが可能となり、製造プロセスの最適化
等の作業を簡易化することが可能となる。
差を含めた第１の寸法との関係を示す寸法相関情報を用
いることにより、第１の寸法の実測値と、第２の寸法と
の関係を知ることが可能となり、製造プロセスの最適化
等の作業を簡易化することが可能となる。
【０１４７】また、例えば、本ステップにおいて、第２
の寸法と、測定誤差を含めない第１の寸法との関係を示
す寸法相関情報の算出を行う場合、寸法相関情報算出手
段９７は、まず、定数情報入力手段９２において入力さ
れた定数情報を、定数情報入力手段９２から取得する。
これらの情報を取得した寸法相関情報算出手段９７は、
例えば、取得した定数情報を用い、シミュレーションに
よって、第２の寸法と、測定誤差を含めない第１の寸法
との関係を示す寸法相関情報の算出を行う。具体的に
は、例えば、取得した光学定数、材質情報等を用い、メ
トロロジアソフトウェア等によって、レジストパターン
の膜厚と、測定誤差を含めないレジストパターンのパタ
ーン幅との関係を示す関係式を、寸法相関情報として算
出する。
の寸法と、測定誤差を含めない第１の寸法との関係を示
す寸法相関情報の算出を行う場合、寸法相関情報算出手
段９７は、まず、定数情報入力手段９２において入力さ
れた定数情報を、定数情報入力手段９２から取得する。
これらの情報を取得した寸法相関情報算出手段９７は、
例えば、取得した定数情報を用い、シミュレーションに
よって、第２の寸法と、測定誤差を含めない第１の寸法
との関係を示す寸法相関情報の算出を行う。具体的に
は、例えば、取得した光学定数、材質情報等を用い、メ
トロロジアソフトウェア等によって、レジストパターン
の膜厚と、測定誤差を含めないレジストパターンのパタ
ーン幅との関係を示す関係式を、寸法相関情報として算
出する。
【０１４８】このように算出された第２の寸法と測定誤
差を含めない第１の寸法との関係を示す寸法相関情報を
用いることにより、第１の寸法と、第２の寸法との関係
を知ることが可能となる。
差を含めない第１の寸法との関係を示す寸法相関情報を
用いることにより、第１の寸法と、第２の寸法との関係
を知ることが可能となる。
【０１４９】なお、本発明は、上述の実施の形態に限定
されるものではない。例えば、本形態では、本発明を、
半導体ウェハに形成されたレジストパターンの寸法間に
おける相関関係を検出するために利用する構成とした
が、半導体ウェハに形成された絶縁層、配線層等、その
他の寸法間における相関関係を検出するために本発明を
適用することとしてもよい。
されるものではない。例えば、本形態では、本発明を、
半導体ウェハに形成されたレジストパターンの寸法間に
おける相関関係を検出するために利用する構成とした
が、半導体ウェハに形成された絶縁層、配線層等、その
他の寸法間における相関関係を検出するために本発明を
適用することとしてもよい。
【０１５０】また、上述の第１から第３の実施の形態に
おける各処理機能は、コンピュータによって実現するこ
とができる。その場合、寸法検出装置１、７０、９０が
有すべき機能の処理内容を記述したプログラムが提供さ
れる。そのプログラムをコンピュータで実行することに
より、上記処理機能がコンピュータ上で実現される。処
理内容を記述したプログラムは、コンピュータで読みと
り可能な記録媒体に記録しておくことができる。コンピ
ュータで読みとり可能な記録媒体としては、磁気記録装
置、光ディスク、光磁気記録媒体、半導体メモリなどが
ある。磁気記録装置には、ハードディスク装置（ＨＤ
Ｄ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、磁気テープなど
がある。光ディスクには、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖ
ｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）、ＤＶＤ−ＲＡＭ（Ｒａ
ｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＣＤ−ＲＯ
Ｍ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｃ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ
Ｍｅｍｏｒｙ）、ＣＤ−Ｒ（Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ）／
ＲＷ（ＲｅＷｒｉｔａｂｌｅ）などがある。光磁気記録
媒体には、ＭＯ（Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｏｐｔｉｃａｌｄｉ
ｓｃ）などがある。
おける各処理機能は、コンピュータによって実現するこ
とができる。その場合、寸法検出装置１、７０、９０が
有すべき機能の処理内容を記述したプログラムが提供さ
れる。そのプログラムをコンピュータで実行することに
より、上記処理機能がコンピュータ上で実現される。処
理内容を記述したプログラムは、コンピュータで読みと
り可能な記録媒体に記録しておくことができる。コンピ
ュータで読みとり可能な記録媒体としては、磁気記録装
置、光ディスク、光磁気記録媒体、半導体メモリなどが
ある。磁気記録装置には、ハードディスク装置（ＨＤ
Ｄ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、磁気テープなど
がある。光ディスクには、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖ
ｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）、ＤＶＤ−ＲＡＭ（Ｒａ
ｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＣＤ−ＲＯ
Ｍ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｃ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ
Ｍｅｍｏｒｙ）、ＣＤ−Ｒ（Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ）／
ＲＷ（ＲｅＷｒｉｔａｂｌｅ）などがある。光磁気記録
媒体には、ＭＯ（Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｏｐｔｉｃａｌｄｉ
ｓｃ）などがある。
【０１５１】プログラムを流通させる場合には、例え
ば、そのプログラムが記録されたＤＶＤ、ＣＤ−ＲＯＭ
などの可搬型記録媒体が販売される。また、プログラム
をサーバコンピュータの記憶装置に格納しておき、ネッ
トワークを介して、サーバコンピュータから他のコンピ
ュータにそのプログラムを転送することもできる。
ば、そのプログラムが記録されたＤＶＤ、ＣＤ−ＲＯＭ
などの可搬型記録媒体が販売される。また、プログラム
をサーバコンピュータの記憶装置に格納しておき、ネッ
トワークを介して、サーバコンピュータから他のコンピ
ュータにそのプログラムを転送することもできる。
【０１５２】プログラムを実行するコンピュータは、例
えば、可搬型記録媒体に記録されたプログラムもしくは
サーバコンピュータから転送されたプログラムを、自己
の記憶装置に格納する。そして、コンピュータは、自己
の記憶装置からプログラムを読みとり、プログラムに従
った処理を実行する。なお、コンピュータは、可搬型記
録媒体から直接プログラムを読みとり、そのプログラム
に従った処理を実行することもできる。また、コンピュ
ータは、サーバコンピュータからプログラムが転送され
る毎に、逐次、受け取ったプログラムに従った処理を実
行することもできる。
えば、可搬型記録媒体に記録されたプログラムもしくは
サーバコンピュータから転送されたプログラムを、自己
の記憶装置に格納する。そして、コンピュータは、自己
の記憶装置からプログラムを読みとり、プログラムに従
った処理を実行する。なお、コンピュータは、可搬型記
録媒体から直接プログラムを読みとり、そのプログラム
に従った処理を実行することもできる。また、コンピュ
ータは、サーバコンピュータからプログラムが転送され
る毎に、逐次、受け取ったプログラムに従った処理を実
行することもできる。
【０１５３】
【発明の効果】以上説明したように本発明の寸法検出装
置では、第１の実測値情報入力手段において、第１の半
導体ウェハにおける第１の寸法を物理的に測定すること
によって抽出した第１の寸法の実測値を示す第１の実測
値情報の入力を受け付け、第２の実測値情報入力手段に
よって、第１の半導体ウェハにおける第２の寸法を物理
的に測定することによって抽出した第２の寸法の実測値
を示す第２の実測値情報の入力を受け付け、基準値寸法
算出手段によって、第２の実測値情報入力手段において
入力された第２の実測値情報を用い、シミュレーション
によって、第１の寸法の算出を行い、寸法誤差関係情報
生成手段によって、第１の実測値情報入力手段において
入力された第１の実測値情報に示される第１の寸法の実
測値と、基準値寸法算出手段によって求められた第１の
寸法の算出値と、の関係を示す寸法誤差関係情報を生成
し、第３の実測値情報入力手段において、第２の半導体
ウェハにおける第１の寸法を物理的に測定することによ
って抽出した第１の寸法の実測値を示す第３の実測値情
報の入力を受け付け、第１の寸法算出手段によって、寸
法誤差関係情報生成手段によって生成された寸法誤差関
係情報と、第３の実測値情報入力手段において入力され
た第３の実測値情報とを用い、第２の半導体ウェハにお
ける第１の寸法を算出することとしたため、半導体ウェ
ハの寸法を、高精度で算出することが可能となる。
置では、第１の実測値情報入力手段において、第１の半
導体ウェハにおける第１の寸法を物理的に測定すること
によって抽出した第１の寸法の実測値を示す第１の実測
値情報の入力を受け付け、第２の実測値情報入力手段に
よって、第１の半導体ウェハにおける第２の寸法を物理
的に測定することによって抽出した第２の寸法の実測値
を示す第２の実測値情報の入力を受け付け、基準値寸法
算出手段によって、第２の実測値情報入力手段において
入力された第２の実測値情報を用い、シミュレーション
によって、第１の寸法の算出を行い、寸法誤差関係情報
生成手段によって、第１の実測値情報入力手段において
入力された第１の実測値情報に示される第１の寸法の実
測値と、基準値寸法算出手段によって求められた第１の
寸法の算出値と、の関係を示す寸法誤差関係情報を生成
し、第３の実測値情報入力手段において、第２の半導体
ウェハにおける第１の寸法を物理的に測定することによ
って抽出した第１の寸法の実測値を示す第３の実測値情
報の入力を受け付け、第１の寸法算出手段によって、寸
法誤差関係情報生成手段によって生成された寸法誤差関
係情報と、第３の実測値情報入力手段において入力され
た第３の実測値情報とを用い、第２の半導体ウェハにお
ける第１の寸法を算出することとしたため、半導体ウェ
ハの寸法を、高精度で算出することが可能となる。
【０１５４】また、本発明の寸法検出装置では、第１の
実測値情報入力手段において、第１の半導体ウェハにお
ける第１の寸法を物理的に測定することによって抽出し
た第１の寸法の実測値を示す第１の実測値情報の入力を
受け付け、第２の実測値情報入力手段によって、第１の
半導体ウェハにおける第２の寸法を物理的に測定するこ
とによって抽出した第２の寸法の実測値を示す第２の実
測値情報の入力を受け付け、基準値寸法算出手段によっ
て、第２の実測値情報入力手段において入力された第２
の実測値情報を用い、シミュレーションによって、第１
の寸法の算出を行い、寸法誤差関係情報生成手段によっ
て、第１の実測値情報入力手段において入力された第１
の実測値情報に示される第１の寸法の実測値と、基準値
寸法算出手段によって求められた第１の寸法の算出値
と、の関係を示す寸法誤差関係情報を生成し、第３の実
測値情報入力手段において、第２の半導体ウェハにおけ
る第１の寸法を物理的に測定することによって抽出した
第１の寸法の実測値を示す第３の実測値情報の入力を受
け付け、第１の寸法算出手段によって、寸法誤差関係情
報生成手段によって生成された寸法誤差関係情報と、第
３の実測値情報入力手段において入力された第３の実測
値情報とを用い、第２の半導体ウェハにおける第１の寸
法を算出することとしたため、半導体ウェハの寸法を、
短時間で求めることができる。
実測値情報入力手段において、第１の半導体ウェハにお
ける第１の寸法を物理的に測定することによって抽出し
た第１の寸法の実測値を示す第１の実測値情報の入力を
受け付け、第２の実測値情報入力手段によって、第１の
半導体ウェハにおける第２の寸法を物理的に測定するこ
とによって抽出した第２の寸法の実測値を示す第２の実
測値情報の入力を受け付け、基準値寸法算出手段によっ
て、第２の実測値情報入力手段において入力された第２
の実測値情報を用い、シミュレーションによって、第１
の寸法の算出を行い、寸法誤差関係情報生成手段によっ
て、第１の実測値情報入力手段において入力された第１
の実測値情報に示される第１の寸法の実測値と、基準値
寸法算出手段によって求められた第１の寸法の算出値
と、の関係を示す寸法誤差関係情報を生成し、第３の実
測値情報入力手段において、第２の半導体ウェハにおけ
る第１の寸法を物理的に測定することによって抽出した
第１の寸法の実測値を示す第３の実測値情報の入力を受
け付け、第１の寸法算出手段によって、寸法誤差関係情
報生成手段によって生成された寸法誤差関係情報と、第
３の実測値情報入力手段において入力された第３の実測
値情報とを用い、第２の半導体ウェハにおける第１の寸
法を算出することとしたため、半導体ウェハの寸法を、
短時間で求めることができる。
【０１５５】さらに、本発明の寸法検出方法では、第１
の実測値情報入力ステップにおいて、第１の半導体ウェ
ハにおける第１の寸法を物理的に測定することによって
抽出した第１の寸法の実測値を示す第１の実測値情報の
入力を受け付け、第２の実測値情報入力ステップによっ
て、第１の半導体ウェハにおける第２の寸法を物理的に
測定することによって抽出した第２の寸法の実測値を示
す第２の実測値情報の入力を受け付け、基準値寸法算出
ステップによって、第２の実測値情報入力ステップにお
いて入力された第２の実測値情報を用い、シミュレーシ
ョンによって、第１の寸法の算出を行い、寸法誤差関係
情報生成ステップによって、第１の実測値情報入力ステ
ップにおいて入力された第１の実測値情報に示される第
１の寸法の実測値と、基準値寸法算出ステップによって
求められた第１の寸法の算出値と、の関係を示す寸法誤
差関係情報を生成し、第３の実測値情報入力ステップに
おいて、第２の半導体ウェハにおける第１の寸法を物理
的に測定することによって抽出した第１の寸法の実測値
を示す第３の実測値情報の入力を受け付け、第１の寸法
算出ステップによって、寸法誤差関係情報生成ステップ
によって生成された寸法誤差関係情報と、第３の実測値
情報入力ステップにおいて入力された第３の実測値情報
とを用い、第２の半導体ウェハにおける第１の寸法を算
出することとしたため、半導体ウェハの寸法を、高精度
で算出することが可能となる。
の実測値情報入力ステップにおいて、第１の半導体ウェ
ハにおける第１の寸法を物理的に測定することによって
抽出した第１の寸法の実測値を示す第１の実測値情報の
入力を受け付け、第２の実測値情報入力ステップによっ
て、第１の半導体ウェハにおける第２の寸法を物理的に
測定することによって抽出した第２の寸法の実測値を示
す第２の実測値情報の入力を受け付け、基準値寸法算出
ステップによって、第２の実測値情報入力ステップにお
いて入力された第２の実測値情報を用い、シミュレーシ
ョンによって、第１の寸法の算出を行い、寸法誤差関係
情報生成ステップによって、第１の実測値情報入力ステ
ップにおいて入力された第１の実測値情報に示される第
１の寸法の実測値と、基準値寸法算出ステップによって
求められた第１の寸法の算出値と、の関係を示す寸法誤
差関係情報を生成し、第３の実測値情報入力ステップに
おいて、第２の半導体ウェハにおける第１の寸法を物理
的に測定することによって抽出した第１の寸法の実測値
を示す第３の実測値情報の入力を受け付け、第１の寸法
算出ステップによって、寸法誤差関係情報生成ステップ
によって生成された寸法誤差関係情報と、第３の実測値
情報入力ステップにおいて入力された第３の実測値情報
とを用い、第２の半導体ウェハにおける第１の寸法を算
出することとしたため、半導体ウェハの寸法を、高精度
で算出することが可能となる。
【０１５６】また、本発明の寸法検出方法では、第１の
実測値情報入力ステップにおいて、第１の半導体ウェハ
における第１の寸法を物理的に測定することによって抽
出した第１の寸法の実測値を示す第１の実測値情報の入
力を受け付け、第２の実測値情報入力ステップによっ
て、第１の半導体ウェハにおける第２の寸法を物理的に
測定することによって抽出した第２の寸法の実測値を示
す第２の実測値情報の入力を受け付け、基準値寸法算出
ステップによって、第２の実測値情報入力ステップにお
いて入力された第２の実測値情報を用い、シミュレーシ
ョンによって、第１の寸法の算出を行い、寸法誤差関係
情報生成ステップによって、第１の実測値情報入力ステ
ップにおいて入力された第１の実測値情報に示される第
１の寸法の実測値と、基準値寸法算出ステップによって
求められた第１の寸法の算出値と、の関係を示す寸法誤
差関係情報を生成し、第３の実測値情報入力ステップに
おいて、第２の半導体ウェハにおける第１の寸法を物理
的に測定することによって抽出した第１の寸法の実測値
を示す第３の実測値情報の入力を受け付け、第１の寸法
算出ステップによって、寸法誤差関係情報生成ステップ
によって生成された寸法誤差関係情報と、第３の実測値
情報入力ステップにおいて入力された第３の実測値情報
とを用い、第２の半導体ウェハにおける第１の寸法を算
出することとしたため、半導体ウェハの寸法を、短時間
で求めることができる。
実測値情報入力ステップにおいて、第１の半導体ウェハ
における第１の寸法を物理的に測定することによって抽
出した第１の寸法の実測値を示す第１の実測値情報の入
力を受け付け、第２の実測値情報入力ステップによっ
て、第１の半導体ウェハにおける第２の寸法を物理的に
測定することによって抽出した第２の寸法の実測値を示
す第２の実測値情報の入力を受け付け、基準値寸法算出
ステップによって、第２の実測値情報入力ステップにお
いて入力された第２の実測値情報を用い、シミュレーシ
ョンによって、第１の寸法の算出を行い、寸法誤差関係
情報生成ステップによって、第１の実測値情報入力ステ
ップにおいて入力された第１の実測値情報に示される第
１の寸法の実測値と、基準値寸法算出ステップによって
求められた第１の寸法の算出値と、の関係を示す寸法誤
差関係情報を生成し、第３の実測値情報入力ステップに
おいて、第２の半導体ウェハにおける第１の寸法を物理
的に測定することによって抽出した第１の寸法の実測値
を示す第３の実測値情報の入力を受け付け、第１の寸法
算出ステップによって、寸法誤差関係情報生成ステップ
によって生成された寸法誤差関係情報と、第３の実測値
情報入力ステップにおいて入力された第３の実測値情報
とを用い、第２の半導体ウェハにおける第１の寸法を算
出することとしたため、半導体ウェハの寸法を、短時間
で求めることができる。
【図１】寸法検出装置の機能構成を例示したブロック図
である。
である。
【図２】寸法検出装置のハードウェア構成を例示したブ
ロック図である。
ロック図である。
【図３】寸法検出装置の動作を説明するためのフローチ
ャートである。
ャートである。
【図４】レーザ光を用いた光学的な方法によって、半導
体ウェハのレジストパターンのパターン幅を測定するパ
ターン幅測定装置の構成を例示した概念図である。
体ウェハのレジストパターンのパターン幅を測定するパ
ターン幅測定装置の構成を例示した概念図である。
【図５】偏光解析法によって半導体ウェハのレジストパ
ターンの膜厚を測定する膜厚測定装置の構成を例示した
概念図である。
ターンの膜厚を測定する膜厚測定装置の構成を例示した
概念図である。
【図６】寸法検出装置の機能構成を例示したブロック図
である。
である。
【図７】寸法検出装置の動作を説明するためのフローチ
ャートである。
ャートである。
【図８】寸法検出装置の機能構成を例示したブロック図
である。
である。
【図９】寸法検出装置の動作を説明するためのフローチ
ャートである。
ャートである。
【図１０】偏光解析法によって、レジストパターンの膜
厚測定を行う膜厚測定装置を例示した概念図である。
厚測定を行う膜厚測定装置を例示した概念図である。
１、７０、９０…寸法検出装置、２、７１、９１…第１
の実測値情報入力手段、３、７２、９２…定数情報入力
手段、４、７３、９３…第２の実測値情報入力手段、
５、７４、９４…基準値寸法算出手段、６、７５、９５
…寸法誤差関係情報生成手段、９、７８…第１の寸法算
出手段、７９…第２の寸法算出手段、９７…寸法誤差情
報算出手段
の実測値情報入力手段、３、７２、９２…定数情報入力
手段、４、７３、９３…第２の実測値情報入力手段、
５、７４、９４…基準値寸法算出手段、６、７５、９５
…寸法誤差関係情報生成手段、９、７８…第１の寸法算
出手段、７９…第２の寸法算出手段、９７…寸法誤差情
報算出手段
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2F065 AA22 AA30 CC20 DD03 FF04
GG05 GG06 HH12 JJ03 JJ08
JJ26 LL35 LL36 QQ17 QQ23
2F069 AA46 AA49 BB15 BB40 CC07
DD15 EE23 GG04 GG07 QQ05
QQ10
Claims (16)
- 【請求項１】 半導体ウェハの寸法検出を行う寸法検出
装置において、 第１の半導体ウェハにおける第１の寸法を物理的に測定
することによって抽出した前記第１の寸法の実測値を示
す第１の実測値情報の入力を受け付ける第１の実測値情
報入力手段と、 前記第１の半導体ウェハにおける第２の寸法を物理的に
測定することによって抽出した前記第２の寸法の実測値
を示す第２の実測値情報の入力を受け付ける第２の実測
値情報入力手段と、 前記第２の実測値情報入力手段において入力された前記
第２の実測値情報を用い、シミュレーションによって、
前記第１の寸法の算出を行う基準値寸法算出手段と、 前記第１の実測値情報入力手段において入力された前記
第１の実測値情報に示される前記第１の寸法の実測値
と、前記基準値寸法算出手段によって求められた前記第
１の寸法の算出値と、の関係を示す寸法誤差関係情報を
生成する寸法誤差関係情報生成手段と、 第２の半導体ウェハにおける前記第１の寸法を物理的に
測定することによって抽出した前記第１の寸法の実測値
を示す第３の実測値情報の入力を受け付ける第３の実測
値情報入力手段と、 前記寸法誤差関係情報生成手段によって生成された前記
寸法誤差関係情報と、前記第３の実測値情報入力手段に
おいて入力された前記第３の実測値情報とを用い、前記
第２の半導体ウェハにおける前記第１の寸法を算出する
第１の寸法算出手段と、 を有することを特徴とする寸法検出装置。 - 【請求項２】 前記第１の実測値情報は、 光学的な方法によって測定された前記第１の半導体ウェ
ハにおける前記第１の寸法の実測値を示す情報であるこ
とを特徴とする請求項１記載の寸法検出装置。 - 【請求項３】 前記第１の寸法は、 前記半導体ウェハのパターン幅であることを特徴とする
請求項１記載の寸法検出装置。 - 【請求項４】 前記第２の寸法は、 前記第１の寸法よりも高い精度で物理的な測定が可能な
寸法であることを特徴とする請求項１記載の寸法検出装
置。 - 【請求項５】 前記第１の寸法算出手段によって算出さ
れた前記第１の寸法を示す第１の寸法算出情報を用い、
シミュレーションによって、前記第２の寸法を算出する
第２の寸法算出手段を、 さらに有することを特徴とする請求項１記載の寸法検出
装置。 - 【請求項６】 前記第２の寸法算出手段によって算出さ
れる前記第２の寸法は、 前記第１の寸法よりも、物理的な測定に長時間を要する
寸法であることを特徴とする請求項５記載の寸法検出装
置。 - 【請求項７】 半導体ウェハの寸法検出を行う寸法検出
装置において、 定数を示す定数情報の入力を受け付ける定数情報入力手
段と、 前記定数情報入力手段において入力された前記定数情報
を用い、シミュレーションによって、前記半導体ウェハ
における第１の寸法と第２の寸法との関係を示す寸法相
関情報を算出する寸法相関情報算出手段と、 を有することを特徴とする寸法検出装置。 - 【請求項８】 半導体ウェハの寸法検出を行う寸法検出
方法において、 第１の半導体ウェハにおける第１の寸法を物理的に測定
することによって抽出した前記第１の寸法の実測値を示
す第１の実測値情報の入力を受け付ける第１の実測値情
報入力ステップと、 前記第１の半導体ウェハにおける第２の寸法を物理的に
測定することによって抽出した前記第２の寸法の実測値
を示す第２の実測値情報の入力を受け付ける第２の実測
値情報入力ステップと、 前記第２の実測値情報入力ステップにおいて入力された
前記第２の実測値情報を用い、シミュレーションによっ
て、前記第１の寸法の算出を行う基準値寸法算出ステッ
プと、 前記第１の実測値情報入力ステップにおいて入力された
前記第１の実測値情報に示される前記第１の寸法の実測
値と、前記基準値寸法算出ステップによって求められた
前記第１の寸法の算出値と、の関係を示す寸法誤差関係
情報を生成する寸法誤差関係情報生成ステップと、 第２の半導体ウェハにおける前記第１の寸法を物理的に
測定することによって抽出した前記第１の寸法の実測値
を示す第３の実測値情報の入力を受け付ける第３の実測
値情報入力ステップと、 前記寸法誤差関係情報生成ステップによって生成された
前記寸法誤差関係情報と、前記第３の実測値情報入力ス
テップにおいて入力された前記第３の実測値情報とを用
い、前記第２の半導体ウェハにおける前記第１の寸法を
算出する第１の寸法算出ステップと、 を有することを特徴とする寸法検出方法。 - 【請求項９】 前記第１の寸法は、前記半導体ウェハの
パターン幅であることを特徴とする請求項８記載の寸法
検出方法。 - 【請求項１０】 前記第２の寸法は、 前記第１の寸法よりも高い精度で物理的な測定が可能な
寸法であることを特徴とする請求項８記載の寸法検出方
法。 - 【請求項１１】 前記第１の寸法算出ステップによって
算出された前記第１の寸法を示す第１の寸法算出情報を
用い、シミュレーションによって、前記第２の寸法を算
出する第２の寸法算出ステップを、 さらに有することを特徴とする請求項８記載の寸法検出
方法。 - 【請求項１２】 前記第２の寸法算出ステップによって
算出される前記第２の寸法は、 前記第１の寸法よりも、物理的な測定に長時間を要する
寸法であることを特徴とする請求項１１記載の寸法検出
方法。 - 【請求項１３】 コンピュータに、 第１の半導体ウェハにおける第１の寸法を物理的に測定
することによって抽出した前記第１の寸法の実測値を示
す第１の実測値情報の入力を受け付ける第１の実測値情
報入力ステップと、 前記第１の半導体ウェハにおける第２の寸法を物理的に
測定することによって抽出した前記第２の寸法の実測値
を示す第２の実測値情報の入力を受け付ける第２の実測
値情報入力ステップと、 前記第２の実測値情報入力ステップにおいて入力された
前記第２の実測値情報を用い、シミュレーションによっ
て、前記第１の寸法の算出を行う基準値寸法算出ステッ
プと、 前記第１の実測値情報入力ステップにおいて入力された
前記第１の実測値情報に示される前記第１の寸法の実測
値と、前記基準値寸法算出ステップによって求められた
前記第１の寸法の算出値と、の関係を示す寸法誤差関係
情報を生成する寸法誤差関係情報生成ステップと、 第２の半導体ウェハにおける前記第１の寸法を物理的に
測定することによって抽出した前記第１の寸法の実測値
を示す第３の実測値情報の入力を受け付ける第３の実測
値情報入力ステップと、 前記寸法誤差関係情報生成ステップによって生成された
前記寸法誤差関係情報と、前記第３の実測値情報入力ス
テップにおいて入力された前記第３の実測値情報とを用
い、前記第２の半導体ウェハにおける前記第１の寸法を
算出する第１の寸法算出ステップと、 を実行させるためのプログラム。 - 【請求項１４】 コンピュータに、 前記第１の寸法算出ステップによって算出された前記第
１の寸法を示す第１の寸法算出情報を用い、シミュレー
ションによって、前記第２の寸法を算出する第２の寸法
算出ステップをさらに実行させるための請求項１３記載
のプログラム。 - 【請求項１５】 コンピュータに、 第１の半導体ウェハにおける第１の寸法を物理的に測定
することによって抽出した前記第１の寸法の実測値を示
す第１の実測値情報の入力を受け付ける第１の実測値情
報入力ステップと、 前記第１の半導体ウェハにおける第２の寸法を物理的に
測定することによって抽出した前記第２の寸法の実測値
を示す第２の実測値情報の入力を受け付ける第２の実測
値情報入力ステップと、 前記第２の実測値情報入力ステップにおいて入力された
前記第２の実測値情報を用い、シミュレーションによっ
て、前記第１の寸法の算出を行う基準値寸法算出ステッ
プと、 前記第１の実測値情報入力ステップにおいて入力された
前記第１の実測値情報に示される前記第１の寸法の実測
値と、前記基準値寸法算出ステップによって求められた
前記第１の寸法の算出値と、の関係を示す寸法誤差関係
情報を生成する寸法誤差関係情報生成ステップと、 第２の半導体ウェハにおける前記第１の寸法を物理的に
測定することによって抽出した前記第１の寸法の実測値
を示す第３の実測値情報の入力を受け付ける第３の実測
値情報入力ステップと、 前記寸法誤差関係情報生成ステップによって生成された
前記寸法誤差関係情報と、前記第３の実測値情報入力ス
テップにおいて入力された前記第３の実測値情報とを用
い、前記第２の半導体ウェハにおける前記第１の寸法を
算出する第１の寸法算出ステップと、 を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ
読みとり可能な記録媒体。 - 【請求項１６】 コンピュータに、 前記第１の寸法算出ステップによって算出された前記第
１の寸法を示す第１の寸法算出情報を用い、シミュレー
ションによって、前記第２の寸法を算出する第２の寸法
算出ステップをさらに実行させるための請求項１４記載
のプログラムを記録したコンピュータ読みとり可能な記
録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001215301A JP2003028629A (ja) | 2001-07-16 | 2001-07-16 | 寸法検出装置、寸法検出方法、プログラム及び記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001215301A JP2003028629A (ja) | 2001-07-16 | 2001-07-16 | 寸法検出装置、寸法検出方法、プログラム及び記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003028629A true JP2003028629A (ja) | 2003-01-29 |
Family
ID=19049969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001215301A Pending JP2003028629A (ja) | 2001-07-16 | 2001-07-16 | 寸法検出装置、寸法検出方法、プログラム及び記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003028629A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005257475A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Horiba Ltd | 測定方法、解析方法、測定装置、解析装置、エリプソメータ及びコンピュータプログラム |
| JP2010281838A (ja) * | 2010-09-21 | 2010-12-16 | Horiba Ltd | 測定方法、解析方法、測定装置、及びコンピュータプログラム |
-
2001
- 2001-07-16 JP JP2001215301A patent/JP2003028629A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005257475A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Horiba Ltd | 測定方法、解析方法、測定装置、解析装置、エリプソメータ及びコンピュータプログラム |
| JP4616567B2 (ja) * | 2004-03-11 | 2011-01-19 | 株式会社堀場製作所 | 測定方法、解析方法、測定装置、解析装置、エリプソメータ及びコンピュータプログラム |
| JP2010281838A (ja) * | 2010-09-21 | 2010-12-16 | Horiba Ltd | 測定方法、解析方法、測定装置、及びコンピュータプログラム |
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