JP2003027277A - Tinning bath, tinning method and electronic parts subjected to tinning using plating bath used therefor - Google Patents

Tinning bath, tinning method and electronic parts subjected to tinning using plating bath used therefor

Info

Publication number
JP2003027277A
JP2003027277A JP2001213691A JP2001213691A JP2003027277A JP 2003027277 A JP2003027277 A JP 2003027277A JP 2001213691 A JP2001213691 A JP 2001213691A JP 2001213691 A JP2001213691 A JP 2001213691A JP 2003027277 A JP2003027277 A JP 2003027277A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acid
alkyl
salt
plating bath
tin plating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001213691A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4880138B2 (en
Inventor
Kazumasa Fujimura
一正 藤村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Daiwa Kasei Kenkyusho KK
Ishihara Chemical Co Ltd
Original Assignee
Daiwa Kasei Kenkyusho KK
Ishihara Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Daiwa Kasei Kenkyusho KK, Ishihara Chemical Co Ltd filed Critical Daiwa Kasei Kenkyusho KK
Priority to JP2001213691A priority Critical patent/JP4880138B2/en
Publication of JP2003027277A publication Critical patent/JP2003027277A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4880138B2 publication Critical patent/JP4880138B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve film appearance and solder wettability in an electrodeposition film obtained from a neutral tinning bath. SOLUTION: The neutral tinning bath of pH 2 to 9 contains (A) a soluble stannous salt, and (B) a complexing agent such as gluconic acid, citric acid and glucoheptonic acid, and (C) a specified quaternary ammonium salt such as an alkylpyridinium salt, N,N-dialkylmorpholinium salt, arylated alkylammonium salt or aralkylammonium salt, trialkylsulfoalkylene ammonium betaine, pyridium sulfobetaine and an alkylisoquinolinium salt. By the incorporation of the specified quanternary ammonium salt, the appearance and solder wettability of the tin film obtained from the bath are more excellent, compared with the case of a neutral bath containing a betaine type amphoteric surfactant or a trimethylalkylammonium salt.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はpH領域を2〜9と
する中性スズメッキ浴、スズメッキ方法、並びに当該メ
ッキ浴を用いて電気メッキを施した電子部品に関し、メ
ッキ外観とハンダ濡れ性に優れたスズ皮膜を形成できる
ものを提供する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a neutral tin plating bath having a pH range of 2 to 9, a tin plating method, and an electronic component electroplated using the plating bath, which is excellent in plating appearance and solder wettability. A tin film can be formed.

【0002】[0002]

【発明の背景】スズメッキは、ハンダ付け性向上用皮
膜、エッチングレジスト用皮膜などとして、弱電工業並
びに電子工業部品などに広く利用されている。従来のス
ズメッキでは、ホウフッ化物浴、硫酸浴、有機スルホン
酸浴などが常用されてきたが、これらはpHが1.0以
下の強酸性浴であるため、例えば、セラミックス、鉛ガ
ラス、プラスチック等の絶縁部品が電気メッキ物と一体
になって組み込まれた電子部品にこれら強酸性のスズメ
ッキ浴を適用すると、絶縁部品に侵食、変形、変質など
の悪影響を及ぼす問題がある。この問題を克服するもの
として、pHを中性に近付けたスズメッキ浴が開発され
ているが、スズイオンは酸性では安定であるのに対し
て、中性付近では白色沈澱が生じ易いため、中性スズ浴
にはグルコン酸、クエン酸、酒石酸などの錯化剤を含有
させて、このようなスズ酸塩の白色沈澱の発生を防止す
る必要がある。
BACKGROUND OF THE INVENTION Tin plating is widely used as a coating for improving solderability, a coating for etching resist, etc. in the weak electric industry and electronic parts. In conventional tin plating, borofluoride baths, sulfuric acid baths, organic sulfonic acid baths, etc. have been commonly used, but since these are strongly acidic baths with a pH of 1.0 or less, for example, ceramics, lead glass, plastics, etc. When these strong acid tin plating baths are applied to an electronic component in which the insulating component is integrated with the electroplated product, there is a problem that the insulating component is adversely affected by erosion, deformation, deterioration and the like. In order to overcome this problem, tin plating baths with a pH value close to neutral have been developed, but tin ions are stable under acidic conditions, but neutral tin tends to cause white precipitates. It is necessary to contain a complexing agent such as gluconic acid, citric acid, tartaric acid in the bath to prevent the occurrence of such a white precipitate of stannate.

【0003】[0003]

【従来の技術】中性のスズメッキ浴としては、下記のも
のなどがある。 (1)特開平10−298793号公報(従来技術1) スズ陽極からの金属の溶解効率を向上し、メッキ作業時
のメッキ浴の金属濃度を実質的に一定に維持することを
目的として、グリシン、アラニン、アスパラギン酸な
どのアミノカルボン酸類、或はさらに、クエン酸、シュ
ウ酸、マロン酸、コハク酸などを組み合わせた錯化剤
と、ベタイン型両性界面活性剤(同公報の化学式b)、
ポリオキシエチレンアルキルアミン(同化学式a)などの
界面活性剤とを含有し、pHを4〜8とした中性スズメ
ッキ浴が開示されている。また、この中性スズメッキ浴
には、上記特定の界面活性剤とは別に、モノアルキルア
ミン塩、ジアルキルアミン塩、トリアルキルアミン塩、
ハロゲン化アルキルトリメチルアンモニウム、ハロゲン
化ジアルキルジメチルアンモニウムなどのカチオン系界
面活性剤、アニオン系界面活性剤、ノニオン系界面活性
剤などを配合しても良いことが開示されている(同公報
の段落23)。
2. Description of the Related Art The following are examples of neutral tin plating baths. (1) Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-298793 (Prior Art 1) Glycine is used for the purpose of improving the dissolution efficiency of a metal from a tin anode and maintaining the metal concentration of a plating bath during plating operation substantially constant. , Alanine, aminocarboxylic acids such as aspartic acid, or a complexing agent combining citric acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, and the like, and a betaine-type amphoteric surfactant (chemical formula b in the publication),
A neutral tin plating bath containing a surfactant such as polyoxyethylene alkylamine (the same chemical formula a) and having a pH of 4 to 8 is disclosed. Further, in addition to the specific surfactant, the neutral tin plating bath contains a monoalkylamine salt, a dialkylamine salt, a trialkylamine salt,
It is disclosed that cationic surfactants such as alkyl trimethyl ammonium halides and dialkyl dimethyl ammonium halides, anionic surfactants, nonionic surfactants and the like may be blended (paragraph 23 of the publication). .

【0004】(2)特開平9−272995号公報(従来
技術2) 被メッキ物のセラミックス部分を侵食することがなく、
且つ、本来メッキされるべき部分にのみスズメッキを施
すことを目的として、ポリオキシモノカルボン酸、ポ
リカルボン酸、アミノカルボン酸、ラクトン化合物など
の錯化剤と、(CH2CH(OH)CH2−N+−(CH3)2
・Cl-n(nは30〜50の整数)などの一般式で表さ
れる特定の4級化アミンポリマー、或は、(CH2CH
(OH)CH2−A+・Cl-n(Aはイミダゾリン環、n
は2〜10の整数)などの一般式で表される特定の4級
化イミダゾール誘導体とを含有し、pHを7〜14とす
る非酸性スズメッキ浴が開示されている。
(2) Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-272995 (Prior Art 2) No corrosion of the ceramic portion of the object to be plated,
In addition, for the purpose of performing tin plating only on the portion to be originally plated, a complexing agent such as polyoxymonocarboxylic acid, polycarboxylic acid, aminocarboxylic acid or lactone compound and (CH 2 CH (OH) CH 2 -N + -(CH 3 ) 2
· Cl -) n (n is a specific quaternized amine polymer represented by the general formula, such as an integer) of 30 to 50, or, (CH 2 CH
(OH) CH 2 -A + · Cl ) n (A is an imidazoline ring, n
Is an integer of 2 to 10) and a specific quaternized imidazole derivative represented by the general formula, and a non-acidic tin plating bath having a pH of 7-14 is disclosed.

【0005】(3)特開平10−245694号公報(従
来技術3) 電子部品を侵食することがなく、絶縁体部への金属析出
を起こさないことなどを目的として、クエン酸、グル
コン酸、ピロリン酸などの錯化剤と、ステアリルトリ
メチルアンモニウムブロマイド、セチルトリエタノール
アンモニウムブロマイド等の脂肪族アルキル型(同公報
の化学式A)、或は、ラウリルジメチルベタイン、セチ
ルジメチルベタイン等のカルボキシベタイン型(同化学
式B)などの特定の4級アンモニウム塩とを含有し、p
Hを3〜10とするスズメッキ浴が開示されている。
(3) Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-245694 (Prior Art 3) Citric acid, gluconic acid, and pyrroline for the purpose of not corroding electronic parts and preventing metal deposition on the insulator part. A complexing agent such as an acid and an aliphatic alkyl type such as stearyl trimethyl ammonium bromide or cetyl triethanol ammonium bromide (chemical formula A in the publication) or a carboxy betaine type such as lauryl dimethyl betaine or cetyl dimethyl betaine (chemical formula B) and a specific quaternary ammonium salt, and p
A tin plating bath having H of 3 to 10 is disclosed.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術1〜3の
中性スズメッキ浴は、錯化剤の含有によってスズイオン
の浴中での安定化や被メッキ物の侵食防止などを改善で
きるが、その反面、浴から得られた電着皮膜は、均質な
銀白色乃至白色の皮膜外観を得るのが容易でないととも
に、ハンダ濡れ性も満足できるレベルではなく、電子部
品の実装などの信頼性は不充分である。本発明は、中性
スズメッキ浴から得られる電着皮膜について、皮膜外観
とハンダ濡れ性を同時に向上することを技術的課題とす
る。
In the neutral tin plating baths of the prior arts 1 to 3 described above, the inclusion of the complexing agent can improve the stabilization of tin ions in the bath and the prevention of corrosion of the object to be plated. On the other hand, the electrodeposition coating obtained from the bath is not easy to obtain a uniform silver-white to white coating appearance, and the solder wettability is not satisfactory, and the reliability of mounting electronic components is insufficient. Is. An object of the present invention is to simultaneously improve the film appearance and the solder wettability of an electrodeposition film obtained from a neutral tin plating bath.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記従来
技術1や従来技術3に開示された脂肪族アルキル型(前
記化学式A)やカルボキシベタイン型(前記化学式Bや化
学式b)の4級アンモニウム塩、或は、ポリオキシエチ
レンアルキルアミン(前記化学式a)などを出発点とし
て、様々な種類の4級アンモニウム塩を含有する中性ス
ズメッキ浴を鋭意研究した結果、4級アンモニウム塩を
アルキルピリジニウム塩、ジアルキルモルホリニウム
塩、ピリジニウムスルホベタイン、アラルキルアンモニ
ウム塩などに特定化すると、スズメッキ浴から得られる
電着皮膜の外観とハンダ濡れ性を共に顕著に改善できる
ことを見い出し、本発明を完成した。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The inventors of the present invention have disclosed 4 types of aliphatic alkyl type (the chemical formula A) and carboxybetaine type (the chemical formula B and the chemical formula b) disclosed in the prior art 1 and the prior art 3. As a result of intensive studies on a neutral tin plating bath containing various kinds of quaternary ammonium salts starting from a quaternary ammonium salt or polyoxyethylene alkylamine (the above chemical formula a), the quaternary ammonium salt was alkylated. The present invention has been completed by finding out that when specified to a pyridinium salt, a dialkylmorpholinium salt, a pyridinium sulfobetaine, an aralkylammonium salt, etc., the appearance and solder wettability of an electrodeposition coating obtained from a tin plating bath can be significantly improved. .

【0008】即ち、本発明1は、(A)可溶性第一スズ
塩、(B)オキシカルボン酸、ポリカルボン酸、モノカル
ボン酸、或はこれらの塩から選ばれた錯化剤の少なくと
も一種、(C)下記の(a)〜(h)の化合物よりなる群から
選ばれた4級アンモニウム塩の少なくとも一種を含有
し、 (a)一般式(a)で表されるアルキルピリジニウム塩
That is, the present invention 1 comprises (A) a soluble stannous salt, (B) an oxycarboxylic acid, a polycarboxylic acid, a monocarboxylic acid, or at least one complexing agent selected from these salts, (C) An alkylpyridinium salt represented by the general formula (a) containing at least one quaternary ammonium salt selected from the group consisting of the following compounds (a) to (h):

【化9】 (上式(a)中、R1はC1〜C24アルキルであり、R2はC
1〜C24アルキル、アリール、アラルキルである;Xは
1〜C5アルキルスルホネート、ハロゲン、アセテー
ト、サルフェート、パークロレート、ハイドロジエンサ
ルフェート、ヒドロキサイド、芳香族スルホネート、ホ
スフェート、テトラフルオロボレートである。) (b)一般式(b)で表される1,2−ジアルキル−1−ヒ
ドロキシエチルイミダゾリニウム塩
[Chemical 9] (In the above formula (a), R 1 is C 1 -C 24 alkyl and R 2 is C
1 -C 24 alkyl, aryl, and aralkyl; X is C 1 -C 5 alkyl sulfonate, halogen, acetate, sulphate, perchlorate, hydro diene sulfate, hydroxide, aromatic sulfonate, phosphate, tetrafluoroborate. ) (b) 1,2-dialkyl-1-hydroxyethylimidazolinium salt represented by the general formula (b)

【化10】 (上式(b)中、R1はC1〜C24アルキル、アリール、ア
ラルキルであり、R2はC1〜C24アルキルである;Xは
1〜C5アルキルスルホネート、ハロゲン、アセテー
ト、サルフェート、パークロレート、ハイドロジエンサ
ルフェート、ヒドロキサイド、芳香族スルホネート、ホ
スフェート、テトラフルオロボレートである。) (c)一般式(c)で表されるN,N−ジアルキルモルホリ
ニウム塩
[Chemical 10] (In the above formula (b), R 1 is C 1 -C 24 alkyl, aryl, aralkyl, R 2 is C 1 -C 24 alkyl; X is C 1 -C 5 alkyl sulfonate, halogen, acetate, (Sulfate, perchlorate, hydrogensulfate, hydroxide, aromatic sulfonate, phosphate, tetrafluoroborate.) (C) N, N-dialkylmorpholinium salt represented by general formula (c)

【化11】 (上式(c)中、R1、R2はC1〜C24アルキルである;X
はC1〜C5アルキルスルホネート、ハロゲン、アセテー
ト、サルフェート、パークロレート、ハイドロジエンサ
ルフェート、ヒドロキサイド、芳香族スルホネート、ホ
スフェート、テトラフルオロボレートである。) (d)一般式(d)で表されるN,N,N−トリアルキル−N
−スルホアルキレンアンモニウムベタイン
[Chemical 11] (In the formula (c), R 1 and R 2 are C 1 -C 24 alkyl; X
Are C 1 -C 5 alkyl sulfonates, halogens, acetates, sulphates, perchlorates, hydrogen sulphates, hydroxides, aromatic sulphonates, phosphates, tetrafluoroborate. ) (d) N, N, N-trialkyl-N represented by general formula (d)
-Sulfoalkylene ammonium betaine

【化12】 (上式(d)中、R1、R2、R3はC1〜C24アルキルであ
る;nは1〜6の整数である;XはC1〜C5アルキルス
ルホネート、ハロゲン、アセテート、サルフェート、パ
ークロレート、ハイドロジエンサルフェート、ヒドロキ
サイド、芳香族スルホネート、ホスフェート、テトラフ
ルオロボレートである。) (e)一般式(e)で表されるアリールアルキルアンモニウ
ム塩又はアラルキルアンモニウム塩
[Chemical 12] (In the above formula (d), R 1 , R 2 , and R 3 are C 1 to C 24 alkyl; n is an integer of 1 to 6; X is a C 1 to C 5 alkyl sulfonate, halogen, acetate, Sulfate, perchlorate, hydrogensulfate, hydroxide, aromatic sulfonate, phosphate, tetrafluoroborate.) (E) Arylalkyl ammonium salt or aralkyl ammonium salt represented by the general formula (e).

【化13】 (上式(e)中、R1〜R4のうちの少なくとも一つが置換
或は無置換のアリール又はアラルキルであり、R1〜R4
の少なくとも一つがC1〜C24アルキルである;XはC1
〜C5アルキルスルホネート、ハロゲン、アセテート、
サルフェート、パークロレート、ハイドロジエンサルフ
ェート、ヒドロキサイド、芳香族スルホネート、ホスフ
ェート、テトラフルオロボレートである。) (f)一般式(f)で表されるピリジニウムスルホベタイン
[Chemical 13] (In the above formula (e), at least one of R 1 to R 4 is a substituted or unsubstituted aryl or aralkyl, and R 1 to R 4
At least one of C 1 -C 24 alkyl; X is C 1
~ C 5 alkyl sulfonate, halogen, acetate,
These are sulphates, perchlorates, hydrogen sulphates, hydroxides, aromatic sulphonates, phosphates and tetrafluoroborate. ) (f) Pyridinium sulfobetaine represented by the general formula (f)

【化14】 (上式(f)中、R1はC1〜C24アルキル、アリール、ア
ラルキルである;nは1〜6の整数である;XはC1
5アルキルスルホネート、ハロゲン、アセテート、サ
ルフェート、パークロレート、ハイドロジエンサルフェ
ート、ヒドロキサイド、芳香族スルホネート、ホスフェ
ート、テトラフルオロボレートである。) (g)一般式(g)で表されるアルキルイソキノリニウム塩
[Chemical 14] (In the above formula (f), R 1 is C 1 to C 24 alkyl, aryl, aralkyl; n is an integer of 1 to 6; X is C 1 to
These are C 5 alkyl sulfonates, halogens, acetates, sulphates, perchlorates, hydrogen sulphates, hydroxides, aromatic sulphonates, phosphates, tetrafluoroborate. ) (g) Alkylisoquinolinium salt represented by the general formula (g)

【化15】 (上式(g)中、R1はC1〜C24アルキルである;XはC1
〜C5アルキルスルホネート、ハロゲン、アセテート、
サルフェート、パークロレート、ハイドロジエンサルフ
ェート、ヒドロキサイド、芳香族スルホネート、ホスフ
ェート、テトラフルオロボレートである。) (h)一般式(h)で表されるポリオキシエチレンアルキル
アンモニウム塩
[Chemical 15] (In the above formula (g), R 1 is C 1 -C 24 alkyl; X is C 1
~ C 5 alkyl sulfonate, halogen, acetate,
These are sulphates, perchlorates, hydrogen sulphates, hydroxides, aromatic sulphonates, phosphates and tetrafluoroborate. ) (h) Polyoxyethylene alkyl ammonium salt represented by general formula (h)

【化16】 (上式(h)中、R1、R2はC1〜C24アルキルである;A
Oはオキシエチレン、オキシプロピレンであり、オキシ
エチレンとオキシプロピレンの一方のみで連鎖を構成し
ても良いし、両者が混在しても良く、2個のAO連鎖は
互いに同じでも異なっても良い;m、nは各々1〜18
の整数である;XはC1〜C5アルキルスルホネート、ハ
ロゲン、アセテート、サルフェート、パークロレート、
ハイドロジエンサルフェート、ヒドロキサイド、芳香族
スルホネート、ホスフェート、テトラフルオロボレート
である。) ペーハーが2〜9であることを特徴とするスズメッキ浴
である。
[Chemical 16] (In the above formula (h), R 1 and R 2 are C 1 -C 24 alkyl; A
O is oxyethylene or oxypropylene, and the chain may be constituted by only one of oxyethylene and oxypropylene, or both may be mixed and the two AO chains may be the same or different from each other; m and n are 1 to 18 respectively
X is a C 1 -C 5 alkyl sulfonate, halogen, acetate, sulfate, perchlorate,
They are hydrogen sulphate, hydroxide, aromatic sulphonate, phosphate and tetrafluoroborate. ) A tin plating bath having a pH of 2-9.

【0009】本発明2は、上記本発明1において、オキ
シカルボン酸、ポリカルボン酸又はモノカルボン酸が、
グルコン酸、クエン酸、グルコヘプトン酸、グルコノラ
クトン、グルコヘプトラクトン、ギ酸、酢酸、プロピオ
ン酸、酪酸、アスコルビン酸、シュウ酸、マロン酸、コ
ハク酸、グリコール酸、リンゴ酸、酒石酸、ジグリコー
ル酸であることを特徴とするスズメッキ浴である。
The second aspect of the present invention is the above-mentioned first aspect, wherein the oxycarboxylic acid, the polycarboxylic acid or the monocarboxylic acid is
Gluconic acid, citric acid, glucoheptonic acid, gluconolactone, glucoheptolactone, formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, ascorbic acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glycolic acid, malic acid, tartaric acid, diglycolic acid The tin plating bath is characterized by

【0010】本発明3は、上記本発明1又は2におい
て、4級アンモニウム塩(C)が、C1〜C5アルキルスル
ホネート塩であることを特徴とするスズメッキ浴であ
る。
The third aspect of the present invention is the tin plating bath according to the first or second aspect of the present invention, wherein the quaternary ammonium salt (C) is a C 1 to C 5 alkyl sulfonate salt.

【0011】本発明4、上記本発明1〜3のいずれかの
スズメッキ浴に被メッキ物を浸漬して、被メッキ物に電
気メッキを施すことを特徴とするスズメッキ方法であ
る。
[0012] A tin plating method, which comprises subjecting the object to be plated to electroplating by immersing the object to be plated in the tin plating bath according to the present invention 4 or any one of the above inventions 1 to 3.

【0012】本発明5は、上記本発明1〜3のいずれか
のメッキ浴を用いてスズの電着皮膜を形成した、プリン
ト基板、半導体集積回路、抵抗、可変抵抗、コンデン
サ、フィルタ、インダクタ、サーミスタ、水晶振動子、
スイッチ、リード線などの電子部品である。
A fifth aspect of the present invention is a printed circuit board, a semiconductor integrated circuit, a resistor, a variable resistor, a capacitor, a filter, an inductor, which has a tin electrodeposition film formed by using the plating bath according to any one of the first to third aspects. Thermistor, crystal unit,
Electronic components such as switches and lead wires.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】本発明は、第一に、可溶性第一ス
ズ塩と錯化剤と特定の4級アンモニウム塩とを含有した
pH2〜9の中性スズメッキ浴であり、第二に、当該メ
ッキ浴に被メッキ物を浸漬し、被メッキ物に電気メッキ
を施すスズメッキ方法であり、第三に、当該メッキ浴を
用いてスズの電着皮膜を形成したプリント基板、半導体
集積回路などの電子部品である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention is firstly a neutral tin plating bath having a pH of 2 to 9 containing a soluble stannous salt, a complexing agent and a specific quaternary ammonium salt, and secondly, A tin plating method in which an object to be plated is immersed in the plating bath and electroplated on the object to be plated. Thirdly, a printed circuit board, a semiconductor integrated circuit, etc., on which an electrodeposition film of tin is formed using the plating bath. It is an electronic component.

【0014】上記可溶性第一スズ塩は基本的に水中でS
2+を発生させる有機又は無機のスズ塩であり、具体的
には、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、2−プロ
パノールスルホン酸、スルホコハク酸、p−フェノール
スルホン酸などの有機スルホン酸の第一スズ塩を初め、
ホウフッ化第一スズ、硫酸第一スズ、酸化第一スズ、塩
化第一スズなどが挙げられる。上記可溶性第一スズ塩は
単用又は併用でき、そのメッキ浴に対する含有量は金属
換算で0.5〜300g/L、好ましくは10〜120
g/Lである。
The above-mentioned soluble stannous salt is basically S in water.
An organic or inorganic tin salt capable of generating n 2+ , specifically, a first organic sulfonic acid such as methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, 2-propanolsulfonic acid, sulfosuccinic acid, and p-phenolsulfonic acid. Starting with tin salt,
Examples include stannous borofluoride, stannous sulfate, stannous oxide, stannous chloride and the like. The above soluble stannous salts can be used alone or in combination, and the content thereof in the plating bath is 0.5 to 300 g / L in terms of metal, preferably 10 to 120.
It is g / L.

【0015】本発明のスズメッキ浴はpH2〜9の中性
浴であるため、上記錯化剤は、このpH領域でSn2+
安定化させ、もって白色沈殿が生じたり、浴が分解する
のを防止する目的で使用される。当該錯化剤は、オキシ
カルボン酸、ポリカルボン酸、モノカルボン酸などであ
り、具体的には、グルコン酸、クエン酸、グルコヘプト
ン酸、グルコノラクトン、グルコヘプトラクトン、ギ
酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、アスコルビン酸、シュ
ウ酸、マロン酸、コハク酸、グリコール酸、リンゴ酸、
酒石酸、ジグリコール酸、或はこれらの塩などが挙げら
れる。好ましくは、グルコン酸、クエン酸、グルコヘプ
トン酸、グルコノラクトン、グルコヘプトラクトン、或
はこれらの塩などである。また、エチレンジアミン、エ
チレンジアミン四酢酸(EDTA)、ジエチレントリアミ
ン五酢酸(DTPA)、ニトリロ三酢酸(NTA)、イミノ
ジ酢酸(IDA)、イミノジプロピオン酸(IDP)、ヒド
ロキシエチルエチレンジアミン三酢酸(HEDTA)、ト
リエチレンテトラミン六酢酸(TTHA)、エチレンジオ
キシビス(エチルアミン)−N,N,N′,N′−テトラ酢
酸、グリシン類、ニトリロトリメチルホスホン酸、或は
これらの塩なども錯化剤として有効である。上記錯化剤
は単用又は併用でき、そのメッキ浴に対する含有量は
0.05〜5mol/L、好ましくは0.1〜2mol/
Lである。
Since the tin plating bath of the present invention is a neutral bath having a pH of 2 to 9, the above complexing agent stabilizes Sn 2+ in this pH range, so that a white precipitate is generated or the bath is decomposed. It is used for the purpose of preventing. The complexing agent is oxycarboxylic acid, polycarboxylic acid, monocarboxylic acid, or the like, and specifically, gluconic acid, citric acid, glucoheptonic acid, gluconolactone, glucoheptolactone, formic acid, acetic acid, propionic acid. , Butyric acid, ascorbic acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glycolic acid, malic acid,
Examples thereof include tartaric acid, diglycolic acid, and salts thereof. Preferred are gluconic acid, citric acid, glucoheptonic acid, gluconolactone, glucoheptolactone, and salts thereof. Also, ethylenediamine, ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA), diethylenetriaminepentaacetic acid (DTPA), nitrilotriacetic acid (NTA), iminodiacetic acid (IDA), iminodipropionic acid (IDP), hydroxyethylethylenediaminetriacetic acid (HEDTA), triethylene Tetramine hexaacetic acid (TTHA), ethylenedioxybis (ethylamine) -N, N, N ', N'-tetraacetic acid, glycines, nitrilotrimethylphosphonic acid, or salts thereof are also effective as complexing agents. The above complexing agents can be used alone or in combination, and the content thereof in the plating bath is 0.05 to 5 mol / L, preferably 0.1 to 2 mol / L.
It is L.

【0016】本発明のスズメッキ浴は基本的に有機酸
浴、無機酸浴、或はそのアルカリ金属塩、アルカリ土類
金属塩、アンモニウム塩、アミン塩などをベースとした
浴であり、上記有機酸としては有機スルホン酸、脂肪族
カルボン酸などが挙げられ、無機酸としては、硫酸、塩
酸、ホウフッ化水素酸、ケイフッ化水素酸、スルファミ
ン酸などが挙げられる。この中では、スズの溶解性、排
水処理の容易性などの見地から有機スルホン酸又はその
塩が好ましい。有機スルホン塩としては、有機スルホン
酸のナトリウム、カリウム、マグネシウム、カルシウ
ム、アンモニウム、モノエタノールアミン、ジエタノー
ルアミン、トリエタノールアミン、エチレンジアミン、
ジエチレントリアミン、トリエチレンペンタミン、ペン
タエチレンテトラミン塩などが使用できる。但し、本発
明は中性メッキ浴であるため、上記有機酸又は無機酸な
どを浴ベースとする場合、後述するように、pH調整剤
として各種の塩基を浴に添加して、pHを2〜9の範囲
に適正に調整することはいうまでもない。上記酸又はそ
の塩は単用又は併用でき、その含有量は0.1〜10m
ol/L、好ましくは0.5〜5mol/Lである。
The tin plating bath of the present invention is basically an organic acid bath, an inorganic acid bath, or a bath based on its alkali metal salt, alkaline earth metal salt, ammonium salt, amine salt or the like. Examples thereof include organic sulfonic acid and aliphatic carboxylic acid, and examples of inorganic acid include sulfuric acid, hydrochloric acid, borofluoric acid, silicofluoric acid, sulfamic acid and the like. Of these, organic sulfonic acids or salts thereof are preferable from the viewpoints of tin solubility, ease of wastewater treatment, and the like. As the organic sulfonic acid salt, sodium, potassium, magnesium, calcium, ammonium, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, ethylenediamine of organic sulfonic acid,
Diethylenetriamine, triethylenepentamine, pentaethylenetetramine salt and the like can be used. However, since the present invention is a neutral plating bath, when the above-mentioned organic acid or inorganic acid is used as a bath base, various bases are added to the bath as a pH adjusting agent to adjust the pH to 2 as described later. Needless to say, it is properly adjusted to the range of 9. The above acids or salts thereof can be used alone or in combination, and the content thereof is 0.1 to 10 m.
ol / L, preferably 0.5-5 mol / L.

【0017】上記有機スルホン酸は、アルカンスルホン
酸、アルカノールスルホン酸、スルホコハク酸、芳香族
スルホン酸などであり、アルカンスルホン酸としては、
化学式Cn2n+1SO3H(例えば、n=1〜11)で示さ
れるものが使用でき、具体的には、メタンスルホン酸、
エタンスルホン酸、1―プロパンスルホン酸、2―プロ
パンスルホン酸、1―ブタンスルホン酸、2―ブタンス
ルホン酸、ペンタンスルホン酸などが挙げられる。
The above-mentioned organic sulfonic acid is alkane sulfonic acid, alkanol sulfonic acid, sulfosuccinic acid, aromatic sulfonic acid, and the like, and as the alkane sulfonic acid,
Those represented by the chemical formula C n H 2n + 1 SO 3 H (for example, n = 1 to 11) can be used. Specifically, methanesulfonic acid,
Examples thereof include ethanesulfonic acid, 1-propanesulfonic acid, 2-propanesulfonic acid, 1-butanesulfonic acid, 2-butanesulfonic acid and pentanesulfonic acid.

【0018】上記アルカノールスルホン酸としては、化
学式 Cm2m+1-CH(OH)-Cp2p-SO3H(例えば、m=0
〜6、p=1〜5) で示されるものが使用でき、具体的には、2―ヒドロキ
シエタン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシプロパン―
1―スルホン酸(2−プロパノールスルホン酸)、2―ヒ
ドロキシブタン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシペン
タン―1―スルホン酸などの外、1―ヒドロキシプロパ
ン―2―スルホン酸、3―ヒドロキシプロパン―1―ス
ルホン酸、4―ヒドロキシブタン―1―スルホン酸、2
―ヒドロキシヘキサン―1―スルホン酸などが挙げられ
る。
The above alkanol sulfonic acid has the chemical formula C m H 2m + 1 -CH (OH) -C p H 2p -SO 3 H (for example, m = 0.
~ 6, p = 1 to 5), specifically, 2-hydroxyethane-1-sulfonic acid, 2-hydroxypropane-
1-sulfonic acid (2-propanolsulfonic acid), 2-hydroxybutane-1-sulfonic acid, 2-hydroxypentane-1-sulfonic acid, etc., 1-hydroxypropane-2-sulfonic acid, 3-hydroxypropane- 1-sulfonic acid, 4-hydroxybutane-1-sulfonic acid, 2
-Hydroxyhexane-1-sulfonic acid and the like can be mentioned.

【0019】上記芳香族スルホン酸は、基本的にベンゼ
ンスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、フェノー
ルスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、アルキルナフタ
レンスルホン酸、ナフトールスルホン酸などであり、具
体的には、1−ナフタレンスルホン酸、2−ナフタレン
スルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン
酸、p−フェノールスルホン酸、クレゾールスルホン
酸、スルホサリチル酸、ニトロベンゼンスルホン酸、ス
ルホ安息香酸、ジフェニルアミン−4−スルホン酸など
が挙げられる。上記有機スルホン酸では、メタンスルホ
ン酸、エタンスルホン酸、2−プロパノールスルホン
酸、イセチオン酸などが好ましい。
The above-mentioned aromatic sulfonic acid is basically benzenesulfonic acid, alkylbenzenesulfonic acid, phenolsulfonic acid, naphthalenesulfonic acid, alkylnaphthalenesulfonic acid, naphtholsulfonic acid and the like, and specifically, 1-naphthalenesulfone. Acid, 2-naphthalenesulfonic acid, toluenesulfonic acid, xylenesulfonic acid, p-phenolsulfonic acid, cresolsulfonic acid, sulfosalicylic acid, nitrobenzenesulfonic acid, sulfobenzoic acid, diphenylamine-4-sulfonic acid and the like can be mentioned. Of the above organic sulfonic acids, methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, 2-propanolsulfonic acid, isethionic acid and the like are preferable.

【0020】本発明は、電着皮膜の外観とハンダ濡れ性
の向上を目的として、中性スズ浴に上記(a)〜(h)の特
定の4級アンモニウム塩を含有させることを特徴とす
る。これらの4級アンモニウム塩のうち、アルキルピリ
ジニウム塩(a)、1,2−ジアルキル−1−ヒドロキシ
エチルイミダゾリニウム塩(b)、N,N−ジアルキルモ
ルホリニウム塩(c)、N,N,N−トリアルキル−N−ス
ルホアルキレンアンモニウムベタイン(d)、ピリジニウ
ムスルホベタイン(f)、アルキルイソキノリニウム塩
(g)、或は、ポリオキシエチレンアルキルアンモニウム
塩(h)のうち、N原子に結合する置換基はC1〜C24
ルキル、アリール、或はアラルキルであり、それ以外の
芳香環に結合する置換基はC1〜C24アルキルである。
置換基がアルキル基の場合、結合する位置に拘わらず、
1〜C18アルキルが好ましい。また、(e)のアリール
アルキルアンモニウム塩又はアラルキルアンモニウム塩
では、R1〜R4のうちの少なくとも一つが置換或は無置
換のアリール又はアラルキルであり、且つ、少なくとも
一つがC1〜C18アルキルである。芳香環に結合する置
換基としては、C1〜C3アルキル、ハロゲン、CF3
1〜C6アルコキシなどである。上記アルキルピリジニ
ウム塩(a)としては、ラウリルピリジニウムクロライ
ド、オクチルピリジニウムクロライド、セチルピリジニ
ウムメタンスルホネート、オレイルピリジニウムサルフ
ェートなどが好ましい。上記1,2−ジアルキル−1−
ヒドロキシエチルイミダゾリニウム塩(b)としては、2
−ノニル−1−メチル−1−ヒドロキシエチルイミダゾ
リニウムクロライド、2−ラウリル−1−メチル−1−
ヒドロキシエチルイミダゾリニウムクロライド、2−オ
レイル−1−エチル−1−ヒドロキシエチルイミダゾリ
ニウムメタンスルホネートなどが好ましい。上記N,N
−ジアルキルモルホリニウム塩(c)としては、N,N−
ジメチルモルホリニウムクロライド、N,N−ジエチル
モルホリニウムアセテートなどが好ましい。上記N,N,
N−トリアルキル−N−スルホアルキレンアンモニウム
ベタイン(d)としては、N,N−ジメチル−N−ステア
リル−N−(3−スルホプロピル)アンモニウムベタイ
ン、N,N−ジメチル−N−ミリスチル−N−(3−スル
ホプロピル)アンモニウムベタイン、N,N−ジブチル−
N−ラウリル−N−(4−スルホブチル)アンモニウムベ
タインなどが好ましい。上記(e)のアリールアルキルア
ンモニウム塩としては、フェニルトリメチルアンモニウ
ムクロライド、フェニルトリ−n−ブチルアンモニウム
−p−トルエンスルホネートなどが好ましい。同じく上
記(e)のアラルキルアンモニウム塩としては、R1〜R4
の一つが置換又は無置換のベンジル基であり、残り3つ
がC1〜C18アルキルであるトリアルキルベンジルアン
モニウム塩が好ましく、具体的には、ベンジルジメチル
ラウリルアンモニウムクロライド、ベンジルセチルジメ
チルアンモニウムメチルスルホネート、ベンジルジメチ
ルデシルアンモニウム塩、ベンジルジメチルテトラデシ
ルアンモニウム塩、ベンジルジメチルオクタデシルアン
モニウム塩、ベンジルジエチルオクチルアンモニウム
塩、(トリフルオロメチル)フェニルメチルジメチルドデ
シルアンモニウム塩、ベンジルエチルメチルオクタデシ
ルアンモニウム塩、モノクロロフェニルメチルジメチル
ヘキサデシルアンモニウム塩、ベンジルジエチルデシル
アンモニウム塩などが挙げられる。上記ピリジニウムス
ルホベタイン(f)としては、1−(3−スルホプロピル)
−ピリジニウムベタイン、4−ベンジル−1−(3−ス
ルホプロピル)−ピリジニウムベタイン、2−メチル−
1−(2−ヒドロキシ−3−スルホプロピル)−ピリジニ
ウムベタインなどが好ましい。上記アルキルイソキノリ
ニウム塩(g)としては、ラウリルイソキノリニウムクロ
ライド、メチルイソキノリニウムクロライド、ブチルイ
ソキノリニウムパークロレイトなどが好ましい。上記ポ
リオキシエチレンアルキルアンモニウム塩(h)として
は、オレイルメチルジ(ポリエトキシレート)アンモニウ
ムクロライド、ラウリルメチルジ(ポリエトキシレート)
アンモニウムクロライド、ジラウリルジ(ポリエトキシ
レート)アンモニウムメタンスルホネートなどが好まし
い。
The present invention is characterized in that the neutral tin bath contains the specific quaternary ammonium salt of the above (a) to (h) for the purpose of improving the appearance and solder wettability of the electrodeposition coating. . Among these quaternary ammonium salts, alkylpyridinium salts (a), 1,2-dialkyl-1-hydroxyethylimidazolinium salts (b), N, N-dialkylmorpholinium salts (c), N, N , N-trialkyl-N-sulfoalkylene ammonium betaine (d), pyridinium sulfobetaine (f), alkylisoquinolinium salt
In (g) or the polyoxyethylene alkylammonium salt (h), the substituent bonded to the N atom is C 1 -C 24 alkyl, aryl or aralkyl, and bonded to the other aromatic ring. substituents are C 1 -C 24 alkyl.
When the substituent is an alkyl group, regardless of the bonding position,
C 1 -C 18 alkyl is preferred. In the arylalkyl ammonium salt or aralkyl ammonium salt of (e), at least one of R 1 to R 4 is a substituted or unsubstituted aryl or aralkyl, and at least one is C 1 to C 18 alkyl. Is. Examples of the substituent bonded to the aromatic ring include C 1 -C 3 alkyl, halogen, CF 3 ,
, Etc. C 1 -C 6 alkoxy. As the alkylpyridinium salt (a), laurylpyridinium chloride, octylpyridinium chloride, cetylpyridinium methanesulfonate, oleylpyridinium sulfate and the like are preferable. 1,2-dialkyl-1-
The hydroxyethyl imidazolinium salt (b) includes 2
-Nonyl-1-methyl-1-hydroxyethylimidazolinium chloride, 2-lauryl-1-methyl-1-
Hydroxyethylimidazolinium chloride, 2-oleyl-1-ethyl-1-hydroxyethylimidazolinium methanesulfonate and the like are preferable. Above N, N
As the dialkylmorpholinium salt (c), N, N-
Dimethylmorpholinium chloride and N, N-diethylmorpholinium acetate are preferred. Above N, N,
As N-trialkyl-N-sulfoalkylene ammonium betaine (d), N, N-dimethyl-N-stearyl-N- (3-sulfopropyl) ammonium betaine, N, N-dimethyl-N-myristyl-N- (3-Sulfopropyl) ammonium betaine, N, N-dibutyl-
N-lauryl-N- (4-sulfobutyl) ammonium betaine and the like are preferable. As the arylalkylammonium salt (e), phenyltrimethylammonium chloride, phenyltri-n-butylammonium-p-toluenesulfonate and the like are preferable. Similarly, the aralkyl ammonium salt of the above (e) includes R 1 to R 4
Is a substituted or unsubstituted benzyl group, and the remaining three are C 1 -C 18 alkyl, preferably a trialkylbenzylammonium salt, and specifically, benzyldimethyllaurylammonium chloride, benzylcetyldimethylammonium methylsulfonate, Benzyl dimethyl decyl ammonium salt, benzyl dimethyl tetradecyl ammonium salt, benzyl dimethyl octadecyl ammonium salt, benzyl diethyl octyl ammonium salt, (trifluoromethyl) phenylmethyl dimethyl dodecyl ammonium salt, benzyl ethyl methyl octadecyl ammonium salt, monochlorophenylmethyl dimethyl hexadecyl Examples thereof include ammonium salt and benzyl diethyldecyl ammonium salt. Examples of the pyridinium sulfobetaine (f) include 1- (3-sulfopropyl)
-Pyridinium betaine, 4-benzyl-1- (3-sulfopropyl) -pyridinium betaine, 2-methyl-
1- (2-hydroxy-3-sulfopropyl) -pyridinium betaine and the like are preferable. As the alkylisoquinolinium salt (g), laurylisoquinolinium chloride, methylisoquinolinium chloride, butylisoquinolinium perchlorate and the like are preferable. Examples of the polyoxyethylene alkylammonium salt (h) include oleylmethyldi (polyethoxylate) ammonium chloride and laurylmethyldi (polyethoxylate).
Ammonium chloride, dilauryl di (polyethoxylate) ammonium methanesulfonate and the like are preferable.

【0021】また、上記(a)〜(h)の各4級アンモニウ
ム塩のアニオン部分Xは、C1〜C5アルキルスルホネー
ト、ハロゲン、アセテート、サルフェート、パークロレ
ート、ハイドロジエンサルフェート、ヒドロキサイド、
芳香族スルホネート、ホスフェート、テトラフルオロボ
レートなどであるが、本発明2に示すように、特に設備
の金属腐食を有効に抑制できる見地から、C1〜C5アル
キルスルホネートが好ましい。
The anion portion X of each of the quaternary ammonium salts of (a) to (h) is a C 1 to C 5 alkyl sulfonate, halogen, acetate, sulfate, perchlorate, hydrogen sulphate, hydroxide,
Examples of aromatic sulfonates, phosphates, tetrafluoroborate, etc., as shown in the present invention 2, C 1 -C 5 alkyl sulfonates are preferable from the viewpoint of effectively suppressing metal corrosion of equipment.

【0022】一方、本発明の中性スズメッキ浴には上記
成分以外に、目的に応じて公知の界面活性剤、光沢剤、
半光沢剤、pH調整剤、導電性塩、防腐剤、酸化防止
剤、消泡剤などの各種添加剤を混合できることはいうま
でもない。上記界面活性剤には通常のノニオン系、アニ
オン系、両性、或はカチオン系などの各種界面活性剤が
挙げられ、メッキ皮膜の外観、緻密性、平滑性、密着
性、均一電着性などの改善に一層寄与する。上記アニオ
ン系界面活性剤としては、アルキル硫酸塩、ポリオキシ
エチレンアルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレン
アルキルフェニルエーテル硫酸塩、アルキルベンゼンス
ルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩などが挙
げられる。カチオン系界面活性剤としては、モノ〜トリ
アルキルアミン塩、ジメチルジアルキルアンモニウム
塩、トリメチルアルキルアンモニウム塩などが挙げられ
る。ノニオン系界面活性剤としては、C1〜C20アルカ
ノール、フェノール、ナフトール、ビスフェノール類、
1〜C25アルキルフェノール、アリールアルキルフェ
ノール、C1〜C25アルキルナフトール、C1〜C25アル
コキシルリン酸(塩)、ソルビタンエステル、ポリアルキ
レングリコール、C1〜C22脂肪族アミドなどにエチレ
ンオキシド(EO)及び/又はプロピレンオキシド(PO)
を2〜300モル付加縮合させたものなどが挙げられ
る。両性界面活性剤としては、カルボキシベタイン、イ
ミダゾリンベタイン、アミノカルボン酸などが挙げられ
る。
On the other hand, in the neutral tin plating bath of the present invention, in addition to the above components, known surfactants, brighteners, and
It goes without saying that various additives such as a semi-brightening agent, a pH adjusting agent, a conductive salt, a preservative, an antioxidant, and an antifoaming agent can be mixed. Examples of the above-mentioned surfactants include various nonionic, anionic, amphoteric, or cationic surfactants, such as the appearance, denseness, smoothness, adhesion, and uniform electrodeposition of the plating film. Further contribute to improvement. Examples of the anionic surfactants include alkyl sulfates, polyoxyethylene alkyl ether sulfates, polyoxyethylene alkylphenyl ether sulfates, alkylbenzene sulfonates, and alkylnaphthalene sulfonates. Examples of the cationic surfactant include mono-trialkylamine salts, dimethyldialkylammonium salts, trimethylalkylammonium salts and the like. Nonionic surfactants include C 1 to C 20 alkanols, phenols, naphthols, bisphenols,
C 1 -C 25 alkylphenols, arylalkylphenols, C 1 -C 25 alkylnaphthols, C 1 -C 25 alkoxyl phosphoric acids (salts), sorbitan esters, polyalkylene glycols, C 1 -C 22 aliphatic amides, ethylene oxide (EO), etc. ) And / or propylene oxide (PO)
2 to 300 mol of these compounds are added and condensed. Examples of the amphoteric surfactant include carboxybetaine, imidazoline betaine, aminocarboxylic acid and the like.

【0023】上記光沢剤、或は半光沢剤としては、ベン
ズアルデヒド、o−クロロベンズアルデヒド、2,4,6
−トリクロロベンズアルデヒド、m−クロロベンズアル
デヒド、p−ニトロベンズアルデヒド、p−ヒドロキシ
ベンズアルデヒド、フルフラール、1−ナフトアルデヒ
ド、2−ナフトアルデヒド、2−ヒドロキシ−1−ナフ
トアルデヒド、3−アセナフトアルデヒド、ベンジリデ
ンアセトン、ピリジデンアセトン、フルフリリデンアセ
トン、シンナムアルデヒド、アニスアルデヒド、サリチ
ルアルデヒド、クロトンアルデヒド、アクロレイン、グ
ルタルアルデヒド、パラアルデヒド、バニリンなどの各
種アルデヒド、トリアジン、イミダゾール、インドー
ル、キノリン、2−ビニルピリジン、アニリン、フェナ
ントロリン、ネオクプロイン、ピコリン酸、チオ尿素
類、N―(3―ヒドロキシブチリデン)―p―スルファニ
ル酸、N―ブチリデンスルファニル酸、N―シンナモイ
リデンスルファニル酸、2,4―ジアミノ―6―(2′―
メチルイミダゾリル(1′))エチル―1,3,5―トリア
ジン、2,4―ジアミノ―6―(2′―エチル―4―メチ
ルイミダゾリル(1′))エチル―1,3,5―トリアジ
ン、2,4―ジアミノ―6―(2′―ウンデシルイミダゾ
リル(1′))エチル―1,3,5―トリアジン、サリチル
酸フェニル、或は、ベンゾチアゾール、2―メチルベン
ゾチアゾール、2―アミノベンゾチアゾール、2―アミ
ノ―6―メトキシベンゾチアゾール、2―メチル―5―
クロロベンゾチアゾール、2―ヒドロキシベンゾチアゾ
ール、2―アミノ―6―メチルベンゾチアゾール、2―
クロロベンゾチアゾール、2,5―ジメチルベンゾチア
ゾール、5―ヒドロキシ―2―メチルベンゾチアゾール
等のベンゾチアゾール類などが挙げられる。
Examples of the brightener or semi-brightener include benzaldehyde, o-chlorobenzaldehyde, 2,4,6.
-Trichlorobenzaldehyde, m-chlorobenzaldehyde, p-nitrobenzaldehyde, p-hydroxybenzaldehyde, furfural, 1-naphthaldehyde, 2-naphthaldehyde, 2-hydroxy-1-naphthaldehyde, 3-acenaphthaldehyde, benzylideneacetone, pyri Various aldehydes such as didenacetone, furfurylideneacetone, cinnamaldehyde, anisaldehyde, salicylaldehyde, crotonaldehyde, acrolein, glutaraldehyde, paraaldehyde, vanillin, triazine, imidazole, indole, quinoline, 2-vinylpyridine, aniline, phenanthroline , Neocuproine, picolinic acid, thioureas, N- (3-hydroxybutylidene) -p-sulfanilic acid, N-butylidene Rufaniru acid, N- cinnamoethyl ylidene sulfonyl acid, 2,4-diamino-6- (2'
Methylimidazolyl (1 ')) ethyl-1,3,5-triazine, 2,4-diamino-6- (2'-ethyl-4-methylimidazolyl (1')) ethyl-1,3,5-triazine, 2,4-Diamino-6- (2'-undecylimidazolyl (1 ')) ethyl-1,3,5-triazine, phenyl salicylate, or benzothiazole, 2-methylbenzothiazole, 2-aminobenzothiazole 2-amino-6-methoxybenzothiazole, 2-methyl-5-
Chlorobenzothiazole, 2-hydroxybenzothiazole, 2-amino-6-methylbenzothiazole, 2-
Examples include benzothiazoles such as chlorobenzothiazole, 2,5-dimethylbenzothiazole and 5-hydroxy-2-methylbenzothiazole.

【0024】本発明のスズメッキ浴はpHを2〜9、好
ましくは4〜6程度に調整する必要があるが、上記pH
調整剤はこのために必要に応じて添加される。具体的に
は、塩酸、硫酸等の各種の酸、アンモニア水、水酸化カ
リウム、水酸化ナトリウム等の各種の塩基などが挙げら
れるが、ギ酸、酢酸、プロピオン酸などのモノカルボン
酸類、ホウ酸類、リン酸類、シュウ酸、コハク酸などの
ジカルボン酸類、乳酸、酒石酸などのオキシカルボン酸
類、モノ、ジ又はトリアルキルアミン、モノ、ジ又はト
リアルキロールアミンなどのアミン類なども有効であ
る。前述したように、本発明のメッキ浴のベースに酸を
使用した場合には、上記塩基をpH調整剤として使用す
ることになる。上記導電性塩としては、硫酸、塩酸、リ
ン酸、スルファミン酸、スルホン酸などのナトリウム
塩、カリウム塩、マグネシウム塩、アンモニウム塩、ア
ミン塩などが挙げられるが、上記pH調整剤で共用でき
る場合もある。上記酸化防止剤は、浴中のSn2+の酸化
防止を目的とし含有され、アスコルビン酸又はその塩、
ハイドロキノン、カテコール、レゾルシン、フロログル
シン、クレゾールスルホン酸又はその塩、フェノールス
ルホン酸又はその塩、カテコールスルホン酸又はその
塩、ハイドロキノンスルホン酸又はその塩、ヒドラジン
などが挙げられる。但し、中性浴でも有効に作用する見
地から、アスコルビン酸又はその塩などが好ましい。上
記防腐剤としては、ホウ酸、5−クロロ−2−メチル−
4−イソチアゾリン−3−オン、塩化ベンザルコニウ
ム、フェノール、フェノールポリエトキシレート、チモ
ール、レゾルシン、イソプロピルアミン、グアヤコール
などが挙げられる。上記消泡剤としては、プルロニック
界面活性剤、高級脂肪族アルコール、アセチレンアルコ
ール及びそれらのポリアルコキシレートなどが挙げられ
る。
The pH of the tin plating bath of the present invention must be adjusted to 2-9, preferably 4-6.
Modifiers are added for this purpose as required. Specific examples thereof include hydrochloric acid, various acids such as sulfuric acid, ammonia water, potassium hydroxide, various bases such as sodium hydroxide, but formic acid, acetic acid, monocarboxylic acids such as propionic acid, boric acid, Also effective are phosphoric acids, dicarboxylic acids such as oxalic acid and succinic acid, oxycarboxylic acids such as lactic acid and tartaric acid, amines such as mono-, di- or trialkylamines, mono-, di- or triacylamines. As mentioned above, when an acid is used as the base of the plating bath of the present invention, the above base is used as a pH adjuster. Examples of the conductive salt include sodium salts such as sulfuric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid, sulfamic acid, and sulfonic acid, potassium salts, magnesium salts, ammonium salts, amine salts, and the like. is there. The above-mentioned antioxidant is contained for the purpose of preventing the oxidation of Sn 2+ in the bath, and ascorbic acid or a salt thereof,
Examples thereof include hydroquinone, catechol, resorcin, phloroglucin, cresolsulfonic acid or a salt thereof, phenolsulfonic acid or a salt thereof, catecholsulfonic acid or a salt thereof, hydroquinonesulfonic acid or a salt thereof, and hydrazine. However, ascorbic acid or a salt thereof is preferable from the viewpoint of effectively acting even in a neutral bath. As the above preservative, boric acid, 5-chloro-2-methyl-
4-isothiazolin-3-one, benzalkonium chloride, phenol, phenol polyethoxylate, thymol, resorcin, isopropylamine, guaiacol and the like can be mentioned. Examples of the defoaming agent include pluronic surfactants, higher aliphatic alcohols, acetylene alcohols and polyalkoxylates thereof.

【0025】本発明の中性スズメッキ浴での上記各種添
加剤の含有濃度は、バレルメッキ、ラックメッキ、高速
連続メッキ、ラックレスメッキなどに対応して任意に調
整・選択できる。本発明の中性スズ浴を用いた電気メッ
キの条件としては、浴温は0℃以上、好ましくは10〜
50℃程度であり、陰極電流密度は0.001〜30A
/dm2、好ましくは0.01〜10A/dm2である。
The content concentration of each of the above additives in the neutral tin plating bath of the present invention can be arbitrarily adjusted and selected in accordance with barrel plating, rack plating, high speed continuous plating, rackless plating and the like. The conditions for electroplating using the neutral tin bath of the present invention include a bath temperature of 0 ° C. or higher, preferably 10 to
It is about 50 ° C and the cathode current density is 0.001 to 30A.
/ Dm 2 , preferably 0.01 to 10 A / dm 2 .

【0026】本発明3は、上記本発明1又は2の中性ス
ズメッキ浴に被メッキ物を浸漬して、被メッキ物に電気
メッキを施すスズメッキ方法である。また、本発明4
は、上記本発明1又は2の中性メッキ浴を用いて、スズ
の電着皮膜を形成した物品であり、具体的には、プリン
ト回路板、半導体集積回路(TABのフィルムキャリ
ア、BGA基板などを含む)、抵抗、可変抵抗、コンデ
ンサ、フィルタ、インダクタ、サーミスタ、水晶振動
子、スイッチ、コネクタ、リード線、フープ材等の電子
部品などであって、上記本発明3の被メッキ物にはこれ
らの電子部品が好適なのである。
The present invention 3 is a tin plating method in which the object to be plated is immersed in the neutral tin plating bath of the present invention 1 or 2 to electroplate the object to be plated. The present invention 4
Is an article on which an electrodeposition film of tin is formed by using the neutral plating bath of the present invention 1 or 2, specifically, a printed circuit board, a semiconductor integrated circuit (TAB film carrier, BGA substrate, etc.). , Resistors, variable resistors, capacitors, filters, inductors, thermistors, crystal oscillators, switches, connectors, lead wires, hoop materials, etc. The electronic components of are suitable.

【0027】[0027]

【発明の効果】本発明は、特定の4級アンモニウム塩を
錯化剤と共に含有する中性スズメッキ浴なので、浴から
得られる電着皮膜の外観とハンダ濡れ性を共に良好に改
善でき、中でも、アルキルピリジニウム塩、ピリジニウ
ムスルホベタイン、アリール又はアラルキルアンモニウ
ム塩、アルキルイソキノリニウム塩などの4級アンモニ
ウム塩は、より顕著な有効性を示す。ちなみに、前記従
来技術1又は3で開示された脂肪族アルキル型の4級ア
ンモニウム塩、トリアルキルカルボキシベタイン、或は
ポリオキシエチレンアルキルアミンは化学構造的に本発
明の4級アンモニウム塩に比較的類似しているが、後述
の試験例からも判るように、本発明の特定の4級アンモ
ニウム塩は、これらの類似化合物を中性メッキ浴に含有
させた場合に対して、浴から得られるスズ皮膜の外観と
ハンダ濡れ性を改善できる点で、顕著な優位性を具備し
ている。
INDUSTRIAL APPLICABILITY Since the present invention is a neutral tin plating bath containing a specific quaternary ammonium salt together with a complexing agent, both the appearance and solder wettability of the electrodeposition coating obtained from the bath can be improved satisfactorily. Quaternary ammonium salts such as alkylpyridinium salts, pyridinium sulfobetaines, aryl or aralkylammonium salts, alkylisoquinolinium salts show more pronounced efficacy. Incidentally, the aliphatic alkyl type quaternary ammonium salt, trialkylcarboxybetaine, or polyoxyethylene alkylamine disclosed in the prior art 1 or 3 is relatively similar in chemical structure to the quaternary ammonium salt of the present invention. However, as can be seen from the test examples described below, the specific quaternary ammonium salt of the present invention is a tin film obtained from the bath when these similar compounds are contained in the neutral plating bath. It has a remarkable advantage in that the appearance and solder wettability can be improved.

【0028】[0028]

【実施例】以下、本発明の中性スズメッキ浴の実施例、
実施例の各中性メッキ浴から得られたスズの電着皮膜の
外観及びハンダ濡れ性の試験例を順次説明する。尚、本
発明は下記の実施例及び試験例に拘束されるものではな
く、本発明の技術的思想の範囲内で任意の変形をなし得
ることは勿論である。
EXAMPLES Examples of the neutral tin plating bath of the present invention will be described below.
Test examples of the appearance and solder wettability of the electrodeposition coating of tin obtained from each of the neutral plating baths of the examples will be sequentially described. The present invention is not limited to the following examples and test examples, and it goes without saying that any modifications can be made within the scope of the technical idea of the present invention.

【0029】下記の実施例1〜16のうち、実施例1と
6は4級アンモニウム塩(a)の使用例、実施例3と10
は4級アンモニウム塩(b)の使用例、実施例7と14は
4級アンモニウム塩(c)の使用例、実施例4と実施例9
は4級アンモニウム塩(d)の使用例、実施例11と15
と16は4級アンモニウム塩(e)の使用例、実施例5と
12は4級アンモニウム塩(f)の使用例、実施例2と1
3は4級アンモニウム塩(g)の使用例、実施例8と16
は4級アンモニウム塩(h)の使用例である。実施例16
は本発明の4級アンモニウム塩の併用例であり、その他
の実施例は単用例である。また、比較例1〜4のうち、
比較例1は本発明の4級アンモニウム塩を含有しないブ
ランク例、比較例2は本発明の4級アンモニウム塩に代
えて従来技術3の化学式Aに記載の脂肪族アルキル型の
4級アンモニウム塩を含有させた例、比較例3は同様に
従来技術1の化学式b又は従来技術3の化学式Bに記載
のトリアルキルカルボキシベタインを含有させた例、比
較例4は同様に従来技術1の化学式aに記載のポリオキ
シエチレンアルキルアミンを含有させた例である。
Of the following Examples 1 to 16, Examples 1 and 6 are examples of using the quaternary ammonium salt (a), and Examples 3 and 10
Are examples of use of the quaternary ammonium salt (b), Examples 7 and 14 are examples of use of the quaternary ammonium salt (c), Examples 4 and 9
Is a use example of quaternary ammonium salt (d), Examples 11 and 15
And 16 are examples of use of quaternary ammonium salt (e), Examples 5 and 12 are examples of use of quaternary ammonium salt (f), Examples 2 and 1
3 is a use example of a quaternary ammonium salt (g), Examples 8 and 16
Is an example of using the quaternary ammonium salt (h). Example 16
Are examples of combined use of the quaternary ammonium salt of the present invention, and the other examples are single-use examples. Moreover, among Comparative Examples 1 to 4,
Comparative Example 1 is a blank example containing no quaternary ammonium salt of the present invention, and Comparative Example 2 is an aliphatic alkyl type quaternary ammonium salt described in Chemical Formula A of Prior Art 3 in place of the quaternary ammonium salt of the present invention. Similarly, Comparative Example 3 includes the trialkylcarboxybetaine described in Chemical Formula b of Prior Art 1 or Chemical Formula B of Prior Art 3, and Comparative Example 4 similarly corresponds to Chemical Formula a of Prior Art 1. This is an example containing the described polyoxyethylene alkylamine.

【0030】《実施例1》下記の組成で中性スズメッキ
浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として) 20g/L メタンスルホン酸 40g/L グルコン酸ナトリウム 200g/L ラウリルピリジニウムクロライド 1g/L アンモニア水でpH5.5に調整
Example 1 A neutral tin plating bath was constructed with the following composition. Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 20 g / L Methanesulfonic acid 40 g / L Sodium gluconate 200 g / L Laurylpyridinium chloride 1 g / L pH adjusted to 5.5 with aqueous ammonia

【0031】《実施例2》下記の組成で中性スズメッキ
浴を建浴した。 硫酸第一スズ(Sn2+として) 15g/L 2−プロパノールスルホン酸 30g/L グルコン酸カリウム 120g/L コハク酸 10g/L ビスフェノールF−4,4′ −ポリエトキシレート(EO10モル) 1g/L ラウリルイソキノリニウムクロライド 1g/L 水酸化カリウムでpH4.0に調整
Example 2 A neutral tin plating bath was constructed with the following composition. Stannous sulfate (as Sn 2+ ) 15 g / L 2-propanol sulfonic acid 30 g / L potassium gluconate 120 g / L succinic acid 10 g / L bisphenol F-4,4′-polyethoxylate (EO 10 mol) 1 g / L Lauryl isoquinolinium chloride 1g / L Adjusted to pH 4.0 with potassium hydroxide

【0032】《実施例3》下記の組成で中性スズメッキ
浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として) 60g/L メタンスルホン酸 80g/L クエン酸ナトリウム 250g/L シュウ酸アンモニウム 10g/L 2−ノニル−1−メチル−1−ヒドロキシエチル −イミダゾリニウムクロライド 3g/L 水酸化カリウムでpH2.0に調整
Example 3 A neutral tin plating bath having the following composition was constructed. Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 60 g / L Methanesulfonic acid 80 g / L Sodium citrate 250 g / L Ammonium oxalate 10 g / L 2-nonyl-1-methyl-1-hydroxyethyl-imidazolinium chloride Adjust to pH 2.0 with 3g / L potassium hydroxide

【0033】《実施例4》下記の組成で中性スズメッキ
浴を建浴した。 硫酸第一スズ(Sn2+として) 45g/L 硫酸 80g/L グルコノラクトン 250g/L 酢酸アンモニウム 5g/L N,N−ジメチル−N−ステアリル−N −(3−スルホプロピル)−アンモニウムベタイン 6g/L 水酸化ナトリウムでpH5.4に調整
Example 4 A neutral tin plating bath was constructed with the following composition. Stannous sulfate (as Sn 2+ ) 45 g / L Sulfuric acid 80 g / L Gluconolactone 250 g / L Ammonium acetate 5 g / L N, N-dimethyl-N-stearyl-N- (3-sulfopropyl) -ammonium betaine 6 g / L Adjust to pH 5.4 with sodium hydroxide

【0034】《実施例5》下記の組成で中性スズメッキ
浴を建浴した。 硫酸第一スズ(Sn2+として) 25g/L 硫酸 50g/L グルコヘプトン酸ナトリウム 180g/L グリコール酸 20g/L 1−(3−スルホプロピル)−ピリジニウムベタイン 4g/L 水酸化ナトリウムでpH4.4に調整
Example 5 A neutral tin plating bath was constructed with the following composition. Stannous sulfate (as Sn 2+ ) 25 g / L Sulfuric acid 50 g / L Sodium glucoheptonate 180 g / L Glycolic acid 20 g / L 1- (3-Sulfopropyl) -pyridinium betaine 4 g / L Sodium hydroxide to pH 4.4 Adjustment

【0035】《実施例6》下記の組成で中性スズメッキ
浴を建浴した。 硫酸第一スズ(Sn2+として) 10g/L 2−プロパノールスルホン酸 40g/L グルコン酸ナトリウム 100g/L クエン酸ナトリウム 100g/L オクチルピリジニウムクロライド 0.1g/L 水酸化ナトリウムでpH6.5に調整
Example 6 A neutral tin plating bath having the following composition was constructed. Stannous sulfate (as Sn 2+ ) 10 g / L 2-propanolsulfonic acid 40 g / L Sodium gluconate 100 g / L Sodium citrate 100 g / L Octylpyridinium chloride 0.1 g / L Adjusted to pH 6.5 with sodium hydroxide

【0036】《実施例7》下記の組成で中性スズメッキ
浴を建浴した。 2−プロパノールスルホン酸第一スズ(Sn2+として) 15g/L メタンスルホン酸 40g/L グルコン酸ナトリウム 190g/L シュウ酸 10g/L N,N−ジメチルモルホリニウムクロライド 10g/L ナフトールポリエトキシレート(EO20モル) 1g/L アンモニア水でpH4.0に調整
Example 7 A neutral tin plating bath was constructed with the following composition. Stannous 2-propanol sulfonate (as Sn 2+ ) 15 g / L Methanesulfonic acid 40 g / L Sodium gluconate 190 g / L Oxalic acid 10 g / L N, N-Dimethylmorpholinium chloride 10 g / L Naphthol polyethoxylate (EO20 mol) 1g / L Adjusted to pH 4.0 with ammonia water.

【0037】《実施例8》下記の組成で中性スズメッキ
浴を建浴した。 イセチオン酸第一スズ(Sn2+として) 25g/L イセチオン酸 70g/L グルコン酸カリウム 180g/L 酢酸カリウム 10g/L 1−ヒドロキシー8−ナフタレンスルホン酸カリウム 0.4g/L オレイルメチルジ(ポリエトキシレート) −アンモニウムクロライド(EO合計2モル) 0.01g/L 水酸化カリウムでpH7.5に調整
Example 8 A neutral tin plating bath having the following composition was constructed. Stannous isethionate (as Sn 2+ ) 25 g / L Isethionic acid 70 g / L Potassium gluconate 180 g / L Potassium acetate 10 g / L 1-Hydroxy-8-naphthalene sulfonate potassium 0.4 g / L Oleylmethyldi (polyethoxy) Rate) -Ammonium chloride (2 mol EO in total) 0.01 g / L Adjusted to pH 7.5 with potassium hydroxide

【0038】《実施例9》下記の組成で中性スズメッキ
浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として) 35g/L メタンスルホン酸 80g/L グルコン酸アンモニウム 250g/L N,N−ジメチル−N−ミリスチル−N −(3−スルホプロピル)−アンモニウムベタイン 8g/L アンモニア水でpH4.8に調整
Example 9 A neutral tin plating bath having the following composition was constructed. Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 35 g / L Methanesulfonic acid 80 g / L Ammonium gluconate 250 g / L N, N-dimethyl-N-myristyl-N- (3-sulfopropyl) -ammonium betaine 8 g / Adjusted to pH 4.8 with L ammonia water

【0039】《実施例10》下記の組成で中性スズメッ
キ浴を建浴した。 硫酸第一スズ(Sn2+として) 15g/L 硫酸 60g/L グルコン酸ナトリウム 180g/L 2−ペンチル−1−ブチル−1−ヒドロキシエチル −イミダゾリニウムクロライド 1.5g/L 水酸化ナトリウムでpH5.0に調整
Example 10 A neutral tin plating bath having the following composition was constructed. Stannous sulfate (as Sn 2+ ) 15 g / L Sulfuric acid 60 g / L Sodium gluconate 180 g / L 2-pentyl-1-butyl-1-hydroxyethyl-imidazolinium chloride 1.5 g / L pH 5 with sodium hydroxide Adjust to 0.0

【0040】《実施例11》下記の組成で中性スズメッ
キ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として) 15g/L メタンスルホン酸 40g/L グルコン酸ナトリウム 200g/L ベンジルジメチルラウリルアンモニウムクロライド 1.0g/L アンモニア水でpH4.5に調整
Example 11 A neutral tin plating bath having the following composition was constructed. Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 15 g / L Methanesulfonic acid 40 g / L Sodium gluconate 200 g / L Benzyldimethyllauryl ammonium chloride 1.0 g / L Adjusted to pH 4.5 with ammonia water.

【0041】《実施例12》下記の組成で中性スズメッ
キ浴を建浴した。 2−プロパノールスルホン酸第一スズ(Sn2+として) 25g/L メタンスルホン酸 60g/L クエン酸アンモニウム 220g/L ギ酸アンモニウム 6g/L 4−ベンジル−1−(3−スルホプロピル) −ピリジニウムベタイン 0.03g/L ポリオキシプロピレングリコール −モノブチルエーテル(PO25モル) 0.01g/L アンモニア水でpH8.0に調整
Example 12 A neutral tin plating bath having the following composition was constructed. Stannous 2-propanol sulfonate (as Sn 2+ ) 25 g / L Methanesulfonic acid 60 g / L Ammonium citrate 220 g / L Ammonium formate 6 g / L 4-Benzyl-1- (3-sulfopropyl) -pyridinium betaine 0 0.03 g / L polyoxypropylene glycol-monobutyl ether (25 mol PO) 0.01 g / L pH adjusted to 8.0 with aqueous ammonia.

【0042】《実施例13》下記の組成で中性スズメッ
キ浴を建浴した。 2−プロパノールスルホン酸第一スズ(Sn2+として) 25g/L 2−プロパノールスルホン酸 60g/L グルコン酸アンモニウム 220g/L マロン酸 10g/L 酢酸ナトリウム 20g/L メチルイソキノリニウムクロライド 0.01g/L アンモニア水でpH7.5に調整
Example 13 A neutral tin plating bath having the following composition was constructed. Stannous 2-propanol sulfonate (as Sn 2+ ) 25 g / L 2-Propanol sulfonic acid 60 g / L Ammonium gluconate 220 g / L Malonic acid 10 g / L Sodium acetate 20 g / L Methylisoquinolinium chloride 0.01 g / L Adjust to pH 7.5 with ammonia water

【0043】《実施例14》下記の組成で中性スズメッ
キ浴を建浴した。 硫酸第一スズ(Sn2+として) 25g/L メタンスルホン酸 40g/L クエン酸 250g/L 酒石酸ナトリウムカリウム 60g/L N,N−ジエチルモルホリニウムアセテート 5g/L 水酸化カリウムでpH9.0に調整
Example 14 A neutral tin plating bath having the following composition was constructed. Stannous sulfate (as Sn 2+ ) 25 g / L Methanesulfonic acid 40 g / L Citric acid 250 g / L Sodium potassium tartrate 60 g / L N, N-diethylmorpholinium acetate 5 g / L Potassium hydroxide to pH 9.0 Adjustment

【0044】《実施例15》下記の組成で中性スズメッ
キ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として) 15g/L メタンスルホン酸 40g/L グルコン酸ナトリウム 200g/L ベンジルセチルジメチルアンモニウム −メチルスルホネート 0.5g/L 水酸化カリウムでpH4.5に調整
Example 15 A neutral tin plating bath having the following composition was constructed. Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ) 15 g / L Methanesulfonic acid 40 g / L Sodium gluconate 200 g / L Benzylcetyldimethylammonium-methylsulfonate 0.5 g / L Adjusted to pH 4.5 with potassium hydroxide

【0045】《実施例16》下記の組成で中性スズメッ
キ浴を建浴した。 硫酸第一スズ(Sn2+として) 1g/L 2−プロパノール酸 30g/L グルコン酸アンモニウム 120g/L コハク酸 10g/L ラウリルメチルジ(ポリエトキシレート) −アンモニウムクロライド(EO合計15モル) 1g/L フェニルトリメチルアンモニウムクロライド 1g/L アンモニア水でpH4.0に調整
Example 16 A neutral tin plating bath having the following composition was constructed. Stannous sulphate (as Sn 2+ ) 1 g / L 2-propanolic acid 30 g / L ammonium gluconate 120 g / L succinic acid 10 g / L laurylmethyldi (polyethoxylate) -ammonium chloride (total EO 15 mol) 1 g / L Phenyltrimethylammonium chloride 1g / L Adjusted to pH 4.0 with ammonia water

【0046】《比較例1》下記の組成で中性スズメッキ
浴を建浴した。 硫酸第一スズ(Sn2+として) 15g/L 硫酸 60g/L グルコン酸 160g/L アンモニア水でpH5.0に調整
Comparative Example 1 A neutral tin plating bath having the following composition was constructed. Stannous sulfate (as Sn 2+ ) 15 g / L Sulfuric acid 60 g / L Gluconic acid 160 g / L Ammonia water adjusted to pH 5.0

【0047】《比較例2》下記の組成で中性スズメッキ
浴を建浴した。 硫酸第一スズ(Sn2+として) 15g/L 硫酸 60g/L グルコン酸 120g/L ステアリルトリメチルアンモニウムブロマイド 1g/L アンモニア水でpH5.0に調整
Comparative Example 2 A neutral tin plating bath having the following composition was constructed. Stannous sulfate (as Sn 2+ ) 15 g / L Sulfuric acid 60 g / L Gluconic acid 120 g / L Stearyltrimethylammonium bromide 1 g / L Ammonia water adjusted to pH 5.0

【0048】《比較例3》下記の組成で中性スズメッキ
浴を建浴した。 硫酸第一スズ(Sn2+として) 15g/L 硫酸 40g/L クエン酸3カリウム 220g/L ラウリルジメチルベタイン 1g/L 水酸化カリウムでpH6.0に調整
Comparative Example 3 A neutral tin plating bath having the following composition was constructed. Stannous sulfate (as Sn 2+ ) 15 g / L Sulfuric acid 40 g / L Tripotassium citrate 220 g / L Lauryl dimethyl betaine 1 g / L Adjusted to pH 6.0 with potassium hydroxide

【0049】《比較例4》下記の組成で中性スズメッキ
浴を建浴した。 硫酸第一スズ(Sn2+として) 15g/L 硫酸 40g/L クエン酸3カリウム 220g/L ジポリオキシドデシルアミン(EO合計5モル) 1g/L 水酸化カリウムでpH6に調整
Comparative Example 4 A neutral tin plating bath having the following composition was constructed. Stannous sulfate (as Sn 2+ ) 15 g / L Sulfuric acid 40 g / L 3 potassium citrate 220 g / L Dipolyoxide decylamine (EO total 5 mol) 1 g / L Adjust pH to 6 with potassium hydroxide

【0050】《スズメッキ皮膜の外観評価試験例》そこ
で、25mm×25mmの銅板を試験板として、上記実施例
1〜16及び比較例1〜4の各中性スズメッキ浴にこの
試験板を浸漬し、下記の条件により電気メッキを行っ
て、得られたスズ皮膜の外観を主に色調に基づいて目視
評価した。電気メッキ条件は次の通りである。 (1)浴温25℃ (2)陰極電流密度とメッキ時間 0.1A/dm2で120分 0.5A/dm2で60分 1.0A/dm2で12分 また、上記皮膜外観の評価基準は次の通りである。 ◎:色調は均質な銀白色を呈した。 ○:色調は均質な白色を呈した。 △:色調は灰色であった。 ×:全体が黒色を帯びていたか、或は灰色の色調に黒ム
ラが散在していた。 図1〜図2の各右から2欄目はその試験結果を示す。
<< Appearance evaluation test example of tin plating film >> Then, this test plate was immersed in each neutral tin plating bath of the above Examples 1 to 16 and Comparative Examples 1 to 4 using a 25 mm × 25 mm copper plate as a test plate, Electroplating was performed under the following conditions, and the appearance of the obtained tin film was visually evaluated mainly based on the color tone. The electroplating conditions are as follows. (1) Bath temperature 25 ° C. (2) cathode current density and 12 minutes plating time 0.1 A / dm 2 at 120 minutes 0.5A / dm 2 at 60 minutes 1.0A / dm 2 The evaluation of the coating appearance The criteria are as follows. ⊚: The color tone was uniform silver white. ◯: The color tone was uniform white. Δ: The color tone was gray. X: The whole was blackish, or black unevenness was scattered in the gray tone. The second column from the right in each of FIGS. 1 and 2 shows the test results.

【0051】《スズメッキ皮膜のハンダ濡れ性試験例》
前記実施例1〜16及び比較例1〜4の各中性スズメッ
キ浴を用いてスズメッキ皮膜を形成した試験板を、23
5℃のスズ−鉛共晶ハンダバスに深さ10mm、3秒の
条件で浸漬し、メッキ皮膜上の濡れ面積を目視観察し
た。ハンダ濡れ性の評価基準は次の通りである。 ◎:95%以上の濡れを示した。 ○:90〜95%の濡れを示した。 △:60〜90%の濡れを示した。 ×:濡れは60%未満であった。 図1〜図2の各最右欄はその試験結果を示す。
<< Example of solder wettability test of tin plating film >>
The test plate on which a tin plating film was formed using each of the neutral tin plating baths of Examples 1 to 16 and Comparative Examples 1 to 4
It was immersed in a tin-lead eutectic solder bath at 5 ° C. under the conditions of a depth of 10 mm and 3 seconds, and the wet area on the plating film was visually observed. The solder wettability evaluation criteria are as follows. A: Wetting of 95% or more was shown. ◯: Wetting of 90 to 95% was shown. Δ: Wetting of 60 to 90% was exhibited. X: Wetting was less than 60%. The rightmost columns in FIGS. 1 and 2 show the test results.

【0052】《皮膜外観とハンダ濡れ性の総合評価》図
1〜図2に示すように、本発明の4級アンモニウム塩を
含まない比較例1では、皮膜外観及びハンダ濡れ性の評
価は×であるのに対して、実施例1〜16から得られた
各スズ皮膜では、3つのメッキ条件を問わず、皮膜外観
及びハンダ濡れ性は共に○以上の評価に大きく改善して
いた。特に、実施例1〜2、実施例5〜8、実施例10
〜13及び実施例15では、電流密度の大小を問わず全
て◎の評価であったことから、本発明の4級アンモニウ
ム塩のうちでも、(a)、(e)、(f)或は(g)などの4級
塩は、中性スズ浴から得られる皮膜の外観とハンダ濡れ
性を向上する点で有効性がより高いことが判明した。一
方、冒述の従来技術1又は3の脂肪族アルキル型の4級
アンモニウム塩、トリアルキルカルボキシベタイン、或
はポリオキシエチレンアルキルアミンは化学構造的に本
発明の4級アンモニウム塩に比較的類似しているが、こ
れらの類似の化合物を含有させた比較例2〜4では、皮
膜外観とハンダ濡れ性の評価は△以下であることから、
中性メッキ浴から得られたスズ皮膜の外観とハンダ濡れ
性を改善する点で、本発明の特定の4級アンモニウム塩
の顕著な優位性が明らかになった。
<< Comprehensive Evaluation of Film Appearance and Solder Wettability >> As shown in FIGS. 1 and 2, in Comparative Example 1 containing no quaternary ammonium salt of the present invention, the film appearance and solder wettability were evaluated as x. On the other hand, in each of the tin coatings obtained from Examples 1 to 16, both the coating appearance and the solder wettability were greatly improved to ◯ or higher regardless of the three plating conditions. In particular, Examples 1-2, Examples 5-8, and Example 10
In all of Examples 13 to 13 and Example 15, regardless of the magnitude of the current density, the evaluation was ⊚. Therefore, among the quaternary ammonium salts of the present invention, (a), (e), (f) or ( It has been found that quaternary salts such as g) are more effective in improving the appearance and solder wettability of the film obtained from the neutral tin bath. On the other hand, the aliphatic alkyl type quaternary ammonium salt, trialkylcarboxybetaine, or polyoxyethylene alkylamine of the above-mentioned prior art 1 or 3 is relatively similar in chemical structure to the quaternary ammonium salt of the present invention. However, in Comparative Examples 2 to 4 containing these similar compounds, the film appearance and the solder wettability were evaluated to be Δ or less,
It was revealed that the specific quaternary ammonium salt of the present invention has a remarkable superiority in improving the appearance and solder wettability of the tin film obtained from the neutral plating bath.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】実施例1〜10の各中性スズメッキ浴を用いて
電気メッキを行った際の電流密度とメッキ時間、並びに
メッキ浴から得られたスズの皮膜外観とハンダ濡れ性の
試験結果を示す図表である。
FIG. 1 shows current density and plating time when electroplating was performed using each neutral tin plating bath of Examples 1 to 10, and a tin film appearance obtained from the plating bath and a test result of solder wettability. It is a chart shown.

【図2】実施例11〜16及び比較例1〜4の各中性ス
ズメッキ浴に関する数値と結果を示す図1相当の図表で
ある。
FIG. 2 is a diagram corresponding to FIG. 1 showing numerical values and results regarding each neutral tin plating bath of Examples 11 to 16 and Comparative Examples 1 to 4.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4K023 AA17 BA06 BA29 CA01 CB03 CB05 CB08 CB19 CB28 CB29 CB33 DA02 4K024 AA07 AB01 BB09 BB11 BB12 CA02 GA02 GA14    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F-term (reference) 4K023 AA17 BA06 BA29 CA01 CB03                       CB05 CB08 CB19 CB28 CB29                       CB33 DA02                 4K024 AA07 AB01 BB09 BB11 BB12                       CA02 GA02 GA14

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)可溶性第一スズ塩、 (B)オキシカルボン酸、ポリカルボン酸、モノカルボン
酸、或はこれらの塩から選ばれた錯化剤の少なくとも一
種、 (C)下記の(a)〜(h)の化合物よりなる群から選ばれた
4級アンモニウム塩の少なくとも一種を含有し、 (a)一般式(a)で表されるアルキルピリジニウム塩 【化1】 (上式(a)中、R1はC1〜C24アルキルであり、R2はC
1〜C24アルキル、アリール、アラルキルである;Xは
1〜C5アルキルスルホネート、ハロゲン、アセテー
ト、サルフェート、パークロレート、ハイドロジエンサ
ルフェート、ヒドロキサイド、芳香族スルホネート、ホ
スフェート、テトラフルオロボレートである。) (b)一般式(b)で表される1,2−ジアルキル−1−ヒ
ドロキシエチルイミダゾリニウム塩 【化2】 (上式(b)中、R1はC1〜C24アルキル、アリール、ア
ラルキルであり、R2はC1〜C24アルキルである;Xは
1〜C5アルキルスルホネート、ハロゲン、アセテー
ト、サルフェート、パークロレート、ハイドロジエンサ
ルフェート、ヒドロキサイド、芳香族スルホネート、ホ
スフェート、テトラフルオロボレートである。) (c)一般式(c)で表されるN,N−ジアルキルモルホリ
ニウム塩 【化3】 (上式(c)中、R1、R2はC1〜C24アルキルである;X
はC1〜C5アルキルスルホネート、ハロゲン、アセテー
ト、サルフェート、パークロレート、ハイドロジエンサ
ルフェート、ヒドロキサイド、芳香族スルホネート、ホ
スフェート、テトラフルオロボレートである。) (d)一般式(d)で表されるN,N,N−トリアルキル−N
−スルホアルキレンアンモニウムベタイン 【化4】 (上式(d)中、R1、R2、R3はC1〜C24アルキルであ
る;nは1〜6の整数である;XはC1〜C5アルキルス
ルホネート、ハロゲン、アセテート、サルフェート、パ
ークロレート、ハイドロジエンサルフェート、ヒドロキ
サイド、芳香族スルホネート、ホスフェート、テトラフ
ルオロボレートである。) (e)一般式(e)で表されるアリールアルキルアンモニウ
ム塩又はアラルキルアンモニウム塩 【化5】 (上式(e)中、R1〜R4のうちの少なくとも一つが置換
或は無置換のアリール又はアラルキルであり、R1〜R4
の少なくとも一つがC1〜C24アルキルである;XはC1
〜C5アルキルスルホネート、ハロゲン、アセテート、
サルフェート、パークロレート、ハイドロジエンサルフ
ェート、ヒドロキサイド、芳香族スルホネート、ホスフ
ェート、テトラフルオロボレートである。) (f)一般式(f)で表されるピリジニウムスルホベタイン 【化6】 (上式(f)中、R1はC1〜C24アルキル、アリール、ア
ラルキルである;nは1〜6の整数である;XはC1
5アルキルスルホネート、ハロゲン、アセテート、サ
ルフェート、パークロレート、ハイドロジエンサルフェ
ート、ヒドロキサイド、芳香族スルホネート、ホスフェ
ート、テトラフルオロボレートである。) (g)一般式(g)で表されるアルキルイソキノリニウム塩 【化7】 (上式(g)中、R1はC1〜C24アルキルである;XはC1
〜C5アルキルスルホネート、ハロゲン、アセテート、
サルフェート、パークロレート、ハイドロジエンサルフ
ェート、ヒドロキサイド、芳香族スルホネート、ホスフ
ェート、テトラフルオロボレートである。) (h)一般式(h)で表されるポリオキシエチレンアルキル
アンモニウム塩 【化8】 (上式(h)中、R1、R2はC1〜C24アルキルである;A
Oはオキシエチレン、オキシプロピレンであり、オキシ
エチレンとオキシプロピレンの一方のみで連鎖を構成し
ても良いし、両者が混在しても良く、2個のAO連鎖は
互いに同じでも異なっても良い;m、nは各々1〜18
の整数である;XはC1〜C5アルキルスルホネート、ハ
ロゲン、アセテート、サルフェート、パークロレート、
ハイドロジエンサルフェート、ヒドロキサイド、芳香族
スルホネート、ホスフェート、テトラフルオロボレート
である。) ペーハーが2〜9であることを特徴とするスズメッキ
浴。
1. (A) a soluble stannous salt, (B) an oxycarboxylic acid, a polycarboxylic acid, a monocarboxylic acid, or at least one complexing agent selected from these salts, and (C) the following: (a) to (h) containing at least one quaternary ammonium salt selected from the group consisting of compounds, (a) an alkylpyridinium salt represented by the general formula (a): (In the above formula (a), R 1 is C 1 -C 24 alkyl and R 2 is C
1 -C 24 alkyl, aryl, and aralkyl; X is C 1 -C 5 alkyl sulfonate, halogen, acetate, sulphate, perchlorate, hydro diene sulfate, hydroxide, aromatic sulfonate, phosphate, tetrafluoroborate. ) (b) 1,2-dialkyl-1-hydroxyethylimidazolinium salt represented by the general formula (b): (In the above formula (b), R 1 is C 1 -C 24 alkyl, aryl, aralkyl, R 2 is C 1 -C 24 alkyl; X is C 1 -C 5 alkyl sulfonate, halogen, acetate, Sulfate, perchlorate, hydrogensulfate, hydroxide, aromatic sulfonate, phosphate, tetrafluoroborate.) (C) N, N-dialkylmorpholinium salt represented by the general formula (c): (In the formula (c), R 1 and R 2 are C 1 -C 24 alkyl; X
Are C 1 -C 5 alkyl sulfonates, halogens, acetates, sulphates, perchlorates, hydrogen sulphates, hydroxides, aromatic sulphonates, phosphates, tetrafluoroborate. ) (d) N, N, N-trialkyl-N represented by general formula (d)
-Sulfoalkylene ammonium betaine (In the formula (d), R 1 , R 2 and R 3 are C 1 to C 24 alkyl; n is an integer of 1 to 6; X is a C 1 to C 5 alkyl sulfonate, halogen, acetate, Sulfate, perchlorate, hydrogen sulfate, hydroxide, aromatic sulfonate, phosphate, tetrafluoroborate.) (E) Arylalkylammonium salt or aralkylammonium salt represented by the general formula (e). (In the above formula (e), at least one of R 1 to R 4 is a substituted or unsubstituted aryl or aralkyl, and R 1 to R 4
At least one of C 1 -C 24 alkyl; X is C 1
~ C 5 alkyl sulfonate, halogen, acetate,
These are sulphates, perchlorates, hydrogen sulphates, hydroxides, aromatic sulphonates, phosphates and tetrafluoroborate. ) (f) Pyridinium sulfobetaine represented by the general formula (f): (In the above formula (f), R 1 is C 1 to C 24 alkyl, aryl, aralkyl; n is an integer of 1 to 6; X is C 1 to
These are C 5 alkyl sulfonates, halogens, acetates, sulphates, perchlorates, hydrogen sulphates, hydroxides, aromatic sulphonates, phosphates, tetrafluoroborate. ) (g) Alkylisoquinolinium salt represented by the general formula (g): (In the above formula (g), R 1 is C 1 -C 24 alkyl; X is C 1
~ C 5 alkyl sulfonate, halogen, acetate,
These are sulphates, perchlorates, hydrogen sulphates, hydroxides, aromatic sulphonates, phosphates and tetrafluoroborate. ) (h) Polyoxyethylene alkyl ammonium salt represented by the general formula (h): (In the above formula (h), R 1 and R 2 are C 1 -C 24 alkyl; A
O is oxyethylene or oxypropylene, and the chain may be constituted by only one of oxyethylene and oxypropylene, or both may be mixed and the two AO chains may be the same or different from each other; m and n are 1 to 18 respectively
X is a C 1 -C 5 alkyl sulfonate, halogen, acetate, sulfate, perchlorate,
They are hydrogen sulphate, hydroxide, aromatic sulphonate, phosphate and tetrafluoroborate. ) A tin plating bath having a pH of 2-9.
【請求項2】 オキシカルボン酸、ポリカルボン酸又は
モノカルボン酸が、グルコン酸、クエン酸、グルコヘプ
トン酸、グルコノラクトン、グルコヘプトラクトン、ギ
酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、アスコルビン酸、シュ
ウ酸、マロン酸、コハク酸、グリコール酸、リンゴ酸、
酒石酸、ジグリコール酸であることを特徴とする請求項
1に記載のスズメッキ浴。
2. An oxycarboxylic acid, a polycarboxylic acid or a monocarboxylic acid is gluconic acid, citric acid, glucoheptonic acid, gluconolactone, glucoheptolactone, formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, ascorbic acid, oxalic acid. , Malonic acid, succinic acid, glycolic acid, malic acid,
The tin plating bath according to claim 1, wherein the tin plating bath is tartaric acid or diglycolic acid.
【請求項3】 4級アンモニウム塩(C)が、C1〜C5
ルキルスルホネート塩であることを特徴とする請求項1
又は2に記載のスズメッキ浴。
3. The quaternary ammonium salt (C) is a C 1 -C 5 alkyl sulfonate salt.
Or the tin plating bath according to 2.
【請求項4】 請求項1〜3のいずれか1項に記載のス
ズメッキ浴に被メッキ物を浸漬して、被メッキ物に電気
メッキを施すことを特徴とするスズメッキ方法。
4. A tin plating method, wherein the object to be plated is immersed in the tin plating bath according to any one of claims 1 to 3 to electroplate the object to be plated.
【請求項5】 請求項1〜3のいずれか1項に記載のメ
ッキ浴を用いてスズの電着皮膜を形成した、プリント基
板、半導体集積回路、抵抗、可変抵抗、コンデンサ、フ
ィルタ、インダクタ、サーミスタ、水晶振動子、スイッ
チ、リード線などの電子部品。
5. A printed circuit board, a semiconductor integrated circuit, a resistor, a variable resistor, a capacitor, a filter, an inductor, on which an electrodeposition film of tin is formed by using the plating bath according to claim 1. Electronic components such as thermistors, crystal units, switches, and lead wires.
JP2001213691A 2001-07-13 2001-07-13 Tin plating bath, tin plating method, and electronic component tin-plated using the plating bath Expired - Fee Related JP4880138B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001213691A JP4880138B2 (en) 2001-07-13 2001-07-13 Tin plating bath, tin plating method, and electronic component tin-plated using the plating bath

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001213691A JP4880138B2 (en) 2001-07-13 2001-07-13 Tin plating bath, tin plating method, and electronic component tin-plated using the plating bath

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003027277A true JP2003027277A (en) 2003-01-29
JP4880138B2 JP4880138B2 (en) 2012-02-22

Family

ID=19048627

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001213691A Expired - Fee Related JP4880138B2 (en) 2001-07-13 2001-07-13 Tin plating bath, tin plating method, and electronic component tin-plated using the plating bath

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4880138B2 (en)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007051358A (en) * 2005-08-19 2007-03-01 Rohm & Haas Electronic Materials Llc Tin electroplating liquid, and tin electroplating method
WO2007088600A1 (en) * 2006-02-01 2007-08-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Process for producing ceramic electronic part, and plating bath
US7357853B2 (en) 2003-08-08 2008-04-15 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Electroplating composite substrates
JP2010121194A (en) * 2008-11-21 2010-06-03 Okuno Chem Ind Co Ltd Additive for forming porous plating film and method of forming porous plating film
CN104593835A (en) * 2015-02-04 2015-05-06 广东羚光新材料股份有限公司 Neutral tin plating solution used in electroplating terminal electrodes of chip component
JP2015525294A (en) * 2013-05-08 2015-09-03 アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングAtotech Deutschland GmbH Nickel or nickel alloy direct current electroplating bath for depositing semi-bright nickel or nickel alloy, method for electroplating, and use of the bath and compound therefor
WO2016035645A1 (en) * 2014-09-04 2016-03-10 日本高純度化学株式会社 Palladium plating solution and palladium coating obtained using same
WO2016152986A1 (en) * 2015-03-26 2016-09-29 三菱マテリアル株式会社 Plating solution using ammonium salt
JP6100924B2 (en) * 2014-01-06 2017-03-22 富士フイルム株式会社 Composition for forming conductive film, conductive film, organic thin film transistor, electronic paper, display device, wiring board
US9666547B2 (en) 2002-10-08 2017-05-30 Honeywell International Inc. Method of refining solder materials
CN107406999A (en) * 2015-03-26 2017-11-28 三菱综合材料株式会社 The electroplate liquid of ammonium salt is used
US10011913B2 (en) 2010-12-23 2018-07-03 Coventya S.P.A. Substrate with a corrosion resistant coating and method of production thereof

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09302498A (en) * 1996-05-15 1997-11-25 Daiwa Kasei Kenkyusho:Kk Tin-silver alloy electroplating bath
JPH10168592A (en) * 1996-12-09 1998-06-23 Daiwa Kasei Kenkyusho:Kk Tin-zinc alloy plating bath
JP2000265294A (en) * 1999-03-15 2000-09-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Tin and tin alloy plating bath, plating film and lead frame for semiconductor device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09302498A (en) * 1996-05-15 1997-11-25 Daiwa Kasei Kenkyusho:Kk Tin-silver alloy electroplating bath
JPH10168592A (en) * 1996-12-09 1998-06-23 Daiwa Kasei Kenkyusho:Kk Tin-zinc alloy plating bath
JP2000265294A (en) * 1999-03-15 2000-09-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Tin and tin alloy plating bath, plating film and lead frame for semiconductor device

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9666547B2 (en) 2002-10-08 2017-05-30 Honeywell International Inc. Method of refining solder materials
US7357853B2 (en) 2003-08-08 2008-04-15 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Electroplating composite substrates
JP2007051358A (en) * 2005-08-19 2007-03-01 Rohm & Haas Electronic Materials Llc Tin electroplating liquid, and tin electroplating method
WO2007088600A1 (en) * 2006-02-01 2007-08-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Process for producing ceramic electronic part, and plating bath
JPWO2007088600A1 (en) * 2006-02-01 2009-06-25 株式会社村田製作所 Method for producing ceramic electronic component and plating bath
US7765661B2 (en) 2006-02-01 2010-08-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for manufacturing ceramic electronic component and planting bath
JP4539719B2 (en) * 2006-02-01 2010-09-08 株式会社村田製作所 Manufacturing method of ceramic electronic component and Sn plating bath
JP2010121194A (en) * 2008-11-21 2010-06-03 Okuno Chem Ind Co Ltd Additive for forming porous plating film and method of forming porous plating film
US10011913B2 (en) 2010-12-23 2018-07-03 Coventya S.P.A. Substrate with a corrosion resistant coating and method of production thereof
US9752244B2 (en) 2013-05-08 2017-09-05 Atotech Deutschland Gmbh Galvanic nickel electroplating bath for depositing a semi-bright nickel
JP2015525294A (en) * 2013-05-08 2015-09-03 アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングAtotech Deutschland GmbH Nickel or nickel alloy direct current electroplating bath for depositing semi-bright nickel or nickel alloy, method for electroplating, and use of the bath and compound therefor
US9790607B1 (en) 2013-05-08 2017-10-17 Atotech Deutschland Gmbh 3-(carbamoyl) pyridinium-1-YL-propane-1-sulfonates useful in electroplating baths
JP6100924B2 (en) * 2014-01-06 2017-03-22 富士フイルム株式会社 Composition for forming conductive film, conductive film, organic thin film transistor, electronic paper, display device, wiring board
JPWO2015102075A1 (en) * 2014-01-06 2017-03-23 富士フイルム株式会社 Composition for forming conductive film, conductive film, organic thin film transistor, electronic paper, display device, wiring board
CN106661735A (en) * 2014-09-04 2017-05-10 日本高纯度化学株式会社 Palladium plating solution and palladium coating obtained using same
WO2016035645A1 (en) * 2014-09-04 2016-03-10 日本高純度化学株式会社 Palladium plating solution and palladium coating obtained using same
CN104593835A (en) * 2015-02-04 2015-05-06 广东羚光新材料股份有限公司 Neutral tin plating solution used in electroplating terminal electrodes of chip component
WO2016152986A1 (en) * 2015-03-26 2016-09-29 三菱マテリアル株式会社 Plating solution using ammonium salt
CN107406999A (en) * 2015-03-26 2017-11-28 三菱综合材料株式会社 The electroplate liquid of ammonium salt is used
CN107406999B (en) * 2015-03-26 2019-08-27 三菱综合材料株式会社 The electroplate liquid of ammonium salt is used
US10450665B2 (en) 2015-03-26 2019-10-22 Mitsubishi Materials Corporation Plating solution using ammonium salt

Also Published As

Publication number Publication date
JP4880138B2 (en) 2012-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100636995B1 (en) Tin-copper alloy electroplating bath and plating process therewith
JP4162246B2 (en) Cyanide-free silver-based plating bath, plated body and plating method
EP1111097B1 (en) Bright tin-copper alloy electroplating solution
JP4719822B2 (en) Electrolytic gold plating solution and gold film obtained using the same
JP4392640B2 (en) Non-cyanide gold-tin alloy plating bath
JP4249292B2 (en) Tin and tin alloy plating bath
JP4756886B2 (en) Non-cyan tin-silver alloy plating bath
JP2001026898A (en) Tin-copper alloy electroplating bath and plating method using the same
JP5412612B2 (en) Tin and tin alloy plating baths, electronic parts with electrodeposited film formed by the bath
JP2003027277A (en) Tinning bath, tinning method and electronic parts subjected to tinning using plating bath used therefor
US6555170B2 (en) Pre-plate treating system
WO2010089882A1 (en) Silver-containing alloy plating bath and electrolytic plating method using the same
CN107406999B (en) The electroplate liquid of ammonium salt is used
JP2004277754A (en) Electroless tinning bath for preventing copper erosion, and method for preventing copper erosion
JP3858241B2 (en) Barrel plating method using neutral tin plating bath
JP4332667B2 (en) Tin and tin alloy plating bath
JP4531128B1 (en) Tin-containing alloy plating bath, electrolytic plating method using the same, and substrate on which the electrolytic plating is deposited
JP2000026994A (en) Electric-electronic circuit parts
JP2003293185A (en) Tin electroplating bath and plating method using the same
JP7121390B2 (en) Tin alloy electroplating bath and plating method using the same
JP2004359996A (en) Neutral bath for bright tin-zinc alloy plating
JP4154594B2 (en) Two-step plating method of electroless tin
JP2018123402A (en) Plating solution using ammonium salt
JP2004143495A (en) Electroless tinning bath for preventing copper erosion, and method for preventing copper erosion
JP4524773B2 (en) Split storage method of electroless tin plating bath

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080603

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20080603

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110414

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110517

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110713

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110823

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111016

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111122

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111201

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4880138

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141209

Year of fee payment: 3

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees