JP2003015152A - Display device - Google Patents

Display device

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JP2003015152A
JP2003015152A JP2002062463A JP2002062463A JP2003015152A JP 2003015152 A JP2003015152 A JP 2003015152A JP 2002062463 A JP2002062463 A JP 2002062463A JP 2002062463 A JP2002062463 A JP 2002062463A JP 2003015152 A JP2003015152 A JP 2003015152A
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良一 横山
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勝矢 安齋
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To perform adjustment of a clock signal at a low cost. SOLUTION: This display device has one or more inverter circuits for adjusting a delay time between an external clock signal input parts T1, T2 for inputting external clock signals CKH1, CKH2, and a sampling signal generating circuit (shift register) on a substrate 10, and selects only a necessary inverter circuit from them, and connects it to delay a sampling timing of a video signal. The connections of the inverter circuits to signal routes can be realized only by altering a connection wiring pattern mask according to the number of the inverters to be connected, without altering the other manufacturing process.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は映像表示装置の駆動
回路におけるクロック信号に基づいた映像信号のサンプ
リングのためのタイミングの制御に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to timing control for sampling a video signal based on a clock signal in a drive circuit of a video display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、映像表示装置は、携帯可能な表示
装置、例えば携帯用テレビ、携帯電話等のモニターとし
て特に市場ニーズが強く、またこれらの用途では、表示
装置はそれに応じて小型化、軽量化、省消費電力化の要
求が特に強いので要求を満たすために研究開発も盛んで
ある。
2. Description of the Related Art In recent years, video display devices have particularly strong market needs as monitors for portable display devices such as portable televisions and mobile phones, and in these applications, the display devices have been downsized accordingly. Since there are strong demands for weight reduction and power saving, research and development are being actively conducted to meet the demands.

【0003】図8に従来の液晶表示装置の等価回路図を
示し、図9にその液晶表示装置の駆動時のタイミングチ
ャートを示す。
FIG. 8 shows an equivalent circuit diagram of a conventional liquid crystal display device, and FIG. 9 shows a timing chart when the liquid crystal display device is driven.

【0004】図8に示すように、液晶表示パネルPは絶
縁性基板10上に、ゲート信号を供給するゲートドライ
バ50に接続された複数のゲート信号線51と、ドレイ
ン信号を供給するドレインドライバ60から出力される
サンプリングパルスのタイミングに応じてサンプリング
トランジスタSPt1,SPt2,・・・,SPtnがオ
ンし、それに応じてデータ信号線(映像信号線)62の
データ信号(映像信号)Sigが供給される複数のドレ
イン信号線61が配置されており、それらの両信号線5
1,61の交差部近傍には、それらの両信号線51,6
1に接続されたTFT70と、そのTFT70に接続さ
れた表示電極80が配置されている。
As shown in FIG. 8, a liquid crystal display panel P includes a plurality of gate signal lines 51 connected to a gate driver 50 for supplying a gate signal and a drain driver 60 for supplying a drain signal on an insulating substrate 10. The sampling transistors SPt1, SPt2, ..., SPtn are turned on according to the timing of the sampling pulse output from the data signal line (video signal line) 62, and the data signal (video signal) Sig of the data signal line (video signal line) 62 is supplied accordingly. A plurality of drain signal lines 61 are arranged, and both of these signal lines 5
In the vicinity of the intersection of 1 and 61, both of these signal lines 51 and 6
The TFT 70 connected to 1 and the display electrode 80 connected to the TFT 70 are arranged.

【0005】また、絶縁性基板10とは別基板の外付け
回路基板には、パネル駆動用LSIが設けられている。
この外部に設けたパネル駆動用LSIから、外部クロッ
ク入力部T1,T2を介してクロック信号CKH1及び
CKH2が供給される。このクロック信号CKH1とC
KH2とは互いに位相が逆のクロック信号であり、サン
プリングトランジスタSPt1、SPt2、SPt3・・
・が、映像信号をラッチするタイミングを決めるタイミ
ング信号を生成するための基準信号である。
A panel driving LSI is provided on an external circuit board which is a board different from the insulating board 10.
Clock signals CKH1 and CKH2 are supplied from an external panel driving LSI via the external clock input sections T1 and T2. This clock signal CKH1 and C
KH2 is a clock signal whose phase is opposite to each other, and sampling transistors SPt1, SPt2, SPt3 ...
Is a reference signal for generating a timing signal that determines the timing of latching the video signal.

【0006】また、パネル駆動用LSIからは、垂直ド
ライバのスタート信号STV、水平ドライバのスタート
信号STHが、それぞれゲートドライバ50及びドレイ
ンドライバ60に入力され、またデータ信号Sigがデ
ータ信号線62に入力される。
From the panel driving LSI, the vertical driver start signal STV and the horizontal driver start signal STH are input to the gate driver 50 and the drain driver 60, respectively, and the data signal Sig is input to the data signal line 62. To be done.

【0007】まず、外部から入力されたクロック信号、
即ち外部クロック信号CKH1,CKH2は、それぞれ
レベルシフタ(L/S)に入力されて例えば0〜3Vが
0〜8Vに昇圧される。そして、その出力信号は整形用
インバータ回路102に入力され、バッファ回路101
を介してドレインドライバ60を構成する各シフトレジ
スタにクロック信号として入力される。
First, a clock signal input from the outside,
That is, the external clock signals CKH1 and CKH2 are input to the level shifter (L / S), and 0-3V is boosted to 0-8V, for example. Then, the output signal is input to the shaping inverter circuit 102, and the buffer circuit 101
Is input as a clock signal to each shift register that constitutes the drain driver 60 via.

【0008】各シフトレジスタはインバータ回路及びク
ロックドインバータ回路から成り水平方向のスタート信
号STHに基づいて順次次段にクロック信号が転送さ
れ、各シフトレジスタによってサンプリングパルスが発
生される。
Each shift register is composed of an inverter circuit and a clocked inverter circuit, and a clock signal is sequentially transferred to the next stage based on a horizontal start signal STH, and a sampling pulse is generated by each shift register.

【0009】このサンプリングパルスに基づいて、外部
から入力される映像信号をサンプリングTFTによって
サンプリングし、それぞれのドレイン信号線61に出力
される。即ち、スタート信号STHに基づくサンプリン
グ信号に応じてサンプリングTFTSPtがオンし映像
信号線62の映像信号がドレイン信号線61に供給され
る。
Based on this sampling pulse, a video signal input from the outside is sampled by the sampling TFT and output to each drain signal line 61. That is, the sampling TFT SPt is turned on according to the sampling signal based on the start signal STH, and the video signal of the video signal line 62 is supplied to the drain signal line 61.

【0010】また、ゲート信号がゲート信号線51から
ゲート電極13に入力され、TFT70がオンする。そ
れによってTFT70を介してドレイン信号が表示電極
80に印加される。それと同時に、表示電極80に印加
された電圧を1フィールド期間保持するために補助容量
85にもドレイン信号がTFT70を介して印加され
る。この補助容量85の一方の電極はTFT70のソー
ス11sに接続されており、他方の電極は各表示画素P
11,P12,P13・・・、P21,P22,P23
・・・において共通の電位が印加されている。
Further, a gate signal is input from the gate signal line 51 to the gate electrode 13, and the TFT 70 is turned on. As a result, a drain signal is applied to the display electrode 80 via the TFT 70. At the same time, a drain signal is also applied to the auxiliary capacitor 85 via the TFT 70 in order to hold the voltage applied to the display electrode 80 for one field period. One electrode of this auxiliary capacitance 85 is connected to the source 11s of the TFT 70, and the other electrode is connected to each display pixel P.
11, P12, P13 ..., P21, P22, P23
, A common potential is applied.

【0011】TFT70のゲート13が開いてドレイン
信号が液晶21に印加されると、1フィールド期間保持
されなければならないが、液晶21のみではその信号の
電圧は時間経過とともに次第に低下してしまう。そうす
ると、フリッカや表示むらとして現れてしまい良好な表
示が得られなくなる。そこでその電圧を1フィールド期
間保持するために補助容量85を設けている。
When the gate 13 of the TFT 70 is opened and a drain signal is applied to the liquid crystal 21, it must be held for one field period. However, only the liquid crystal 21 causes the voltage of the signal to gradually decrease with time. Then, flicker and display unevenness appear, and good display cannot be obtained. Therefore, an auxiliary capacitor 85 is provided to hold the voltage for one field period.

【0012】表示電極80に印加された電圧が液晶21
に印加されることにより、その電圧に応じて液晶21が
配向して表示を得ることができる。
The voltage applied to the display electrode 80 is applied to the liquid crystal 21.
The liquid crystal 21 is oriented according to the voltage by applying the voltage to the display, and a display can be obtained.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の液晶
表示装置では、製造工程条件等のばらつきに伴い各回
路、例えばインバータ回路101,102の特性の変動
が生じることがある。そのため、クロック信号に基づく
映像信号をサンプリングするタイミングが早くなったり
遅延したりという変動が生じることになる。
However, in the conventional liquid crystal display device, the characteristics of each circuit, for example, the inverter circuits 101 and 102 may vary due to variations in manufacturing process conditions and the like. As a result, the timing of sampling the video signal based on the clock signal may be changed such that it becomes earlier or later.

【0014】従って、映像信号線62からドレイン信号
線61に供給されるドレイン信号の電位が、映像信号S
igの電位にまで十分に充電される前に、サンプリング
TFTSPtによってサンプリングされて確定してしま
い、この場合、表示電極80には、不十分な電圧が印加
され、表示品質の低い表示装置になってしまうという問
題があった。
Therefore, the potential of the drain signal supplied from the video signal line 62 to the drain signal line 61 is the video signal S.
Before being sufficiently charged to the potential of ig, it is sampled and determined by the sampling TFT SPt. In this case, an insufficient voltage is applied to the display electrode 80, resulting in a display device with low display quality. There was a problem of being lost.

【0015】図9に図8中のA,B,Cの各点における
タイミングチャートを示す。
FIG. 9 shows a timing chart at each point of A, B and C in FIG.

【0016】外部クロック信号CKH1,CKH2に基
づいて、上述のようにドレインドライバ60内で水平ス
タート信号STHがシフトされ、サンプリングタイミン
グ信号STH、STH2・・・が生成されてドレインド
ライバ60の各段から出力される(A点)。このタイミ
ング信号は異なるインバータを介して極性が異なる同位
相のタイミング信号となり、サンプリングTFTSPt
に印加される(B,C点)。しかし、例えばインバータ
回路101等の特性変動により、サンプリングTFTS
Ptをオンさせるタイミング信号(B,C)が図9のよ
うなタイミングで出力されると、映像信号S11の電位
が映像信号線62においてまだ確定しないタイミングで
サンプリングしてしまう。従って、このような場合には
表示品質が低下してしまう。
As described above, the horizontal start signal STH is shifted in the drain driver 60 based on the external clock signals CKH1 and CKH2 to generate the sampling timing signals STH, STH2, ... It is output (point A). This timing signal becomes a timing signal of the same phase with different polarity through different inverters, and the sampling TFT SPt
Is applied to (points B and C). However, the sampling TFTs S
When the timing signals (B, C) for turning on Pt are output at the timings shown in FIG. 9, the potential of the video signal S11 is sampled at the timing when the video signal line 62 is not yet fixed. Therefore, in such a case, the display quality will deteriorate.

【0017】このようなサンプリング信号と、映像信号
とのタイミングのずれを解消するには、クロック信号C
KH1,CKH2の位相を調整することが考えられる。
具体的には、位相の調整とは、クロック信号CKH1,
CKH2の遅延時間を変更することで、これはクロック
入力部のインバータ回路の数を変更することが考えられ
る。しかし、インバータ回路を各回路形成後に変更する
ことはできないので、新たな別のパターンマスク、即ち
インバータ回路を構成するTFTの能動層の島化工程の
パターンマスクから、TFTのソース及びドレイン電極
並びに配線を形成するためのパターンマスクまでの全て
のパターンマスクを作製しなければならない。そうする
と、その新規にパターンマスクを作製するにあたり、コ
ストが非常にかかるという欠点が生じていた。
In order to eliminate such a timing difference between the sampling signal and the video signal, the clock signal C
It is conceivable to adjust the phases of KH1 and CKH2.
Specifically, the phase adjustment means the clock signals CKH1,
By changing the delay time of CKH2, this may change the number of inverter circuits in the clock input section. However, since the inverter circuit cannot be changed after each circuit is formed, the source and drain electrodes of the TFT and the wiring are changed from another new pattern mask, that is, the pattern mask of the islanding process of the active layer of the TFT configuring the inverter circuit. All pattern masks up to the pattern mask for forming are to be produced. Then, there is a drawback that the cost is very high when the new pattern mask is manufactured.

【0018】本発明は、上記の従来の欠点に鑑みてなさ
れたものであり、コストを増大させることなく容易にサ
ンプリングトランジスタが映像信号をサンプリングする
タイミングを適正なタイミングとすることができ、それ
により良好な表示を得ることができる映像表示装置を提
供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional drawbacks, and it is possible to easily set the timing at which the sampling transistor samples the video signal to an appropriate timing without increasing the cost. An object of the present invention is to provide a video display device capable of obtaining good display.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】本発明は、外部から順次
転送される表示信号を外部クロック信号に基づいてサン
プリングして、マトリクス状に配置された各画素に供給
し、各画素に表示させる表示装置であり、前記表示信号
をサンプリングするためのサンプリング信号を、前記外
部クロック信号に基づいて作成するサンプリング信号作
成回路と、該サンプリング信号作成回路と、前記外部ク
ロック信号の供給端子との間に配置されて前記外部クロ
ック信号を遅延させる機能を備えた1以上のクロック遅
延用回路と、を備え、前記1以上のクロック遅延用回路
は、前記サンプリング信号作成回路に前記外部クロック
信号を供給する信号伝達配線に対し、前記信号伝達配線
及びこれに対する接続配線形成工程において、要求され
る遅延回路接続数に応じて使用する接続配線用パターン
マスクを変更して形成することで接続する。
According to the present invention, a display signal sequentially transferred from the outside is sampled on the basis of an external clock signal and is supplied to each pixel arranged in a matrix so as to be displayed on each pixel. A sampling signal generating circuit for generating a sampling signal for sampling the display signal based on the external clock signal, the sampling signal generating circuit, and the external clock signal supply terminal. And one or more clock delay circuits having a function of delaying the external clock signal, the one or more clock delay circuits supplying the external clock signal to the sampling signal generating circuit. The number of delay circuit connections required for the wiring in the signal transmission wiring and the connection wiring forming process for the signal transmission wiring. In response to connection it is formed by changing the pattern mask connection wire to be used.

【0020】本発明の他の態様では、上記表示装置にお
いて、前記クロック遅延用回路は、n型薄膜トランジス
タとp型薄膜トランジスタとを相補的接続することで構
成されるインバータ回路であり、1つのインバータ回路
を構成する前記n型及び前記p型薄膜トランジスタの能
動層は、互いに前記信号伝達配線の線幅より大きく離間
されている。
According to another aspect of the present invention, in the display device, the clock delay circuit is an inverter circuit configured by complementarily connecting an n-type thin film transistor and a p-type thin film transistor, and one inverter circuit is provided. The active layers of the n-type and p-type thin film transistors constituting the above are separated from each other by a distance larger than the line width of the signal transmission wiring.

【0021】本発明の他の態様では、上記表示装置にお
いて、前記各画素には、それぞれスイッチング素子が形
成され、該スイッチング素子に接続される電極又は配線
と、前記信号伝達配線及び前記1以上のクロック遅延用
回路の接続配線とは同一材料からなる。
According to another aspect of the present invention, in the above display device, a switching element is formed in each of the pixels, an electrode or a wiring connected to the switching element, the signal transmission wiring and the one or more of the one or more. The connection wiring of the clock delay circuit is made of the same material.

【0022】このような表示装置によれば、コストを増
大させることなく容易にサンプリングトランジスタによ
る映像信号のサンプリングを適正なタイミングで実行す
ることができ、それにより良好な表示を得ることができ
る。
According to such a display device, the sampling of the video signal by the sampling transistor can be easily executed at an appropriate timing without increasing the cost, and thus a good display can be obtained.

【0023】本発明の他の態様では、外部から順次転送
される表示信号を外部クロック信号に基づいてサンプリ
ングして、マトリクス状に配置された各画素に供給し、
各画素に表示させる表示装置であり、前記表示信号をサ
ンプリングするためのサンプリング信号を、前記外部ク
ロック信号に基づいて作成するサンプリング信号作成回
路と、該サンプリング信号作成回路と、前記外部クロッ
ク信号の供給端子との間に配置されて前記外部クロック
信号を遅延させる機能を備えた1以上のクロック遅延用
回路と、を備え、前記1以上のクロック遅延用回路の少
なくとも1つが、前記サンプリング信号作成回路に前記
外部クロック信号を供給するための信号伝達配線から絶
縁されている。
In another aspect of the present invention, a display signal sequentially transferred from the outside is sampled based on an external clock signal and supplied to each pixel arranged in a matrix,
A display device for displaying on each pixel, a sampling signal creating circuit for creating a sampling signal for sampling the display signal based on the external clock signal, the sampling signal creating circuit, and the supply of the external clock signal At least one circuit for clock delay disposed between the terminal and the circuit for delaying the external clock signal, and at least one of the one or more circuits for clock delay is provided in the sampling signal generation circuit. It is insulated from the signal transmission wiring for supplying the external clock signal.

【0024】本発明の他の態様では、上記表示装置にお
いて、前記信号伝達配線は、前記信号伝達経路に電気的
に接続されていない前記1以上のクロック遅延用回路の
形成領域内を、該回路との絶縁を維持しつつ通過するよ
うに配置されている。
According to another aspect of the present invention, in the display device, the signal transmission wiring is formed in the formation region of the one or more clock delay circuits which are not electrically connected to the signal transmission path. It is arranged so that it can pass through while maintaining its insulation.

【0025】本発明の他の態様では、上記表示装置にお
いて、前記クロック遅延用回路は、n型薄膜トランジス
タとp型薄膜トランジスタとを相補的接続することで構
成されるインバータ回路であり、1つのインバータ回路
を構成する前記n型及び前記p型薄膜トランジスタの能
動層は、互いに前記信号伝達配線の線幅より大きく離間
されている。
According to another aspect of the present invention, in the display device, the clock delay circuit is an inverter circuit configured by complementarily connecting an n-type thin film transistor and a p-type thin film transistor, and one inverter circuit. The active layers of the n-type and p-type thin film transistors constituting the above are separated from each other by a distance larger than the line width of the signal transmission wiring.

【0026】本発明の他の態様では、上記表示装置にお
いて、前記クロック遅延用回路は、n型薄膜トランジス
タとp型薄膜トランジスタとを相補的接続することで構
成されるインバータ回路であり、前記信号伝達配線から
絶縁されている前記クロック遅延用回路の形成領域で
は、1つのインバータ回路を構成しうる前記n型及び前
記p型薄膜トランジスタの互いに離間配置さた能動層の
間隙に前記信号伝達配線が配置されている。
In another aspect of the present invention, in the display device, the clock delay circuit is an inverter circuit configured by complementarily connecting an n-type thin film transistor and a p-type thin film transistor, and the signal transmission wiring. In the formation region of the clock delay circuit, which is insulated from, the signal transmission wiring is arranged in a gap between the active layers of the n-type and p-type thin film transistors that can form one inverter circuit and are separated from each other. There is.

【0027】本発明の他の態様では、上記表示装置にお
いて、前記クロック遅延用回路は、n型薄膜トランジス
タとp型薄膜トランジスタとを相補的接続することで構
成されるインバータ回路であり、前記信号伝達経路に電
気的に接続されていない前記1以上のクロック遅延用回
路のための前記n型及びp型薄膜トランジスタは、それ
ぞれ低圧側電源ライン、高圧側電源ラインに接続されて
いる。
According to another aspect of the present invention, in the display device, the clock delay circuit is an inverter circuit configured by complementarily connecting an n-type thin film transistor and a p-type thin film transistor, and the signal transmission path. The n-type and p-type thin film transistors for the one or more clock delay circuits, which are not electrically connected to, are connected to the low voltage side power line and the high voltage side power line, respectively.

【0028】このように信号経路に接続されないトラン
ジスタについては、電源ラインに接続することにより、
電気的にフローティングな状態になることがなく、非接
続の遅延回路が存在していても他の回路素子に与える影
響を非常に小さくすることが可能となる。
As for the transistors which are not connected to the signal path as described above, by connecting to the power supply line,
It does not become an electrically floating state, and the influence on other circuit elements can be made extremely small even if there is a delay circuit that is not connected.

【0029】本発明の他の態様では、外部から順次転送
される表示信号を外部クロック信号に基づいてサンプリ
ングして、マトリクス状に配置された各画素に供給し、
各画素に表示させる表示装置であり、前記表示信号をサ
ンプリングするためのサンプリング信号を、前記外部ク
ロック信号に基づいて作成するサンプリング信号作成回
路と、該サンプリング信号作成回路と、前記外部クロッ
ク信号の供給端子との間の信号伝達配線には、前記外部
クロック信号を遅延させる機能を備えた1以上のクロッ
ク遅延用回路が接続され、前記1以上のクロック遅延用
回路の全ては、各回路を構成する複数の素子間が前記信
号伝達配線の線幅より大きく離間されている。
In another aspect of the present invention, a display signal sequentially transferred from the outside is sampled based on an external clock signal and supplied to each pixel arranged in a matrix,
A display device for displaying on each pixel, a sampling signal creating circuit for creating a sampling signal for sampling the display signal based on the external clock signal, the sampling signal creating circuit, and the supply of the external clock signal One or more clock delay circuits having a function of delaying the external clock signal are connected to the signal transmission wiring between the terminals, and all of the one or more clock delay circuits configure each circuit. The plurality of elements are spaced apart from each other by a width greater than the line width of the signal transmission wiring.

【0030】本発明の他の態様では、上記表示装置にお
いて、前記1以上のクロック遅延用回路は、n型薄膜ト
ランジスタとp型薄膜トランジスタとを相補的接続する
ことで構成されるインバータ回路であり、1つのインバ
ータ回路を構成する前記n型及び前記p型薄膜トランジ
スタの能動層は、互いに前記信号伝達配線の線幅より大
きく離間されている。
According to another aspect of the present invention, in the display device, the one or more clock delay circuits are inverter circuits configured by complementarily connecting an n-type thin film transistor and a p-type thin film transistor. The active layers of the n-type and p-type thin film transistors that form one inverter circuit are separated from each other by a width greater than the line width of the signal transmission line.

【0031】[0031]

【発明の実施の形態】本発明の好適な実施の形態(以下
実施形態)に係る映像表示装置について以下に図面を用
いて説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A video display device according to a preferred embodiment of the present invention (hereinafter referred to as an embodiment) will be described below with reference to the drawings.

【0032】図1に本発明の映像表示装置を液晶表示装
置に応用した場合の等価回路図を示し、図2にその液晶
表示装置の各点における駆動時のタイミングチャートを
示す。
FIG. 1 shows an equivalent circuit diagram when the image display device of the present invention is applied to a liquid crystal display device, and FIG. 2 shows a timing chart at the time of driving at each point of the liquid crystal display device.

【0033】図1に示すように、液晶表示パネルPは、
液晶表示パネルPとは別体の外付けのパネル駆動用LS
I及び各信号端子から供給される各信号に基づいて駆動
される。
As shown in FIG. 1, the liquid crystal display panel P is
An external panel drive LS separate from the liquid crystal display panel P
It is driven based on I and each signal supplied from each signal terminal.

【0034】液晶表示パネルPは、ゲート信号を供給す
るゲートドライバ50に接続された複数のゲート信号線
51が行方向(水平方向)に配置されており、ドレイン
信号を供給するドレインドライバ60に接続された複数
のドレイン信号線61が列方向(垂直方向)に配置され
ている。両信号線51,61の交差部近傍には表示領域
におけるスイッチング素子であるTFT70が配置され
ている。また、液晶表示パネルPには、複数の表示画素
P11,P12,P13・・・がマトリクス状に配置さ
れている。これらの表示画素は、ゲート信号線51とド
レイン信号線61によって区画された領域にそれぞれ構
成されている。このTFT70に接続された表示電極8
0に印加された電圧によって液晶21の立ち上がり及び
立ち下がりが制御される。
In the liquid crystal display panel P, a plurality of gate signal lines 51 connected to a gate driver 50 for supplying a gate signal are arranged in the row direction (horizontal direction) and connected to a drain driver 60 for supplying a drain signal. The plurality of drain signal lines 61 are arranged in the column direction (vertical direction). A TFT 70, which is a switching element in the display area, is arranged near the intersection of the signal lines 51 and 61. Further, in the liquid crystal display panel P, a plurality of display pixels P11, P12, P13, ... Are arranged in a matrix. Each of these display pixels is formed in a region partitioned by the gate signal line 51 and the drain signal line 61. Display electrode 8 connected to this TFT 70
The rising and falling edges of the liquid crystal 21 are controlled by the voltage applied to 0.

【0035】液晶表示パネルPには、外付けのパネル駆
動用LSIから供給される各ドライバ50,60をスキ
ャンさせるための外部クロック信号、データ信号、対向
電極電圧、各ドライバを駆動する電圧、及び信号保持回
路を駆動する電圧を印加する端子T1〜T9が備えられ
ている。
In the liquid crystal display panel P, an external clock signal, a data signal, a counter electrode voltage for scanning each driver 50, 60 supplied from an external panel driving LSI, a voltage for driving each driver, and The terminals T1 to T9 for applying a voltage for driving the signal holding circuit are provided.

【0036】このように、外付けのパネル駆動用LSI
は、上述のドライバ50,60を動作させるための外部
クロック信号CKV1,CKV2,CKH1,CKH
2、タイミング信号(STV,STH)、表示データ信
号(Sig)を作成する。また、各信号端子T1〜T9
からは、外部クロック信号、対向電極電圧Vcom、ドラ
イバ電源などを液晶表示パネルPに供給する。
As described above, the external panel driving LSI
Are external clock signals CKV1, CKV2, CKH1, CKH for operating the above-mentioned drivers 50, 60.
2. Create timing signals (STV, STH) and display data signal (Sig). In addition, the signal terminals T1 to T9
Supplies an external clock signal, a counter electrode voltage Vcom, a driver power supply, and the like to the liquid crystal display panel P.

【0037】各シフトレジスタはドレインドライバ60
を構成しており、インバータ回路及びクロックドインバ
ータ回路からなり、水平方向のスタート信号STHを、
クロック信号CKH1,CKH2に基づいて順次次段に
転送し、各シフトレジスタからサンプリングパルスを出
力する。なお、クロックドインバータの構成は、インバ
ータ回路とトランスファーゲートに置き換え可能であ
る。
Each shift register has a drain driver 60.
Which is composed of an inverter circuit and a clocked inverter circuit, and supplies a horizontal start signal STH
Based on the clock signals CKH1 and CKH2, they are sequentially transferred to the next stage, and sampling pulses are output from each shift register. The configuration of the clocked inverter can be replaced with an inverter circuit and a transfer gate.

【0038】図1において特徴的なことは、外部クロッ
ク信号入力部T1,T2とシフトレジスタ(サンプリン
グ信号作成回路)60との間に、サンプリングのタイミ
ングを調整する遅延時間調整回路(遅延回路)100で
ある複数のインバータ回路111が設けられている点で
ある。
A characteristic of FIG. 1 is that a delay time adjusting circuit (delay circuit) 100 for adjusting sampling timing is provided between the external clock signal input sections T1 and T2 and the shift register (sampling signal creating circuit) 60. That is, a plurality of inverter circuits 111 are provided.

【0039】ここで、本発明の映像表示装置の駆動方法
について図2を参照して説明する。
Now, a driving method of the image display device of the present invention will be described with reference to FIG.

【0040】1周期がtの外部クロック信号CKH1,
CKH2に基づいて、シフトレジスタは、スタート信号
STHを転送し、また、対応するサンプリングTFTS
Pt1,SPt2、SPt3・・・に対して、選択レベ
ルが”t”期間であるサンプリング信号を出力する(図
中A参照)。サンプリングTFTSPtは、このサンプ
リング信号に応じたタイミングで映像信号をサンプリン
グする。
An external clock signal CKH1, whose cycle is t1,
Based on CKH2, the shift register transfers the start signal STH, and the corresponding sampling TFTS
A sampling signal whose selection level is in the "t" period is output to Pt1, SPt2, SPt3, ... (See A in the figure). The sampling TFT SPt samples the video signal at a timing according to this sampling signal.

【0041】点B,C、即ちサンプリングTFTの映像
信号のサンプリングタイミングは、映像信号S11が映
像信号線62に十分に充電されて、この映像信号線62
の電位が映像信号S11本来の電位に等しくなったタイ
ミングで行われている。
At points B and C, that is, at the sampling timing of the video signal of the sampling TFT, the video signal S11 is sufficiently charged in the video signal line 62, and the video signal line 62 is charged.
It is performed at the timing when the potential of (1) becomes equal to the original potential of the video signal S11.

【0042】これは、図9で示したように、サンプリン
グTFTが映像信号をサンプリングするタイミングが、
その映像信号S11によって映像信号線62が十分に充
電されていないタイミングの場合に比べ、必要な遅延時
間を得るために必要なインバータ回路を選択することに
より、サンプリングのタイミングを遅らせたためであ
る。従って、十分に電位が充電した状態でサンプリング
することができ、良好な表示を得ることができる。
As shown in FIG. 9, the timing at which the sampling TFT samples the video signal is
This is because the sampling timing is delayed by selecting the inverter circuit required to obtain the required delay time, as compared with the timing when the video signal line 62 is not sufficiently charged by the video signal S11. Therefore, sampling can be performed in a state where the potential is sufficiently charged, and a good display can be obtained.

【0043】図3は、互いに電気的に独立したインバー
タ回路111を選択して、それらを接続する例を示す。
FIG. 3 shows an example in which the inverter circuits 111 which are electrically independent of each other are selected and connected.

【0044】図3(a)は、互いに電気的に独立な2つ
のインバータ回路を形成した場合を示す。ただし、この
図3(a)は、タイミング調整用としてのインバータ回
路111を1つも選択していない状態である。また、図
3(b)は図3(a)に示す2つのインバータ回路を外
部クロック入力部T1,T2とシフトレジスタ60との
間に接続した場合の等価回路である。この接続されたイ
ンバータ回路は、映像表示装置の表示領域及びその周辺
領域の駆動回路を構成するスイッチングTFTと同時に
形成する。また、それらのスイッチングTFTのソース
及びドレイン電極並びに配線を形成する工程に用いるマ
スクパターンのみ、インバータ回路を接続するパターン
を採用し、そのパターンに基づいて電極及び配線形成と
同時にインバータ接続線を形成し所望のインバータ回路
を接続するのである。
FIG. 3A shows a case where two inverter circuits electrically independent of each other are formed. However, in FIG. 3A, no inverter circuit 111 for timing adjustment is selected. 3B is an equivalent circuit when the two inverter circuits shown in FIG. 3A are connected between the external clock input sections T1 and T2 and the shift register 60. The connected inverter circuit is formed at the same time as the switching TFTs that form the drive circuit in the display area of the video display device and its peripheral area. Further, only the mask pattern used in the step of forming the source and drain electrodes and wirings of those switching TFTs adopts a pattern for connecting the inverter circuit, and based on the pattern, the electrode and wiring are formed and the inverter connection line is formed at the same time. The desired inverter circuit is connected.

【0045】図3(c)の例は、電気的に独立したイン
バータ回路を形成した場合、即ち、遅延時間調整用のイ
ンバータ回路を1つも選択して接続していない場合であ
る。
The example of FIG. 3C shows a case where an electrically independent inverter circuit is formed, that is, no delay time adjusting inverter circuit is selected and connected.

【0046】図3(d)及び図3(e)では、図3
(c)の場合と同じインバータ回路が形成されている
が、配線及び電極間のパターンマスクとして、1つまた
は2つのインバータ回路を接続するマスクを用いること
で、図示するような信号経路内で複数のインバータ回路
をパラレル接続している。
In FIG. 3D and FIG. 3E, FIG.
Although the same inverter circuit as in the case of (c) is formed, by using a mask that connects one or two inverter circuits as a pattern mask between wirings and electrodes, a plurality of masks can be formed in the signal path as illustrated. The inverter circuits of are connected in parallel.

【0047】このように、2つまたは3つのインバータ
回路をパラレルに接続すれば、1つのインバータ回路の
場合と比べて、回路的にみた場合のトランジスタのサイ
ズ(即ち回路の負荷)を変更することができる。なお、
例えば、チャネル長を6μmに一定にし、nチャネルの
チャネル幅を50μm、pチャネルのチャネル幅を75
μmにすると、映像信号のサンプリングタイミングを1
0ナノ秒(nSec)遅延させることができる。
In this way, if two or three inverter circuits are connected in parallel, the size of the transistor (that is, the load of the circuit) in terms of the circuit can be changed as compared with the case of one inverter circuit. You can In addition,
For example, the channel length is fixed at 6 μm, the n-channel width is 50 μm, and the p-channel width is 75 μm.
When set to μm, the sampling timing of the video signal is 1
It can be delayed by 0 nanoseconds (nSec).

【0048】図4及び図5は本発明及び従来の映像表示
のインバータ回路の配置パターンを示し、図6(a)は
図4(a)のA−A線に沿った断面図を示し、図6
(b)は図4(b)のB−B線に沿った断面図を示す。
なお、図4(a)〜4(c)にはインバータ回路を4つ
分のパターンを基板上に作製した場合を示している。
FIGS. 4 and 5 show the layout pattern of the inverter circuit of the present invention and the conventional image display, and FIG. 6 (a) is a sectional view taken along the line AA of FIG. 4 (a). 6
4B is a sectional view taken along the line BB of FIG.
4 (a) to 4 (c) show a case where four inverter circuit patterns are formed on a substrate.

【0049】図4(a)には、いずれのインバータ回路
111も斜線を付した例えばアルミニウムからなる接続
線パターン、特にレベルシフタ(L/S)からバッファ
回路につながる接続線(信号伝達配線)L1によって接
続されていない場合を示している。図4(b)は、4つ
のインバータ回路が全て接続線パターンによって接続さ
れている場合を示し、図4(c)は、4つのインバータ
回路のうち、図中の左2つのインバータ回路を接続線パ
ターンによって接続した場合を示している。また、各図
において、L/Sに接続された整形用のインバータ回路
からの出力信号が配線L1に入力され、接続された各イ
ンバータ回路を介してバッファ回路101に出力され
る。各図の上下には電源ラインが延び、インバータ回路
の電源電圧VDDとVSSが印加されている。
In FIG. 4A, all the inverter circuits 111 are connected with a hatched connecting line pattern made of, for example, aluminum, particularly a connecting line (signal transmission line) L1 connecting the level shifter (L / S) to the buffer circuit. It shows the case where they are not connected. FIG. 4B shows a case where all four inverter circuits are connected by a connection line pattern, and FIG. 4C shows the left two inverter circuits in the figure among the four inverter circuits as connection lines. The case where the patterns are connected is shown. Further, in each drawing, an output signal from the shaping inverter circuit connected to L / S is input to the wiring L1 and output to the buffer circuit 101 via each connected inverter circuit. A power supply line extends above and below each figure, and power supply voltages VDD and VSS of the inverter circuit are applied.

【0050】映像表示装置を作製した場合、ある製造ロ
ットにおいて映像信号のサンプリングのタイミングが早
すぎ、まだ十分に映像信号によって映像信号線が充電さ
れていないタイミングでサンプリングしてしまう等、正
常なサンプリングができない場合には、次の製造ロット
においてはインバータ回路を選択して接続線パターンで
接続する。そうしてサンプリングのタイミングを遅延さ
せる。即ち、図4(a)のように、インバータ用のTF
Tが基板上に形成してあるもののいずれのインバータ回
路も信号経路から切り離されたままで選択されていない
パターンの採用された製造ロットにおいて製造されたデ
ィスプレイでサンプリングのタイミングが早すぎたとす
る。この場合には、次の製造ロットにおいては、ディス
プレイ製造時に、非選択用の接続線パターン(図4
(a)の斜線ハッチング領域)に代えて、4つのインバ
ータ回路選択用の接続線パターン(図4(b)の斜線ハ
ッチング領域)を採用し、信号経路内に4つのインバー
タ回路を配置する。あるいは、図4(c)の斜線ハッチ
ング領域に示すように2つのインバータ回路選択用の接
続線パターンを採用して2つのインバータ回路を配置す
る。このように信号経路内にインバータ回路を接続する
ことにより信号(ここではクロック信号CKH1,CK
H2)の遅延時間を調整する。ここで、選択するインバ
ータ回路の数は、サンプリングのタイミングが映像信号
によって、映像信号線が十分に充電されたタイミングと
なるような数にすれば良い。なお、基板上に作製する互
いに電気的に独立のインバータ回路の数は各製造ロット
におけるサンプリングのタイミングの遅れまたは早まり
をカバーできる数であれば良い。
When the video display device is manufactured, the sampling timing of the video signal is too early in a certain manufacturing lot, and the video signal line is not sufficiently charged by the video signal. If it is not possible, select an inverter circuit in the next manufacturing lot and connect with the connection line pattern. Then, the sampling timing is delayed. That is, as shown in FIG. 4A, the TF for the inverter is
It is assumed that the sampling timing is too early for a display manufactured in a manufacturing lot in which a pattern in which T is formed on the substrate but none of the inverter circuits remains separated from the signal path and is not selected. In this case, in the next manufacturing lot, the connection line pattern for non-selection (see FIG.
Instead of (the hatched area in (a)), four connection circuit patterns for selecting an inverter circuit (hatched area in FIG. 4B) are adopted, and four inverter circuits are arranged in the signal path. Alternatively, two inverter circuits are arranged by adopting a connection line pattern for selecting two inverter circuits as shown in a hatched area in FIG. 4C. By connecting the inverter circuit in the signal path in this manner, signals (here, the clock signals CKH1, CK) are generated.
Adjust the delay time of H2). Here, the number of inverter circuits to be selected may be set so that the sampling timing is a timing at which the video signal line is sufficiently charged by the video signal. It should be noted that the number of electrically independent inverter circuits formed on the substrate may be any number that can cover the delay or advance of sampling timing in each manufacturing lot.

【0051】また、図4(a)〜4(c)において点線
で示す各能動層と、斜線ハッチングしたアルミニウムか
らなる各電極及び接続線との、コンタクト位置は図中
「X」で示され、全図とも接続関係は異なるが「X」の
位置は、図4(a)〜4(c)で全て同じである。ま
た、TFTの例えばクロム(Cr)からなるゲート電極
と上記接続線とのコンタクト位置は図中「○」印で示さ
れ、このコンタクトも、上記「X」で示すコンタクト同
様、図4(a)〜4(c)の各図で接続関係は異なる
が、全図とも同じ位置に形成されている。さらに、信号
経路に接続されるインバータ回路も接続されないインバ
ータ回路のいずれも、能動層と接続配線とのコンタク
ト、及びゲートとなる配線と接続配線とのコンタクトが
形成されている。
Further, the contact position between each active layer shown by dotted lines in FIGS. 4A to 4C and each electrode and connecting line made of aluminum hatched with diagonal lines is shown by "X" in the drawing, Although the connections are different in all the drawings, the position of "X" is the same in all of FIGS. 4 (a) to 4 (c). Further, the contact position between the gate electrode made of, for example, chrome (Cr) of the TFT and the connection line is indicated by a mark "○" in the figure, and this contact is also the same as the contact indicated by "X" in FIG. 4 (a). 4 (c), the connections are different, but they are formed at the same position in all the drawings. Further, in both the inverter circuit connected to the signal path and the inverter circuit not connected, a contact between the active layer and the connection wiring, and a contact between the wiring to be the gate and the connection wiring are formed.

【0052】そのため、表示画素領域内及びその周辺領
域の駆動回路を構成するTFTのドレイン信号線の形成
工程と同時に、ここではインバータ構造の遅延回路を必
要数だけ接続することができる。即ち、遅延回路の数を
変えるにあたり、新たにインバータ回路を構成するTF
Tを作り込む方法を採用すると、コンタクト部形成工程
までマスクパターン変更して製造しなければならない。
しかし、本発明では、表示領域内及びその周辺領域の駆
動回路を構成するスイッチング素子であるTFTの電極
及び配線の形成工程において、使用するマスクパターン
として、インバータ回路を信号経路に接続する接続線パ
ターンを備えたものを用いるだけで良く、工程を増大さ
せることなく、また工程順の変更もなく、単に配線パタ
ーンの変更をするだけで遅延時間の調整が可能となる。
Therefore, the required number of delay circuits having an inverter structure can be connected here at the same time as the step of forming the drain signal lines of the TFTs forming the drive circuits in the display pixel region and its peripheral region. That is, when the number of delay circuits is changed, the TF that newly configures the inverter circuit
If the method of forming T is adopted, it is necessary to change the mask pattern up to the contact portion forming step for manufacturing.
However, in the present invention, a connection line pattern for connecting the inverter circuit to the signal path is used as a mask pattern to be used in the step of forming the electrodes and wirings of the TFTs which are the switching elements forming the drive circuit in the display area and its peripheral area. The delay time can be adjusted by simply changing the wiring pattern without increasing the number of steps and without changing the order of steps.

【0053】ここで図4(a)〜4(c)において、そ
れぞれ「X」、「○」で示したコンタクト位置に加え、
本実施形態では、Crなどからなるゲート電極13(各
図の白抜きの配線)についても、図4(a)〜4(c)
の各図において、全て同位置に形成されている。また、
インバータ回路の信号伝達配線(L1)への接続の有無
に関わらず、このインバータ回路を構成するTFTの位
置、具体的にはTFTの島状能動層の位置は全て同じで
ある。このように能動層、コンタクト位置をインバータ
回路の信号経路への接続の有無に関わらず同位置に配置
するため、本実施形態では、1つのインバータ回路11
1を構成するnch型TFTとpch型TFTの各能動
層の間が、インバータ回路の信号伝達配線L1がこの間
に配置可能なだけ離間されている。そして、信号伝達配
線に接続されないインバータ回路については、図4
(a)に示されているように、信号伝達配線L1が各イ
ンバータ回路111のnch型TFTとpch型TFT
の能動層の間を通り抜けるようにレイアウトされてい
る。
4 (a) to 4 (c), in addition to the contact positions indicated by "X" and "○", respectively,
In the present embodiment, the gate electrode 13 (white wiring in each drawing) made of Cr or the like is also used in FIGS. 4 (a) to 4 (c).
In each figure, they are all formed at the same position. Also,
Regardless of whether or not the inverter circuit is connected to the signal transmission line (L1), the positions of the TFTs forming the inverter circuit, specifically, the positions of the island-shaped active layers of the TFTs are all the same. As described above, since the active layer and the contact position are arranged at the same position regardless of whether or not there is a connection to the signal path of the inverter circuit, one inverter circuit 11 is provided in this embodiment.
The active layers of the nch-type TFT and the pch-type TFT that form part 1 are separated by the signal transmission line L1 of the inverter circuit so that they can be arranged therebetween. The inverter circuit not connected to the signal transmission wiring is shown in FIG.
As shown in (a), the signal transmission line L1 has nch-type TFTs and pch-type TFTs of each inverter circuit 111.
Is laid out to pass between the active layers of the.

【0054】インバータ回路を遅延回路として複数用い
る場合、通常、必要な数のインバータ回路を最初から形
成し、複数のインバータ回路は直列に接続される。そし
て、図5(a)に示すように、1つのインバータ回路を
構成するnch型TFTと、pch型TFTとは互いに
できる限り隙間なく配置される。このため、必要なイン
バータ回路の接続数が変更になった場合は、接続数に応
じたインバータ回路形成用マスクを各製造工程で使用す
るのである。
When a plurality of inverter circuits are used as delay circuits, usually, a required number of inverter circuits are formed from the beginning, and the plurality of inverter circuits are connected in series. Then, as shown in FIG. 5A, the nch-type TFT and the pch-type TFT which form one inverter circuit are arranged as close to each other as possible. Therefore, when the number of required inverter circuit connections is changed, an inverter circuit forming mask corresponding to the number of connections is used in each manufacturing process.

【0055】これに対し、本実施形態では、上述のよう
に、基板上に形成されるインバータ回路はこれがクロッ
クの信号伝達配線に接続されるかどうかに関わらず、同
じ位置に形成され、各配線や電極とのコンタクト位置も
同一である。従って、配線(例えば、表示装置のデータ
信号ライン、VDD及びVSSライン、信号伝達配線L
1)形成用工程においてのみ、インバータ回路の接続数
に応じた配線パターンの描画されたマスクに変更するこ
とで、インバータ回路の接続数を変更できる。
On the other hand, in this embodiment, as described above, the inverter circuit formed on the substrate is formed at the same position regardless of whether or not it is connected to the signal transmission wiring of the clock, and each wiring is formed. The contact positions with the electrodes are also the same. Therefore, the wiring (for example, the data signal line of the display device, the VDD and VSS lines, the signal transmission wiring L
1) Only in the forming step, the number of connected inverter circuits can be changed by changing the mask into which the wiring pattern is drawn according to the number of connected inverter circuits.

【0056】図5(b)及び5(c)は、遅延回路とし
て機能するインバータ回路の上記図4(a)〜4(c)
と異なるレイアウトを示している。なお、図5(b)で
は、全てのインバータ回路が信号伝達配線L1と絶縁さ
れ、図5(c)では全てのインバータ回路が配線L1に
接続されている。上記図4(a)〜4(c)と相違する
点は各TFTの配列方向であり、図4(a)〜4(c)
では、各TFTのチャネル長方向がVDD及びVSSライン
の延在方向に沿っているが、図5(b)及び図5(c)
のレイアウトでは、TFTのチャネル長方向が、VDD
及びVSSラインの延在方向と直交する方向である点で
ある。しかし、各TFTがインバータ回路の電源となる
VDD及びVSSラインの間に形成され、かつ、1つのイン
バータ回路を構成するnch型TFTとpch型TFT
の能動層が、信号伝達配線L1に接続されたかどうかに
関わらず、離間配置されている点は共通する。また、同
様に、このような配置により、信号伝達配線L1に接続
されるかどうかにかかわらず、TFTの形成位置及び各
電極又は配線とのコンタクト位置は同じである。なお、
図4(a)〜4(c)、5(b)及び5(c)のいずれ
の配線パターンマスクについても、表示領域及びその周
辺領域の駆動回路を構成するTFTの電極及び配線パタ
ーンが同一マスク内に描画されている。
FIGS. 5 (b) and 5 (c) show an inverter circuit functioning as a delay circuit shown in FIGS. 4 (a) -4 (c).
Shows a different layout. Note that in FIG. 5B, all the inverter circuits are insulated from the signal transmission wiring L1, and in FIG. 5C, all the inverter circuits are connected to the wiring L1. 4 (a) to 4 (c) is different in the arrangement direction of each TFT, and FIGS. 4 (a) to 4 (c)
Then, although the channel length direction of each TFT is along the extending direction of the VDD and VSS lines, FIG. 5B and FIG. 5C
In the layout, the TFT channel length direction is VDD
And a direction perpendicular to the extending direction of the VSS line. However, each TFT is formed between the VDD and VSS lines which are the power source of the inverter circuit, and constitutes one inverter circuit, nch type TFT and pch type TFT.
The common point is that the active layers are separately arranged regardless of whether or not they are connected to the signal transmission line L1. Further, similarly, with such an arrangement, the formation position of the TFT and the contact position with each electrode or wiring are the same regardless of whether or not they are connected to the signal transmission wiring L1. In addition,
In any of the wiring pattern masks of FIGS. 4A to 4C, 5B, and 5C, the electrodes and wiring patterns of the TFTs forming the drive circuit in the display region and its peripheral region are the same mask. Is drawn inside.

【0057】次に、図6に基づいて、上述のようなイン
バータ回路の製造方法について説明する。まず、無アル
カリガラス基板、石英基板等の絶縁性基板10上に、プ
ラズマCVD法を用いて非晶質シリコン膜(以下、「a
−Si膜」と称する)を堆積し、その表面側からXeC
lエキシマレーザビームを走査しながら照射して、a−
Si膜を溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜(以下、
「p−Si膜」と称する)11にする。それをフォトマ
スクパターンを用いるホトリソ技術により島化し、それ
が薄膜トランジスタの能動層となる。
Next, a method of manufacturing the above-mentioned inverter circuit will be described with reference to FIG. First, an amorphous silicon film (hereinafter referred to as “a”) is formed on an insulating substrate 10 such as a non-alkali glass substrate or a quartz substrate by using a plasma CVD method.
-Si film ") is deposited, and XeC is deposited from the surface side.
l Excimer laser beam is irradiated while scanning, and a-
The Si film is melted and recrystallized to form a polycrystalline silicon film (hereinafter,
(Referred to as "p-Si film") 11. It is islanded by a photolithography technique using a photomask pattern, and it becomes the active layer of the thin film transistor.

【0058】p−Si膜11を覆う基板10全面には、
ゲート絶縁膜12として、CVD法によってSiN膜及
びSiO2膜を順に積層する。このゲート絶縁膜12の
上に、ゲート電極のパターンを有するフォトマスクパタ
ーンを用い、ホトリソ技術によって、Cr、W等の高融
点金属からなるゲート電極13を形成する。このゲート
電極13をマスクとして、能動層のソース11sまたは
ドレイン11dになる領域にイオンドーピングをする。
nチャネル型TFTとする場合にはリン(P)を導入
し、pチャネル型TFTとする場合にはボロン(b)を
導入する。
On the entire surface of the substrate 10 covering the p-Si film 11,
As the gate insulating film 12, a SiN film and a SiO 2 film are sequentially stacked by the CVD method. A gate electrode 13 made of a refractory metal such as Cr or W is formed on the gate insulating film 12 by photolithography using a photomask pattern having a gate electrode pattern. Using this gate electrode 13 as a mask, ion doping is performed on the region to be the source 11s or the drain 11d of the active layer.
Phosphorus (P) is introduced in the case of an n-channel TFT, and boron (b) is introduced in the case of a p-channel TFT.

【0059】その後、SiO2膜、SiN膜及びSiO2
膜を順に積層した層間絶縁膜14を形成する。この層間
絶縁膜14の、ソース11s及びドレイン11dに対応
した領域にコンタクトホール15を形成する。その際
も、コンタクトホールを形成するためのパターンを有す
るホトマスクパターンを用いてホトリソ技術によりコン
タクトホール15を形成する。そしてそのコンタクトホ
ールを含む層間絶縁膜14上にアルミニウム(Al)を
スパッタ法を用いて堆積する。そして、ソース16及び
ドレイン電極17並びに配線18のパターンを有するホ
トマスクパターンを用いてホトリソ技術によりこのAl
をパターニングしてソース電極16及びドレイン電極1
7及び配線18を形成する。最後に、ソース及びドレイ
ン電極16,17並びに配線18上に、絶縁膜を形成し
て表面を絶縁する。なお、図6におけるソース・ドレイ
ン電極16,17は、ここでは図4(a)〜4(c)に
示すように、採用されるインバータ回路の接続パターン
に応じて、VDDラインまたはVSSラインのいずれかが兼
用している。なお、もちろんこの電極及び配線形成と同
時に、所望とする数のインバータ回路を接続する接続線
配線も形成される。
After that, a SiO 2 film, a SiN film and a SiO 2 film are formed.
An interlayer insulating film 14 is formed by laminating films in order. Contact holes 15 are formed in regions of the interlayer insulating film 14 corresponding to the sources 11s and the drains 11d. Also in that case, the contact hole 15 is formed by the photolithography technique using a photomask pattern having a pattern for forming the contact hole. Then, aluminum (Al) is deposited on the interlayer insulating film 14 including the contact holes by using the sputtering method. Then, using a photomask pattern having the pattern of the source 16 and the drain electrode 17 and the wiring 18, this Al is formed by the photolithography technique.
Is patterned to form the source electrode 16 and the drain electrode 1
7 and the wiring 18 are formed. Finally, an insulating film is formed on the source and drain electrodes 16 and 17 and the wiring 18 to insulate the surface. The source / drain electrodes 16 and 17 in FIG. 6 are either VDD lines or VSS lines, depending on the connection pattern of the inverter circuit employed, as shown in FIGS. 4 (a) to 4 (c). It is also used for Of course, simultaneously with the formation of these electrodes and wirings, connection line wirings for connecting a desired number of inverter circuits are also formed.

【0060】以上のようにしてインバータ回路が完成す
る。なお、このようなインバータ回路を含む周辺駆動回
路を形成するのと同時に、映像表示装置の表示領域に配
置されるTFT70(画素スイッチ用)も形成される
(図1参照)。
The inverter circuit is completed as described above. At the same time when the peripheral drive circuit including such an inverter circuit is formed, the TFT 70 (for pixel switch) arranged in the display area of the image display device is also formed (see FIG. 1).

【0061】本発明の構成によれば、遅延条件によって
は、基板上に形成されているものの信号経路には接続さ
れないインバータ回路が存在することになる。この場合
であっても、図4(a)に示すように非接続のインバー
タ回路は信号経路に電気的にはVDDラインまたはVSSラ
インに接続され、この例では、これらのTFTはいずれ
もOFF電圧がゲート電極13に印加されているので、
予期しない誤動作が確実に防止されている。
According to the structure of the present invention, depending on the delay condition, there is an inverter circuit formed on the substrate but not connected to the signal path. Even in this case, as shown in FIG. 4A, the unconnected inverter circuit is electrically connected to the VDD line or the VSS line in the signal path, and in this example, all of these TFTs have the OFF voltage. Is applied to the gate electrode 13,
Unexpected malfunction is surely prevented.

【0062】このように、映像表示装置のTFTを形成
するにあたっては、各工程においてパターンマスクを用
いる。従来であれば、映像信号のサンプリングタイミン
グを調整するためには、インバータ回路の数を変更する
にあたり、いろいろな数のインバータ回路をその都度追
加形成するためのパターンマスクをそれぞれ準備してお
く必要がある。一方、本発明では、信号経路に接続する
か否かに関わらず、あらかじめ互いに電気的に独立な複
数のインバータ回路を作製するためのパターンを描画し
た各工程のパターンマスクによって複数のインバータ回
路を形成しておく。従って、遅延時間調整のためのイン
バータ回路の数を変更するためには、各インバータ回路
を接続するためのインバータ接続線パターンのみが異な
るパターンマスクを、想定されるインバータ回路接続数
分だけ準備しておけばよい。即ち、あらかじめ複数のイ
ンバータ回路を作製しておき、それらを必要に応じて接
続するためのパターンマスクを用意しておけば、接続線
パターン形成より前の工程に必要なパターンマスクを用
意する必要はない。
As described above, the pattern mask is used in each step in forming the TFT of the image display device. Conventionally, in order to adjust the sampling timing of a video signal, it is necessary to prepare a pattern mask for additionally forming various numbers of inverter circuits each time when changing the number of inverter circuits. is there. On the other hand, in the present invention, a plurality of inverter circuits are formed by the pattern mask of each process in which a pattern for forming a plurality of electrically independent inverter circuits is drawn in advance regardless of whether or not they are connected to a signal path. I'll do it. Therefore, in order to change the number of inverter circuits for delay time adjustment, prepare pattern masks that differ only in the inverter connection line patterns for connecting each inverter circuit, for the number of expected inverter circuit connections. You can leave it. That is, if a plurality of inverter circuits are prepared in advance and a pattern mask for connecting them as needed is prepared, it is not necessary to prepare a pattern mask necessary for a process before the connection line pattern formation. Absent.

【0063】こうして形成されたインバータ回路を必要
に応じてその数を選択してそれを接続させる場合につい
て説明する。
A case will be described in which the number of inverter circuits formed in this way is selected as needed and the inverter circuits are connected.

【0064】図6に示す2つのインバータ回路におい
て、上述のように図6(a)は、図4(a)のA−A線
に沿った断面図であり、いずれのインバータ回路も信号
経路に接続されていない。一方、図6(b)は、図4
(b)のB−B線に沿った断面図であり、図示された全
てのインバータ回路が信号経路に接続されている。な
お、上述の図5(b),5(c)に示すインバータ回路
も図6(a),6(b)に示すものと同様な断面構造を
有する。
In the two inverter circuits shown in FIG. 6, as described above, FIG. 6 (a) is a sectional view taken along the line AA of FIG. 4 (a). Not connected. On the other hand, FIG.
FIG. 4B is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 6B, in which all illustrated inverter circuits are connected to the signal path. The inverter circuits shown in FIGS. 5 (b) and 5 (c) have the same sectional structure as that shown in FIGS. 6 (a) and 6 (b).

【0065】即ち、インバータ回路を接続する場合に
は、ソース及びドレイン電極並びに配線パターンが形成
されたフォトマスクパターンとして、必要なインバータ
回路を接続するパターンが描画されたマスクを用いてイ
ンバータ回路を構成する各nチャネルTFT及びpチャ
ネルTFTを必要な数だけ接続する。これによりサンプ
リングタイミングの所望量の遅延制御が可能となる。
That is, when connecting the inverter circuit, the inverter circuit is constructed by using a mask in which a pattern for connecting the necessary inverter circuit is drawn as a photomask pattern on which the source and drain electrodes and the wiring pattern are formed. The required number of n-channel TFTs and p-channel TFTs are connected. This makes it possible to control the delay of the sampling timing by a desired amount.

【0066】上述のように、表示領域及び周辺領域の駆
動回路のスイッチング素子を形成するための各パターン
を形成したフォトマスクパターンに、互いに電気的に独
立した複数のインバータ回路を形成するマスクパターン
も描画しておき、表示領域及び周辺領域の駆動回路のス
イッチング素子の形成と同時に互いに電気的に独立した
複数のインバータ回路を形成する。
As described above, the photomask pattern on which each pattern for forming the switching elements of the drive circuit in the display area and the peripheral area is formed, and the mask pattern for forming a plurality of electrically independent inverter circuits is also formed. A plurality of inverter circuits, which are electrically independent from each other, are formed at the same time when the switching elements of the drive circuits in the display area and the peripheral area are formed by drawing.

【0067】その後のスイッチング素子の電極及び配線
形成のマスクパターンに、必要なインバータ接続線のパ
ターンも描画しておき、表示領域及び周辺領域の駆動回
路の形成と同時に、インバータ回路を接続するのであ
る。
The necessary inverter connection line pattern is also drawn on the mask pattern for forming the electrodes and wirings of the switching element after that, and the inverter circuit is connected at the same time when the drive circuits in the display area and the peripheral area are formed. .

【0068】こうして、外部クロック入力部とシフトレ
ジスタとの間に、サンプリングタイミングの遅延時間に
応じて、所望の数のインバータ回路を接続するためのパ
ターンが形成されたパターンマスクを切り替えるだけ
で、インバータ回路を選択して接続することが容易にで
き、また遅延時間を調整することができるのでサンプリ
ングのタイミングが良好となるとともに、表示の乱れも
なくなる。
In this way, the inverters can be simply switched between the external clock input section and the shift register according to the delay time of the sampling timing by switching the pattern mask on which the pattern for connecting the desired number of inverter circuits is formed. A circuit can be easily selected and connected, and the delay time can be adjusted, so that the sampling timing is good and the display is not disturbed.

【0069】上述のように本発明の映像表示装置によれ
ば、あるロットの映像表示装置の映像信号のサンプリン
グのタイミングがずれた場合には、次のロットの映像表
示装置の製造の際には、タイミングの遅延時間を適切な
値になるようにインバータ回路の数、即ち遅延時間を選
択し、その選択したインバータ回路を接続するための配
線パターンを有するフォトマスクパターンによって接続
することができるため、適正なタイミングで映像信号の
サンプリングができるので、十分な電位にまで充電する
ことができるため、良好な表示を得ることが可能とな
る。
As described above, according to the video display device of the present invention, when the sampling timing of the video signal of the video display device of a certain lot is deviated, the video display device of the next lot is manufactured. The number of inverter circuits, that is, the delay time is selected so that the timing delay time becomes an appropriate value, and the connection can be made by a photomask pattern having a wiring pattern for connecting the selected inverter circuit. Since the video signal can be sampled at an appropriate timing, it can be charged to a sufficient potential, so that a good display can be obtained.

【0070】なお、上述の実施の形態においては、遅延
時間を増大させる場合について説明したが、図4(b)
のパターンから図4(c)のパターンに変更する場合、
即ち遅延時間を減少させる場合についてもインバータを
選択する数を減少させることによりタイミングの調整が
可能である。
In the above embodiment, the case where the delay time is increased has been described, but FIG.
When changing from the pattern of to the pattern of FIG. 4 (c),
That is, even when the delay time is reduced, the timing can be adjusted by reducing the number of inverters selected.

【0071】また、上述の基板上に製造するインバータ
回路は、そのインバータ回路を構成するTFTのサイズ
によって遅延時間を異ならせることができる。従って、
1つのインバータ回路でサンプリングのタイミングを大
きく遅延させる場合には、チャネル幅を大きくしたイン
バータ回路を製造すればよく、逆に、遅延量を小さくし
たい場合には、チャネル幅を小さくすることにより実現
できる。
In the inverter circuit manufactured on the above-mentioned substrate, the delay time can be varied depending on the size of the TFT which constitutes the inverter circuit. Therefore,
If the sampling timing is greatly delayed by one inverter circuit, an inverter circuit having a large channel width may be manufactured. Conversely, if the delay amount is desired to be small, it can be realized by reducing the channel width. .

【0072】さらに上述の実施の形態においては、遅延
回路としてインバータ回路を用いた場合について説明し
たが、本発明はそれに限定されるものではなく、図7
(a)に示すように抵抗と容量を接続しそれらの抵抗
値、容量値を調整することにより遅延時間を調整するこ
とができる。また、図7(b)に示すように、インバー
タ回路NANDゲート回路に置き換えることによっても
遅延時間を調整することができる。さらに、図7(c)
に示すように、NORゲート回路を用いて遅延時間を調
整することができる。
Further, in the above-described embodiment, the case where the inverter circuit is used as the delay circuit has been described, but the present invention is not limited to this, and FIG.
As shown in (a), the delay time can be adjusted by connecting a resistor and a capacitor and adjusting their resistance value and capacitance value. Further, as shown in FIG. 7B, the delay time can be adjusted by replacing the inverter circuit with a NAND gate circuit. Further, FIG. 7 (c)
As shown in, the delay time can be adjusted by using the NOR gate circuit.

【0073】さらにまた、本発明において、「遅延時
間」とは、サンプリングのタイミングが遅れる場合はも
ちろん早い場合も含むものとする。
Furthermore, in the present invention, the "delay time" includes not only the case where the sampling timing is delayed but also the case where it is early.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の実施形態に係る表示装置を液晶表示
装置に応用した場合の等価回路図である。
FIG. 1 is an equivalent circuit diagram when a display device according to an embodiment of the present invention is applied to a liquid crystal display device.

【図2】 本発明の実施形態に係る表示装置のタイミン
グチャートである。
FIG. 2 is a timing chart of the display device according to the embodiment of the present invention.

【図3】 本発明の実施形態に係る表示装置のインバー
タ回路の接続方法を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a method of connecting an inverter circuit of a display device according to an embodiment of the present invention.

【図4】 本発明の実施形態に係る表示装置のインバー
タ回路の接続方法を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a method of connecting an inverter circuit of a display device according to an embodiment of the present invention.

【図5】 一般的な表示装置のインバータ回路及び本発
明の実施形態に係る表示装置のインバータ回路の接続方
法を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a connection method of an inverter circuit of a general display device and an inverter circuit of a display device according to an embodiment of the present invention.

【図6】 図4のインバータ回路の断面図である。6 is a cross-sectional view of the inverter circuit of FIG.

【図7】 本発明の遅延時間調整回路の他の実施の形態
を示す等価回路図である。
FIG. 7 is an equivalent circuit diagram showing another embodiment of the delay time adjusting circuit of the present invention.

【図8】 従来の液晶表示装置の等価回路図である。FIG. 8 is an equivalent circuit diagram of a conventional liquid crystal display device.

【図9】 従来の液晶表示装置の各点におけるタイミン
グチャート図である。
FIG. 9 is a timing chart at each point of a conventional liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 絶縁性基板、21 液晶、50 ゲートドライ
バ、51 ゲート信号線、60 ドレインドライバ(シ
フトレジスタ)、61 ドレイン信号線、62映像信号
線、70 TFT、80 表示電極、100 遅延時間
調整用インバータ回路、L/S レベルシフタ、L1
接続配線、P 液晶表示パネル、SPt1〜SPt3
サンプリングトランジスタ。
10 insulating substrate, 21 liquid crystal, 50 gate driver, 51 gate signal line, 60 drain driver (shift register), 61 drain signal line, 62 video signal line, 70 TFT, 80 display electrode, 100 delay time adjusting inverter circuit, L / S level shifter, L1
Connection wiring, P liquid crystal display panel, SPt1 to SPt3
Sampling transistor.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09G 3/20 623 G09G 3/20 623H 5F048 623M 5F064 3/36 3/36 5F110 H01L 21/336 H01L 27/08 331E 21/82 29/78 612C 21/822 27/04 M 27/04 21/82 S 27/08 331 29/78 612D 29/786 612B 613A Fターム(参考) 2H092 GA31 JA24 JB35 NA11 PA06 2H093 NA16 NA31 NC21 NC34 NC90 ND34 NE03 5C006 AC09 AC21 AF46 AF50 AF51 AF52 AF53 AF72 BB16 BC13 BC20 BC23 BF03 BF07 BF11 BF27 BF33 BF34 EB05 FA16 FA20 5C080 AA10 BB05 DD09 DD28 FF11 GG07 GG08 JJ03 JJ04 JJ06 5F038 AV06 AV12 CD02 CD05 CD06 CD08 CD09 CD18 DF06 EZ06 EZ20 5F048 AB04 AC04 BA16 BB05 BB09 BC01 BD01 BF11 BG07 5F064 BB07 CC12 DD09 DD14 EE09 EE33 EE47 EE52 EE54 EE56 FF09 FF24 FF48 5F110 AA16 AA30 BB02 BB04 CC02 DD02 DD03 EE04 FF02 FF03 FF09 FF29 GG02 GG13 GG26 GG45 HJ01 HJ12 HL03 HL23 NN03 NN23 NN24 NN35 PP03 QQ01 QQ11 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) G09G 3/20 623 G09G 3/20 623H 5F048 623M 5F064 3/36 3/36 5F110 H01L 21/336 H01L 27 / 08 331E 21/82 29/78 612C 21/822 27/04 M 27/04 21/82 S 27/08 331 29/78 612D 29/786 612B 613A F Term (reference) 2H092 GA31 JA24 JB35 NA11 PA06 2H093 NA16 NA31 NC21 NC34 NC90 ND34 NE03 5C006 AC09 AC21 AF46 AF50 AF51 AF52 AF53 AF72 BB16 BC13 BC20 BC23 BF03 BF07 BF11 BF27 BF33 BF34 EB05 FA16 FA20 5C080 AA10 BB05 DD09 CD08 CD06 CD06 E06 CD02 CD06 AV06 AF06 AF06 AF06 AF06 AF06 AF06 AF06 AF06 AF06 AF02 5F048 AB04 AC04 BA16 BB05 BB09 BC01 BD01 BF11 BG07 5F064 BB07 CC12 DD09 DD14 EE09 EE33 EE47 EE52 EE54 EE56 FF09 F F24 FF48 5F110 AA16 AA30 BB02 BB04 CC02 DD02 DD03 EE04 FF02 FF03 FF09 FF29 GG02 GG13 GG26 GG45 HJ01 HJ12 HL03 HL23 NN03 NN23 NN24 NN35 PP03 QQ01 QQ11

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 外部から順次転送される表示信号を外部
クロック信号に基づいてサンプリングして、マトリクス
状に配置された各画素に供給し、各画素に表示させる表
示装置であり、 前記表示信号をサンプリングするためのサンプリング信
号を、前記外部クロック信号に基づいて作成するサンプ
リング信号作成回路と、 該サンプリング信号作成回路と、前記外部クロック信号
の供給端子との間に配置されて前記外部クロック信号を
遅延させる機能を備えた1以上のクロック遅延用回路
と、を備え、 前記1以上のクロック遅延用回路は、前記サンプリング
信号作成回路に前記外部クロック信号を供給する信号伝
達配線に対し、前記信号伝達配線及びこれに対する接続
配線形成工程において、要求される遅延回路接続数に応
じて使用する接続配線用パターンマスクを変更して形成
することで接続することを特徴とする表示装置。
1. A display device in which a display signal sequentially transferred from the outside is sampled based on an external clock signal and is supplied to each pixel arranged in a matrix so that each pixel displays the display signal. A sampling signal generation circuit that generates a sampling signal for sampling based on the external clock signal, and a sampling signal generation circuit that is arranged between the sampling signal generation circuit and the external clock signal supply terminal to delay the external clock signal. One or more clock delay circuits having a function of causing the signal transmission wiring to supply the external clock signal to the sampling signal generating circuit, And connection wiring used according to the number of delay circuit connections required in the connection wiring forming process A display device characterized by connecting by changing and forming a pattern mask for use.
【請求項2】 請求項1に記載の表示装置において、 前記クロック遅延用回路は、n型薄膜トランジスタとp
型薄膜トランジスタとを相補的接続することで構成され
るインバータ回路であり、 1つのインバータ回路を構成する前記n型及び前記p型
薄膜トランジスタの能動層は、互いに前記信号伝達配線
の線幅より大きく離間されていることを特徴とする表示
装置。
2. The display device according to claim 1, wherein the clock delay circuit includes an n-type thin film transistor and a p-type thin film transistor.
An n-type thin film transistor and an active layer of the n-type and p-type thin film transistors that form one inverter circuit are separated from each other by a distance larger than the line width of the signal transmission line. A display device characterized by being.
【請求項3】 請求項1又は請求項2に記載の表示装置
において、 前記各画素には、それぞれスイッチング素子が形成さ
れ、 該スイッチング素子に接続される電極又は配線と、前記
信号伝達配線及び前記1以上のクロック遅延用回路の接
続配線とは同一材料からなることを特徴とする表示装
置。
3. The display device according to claim 1, wherein a switching element is formed in each of the pixels, an electrode or a wiring connected to the switching element, the signal transmission wiring, and the A display device, wherein the connection wiring of one or more clock delay circuits is made of the same material.
【請求項4】 外部から順次転送される表示信号を外部
クロック信号に基づいてサンプリングして、マトリクス
状に配置された各画素に供給し、各画素に表示させる表
示装置であり、 前記表示信号をサンプリングするためのサンプリング信
号を、前記外部クロック信号に基づいて作成するサンプ
リング信号作成回路と、 該サンプリング信号作成回路と、前記外部クロック信号
の供給端子との間に配置されて前記外部クロック信号を
遅延させる機能を備えた1以上のクロック遅延用回路
と、を備え、 前記1以上のクロック遅延用回路の少なくとも1つが、
前記サンプリング信号作成回路に前記外部クロック信号
を供給するための信号伝達配線から絶縁されていること
を特徴とする表示装置。
4. A display device for sampling a display signal sequentially transferred from the outside based on an external clock signal, supplying the sampled signal to each pixel arranged in a matrix, and displaying each pixel on the display signal. A sampling signal generation circuit that generates a sampling signal for sampling based on the external clock signal, and a sampling signal generation circuit that is arranged between the sampling signal generation circuit and the external clock signal supply terminal to delay the external clock signal. And at least one clock delay circuit having a function of enabling at least one of the at least one clock delay circuit,
A display device, which is insulated from a signal transmission line for supplying the external clock signal to the sampling signal generation circuit.
【請求項5】 請求項4に記載の表示装置において、 前記信号伝達配線は、前記信号伝達経路に電気的に接続
されていない前記1以上のクロック遅延用回路の形成領
域内を、該回路との絶縁を維持しつつ通過するように配
置されていることを特徴とする表示装置。
5. The display device according to claim 4, wherein the signal transmission wiring is formed within the formation region of the one or more clock delay circuits that are not electrically connected to the signal transmission path. A display device, which is arranged so as to pass through while maintaining the insulation of the display device.
【請求項6】 請求項5に記載の表示装置において、 前記クロック遅延用回路は、n型薄膜トランジスタとp
型薄膜トランジスタとを相補的接続することで構成され
るインバータ回路であり、 1つのインバータ回路を構成する前記n型及び前記p型
薄膜トランジスタの能動層は、互いに前記信号伝達配線
の線幅より大きく離間されていることを特徴とする表示
装置。
6. The display device according to claim 5, wherein the clock delay circuit includes an n-type thin film transistor and a p-type thin film transistor.
An n-type thin film transistor and an active layer of the n-type and p-type thin film transistors that form one inverter circuit are separated from each other by a distance larger than the line width of the signal transmission line. A display device characterized by being.
【請求項7】 請求項5に記載の表示装置において、 前記クロック遅延用回路は、n型薄膜トランジスタとp
型薄膜トランジスタとを相補的接続することで構成され
るインバータ回路であり、 前記信号伝達配線から絶縁されている前記クロック遅延
用回路の形成領域では、1つのインバータ回路を構成し
うる前記n型及び前記p型薄膜トランジスタの互いに離
間配置さた能動層の間隙に前記信号伝達配線が配置され
ていることを特徴とする表示装置。
7. The display device according to claim 5, wherein the clock delay circuit includes an n-type thin film transistor and a p-type thin film transistor.
In the formation region of the clock delay circuit that is insulated from the signal transmission line, the n-type and the n-type and the A display device, wherein the signal transmission line is arranged in a gap between active layers of a p-type thin film transistor which are arranged separately from each other.
【請求項8】 請求項5に記載の表示装置において、 前記クロック遅延用回路は、n型薄膜トランジスタとp
型薄膜トランジスタとを相補的接続することで構成され
るインバータ回路であり、 前記信号伝達経路に電気的に接続されていない前記1以
上のクロック遅延用回路のための前記n型及びp型薄膜
トランジスタは、それぞれ低圧側電源ライン、高圧側電
源ラインに接続されていることを特徴とする表示装置。
8. The display device according to claim 5, wherein the clock delay circuit includes an n-type thin film transistor and a p-type thin film transistor.
An n-type and a p-type thin film transistor for the one or more clock delay circuits that are not electrically connected to the signal transmission path, A display device characterized by being connected to a low voltage side power line and a high voltage side power line, respectively.
【請求項9】 外部から順次転送される表示信号を外部
クロック信号に基づいてサンプリングして、マトリクス
状に配置された各画素に供給し、各画素に表示させる表
示装置であり、 前記表示信号をサンプリングするためのサンプリング信
号を、前記外部クロック信号に基づいて作成するサンプ
リング信号作成回路と、 該サンプリング信号作成回路と、前記外部クロック信号
の供給端子との間の信号伝達配線には、前記外部クロッ
ク信号を遅延させる機能を備えた1以上のクロック遅延
用回路が接続され、 前記1以上のクロック遅延用回路の全ては、各回路を構
成する複数の素子間が前記信号伝達配線の線幅より大き
く離間されていることを特徴とする表示装置。
9. A display device for sampling a display signal sequentially transferred from the outside based on an external clock signal, supplying the sampled signal to each pixel arranged in a matrix, and displaying each pixel on the display signal. A sampling signal generating circuit for generating a sampling signal for sampling based on the external clock signal, and a wiring for transmitting the signal between the sampling signal generating circuit and the supply terminal for the external clock signal, the external clock One or more clock delay circuits having a function of delaying a signal are connected, and in all of the one or more clock delay circuits, a plurality of elements forming each circuit are larger than a line width of the signal transmission wiring. A display device characterized by being separated.
【請求項10】 請求項9に記載の表示装置において、 前記1以上のクロック遅延用回路は、n型薄膜トランジ
スタとp型薄膜トランジスタとを相補的接続することで
構成されるインバータ回路であり、 1つのインバータ回路を構成する前記n型及び前記p型
薄膜トランジスタの能動層は、互いに前記信号伝達配線
の線幅より大きく離間されていることを特徴とする表示
装置。
10. The display device according to claim 9, wherein the at least one clock delay circuit is an inverter circuit configured by complementarily connecting an n-type thin film transistor and a p-type thin film transistor. A display device, wherein active layers of the n-type and p-type thin film transistors that form an inverter circuit are separated from each other by a distance larger than a line width of the signal transmission wiring.
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