JP2003014966A - Method for manufacturing optical waveguide - Google Patents

Method for manufacturing optical waveguide

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JP2003014966A
JP2003014966A JP2001201911A JP2001201911A JP2003014966A JP 2003014966 A JP2003014966 A JP 2003014966A JP 2001201911 A JP2001201911 A JP 2001201911A JP 2001201911 A JP2001201911 A JP 2001201911A JP 2003014966 A JP2003014966 A JP 2003014966A
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JP
Japan
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optical waveguide
photosensitive material
substrate
refractive index
core
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Pending
Application number
JP2001201911A
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Japanese (ja)
Inventor
Takashi Matsuura
孝 松浦
Junichi Murota
淳一 室田
Kenichiro Miyahara
健一郎 宮原
Toru Nonaka
徹 野仲
Yuichiro Mitsunabe
雄一郎 三鍋
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Tokuyama Corp
Original Assignee
Tokuyama Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing an optical waveguide by which an optical waveguide having a core pattern formed on a substrate and suitable to be used as an optical integrated circuit having large difference in the refractive index between the clad and core can be easily manufactured without performing complicated processes of forming and removing a resist pattern and etching. SOLUTION: After a film of a photosensitive material, for example, consisting of a mixture of polymethyl silazane and a photoacid producing agent is formed on a substrate of quartz or the like, the film is exposed by using a photomask having the core pattern of the optical waveguide and then developed to form the core pattern consisting of a photosensitive material on the substrate. Then the photosensitive material constituting the core pattern is heat-treated, for example, at about 900 deg.C in an argon atmosphere to stabilize and increase the refractive index to form the optical waveguide.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上にコアパタ
ーンが形成された、光集積回路として好適に使用できる
光導波路及びその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical waveguide in which a core pattern is formed on a substrate and which can be suitably used as an optical integrated circuit, and a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】光集積回路とは、複数の光デバイスを同
一の基板上で有機的に接続して集積化したものであり、
単独のデバイスでは得られない優れた性能或いは機能を
小型で安定にしかも効率よく発現させるものである。光
集積回路を製造するに当たっては、基板上又は基板中に
これら材質の屈折率よりも高い屈折率を有するコアを配
置した光導波路を形成することが不可欠であり、このよ
うな光導波路は、ガラス板などの基板表面上に屈折率の
異なる材料層を形成し、該層をリソグラフィ法等で形成
したレジストパターンを用いてドライエッチングなどで
微細加工する方法で形成されることが多い。例えば、他
の光素子を複合化することによりハイブリット型の光集
積回路を構成する際に重要な役割を果たす非晶質光導波
路の代表的な製造方法として知られている火炎堆積法で
は、基板上に石英ガラスからなるバッファ用多孔質膜、
屈折率制御用添加物を含んだ石英ガラスからなるコア用
多孔質膜をこの順で形成した後、熱処理して透明化し、
コア層上にリソグラフィーにより導波路パターンを有す
るレジストマスクを形成し、ドライエッチングにより略
矩状のコアを形成し、コア上に残ったレジストマスクを
剥離することにより3次元光導波路が形成されている。
2. Description of the Related Art An optical integrated circuit is an integrated circuit in which a plurality of optical devices are organically connected on the same substrate.
It is a compact, stable and efficient development of excellent performance or function that cannot be obtained by a single device. In manufacturing an optical integrated circuit, it is indispensable to form an optical waveguide in which a core having a refractive index higher than those of these materials is arranged on or in a substrate, and such an optical waveguide is made of glass. In many cases, a material layer having a different refractive index is formed on the surface of a substrate such as a plate, and the layer is finely processed by dry etching using a resist pattern formed by a lithography method or the like. For example, in the flame deposition method, which is known as a typical method for manufacturing an amorphous optical waveguide, which plays an important role in forming a hybrid optical integrated circuit by combining other optical elements, Porous film for buffer made of quartz glass,
After forming a core porous film made of quartz glass containing a refractive index control additive in this order, heat treatment to make it transparent,
A three-dimensional optical waveguide is formed by forming a resist mask having a waveguide pattern on the core layer by lithography, forming a substantially rectangular core by dry etching, and peeling off the resist mask remaining on the core. .

【0003】上記火炎堆積法による光導波路の製造方法
では、レジストマスクパターンの形成や、加工後のレジ
ストマスクパターンの除去などの手間がかかる上、マス
クパターンから導波路材料のパターンへの寸法変換精度
の制御など、高度な技術が必要である。また、上記火炎
堆積法で形成される光導波路のコアとクラッド(コアよ
りも低屈折率物質からなるコアの被覆物)の屈折率差Δ
は高々1%程度であり、その差を大きくすることは困難
であった。
In the method of manufacturing an optical waveguide by the flame deposition method, it takes time and labor to form a resist mask pattern and remove the resist mask pattern after processing, and the accuracy of dimensional conversion from the mask pattern to the waveguide material pattern is high. Advanced technology such as control of is required. Further, the refractive index difference Δ between the core and the clad (coating of the core made of a material having a lower refractive index than the core) of the optical waveguide formed by the flame deposition method.
Was at most about 1%, and it was difficult to increase the difference.

【0004】この屈折率差の問題を解決する方法とし
て、特開平6−258538号公報には、窒素含有量に
よって屈折率が大きく変化するSiO材料に
着目し、クラッド材料として0.2〜2アトミック%の
SiOを、コア材料として窒素含有量が3〜
25アトミック%のSiOをそれぞれ使用す
る方法が開示されている。そして、該方法によれば屈折
率差Δを6%程度まで大きくすることが可能となってい
る。
As a method of solving the problem of the difference in the refractive index, Japanese Patent Laid-Open No. 6-258538 focuses on a SiO x N y H z material whose refractive index greatly changes depending on the nitrogen content, and uses 0 as a cladding material. 2 to 2 atomic% of SiO x N y H z as a core material and nitrogen content of 3 to
Methods using 25 atomic% SiO x N y H z each are disclosed. Then, according to this method, it is possible to increase the refractive index difference Δ to about 6%.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記方
法ではクラッドやコアとなるSiO膜の形成
に特殊な装置を必要とするプラズマCVD法を用いてい
るばかりでなく、光導波路の形成は前記火炎堆積法と同
様に、レジストマスクパターンの形成・剥離、エッチン
グなど工程を含むものであり、簡便性の点で問題があ
る。
However, in the above method, not only the plasma CVD method which requires a special apparatus for forming the SiO x N y H z film to be the clad and the core but also the optical waveguide of the optical waveguide is used. Similar to the flame deposition method, the formation includes the steps of forming / peeling a resist mask pattern, etching, etc., and there is a problem in terms of simplicity.

【0006】そこで、本発明は、クラッドとの屈折率差
が大きく、その形状が微細且つ正確に制御されたコアパ
ターンが基板上に形成されている光導波路を簡便に製造
する方法を提供することを目的とする。
Therefore, the present invention provides a method for easily manufacturing an optical waveguide in which a core pattern having a large difference in refractive index with a clad and a finely and precisely controlled core pattern is formed on a substrate. With the goal.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、コアのパ
ターン自体を感光性材料で形成し、その後該感光性材料
を安定化すればレジストパターンを形成・剥離したりド
ライエッチングすることなく光導波路を形成することが
できるという独自の発想に基づき、上記課題を解決すべ
く鋭意検討を行なった。その結果、酸によって分解され
て低分子量化する性質を有するポリメチルシラザン又は
ポリメチルシルセスキアザンに光酸発生剤を添加して感
光性を付与した感光性材料は、高温で熱処理すると屈折
率の高い安定なコア材料として好適な物質に変化するこ
と、更に酸により分解されて低分子量化した上記感光性
材料の分解物は吸湿処理を行なった後に高温で熱処理す
ると、上記のようにして得られるコアとして好適な物質
よりも屈折率の低いクラッド材料として使用可能な物質
に変化することを見出し、本発明を完成するに至った。
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention formed the core pattern itself with a photosensitive material and then stabilized the photosensitive material without forming / peeling a resist pattern or dry etching. Based on the original idea that an optical waveguide can be formed, the inventors have made earnest studies to solve the above problems. As a result, a photosensitive material obtained by adding a photoacid generator to polymethylsilazane or polymethylsilsesquiazane having a property of being decomposed by an acid to have a low molecular weight has a high refractive index when heat-treated at a high temperature. A highly stable core material is changed into a suitable substance, and further, a decomposed product of the above photosensitive material which is decomposed by an acid to have a low molecular weight is obtained as described above when subjected to heat treatment at high temperature after moisture absorption treatment. The present invention has been completed by finding that the material can be changed to a material that can be used as a clad material having a lower refractive index than a material suitable as a core.

【0008】即ち、第一の本発明は、基板上に感光性材
料からなる膜を形成し、次いで該膜に光導波路コアパタ
ーンを露光し、その後コアパターンとなる前記感光性材
料を安定化することを特徴とする光導波路の製造方法で
ある。
That is, in the first aspect of the present invention, a film made of a photosensitive material is formed on a substrate, an optical waveguide core pattern is exposed on the film, and then the photosensitive material which becomes the core pattern is stabilized. It is a method of manufacturing an optical waveguide.

【0009】上記本発明の製造方法によれば、レジスト
パターンの形成・剥離、ドライエッチングといった煩雑
な操作を特に必要とすることなく、例えば、前記膜に光
導波路コアパターンを露光した後に現像して前記基板上
に前記感光性材料又はその誘導体からなる光導波路コア
パターンを形成し、次いで該コアパターンを構成する上
記感光性材料又はその誘導体を安定化することにより、
微細且つ複雑なパターンのコアを有する光導波路を製造
することが可能である。また、前記膜に光導波路コアパ
ターンを露光した後、該膜の光導波路コアパターンとな
らない部分の前記感光性材料又はその誘導体を、光導波
路コアパターンとなる前記感光性材料又はその誘導体を
安定化する前或いは後、又は該安定化と同時に、該安定
化によって得られる物質よりも屈折率が低い物質に転化
させることにより、現像処理をも省略して、しかもコア
パターンの側面にクラッド層が形成された光導波路を得
ることができる。
According to the manufacturing method of the present invention described above, for example, the film is exposed to the optical waveguide core pattern and then developed without requiring a complicated operation such as formation / peeling of a resist pattern and dry etching. By forming an optical waveguide core pattern made of the photosensitive material or a derivative thereof on the substrate, and then stabilizing the photosensitive material or a derivative thereof constituting the core pattern,
It is possible to manufacture an optical waveguide having a core with a fine and complicated pattern. After exposing the film to the optical waveguide core pattern, stabilize the photosensitive material or its derivative in a portion of the film that does not become the optical waveguide core pattern, and stabilize the photosensitive material or its derivative to become the optical waveguide core pattern. Before, after, or at the same time as the stabilization, by converting to a material having a lower refractive index than the material obtained by the stabilization, the development process can be omitted and the cladding layer is formed on the side surface of the core pattern. The obtained optical waveguide can be obtained.

【0010】特に前記感光性材料として、構成元素とし
て珪素原子及び窒素原子を含み、且つ酸との接触によっ
て分解し得る高分子珪素化合物、並びに光酸発生剤を含
有する組成物を使用した場合には、例えば熱処理によっ
て安定化することにより高屈折率コアを有する光導波路
を容易に得ることができる。また、基板として、基板の
少なくともその上部に前記コアパターンが形成される表
面が、安定化後の前記感光性材料よりも低い屈折率を有
する物質で構成された基板、例えば窒化アルミニウム又
は窒化アルミニウムを主成分とするセラミック製基材の
様な高熱導電性セラミック基材の表面の一部を石英等で
コーティングした基板を使用した場合には、コーティン
グ部分上にコアパターンを形成すると共に窒化アルミニ
ウム等が露出した部分に半導体素子等の電子素子をマウ
ントすることにより放熱性に優れる光電子集積回路を得
ることができる。また、コアの表面(現像処理をする前
記方法の場合には、コアの上面及び側面、また、現像処
理をしない前記方法の場合にはコアの上面)を該コアの
構成物質よりも低い屈折率を有する物質で被覆すること
により保護膜ともなるクラッド層を容易に形成すること
ができる。
In particular, when a composition containing a polymeric silicon compound containing silicon atoms and nitrogen atoms as constituent elements and capable of decomposing upon contact with an acid, and a photoacid generator are used as the photosensitive material. Can be easily obtained by stabilizing it by, for example, heat treatment. Further, as the substrate, a substrate in which the surface on which the core pattern is formed at least on the substrate is made of a substance having a refractive index lower than that of the photosensitive material after stabilization, such as aluminum nitride or aluminum nitride. When using a substrate with a part of the surface of a high heat conductive ceramic base material such as a ceramic base material as the main component coated with quartz etc., a core pattern is formed on the coated part and aluminum nitride etc. By mounting an electronic element such as a semiconductor element on the exposed portion, an optoelectronic integrated circuit having excellent heat dissipation can be obtained. Further, the surface of the core (the upper surface and the side surface of the core in the case of the above-mentioned method of developing treatment, and the upper surface of the core in the case of the above-mentioned method of not developing) is lower in refractive index than the constituent material of the core. The cladding layer that also serves as a protective film can be easily formed by coating with a substance having

【0011】また、第二の本発明は、前記第一の本発明
の製造方法で製造される光導波路である。該本発明の光
導波路におけるコアは、例えば前記したような高分子珪
素化合物を熱処理して得られるものであり、その組成や
構造を特定することは困難であるが、屈折率が前記公報
に開示されたSiO等(該公報の図2によれ
ば屈折率は約1.58以下)と比べて非常に高いもので
あり、その製法が優れているのみならず、それ自体も従
来にない優れた光導波路であると言える。
The second invention is an optical waveguide manufactured by the manufacturing method of the first invention. The core of the optical waveguide of the present invention is obtained, for example, by heat-treating the above-described high molecular silicon compound, and it is difficult to specify its composition or structure, but the refractive index is disclosed in the above publication. It is much higher than the above-mentioned SiO x N y H z and the like (the refractive index is about 1.58 or less according to FIG. 2 of the publication), and not only the manufacturing method is excellent, but also itself. It can be said that this is an excellent optical waveguide that has never been seen before.

【0012】更に、第三の本発明は、上記第二の本発明
である光導波路を使用することを特徴とする光集積回路
の製造方法であり、第四の本発明は、上記第二の本発明
である光導波路を構成要素として含む光集積回路であ
る。なお、本発明で言う光集積回路とは光電子集積回路
を含む概念である。
Furthermore, a third aspect of the present invention is a method for manufacturing an optical integrated circuit, characterized in that the optical waveguide according to the second aspect of the present invention is used, and a fourth aspect of the present invention is the second aspect of the present invention. An optical integrated circuit including the optical waveguide of the present invention as a constituent element. The optical integrated circuit referred to in the present invention is a concept including an optoelectronic integrated circuit.

【0013】更に又、第五の本発明は、セラミック製基
材の表面の一部を光導波路のコア材料よりも低い屈折率
を有する物質で被覆した基板の該被覆部の上に光導波路
コアパターンを形成すると共に前記セラミック基材の前
記感光性材料よりも低い屈折率を有する物質で被覆され
ていない部分の上に電子素子をマウントしたことを特徴
とする光電子集積回路である。
Furthermore, a fifth aspect of the present invention is to provide an optical waveguide core on a portion of the surface of a ceramic base material coated with a substance having a refractive index lower than that of the core material of the optical waveguide. The optoelectronic integrated circuit is characterized in that an electronic element is mounted on a portion of the ceramic base material which is not covered with a substance having a refractive index lower than that of the photosensitive material and which forms a pattern.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明を詳し
く説明する。図1は、本発明の製造方法の代表的な製造
工程フローを示す図である。図1に示す製造工程フロー
では、先ず、基板110上に感光性材料からなる膜12
0を形成する{図1、工程(1)}。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a typical manufacturing process flow of the manufacturing method of the present invention. In the manufacturing process flow shown in FIG. 1, first, the film 12 made of a photosensitive material is formed on the substrate 110.
0 is formed {FIG. 1, step (1)}.

【0015】本発明の製造方法で使用する基板110と
しては、表面にコアが形成される平面を有する構造体、
好ましくは板状体であれば特に限定されず、公知の基板
材料からなる基板が使用できるが、コア層内を光が伝播
できるようにするために、少なくともそのコアの下地と
なる表面はコアとなる物質よりも低い屈折率を有する材
料で構成される必要がある。本発明で好適に使用できる
基板材料を例示すれば、石英、石英系ガラス、その他各
種ガラス材料、LiNbO、ZnO、サファイヤ等の
通常の光導波路で基板として用いられている材料が挙げ
られる。これらの中でも、石英、または二酸化珪素を主
成分とするガラス材料は、感光性材料として後述するポ
リメチルシラザン等の高分子珪素化合物を用いこれを安
定化させる処理として熱処理を採用する場合において、
熱処理に対する安定性や高分子珪素化合物及びその熱処
理物との熱膨張率などの相性が良いので特に好適に使用
出来る。また、窒化アルミニウム、ベリリア、炭化珪
素、アルミナ等のセラミック材料もその表面を上記のよ
うな材料で被覆することにより使用することが可能であ
る。例えば、図2に同一基板上にコアパターンだけでな
く半導体素子等の電子素子140を搭載した本発明の代
表的な光集積回路(光電子集積回路)の略断面図を示す
が、該光電子集積回路の基板としては、電子素子140
で発生する熱を効率的に放散させるために、窒化アルミ
ニウム等の高熱伝導率を有する基材111上の一部を石
英等の低屈折率物質からなる層112で被覆した構造の
基板が使用されている。該基板の層112の上部に光導
波路のコアパターン123(該コアは111と同一又は
異なる低屈折材料からなる皮膜130で被覆されていて
もよい。)を形成して光導波路を形成し、更に基材11
1が露出した部分に電子素子140をメタライズ層(図
示しない)を介してマウントすることにより、ヒートシ
ンク機能を持たせることができ、高密度化にも充分対応
可能となる。この時、電子素子から発生する熱を放散す
る効果を高めるために、電子素子がマウントされる下地
のセラミック基材とメタライズ層との間にダイヤモンド
膜を形成してもよい。なお、上記層112の形成に際し
ては、アルコキシシラン、シリカゾル等を塗布して焼成
する方法、ポリメチルシルセスキアザンを塗布して全面
露光吸湿処理して加熱する方法、ペルヒドロポリシラザ
ンを塗布して酸素または水分の存在下に加熱する方法、
シラン系ガスを用いたCVD法、二酸化珪素をターゲッ
トとして用いたスパッタリング法、二酸化珪素を原料と
して用いたイオンインプレーティング法等により形成可
能である。
As the substrate 110 used in the manufacturing method of the present invention, a structure having a flat surface on the surface of which a core is formed,
There is no particular limitation as long as it is a plate-like body, and a substrate made of a known substrate material can be used, but in order to allow light to propagate in the core layer, at least the surface underlying the core is the core. It must be composed of a material having a lower refractive index than the substance. Examples of the substrate material that can be preferably used in the present invention include quartz, quartz-based glass, various other glass materials, and materials used as substrates for ordinary optical waveguides such as LiNbO 3 , ZnO, and sapphire. Among these, quartz or a glass material containing silicon dioxide as a main component is used when a heat treatment is adopted as a treatment for stabilizing a high molecular silicon compound such as polymethylsilazane described below as a photosensitive material.
It can be used particularly preferably because it has good compatibility with respect to the heat treatment and the thermal expansion coefficient of the high molecular silicon compound and the heat treated product thereof. Also, a ceramic material such as aluminum nitride, beryllia, silicon carbide, or alumina can be used by coating the surface thereof with the above material. For example, FIG. 2 shows a schematic cross-sectional view of a typical optical integrated circuit (optical electronic integrated circuit) of the present invention in which not only a core pattern but also an electronic element 140 such as a semiconductor element is mounted on the same substrate. The substrate of the electronic element 140
In order to efficiently dissipate the heat generated in, a substrate having a structure in which a part of a base material 111 having a high thermal conductivity such as aluminum nitride is covered with a layer 112 made of a low refractive index material such as quartz is used. ing. An optical waveguide core pattern 123 (the core may be covered with a film 130 made of the same or different low refractive index material as 111) is formed on the layer 112 of the substrate to form an optical waveguide. Base material 11
By mounting the electronic element 140 on the exposed portion of 1 through a metallization layer (not shown), a heat sink function can be provided, and high density can be sufficiently dealt with. At this time, in order to enhance the effect of dissipating the heat generated from the electronic element, a diamond film may be formed between the underlying ceramic substrate on which the electronic element is mounted and the metallized layer. In forming the layer 112, a method of applying alkoxysilane, silica sol or the like and baking, a method of applying polymethylsilsesquiazane and exposing the entire surface to moisture absorption and heating, a method of applying perhydropolysilazane and oxygen. Or a method of heating in the presence of moisture,
It can be formed by a CVD method using a silane-based gas, a sputtering method using silicon dioxide as a target, an ion plating method using silicon dioxide as a raw material, or the like.

【0016】本発明の製造方法で使用する感光材料は、
製膜可能で、感光性、即ち光や電子線照射によって重合
又は縮合したり、或いは逆に分解したりする性質を有す
る材料で、何らかの処理によって感光性を失い安定な光
透過性物質になり得る材料であれば特に限定されず所謂
ポジ型(光等の照射部が分解して、別言すれば誘導体に
変化して可溶化するタイプ)及びネガ型(光等の照射部
が架橋等によって不溶化物、別言すれば誘導体に変化す
るタイプ)の感光性材料が使用できる。ただし、コアと
した時の光閉込め効果の観点、使用できるクラッド材料
の豊富化の観点から、上記安定化後における屈折率は、
1.57以上、特に1.65以上となるものを使用する
のが好適である。構成元素として珪素原子及び窒素原子
を含み、且つ酸との接触によって分解し得る高分子珪素
化合物(例えば、−Si−NH−ユニットが連結した高
分子珪素化合物)、及び光酸発生剤を含有する組成物
は、光照射されると低分子量化して溶媒に可溶化する
(感光性を有する)ばかりでなく、熱処理することによ
り容易に安定化して光透過性を有する高屈折物質(窒化
珪素を主成分とする物質)になるので、本発明において
はこのような組成物を感光性材料として使用するのが特
に好適である。上記高分子珪素化合物としては、ポリオ
ルガノシラザン{J.Am.Ceram.Soc.,66,C-132(198
4)}、ポリアルキルシルセスキアザン{Tec.Dig.-Int.
Electron Device Meet.(2000),253-256}、Siの他
にAl、Ga、In、Si、Ge、Ti、Zr、Hf、
V、Nd、Ta、Cr、Mo、W等の元素を含む重合性
多元アザン(特開平6−340744号公報)、アルキ
ルポリ(ポリシリル)アザン・プレセラミックポリマー
(特開平5−59178号公報)、ペルヒドロポリシラ
ザン、およびこれらの誘導体等が挙げられるが、入手の
容易さの観点からポリメチルシラザン、ポリメチルシル
セスキアザン、ペルヒドロポリシラザン、またはこれら
の誘導体を用いるのが特に好適である。また、光酸発生
剤としては光又は電子線照射によってブレンスッテド酸
またはルイス酸を発生するものであれば特に限定され
ず、ハロメチル基置換−s−トリアジン誘導体、ジフェ
ニルヨードニウム塩化合物、スルホニウム塩化合物、ス
ルホン酸エステル化合物、ジススルホン化合物、ジアゾ
ニウム塩化合物等の他、公知の光酸発生剤が制限なく使
用できる。また、上記組成物には増感色素等の増感剤を
添加してもよい。
The photosensitive material used in the manufacturing method of the present invention is
It is a material that can be formed into a film and is photosensitive, that is, it has the property of being polymerized or condensed by irradiation of light or electron beams, or conversely decomposed. The material is not particularly limited as long as it is a so-called positive type (a type in which the irradiated portion of light is decomposed, in other words, it is changed to a derivative to be solubilized) and a negative type (the irradiated portion of light is cross-linked and insolubilized). It is possible to use a photosensitive material of a type, that is, a type that is changed to a derivative). However, from the viewpoint of light confinement effect when used as a core and the viewpoint of abundance of clad materials that can be used, the refractive index after stabilization is
It is preferable to use one having a ratio of 1.57 or more, particularly 1.65 or more. A polymer silicon compound containing a silicon atom and a nitrogen atom as constituent elements and capable of decomposing by contact with an acid (for example, a polymer silicon compound in which -Si-NH- units are linked) and a photoacid generator are contained. The composition not only has a low molecular weight when exposed to light and becomes soluble in a solvent (has photosensitivity), but is also easily stabilized by heat treatment and has a high light-transmitting property (mainly silicon nitride). It is particularly preferable to use such a composition as a photosensitive material in the present invention, since it becomes a component material). Examples of the above-mentioned polymeric silicon compound include polyorganosilazane {J. Am. Ceram. Soc., 66, C-132 (198
4)}, polyalkylsilsesquiazane {Tec.Dig.-Int.
Electron Device Meet. (2000), 253-256}, in addition to Si, Al, Ga, In, Si, Ge, Ti, Zr, Hf,
Polymerizable multi-element azan containing elements such as V, Nd, Ta, Cr, Mo and W (JP-A-6-340744), alkylpoly (polysilyl) azane preceramic polymer (JP-A-5-59178), Examples thereof include perhydropolysilazane, and their derivatives. From the viewpoint of easy availability, it is particularly preferable to use polymethylsilazane, polymethylsilsesquiazane, perhydropolysilazane, or their derivatives. The photoacid generator is not particularly limited as long as it can generate Bronstedt acid or Lewis acid by irradiation with light or electron beam, and is not particularly limited, and it is a halomethyl group-substituted-s-triazine derivative, diphenyliodonium salt compound, sulfonium salt compound, sulfone. In addition to acid ester compounds, disulphone compounds, diazonium salt compounds, and the like, known photoacid generators can be used without limitation. Further, a sensitizer such as a sensitizing dye may be added to the above composition.

【0017】基板上に上記のような感光性材料からなる
膜を形成する方法は特に限定されず、例えば、上記のよ
うな組成物を溶媒に溶解させて得た溶液を塗布したりス
ピンコートした後に溶媒乾燥等の方法により溶媒を除去
することにより好適に行なうことができる。この時、形
成する膜の厚さが用いる感光性材料に応じて安定化処理
等による体積変化等を考慮して所望のコア厚となるよう
に溶液粘度やスピンコート条件を調整すればよい。
The method of forming a film made of the above-mentioned photosensitive material on the substrate is not particularly limited, and for example, a solution obtained by dissolving the above-mentioned composition in a solvent is applied or spin-coated. After that, the solvent can be preferably removed by removing the solvent by a method such as solvent drying. At this time, the solution viscosity and the spin coating conditions may be adjusted so that the thickness of the film to be formed will be a desired core thickness in consideration of the volume change and the like due to the stabilization treatment or the like depending on the photosensitive material used.

【0018】本発明の製造方法では、上記のようにして
形成した感光性材料からなる膜120について、光導波
路コアパターン焼き付け用のフォトマスク(図示しな
い)を用いて、または電子線描画装置を用いて、該膜を
露光、現像して前記基板上に前記感光性材料からなるコ
アパターンを形成する{図1、工程(2)及び
(3)}。例えば、前記した高分子珪素化合物を含む組
成物からなる感光材料を使用して紫外線や電子線を用い
て露光した場合には、膜120の光照射部分121は分
解により低分子量化する(誘導体である分解物に変化す
る)が、コアパターンとなる光未照射部分は変化しない
ので、溶媒やアルカリ水溶液等を用いて光照射部分12
1を除去する(現像する)ことにより安定化処理前の感
光材料からなるコアパターン122を形成することがで
きる。なお、露光・現像に当たっては、光照射部分12
1を除去し易くする為に、増感・吸湿(水蒸気処理)等
の補助反応工程を行うのが好適である。また、前記膜1
20の製膜、露光・現像においては、LSI製造にリソ
グラフィー技術を採用することにより極めて正確な膜厚
かつ面内方向寸法のパターンとすることができる。
In the manufacturing method of the present invention, with respect to the film 120 made of the photosensitive material formed as described above, a photomask (not shown) for printing an optical waveguide core pattern is used, or an electron beam drawing apparatus is used. Then, the film is exposed and developed to form a core pattern made of the photosensitive material on the substrate {FIG. 1, steps (2) and (3)}. For example, when a light-sensitive material made of a composition containing the above-described high molecular silicon compound is used and exposed to ultraviolet rays or electron beams, the light-irradiated portion 121 of the film 120 is decomposed to have a low molecular weight. However, since the unirradiated portion forming the core pattern does not change, the exposed portion 12 is irradiated with a solvent or an aqueous alkali solution.
By removing 1 (developing), the core pattern 122 made of the photosensitive material before the stabilization process can be formed. When exposing and developing, the light irradiation part 12
In order to facilitate the removal of 1, it is preferable to carry out an auxiliary reaction process such as sensitization / moisture absorption (steam treatment). Also, the film 1
In the film formation, exposure, and development of 20, by adopting the lithography technique in the LSI manufacture, it is possible to form a pattern having an extremely accurate film thickness and in-plane direction dimension.

【0019】なお、前記したように、本発明の製造方法
では、露光後に必ずしも現像を行なう必要はなく、例え
ば前記高分子珪素化合物を含む組成物からなる感光材料
を使用した場合には、露光{即ち図1、工程(2)}後
に、吸湿処理を施し、そのまま後述するような加熱処理
による安定化を行なうことにより、コアパターン122
は安定化された前記感光性材料からなるコア123に変
化すると同時に、光照射部分121は、珪素酸化物を主
成分とするコア123より低屈折率の物質に変化するの
で、現像処理を省略して図3に示すようなコアの側面に
クラッド層を有する光導波路を容易に製造することがで
きる。
As described above, in the manufacturing method of the present invention, it is not always necessary to perform development after exposure. For example, when a photosensitive material made of a composition containing the above-mentioned high molecular silicon compound is used, exposure That is, after the step (2) in FIG. 1, a moisture absorption treatment is performed, and the core pattern 122 is subjected to stabilization by a heat treatment as described below.
Is changed to the stabilized core 123 made of the photosensitive material, and at the same time, the light irradiation portion 121 is changed to a substance having a lower refractive index than the core 123 containing silicon oxide as a main component, so that the development process is omitted. As shown in FIG. 3, an optical waveguide having a clad layer on the side surface of the core can be easily manufactured.

【0020】本発明の製造方法では、基板上に上記のよ
うにして感光材料からなるコアパターン122を形成し
た後に、該コアパターンを構成する感光性材料又はその
誘導体を安定化して感光性を有しない安定な透光性物質
に転化させ、最終的なコアパターン123を形成する
{図1、工程(4)}。この時の安定化方法は、使用す
る感光材料に応じて好適な化学的処理又は物理的な処理
を行えばよい。例えば、前記した高分子珪素化合物及び
光酸発生剤を含む組成物からなる感光性材料を使用する
場合には例えば塩基を添加する等して化学的に光酸発生
剤失活させたり、加熱により光酸発生剤を揮発、或いは
昇華させたり分解したりすることにより安定化すること
ができる。感光性材料として上記高分子珪素化合物を含
む組成物を使用した場合には、この様な安定化と同時
に、高強度化、高屈折率化、或いは透明化が図れること
から、加熱処理により安定化を行うのが好適である。こ
の時の加熱処理条件は使用する組成物の種類(高分子珪
素化合物及び光酸発生剤の種類)に応じて適宜決定すれ
ばよい。加熱温度が高いほどまた、処理時間が長いほど
処理後の高分子珪素化合物の屈折率は高くなる傾向があ
り、従って、本発明の製造方法では熱処理条件を調製す
ることによりコアの屈折率を制御することができる。コ
ア材料として好適な屈折率を得るためには、700〜1
200℃、好ましくは800〜1100℃、特に900
〜1000℃で、0.1〜10時間程度度熱処理を行う
のが好適である。この時の雰囲気は特に限定されない
が、屈折率を高くするためには、窒素ガス、アルゴンガ
ス等の不活性ガス雰囲気下、アンモニア等の還元性ガス
雰囲気下で行なうのが好適である。なお、上記高分子珪
素化合物はその種類によっては酸素や水分が存在する雰
囲気下で加熱すると珪素酸化物を主成分とする物質に変
化する性質を有するのもがあるが、このような高分子珪
素化合物を用いた場合には、雰囲気中の酸素分圧や水蒸
気分圧を制御することにより珪素酸化物へ変化する度合
い、延いては処理後に得られる物質の屈折率を制御する
ことも可能であるので、酸素や水分が存在する雰囲気下
で処理を行なうことも可能である。
In the manufacturing method of the present invention, after the core pattern 122 made of the photosensitive material is formed on the substrate as described above, the photosensitive material forming the core pattern or its derivative is stabilized to make it photosensitive. Not converted into a stable translucent material to form a final core pattern 123 {FIG. 1, step (4)}. The stabilizing method at this time may be a suitable chemical treatment or physical treatment depending on the photosensitive material used. For example, in the case of using a photosensitive material composed of a composition containing the above-mentioned polymeric silicon compound and a photoacid generator, for example, a photoacid generator is chemically deactivated by adding a base, or by heating. It can be stabilized by volatilizing or sublimating or decomposing the photo-acid generator. When the composition containing the above-mentioned high molecular silicon compound is used as the photosensitive material, it is possible to achieve such stabilization, as well as high strength, high refractive index, or transparency. Is preferably performed. The heat treatment conditions at this time may be appropriately determined according to the type of composition used (type of high molecular silicon compound and photoacid generator). The higher the heating temperature and the longer the treatment time, the higher the refractive index of the polymer silicon compound after treatment tends to be. Therefore, in the production method of the present invention, the refractive index of the core is controlled by adjusting the heat treatment conditions. can do. In order to obtain a suitable refractive index as a core material, 700 to 1
200 ° C., preferably 800-1100 ° C., especially 900
It is preferable to perform heat treatment at about 1000 ° C. for about 0.1 to 10 hours. The atmosphere at this time is not particularly limited, but in order to increase the refractive index, it is preferable to carry out under an inert gas atmosphere such as nitrogen gas or argon gas or under a reducing gas atmosphere such as ammonia. It should be noted that, depending on the type, the above-mentioned polymeric silicon compound may have a property of being converted into a substance containing silicon oxide as a main component when heated in an atmosphere in which oxygen or water exists. When a compound is used, it is also possible to control the degree of conversion to silicon oxide by controlling the partial pressure of oxygen or water vapor in the atmosphere, and thus the refractive index of the substance obtained after the treatment. Therefore, it is possible to perform the treatment in an atmosphere in which oxygen and water are present.

【0021】この様な安定化処理を行って得られたもの
はそれ自体光導波路として充分使用可能であるが、損失
を低減したりコア層を保護する目的で、基板上に形成さ
れた安定化された前記感光性材料からなるコア123の
表面を、該コアの構成物質よりも低い屈折率を有する物
質からなるコア被覆物130で被覆するのが好適である
{図1、工程(5)}。この時の被覆材としては図2に
おける前記層112の材料と同じものが好適に使用出来
る。また、被覆方法も特に限定されず、例えば前記層1
12の形成と同様にして行うことができる。
The product obtained by performing such a stabilizing treatment can be sufficiently used as an optical waveguide by itself, but it is a stabilizer formed on a substrate for the purpose of reducing loss and protecting the core layer. It is preferable to coat the surface of the core 123 made of the photosensitive material with a core coating 130 made of a substance having a refractive index lower than that of the constituent substance of the core {FIG. 1, step (5)}. . As the coating material at this time, the same material as the material of the layer 112 in FIG. 2 can be preferably used. Further, the coating method is not particularly limited, and for example, the layer 1
It can be performed in the same manner as the formation of 12.

【0022】この様にして製造した本発明の光導波路
は、該光導波路上に電極等の種々の機能をもつ構造物を
配置したり、導波路自体を更に加工して特殊な構造を持
たせたりすることにより、様々な光制御を行うことがで
きる光集積回路とする事ができる。また、図2に示すよ
うに種々の電子素子と組み合わせて光電子集積回路とす
ることもできる。
In the optical waveguide of the present invention manufactured in this manner, a structure having various functions such as electrodes is arranged on the optical waveguide, or the waveguide itself is further processed to have a special structure. By doing so, it is possible to provide an optical integrated circuit capable of performing various optical controls. Further, as shown in FIG. 2, it may be combined with various electronic elements to form an optoelectronic integrated circuit.

【0023】ところで、図2に示す本発明の光電子集積
回路は、その構造自体が新規なものであり、上記した様
に電子素子から発生する熱を放散する能力が高く、電子
素子や電気配線を高密度化しても安定に使用できるとい
う従来の光電子素子にみられない特徴を有する。したが
って、前記第五の本発明である、セラミック製基材の表
面の一部を光導波路のコア材料よりも低い屈折率を有す
る物質で被覆した基板の該被覆部の上に光導波路コアパ
ターンを形成すると共に前記セラミック基材の前記感光
性材料よりも低い屈折率を有する物質で被覆されていな
い部分の上に電子素子をマウントしたことを特徴とする
本発明の光電子集積回路における光導波路コアパターン
の形成方法としては、公知の光導波路パターンの形成方
法が制限なく使用できる。
By the way, the optoelectronic integrated circuit of the present invention shown in FIG. 2 has a novel structure itself, and as described above, has a high ability to dissipate the heat generated from the electronic element, and the electronic element and the electric wiring are It has a feature not found in conventional optoelectronic devices that it can be used stably even if the density is increased. Therefore, the optical waveguide core pattern is formed on the coated portion of the substrate, which is the fifth aspect of the present invention, in which a part of the surface of the ceramic base material is coated with a substance having a refractive index lower than that of the core material of the optical waveguide. An optical waveguide core pattern in an optoelectronic integrated circuit according to the present invention, wherein an electronic device is mounted on a portion of the ceramic substrate which is not covered with a substance having a refractive index lower than that of the photosensitive material. As a method for forming the above, a known method for forming an optical waveguide pattern can be used without limitation.

【0024】[0024]

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を更に詳しく説
明するが、本発明は該実施例に限定されるものではな
い。
The present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to the examples.

【0025】実施例 石英ガラス基板(厚さ約0.7mm、約35mm角、屈
折率:1.55)を用意した。これをアルコール洗浄乾
燥し、感光性材料層をスピン塗布した。ここでは、感光
性ポリメチルシラザンのプロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート(PGMEA)溶液(クラリアン
トジャパン社製)を石英ガラス基板上に毎分4000回
転でスピン塗布した。これを、ホットプレート上で90
℃1分間加熱し乾燥した。
Example A quartz glass substrate (thickness: about 0.7 mm, about 35 mm square, refractive index: 1.55) was prepared. This was washed with alcohol and dried, and the photosensitive material layer was spin-coated. Here, a propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) solution of photosensitive polymethylsilazane (manufactured by Clariant Japan) was spin-coated on a quartz glass substrate at 4000 rpm. 90 on a hot plate
It was heated at ℃ for 1 minute and dried.

【0026】その感光性材料層を光導波路パターンのマ
スクを用いて深紫外光で露光した。露光時間は、感光性
ポリメチルシラザンの感度に依存するが、典型的には、
20秒間とした。その後、水を底に少し張って水蒸気を
満たしたケース中に、ガラス基板ごと10分間保持し、
感光性ポリメチルシラザン中の酸発生剤に吸湿させ増感
した。
The photosensitive material layer was exposed to deep ultraviolet light using a mask having an optical waveguide pattern. The exposure time depends on the sensitivity of the photosensitive polymethylsilazane, but typically,
It was set to 20 seconds. Then, hold the glass substrate together for 10 minutes in a case filled with water by slightly stretching water on the bottom,
The acid generator in the photosensitive polymethylsilazane was made to absorb moisture and sensitized.

【0027】続いて、通常の市販有機アルカリ水溶液
(トリメチルアンモニウムハイドライト2.38%水溶液、
東京応化社製、商品名NMD-3)を用いて感光性材料膜を
現像し、露光部分を除去した。この、光導波路パターン
を形成したガラス板を、アルゴン雰囲気中で種々の温度
で1〜2時間熱処理を行い、屈折率の変化を確認した。
その結果、700℃以下で熱処理したものの屈折率は約
1.5であったが、800℃、及び900℃で加熱処理
すると感光性ポリメチルシラザンは窒化シリコンを主成
分とする材料に変化し、屈折率はそれぞれ約1.7(at
800℃)及び約1.8(at900℃)であった。こう
して形成した光導波路パターンは、下地石英ガラス基板
よりも高屈折率であるため、その屈折率差により、導波
路パターン中を光伝搬させることができる。
Then, an ordinary commercially available organic alkaline aqueous solution (trimethylammonium hydride 2.38% aqueous solution,
The photosensitive material film was developed using Tokyo Ohka Co., Ltd., trade name NMD-3), and the exposed portion was removed. The glass plate on which the optical waveguide pattern was formed was heat-treated in an argon atmosphere at various temperatures for 1 to 2 hours to confirm the change in the refractive index.
As a result, the heat treatment at 700 ° C. or lower had a refractive index of about 1.5. However, when heat treatment was performed at 800 ° C. and 900 ° C., the photosensitive polymethylsilazane was changed to a material containing silicon nitride as a main component, The refractive index is about 1.7 (at
800 ° C.) and about 1.8 (at 900 ° C.). Since the optical waveguide pattern thus formed has a higher refractive index than the underlying quartz glass substrate, light can be propagated in the waveguide pattern due to the difference in the refractive index.

【0028】[0028]

【発明の効果】本発明の製造方法によれば、クラッドと
の屈折率差が大きなコアを有し、その形状が微細且つ正
確に制御されて基板上に形成されている光導波路を、制
御の煩雑なエッチング法を用いずに簡便に製造すること
ができる。
According to the manufacturing method of the present invention, it is possible to control an optical waveguide which has a core having a large difference in refractive index from the clad and whose shape is finely and accurately controlled on the substrate. It can be easily manufactured without using a complicated etching method.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本図は、本発明の製造方法の代表的な製造工
程フローを示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a typical manufacturing process flow of a manufacturing method of the present invention.

【図2】 本図は、本発明の代表的な光集積回路(光電
子集積回路)の略断面図である。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a typical optical integrated circuit (optoelectronic integrated circuit) of the present invention.

【図3】 本図は、本発明の代表的な光導波路の略断面
図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a typical optical waveguide of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

110:基板 111:高熱伝導率を有する基材 112:低屈折率物質からなる層 120:感光性材料からなる膜 121:光照射部分 122:安定化処理前の感光材料からなるコアパターン 123:コアパターン 130:コア被覆物 140:電子素子 110: substrate 111: Base material having high thermal conductivity 112: Layer made of low refractive index material 120: Film made of photosensitive material 121: Light irradiation part 122: Core pattern made of photosensitive material before stabilization processing 123: Core pattern 130: Core coating 140: Electronic element

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 室田 淳一 宮城県仙台市青葉区土樋1丁目6の23の 403 (72)発明者 宮原 健一郎 山口県徳山市御影町1番1号 株式会社ト クヤマ内 (72)発明者 野仲 徹 山口県徳山市御影町1番1号 株式会社ト クヤマ内 (72)発明者 三鍋 雄一郎 山口県徳山市御影町1番1号 株式会社ト クヤマ内 Fターム(参考) 2H047 KA04 PA22 PA24 PA28 QA05 QA07    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Junichi Murota             23, 1-6, Tohiga, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi Prefecture             403 (72) Inventor Kenichiro Miyahara             1-1 Mikagecho, Tokuyama City, Yamaguchi Prefecture             In Kuyama (72) Inventor Toru Nonaka             1-1 Mikagecho, Tokuyama City, Yamaguchi Prefecture             In Kuyama (72) Inventor Yuichiro Minabe             1-1 Mikagecho, Tokuyama City, Yamaguchi Prefecture             In Kuyama F term (reference) 2H047 KA04 PA22 PA24 PA28 QA05                       QA07

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に感光性材料からなる膜を形成
し、次いで該膜に光導波路コアパターンを露光し、その
後コアパターンとなる前記感光性材料又はその誘導体を
安定化することを特徴とする光導波路の製造方法。
1. A film comprising a photosensitive material is formed on a substrate, an optical waveguide core pattern is exposed to the film, and then the photosensitive material or its derivative to be the core pattern is stabilized. A method for manufacturing an optical waveguide.
【請求項2】 前記感光性材料からなる膜に光導波路コ
アパターンを露光した後に現像して前記基板上に前記感
光性材料又はその誘導体からなる光導波路コアパターン
を形成し、次いで該コアパターンを構成する上記感光性
材料又はその誘導体を安定化することを特徴とする請求
項1に記載の製造方法。
2. An optical waveguide core pattern made of the photosensitive material or a derivative thereof is formed on the substrate by exposing the film made of the photosensitive material to an optical waveguide core pattern and then developing the film. The method according to claim 1, wherein the photosensitive material or its derivative constituting the material is stabilized.
【請求項3】 前記感光性材料からなる膜に光導波路コ
アパターンを露光した後、該膜の光導波路コアパターン
とならない部分の前記感光性材料又はその誘導体を、光
導波路コアパターンとなる前記感光性材料又はその誘導
体を安定化する前或いは後、又は該安定化と同時に、該
安定化によって得られる物質よりも屈折率が低い物質に
転化させることを特徴とする請求項1に記載の製造方
法。
3. After exposing a film made of the photosensitive material with an optical waveguide core pattern, a portion of the film which is not the optical waveguide core pattern is treated with the photosensitive material or its derivative as an optical waveguide core pattern. 2. The method according to claim 1, wherein the functional material or its derivative is converted into a substance having a lower refractive index than the substance obtained by the stabilization, before or after the stabilization, or simultaneously with the stabilization. .
【請求項4】 前記感光性材料が、構成元素として珪素
原子及び窒素原子を含み、且つ酸との接触によって分解
し得る高分子珪素化合物、並びに光酸発生剤を含有する
組成物からなることを特徴とする請求項1乃至3の何れ
かに記載の製造方法。
4. The photosensitive material comprises a composition containing a silicon atom and a nitrogen atom as constituent elements and containing a polymeric silicon compound decomposable by contact with an acid, and a photoacid generator. The manufacturing method according to any one of claims 1 to 3, which is characterized.
【請求項5】 基板の少なくともその上部に前記コアパ
ターンが形成される表面が、安定化後の前記感光性材料
よりも低い屈折率を有する物質で構成された基板を使用
することを特徴とする請求項1乃至4の何れかに記載の
製造方法。
5. A substrate is used, wherein at least a surface of the substrate on which the core pattern is formed is made of a substance having a refractive index lower than that of the photosensitive material after stabilization. The manufacturing method according to claim 1.
【請求項6】 感光材料を安定化する方法が加熱処理で
あることを特徴とする請求項1乃至5の何れかに記載の
製造方法。
6. The manufacturing method according to claim 1, wherein the method for stabilizing the photosensitive material is a heat treatment.
【請求項7】 基板上に形成された安定化された前記感
光性材料からなるコアの表面を、該コアの構成物質より
も低い屈折率を有する物質で被覆することを特徴とする
請求項1乃至6の何れかに記載の製造方法。
7. The surface of a core made of the stabilized photosensitive material formed on a substrate is coated with a substance having a refractive index lower than that of the constituent substance of the core. 7. The method according to any one of 6 to 6.
【請求項8】 請求項1乃至7の何れかに記載の製造方
法によって製造される光導波路。
8. An optical waveguide manufactured by the manufacturing method according to claim 1.
【請求項9】 請求項8記載の光導波路を使用すること
を特徴とする光集積回路の製造方法。
9. A method of manufacturing an optical integrated circuit, wherein the optical waveguide according to claim 8 is used.
【請求項10】 請求項9記載の光導波路を構成要素と
して含む光集積回路。
10. An optical integrated circuit including the optical waveguide according to claim 9 as a constituent element.
【請求項11】 セラミック製基材の表面の一部を安定
化後の前記感光性材料よりも低い屈折率を有する物質で
被覆した基板の該被覆部の上にコアパターンを形成する
と共に前記セラミック基材の前記感光性材料よりも低い
屈折率を有する物質で被覆されていない部分の上に電子
素子をマウントしたことを特徴とする請求項11記載の
光集積回路。
11. A core pattern is formed on the coated portion of a substrate in which a part of the surface of a ceramic substrate is coated with a substance having a refractive index lower than that of the photosensitive material after stabilization, and the ceramic is formed. The optical integrated circuit according to claim 11, wherein an electronic element is mounted on a portion of the base material which is not covered with a substance having a refractive index lower than that of the photosensitive material.
【請求項12】 セラミック製基材の表面の一部を光導
波路のコア材料よりも低い屈折率を有する物質で被覆し
た基板の該被覆部の上に光導波路コアパターンを形成す
ると共に前記セラミック基材の前記感光性材料よりも低
い屈折率を有する物質で被覆されていない部分の上に電
子素子をマウントしたことを特徴とする光集積回路。
12. An optical waveguide core pattern is formed on the coated portion of a substrate in which a part of the surface of a ceramic base material is coated with a substance having a refractive index lower than that of a core material of the optical waveguide, and the ceramic substrate is formed. An optical integrated circuit in which an electronic element is mounted on a portion of the material which is not covered with a substance having a refractive index lower than that of the photosensitive material.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005057239A (en) * 2003-03-27 2005-03-03 Nichia Chem Ind Ltd Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
JP2006030919A (en) * 2004-07-22 2006-02-02 Kansai Paint Co Ltd Method of manufacturing optical waveguide
JP2006091789A (en) * 2004-09-27 2006-04-06 Matsushita Electric Works Ltd Method for manufacturing optical waveguide plate
JP2010266806A (en) * 2009-05-18 2010-11-25 Sumitomo Bakelite Co Ltd Method of manufacturing optical waveguide, optical waveguide, optical routing, photoelectric consolidation substrate and electronic equipment

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005057239A (en) * 2003-03-27 2005-03-03 Nichia Chem Ind Ltd Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
JP4507636B2 (en) * 2003-03-27 2010-07-21 日亜化学工業株式会社 Semiconductor light emitting device
JP2006030919A (en) * 2004-07-22 2006-02-02 Kansai Paint Co Ltd Method of manufacturing optical waveguide
JP2006091789A (en) * 2004-09-27 2006-04-06 Matsushita Electric Works Ltd Method for manufacturing optical waveguide plate
JP2010266806A (en) * 2009-05-18 2010-11-25 Sumitomo Bakelite Co Ltd Method of manufacturing optical waveguide, optical waveguide, optical routing, photoelectric consolidation substrate and electronic equipment

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