JP2003022982A - Heat treatment device - Google Patents

Heat treatment device

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JP2003022982A
JP2003022982A JP2001207867A JP2001207867A JP2003022982A JP 2003022982 A JP2003022982 A JP 2003022982A JP 2001207867 A JP2001207867 A JP 2001207867A JP 2001207867 A JP2001207867 A JP 2001207867A JP 2003022982 A JP2003022982 A JP 2003022982A
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JP
Japan
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heat treatment
treatment apparatus
quartz window
processed
lamp
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JP2001207867A
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Japanese (ja)
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Takashi Shigeoka
隆 重岡
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a heat treatment device, with which uniform radiation can be performed while having high efficiency in the radiation of a lamp without the deformation or the like of a quartz window. SOLUTION: In a heat treatment device 26, a quartz window 14 is provided while dividing a heating source chamber 20 arranged with a lamp heater 12 and a treatment chamber 22 to arrange an object 2 to be treated. The quartz window 14 is curved toward the side of the lamp heater 12 to be projected in the form of dome, and formed thin toward a central part 14b of the top. A reflector 28 is formed so that a peripheral edge can be drooped and a droop 28a can surround a peripheral edge 2a of the object 2 to be treated on the upper side.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ランプヒータを用
いて被処理体に対して熱処理を行う熱処理装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat treatment apparatus that heats an object by using a lamp heater.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路を製造するためには、半
導体ウエハ等のシリコン基板に対して、成膜処理、アニ
ール処理、酸化拡散処理、窒化処理等の各種の熱処理が
複数回にわたって繰り返される。
2. Description of the Related Art In order to manufacture a semiconductor integrated circuit, various heat treatments such as a film forming process, an annealing process, an oxidation diffusion process, and a nitriding process are repeated a plurality of times on a silicon substrate such as a semiconductor wafer.

【0003】これら半導体製造処理の歩留まりと品質を
向上させるため等の目的から、シリコン基板の温度を1
00〜200℃/s程度の温度勾配で急速に上昇させま
た下降させるRTP(Rapid Thermal Processing)が
採用されている。
For the purpose of improving the yield and quality of these semiconductor manufacturing processes, the temperature of the silicon substrate is set to 1
RTP (Rapid Thermal Processing) that rapidly increases and decreases with a temperature gradient of about 00 to 200 ° C./s is adopted.

【0004】例えば図11に示す枚葉式のRTP用熱処
理装置1の場合、1枚のシリコン基板やガラス基板等の
被処理体2を収容して配置する枚葉式チャンバ(処理
室)3と、枚葉式チャンバ3に配置された石英ウインド
ウ4と、石英ウインドウ4の外部上部あるいは外部上下
部に配置されたハロゲンランプ等の加熱用の複数のラン
プ5と、ランプ5の被処理体2とは反対側に配置された
リフレクタ(反射板)6とを有する。図12に示すよう
に、ランプ5は、円弧状の照射部を有し、複数個が円環
状に配置されて1つのランプ列を構成するとともに、そ
のランプ列が複数列同心円状に配設される。また、リフ
レクタ6は、複数のランプ5を個々に覆う複数のリフレ
クタ部を有する(図示せず。)。
For example, in the case of the single-wafer type RTP heat treatment apparatus 1 shown in FIG. 11, a single-wafer type chamber (processing chamber) 3 for accommodating and arranging one object 2 such as a silicon substrate or a glass substrate is provided. A quartz window 4 arranged in the single-wafer chamber 3, a plurality of lamps 5 for heating such as halogen lamps arranged above or below the quartz window 4, and an object 2 to be treated of the lamp 5. Has a reflector (reflecting plate) 6 arranged on the opposite side. As shown in FIG. 12, the lamp 5 has an arc-shaped irradiation portion, and a plurality of lamps are arranged in an annular shape to form one lamp row, and the lamp rows are arranged in a plurality of concentric circles. It Further, the reflector 6 has a plurality of reflector portions individually covering the plurality of lamps 5 (not shown).

【0005】石英ウインドウ4は、図示のようにランプ
5と被処理体2との間を区画して板状に形成され、ある
いは、被処理体を内部に収容可能な環状に形成される。
この石英ウインドウ4は、処理室3が減圧環境に維持さ
れる場合には、強度を確保するために30〜40mm程
度の厚みに形成される。
The quartz window 4 is formed in a plate shape by partitioning the lamp 5 and the object 2 to be processed as shown in the figure, or is formed in an annular shape capable of accommodating the object to be processed therein.
The quartz window 4 is formed to have a thickness of about 30 to 40 mm in order to secure the strength when the processing chamber 3 is maintained in a reduced pressure environment.

【0006】ランプ5からの熱線(赤外線)は、リフレ
クタ6によって一様に被処理体2に向かって放射され
る。
Heat rays (infrared rays) from the lamp 5 are uniformly radiated toward the object 2 to be processed by the reflector 6.

【0007】処理室3は、例えば、その側壁において被
処理体2を導出入するゲートバルブに接続され、また、
その側壁あるいは石英ウインドウ4において、熱処理に
使用される処理ガスを導入するガス供給ノズルと接続さ
れる(図示せず。)。
The processing chamber 3 is connected to, for example, a gate valve for introducing and receiving the object 2 to be processed at its side wall, and
The side wall or the quartz window 4 is connected to a gas supply nozzle for introducing a processing gas used for heat treatment (not shown).

【0008】上記のように構成した枚葉式のRTP用熱
処理装置1において、被処理体2は、ゲートバルブから
処理室3に導入されて、ホルダ7に支持される。熱処理
時には、ガス供給ノズルより、窒素ガス等の処理ガスが
導入される。一方、ランプ5から石英ウインドウ4を介
して照射される熱線は被処理体2に吸収され、被処理体
2の温度が上昇する。なお、ランプ5の出力は、図示し
ない温度センサの測定結果に基づいてフィードバック制
御される。
In the single-wafer type heat treatment apparatus 1 for RTP configured as described above, the object 2 is introduced from the gate valve into the processing chamber 3 and supported by the holder 7. During the heat treatment, a processing gas such as nitrogen gas is introduced from the gas supply nozzle. On the other hand, the heat rays emitted from the lamp 5 through the quartz window 4 are absorbed by the object 2 to be processed, and the temperature of the object 2 to be processed rises. The output of the lamp 5 is feedback-controlled based on the measurement result of a temperature sensor (not shown).

【0009】また、図示しないが、被処理体2を支持し
たホルダ7は、回転可能に構成されており、これによ
り、被処理体2が均一に処理される。なお、必要に応じ
て、ホルダ7は、昇降可能に構成される。
Although not shown, the holder 7 supporting the object to be processed 2 is configured to be rotatable, whereby the object to be processed 2 is uniformly processed. Note that the holder 7 is configured to be able to move up and down, if necessary.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、枚葉式
のRTP用熱処理装置では、石英ウインドウが上記のよ
うに厚みが30〜40mm程度と厚いため、種々の問題
がある。
However, the single-wafer type heat treatment apparatus for RTP has various problems because the quartz window is as thick as about 30 to 40 mm as described above.

【0011】第1に、ハロゲンサイクルを利用したラン
プを加熱源として使用する場合、その封体部は350〜
900℃に温度調整しなければならない。このため、ラ
ンプの周辺には温度調整用の冷却用流体を流通させる
が、このとき、石英ウインドウは、その上部が冷却用流
体によって処理室側よりも低い温度にまで冷却されるた
め処理室側に凸に湾曲することになる。
First, when a lamp utilizing a halogen cycle is used as a heating source, the encapsulating portion is 350 to
The temperature must be adjusted to 900 ° C. Therefore, a cooling fluid for temperature adjustment is circulated around the lamp, but at this time, the upper portion of the quartz window is cooled to a temperature lower than that of the processing chamber side by the cooling fluid, so that the processing chamber side is closed. It will be curved convexly.

【0012】第2に、石英ウインドウが熱線を一部吸収
するため、被処理体への熱線の照射効率が低下し、石英
ウインドウ厚みに応じて加熱効率が低下する。
Secondly, since the quartz window partially absorbs the heat ray, the irradiation efficiency of the heat ray to the object to be treated is lowered, and the heating efficiency is lowered depending on the thickness of the quartz window.

【0013】第3に、石英ウインドウを設けたことに伴
い、被処理体とランプとの距離が大きくなると、距離の
2乗に比例して熱線が拡散していくため、ランプの指向
性が悪化する。
Thirdly, when the distance between the object to be processed and the lamp is increased due to the provision of the quartz window, the distance
Since the heat rays spread in proportion to the square, the directivity of the lamp deteriorates.

【0014】ここで、指向性とは、熱線が拡散すること
なく所定の位置に照射される程度をいう。被処理体は複
数のランプによって各部位が均一に加熱されることが必
須であるが、この場合、複数のランプから熱線が拡散し
照射されても被処理体の加熱の均一化が達せられるわけ
ではない。その逆に、複数のランプが良好な指向性を有
することを前提とし、それぞれのランプの出力を所定の
条件に制御することを通じてはじめて、均一な照射が行
われ、被処理体の均一加熱が実現される。
Here, the directivity means the degree to which the heat ray is irradiated to a predetermined position without being diffused. It is essential that each part of the object to be processed is uniformly heated by a plurality of lamps, but in this case, even if the heat rays are diffused and irradiated from the plurality of lamps, uniform heating of the object to be processed can be achieved. is not. On the contrary, assuming that multiple lamps have good directivity, uniform irradiation is performed and uniform heating of the object to be processed is achieved only by controlling the output of each lamp to a predetermined condition. To be done.

【0015】したがって、従来の枚葉式のRTP用熱処
理装置では、ランプの指向性の悪化は被処理体の均一加
熱を阻害する大きな要因となっており、被処理体表面に
おける照度分布が例えば図13に示すように山形とな
り、被処理体の周縁部における照度が被処理体の中央部
(図13中、横軸は被処理体の中心を距離0としてい
る。)における照度よりも低下し、この結果加熱される
被処理体は不均一な温度分布を生じる。
Therefore, in the conventional single-wafer type heat treatment apparatus for RTP, the deterioration of the directivity of the lamp is a major factor that hinders the uniform heating of the object to be processed. 13, the illuminance at the peripheral portion of the object to be processed is lower than the illuminance at the central portion of the object to be processed (in FIG. 13, the horizontal axis represents the distance 0 from the center of the object to be processed). As a result, the heated object has an uneven temperature distribution.

【0016】本発明は、上記の課題に鑑みてなされたも
のであり、石英ウインドウが変形や損傷を生じることが
ない熱処理装置を提供することを第1の目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and it is a first object of the present invention to provide a heat treatment apparatus in which the quartz window is not deformed or damaged.

【0017】また、本発明は、被処理体への熱線の照射
効率を向上させた熱処理装置を提供することを第2の目
的とする。
A second object of the present invention is to provide a heat treatment apparatus in which the efficiency of irradiation of heat rays on the object to be processed is improved.

【0018】また、本発明は、被処理体へ熱線を均一に
照射することができる熱処理装置を提供することを第3
の目的とする。
The present invention also provides a heat treatment apparatus capable of uniformly irradiating the object to be treated with heat rays.
The purpose of.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】本発明に係る熱処理装置
は、ランプヒータを用いて被処理体に対して熱処理を行
う熱処理装置において、該ランプヒータは、配置される
被処理体に対向して配列された複数のランプと、該複数
のランプの背面に設けられたリフレクタとを有し、該ラ
ンプヒータを配設した加熱源部と被処理体を配置する処
理部とを区画する、ランプヒータ側に向けて凸に湾曲し
た、ドーム状の石英ウインドウを設けてなることを特徴
とする。
A heat treatment apparatus according to the present invention is a heat treatment apparatus for performing heat treatment on an object to be processed by using a lamp heater, the lamp heater facing the object to be arranged. A lamp heater having a plurality of arranged lamps and a reflector provided on the back surface of the plurality of lamps, and partitioning a heating source section in which the lamp heater is arranged and a processing section in which an object to be processed is arranged. It is characterized in that a dome-shaped quartz window curved convexly toward the side is provided.

【0020】ここで、被処理体は、例えば、半導体ウエ
ハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基
板、光ディスク用基板等を挙げることができる。また、
熱処理は、急速熱アニーリング(RTA)、急速熱化学
気相成長(RTCVD)、急速熱酸化(RTO)および
急速熱窒化(RTN)を含む。
Here, examples of the object to be processed include a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display, a substrate for an optical disk, and the like. Also,
Heat treatments include rapid thermal annealing (RTA), rapid thermal chemical vapor deposition (RTCVD), rapid thermal oxidation (RTO) and rapid thermal nitridation (RTN).

【0021】本発明は、上記の構成により、急速な昇温
が行われるときに、石英ウインドウが変形や損傷を生じ
ることがない。また、石英ウインドウの中央部分を周縁
部分に比べて薄厚化することができ、これにより、照射
効率を向上させることができる。
According to the present invention, the quartz window is not deformed or damaged when the temperature is rapidly raised by the above structure. Further, the central portion of the quartz window can be made thinner than the peripheral portion, and thus the irradiation efficiency can be improved.

【0022】この場合、前記石英ウインドウは、前記複
数のランプのそれぞれに対向して複数の凸レンズ部が形
成されてなると、ランプの指向性が向上して好適であ
る。
In this case, it is preferable that the quartz window has a plurality of convex lens portions formed so as to face each of the plurality of lamps, because the directivity of the lamp is improved.

【0023】またこの場合、前記リフレクタは、配置さ
れる被処理体の周縁部に対応する該リフレクタの周縁部
が垂下して垂下部が設けられてなると、被処理体から外
れて側方に拡散照射された一部の熱線を垂下部によって
反射して被処理体に向けて照射することができ、いわ
ば、擬似的にランプ空間が広がった状態となる。これに
より、ランプの照射効率が向上する。また、照射分布を
均一化することができ、従来相対的に低温になりがちで
あった被処理体の周縁部をより確実に加熱することによ
り、被処理体を全体として均一に加熱することができ
る。
Further, in this case, in the reflector, when the peripheral portion of the reflector corresponding to the peripheral portion of the object to be disposed hangs down and the hanging portion is provided, the reflector is separated from the object to be diffused laterally. A part of the applied heat rays can be reflected by the hanging part and applied toward the object to be processed, so to speak, the lamp space is expanded in a pseudo manner. This improves the irradiation efficiency of the lamp. Further, the irradiation distribution can be made uniform, and the peripheral portion of the object to be processed, which has been apt to be relatively low in temperature in the past, can be heated more reliably, so that the object to be processed can be uniformly heated as a whole. it can.

【0024】またこの場合、前記垂下部は、被処理体側
に向けて広がる傾斜面を有すると、より好適である。
Further, in this case, it is more preferable that the hanging portion has an inclined surface that spreads toward the object side.

【0025】またこの場合、前記石英ウインドウは、配
置される被処理体の周縁部に対応する該石英ウインドウ
の周縁部が不透明石英部を有し、該不透明石英部は、該
ランプヒータの熱線を被処理体に向けて反射する反射面
を有すると、側方に拡散照射された一部の熱線を被処理
体に向けて照射することにより、照射効率を向上させる
ことができる。
Further, in this case, the quartz window has an opaque quartz portion at the peripheral portion of the quartz window corresponding to the peripheral portion of the object to be disposed, and the opaque quartz portion is the heat ray of the lamp heater. When the reflective surface that reflects toward the object to be processed is provided, the irradiation efficiency can be improved by irradiating the object to be processed with part of the heat rays diffused and irradiated to the side.

【0026】またこの場合、前記複数のランプは、それ
ぞれ前記石英ウインドウと等距離に湾曲状に配設されて
なると、従来に比べて周辺部のランプが被処理体に近接
して配置されるため、周辺部のランプの指向性を高める
ことができる。また、このとき、例えば、中心側と外側
とでゾーン分割して照射条件を制御することにより、被
処理体を全体として均一に加熱することができる。
Further, in this case, when the plurality of lamps are respectively arranged in a curved shape at an equal distance from the quartz window, the lamps in the peripheral portion are arranged closer to the object to be processed than in the conventional case. The directivity of the lamp in the peripheral portion can be increased. At this time, for example, by subjecting the central side and the outer side to zone division and controlling the irradiation conditions, it is possible to uniformly heat the object to be treated as a whole.

【0027】また、配置される被処理体の周縁部に対応
するリフレクタの周縁部が垂下して垂下部が設けられた
上記の熱処理装置において、前記ランプヒータは、前記
リフレクタが該リフレクタと同等の反射率を有する平板
で代替されてなると、装置構成が簡略化され、また装置
費用が安価となって好適である。ここで、代替されるリ
フレクタは、通常いずれのランプヒータについてもラン
プの背面に設けられてランプの熱線を反射する作用を有
する基本的なものをいう。
Further, in the above heat treatment apparatus in which the peripheral portion of the reflector corresponding to the peripheral portion of the object to be disposed is hung to provide the hanging portion, in the lamp heater, the reflector is equivalent to the reflector. Substitution with a flat plate having a reflectance is preferable because the device configuration is simplified and the device cost is low. Here, the alternative reflector is a basic one that is usually provided on the back surface of any lamp heater and reflects the heat rays of the lamp.

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】本発明に係る熱処理装置の好適な
実施の形態(以下、本実施の形態例という。)につい
て、図を参照して、以下に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A preferred embodiment of a heat treatment apparatus according to the present invention (hereinafter referred to as an example of the present embodiment) will be described below with reference to the drawings.

【0029】まず、本実施の形態の第1の例に係る熱処
理装置について、図1、図2を参照して説明する。
First, the heat treatment apparatus according to the first example of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

【0030】本実施の形態の第1の例に係る熱処理装置
10は、基本的な構成は、前記した従来例の熱処理装置
1と同様である。このため、熱処理装置10の構成要素
のうち、共通するものについては特に断らない限り熱処
理装置1と同じ参照符号を付すとともに、重複する詳細
な説明は省略する。なお、以下の他の実施の形態例につ
いても同様である。
The heat treatment apparatus 10 according to the first example of the present embodiment is basically the same in structure as the heat treatment apparatus 1 of the conventional example described above. Therefore, of the constituent elements of the heat treatment apparatus 10, common elements are designated by the same reference numerals as those of the heat treatment apparatus 1 unless otherwise specified, and redundant detailed description will be omitted. The same applies to the other embodiments described below.

【0031】熱処理装置10は、図1の模式図に示すよ
うに、従来例と同様にランプヒータ12および石英ウイ
ンドウ14を有する。
As shown in the schematic view of FIG. 1, the heat treatment apparatus 10 has a lamp heater 12 and a quartz window 14 as in the conventional example.

【0032】ランプヒータ12は、ランプ16とリフレ
クタ18とを有する。ランプ16は、例えば、半導体ウ
エハ等の被処理体2に対向して、平行に複数個が同心円
状に配列される。リフレクタ18は、複数のランプ16
の背面である、図1中ランプ16の上方にランプ16を
覆うように各ランプ16ごとに設けられたリフレクタ部
の集合体として構成される。
The lamp heater 12 has a lamp 16 and a reflector 18. For example, a plurality of lamps 16 are concentrically arranged in parallel with each other so as to face the object 2 to be processed such as a semiconductor wafer. The reflector 18 includes a plurality of lamps 16.
1, which is the rear surface of the lamp 16, is configured as an assembly of reflector portions provided for each lamp 16 so as to cover the lamp 16 above the lamp 16.

【0033】石英ウインドウ14は、ランプヒータ12
を配設した加熱源部20と被処理体2を配置する処理部
22とを区画して設けられる。
The quartz window 14 is a lamp heater 12.
The heating source section 20 in which the above is arranged and the processing section 22 in which the object to be processed 2 is arranged are partitioned and provided.

【0034】石英ウインドウ14の形態は、従来例の石
英ウインドウ4と異なる。すなわち、石英ウインドウ1
4は、ランプヒータ12側に向けて凸に湾曲した、いわ
ばドーム形状に形成される。石英ウインドウ14は、周
縁部14aが従来と同様の例えば30mm程度の厚みに
形成される。一方、頂部である中央部14bに向けて徐
々に薄肉に形成され、最も薄い頂部の厚みは例えば7m
m程度である。周縁部14aは、装置の側壁24の凹部
24aに嵌合して支持される。
The form of the quartz window 14 is different from that of the conventional quartz window 4. That is, the quartz window 1
Reference numeral 4 is formed in a so-called dome shape, which is convexly curved toward the lamp heater 12 side. The quartz window 14 has a peripheral edge portion 14a formed in the same thickness as that of the conventional one, for example, about 30 mm. On the other hand, the thickness is gradually reduced toward the central portion 14b, which is the top portion, and the thinnest top portion has a thickness of, for example, 7 m.
It is about m. The peripheral edge 14a is fitted and supported in the recess 24a of the side wall 24 of the device.

【0035】上記のように構成された熱処理装置10
は、石英ウインドウが図1中上方向に向けて湾曲して形
成されているため、急速な昇温が行われるときに、石英
ウインドウを図1中下方向に向けて湾曲させようと自然
発生的に生じる力に対してこれを相殺する力を生じるた
め、石英ウインドウが変形や損傷を生じることがない。
The heat treatment apparatus 10 constructed as described above.
The quartz window is formed so as to curve upward in FIG. 1. Therefore, when the temperature is rapidly raised, the quartz window spontaneously bends downward in FIG. The quartz window is not deformed or damaged because a force that cancels out the force generated in the quartz window is generated.

【0036】また、このため、石英ウインドウの中央部
分を周縁部分に比べて薄厚化することができ、これによ
り、石英ウインドウの中央部分では、熱線の吸収量が減
少し、その分だけ透過量が増加する。
For this reason, the central portion of the quartz window can be made thinner than the peripheral portion, whereby the amount of heat rays absorbed in the central portion of the quartz window is reduced, and the amount of permeation is correspondingly reduced. To increase.

【0037】図2をみると、被処理体表面における照度
分布、言いかえれば温度分布が図11と同様の山形とな
り、被処理体の周縁部における照度が被処理体の中央部
における照度よりも低下し、この結果不均一な照度分布
となっており、この点については、従来例からの顕著な
改善効果は見られない。
Referring to FIG. 2, the illuminance distribution on the surface of the object to be processed, in other words, the temperature distribution has a mountain shape similar to that in FIG. 11, and the illuminance at the peripheral edge of the object to be processed is higher than the illuminance at the center of the object to be processed. As a result, the illuminance distribution is non-uniform, and no significant improvement effect from the conventional example can be seen in this respect.

【0038】つぎに、本実施の形態の第2の例に係る熱
処理装置について、図3、図4を参照して説明する。
Next, a heat treatment apparatus according to the second example of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 3 and 4.

【0039】本実施の形態の第2の例に係る熱処理装置
26は、基本的な構成は、本実施の形態の第1の例に係
る熱処理装置10と同様である。
The heat treatment apparatus 26 according to the second example of the present embodiment has the same basic configuration as the heat treatment apparatus 10 according to the first example of the present embodiment.

【0040】熱処理装置26は、図3に示すように、リ
フレクタ28の周縁部が垂下して垂下部28aが設けら
れている。垂下部28aは、配置される被処理体2の上
方において、被処理体2の周縁部2aを取り囲むように
形成されている。
As shown in FIG. 3, the heat treatment device 26 is provided with a hanging portion 28a in which the peripheral portion of the reflector 28 hangs down. The hanging portion 28a is formed above the object 2 to be disposed so as to surround the peripheral edge portion 2a of the object 2.

【0041】上記のように構成された熱処理装置26
は、ランプ16から側壁24に向けて放射された一部の
熱線が側壁24aに吸収されることなく垂下部28aに
よって反射されて被処理体2に照射されるため、照射効
率を向上させることができる。
The heat treatment apparatus 26 configured as described above
The part of the heat ray radiated from the lamp 16 toward the side wall 24 is reflected by the hanging part 28a and is irradiated to the object 2 without being absorbed by the side wall 24a, so that the irradiation efficiency can be improved. it can.

【0042】つぎに、本実施の形態の第2の例の第1の
変形例に係る熱処理装置について、図4、図5を参照し
て説明する。
Next, a heat treatment apparatus according to a first modification of the second example of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 4 and 5.

【0043】第1の変形例に係る熱処理装置30は、図
4に示すように、リフレクタ32の垂下部32aが被処
理体2側に向けて広がる傾斜面を有するように形成され
ており、いわば、底面にランプ16を配置した皿状のリ
フレクタ32が天地逆に配置されている。
As shown in FIG. 4, the heat treatment apparatus 30 according to the first modification is formed so that the hanging portion 32a of the reflector 32 has an inclined surface that spreads toward the object 2 side. The dish-shaped reflector 32 having the lamp 16 arranged on the bottom surface is arranged upside down.

【0044】前記した熱処理装置26の場合、垂下部2
8aで反射された熱線が被処理体2の中心に集まり易い
が、これに比べて、上記熱処理装置30は、垂下部32
aで反射された熱線が被処理体2の周縁部に分配される
ため、被処理体2における照度部分布がフラットにな
り、均一な照射が得られる。
In the case of the heat treatment device 26 described above, the hanging portion 2
The heat rays reflected by 8a tend to gather at the center of the object 2 to be processed.
Since the heat ray reflected by a is distributed to the peripheral portion of the object to be processed 2, the illuminance part distribution in the object to be processed 2 becomes flat and uniform irradiation can be obtained.

【0045】つぎに、本実施の形態の第2の例の第2の
変形例に係る熱処理装置について、図5を参照して説明
する。
Next, a heat treatment apparatus according to a second modification of the second example of the present embodiment will be described with reference to FIG.

【0046】第2の変形例に係る熱処理装置34は、図
5に示すように、基本構成は第1の例の熱処理装置30
と同様であるが、石英ウインドウ36の周縁端部36a
が、透明な本体部36bとは別体の不透明石英材料によ
って形成され、透明な本体部36bに接合して一体化さ
れている。
As shown in FIG. 5, the heat treatment apparatus 34 according to the second modification has a basic structure of the heat treatment apparatus 30 of the first example.
But with a peripheral edge 36a of the quartz window 36
However, it is formed of an opaque quartz material that is separate from the transparent body portion 36b, and is joined and integrated with the transparent body portion 36b.

【0047】上記熱処理装置30は、石英ウインドウ3
6の透明な本体部36bを透過した熱線が側壁24に吸
収されることなく周縁端部36aの表面で被処理体2の
側に向けて反射して放射され、いわば周縁端部36aが
リフレクタとして作用するため、熱処理装置26に比べ
て、さらに均一でかつより高い照射効率が得られる。
The heat treatment apparatus 30 includes the quartz window 3
The heat rays transmitted through the transparent main body 36b of 6 are reflected by the surface of the peripheral edge 36a toward the object 2 without being absorbed by the side wall 24 and are radiated, so to speak, the peripheral edge 36a serves as a reflector. As a result, the irradiation efficiency is more uniform and higher than that of the heat treatment device 26.

【0048】つぎに、本実施の形態の第2の例の第3の
変形例に係る熱処理装置38について、図6、図7を参
照して説明する。
Next, a heat treatment apparatus 38 according to a third modification of the second example of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 6 and 7.

【0049】熱処理装置38の基本構成は第1の変形例
に係る熱処理装置30と同様である。
The basic structure of the heat treatment apparatus 38 is the same as that of the heat treatment apparatus 30 according to the first modification.

【0050】熱処理装置38は、図6に示すように、ラ
ンプ16を備えたランプヒータ40のランプ16の背面
に複数のリフレクタ部からなるリフレクタが設けられて
おらず、これに代えて、ランプ16の背面にリフレクタ
と同等の反射率を持つ平板31が設けられている点が熱
処理装置30と異なる。但し、熱処理装置30と同様に
リフレクタ作用を有する垂下部40aは備えられてい
る。
As shown in FIG. 6, the heat treatment apparatus 38 is not provided with a reflector composed of a plurality of reflectors on the back surface of the lamp 16 of the lamp heater 40 having the lamp 16, and instead of this, the lamp 16 is used. The heat treatment apparatus 30 is different from the heat treatment apparatus 30 in that a flat plate 31 having the same reflectance as the reflector is provided on the back surface of the. However, like the heat treatment apparatus 30, a hanging portion 40a having a reflector action is provided.

【0051】上記熱処理装置38は、個々のリフレクタ
部が省略された分だけ装置構造が簡略化され、したがっ
て装置が小型化されるとともに装置費用が安価である。
熱処理装置38は、リフレクタが省略されているにも関
わらず、垂下部40aの存在により、図7に示すよう
に、図5の熱処理装置30の場合と同程度の均一な照射
が得られる。
The heat treatment apparatus 38 has a simple structure because the individual reflector portions are omitted, and therefore the apparatus is downsized and the cost of the apparatus is low.
In the heat treatment apparatus 38, the presence of the hanging portion 40a provides uniform irradiation as in the case of the heat treatment apparatus 30 of FIG. 5, due to the presence of the hanging portion 40a, although the reflector is omitted.

【0052】つぎに、本実施の形態の第3の例に係る熱
処理装置について、図8、図9を参照して説明する。
Next, a heat treatment apparatus according to the third example of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 8 and 9.

【0053】本実施の形態の第3の例に係る熱処理装置
42は、基本的な構成は、本実施の形態の第2の例ある
いはその第1〜第3の変形例に係る熱処理装置26、3
0、34、38と同様である。
The heat treatment apparatus 42 according to the third example of the present embodiment is basically the same as the heat treatment apparatus 26 according to the second example of the present embodiment or its first to third modifications. Three
The same as 0, 34, and 38.

【0054】熱処理装置42は、図8に示すように、各
ランプ16と石英ウインドウ14の間の距離L1〜LN
が等しくなるように、ランプヒータ44を構成する複数
のランプ16およびリフレクタ46が、湾曲した石英ウ
インドウ14の形状に対応して、石英ウインドウ14に
対向して平行に配設されている点が、本実施の形態の第
2の例等と異なる。
As shown in FIG. 8, the heat treatment apparatus 42 has a distance L1 to LN between each lamp 16 and the quartz window 14.
Such that the plurality of lamps 16 and the reflector 46 forming the lamp heater 44 are arranged in parallel so as to face the quartz window 14 so as to be equal to each other, corresponding to the shape of the curved quartz window 14. This is different from the second example of the present embodiment.

【0055】また、熱処理装置42は、図示しない温度
センサにより、被処理体2の温度分布をリアルタイムで
測定し、そのデータに基づいて、図示しない出力制御装
置により、複数のランプ16を中央部Aと周辺部Bの2
ゾーンにゾーン分割して照射制御するように構成されて
いる。
Further, the heat treatment apparatus 42 measures the temperature distribution of the object to be processed 2 in real time by a temperature sensor (not shown), and based on the data, an output controller (not shown) controls the plurality of lamps 16 to move to the central portion A. And 2 of peripheral part B
Irradiation is controlled by dividing the zone into zones.

【0056】上記本実施の形態の第3の例に係る熱処理
装置42は、従来例および上記他の実施の形態例に比べ
て周辺部のランプ16が被処理体に近接して配置される
ため、周辺部のランプの指向性を高めることができる。
また、図9に示すように、中心側(図中、内)と外側
(図中、外)とでゾーン分割して、例えば、中心側のラ
ンプでは中央部の照度が大きい山形パターンの照度分布
を得、一方、外側のランプでは外側の照度が大きい谷形
パターンの照度分布を得るように照射条件を制御するこ
とにより、両者が合成された実際の照度を、中央部と外
側とで均一な照度パターンとすることができる。
In the heat treatment device 42 according to the third example of the present embodiment, the lamp 16 in the peripheral portion is arranged closer to the object to be processed than in the conventional example and the above-described other example embodiments. The directivity of the lamp in the peripheral portion can be increased.
Further, as shown in FIG. 9, the central side (inside in the figure) and the outer side (inside, outside) are divided into zones, and for example, in the case of the central side lamp, the illuminance distribution of a mountain pattern in which the central part has a large illuminance. On the other hand, in the outer lamp, by controlling the irradiation conditions so as to obtain a valley-shaped illuminance distribution in which the outer illuminance is large, the actual illuminance obtained by combining the two is uniform in the central part and the outer part. It can be an illuminance pattern.

【0057】つぎに、本実施の形態の第4の例に係る熱
処理装置について、図10を参照して説明する。
Next, a heat treatment apparatus according to the fourth example of the present embodiment will be described with reference to FIG.

【0058】本実施の形態の第4の例に係る熱処理装置
48は、基本的な構成は、本実施の形態の第3の例に係
る熱処理装置42と同様である。
The heat treatment apparatus 48 according to the fourth example of the present embodiment has the same basic configuration as the heat treatment apparatus 42 according to the third example of the present embodiment.

【0059】熱処理装置48は、複数のランプ16のそ
れぞれに対向して、石英ウインドウ50に複数の凸レン
ズ部50a〜50nが形成されている点が熱処理装置4
2と異なる。
In the heat treatment apparatus 48, a plurality of convex lens portions 50a to 50n are formed in the quartz window 50 so as to face the plurality of lamps 16, respectively.
Different from 2.

【0060】上記本実施の形態の第4の例に係る熱処理
装置48は、凸レンズ部の作用により、ランプの指向性
が向上する。なお、この石英ウインドウが凸レンズ部を
有する構造は、前記他の実施の形態例についても適用可
能である。
In the heat treatment device 48 according to the fourth example of the present embodiment, the directivity of the lamp is improved by the action of the convex lens portion. The structure in which the quartz window has the convex lens portion can be applied to the other embodiments.

【0061】[0061]

【発明の効果】本発明に係る熱処理装置によれば、ラン
プヒータを配設した加熱源部と被処理体を配置する処理
部とを区画する、ランプヒータ側に向けて凸に湾曲し
た、ドーム状の石英ウインドウを設けているため、急速
な昇温が行われるときに、石英ウインドウが変形や損傷
を生じることがない。また、石英ウインドウの中央部分
を周縁部分に比べて薄厚化することができ、これによ
り、照射効率を向上させることができる。
According to the heat treatment apparatus of the present invention, the dome is divided into a heating source section in which the lamp heater is arranged and a processing section in which the object to be processed is divided, and is convexly curved toward the lamp heater side. Since the quartz window is provided in a rectangular shape, the quartz window is not deformed or damaged when the temperature is rapidly raised. Further, the central portion of the quartz window can be made thinner than the peripheral portion, and thus the irradiation efficiency can be improved.

【0062】また、本発明に係る熱処理装置によれば、
石英ウインドウは、複数のランプのそれぞれに対向して
複数の凸レンズ部が形成されているため、ランプの指向
性が向上する。
According to the heat treatment apparatus of the present invention,
Since the quartz window is formed with a plurality of convex lens portions facing the plurality of lamps, the directivity of the lamp is improved.

【0063】また、本発明に係る熱処理装置によれば、
リフレクタの周縁部が垂下して垂下部が設けられ、ま
た、より好ましくは、垂下部は、被処理体側に向けて広
がる傾斜面を有するため、ランプの照射効率が向上し、
また、被処理体を全体として均一に加熱することができ
る。
According to the heat treatment apparatus of the present invention,
A peripheral portion of the reflector hangs down to provide a drooping portion, and more preferably, the drooping portion has an inclined surface that spreads toward the object to be processed, thereby improving the irradiation efficiency of the lamp.
Further, the object to be treated can be heated uniformly as a whole.

【0064】また、本発明に係る熱処理装置によれば、
石英ウインドウは、周縁部が不透明石英部を有し、不透
明石英部は、ランプヒータの熱線を被処理体に向けて反
射する反射面を有するため、照射効率を向上させること
ができる。
According to the heat treatment apparatus of the present invention,
The quartz window has an opaque quartz portion at its peripheral portion, and the opaque quartz portion has a reflecting surface that reflects the heat rays of the lamp heater toward the object to be processed, so that the irradiation efficiency can be improved.

【0065】また、本発明に係る熱処理装置によれば、
複数のランプは、それぞれ前記石英ウインドウと等距離
に湾曲状に配設されるため、周辺部のランプの指向性を
高めることができ、また、被処理体を全体として均一に
加熱することができる。
According to the heat treatment apparatus of the present invention,
Since the plurality of lamps are respectively arranged in a curved shape at an equal distance from the quartz window, the directivity of the lamps in the peripheral portion can be enhanced, and the object to be processed can be uniformly heated as a whole. .

【0066】また、本発明に係る熱処理装置によれば、
垂下部が設けられた熱処理装置において、ランプヒータ
は、リフレクタが垂下部を除いて省略され、ランプの背
面にリフレクタと同等の反射率を有する平板が設けられ
てなると、装置構成が簡略化され、また装置費用が安価
である。
According to the heat treatment apparatus of the present invention,
In the heat treatment apparatus provided with the hanging portion, the reflector is omitted in the lamp heater except for the hanging portion, and a flat plate having the same reflectance as the reflector is provided on the back surface of the lamp, which simplifies the apparatus configuration. In addition, the device cost is low.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本実施の形態の第1の例に係る熱処理装置の模
式図である。
FIG. 1 is a schematic diagram of a heat treatment apparatus according to a first example of the present embodiment.

【図2】図1の熱処理装置を用いたときの照度分布を示
すグラフ図である。
FIG. 2 is a graph showing an illuminance distribution when the heat treatment apparatus of FIG. 1 is used.

【図3】本実施の形態の第2の例に係る熱処理装置の模
式図である。
FIG. 3 is a schematic diagram of a heat treatment apparatus according to a second example of the present embodiment.

【図4】図3の装置の第1の変形例例に係る熱処理装置
の模式図である。
4 is a schematic diagram of a heat treatment apparatus according to a first modified example of the apparatus of FIG.

【図5】図3の装置の第2の変形例例に係る熱処理装置
の模式図である。
5 is a schematic diagram of a heat treatment apparatus according to a second modified example of the apparatus of FIG.

【図6】図3の装置の第3の変形例例に係る熱処理装置
の模式図である。
6 is a schematic diagram of a heat treatment apparatus according to a third modification of the apparatus of FIG.

【図7】図6の熱処理装置を用いたときの照度分布を示
すグラフ図である。
7 is a graph showing an illuminance distribution when the heat treatment apparatus of FIG. 6 is used.

【図8】本実施の形態の第3の例に係る熱処理装置の模
式図である。
FIG. 8 is a schematic diagram of a heat treatment apparatus according to a third example of the present embodiment.

【図9】図8の熱処理装置を用いたときの照度分布を示
すグラフ図である。
9 is a graph showing an illuminance distribution when the heat treatment apparatus of FIG. 8 is used.

【図10】本実施の形態の第4の例に係る熱処理装置の
模式図である。
FIG. 10 is a schematic diagram of a heat treatment apparatus according to a fourth example of the present embodiment.

【図11】従来の熱処理装置の模式図である。FIG. 11 is a schematic view of a conventional heat treatment apparatus.

【図12】図11の熱処理装置のランプヒータを下から
みた図である。
12 is a view of the lamp heater of the heat treatment apparatus of FIG. 11 seen from below.

【図13】図12の熱処理装置を用いたときの照度分布
を示すグラフ図である。
13 is a graph showing an illuminance distribution when the heat treatment apparatus of FIG. 12 is used.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 被処理体 10、26、30、34、38、42、48 熱処理装
置 12、40、44 ランプヒータ 14、36、50 石英ウインドウ 16 ランプ 18、28、32、46 リフレクタ 20 加熱源部 22 処理部 28a、32a、40a 垂下部 31 平板 36a 周縁端部 50a〜50n 凸レンズ部
2 Object to be treated 10, 26, 30, 34, 38, 42, 48 Heat treatment device 12, 40, 44 Lamp heater 14, 36, 50 Quartz window 16 Lamp 18, 28, 32, 46 Reflector 20 Heat source part 22 Processing part 28a, 32a, 40a Hanging part 31 Flat plate 36a Peripheral edge part 50a-50n Convex lens part

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/22 H01L 21/26 J Front page continuation (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H01L 21/22 H01L 21/26 J

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ランプヒータを用いて被処理体に対して
熱処理を行う熱処理装置において、 該ランプヒータは、配置される被処理体に対向して配列
された複数のランプと、該複数のランプの背面に設けら
れたリフレクタとを有し、 該ランプヒータを配設した加熱源部と被処理体を配置す
る処理部とを区画する、ランプヒータ側に向けて凸に湾
曲した石英ウインドウを設けてなることを特徴とする熱
処理装置。
1. A heat treatment apparatus for performing heat treatment on an object to be processed using a lamp heater, wherein the lamp heater includes a plurality of lamps arranged to face the object to be processed and the plurality of lamps. And a reflector provided on the back surface of the lamp heater, and a quartz window that is convexly curved toward the lamp heater is provided to partition the heating source section in which the lamp heater is arranged and the processing section in which the object to be processed is arranged. A heat treatment apparatus characterized by the following.
【請求項2】 前記石英ウインドウは、前記複数のラン
プのそれぞれに対向して複数の凸レンズ部が形成されて
なることを特徴とする請求項1記載の熱処理装置。
2. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the quartz window is formed with a plurality of convex lens portions facing each of the plurality of lamps.
【請求項3】 前記リフレクタは、配置される被処理体
の周縁部に対応する該リフレクタの周縁部が垂下して垂
下部が設けられてなることを特徴とする請求項1または
2に記載の熱処理装置。
3. The reflector according to claim 1, wherein a peripheral portion of the reflector corresponding to a peripheral portion of the object to be processed is hung so as to be provided with a hanging portion. Heat treatment equipment.
【請求項4】 前記垂下部は、被処理体側に向けて広が
る傾斜面を有することを特徴とする請求項3記載の熱処
理装置。
4. The heat treatment apparatus according to claim 3, wherein the hanging portion has an inclined surface that widens toward the object to be processed.
【請求項5】 前記石英ウインドウは、配置される被処
理体の周縁部に対応する該石英ウインドウの周縁部が不
透明石英部を有し、 該不透明石英部は、該ランプヒータの熱線を被処理体に
向けて反射する反射面を有することを特徴とする請求項
1〜4のいずれか1項に記載の熱処理装置。
5. The quartz window has an opaque quartz portion at a peripheral portion of the quartz window corresponding to a peripheral portion of an object to be disposed, and the opaque quartz portion receives heat rays of the lamp heater. The heat treatment apparatus according to any one of claims 1 to 4, further comprising a reflecting surface that reflects toward a body.
【請求項6】 前記複数のランプは、それぞれ前記石英
ウインドウと等距離に湾曲状に配設されてなることを特
徴とする請求項1記載の熱処理装置。
6. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein each of the plurality of lamps is arranged in a curved shape at an equal distance from the quartz window.
【請求項7】 前記ランプヒータは、前記リフレクタが
該リフレクタと同等の反射率を有する平板で代替されて
なることを特徴とする請求項3または4に記載の熱処理
装置。
7. The heat treatment apparatus according to claim 3, wherein the lamp heater is configured such that the reflector is replaced by a flat plate having a reflectance equivalent to that of the reflector.
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