JP2003014824A - Magnetic field measuring method and magnetic field measuring device - Google Patents

Magnetic field measuring method and magnetic field measuring device

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JP2003014824A
JP2003014824A JP2001197691A JP2001197691A JP2003014824A JP 2003014824 A JP2003014824 A JP 2003014824A JP 2001197691 A JP2001197691 A JP 2001197691A JP 2001197691 A JP2001197691 A JP 2001197691A JP 2003014824 A JP2003014824 A JP 2003014824A
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卓 須賀
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中村  聡
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem that it was hitherto difficult to with high accuracy and efficiently a magnetic field caused by an electronic circuit in a semiconductor package. SOLUTION: In a method for measuring a magnetic field, a magnetic field value of an integrated circuit having a plurality of energization lines inside an integrated circuit package is measured. The method comprises the steps of: measuring a first induced voltage which is caused in an electromagnetic field of the energization line and contains a first electric field induced voltage; measuring a second induced voltage which is caused in the electromagnetic field of the energization line and contains a second electric field voltage which is substantially equal to the first electric field induced voltage; and determining (measuring) components of the magnetic field based on a difference between the first induced voltage and the second induced voltage.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、概して電磁波測定
の分野に関し、特に、ICパッケージを伴わない集積回
路(IC)も含めたICパッケージ内側のICの磁界を
測定するためのテクニックに関する。さらに詳細には、
現在の大規模集積回路(LSI)と概略等しいかそれを
超える密度を持ったICのそれに関する。
FIELD OF THE INVENTION The present invention relates generally to the field of electromagnetic wave measurement, and more particularly to techniques for measuring the magnetic field of ICs inside IC packages, including integrated circuits (ICs) without IC packages. More specifically,
It relates to that of an IC with a density approximately equal to or greater than the current large scale integrated circuit (LSI).

【0002】[0002]

【従来の技術】図1は、集積回路(IC)、たとえばL
SIまたは超大規模集積回路(ULSI)を有するパッ
ケージ110の磁界分布114の一例を示している。図
1においてパッケージ110は、パッケージ内側のIC
を例示した、表層部を切り離したカットアウェイ断面1
12を伴う形で示されている。従来からパッケージ11
0の外側の磁界分布114の測定には、磁気プローブま
たはセンサ116が使用されており、それを介した誘導
電圧の測定が行われている。言い換えると、通常はIC
の測定が、ICパッケージの外側において行なわれてい
る。誘導電圧は、集積回路内の電流によって発生し、そ
れを利用して磁気プローブまたはセンサ116のある位
置における磁界が測定される。
2. Description of the Related Art FIG. 1 shows an integrated circuit (IC) such as L.
An example of a magnetic field distribution 114 of a package 110 having an SI or an ultra large scale integrated circuit (ULSI) is shown. In FIG. 1, the package 110 is an IC inside the package.
Cutaway cross section 1 with the surface layer cut off
It is shown in the form with twelve. Conventional package 11
A magnetic probe or sensor 116 is used to measure the magnetic field distribution 114 outside 0, through which the induced voltage is measured. In other words, usually IC
Is performed outside the IC package. The induced voltage is generated by the current in the integrated circuit and is used to measure the magnetic field at a location of the magnetic probe or sensor 116.

【0003】パッケージ110の磁界分布を測定する1
つの理由は、IC内の電流によって生じることのある電
磁障害(EMI)問題の解決である。EMIを低減する
ためには、干渉源をピンポイントに精度よく特定する必
要がある。その一例は、特開2000−304790号
公報「電磁波発生源探査装置、その方法およびその解析
方法」に開示されている。しかしながら、回路のサイズ
が小さくなるに従って、たとえば今日のLSIは0.1
μmプロセスによって製造されるが、潜在的な干渉源を
精度よく特定するために、回路配線、たとえばパッケー
ジ110内側の断面112の極めて近傍において磁界測
定を実施する必要が生じてきた。
Measuring the magnetic field distribution of the package 110 1
One reason is the solution of electromagnetic interference (EMI) problems that can be caused by current in the IC. In order to reduce EMI, it is necessary to pinpoint the interference source with high accuracy. An example thereof is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-304790, "Electromagnetic wave generation source exploration apparatus, method thereof, and analysis method thereof". However, as the circuit size becomes smaller, for example, today's LSI has 0.1
Although manufactured by the μm process, it has become necessary to perform magnetic field measurements in the circuit wiring, for example, in close proximity to the cross-section 112 inside the package 110, to accurately identify potential sources of interference.

【0004】上記に加えて、ICパッケージ110内側
の磁界分布の測定は、低ノイズ集積回路の製造につなが
る。IC上において比較的強い磁界強度を示す位置は、
比較的高いノイズ発生ポイントを意味する。この位置に
おいて磁界を抑えるいくつかの従来のテクニックの例と
して、ノイズ低減のための配線パターンの変更が挙げら
れる。
In addition to the above, measuring the magnetic field distribution inside the IC package 110 leads to the manufacture of low noise integrated circuits. The position on the IC showing a relatively strong magnetic field strength is
It means a relatively high noise generation point. Examples of some conventional techniques for suppressing the magnetic field at this location include modifying the wiring pattern for noise reduction.

【0005】特開2000−206163号公報「電磁
界強度の測定方法および装置並びに電流電圧分布の測定
方法並び装置」には、たとえば回路ボード上部の磁界を
測定するためのプローブとしてのループ・アンテナの使
用を開示している。それ以外に示された例には、数セン
チメートルのリード・ワイヤ、マイクロストリップ・ラ
イン(つまり平面伝送ライン)、ボード上のコンポーネ
ントのユニット、および電気装置の回路基板が含まれて
いる。ループ・プローブは、被験装置から2mmまでの
距離に近接した測定に使用されている。このように開示
されている用法は、装置上方、たとえばボード上のユニ
ット上方における磁界の測定を向上させるためのもので
あって、ICパッケージ内側に関するものではない。
Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2000-206163, "Method and apparatus for measuring electromagnetic field strength and method and apparatus for measuring current-voltage distribution" describes, for example, a loop antenna as a probe for measuring a magnetic field above a circuit board. Discloses the use. Other examples shown include several centimeters of lead wires, microstrip lines (or planar transmission lines), units of components on board, and circuit boards of electrical devices. The loop probe is used for measurements close to a distance of 2 mm from the device under test. The usage thus disclosed is intended to improve the measurement of the magnetic field above the device, eg above the unit on the board, and not to the inside of the IC package.

【0006】上記特開2000−206163号公報に
おいては、回路ボードの電磁界によって当該回路ボード
の上方にあるループ・アンテナ内に電界結合電流および
磁界結合電流が発生する。プローブ内の電界結合電流お
よび磁界結合電流の出力に注目すれば、ループ・プロー
ブの特定部位においてはそれらが同一の方向に向かう
が、ループ・プローブの別の部位においては互いの方向
が逆になる。電流測定デバイスによってループ・プロー
ブの一端において測定された第1の複合電流、すなわち
電界結合電流および磁界は、電界結合電流および磁界結
合電流の和になる。ループ・プローブの同一端におい
て、同一電流測定デバイスを用いて測定された、ループ
・プローブを180度回転させた後の第2の複合電流
は、電界結合電流および磁界結合電流の差になる。した
がって、これら2つの複合電流を使用して電界結合電流
および磁界結合電流を計算することができる。また、こ
れらの複合電流からループ・プローブにおける電磁界の
電界成分および磁界成分を導くことができる。
In the above-mentioned Japanese Patent Laid-Open No. 2000-206163, an electric field coupling current and a magnetic field coupling current are generated in the loop antenna above the circuit board by the electromagnetic field of the circuit board. Focusing on the output of the electric field coupling current and the magnetic field coupling current in the probe, they are directed in the same direction at a specific part of the loop probe, but opposite to each other at another part of the loop probe. . The first combined current, the field coupled current and magnetic field, measured at one end of the loop probe by the current measuring device is the sum of the field coupled current and the field coupled current. A second combined current measured with the same current measuring device at the same end of the loop probe, after rotating the loop probe 180 degrees, results in the difference between the electric field coupling current and the magnetic field coupling current. Therefore, these two composite currents can be used to calculate the electric and magnetic field coupling currents. Also, the electric field component and magnetic field component of the electromagnetic field in the loop probe can be derived from these composite currents.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ICパ
ッケージの磁界分布の測定における特開2000−20
6163号公報の使用は、近距離磁界の分布の測定に二
次的な改良をもたらすに過ぎない。このように従来技術
は正確な磁界測定を提供するが、パッケージ化されたI
Cの磁界測定に特開2000−206163号公報に開
示された技術を使用することが、従来技術を大きく超え
る利点をもたらすものとはならない。それに加えて、特
開2000−206163号公報は、1つの電流測定デ
バイスを使用する場合に、プローブを回転させて複合電
流の測定を行っている。この回転は時間を要し、より効
率的に測定を行う方法が求められている。
However, in the measurement of the magnetic field distribution of the IC package, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-20 has been proposed.
The use of 6163 only brings about a secondary improvement in the measurement of the distribution of the near field. Thus, while the prior art provides accurate magnetic field measurements, the packaged I
The use of the technique disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-206163 for measuring the magnetic field of C does not bring a great advantage over the conventional technique. In addition, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-206163 measures the composite current by rotating the probe when using one current measuring device. This rotation requires time, and there is a need for a more efficient method of measurement.

【0008】IC内の潜在的な雑音源を精度よく特定す
るためには、ICパッケージ内側のIC配線の上方数十
マイクロメートル(μm)台、たとえば30μm上方で
磁界の測定を行う必要がある。断面112は、ICパッ
ケージ110の内側を示している。しかしながら、IC
パッケージ内側の磁界の測定においては、電界に起因す
る大きな結合容量があり、磁界のみを測定する磁界プロ
ーブの精度は低下してしまう。したがって、ICパッケ
ージの内側における磁界プローブに対する電界の影響を
極小化し、磁界分布の測定精度を向上させるテクニック
が必要とされている。
In order to accurately identify the potential noise source in the IC, it is necessary to measure the magnetic field above several tens of micrometers (μm) above the IC wiring inside the IC package, for example, above 30 μm. The cross section 112 shows the inside of the IC package 110. However, IC
In the measurement of the magnetic field inside the package, there is a large coupling capacitance due to the electric field, and the accuracy of the magnetic field probe that measures only the magnetic field deteriorates. Therefore, there is a need for a technique for minimizing the influence of the electric field on the magnetic field probe inside the IC package and improving the measurement accuracy of the magnetic field distribution.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は、ICパッケー
ジを伴わないICも含めたICパッケージ内側の集積回
路の磁界分布を正確に測定するための磁界測定方法およ
びデバイスを提供する。一実施態様においては、磁界の
水平成分の誘導電圧を測定するための、電流と平行なワ
イヤのループを有する磁気プローブを使用することによ
って、ICパッケージの内側(または、たとえばパッケ
ージング前のIC)で30μm台の測定高において、磁
界のみに起因する誘導電圧が測定される。電界に起因す
る誘導電圧は、2つの測定値の差を含めた計算を使用す
ることによって除去される。第1の測定は、ワイヤのル
ープの第1の端子に電圧計を結合し、第2の端子をグラ
ウンドに結合して行なわれる。また第2の測定において
は、クロスバ・スイッチにより結合を逆転、すなわち電
圧計をワイヤのループの第2の端子に結合し、第1の端
子をグラウンドに結合して行なわれる。このようにし
て、計算の後に磁界に起因する誘導電圧のみが残され
る。集積回路に関する磁界分布は、上記の手順を使用し
てIC上方をグリッド状のパターンでスキャンすること
によって測定することができる。
The present invention provides a magnetic field measuring method and device for accurately measuring the magnetic field distribution of an integrated circuit inside an IC package including an IC without an IC package. In one embodiment, by using a magnetic probe with a loop of wire parallel to the current for measuring the induced voltage of the horizontal component of the magnetic field, inside the IC package (or, for example, the IC before packaging). At the measurement height of 30 μm, the induced voltage due to only the magnetic field is measured. The induced voltage due to the electric field is removed by using a calculation that includes the difference between the two measurements. The first measurement is made by coupling a voltmeter to the first terminal of the wire loop and coupling the second terminal to ground. Also, the second measurement is performed by reversing the coupling with a crossbar switch, that is, coupling the voltmeter to the second terminal of the wire loop and coupling the first terminal to ground. In this way, only the induced voltage due to the magnetic field remains after the calculation. The magnetic field distribution for an integrated circuit can be measured by scanning in a grid pattern over the IC using the procedure described above.

【0010】別の実施態様においては、ICからの高さ
をICのライン間距離と同位の大きさにしたICの磁界
の成分を測定するための方法が提供されている。この方
法は、通電ラインの電磁界に起因する、第1の電界誘導
電圧を有する第1の誘導電圧の測定を含む。その通電ラ
インの電磁界に起因する第2の誘導電圧を、当該第2の
誘導電圧が、第1の電界誘導電圧と実質的に等しい第2
の電界電圧を含むように測定する;磁界成分は、第1の
誘導電圧と第2の誘導電圧の間の差に基づいて測定され
る。
In another embodiment, a method is provided for measuring a component of a magnetic field of an IC whose height from the IC is equal to the line distance of the IC. The method includes measuring a first induced voltage having a first electric field induced voltage due to an electromagnetic field in a current carrying line. The second induced voltage caused by the electromagnetic field of the energization line is the second induced voltage which is substantially equal to the first electric field induced voltage.
Of the electric field voltage; the magnetic field component is measured based on the difference between the first induced voltage and the second induced voltage.

【0011】本発明の別の実施態様は、ICパッケー
ジ、たとえばLSIまたはVLSI回路パッケージの内
側にある複数の通電ラインのうちの1つの通電ラインに
関する磁界を測定するための方法を提供する。この方法
は、その通電ラインの電磁界に起因する第1の誘導電圧
の測定を含み、それにおいて第1の誘導電圧は、当該通
電ラインによって生成された磁界に比例する第1の測定
電圧を有する。次に、前記通電ラインの電磁界に起因す
る第2の誘導電圧を、当該第2の誘導電圧が第1の測定
電圧の大きさと実質的に等しく符号を逆にした第2の電
圧を有する態様において測定し;磁界の成分または一部
を、第1の誘導電圧と第2の誘導電圧の間の差に基づい
て測定する。
Another embodiment of the present invention provides a method for measuring a magnetic field for one of a plurality of current lines inside an IC package, such as an LSI or VLSI circuit package. The method includes measuring a first induced voltage due to the electromagnetic field of the current carrying line, wherein the first induced voltage has a first measured voltage proportional to the magnetic field generated by the current carrying line. . Next, the second induced voltage caused by the electromagnetic field of the energization line has a second voltage in which the second induced voltage is substantially equal to the magnitude of the first measured voltage and the sign is reversed. At; the component or part of the magnetic field is measured based on the difference between the first induced voltage and the second induced voltage.

【0012】別の実施態様は、LSI回路の磁界分布を
測定するための磁界プローブを提供し、それにおいて
は、集積回路上方の、大きさがLSIの回路の通電ライ
ン間における距離と同位となる高さにおいてLSI回路
の電磁界によって生成された誘導電圧を測定するための
測定プローブであって、電子回路によって第2の端末ポ
イントと結合された第1の端末ポイントを含む測定プロ
ーブ;前記誘導電圧を測定するための電圧測定デバイ
ス、および、第1のエンドが前記第1および第2の端末
ポイントを介して前記測定プローブに結合され、第2の
エンドが前記電圧測定デバイスおよびグラウンドに結合
されたスイッチであって、そのスイッチが第1のポジシ
ョンにあるとき、前記第1の端末ポイントが前記電圧測
定デバイスに結合され、かつ前記第2の端末ポイントが
グラウンドに結合され、そのスイッチが第2のポジショ
ンにあるとき、前記第1の端末ポイントがグラウンドに
結合され、かつ前記第2の端末ポイントが前記電圧測定
デバイスに結合されるスイッチが備わる。また、集積回
路パッケージ内側の、複数の通電ラインを有する集積回
路の磁界値を測定する磁界測定方法であって、通電ライ
ンの電磁界に起因する第1の誘導電圧であって、第1の
電界誘導電圧を含む前記第1の誘導電圧を測定する工程
と、前記通電ラインの電磁界に起因する第2の誘導電圧
であって、前記第1の電界誘導電圧と実質的に等しい第
2の電界電圧を含む前記第2の誘導電圧を測定する工程
と、前記第1の誘導電圧と前記第2の誘導電圧の間にお
ける差に基づいて前記磁界の成分を決定(測定)する工
程を有するものである。また、前記記載の磁界測定方法
であって、前記第1の誘導電圧をVとし、前記第2の
誘導電圧をVとするとき、(V−V)/2の計算
を行うことにより磁界値を測定するものである。また、
前記記載の磁界測定方法であって、前記複数の通電ライ
ンの間の距離とほぼ同じ大きさである高さにおいて、前
記複数の通電ラインから生じる前記第1および第2の誘
導電圧を測定するものである。また、前記記載の磁界測
定方法であって、前記複数の通電ラインは電源ラインを
含むものである。また、前記記載の磁界測定方法であっ
て、前記複数の通電ラインは信号ラインを含むものであ
る。また、前記記載の磁界測定方法であって、前記第1
の誘導電圧は、第1の平方自乗平均(rms)電圧であ
り、前記第2の誘導電圧は、第2の平方自乗平均電圧で
あるものである。また、前記記載の磁界測定方法であっ
て、前記集積回路は、大規模集積回路(LSI)回路と
同等またはそれを超えるトランジスタ密度を有するもの
である。また、大規模集積回路(LSI)回路パッケー
ジ内側の該LSIの電子回路の磁界分布を測定する磁界
分布測定方法において、第1の端部をグラウンドに、第
2の端部を電圧測定デバイスに結合した測定回路を用い
て、前記電子回路の電磁界によって該測定回路内に誘導
された第1の電圧を測定する工程と、該第1の端部を該
電圧測定デバイスに、該第2の端部をグラウンドに結合
した測定回路を用いて、前記電子回路の前記電磁界によ
って前記測定回路内に誘導された第2の電圧の測定する
工程と、前記第1の誘導電圧と前記第2の誘導電圧の間
における差を用いて磁界誘導電圧を計算する工程を有す
るものである。また、前記記載の磁界分布測定方法であ
って、前記第1の電圧を測定する工程と前記第2の電圧
を測定する工程の間で、前記測定回路を回転させないも
のである。また、前記記載の磁界分布測定方法であっ
て、前記電子回路は、信号ラインを有するものである。
また、前記記載の磁界分布測定方法であって、前記電子
回路は、電源ラインを有するものである。また、前記記
載の磁界分布測定方法であって、前記測定回路からの誘
導電圧の測定は、前記電子回路の上方30マイクロメー
トル程度において実施されるものである。また、集積回
路パッケージの内側の集積回路の磁界分布を測定するた
めの磁界プローブシステムであって、前記集積回路の上
方であり、前記集積回路の通電ラインの間の距離とほぼ
同じ高さにおいて、前記集積回路の電磁界によって生成
される誘導電圧を測定し、かつ、電子回路によって第2
の端末ポイントと結合された第1の端末ポイントを含む
測定プローブと、前記誘導電圧を測定するための電圧測
定デバイスと、第1のエンドが前記第1および第2の端
末ポイントを介して前記測定プローブに結合され、第2
のエンドが前記電圧測定デバイスおよびグラウンドに結
合され、前記スイッチが第1のポジションにあるときに
は、前記第1の端末ポイントが前記電圧測定デバイスに
結合され、かつ前記第2の端末ポイントがグラウンドに
結合され、前記スイッチが第2のポジションにあるとき
には、前記第1の端末ポイントがグラウンドに結合さ
れ、かつ前記第2の端末ポイントが前記電圧測定デバイ
スに結合されるスイッチとを備えるものである。また、
前記記載の磁界プローブシステムであって、前記スイッ
チはクロスバースイッチであるものである。また、前記
記載の磁界プローブシステムであって、前記測定プロー
ブは、前記集積回路の通電ラインの間の距離とほぼ同じ
寸法を有するものである。また、前記記載の磁界プロー
ブシステムであって、前記測定プローブは、約30μm
×30μmの方形プローブであるものである。また、前
記記載の磁界プローブシステムであって、前記測定プロ
ーブは、ループ形状であるものである。また、前記記載
の磁界プローブシステムであって、前記測定プローブ
は、集積回路の通電ラインに平行に向けられるコイルで
あるものである。また、前記記載の磁界プローブシステ
ムであって、さらに、前記測定プローブが追随するため
の少なくとも1つのパスを決定するポジショニング・グ
リッドを有し、前記測定プローブは、前記ポジショニン
グ・グリッド内の各ポイントにおいて、回転を伴うこと
なく、少なくとも2つの測定を行うものである。集積回
路パッケージ内側の集積回路の磁界値を測定するための
コンピュータ・プログラムであって、第1の端部がグラ
ウンドに結合され、第2の端部が電圧測定デバイスに結
合された測定回路を用いて、前記集積回路の配線の電磁
界によって該測定回路内に誘導された第1の電圧を測定
(決定)するためのコードと、スイッチにより、該第1
の端部が電圧測定デバイスに結合され、該第2の端部が
グラウンドに結合された測定回路を用いて、前記集積回
路の配線の電磁界によって該測定回路内に誘導された第
2の電圧を測定(決定)するためのコードと、前記第1
の誘導電圧と前記第2の誘導電圧の間における差を用い
て、磁界誘導電圧を計算するためのコードを有するもの
である。
Another embodiment provides a magnetic field probe for measuring the magnetic field distribution of an LSI circuit, wherein the size is equal to the distance between the current-carrying lines of the circuit of the LSI, above the integrated circuit. A measuring probe for measuring an induced voltage generated by an electromagnetic field of an LSI circuit at a height, the measuring probe comprising a first terminal point coupled to a second terminal point by an electronic circuit; said induced voltage And a first end coupled to the measurement probe via the first and second terminal points and a second end coupled to the voltage measurement device and ground. A switch, the first terminal point being coupled to the voltage measuring device when the switch is in the first position. And the second terminal point is coupled to ground and the switch is in the second position, the first terminal point is coupled to ground and the second terminal point is coupled to the voltage measuring device. Equipped with a switch. A magnetic field measuring method for measuring a magnetic field value of an integrated circuit having a plurality of current-carrying lines inside an integrated circuit package, the method being a first induced voltage caused by an electromagnetic field of the current-carrying lines, Measuring the first induced voltage including the induced voltage, and a second electric field caused by an electromagnetic field of the energizing line, the second electric field being substantially equal to the first electric field induced voltage. A step of measuring the second induced voltage including a voltage, and a step of determining (measuring) the component of the magnetic field based on the difference between the first induced voltage and the second induced voltage. is there. Further, a magnetic field measurement method of the described, the first induced voltage and V P, when the second induction voltage V N, by performing the calculation of (V P -V N) / 2 To measure the magnetic field value. Also,
The magnetic field measuring method described above, wherein the first and second induced voltages generated from the plurality of current-carrying lines are measured at a height that is substantially the same as the distance between the plurality of current-carrying lines. Is. Further, in the magnetic field measuring method described above, the plurality of energization lines include a power supply line. Further, in the magnetic field measuring method described above, the plurality of energization lines include signal lines. Further, in the magnetic field measuring method described above, the first
Is the first root mean square (rms) voltage, and the second foot voltage is the second root mean square voltage. Further, in the magnetic field measuring method described above, the integrated circuit has a transistor density equal to or higher than that of a large scale integrated circuit (LSI) circuit. Also, in a magnetic field distribution measuring method for measuring a magnetic field distribution of an electronic circuit of an LSI inside a large scale integrated circuit (LSI) circuit package, a first end is connected to a ground and a second end is connected to a voltage measuring device. Measuring the first voltage induced in the measuring circuit by the electromagnetic field of the electronic circuit using the measuring circuit described above, the first end being the voltage measuring device and the second end being the second end. Measuring a second voltage induced in the measurement circuit by the electromagnetic field of the electronic circuit using a measurement circuit having a part coupled to ground; the first induced voltage and the second induction. There is the step of calculating the magnetic field induced voltage using the difference between the voltages. Further, in the magnetic field distribution measuring method described above, the measuring circuit is not rotated between the step of measuring the first voltage and the step of measuring the second voltage. In the magnetic field distribution measuring method described above, the electronic circuit has a signal line.
In the magnetic field distribution measuring method described above, the electronic circuit has a power supply line. Further, in the magnetic field distribution measuring method described above, the measurement of the induced voltage from the measuring circuit is performed about 30 micrometers above the electronic circuit. A magnetic field probe system for measuring a magnetic field distribution of an integrated circuit inside the integrated circuit package, which is above the integrated circuit and at a height substantially equal to a distance between current lines of the integrated circuit, Measuring an induced voltage generated by an electromagnetic field of the integrated circuit, and measuring a second voltage by an electronic circuit.
A measurement probe comprising a first terminal point coupled to a second terminal point, a voltage measuring device for measuring said induced voltage, and a first end said measuring via said first and second terminal points. Second bound to the probe
Is coupled to the voltage measuring device and ground and the switch is in the first position, the first terminal point is coupled to the voltage measuring device and the second terminal point is coupled to ground. And a switch in which the first terminal point is coupled to ground and the second terminal point is coupled to the voltage measuring device when the switch is in the second position. Also,
In the magnetic field probe system described above, the switch is a crossbar switch. Further, in the magnetic field probe system described above, the measurement probe has substantially the same dimension as the distance between the current-carrying lines of the integrated circuit. Further, in the magnetic field probe system described above, the measurement probe is about 30 μm.
It is a square probe of 30 μm. In the magnetic field probe system described above, the measurement probe has a loop shape. Further, in the magnetic field probe system described above, the measurement probe is a coil oriented parallel to a current-carrying line of the integrated circuit. Also, in the magnetic field probe system described above, further comprising a positioning grid that determines at least one path for the measurement probe to follow, the measurement probe at each point in the positioning grid. , At least two measurements are performed without rotation. A computer program for measuring a magnetic field value of an integrated circuit inside an integrated circuit package, the measuring circuit having a first end coupled to ground and a second end coupled to a voltage measuring device. And a code for measuring (determining) the first voltage induced in the measuring circuit by the electromagnetic field of the wiring of the integrated circuit, and the first voltage by the switch.
A second voltage induced in the measuring circuit by an electromagnetic field of the wiring of the integrated circuit using a measuring circuit having an end coupled to a voltage measuring device and the second end coupled to ground. And a code for measuring (determining)
And a code for calculating the magnetic field induced voltage by using the difference between the induced voltage of 1 and the second induced voltage.

【0013】次に上記の、またそのほかの本発明の実施
態様について、本文ならびに添付図面を参照して詳細な
説明を行う。
The above and other embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the text and the accompanying drawings.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下は、本発明の実施態様の説明
である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The following is a description of embodiments of the invention.

【0015】図2は、回路から測定値を得るための本発
明の一実施態様における磁気プローブを示している。従
来からICパッケージ110の上方において磁界プロー
ブが使用されており、図においてはそれを磁界プローブ
216として示しているが、そのサイズは1000μm
台である。測定高が30μm台であり、IC210の内
側である場合には、30μm台のサイズを有する磁界プ
ローブ212を用いる。その場合、結合容量C213と
して示した結合容量または寄生容量が、回路210とプ
ローブ212の間に生じる。例示を目的として「U」字
形のアクティブ通電ライン230を水平面(回路210
に平行な面)231上に示すが、それにおいて回路ライ
ン230は、パッケージ110内にある集積回路210
の信号または電源ラインの一例を示している。ライン2
30は、ACまたはノイズ電圧源V 232を有して
おり、それがライン230を介してグラウンド234に
向かう電流「i」236をドライブする。2本の平行ラ
イン230は、距離「d」μmだけ離隔されている。実
質的にインダクション・ループを有する磁界プローブ2
20は、ライン230と平行に配置され、水平面231
から上方に「h」μmの高さ242を有している。磁界
プローブ220は、ライン234と直交するx方向22
2(つまり「x」224)またはライン230に平行な
y方向226に移動することができる。電流ライン23
4は、H250およびH252によって示される磁界を
有している。磁界H252の水平成分は、磁界プローブ
220内に電圧を誘導する。また電流236は、結合容
量C214によって表される電界も発生し、それもまた
磁界プローブ220内に電圧を誘導する。磁界プローブ
220のポジションにおいて正確な、すなわち「真の」
磁界測定値を決定するためには、結合容量214に起因
する電圧を磁界の計算から除去しなければならない。
FIG. 2 shows a magnetic probe in one embodiment of the invention for obtaining measurements from a circuit. A magnetic field probe is conventionally used above the IC package 110 and is shown as a magnetic field probe 216 in the figure, but its size is 1000 μm.
It is a stand. When the measurement height is on the order of 30 μm and is inside the IC 210, the magnetic field probe 212 having a size on the order of 30 μm is used. In that case, the coupling capacitance or parasitic capacitance shown as the coupling capacitance C213 occurs between the circuit 210 and the probe 212. For illustrative purposes, a “U” shaped active current line 230 is connected to the horizontal plane (circuit 210).
Parallel plane 231), in which circuit lines 230 include integrated circuit 210 within package 110.
2 shows an example of the signal or power supply line. Line 2
30 has an AC or noise voltage source V S 232, which drives a current “i” 236 through line 230 towards ground 234. The two parallel lines 230 are separated by a distance “d” μm. Magnetic field probe 2 having substantially an induction loop
20 is arranged in parallel with the line 230, and has a horizontal plane 231.
Has a height 242 of “h” μm above. The magnetic field probe 220 has an x direction 22 perpendicular to the line 234.
2 (ie, “x” 224) or in the y-direction 226 parallel to line 230. Current line 23
4 has a magnetic field indicated by H250 and H252. The horizontal component of magnetic field H252 induces a voltage in magnetic field probe 220. The current 236 also produces an electric field represented by the coupling capacitance C214, which also induces a voltage in the magnetic field probe 220. Accurate, or "true," at the position of the magnetic field probe 220
To determine the magnetic field measurement, the voltage due to the coupling capacitance 214 must be removed from the magnetic field calculation.

【0016】図3は、分解能距離d312が与えられた
とき、それに対して必要となる測定高h314に関する
曲線310を示している。与えられる分解能距離d31
2は、たとえばICの電源ライン間における距離を表
す。また測定高h314は、当該電源ラインからプロー
ブ220のボトムまでの高さである。回路パッケージ1
10の電源ピンの上方に配置されるプローブ216を用
いる従来の測定については、d=250μm(図の32
2)およびh=375μm(図の324)である。磁界
プローブ220の一実施態様のテストに使用された、ラ
イン230に対応する電源ラインにおいては、d=20
μm(図の332)およびh=30μm(図の334)
であった。
FIG. 3 shows a curve 310 relating to the required measuring height h314 for a given resolution distance d312. Given resolution distance d31
2 represents the distance between the power lines of the IC, for example. The measurement height h314 is the height from the power supply line to the bottom of the probe 220. Circuit package 1
For conventional measurements with the probe 216 located above the 10 power pins, d = 250 μm (32 in the figure).
2) and h = 375 μm (324 in the figure). In the power line corresponding to line 230 used to test one embodiment of the magnetic field probe 220, d = 20
μm (332 in the figure) and h = 30 μm (334 in the figure)
Met.

【0017】図4は、本発明の一実施態様による磁界プ
ローブ220によって測定された、LSI回路パッケー
ジの内側422およびLSI回路パッケージの外側41
6に関する磁界および容量結合に起因する誘導電圧41
4を、mVを単位として、測定高h412との関係にお
いて表している。直線410は、LSI回路パッケージ
の外側416における磁界によって生じた誘導電圧41
4を示し、直線420は、LSI回路パッケージの内側
422において生じた誘導電圧414を示している。直
線424は、LSI回路パッケージの外側416および
LSI回路パッケージの内側422の両方に関して、容
量結合によって磁界プローブ内に生じた誘導電圧414
を示している。図4を参照すると、LSI回路パッケー
ジの外側416に関しては、結合容量に起因する誘導電
圧(直線424)が、磁界に起因する誘導電圧(直線4
10)の約20分の1であることがわかる。しかしなが
ら、LSI回路パッケージの内側422においては、結
合容量に起因する誘導電圧(直線424)が磁界によっ
て生じた誘導電圧(直線420)より大きい。このよう
に、容量結合は、LSI回路パッケージの内側422の
磁界の測定において重大な問題を生じさせるだけであ
る。
FIG. 4 illustrates an inner side 422 of an LSI circuit package and an outer side 41 of an LSI circuit package measured by a magnetic field probe 220 according to one embodiment of the present invention.
6 induced magnetic field 41 due to magnetic field and capacitive coupling
4 in relation to the measured height h412 in mV. The straight line 410 represents the induced voltage 41 generated by the magnetic field on the outer side 416 of the LSI circuit package.
4 and the straight line 420 indicates the induced voltage 414 generated in the inside 422 of the LSI circuit package. The straight line 424 represents the induced voltage 414 generated in the magnetic field probe by capacitive coupling with respect to both the outer side 416 of the LSI circuit package and the inner side 422 of the LSI circuit package.
Is shown. Referring to FIG. 4, for the outer side 416 of the LSI circuit package, the induced voltage (straight line 424) due to the coupling capacitance is the induced voltage (straight line 4) due to the magnetic field.
It can be seen that it is about 1/20 of that of 10). However, in the inner side 422 of the LSI circuit package, the induced voltage (straight line 424) caused by the coupling capacitance is larger than the induced voltage (straight line 420) generated by the magnetic field. Thus, capacitive coupling only causes significant problems in measuring the magnetic field inside the 422 of the LSI circuit package.

【0018】図4は、LSI回路パッケージの外側41
6においては容量結合の影響が二次的であることを示し
ており、従来の磁界測定システムにおいてはそれが無視
されている。つまり、回路ボード上の1ないしは複数の
LSIデバイスの磁界分布を測定することに関して、日
本国出願第2000−206163号に開示されている
ようなシステムを使用することから従来システムを超え
る重大な利点はまったく得られない。
FIG. 4 shows the outside 41 of the LSI circuit package.
6 shows that the effect of capacitive coupling is secondary, which is neglected in conventional magnetic field measurement systems. That is, regarding the measurement of the magnetic field distribution of one or a plurality of LSI devices on the circuit board, since a system as disclosed in Japanese Patent Application No. 2000-206163 is used, a significant advantage over the conventional system is obtained. I can't get it at all.

【0019】本発明の一実施態様においては、磁界測定
がICの内側において実施され、ICから磁気プローブ
までの高さが、ICパッケージ内側のICの通電ライン
間の距離と同位の大きさとなる。それに加えて、選択肢
の1つとして磁気プローブが、ICからの測定高とほぼ
等しい寸法(たとえば長さおよび幅)を有する。単純化
した、d=20μmとする例においては、h=約30μ
mとし、約30μm×30μmの方形プローブを用い
る。
In one embodiment of the present invention, the magnetic field measurement is performed inside the IC, and the height from the IC to the magnetic probe is equal to the distance between the current-carrying lines of the IC inside the IC package. In addition, as an option, the magnetic probe has dimensions (eg length and width) approximately equal to the measured height from the IC. In a simplified example in which d = 20 μm, h = approximately 30 μ
m, and a square probe of about 30 μm × 30 μm is used.

【0020】図5は、図2を拡大した例に関する測定誘
導電圧対距離の関係を表している。図2におけるライン
230の断面が、図5においては、ラインの断面520
および522によって示されている。図5のx軸は、図
2の「x」224に沿った距離の測定値である。磁界プ
ローブによって測定された誘導電圧514は、ミリボル
トを単位として垂直軸に表されている。図5は、図2に
おける水平面231上のプローブ220およびライン2
30の10倍拡大モデルである。つまりd=(10×2
0)=200μmであり、h=(10×30)=300
μmである。グラフ510は、磁界のみに起因する誘導
電圧に関する理論曲線を示している。2つの断面520
と522の間には、522において紙面奥側に向かって
電流が流れ、520において紙面手前側に向かって電流
が流れることからヌルが存在する。つまり、断面520
と522の間の中心面において、各断面に起因する磁界
の水平成分が相殺し合う。しかしながら、磁界プローブ
による誘導電圧の測定値は、グラフ530によって示さ
れる。グラフ530は、磁界だけでなく電界にも起因す
る誘導電圧を示している。
FIG. 5 shows the measured induced voltage versus distance relationship for the example of FIG. 2 enlarged. The cross section of the line 230 in FIG. 2 is the cross section 520 of the line in FIG.
And 522. The x-axis of FIG. 5 is a measurement of distance along the “x” 224 of FIG. The induced voltage 514 measured by the magnetic field probe is represented on the vertical axis in millivolts. 5 shows the probe 220 and the line 2 on the horizontal plane 231 in FIG.
It is a 10 times enlarged model of 30. That is, d = (10 × 2
0) = 200 μm and h = (10 × 30) = 300
μm. Graph 510 shows the theoretical curve for the induced voltage due to the magnetic field only. Two cross sections 520
There is a null between 522 and 522 because a current flows toward the back side of the paper at 522 and a current flows toward the front side of the paper at 520. That is, the cross section 520
At the center plane between and 522, the horizontal components of the magnetic field due to each cross section cancel each other out. However, the measurement of the induced voltage by the magnetic field probe is shown by graph 530. Graph 530 shows the induced voltage due to the electric field as well as the magnetic field.

【0021】図6〜9は、本発明の磁界プローブ220
が有効に機能する理由を示している。ここでは、磁界プ
ローブの一実施態様を示しているが、誘導電圧測定から
電界の影響を除去するために同じコンセプトを使用する
任意の磁界測定デバイスについても本発明の範囲に含ま
れる。
6-9 illustrate the magnetic field probe 220 of the present invention.
Shows why it works effectively. Although one embodiment of a magnetic field probe is shown here, any magnetic field measurement device that uses the same concept to eliminate the effects of electric fields from induced voltage measurements is also within the scope of the present invention.

【0022】図6は、本発明の一実施態様の、磁界のみ
に起因する誘導電圧V632を測定する磁界プローブ
622を示している。AC(またはノイズ)電圧源V
612から電流i616が到来し、この電流i616
は、プローブ622内に電流630を誘導する磁界H6
20を有する。ここで、電圧源V612は変動電圧で
あり、バイアス電圧があるとしても、それが示されてい
ない点に注意されたい。誘導電流630は、磁界プロー
ブ622内をプラス側端子624からマイナス側端子6
26に向かって流れる。磁界H620に起因する誘導電
圧は、V632として与えられる。この電圧Vは、
平均または平方自乗平均(rms)電圧とすることがで
きる。
FIG. 6 illustrates a magnetic field probe 622 for measuring the induced voltage V H 632 due to the magnetic field only, in accordance with one embodiment of the present invention. AC (or noise) voltage source V S
The current i616 comes from 612, and this current i616
Is a magnetic field H6 that induces a current 630 in the probe 622.
Have twenty. It should be noted here that the voltage source V S 612 is a fluctuating voltage, and the bias voltage, if any, is not shown. The induced current 630 passes from the positive side terminal 624 to the negative side terminal 6 in the magnetic field probe 622.
It flows toward 26. Induced voltage due to the magnetic field H620 is given as V H 632. This voltage V H is
It can be an average or root mean square (rms) voltage.

【0023】図7は、本発明の一実施態様の、電流i6
16の電界のみに起因する磁界プローブ622内におけ
る誘導電圧Vを示している。電界は、結合容量C63
0によってモデリングされ、図には2つの誘導電流63
2および636が示されている。誘導電流632は、電
圧源V612から結合容量C630を介して磁界プロ
ーブ622の端子624に向かって流れ、誘導電圧V
644をもたらす。一方、第2の誘導電流636は、電
圧源V612から結合容量C630を介して磁界プロ
ーブ622の端子626に向かって流れ、誘導電圧V
640をもたらす。誘導電圧V644(または64
0)は、端子624(または626)からグラウンド6
42(または638)に電圧計を接続することによって
測定することができる。この電圧V640は、符号を
逆にした電圧V644と等しくなる。電圧Vは、平
均または平方自乗平均(rms)電圧とすることができ
る。
FIG. 7 shows the current i6 according to one embodiment of the present invention.
The induced voltage V C in the magnetic field probe 622 due to only 16 electric fields is shown. The electric field is the coupling capacitance C63.
Modeled by 0, the figure shows two induced currents 63
2 and 636 are shown. The induced current 632 flows from the voltage source V S 612 through the coupling capacitance C 630 toward the terminal 624 of the magnetic field probe 622, and the induced voltage V C
Yields 644. On the other hand, the second induced current 636 flows from the voltage source V S 612 to the terminal 626 of the magnetic field probe 622 via the coupling capacitance C 630, and the induced voltage V C
Yields 640. Induction voltage V C 644 (or 64)
0) is from terminal 624 (or 626) to ground 6
It can be measured by connecting a voltmeter to 42 (or 638). This voltage V C 640 becomes equal to the voltage V C 644 with the opposite sign. The voltage V C can be a mean or root mean square (rms) voltage.

【0024】図8は、本発明の一実施態様の磁界プロー
ブ622を用いて測定される誘導電圧V810を示し
ている。端子624をプラス側端子とし、端子626が
グラウンドに接続されたV810は、磁界H620に
起因する誘導電圧V632と、結合容量C630およ
び誘導電流636に起因する誘導電圧V640を加え
た電圧に等しい。誘導電流632が存在しないことか
ら、誘導電圧V644も存在しない。つまり、 V=V+V (式1)
FIG. 8 shows the induced voltage V P 810 measured with the magnetic field probe 622 of one embodiment of the present invention. The terminal 624 and the positive terminal, V P 810 of the terminal 626 is connected to ground, the induced voltage V H 632 due to the magnetic field H620, the induced voltage V C 640 due to the coupling capacitance C630 and the induced current 636 plus Equal to the voltage Since there is no induced current 632, there is also no induced voltage V C 644. That is, V P = V H + V C (Formula 1)

【0025】図9は、本発明の一実施態様の磁界プロー
ブ622を用いて測定される誘導電圧V910を示し
ている。端子626をプラス側端子とし、端子624が
グラウンドに接続されたVN910は、磁界H620に
起因する誘導電圧V641に等しい。グラウンド64
2を基準にすると、V640が、結合容量C630お
よび誘導電流632に起因する誘導電圧V644から
減じられる。誘導電流636が存在しないことから、誘
導電圧V640も存在しない。つまり、 V=(−V)+V (式2) ここで式2を式1から引くと、 つまり、 V=(V−V)/2 (式4) を得る。
FIG. 9 shows the induced voltage V N 910 measured with the magnetic field probe 622 of one embodiment of the present invention. V N 910 with terminal 626 as the positive terminal and terminal 624 connected to ground is equal to the induced voltage V H 641 due to magnetic field H 620. Ground 64
With reference to 2, V H 640 is subtracted from the induced voltage V C 644 due to coupling capacitance C 630 and induced current 632. Since there is no induced current 636, there is also no induced voltage V C 640. That is, V N = (− V H ) + V C (Equation 2) When Equation 2 is subtracted from Equation 1, In other words, to obtain V H = (V P -V N ) / 2 Equation (4).

【0026】図10は、本発明の一実施態様における磁
界プローブ・システムの一例を示している。この磁界プ
ローブ・システムは、コイルまたはループ1010、ス
イッチ1030、グラウンド1032に対する接続、お
よび電圧計1034に対する接続を含んでいる。スイッ
チ1030は、たとえば電圧計1034を端子1040
に、グラウンド1032を端子1042にそれぞれ接続
し(スイッチ・ポジションA)、あるいはそれに代えて
電圧計1034を端子1042に、グラウンド1032
を端子1040にそれぞれ接続する(スイッチ・ポジシ
ョンB)クロスバ・スイッチとする。最初に、たとえば
クロスバ・スイッチ1030をポジションAに設定して
コイル1010を使用し、誘導電圧、たとえばそれをV
とするが、それを、電圧計1034を介して測定して
コンピュータ(図示せず)のメモリ内にストアする。次
にコイル1010のポジションを動かさずに、クロスバ
・スイッチ1030をポジションBに設定し(そのコン
トロールもコンピュータによってなされる)、たとえば
とする誘導電圧を再び測定してコンピュータのメモ
リ内にまたストアする。これにより、コンピュータのプ
ロセッサによって簡単なプログラムを実行すれば、V
およびVを読み取り、上記の式4を使用してVを計
算することができる。
FIG. 10 shows an example of a magnetic field probe system according to an embodiment of the present invention. The magnetic field probe system includes a coil or loop 1010, a switch 1030, a connection to ground 1032, and a connection to a voltmeter 1034. The switch 1030 is provided, for example, with a voltmeter 1034 connected to a terminal 1040.
Respectively, ground 1032 to terminal 1042 (switch position A), or alternatively, voltmeter 1034 to terminal 1042 and ground 1032
Are respectively connected to terminals 1040 (switch position B) to form a crossbar switch. First, the coil 1010 is used with the crossbar switch 1030 set to position A, for example, and the induced voltage, e.g.
P , which is measured via voltmeter 1034 and stored in the memory of a computer (not shown). Then, without moving the position of the coil 1010, the crossbar switch 1030 is set to position B (the control is also done by the computer) and the induced voltage, say V N, is measured again and stored again in the memory of the computer. To do. Therefore, if a simple program is executed by the processor of the computer, V P
And V N can be read and V H can be calculated using Equation 4 above.

【0027】図11は、磁気プローブ・システム構成の
別の実施態様を示している。プローブ2101は、たと
えばインダクション・コイルまたはループであり、各エ
ンド・ポイントにおいてスイッチ2104Aおよび21
04Bに接続されている。スイッチ2104Aおよび2
104Bは、一方の出力が終端抵抗2105Aおよび2
105Bおよびグラウンドに接続されており、他方の出
力が互いに接続され、さらにそれからケーブルまたはネ
ットワーク2103に接続されている。スイッチ210
4Aおよび2104Bは、コンピュータ2108によっ
てコントロールされ(コントロール・ラインは図示され
ていない)、コンピュータは、スイッチ2104Aをそ
の終端抵抗2105Aに、かつスイッチ2104Bをケ
ーブルまたはネットワーク2103にそれぞれ接続する
か、あるいはその逆を行う。スイッチ2104Aおよび
2104Bは、ケーブルまたはネットワーク2103を
介して測定デバイス2106、たとえば電圧計またはデ
ィジタル・スコープに接続される。測定デバイス210
6は、プローブ2101内に誘導された電圧を測定す
る。測定デバイス2106は、その測定値をコンピュー
タ2108、たとえばPCまたはワークステーションに
渡し、そこで磁界の計算が行われる。図11に示したシ
ステムは、図10に示したシステムと類似に機能する。
FIG. 11 shows another embodiment of the magnetic probe system configuration. The probe 2101 is, for example, an induction coil or loop, with switches 2104A and 21 at each end point.
It is connected to 04B. Switches 2104A and 2
One output of 104B is terminating resistors 2105A and 2105A.
105B and ground, the other outputs are connected together and then to a cable or network 2103. Switch 210
4A and 2104B are controlled by computer 2108 (control lines not shown), which connects switch 2104A to its terminating resistor 2105A and switch 2104B to a cable or network 2103, respectively, or vice versa. I do. Switches 2104A and 2104B are connected via cable or network 2103 to a measuring device 2106, such as a voltmeter or digital scope. Measuring device 210
6 measures the voltage induced in the probe 2101. The measuring device 2106 passes its measurement value to a computer 2108, eg a PC or workstation, where the magnetic field calculation takes place. The system shown in FIG. 11 functions similarly to the system shown in FIG.

【0028】図12は、本発明の一実施態様においてI
C210(たとえば、図4に示したLSI回路の内側4
22)の磁界分布をプロットするために磁界プローブ1
050の動きをガイドするx‐yグリッドを示してい
る。その目的は、図1における磁界分布114に類似の
磁界分布を獲得することにあるが、IC210からの高
さhは、図1に示したようにパッケージ110の上方1
000μmではなく、30μm台とする。図12は、x
1052およびy1054のグリッドを示しており、そ
れにおいては、磁界Hのx成分およびy成分を測定する
ために図10に示したものと類似の磁界プローブ105
0(またはプローブ1050を90度回転させた105
3)の移動が行なわれる。これらの2つの成分は、図2
に示した231のような水平面内における磁界Hのベク
トル成分を構成する数学的な基底を表す。別の実施態様
においては、このほかの任意の独立した2つのベクトル
を基底として使用し、それに合わせてグリッドを適正に
修正することもできる。まず、ライン1066と平行な
姿勢で図示されているプローブ1053を、1066か
ら開始し、1068、1070、1072、1074、
等々と続くy成分パスに沿って移動するが、それにおい
てプローブ1053は、グリッドライン1066、10
70、および1074と平行になる。グリッド・ライン
1068および1072上においては、プローブ105
3が測定を行わない。測定は、xライン1052とyラ
イン1054の交点において即ち各グリッドポイントに
おいて行い、誘導電圧の2つの測定値、すなわちV
よびVを取り込む。また、各グリッド・ポイントにお
いて、磁界のx成分ベクトルHに関してVを計算す
るが、それにおいてHのx成分ベクトルは、Vに比例
する。次にy成分Hを測定するために、プローブ10
53を90度回転させて、たとえばプローブ1050の
姿勢にして、1056、1060(1058を経由)、
および1064(1062を経由)、等々と続くパスと
平行に、かつそれに沿って移動させる。この場合にも、
各グリッド・ポイントにおいて誘導電圧の2つの測定
値、すなわちV およびVを取り込み、磁界Hのy成
分ベクトルのVを計算するが、それにおいてHのy成
分ベクトルは、Vに比例する。最後に、それぞれのグ
リッド・ポイントごとに、x成分ベクトルとy成分ベク
トルを合成してそのグリッド・ポイントにおける磁界を
求める。このようにして、回路自体に近接したIC回路
に関する磁界分布が測定される。これらの計算にはコン
ピュータが使用され、ディスプレイ上に磁界をグラフィ
カルにプロットすることができる。別の実施態様におい
ては、まずプローブ1050をx軸に沿って移動し、そ
の後それを90度回転して(プローブ1053)y軸に
沿って移動する。また別の実施態様においては、プロー
ブ1050をまずx軸1052に沿って移動し、次にそ
れを90度回転して、再びx軸1052上の同じパスに
沿って移動する。さらに別の実施態様においては、複数
のプローブを備え、たとえばプローブ1050をx軸1
052に沿って移動し、それと同時にプローブ1053
をy軸1054に沿って移動する。
FIG. 12 shows the I in one embodiment of the present invention.
C210 (eg, inside 4 of the LSI circuit shown in FIG.
22) for plotting the magnetic field distribution of 1)
Shows an xy grid to guide 050 movement
It Its purpose is similar to the magnetic field distribution 114 in FIG.
It is to obtain the magnetic field distribution,
As shown in FIG. 1, the height h is 1 above the package 110.
Instead of 000 μm, it is on the order of 30 μm. FIG. 12 shows x
The grids for 1052 and y1054 are shown.
In this, the x and y components of the magnetic field H are measured
A magnetic field probe 105 similar to that shown in FIG.
0 (or probe 1050 rotated 90 degrees 105
The movement of 3) is performed. These two components are
Of the magnetic field H in a horizontal plane such as 231 shown in
Represents the mathematical basis of the tor component. Another embodiment
In, any other two independent vectors
And use the grid as the basis and adjust the grid accordingly
It can be modified. First, parallel to line 1066
The probe 1053 shown in the posture
Started from 1068, 1070, 1072, 1074,
It moves along the y component path that continues, etc., but it smells
The probe 1053 has grid lines 1066, 10
It becomes parallel to 70 and 1074. Grid line
On 1068 and 1072, the probe 105
3 does not measure. The measurement is x line 1052 and y line
At the intersection of in 1054, that is, at each grid point
And two measurements of the induced voltage, namely VPOh
And VNTake in. Also, at each grid point
And the x component vector H of the magnetic fieldxWith respect to VHCalculate
Where the x-component vector of H is VHProportional to
To do. Then y component HyProbe 10 for measuring
Rotate 53 by 90 degrees and, for example, probe 1050
In posture, 1056, 1060 (via 1058),
And 1064 (via 1062), and so on.
Move in parallel and along. Also in this case,
Two measurements of induced voltage at each grid point
Value, ie V PAnd VNIs taken in and the magnetic field H is generated y
V of the minute vectorHIs calculated, in which y
The minute vector is VHProportional to. Finally, each
X component vector and y component vector for each lid point
Tor and synthesize the magnetic field at that grid point
Ask. In this way, IC circuits close to the circuit itself
The magnetic field distribution with respect to is measured. These calculations are
Computer is used to image the magnetic field on the display.
It can be plotted in Cull. In another embodiment
First move the probe 1050 along the x-axis and
After that, rotate it 90 degrees (probe 1053) to the y-axis
Move along. In another embodiment, the probe
Move the hub 1050 first along the x-axis 1052 and then
Rotate it by 90 degrees and put it again on the same path on the x-axis 1052.
Move along. In yet another embodiment, a plurality
Of the probe, for example, probe 1050 with x-axis 1
052 and at the same time probe 1053
Is moved along the y-axis 1054.

【0029】図13に、本発明の一実施態様においてI
Cの上方のグリッド・ポイントの磁界を測定するため
の、簡略化したフローチャートを示している。これらの
ステップまたは機能は、プロセッサおよびメモリを有す
るコンピュータ上においてソフトウエアを使用すること
によって実行することができる。ステップ1080にお
いては、前述の図12によって与えられるパターンに従
って、磁界プローブ1050をポジション(x,y)に
移動する。そこにおいて、電圧計1034を使用してV
を測定し、その結果をコンピュータのメモリにストア
する(ステップ1082)。続いてコンピュータのコン
トロールの下にクロスバ・スイッチ1030をトグル
し、つまり切り替えて(ステップ1084)、次に電圧
計1034の使用によりVを測定し、その結果をコン
ピュータのメモリにストアする(ステップ1086)。
次にコンピュータは、式4を使用してVを計算し、こ
の値を、プローブ・ポジション(x,y)における磁
界、すなわち、図12に示されるようなパスのいずれの
上にプローブ1050があるかによって、x方向または
y方向のうちのいずれかに関する磁界によって誘導され
た電圧としてストアする(ステップ1088)。その次
のステップ1090はオプションであり、クロスバ・ス
イッチ1030をスイッチバッグ又はトグル、すなわち
オリジナルのポジションに戻す。その後コンピュータ
は、図12を参照して説明した手順に従ってプローブを
次のグリッド・ポジションに移動し、上記のプロセスを
繰り返す(ステップ1080)。別の実施態様において
は、ステップ1090が省略されて、ステップ1080
から1088までのステップを繰り返すとき、1回ごと
にステップ1082と1086が交番される。これは、
たとえば次の繰り返しにおいて、まずVを測定し、そ
れに続いてVを測定するために行なわれる。したがっ
て、そのまた次の繰り返しにおいては、まずVを測定
し、それに続いてVを測定するという形で続けられ
る。Vのx成分およびy成分の計算がすべて完了する
と、前述のようにこのグリッドに関する磁界の分布を測
定することができる。
Referring to FIG. 13, in one embodiment of the present invention, I
Figure 3 shows a simplified flow chart for measuring the magnetic field at grid points above C. These steps or functions can be performed by using software on a computer that has a processor and memory. In step 1080, the magnetic field probe 1050 is moved to position (x, y) according to the pattern given by FIG. 12 above. There, using a voltmeter 1034, V
P is measured and the result is stored in the memory of the computer (step 1082). Followed by toggling the crossbar switch 1030 under the control of the computer, that is, switching (step 1084), measures the V N by then voltmeter 1034 use, store the result in the memory of the computer (Step 1086 ).
The computer then uses Equation 4 to calculate V H and places this value on the magnetic field at probe position (x, y), ie, on whichever probe 1050 is shown in FIG. Depending on what is present, it is stored as a voltage induced by the magnetic field in either the x-direction or the y-direction (step 1088). The next step 1090 is optional and returns the crossbar switch 1030 to the switch bag or toggle, i.e., original position. The computer then moves the probe to the next grid position according to the procedure described with reference to Figure 12 and repeats the above process (step 1080). In another embodiment, step 1090 is omitted and step 1080
When the steps from 1 to 1088 are repeated, steps 1082 and 1086 are alternated each time. this is,
For example, in the next iteration, first measure V N, it is subsequently carried out in order to measure the V P. Thus, in its also next iteration, the V P measured first, it continues in the form of measuring the V N subsequently. Once all of the x and y components of V H have been calculated, the magnetic field distribution for this grid can be measured as described above.

【0030】図14は、本発明の一実施態様の磁界プロ
ーブ(図10と類似のプローブ)によって測定された誘
導電圧1116を水平距離x1114に関して示したグ
ラフである。図示されているグラフは、図2の10倍
(10×)拡大モデルに関するものである;すなわち、
(d=20μm、h=30μmではなく)d=200μ
m、h=300μmである。拡大モデルは、テストの簡
略化のためにのみ使用され、結果は、実際のサイズの磁
気プローブの場合と実質的に同じである。グラフ111
0は、誘導電圧Vに関する測定値を示しており、グラ
フ1112は、誘導電圧Vに関する測定値を示してい
る。これらの差、すなわち(V−V)を求めること
により、結果のグラフ1140が得られ、これは前述の
式4によって得られる値の2倍、すなわち2×Vに対
応する計算値である。ここに併記されている2つのグラ
フは、理論的に求めた磁界に関するものであり、それぞ
れ理論値をプラス10パーセントしたグラフ1130お
よび、理論値をマイナス10パーセントしたグラフ11
32である。計算値(2×V)1140は、これら2
つの理論的なグラフ1130および1132の間に挟ま
れていることから、磁界単独の理論的な値に10パーセ
ントのマージンを伴って一致していると言うことができ
る。
FIG. 14 is a graph showing the induced voltage 1116 measured by a magnetic field probe (similar to FIG. 10) of one embodiment of the present invention with respect to horizontal distance x1114. The graph shown is for the 10 × (10 ×) magnification model of FIG. 2;
(Not d = 20 μm, h = 30 μm) d = 200 μ
m and h = 300 μm. The magnified model is used only for test simplification, and the results are substantially the same as for a real size magnetic probe. Graph 111
0 indicates the measured value regarding the induced voltage V P , and the graph 1112 indicates the measured value regarding the induced voltage V N. These differences, by obtaining i.e. (V P -V N), the result of the graph 1140 is obtained which twice the value obtained by equation 4 above, i.e. the calculation value corresponding to 2 × V H is there. The two graphs shown here are related to the magnetic field theoretically obtained, and are a graph 1130 in which the theoretical value is plus 10% and a graph 11 in which the theoretical value is minus 10%, respectively.
32. The calculated value (2 × V H ) 1140 is calculated from these 2
Since it is sandwiched between two theoretical graphs 1130 and 1132, it can be said that the theoretical values of the magnetic field alone are in agreement with a margin of 10%.

【0031】本発明の別の実施態様においては、コンピ
ュータ記録媒体に記録された、電子回路を有する半導体
の磁界分布を決定(測定)するためのコンピュータ・プ
ログラムが提供される。このコンピュータ・プログラム
は、前記電子回路の電磁界によって測定回路内に誘導さ
れた第1の電圧を決定(測定)するためのコードを含
み、それにおいて前記測定回路は、前記第1の電圧を決
定(測定)するために使用されるとき、第1のエンドを
グラウンドに結合し、第2のエンドを電圧測定デバイス
に結合するものとし;かつ、前記電子回路の電磁界によ
って前記測定回路内に誘導された第2の電圧を決定(測
定)するためのコードを含み、それにおいて前記測定回
路は、前記第2の電圧を決定(測定)するために使用さ
れるとき、前記第1のエンドを前記電圧測定デバイスに
結合し、第2のエンドをグラウンドに結合するものと
し;かつ、前記第1の誘導電圧と前記第2の誘導電圧の
間における差を使用して磁界誘導電圧を計算するための
コードを含み、それにおいて前記測定回路における磁界
は、前記磁界誘導電圧に比例するものとする。
In another embodiment of the present invention, a computer program for determining (measuring) the magnetic field distribution of a semiconductor having an electronic circuit, recorded on a computer recording medium, is provided. The computer program includes code for determining (measuring) a first voltage induced in a measuring circuit by an electromagnetic field of the electronic circuit, the measuring circuit determining the first voltage. When used for (measuring), the first end shall be coupled to ground and the second end shall be coupled to the voltage measuring device; and induced in the measuring circuit by the electromagnetic field of the electronic circuit. A code for determining (measuring) a measured second voltage, wherein the measuring circuit, when used to determine (measuring) the second voltage, causes the first end to Coupled to a voltage measuring device and having a second end coupled to ground; and calculating the magnetic field induced voltage using the difference between the first induced voltage and the second induced voltage It includes code for, the magnetic field in the measurement circuit in which shall be proportional to the magnetic field induced voltage.

【0032】さらに別の実施態様は、コンピュータ記録
媒体に記録された、集積回路の近傍の位置における磁界
を決定(測定)するためのコンピュータ・プログラムあ
る。このコンピュータ・プログラムは、前記位置におい
て、磁界および電界に起因する第1の誘導電圧に関する
第1の測定を行うためのコードを含み;かつ、前記位置
において、前記磁界および前記電界に起因する第2の誘
導電圧に関する第2の測定を行うためのコードを含み、
それにおいて前記第2の測定は、前記磁界に起因する前
記第2の誘導電圧の第1の部分が、前記磁界に起因する
前記第1の誘導電圧の第2の部分と大きさにおいて同じ
であるが符号が逆になり、前記電界に起因する前記第2
の誘導電圧の第3の部分は、前記電界に起因する前記第
1の誘導電圧の第4の部分と等しくなるように行なわれ
るものとし;かつ、前記第1の測定値から前記第2の測
定値を減じて、前記位置における前記磁界に比例する結
果を求めるためのコードを含む。
Yet another embodiment is a computer program for determining (measuring) a magnetic field recorded in a computer recording medium at a position near an integrated circuit. The computer program includes code for making at the location a first measurement of a first induced voltage due to a magnetic field and an electric field; and at the location a second result due to the magnetic field and the electric field. Including code for making a second measurement of the induced voltage of
Therein, the second measurement is such that the first portion of the second induced voltage due to the magnetic field is the same in magnitude as the second portion of the first induced voltage due to the magnetic field. Are opposite in sign, and the second
The third part of the induced voltage is equal to the fourth part of the first induced voltage due to the electric field; and from the first measured value to the second measured value. Code is included for subtracting the value to obtain a result proportional to the magnetic field at the location.

【0033】具体的なハードウエアおよびソフトウエア
に関連して上記機能の説明を一般的に行ってきたが、本
発明がそれよりはるかに広い適用範囲を有することを理
解されよう。たとえば、ソフトウエア機能をさらに結合
し、あるいは逆に分割することさえも可能である。同様
にハードウエア機能についても同様であり、さらに結合
し、あるいは逆に分割することができる。ソフトウエア
機能をハードウエアに置き換えて実装すること、あるい
はハードウエアとソフトウエアの組み合わせにより実装
することも可能である。同様にソフトウエア内におい
て、あるいはハードウエアとソフトウエアの組み合わせ
においてハードウエア機能を実装することもできる。こ
のように応用に応じて、任意数の異なる組み合わせに発
展し得る。
While the above description of functions has been generally described with respect to specific hardware and software, it will be appreciated that the invention has a much broader range of applicability. For example, it is possible to further combine software functions or even divide them vice versa. Similarly, the hardware functions are the same and can be further combined or divided in the opposite way. It is also possible to implement by replacing the software function with hardware, or by implementing a combination of hardware and software. Similarly, hardware functions can be implemented in software or in a combination of hardware and software. Thus, any number of different combinations can be developed depending on the application.

【0034】本発明の各種修正ならびに変更が可能であ
る。したがって、具体的に説明していない部分について
は、本発明が付随する特許請求の範囲内において実施さ
れ得ると解釈されるべきである。
Various modifications and changes of the present invention are possible. Therefore, the portions not specifically described should be construed as being able to be implemented within the scope of the claims attached with the present invention.

【0035】[0035]

【発明の効果】本発明によれば、ICパッケージを伴わ
ないICも含めたICパッケージ内側の集積回路の磁界
分布を正確に測定するための磁界測定方法および磁界測
定装置を提供することができる。
According to the present invention, it is possible to provide a magnetic field measuring method and a magnetic field measuring apparatus for accurately measuring the magnetic field distribution of an integrated circuit inside an IC package including an IC without an IC package.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】集積回路(IC)、たとえば大規模集積回路
(LSI)を有するパッケージの磁界分布の一例を示し
ている。
FIG. 1 shows an example of a magnetic field distribution of a package having an integrated circuit (IC), for example, a large scale integrated circuit (LSI).

【図2】回路から測定値を取り出すための本発明の一実
施態様における磁気プローブを示している。
FIG. 2 shows a magnetic probe according to one embodiment of the invention for taking measurements from a circuit.

【図3】分解能距離dが与えられたとき、それに対して
必要となる測定高hに関する曲線を示している。
FIG. 3 shows the curve for the measurement height h required for a given resolution distance d.

【図4】本発明の一実施態様による磁界プローブによっ
て測定された、LSIの内側およびLSIの外側に関す
る磁界および容量結合に起因する誘導電圧を、mVを単
位として、測定高hとの関係において表している。
FIG. 4 shows the induced voltage, which is measured by a magnetic field probe according to an embodiment of the present invention, caused by a magnetic field and capacitive coupling with respect to the inside of the LSI and the outside of the LSI in relation to the measurement height h in mV. ing.

【図5】図2を拡大した例に関する測定誘導電圧対距離
の関係を表している。
FIG. 5 shows the measured induced voltage versus distance relationship for the example of FIG. 2 enlarged.

【図6】本発明の一実施態様の、磁界のみに起因する誘
導電圧Vを測定する磁界プローブを示している。
FIG. 6 illustrates a magnetic field probe for measuring the induced voltage V H due to the magnetic field only, according to one embodiment of the present invention.

【図7】本発明の一実施態様の、電流の電界のみに起因
する磁界プローブ内における誘導電圧Vを示してい
る。
FIG. 7 shows the induced voltage V C in a magnetic field probe due only to the electric field of the current, according to one embodiment of the present invention.

【図8】本発明の一実施態様の磁界プローブを用いて測
定される誘導電圧Vを示している。
FIG. 8 shows an induced voltage V P measured using a magnetic field probe according to an embodiment of the present invention.

【図9】本発明の一実施態様の磁界プローブを用いて測
定される誘導電圧Vを示している。
FIG. 9 shows the induced voltage V N measured using the magnetic field probe of one embodiment of the present invention.

【図10】本発明の一実施態様における磁界プローブの
一例を示している。
FIG. 10 shows an example of a magnetic field probe according to an embodiment of the present invention.

【図11】磁気プローブ・システム構成の別の実施態様
を示している。
FIG. 11 illustrates another embodiment of a magnetic probe system configuration.

【図12】本発明の一実施態様においてICの磁界分布
をプロットするために磁界プローブの動きをガイドする
x‐yグリッドを示している。
FIG. 12 illustrates an xy grid that guides the movement of a magnetic field probe to plot the magnetic field distribution of an IC in one embodiment of the invention.

【図13】本発明の一実施態様においてICの上方のグ
リッド・ポイントの磁界を決定するための、簡略化した
フローチャートを示している。
FIG. 13 shows a simplified flow chart for determining the magnetic field of a grid point above an IC in one embodiment of the invention.

【図14】本発明の一実施態様の磁界プローブによって
測定された誘導電圧を水平距離xに関して示したグラフ
である。
FIG. 14 is a graph showing an induced voltage measured by a magnetic field probe according to an embodiment of the present invention with respect to a horizontal distance x.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 聡 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 林 良彦 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 Fターム(参考) 2G011 AA01 AC00 AE03 2G017 AA02 AD01 CB02 2G132 AA00 AB00 AF16 AL11    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Satoshi Nakamura             292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa             Inside the Hitachi, Ltd. production technology laboratory (72) Inventor Yoshihiko Hayashi             292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa             Inside the Hitachi, Ltd. production technology laboratory F-term (reference) 2G011 AA01 AC00 AE03                 2G017 AA02 AD01 CB02                 2G132 AA00 AB00 AF16 AL11

Claims (20)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 集積回路パッケージ内側の、複数の通電
ラインを有する集積回路の磁界値を測定する磁界測定方
法であって、 通電ラインの電磁界に起因する第1の誘導電圧であっ
て、第1の電界誘導電圧を含む前記第1の誘導電圧を測
定する工程と、 前記通電ラインの電磁界に起因する第2の誘導電圧であ
って、前記第1の電界誘導電圧と実質的に等しい第2の
電界電圧を含む前記第2の誘導電圧を測定する工程と、 前記第1の誘導電圧と前記第2の誘導電圧の間における
差に基づいて前記磁界の成分を決定する工程を有するこ
とを特徴とする磁界測定方法。
1. A magnetic field measuring method for measuring a magnetic field value of an integrated circuit having a plurality of conducting lines inside an integrated circuit package, comprising: a first induced voltage caused by an electromagnetic field of the conducting line, Measuring the first induced voltage including a first electric field induced voltage, and a second induced voltage caused by an electromagnetic field of the energization line, the first induced voltage being substantially equal to the first electric field induced voltage. Measuring the second induced voltage including two electric field voltages, and determining a component of the magnetic field based on a difference between the first induced voltage and the second induced voltage. Characteristic magnetic field measurement method.
【請求項2】 請求項1に記載の磁界測定方法であっ
て、前記第1の誘導電圧をVとし、前記第2の誘導電
圧をVとするとき、(V−V)/2の計算を行う
ことにより磁界値を測定することを特徴とする磁界測定
方法。
2. A magnetic field measuring method according to claim 1, said first inductive voltage is V P, the second induced voltage when the V N, (V P -V N ) / A magnetic field measuring method, characterized in that a magnetic field value is measured by performing the calculation of 2.
【請求項3】 請求項1に記載の磁界測定方法であっ
て、前記複数の通電ラインの間の距離とほぼ同じ大きさ
である高さにおいて、前記複数の通電ラインから生じる
前記第1および第2の誘導電圧を測定することを特徴と
する磁界測定方法。
3. The magnetic field measuring method according to claim 1, wherein the heights of the first and the second conducting lines are substantially the same as the distance between the plurality of conducting lines. 2. A magnetic field measuring method characterized by measuring the induced voltage of 2.
【請求項4】 請求項3に記載の磁界測定方法であっ
て、前記複数の通電ラインは電源ラインを含むことを特
徴とする磁界測定方法。
4. The magnetic field measuring method according to claim 3, wherein the plurality of energization lines include a power supply line.
【請求項5】 請求項3に記載の磁界測定方法であっ
て、前記複数の通電ラインは信号ラインを含むことを特
徴とする磁界測定方法。
5. The magnetic field measuring method according to claim 3, wherein the plurality of energization lines include signal lines.
【請求項6】 請求項1に記載の磁界測定方法であっ
て、前記第1の誘導電圧は、第1の平方自乗平均(rm
s)電圧であり、前記第2の誘導電圧は、第2の平方自
乗平均電圧であることを特徴とする磁界測定方法。
6. The magnetic field measuring method according to claim 1, wherein the first induced voltage is a first root mean square (rm).
s) voltage, and the second induced voltage is a second root mean square voltage.
【請求項7】 請求項1に記載の磁界測定方法であっ
て、前記集積回路は、大規模集積回路(LSI)回路と
同等またはそれを超えるトランジスタ密度を有すること
を特徴とする磁界測定方法。
7. The magnetic field measuring method according to claim 1, wherein the integrated circuit has a transistor density equal to or higher than that of a large scale integrated circuit (LSI) circuit.
【請求項8】 大規模集積回路(LSI)回路パッケー
ジ内側の該LSIの電子回路の磁界分布を測定する磁界
分布測定方法において、 第1の端部をグラウンドに、第2の端部を電圧測定デバ
イスに結合した測定回路を用いて、前記電子回路の電磁
界によって該測定回路内に誘導された第1の電圧を測定
する工程と、 該第1の端部を該電圧測定デバイスに、該第2の端部を
グラウンドに結合した測定回路を用いて、前記電子回路
の前記電磁界によって前記測定回路内に誘導された第2
の電圧の測定する工程と、 前記第1の誘導電圧と前記第2の誘導電圧の間における
差を用いて磁界誘導電圧を計算する工程を有することを
特徴とする磁界分布測定方法。
8. A magnetic field distribution measuring method for measuring a magnetic field distribution of an electronic circuit of an LSI inside a large scale integrated circuit (LSI) circuit package, wherein a first end is grounded and a second end is voltage measured. Measuring a first voltage induced in the measuring circuit by an electromagnetic field of the electronic circuit using a measuring circuit coupled to the device; the first end being connected to the voltage measuring device; A second circuit induced in said measuring circuit by said electromagnetic field of said electronic circuit using a measuring circuit having its two ends coupled to ground
And a step of calculating a magnetic field induced voltage using a difference between the first induced voltage and the second induced voltage.
【請求項9】 請求項8に記載の磁界分布測定方法であ
って、前記第1の電圧を測定する工程と前記第2の電圧
を測定する工程の間で、前記測定回路を回転させないこ
とを特徴とする磁界分布測定方法。
9. The magnetic field distribution measuring method according to claim 8, wherein the measuring circuit is not rotated between the step of measuring the first voltage and the step of measuring the second voltage. Characteristic magnetic field distribution measurement method.
【請求項10】 請求項8に記載の磁界分布測定方法で
あって、前記電子回路は、信号ラインを有することを特
徴とする磁界分布測定方法。
10. The magnetic field distribution measuring method according to claim 8, wherein the electronic circuit has a signal line.
【請求項11】 請求項8に記載の磁界分布測定方法で
あって、前記電子回路は、電源ラインを有することを特
徴とする磁界分布測定方法。
11. The magnetic field distribution measuring method according to claim 8, wherein the electronic circuit has a power supply line.
【請求項12】 請求項8に記載の磁界分布測定方法で
あって、前記測定回路からの誘導電圧の測定は、前記電
子回路の上方30マイクロメートル程度において実施さ
れることを特徴とする磁界分布測定方法。
12. The magnetic field distribution measuring method according to claim 8, wherein the measurement of the induced voltage from the measuring circuit is performed about 30 μm above the electronic circuit. Measuring method.
【請求項13】 集積回路パッケージの内側の集積回路
の磁界分布を測定するための磁界プローブシステムであ
って、 前記集積回路の上方であり、前記集積回路の通電ライン
の間の距離とほぼ同じ高さにおいて、前記集積回路の電
磁界によって生成される誘導電圧を測定し、かつ、電子
回路によって第2の端末ポイントと結合された第1の端
末ポイントを含む測定プローブと、 前記誘導電圧を測定するための電圧測定デバイスと、 第1のエンドが前記第1および第2の端末ポイントを介
して前記測定プローブに結合され、第2のエンドが前記
電圧測定デバイスおよびグラウンドに結合され、前記ス
イッチが第1のポジションにあるときには、前記第1の
端末ポイントが前記電圧測定デバイスに結合され、かつ
前記第2の端末ポイントがグラウンドに結合され、前記
スイッチが第2のポジションにあるときには、前記第1
の端末ポイントがグラウンドに結合され、かつ前記第2
の端末ポイントが前記電圧測定デバイスに結合されるス
イッチとを備えることを特徴とする磁界プローブシステ
ム。
13. A magnetic field probe system for measuring a magnetic field distribution of an integrated circuit inside an integrated circuit package, the magnetic field probe system being above the integrated circuit and having a height substantially equal to a distance between current lines of the integrated circuit. Measuring an induced voltage generated by an electromagnetic field of the integrated circuit and measuring the induced voltage, the measuring probe including a first terminal point coupled to a second terminal point by an electronic circuit. A voltage measuring device for coupling a first end to the measuring probe via the first and second terminal points, a second end to the voltage measuring device and ground, and a switch to When in the 1 position, the first terminal point is coupled to the voltage measuring device and the second terminal point is ground. To the first position when the switch is in the second position.
A terminal point of the
A switch coupled to the voltage measuring device at a terminal point thereof.
【請求項14】 請求項13に記載の磁界プローブシス
テムであって、前記スイッチはクロスバースイッチであ
ることを特徴とする磁界プローブシステム。
14. The magnetic field probe system according to claim 13, wherein the switch is a crossbar switch.
【請求項15】 請求項13に記載の磁界プローブシス
テムであって、前記測定プローブは、前記集積回路の通
電ラインの間の距離とほぼ同じ寸法を有することを特徴
とする磁界プローブシステム。
15. The magnetic field probe system according to claim 13, wherein the measurement probe has substantially the same dimension as a distance between current lines of the integrated circuit.
【請求項16】 請求項13に記載の磁界プローブシス
テムであって、前記測定プローブは、約30μm×30
μmの方形プローブであることを特徴とする磁界プロー
ブシステム。
16. The magnetic field probe system of claim 13, wherein the measurement probe is about 30 μm × 30.
A magnetic field probe system characterized by being a μm square probe.
【請求項17】 請求項13に記載の磁界プローブシス
テムであって、前記測定プローブは、ループ形状である
ことを特徴とする磁界プローブシステム。
17. The magnetic field probe system according to claim 13, wherein the measurement probe has a loop shape.
【請求項18】 請求項13に記載の磁界プローブシス
テムであって、前記測定プローブは、集積回路の通電ラ
インに平行に向けられるコイルであることを特徴とする
磁界プローブシステム。
18. The magnetic field probe system according to claim 13, wherein the measurement probe is a coil oriented parallel to a current-carrying line of the integrated circuit.
【請求項19】 請求項13に記載の磁界プローブシス
テムであって、さらに、前記測定プローブが追随するた
めの少なくとも1つのパスを決定するポジショニング・
グリッドを有し、前記測定プローブは、前記ポジショニ
ング・グリッド内の各ポイントにおいて、回転を伴うこ
となく、少なくとも2つの測定を行うことを特徴とする
磁界プローブシステム。
19. The magnetic field probe system of claim 13, further comprising: positioning for determining at least one path for the measurement probe to follow.
A magnetic field probe system having a grid, wherein the measurement probe makes at least two measurements at each point in the positioning grid without rotation.
【請求項20】 集積回路パッケージ内側の集積回路の
磁界値を測定するためのコンピュータ・プログラムであ
って、 第1の端部がグラウンドに結合され、第2の端部が電圧
測定デバイスに結合された測定回路を用いて、前記集積
回路の配線の電磁界によって該測定回路内に誘導された
第1の電圧を決定するためのコードと、 スイッチにより、該第1の端部が電圧測定デバイスに結
合され、該第2の端部がグラウンドに結合された測定回
路を用いて、前記集積回路の配線の電磁界によって該測
定回路内に誘導された第2の電圧を決定するためのコー
ドと、 前記第1の誘導電圧と前記第2の誘導電圧の間における
差を用いて、磁界誘導電圧を計算するためのコードを有
することを特徴とするコンピュータ・プログラム。
20. A computer program for measuring a magnetic field value of an integrated circuit inside an integrated circuit package, the first end coupled to ground and the second end coupled to a voltage measuring device. A measuring circuit for determining a first voltage induced in the measuring circuit by an electromagnetic field of the wiring of the integrated circuit, and a switch for causing the first end to become a voltage measuring device. A code for determining a second voltage induced in the measurement circuit by an electromagnetic field of wiring of the integrated circuit using the measurement circuit coupled to the second end to ground; A computer program having code for calculating a magnetic field induced voltage using a difference between the first induced voltage and the second induced voltage.
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