JP2003021609A - Parallel magnetic field type rutherford back scattering analyzer, energy spectrum measuring method for scattered ion using it and crystal axis detecting method for sample using it - Google Patents

Parallel magnetic field type rutherford back scattering analyzer, energy spectrum measuring method for scattered ion using it and crystal axis detecting method for sample using it

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JP2003021609A
JP2003021609A JP2002120579A JP2002120579A JP2003021609A JP 2003021609 A JP2003021609 A JP 2003021609A JP 2002120579 A JP2002120579 A JP 2002120579A JP 2002120579 A JP2002120579 A JP 2002120579A JP 2003021609 A JP2003021609 A JP 2003021609A
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ion
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明 小林
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To align a crystal axis and an ion beam by segregating scattered ions different in the number of convergences, easily measuring an energy spectrum in high resolution and detecting the crystal axis of a sample without labor and causing contamination in the sample in regard to a parallel magnetic field type Rutherford back scattering analyzer converging scattered ions back- scattered from a sample entered by the ion beam to a beam axis by a magnetic field parallel with the ion beam. SOLUTION: The scattered ions are segregated to improve penetration of scattered ions with a small angle of incidence by using a pair of cylindrical members arranged in parallel with the beam axis of the ion beam with a predetermined interval. By using a two-dimensional scattered ion detector 8, the energy spectrum is measured on the basis of a detection position of the scattered ions, the crystal axis of the sample is detected on the basis of a detection amount distribution of the scattered ions, and the crystal axis and the beam axis of the ion beam are aligned.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は,高中エネルギーの
イオンビームが入射した試料にて後方散乱された散乱イ
オンを,前記イオンビームと平行な磁場を用いてビーム
軸に収束させる平行磁場型ラザフォード後方散乱分析装
置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a parallel magnetic field type Rutherford backward for converging scattered ions backscattered by a sample into which an ion beam of high and medium energy is incident on a beam axis by using a magnetic field parallel to the ion beam. The present invention relates to a scattering analyzer.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば特開平7−190963号公報
(公報1)には,高中エネルギーのイオンビームが入射
した試料にて後方散乱された散乱イオンを,前記イオン
ビームと平行な磁場を用いてビーム軸に収束させる平行
磁場型ラザフォード後方散乱分析装置が記載されてい
る。前記公報に記載されたラザフォード後方散乱分析装
置の概略構成を図3に示す。図3に示す如く,400k
V程度の高電圧が給電されたイオン源1から発せられた
ヘリウムイオンビーム2は,加速管3を通過中に該加速
管3に印加された電圧によって加速され,試料4に向か
う。試料4表面において,弾性散乱された散乱イオン5
は,ソレノイドコイル61及びマグネットヨーク62か
らなる電磁石6によって発生されたイオンビーム2のビ
ーム軸に平行な磁場によって,軌道が曲げられ,螺旋運
動を行いながら繰り返しビーム軸に接する(収束する)
軌道を描く。特定のエネルギーと散乱角とをもった散乱
イオン5がビーム軸に収束する位置にイオンビーム2を
中心に通すように,アイリス型のスリット7(アパーチ
ャ)が配置されており,そのスリット7により特定のエ
ネルギーを有する散乱イオン5のみを弁別し,再度発散
していく散乱イオン5を2次元の散乱イオン検出器8に
より検出しエネルギースペクトルを得ていた。このよう
にして得られたエネルギースペクトルに基づいて試料4
の成分元素の同定や深さ方向の組成分析(イオンチャネ
リング分析)を行うことができる。前記散乱イオン検出
器8には,例えば2次元状に微細検出管が多数配列され
たマイクロチャンネルプレートを用いることができる。
前記散乱イオン検出器8の簡略的な外観を図4に示す。
図4に示す如く,前記散乱イオン検出器8は,その中心
に,イオンビーム2を通過させるための小さな開口81
を備えたドーナツ型の形状を有する。前記散乱イオン検
出器8の表面に2次元状に多数配列された微細検出管に
よって,前記スリット7を通過してきた散乱イオン5の
位置を測定することが可能である。試料4表面から散乱
された同じ散乱角,同じエネルギーの散乱イオン5は,
一旦スリット7の位置で収束した後,再度発散して,検
出器中心から距離Rの位置に入射する。エネルギーの異
なる散乱イオン5が,スリット7の位置で収束するため
には,散乱角度が異なることになるため,前記距離Rに
よりエネルギーを決定することができる。このとき,測
定したい散乱イオン5のエネルギーごとに磁場強度を変
化させる,又は磁場強度を一定として,試料4と前記散
乱イオン検出器8や前記スリット7との距離を変化させ
ることにより,前記散乱イオン検出器8で検出される散
乱イオン5,即ち,前記スリット7を通過する散乱イオ
ン5をそのエネルギーごとに選別し,散乱イオン5のエ
ネルギースペクトルを測定していた。
2. Description of the Related Art For example, in Japanese Unexamined Patent Publication No. 7-190963 (Gazette 1), scattered ions backscattered by a sample to which an ion beam of high and medium energy is incident are beamed by using a magnetic field parallel to the ion beam. A parallel-field, Rutherford backscattering analyzer focusing on an axis is described. FIG. 3 shows a schematic configuration of the Rutherford backscattering analyzer described in the above publication. As shown in Figure 3, 400k
The helium ion beam 2 emitted from the ion source 1 supplied with a high voltage of about V is accelerated by the voltage applied to the accelerating tube 3 while passing through the accelerating tube 3, and travels toward the sample 4. Scattering ions 5 elastically scattered on the surface of the sample 4
Is bent by a magnetic field parallel to the beam axis of the ion beam 2 generated by an electromagnet 6 composed of a solenoid coil 61 and a magnet yoke 62, and repeatedly comes into contact with (converges to) the beam axis while performing a spiral motion.
Draw a trajectory. An iris type slit 7 (aperture) is arranged so that the scattered ion 5 having a specific energy and a specific scattering angle passes through the ion beam 2 at a position where the scattered ion 5 converges on the beam axis. Only the scattered ions 5 having the energy of 1 are discriminated, and the scattered ions 5 diverging again are detected by the two-dimensional scattered ion detector 8 to obtain the energy spectrum. Sample 4 based on the energy spectrum thus obtained
It is possible to identify the component elements of and the composition analysis in the depth direction (ion channeling analysis). The scattered ion detector 8 may be, for example, a microchannel plate in which a large number of two-dimensional fine detection tubes are arranged.
A simplified appearance of the scattered ion detector 8 is shown in FIG.
As shown in FIG. 4, the scattered ion detector 8 has a small opening 81 at its center for passing the ion beam 2.
It has a donut shape. It is possible to measure the position of the scattered ions 5 that have passed through the slit 7 by means of fine detection tubes arranged in a two-dimensional array on the surface of the scattered ion detector 8. The scattered ions 5 of the same energy and the same energy scattered from the surface of the sample 4 are
After once converging at the position of the slit 7, it again diverges and enters the position at a distance R from the center of the detector. Since the scattered ions 5 having different energies converge at the position of the slit 7, the scattering angles are different. Therefore, the energy can be determined by the distance R. At this time, the magnetic field strength is changed for each energy of the scattered ion 5 to be measured, or the magnetic field strength is kept constant, and the distance between the sample 4 and the scattered ion detector 8 or the slit 7 is changed to The scattered ions 5 detected by the detector 8, that is, the scattered ions 5 passing through the slit 7 are selected for each energy, and the energy spectrum of the scattered ions 5 is measured.

【0003】一方,ラザフォード後方散乱分析装置によ
る散乱イオン5のチャネリング測定では,測定前に試料
4の結晶軸を検出し,該結晶軸とイオンビーム2のビー
ム軸とが一致するよう軸合わせを行う必要がある。従
来,試料4の結晶軸を検出する方法としては,特開平5
−346412号公報(公報2)に示されるように,X
線反射を利用して試料4の結晶軸を検出する方法や,前
記公報2の段落0006〜0007に従来技術として示
されるように,試料4を回転させながら各回転位置ごと
に散乱イオン5を検出し,検出された散乱イオン5の検
出量に基づいて試料4の結晶軸を検出する方法等があ
る。
On the other hand, in the channeling measurement of scattered ions 5 by the Rutherford backscattering analyzer, the crystal axis of the sample 4 is detected before the measurement and the axes are aligned so that the crystal axis and the beam axis of the ion beam 2 coincide with each other. There is a need. Conventionally, as a method of detecting the crystal axis of the sample 4, Japanese Patent Laid-Open No.
As disclosed in Japanese Patent No. 346412 (Gazette 2), X
A method of detecting the crystal axis of the sample 4 by using line reflection, and as shown in the prior art in paragraphs 0006 to 0007 of the publication 2, the scattered ions 5 are detected at each rotational position while rotating the sample 4. Then, there is a method of detecting the crystal axis of the sample 4 based on the detected amount of the scattered ions 5 detected.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら,図3に
示すような構成では,図5に示す通り,収束回数が異な
る散乱イオン51,52,53,54,…は前記スリッ
ト7を通過してしまう。なお,符号51は収束回数が1
回の散乱イオンの軌道を,符号52は収束回数が2回の
散乱イオンの軌道を,符号53は収束回数が3回の散乱
イオンの軌道を,符号54は収束回数が4回の散乱イオ
ンの軌道をそれぞれ表す。もちろん,収束回数が5回以
上の散乱イオンも存在するが,図5には表していない。
また,矢印Bは磁場の向きである。収束回数が異なる散
乱イオンが前記スリット7を通過すると,結局エネルギ
ーの異なる散乱イオンが前記散乱イオン検出器8に入射
することになる。例えば図6に示すように,前記散乱イ
オン検出器8の中心から75mmの同心円上には,散乱
イオン51,52,53,54において,散乱エネルギ
ー400,100,50,30keVのイオンが入射す
ることになり,エネルギー分析が困難になっていた。
However, in the configuration as shown in FIG. 3, scattered ions 51, 52, 53, 54, ... Having different numbers of convergence pass through the slit 7 as shown in FIG. . Note that reference numeral 51 indicates that the number of convergences is 1
The number 52 of scattered ion trajectories, the number 52 of scattered ion trajectories with two convergence times, the number 53 of scattered ion trajectories with three convergence times, and the number 54 of scattered ion trajectories with four convergence times. Represents each orbit. Of course, there are scattered ions whose number of convergence is 5 or more, but they are not shown in FIG.
The arrow B indicates the direction of the magnetic field. When the scattered ions having different convergence times pass through the slit 7, the scattered ions having different energies are incident on the scattered ion detector 8. For example, as shown in FIG. 6, on the concentric circle of 75 mm from the center of the scattered ion detector 8, in the scattered ions 51, 52, 53, 54, the ions of scattered energy 400, 100, 50, 30 keV are incident. It became difficult to analyze the energy.

【0005】また,磁場強度や,試料4と前記散乱イオ
ン検出器8と前記スリット7との位置関係を変化させる
ことにより,散乱イオン5のエネルギースペクトルを測
定する方法では,磁場強度変更後の安定化や試料4等の
位置決めに手間と時間を要するという問題点があった。
さらに,磁場強度の変更精度や試料4等の位置決め精度
の制約により,散乱イオン5のエネルギースペクトルを
高分解能で測定することが困難であるという問題点もあ
った。例えば,散乱イオン5がHe+イオンである場
合,試料4表面からHe+イオンがビーム軸(z軸)に
接する位置までの距離L(即ち,試料4〜前記スリット
7間の距離)は,次の(a1)式で表される。
Further, in the method of measuring the energy spectrum of the scattered ions 5 by changing the magnetic field strength and the positional relationship among the sample 4, the scattered ion detector 8 and the slit 7, the stability after the magnetic field strength is changed is obtained. However, there is a problem in that it takes time and effort to position and position the sample 4 and the like.
Further, there is a problem that it is difficult to measure the energy spectrum of the scattered ions 5 with high resolution due to the restriction of the accuracy of changing the magnetic field strength and the positioning accuracy of the sample 4. For example, when the scattered ions 5 are He + ions, the distance L from the surface of the sample 4 to the position where the He + ions contact the beam axis (z axis) (that is, the distance between the sample 4 and the slit 7) is It is represented by the equation (a1).

【数1】 但し,mは散乱イオン5の質量,qeは散乱イオンの電
荷,ωcはサイクロトロン周波数,vはイオン速度,θ
は散乱イオン5の散乱角度,Eは散乱イオン5のエネル
ギー,Bは磁場強度を表す(以下同様)。ここで,同じ
散乱角度のHe+イオンについて,300keVのイオ
ンと299keVのイオンとを選別(エネルギー分解能
ΔE/E=0.3%)するためには,例えば,2テスラ
前後の磁場強度Bでエネルギースペクトルを検出する場
合,必要な磁場強度Bの変化量はわずか33.4gau
ss(=2−2×√(299/300)[テスラ])と
小さく,このような磁場強度Bの微小な変化を安定的に
制御することは困難である。また,試料4〜前記スリッ
ト7〜前記散乱イオン検出器8間の距離を変化させる場
合,次の(a2)式を用いて考える。
[Equation 1] Where m is the mass of the scattered ions 5, qe is the charge of the scattered ions, ω c is the cyclotron frequency, v is the ion velocity, and θ
Represents the scattering angle of the scattered ions 5, E represents the energy of the scattered ions 5, and B represents the magnetic field strength (the same applies hereinafter). Here, with respect to He + ions having the same scattering angle, in order to select ions of 300 keV and ions of 299 keV (energy resolution ΔE / E = 0.3%), for example, energy at a magnetic field strength B of about 2 Tesla is used. When detecting the spectrum, the required amount of change in the magnetic field strength B is only 33.4 gau.
It is as small as ss (= 2−2 × √ (299/300) [Tesla]), and it is difficult to stably control such a minute change in the magnetic field strength B. When the distance between the sample 4, the slit 7, and the scattered ion detector 8 is changed, the following equation (a2) is used.

【数2】 但し,tは散乱イオン5が試料4表面で散乱した後に前
記散乱イオン検出器8に到達するまでの経過時間,x,
y,zは散乱イオン5が前記散乱イオン検出器8上に到
達した位置をビーム軸をz軸として表した座標(即ち,
z=L),rは散乱イオン5が前記散乱イオン検出器8
上に到達した位置のz軸(ビーム軸)からの距離を表す
(以下同様)。ここで,前記散乱イオン検出器8が前記
公報1に示されるように円環状であり,rが一定である
とすれば,時間tは次の(a3)式で表される。
[Equation 2] However, t is an elapsed time from when the scattered ions 5 are scattered on the surface of the sample 4 until they reach the scattered ion detector 8, x,
y and z are coordinates (that is, the position where the scattered ion 5 reaches the scattered ion detector 8) with the beam axis as the z axis (ie,
z = L), r is the scattered ion 5 is the scattered ion detector 8
It represents the distance from the z-axis (beam axis) of the position reached above (the same applies hereinafter). Here, assuming that the scattered ion detector 8 is annular as shown in the publication 1 and r is constant, the time t is expressed by the following equation (a3).

【数3】 この(a3)式を(a2)式におけるzの式に代入する
と,次の(a4)式が導かれる。
[Equation 3] By substituting this equation (a3) into the equation of z in the equation (a2), the following equation (a4) is derived.

【数4】 また,前記スリット7の位置で前記散乱イオンはz軸
(ビーム軸O)に接するので,前記散乱イオンが前記ス
リット7を通過後に前記散乱イオン検出器8に到達する
までの時間をt1とすれば,l=vcosθ・t1と表
されるので,これを(a2)式におけるrの式に代入す
ると,次の(a5)式が導かれる。
[Equation 4] Further, since the scattered ions are in contact with the z axis (beam axis O) at the position of the slit 7, if the time until the scattered ions reach the scattered ion detector 8 after passing through the slit 7 is t1. , L = vcos θ · t1. Substituting this into the expression r in expression (a2) leads to expression (a5) below.

【数5】 ここで,L∝vであり,距離Lを変化させればその距離
Lで収束する散乱イオンのvも異なるので,前記スリッ
ト7〜前記散乱イオン検出器8間の距離lも変化させな
ければならないことがわかる。例えば,同じ散乱角度4
5°のHe+イオンについて,300keVのイオンと
299keVのイオンとを選別するためには,Lを0.
584mm変化させる必要があるが,そのときのlの変
化量はわずか0.145mmと小さい。さらに距離L,
lの変化量は,散乱イオン5の速度vによって異なり
(299keVと298keVとを選別するためのL,
lの変化量は,それぞれ0.594mm,0.173m
m),この微小な距離を安定的に制御することは困難で
ある。
[Equation 5] Here, L∝v, and if the distance L is changed, the v of the scattered ions converged at the distance L also differs, so the distance 1 between the slit 7 and the scattered ion detector 8 must also be changed. I understand. For example, the same scattering angle 4
For He + ions of 5 °, in order to select 300 keV ions and 299 keV ions, L was set to 0.
It is necessary to change it by 584 mm, but the change amount of l at that time is as small as 0.145 mm. Further distance L,
The amount of change in l depends on the velocity v of the scattered ions 5 (L for selecting 299 keV and 298 keV,
The amount of change in l is 0.594 mm and 0.173 m, respectively.
m), it is difficult to stably control this minute distance.

【0006】また,前記公報2に示される試料の結晶軸
検出方法では,X線源及びX線検出器が必要となる上,
そのX線源及びX線検出器の設置位置を結晶方位により
変更可能な構成とする必要があり,装置が大型化及び高
コスト化するという問題点があった。さらに,結晶軸の
測定を行う際には,X線をモニターしながら軸調整を行
う必要があり,この軸合わせに手間がかかるという問題
点もあった。また,前記公報2に従来技術として示され
る前記方法においても,前記公報2に示されるように,
試料を360°回転させながら散乱イオンを検出する手
間が多大である上,軸合わせのための散乱イオン検出作
業中,常にイオンビームを照射し続けることにより試料
表面に汚染が生じるという問題点があった。
Further, the crystal axis detecting method of the sample disclosed in the above-mentioned publication 2 requires an X-ray source and an X-ray detector, and
It is necessary to change the installation positions of the X-ray source and the X-ray detector depending on the crystal orientation, which causes a problem that the device becomes large and the cost becomes high. In addition, when measuring the crystal axis, it is necessary to adjust the axis while monitoring the X-ray, and there is a problem that this axis alignment takes time. Further, in the method disclosed in the publication 2 as the prior art, as shown in the publication 2,
There is a problem that it takes a lot of time to detect scattered ions while rotating the sample by 360 °, and that the sample surface is contaminated by constantly irradiating the ion beam during the scattered ion detection work for axis alignment. It was

【0007】従って本発明は,このような従来の技術に
おける課題を解決するために,平行磁場型ラザフォード
後方散乱分析装置を改良し,試料とエネルギー弁別用の
スリットとの間にイオンビームと平行に移動し得るよう
に配置され,散乱イオン検出器側から前記試料に入射す
るイオンビームを通過させる開口を備えた板状の可動板
状スリットと,前記試料と前記可動板状スリットとの間
に前記イオンビームと平行に移動し得るように配置さ
れ,前記散乱イオン検出器側から前記試料に入射するイ
オンビームを通過させる開口を備えた筒状の可動筒状ス
リットとを具備することにより,収束回数の異なる散乱
イオンを弁別し,好適にエネルギー分析を行うこと,さ
らに,高分解能でのエネルギースペクトル測定を容易に
行うこと,並びに,試料に汚染を生じさせずかつ手間な
く試料の結晶軸を検出して結晶軸とイオンビームとの軸
合わせを行うこと,が可能な平行磁場型ラザフォード後
方散乱分析装置及び該装置における試料の結晶軸検出方
法を提供することを目的とするものである。
Therefore, in order to solve the problems in the prior art, the present invention improves the parallel magnetic field type Rutherford backscattering analyzer so that the ion beam is parallel to the sample and the slit for energy discrimination. A movable plate-shaped slit having a plate shape, which is arranged so as to be movable and has an opening for passing an ion beam incident on the sample from the scattered ion detector side, and the slit between the sample and the movable plate slit. The number of convergences is increased by providing a movable cylindrical slit having a cylindrical shape, which is arranged so as to be movable in parallel with the ion beam and has an opening through which the ion beam incident on the sample from the scattered ion detector side passes. Discriminating scattered ions of different wavelengths, performing appropriate energy analysis, and easily performing high-resolution energy spectrum measurement, and Parallel magnetic field type Rutherford backscattering analyzer capable of detecting the crystal axis of the sample and aligning the crystal axis with the ion beam without causing contamination of the sample and the crystal axis of the sample in the apparatus It is intended to provide a detection method.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに,本発明は,イオンビームが入射した試料にて後方
散乱された散乱イオンを検出するための散乱イオン検出
器と,前記イオンビームと平行な磁場を少なくとも前記
試料から前記散乱イオン検出器にかけて発生させる磁場
発生手段と,前記試料と前記散乱イオン検出器との間の
前記散乱イオン検出器に対して予め定められた位置に配
置され,前記散乱イオン検出器側から前記試料に入射す
る前記イオンビームを通過させると共に,前記磁場発生
手段の磁場により前記イオンビームのビーム軸に収束し
た特定のエネルギーと散乱角を有する前記散乱イオンを
前記散乱イオン検出器側に通過させるための開口を備え
た板状の弁別用スリットと,を具備してなる平行磁場型
ラザフォード後方散乱分析装置において,前記試料と前
記弁別用スリットとの間に前記イオンビームと平行に移
動し得るように配置され,前記散乱イオン検出器側から
前記試料に入射するイオンビームを通過させる開口を備
えた板状の可動板状スリットと,前記試料と前記可動板
状スリットとの間に前記イオンビームと平行に移動し得
るように配置され,前記散乱イオン検出器側から前記試
料に入射するイオンビームを通過させる開口を備えた筒
状の可動筒状スリットと,を具備してなることを特徴と
する平行磁場型ラザフォード後方散乱分析装置として構
成されている。この発明では,散乱イオン検出器側から
試料に入射するイオンビームを通過させる開口を備えた
板状の可動板状スリットが,前記試料と弁別用スリット
との間に前記イオンビームと平行に移動し得るように配
置され,前記散乱イオン検出器側から試料に入射するイ
オンビームを通過させる開口を備えた筒状の可動筒状ス
リットが,前記試料と前記可動板状スリットとの間に前
記イオンビームと平行に移動し得るように配置される。
前記可動板状スリットと前記可動筒状スリットとの位置
関係を適当に設定すれば,前記弁別用スリットを通過さ
せる特定の収束回数の散乱イオンを除いた他の収束回数
の散乱イオンを,前記可動板状スリットか前記可動筒状
スリットにあてて,前記可動板状スリットより前記散乱
イオン検出器側に到達するのを防止することができる。
このため,好適にエネルギー分析を行うことが可能にな
る。前記平行磁場型ラザフォード後方散乱分析装置にお
いて,前記可動筒状スリットの軸方向の長さLsは,例
えば前記弁別用スリットと前記試料との間の距離Lに対
し1/6L<Ls<1/3Lの関係を満たすように定め
られる。さらに,前記散乱イオン検出器が,2次元のイ
オン検出器,即ち,前記散乱イオン検出器の検出面上で
の前記散乱イオンの検出位置を検知可能なものであれ
ば,前記散乱イオン検出器により検出された前記散乱イ
オンの検出位置に基づいて,前記散乱イオンのエネルギ
ースペクトルを測定するエネルギースペクトル測定手段
を具備するものも考えられる。これにより,保有エネル
ギーごとにその検出位置(具体的には,イオンビームの
ビーム軸からの距離)が異なる前記散乱イオンを同時に
検出できるので,測定対象とする前記散乱イオンのエネ
ルギーごとに磁場発生手段による磁場強度や前記試料,
前記弁別用スリット,及び前記散乱イオン検出器の相互
間の距離を変更する必要がなく,1度の測定で前記散乱
イオンのエネルギースペクトルを測定することが可能と
なる。2次元のイオン検出器としては,例えば2次元状
に微細検出管が多数配列されたマイクロチャンネルプレ
ートや,1次元(線状)のイオン検出器を複数配列した
もの等が考えられる。
In order to achieve the above object, the present invention provides a scattered ion detector for detecting scattered ions backscattered by a sample on which an ion beam is incident, and the ion beam. A magnetic field generating means for generating a magnetic field parallel to at least the sample from the sample to the scattered ion detector, and disposed between the sample and the scattered ion detector at a predetermined position with respect to the scattered ion detector. , The ion beam incident on the sample from the scattered ion detector side is passed, and the scattered ion having a specific energy and a scattering angle converged on the beam axis of the ion beam by the magnetic field of the magnetic field generation means is A parallel magnetic field type Rutherford rear having a plate-shaped discrimination slit having an opening for passing to the scattered ion detector side In the turbulence analyzer, an opening is provided between the sample and the discrimination slit so as to be movable in parallel with the ion beam, and has an opening for passing an ion beam incident on the sample from the scattered ion detector side. Plate-shaped movable plate-shaped slit, and an ion beam which is arranged between the sample and the movable plate-shaped slit so as to be movable parallel to the ion beam, and which is incident on the sample from the scattered ion detector side. It is configured as a parallel magnetic field type Rutherford backscattering analysis device, characterized in that it comprises a cylindrical movable cylindrical slit having an opening for passing through. In this invention, a plate-shaped movable plate-shaped slit having an opening for passing an ion beam incident on the sample from the scattered ion detector side is moved in parallel with the ion beam between the sample and the discrimination slit. A movable cylindrical slit having an opening for passing an ion beam incident on the sample from the scattered ion detector side, the ion beam being interposed between the sample and the movable plate slit. It is arranged so that it can move in parallel with.
If the positional relationship between the movable plate-shaped slit and the movable cylindrical slit is appropriately set, the scattered ions with the number of convergence times other than the specific number of times of the scattered ions that pass through the discrimination slit are moved by the movable member. It can be applied to the plate-shaped slit or the movable cylindrical slit to prevent the movable plate-shaped slit from reaching the scattered ion detector side.
For this reason, it becomes possible to preferably perform energy analysis. In the parallel magnetic field type Rutherford backscattering analyzer, the axial length Ls of the movable cylindrical slit is, for example, 1 / 6L <Ls <1 / 3L with respect to the distance L between the discrimination slit and the sample. Are established to satisfy the relationship. Further, if the scattered ion detector is a two-dimensional ion detector, that is, if it can detect the detection position of the scattered ions on the detection surface of the scattered ion detector, the scattered ion detector It is also conceivable that the apparatus is provided with an energy spectrum measuring means for measuring the energy spectrum of the scattered ions based on the detected position of the scattered ions detected. Accordingly, the scattered ions having different detection positions (specifically, the distance from the beam axis of the ion beam) can be simultaneously detected for each of the possessed energies, so that the magnetic field generation means can be set for each energy of the scattered ions to be measured. Magnetic field strength and the sample,
It is not necessary to change the distance between the discrimination slit and the scattered ion detector, and the energy spectrum of the scattered ions can be measured by one measurement. As the two-dimensional ion detector, for example, a microchannel plate in which a plurality of fine detection tubes are arranged in a two-dimensional manner, a plurality of one-dimensional (linear) ion detectors in an arrangement, and the like can be considered.

【0009】また,イオンビームが入射した試料にて後
方散乱された散乱イオンを検出するための散乱イオン検
出器と,前記イオンビームと平行な磁場を少なくとも前
記試料から前記散乱イオン検出器にかけて発生させる磁
場発生手段と,前記試料と前記散乱イオン検出器との間
の前記散乱イオン検出器に対して予め定められた位置に
配置され,前記散乱イオン検出器側から前記試料に入射
する前記イオンビームを通過させると共に,前記磁場発
生手段の磁場により前記イオンビームのビーム軸に収束
した特定のエネルギーと散乱角を有する前記散乱イオン
を前記散乱イオン検出器側に通過させるための開口を備
えた板状の弁別用スリットと,を具備してなる平行磁場
型ラザフォード後方散乱分析装置において,前記散乱イ
オン検出器が,2次元のイオン検出器であることを特徴
とする平行磁場型ラザフォード後方散乱分析装置として
構成されたものも考えられる。これにより,前述したよ
うに,保有エネルギーごとにその検出位置が異なる前記
散乱イオンを同時に検出できるので,前記散乱イオン検
出器により検出された前記散乱イオンの検出位置に基づ
いて,前記散乱イオンのエネルギースペクトルを測定す
るエネルギースペクトル測定手段を具備すれば,1度の
測定で前記散乱イオンのエネルギースペクトルを測定す
ることが可能となる。
Further, a scattered ion detector for detecting scattered ions backscattered by the sample into which the ion beam is incident, and a magnetic field parallel to the ion beam are generated at least from the sample to the scattered ion detector. The ion beam that is disposed at a predetermined position with respect to the scattered ion detector between the magnetic field generation means and the sample and the scattered ion detector, and that is incident on the sample from the scattered ion detector side A plate-like plate having an opening for passing the scattered ions having a specific energy and a scattering angle converged to the beam axis of the ion beam by the magnetic field of the magnetic field generating means to the scattered ion detector side. A parallel magnetic field type Rutherford backscattering analyzer comprising a discrimination slit, wherein the scattered ion detector is 2 Also conceivable that it is configured as a parallel magnetic field type Rutherford backscattering analysis apparatus which is a source of an ion detector. As a result, as described above, since the scattered ions whose detection positions are different depending on the possessed energy can be simultaneously detected, the energy of the scattered ions is detected based on the detected position of the scattered ions detected by the scattered ion detector. If the energy spectrum measuring means for measuring the spectrum is provided, it is possible to measure the energy spectrum of the scattered ions with one measurement.

【0010】また,前記散乱イオン検出器により検出さ
れる散乱イオンの検出量分布に基づいて前記試料の結晶
軸を検出する結晶軸検出手段を具備するものも考えられ
る。この場合,前記結晶軸検出手段が,前記散乱イオン
の検出量が相対的に低い部分で形成される複数の帯状の
低検出量領域を検出し,該低検出量領域に基づいて前記
試料の結晶軸を検出するものが考えられ,さらに,前記
結晶軸検出手段が,複数の前記低検出量領域が互いに交
差する部分の中心位置と前記散乱イオン検出器を通過す
る前記イオンビームのビーム軸とのずれに基づいて前記
試料の結晶軸を検出するものが考えられる。これは,イ
オンの散乱が前記試料の成分原子によって阻まれるいわ
ゆるブロッキング現象により,前記試料の結晶面に沿っ
た方向に散乱される前記散乱イオンの検出量は相対的に
低くなるので,前記散乱イオンの検出量分布から,複数
の前記結晶面の方向,及びそれら結晶面が交差する軸で
ある結晶軸を検出(特定)するものである。これによ
り,X線源等を要せず,1回の前記散乱イオンの検出で
前記試料の結晶軸を検出することができる。さらに,前
記結晶軸検出手段の検出結果に基づいて,前記イオンビ
ームのビーム軸が前記試料に入射する角度を調節する入
射角調節手段を具備すれば,ビーム軸と前記試料の結晶
軸とを一致させることが可能となる。また,本発明は,
2次元のイオン検出器である前記散乱イオン検出器を有
する前記平行磁場型ラザフォード後方散乱分析装置を用
いた散乱イオンのエネルギースペクトル測定方法,或い
は試料の結晶軸検出方法として捉えたものであってもよ
い。
It is also conceivable that the apparatus further comprises crystal axis detecting means for detecting the crystal axis of the sample based on the detected amount distribution of scattered ions detected by the scattered ion detector. In this case, the crystal axis detecting means detects a plurality of belt-like low detection amount regions formed in a portion where the detection amount of the scattered ions is relatively low, and the crystal of the sample is detected based on the low detection amount regions. It is conceivable to detect the axis, and the crystal axis detecting means further comprises a center position of a portion where the plurality of low detection amount regions intersect with each other and a beam axis of the ion beam passing through the scattered ion detector. It is conceivable to detect the crystal axis of the sample based on the deviation. This is because the detection amount of the scattered ions scattered in the direction along the crystal plane of the sample is relatively low due to the so-called blocking phenomenon in which the scattering of ions is blocked by the constituent atoms of the sample, and thus the scattered ions From the detection amount distribution of (1), the directions of the plurality of crystal planes and the crystal axes that are the axes intersecting the crystal planes are detected (specified). As a result, the crystal axis of the sample can be detected by detecting the scattered ions once without using an X-ray source or the like. Further, if an incident angle adjusting means for adjusting the angle at which the beam axis of the ion beam is incident on the sample based on the detection result of the crystal axis detecting means is provided, the beam axis coincides with the crystal axis of the sample. It becomes possible. Further, the present invention is
Even if it is considered as a method for measuring an energy spectrum of scattered ions using the parallel magnetic field type Rutherford backscattering analyzer having the scattered ion detector which is a two-dimensional ion detector, or a method for detecting a crystal axis of a sample. Good.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下,添付図面を参照して,本発
明の実施の形態につき説明し,本発明の理解に供する。
尚,以下の実施の形態は,本発明の具体的な例であっ
て,本発明の技術的範囲を限定する性格のものではな
い。ここに,図1は本発明の実施の形態に係る平行磁場
型ラザフォード後方散乱分析装置の要部を説明するため
の図である。本発明の実施の形態に係る平行磁場型ラザ
フォード後方散乱分析装置の基本的な構成は,従来の平
行磁場型ラザフォード後方散乱分析装置と同様である。
図1に示しているのは,イオンビーム2,試料4と,従
来の平行磁場型ラザフォード後方散乱分析装置と同様
の,電磁石(磁場発生手段の具体例)6,アイリス型ス
リット(弁別用スリットの具体例)7,及び散乱イオン
検出器8と,本発明の実施の形態に係る平行磁場型ラザ
フォード後方散乱分析装置の特徴的な構成である。前記
散乱イオン検出器8は,前記イオンビーム2が入射した
試料4にて後方散乱された散乱イオンを検出するための
ものであり,前記電磁石7は,前記イオンビーム2と平
行な矢印B方向に向く磁場を少なくとも前記試料4から
前記散乱イオン検出器8にかけて発生させる。また,前
記アイリス型スリット7は,前記試料4と前記散乱イオ
ン検出器8との間の前記散乱イオン検出器8に対して予
め定められた位置に配置され,前記散乱イオン検出器8
側から前記試料4に入射する前記イオンビーム2を通過
させると共に,前記電磁石6の磁場により前記イオンビ
ーム2のビーム軸に収束した特定のエネルギーと散乱角
を有する前記散乱イオンを前記散乱イオン検出器8側に
通過させるための開口71を備えた円盤状のものであ
る。 (収束回数の異なる散乱イオンの弁別)そして,本発明
の実施の形態に係る平行磁場型ラザフォード後方散乱分
析装置が,特徴とするところは,前記試料4と前記アイ
リス型スリット7との間に前記イオンビーム2と平行に
移動し得るように配置され,前記散乱イオン検出器8側
から前記試料4に入射するイオンビーム2を通過させる
開口91を備えた円盤状の円盤型スリット(可動板状ス
リットの具体例)9と,前記試料4と前記円盤型スリッ
ト9との間に前記イオンビーム2と平行に移動し得るよ
うに配置され,前記散乱イオン検出器8側から前記試料
4に入射するイオンビーム2を通過させる開口101を
備えた筒状の円筒型スリット(可動筒状スリットの具体
例)10とを具備する点である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings to provide an understanding of the present invention.
The following embodiments are specific examples of the present invention and are not of the nature to limit the technical scope of the present invention. FIG. 1 is a diagram for explaining a main part of a parallel magnetic field type Rutherford backscattering analyzer according to the embodiment of the present invention. The basic configuration of the parallel magnetic field type Rutherford backscattering analysis apparatus according to the embodiment of the present invention is the same as that of the conventional parallel magnetic field type Rutherford backscattering analysis apparatus.
FIG. 1 shows an ion beam 2, a sample 4, and an electromagnet (a concrete example of a magnetic field generating means) 6, an iris type slit (of a discrimination slit) similar to the conventional parallel magnetic field type Rutherford backscattering analyzer. (Specific example) 7 and a scattered ion detector 8 and a characteristic configuration of a parallel magnetic field type Rutherford backscattering analyzer according to the embodiment of the present invention. The scattered ion detector 8 is for detecting scattered ions backscattered by the sample 4 on which the ion beam 2 is incident, and the electromagnet 7 is in the direction of arrow B parallel to the ion beam 2. A facing magnetic field is generated at least from the sample 4 to the scattered ion detector 8. Further, the iris type slit 7 is arranged between the sample 4 and the scattered ion detector 8 at a predetermined position with respect to the scattered ion detector 8, and the scattered ion detector 8
The ion beam 2 incident on the sample 4 from the side is passed, and the scattered ion having a specific energy and a specific scattering angle converged on the beam axis of the ion beam 2 by the magnetic field of the electromagnet 6 is detected by the scattered ion detector. It is a disk-shaped object having an opening 71 for passing it to the 8 side. (Discrimination of Scattered Ions with Different Focusing Numbers) The parallel magnetic field type Rutherford backscattering analysis apparatus according to the embodiment of the present invention is characterized in that it is provided between the sample 4 and the iris type slit 7. A disk-shaped disk-shaped slit (movable plate-shaped slit) which is arranged so as to be movable in parallel with the ion beam 2 and has an opening 91 for passing the ion beam 2 incident on the sample 4 from the scattered ion detector 8 side. Specific example 9), and the ions which are arranged between the sample 4 and the disk-shaped slit 9 so as to be able to move parallel to the ion beam 2, and which are incident on the sample 4 from the scattered ion detector 8 side. It is a point that a cylindrical cylindrical slit (a specific example of a movable cylindrical slit) 10 having an opening 101 through which the beam 2 passes is provided.

【0012】以下,本発明の実施の形態に係る平行磁場
型ラザフォード公報散乱分析装置の詳細について説明す
る。一般に,一様な平行磁場中においては,微小点から
生成された荷電粒子は必ず磁場と平行な軸に収束する。
前記平行磁場型ラザフォード後方散乱分析装置について
言い換えれば,前記電磁石6によって発生する一様で平
行な矢印B方向に向く磁場中においては,前記磁場と平
行な前記イオンビーム2が入射した前記試料4にて散乱
された散乱イオンは,必ず前記イオンビーム2のビーム
軸上に収束する。さらに,前記試料4と前記アイリス型
スリット7との距離をLで表すとき,前記アイリス型ス
リット7の開口71を通過する散乱イオンは,前記距離
Lの整数分の1の間隔(L/N,ただしNは整数であ
る)で,前記ビーム軸に対して収束する。前記整数Nが
収束回数となる。このような収束回数Nが異なる多数の
散乱イオンのうちの一部は,前記円筒型スリット10に
衝突する。前記円筒型スリット10の軸方向の長さをL
sで表すとき,次式(1)を満たすN回以上の収束周期
の散乱イオンは,収束周期が短いために必ず前記円筒型
スリット10に衝突し,前記アイリス型スリット7には
到達しない。 Ls>L/N (1) 例えば前記円筒型スリット10の軸方向の長さLsを次
式(2)を満たすように定めると,6回以上収束する全
ての散乱イオンを排除することができる。 L/6<Ls<L/3 (2) また,収束回数が偶数のとき,散乱イオンは,必ず前記
試料4と前記アイリス型スリット7との間の中央にあた
る位置で収束することになる。このため,前記試料4と
前記アイリス型スリット7との間の中央にあたる位置に
前記円筒型スリット10を配置すれば,前記円筒型スリ
ット10に収束回数が偶数回数の散乱イオンを衝突させ
て,前記アイリス型スリット7に到達するのを阻止する
ことができる。さらに,前記円盤型スリット9を,前記
アイリス型スリット7の直近から収束回数が1回のイオ
ンが開口91を通過しない所まで,前記試料4側に配置
すれば,収束回数が1回の散乱イオンを前記円盤型スリ
ット9に衝突させ,前記アイリス型スリット7に到達す
るのを阻止することができる。結局のところ,上式
(2)を満たすような前記円筒型スリット10を用いる
と,前記円筒型スリット10と前記アイリス型スリット
7との位置関係を適当に定めることにより,収束回数が
1,2,3,5の散乱イオンを弁別することが可能にな
る。
Hereinafter, the details of the parallel magnetic field type Rutherford scattering analyzer according to the embodiment of the present invention will be described. Generally, in a uniform parallel magnetic field, charged particles generated from minute points always converge on an axis parallel to the magnetic field.
In other words, regarding the parallel magnetic field type Rutherford backscattering analyzer, in a uniform and parallel magnetic field directed in the direction of arrow B generated by the electromagnet 6, the sample 4 on which the ion beam 2 parallel to the magnetic field is incident. The scattered ions scattered by the beam always converge on the beam axis of the ion beam 2. Further, when the distance between the sample 4 and the iris type slit 7 is represented by L, the scattered ions passing through the opening 71 of the iris type slit 7 have an interval (L / N, However, N is an integer) and converges with respect to the beam axis. The integer N is the number of convergences. A part of the large number of scattered ions having different numbers of convergence N collides with the cylindrical slit 10. The axial length of the cylindrical slit 10 is L
When represented by s, scattered ions having a focusing period of N times or more that satisfy the following expression (1) always collide with the cylindrical slit 10 and do not reach the iris slit 7 because the focusing period is short. Ls> L / N (1) For example, if the axial length Ls of the cylindrical slit 10 is set so as to satisfy the following expression (2), all scattered ions that converge six times or more can be excluded. L / 6 <Ls <L / 3 (2) Further, when the number of times of focusing is even, the scattered ions always converge at a position corresponding to the center between the sample 4 and the iris type slit 7. For this reason, if the cylindrical slit 10 is arranged at a position corresponding to the center between the sample 4 and the iris slit 7, the cylindrical slit 10 is caused to collide with scattered ions having an even number of convergence times, and It can be prevented from reaching the iris type slit 7. Further, if the disk-shaped slit 9 is arranged on the side of the sample 4 from the vicinity of the iris-shaped slit 7 to the position where the ions having the number of times of convergence of 1 do not pass through the aperture 91, the scattered ions having the number of times of convergence of 1 time. Can be prevented from reaching the iris type slit 7 by colliding with the disc type slit 9. After all, if the cylindrical slit 10 that satisfies the above equation (2) is used, the number of convergences is 1, 2 by appropriately setting the positional relationship between the cylindrical slit 10 and the iris slit 7. , 3, 5 scattered ions can be discriminated.

【0013】弁別が可能となることの説明を具体的に行
うために,図2に前記円筒型スリットと前記円盤型スリ
ットとの位置関係を3例示す。なお,図5と同様,図2
における符号51は収束回数が1回の散乱イオンの軌道
を,符号52は収束回数が2回の散乱イオンの軌道を,
符号53は収束回数が3回の散乱イオンの軌道を,符号
54は収束回数が4回の散乱イオンの軌道をそれぞれ表
す。前記円筒型スリット10が上式(2)を満たすよう
なものであれば,収束回数が6回以上の散乱イオンは前
記円筒型スリット10に衝突し,前記アイリス型スリッ
ト7には到達しないので,以降では収束回数が5回以下
の散乱イオンのみを考慮する。例えば図2(a)の例で
は,前記円筒型スリット10の先端102が,前記試料
4と前記アイリス型スリット7との間の中央にあたる位
置から,やや前記試料4側に配置されている。また,前
記円盤型スリット9は,前記アイリス型スリット7の直
近まで退避している。この配置では,前記円筒型スリッ
ト10が前記試料4と前記アイリス型スリット7との間
の中央にあたる位置を遮るので,収束回数が偶数である
散乱イオン52,54は前記円筒型スリット10に衝突
する。また,散乱イオン5の収束回数が3の場合,前記
試料4と前記アイリス型スリット7との間の中央にあた
る位置からL/6の位置で収束する。前記円筒型スリッ
ト10の軸方向長さLsはL/6より大きいので,図2
(a)の円筒型スリット10の配置では,収束回数3の
散乱イオン53も前記円筒型スリット10に衝突する。
散乱イオン5の収束回数が5の場合の軌道は,図2に示
していないが,収束回数が5の散乱イオンが収束する位
置と,前記試料4と前記アイリス型スリット7との間の
中央にあたる位置との距離は,収束回数が3の散乱イオ
ン53の場合よりも小さくなるため,収束回数が5の散
乱イオンも前記円筒型スリット10に衝突する。図2
(a)の例についてまとめると,前記円筒型スリット1
0によって収束回数が2回以上の散乱イオンは全て阻止
される。このとき,前記円盤型スリット9を前記アイリ
ス型スリット7の直近に退避させれば,前記円盤型スリ
ット9の開口91を収束回数が1回の散乱イオン51が
通過して,前記散乱イオン51のみが前記アイリス型ス
リット7に到達する。すなわち,図2(a)の例では,
収束回数が1回の散乱イオン51のみが弁別される。ま
た,図2(b)の例では,前記円筒型スリット10の後
端103が,前記試料4と前記アイリス型スリット7と
の間の中央にあたる位置を遮らない程度に,前記試料4
側に配置されている。また,前記円盤型スリット9は,
前記試料4と前記アイリス型スリット7との間の中央に
あたる位置に配置されている。この配置では,収束回数
が1回の散乱イオン51は,前記円盤型スリット9に衝
突し,前記アイリス型スリット7に到達しない。また,
収束回数が3回,4回,5回の散乱イオンは,前記円筒
型スリット10に衝突し,前記アイリス型スリット7に
到達しない。図2(b)の例では,前記円盤型スリット
9によって収束回数1回の散乱イオンが阻止され,ま
た,前記円筒型スリット10によって収束回数が3,
4,5回の散乱イオンは阻止される。このとき,収束回
数が2回の散乱イオン52のみが,前記円筒型スリット
10に衝突せず,前記円盤型スリット9の開口91を通
過する。すなわち,図2(a)の例では,収束回数が2
回の散乱イオン52のみが弁別される。また,図2
(c)の例では,前記円筒型スリット10の中央位置
が,前記試料4と前記アイリス型スリット7との間の中
央にあたる位置に配置されている。また,前記円盤型ス
リット9は前記アイリス型スリット7の直近から離れた
前記試料4側の位置に配置されている。この配置では,
収束回数が1回の散乱イオン51は,前記円盤型スリッ
ト9に衝突し,前記アイリス型スリット7に到達しな
い。また,前記円筒型スリット10が前記試料4と前記
アイリス型スリット7との間の中央にあたる位置を遮る
ので,収束回数が偶数である散乱イオン52,54は前
記円筒型スリット10に衝突する。また,収束回数が3
の散乱イオン53は,前記円筒型スリット10の軸方向
長さLsがL/3より小さいので,前記円筒型スリット
10に衝突しない。さらに,収束回数が5の散乱イオン
は,収束する位置が前記散乱イオン53より前記試料4
と前記アイリス型スリット7との間の中央にあたる位置
に近く,前記円筒型スリット10の軸方向長さLsによ
っては衝突してしまう場合がある。前記円筒型スリット
10の軸方向長さLsがL/5より小さければ,収束回
数が5の散乱イオンも衝突しない。このとき,収束回数
が3の散乱イオン53,又は収束回数が5の散乱イオン
のいずれかが前記開口91を通過するように前記円盤型
スリット9を配置すれば,他方は前記円盤型スリット9
に衝突するから,収束回数が3又は5の散乱イオンを弁
別することができる。このように,本発明の実施の形態
に係る平行磁場型ラザフォード後方散乱分析装置では,
散乱イオン検出器側から試料に入射するイオンビームを
通過させる開口を備えた円盤型スリットが,前記試料と
アイリス型スリットとの間に前記イオンビームと平行に
移動し得るように配置され,前記散乱イオン検出器側か
ら試料に入射するイオンビームを通過させる開口を備え
た円筒型スリットが,前記試料と前記円筒型スリットと
の間に前記イオンビームと平行に移動し得るように配置
され,さらに前記円筒型スリットの軸方向の長さLs
が,前記散乱イオン検出器と前記試料との間の距離Lに
対し,1/6L<Ls<1/3Lの関係を満たすように
定められるため,収束回数が1,2,3,5の散乱イオ
ンを弁別することができる。その結果,好適にエネルギ
ー分析を行うことが可能となる。なお,前記実施の形態
は好ましい例であり,本発明における可動板状スリッ
ト,及び可動筒状スリットは,それぞれ前記円盤型スリ
ット,及び前記円筒型スリットの構成に限られるもので
はない。
In order to specifically explain that discrimination is possible, FIG. 2 shows three examples of the positional relationship between the cylindrical slit and the disc slit. Note that, as in FIG. 5, FIG.
Reference numeral 51 indicates a trajectory of scattered ions having one convergence time, and reference numeral 52 denotes a trajectory of scattered ions having two convergence times,
Reference numeral 53 represents the trajectories of scattered ions whose number of convergence is three, and reference numeral 54 represents the trajectories of scattered ions whose number of convergence is four. If the cylindrical slit 10 satisfies the above equation (2), scattered ions having the number of convergence of 6 or more collide with the cylindrical slit 10 and do not reach the iris slit 7. In the following, only scattered ions whose number of times of focusing is 5 or less will be considered. For example, in the example of FIG. 2A, the tip 102 of the cylindrical slit 10 is located slightly on the sample 4 side from a position corresponding to the center between the sample 4 and the iris slit 7. Further, the disc-shaped slit 9 is retracted to the closest position to the iris-type slit 7. In this arrangement, the cylindrical slit 10 blocks the central position between the sample 4 and the iris slit 7, so that the scattered ions 52, 54 having an even number of focusing times collide with the cylindrical slit 10. . When the number of times the scattered ions 5 converge is 3, the scattered ions 5 converge at a position L / 6 from the center position between the sample 4 and the iris type slit 7. Since the axial length Ls of the cylindrical slit 10 is larger than L / 6,
In the arrangement of the cylindrical slit 10 in (a), the scattered ions 53 having the number of convergences of 3 also collide with the cylindrical slit 10.
Although the trajectory of the scattered ions 5 when the number of times of focusing is 5 is not shown in FIG. 2, it corresponds to the position where the scattered ions with the number of times of focusing 5 are converged and the center between the sample 4 and the iris type slit 7. Since the distance from the position is smaller than that of the scattered ion 53 having the number of convergence of 3, the scattered ion having the number of convergence of 5 also collides with the cylindrical slit 10. Figure 2
Summarizing the example of (a), the cylindrical slit 1
With 0, all scattered ions whose number of convergence is two or more are blocked. At this time, if the disk-shaped slit 9 is retracted in the immediate vicinity of the iris-shaped slit 7, the scattered ions 51, which converge once, pass through the opening 91 of the disk-shaped slit 9, and only the scattered ions 51 are collected. Reaches the iris type slit 7. That is, in the example of FIG.
Only the scattered ions 51 whose number of times of focusing is once are discriminated. Further, in the example of FIG. 2B, the sample 4 has such a size that the rear end 103 of the cylindrical slit 10 does not block the center position between the sample 4 and the iris slit 7.
It is located on the side. Further, the disc-shaped slit 9 is
It is arranged at a position corresponding to the center between the sample 4 and the iris type slit 7. In this arrangement, the scattered ions 51, which converge once, collide with the disk-shaped slit 9 and do not reach the iris-shaped slit 7. Also,
The scattered ions having the number of convergences of 3, 4, and 5 collide with the cylindrical slit 10 and do not reach the iris slit 7. In the example of FIG. 2B, the disk-shaped slit 9 blocks the scattered ions having the number of times of convergence of 1, and the cylindrical slit 10 has the number of times of convergence of 3, 3.
4, 5 scattered ions are blocked. At this time, only the scattered ions 52 having the number of times of convergence of 2 do not collide with the cylindrical slit 10 and pass through the opening 91 of the disk slit 9. That is, in the example of FIG. 2A, the number of convergences is 2
Only scattered ions 52 are discriminated. Moreover, FIG.
In the example of (c), the center position of the cylindrical slit 10 is arranged at the center position between the sample 4 and the iris type slit 7. Further, the disk-shaped slit 9 is arranged at a position on the side of the sample 4 apart from the immediate vicinity of the iris-shaped slit 7. In this arrangement,
The scattered ions 51, which converge once, collide with the disk-shaped slit 9 and do not reach the iris-shaped slit 7. Further, since the cylindrical slit 10 blocks a position corresponding to the center between the sample 4 and the iris slit 7, the scattered ions 52 and 54 having an even number of convergences collide with the cylindrical slit 10. Also, the number of convergences is 3
Since the axial length Ls of the cylindrical slit 10 is smaller than L / 3, the scattered ions 53 of 6 do not collide with the cylindrical slit 10. Further, the scattered ions having the number of convergences of 5 are located at a position where they are converged by the sample 4 from the scattered ions 53.
It is close to the position between the iris type slit 7 and the iris type slit 7, and may collide depending on the axial length Ls of the cylindrical type slit 10. If the axial length Ls of the cylindrical slit 10 is smaller than L / 5, scattered ions having a focusing frequency of 5 do not collide. At this time, if the disk-shaped slit 9 is arranged so that either the scattered ion 53 having the number of times of convergence of 3 or the scattered ion having the number of times of convergence of 5 passes through the opening 91, the other one is the disk-type slit 9
Therefore, scattered ions having a focusing frequency of 3 or 5 can be discriminated. Thus, in the parallel magnetic field type Rutherford backscattering analyzer according to the embodiment of the present invention,
A disk-shaped slit having an opening for passing an ion beam incident on the sample from the scattered ion detector side is arranged between the sample and the iris type slit so as to be movable in parallel with the ion beam, and the scattering A cylindrical slit having an opening for passing an ion beam incident on the sample from the ion detector side is arranged between the sample and the cylindrical slit so as to be movable in parallel with the ion beam, and further, Axial length Ls of cylindrical slit
Is determined so as to satisfy the relationship of 1 / 6L <Ls <1 / 3L with respect to the distance L between the scattered ion detector and the sample, so that the number of convergences is 1, 2, 3, 5 Ions can be discriminated. As a result, it becomes possible to preferably perform energy analysis. The above-described embodiment is a preferred example, and the movable plate-shaped slit and the movable cylindrical slit in the present invention are not limited to the configurations of the disc-shaped slit and the cylindrical slit, respectively.

【0014】(散乱イオンのエネルギースペクトル測
定)次に,前記散乱イオン検出器8として,その中央部
に前記イオンビーム2を通過させる開口を有する2次元
のイオン検出器を用いた場合の前記散乱イオンの選別
(分別)方法について説明する。前記散乱イオン検出器
8として2次元のイオン検出器を用いた場合には,前記
電磁石6による磁場強度や,前記試料4〜前記スリット
7〜前記散乱イオン検出器8間の距離を変化させる必要
がない。以下,これについて説明する。前記散乱イオン
が前記散乱イオン検出器8に到達した位置の前記イオン
ビーム2のビーム軸からの距離rは,前述した(a5)
式で表される。ここでrは,2次元のイオン検出器であ
る前記散乱イオン検出器8により検出したイオンの位置
(x,y)(z軸=ビーム軸とする)から,r=√(x
2+y2)により求まるので,rが求まれば,(a5)式
により,その位置(ビーム軸からの距離がrの位置)に
到達した前記散乱イオンのエネルギーが求まる。そし
て,例えば,同じ散乱角度のHe+イオンについて,2
テスラ前後の磁場強度下で300keVのイオンと29
9keVのイオンとを選別(エネルギー分解能ΔE/E
=0.3%)するためには,前記散乱イオン検出器8の
位置検出分解能(例えば,前記マイクロチャンネルプレ
ートにおける前記微細検出管の間隔)が0.33mm程
度であれば足り,この程度の位置検出分解能を有する2
次元のイオン検出器を構成することは容易である。仮
に,前記試料4〜前記スリット7間の距離Lを350m
m,前記スリット7〜前記散乱イオン検出器8間の距離
lを120mm,前記磁場強度Bを2テスラ,前記散乱
イオン検出器8の検出範囲の半径を100mm,その位
置検出分解能を0.33mmとすれば,1keV以下の
前記エネルギー分解能ΔE/Eで,150keV〜30
0keVの範囲の散乱He +イオンを1度に測定するこ
とが可能となり,従来,150回の測定を要して得られ
たデータを1回の測定で得られることになる。これによ
り,磁場強度や,前記試料4等の位置関係を変化させる
手間が省けるとともに,試料へのイオン照射時間が短縮
され,試料表面の汚染を最小限に抑えることができる。
さらに,前記マイクロチャンネルプレート等である2次
元の前記散乱イオン検出器8の位置検出分解能を0.3
3mmより小さくすることも可能であり,従来の方法で
は困難であった1keV以下のエネルギー分解能を得る
ことも可能となる。上述した前記散乱イオンの検出位置
に基づくエネルギーの計算(即ち,エネルギースペクト
ルの測定)は,例えば,前記散乱イオン検出器8による
検出量データを取り込むインターフェースを備えた計算
機等(前記エネルギースペクトル測定手段の一例)によ
り実行すればよい。
(Energy spectrum measurement of scattered ions
Next, as the scattered ion detector 8, its central portion
Two-dimensional with an opening through which the ion beam 2 passes
Of Scattered Ions Using Other Ion Detectors
The method of (sorting) will be described. The scattered ion detector
When a two-dimensional ion detector is used as 8,
Magnetic field strength by the electromagnet 6, the sample 4 to the slit
7-It is necessary to change the distance between the scattered ion detectors 8
There is no. This will be described below. The scattered ions
The ion at the position where the particle has reached the scattered ion detector 8
The distance r from the beam axis of the beam 2 is as described above (a5).
It is represented by a formula. Where r is a two-dimensional ion detector
Position of ions detected by the scattered ion detector 8
From (x, y) (z axis = beam axis), r = √ (x
2+ Y2), So if r is found, equation (a5)
To that position (the position where the distance from the beam axis is r)
The energy of the scattered ions that have reached is obtained. That
For example, He with the same scattering angle+About Aeon, 2
Ions of 300 keV and 29 under magnetic field strength around Tesla
Select ions with 9 keV (energy resolution ΔE / E
= 0.3%), the scattered ion detector 8
Position detection resolution (for example, the microchannel
Distance between the fine detection tubes) is about 0.33 mm
The degree is enough, and the position detection resolution of this level is 2
It is easy to construct a two-dimensional ion detector. Temporary
And the distance L between the sample 4 and the slit 7 is 350 m
m, distance between the slit 7 and the scattered ion detector 8
1 is 120 mm, the magnetic field strength B is 2 Tesla, and the scattering is
The radius of the detection range of the ion detector 8 is 100 mm,
If the position detection resolution is 0.33 mm, it is less than 1 keV.
With the energy resolution ΔE / E, 150 keV to 30
Scattering He in the range of 0 keV +Ions can be measured at once
It has become possible to obtain
The obtained data can be obtained by one measurement. By this
Change the magnetic field strength and the positional relationship of the sample 4, etc.
It saves labor and shortens the ion irradiation time to the sample.
Therefore, contamination of the sample surface can be minimized.
In addition, the secondary such as the micro channel plate
The original position detection resolution of the scattered ion detector 8 is 0.3.
It is possible to make it smaller than 3 mm.
Obtains energy resolution below 1 keV, which was difficult
It is also possible. Detection position of the above-mentioned scattered ions
Energy calculation based on
Measurement) by, for example, the scattered ion detector 8
Calculation with an interface for capturing detection data
Machine (an example of the energy spectrum measuring means)
Just run it.

【0015】(試料の結晶軸検出,軸合わせ)次に,前
記散乱イオン検出器8として,その中央部に前記イオン
ビーム2を通過させる開口を有する2次のイオン検出器
を用いた場合の前記試料4の結晶軸検出及び該結晶軸と
前記イオンビーム2のビーム軸との軸合わせについて説
明する。図7は,前記散乱イオン検出器8に2次元のイ
オン検出器を用いた平行磁場型ラザフォード後方散乱分
析装置の概略構成及び前記散乱イオン検出器8上におけ
るイオン検出量の分布を表す図である。前記イオンビー
ム2のビーム軸が前記試料4の結晶軸と一致していない
(ずれている)場合,イオンの散乱が前記試料4の成分
原子によって阻まれるいわゆるブロッキング現象によ
り,前記試料4の結晶面に沿った方向に散乱される前記
散乱イオンの検出量は低くなる。このため,例えば,前
記イオンビーム2のビーム軸が,前記試料4の<111
>軸から少しずれている場合,前記散乱イオン検出器8
により検出される前記散乱イオンの検出量の分布を濃度
分布(白抜きの部分が前記散乱イオンの検出量が低い部
分)として示すと,図7(の8a)に示すように,前記
散乱イオンの検出量が相対的に低い部分(検出量=0を
含む)で形成される帯状の低検出量領域(以下,低検出
量ラインLlowという)が複数形成される。該低検出量
ラインLlowの特定方法としては,例えば,全体の平均
イオン検出量に対して所定比率以下の部分を前記低検出
量ラインLlowとする等の方法が考えられる。前記低検
出量ラインLlowそれぞれは,前記試料4の結晶面それ
ぞれに対応するため,前記イオンビーム2のビーム軸O
と前記低検出量ラインLlowが互いに交差する部分の中
心位置O1(交点)とのずれが,前記ビーム軸Oと前記
試料4の結晶軸(<111>軸)とのずれを表すことに
なる。従って,前記試料4の測定前に,一度だけ前記散
乱イオンの分布を検出することにより,前記ビーム軸O
と前記低検出量ラインLlowの交点O1とのずれ(相対
位置関係)がわかれば,そのずれ分だけ前記イオンビー
ム2が前記試料4に入射する角度を調節することによっ
て前記ビーム軸Oと前記試料4の結晶軸とを一致させる
(軸合わせする)ことができる。
(Detection of Crystal Axis of Sample, Alignment of Axis) Next, as the scattered ion detector 8, a secondary ion detector having an opening for passing the ion beam 2 in the center thereof is used. The detection of the crystal axis of the sample 4 and the alignment of the crystal axis with the beam axis of the ion beam 2 will be described. FIG. 7 is a diagram showing a schematic configuration of a parallel magnetic field type Rutherford backscattering analyzer using a two-dimensional ion detector as the scattered ion detector 8 and a distribution of the amount of detected ions on the scattered ion detector 8. . When the beam axis of the ion beam 2 does not match (shifts) with the crystal axis of the sample 4, the crystal plane of the sample 4 is caused by a so-called blocking phenomenon in which the scattering of ions is blocked by the constituent atoms of the sample 4. The detected amount of the scattered ions scattered in the direction along is low. Therefore, for example, the beam axis of the ion beam 2 is <111 of the sample 4.
> If there is a slight deviation from the axis, the scattered ion detector 8
When the distribution of the detected amount of the scattered ions detected by the above is shown as a concentration distribution (a white portion is a portion where the detected amount of the scattered ions is low), as shown in FIG. 7 (8a), A plurality of belt-like low detection amount regions (hereinafter, referred to as low detection amount line Llow) formed in a portion where the detection amount is relatively low (including detection amount = 0) are formed. As a method of specifying the low detection amount line Llow, for example, a method in which a portion having a predetermined ratio or less with respect to the average detection amount of the whole is set as the low detection amount line Llow can be considered. Since each of the low detection amount lines Llow corresponds to each of the crystal planes of the sample 4, the beam axis O of the ion beam 2 is
The deviation between the center position O1 (intersection point) of the portion where the low detection amount line Llow intersects with each other represents the deviation between the beam axis O and the crystal axis (<111> axis) of the sample 4. Therefore, by detecting the distribution of the scattered ions only once before the measurement of the sample 4, the beam axis O
If the deviation (relative positional relationship) between the low detection line Llow and the intersection point O1 is known, the beam axis O and the sample can be adjusted by adjusting the angle at which the ion beam 2 is incident on the sample 4 by the deviation. The crystal axes of 4 can be matched (aligned).

【0016】以下,前記ビーム軸Oと前記低検出量ライ
ンLlowの交点O1とのずれに基づく軸合わせの方法に
ついて説明する。まず,前記散乱イオン検出器8上にお
いて,前記散乱イオンが検出される位置(x,y)(前
記ビーム軸Oをz軸とする)と前記ビーム軸Oとの距離
rは,前述した(a4)式で表される。また,前記散乱
イオン検出器8の検出面(x−y平面)方向の角度(即
ち,図9に示すように前記ビーム軸O方向から見たとき
の角度)をψとし(図8参照),前記検出位置(x,
y)のψ=ψb’とすると,前記散乱イオンの散乱角度
θの前記散乱イオン検出器8の検出面に平行な方向の角
度成分ψbは,以下のようにして求められる。前述した
(a5)式を導出したのと同様に,前記散乱イオンが前
記スリット7を通過後に前記散乱イオン検出器8に到達
するまでの時間をt1とすれば,l=vcosθ・t1
と表されるので,これを(a2)式におけるx,yの式
に代入すれば,ψbとψb’の差Δψb(図9参照)に関
する次の(a6)式が導かれる。
A method of axis alignment based on the deviation between the beam axis O and the intersection O1 of the low detection line Llow will be described below. First, on the scattered ion detector 8, the distance r between the position (x, y) at which the scattered ions are detected (the beam axis O is the z axis) and the beam axis O is as described above (a4 ) Is represented by the formula. Further, an angle in the detection surface (xy plane) direction of the scattered ion detector 8 (that is, an angle when viewed from the beam axis O direction as shown in FIG. 9) is ψ (see FIG. 8), The detection position (x,
If y = ψ b ′ in y), the angular component ψ b of the scattering angle θ of the scattered ions in the direction parallel to the detection surface of the scattered ion detector 8 is obtained as follows. Similarly to the case of deriving the equation (a5) described above, if the time required for the scattered ions to reach the scattered ion detector 8 after passing through the slit 7 is t1, then l = vcos θ · t1
By substituting this into the expressions x and y in the expression (a2), the following expression (a6) regarding the difference Δψ b (see FIG. 9) between ψb and ψ b 'is derived.

【数6】 この(a6)式より,ψbは次の(a7)式により求め
ることができる。
[Equation 6] From this equation (a6), ψ b can be obtained by the following equation (a7).

【数7】 (a5)式及び(a7)式により,前記低検出量ライン
Llowの交点O1の位置情報から,前記散乱イオンのエ
ネルギー,前記散乱イオンの散乱角度θの試料表面に垂
直な方向の角度成分θb,同試料表面に平行な方向の角
度成分ψbを求めることができる。従って,前記ビーム
軸に対する前記試料の角度(即ち,前記ビーム軸が前記
試料に入射する角度)を調節する所定の入射角調節手段
(不図示)により,前記試料をψb方向の軸と前記ビー
ム軸とを含む面に沿った調節角度φ=θbだけ傾斜させ
る(調節する)ことにより,前記ビーム軸と前記試料の
結晶軸とを一致させることができる。このように,前記
ビーム軸Oと前記低検出量ラインLlowの交点O1との
ずれ(即ち,座標(x,y))に基づいて軸合わせを行
うことができる。上述した前記散乱イオンの検出量分布
に基づく前記試料の結晶軸の検出,及び前記入射角調節
手段による調節角度の計算は,例えば,前記散乱イオン
検出器8による検出量データを取り込むインターフェー
スを備えた計算機等(前記結晶軸検出手段の一例)によ
り実行すればよい。図10は,上述した方法で前記試料
の結晶軸と前記ビーム軸Oとを一致させたときの前記散
乱イオン検出器8上におけるイオン検出量の分布を濃度
分布(白抜きの部分が前記散乱イオンの検出量が低い部
分)として表したものである。図10に示すように前記
低検出量ラインLlowの交点O1と前記ビーム軸Oとが
一致することがわかる。
[Equation 7] From equations (a5) and (a7), from the position information of the intersection O1 of the low detection line Llow, the energy of the scattered ions and the angular component θ b of the scattering angle θ of the scattered ions in the direction perpendicular to the sample surface are obtained. , The angle component ψ b in the direction parallel to the sample surface can be obtained. Therefore, a predetermined incident angle adjusting means (not shown) for adjusting the angle of the sample with respect to the beam axis (that is, the angle at which the beam axis is incident on the sample) is used to move the sample to the axis in the ψ b direction and the beam. By tilting (adjusting) the adjustment angle φ = θ b along the plane including the axis, the beam axis and the crystal axis of the sample can be matched. In this way, axis alignment can be performed based on the deviation (that is, the coordinates (x, y)) between the beam axis O and the intersection O1 of the low detection line Llow. The detection of the crystal axis of the sample based on the detected amount distribution of the scattered ions and the calculation of the adjustment angle by the incident angle adjusting means are provided with an interface for taking in the detected amount data by the scattered ion detector 8, for example. It may be executed by a computer or the like (an example of the crystal axis detecting means). FIG. 10 shows the distribution of the amount of detected ions on the scattered ion detector 8 when the crystal axis of the sample and the beam axis O are made to coincide with each other by the method described above. Of the low detection amount). As shown in FIG. 10, it can be seen that the intersection O1 of the low detection amount line Llow and the beam axis O coincide with each other.

【0017】[0017]

【発明の効果】以上説明した通り,本発明では,散乱イ
オン検出器側から試料に入射するイオンビームを通過さ
せる開口を備えた板状の可動板状スリットが,前記試料
と弁別用スリットとの間に前記イオンビームと平行に移
動し得るように配置され,前記散乱イオン検出器側から
試料に入射するイオンビームを通過させる開口を備えた
筒状の可動筒状スリットが,前記試料と前記可動板状ス
リットとの間に前記イオンビームと平行に移動し得るよ
うに配置されるため,前記可動板状スリットと前記可動
筒状スリットとの位置関係を適当に設定すれば,前記弁
別用スリットを通過させる特定の収束回数の散乱イオン
を除いた他の収束回数の散乱イオンを,前記可動板状ス
リットか前記可動筒状スリットにあてて,前記可動板状
スリットより前記散乱イオン検出器側に到達するのを防
止することができる。このため,好適にエネルギー分析
を行うことが可能になる。さらに,前記平行磁場型ラザ
フォード後方散乱分析装置において,前記可動筒状スリ
ットの軸方向の長さLsを,例えば前記散乱イオン検出
器と前記試料との間の距離Lに対し,1/6L<Ls<
1/3Lの関係を満たすように定めれば,収束回数が
1,2,3,5の散乱イオンを弁別することが可能とな
る。
As described above, according to the present invention, a plate-like movable plate-shaped slit having an opening for passing an ion beam incident on the sample from the scattered ion detector side is provided between the sample and the discrimination slit. A movable cylindrical slit having an opening through which the ion beam incident on the sample from the side of the scattered ion detector is passed, the movable cylindrical slit being disposed so as to be movable in parallel with the sample. Since it is arranged between the plate-shaped slit and the plate-shaped slit so as to be able to move in parallel with the ion beam, if the positional relationship between the movable plate-shaped slit and the movable cylindrical slit is set appropriately, the discrimination slit can be formed. Scattered ions having a specific number of times of focusing other than the specific number of focused ions to be passed are applied to the movable plate-like slit or the movable cylindrical slit, and the movable plate-like slit is used to It can be prevented from reaching the turbulent ion detector side. For this reason, it becomes possible to preferably perform energy analysis. Further, in the parallel magnetic field type Rutherford backscattering analyzer, the axial length Ls of the movable cylindrical slit is, for example, 1 / 6L <Ls with respect to the distance L between the scattered ion detector and the sample. <
If it is determined that the relationship of 1 / 3L is satisfied, it becomes possible to discriminate scattered ions having the number of convergences of 1, 2, 3, and 5.

【0018】また,前記散乱イオン検出器として,試料
に入射するイオンビームを通過させる開口を備えた2次
元のイオン検出器を用いれば,1回の測定で広範囲のエ
ネルギースペクトルを測定できるので,測定工数を大幅
に縮減できるとともに,試料へのイオンビーム照射時間
を短縮できるので,試料表面の汚染も最小限に抑えるこ
とができる。さらに,前記散乱イオン検出器の位置検出
分解能を上げる(例えば,0.33mm以下)ことによ
り,従来困難であった1keV以下の高分解能でエネル
ギーエネルギースペクトルを測定することが可能とな
る。また,前記2次元のイオン検出器を用いることによ
り,X線源及びX線検出装置を設けたり,試料を回転さ
せながら散乱イオン検出を長時間行う必要がなく,シン
プルな構成で間便かつ短時間で,しかも試料表面の汚染
を最小限に抑えながら試料の結晶軸を検出して該結晶軸
とイオンビームとの軸合わせを行うことができる。
If a two-dimensional ion detector having an aperture for passing the ion beam incident on the sample is used as the scattered ion detector, a wide range of energy spectrum can be measured by one measurement. The number of steps can be greatly reduced, and the ion beam irradiation time to the sample can be shortened, so that contamination of the sample surface can be minimized. Further, by increasing the position detection resolution of the scattered ion detector (for example, 0.33 mm or less), it becomes possible to measure the energy energy spectrum with a high resolution of 1 keV or less, which has been difficult in the past. Further, by using the two-dimensional ion detector, there is no need to provide an X-ray source and an X-ray detector, or to perform scattered ion detection for a long time while rotating the sample. The crystal axis of the sample can be detected and the axis of the crystal axis of the sample can be aligned with the ion beam in a short time and while minimizing the contamination of the sample surface.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の実施の形態に係る平行磁場型ラザフ
ォード後方散乱分析装置の要部を説明するための図。
FIG. 1 is a diagram for explaining a main part of a parallel magnetic field type Rutherford backscattering analyzer according to an embodiment of the present invention.

【図2】 収束回数が異なる散乱イオンの弁別を具体的
に説明するための図。
FIG. 2 is a diagram for specifically explaining discrimination of scattered ions having different numbers of times of focusing.

【図3】 従来の平行磁場型ラザフォード後方散乱分析
装置の概略構成例を示す図。
FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration example of a conventional parallel magnetic field type Rutherford backscattering analyzer.

【図4】 散乱イオン検出器の簡略的な外観の一例を示
す図。
FIG. 4 is a diagram showing an example of a simple appearance of a scattered ion detector.

【図5】 収束回数が異なる散乱イオンの描く軌道を示
す図。
FIG. 5 is a diagram showing trajectories of scattered ions having different numbers of convergences.

【図6】 散乱イオンのエネルギーと散乱イオン検出器
の中心からの距離との関係を収束回数の異なる散乱イオ
ン毎に示す図。
FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the energy of scattered ions and the distance from the center of the scattered ion detector for each scattered ion having a different number of convergences.

【図7】 散乱イオン検出器に2次元のイオン検出器を
用いた平行磁場型ラザフォード後方散乱分析装置の概略
構成及び散乱イオン検出器上におけるイオン検出量の分
布を表す図。
FIG. 7 is a diagram showing a schematic configuration of a parallel magnetic field type Rutherford backscattering analyzer using a two-dimensional ion detector as a scattered ion detector and a distribution of an amount of detected ions on the scattered ion detector.

【図8】 イオンビームのビーム軸方向から見た試料表
面からの散乱イオンの散乱角度を表す図。
FIG. 8 is a diagram showing a scattering angle of scattered ions from a sample surface viewed from the beam axis direction of the ion beam.

【図9】 イオンビームのビーム軸方向から見た散乱イ
オンの散乱角度と散乱イオンが検出器に到達した位置の
角度との差を表した図。
FIG. 9 is a diagram showing the difference between the scattering angle of scattered ions and the angle at the position where the scattered ions reach the detector as seen from the beam axis direction of the ion beam.

【図10】 試料の結晶軸とイオンビームのビーム軸と
を一致させたときの散乱イオン検出器上におけるイオン
検出量の分布を表す図。
FIG. 10 is a diagram showing the distribution of the amount of detected ions on the scattered ion detector when the crystal axis of the sample is aligned with the beam axis of the ion beam.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2…イオンビーム 4…試料 6…電磁石 7…アイリス型スリット(アパーチャ) 8…散乱イオン検出器 9…円盤型スリット 10…円筒型スリット 91,101…開口 O…イオンビームのビーム軸 8a…散乱イオン検出器上におけるイオン検出量の分布
(濃度分布)
2 ... Ion beam 4 ... Sample 6 ... Electromagnet 7 ... Iris type slit (aperture) 8 ... Scattering ion detector 9 ... Disk type slit 10 ... Cylindrical slits 91, 101 ... Aperture O ... Ion beam beam axis 8a ... Scattering ions Ion detection amount distribution (concentration distribution) on the detector

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井上 憲一 兵庫県神戸市西区高塚台1丁目5番5号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 Fターム(参考) 2G001 AA05 BA15 CA05 DA09 GA02 GA10 GA14 KA08 SA01 SA30 5C033 RR04 RR10 5C038 KK12 KK13 KK17 KK20    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Kenichi Inoue             1-5-5 Takatsukadai, Nishi-ku, Kobe City, Hyogo Prefecture             Kobe Steel Co., Ltd.Kobe Research Institute F term (reference) 2G001 AA05 BA15 CA05 DA09 GA02                       GA10 GA14 KA08 SA01 SA30                 5C033 RR04 RR10                 5C038 KK12 KK13 KK17 KK20

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 イオンビームが入射した試料にて後方散
乱された散乱イオンを検出するための散乱イオン検出器
と,前記イオンビームと平行な磁場を少なくとも前記試
料から前記散乱イオン検出器にかけて発生させる磁場発
生手段と,前記試料と前記散乱イオン検出器との間の前
記散乱イオン検出器に対して予め定められた位置に配置
され,前記散乱イオン検出器側から前記試料に入射する
前記イオンビームを通過させると共に,前記磁場発生手
段の磁場により前記イオンビームのビーム軸に収束した
特定のエネルギーと散乱角を有する前記散乱イオンを前
記散乱イオン検出器側に通過させるための開口を備えた
板状の弁別用スリットと,を具備してなる平行磁場型ラ
ザフォード後方散乱分析装置において,前記試料と前記
弁別用スリットとの間に前記イオンビームと平行に移動
し得るように配置され,前記散乱イオン検出器側から前
記試料に入射するイオンビームを通過させる開口を備え
た筒状の可動筒状スリットと,前記試料と前記可動板状
スリットとの間に前記イオンビームと平行に移動し得る
ように配置され,前記散乱イオン検出器側から前記試料
に入射するイオンビームを通過させる開口を備えた筒状
の可動筒状スリットと,を具備してなることを特徴とす
る平行磁場型ラザフォード後方散乱分析装置。
1. A scattered ion detector for detecting scattered ions backscattered by a sample into which an ion beam is incident, and a magnetic field parallel to the ion beam is generated at least from the sample to the scattered ion detector. The ion beam that is disposed at a predetermined position with respect to the scattered ion detector between the magnetic field generation means and the sample and the scattered ion detector, and that is incident on the sample from the scattered ion detector side A plate-like plate having an opening for passing the scattered ions having a specific energy and a scattering angle converged to the beam axis of the ion beam by the magnetic field of the magnetic field generating means to the scattered ion detector side. In a parallel magnetic field type Rutherford backscattering analyzer comprising a discrimination slit, the sample and the discrimination slit are A cylindrical movable cylindrical slit having an opening which is arranged so as to be movable in parallel with the ion beam and which allows an ion beam incident on the sample from the scattered ion detector side to pass therethrough; A cylindrical movable cylindrical slit provided between the movable plate-shaped slit and the movable plate-shaped slit so as to be movable in parallel with the ion beam, and having an opening for passing the ion beam incident on the sample from the scattered ion detector side. And a parallel magnetic field type Rutherford backscattering analyzer.
【請求項2】 前記可動筒状スリットの軸方向の長さL
sが,前記弁別用スリットと前記試料との間の距離Lに
対し,1/6L<Ls<1/3Lの関係を満たすように
定められた請求項1記載の平行磁場型ラザフォード後方
散乱分析装置。
2. A length L of the movable cylindrical slit in the axial direction.
The parallel magnetic field type Rutherford backscattering analyzer according to claim 1, wherein s is set to satisfy a relationship of 1 / 6L <Ls <1 / 3L with respect to a distance L between the discrimination slit and the sample. .
【請求項3】 前記散乱イオン検出器が,2次元のイオ
ン検出器である請求項1又は2のいずれかに記載の平行
磁場型ラザフォード後方散乱分析装置。
3. The parallel magnetic field type Rutherford backscattering analyzer according to claim 1, wherein the scattered ion detector is a two-dimensional ion detector.
【請求項4】 前記散乱イオン検出器により検出された
前記散乱イオンの検出位置に基づいて,前記散乱イオン
のエネルギースペクトルを測定するエネルギースペクト
ル測定手段を具備してなる請求項1〜3のいずれかに記
載の平行磁場型ラザフォード後方散乱分析装置。
4. The energy spectrum measuring means for measuring the energy spectrum of the scattered ions based on the detection position of the scattered ions detected by the scattered ion detector. A parallel magnetic field type Rutherford backscattering analyzer according to 1.
【請求項5】 イオンビームが入射した試料にて後方散
乱された散乱イオンを検出するための散乱イオン検出器
と,前記イオンビームと平行な磁場を少なくとも前記試
料から前記散乱イオン検出器にかけて発生させる磁場発
生手段と,前記試料と前記散乱イオン検出器との間の前
記散乱イオン検出器に対して予め定められた位置に配置
され,前記散乱イオン検出器側から前記試料に入射する
前記イオンビームを通過させると共に,前記磁場発生手
段の磁場により前記イオンビームのビーム軸に収束した
特定のエネルギーと散乱角を有する前記散乱イオンを前
記散乱イオン検出器側に通過させるための開口を備えた
板状の弁別用スリットと,を具備してなる平行磁場型ラ
ザフォード後方散乱分析装置において,前記散乱イオン
検出器が,2次元のイオン検出器であることを特徴とす
る平行磁場型ラザフォード後方散乱分析装置。
5. A scattered ion detector for detecting scattered ions backscattered by a sample into which an ion beam is incident, and a magnetic field parallel to the ion beam is generated at least from the sample to the scattered ion detector. The ion beam that is disposed at a predetermined position with respect to the scattered ion detector between the magnetic field generation means and the sample and the scattered ion detector, and that is incident on the sample from the scattered ion detector side A plate-like plate having an opening for passing the scattered ions having a specific energy and a scattering angle converged to the beam axis of the ion beam by the magnetic field of the magnetic field generating means to the scattered ion detector side. In a parallel magnetic field type Rutherford backscattering analyzer comprising a discrimination slit, the scattered ion detector is a two-dimensional A parallel magnetic field type Rutherford backscattering analyzer characterized by being an ion detector.
【請求項6】 前記散乱イオン検出器により検出された
前記散乱イオンの検出位置に基づいて,前記散乱イオン
のエネルギースペクトルを測定するエネルギースペクト
ル測定手段を具備してなる請求項5に記載の平行磁場型
ラザフォード後方散乱分析装置。
6. The parallel magnetic field according to claim 5, further comprising energy spectrum measuring means for measuring an energy spectrum of the scattered ions based on a detection position of the scattered ions detected by the scattered ion detector. Rutherford backscatter analyzer.
【請求項7】 前記散乱イオン検出器により検出される
散乱イオンの検出量分布に基づいて前記試料の結晶軸を
検出する結晶軸検出手段を具備してなる請求項5又は6
のいずれかに記載の平行磁場型ラザフォード後方散乱分
析装置。
7. The crystal axis detecting means for detecting the crystal axis of the sample based on the detected amount distribution of scattered ions detected by the scattered ion detector.
5. A parallel magnetic field type Rutherford backscattering analyzer according to any one of 1.
【請求項8】 前記結晶軸検出手段が,前記散乱イオン
の検出量が相対的に低い部分で形成される複数の帯状の
低検出量領域を検出し,該低検出量領域に基づいて前記
試料の結晶軸を検出するものである請求項7に記載の平
行磁場型ラザフォード後方散乱分析装置。
8. The crystal axis detecting means detects a plurality of belt-like low detection amount regions formed in a portion where the detection amount of the scattered ions is relatively low, and the sample is detected based on the low detection amount regions. 8. The parallel magnetic field type Rutherford backscattering analyzer according to claim 7, which detects the crystal axis of the.
【請求項9】 前記結晶軸検出手段が,複数の前記低検
出量領域が互いに交差する部分の中心位置と前記散乱イ
オン検出器を通過する前記イオンビームのビーム軸との
ずれに基づいて前記試料の結晶軸を検出するものである
請求項8に記載の平行磁場型ラザフォード後方散乱分析
装置。
9. The sample according to claim 1, wherein the crystal axis detection means is based on a deviation between a center position of a portion where a plurality of the low detection amount regions intersect with each other and a beam axis of the ion beam passing through the scattered ion detector. 9. The parallel magnetic field type Rutherford backscattering analyzer according to claim 8, which detects the crystal axis of the.
【請求項10】 前記結晶軸検出手段の検出結果に基づ
いて,前記イオンビームのビーム軸が前記試料に入射す
る角度を調節する入射角調節手段を具備してなる請求項
7〜9のいずれかに記載の平行磁場型ラザフォード後方
散乱分析装置。
10. The incident angle adjusting means for adjusting the angle at which the beam axis of the ion beam is incident on the sample based on the detection result of the crystal axis detecting means. A parallel magnetic field type Rutherford backscattering analyzer according to 1.
【請求項11】 イオンビームが入射した試料にて後方
散乱された散乱イオンを検出するための散乱イオン検出
器と,前記イオンビームと平行な磁場を少なくとも前記
試料から前記散乱イオン検出器にかけて発生させる磁場
発生手段と,前記試料と前記散乱イオン検出器との間の
前記散乱イオン検出器に対して予め定められた位置に配
置され,前記散乱イオン検出器側から前記試料に入射す
る前記イオンビームを通過させると共に,前記磁場発生
手段の磁場により前記イオンビームのビーム軸に収束し
た特定のエネルギーと散乱角を有する前記散乱イオンを
前記散乱イオン検出器側に通過させるための開口を備え
た板状の弁別用スリットと,を具備してなる平行磁場型
ラザフォード後方散乱分析装置を用いた散乱イオンのエ
ネルギースペクトル測定方法であって,2次元のイオン
検出器である前記散乱イオン検出器により検出される散
乱イオンの検出位置に基づいて,前記散乱イオンのエネ
ルギースペクトルを測定してなることを特徴とする平行
磁場型ラザフォード後方散乱分析装置を用いた散乱イオ
ンのエネルギースペクトル測定方法。
11. A scattered ion detector for detecting scattered ions backscattered in a sample into which an ion beam is incident, and a magnetic field parallel to the ion beam is generated at least from the sample to the scattered ion detector. The ion beam that is disposed at a predetermined position with respect to the scattered ion detector between the magnetic field generation means and the sample and the scattered ion detector, and that is incident on the sample from the scattered ion detector side A plate-like plate having an opening for passing the scattered ions having a specific energy and a scattering angle converged to the beam axis of the ion beam by the magnetic field of the magnetic field generating means to the scattered ion detector side. Energy spectrum of scattered ions using a parallel magnetic field type Rutherford backscattering analyzer equipped with a discrimination slit A parallel magnetic field, which is a measuring method, wherein an energy spectrum of the scattered ions is measured based on a detection position of the scattered ions detected by the scattered ion detector which is a two-dimensional ion detector. Spectrum measurement method for scattered ions using a Rutherford backscattering analyzer.
【請求項12】 イオンビームが入射した試料にて後方
散乱された散乱イオンを検出するための散乱イオン検出
器と,前記イオンビームと平行な磁場を少なくとも前記
試料から前記散乱イオン検出器にかけて発生させる磁場
発生手段と,前記試料と前記散乱イオン検出器との間の
前記散乱イオン検出器に対して予め定められた位置に配
置され,前記散乱イオン検出器側から前記試料に入射す
る前記イオンビームを通過させると共に,前記磁場発生
手段の磁場により前記イオンビームのビーム軸に収束し
た特定のエネルギーと散乱角を有する前記散乱イオンを
前記散乱イオン検出器側に通過させるための開口を備え
た板状の弁別用スリットと,を具備してなる平行磁場型
ラザフォード後方散乱分析装置を用いた試料の結晶軸検
出方法であって,2次のイオン検出器である前記散乱イ
オン検出器により検出される散乱イオンの検出量分布に
基づいて,前記試料の結晶軸を検出してなることを特徴
とする平行磁場型ラザフォード後方散乱分析装置を用い
た試料の結晶軸検出方法。
12. A scattered ion detector for detecting scattered ions backscattered by a sample into which an ion beam is incident, and a magnetic field parallel to the ion beam is generated at least from the sample to the scattered ion detector. The ion beam that is disposed at a predetermined position with respect to the scattered ion detector between the magnetic field generation means and the sample and the scattered ion detector, and that is incident on the sample from the scattered ion detector side A plate-like plate having an opening for passing the scattered ions having a specific energy and a scattering angle converged to the beam axis of the ion beam by the magnetic field of the magnetic field generating means to the scattered ion detector side. A method for detecting a crystal axis of a sample using a parallel magnetic field type Rutherford backscattering analyzer comprising a discrimination slit, comprising: A parallel magnetic field type Rutherford backscattering analyzer characterized in that the crystal axis of the sample is detected based on the detected amount distribution of scattered ions detected by the scattered ion detector which is the next ion detector. Method for detecting crystal axis of used sample.
【請求項13】 前記散乱イオン検出器による前記散乱
イオンの検出量が相対的に低い部分で形成される複数の
帯状の低検出量領域が互いに交差する部分の中心位置
と,前記散乱イオン検出器を通過する前記イオンビーム
のビーム軸と,のずれに基づいて前記試料の結晶軸を検
出してなる請求項12に記載の平行磁場型ラザフォード
後方散乱分析装置を用いた試料の結晶軸検出方法。
13. A center position of a portion where a plurality of strip-shaped low detection amount regions formed at a portion where the detection amount of the scattered ions by the scattering ion detector is relatively intersect with each other, and the scattering ion detector 13. The method for detecting a crystal axis of a sample using a parallel magnetic field type Rutherford backscattering analyzer according to claim 12, wherein the crystal axis of the sample is detected based on a deviation between the beam axis of the ion beam passing through and the beam axis.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005043227A (en) * 2003-07-22 2005-02-17 Kobe Steel Ltd Magnetic field producing device for analyzing apparatuses
US7091484B2 (en) 2003-11-14 2006-08-15 Tdk Corporation Method and apparatus for crystal analysis
JP2007155426A (en) * 2005-12-02 2007-06-21 Kobe Steel Ltd Parallel magnetic field type rutherford backscattering ion measuring instrument
WO2018198242A1 (en) * 2017-04-26 2018-11-01 株式会社ニコン Inspection device, inspection method, and method for producing object to be inspected

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005043227A (en) * 2003-07-22 2005-02-17 Kobe Steel Ltd Magnetic field producing device for analyzing apparatuses
US7091484B2 (en) 2003-11-14 2006-08-15 Tdk Corporation Method and apparatus for crystal analysis
JP2007155426A (en) * 2005-12-02 2007-06-21 Kobe Steel Ltd Parallel magnetic field type rutherford backscattering ion measuring instrument
JP4601545B2 (en) * 2005-12-02 2010-12-22 株式会社神戸製鋼所 Parallel magnetic field type Rutherford backscattered ion measuring device
WO2018198242A1 (en) * 2017-04-26 2018-11-01 株式会社ニコン Inspection device, inspection method, and method for producing object to be inspected
KR20190132660A (en) * 2017-04-26 2019-11-28 가부시키가이샤 니콘 Inspection device, inspection method and manufacturing method of inspection object
JPWO2018198242A1 (en) * 2017-04-26 2020-03-05 株式会社ニコン Inspection apparatus, inspection method, and method of manufacturing inspection object
KR102267658B1 (en) 2017-04-26 2021-06-21 가부시키가이샤 니콘 Inspection apparatus, inspection method and manufacturing method of inspection object
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